JP2014163857A

JP2014163857A - Fluorescence emitter inspection device

Info

Publication number: JP2014163857A
Application number: JP2013036554A
Authority: JP
Inventors: Junichi Matsumura; 淳一松村; Hiroyuki Murata; 浩之村田; Kenji Okubo; 憲治大久保
Original assignee: Toray Engineering Co Ltd
Current assignee: Toray Engineering Co Ltd
Priority date: 2013-02-27
Filing date: 2013-02-27
Publication date: 2014-09-08
Anticipated expiration: 2033-02-27
Also published as: JP6076133B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device capable of highly accurately inspecting the light-emitting state of a fluorescence emitter in a short period of time.SOLUTION: A fluorescence emitter inspection device comprises an illumination section for emitting illumination light to a fluorescence emitter to be inspected, and a fluorescent observation section for observing fluorescence light emitted from the fluorescence emitter. The fluorescent observation section comprises a first observation section, a second observation section, a first filter section, and a second filter section. The first observation section observes light that has passed through the first filter section. The second observation section observes light that has passed through the second filter section. The first filter section transmits light of a wavelength longer than a first wavelength included in the emitted fluorescence light. The second filter section transmits light of a wavelength shorter than a second wavelength included in the emitted fluorescence light. The first wavelength is shorter than the second wavelength.

Description

蛍光発光体の蛍光発光強度及び蛍光発光波長の良否を検査する装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for inspecting the quality of fluorescence emission wavelength and fluorescence emission wavelength of a fluorescence emitter.

蛍光（ルミネッセンス）特性を有する材料（つまり、蛍光発光体）、例えば、ＬＥＤチップの良否検査をする手法として、電気的プローブ検査や、レーザ光を照射するフォトルミネッセンス測定による検査が行われている（例えば、特許文献１）。 As a technique for inspecting the quality of a material having fluorescence (luminescence) characteristics (that is, a fluorescent light emitter), for example, an LED chip, an electrical probe inspection or an inspection by photoluminescence measurement using laser light is performed ( For example, Patent Document 1).

しかし、この手法によると、ＬＥＤチップ１つずつに対して逐次検査を行う必要がある。そのため、１枚の基板上に多数のＬＥＤチップを配列した状態で検査したい場合、この手法では短時間に検査をすることができず、非常に長い時間を費やす必要があった。 However, according to this method, it is necessary to sequentially inspect each LED chip. Therefore, when it is desired to inspect in a state where a large number of LED chips are arranged on one substrate, this method cannot inspect in a short time, and it is necessary to spend a very long time.

また、発光色の異なる複数のＬＥＤ（例えば、赤色ＬＥＤと緑色ＬＥＤ）について、それぞれの発光色のＬＥＤの異常を検知する手法として、２系統のフィルタとセンサを用い、検出した輝度値の比率を先ず算出し、後に当該比率を判定用閾値と比較するといった検査が行われている（例えば、特許文献２）。 In addition, for a plurality of LEDs having different emission colors (for example, red LED and green LED), as a method for detecting abnormality of each LED of emission color, two systems of filters and sensors are used, and the ratio of detected luminance values is calculated. An inspection is performed in which the calculation is performed first and then the ratio is compared with a threshold for determination (for example, Patent Document 2).

特許第３０７７７８１号公報Japanese Patent No. 3077781 特開２００２−１９５８８２号公報JP 2002-195882 A

例えば、白色のＬＥＤ照明器具に着目すれば、白色ＬＥＤを構成する青色ＬＥＤの主波長が２０ｎｍずれただけで、青みがかって見えたり、黄色みがかって見えたりしてしまう。これは、ＬＥＤチップの主波長が僅かにずれると、人の目には異なる色に感じるためである。このため、発光強度はもちろん、発光波長の管理も品質管理上重要となる。 For example, if attention is paid to a white LED lighting fixture, the blue LED that forms the white LED may appear bluish or yellowish only by shifting the main wavelength of the blue LED by 20 nm. This is because when the main wavelength of the LED chip is slightly shifted, the human eye feels a different color. For this reason, not only the emission intensity but also the management of the emission wavelength is important for quality control.

