JP2014203869A - Method of encapsulating optical semiconductor element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光半導体素子の封止方法に関する。より詳細には、本発明は、光半導体チップを有する光半導体デバイスを光硬化性シリコーン樹脂によって封止する方法に関する。 The present invention relates to a method for sealing an optical semiconductor element. More specifically, the present invention relates to a method for sealing an optical semiconductor device having an optical semiconductor chip with a photocurable silicone resin.
今日、光半導体チップ（発光もしくは受光機能を有した半導体チップ）を保護する封止材として、透明性や耐熱性、耐光性、耐候性などの優れた性質を有するシリコーン樹脂が広く用いられている。それらの中でも、アルケニル基含有ポリオルガノシロキサンとヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンからなる付加硬化型のシリコーン樹脂は高い耐熱性や耐光性を示すことから、高出力な発光デバイスにおいて特に好適に用いられている。 Today, silicone resins having excellent properties such as transparency, heat resistance, light resistance, and weather resistance are widely used as sealing materials for protecting optical semiconductor chips (semiconductor chips having a light emitting or light receiving function). . Among these, addition-curable silicone resins composed of alkenyl group-containing polyorganosiloxane and hydrosilyl group-containing polyorganosiloxane are particularly suitable for use in high-power light-emitting devices because they exhibit high heat resistance and light resistance. .
しかしながら、付加硬化型シリコーン樹脂を硬化させるためには、一般的に１００℃〜２００℃の加熱を必要とするため、加熱中、シリコーン樹脂の流動による形状の変化や樹脂粘度の低下によるフィラーの沈降などが問題となっている。 However, in order to cure the addition-curable silicone resin, heating at 100 ° C. to 200 ° C. is generally required. Therefore, during heating, the shape of the silicone resin flows and the filler settles down due to a decrease in resin viscosity. Etc. is a problem.
上記問題を解決するため、紫外光によって硬化する付加硬化型ポリオルガノシロキサン組成物が提案されている（特許文献１および２）。これは、該組成物に紫外光を照射することによって、アルケニル基とヒドロシリル基の付加反応が室温で進行し、アルケニル基とヒドロシリル基の一部が反応したシリコーンゲルを得ることができるというものである。また、特許文献３には光硬化性付加型ポリオルガノシロキサンをＬＥＤの封止材として用いる方法が記載されている。 In order to solve the above problems, addition-curable polyorganosiloxane compositions that are cured by ultraviolet light have been proposed (Patent Documents 1 and 2). This is because, by irradiating the composition with ultraviolet light, an addition reaction of an alkenyl group and a hydrosilyl group proceeds at room temperature, and a silicone gel in which a part of the alkenyl group and the hydrosilyl group reacts can be obtained. is there. Patent Document 3 describes a method of using a photocurable addition-type polyorganosiloxane as an LED sealing material.
しかしながら、上記のような付加硬化型ポリオルガノシロキサンの光による硬化の方法は未だ満足できるものではない。特に、光によって仮硬化させた後、加熱により完全硬化させる場合に、シリコーン樹脂の深部硬化性が度々問題となる。すなわち、深部硬化性が悪いと樹脂表面と深部との硬化の程度に大きな差が生じ、その結果、後の加熱工程において硬化物表面が波打ってしまう。 However, the method of curing the addition-curable polyorganosiloxane as described above with light is not yet satisfactory. In particular, when the resin is temporarily cured by light and then completely cured by heating, the deep curability of the silicone resin often becomes a problem. That is, when the deep part curability is poor, a large difference occurs in the degree of curing between the resin surface and the deep part, and as a result, the cured product surface is wavy in the subsequent heating step.
また、光半導体デバイスには半導体素子から発せされる光をデバイス上面に集光させるための反射材が設けられており、酸化チタンやアルミナを配合したシリコーン樹脂組成物の硬化物が用いられることが知られている。しかしながら、これらの反射材は、素子を封止する光硬化性オルガノポリシロキサンの硬化に有効な紫外光領域の反射率は低いため、封止樹脂の深部硬化性改善にはほとんど寄与していなかった。 In addition, the optical semiconductor device is provided with a reflective material for condensing light emitted from the semiconductor element on the upper surface of the device, and a cured product of a silicone resin composition containing titanium oxide or alumina may be used. Are known. However, these reflectors hardly contributed to the improvement of the deep curing property of the sealing resin because the reflectance in the ultraviolet light region effective for curing the photocurable organopolysiloxane that seals the element is low. .
本発明は、上記事情に鑑み成されたものであり、光半導体素子を光硬化性ポリオルガノシロキサンによって封止する工程において、樹脂の深部硬化性を改善できる光半導体素子の封止方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an optical semiconductor element sealing method capable of improving the deep curability of a resin in a process of sealing an optical semiconductor element with a photocurable polyorganosiloxane. The purpose is that.
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、光硬化性ポリオルガノシロキサンを光によって硬化させる際に、注入したポリオルガノシロキサンの下部に接する、光半導体デバイスの基板表面に光を反射する金属部を設けることでポリオルガノシロキサンの深部硬化性が改善されることを見出し、本発明を成すに至った。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention applied light to the substrate surface of the optical semiconductor device that is in contact with the lower portion of the injected polyorganosiloxane when the photocurable polyorganosiloxane is cured by light. It has been found that the deep part curability of the polyorganosiloxane is improved by providing a reflective metal part, and the present invention has been achieved.
