JP2014186136A

JP2014186136A - 鏡面を有する半導体装置

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Publication number: JP2014186136A
Application number: JP2013060323A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Takahata; 利彦高畑; Hiroyuki Wado; 弘幸和戸; Hiroshi Ando; 浩安藤
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2013-03-22
Filing date: 2013-03-22
Publication date: 2014-10-02

Abstract

【課題】光を鏡面により反射する半導体装置において、迷光が生じにくくなるようにし、かつ、蓋の形状の寸法精度を高くする。
【解決手段】上方において開口する凹部５を収容部としたケース２と、凹部５内に搭載されているＭＥＭＳミラー３と、凹部５を封止する蓋４と、を備える。蓋４は、ガラス等よりなる基材１２と、基材１２の裏面に形成された透光性を有する樹脂よりなる下層１４と、を有し、ＭＥＭＳミラー３は、鏡面部６と軸７とを有する。下層１４は、基材１２に対して鏡面部６の傾斜方向とは逆方向に傾斜する傾斜面部１６を有する。このため、下層１４のうちのＭＥＭＳミラー３側の面において反射した光が、鏡面部６に当たりにくくなり、迷光が生じにくくなる。さらに、蓋４が一体成形により製造できるものであるため、蓋４の形状の寸法精度を高くできる。
【選択図】図１

Description

本発明は、光を鏡面により反射する半導体装置に関する。

従来、光を鏡面により反射する半導体装置として、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device：デジタル・マイクロミラー・デバイス）（登録商標）等のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems：微小電気機械システム）ミラー（鏡）を搭載する装置がある。ＤＭＤを搭載する半導体装置として、例えば図７に示すものがある。この装置Ｊ１は、図７に示すように、ケースＪ２の凹部Ｊ３内にＭＥＭＳミラーＪ４が備えられており、凹部Ｊ３は蓋Ｊ５により封止された構成とされている。

ＭＥＭＳミラーＪ４は、光を反射するためのマイクロミラー（鏡面部）Ｊ６が半導体基板に設けられたＭＥＭＳ構造の装置である。鏡面部Ｊ６は、外部の光源から光透過部Ｊ７を通過して凹部Ｊ３内に入射した光を所望の方向へ反射するために、所定の角度で傾斜している。蓋Ｊ５のうち、光透過部Ｊ７はガラスよりなり、光透過部Ｊ７の周囲に構成された周囲部Ｊ８は金属よりなる。光透過部Ｊ７および周囲部Ｊ８はそれぞれ、平板状に形成されており、平板状である周囲部Ｊ８のうちのＭＥＭＳミラーＪ４側の面において接合材を介してケースＪ２に接合されている。

この装置Ｊ１は、例えば、プロジェクタなどに用いられる。この場合、外部の光源から鏡面部Ｊ６に光を当てることにより、鏡面部Ｊ６で反射した光が光透過部Ｊ７を通して外部にあるプロジェクタのスクリーンなどに投影される。

ここで、この装置Ｊ１においては、光透過部Ｊ７から入射したのち鏡面部Ｊ６に反射して光透過部Ｊ７に至った光のうち、光透過部Ｊ７にて反射した光が、再び鏡面部Ｊ６に当たってしまうという問題が生じる（以下、迷光という）。迷光が生じると、投影する画像がぼやけてしまうなどの不具合が生じるため、好ましくない。

迷光を防止する技術については、特許文献１にて開示されている意図的に角度を持たせてガラス板を配置することにより回折格子における迷光を防止する装置や、図８に示す装置が提案されている。図８に示す装置Ｊ１は、上述した従来の装置（図７）と基本的な構成は同様であるが、蓋Ｊ５の周囲部Ｊ８が屈折した形状とされており、光透過部Ｊ７がＭＥＭＳミラーＪ４を構成する半導体基板に対して鏡面部Ｊ６の傾斜方向とは逆方向に傾斜する構成とされている。光透過部Ｊ７と周囲部Ｊ８とはいわゆるかしめ構造により互いに接合されている。

このため、図８に示す装置Ｊ１では、光透過部Ｊ７のうちのＭＥＭＳミラーＪ４側の面において反射した光は、従来の装置Ｊ１（図７）に比べて、鏡面部Ｊ６から離れる方向へ進行する。よって、光透過部Ｊ７に至った光のうちケースＪ２内へ反射した光が、上述した従来の装置Ｊ１（図７）に比べて、鏡面部Ｊ６に当たりにくくなり、迷光が生じにくくなる。

