JP2014172964A - 洗浄剤組成物 - Google Patents
洗浄剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014172964A JP2014172964A JP2013045647A JP2013045647A JP2014172964A JP 2014172964 A JP2014172964 A JP 2014172964A JP 2013045647 A JP2013045647 A JP 2013045647A JP 2013045647 A JP2013045647 A JP 2013045647A JP 2014172964 A JP2014172964 A JP 2014172964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- mass
- cleaning composition
- acid
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000003599 detergent Substances 0.000 title claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 9
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 74
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 5
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 8
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 7
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 5
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PLLBRTOLHQQAQQ-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonan-1-ol Chemical compound CC(C)CCCCCCCO PLLBRTOLHQQAQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 3
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 isodecyl group Chemical group 0.000 description 3
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- XFRVVPUIAFSTFO-UHFFFAOYSA-N 1-Tridecanol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCO XFRVVPUIAFSTFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZHQPBJEOCHCKM-UHFFFAOYSA-N 2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CCC(P(O)(O)=O)(C(O)=O)CC(O)=O SZHQPBJEOCHCKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004440 Isodecyl alcohol Substances 0.000 description 2
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M sodium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- VCVKIIDXVWEWSZ-YFKPBYRVSA-N (2s)-2-[bis(carboxymethyl)amino]pentanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC[C@@H](C(O)=O)N(CC(O)=O)CC(O)=O VCVKIIDXVWEWSZ-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- JIRHAGAOHOYLNO-UHFFFAOYSA-N (3-cyclopentyloxy-4-methoxyphenyl)methanol Chemical compound COC1=CC=C(CO)C=C1OC1CCCC1 JIRHAGAOHOYLNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- SFRLSTJPMFGBDP-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O SFRLSTJPMFGBDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXYOPVWZZKEAGX-UHFFFAOYSA-N 1-phosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(C)P(O)(O)=O MXYOPVWZZKEAGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZXDRXVIRVJQBT-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1C ZZXDRXVIRVJQBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-[2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]ethyl]amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CCN(CC(O)=O)CC(O)=O)CC(O)=O RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIEZZGWIJBXOTE-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(carboxymethyl)amino]propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)N(CC(O)=O)CC(O)=O CIEZZGWIJBXOTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVLHGLWXLDOELD-UHFFFAOYSA-N 4-(Propan-2-yl)benzenesulfonic acid Chemical compound CC(C)C1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 CVLHGLWXLDOELD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000033962 Fontaine progeroid syndrome Diseases 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFVMPHOLEJVJPJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;azane Chemical compound N.N.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O ZFVMPHOLEJVJPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229960000510 ammonia Drugs 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 125000003493 decenyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940073499 decyl glucoside Drugs 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940111685 dibasic potassium phosphate Drugs 0.000 description 1
- 229940061607 dibasic sodium phosphate Drugs 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 125000005066 dodecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- NLEBIOOXCVAHBD-QKMCSOCLSA-N dodecyl beta-D-maltoside Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](OCCCCCCCCCCCC)O[C@H](CO)[C@H]1O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 NLEBIOOXCVAHBD-QKMCSOCLSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- DEFVIWRASFVYLL-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol bis(2-aminoethyl)tetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCOCCOCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DEFVIWRASFVYLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930182478 glucoside Natural products 0.000 description 1
- 150000008131 glucosides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- GTTBQSNGUYHPNK-UHFFFAOYSA-N hydroxymethylphosphonic acid Chemical compound OCP(O)(O)=O GTTBQSNGUYHPNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JVKAWJASTRPFQY-UHFFFAOYSA-N n-(2-aminoethyl)hydroxylamine Chemical compound NCCNO JVKAWJASTRPFQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004010 onium ions Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940086066 potassium hydrogencarbonate Drugs 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940083542 sodium Drugs 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 1