そこで、基板上に配列されたＬＥＤチップを短時間で検査すべく、カラーカメラによる検査を試みた。このとき、ＬＥＤチップが多数配列された基板に向けて、ＵＶ照明を照射し、個々のＬＥＤチップから蛍光発光する光をカラーカメラを用いて観察した。これによれば、短時間で画像取得することはできるが、個々のＬＥＤチップの発光波長の良否を判別することは困難である。 Therefore, in order to inspect the LED chips arranged on the substrate in a short time, an inspection using a color camera was attempted. At this time, UV illumination was applied to a substrate on which a large number of LED chips were arranged, and light emitted from each LED chip was observed using a color camera. According to this, it is possible to acquire an image in a short time, but it is difficult to determine whether the light emission wavelength of each LED chip is good or bad.

概して、カラーカメラはＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタや、補色フィルタを通して撮像するため、Ｒ，Ｇ，Ｂの複数の色の濃淡差により色味が変わる場合であれば、検査することが可能である。しかし、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれか単色の範囲中で、僅かな発光波長のずれに起因する良否を判定することは困難である。さらに、カラーカメラで撮像した画像に濃淡差があった場合に、発光波長のずれによる濃淡差なのか、発光強度の違いによる濃淡差なのか判別することがが困難である。 In general, a color camera captures images through R, G, B color filters or complementary color filters, so inspection can be performed if the color changes due to the difference in shades of a plurality of R, G, B colors. is there. However, it is difficult to determine pass / fail due to a slight shift in the emission wavelength in a single color range of R, G, and B. Furthermore, when there is a difference in light and darkness in an image captured by a color camera, it is difficult to determine whether the difference is due to a difference in light emission wavelength or a light difference due to a difference in light emission intensity.

また、特許文献２に開示された検査手法では、単色発光するＬＥＤチップの発光強度不良や発光波長不良の検知には適用できない。また、異なる発光色のＬＥＤチップの検査をする場合であっても、異なる発光色のＬＥＤが共に暗い場合、或いは共に明るすぎる場合、先に輝度値の比率を算出してしまうため、発光強度不良の判定ができず、良品としての適否を判定することが不可能である。また、この方法ではそれぞれの発光色のＬＥＤチップの発光波長不良を検知する事も不可能である。 Further, the inspection method disclosed in Patent Document 2 cannot be applied to detection of a light emission intensity defect or a light emission wavelength defect of an LED chip that emits monochromatic light. Even when inspecting LED chips of different emission colors, if the LEDs of different emission colors are both dark or too bright, the luminance value ratio is calculated first, so the emission intensity is poor. It is impossible to determine whether the product is good or not. Moreover, it is impossible to detect a light emission wavelength defect of each light emitting color LED chip by this method.

そこで本発明は、蛍光発光する蛍光発光体の発光状態を高精度かつ短時間に検査できる、蛍光発光体の検査装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a fluorescent light emitter inspection apparatus capable of inspecting the light emission state of a fluorescent light emitter that emits fluorescent light with high accuracy and in a short time.

以上の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
検査対象となる蛍光発光体に向けて照明光を照射する照明部と、
前記蛍光発光体から蛍光発光した光を観察する蛍光観察部を備え、
前記蛍光観察部には、第１観察部と、第２観察部と、第１フィルタ部と、第２フィルタ部とを備え、
前記第１観察部では前記第１フィルタ部を通過した光を観察し、
前記第２観察部では前記第２フィルタ部を通過した光を観察し、
前記第１フィルタ部は、前記蛍光発光した光のうち、正常発光の判定基準となる第１の波長よりも長い波長の光を透過させ、
前記第２フィルタ部は、前記蛍光発光した光のうち、正常発光の判定基準となる第２の波長よりも短い波長の光を透過させ、
前記第１の波長は、前記第２の波長よりも短く設定されている
ことを特徴とする蛍光発光体の検査装置である。 In order to solve the above problems, the invention described in claim 1
An illumination unit that irradiates illumination light toward the fluorescent light-emitting object to be inspected;
A fluorescence observation unit for observing the light emitted from the fluorescence emitter;
The fluorescence observation unit includes a first observation unit, a second observation unit, a first filter unit, and a second filter unit,
The first observation unit observes light that has passed through the first filter unit,
The second observation unit observes light that has passed through the second filter unit,
The first filter unit transmits light having a wavelength longer than the first wavelength, which is a criterion for determining normal light emission, of the fluorescent light.
The second filter unit transmits light having a shorter wavelength than the second wavelength that is a criterion for normal light emission among the fluorescent light.
The inspection apparatus for a fluorescent light emitter, wherein the first wavelength is set shorter than the second wavelength.