特開平１０−３０７２０３号公報

上述した従来の装置Ｊ１（図８）では、光透過部Ｊ７と周囲部Ｊ８とがかしめ構造という複雑な構造により互いに接合されている。このため、蓋Ｊ５の製造が困難であり、蓋Ｊ５の形状の寸法精度を確保し難く、例えば光透過部Ｊ７の傾斜角度が当初目的とした角度に対してズレてしまうなどの不具合を生じることがある。光透過部Ｊ７の傾斜角度が当初目的とした角度に対してズレてしまうと、光の進行方向が目的の方向からズレてしまい、迷光を防げなくなるなどの問題が生じるため、好ましくない。

また、従来の装置Ｊ１（図８）の蓋Ｊ５の製造においては、光透過部Ｊ７と周囲部Ｊ８とをそれぞれ別個に成形したのちにこれらＪ７、Ｊ８を接合することとなる。この接合工程において光透過部Ｊ７と周囲部Ｊ８との接合位置にズレが生じる場合があり、これによっても光透過部Ｊ７の傾斜角度が当初目的とした角度に対してズレてしまうなどの不具合を生じることがある。

本発明は上記点に鑑みて、光を鏡面により反射する半導体装置において、迷光が生じにくくなるようにし、かつ、蓋の形状の寸法精度を高くすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１〜３に記載の発明では、半導体装置において、一面が開口させられることで収容部が形成されたケース（２）と、半導体基板に設けられた鏡面部（６）と鏡面部を支持する軸（７）とを有する構成とされ、鏡面部が軸を回転軸として回転させられることで半導体基板のうちの鏡面部の周囲に対して傾斜させられた構成とされ、ケースの収容部に搭載された鏡（３）と、ケースの開口部の入口側の先端面（１１）においてケースに接合されることにより、鏡面部をケースの収容部に封入しつつケースの収容部を封止する蓋（４）と、を備える半導体装置であって、蓋は、透光性を有する平板よりなる基材（１２）と、基材のうちの鏡側の面に形成された透光性を有する樹脂よりなる下層（１４）と、を有し、基材は、半導体基板のうちの鏡面部の周囲の部分に対して平行とされており、下層は、下層のうちの鏡面部の鏡面に対して対向する部分において、基材に対して鏡面部の傾斜方向とは逆方向に傾斜する傾斜面部（１６）を有することを特徴とする。

このように、下層が所定の角度で傾斜する傾斜面部を有し、傾斜面部が基材に対して鏡面部の傾斜方向とは逆方向に傾斜する構成とされている。このため、下層のうちの鏡側の面において反射した光は、従来の装置（図７）に比べて、鏡面部から離れる方向へ進行する。よって、上記構成の半導体装置によれば、従来の装置に比べて、下層のうちの鏡面部側の面において反射した光が鏡面部に当たりにくくなり、迷光が生じにくくなる。

さらに、蓋が一体成形により製造されるものであるため、蓋の形状の寸法精度を高くできる。このため、例えば従来の装置（図８）のように光透過部Ｊ７の傾斜角度が当初目的とした角度に対してズレてしまうことが少なく、光の進行方向が目的の方向からズレてしまうなどの問題が生じることが少ない。

さらに、蓋が一体成形により製造されるものであるため、従来のように構成部材Ｊ７、Ｊ８を別個に形成したのちこれらを接合することにより蓋を製造した装置（図８）に比べて、蓋の形状の寸法精度を高くできる。このため、例えば光透過部の傾斜角度が当初目的とした角度に対してズレてしまうことが少なく、光の進行方向が目的の方向からズレてしまうなどの問題が生じることが少ない。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の断面構成を示す図である。本発明にかかる半導体装置のＭＥＭＳミラーの構成の一例を示す斜視図である。本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の断面構成を示す図である。本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の断面構成を示す図である。本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の断面構成を示す図である。本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の製造における接合のイメージを示す図である。従来の半導体装置の断面構成を示す図である。従来の半導体装置の断面構成を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置について図１を参照して述べる。本実施形態における半導体装置１は、図１に示すように、ケース２、ＭＥＭＳミラー３、蓋４を有する。この半導体装置１は、例えば自動車のヘッドアップディスプレイにおけるプロジェクタなどに用いられる。