即ち、本発明は、光半導体素子の封止方法であって、光を反射することが可能な金属部が露出した基板上に光硬化性ポリオルガノシロキサンを注入し、光照射することを特徴とする光半導体素子の封止方法、及びこの封止方法を含む光半導体装置の製造方法を提供するものである。 That is, the present invention is a method for sealing an optical semiconductor element, wherein a photocurable polyorganosiloxane is injected onto a substrate on which a metal part capable of reflecting light is exposed, and is irradiated with light. An optical semiconductor element sealing method and an optical semiconductor device manufacturing method including the sealing method are provided.
本発明の封止方法によれば、ポリオルガノシロキサンの深部硬化性が改善される。 According to the sealing method of the present invention, the deep curability of the polyorganosiloxane is improved.
以下、本発明について詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明は、光半導体素子の封止方法であって、光半導体素子を光硬化性ポリオルガノシロキサンによって封止する工程において、光を反射することが可能な金属部が露出した基板を用いることを特徴とする。 The present invention is a method for encapsulating an optical semiconductor element, wherein in the step of encapsulating the optical semiconductor element with a photocurable polyorganosiloxane, a substrate having an exposed metal part capable of reflecting light is used. Features.
図１のワイヤーボンディングタイプの光半導体デバイスを例にすると、ダム材によって囲まれた空孔内の基板表面上に存在する金属配線２に光半導体チップ１が接着され、通電用金属部３と光半導体チップ１が金属ワイヤー４によって接続されており、ダム材６によって囲まれた空孔内には光硬化性のシリコーン樹脂７が注入されている。ここで、本発明の特徴となるのが、光反射用に金属層を露出させている点である。以下、各部材について詳細に説明する。 Taking the wire bonding type optical semiconductor device of FIG. 1 as an example, the optical semiconductor chip 1 is bonded to the metal wiring 2 existing on the surface of the substrate in the hole surrounded by the dam material, and the current-carrying metal portion 3 and light The semiconductor chip 1 is connected by a metal wire 4, and a photocurable silicone resin 7 is injected into the void surrounded by the dam material 6. The feature of the present invention is that the metal layer is exposed for light reflection. Hereinafter, each member will be described in detail.
[光半導体チップおよび金属配線]
光半導体チップは特に限定されるものではなく、光を受光もしくは発光する機能を有していれば良く、市販のものを用いることができる。上記光半導体チップは基板に備えられた金属配線に電気が通じるように接着される。金属配線の材質は電気を通すものであれば特に限定はないが、電気伝導性の観点から、金、銀、銅を用いることが望ましい。
[Optical semiconductor chip and metal wiring]
The optical semiconductor chip is not particularly limited as long as it has a function of receiving or emitting light, and a commercially available one can be used. The optical semiconductor chip is bonded to a metal wiring provided on the substrate so that electricity is conducted. The material of the metal wiring is not particularly limited as long as it conducts electricity, but it is desirable to use gold, silver, or copper from the viewpoint of electrical conductivity.
[通電用金属部および金属ワイヤー]
通電用金属部は光半導体が接着されている金属配線とは電気的に絶縁されており、金属ワイヤーによって光半導体と通電用金属部が互いに接続される。通電用金属および金属ワイヤーの材質については金属配線と同様である。また、図２に示したようなフリップチップ型の光半導体デバイスにおいては金属ワイヤーは不要である。
[Metal parts for energization and metal wires]
The energizing metal portion is electrically insulated from the metal wiring to which the optical semiconductor is bonded, and the optical semiconductor and the energizing metal portion are connected to each other by the metal wire. The materials for the energizing metal and the metal wire are the same as those for the metal wiring. Further, the flip-chip type optical semiconductor device as shown in FIG. 2 does not require a metal wire.
[光反射用金属露出部]
本発明の特徴である光反射用金属露出部（光を反射することが可能な金属部が露出した部分）について説明する。光反射用金属露出部の金属は光を反射する金属であれば特に限定されるものではない。このような金属の好適な例としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ロジウム、クロム、ニッケル、鉄またはそれらの合金などの金属が挙げられ、さらに好ましい金属としては紫外光領域においても高い反射率を有する銀、アルミニウム、ロジウムが挙げられる。また、この光反射用金属露出部は、光半導体が接着されている金属配線と通電用金属部が電気的に接続されないよう配置されなければならない。光反射用金属露出部の露出面積は、基板上に露出している全面積（ダイボンド材およびチップの面積を除く）に対して５〜１００％が好ましく、更に２０〜１００％が好ましい（図４参照）。この範囲であれば、光硬化性シリコーン樹脂の深部硬化性が良好となる。
[Exposed metal for light reflection]
The light reflecting metal exposed portion (the portion where the metal portion capable of reflecting light is exposed), which is a feature of the present invention, will be described. The metal of the light reflecting metal exposed portion is not particularly limited as long as it is a metal that reflects light. Suitable examples of such metals include metals such as gold, silver, copper, platinum, aluminum, rhodium, chromium, nickel, iron, and alloys thereof, and more preferable metals are high in the ultraviolet region. Examples thereof include silver, aluminum, and rhodium having reflectivity. The light reflecting metal exposed portion must be arranged so that the metal wiring to which the optical semiconductor is bonded and the conducting metal portion are not electrically connected. The exposed area of the light-exposed metal exposed portion is preferably 5 to 100%, more preferably 20 to 100%, based on the total area exposed on the substrate (excluding the area of the die bond material and the chip) (FIG. 4). reference). If it is this range, the deep-part curability of a photocurable silicone resin will become favorable.