この発明によれば、検査対象となる蛍光発光体の正常な蛍光発光波長をオーバーラップしつつ、長波長側の光を第１観察部で、短波長側の光を第２観察部で観察でき、第１観察部と第２観察部で観察した画像を比較することで、検査対象となる蛍光発光体が正常発光か、発光強度不良か、長波長側にシフトして発光しているか、短波長側にシフトして発光しているか、発光状態を直ぐに判定でき、判定精度も高められる。 According to this invention, it is possible to observe the light on the long wavelength side with the first observation unit and the light on the short wavelength side with the second observation unit while overlapping the normal fluorescence emission wavelengths of the fluorescent light emitters to be inspected. By comparing the images observed by the first observation unit and the second observation unit, whether the fluorescent light emitting object to be inspected is normal light emission, the light emission intensity is poor, the light is shifted toward the long wavelength side, or the light is short. Whether the light is shifted to the wavelength side or not can be determined immediately, and the determination accuracy can be improved.

請求項２に記載の発明は、
前記蛍光観察部には、前記蛍光発光した光の光束を分岐する分岐手段を備え、
前記第１観察部と前記第２観察部とが、前記検査対象となる蛍光発光体を同時に観察することを特徴とする、請求項１に記載の蛍光発光体の検査装置である。 The invention described in claim 2
The fluorescence observation unit includes a branching unit that branches a light flux of the fluorescent light,
2. The fluorescent light emitter inspection apparatus according to claim 1, wherein the first observation unit and the second observation unit simultaneously observe the fluorescent light emission object to be inspected. 3.

請求項３に記載の発明は、
前記検査対象となる蛍光発光体は、１枚の基板上に複数配置されており、
前記蛍光観察部は、検査対象となる複数の蛍光発光体を一度に観察できる視野サイズが同じに設定されている
ことを特徴とする、請求項２に記載の蛍光発光体の検査装置である。 The invention according to claim 3
A plurality of fluorescent light emitters to be inspected are arranged on one substrate,
3. The fluorescent light emitter inspection apparatus according to claim 2, wherein the fluorescence observation unit is set to have the same visual field size capable of observing a plurality of fluorescent light emitters to be inspected at a time.

請求項４に記載の発明は、
当該検査対象となる蛍光発光体の良否を判定する良否判定部をさらに備え、
前記良否判定部は、
第１観察部で観察された画像に基づいて当該検査対象となる蛍光発光体の蛍光発光強度を基に良否候補を判定する第１判定部と、
第２観察部で観察された画像に基づいて当該検査対象となる蛍光発光体の蛍光発光強度を基に良否候補を判定する第２判定部と、
前記第１判定部と前記第２判定部の結果に基づいて当該検査対象となる蛍光発光体の良否を判定する第３判定部とを備えた
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の蛍光発光体の検査装置である。 The invention according to claim 4
A pass / fail judgment unit for judging pass / fail of the fluorescent light-emitting object to be inspected;
The pass / fail judgment unit
A first determination unit that determines a pass / fail candidate based on the fluorescence emission intensity of the fluorescent light emitter to be inspected based on the image observed by the first observation unit;
A second determination unit that determines a pass / fail candidate based on the fluorescence emission intensity of the fluorescent light emitter to be inspected based on the image observed by the second observation unit;
Any one of Claims 1-3 characterized by including the 3rd determination part which determines the quality of the fluorescent substance used as the said test | inspection object based on the result of the said 1st determination part and the said 2nd determination part. An inspection apparatus for a fluorescent light emitter according to claim 1.

