JP2014175509A5 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

Claims (6)

1. 表面にレジストパターンが形成された基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して所定元素を含む第１の原料ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して窒化ガスを供給して排気する工程と、を複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第１の層を０．５ｎｍ〜５ｎｍの膜厚となるよう形成する工程と、
   前記基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して前記所定元素を含む第２の原料ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して酸化ガスを供給して排気する工程と、を複数回行うことで、前記第１の層上に、前記所定元素および酸素を含む第２の層を形成する工程と、
   を行う半導体装置の製造方法。
2. 前記窒化ガスおよび前記酸化ガスは、それぞれプラズマ励起により活性化された状態で前記基板に対して供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第１の原料ガスと前記第２の原料ガスとは、異なるガスである請求項１もしくは請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 表面にレジストパターンが形成された基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して所定元素を含む第１の原料ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して窒化ガスを供給して排気する工程と、を複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第１の層を０．５ｎｍ〜５ｎｍの膜厚となるよう形成する工程と、
   前記基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して前記所定元素を含む第２の原料ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して前記窒化ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して酸化ガスを供給して排気する工程と、を複数回行うことで、前記第１の層上に、前記所定元素、窒素、酸素を含む第２の層を形成する工程と、
   を行う半導体装置の製造方法。
5. 基板を収容する処理室と、
   前記処理室内に所定元素を含む第1の原料ガスを供給する第1の原料ガス供給系と、
   前記処理室内に所定元素を含む第２の原料ガスを供給する第２の原料ガス供給系と、
   前記処理室内に窒化ガスを供給する窒化ガス供給系と、
   前記処理室内に酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
   前記基板を加熱する加熱系と、
   前記処理室を排気する排気系と、
   前記処理室に収容された表面にレジストパターンが形成された基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記処理室内に所定元素を含む第１の原料ガスを供給して排気する処理と、前記処理室内に窒化ガスを供給して排気する処理と、を複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第１の層を０．５ｎｍ〜５ｎｍの膜厚となるよう形成する処理と、前記基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、、前記処理室内に前記所定元素を含む第２の原料ガスを供給して排気する処理と、前記処理室内に酸化ガスを供給して排気する処理と、を複数回行うことで、前記第１の層上に、前記所定元素および酸素を含む第２の層を形成する処理と、を行うように、前記第1の原料ガス供給系、前記第２の原料ガス供給系、前記窒化ガス供給系、前記酸化ガス供給系、加熱系、排気系を制御するよう構成される制御部と、
   を有する基板処理装置。
6. 表面にレジストパターンが形成された基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して所定元素を含む第１の原料ガスを供給して排気する手順と、前記基板に対して窒化ガスを供給して排気する手順と、を複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第１の層を０．５ｎｍ〜５ｎｍの膜厚となるよう形成する手順と、
   前記基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して前記所定元素を含む第２の原料ガスを供給して排気する手順と、前記基板に対して酸化ガスを供給して排気する手順と、を複数回行うことで、前記第１の層上に、前記所定元素および酸素を含む第２の層を形成する手順と、を行う手順をコンピュータに実行させるプログラム。