[ダム材]
ダム材の材質および形状は両方とも特に限定されるものではなく、注入されたシリコーン樹脂の形状を保つ機能があれば良い。また、シリコーン樹脂が未硬化状態において単独でその形状を保つことができる場合、例えば、シリコーン樹脂が高チクソ性を持つ場合やシリコーン樹脂が固体状である場合にはダム材はなくても良い。
[Dam material]
Both the material and shape of the dam material are not particularly limited as long as it has a function of maintaining the shape of the injected silicone resin. In addition, when the silicone resin can be kept alone in an uncured state, for example, when the silicone resin has high thixotropy or when the silicone resin is solid, the dam material may be omitted.
[シリコーン樹脂封止層]
シリコーン樹脂封止層に用いられる光硬化性ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、（Ａ）アルケニル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンと（Ｂ）ヒドロシリル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンと（Ｃ）光活性型白金系触媒を含有し、任意にその他の成分を含んだポリオルガノシロキサン組成物が好ましいものとして挙げられる。以下、各々の成分について説明する。
[Silicone resin sealing layer]
Examples of the photocurable polyorganosiloxane used for the silicone resin sealing layer include (A) a polyorganosiloxane containing at least two alkenyl groups in the molecule and (B) at least two hydrosilyl groups in the molecule. A polyorganosiloxane composition containing the polyorganosiloxane contained above and (C) a photoactive platinum-based catalyst, and optionally containing other components, is preferred. Hereinafter, each component will be described.
（Ａ）アルケニル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサン
成分（Ａ）としては下記一般式（１）
（Ｒ1 3ＳｉＯ1/2）l（Ｒ1 2ＳｉＯ2/2）m（Ｒ1ＳｉＯ3/2）n（ＳｉＯ4/2）o （１）
（Ｒ1は、互いに独立に、水素原子、又は酸素原子、ハロゲン原子、窒素原子若しくは硫黄原子を含んでいてよい炭素数１〜１８の一価炭化水素基であり、ｌは０〜１００００の整数であり、ｍは０〜１００００の整数であり、ｎは０〜１００００の整数であり、ｏは０〜１００００の整数である。）で表され、一分子内においてＲ1の少なくとも２個以上がアルケニル基であるポリオルガノシロキサンが好ましい。
(A) Polyorganosiloxane containing at least two alkenyl groups in the molecule As component (A), the following general formula (1)
(R 1 3 SiO 1/2 ) l (R 1 2 SiO 2/2 ) m (R 1 SiO 3/2 ) n (SiO 4/2 ) o (1)
(R 1 is, independently of each other, a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may contain an oxygen atom, a halogen atom, a nitrogen atom or a sulfur atom, and l is an integer of 0 to 10,000. M is an integer of 0 to 10000, n is an integer of 0 to 10000, and o is an integer of 0 to 10000), and at least two of R 1 in one molecule are Polyorganosiloxanes that are alkenyl groups are preferred.
（Ｂ）ヒドロシリル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサン
成分（Ｂ）としては上記一般式（１）で表され、一分子内においてＲ1の少なくとも２個以上がヒドロシリル基であるポリオルガノシロキサンが好ましい。成分（Ｂ）の配合量は、上記（Ａ）成分のアルケニル基１等量に対してヒドロシリル基が０．１〜４．０等量となる量が好ましく、さらに好ましくは０．５〜２．０の範囲となる量である。この範囲であれば十分に硬化したシリコーン樹脂封止層を得ることができる。
(B) Polyorganosiloxane containing at least two hydrosilyl groups in the molecule The component (B) is represented by the above general formula (1), and at least two of R 1 are hydrosilyl groups in one molecule. Polyorganosiloxane is preferred. The amount of the component (B) is preferably such that the hydrosilyl group is 0.1 to 4.0 equivalents, more preferably 0.5 to 2.1, with respect to 1 equivalent of the alkenyl group of the component (A). The amount is in the range of 0. Within this range, a sufficiently cured silicone resin sealing layer can be obtained.
（Ｃ）光活性型金属錯体触媒
成分（Ｃ）は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）のヒドロシリル化反応を光によって開始させる能力を有した金属錯体であれば特に限定されるものではないが、通常、例えば白金、ロジウム、イリジウム、コバルト、ニッケル、及びパラジウムのような貴金属の錯体を含む。就中、貴金属含有触媒は白金を含有するものが好ましい。また、２種類以上の金属錯体触媒を同時に使用してもよい。好ましい白金錯体の例としては、β − ジケトネート白金錯体、（η５−シクロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体、及びＣ ７〜２０−芳香族置換（η５ − シクロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体などが挙げられる。
成分（Ｃ）の添加量は、ヒドロシリル化反応を促進するのに十分な量であれば良く、ポリオルガノシロキサン組成物１００質量部に対して、好ましくは０．００００１〜１質量部、より好ましくは０．０００１〜０．１質量部、さらに好ましくは０．０００５〜０．０５質量部である。
(C) Photoactive metal complex catalyst Component (C) is not particularly limited as long as it is a metal complex having the ability to initiate the hydrosilylation reaction of component (A) and component (B) with light. Usually include complexes of noble metals such as, for example, platinum, rhodium, iridium, cobalt, nickel, and palladium. In particular, the noble metal-containing catalyst preferably contains platinum. Two or more metal complex catalysts may be used simultaneously. Examples of preferred platinum complexes include β-diketonate platinum complexes, (η5-cyclopentadienyl) tri (σ-aliphatic) platinum complexes, and C 7-20-aromatic substituted (η5-cyclopentadienyl) trines. (Σ-aliphatic) platinum complex and the like.