請求項５に記載の発明は、
前記検査対象となる蛍光発光体が、フォトルミネッセンス特性を有するＬＥＤチップであることを特徴とする、請求項４に記載のＬＥＤチップの検査装置である。 The invention described in claim 5
The LED chip inspection apparatus according to claim 4, wherein the fluorescent light emitting object to be inspected is an LED chip having photoluminescence characteristics.

本発明によれば、蛍光発光する蛍光発光体の発光状態を、高精度かつ短時間に検査できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the light emission state of the fluorescence light-emitting body which fluoresces can be test | inspected with high precision and a short time.

本発明を具現化する形態の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the form which embodies this invention. 本発明を具現化する形態で得られた判定結果の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the determination result obtained by the form which embodies this invention. 本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図である。It is a side view which shows another example of the form which embodies this invention. 本発明を具現化する形態のさらに別の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows another example of the form which embodies this invention.

以下、検査対象となる蛍光発光体として、ＬＥＤ照明の発光素子として用いられるＬＥＤチップを例示し、本発明に係る蛍光発光体の検査装置として、当該ＬＥＤチップの検査装置を例示し、図を用いながら説明をする。ここでは、ＬＥＤチップは、波長４５０〜４６０ｎｍで正常に発光するものを良品とし、それ以外の波長で発光若しくは、発光強度不良ものを不良品として判定する例について説明する。 Hereinafter, an LED chip used as a light emitting element of LED illumination is exemplified as a fluorescent light emitter to be inspected, an inspection device for the LED chip is exemplified as an inspection device for a fluorescent light emitter according to the present invention, and a diagram is used. While explaining. Here, an example will be described in which an LED chip that normally emits light at a wavelength of 450 to 460 nm is determined as a non-defective product, and an LED chip that emits light at a wavelength other than that or a defective emission intensity is determined as defective.

図１は、本発明を具現化する形態の一例を示す側面図である。
図１は、ＬＥＤチップ検査装置１を用いて、検査対象となるＬＥＤチップＣがパターニングされたウエハーＷの表面を観察し、ＬＥＤチップＣを検査をする様子を示している。さらに、このＬＥＤチップＣは、最終製品に組み込むために個片化される前の状態、つまり製造工程中の半完成状態ではあるが、フォトルミネッセンス特性を有する状態にある。
なお、図１において、ウエハーＷの表面をＸ，Ｙ方向とし、それに直交する厚み方向をＺ方向とし、Ｚ方向の矢印側を上方と表現する（以下、各図について同じ）。 FIG. 1 is a side view showing an example of a form embodying the present invention.
FIG. 1 shows how the LED chip C is inspected by observing the surface of the wafer W on which the LED chip C to be inspected is patterned using the LED chip inspection apparatus 1. Further, the LED chip C is in a state before being singulated for incorporation into a final product, that is, in a semi-finished state during the manufacturing process, but in a state having photoluminescence characteristics.
In FIG. 1, the surface of the wafer W is defined as the X and Y directions, the thickness direction orthogonal thereto is defined as the Z direction, and the arrow side in the Z direction is expressed as upward (hereinafter the same for each figure).

本発明にかかるＬＥＤチップ検査装置１は、照明部２と、蛍光観察部３を備えて構成されている。
照明部２は、検査対象となるＬＥＤチップＣに向けて照明光２１を照射するものである。具体的には、照明部２として、ＬＤ（レーザダイオード）や、ＬＥＤ照明、白色照明とバンドパスフィルタを組み合わせたものが例示できる。また、照明部２は、蛍光観察部３に備える撮像素子がエリアセンサであれば面状の照明を、蛍光観察部３に備える撮像素子がラインセンサであればライトシート状の照明を選択する。このとき、照明光２１の照射方向としては、ウエハーＷの表面に対して垂直方向から照射する形態が例示できる。 An LED chip inspection apparatus 1 according to the present invention includes an illumination unit 2 and a fluorescence observation unit 3.
The illumination part 2 irradiates the illumination light 21 toward the LED chip C to be inspected. Specifically, examples of the illumination unit 2 include a combination of LD (laser diode), LED illumination, white illumination, and a bandpass filter. Further, the illumination unit 2 selects planar illumination if the image sensor provided in the fluorescence observation unit 3 is an area sensor, and selects light sheet illumination if the image sensor provided in the fluorescence observation unit 3 is a line sensor. At this time, the irradiation direction of the illumination light 21 can be exemplified by a form in which irradiation is performed from a direction perpendicular to the surface of the wafer W.

