JP2014195047A - Mounting table and plasma processing device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the unevenness of temperature in a central region and an end region of an object to be processed.SOLUTION: A mounting table comprises: a base portion in which a flow passage for refrigerant is formed; and an electrostatic chuck which has a mounting surface where an object to be processed is mounted and which electrostatically attracts the object to be treated. The base portion comprises: a first upper surface where the electrostatic chuck is mounted; an annular second upper surface where a focus ring is mounted which is provided at a position outer than the first upper surface and lower than the first upper surface; and a side surface which extends in a vertical direction between the first upper surface and the second upper surface. The flow passage has a central flow passage and a peripheral flow passage. The central flow passage extends under the first upper surface. The peripheral flow passage extends under the second upper surface and includes a part which extends in a direction where the first upper surface is provided along the side surface under the first upper surface. A plurality of protrusions contacting the back surface of the object to be processed are provided in the shape of dots on the mounting surface. With regard to the size per unit area of the area where a plurality of protrusions contact the back surface of the object to be processed, the end region of the mounting surface is larger than the central region of the mounting surface.

Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、載置台及びプラズマ処理装置に関するものである。   Various aspects and embodiments of the present invention relate to a mounting table and a plasma processing apparatus.

被処理体（ウェハ）及びフォーカスリングを載置するための載置台として、その内部に冷媒用の流路が形成されたベース部と、当該ベース部の上に設けられており、被処理体の裏面と接触する接触面を有し、被処理体を静電吸着する静電チャックと、を備えた載置台が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の載置台では、ベース部が、その上に被処理体を静電吸着するための静電チャックが設けられた第１上面と、該第１上面よりも外方において該第１上面よりも低い位置に設けられ、その上方にフォーカスリングが設けられた環状の第２上面と、第１上面と第２上面との間において鉛直方向に延在する側面と、を有している。この載置台では、冷媒用の流路として、第１上面の下方に位置する第１流路と、第２上面の下方に位置する第２流路とが設けられている。   As a mounting table for mounting an object to be processed (wafer) and a focus ring, a base part in which a flow path for refrigerant is formed, and the base part are provided. A mounting table having a contact surface that comes into contact with a back surface and an electrostatic chuck that electrostatically attracts an object to be processed is disclosed (for example, see Patent Document 1). In the mounting table described in Patent Document 1, the base portion includes a first upper surface on which an electrostatic chuck for electrostatically attracting an object to be processed is provided, and the first upper surface on the outside of the first upper surface. A ring-shaped second upper surface provided at a position lower than the upper surface, and a focus ring provided thereon, and a side surface extending in a vertical direction between the first upper surface and the second upper surface. Yes. In this mounting table, a first flow path positioned below the first upper surface and a second flow path positioned below the second upper surface are provided as the flow paths for the refrigerant.

また、被処理体の裏面と接触する静電チャックの上面には、被処理体裏面に伝熱ガスを均一に分散させるためのガス溝が設けられている。このガス溝により、静電チャックの上面には、凸部が形成されている。   Further, a gas groove for uniformly dispersing the heat transfer gas on the back surface of the object to be processed is provided on the upper surface of the electrostatic chuck that is in contact with the back surface of the object to be processed. Due to the gas groove, a convex portion is formed on the upper surface of the electrostatic chuck.

特開２０１１−９３５１号公報JP 2011-9351 A

しかしながら、特許文献１に記載の載置台においては、フォーカスリングからの熱が第２流路の上方に存在する部材を介して載置台（例えば載置台内部の側面側）へ伝わるため、被処理体の端部領域の温度に影響を与えるおそれがある。このため、被処理体の中央部領域と端部領域とで温度が不均一となり、その結果、被処理体の品質を悪化させる場合がある。   However, in the mounting table described in Patent Document 1, heat from the focus ring is transmitted to the mounting table (for example, the side surface inside the mounting table) via a member that exists above the second flow path. There is a risk of affecting the temperature of the end region. For this reason, temperature becomes non-uniform | heterogenous in the center area | region and edge part area | region of a to-be-processed object, As a result, the quality of a to-be-processed object may be deteriorated.

本技術分野では、被処理体の中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を抑制することが要請されている。   In this technical field, it is required to suppress uneven temperature in the central region and the end region of the object to be processed.

本発明の一側面に係る載置台は、被処理体及びフォーカスリングを載置する載置台に関するものである。この載置台は、その内部に冷媒用の流路が形成されたベース部と、ベース部の上に設けられており、被処理体を載置する載置面を有し、被処理体を静電吸着する静電チャックと、を備える。ベース部は、その上に静電チャックが設けられた第１上面、該第１上面よりも外方において該第１上面よりも低い位置に設けられ、その上方にフォーカスリングが設けられた環状の第２上面、及び第１上面と第２上面との間において鉛直方向に延在する側面を有する。流路は、中央流路及び周縁流路を有する。中央流路は、第１上面の下方において延在する。周縁流路は、第２上面の下方において延在し、且つ、第１上面の下方において側面に沿って第１上面が設けられた方向に延びる部分を含む。載置面は、中央部領域及び該中央部領域を取り囲む端部領域を有する。載置面には、被処理体の裏面と接触する複数の凸部がドット状に設けられ、複数の凸部は、端部領域の複数の凸部と被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、中央部領域の複数の凸部と被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさよりも大きくなるように形成されている。   A mounting table according to one aspect of the present invention relates to a mounting table on which an object to be processed and a focus ring are mounted. This mounting table is provided on the base part with a refrigerant channel formed therein, and a mounting surface on which the object to be processed is placed. An electrostatic chuck that performs electroadsorption. The base portion is provided with a first upper surface on which an electrostatic chuck is provided, and is provided at a position lower than the first upper surface outside the first upper surface, and an annular ring provided with a focus ring above the first upper surface. The second upper surface and a side surface extending in the vertical direction between the first upper surface and the second upper surface. The flow path has a central flow path and a peripheral flow path. The central flow path extends below the first upper surface. The peripheral flow path includes a portion that extends below the second upper surface and extends in the direction in which the first upper surface is provided along the side surface below the first upper surface. The mounting surface has a central region and an end region surrounding the central region. On the mounting surface, a plurality of convex portions that come into contact with the back surface of the object to be processed are provided in a dot shape, and the plurality of convex portions are areas in which the plurality of convex portions in the end region and the back surface of the object to be processed are in contact with each other. The size per unit area is larger than the size per unit area of the area where the plurality of convex portions in the central region contact the back surface of the object.

この載置台では、その内部に形成された周縁流路が、載置台の側面に沿って第１上面が設けられた方向に延びる部分を有している。これにより、載置台内部の側面側への入熱に対する流路の抜熱能力が向上されている。このため、フォーカスリングからの熱を被処理体に伝達させ難くすることができる。よって、被処理体の端部の温度の上昇が抑制できる。そして、この載置台では、静電チャックの載置面に複数の凸部がドット状に設けられ、当該複数の凸部と被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、端部領域の方が中央部領域よりも大きくなるように形成されている。このため、載置面の中央部領域における被処理体の冷却性を低減し、被処理体の中央部領域の温度を、被処理体の端部領域の温度に合うよう上昇させることができる。以上より、被処理体の温度の調整が、流路を流れる冷媒及び複数の凸部によって行われることとなり、被処理体の中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を抑制することが可能となる。   In this mounting table, the peripheral flow path formed therein has a portion extending in the direction in which the first upper surface is provided along the side surface of the mounting table. Thereby, the heat removal capability of the flow path with respect to heat input to the side surface inside the mounting table is improved. For this reason, it is possible to make it difficult to transfer heat from the focus ring to the object to be processed. Therefore, an increase in temperature at the end of the object to be processed can be suppressed. In this mounting table, a plurality of convex portions are provided in a dot shape on the mounting surface of the electrostatic chuck, and the size per unit area of the contact area between the plurality of convex portions and the back surface of the object to be processed is small. The end region is formed so as to be larger than the central region. For this reason, the cooling property of the to-be-processed object in the center part area | region of a mounting surface can be reduced, and the temperature of the center part area | region of a to-be-processed object can be raised so that it may match the temperature of the edge part area | region of a to-be-processed object. As described above, the temperature of the object to be processed is adjusted by the refrigerant flowing through the flow path and the plurality of convex portions, and temperature unevenness in the central region and the end region of the object to be processed can be suppressed. It becomes possible.

一実施形態においては、複数の凸部のそれぞれは、同一形状且つ同じ大きさを呈し、端部領域の複数の凸部の単位面積当たりの数が、中央部領域の複数の凸部の単位面積当たりの数よりも多くてもよい。この形態によれば、載置面の中央部領域における被処理体の冷却性を低減し、被処理体の中央部領域の温度を、被処理体の端部領域の温度に合うよう上昇させることができる。   In one embodiment, each of the plurality of convex portions has the same shape and the same size, and the number per unit area of the plurality of convex portions in the end region is the unit area of the plurality of convex portions in the central region. It may be more than the number per hit. According to this aspect, the cooling performance of the object to be processed in the central area of the mounting surface is reduced, and the temperature of the central area of the object to be processed is increased to match the temperature of the end area of the object to be processed. Can do.

一実施形態においては、周縁流路の上端には、側面に沿って該周縁流路の上端から下端に向けて延びるフィン部が形成されていてもよい。この形態によれば、周縁流路の一部にフィン部が形成されているので、当該周縁流路の表面積が、従来の周縁流路の表面積よりも大きくなっている。その結果、被処理体の端部領域からの流路の抜熱能力を向上することができ、被処理体の中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を一層抑制することが可能となる。   In one embodiment, a fin portion extending from the upper end to the lower end of the peripheral channel along the side surface may be formed at the upper end of the peripheral channel. According to this aspect, since the fin portion is formed in a part of the peripheral flow path, the surface area of the peripheral flow path is larger than the surface area of the conventional peripheral flow path. As a result, it is possible to improve the heat removal ability of the flow path from the end region of the object to be processed, and to further suppress the uneven temperature in the center region and the end region of the object to be processed. Become.

一実施形態においては、周縁流路の上端と第１上面との間の距離が、中央流路の上端と第１上面との間の距離よりも小さくてもよい。この形態によれば、周縁流路は、中央流路よりもベース部の第１上面の近くに設けられることとなる。その結果、周縁流路の抜熱能力を、中央流路の抜熱能力よりも高めることができ、被処理体の中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を一層抑制することが可能となる。   In one embodiment, the distance between the upper end of the peripheral channel and the first upper surface may be smaller than the distance between the upper end of the central channel and the first upper surface. According to this aspect, the peripheral flow path is provided closer to the first upper surface of the base portion than the central flow path. As a result, the heat removal capacity of the peripheral flow path can be increased more than the heat removal capacity of the central flow path, and the temperature non-uniformity in the center area and the end area of the workpiece can be further suppressed. It becomes.

一実施形態においては、載置面には、被処理体を支持するためのリフターピンを通過させるリフターピン用孔が形成され、複数の凸部が形成される間隔がリフターピン用孔の口径よりも広くてもよい。この形態によれば、リフターピン用孔が形成される位置に依存せずに複数の凸部を形成することができる。その結果、リフターピン用孔の位置に依存することなく、被処理体の温度調整を行うことが可能となる。   In one embodiment, the mounting surface is formed with a lifter pin hole through which a lifter pin for supporting the object to be processed is passed, and the interval at which the plurality of convex portions are formed is larger than the diameter of the lifter pin hole. May be wide. According to this embodiment, it is possible to form a plurality of convex portions without depending on the position where the lifter pin hole is formed. As a result, the temperature of the object to be processed can be adjusted without depending on the position of the lifter pin hole.

本発明の別の一側面に係るプラズマ処理装置は、被処理体及びフォーカスリングを載置する載置台を備えるプラズマ処理装置に関する。このプラズマ処理装置が備える載置台は、その内部に冷媒用の流路が形成されたベース部と、ベース部の上に設けられており、被処理体を載置する載置面を含み、被処理体を静電吸着する静電チャックと、を有する。ベース部は、その上に静電チャックが設けられた第１上面、該第１上面よりも外方において該第１上面よりも低い位置に設けられ、その上方にフォーカスリングが設けられた環状の第２上面、及び第１上面と第２上面との間において鉛直方向に延在する側面を含む。流路は、中央流路及び周縁流路を含む。中央流路は、第１上面の下方において延在する。周縁流路は、第２上面の下方において延在し、且つ、側面に沿って第１上面が設けられた方向に延びる部分を含む。載置面は、中央部領域及び該中央部領域を取り囲む端部領域を含む。載置面には、被処理体の裏面と接触する複数の凸部がドット状に設けられ、複数の凸部は、端部領域の複数の凸部と被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、中央部領域の複数の凸部と被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさよりも大きくなるように形成されている。   The plasma processing apparatus which concerns on another one side of this invention is related with a plasma processing apparatus provided with the mounting base which mounts a to-be-processed object and a focus ring. The mounting table included in the plasma processing apparatus includes a base portion in which a flow path for refrigerant is formed and a mounting surface on which the target object is mounted. And an electrostatic chuck for electrostatically attracting the processing body. The base portion is provided with a first upper surface on which an electrostatic chuck is provided, and is provided at a position lower than the first upper surface outside the first upper surface, and an annular ring provided with a focus ring above the first upper surface. A second upper surface, and a side surface extending in a vertical direction between the first upper surface and the second upper surface. The flow path includes a central flow path and a peripheral flow path. The central flow path extends below the first upper surface. The peripheral flow path includes a portion that extends below the second upper surface and extends in the direction in which the first upper surface is provided along the side surface. The mounting surface includes a central region and an end region surrounding the central region. On the mounting surface, a plurality of convex portions that come into contact with the back surface of the object to be processed are provided in a dot shape, and the plurality of convex portions have an area in which the plurality of convex portions in the end region and the back surface of the object to be processed contact each other. The size per unit area is larger than the size per unit area of the area where the plurality of convex portions in the central region contact the back surface of the object.

このプラズマ処理装置では、載置台を備え、当該載置台の内部に形成された周縁流路が載置台の側面に沿って第１上面が設けられた方向に延びる部分を含んでいる。これにより、側面からの入熱に対する流路の抜熱能力が向上されている。このため、フォーカスリングからの熱を被処理体に伝達させ難くすることができる。よって、被処理体の端部の温度の上昇が抑制できる。そして、このプラズマ処理装置が備える載置台では、静電チャックの載置面に複数の凸部がドット状に設けられ、当該複数の凸部と被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、端部領域の方が中央部領域よりも大きくなるように形成されている。このため、載置面の中央部領域における被処理体の冷却性を低減し、被処理体の中央部領域の温度を、被処理体の端部領域の温度に合うよう上昇させることができる。以上より、このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理では、被処理体の温度の調整が、流路を流れる冷媒及び複数の凸部によって行われることとなり、被処理体の中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を抑制することが可能となる。   In this plasma processing apparatus, a mounting table is provided, and a peripheral channel formed in the mounting table includes a portion extending in a direction in which the first upper surface is provided along the side surface of the mounting table. Thereby, the heat removal capability of the flow path with respect to heat input from the side surface is improved. For this reason, it is possible to make it difficult to transfer heat from the focus ring to the object to be processed. Therefore, an increase in temperature at the end of the object to be processed can be suppressed. In the mounting table provided in the plasma processing apparatus, a plurality of convex portions are provided in a dot shape on the mounting surface of the electrostatic chuck, and a unit area of an area where the plurality of convex portions and the back surface of the object to be processed are in contact with each other. The size of the hit is such that the end region is larger than the central region. For this reason, the cooling property of the to-be-processed object in the center part area | region of a mounting surface can be reduced, and the temperature of the center part area | region of a to-be-processed object can be raised so that it may match the temperature of the edge part area | region of a to-be-processed object. As described above, in the plasma processing in this plasma processing apparatus, the temperature of the object to be processed is adjusted by the refrigerant flowing through the flow path and the plurality of convex portions, and in the central region and the end region of the object to be processed. It becomes possible to suppress temperature non-uniformity.

本発明の種々の側面及び実施形態によれば、被処理体の中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を抑制することが可能となる。   According to various aspects and embodiments of the present invention, it is possible to suppress uneven temperature in the central region and the end region of the object to be processed.