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019794 sodium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 125000005063 tetradecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylenedisulfotetramine Chemical compound C1N(S2(=O)=O)CN3S(=O)(=O)N1CN2C3 AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940062627 tribasic potassium phosphate Drugs 0.000 description 1
- 229940001496 tribasic sodium phosphate Drugs 0.000 description 1
- 125000005040 tridecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- 229940087291 tridecyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005065 undecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
Description
本発明は、主としてシリコンウエハの洗浄に用いられる洗浄剤組成物に関するものである。
太陽電池などの半導体用途に用いられるシリコンウエハは、その表面に残存する不純物を可能な限り低減することが求められている。
例えば、シリコンインゴットをスライスしてシリコンウエハを製造する工程では、切削液(クーラント)、シリコン粉又は砥粒などを含有するスラリーが切削物に付着するため、これを効率的に除去する必要がある。また近年、固定砥粒を用いたワイヤソー方式が実施されるようになり、スライス時に発生する微細な亀裂(ソーマーク)に付着したスラリーの除去が求められている。また、洗浄後のすすぎが容易であることも必要である。
さらに、太陽電池用途のシリコンウエハでは、エネルギー変換効率を向上させるために、シリコンウエハ表面にテクスチャー構造と呼ばれるピラミッド構造がエッチングにより形成され、特に単結晶シリコンウエハにおいては、水酸化ナトリウムなどを含むエッチング液が用いられる。従って、テクスチャー形成工程においては、これらのエッチング液も十分に除去する必要がある。
上記のようなシリコンウエハ製造時の洗浄に用いられる洗浄剤としては、アルカリ剤、界面活性剤、キレート剤などを含むものが開示されている(特許文献1等)。
しかしながら、上記のような従来技術の洗浄剤をシリコンウエハ製造時の洗浄に用いた場合、超音波洗浄等の操作を行わなければ不純物を十分に除去できないという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、シリコンウエハ製造時に付着した不純物をより簡便な洗浄条件下でも除去できる優れた洗浄性を有し、すすぎ性も高い洗浄剤組成物を提供することを目的とする。
ただし、式中R1は、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基を示す。
ただし、式中R2は炭素数10〜14のアルキル基もしくはアルケニル基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nは平均付加モル数であり、1〜40の数である。
本発明の洗浄剤組成物は、上記(a)アルカリ剤100質量部に対し、(b)一般式(1)で示されるアミノ酸を3〜1000質量部、(c)非イオン界面活性剤を5〜1000質量部含有することが好ましい。
洗浄剤組成物中の各成分の含有量は限定されないが、例えば、(a)アルカリ剤を0.05〜30質量%、(b)一般式(1)で示されるアミノ酸を0.05〜30質量%、(c)非イオン界面活性剤を0.05〜30質量%含有するものとすることができる。
上記本発明の洗浄剤組成物には、(d)可溶化剤をさらに含有させることもできる。また、(e)金属イオン封止剤をさらに含有させることもできる。
本発明の洗浄剤組成物は、シリコンウエハの洗浄に好適に用いることができる。
本発明の洗浄方法は、上記本発明の洗浄剤組成物のいずれかを使用するものとする。
本発明の洗浄剤組成物は、シリコンウエハ製造時に付着した不純物を、超音波洗浄等の操作なしに浸け置き等の簡便な洗浄条件のみでも除去できる優れた洗浄性と高いすすぎ性を有するものとなる。
本発明の洗浄剤組成物は、上記のように(a)アルカリ剤、(b)一般式(1)で示されるアミノ酸、(c)非イオン界面活性剤及び水を含有してなり、シリコンウエハの洗浄に好適に用いることができ、またエッチングによるテクスチャー形成後の洗浄にも用いることができる。シリコンウエハスライス工程後の洗浄では、洗浄性が極めて優れ、すすぎ性も高く、またテクスチャー形成後の洗浄で使用した場合は、ウエハ表面形状保持効果が高いものとなる。