蛍光観察部３は、照明光２１がＬＥＤチップＣに照射されることで蛍光発光した光を観察するものである。蛍光観察部３は、第１観察部３１と、第２観察部３２と、第１フィルタ部３１ｆと、第２フィルタ部３２ｆとを備えている。 The fluorescence observation unit 3 observes the light emitted by the fluorescent light when the illumination light 21 is applied to the LED chip C. The fluorescence observation unit 3 includes a first observation unit 31, a second observation unit 32, a first filter unit 31f, and a second filter unit 32f.

具体的には、第１観察部３１は、レンズ（不図示）などが組み込まれた鏡筒３３ａに取り付けられており、第１観察部３１の観察光路中には第１フィルタ部３１ｆが取り付けられている。また、第２観察部３２は、レンズ（不図示）などが組み込まれた鏡筒３３ｂに取り付けられており、第２観察部３２の観察光路中には第２フィルタ部３２ｆが取り付けられている。なお、第１観察部３１及び第２観察部３２としては、エリアセンサカメラや、ラインセンサカメラなどが例示できる。 Specifically, the first observation unit 31 is attached to a lens barrel 33 a in which a lens (not shown) or the like is incorporated, and a first filter unit 31 f is attached in the observation optical path of the first observation unit 31. ing. The second observation unit 32 is attached to a lens barrel 33b in which a lens (not shown) or the like is incorporated, and a second filter unit 32f is attached in the observation optical path of the second observation unit 32. In addition, as the 1st observation part 31 and the 2nd observation part 32, an area sensor camera, a line sensor camera, etc. can be illustrated.

そのため、第１観察部３１では、蛍光発光した光３５ａが第１フィルタ部３１ｆを通過した光３７ａとして観察される。また、第２観察部３２では、蛍光発光した光３５ｂが第２フィルタ部３２ｆを通過した光３７ｂとして観察される。 Therefore, in the 1st observation part 31, the fluorescence light 35a is observed as the light 37a which passed the 1st filter part 31f. In the second observation unit 32, the fluorescent light 35b is observed as the light 37b that has passed through the second filter unit 32f.

第１フィルタ部３１ｆは、蛍光発光した光３５ａのうち、正常発光の判定基準となる第１の波長よりも長い波長の光を透過させるもの（いわゆる、ロングパスフィルタ）である。 The first filter unit 31f transmits light having a wavelength longer than the first wavelength, which is a criterion for determining normal light emission, of the fluorescent light 35a (a so-called long pass filter).

第２フィルタ部３２ｆは、蛍光発光した光３５ｂのうち、正常発光の判定基準となる第２の波長よりも短い波長の光を透過させるもの（いわゆる、ショートパスフィルタ）である。 The second filter unit 32f is a unit that transmits light having a wavelength shorter than the second wavelength, which is a criterion for determining normal light emission, among the fluorescent light 35b (so-called short-pass filter).

この場合、第１フィルタ部３１ｆは、正常発光の判定基準となる第１の波長を４５０ｎｍとし、それよりも長い波長の光を透過させるように構成する。より具体的には、第１フィルタ部３１ｆは、透明ガラスや石英基板の表面に、波長４５０ｎｍよりも長い波長の光が透過するような、多層膜コーティングを施しておく。 In this case, the first filter unit 31f is configured to transmit a light having a longer wavelength than that of the first wavelength that is a determination criterion for normal light emission of 450 nm. More specifically, the first filter part 31f is provided with a multilayer coating that allows light having a wavelength longer than 450 nm to pass through the surface of a transparent glass or quartz substrate.