一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the plasma processing apparatus which concerns on one Embodiment. 図１のプラズマ処理装置における載置台を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mounting base in the plasma processing apparatus of FIG. 従来の載置台を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the conventional mounting base. 図２の載置台における静電チャックの載置面を示す平面図である。It is a top view which shows the mounting surface of the electrostatic chuck in the mounting base of FIG. 従来の載置台においてプラズマ処理を行った場合のウェハの中心からの距離と温度との関係を説明するグラフである。It is a graph explaining the relationship between the distance from the center of a wafer at the time of performing plasma processing in the conventional mounting base, and temperature. 従来の載置台を用いた場合のウェハのエッジ領域における温度分布を、フォーカスリング側からの入熱の有無によって比較するグラフである。It is a graph which compares the temperature distribution in the edge area | region of a wafer at the time of using the conventional mounting base by the presence or absence of the heat input from the focus ring side. 従来の載置台における周縁流路と、一実施形態の載置台における周縁流路とを示す図である。It is a figure which shows the peripheral flow path in the conventional mounting base, and the peripheral flow path in the mounting base of one Embodiment. 一実施形態の載置台における断熱位置を示す図である。It is a figure which shows the heat insulation position in the mounting base of one Embodiment. 図１０の断熱位置１８ｙの厚みに対するウェハの端部の温度上昇値を示すグラフである。It is a graph which shows the temperature rise value of the edge part of a wafer with respect to the thickness of the heat insulation position 18y of FIG. 図７の（ａ）〜（ｃ）で示す周縁流路を有する載置台のそれぞれについて、ウェハへ入熱せずにフォーカスリング側からのみ入熱された場合におけるウェハの温度分布を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the temperature distribution of a wafer when heat is input only from the focus ring side without heat input to the wafer for each of the mounting tables having the peripheral flow paths shown in FIGS. 図１０の縦軸値を規格化し、縦軸を対数軸で示したグラフである。It is the graph which normalized the vertical axis value of Drawing 10, and showed the vertical axis by the logarithmic axis. 従来の周縁流路の場合と一実施形態に係る周縁流路の場合とで、ウェハのエッジ領域における温度分布を比較するグラフである。It is a graph which compares the temperature distribution in the edge area | region of a wafer with the case of the conventional peripheral flow path, and the case of the peripheral flow path which concerns on one Embodiment. 図１０の（ａ）の縦軸値を規格化したグラフである。It is the graph which normalized the vertical axis | shaft value of (a) of FIG. 図７の（ａ）〜（ｃ）で示す周縁流路を有する載置台のそれぞれについて、フォーカスリングからの入熱及びウェハの入熱をいずれも行った場合におけるウェハの温度分布を示すグラフである。It is a graph which shows the temperature distribution of a wafer when both the heat input from a focus ring and the heat input of a wafer were performed about each of the mounting base which has a peripheral flow path shown by (a)-(c) of FIG. . ウェハの端部が載置台の載置面に接触している場合のウェハの温度と、ウェハの端部が載置台の載置面に接触していない場合のウェハの温度とを比較するグラフである。A graph comparing the temperature of the wafer when the edge of the wafer is in contact with the mounting surface of the mounting table and the temperature of the wafer when the edge of the wafer is not in contact with the mounting surface of the mounting table. is there. 図７の（ｂ）に示す一実施形態に係る周縁流路を用いた載置台において、境界位置を変化させた場合のウェハの温度分布を示すグラフである。8 is a graph showing a temperature distribution of a wafer when a boundary position is changed in the mounting table using the peripheral channel according to the embodiment shown in FIG. 載置面における中央部領域と端部領域との境界位置に応じた温度分布の変化幅ΔＴの低減率を示す表である。It is a table | surface which shows the reduction rate of variation width (DELTA) T of the temperature distribution according to the boundary position of the center part area | region and edge part area | region in a mounting surface. 温度分布の変化幅ΔＴを効果的に低減することが可能な接触面積率の最大領域を示す図である。It is a figure which shows the maximum area | region of the contact area rate which can reduce the variation width (DELTA) T of temperature distribution effectively. 一実施形態に係る載置台の変形例に係る載置台の周縁流路の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the peripheral flow path of the mounting base which concerns on the modification of the mounting base which concerns on one Embodiment. 処理条件１でプラズマ処理された場合におけるウェハの中心からの距離とウェハの温度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the distance from the center of a wafer, and the temperature of a wafer at the time of performing plasma processing on the process conditions 1. FIG. 処理条件２でプラズマ処理された場合における載置面の接触面積率とウェハの温度との関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the contact area rate of a mounting surface at the time of performing plasma processing on the process conditions 2, and the temperature of a wafer for every He pressure. 実施例１、実施例２及び比較例１で測定されたウェハの中心からの距離と温度との関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the distance from the center of the wafer measured in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 and temperature for every He pressure. 比較例２で測定されたウェハの方位とエッチングレートとの関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。6 is a graph showing the relationship between the wafer orientation and the etching rate measured in Comparative Example 2 for each He pressure. 実施例３で測定されたウェハの方位とエッチングレートとの関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。6 is a graph showing the relationship between the wafer orientation measured in Example 3 and the etching rate for each He pressure. 実施例４で測定されたウェハの方位とエッチングレートとの関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the azimuth | direction of a wafer measured in Example 4, and an etching rate for every He pressure. 実施例５で測定されたウェハの方位とエッチングレートとの関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。10 is a graph showing the relationship between the wafer orientation measured in Example 5 and the etching rate for each He pressure.

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。   Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.

図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す概略断面図である。図１に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置であり、略円筒状の処理容器１２を備えている。処理容器１２の内壁面は、陽極酸化処理されたアルミニウムから構成されている。この処理容器１２は保安接地されている。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment. A plasma processing apparatus 10 shown in FIG. 1 is a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus and includes a substantially cylindrical processing container 12. The inner wall surface of the processing container 12 is made of anodized aluminum. The processing container 12 is grounded for safety.

処理容器１２の底部上には、絶縁材料から構成された略円筒上の支持部１４が配置されている。支持部１４は、処理容器１２内において、処理容器１２の底部から鉛直方向に延在している。支持部１４は、処理容器１２内に設けられた載置台１８を支持している。具体的には、図１に示すように、支持部１４は、当該支持部１４の内壁面において載置台１８を支持し得る。   On the bottom of the processing container 12, a substantially cylindrical support 14 made of an insulating material is disposed. The support portion 14 extends in the vertical direction from the bottom of the processing container 12 in the processing container 12. The support unit 14 supports a mounting table 18 provided in the processing container 12. Specifically, as shown in FIG. 1, the support portion 14 can support the mounting table 18 on the inner wall surface of the support portion 14.

載置台１８は、ベース部１８ａ及び静電チャック１８ｂを備えている。ベース部１８ａは、例えばアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。ベース部１８ａは、下部電極として構成されている。静電チャック１８ｂは、ベース部１８ａの上に設けられている。静電チャック１８ｂは、より詳細には後述するが、導電膜である電極を一対の絶縁層又は絶縁シート間に配置した構造を有している。静電チャック１８ｂの電極には、直流電源２２が電気的に接続されている。この静電チャック１８ｂは、直流電源２２からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力によりウェハＷを吸着保持することができる。静電吸着された状態では、ウェハＷの裏面は、静電チャック１８ｂの上面である載置面１９と接触することになる。   The mounting table 18 includes a base portion 18a and an electrostatic chuck 18b. The base portion 18a is made of a metal such as aluminum and has a substantially disk shape. The base portion 18a is configured as a lower electrode. The electrostatic chuck 18b is provided on the base portion 18a. As will be described in detail later, the electrostatic chuck 18b has a structure in which an electrode which is a conductive film is disposed between a pair of insulating layers or insulating sheets. A DC power supply 22 is electrically connected to the electrode of the electrostatic chuck 18b. The electrostatic chuck 18 b can attract and hold the wafer W by an electrostatic force such as a Coulomb force generated by a DC voltage from the DC power supply 22. In the electrostatically attracted state, the back surface of the wafer W comes into contact with the mounting surface 19 which is the upper surface of the electrostatic chuck 18b.

載置台１８のベース部１８ａの周縁部上には、絶縁体からなるスペーサ部１６が設けられている。スペーサ部１６の上には、ウェハＷの周縁及び静電チャック１８ｂを囲むようにフォーカスリングＦＲが配置されている。フォーカスリングＦＲは、エッチングの均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、エッチング対象の膜の材料によって適宜選択される材料から構成されており、例えば、石英から構成され得る。   A spacer portion 16 made of an insulator is provided on the peripheral edge portion of the base portion 18 a of the mounting table 18. On the spacer portion 16, a focus ring FR is disposed so as to surround the periphery of the wafer W and the electrostatic chuck 18b. The focus ring FR is provided in order to improve the etching uniformity. The focus ring FR is made of a material appropriately selected according to the material of the film to be etched, and can be made of, for example, quartz.

ベース部１８ａの内部には、冷媒用の流路２４が設けられている。流路２４には、外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａ，２６ｂを介して所定温度の冷媒が循環供給される。冷媒は、絶縁性の溶液であり、例えば、ガルデン（登録商標）溶液であり得る。このように循環される冷媒の温度を制御することにより、載置台１８上に支持されたウェハＷの温度が制御される。   A refrigerant flow path 24 is provided inside the base portion 18a. A coolant having a predetermined temperature is circulated and supplied to the flow path 24 from the chiller unit provided outside via the pipes 26a and 26b. The refrigerant is an insulating solution, and can be, for example, a Galden (registered trademark) solution. By controlling the temperature of the circulating refrigerant in this way, the temperature of the wafer W supported on the mounting table 18 is controlled.

また、プラズマ処理装置１０には、ガス供給ライン２８が設けられている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャック１８ｂの上面とウェハＷの裏面との間に供給する。   The plasma processing apparatus 10 is provided with a gas supply line 28. The gas supply line 28 supplies the heat transfer gas from the heat transfer gas supply mechanism, for example, He gas, between the upper surface of the electrostatic chuck 18 b and the back surface of the wafer W.

また、載置台１８には、複数、例えば３つのリフターピン用孔２００が設けられており（図には１つのみ示す。）、これらのリフターピン用孔２００の内部には、夫々リフターピン６１が配設されている。リフターピン６１は、駆動機構６２に接続されており、駆動機構６２により上下動される。   In addition, a plurality of, for example, three lifter pin holes 200 are provided in the mounting table 18 (only one is shown in the figure), and the lifter pins 61 are respectively provided in the lifter pin holes 200. Is arranged. The lifter pin 61 is connected to the drive mechanism 62 and is moved up and down by the drive mechanism 62.

また、処理容器１２内には、上部電極３０が設けられている。この上部電極３０は、載置台１８の上方において、当該載置台１８と対向配置されている。上部電極３０とベース部１８ａとは、互いに略平行に設けられている。これら上部電極３０とベース部１８ａとの間には、ウェハＷにプラズマ処理を行うための処理空間Ｓが画成されている。   An upper electrode 30 is provided in the processing container 12. The upper electrode 30 is disposed above the mounting table 18 so as to face the mounting table 18. The upper electrode 30 and the base portion 18a are provided substantially parallel to each other. A processing space S for performing plasma processing on the wafer W is defined between the upper electrode 30 and the base portion 18a.

上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。上部電極３０は、電極板３４及び電極支持体３６を含み得る。電極板３４は、処理空間Ｓに面しており、複数のガス吐出孔３４ａを画成している。この電極板３４は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から構成され得る。   The upper electrode 30 is supported on the upper portion of the processing container 12 via an insulating shielding member 32. The upper electrode 30 can include an electrode plate 34 and an electrode support 36. The electrode plate 34 faces the processing space S and defines a plurality of gas discharge holes 34a. The electrode plate 34 can be made of a low resistance conductor or semiconductor with little Joule heat.

電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この電極支持体３６は、水冷構造を有し得る。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、電極支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。   The electrode support 36 detachably supports the electrode plate 34 and can be made of a conductive material such as aluminum. The electrode support 36 may have a water cooling structure. A gas diffusion chamber 36 a is provided inside the electrode support 36. A plurality of gas flow holes 36b communicating with the gas discharge holes 34a extend downward from the gas diffusion chamber 36a. The electrode support 36 is formed with a gas introduction port 36c that guides the processing gas to the gas diffusion chamber 36a, and a gas supply pipe 38 is connected to the gas introduction port 36c. A gas source group 40 is connected to the gas supply pipe 38 via a valve group 42 and a flow rate controller group 44.

プラズマ処理装置１０は、接地導体１２ａを更に備え得る。接地導体１２ａは、略円筒状をなしており、処理容器１２の側壁から上部電極３０の高さ位置よりも上方に延びるように設けられている。   The plasma processing apparatus 10 may further include a ground conductor 12a. The ground conductor 12 a has a substantially cylindrical shape, and is provided so as to extend above the height position of the upper electrode 30 from the side wall of the processing container 12.

また、プラズマ処理装置１０では、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム在にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。 In the plasma processing apparatus 10, a deposition shield 46 is detachably provided along the inner wall of the processing container 12. The deposition shield 46 is also provided on the outer periphery of the support portion 14. The deposition shield 46 prevents etching by-products (depots) from adhering to the processing container 12 and can be configured by coating a ceramic such as Y 2 O 3 on aluminum.

処理容器１２の底部側においては、支持部１４と処理容器１２の内壁との間に排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。この排気プレート４８の下方において処理容器１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１２内を所望の真空度まで減圧することができる。また、処理容器１２の側壁にはウェハＷの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。 On the bottom side of the processing container 12, an exhaust plate 48 is provided between the support portion 14 and the inner wall of the processing container 12. The exhaust plate 48 can be configured by, for example, coating an aluminum material with ceramics such as Y 2 O 3 . Below the exhaust plate 48, the processing vessel 12 is provided with an exhaust port 12e. An exhaust device 50 is connected to the exhaust port 12e via an exhaust pipe 52. The exhaust device 50 includes a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and can reduce the pressure in the processing container 12 to a desired degree of vacuum. Further, a loading / unloading port 12 g for the wafer W is provided on the side wall of the processing container 12, and the loading / unloading port 12 g can be opened and closed by a gate valve 54.

処理容器１２の内壁には、導電性部材（ＧＮＤブロック）５６が設けられている。導電性部材５６は、高さ方向においてウェハＷと略同じ高さに位置するように、処理容器１２の内壁に取り付けられている。この導電性部材５６は、グランドにＤＣ的に接続されており、異常放電防止効果を発揮する。なお、導電性部材５６はプラズマ生成領域に設けられていればよく、その設置位置は図１に示す位置に限られるものではない。   A conductive member (GND block) 56 is provided on the inner wall of the processing container 12. The conductive member 56 is attached to the inner wall of the processing container 12 so as to be positioned at substantially the same height as the wafer W in the height direction. The conductive member 56 is connected to the ground in a DC manner and exhibits an abnormal discharge prevention effect. The conductive member 56 only needs to be provided in the plasma generation region, and the installation position is not limited to the position shown in FIG.

また、プラズマ処理装置１０は、ベース部１８ａに高周波電力を供給するための給電棒５８を更に備えている。給電棒５８は、同軸二重管構造を有しており、棒状導電部材５８ａ及び筒状導電部材５８ｂを含んでいる。棒状導電部材５８ａは、処理容器１２外から処理容器１２の底部を通って処理容器１２内まで略鉛直方向に延在しており、当該棒状導電部材５８ａの上端は、ベース部１８ａに接続されている。また、筒状導電部材５８ｂは、棒状導電部材５８ａの周囲を囲むように当該棒状導電部材５８ａと同軸に設けられており、処理容器１２の底部に支持されている。これら棒状導電部材５８ａ及び筒状導電部材５８ｂの間には、略環状の２枚の絶縁部材５８ｃが介在して、棒状導電部材５８ａと筒状導電部材５８ｂとを電気的に絶縁している。   The plasma processing apparatus 10 further includes a power feeding rod 58 for supplying high frequency power to the base portion 18a. The power feeding rod 58 has a coaxial double tube structure, and includes a rod-shaped conductive member 58a and a cylindrical conductive member 58b. The rod-shaped conductive member 58a extends in a substantially vertical direction from the outside of the processing vessel 12 through the bottom of the processing vessel 12 to the inside of the processing vessel 12, and the upper end of the rod-shaped conductive member 58a is connected to the base portion 18a. Yes. The cylindrical conductive member 58b is provided coaxially with the rod-shaped conductive member 58a so as to surround the rod-shaped conductive member 58a, and is supported on the bottom of the processing vessel 12. Between the rod-shaped conductive member 58a and the cylindrical conductive member 58b, two substantially annular insulating members 58c are interposed to electrically insulate the rod-shaped conductive member 58a and the cylindrical conductive member 58b.

また、プラズマ処理装置１０は、整合器ＭＵを更に備え得る。整合器ＭＵには、棒状導電部材５８ａ及び筒状導電部材５８ｂの下端が接続されている。この整合器ＭＵには、電源システムＰＳが接続されている。また、電源システムＰＳには、上部電極３０も接続されている。電源システムＰＳは、ベース部１８ａに二つの異なる高周波電力を供給し、上部電極３０に直流電圧を印加し得る。   The plasma processing apparatus 10 may further include a matching unit MU. The lower ends of the rod-like conductive member 58a and the cylindrical conductive member 58b are connected to the matching unit MU. A power supply system PS is connected to the matching unit MU. An upper electrode 30 is also connected to the power supply system PS. The power supply system PS can supply two different high frequency powers to the base portion 18 a and apply a DC voltage to the upper electrode 30.

また、プラズマ処理装置１０は、制御部Ｃｎｔを更に備え得る。この制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部、例えば電源系やガス供給系、駆動系、及び電源システムＰＳ等を、制御する。この制御部Ｃｎｔでは、入力装置を用いて、オペレータがプラズマ処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができ、また、表示装置により、プラズマ処理装置１０の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、制御部Ｃｎｔの記憶部には、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置１０の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち、処理レシピが格納される。   In addition, the plasma processing apparatus 10 may further include a control unit Cnt. The control unit Cnt is a computer including a processor, a storage unit, an input device, a display device, and the like, and controls each unit of the plasma processing apparatus 10, such as a power supply system, a gas supply system, a drive system, and a power supply system PS. . In this control unit Cnt, an operator can perform a command input operation and the like to manage the plasma processing apparatus 10 using the input device, and the operating status of the plasma processing apparatus 10 is visualized by the display device. Can be displayed. Further, the storage unit of the control unit Cnt causes the respective components of the plasma processing apparatus 10 to execute processes according to a control program for controlling various processes executed by the plasma processing apparatus 10 by the processor and processing conditions. A program for processing, that is, a processing recipe is stored.

次に、プラズマ処理装置１０の載置台１８について、従来の載置台と対比しつつ、詳細に説明する。図２は図１に示すプラズマ処理装置の一実施形態の載置台を示す概略断面図であり、図３は従来の載置台を示す概略断面図である。図４は、図２の載置台における静電チャックの載置面を示す平面図である。図２に示すように、載置台１８のベース部１８ａは、下面１８ｄ及び上面１８ｕを有している。下面１８ｄは略平坦な面であり、上面１８ｕは、第１上面１８ｕ１及び第２上面１８ｕ２を含んでいる。第１上面１８ｕ１は、円形の面であり、第２上面１８ｕ２の内側に位置している。第２上面１８ｕ２は、第１上面の外方において環状に延在している。この第２上面１８ｕ２は、第１上面１８ｕ１よりも低い位置に設けられている。即ち、第２上面１８ｕ２と下面１８ｄとの間の距離は、第１上面１８ｕ１と下面１８ｄとの間よりも小さくなっている。かかる構成のベース部１８ａは、第１上面１８ｕ１と第２上面１８ｕ２との間を接続するよう略鉛直方向に延在する環状の側面１８ｓを更に含む。   Next, the mounting table 18 of the plasma processing apparatus 10 will be described in detail while comparing with the conventional mounting table. 2 is a schematic cross-sectional view showing a mounting table of one embodiment of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a conventional mounting table. 4 is a plan view showing a mounting surface of the electrostatic chuck in the mounting table of FIG. As shown in FIG. 2, the base portion 18a of the mounting table 18 has a lower surface 18d and an upper surface 18u. The lower surface 18d is a substantially flat surface, and the upper surface 18u includes a first upper surface 18u1 and a second upper surface 18u2. The first upper surface 18u1 is a circular surface and is located inside the second upper surface 18u2. The second upper surface 18u2 extends in an annular shape outside the first upper surface. The second upper surface 18u2 is provided at a position lower than the first upper surface 18u1. That is, the distance between the second upper surface 18u2 and the lower surface 18d is smaller than between the first upper surface 18u1 and the lower surface 18d. The base portion 18a having such a configuration further includes an annular side surface 18s extending in a substantially vertical direction so as to connect between the first upper surface 18u1 and the second upper surface 18u2.