Component (C) may be added in an amount sufficient to promote the hydrosilylation reaction, and is preferably 0.00001 to 1 part by weight, more preferably 100 parts by weight of polyorganosiloxane composition. It is 0.0001-0.1 mass part, More preferably, it is 0.0005-0.05 mass part.
任意成分
（Ｄ）蛍光体
（Ｄ）成分の蛍光体は、公知の蛍光体であればいずれのものであってもよく、その配合量は、蛍光体含有熱硬化性シリコーン樹脂層を構成する熱硬化性シリコーン樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、通常０．１〜２０００質量部が好ましく、０．１〜３００質量部がより好ましく、１０〜３００の範囲がさらに好ましい。（Ｄ）成分の蛍光体の平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ50（又はメジアン径）として求めることができる。通常その平均粒径が１０ｎｍ以上であればよく、好適には１０ｎｍ〜１０μｍ、より好適には１０ｎｍ〜１μｍ程度のものが使用される。
Arbitrary component (D) Phosphor The phosphor of component (D) may be any phosphor as long as it is a known phosphor, and the blending amount thereof is the heat constituting the phosphor-containing thermosetting silicone resin layer. 0.1-2000 mass parts is preferable normally with respect to a total of 100 mass parts of (A)-(C) component of a curable silicone resin composition, 0.1-300 mass parts is more preferable, 10-300 A range is further preferred. The average particle diameter of the phosphor of component (D) can be determined as a mass average value D 50 (or median diameter) in particle size distribution measurement by laser light diffraction. In general, the average particle diameter may be 10 nm or more, preferably 10 nm to 10 μm, more preferably about 10 nm to 1 μm.
蛍光物質は、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。蛍光物質としては、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体及び酸窒化物系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類金属硫化物蛍光体、アルカリ土類金属チオガレート蛍光体、アルカリ土類金属窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体蛍光体、Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系オキシ窒化物ガラス蛍光体等が挙げられ、これら蛍光体から選ばれる少なくとも１以上を用いることが好ましい。 The fluorescent material may be any material as long as it absorbs light from a semiconductor light emitting diode having a nitride semiconductor as a light emitting layer and converts the light to light of a different wavelength. Examples of the fluorescent material include nitride-based phosphors and oxynitride-based phosphors mainly activated by lanthanoid-based elements such as Eu and Ce, lanthanoid-based phosphors such as Eu, and transition metal-based elements such as Mn. Mainly activated alkaline earth metal halogen apatite phosphor, alkaline earth metal borate phosphor, alkaline earth metal aluminate phosphor, alkaline earth metal silicate phosphor, alkaline earth metal sulfide Phosphors, alkaline earth metal thiogallate phosphors, alkaline earth metal silicon nitride phosphors, germanate phosphors, rare earth aluminate phosphors mainly activated with lanthanoid elements such as Ce, rare earth silicate phosphors And organic and organic complex phosphors mainly activated with lanthanoid elements such as Eu or Eu, Ca—Al—Si—O—N oxynitride glass phosphors, etc. , It is preferable to use at least one or more selected from these phosphors.
具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。以下において、ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種の元素であり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種であり、ＲはＥｕ、Ｍｎ、又はＥｕとＭｎとの組合せのいずれかである。 As specific examples, the following phosphors can be used, but are not limited thereto. In the following, M is at least one element selected from Sr, Ca, Ba, Mg, and Zn, X is at least one element selected from F, Cl, Br, and I, and R is Eu, Mn, or Any combination of Eu and Mn.
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体としては、Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕなどがある。また、Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：ＥｕのほかＭＳｉ7Ｎ10：Ｅｕ、Ｍ1.8Ｓｉ5Ｏ0.2Ｎ8：Ｅｕ、Ｍ0.9Ｓｉ7Ｏ0.1Ｎ10：Ｅｕなどもある。 Examples of nitride phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce include M 2 Si 5 N 8 : Eu. In addition to M 2 Si 5 N 8 : Eu, there are MSi 7 N 10 : Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8 : Eu, M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10 : Eu, and the like.
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体としては、ＭＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕなどがある。 An oxynitride phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or Ce includes MSi 2 O 2 N 2 : Eu.
Ｅｕ等のランタノイド系もしくはＭｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体としては、Ｍ5（ＰＯ4）3Ｘ：Ｒなどがある。 Examples of the alkaline earth metal halogen apatite phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or a transition metal element such as Mn include M 5 (PO 4 ) 3 X: R.
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体としては、Ｍ2Ｂ5Ｏ9Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などがある。 As the alkaline earth metal borate phosphor, M 2 B 5 O 9 X: R (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is F, Cl, And at least one selected from Br and I. R is Eu, Mn, or any one of Eu and Mn.).