一方、第２フィルタ部３２ｆは、正常発光の判定基準となる第２の波長を４６０ｎｍとし、それよりも短い波長の光を透過させるように構成する。より具体的には、第２フィルタ部３２ｆは、透明ガラスや石英基板の表面に、波長４６０ｎｍよりも短い波長の光が透過するような、多層膜コーティングを施しておく。 On the other hand, the second filter unit 32f is configured to transmit a light having a shorter wavelength than the second wavelength, which is a reference for determining normal light emission, to 460 nm. More specifically, the second filter portion 32f is provided with a multilayer coating that allows light having a wavelength shorter than 460 nm to pass through the surface of a transparent glass or quartz substrate.

図２は、本発明を具現化する形態で得られた判定結果の一例を示す概略図である。
図２（ａ）には、ウエハーＷ上に、検査対象となるＬＥＤチップが複数配置された様子が示されいる。ウエハーＷに配置されている各ＬＥＤチップは、外見上は良品／不良品の見分けが付かないが、説明のために、不良モード毎にハッチングをして示す。ここでは、検査対象となるＬＥＤチップＣのうち、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６に示す部分は不良品であり、それ以外の部分は良品であることを示している。
なお、Ｂ１，Ｂ２に示す部分は、発光強度不良の不良品である。Ｂ３，Ｂ４に示す部分は、波長４４０〜４５０ｎｍで（つまり、短波長側に波長ずれして）発光する不良品である。Ｂ５，Ｂ６に示す部分は、波長４６０〜４７０ｎｍで（つまり、長波長側に波長ずれして発光する不良品である。 FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of a determination result obtained in a form embodying the present invention.
FIG. 2A shows a state in which a plurality of LED chips to be inspected are arranged on the wafer W. FIG. Each LED chip arranged on the wafer W cannot be distinguished from a non-defective product / defective product in appearance, but is hatched for each defective mode for the sake of explanation. Here, in the LED chip C to be inspected, the portions indicated by B1, B2, B3, B4, B5, and B6 are defective products, and the other portions are non-defective products.
Note that the portions indicated by B1 and B2 are defective products with poor emission intensity. The portions indicated by B3 and B4 are defective products that emit light at wavelengths of 440 to 450 nm (that is, shifted to the short wavelength side). The portions indicated by B5 and B6 are defective products that emit light with a wavelength of 460 to 470 nm (that is, the wavelength shifted to the longer wavelength side).

図２（ｂ）には、第１観察部３１で観察されたウエハーＷの画像が示されいる。
ウエハーＷ上に配列された複数のＬＥＤチップＣを第１観察部３１で観察した場合、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４で示す部分は暗画像として写り、それ以外は明画像として写る。このとき、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４で示す部分は、ＬＥＤチップＣから蛍光発光した光が、第１観察部３１の第１フィルタ４１を通過していないことを意味する。つまり、ＬＥＤチップＣが、短波長側にずれて発光しているか、発光強度不良であると判断できる。 FIG. 2B shows an image of the wafer W observed by the first observation unit 31.
When the plurality of LED chips C arranged on the wafer W are observed by the first observation unit 31, the portions indicated by B1, B2, B3, and B4 are shown as dark images, and the other portions are shown as bright images. At this time, the portions indicated by B1, B2, B3, and B4 mean that the light emitted from the LED chip C does not pass through the first filter 41 of the first observation unit 31. That is, it can be determined that the LED chip C emits light with a shift toward the short wavelength side or has a poor light emission intensity.

図２（ｃ）には、第２観察部３２で観察されたウエハーＷの画像が示されいる。
ウエハーＷ上に配列された複数のＬＥＤチップＣを第２観察部３２で観察した場合、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５，Ｂ６で示す部分は暗画像として写り、それ以外は明画像として写る。このとき、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５，Ｂ６で示す部分は、ＬＥＤチップＣから蛍光発光した光が、第２観察部３２の第１フィルタ４２を通過していないことを意味する。つまり、ＬＥＤチップＣが、長波長側にずれて発光しているか、発光強度不良であると判断できる。 FIG. 2C shows an image of the wafer W observed by the second observation unit 32.
When the plurality of LED chips C arrayed on the wafer W are observed by the second observation unit 32, the portions indicated by B1, B2, B5, and B6 appear as dark images, and the other portions appear as bright images. At this time, the portions indicated by B1, B2, B5, and B6 mean that the light emitted from the LED chip C does not pass through the first filter 42 of the second observation unit 32. That is, it can be determined that the LED chip C emits light with a shift toward the long wavelength side or has a poor light emission intensity.