ベース部１８ａは、中央部１８ｃ及び周縁部１８ｅを有している。第１上面１８ｕ１を中心領域と周縁領域とに分けた場合、中央部１８ｃの上面は、第１上面１８ｕ１の中心領域となる。一方、周縁部１８ｅの上面は、第１上面１８ｕ１の周縁領域及び第２上面１８ｕ２となる。周縁部１８ｅ及び中央部１８ｃの内部には、冷媒用の流路２４が形成されている。例えば、流路２４は、ベース部１８ａの周縁部１８ｅから螺旋状に延在してベース部１８ａの中央部１８ｃの中心付近に至り、更に、ベース部１８ａの中央部１８ｃの中心付近から螺旋状に延在してベース部１８ａの周縁部１８ｅに至るように形成されている。   The base portion 18a has a central portion 18c and a peripheral edge portion 18e. When the first upper surface 18u1 is divided into a central region and a peripheral region, the upper surface of the central portion 18c becomes the central region of the first upper surface 18u1. On the other hand, the upper surface of the peripheral portion 18e becomes the peripheral region of the first upper surface 18u1 and the second upper surface 18u2. A refrigerant flow path 24 is formed inside the peripheral edge portion 18e and the central portion 18c. For example, the flow path 24 extends in a spiral shape from the peripheral edge portion 18e of the base portion 18a to reach the vicinity of the center of the central portion 18c of the base portion 18a, and further spirals from the vicinity of the center of the central portion 18c of the base portion 18a. Extending to the peripheral edge 18e of the base 18a.

載置台１８の第１上面１８ｕ１上には静電チャック１８ｂが設けられている。静電チャック１８ｂは、一対の絶縁膜２１ａ，２１ｂ、及び、絶縁膜２１ａと絶縁膜２１ｂとの間に設けられた電極２０を有している。静電チャック１８ｂは、ウェハＷを載置する載置面１９を有している。載置面１９には、複数の凸部１９ｄがドット状に設けられている。一実施形態においては、複数の凸部１９ｄは、それぞれ同一形状且つ同じ大きさを呈している。ウェハＷが静電吸着された状態では、複数の凸部１９ｄの上面が、それぞれウェハＷの裏面と接触することになる。また、第１上面１８ｕ１よりも低い位置に設けられた第２上面１８ｕ２上にはスペーサ部１６を介してフォーカスリングＦＲが設けられている。これにより、フォーカスリングＦＲは、静電チャック１８ｂ上に載置されたウェハＷを取り囲む。   An electrostatic chuck 18 b is provided on the first upper surface 18 u 1 of the mounting table 18. The electrostatic chuck 18b includes a pair of insulating films 21a and 21b, and an electrode 20 provided between the insulating films 21a and 21b. The electrostatic chuck 18 b has a placement surface 19 on which the wafer W is placed. The mounting surface 19 is provided with a plurality of convex portions 19d in a dot shape. In one embodiment, the plurality of convex portions 19d have the same shape and the same size. In a state where the wafer W is electrostatically attracted, the upper surfaces of the plurality of convex portions 19 d come into contact with the back surface of the wafer W, respectively. Further, a focus ring FR is provided on the second upper surface 18u2 provided at a position lower than the first upper surface 18u1 via the spacer portion 16. Thereby, the focus ring FR surrounds the wafer W placed on the electrostatic chuck 18b.

以上説明した載置台１８の構成は、図３に示す従来の載置台１８０においても同様であるが、載置台１８と載置台１８０とでは、冷媒用の流路２４及び載置面１９の構成が異なっている。   The configuration of the mounting table 18 described above is the same as that of the conventional mounting table 180 shown in FIG. 3. However, in the mounting table 18 and the mounting table 180, the configuration of the refrigerant flow path 24 and the mounting surface 19 is the same. Is different.

まず、冷媒用の流路２４の構成について説明する。図３に示すように、従来の載置台１８０の流路２４は、中央流路２４ｃ及び周縁流路２４ｐを含んでいる。周縁流路２４ｐは、ウェハＷの端部領域の下方に設けられている。この周縁流路２４ｐは、第１上面１８ｕ１の周縁領域及び第２上面１８ｕ２の下方において延在している。   First, the configuration of the refrigerant flow path 24 will be described. As shown in FIG. 3, the flow path 24 of the conventional mounting table 180 includes a central flow path 24c and a peripheral flow path 24p. The peripheral flow path 24p is provided below the end region of the wafer W. The peripheral channel 24p extends in the peripheral region of the first upper surface 18u1 and below the second upper surface 18u2.

周縁流路２４ｐの上方には上述したように第２上面１８ｕ２が位置しているため、周縁流路２４ｐの上側内壁面（上端）は、中央流路２４ｃの上側内壁面（上端）よりも下方に位置している。したがって、周縁流路２４ｐと第１上面１８ｕ１との間の最短距離Ｄ２は、中央流路２４ｃと第１上面１８ｕ１との間の最短距離Ｄ１よりも大きくなっている。その結果、従来の載置台１８０では、周縁流路２４ｐの抜熱能力、即ちウェハＷからの熱を吸熱する能力は、中央流路２４ｃの抜熱能力よりも低くなっている。また、載置台１８０では、載置台１８０内部の側面１８ｓ側へプラズマからの熱が伝わるが、当該側面１８ｓの側方に周縁流路２４ｐが存在していないため、ウェハＷのエッジ領域からの抜熱が不十分となり得る。したがって、従来の載置台１８０を有するプラズマ処理装置におけるプラズマ処理では、ウェハＷのエッジ領域において、エッジに向かうにつれて温度が上昇する温度分布が生じる。   Since the second upper surface 18u2 is positioned above the peripheral channel 24p as described above, the upper inner wall surface (upper end) of the peripheral channel 24p is lower than the upper inner wall surface (upper end) of the central channel 24c. Is located. Therefore, the shortest distance D2 between the peripheral flow path 24p and the first upper surface 18u1 is larger than the shortest distance D1 between the central flow path 24c and the first upper surface 18u1. As a result, in the conventional mounting table 180, the heat removal capability of the peripheral flow path 24p, that is, the ability to absorb heat from the wafer W is lower than the heat removal capacity of the central flow path 24c. Further, in the mounting table 180, heat from the plasma is transmitted to the side surface 18s side inside the mounting table 180. However, since the peripheral flow path 24p does not exist on the side surface of the side surface 18s, it is removed from the edge region of the wafer W. Heat can be insufficient. Therefore, in the plasma processing in the plasma processing apparatus having the conventional mounting table 180, a temperature distribution in which the temperature rises toward the edge occurs in the edge region of the wafer W.

一方、一実施形態の載置台１８の流路２４は、図２に示すように、従来の載置台１８０の周縁流路２４ｐとは異なる周縁流路２４ｅを含んでいる。この周縁流路２４ｅは、第１上面１８ｕ１の周縁領域及び第２上面１８ｕ２の下方において延在している。周縁流路２４ｅの断面は、略Ｌ字状に形成されている。すなわち、周縁流路２４ｅは、側面１８ｓに沿って、第１上面１８ｕ１が設けられた方向に延在している。これにより、載置台１８内部の側面１８ｓ側へ伝わる熱に対する流路２４の抜熱能力が向上されている。周縁流路２４ｅの上端には、側面１８ｓに沿って周縁流路２４ｅの上端から下端に向けて延びるフィン部２５が形成されている。周縁流路２４ｅがこのような形状を有するので、当該周縁流路２４ｅの表面積は、従来の周縁流路２４ｐの表面積よりも大きくなっており、その結果、ウェハＷの端部領域からの流路２４の抜熱能力が向上されている。なお、周縁流路２４ｅは、第２上面１８ｕ２の全面の下方に位置するように、載置台１８の径方向外側へ拡がっていてもよい。   On the other hand, the flow path 24 of the mounting table 18 of one embodiment includes a peripheral flow path 24e different from the peripheral flow path 24p of the conventional mounting table 180, as shown in FIG. The peripheral flow path 24e extends in the peripheral region of the first upper surface 18u1 and below the second upper surface 18u2. The cross section of the peripheral channel 24e is formed in a substantially L shape. That is, the peripheral flow path 24e extends in the direction in which the first upper surface 18u1 is provided along the side surface 18s. Thereby, the heat removal capability of the flow path 24 with respect to the heat transmitted to the side surface 18s side inside the mounting table 18 is improved. A fin portion 25 extending from the upper end to the lower end of the peripheral channel 24e along the side surface 18s is formed at the upper end of the peripheral channel 24e. Since the peripheral channel 24e has such a shape, the surface area of the peripheral channel 24e is larger than the surface area of the conventional peripheral channel 24p, and as a result, the channel from the end region of the wafer W. The heat removal capacity of 24 is improved. The peripheral channel 24e may extend outward in the radial direction of the mounting table 18 so as to be positioned below the entire surface of the second upper surface 18u2.

次に、載置面の構成について説明する。図３に示すように、従来の載置台１８０の載置面１９には、複数の凸部１９ｄが、載置面１９上において均一に設けられている。換言すると、凸部１９ｄの上面とウェハＷの裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、載置面１９の領域によらず一定になるように凸部１９ｄが形成されている。   Next, the configuration of the placement surface will be described. As shown in FIG. 3, the mounting surface 19 of the conventional mounting table 180 is provided with a plurality of convex portions 19 d uniformly on the mounting surface 19. In other words, the convex portion 19d is formed such that the size per unit area of the area where the upper surface of the convex portion 19d and the back surface of the wafer W contact each other is constant regardless of the area of the mounting surface 19.

一方、一実施形態の載置台１８の載置面１９は、図２及び図４に示すように、載置面１９の領域に応じて凸部１９ｄの密度が変化している。載置面１９は、ウェハＷの中央部領域と接触する中央部領域１９ｃ及びウェハＷの端部領域と接触する端部領域１９ｅを含んでいる。端部領域１９ｅは、中央部領域１９ｃを取り囲むように位置している。複数の凸部１９ｄの単位面積当たりの数は、端部領域１９ｅの方が中央部領域１９ｃよりも多くなるように形成されている。換言すると、複数の凸部１９ｄは、端部領域１９ｅの複数の凸部１９ｄとウェハＷの裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさ（以下、「接触面積率」という）が、中央部領域１９ｃの複数の凸部１９ｄとウェハＷの裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさよりも大きくなるように形成されている。   On the other hand, as shown in FIGS. 2 and 4, the density of the protrusions 19 d on the mounting surface 19 of the mounting table 18 of one embodiment varies depending on the area of the mounting surface 19. The mounting surface 19 includes a central region 19 c that contacts the central region of the wafer W and an end region 19 e that contacts the end region of the wafer W. The end region 19e is positioned so as to surround the central region 19c. The number of the plurality of convex portions 19d per unit area is formed so that the end region 19e is larger than the central region 19c. In other words, the plurality of protrusions 19d have a size per unit area (hereinafter referred to as “contact area ratio”) where the plurality of protrusions 19d of the end region 19e and the back surface of the wafer W are in contact with each other. It is formed so as to be larger than the size per unit area of the area where the plurality of convex portions 19d of the partial region 19c contact the back surface of the wafer W.

また、図４に示すように、中央部領域１９ｃには、複数（本実施形態では３つ）のリフターピン用孔２００及び複数（本実施形態では６つ）のガス孔２９が形成されている。ガス孔２９は、ガス供給ライン２８を介してＨｅガスを載置面１９とウェハＷの裏面との間に供給するためのものである。一実施形態においては、複数の凸部１９ｄがそれぞれ形成されている間隔Ｄ４が、リフターピン用孔２００の口径Ｄ３よりも広くなっている。   As shown in FIG. 4, a plurality (three in the present embodiment) of lifter pin holes 200 and a plurality (six in the present embodiment) of gas holes 29 are formed in the central region 19c. . The gas hole 29 is for supplying He gas between the mounting surface 19 and the back surface of the wafer W via the gas supply line 28. In one embodiment, the interval D4 where each of the plurality of convex portions 19d is formed is wider than the diameter D3 of the lifter pin hole 200.

図５は、従来の載置台においてプラズマ処理を行った場合のウェハＷの中心からの距離と温度との関係を説明するグラフである。その横軸はウェハＷの中心からの距離、縦軸は温度である。ウェハＷの熱は、複数の凸部１９ｄ、載置台１８及び流路２４と順に伝わることにより、抜熱される。ウェハＷの端部領域では、載置台１８からはみ出した部分があり、十分な冷却をすることができないため、ウェハＷの中央部領域と比べて温度が高くなっている。一実施形態の載置台１８によれば、中央部領域１９ｃにおける載置面１９とウェハＷとが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、端部領域１９ｅにおけるものよりも小さくなっている。よって、中央部領域１９ｃの方が、端部領域１９ｅよりも熱抵抗が大きくなっている。その結果、中央部領域１９ｃの方が、端部領域１９ｅよりも熱が伝わりにくくなっている。このため、ウェハＷの中央部領域の温度をウェハＷの端部領域の温度に合うように図５の矢印の向きへと上昇させることができる。   FIG. 5 is a graph for explaining the relationship between the distance from the center of the wafer W and the temperature when the plasma processing is performed on the conventional mounting table. The horizontal axis is the distance from the center of the wafer W, and the vertical axis is the temperature. The heat of the wafer W is transferred to the plurality of convex portions 19 d, the mounting table 18, and the flow path 24 in order to be removed. In the end region of the wafer W, there is a portion that protrudes from the mounting table 18, and sufficient cooling cannot be performed, so that the temperature is higher than that in the central region of the wafer W. According to the mounting table 18 of one embodiment, the size per unit area of the area where the mounting surface 19 and the wafer W are in contact with each other in the central region 19c is smaller than that in the end region 19e. Therefore, the thermal resistance of the central region 19c is larger than that of the end region 19e. As a result, the center region 19c is less likely to transmit heat than the end region 19e. For this reason, the temperature of the central region of the wafer W can be raised in the direction of the arrow in FIG. 5 so as to match the temperature of the end region of the wafer W.

次に、従来の載置台１８０を用いた場合におけるウェハＷのエッジ領域の温度上昇の要因、及び、当該要因に対する一実施形態に係る載置台１８及びプラズマ処理装置１０の作用及び効果について、詳細に説明する。なお、以下の説明において、ウェハＷの半径は１５０ｍｍとしている。   Next, the cause of the temperature rise in the edge region of the wafer W when the conventional mounting table 180 is used, and the action and effect of the mounting table 18 and the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment for the factor will be described in detail. explain. In the following description, the radius of the wafer W is 150 mm.

（ウェハＷのエッジ領域における温度上昇の要因）
上述のように、従来の載置台１８０において、ウェハＷのエッジ領域における温度上昇が生じる要因は主に二つある。第１の要因は、フォーカスリングＦＲ側からの入熱（第２上面１８ｕ２への入熱）が載置台１８０の内部又は側面を介して第１上面１８ｕ１側へ伝導することである。第２の要因は、ウェハＷの端部領域の一部が載置台１８からはみ出していることにより、当該部分が載置台１８０の載置面１９と非接触となり、十分に冷却されないことである。 (Factor of temperature rise in edge region of wafer W)
As described above, in the conventional mounting table 180, there are mainly two factors that cause a temperature rise in the edge region of the wafer W. The first factor is that heat input from the focus ring FR side (heat input to the second upper surface 18u2) is conducted to the first upper surface 18u1 side through the inside or the side surface of the mounting table 180. The second factor is that a part of the end region of the wafer W protrudes from the mounting table 18, so that the portion is not in contact with the mounting surface 19 of the mounting table 180 and is not sufficiently cooled.

（第１の要因）
まず、第１の要因によって生じる温度分布についてシミュレーションした結果を説明する。図６は、従来の載置台１８０を用いた場合のウェハＷのエッジ領域における温度分布を、第２上面１８ｕ２への入熱の有無によって比較したシミュレーション結果を示すグラフである。ここでは、ウェハＷは入熱された状態であるとして、第２上面１８ｕ２への入熱の有無による温度分布の違いを確認した。 (First factor)
First, the result of simulating the temperature distribution caused by the first factor will be described. FIG. 6 is a graph showing a simulation result in which the temperature distribution in the edge region of the wafer W when the conventional mounting table 180 is used is compared according to whether heat is applied to the second upper surface 18u2. Here, assuming that the wafer W is in a heat input state, a difference in temperature distribution due to the presence or absence of heat input to the second upper surface 18u2 was confirmed.