本発明で用いる(a)アルカリ剤は特に限定されないか、例としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、第二リン酸ナトリウム、第二リン酸カリウム、第三リン酸ナトリウム、第三リン酸カリウム及びアンモニアなどの無機アルカリ化合物、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、メチルエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、エチルエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン及びトリイソパノールアミンなどの有機アルカリ化合物が挙げられる。これらのうち、洗浄性が優れることから、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムが好ましい。
式(1)中、R1は、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基を示す。ここで、アルキル基は、炭素数1〜3がより好ましく、炭素数1が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、炭素数1〜3がより好ましく、炭素数1〜2がさらに好ましく、炭素数1が特に好ましい。
好ましい具体例としては、R1が水素原子のグリシンが挙げられ、またR1がアルキル基の場合は、炭素数1のアラニン、炭素数3のバリン、炭素数4のロイシン、イソロイシン等が挙げられる。R1がヒドロキシアルキル基の場合は、炭素数1のセリン、炭素数2のトレオニン等が挙げられる。上記の中でも、すすぎ性やウエハ表面形状保持性がより向上する点から、グリシン、アラニン、セリンが好ましい。
本発明で用いられる(c)非イオン界面活性剤は特に限定されず、種々の洗浄剤組成物に用いられている化合物を広く使用することができるが、アルコールにアルキレンオキサイドを付加したものが好ましく、下記一般式(2)で示されるものがより好ましい。
式(2)中、R2は炭素数10〜14のアルキル基もしくはアルケニル基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nは平均付加モル数であり、1〜40の数を示す。
具体例としては、R2がアルキル基の場合、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基等が挙げられ、R2がアルケニル基の場合、デセニル基、イソデセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基等が挙げられる。AOの例としては、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、ブチレンオキサイドが挙げられる。中でもエチレンオキサイドを含むことが好ましく、エチレンオキサイドの平均付加モル数は、2〜30モルが好ましく、3〜20モルがより好ましく、5〜15モルがさらに好ましい。nは、2〜20の範囲がより好ましい。上記範囲内とすることにより、すすぎ性をより向上させることができる。
本発明の洗浄剤組成には、必要に応じてさらに(d)可溶化剤を配合することもできる。本発明の洗浄剤組成物が上記(a)〜(c)を高濃度で含む水溶液である場合、これらの成分の溶解が不十分となり、沈殿等を生じるおそれがあるが、可溶化剤を配合することにより、これら各成分の溶解性を向上させ、水溶液の透明性を確保し、保存安定性をより向上させることが可能となる。
本発明で用いる(d)可溶化剤は特に限定されないが、例としては、アルキルポリグルコシド、有機酸及び有機酸の塩が挙げられる。アルキルポリグルコシドの例としては、プロピルポリグルコシド、ブチルポリグルコシド、ヘキシルポリグルコシド、オクチルポリグルコシド、ノニルグルコシド、デシルグルコシド、デシルマルトシド、ドデシルマルトシド、トリデシルマルトシド等が挙げられる。有機酸の例としては、クメンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸、オクタン酸、2−エチルヘキサン酸等が挙げられる。有機酸としては、上記有機酸のナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩等の金属イオンの塩も用いられ、またアンモニア、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、メチルエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、エチルエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、エチルジエタノールアミンなどのオニウムイオンの塩等も用いられる。
可溶化剤は、洗浄剤組成物の上記安定化効果が高いことから、これらの中でもアルキルポリグルコシドが好ましい。