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体としては、ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｒ、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｒ、ＣａＡｌ2Ｏ4：Ｒ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｒ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ12：Ｒ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｒ（Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１種以上である。）などがある。 Alkaline earth metal aluminate phosphors include SrAl 2 O 4 : R, Sr 4 Al 14 O 25 : R, CaAl 2 O 4 : R, BaMg 2 Al 16 O 27 : R, BaMg 2 Al 16 O 12 : R, BaMgAl 10 O 17 : R (wherein R is one or more of Eu, Mn, Eu and Mn).
アルカリ土類金属硫化物蛍光体としては、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕなどがある。 Examples of the alkaline earth metal sulfide phosphor include La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.
Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体としては、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｙ3（Ａｌ0.8Ｇａ0.2）5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体などがある。また、Ｙの一部若しくは全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅなどもある。 As rare earth aluminate phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Ce, Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga) 0.2 ) 5 O 12 : Ce, (Y, Gd) 3 (Al, Ga) 5 O 12 and other YAG phosphors represented by the composition formula. Further, there are Tb 3 Al 5 O 12 : Ce, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, etc., in which a part or all of Y is substituted with Tb, Lu or the like.
その他の蛍光体としては、ＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ2ＧｅＯ4：Ｍｎ、ＭＧａ2Ｓ4：Ｅｕなどがある。 Other phosphors include ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4 : Mn, MGa 2 S 4 : Eu, and the like.
上述の蛍光体は、所望に応じてＥｕに代えて、又は、Ｅｕに加えてＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉから選択される１種以上を含有させることもできる。 The phosphor described above contains at least one selected from Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, and Ti instead of Eu or in addition to Eu as desired. You can also.
Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系オキシ窒化物ガラス蛍光体とは、モル％表示で、ＣａＣＯ3をＣａＯに換算して２０〜５０モル％、Ａｌ2Ｏ3を０〜３０モル％、ＳｉＯを２５〜６０モル％、ＡｌＮを５〜５０モル％、希土類酸化物または遷移金属酸化物を０．１〜２０モル％とし、５成分の合計が１００モル％となるオキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体である。尚、オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体では、窒素含有量が１５質量％以下であることが好ましく、希土類酸化物イオンの他に増感剤となる他の希土類元素イオンを希土類酸化物として蛍光ガラス中に０．１〜１０モル％の範囲の含有量で共賦活剤として含むことが好ましい。 The Ca—Al—Si—O—N-based oxynitride glass phosphor is expressed in terms of mol%, CaCO 3 is converted to CaO, 20 to 50 mol%, Al 2 O 3 is 0 to 30 mol%, SiO 2 25 to 60 mol%, AlN 5 to 50 mol%, rare earth oxide or transition metal oxide 0.1 to 20 mol%, and oxynitride glass having a total of 5 components of 100 mol% as a base material This is a phosphor. In the phosphor using oxynitride glass as a base material, the nitrogen content is preferably 15% by mass or less. In addition to the rare earth oxide ion, another rare earth element ion serving as a sensitizer is added to the rare earth oxide. It is preferable to contain as a co-activator in content in the range of 0.1-10 mol% in fluorescent glass.
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も本発明に使用することができる。 Moreover, it is fluorescent substance other than the said fluorescent substance, Comprising: The fluorescent substance which has the same performance and effect can also be used for this invention.
「その他の成分」
シリコーン樹脂封止層は、上記成分の他、光増感剤や接着助剤、反応抑制剤、顔料などのフィラー、溶剤などを含んでいても良い。これらの成分は既知のものを使用して良く、市販のものを利用しても良い。
"Other ingredients"
In addition to the above components, the silicone resin sealing layer may contain a photosensitizer, an adhesion aid, a reaction inhibitor, a filler such as a pigment, a solvent, and the like. These components may be known ones or commercially available ones may be used.
本発明におけるシリコーン樹脂封止層は、光照射により硬化する。 The silicone resin sealing layer in the present invention is cured by light irradiation.
光硬化性ポリオルガノシロキサンの硬化のために照射される光の波長は成分（Ｃ）を活性化することができる波長の範囲を有していれば特に限定されるものではないが、好適な光活性型金属錯体触媒の例として挙げた白金錯体を用いる場合は、２００〜７００ｎｍの波長範囲に最大ピークを有する光が好ましく、３００〜４００ｎｍの波長範囲に最大ピークを有する光がより好ましい。これらの波長を有する光の供給源の例としては、タングステンハロゲンランプ、キセノンアークランプ、水銀アークランプ、白熱ランプ、殺菌ランプ、及び蛍光ランプ、ＬＥＤランプなどが挙げられる。また、波長の最大ピークが所望の波長となるように、バンドパスフィルターなどを用いて他の波長をカットしてもよい。特に特開２０１２−１２１９６０号公報に記載されている、発光スペクトルにおける３００ｎｍから４００ｎｍの領域に最大ピーク波長を有し、かつ該光の３００ｎｍより短い波長領域にある各波長の放射照度が前記最大ピーク波長の放射照度の５％以下であるような光を用いると、短時間で硬化することができるため特に好ましい。 The wavelength of light irradiated for curing the photocurable polyorganosiloxane is not particularly limited as long as it has a wavelength range that can activate the component (C). When using the platinum complex mentioned as an example of an active type metal complex catalyst, the light which has the maximum peak in the wavelength range of 200-700 nm is preferable, and the light which has the maximum peak in the wavelength range of 300-400 nm is more preferable. Examples of light sources having these wavelengths include tungsten halogen lamps, xenon arc lamps, mercury arc lamps, incandescent lamps, sterilizing lamps, fluorescent lamps, LED lamps, and the like. Moreover, you may cut other wavelengths using a band pass filter etc. so that the maximum peak of a wavelength may turn into a desired wavelength. In particular, as described in JP 2012-121960 A, the emission peak has a maximum peak wavelength in the region of 300 nm to 400 nm, and the irradiance of each wavelength in the wavelength region shorter than 300 nm of the light is the maximum peak. It is particularly preferable to use light that is 5% or less of the wavelength irradiance because it can be cured in a short time.