図６の（ａ）は、ウェハＷ表面の温度分布を、第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合と第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合とで比較するためのグラフである。横軸はウェハＷの中心（原点）からの距離、縦軸はウェハＷ表面の温度を示している。図６の（ａ）において、実線は第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合のグラフであり、二点鎖線は第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合のグラフである。図６の（ａ）に示すように、第２上面１８ｕ２への入熱の有無に関わらず、ウェハＷの中心から離れるに従って、ウェハＷの温度は、中心の温度と比べて大きくなった。第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合には、中心から１３０ｍｍ程度離れた位置から温度が大きく上昇し始めた。すなわち、１３０ｍｍ〜１５０ｍｍの範囲の領域において、中心における温度との温度差が大きいことが確認された。一方、第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合には、中心から７０ｍｍ〜８０ｍｍ程度離れた位置から温度がなだらかに上昇し始め、中心から１３０ｍｍ程度離れた位置から温度が大きく上昇し始めた。すなわち、７０ｍｍ〜１５０ｍｍの範囲の領域において、中心における温度との温度差が大きいことが確認された。このように、第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合の方が、第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合よりも、中心の温度との差が生じ始める位置がより中心側へ移動していることが確認された。すなわち、第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合の方が、第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合よりも、ウェハＷ表面の温度が広い範囲で上昇する結果となった。   FIG. 6A is a graph for comparing the temperature distribution on the surface of the wafer W between the case where there is heat input to the second upper surface 18u2 and the case where there is no heat input to the second upper surface 18u2. The horizontal axis indicates the distance from the center (origin) of the wafer W, and the vertical axis indicates the temperature of the wafer W surface. In FIG. 6A, the solid line is a graph when heat input to the second upper surface 18u2 is present, and the two-dot chain line is a graph when there is no heat input to the second upper surface 18u2. As shown in FIG. 6A, the temperature of the wafer W becomes higher as compared with the temperature at the center as the distance from the center of the wafer W increases, regardless of whether heat is input to the second upper surface 18u2. When there was no heat input to the second upper surface 18u2, the temperature began to rise significantly from a position about 130 mm away from the center. That is, it was confirmed that the temperature difference from the temperature at the center was large in the region in the range of 130 mm to 150 mm. On the other hand, when there was heat input to the second upper surface 18u2, the temperature began to rise gently from a position about 70 mm to 80 mm away from the center, and the temperature began to rise greatly from a position about 130 mm away from the center. That is, it was confirmed that the temperature difference from the temperature at the center was large in the region in the range of 70 mm to 150 mm. Thus, when there is heat input to the second upper surface 18u2, the position where the difference from the center temperature starts to move more toward the center side than when there is no heat input to the second upper surface 18u2. It was confirmed that That is, when the heat input to the second upper surface 18u2 is present, the surface temperature of the wafer W increases in a wider range than when there is no heat input to the second upper surface 18u2.

図６の（ｂ）は、従来の載置台１８０の第１上面１８ｕ１における温度分布を、第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合と第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合とで比較するためのグラフである。横軸は載置台１８０の第１上面１８ｕ１の中心（原点）からの距離、縦軸は載置台１８０の第１上面１８ｕ１の温度を示している。図６の（ｂ）において、実線は第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合のグラフであり、二点鎖線は第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合のグラフである。図６の（ｂ）に示すように、第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合には、中心の温度と他の位置の温度とは略同様であった。一方、第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合には、中心から５０ｍｍ程度離れた位置から温度がなだらかに上昇し始め、中心から１３０ｍｍ程度離れた位置から温度が大きく上昇し始めた。このように、ウェハＷだけでなく載置台１８０においても、第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合の方が、第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合よりも、中心の温度との差が顕著に生じることが確認された。   FIG. 6B compares the temperature distribution on the first upper surface 18u1 of the conventional mounting table 180 between the case where there is heat input to the second upper surface 18u2 and the case where there is no heat input to the second upper surface 18u2. It is a graph for. The horizontal axis indicates the distance from the center (origin) of the first upper surface 18u1 of the mounting table 180, and the vertical axis indicates the temperature of the first upper surface 18u1 of the mounting table 180. In FIG. 6B, the solid line is a graph when heat input to the second upper surface 18u2 is present, and the two-dot chain line is a graph when there is no heat input to the second upper surface 18u2. As shown in FIG. 6B, when there was no heat input to the second upper surface 18u2, the temperature at the center and the temperature at other positions were substantially the same. On the other hand, when there was heat input to the second upper surface 18u2, the temperature began to rise gently from a position about 50 mm away from the center, and the temperature began to rise greatly from a position about 130 mm away from the center. Thus, not only the wafer W but also the mounting table 180, when there is heat input to the second upper surface 18u2, it is different from the center temperature when there is no heat input to the second upper surface 18u2. It was confirmed that the phenomenon occurred remarkably.

第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合の方が、第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合よりも、ウェハＷ表面の温度が広い範囲で上昇する原因は、第２上面１８ｕ２への入熱により載置台１８０の温度が上昇したことに起因していると考えられる。図６の（ｃ）は、従来の載置台１８０を用いた場合のウェハＷ及び第１上面１８ｕ１のそれぞれの温度分布について、第２上面１８ｕ２への入熱が有る場合の温度と第２上面１８ｕ２への入熱が無い場合の温度との差分（以下、「第２上面１８ｕ２への入熱の有無による温度差」という）を示すグラフである。図６の（ｃ）において、実線はウェハＷの結果を示すグラフであり、破線は第１上面１８ｕ１の結果を示すグラフである。すなわち、図６の（ｃ）の実線のグラフは、図６の（ａ）に示した第２上面１８ｕ２への入熱の有無による２つのグラフの差分であり、ウェハＷにおける、第２上面１８ｕ２への入熱の有無による温度差を示す。同様に、図６の（ｃ）の破線のグラフは、図６の（ｂ）に示した第２上面１８ｕ２への入熱の有無による２つのグラフの差分であり、載置台１８０の第１上面１８ｕ１における、第２上面１８ｕ２への入熱の有無による温度差を示す。図６の（ｃ）に示すように、ウェハＷと第１上面１８ｕ１とで、第２上面１８ｕ２への入熱の有無による温度差は略一致している。つまり、第２上面１８ｕ２への入熱によって載置台１８０の第１上面１８ｕ１のエッジ領域で温度が上昇することに対応して、ウェハＷ表面の温度が広い範囲で上昇することが示された。   The reason why the temperature of the surface of the wafer W rises in a wider range when there is heat input to the second upper surface 18u2 than when there is no heat input to the second upper surface 18u2 is that the heat input to the second upper surface 18u2 is greater. This is considered to be due to the temperature of the mounting table 180 being increased by heat. FIG. 6C shows the temperature distribution of the wafer W and the first upper surface 18u1 when the conventional mounting table 180 is used, the temperature when there is heat input to the second upper surface 18u2, and the second upper surface 18u2. 6 is a graph showing a difference from a temperature when there is no heat input to the heat source (hereinafter referred to as “temperature difference due to presence / absence of heat input to the second upper surface 18u2”). In FIG. 6C, the solid line is a graph showing the result of the wafer W, and the broken line is a graph showing the result of the first upper surface 18u1. That is, the solid line graph of FIG. 6C is the difference between the two graphs depending on the presence or absence of heat input to the second upper surface 18u2 shown in FIG. 6A, and the second upper surface 18u2 of the wafer W. The temperature difference with and without heat input is shown. Similarly, the broken line graph in FIG. 6C is the difference between the two graphs depending on the presence or absence of heat input to the second upper surface 18u2 shown in FIG. 6B, and the first upper surface of the mounting table 180. The temperature difference in 18u1 by the presence or absence of the heat input to the 2nd upper surface 18u2 is shown. As shown in FIG. 6C, the temperature difference between the wafer W and the first upper surface 18u1 depending on the presence or absence of heat input to the second upper surface 18u2 is substantially the same. That is, it is shown that the temperature of the surface of the wafer W rises in a wide range in response to the temperature rising in the edge region of the first upper surface 18u1 of the mounting table 180 due to heat input to the second upper surface 18u2.

以上、従来の載置台１８０においては、第２上面１８ｕ２への入熱が、ウェハＷのエッジ領域における温度上昇の要因であることが確認された（第１要因）。   As described above, in the conventional mounting table 180, it has been confirmed that the heat input to the second upper surface 18u2 is a factor of the temperature increase in the edge region of the wafer W (first factor).

（一実施形態に係る載置台１８の作用及び効果）
続いて、一実施形態に係る載置台１８及びプラズマ処理装置１０の作用及び効果について、シミュレーション結果を用いて説明する。 (Operation and effect of the mounting table 18 according to the embodiment)
Next, operations and effects of the mounting table 18 and the plasma processing apparatus 10 according to an embodiment will be described using simulation results.

まず、シミュレーションに用いた構成を説明する。図７は、従来の載置台１８０における周縁流路２４ｐと、一実施形態の載置台１８における周縁流路２４ｅとを示す図である。図７の（ａ）は、従来の載置台１８０における周縁流路２４ｐを示し、図７の（ｂ）及び（ｃ）は、一実施形態に係る略Ｌ字状の周縁流路２４ｅを示している。ここで、図７の（ｃ）で示す周縁流路２４ｅは、図７の（ｂ）で示す周縁流路２４ｅよりも、載置台１８の第１上面１８ｕ１、第２上面１８ｕ２、及び側面１８ｓに近い位置に配置されている。ここでは一例として、図７の（ｃ）で示す周縁流路２４ｅは、図７の（ｂ）で示す周縁流路２４ｅよりも、載置台１８の第１上面１８ｕ１、第２上面１８ｕ２、及び側面１８ｓに対してそれぞれ２ｍｍほど近い位置に配置されている。図７の（ｂ）と図７の（ｃ）との違いは、断熱位置における厚さの違いになる。断熱位置とは、フォーカスリングＦＲ側からの入熱を断熱する位置である。図８は、一実施形態の載置台１８における断熱位置を示す図である。図８に示すように、断熱位置１８ｘは、載置台１８の第１上面１８ｕ１と周縁流路２４ｅとの間、断熱位置１８ｙは載置台１８の側面１８ｓと周縁流路２４ｅとの間、断熱位置１８ｚは載置台１８の第２上面１８ｕ２と周縁流路２４ｅとの間である。図７の（ｂ）で示す載置台１８における各断熱位置１８ｘ，１８ｙ，１８ｚの厚みは、後述の通り５ｍｍ以下であればよく、ここでは約３ｍｍとしている。   First, the configuration used for the simulation will be described. FIG. 7 is a view showing the peripheral flow path 24p in the conventional mounting table 180 and the peripheral flow path 24e in the mounting table 18 of one embodiment. 7A shows the peripheral flow path 24p of the conventional mounting table 180, and FIGS. 7B and 7C show the substantially L-shaped peripheral flow path 24e according to the embodiment. Yes. Here, the peripheral channel 24e shown in (c) of FIG. 7 is located on the first upper surface 18u1, the second upper surface 18u2, and the side surface 18s of the mounting table 18 more than the peripheral channel 24e shown in (b) of FIG. It is arranged at a close position. Here, as an example, the peripheral channel 24e shown in FIG. 7C has a first upper surface 18u1, a second upper surface 18u2, and side surfaces of the mounting table 18 rather than the peripheral channel 24e shown in FIG. They are arranged at positions close to 2 mm each with respect to 18s. The difference between (b) in FIG. 7 and (c) in FIG. 7 is a difference in thickness at the heat insulation position. The heat insulation position is a position where heat input from the focus ring FR side is insulated. FIG. 8 is a diagram illustrating a heat insulation position in the mounting table 18 according to the embodiment. As shown in FIG. 8, the heat insulation position 18x is between the first upper surface 18u1 of the mounting table 18 and the peripheral channel 24e, and the heat insulating position 18y is between the side surface 18s of the mounting table 18 and the peripheral channel 24e. 18z is between the 2nd upper surface 18u2 of the mounting base 18, and the peripheral flow path 24e. The thickness of each heat insulation position 18x, 18y, 18z in the mounting table 18 shown in FIG. 7B may be 5 mm or less as described later, and is about 3 mm here.

図９は、図８の断熱位置１８ｙの厚みに対するウェハＷの端部（ウェハＷの中心（原点）からの距離が１５０ｍｍの位置）の温度上昇値を示すグラフである。図９において、横軸は断熱位置１８ｙの厚み、縦軸はウェハＷの端部の温度上昇値を示している。一点破線は、従来の載置台１８０におけるウェハＷの端部の温度上昇値である約６．６℃の値を示している。図９に示すように、断熱位置１８ｙの厚みが５ｍｍ以下である場合には、ウェハＷの端部の温度上昇値が従来の載置台１８０における場合に比して下がる。したがって、断熱位置１８ｙの厚みが５ｍｍ以下であれば、ウェハＷの温度の上昇値を抑えることができる。さらに、ウェハＷの端部の温度上昇値は従来の載置台１８０における場合に比して、断熱位置１８ｙの厚みが３ｍｍの場合では約２５％、断熱位置１８ｙの厚みが１ｍｍの場合では約５０％低減することが確認された。なお、図示は省略するが、断熱位置１８ｘの厚みに対するウェハＷの温度上昇値及び断熱位置１８ｚの厚みに対するウェハＷの端部の温度上昇値も、図９と同様である。したがって、図８に示す各断熱位置の厚みは、５ｍｍ以下とすることができる。なお、図７の（ｂ）及び（ｃ）においては、一実施形態における周縁流路２４ｅのフィン部２５の形状を簡略化している。以下、図７に示すような従来の周縁流路２４ｅ及び一実施形態の周縁流路２４ｐを有する載置台を用いて、第２上面１８ｕ２のみへ入熱された場合、ウェハＷのみへ入熱された場合、及び、第２上面１８ｕ２及びウェハＷへ入熱された場合のシミュレーション結果について、それぞれ説明する。   FIG. 9 is a graph showing a temperature rise value of the end portion of the wafer W (position where the distance from the center (origin) of the wafer W is 150 mm) with respect to the thickness of the heat insulation position 18y of FIG. In FIG. 9, the horizontal axis indicates the thickness of the heat insulation position 18 y, and the vertical axis indicates the temperature rise value at the end of the wafer W. A one-dot broken line indicates a value of about 6.6 ° C., which is a temperature rise value at the end of the wafer W in the conventional mounting table 180. As shown in FIG. 9, when the thickness of the heat insulation position 18 y is 5 mm or less, the temperature rise value at the end of the wafer W is lower than that in the conventional mounting table 180. Therefore, if the thickness of the heat insulation position 18y is 5 mm or less, the temperature rise value of the wafer W can be suppressed. Further, the temperature rise value at the end of the wafer W is about 25% when the thickness of the heat insulation position 18y is 3 mm, and about 50 when the thickness of the heat insulation position 18y is 1 mm, as compared to the case of the conventional mounting table 180. % Reduction was confirmed. Although illustration is omitted, the temperature rise value of the wafer W with respect to the thickness of the heat insulation position 18x and the temperature rise value of the edge of the wafer W with respect to the thickness of the heat insulation position 18z are also the same as those in FIG. Therefore, the thickness of each heat insulation position shown in FIG. 8 can be 5 mm or less. 7B and 7C, the shape of the fin portion 25 of the peripheral channel 24e in the embodiment is simplified. Hereinafter, when heat is applied only to the second upper surface 18u2 using a mounting table having the conventional peripheral flow path 24e and the peripheral flow path 24p of one embodiment as shown in FIG. And simulation results when heat is applied to the second upper surface 18u2 and the wafer W will be described.

最初に、第２上面１８ｕ２へ入熱された場合のシミュレーション結果について説明する。図１０は、図７の（ａ）〜（ｃ）で示す周縁流路を有する載置台のそれぞれについて、ウェハＷへ入熱せずに第２上面１８ｕ２のみへ入熱された場合におけるウェハＷの温度分布を示すグラフである。図１０において、横軸はウェハＷの中心（原点）からの距離、縦軸はウェハＷの温度上昇値を示している。ここで、ウェハＷの温度上昇値とは、ウェハＷの表面の温度と、図７の（ａ）で示す従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０におけるウェハＷの中心（原点）の温度との差分である。図１０において、グラフ３００ａは、図７の（ａ）で示す周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合の温度上昇値、グラフ３００ｂは図７の（ｂ）で示す略Ｌ字状の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合の温度上昇値、グラフ３００ｃは図７の（ｃ）で示す略Ｌ字状の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合の温度上昇値を示している。   First, a simulation result when heat is input to the second upper surface 18u2 will be described. FIG. 10 shows the temperature of the wafer W when heat is applied only to the second upper surface 18u2 without heat input to the wafer W for each of the mounting tables having the peripheral flow paths shown in FIGS. It is a graph which shows distribution. In FIG. 10, the horizontal axis indicates the distance from the center (origin) of the wafer W, and the vertical axis indicates the temperature rise value of the wafer W. Here, the temperature rise value of the wafer W refers to the temperature of the surface of the wafer W and the temperature of the center (origin) of the wafer W in the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p shown in FIG. Difference. In FIG. 10, a graph 300a is a temperature increase value when the mounting table 180 having the peripheral flow path 24p shown in FIG. 7A is used, and a graph 300b is a substantially L-shape shown in FIG. 7B. Temperature rise value when using the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e, graph 300c is a temperature increase when using the mounting table 18 having the substantially L-shaped peripheral flow path 24e shown in FIG. The value is shown.

図１０に示すように、図７の（ａ）の従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合では、ウェハＷの端部（ウェハＷの中心（原点）からの距離が１５０ｍｍの位置）における温度上昇値が６．６℃であった。これに対して、図７の（ｂ）の一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合では、ウェハＷの端部におけるウェハＷの温度上昇値が５．２℃であった。すなわち、一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合は、従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合と比べてウェハＷの温度上昇値が１．４℃低減された。従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合を基準とすると２１％の温度低減効果が確認された。更に、図７の（ｃ）の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合では、ウェハＷの端部におけるウェハＷの温度上昇値が３．３℃であった。すなわち、一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合は、従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合と比較してウェハＷの温度上昇値が３．３℃低減された。従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合を基準とすると５０％の温度上昇値の低減効果が確認された。   As shown in FIG. 10, in the case of using the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p of FIG. 7A, the distance from the end of the wafer W (the center (origin) of the wafer W is 150 mm). The temperature rise value at the position) was 6.6 ° C. On the other hand, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment of FIG. 7B is used, the temperature rise value of the wafer W at the end of the wafer W is 5.2 ° C. It was. That is, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment is used, the temperature increase value of the wafer W is 1.4 ° C. compared to the case where the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p is used. Reduced. Based on the case where the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p is used as a reference, a temperature reduction effect of 21% was confirmed. Furthermore, in the case where the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of FIG. 7C is used, the temperature rise value of the wafer W at the end of the wafer W was 3.3 ° C. That is, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment is used, the temperature rise value of the wafer W is 3.3 as compared with the case where the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p is used. The temperature was reduced. Based on the case where the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p is used as a reference, a 50% temperature rise reduction effect was confirmed.