本発明の洗浄剤組成物には、必要に応じて洗浄効果をより向上させるために、(e)金属イオン封止剤をさらに配合することもできる。金属イオン封止剤の種類も特に限定されず、種々の洗浄剤組成物に用いられている化合物を広く使用することができるが、好ましい例としては、エタン−1,1−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)、エタンヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、ニトリロトリメチレンホスホン酸(NTMP)、3−カルボキシ−3−ホスホノヘキサン二酸(PBTC)、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、L−グルタミン酸二酢酸、メチルグリシン二酢酸、グルコン酸、グリコール酸、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、イミノ二酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、ヒドロキシエチレンジアミンテトラアミン六酢酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、クエン酸、リンゴ酸及びこれらの塩などが挙げられる。
本発明の洗浄剤組成物には、上記各成分以外に、消泡剤、防腐剤、防錆剤、酸化防止剤、pH調整剤等の公知の添加剤を、本発明の目的に反しない範囲で適宜配合することもできる。
上記(a)〜(c)成分の配合割合は、(a)アルカリ剤100質量部に対して、(b)一般式(1)で示されるアミノ酸は3〜1000質量部が好ましく、5〜800質量部がより好ましく、10〜500質量部が更に好ましい。上記範囲内とすることにより、洗浄性がより優れたものとなる。また、テクスチャー形成後の洗浄に使用した場合は、ウエハ表面形状保持効果も優れたものとなる。また、(c)非イオン界面活性剤は、(a)アルカリ剤100質量部に対して、5〜1000質量部が好ましく、10〜800質量部がより好ましく、20〜500質量部が更に好ましい。上記範囲内とすることにより、洗浄性とすすぎ性のバランスがより向上する。
また(d)可溶化剤を使用する場合の配合割合は、(a)アルカリ剤100質量部に対して5〜1000質量部が好ましく、10〜800質量部がより好ましく、20〜500質量部が更に好ましい。さらに、(c)非イオン界面活性剤100質量部に対しては、5〜1000質量部が好ましく、10〜800質量部がより好ましく、50〜500質量部が更に好ましい。上記範囲内とすることにより、洗浄剤組成物を高濃度で含む水溶液の作製が可能となり、保存安定性に優れ、使用時に水による希釈がより容易になる。また、すすぎ性がより優れる。
本発明の洗浄剤組成物は、上記(a)〜(c)各成分と、必要に応じて用いられる(d)成分及び/又は(e)成分と、残部の水とからなり、使用目的に応じて広範囲の濃度で使用することができる。従って、洗浄剤組成物中の上記(a)〜(e)各成分の配合量(濃度)を一律に示すことはできないが、一例を以下に示す。
上記(a)アルカリ剤の配合量は0.05〜30質量%が好ましく、0.1〜25質量%がより好ましく、0.2〜20質量%がさらに好ましい。上記範囲内とすることにより、洗浄性がより優れたものとなる。
上記(b)一般式(1)で示されるアミノ酸の配合量は、0.05〜30質量%が好ましく、0.1〜20質量%がより好ましく、0.1〜15質量%が更に好ましい。上記範囲内とすることにより、洗浄性がより優れたものとなる。また、テクスチャー形成後の洗浄においてはウエハ表面形状保持効果がより優れたものとなる。
上記(c)非イオン界面活性剤の配合量は、0.05〜30質量%が好ましく、0.1〜25質量%がより好ましく、0.1〜20質量%が更に好ましい。上記範囲内とすることにより、洗浄性とすすぎ性のバランスがより優れたものとなる。
上記(d)可溶化剤を使用する場合の配合量は0.05〜40質量%が好ましく、0.1〜30質量%がより好ましく、0.2〜20質量%が更に好ましい。上記範囲内とすることにより、水による希釈がより容易になり、また、すすぎ性がより優れる。
上記(e)金属イオン封止剤を使用する場合の配合量は、0.01〜20質量%が好ましく、0.05〜15質量%がより好ましく、0.1〜10質量%がさらに好ましい。上記範囲内とすることにより、シリコンウエハ表面に残存する金属量をより低減でき、またすすぎ性もより優れるものとなる。
本発明の洗浄剤組成物は、上記の通り、シリコンウエハの洗浄全般、すなわちシリコンウエハスライス工程後の粗洗浄及び仕上げ洗浄のいずれにも好適に用いることができ、またエッチングによるテクスチャー形成後の洗浄においても用いることができるが、必要に応じて、それ以外の種々の洗浄対象にも用いることができる。
本発明の洗浄剤組成物を用いてシリコンウエハを洗浄する際には、配合量(濃度)の例として示した上記のものをそのまま使用することもでき、これを原液として水で希釈して使用することもできる。上記配合量のものを水で希釈する場合は100倍以下(但し、体積基準とする。以下同様。)に希釈して使用するのが好ましい。希釈倍率が100倍を超えると洗浄性が低下するようになる。
洗浄方法は特に限定されず、従来公知の洗浄方法を適宜用いることができる。例えば、浸漬洗浄、超音波洗浄、ブラシ洗浄、スクラブ洗浄、噴流洗浄、スプレー洗浄、手拭き洗浄、及びこれらの組み合わせが挙げられる。但し、本発明の洗浄剤組成物は洗浄効果が高いため、浸漬等の簡易な手段でも十分な洗浄効果を得ることができる。
洗浄後は、使用目的に応じて、そのまま乾燥させることもでき、水等ですすいだのち乾燥させることもできる。
次に、本発明を実施例及び比較例に基づいて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。また、以下において「部」又は「%」とあるときは、特にことわらない限り質量基準である。
表1及び表2に記載の原料をこれらの表に示した配合量で混合することにより、各洗浄剤組成物を調整し、下記の評価を行った。原料の詳細は以下の通りである。結果を表1及び2に示す。
(a)アルカリ剤
(a−1)水酸化ナトリウム
(a−2)水酸化カリウム
(b)一般式(1)で示されるアミノ酸
(b−1)グリシン(R=H)
(b−2)アラニン(R=CH3)