光の照射量は光硬化性ポリオルガノシロキサン組成物がゲル状となり、流動性が失われる状態となるのに十分な照射量であることが好ましい。具体的には、成分（Ａ）のアルケニル基の少なくとも５モル％がヒドロシリル化反応によって消費されることが好ましく、より好ましくは少なくとも２０モル％がヒドロシリル化反応によって消費されることが好ましい。 It is preferable that the amount of light irradiation is sufficient for the photocurable polyorganosiloxane composition to be in a gel state and lose fluidity. Specifically, it is preferred that at least 5 mol% of the alkenyl group of component (A) is consumed by the hydrosilylation reaction, more preferably at least 20 mol% is consumed by the hydrosilylation reaction.
光硬化性ポリオルガノシロキサン組成物の硬化を促進するために、光照射と同時に加熱することが好ましい。但し、加熱によるポリオルガノシロキサン組成物の流動による形状の変化や樹脂粘度の低下によるフィラーの沈降などを防ぐために、加熱温度は１５０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、７０℃以下がさらに好ましい。また、加熱温度の下限は４０℃が好ましく、特に６０℃が好ましい。 In order to accelerate the curing of the photocurable polyorganosiloxane composition, it is preferable to heat at the same time as the light irradiation. However, the heating temperature is preferably 150 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower, and more preferably 70 ° C. or lower to prevent changes in shape due to flow of the polyorganosiloxane composition due to heating and sedimentation of filler due to a decrease in resin viscosity. preferable. Further, the lower limit of the heating temperature is preferably 40 ° C, particularly preferably 60 ° C.
ポリオルガノシロキサン組成物を完全に硬化させる目的で、光照射により硬化した後に加熱することが好ましい。加熱温度と加熱時間はヒドロシリル化反応が十分に進行する温度と時間であれば特に限定はなく、通常は８０〜２００℃の温度、１〜２４時間とすることが好ましい。また、この加熱硬化は樹脂の応力緩和などの目的で多段階加熱を行ってもよい。具体的な加熱条件の例としては、６０℃、１時間加熱後に１５０℃、４時間加熱する、などが挙げられる。 In order to completely cure the polyorganosiloxane composition, it is preferable to heat after curing by light irradiation. The heating temperature and the heating time are not particularly limited as long as the hydrosilylation reaction proceeds sufficiently, and it is usually preferably 80 to 200 ° C. and 1 to 24 hours. In addition, this heat curing may be performed in multiple stages for the purpose of stress relaxation of the resin. Specific examples of heating conditions include heating at 60 ° C. for 1 hour and then heating at 150 ° C. for 4 hours.
以下、実施例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example is shown and this invention is demonstrated in detail, this invention is not restrict | limited to the following Example.
[実施例１]
図２に示すように、鏡面加工されたアルミニウム板（３６５ｎｍの光反射率＝９２％）の上に、ダム材として熱硬化性白色シリコーン樹脂（ＬＰＳ−２４２８ＴＷ、信越化学工業株式会社製）を直径３０ｍｍ、高さ２ｍｍの円形となるよう自動ディスペンス装置（ＳＨＯＴＭＡＳＴＥＲ３００、武蔵エンジニアリング株式会社製）により、塗布した。この結果、ダム材で囲われた部分の容積は１４１３ｍｍ3となった。次に円中央部に熱硬化性ダイボンド材（ＬＰＳ−８４４５ＷＴＦ、信越化学工業株式会社製）を少量塗布し、その上に光半導体チップ（３×３×３ｍｍ3）を１つ載せた。１５０℃で４時間加熱し、ダム材とダイボンド材を硬化させることにより、ダイボンド材およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が１００％である試験基板を作製した。この円中に光硬化性シリコーン樹脂封止材（ＬＰＳ−２４２９ＵＶ、信越化学工業株式会社製）を注入し、３６５ｎｍのバンドパスフィルターで上面を覆った後、ベルトコンベア式紫外光照射装置（水銀ランプ、出力８４０ｍＷ／ｃｍ2）を用いて１００００ｍＪ／ｃｍ2の紫外光を照射した。
[Example 1]
As shown in FIG. 2, a thermosetting white silicone resin (LPS-2428TW, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is used as a dam material on a mirror-finished aluminum plate (365 nm light reflectance = 92%). It apply | coated with the automatic dispensing apparatus (SHOTMASTER300, the product made by Musashi Engineering) so that it might become a circle of 30 mm and height 2mm. As a result, the volume of the portion surrounded by the dam material was 1413 mm 3 . Then thermosetting die bonding material to the circular central portion (LPS-8445WTF, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was applied a small amount was placed one optical semiconductor chip (3 × 3 × 3mm 3) thereon. By heating at 150 ° C. for 4 hours to cure the dam material and die bond material, the area within the circle surrounded by the dam material excluding the die bond material and chip area (total area exposed on the substrate) A test substrate in which the area of the light reflection metal exposed portion was 100% was produced. A photo-curing silicone resin sealing material (LPS-2429UV, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is injected into this circle, and the upper surface is covered with a 365 nm band-pass filter, followed by a belt conveyor type ultraviolet light irradiation device (mercury lamp). , And an output of 840 mW / cm 2 ) was irradiated with 10,000 mJ / cm 2 of ultraviolet light.