ケース２は、図１に示すように、上方において開口する凹部５を収容部とした箱形の形状とされており、凹部５内においてＭＥＭＳミラー３を搭載している。

ケース２は、アルミナやシリカ等のセラミックよりなり、多層基板にて構成されている。多層基板を構成する各層は、図１に示すように、それぞれの開口幅が異なる構成とされており、各層には、層の内部に配線された内層配線（図示しない）や、ケース２の凹部５の表層に露出する表層配線（図示しない）が設けられている。内層配線や表層配線は、銅、タングステン、モリブデン等の導電体金属等よりなる。

ＭＥＭＳミラー３は、光を反射するためのマイクロミラー（鏡面部）が設けられたＭＥＭＳ構造の装置である。ＭＥＭＳミラー３として、周知のＤＭＤや、ＭＥＭＳ共振ミラー等の装置が採用される。本実施形態では、その一例としてＤＭＤを採用している。

本実施形態では、一例として、ＭＥＭＳミラー３を、図２に示すように、鏡面部６、軸７、複数の電極８を有する構成とし、シリコンウェハなどよりなる半導体基板に設けられた鏡面部６が軸７により支持された構成としている。

軸７は、図１の紙面の法線方向に伸びる棒状のものであり、鏡面部６を回転可能に支持する。２本の軸７が互いに鏡面部６を挟んで対向するように鏡面部６に接続されており、本実施形態における半導体装置１では、軸７を回転軸として鏡面部６の傾斜角度が変わる構成とされている。

鏡面部６は、外部の光源から蓋４を通過して凹部５内に入射した光を所望の方向へ反射するために、ＭＥＭＳミラー３を構成する半導体基板のうちの鏡面部６の周囲の部分に対して所定の角度で傾斜する。より具体的には、鏡面部６は、軸７を回転軸として、図１の紙面の法線方向から見て、ＭＥＭＳミラー３を構成する半導体基板のうちの鏡面部６の周囲の部分における蓋４側の面に対して時計回りの方向に所定の角度で傾斜している。鏡面部６に反射した光は、蓋４を通して外部にあるプロジェクタのスクリーンなどに投影される。

半導体基板の表層に複数の電極８が設けられており、これらの電極８に金やアルミ等のワイヤボンディングよりなるワイヤ９が接続されることにより、ＭＥＭＳミラー３とケース２の表層配線および内層配線とが電気的に接続されている。こうして、ＭＥＭＳミラー３は、上記のケース２の表層配線および内層配線とともに電気回路を構成し、図１とは別断面において外部と電気的に接続されている。この電極８を通じて駆動電圧が印加されることにより、鏡面部６を傾斜させられるようになっている。

ＭＥＭＳミラー３は、図１に示すように、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等の接着剤１０を介して凹部５内にてケース２に接着され固定されている。

蓋４は、ケース２の開口部の入口側の先端面１１に接合されることにより、ＭＥＭＳミラー３を凹部５の内部に封入しつつ凹部５を封止する。蓋４は、図１に示すように、基材１２、上層１３および下層１４が一体成形されることにより構成される。

このように、本実施形態では、蓋４が一体成形により製造されるものであるため、従来のように構成部材Ｊ７、Ｊ８を別個に形成したのちこれらＪ７、Ｊ８を接合することにより蓋Ｊ５を製造した装置Ｊ１（図８）に比べて、蓋４の形状の寸法精度を高くできる。このため、例えば光透過部Ｊ７の傾斜角度が当初目的とした角度に対してズレてしまうことが少なく、光の進行方向が目的の方向からズレてしまうなどの問題が生じることが少ない。

基材１２は、透光性を有するガラス等よりなる平板である。上層１３は、基材１２の表面に形成され、下層１４は基材１２の裏面に形成されており、上層１３および下層１４はともに透光性の樹脂よりなる。

基材１２は、図１の紙面の法線方向から見て、ＭＥＭＳミラー３を構成する半導体基板のうちの鏡面部６の周囲の部分に対して平行とされている。より具体的には、基材１２は、ＭＥＭＳミラー３を構成する半導体基板のうちの鏡面部６の周囲の部分における蓋４側の面に対して平行とされている。

基材１２、上層１３および下層１４を、下層１４と基材１２の境界面、基材１２と上層１３との境界面における光の反射を少なくするために、屈折率が近似する構成とすることが好ましい。