(b−3)セリン(R=CH2OH)
(c)非イオン界面活性剤
(c−1)イソデシルアルコールにエチレンオキサイド7モルを付加した化合物
(c−2)イソデシルアルコールにエチレンオキサイド12モルとプロピレンオキサイド2モルをランダム付加した化合物
(c−3)ドデシルアルコールにエチレンオキサイド8モルとプロピレンオキサイド2モルをランダム付加した化合物
(c−4)トリデシルアルコールにエチレンオキサイド8モルを付加した化合物
(d)可溶化剤
(d−1)ブチルポリグルコシド
(d−2)パラトルエンスルホン酸ナトリウム
(e)金属イオン封止剤
(e−1)グルコン酸ナトリウム
(e−2)エチレンジアミン四酢酸ナトリウム
(a−1)水酸化ナトリウム
(a−2)水酸化カリウム
(b)一般式(1)で示されるアミノ酸
(b−1)グリシン(R=H)
(b−2)アラニン(R=CH3)
(b−3)セリン(R=CH2OH)
(c)非イオン界面活性剤
(c−1)イソデシルアルコールにエチレンオキサイド7モルを付加した化合物
(c−2)イソデシルアルコールにエチレンオキサイド12モルとプロピレンオキサイド2モルをランダム付加した化合物
(c−3)ドデシルアルコールにエチレンオキサイド8モルとプロピレンオキサイド2モルをランダム付加した化合物
(c−4)トリデシルアルコールにエチレンオキサイド8モルを付加した化合物
(d)可溶化剤
(d−1)ブチルポリグルコシド
(d−2)パラトルエンスルホン酸ナトリウム
(e)金属イオン封止剤
(e−1)グルコン酸ナトリウム
(e−2)エチレンジアミン四酢酸ナトリウム
(1)シリコンウエハ製造工程における評価
(洗浄性)
ワイヤーソーオイル(パレス化学株式会社製、PS−DWS−8)とシリコン粉(平均粒子経1μm)を質量比90:10で混合したものを洗浄対象物のモデルとした。固定砥粒方式でスライスされた単結晶シリコンウエハ(サイズ:156mm×156mm)1枚を上記洗浄対象物のモデル液に完全に浸漬し、引き上げたものをテストピースとした。
(洗浄性)
ワイヤーソーオイル(パレス化学株式会社製、PS−DWS−8)とシリコン粉(平均粒子経1μm)を質量比90:10で混合したものを洗浄対象物のモデルとした。固定砥粒方式でスライスされた単結晶シリコンウエハ(サイズ:156mm×156mm)1枚を上記洗浄対象物のモデル液に完全に浸漬し、引き上げたものをテストピースとした。
表1及び表2の各洗浄剤組成物の水10倍希釈品を調製し、60℃に調温して上記テストピースを10分間浸漬し、さらに、40℃のイオン交換水に10分間浸漬した。その後、25℃のイオン交換水にテストピースを10分間浸漬した後、80℃乾燥機にて20分間乾燥した。
それぞれウエハ表面の洗浄対象物の除去面積率(%)を判定し、その平均値を洗浄性(%)とした。判定においては、ウエハと同じサイズの碁盤状の枠(10×10マス)を作成し、これを洗浄後のウエハに当てはめてマス目を数えることにより面積を求めた。また、この洗浄性を以下の基準で評価した。その結果を表1及び2に示す。
○:良好(洗浄性98%以上)
△:一部洗浄残り(洗浄性90%以上98%未満)
×:不良(洗浄性90%未満)
○:良好(洗浄性98%以上)
△:一部洗浄残り(洗浄性90%以上98%未満)
×:不良(洗浄性90%未満)
(間隙洗浄性)
ワイヤーソーオイル(パレス化学株式会社製、PS−DWS−8)とシリコン粉(平均粒子経1μm)を質量比90:10で混合したものを洗浄対象物のモデルとした。これを固定砥粒方式でスライスされた単結晶シリコンウエハ(サイズ:156mm×156mm)2枚の間にセットした。このとき、ウエハ間の間隔は150μmで固定し、テストピースとした。
ワイヤーソーオイル(パレス化学株式会社製、PS−DWS−8)とシリコン粉(平均粒子経1μm)を質量比90:10で混合したものを洗浄対象物のモデルとした。これを固定砥粒方式でスライスされた単結晶シリコンウエハ(サイズ:156mm×156mm)2枚の間にセットした。このとき、ウエハ間の間隔は150μmで固定し、テストピースとした。
表1及び2の各洗浄剤の水20倍希釈品を調製し、50℃に調温して上記テストピースを10分間浸漬し、さらにそのテストピースを25℃のイオン交換水に10分間浸漬した。
上記処理後、2枚のウエハを開け、それぞれウエハ表面の洗浄対象物の除去面積率(%)を判定し、その平均値を洗浄性(%)とした。判定においては、ウエハと同じサイズの碁盤状の枠(10×10マス)を作成し、これを洗浄後ウエハに当てはめて、除去面積を求めた。また、この除去面積率に基づき洗浄性を以下の基準で評価した。その結果を表1及び2に示す。
○:良好(洗浄性80%以上)
△:一部洗浄残り(洗浄性50%以上80%未満)
×:不良(洗浄性50%未満)
○:良好(洗浄性80%以上)
△:一部洗浄残り(洗浄性50%以上80%未満)
×:不良(洗浄性50%未満)
(2)テクスチャー形成工程における評価
5質量%水酸化ナトリウム水溶液にイソプロピルアルコールを5質量%添加して80℃に調温したエッチング液に、単結晶シリコンウエハ(サイズ:156mm×156mm)を20分間浸漬し、さらに、イオン交換水で水洗後することにより、シリコンウエハ表面にテクスチャーを形成した。これを、王水(硝酸:塩酸=1:3)に完全に浸漬し、その後、イオン交換水ですすぎ、金属イオンと有機物残渣を除去することにより、シリコンウエハのテストピースを作製した。
5質量%水酸化ナトリウム水溶液にイソプロピルアルコールを5質量%添加して80℃に調温したエッチング液に、単結晶シリコンウエハ(サイズ:156mm×156mm)を20分間浸漬し、さらに、イオン交換水で水洗後することにより、シリコンウエハ表面にテクスチャーを形成した。これを、王水(硝酸:塩酸=1:3)に完全に浸漬し、その後、イオン交換水ですすぎ、金属イオンと有機物残渣を除去することにより、シリコンウエハのテストピースを作製した。