[実施例２]
アルミニウム基板の代わりに、表面に銀メッキを施した銅板［３６５ｎｍの光反射率＝９０％、ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が１００％］を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
[Example 2]
Instead of aluminum substrate, copper plate with silver plating on the surface [light reflectivity of 365 nm = 90%, area in circle surrounded by dam material excluding die bond agent and chip area (exposed on substrate) Sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that the area of the exposed metal portion for light reflection was 100%.
[実施例３]
アルミニウム基板の代わりに、表面に金メッキを施した銅板（３６５ｎｍの光反射率＝４４％、ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が１００％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
[Example 3]
Instead of an aluminum substrate, a copper plate with gold plating on the surface (light reflectivity at 365 nm = 44%, area in a circle surrounded by a dam material excluding die bond agent and chip area (all exposed on the substrate) Sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that the area of the exposed metal portion for light reflection was 100%).
[実施例４]
アルミニウム基板の代わりに、図３のような、基板上表面の一部に３×３ｍｍ2の金メッキを４箇所施した黒色エポキシ基板（ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が５％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
[Example 4]
Instead of the aluminum substrate, as shown in FIG. 3, part 3 × 3 mm 4 points subjected black epoxy substrate gold plating of 2 (die bonding agent and in a circle surrounded by a dam member excluding the area of the chip substrate surface Sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that the area of the exposed metal portion for light reflection was 5% of the total area exposed on the substrate.
[実施例５]
アルミニウム基板の代わりに、図３のような、基板上表面の一部に６×６ｍｍ2の金メッキを４箇所施した黒色エポキシ基板（ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が２０％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
[Example 5]
Instead of the aluminum substrate, as shown in FIG. 3, in a circle surrounded by a dam member part gilding of 6 × 6 mm 2 excluding the area of the four locations subjected black epoxy substrate (die bonding agent and the chip substrate surface Sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that the area of the exposed metal portion for light reflection was 20% of the total area exposed on the substrate.
[実施例６]
アルミニウム基板の代わりに、図３のような、基板上表面の一部に９×９ｍｍ2の金メッキを４箇所施した黒色エポキシ基板（ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が４５％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
[Example 6]
Instead of the aluminum substrate, as shown in FIG. 3, in a circle surrounded by a part 9 × 9 mm 2 in four locations subjected black epoxy substrate with gold (die bonding agent and dam member excluding the area of the chip substrate surface The sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that the area of the exposed metal for light reflection was 45% of the total area exposed on the substrate.
[実施例７]
アルミニウム基板の代わりに、図３のような、基板上表面の一部に６×６ｍｍ2の銀メッキを４箇所施した黒色エポキシ基板（ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が２０％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
[Example 7]
Instead of an aluminum substrate, a black epoxy substrate (circle surrounded by a dam material excluding die bond agent and chip area) with 4 parts of 6 × 6 mm 2 silver plating applied to a part of the upper surface of the substrate as shown in FIG. Sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that the inside area (total area exposed on the substrate) was 20%.
[実施例８]
ＬＥＤパッケージ（ＴＧＲ―２２１７ＳＴ、信越化学工業株式会社製）に熱硬化性ダイボンド剤（ＬＰＳ−８４４５ＷＴＦ、信越化学工業株式会社製）を用いて光半導体チップ（３×３×３ｍｍ3）を実装し、１５０℃、４時間でダイボンド材を硬化させ、ダイボンド剤およびチップの面積を除き、ダム材で囲われた面積（基板上に露出している全面積）の内、表面銀メッキ銅の露出面積が約７０％である試験用パッケージを作製した。次いで、この試験用パッケージに光硬化性シリコーン樹脂封止材（ＬＰＳ−２４２９ＵＶ、信越化学工業株式会社製）を注入し、３６５ｎｍのバンドパスフィルターで上面を覆った後、ベルトコンベア式紫外光照射装置（水銀ランプ、出力８４０ｍＷ／ｃｍ2）を用いて１００００ｍＪ／ｃｍ2の紫外光を照射した。
[Example 8]
An optical semiconductor chip (3 × 3 × 3 mm 3 ) is mounted on a LED package (TGR-2217ST, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) using a thermosetting die bond agent (LPS-8445WTF, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The die bond material is cured at 150 ° C. for 4 hours, and the exposed area of the surface silver-plated copper is within the area surrounded by the dam material (the total area exposed on the substrate), excluding the area of the die bond agent and the chip. A test package of about 70% was made. Next, a photo-curable silicone resin sealing material (LPS-2429UV, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was injected into this test package, and the upper surface was covered with a 365 nm bandpass filter, and then a belt conveyor type ultraviolet light irradiation device. (Mercury lamp, output 840 mW / cm 2 ) was used to irradiate ultraviolet light of 10,000 mJ / cm 2 .