上層１３および下層１４はそれぞれ、図１に示すように、所定の角度で傾斜する傾斜面部１５、１６を有し、傾斜面部１５、１６の周囲において平面を有する構成とされている。より具体的には、上層１３は、図１の紙面の法線方向から見て、薄膜状である平面部１７の上に三角形状である傾斜面部１５を組み合わせた形状とされている。傾斜面部１５は、基材１２に対して鏡面部６の傾斜方向とは逆方向に傾斜する構成とされている。また、傾斜面部１５の横方向の長さは平面部１７の横方向の長さよりも短く、傾斜面部１５が平面部１７の左右両端から所定の距離を離された構成とされている。すなわち、上層１３の外縁部において、平面部１７の上側の面が露出するように平面部１７が残っている構成とされている。下層１４は、図１の紙面の法線方向から見て、薄膜状である平面部１８の下に三角形状である傾斜面部１６を組み合わせた形状とされている。傾斜面部１６は、基材１２に対して鏡面部６の傾斜方向とは逆方向に傾斜する構成とされている。つまり、薄膜状である平面部１８の下に三角形状である傾斜面部１６を組み合わせた形状とされている。さらに、上層１３の場合と同様、傾斜面部１６の横方向の長さは平面部１８の横方向の長さよりも短く、傾斜面部１６が平面部１８の左右両端から所定の距離を離された構成とされている。すなわち、下層１４の外縁部１９において、平面部１８の下側の面が露出するように平面部１８が残っている構成とされている。

また、本実施形態では、蓋４は、基材１２、上層１３および下層１４が組み合わされることにより、図１の紙面の法線方向から見て、傾斜面部１５の上側の面と傾斜面部１６の下側の面とが平行となる構成とされている。これにより、蓋４は、ＭＥＭＳミラー３を構成する半導体基板のうちの鏡面部６の周囲の部分における蓋４側の面に対して傾斜する平板を模した形状を有する構成となる。

また、本実施形態では、上層１３と下層１４とが、図１の紙面の法線方向から見て、基材１２の中心を対称点として点対称となる構成とされているため、蓋４を表裏反転させてケース２に接合する構成とすることもできる。

蓋４は、下層１４の外縁部１９においてケース２の先端面１１に設けられた接合材２０と接着されることにより、ケース２と接合されている。接合材２０としては、ここでは樹脂よりなるものを採用している。

上述したように、本実施形態では、上層１３および下層１４がそれぞれ、所定の角度で傾斜する傾斜面部１５、１６を有し、傾斜面部１５、１６は、基材１２に対して鏡面部６の傾斜方向とは逆方向に傾斜する構成とされている。

このため、下層１４のうちのＭＥＭＳミラー３側の面において反射した光は、従来の装置（図７）に比べて、鏡面部６から離れる方向へ進行する。よって、本実施形態にかかる半導体装置１では、下層１４のうちのＭＥＭＳミラー３側の面において反射した光が、従来の装置（図７）に比べて、鏡面部６に当たりにくくなり、迷光が生じにくくなる。

ここで、基材１２、上層１３および下層１４の全てを、ガラスのみもしくは樹脂のみよりなる構成とすることも考えられ、この構成とした場合においても迷光を生じにくいという効果は得られる。しかしながら、ガラスを加工して上記の上層１３や下層１４の形状とすることは困難であるため、ガラスのみよりなる蓋４を構成するとした場合には、蓋４の製造コストが高くなってしまうとともに、蓋４の寸法精度を確保し難い。また、樹脂は気密性が十分でないため、樹脂のみよりなる蓋４を構成するとした場合には、凹部５内の気密性を確保し難い。これらに対して、本実施形態では、ガラスのみよりなる場合に比べて、蓋４の製造コストを低くできるとともに、蓋４の形状の寸法精度を高くでき、また、樹脂のみよりなる場合に比べて、凹部５内の気密性を高くできる。

なお、本実施形態では、透光性を有する樹脂よりなる上層１３および下層１４についてアニール処理をしており、ケース２の凹部５内への水分発生が抑制されるようにしてある。

以上説明したように、本実施形態では、上層１３および下層１４がそれぞれ、所定の角度で傾斜する傾斜面部１５、１６を有し、傾斜面部１５、１６が基材１２に対して鏡面部６の傾斜方向とは逆方向に傾斜する構成とされている。