図１１は、図１０の縦軸値を規格化し、縦軸を対数軸で示したグラフである。図１１は、図１０の（ａ）の縦軸値を、図７の（ａ）で示す従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合のウェハＷの温度差で規格化した値（以下、「温度上昇率」という）として示すグラフである。図１１において、グラフ３００ａは、図７の（ａ）で示す周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合の温度上昇率を示している。グラフ３００ｂは、図７の（ｂ）で示す略Ｌ字状の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合の温度上昇率を示している。グラフ３００ｃは、図７の（ｃ）で示す略Ｌ字状の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合の温度上昇率を示している。図１１に示すように、図７の（ａ）の従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合には、ウェハＷの温度上昇率が１０％を超える領域（図中の縦軸０．１よりも大きい温度上昇率となる領域）が、ウェハＷの端部から中心へ約７１ｍｍの位置に至るまでの範囲であった。すなわち、ウェハＷの中心（原点）からの距離が７９ｍｍ〜１５０ｍｍの範囲の領域であった。これに対し、図７の（ｂ）の一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷの温度上昇率が１０％を超える領域が、ウェハＷの端部から中心へ約６２ｍｍの位置に至るまでの範囲であった。すなわち、ウェハＷの中心（原点）からの距離が８８ｍｍ〜１５０ｍｍの範囲の領域であった。上記結果より、図７の（ｂ）で示す一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷの中心（原点）の温度に対して温度上昇率が１０％を超える領域が従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合と比較して約１３％狭くなった。更に、図７の（ｃ）の一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷの温度上昇率が１０％を超える領域がウェハＷの端部から中心へ約６０ｍｍの位置に至るまでの範囲であった。即ち、図７の（ｃ）で示す一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、温度上昇率が１０％を超える領域が周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合に比して約１４％狭くなった。なお、図１１における６１ｍｍとは、図７の（ｂ）載置台１８を用いた場合の温度上昇率が１０％を超える領域と、図７の（ｃ）の載置台１８を用いた場合の温度上昇率が１０％を超える領域との平均値を示している。   FIG. 11 is a graph in which the vertical axis value in FIG. 10 is normalized and the vertical axis is indicated by a logarithmic axis. FIG. 11 is a value obtained by normalizing the vertical axis value of FIG. 10A with the temperature difference of the wafer W when using the mounting table 180 having the conventional peripheral channel 24p shown in FIG. 7A. (Hereinafter referred to as “temperature rise rate”). In FIG. 11, a graph 300a shows the rate of temperature increase when the mounting table 180 having the peripheral flow path 24p shown in FIG. A graph 300b shows a temperature increase rate when the mounting table 18 having the substantially L-shaped peripheral flow path 24e shown in FIG. 7B is used. A graph 300c shows a temperature increase rate when the mounting table 18 having the substantially L-shaped peripheral flow path 24e shown in FIG. 7C is used. As shown in FIG. 11, when the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p of FIG. 7A is used, a region where the temperature increase rate of the wafer W exceeds 10% (the vertical axis in the figure). The region where the rate of temperature increase is greater than 0.1) is the range from the end of the wafer W to the center of about 71 mm. That is, the distance from the center (origin) of the wafer W was an area in the range of 79 mm to 150 mm. On the other hand, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of the embodiment of FIG. 7B is used, the region where the temperature increase rate of the wafer W exceeds 10% is the end portion of the wafer W. It was a range from the position to about 62 mm from the center to the center. That is, the distance from the center (origin) of the wafer W was an area in the range of 88 mm to 150 mm. From the above results, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of the embodiment shown in FIG. 7B is used, the temperature increase rate is 10% with respect to the temperature of the center (origin) of the wafer W. The area exceeding the width is reduced by about 13% compared to the case where the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p is used. Further, in the case where the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of one embodiment of FIG. 7C is used, a region where the temperature rise rate of the wafer W exceeds 10% extends from the end of the wafer W to the center. It was a range up to a position of about 60 mm. That is, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment shown in FIG. 7C is used, the mounting table 180 having the peripheral flow path 24p in a region where the temperature increase rate exceeds 10%. It was about 14% narrower than when used. In addition, 61 mm in FIG. 11 is the temperature when the temperature rise rate when using the mounting table 18 in FIG. 7 (b) exceeds 10% and when using the mounting table 18 in FIG. The average value with the area | region where an increase rate exceeds 10% is shown.

以上、一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、第２上面１８ｕ２への入熱すなわちフォーカスリングＦＲ側からの入熱による温度上昇値を低減することができる効果、及び、温度上昇するウェハＷの領域を狭くすることができる効果が確認された。   As described above, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment is used, it is possible to reduce the temperature rise value due to heat input to the second upper surface 18u2, that is, heat input from the focus ring FR side. And the effect which can narrow the area | region of the wafer W where temperature rises was confirmed.

続いて、ウェハＷのみへ入熱された場合のシミュレーション結果について説明する。図１２は、従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０の場合と一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８の場合とで、ウェハＷのエッジ領域における温度分布を比較するグラフである。すなわち、第２上面１８ｕ２への入熱は行われず、ウェハＷのみ入熱された状態とした。図１２の（ａ）は、ウェハＷ表面の温度分布を、図７の（ａ）で示す従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０の場合と図７の（ｂ）で示す一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８の場合とで比較するグラフである。図１２において、横軸はウェハＷの中心（原点）からの距離を示し、縦軸はウェハＷの温度上昇値（ウェハＷ表面の温度を、図７の（ａ）で示す従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０におけるウェハＷの中心（原点）の温度で差分した値）を示している。また、実線は図７の（ａ）で示す周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合のグラフ、破線は図７の（ｂ）で示す一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合のグラフである。図１２の（ｂ）は、図１２の（ａ）における、実線で示す値から破線で示す値を差分した値を示すグラフである。図１２の（ｂ）において、横軸はウェハＷの中心（原点）からの距離を示し、縦軸は図７の（ａ）で示す従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合におけるウェハＷ表面の温度と図７の（ｂ）で示す一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合におけるウェハＷ表面の温度との差分を示している。図１２に示すように、図７の（ｂ）で示す一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合は、図７の（ａ）で示す従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合に比してウェハＷの温度上昇値が２．１℃低減された。   Subsequently, a simulation result when heat is applied only to the wafer W will be described. FIG. 12 is a graph comparing the temperature distribution in the edge region of the wafer W in the case of the mounting table 180 having the conventional peripheral channel 24p and the mounting table 18 having the peripheral channel 24e according to the embodiment. is there. That is, the heat input to the second upper surface 18u2 is not performed, and only the wafer W is input. 12A shows the temperature distribution on the surface of the wafer W in the case of the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p shown in FIG. 7A and one embodiment shown in FIG. 7B. It is a graph compared with the case of the mounting base 18 which has the peripheral flow path 24e which concerns. In FIG. 12, the horizontal axis indicates the distance from the center (origin) of the wafer W, and the vertical axis indicates the temperature rise value of the wafer W (the temperature of the surface of the wafer W is a conventional peripheral channel shown in FIG. 7A). The value obtained by subtracting the temperature at the center (origin) of the wafer W in the mounting table 180 having 24p is shown. Moreover, a solid line is a graph at the time of using the mounting base 180 which has the peripheral flow path 24p shown to (a) of FIG. 7, and a broken line shows the mounting which has the peripheral flow path 24e which concerns on one Embodiment shown to (b) of FIG. It is a graph at the time of using the mounting stand 18. FIG. 12B is a graph showing a value obtained by subtracting the value indicated by the broken line from the value indicated by the solid line in FIG. In FIG. 12B, the horizontal axis indicates the distance from the center (origin) of the wafer W, and the vertical axis indicates the case where the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p shown in FIG. 8 shows the difference between the temperature of the surface of the wafer W and the temperature of the surface of the wafer W when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment shown in FIG. 7B is used. As shown in FIG. 12, when the mounting table 18 having the peripheral channel 24e according to the embodiment shown in FIG. 7B is used, the conventional peripheral channel 24p shown in FIG. The temperature rise value of the wafer W was reduced by 2.1 ° C. as compared with the case where the mounting table 180 having the same was used.

図１３は、図１２の（ａ）の縦軸値を規格化したグラフである。即ち、図１３は、図１２の（ａ）の縦軸値を、温度上昇率として示すグラフである。図１３において、実線は図７の（ａ）で示す周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合のグラフ、破線は図７の（ｂ）で示す一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合のグラフである。図１３に示すように、図７の（ａ）の従来の周縁流路２４ｐの場合には、温度上昇率が１０％を超える領域（図中の縦軸０．１よりも大きい温度上昇率となる領域）が、ウェハＷの端部から中心へ約１８ｍｍの位置に至るまでの範囲であった。これに対して、図７の（ｂ）の一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷの温度上昇率が１０％を超える領域がウェハＷの端部から中心へ約１０ｍｍの位置へ至るまでの範囲であった。つまり、一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷの中心（原点）の温度に対して温度上昇率が１０％を超える領域が従来の周縁流路２４ｐの場合に比して約４５％狭くなった。   FIG. 13 is a graph obtained by normalizing the vertical axis value in FIG. That is, FIG. 13 is a graph showing the vertical axis value of FIG. In FIG. 13, the solid line is a graph when the mounting table 180 having the peripheral flow path 24 p shown in FIG. 7A is used, and the broken line is the peripheral flow path 24 e according to the embodiment shown in FIG. It is a graph at the time of using the mounting base 18 which has. As shown in FIG. 13, in the case of the conventional peripheral flow path 24p of FIG. 7 (a), the temperature increase rate exceeds 10% (the temperature increase rate larger than the vertical axis 0.1 in the figure). Area) was a range from the end of the wafer W to the center to a position of about 18 mm. On the other hand, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of the embodiment of FIG. 7B is used, the region where the temperature increase rate of the wafer W exceeds 10% is the end portion of the wafer W. It was a range from the center to a position of about 10 mm. That is, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of the embodiment is used, a region where the temperature increase rate exceeds 10% with respect to the temperature of the center (origin) of the wafer W is the conventional peripheral flow path 24p. It was about 45% narrower than in the case of.

以上、一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷへの入熱による温度上昇値を低減することができる効果、及び、温度上昇するウェハＷの領域を狭くすることができる効果が確認された。   As described above, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment is used, the effect of reducing the temperature rise value due to the heat input to the wafer W and the region of the wafer W where the temperature rises can be obtained. The effect which can be narrowed was confirmed.

続いて、第２上面１８ｕ２及びウェハＷへ入熱された場合について説明する。図１４は、図７の（ａ）〜（ｃ）で示す周縁流路を有する載置台のそれぞれについて、第２上面１８ｕ２及びウェハＷへの入熱をいずれも行った場合におけるウェハＷの温度分布を示すグラフである。図１４において、横軸はウェハＷの中心（原点）からの距離、縦軸はウェハＷの温度上昇値（ウェハＷ表面の温度を、図７の（ａ）で示す従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０におけるウェハＷの中心（原点）の温度で差分した値）を示している。また、グラフ３００ａは図７の（ａ）で示す従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合の温度上昇値、グラフ３００ｂは図７の（ｂ）で示す一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合の温度上昇値、グラフ３００ｃは図７の（ｃ）で示す一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合の温度上昇値を示している。   Next, a case where heat is input to the second upper surface 18u2 and the wafer W will be described. FIG. 14 shows the temperature distribution of the wafer W when heat is applied to the second upper surface 18u2 and the wafer W for each of the mounting tables having the peripheral flow paths shown in FIGS. It is a graph which shows. In FIG. 14, the horizontal axis is the distance from the center (origin) of the wafer W, the vertical axis is the temperature rise value of the wafer W (the temperature of the surface of the wafer W, and the conventional peripheral flow path 24p shown in FIG. 7A). A value obtained by subtracting the temperature at the center (origin) of the wafer W in the mounting table 180 is shown. Further, the graph 300a is a temperature rise value when the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p shown in FIG. 7A is used, and the graph 300b is the peripheral edge according to the embodiment shown in FIG. 7B. Temperature rise value when using the mounting table 18 having the flow path 24e, graph 300c is a temperature rise value when using the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment shown in FIG. Is shown.

図１４に示すように、図７の（ａ）の従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合では、ウェハＷの端部における温度上昇値が約１８．６℃であるのに対し、図７の（ｂ）の一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合では、ウェハＷの端部におけるウェハＷの温度上昇値が約１５．２℃であり、従来の周縁流路２４ｐに比してウェハＷの温度上昇値が約３．４℃（約１８％）低減された。更に、図７の（ｃ）の一実施形態に係る周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合では、ウェハＷの端部におけるウェハＷの温度上昇値が約１３．４℃であり、従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合に比してウェハＷの温度上昇値が約５．２℃（２８％）低減された。   As shown in FIG. 14, when the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p of FIG. 7A is used, the temperature rise value at the edge of the wafer W is about 18.6 ° C. On the other hand, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment of FIG. 7B is used, the temperature rise value of the wafer W at the end of the wafer W is about 15.2 ° C., The temperature rise value of the wafer W was reduced by about 3.4 ° C. (about 18%) compared to the conventional peripheral flow path 24p. Furthermore, in the case of using the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment of FIG. 7C, the temperature rise value of the wafer W at the end of the wafer W is about 13.4 ° C. The temperature rise value of the wafer W was reduced by about 5.2 ° C. (28%) as compared with the case where the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p is used.

また、図１４に示すように、図７の（ａ）の従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合には、ウェハＷの温度上昇率が１０％を超える領域が、がウェハＷの端部から中心へ約５６ｍｍの位置に至るまでの範囲であった。これに対し、図７の（ｂ）の一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷの温度上昇率が１０％を超える領域がウェハＷの端部から中心へ約３０ｍｍの位置に至るまでの範囲であった。即ち、図７の（ｂ）で示す一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、温度上昇率が１０％を超える領域が従来の周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合に比して約４６％狭くなった。更に、図７の（ｃ）の一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷの温度上昇率が１０％を超える領域がウェハＷの端部から中心へ約２８ｍｍの位置に至るまでの範囲であった。即ち、図７の（ｃ）で示す一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、温度上昇率が１０％を超える領域が周縁流路２４ｐを有する載置台１８０を用いた場合に比して約５０％狭くなった。なお、図１４における２９ｍｍとは、図７の（ｂ）載置台１８を用いた場合の温度上昇率が１０％を超える領域と、図７の（ｃ）の載置台１８を用いた場合の温度上昇率が１０％を超える領域との平均値を示している。   Further, as shown in FIG. 14, when the mounting table 180 having the conventional peripheral flow path 24p of FIG. 7A is used, the region where the temperature rise rate of the wafer W exceeds 10% is the wafer. The range was from the end of W to the position of about 56 mm from the center. On the other hand, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of the embodiment of FIG. 7B is used, a region where the temperature rise rate of the wafer W exceeds 10% is from the end of the wafer W. It was a range up to a position of about 30 mm to the center. That is, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of the embodiment shown in FIG. 7B is used, the mounting table in which the region where the temperature increase rate exceeds 10% has the conventional peripheral flow path 24p. It was about 46% narrower than when 180 was used. Further, in the case where the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of one embodiment of FIG. 7C is used, a region where the temperature rise rate of the wafer W exceeds 10% extends from the end of the wafer W to the center. It was a range up to a position of about 28 mm. That is, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment shown in FIG. 7C is used, the mounting table 180 having the peripheral flow path 24p in a region where the temperature increase rate exceeds 10%. It was about 50% narrower than when used. Note that 29 mm in FIG. 14 is a region where the rate of temperature increase when using the mounting table 18 in FIG. 7 (b) exceeds 10% and the temperature when using the mounting table 18 in FIG. 7 (c). The average value with the area | region where an increase rate exceeds 10% is shown.

以上、一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、ウェハＷへの入熱を考慮した場合であっても、フォーカスリングＦＲ側からの入熱による温度上昇値を低減することができる効果、及び、温度上昇するウェハＷの領域を狭くすることができる効果が確認された。フォーカスリングＦＲ側からの入熱によるウェハＷの温度不均一性を改善する手法として、フォーカスリングＦＲ側の載置台部分を載置台本体とは別体の構造とすることでフォーカスリングＦＲ側からの入熱を伝熱させない手法も考えられる。しかしながら、別体構造にした場合には、フォーカスリングＦＲ側の載置台部分を冷却する機構が必要になる。また、フォーカスリングＦＲと第２上面１８ｕ２との間に断熱層を介在させる手法も考えられる。しかしながら、この手法では、温度を制御することはできない。さらに、フォーカスリングＦＲの直下に流路を形成する手法も考えられる。しかしながら、この手法では、フォーカスリングＦＲの直下にフォーカスリングＦＲ特有の構成を設けることが困難となる場合がある。一実施形態の周縁流路２４ｅを有する載置台１８を用いた場合には、上述した課題を解決することができる。   As described above, when the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e according to the embodiment is used, the temperature increase value due to heat input from the focus ring FR side is obtained even when heat input to the wafer W is taken into consideration. The effect that can be reduced and the effect that the region of the wafer W where the temperature rises can be narrowed have been confirmed. As a method of improving the temperature non-uniformity of the wafer W due to heat input from the focus ring FR side, the mounting table portion on the focus ring FR side is structured separately from the mounting table main body, so that the structure from the focus ring FR side is reduced. A method that does not transfer heat input is also conceivable. However, in the case of a separate structure, a mechanism for cooling the mounting table portion on the focus ring FR side is required. A method of interposing a heat insulating layer between the focus ring FR and the second upper surface 18u2 is also conceivable. However, this method cannot control the temperature. Furthermore, a method of forming a flow path directly under the focus ring FR is also conceivable. However, with this method, it may be difficult to provide a structure specific to the focus ring FR immediately below the focus ring FR. When the mounting table 18 having the peripheral flow path 24e of one embodiment is used, the above-described problems can be solved.