[比較例１]
アルミニウム基板の代わりに、酸化チタン粉末を５０質量％含有した白色エポキシ基板（３６５ｎｍの光反射率＝１２％、ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が０％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
[Comparative Example 1]
Instead of an aluminum substrate, a white epoxy substrate containing 50% by mass of titanium oxide powder (light reflectance of 365 nm = 12%, area in a circle surrounded by a dam material excluding die bond agent and chip area (on the substrate) Sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that the area of the exposed metal portion for light reflection was 0% of the total exposed area).
[比較例２]
アルミニウム基板の代わりに、アルミナ粉末を４５質量％および酸化チタン粉末を５質量％含有した白色エポキシ基板（３６５ｎｍの光反射率＝２１％、ダイボンド剤およびチップの面積を除いたダム材で囲った円中の面積（基板上に露出している全面積）の内、光反射用金属露出部の面積が０％）を用いたこと以外は実施例１と同様にして封止を行った。
[Comparative Example 2]
Instead of an aluminum substrate, a white epoxy substrate containing 45% by mass of alumina powder and 5% by mass of titanium oxide powder (365 nm light reflectance = 21%, circle surrounded by dam material excluding die bond agent and chip area) Sealing was performed in the same manner as in Example 1 except that the inside area (total area exposed on the substrate) was 0%.
評価
実施例および比較例で、紫外光を照射した後のシリコーン樹脂封止層上面の硬化の程度を触診することにより判断した。タック性がなく硬化が良好な物を○、タック性が残っており半硬化状態な物を△、液体状態であり未硬化な物を×として判定した。また、シリコーン樹脂封止層を基板から慎重に剥離した後、基板側のシリコーン樹脂封止層の表面タック性も同様に確認した。
Evaluation In the examples and comparative examples, the degree of curing of the upper surface of the silicone resin sealing layer after irradiation with ultraviolet light was judged by palpating. A product having no tackiness and good curing was judged as “◯”, a product having tackiness remaining in a semi-cured state as “Δ”, and a liquid state and uncured as “x”. Further, after carefully peeling the silicone resin sealing layer from the substrate, the surface tackiness of the silicone resin sealing layer on the substrate side was also confirmed.
１：光半導体チップ
２：金属配線
３：通電用金属部
４：金属ワイヤー
５：光反射用金属露出部
６：ダム材
７：シリコーン樹脂封止層
８：ダイボンド材およびチップの面積を除いたダム材で囲った部分
９：基板露出部
１０：基板
１１：封止材
1: Optical semiconductor chip 2: Metal wiring 3: Metal part for energization 4: Metal wire 5: Metal exposed part for light reflection 6: Dam material 7: Silicone resin sealing layer 8: Dam excluding die bond material and chip area Part 9: Substrate exposed portion 10: Substrate 11: Sealing material
Claims (9)
（Ａ）アルケニル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンと、（Ｂ）ヒドロシリル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンと、（Ｃ）光活性型金属錯体触媒
とを含有するポリオルガノシロキサン組成物である請求項１記載の光半導体素子の封止方法。 Photocurable polyorganosiloxane is
(A) a polyorganosiloxane containing at least two alkenyl groups in the molecule, (B) a polyorganosiloxane containing at least two hydrosilyl groups in the molecule, and (C) a photoactive metal complex catalyst, The method for sealing an optical semiconductor element according to claim 1, wherein the composition is a polyorganosiloxane composition comprising
（Ｒ1 3ＳｉＯ1/2）l（Ｒ1 2ＳｉＯ2/2）m（Ｒ1ＳｉＯ3/2）n（ＳｉＯ4/2）o （１）
（Ｒ1は、互いに独立に、水素原子、又は酸素原子、ハロゲン原子、窒素原子若しくは硫黄原子を含んでいてよい炭素数１〜１８の一価炭化水素基であり、ｌは０〜１００００の整数であり、ｍは０〜１００００の数であり、ｎは０〜１００００の数であり、ｏは０〜１００００の数である。）で表され、一分子内においてＲ1の少なくとも２個以上がアルケニル基であるポリオルガノシロキサンであり、
（Ｂ）ヒドロシリル基を分子内に少なくとも２個以上含有したポリオルガノシロキサンが、上記一般式（１）で表され、一分子内においてＲ1の少なくとも２個以上がヒドロシリル基であり、上記（Ａ）成分のアルケニル基１等量に対してヒドロシリル基が０．１〜４．０等量であるポリオルガノシロキサンである請求項３に記載の光半導体素子の封止方法。 (A) A polyorganosiloxane containing at least two alkenyl groups in the molecule is represented by the following general formula (1):
(R 1 3 SiO 1/2 ) l (R 1 2 SiO 2/2 ) m (R 1 SiO 3/2 ) n (SiO 4/2 ) o (1)
(R 1 is, independently of each other, a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may contain an oxygen atom, a halogen atom, a nitrogen atom or a sulfur atom, and l is an integer of 0 to 10,000. in and, m is a number from 0 to 10,000, n is the number of 0 to 10,000, o is represented by a number of 0 to 10,000.), at least two or more of R 1 within the molecule A polyorganosiloxane which is an alkenyl group,
(B) A polyorganosiloxane containing at least two hydrosilyl groups in the molecule is represented by the general formula (1), and at least two R 1 in one molecule are hydrosilyl groups, 4. The method for sealing an optical semiconductor element according to claim 3, wherein the hydrosilyl group is a polyorganosiloxane having 0.1 to 4.0 equivalents of an alkenyl group equivalent to 1 component.
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