このため、下層１４のうちのＭＥＭＳミラー３側の面において反射した光は、従来の装置Ｊ１（図７）に比べて、鏡面部６から離れる方向へ進行する。よって、本実施形態にかかる半導体装置１では、下層１４のうちのＭＥＭＳミラー３側の面において反射した光が、従来の装置Ｊ１に比べて、鏡面部６に当たりにくくなり、迷光が生じにくくなる。

さらに、本実施形態では、蓋４が一体成形により製造されるものであるため、蓋４の形状の寸法精度を高くできる。このため、例えば光透過部Ｊ７の傾斜角度が当初目的とした角度に対してズレてしまうことが少なく、光の進行方向が目的の方向からズレてしまうなどの問題が生じることが少ない。

さらに、本実施形態では、蓋４が一体成形により製造されるものであるため、従来のように構成部材Ｊ７、Ｊ８を別個に形成したのちこれらＪ７、Ｊ８を接合することにより蓋Ｊ５を製造した装置Ｊ１（図８）に比べて、蓋４の形状の寸法精度を高くできる。このため、例えば光透過部Ｊ７の傾斜角度が当初目的とした角度に対してズレてしまうことが少なく、光の進行方向が目的の方向からズレてしまうなどの問題が生じることが少ない。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、図３に示すように、第１実施形態に対して、下層１４の外縁部１９において金属配線２１を設け、接合材２０を金属よりなるものに変更したものである。その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、下層１４と接合材２０との間に金属配線２１を設ける構成とされており、金属配線２１と接合材２０とが共晶結合により接合されることにより、蓋４がケース２と接合されている。金属配線２１は、金属薄膜をパターニングするなど公知の方法により形成される。

よって、本実施形態では、金属配線２１と金属よりなる接合材２０との共晶結合により凹部５内を封止するため、第１実施形態に比べて、ケース２の凹部５内の気密性を高くできる。このように、下層１４に封止用の金属配線２１を設けておいて、接合材２０に接着させて凹部５内を封止する構成としてもよい。

なお、本実施形態にかかる蓋４は、基材１２、上層１３および下層１４を一体成形したのち、この下層１４の外縁部１９において金属配線２１を形成することにより製造することができる。蓋４を製造したのち、金属配線２１と金属よりなる接合材２０とを共晶結合させることで蓋４をケース２に接合することにより本実施形態にかかる半導体装置１を製造することができる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、図４に示すように、第１実施形態に対して、下層１４の外縁部１９が切り欠かれた構成とし、蓋４の基材１２をガラスにて構成すると共に、接合材２０を低融点ガラス等により構成されたガラス性接着剤に変更したものである。すなわち、本実施形態では、下層１４の外側において基材１２が露出する構成とされている。その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図４に示すように、基材１２のうちの上記の露出した部分にガラスよりなる接合材２０が接着させられることにより、蓋４がケース２と接合されている。すなわち、ガラスよりなる基材１２とガラスよりなる接合材２０とによりケース２の凹部５内を封止している。このようにしても、第１実施形態に比べて、ケース２の凹部５内の気密性を高くできる。

本実施形態において、第１、２実施形態のように、接合材２０を樹脂よりなるものとしたり、下層１４の外側において金属配線２１を設け、接合材２０を金属よりなるものとすることもできるが、特に本実施形態が好ましい。すなわち、本実施形態では、ガラス同士１２、２０が接合されていることにより、これら１２、２０が強固に接合されているため、接合材２０を樹脂よりなるものとした場合よりも凹部５内の気密性を高くできる。また、本実施形態では、金属配線２１を設けずに凹部５内の気密性を高くできる。

なお、本実施形態にかかる蓋４は、基材１２、上層１３および下層１４を一体成形したのち、この下層１４の外縁部１９において樹脂を除去することで切り欠くことにより製造することができる。蓋４を製造したのち、下層１４の外側において低融点ガラス性接着剤などの接合材２０を介して蓋４とケース２とを接合することにより本実施形態にかかる半導体装置１を製造することができる。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対して、ケース２を下段ケース部２２と上段ケース部２３とによって構成し、ＭＥＭＳミラー３を下段ケース部２２と上段ケース部２３とによって挟み込む構成に変更したものである。その他については第３実施形態と同様であるため、第３実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