（第２の要因）
次に、第２の要因によって生じる温度分布についてシミュレーションした結果を説明する。図１５は、ウェハＷの端部が載置台１８０の載置面１９に接触している場合のウェハＷの温度と、ウェハＷの端部が載置台１８０の載置面１９に接触していない場合のウェハＷの温度とを比較するグラフである。図１５において、横軸はウェハＷの中心（原点）からの距離、縦軸はウェハＷの温度を示している。また、実線はウェハＷの端部が載置台１８０の載置面１９と接触している場合の温度分布を示すグラフ、一点鎖線はウェハＷの端部が載置台１８０の載置面１９と接触していない場合の温度分布を示すグラフである。図１５に示すように、ウェハＷの端部が載置台１８０の載置面１９と接触している場合にはウェハＷの端部の温度が上昇しないが、ウェハＷの端部が載置台１８０の載置面１９と接触していない場合にはウェハＷの端部の温度が上昇した。つまり、従来の載置台１８０においては、ウェハＷの端部が載置台１８０の載置面１９に接していないことに起因して、ウェハＷの端部の温度が上昇することが確認された。上記結果は、ウェハＷと載置台との接触面積が温度制御に大きく寄与することを示唆している。 (Second factor)
Next, a simulation result of the temperature distribution caused by the second factor will be described. FIG. 15 shows the temperature of the wafer W when the end of the wafer W is in contact with the mounting surface 19 of the mounting table 180, and the end of the wafer W is not in contact with the mounting surface 19 of the mounting table 180. It is a graph which compares the temperature of the wafer W in the case. In FIG. 15, the horizontal axis indicates the distance from the center (origin) of the wafer W, and the vertical axis indicates the temperature of the wafer W. The solid line is a graph showing the temperature distribution when the end of the wafer W is in contact with the mounting surface 19 of the mounting table 180, and the alternate long and short dash line is the end of the wafer W in contact with the mounting surface 19 of the mounting table 180. It is a graph which shows the temperature distribution when not doing. As shown in FIG. 15, when the end of the wafer W is in contact with the mounting surface 19 of the mounting table 180, the temperature of the end of the wafer W does not rise, but the end of the wafer W is not mounted on the mounting table 180. The temperature at the edge of the wafer W rose when it was not in contact with the mounting surface 19. That is, in the conventional mounting table 180, it was confirmed that the temperature of the end portion of the wafer W was increased because the end portion of the wafer W was not in contact with the mounting surface 19 of the mounting table 180. The above results suggest that the contact area between the wafer W and the mounting table greatly contributes to temperature control.

（一実施形態に係る載置台１８の作用及び効果）
続いて、一実施形態に係る載置台１８及びプラズマ処理装置１０の作用及び効果について、シミュレーション結果を用いて説明する。 (Operation and effect of the mounting table 18 according to the embodiment)
Next, operations and effects of the mounting table 18 and the plasma processing apparatus 10 according to an embodiment will be described using simulation results.

載置面１９の中央部領域１９ｃの接触面積率が３％、端部領域１９ｅの接触面積率が１５％の載置台１８を用いた場合を例にシミュレーションした。ここでは、載置面１９における中央部領域１９ｃと端部領域１９ｅとの境界位置が異なる複数の載置台１８を用いた場合における、ウェハＷの温度分布をシミュレーションした。結果を図１６に示す。図１６において、横軸はウェハＷの中心（原点）からの距離、縦軸はウェハＷの温度上昇値を示している。図１６に示すウェハＷの温度上昇値は、載置面１９における中央部領域１９ｃと端部領域１９ｅとの境界位置（以下、「境界位置ｒＣ／Ｅ」という。）が、ウェハＷの中心（原点）から１００〜１４５ｍｍの範囲に位置した場合をシミュレーションした結果である。図１７は、載置面１９における中央部領域１９ｃと端部領域１９ｅとの境界位置に応じた温度分布の変化幅ΔＴの低減率を示す表である。ここで、温度分布の変化幅ΔＴとは、それぞれの境界位置ｒＣ／Ｅにおける、ウェハＷの温度上昇値の最小値と最大値との差分である。また、接触面積率が一様とは、載置面１９全面で接触面積率が同一の場合を意味する。ここでは、載置面１９全面の接触面積率が１５％とした。 A simulation was performed by using as an example a case where the mounting table 18 having a contact area ratio of 3% in the central region 19c of the mounting surface 19 and a contact area ratio of 15% in the end region 19e was used. Here, the temperature distribution of the wafer W was simulated when a plurality of mounting tables 18 having different boundary positions between the central region 19c and the end region 19e on the mounting surface 19 were used. The results are shown in FIG. In FIG. 16, the horizontal axis indicates the distance from the center (origin) of the wafer W, and the vertical axis indicates the temperature rise value of the wafer W. The temperature rise value of the wafer W shown in FIG. 16 is such that the boundary position (hereinafter referred to as “boundary position r C / E ”) between the central region 19c and the end region 19e on the mounting surface 19 is the center of the wafer W. It is the result of simulating the case where it is located in the range of 100 to 145 mm from (origin). FIG. 17 is a table showing a reduction rate of the temperature distribution change width ΔT according to the boundary position between the central region 19c and the end region 19e on the mounting surface 19. Here, the change width ΔT of the temperature distribution is a difference between the minimum value and the maximum value of the temperature increase value of the wafer W at each boundary position r C / E. Further, the uniform contact area ratio means that the contact area ratio is the same on the entire mounting surface 19. Here, the contact area ratio of the entire mounting surface 19 is 15%.

図１６及び図１７に示すように、ウェハＷの中心（原点）からの距離が１１０ｍｍよりも大きい境界位置ｒＣ／Ｅの場合には、接触面積率を一様とした場合を基準とすると、温度分布の変化幅ΔＴが１５％以上低減された。したがって、ウェハＷの端部よりも内側に４０ｍｍ以上内側の位置で接触面積率を小さくすると、接触面積率を一様とした場合に比して温度分布の変化幅ΔＴを１５％以上低減することが確認された。また、１２０〜１４５ｍｍの範囲では、２０％以上の低減が確認され、１３５〜１４０ｍｍの範囲では、４０％以上の低減が確認された。 As shown in FIGS. 16 and 17, in the case of the boundary position r C / E where the distance from the center (origin) of the wafer W is larger than 110 mm, when the contact area ratio is uniform, The change width ΔT of the temperature distribution was reduced by 15% or more. Therefore, if the contact area ratio is reduced at a position 40 mm or more inside the edge of the wafer W, the change width ΔT of the temperature distribution can be reduced by 15% or more compared to the case where the contact area ratio is uniform. Was confirmed. Further, a reduction of 20% or more was confirmed in the range of 120 to 145 mm, and a reduction of 40% or more was confirmed in the range of 135 to 140 mm.

温度分布の変化幅ΔＴを効果的に低減するための、中央部領域１９ｃの接触面積率（以下、「接触面積率ＳＣ」という）及び端部領域１９ｅの接触面積率（以下、「接触面積率ＳＥ」という）の数値範囲は、Ｈｅ圧によって異なる。ウェハＷと載置面１９との間の熱抵抗は、Ｈｅガスによる熱伝達と、載置面１９への固体接触による熱伝達で決定される。想定されるＨｅ圧の使用領域（１０〜５０Ｔｏｒｒ：１．３３×１０３〜６．６６×１０３Ｐａ）において、高Ｈｅ圧（５０Ｔｏｒｒ（６．６６×１０３Ｐａ））の場合には、低Ｈｅ圧（１０Ｔｏｒｒ（１．３３×１０３Ｐａ））の場合に比べて、接触面積率ＳＣと接触面積率ＳＥとに大きな差を与えなければ、中央部領域１９ｃの熱抵抗と端部領域１９ｅの熱抵抗との間に適切な差を与えることができない。すなわち、高Ｈｅ圧の条件において、中央部領域１９ｃの熱抵抗と端部領域１９ｅの熱抵抗との間に適切な差を与えることが可能な接触面積率ＳＣと接触面積率ＳＥとの差の最大値を決定することができる。これに対し、低Ｈｅ圧の場合には、中央部領域１９ｃの接触面積率ＳＣと端部領域１９ｅの接触面積率ＳＥとの差が小さくても中央部領域１９ｃの熱抵抗と端部領域１９ｅの熱抵抗との間に適切な差を与えることができる。すなわち、低Ｈｅ圧の条件において、中央部領域１９ｃの熱抵抗と端部領域１９ｅの熱抵抗との間に適切な差を与えることが可能な接触面積率ＳＣと接触面積率ＳＥとの差の最小値を決定することができる。なお、接触面積率ＳＣと接触面積率ＳＥとの差が０の場合とは、載置面１９全面において一様な接触面積率となっている場合である。 In order to effectively reduce the change width ΔT of the temperature distribution, the contact area ratio of the central region 19c (hereinafter referred to as “contact area ratio S C ”) and the contact area ratio of the end region 19e (hereinafter referred to as “contact area”). The numerical range of “rate S E ” depends on the He pressure. The thermal resistance between the wafer W and the mounting surface 19 is determined by heat transfer due to He gas and heat transfer due to solid contact with the mounting surface 19. Used area envisioned He pressure: In (10~50Torr 1.33 × 10 3 ~6.66 × 10 3 Pa), in the case of high He pressure (50Torr (6.66 × 10 3 Pa )) , the than in the case of low He pressure (10Torr (1.33 × 10 3 Pa )), to be given a large difference between the contact area ratio S E and the contact area ratio S C, the thermal resistance and the end of the central region 19c An appropriate difference cannot be given to the thermal resistance of the partial region 19e. That is, in the condition of high He pressure, and capable of providing a suitable contacting area ratio S C and the contact area ratio S E between the heat resistance of the heat resistance and the end region 19e of the center area 19c The maximum difference can be determined. In contrast, in the case of low He pressure, thermal resistance and the end portion of the contact area ratio S C and also the difference between the contact area ratio S E end region 19e is small central region 19c of the center area 19c An appropriate difference can be given to the thermal resistance of the region 19e. That is, in the condition of low He pressure, and capable of providing a suitable contacting area ratio S C and the contact area ratio S E between the heat resistance of the heat resistance and the end region 19e of the center area 19c The minimum value of the difference can be determined. It should be noted that when the difference between the contact area ratio S C and the contact area ratio S E is 0, a case which is a uniform contact area ratio in the mounting surface 19 entirely.

上記知見に基づいて、高Ｈｅ圧の場合及び低Ｈｅ圧の場合のそれぞれについて、接触面積率ＳＣ，ＳＥを一様とした場合よりも温度分布の変化幅ΔＴを改善することができる接触面積率についてシミュレーションした。結果を図１８に示す。図１８は、温度分布の変化幅ΔＴを効果的に低減することが可能な接触面積率ＳＣ，ＳＥの最大領域を示す図である。図１８に示すように、下限を示す線３２０ａ、上限を示す線３２０ｂ、及び、座標軸で規定される領域Ａにおいては、Ｈｅ圧を調整することで、接触面積率ＳＣ，ＳＥを一様とした場合に比して温度分布の変化幅ΔＴを１５％以上低減することが確認された。ここで、下限である線３２０ａは、Ｈｅ圧が低Ｈｅ圧、載置面１９と非接触となるウェハＷ端部の長さが１．８ｍｍ、境界位置ｒＣ／ＥがウェハＷの中心（原点）から１１０ｍｍの位置となる条件で求められ、以下の式１で示される。

Figure 2014195047
Based on the above knowledge, the temperature distribution change width ΔT can be improved compared to the case where the contact area ratios S C and S E are uniform for each of the high He pressure and the low He pressure. The area ratio was simulated. The results are shown in FIG. FIG. 18 is a diagram illustrating the maximum region of the contact area ratios S C and S E that can effectively reduce the change width ΔT of the temperature distribution. As shown in FIG. 18, the contact area ratios S C and S E are made uniform by adjusting the He pressure in the line 320a indicating the lower limit, the line 320b indicating the upper limit, and the region A defined by the coordinate axes. It was confirmed that the change width ΔT of the temperature distribution was reduced by 15% or more compared to Here, the lower limit of the line 320a is that the He pressure is a low He pressure, the length of the end of the wafer W that is not in contact with the mounting surface 19 is 1.8 mm, and the boundary position r C / E is the center of the wafer W ( It is obtained under the condition that the position is 110 mm from the origin) and is expressed by the following formula 1.
Figure 2014195047

一方、上限である線ｂは、Ｈｅ圧が高Ｈｅ圧、載置面１９と非接触となるウェハＷ端部の長さが２．８ｍｍ、境界位置ｒＣ／ＥがウェハＷの中心（原点）から１４４．２ｍｍの位置となる条件で算出された。 On the other hand, the upper limit line b indicates that the He pressure is a high He pressure, the length of the end of the wafer W that is not in contact with the mounting surface 19 is 2.8 mm, and the boundary position r C / E is the center of the wafer W (the origin) ) To 144.2 mm.

以上、一実施形態に係る載置台１８及びプラズマ処理装置１０では、その内部に形成された周縁流路２４ｅが、載置台１８の側面１８ｓに沿って第１上面１８ｕ１が設けられた方向に延びる部分を有している。これにより、載置台１８内部の側面１８ｓ側への入熱に対する流路２４の抜熱能力が向上されている。このため、フォーカスリングＦＲからの熱をウェハＷに伝達させ難くすることができる。よって、ウェハＷの端部の温度の上昇が抑制できる。そして、この載置台１８では、静電チャック１８ｂの載置面１９に複数の凸部１９ｄがドット状に設けられ、当該複数の凸部１９ｄとウェハＷの裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、端部領域１９ｅの方が中央部領域１９ｃよりも大きくなるように形成されている。よって、中央部領域１９ｃの方が、端部領域１９ｅよりも熱抵抗が大きくなっている。その結果、中央部領域１９ｃの方が、端部領域１９ｅよりも熱が伝わりにくくなっている。ウェハＷの熱は、複数の凸部１９ｄ、載置台１８及び流路２４と順に伝わることにより、抜熱される。このため、中央部領域１９ｃの方が、端部領域１９ｅよりもウェハＷからの熱を抜熱する能力（ウェハＷの冷却性）が低くなっている。すなわち、載置面１９の中央部領域１９ｃにおけるウェハＷの冷却性を低減し、ウェハＷの中央部領域の温度を、ウェハＷの端部領域の温度に合うよう上昇させることができる。以上より、ウェハＷの温度の調整が、流路２４を流れる冷媒及び複数の凸部１９ｄによって行われることとなり、ウェハＷの中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を抑制することが可能となる。   As described above, in the mounting table 18 and the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment, the peripheral flow path 24e formed therein extends in the direction in which the first upper surface 18u1 is provided along the side surface 18s of the mounting table 18. have. Thereby, the heat removal capability of the flow path 24 with respect to heat input to the side surface 18s side inside the mounting table 18 is improved. For this reason, it is possible to make it difficult to transfer the heat from the focus ring FR to the wafer W. Therefore, an increase in temperature at the end of the wafer W can be suppressed. In the mounting table 18, a plurality of convex portions 19 d are provided in a dot shape on the mounting surface 19 of the electrostatic chuck 18 b, and per unit area of an area where the plurality of convex portions 19 d and the back surface of the wafer W are in contact with each other. Is formed so that the end region 19e is larger than the central region 19c. Therefore, the thermal resistance of the central region 19c is larger than that of the end region 19e. As a result, the center region 19c is less likely to transmit heat than the end region 19e. The heat of the wafer W is transferred to the plurality of convex portions 19 d, the mounting table 18, and the flow path 24 in order to be removed. For this reason, the ability to extract heat from the wafer W (coolability of the wafer W) is lower in the central region 19c than in the end region 19e. That is, the cooling performance of the wafer W in the central region 19c of the mounting surface 19 can be reduced, and the temperature of the central region of the wafer W can be raised to match the temperature of the end region of the wafer W. As described above, the temperature of the wafer W is adjusted by the refrigerant flowing in the flow path 24 and the plurality of convex portions 19d, and the temperature nonuniformity in the central region and the end region of the wafer W can be suppressed. It becomes possible.

また、一実施形態に係る載置台１８では、複数の凸部１９ｄのそれぞれが、同一形状且つ同じ大きさを呈し、端部領域１９ｅの複数の凸部１９ｄの単位面積当たりの数が、中央部領域１９ｃの複数の凸部１９ｄの単位面積当たりの数よりも多くなっている。このため、載置面１９の中央部領域１９ｃにおけるウェハＷの冷却性を低減し、ウェハＷの中央部領域の温度を、ウェハＷの端部領域の温度に合うよう上昇させることができる。   In the mounting table 18 according to the embodiment, each of the plurality of convex portions 19d has the same shape and the same size, and the number of the plurality of convex portions 19d in the end region 19e per unit area is equal to the central portion. The number is larger than the number per unit area of the plurality of convex portions 19d in the region 19c. For this reason, the cooling performance of the wafer W in the central region 19c of the mounting surface 19 can be reduced, and the temperature of the central region of the wafer W can be raised to match the temperature of the end region of the wafer W.

また、一実施形態に係る載置台１８では、周縁流路２４ｅの上端には、側面１８ｓに沿って該周縁流路２４ｅの上端から下端に向けて延びるフィン部２５が形成されている。この形態によれば、周縁流路２４ｅの一部にフィン部２５が形成されているので、当該周縁流路２４ｅの表面積が、従来の周縁流路２４ｐの表面積よりも大きくなっている。その結果、ウェハＷの端部領域からの流路２４の抜熱能力を向上することができ、ウェハＷの中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を一層抑制することが可能となる。   Further, in the mounting table 18 according to the embodiment, a fin portion 25 extending from the upper end to the lower end of the peripheral flow path 24e along the side surface 18s is formed at the upper end of the peripheral flow path 24e. According to this embodiment, since the fin portion 25 is formed in a part of the peripheral flow path 24e, the surface area of the peripheral flow path 24e is larger than the surface area of the conventional peripheral flow path 24p. As a result, it is possible to improve the heat removal capability of the flow path 24 from the end region of the wafer W, and it is possible to further suppress the uneven temperature in the central region and the end region of the wafer W. .

