JP2014175592A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板SSと、支持基板側からp型GaN層4、活性層3、n型GaN層2を含む半導体積層と、半導体積層の一部領域において、p型層側から掘り込んで形成され、底面にn型層を露出する凹部Rと、p型層表面上に形成されたp型半導体層側高強度接続金属層5と、凹部底面のn型層表面上に形成されたn型半導体層側高強度接続金属層6と、p型半導体層側高強度接続金属層と支持基板の間に形成された基板側高強度接続金属層7と、n型半導体層側高強度接続金属層と対向する位置で支持基板上に形成された形状可変金属層8と、形状可変金属層の側壁を囲む基板側高強度接続金属層9と、形状可変金属層の上面と、基板側高強度接続金属層9と、n型半導体層側高強度接続金属層、との間にボイドVを画定する。
【選択図】図1
Description
支持基板と、
前記支持基板上方に配置され、前記支持基板側から第1導電型の第1半導体層、発光機能を有する活性層、前記第1導電型と逆の第2導電型の第2半導体層を含む半導体積層と、
前記半導体積層の一部領域において、前記第1半導体層側から掘り込んで形成され、底面に前記第2半導体層を露出する凹部と、
前記第1半導体層表面上に形成された、半導体側第1接続金属層と、
前記凹部底面の第2半導体層表面上に形成された、半導体側第2接続金属層と、
前記半導体側第1接続金属層と前記支持基板の間に形成された、基板側第1接続金属層と、
前記半導体側第2接続金属層と対向する位置で、前記支持基板上に形成された形状可変金属層と、
前記形状可変金属層の側壁を囲み、前記形状可変金属層の上面と前記半導体側第2接続金属層の間に延在し、前記半導体側第2接続金属層と前記形状可変金属層との間にボイドを画定する、基板側第2接続金属層と、
を含む半導体発光装置
が提供される。
HM 接続金属層(高融点金属層)、LM 形状可変金属層(低融点金属層)、
SS 支持基板、 V ボイド、V1,V2 ボイド、
R 凹部、 2 n型半導体層、
3 活性層、 4 p型半導体層、
5 半導体側第1接続金属層(高融点金属層)、
6 半導体側第2接続金属層(高融点金属層)、
7 基板側第1接続金属層(高融点金属層)、
8 形状可変金属層(低融点金属層)、
9 基板側接続金属層(高融点金属層)、
10 成長基板、 20 半導体積層、
21 n型半導体層、 22 活性層、
23 p型半導体層、 30 p側電極、
31 p型半導体側接続金属層、 32 p側接続金属層、
35 p側電極パッド、 40 n側電極、
41 n型半導体側接続金属層、 42 n側接続金属層、
43 低融点金属層、 45 n側電極パッド、
50 支持基板、
Claims (11)
- 支持基板と、
前記支持基板上方に配置され、前記支持基板側から第1導電型の第1半導体層、発光機能を有する活性層、前記第1導電型と逆の第2導電型の第2半導体層を含む半導体積層と、
前記半導体積層の一部領域において、前記第1半導体層側から掘り込んで形成され、底面に前記第2半導体層を露出する凹部と、
前記第1半導体層表面上に形成された、半導体側第1接続金属層と、
前記凹部底面の第2半導体層表面上に形成された、半導体側第2接続金属層と、
前記半導体側第1接続金属層と前記支持基板の間に形成された、基板側第1接続金属層と、
前記半導体側第2接続金属層と対向する位置で、前記支持基板上に形成された形状可変金属層と、
前記形状可変金属層の側壁を囲み、前記形状可変金属層の上面と前記半導体側第2接続金属層の間に延在し、前記半導体側第2接続金属層と前記形状可変金属層との間にボイドを画定する、基板側第2接続金属層と、
を含む半導体発光装置。 - 前記半導体側第2接続金属層は、前記形状可変金属層の面内形状に含まれる面内形状を有する請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記形状可変金属層は、低融点金属を含み、
前記半導体側第2接続金属層と前記基板側第2接続金属層は、前記低融点金属の融点より高い融点を有する高融点金属を含む、請求項1又は2に記載の半導体発光装置。 - 前記低融点金属と前記高融点金属の少なくとも一部が接触し、該接触面で前記低融点金属と前記高融点金属を含む共晶が形成されている請求項3に記載の半導体発光装置。
- 前記低融点金属は、In,Sn,またはこれらの少なくとも1つを含む合金を含み、
前記高融点金属は、Au,Pt,これらの合金のいずれかを含む、請求項3又は4に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体側第1接続金属層、前記基板側第1接続金属層の少なくとも一方が、低融点金属を含む、請求項3〜5のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記半導体積層が、複数の島状領域を含み、前記凹部は各島状領域に形成されている請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体発光装置と、
前記半導体発光装置の発光を照射する光学系と、
を有する車輌用灯具。 - (a)成長基板上に、第2導電型を有する第2半導体層、発光機能を有する活性層、及び前記第2導電型と逆の第1導電型を有する第1半導体層を含む半導体積層を成長する工程と、
(b)前記半導体積層を前記第1半導体層側からエッチングして、底面に前記第2半導体層を露出する凹部を形成する工程と、
(c)前記第1半導体層上に、半導体側第1接続金属層を形成する工程と、
(d)前記凹部に露出した第2半導体層上に、半導体側第2接続金属層を形成する工程と、
(e)支持基板上に、前記半導体側第1接続金属層に対応する基板側第1接続金属層を形成する工程と、
(f)前記支持基板上に、前記半導体側第2接続金属層に対応する形状可変金属層を形成する工程と、
(g)前記支持基板上において、前記形状可変金属層の側壁を囲み、前記形状可変金属層の上面に延在し、前記形状可変金属層の上面の一部を残す基板側第2接続金属層を形成する工程と、
(h)前記支持基板を裏返して前記半導体積層上方に搬送し、前記半導体側第1接続金属層上に前記基板側第1接続金属層、前記半導体側第2接続金属層上に基板側第2接続金属層を位置決めする工程と、
(i)前記支持基板と前記成長基板間に圧力を印加し、加熱して、前記形状可変金属層の形状を変化させ、前記基板側第1接続金属層と前記半導体側第1接続金属層、前記基板側第2接続金属層と前記半導体側第2接続金属層を接続する工程と、
を含む半導体発光装置の製造方法。 - 前記工程(i)は、前記形状可変金属層を溶融し、前記基板側第1接続金属層と前記半導体側第1接続金属層および前記基板側第2接続金属層と前記半導体側第2接続金属層は相互に固相拡散させる、請求項9記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記工程(i)の後、前記成長基板を除去する工程、
をさらに含む請求項9または10に記載の半導体発光装置の製造方法。
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