本実施形態における半導体装置１は、図５に示すように、下段ケース部２２、ＭＥＭＳミラー３、上段ケース部２３、蓋４を有する。

下段ケース部２２は、アルミナやシリカ等のセラミックもしくはシリコンよりなり、図５に示すように、上方において開口する箱形の形状とされている。

ＭＥＭＳミラー３は、下段ケース部２２の開口部の入口側の先端面に接合されることにより、下段ケース部２２に搭載される構成とされている。

上段ケース部２３は、アルミナやシリカ等のセラミックもしくはシリコンよりなり、四角形の枠体形状とされている。上段ケース部２３は、ＭＥＭＳミラー３を構成する半導体基板の上面に接合されることにより、ＭＥＭＳミラー３に搭載される構成とされている。

下段ケース部２２および上段ケース部２３には、第３実施形態におけるケース２と同様、内層配線（図示しない）や、表層配線（図示しない）が設けられている。

上段ケース部２３は、図５に示すように、ＭＥＭＳミラー３のうちの外縁部の一部が外部に露出するようにしてＭＥＭＳミラー３の上面に搭載されており、この外部に露出した部分の表面において複数の電極８が配置されている。これらの電極８に金やアルミ等のワイヤボンディングよりなるワイヤ９が接続されることにより、ＭＥＭＳミラー３は外部と電気的に接続されている。

本実施形態における半導体装置１では、図６に示すように、下段ケース部２２、多数のＭＥＭＳミラー３が作り込まれたウェハ、蓋４、および上段ケース部２３を接合して一体にしたのち、これをダイシングカットして個々のチップに分割することで製造できる。よって、本実施形態における半導体装置１では、一度の分割工程で済むとともに、分割時において、チップの表面をキャップなどで覆わなくても切屑などがチップの表面に付着することが無い。なお、図６は、複数の部材３、４、２２、２３を接合して一体とすることを表すためのイメージ図にすぎないため、図６では、便宜上、各部材の形状や構造等を簡略して記載している。
（他の実施形態）
第１実施形態もしくは第２実施形態において、第４実施形態のように、ケース２を下段ケース部２２と上段ケース部２３とによって構成し、ＭＥＭＳミラー３を下段ケース部２２と上段ケース部２３とによって挟み込む構成としてもよい。

１半導体装置
２ケース
３ＭＥＭＳミラー
４蓋
５凹部
６鏡面部
７軸
１５、１６傾斜面部
２２下段ケース部
２３上段ケース部

Claims

一面が開口させられることで収容部が形成されたケース（２）と、
半導体基板に設けられた鏡面部（６）と前記鏡面部を支持する軸（７）とを有する構成とされ、前記鏡面部が前記軸を回転軸として回転させられることで前記半導体基板のうちの前記鏡面部の周囲の部分に対して傾斜させられた構成とされ、前記ケースの収容部に搭載された鏡（３）と、
前記ケースの開口部の入口側の先端面（１１）において前記ケースに接合されることにより、前記鏡面部を前記ケースの収容部に封入しつつ前記ケースの収容部を封止する蓋（４）と、を備える半導体装置であって、
前記蓋は、透光性を有する平板よりなる基材（１２）と、前記基材のうちの前記鏡側の面に形成された透光性を有する樹脂よりなる下層（１４）と、を有し、
前記基材は、前記半導体基板のうちの前記鏡面部の周囲の部分に対して平行とされており、
前記下層は、前記下層のうちの前記鏡面部の鏡面に対して対向する部分において、前記基材に対して前記鏡面部の傾斜方向とは逆方向に傾斜する傾斜面部（１６）を有することを特徴とする半導体装置。
ガラスにて構成された前記基材と、
前記ケースの開口部の入口側の先端面に設けられたガラス性接着剤よりなる接合材（２０）と、を有し、
前記下層の外縁部（１９）が切り欠かれた構成とされ、
前記基材のうちの前記鏡側の面かつ前記下層の外側において、前記基材と前記先端面とが前記接合材を介して接合されることにより、前記蓋が前記ケースに接合されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記下層の外縁部（１９）に設けられた金属配線（２１）と、
前記ケースの開口部の入口側の先端面に設けられた金属よりなる接合材（２０）と、を有し、
前記金属配線と前記接合材とが共晶結合により接合されることにより、前記蓋が前記接合材を介して前記ケースに接合されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。