また、一実施形態に係る載置台１８では、周縁流路２４ｅの上端と第１上面１８ｕ１との間の最短距離Ｄ２が、中央流路２４ｃの上端と第１上面１８ｕ１との間の最短距離Ｄ１よりも小さくなっている。この形態によれば、周縁流路２４ｅは、中央流路２４ｃよりもベース部１８ａの第１上面１８ｕ１の近くに設けられることとなる。その結果、周縁流路２４ｅの抜熱能力を、中央流路２４ｃの抜熱能力よりも高めることができ、ウェハＷの中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を一層抑制することが可能となる。   In the mounting table 18 according to the embodiment, the shortest distance D2 between the upper end of the peripheral flow path 24e and the first upper surface 18u1 is the shortest distance D1 between the upper end of the central flow path 24c and the first upper surface 18u1. Is smaller than According to this embodiment, the peripheral channel 24e is provided closer to the first upper surface 18u1 of the base portion 18a than the central channel 24c. As a result, the heat removal capacity of the peripheral flow path 24e can be increased more than the heat removal capacity of the central flow path 24c, and temperature nonuniformity in the central area and the end area of the wafer W can be further suppressed. It becomes possible.

また、一実施形態に係る載置台１８では、載置面１９には、ウェハＷを支持するためのリフターピン６１を通過させるリフターピン用孔２００が形成され、複数の凸部１９ｄが形成される間隔Ｄ４がリフターピン用孔２００の口径Ｄ３よりも広くなっている。この形態によれば、リフターピン用孔２００が形成される位置に依存せずに複数の凸部１９ｄを形成することができる。その結果、リフターピン用孔２００の位置に依存することなく、ウェハＷの温度調整を行うことが可能となる。   Further, in the mounting table 18 according to the embodiment, the mounting surface 19 is formed with lifter pin holes 200 through which the lifter pins 61 for supporting the wafer W pass, and a plurality of convex portions 19d are formed. The distance D4 is wider than the diameter D3 of the lifter pin hole 200. According to this embodiment, the plurality of convex portions 19d can be formed without depending on the position where the lifter pin hole 200 is formed. As a result, the temperature of the wafer W can be adjusted without depending on the position of the lifter pin hole 200.

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, It changed within the range which does not change the summary described in each claim, or applied to the other thing It may be a thing.

例えば、周縁流路２４ｅの上端には、フィン部２５が形成されていなくてもよく、フィン部２５の代わりに種々の形状を設けてもよい。図１９は、一実施形態に係る載置台１８の変形例に係る載置台の周縁流路２４ｅの形状を示す図である。図１９に示すように、周縁流路２４ｅの表面の全体又は外周側面部に、伝熱促進のための凹凸を有する形状を設けてもよい。   For example, the fin portion 25 may not be formed at the upper end of the peripheral flow path 24e, and various shapes may be provided instead of the fin portion 25. FIG. 19 is a diagram illustrating the shape of the peripheral flow path 24e of the mounting table according to the modification of the mounting table 18 according to the embodiment. As shown in FIG. 19, you may provide the shape which has the unevenness | corrugation for heat transfer promotion in the whole surface of the peripheral flow path 24e, or an outer peripheral side surface part.

また、最外周の周縁流路２４ｅは、中央流路２４ｃとは別のチラーユニットを用いて冷媒を循環供給してもよい。この場合、周縁流路２４ｅにおける冷媒の温度を中央流路２４ｃにおける冷媒の温度とは独立して制御することができる。   Further, the outermost peripheral peripheral channel 24e may circulate and supply the refrigerant using a chiller unit different from the central channel 24c. In this case, the temperature of the refrigerant in the peripheral channel 24e can be controlled independently of the temperature of the refrigerant in the central channel 24c.

また、複数の凸部１９ｄは、同一形状でなくてもよく、同じ大きさでなくてもよい。   Further, the plurality of convex portions 19d may not have the same shape and may not have the same size.

また、プラズマ処理装置は、マイクロ波を用いてプラズマを生成するマイクロ波プラズマ処理装置を用いてもよい。   The plasma processing apparatus may be a microwave plasma processing apparatus that generates plasma using microwaves.

［実施例］
以下、上記効果を説明すべく本発明者が実施した実施例及び比較例について述べるが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 [Example]
Hereinafter, examples and comparative examples carried out by the inventor to describe the above-described effects will be described, but the present invention is not limited to the following examples.

（フィン部が形成された流路の冷却効果の確認）
プラズマ処理装置の載置台において、周縁流路の上端に、フィン部が形成された流路を有する載置台と、フィン部が形成されていない流路を有する載置台とを用いて、プラズマ処理を行い、ウェハの温度を計測した。処理条件は、以下に示す。 (Confirmation of cooling effect of flow path with fins)
In the mounting table of the plasma processing apparatus, plasma processing is performed using a mounting table having a channel in which fin portions are formed at the upper end of the peripheral channel and a mounting table having a channel in which fin portions are not formed. The wafer temperature was measured. The processing conditions are shown below.

（処理条件１）
処理空間Ｓの圧力：２０ｍＴｏｒｒ（２．６７Ｐａ）
プラズマ生成用電力：８３００Ｗ
処理ガスの流量：５００ｓｃｃｍ(処理ガスの主成分はＡｒ)
処理時間：１２０秒
Ｈｅ圧：４０Ｔｏｒｒ（５．３３×１０３Ｐａ） (Processing condition 1)
Pressure in the processing space S: 20 mTorr (2.67 Pa)
Power for plasma generation: 8300W
Process gas flow rate: 500 sccm (the main component of the process gas is Ar)
Processing time: 120 seconds He pressure: 40 Torr (5.33 × 10 3 Pa)

上記の処理条件１でプラズマ処理されたウェハの温度を測定した結果を図２０に示す。図２０は、処理条件１でプラズマ処理された場合におけるウェハの中心からの距離とウェハの温度との関係を示すグラフである。横軸はウェハの中心（原点）からの距離、縦軸はウェハの温度を示している。図２０の（ａ）は、フィン部が形成されていない流路を有する載置台を用いた結果である。図２０の（ｂ）は、フィン部が形成された流路を有する載置台を用いた結果である。図２０の（ａ）に示すように、フィン部が形成されていない流路を有する載置台では、ウェハの中央部領域（０〜１１０ｍｍ）の平均温度と比較して、ウェハの端部（１４７ｍｍ）において上昇した温度は１５．２℃であった。一方、図２０の（ｂ）に示すように、フィン部が形成されている流路を有する載置台では、ウェハの中央部領域（０〜１１０ｍｍ）の平均温度と比較して、ウェハの端部（１４７ｍｍ）において上昇した温度は９．３℃であった。このように、フィン部が形成されている流路を有する載置台は、フィン部が形成されていない流路を有する載置台に比べて、ウェハの端部領域の温度上昇を抑制することが確認された。   FIG. 20 shows the result of measuring the temperature of the wafer that has been plasma-treated under the above treatment condition 1. FIG. 20 is a graph showing the relationship between the distance from the center of the wafer and the temperature of the wafer when the plasma processing is performed under the processing condition 1. The horizontal axis represents the distance from the center (origin) of the wafer, and the vertical axis represents the wafer temperature. (A) of FIG. 20 is a result of using a mounting table having a flow path in which no fin portion is formed. FIG. 20B shows the result of using a mounting table having a flow path in which fin portions are formed. As shown in FIG. 20 (a), in the mounting table having the flow path in which the fin portion is not formed, the end portion of the wafer (147 mm) is compared with the average temperature of the central region (0 to 110 mm) of the wafer. ) Was 15.2 ° C. On the other hand, as shown in FIG. 20B, in the mounting table having the flow path in which the fin portion is formed, the edge of the wafer is compared with the average temperature of the central region (0 to 110 mm) of the wafer. The temperature increased at (147 mm) was 9.3 ° C. As described above, it is confirmed that the mounting table having the flow path in which the fin portion is formed suppresses the temperature increase in the end region of the wafer as compared with the mounting table having the flow path in which the fin portion is not formed. It was done.

（接触面積率と温度との関係性の確認）
プラズマ処理装置の載置台において、静電チャックの載置面に設けられた複数の凸部がウェハの裏面と接触している面積と接触していない面積との比（以降、接触面積率という。）を変化させて、プラズマ処理を行い、ウェハの温度を測定した。Ｈｅ圧は４０Ｔｏｒｒ、２０Ｔｏｒｒ及び１０Ｔｏｒｒ（５．３３×１０３Ｐａ、２．６７×１０３Ｐａ及び１．３３×１０３Ｐａ）とした。その他の処理条件は、以下に示す。 (Confirmation of relationship between contact area ratio and temperature)
In the mounting table of the plasma processing apparatus, the ratio between the area where the plurality of convex portions provided on the mounting surface of the electrostatic chuck are in contact with the back surface of the wafer and the area where it is not in contact (hereinafter referred to as the contact area ratio). ), Plasma processing was performed, and the temperature of the wafer was measured. The He pressure was 40 Torr, 20 Torr and 10 Torr (5.33 × 10 3 Pa, 2.67 × 10 3 Pa and 1.33 × 10 3 Pa). Other processing conditions are shown below.

（処理条件２）
処理空間Ｓの圧力：２０ｍＴｏｒｒ（２．６７Ｐａ）
プラズマ生成用電力：８３００Ｗ
処理ガスの流量：５００ｓｃｃｍ(処理ガスの主成分はＡｒ)
処理時間：１２０秒 (Processing condition 2)
Pressure in the processing space S: 20 mTorr (2.67 Pa)
Power for plasma generation: 8300W
Process gas flow rate: 500 sccm (the main component of the process gas is Ar)
Processing time: 120 seconds

上記の処理条件２によりプラズマ処理されたウェハの温度を測定した結果を図２１に示す。図２１は、載置面の接触面積率とウェハの温度との関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。その横軸は載置面の接触面積率であり、縦軸はウェハの温度である。図２１に示すように、接触面積率が大きくなるほどウェハの温度は下降し、接触面積率が小さくなるほどウェハの温度が上昇した。よって、載置面の接触面積率を低減させると、ウェハに対する冷却性を低減できることが確認された。また、Ｈｅ圧が小さくなるほど、接触面積率が最も小さい部分におけるウェハの温度の立ち上がり方が大きくなった。よって、Ｈｅ圧が小さくなるほど、接触面積率の低減がウェハの温度調整に与える影響が大きくなることが確認された。   FIG. 21 shows the result of measuring the temperature of the wafer subjected to the plasma processing under the above processing condition 2. FIG. 21 is a graph showing the relationship between the contact area ratio of the mounting surface and the wafer temperature for each He pressure. The horizontal axis represents the contact area ratio of the mounting surface, and the vertical axis represents the wafer temperature. As shown in FIG. 21, the wafer temperature decreased as the contact area ratio increased, and the wafer temperature increased as the contact area ratio decreased. Therefore, it was confirmed that when the contact area ratio of the mounting surface is reduced, the cooling performance for the wafer can be reduced. In addition, the lower the He pressure, the greater the way in which the wafer temperature rises at the portion with the smallest contact area ratio. Therefore, it was confirmed that the smaller the He pressure, the greater the influence that the reduction of the contact area ratio has on the temperature adjustment of the wafer.

（フィン部を有する流路及び接触面積率の変化の組合せによる温度均一効果の確認）
実施例１〜３では、フィン部が形成された流路を有し、且つ、載置面の接触面積率を低減させた載置台を用いて、プラズマ処理を行い、ウェハの温度を測定した。比較例１では、フィン部が形成されていない流路を有し、且つ、載置面の接触面積率を従来のものとする載置台を用いて、プラズマ処理を行い、ウェハの温度を測定した。実施例１〜３については、Ｈｅ圧は４０Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ、２０Ｔｏｒｒ及び１０Ｔｏｒｒ（５．３３×１０３Ｐａ、４．００×１０３Ｐａ、２．６７×１０３Ｐａ及び１．３３×１０３Ｐａ）とした。比較例１については、Ｈｅ圧は、４０Ｔｏｒｒ、２０Ｔｏｒｒ及び１０Ｔｏｒｒ（５．３３×１０３Ｐａ、２．６７×１０３Ｐａ及び１．３３×１０３Ｐａ）とした。その他の処理条件は、以下に示す。以降、接触面積率は１００ｍｍ２を基準面積（単位面積）としたものとして述べる。 (Confirmation of temperature uniformity effect by combination of flow path with fin and change in contact area ratio)
In Examples 1 to 3, plasma processing was performed using a mounting table having a flow path in which fin portions are formed and the contact area ratio of the mounting surface was reduced, and the temperature of the wafer was measured. In Comparative Example 1, the temperature of the wafer was measured by performing plasma treatment using a mounting table having a flow path in which no fin portion is formed and having a conventional contact area ratio on the mounting surface. . For Examples 1 to 3, the He pressure was 40 Torr, 30 Torr, 20 Torr and 10 Torr (5.33 × 10 3 Pa, 4.00 × 10 3 Pa, 2.67 × 10 3 Pa and 1.33 × 10 3 Pa). ). For Comparative Example 1, the He pressure was 40 Torr, 20 Torr, and 10 Torr (5.33 × 10 3 Pa, 2.67 × 10 3 Pa, and 1.33 × 10 3 Pa). Other processing conditions are shown below. Hereinafter, the contact area ratio will be described assuming that 100 mm 2 is a reference area (unit area).

（処理条件３）
処理空間Ｓの圧力：２０ｍＴｏｒｒ（２．６７Ｐａ）
プラズマ生成用電力：８３００Ｗ
処理ガスの流量：５００ｓｃｃｍ(処理ガスの主成分はＡｒ)
処理時間：１２０秒 (Processing condition 3)
Pressure in the processing space S: 20 mTorr (2.67 Pa)
Power for plasma generation: 8300W
Process gas flow rate: 500 sccm (the main component of the process gas is Ar)
Processing time: 120 seconds

上記の処理条件３によりプラズマ処理を行い、ウェハの温度を測定した実施例１〜３及び比較例１の実験結果を図２２に示す。図２２は、実施例１〜３及び比較例１で測定されたウェハの中心からの距離と温度との関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。横軸はウェハの中心（原点）からの距離、縦軸はウェハの温度である。図２２の（ａ）は、比較例１で測定されたものであり、フィン部が形成されていない流路を有し、且つ、単位面積当たりの接触面積率が１７％の載置台を用いた結果である。図２２の（ｂ），（ｃ）は、実施例１及び２で測定されたものであり、フィン部が形成されている流路を有し、且つ、接触面積率を比較例１より小さくした載置台を用いた結果である。より具体的には、図２２の（ｂ）は、実施例１で測定されたものであり、載置面の全体領域において単位面積当たりの接触面積率を３％とした載置台を用いた結果である。図２２の（ｃ）は、実施例２で測定されたものであり、載置面の中央部領域、すなわち載置面の中心を原点として、載置面の中心から外周端より１０ｍｍ中心側の位置までの長さを半径とする円の領域（例えば載置面の直径が３００ｍｍの場合、０〜１４０ｍｍ）のみ単位面積当たりの接触面積率を３％とし、端部領域、すなわち載置面の中心を原点として、載置面の中心から外周端までの長さを半径とする円の領域から中央部領域を差分した領域（例えば載置面の直径が３００ｍｍの場合、１４０〜１４６ｍｍ）においては単位面積当たりの接触面積率を１７％とした載置台を用いた結果である。   FIG. 22 shows the experimental results of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 in which plasma processing was performed under the above processing condition 3 and the temperature of the wafer was measured. FIG. 22 is a graph showing the relationship between the distance from the center of the wafer measured in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 and the temperature for each He pressure. The horizontal axis represents the distance from the center (origin) of the wafer, and the vertical axis represents the wafer temperature. (A) of FIG. 22 was measured in Comparative Example 1, and used a mounting table having a flow path in which no fin portion is formed and having a contact area ratio of 17% per unit area. It is a result. FIGS. 22B and 22C are measured in Examples 1 and 2 and have a flow path in which fin portions are formed, and the contact area ratio is smaller than that in Comparative Example 1. It is a result using a mounting table. More specifically, (b) of FIG. 22 is measured in Example 1, and results of using a mounting table in which the contact area ratio per unit area is 3% in the entire region of the mounting surface. It is. (C) of FIG. 22 is measured in Example 2, and the central region of the mounting surface, that is, the center of the mounting surface is the origin, and the center of the mounting surface is 10 mm from the outer peripheral end. The contact area ratio per unit area is 3% only in a circular area having a radius up to the position (for example, 0 to 140 mm when the diameter of the mounting surface is 300 mm), and the end region, that is, the mounting surface In an area obtained by subtracting the central area from the circular area having a radius from the center of the mounting surface to the outer peripheral edge with the center as the origin (for example, 140 to 146 mm when the diameter of the mounting surface is 300 mm) This is a result of using a mounting table in which the contact area ratio per unit area is 17%.

図２２の（ａ）で示すように、比較例１においては、Ｈｅ圧が１０Ｔｏｒｒの場合、ウェハの中心からの距離が０〜１４７ｍｍの間におけるウェハの温度差が３３．６℃であった。同様に、比較例１においては、Ｈｅ圧が２０Ｔｏｒｒ及び４０Ｔｏｒｒの場合、ウェハの中心からの距離が０〜１４７ｍｍの間におけるウェハの温度差が、それぞれ２６．０℃及び２３．９℃であった。また、ウェハの平均温度はＨｅ圧が小さくなるほど大きくなったが、その違いに大差はなく、グラフはほぼ重なった。   As shown in FIG. 22A, in Comparative Example 1, when the He pressure was 10 Torr, the temperature difference of the wafer was 33.6 ° C. when the distance from the center of the wafer was 0 to 147 mm. Similarly, in Comparative Example 1, when the He pressure was 20 Torr and 40 Torr, the temperature difference of the wafer when the distance from the center of the wafer was 0 to 147 mm was 26.0 ° C. and 23.9 ° C., respectively. . The average temperature of the wafer increased as the He pressure decreased, but there was no significant difference, and the graphs almost overlapped.