表1及び表2の各洗浄剤の水10倍希釈品を調製し、60℃に調温して上記テストピースを10分間浸漬し、さらに、40℃のイオン交換水に10分間浸漬した。その後、25℃のイオン交換水にテストピースを10分間浸漬し、次いで80℃乾燥機にて20分間乾燥することにより試験片を作成した。得られた試験片を用いて、以下の通りすすぎ性とウエハ表面形状の評価を行った。
(すすぎ性)
ウエハ表面の有機成分(洗浄剤残渣)をウエハ加熱脱離−ガスクロマトグラフ−質量分析法(株式会社島津製作所、GCMS−QP2010 Plus)で分析し、ウエハ片面(約243cm2当たり)に残存する有機成分をヘキサデカン換算量で算出し、以下の基準で評価した。その結果を表1及び表2に示す。
○:良好(1.00μg未満)
△:一部洗浄剤残あり(1.00μg以上10.0μg未満)
×:不良(10.0μg以上)
ウエハ表面の有機成分(洗浄剤残渣)をウエハ加熱脱離−ガスクロマトグラフ−質量分析法(株式会社島津製作所、GCMS−QP2010 Plus)で分析し、ウエハ片面(約243cm2当たり)に残存する有機成分をヘキサデカン換算量で算出し、以下の基準で評価した。その結果を表1及び表2に示す。
○:良好(1.00μg未満)
△:一部洗浄剤残あり(1.00μg以上10.0μg未満)
×:不良(10.0μg以上)
(ウエハ表面形状)
走査電子顕微鏡(日本電子株式会社、JSM−6380LV)を用いて、ウエハ表面のテクスチャー形状を観察した。評価は、ウエハの四隅、ウエハの中心点及びウエハ各辺の中点の合計9箇所について、洗浄前のテストピースと比較し、以下の基準で行った。その結果を表1及び表2に示す。
○:テクスチャー構造が保持されている
×:テクスチャーのサイズ変化や消滅が見られる
走査電子顕微鏡(日本電子株式会社、JSM−6380LV)を用いて、ウエハ表面のテクスチャー形状を観察した。評価は、ウエハの四隅、ウエハの中心点及びウエハ各辺の中点の合計9箇所について、洗浄前のテストピースと比較し、以下の基準で行った。その結果を表1及び表2に示す。
○:テクスチャー構造が保持されている
×:テクスチャーのサイズ変化や消滅が見られる
(表面反射率)
紫外・可視分光光度計(株式会社日立ハイテクノロジーズ、U−3900H)を用いて、波長600nmにおける試験片の反射率を測定した。その結果を表1及び表2に示す。テストピースの反射率は12%であり、ウエハ表面のテクスチャー形状が変化すると反射率が高くなる。
紫外・可視分光光度計(株式会社日立ハイテクノロジーズ、U−3900H)を用いて、波長600nmにおける試験片の反射率を測定した。その結果を表1及び表2に示す。テストピースの反射率は12%であり、ウエハ表面のテクスチャー形状が変化すると反射率が高くなる。
表1及び表2に示された結果から、本発明の洗浄剤組成物によれば、(a)〜(c)成分併用による相乗効果として、シリコンウエハの洗浄における洗浄効果が顕著に優れ、またすすぎ性にも優れ、更には、テクスチャー形成後の洗浄に使用した場合、ウエハ表面形状保持効果も高いことが分かる。
Claims (7)
- 前記(a)アルカリ剤100質量部に対し、前記(b)一般式(1)で示されるアミノ酸を3〜1000質量部、前記(c)非イオン界面活性剤を5〜1000質量部含有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の洗浄剤組成物。
- 前記(a)アルカリ剤を0.05〜30質量%、前記(b)一般式(1)で示されるアミノ酸を0.05〜30質量%、及び前記(c)非イオン界面活性剤を0.05〜30質量%含有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の洗浄剤組成物。
- (d)可溶化剤をさらに含有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の洗浄剤組成物。
- シリコンウエハの洗浄に用いることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の洗浄剤組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の洗浄剤組成物を用いることを特徴とする、シリコンウエハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013045647A JP2014172964A (ja) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | 洗浄剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013045647A JP2014172964A (ja) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | 洗浄剤組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014172964A true JP2014172964A (ja) | 2014-09-22 |
Family
ID=51694556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013045647A Pending JP2014172964A (ja) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | 洗浄剤組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014172964A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017100919A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 小林 光 | シリコン微細粒子の製造方法並びにその製造装置、並びにシリコン微細粒子 |
JP2019531375A (ja) * | 2016-08-25 | 2019-10-31 | エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド | アミノ酸を含む洗浄組成物および使用方法 |
CN115537272A (zh) * | 2022-10-26 | 2022-12-30 | 新疆晶科能源有限公司 | 单晶硅样片清洗剂和清洗方法 |
WO2023221731A1 (zh) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | 高景太阳能股份有限公司 | 一种双组份硅片清洗剂及清洗方法 |
-
2013
- 2013-03-07 JP JP2013045647A patent/JP2014172964A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017100919A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 小林 光 | シリコン微細粒子の製造方法並びにその製造装置、並びにシリコン微細粒子 |
JP2019531375A (ja) * | 2016-08-25 | 2019-10-31 | エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド | アミノ酸を含む洗浄組成物および使用方法 |
US11370997B2 (en) | 2016-08-25 | 2022-06-28 | Ecolab Usa Inc. | Cleaning compositions and methods of use |
JP2022097586A (ja) * | 2016-08-25 | 2022-06-30 | エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド | アミノ酸を含む洗浄組成物および使用方法 |
WO2023221731A1 (zh) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | 高景太阳能股份有限公司 | 一种双组份硅片清洗剂及清洗方法 |
CN115537272A (zh) * | 2022-10-26 | 2022-12-30 | 新疆晶科能源有限公司 | 单晶硅样片清洗剂和清洗方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6999603B2 (ja) | ポスト化学機械平坦化(cmp)洗浄 | |
KR101966635B1 (ko) | 반도체 기판용 세정제 및 반도체 기판 표면의 처리방법 | |
KR101520917B1 (ko) | 웨이퍼의 표면 처리용 텍스쳐링 및 세정제 및 그것의 사용 | |
JP6966570B2 (ja) | 化学機械研磨後配合物及び使用方法 | |
CN102169818B (zh) | 纹理化半导体衬底的改进方法 | |
TWI398514B (zh) | 用於清潔磁光碟基板的清潔劑 | |
EP2284250B1 (en) | Formulations and Method for Post-CMP Cleaning | |
KR102625498B1 (ko) | 코발트 기판의 cmp-후 세정을 위한 조성물 및 방법 | |
TWI398515B (zh) | 電子材料用洗淨劑及洗淨方法 | |
JP5410943B2 (ja) | 電子材料用洗浄剤 | |
US20060073997A1 (en) | Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides | |
WO2009102004A1 (ja) | 洗浄剤組成物および電子デバイス用基板の洗浄方法 | |
CN106661518B (zh) | 在cmp后使用的清洁组合物及其相关方法 | |
JP2014172964A (ja) | 洗浄剤組成物 | |
KR101956388B1 (ko) | 사파이어 웨이퍼 세정제 조성물 | |
JP5518392B2 (ja) | 電子デバイス基板用洗浄剤組成物、および電子デバイス基板の洗浄方法 | |
CN113195699B (zh) | 洗涤剂组成物及利用其的洗涤方法 | |
JP2011057833A (ja) | 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法 | |
JP2009040828A (ja) | ウエハ又は板状物の洗浄剤組成物 | |
JP6533030B2 (ja) | シリコンウエハ用洗浄剤組成物 | |
JP2003068696A (ja) | 基板表面洗浄方法 | |
JP2014172965A (ja) | 洗浄剤組成物 | |
JP2003109930A (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
KR101765212B1 (ko) | 천연계 태양광 웨이퍼 세정제 조성물 | |
JP2014101410A (ja) | 磁気ディスク基板用洗浄剤 |