図２２の（ｂ）で示すように、実施例１においては、Ｈｅ圧が１０Ｔｏｒｒの場合、ウェハの中心からの距離が０〜１４７ｍｍの間におけるウェハの温度差が１２．６℃であった。同様に、実施例１においては、Ｈｅ圧が２０Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ及び４０Ｔｏｒｒの場合、ウェハの中心からの距離が０〜１４７ｍｍの間におけるウェハの温度差が、それぞれ９．２℃、８．３℃、及び７．２℃であった。また、ウェハの平均温度はＨｅ圧が小さくなるほど大きくなり、Ｈｅ圧が１０Ｔｏｒｒの場合には平均９６．６℃であったのに対し、Ｈｅ圧が４０Ｔｏｒｒの場合には８１．９℃であった。よって、比較例１とは異なりグラフが重ならなかった。   As shown in FIG. 22B, in Example 1, when the He pressure was 10 Torr, the temperature difference of the wafer was 12.6 ° C. when the distance from the center of the wafer was 0 to 147 mm. Similarly, in Example 1, when the He pressure is 20 Torr, 30 Torr, and 40 Torr, the temperature difference of the wafer at a distance from the center of the wafer of 0 to 147 mm is 9.2 ° C., 8.3 ° C., respectively. And 7.2 ° C. Further, the average temperature of the wafer increased as the He pressure decreased, and the average was 96.6 ° C. when the He pressure was 10 Torr, whereas it was 81.9 ° C. when the He pressure was 40 Torr. . Therefore, unlike Comparative Example 1, the graphs did not overlap.

図２２の（ｃ）で示すように、実施例２においては、Ｈｅ圧が１０Ｔｏｒｒの場合、ウェハの中心からの距離が０〜１４７ｍｍの間におけるウェハの温度差が９．３℃であった。同様に、実施例２においては、Ｈｅ圧が２０Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ及び４０Ｔｏｒｒの場合、ウェハの中心からの距離が０〜１４７ｍｍの間におけるウェハの温度差が、それぞれ７．４℃、８．７℃、及び８．２℃であった。また、ウェハの平均温度はＨｅ圧が小さくなるほど大きくなり、実施例１同様、グラフは重ならなかった。   As shown in FIG. 22 (c), in Example 2, when the He pressure was 10 Torr, the temperature difference of the wafer was 9.3 ° C. when the distance from the center of the wafer was 0 to 147 mm. Similarly, in Example 2, when the He pressure is 20 Torr, 30 Torr, and 40 Torr, the temperature difference of the wafer when the distance from the center of the wafer is 0 to 147 mm is 7.4 ° C., 8.7 ° C., respectively. And 8.2 ° C. Further, the average temperature of the wafer increased as the He pressure decreased, and the graphs did not overlap as in Example 1.

以上に述べたように、ウェハの中心からの距離が０〜１４７ｍｍの間におけるウェハの温度差は、いずれのＨｅ圧においても、実施例１及び２の方が比較例１よりも小さくなることが確認された。このように、載置面の接触面積率を実施例１及び２のように低減させることで、ウェハの中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を抑制できることが確認された。すなわち、フィン部が形成された流路を有し、且つ、載置面の接触面積率を上記実施例１及び２のように低減させた載置台によって、ウェハの端部における温度上昇を抑制し、且つ、ウェハの中央部における冷却性を低減させることができ、結果としてウェハの中央部領域と端部領域とにおける温度の不均一を抑制できるという効果が示唆された。また、実施例１及び２では、比較例１とは異なり、Ｈｅ圧毎にウェハの平均温度が相違することが確認された。これにより、実施例１及び２の載置台によれば、Ｈｅによるウェハの温度に対する制御性が拡大できることが示唆された。   As described above, the temperature difference of the wafer when the distance from the center of the wafer is 0 to 147 mm is smaller in Examples 1 and 2 than in Comparative Example 1 at any He pressure. confirmed. Thus, it was confirmed that by reducing the contact area ratio of the mounting surface as in Examples 1 and 2, temperature nonuniformity in the central region and the end region of the wafer can be suppressed. That is, a temperature rise at the edge of the wafer is suppressed by the mounting table having the flow path in which the fin portion is formed and the contact area ratio of the mounting surface being reduced as in the first and second embodiments. And the cooling property in the center part of a wafer can be reduced, As a result, the effect that the nonuniformity of the temperature in the center part area | region and edge part area | region of a wafer can be suppressed was suggested. Further, in Examples 1 and 2, unlike Comparative Example 1, it was confirmed that the average temperature of the wafer was different for each He pressure. Thereby, according to the mounting table of Example 1 and 2, it was suggested that the controllability with respect to the temperature of the wafer by He can be expanded.

（接触面積率低減による温度特異点に対する効果）
実施例３〜５では、リフターピン用孔とヘリウム穴とを有する載置台において、載置面の中央部領域における接触面積率を従来よりも低減させた載置台を用いて、プラズマ処理を行った。比較例２では、当該接触面積率を従来のままとした載置台を用いて、プラズマ処理を行った。そして、ウェハの方位に対応するエッチングレートを測定した。被エッチング材はポリシリコンとした。Ｈｅ圧は４０Ｔｏｒｒ、２０Ｔｏｒｒ及び１０Ｔｏｒｒ（５．３３×１０３Ｐａ、２．６７×１０３Ｐａ及び１．３３×１０３Ｐａ）とした。その他の処理条件は、以下に示す。 (Effect on temperature singularity due to contact area ratio reduction)
In Examples 3 to 5, in the mounting table having the lifter pin hole and the helium hole, the plasma treatment was performed using the mounting table in which the contact area ratio in the central region of the mounting surface was reduced as compared with the conventional example. . In Comparative Example 2, plasma treatment was performed using a mounting table in which the contact area ratio was kept as before. Then, the etching rate corresponding to the orientation of the wafer was measured. The material to be etched was polysilicon. The He pressure was 40 Torr, 20 Torr and 10 Torr (5.33 × 10 3 Pa, 2.67 × 10 3 Pa and 1.33 × 10 3 Pa). Other processing conditions are shown below.

（処理条件４）
処理空間Ｓの圧力：２０ｍＴｏｒｒ（２．６７Ｐａ）
プラズマ生成用電力：８３００Ｗ
処理ガスの流量：５００ｓｃｃｍ(処理ガスの主成分はＡｒ)
処理時間：３００秒 (Processing condition 4)
Pressure in the processing space S: 20 mTorr (2.67 Pa)
Power for plasma generation: 8300W
Process gas flow rate: 500 sccm (the main component of the process gas is Ar)
Processing time: 300 seconds

上記の処理条件４によりプラズマ処理を行い、エッチングレートを測定した比較例２及び実施例３〜５の実験結果を図２３〜図２６に示す。図２３〜図２６は、それぞれ比較例２及び実施例３〜５で測定されたウェハの方位とエッチングレートとの関係をＨｅ圧毎に示すグラフである。その横軸はウェハの方位、縦軸はエッチングレートである。図２３は、比較例２で測定されたものであり、載置面の中央部領域（０〜１３０ｍｍ）における単位面積当たりの接触面積率が１７％の載置台を用いた結果である。図２４は、実施例３で測定されたものであり、載置面の中央部領域（０〜１３０ｍｍ）における単位面積当たりの接触面積率を３％とした載置台を用いた結果である。図２５は、実施例４で測定されたものであり、載置面の中央部領域（０〜１４０ｍｍ）における単位面積当たりの接触面積率を０．５２％としたものである。図２６は、実施例５で測定されたものであり、載置面の中央部領域（０〜１３０ｍｍ）における単位面積当たりの接触面積率を０．２％とした載置台を用いた結果である。   FIG. 23 to FIG. 26 show the experimental results of Comparative Example 2 and Examples 3 to 5 in which the plasma treatment was performed under the above treatment condition 4 and the etching rate was measured. 23 to 26 are graphs showing the relationship between the wafer orientation and the etching rate measured in Comparative Example 2 and Examples 3 to 5 for each He pressure. The horizontal axis represents the orientation of the wafer, and the vertical axis represents the etching rate. FIG. 23 was measured in Comparative Example 2 and is the result of using a mounting table having a contact area ratio of 17% per unit area in the central region (0 to 130 mm) of the mounting surface. FIG. 24 was measured in Example 3 and is a result of using a mounting table in which the contact area ratio per unit area in the central region (0 to 130 mm) of the mounting surface is 3%. FIG. 25 is measured in Example 4, and the contact area ratio per unit area in the central region (0 to 140 mm) of the mounting surface is 0.52%. FIG. 26 was measured in Example 5, and is a result of using a mounting table in which the contact area ratio per unit area in the central region (0 to 130 mm) of the mounting surface is 0.2%. .

図２３で示すように、比較例２においては、エッチングレートが安定しておらず、図中の矢印で示す６つの特異点が測定された。これら６つの特異点は、載置面においてリフターピン用孔が位置する方位とちょうど重なった。これは、接触面積率が高い場合、リフターピン用孔の口径よりも凸部同士の間隔の方が小さくなるため、リフターピン用孔の位置と凸部が設けられるべき位置とが重なってしまい、接触できない部分が特異点として現れることを示している。一方、図２４〜２６で示すように、載置面の中央部領域における単位面積当たりの接触面積率が比較例２の１２．３％よりも小さい場合には、特異点が目立たなくなり、エッチングレートが安定することが確認された。   As shown in FIG. 23, in Comparative Example 2, the etching rate was not stable, and six singular points indicated by arrows in the figure were measured. These six singular points overlapped the orientation in which the lifter pin hole is located on the mounting surface. This is because, when the contact area ratio is high, the distance between the convex portions is smaller than the diameter of the lifter pin hole, so that the position of the lifter pin hole and the position where the convex portion should be provided overlap. It shows that the part that cannot be touched appears as a singular point. On the other hand, as shown in FIGS. 24 to 26, when the contact area ratio per unit area in the central region of the mounting surface is smaller than 12.3% of Comparative Example 2, the singularity becomes inconspicuous, and the etching rate Was confirmed to be stable.

また、図２３で示すように、比較例２においては、Ｈｅ圧に依存せず、エッチングレートは同じ傾向を示し、グラフはほぼ重なった。一方、図２４〜２６で示すように、実施例３〜５においては、エッチングレートはＨｅ圧が小さくなるほど大きくなり、グラフは重ならなかった。よって、実施例３〜５では、比較例２とは異なり、Ｈｅ圧毎にエッチングレートが相違することが確認された。これにより、実施例３〜５の載置台によれば、エッチングレートに対する制御性が拡大できることが示唆された。   Further, as shown in FIG. 23, in Comparative Example 2, the etching rate showed the same tendency without depending on the He pressure, and the graphs almost overlapped. On the other hand, as shown in FIGS. 24 to 26, in Examples 3 to 5, the etching rate increased as the He pressure decreased, and the graphs did not overlap. Therefore, in Examples 3 to 5, unlike Comparative Example 2, it was confirmed that the etching rate was different for each He pressure. Thereby, according to the mounting base of Examples 3-5, it was suggested that the controllability with respect to an etching rate can be expanded.

１０…プラズマ処理装置、１８…載置台、１８ａ…ベース部、１８ｂ…静電チャック、１８ｕ１…第１上面、１８ｕ２…第２上面、１８ｓ…側面、１９…載置面、１９ｃ…中央部領域、１９ｅ…端部領域、１９ｄ…凸部、２４…冷媒用の流路、２４ｃ…中央流路、２４ｅ…周縁流路、２５…フィン部、６１…リフターピン、２００…リフターピン用孔、Ｗ…ウェハ（被処理体）、ＦＲ…フォーカスリング、Ｄ１…中央流路の上端と第１上面との間の距離、Ｄ２…周縁流路の上端と第１上面との間の距離、Ｄ３…リフターピン用孔の口径、Ｄ４…複数の凸部が形成される間隔。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Plasma processing apparatus, 18 ... Mounting stand, 18a ... Base part, 18b ... Electrostatic chuck, 18u1 ... 1st upper surface, 18u2 ... 2nd upper surface, 18s ... Side surface, 19 ... Mounting surface, 19c ... Central part area | region, 19e ... end region, 19d ... convex part, 24 ... flow path for refrigerant, 24c ... central flow path, 24e ... peripheral flow path, 25 ... fin part, 61 ... lifter pin, 200 ... lifter pin hole, W ... Wafer (object to be processed), FR ... focus ring, D1 ... distance between upper end of central flow path and first upper surface, D2 ... distance between upper end of peripheral flow path and first upper surface, D3 ... lifter pin Diameter of the hole for use, D4... Interval at which a plurality of convex portions are formed.

Claims (6)

被処理体及びフォーカスリングを載置する載置台であって、
その内部に冷媒用の流路が形成されたベース部と、
前記ベース部の上に設けられており、前記被処理体を載置する載置面を有し、前記被処理体を静電吸着する静電チャックと、
を備え、
前記ベース部は、その上に前記静電チャックが設けられた第１上面、該第１上面よりも外方において該第１上面よりも低い位置に設けられ、その上方に前記フォーカスリングが設けられた環状の第２上面、及び前記第１上面と前記第２上面との間において鉛直方向に延在する側面を有し、
前記流路は、前記第１上面の下方において延在する中央流路、及び、前記第２上面の下方において延在し、且つ、前記第１上面の下方において前記側面に沿って前記第１上面が設けられた方向に延びる部分を含む周縁流路を有し、
前記載置面は、中央部領域及び該中央部領域を取り囲む端部領域を有し、
前記載置面には、前記被処理体の裏面と接触する複数の凸部がドット状に設けられ、
前記複数の凸部は、前記端部領域の前記複数の凸部と前記被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、前記中央部領域の前記複数の凸部と前記被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさよりも大きくなるように形成されている、
載置台。 A mounting table for mounting the object to be processed and the focus ring,
A base part in which a flow path for refrigerant is formed;
An electrostatic chuck which is provided on the base portion and has a mounting surface on which the object to be processed is mounted, and which electrostatically attracts the object to be processed;
With
The base portion is provided at a first upper surface on which the electrostatic chuck is provided, at a position lower than the first upper surface outside the first upper surface, and the focus ring is provided above the first upper surface. An annular second upper surface, and a side surface extending in a vertical direction between the first upper surface and the second upper surface,
The flow path includes a central flow path extending below the first upper surface, a lower flow extending below the second upper surface, and the first upper surface along the side surface below the first upper surface. A peripheral channel including a portion extending in the direction in which
The mounting surface has a central region and an end region surrounding the central region,
The placement surface is provided with a plurality of convex portions in contact with the back surface of the object to be processed in a dot shape,
The plurality of convex portions has a size per unit area of an area where the plurality of convex portions in the end region and the back surface of the object to be processed are in contact with the plurality of convex portions in the central region. It is formed to be larger than the size per unit area of the area in contact with the back surface of the object to be processed.
Mounting table. 前記複数の凸部のそれぞれは、同一形状且つ同じ大きさを呈し、
前記端部領域の前記複数の凸部の単位面積当たりの数が、前記中央部領域の前記複数の凸部の単位面積当たりの数よりも多い、請求項１に記載の載置台。 Each of the plurality of convex portions has the same shape and the same size,
The mounting table according to claim 1, wherein the number of the plurality of convex portions per unit area of the end region is larger than the number per unit area of the plurality of convex portions of the central region. 前記周縁流路の上端には、前記側面に沿って該周縁流路の上端から下端に向けて延びるフィン部が形成されている、請求項１又は２に記載の載置台。   The mounting table according to claim 1, wherein a fin portion extending from an upper end to a lower end of the peripheral flow path is formed along the side surface at the upper end of the peripheral flow path. 前記周縁流路の上端と前記第１上面との間の距離は、前記中央流路の上端と前記第１上面との間の距離よりも小さい、請求項１〜３の何れか一項に記載の載置台。   4. The distance between the upper end of the peripheral flow path and the first upper surface is smaller than the distance between the upper end of the central flow path and the first upper surface. 5. Mounting table. 前記載置面には、前記被処理体を支持するためのリフターピンを通過させるリフターピン用孔が形成され、
前記複数の凸部が形成される間隔が前記リフターピン用孔の口径よりも広い、請求項１〜４の何れか一項に記載の載置台。 The mounting surface is formed with a lifter pin hole through which a lifter pin for supporting the object to be processed passes.
The mounting table according to any one of claims 1 to 4, wherein an interval at which the plurality of convex portions are formed is wider than a diameter of the lifter pin hole. 被処理体及びフォーカスリングを載置する載置台を備えるプラズマ処理装置であって、
前記載置台は、その内部に冷媒用の流路が形成されたベース部と、
前記ベース部の上に設けられており、前記被処理体を載置する載置面を含み、前記被処理体を静電吸着する静電チャックと、
を有し、
前記ベース部は、その上に前記静電チャックが設けられた第１上面、該第１上面よりも外方において該第１上面よりも低い位置に設けられ、その上方に前記フォーカスリングが設けられた環状の第２上面、及び前記第１上面と前記第２上面との間において鉛直方向に延在する側面を含み、
前記流路は、前記第１上面の下方において延在する中央流路、及び、前記第２上面の下方において延在し、且つ、前記第１上面の下方において前記側面に沿って前記第１上面が設けられた方向に延びる部分を含む周縁流路を含み、
前記載置面は、中央部領域及び該中央部領域を取り囲む端部領域を含み、
前記載置面には、前記被処理体の裏面と接触する複数の凸部がドット状に設けられ、
前記複数の凸部は、前記端部領域の前記複数の凸部と前記被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさが、前記中央部領域の前記複数の凸部と前記被処理体の裏面とが接触する面積の単位面積当たりの大きさよりも大きくなるように形成されている、
プラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus including a mounting table on which a target object and a focus ring are mounted,
The mounting table includes a base portion in which a flow path for refrigerant is formed;
An electrostatic chuck which is provided on the base portion and includes a mounting surface on which the object to be processed is mounted, and which electrostatically attracts the object to be processed;
Have
The base portion is provided at a first upper surface on which the electrostatic chuck is provided, at a position lower than the first upper surface outside the first upper surface, and the focus ring is provided above the first upper surface. An annular second upper surface, and a side surface extending in a vertical direction between the first upper surface and the second upper surface,
The flow path includes a central flow path extending below the first upper surface, a lower flow extending below the second upper surface, and the first upper surface along the side surface below the first upper surface. A peripheral flow path including a portion extending in the direction in which
The mounting surface includes a central region and an end region surrounding the central region,
The placement surface is provided with a plurality of convex portions in contact with the back surface of the object to be processed in a dot shape,
The plurality of convex portions has a size per unit area of an area where the plurality of convex portions in the end region and the back surface of the object to be processed are in contact with the plurality of convex portions in the central region. It is formed to be larger than the size per unit area of the area in contact with the back surface of the object to be processed.
Plasma processing equipment.
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