つまり、第１観察部３１と第２観察部３２で観察されたウエハーＷの画像を見れば、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６に示す部分が、不良品であると判断でき、さらに両画像を見比べることにより、より具体的な不良モードを判断できる。なお、不良モードとは、例えば、発光強度不良、短波長側に波長ずれして発光、長波長側に波長ずれして発光のいずれかである。 That is, if the images of the wafer W observed by the first observation unit 31 and the second observation unit 32 are viewed, it can be determined that the portions indicated by B1, B2, B3, B4, B5, and B6 are defective products, and By comparing both images, a more specific failure mode can be determined. The failure mode is, for example, any of emission intensity failure, light emission with a wavelength shift toward the short wavelength side, and light emission with a wavelength shift toward the long wavelength side.

上述の様に、青色ＬＥＤの良否判定を行う場合、上記構成のＬＥＤチップ検査装置１を用いれば、検査対象となるＬＥＤチップＣの発光波長が４５０ｎｍ〜４６０ｎｍであれば良品とし、それ以外の波長で発光若しくは発光強度不良による不良品と判断することができる。つまり、検査対象となる蛍光発光体の正常な蛍光発光波長をオーバーラップしつつ、長波長側の光を第１観察部で、短波長側の光を第２観察部で観察でき、第１観察部と第２観察部で観察した画像を比較することで、検査対象となる蛍光発光体が正常発光か、発光強度不良か、長波長側にシフトして発光しているか、短波長側にシフトして発光しているか、発光状態を直ぐに判定でき、判定精度も高められる。よって、本発明にかかるＬＥＤチップ検査装置は、検査対象となるＬＥＤチップの発光状態を、高精度かつ短時間に検査できる。 As described above, when the quality determination of the blue LED is performed, if the LED chip inspection apparatus 1 having the above configuration is used, the LED chip C to be inspected is regarded as a non-defective product if the emission wavelength of the LED chip C is 450 nm to 460 nm. It can be determined that the product is defective due to light emission or light emission intensity failure. That is, it is possible to observe the light on the long wavelength side with the first observation unit and the light on the short wavelength side with the second observation unit while overlapping the normal fluorescence emission wavelengths of the fluorescent light emitters to be inspected. By comparing the images observed by the second and second observation units, whether the fluorescent light emitting object to be inspected is normal light emission, poor light emission intensity, light is shifted to the long wavelength side, or is shifted to the short wavelength side Therefore, it is possible to immediately determine whether the light is emitted or not, and the determination accuracy can be improved. Therefore, the LED chip inspection apparatus according to the present invention can inspect the light emission state of the LED chip to be inspected with high accuracy and in a short time.

なお、上述で設定した波長は、説明のために例示したものであり、他の色のＬＥＤの良否判定であれば、適宜他の波長に設定すれば良い。また、良品とする波長の範囲も、適宜設定すれば良い。また、ＬＥＤチップ検査装置１には、適宜、ウエハーＷを載置する載置台Ｓと、載置台ＳをＸＹ方向の任意の位置に移動させ静止させるＸＹテーブル機構（不図示）を備え、検査をさらに迅速に行える構成としても良い。 In addition, the wavelength set above is illustrated for the sake of explanation, and may be appropriately set to another wavelength if the quality of the LED of another color is determined. Also, the wavelength range for non-defective products may be set as appropriate. In addition, the LED chip inspection apparatus 1 is appropriately provided with a mounting table S on which the wafer W is mounted, and an XY table mechanism (not shown) that moves the mounting table S to an arbitrary position in the XY direction and stops the inspection. Furthermore, it is good also as a structure which can be performed rapidly.

［別の形態］
図３は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図である。
図３は、図１を用いて上述したＬＥＤチップ検査装置１の別の形態である、ＬＥＤチップ検査装置１ｂについて示したものである。 [Another form]
FIG. 3 is a side view showing another example of a form embodying the present invention.
FIG. 3 shows an LED chip inspection apparatus 1b, which is another form of the LED chip inspection apparatus 1 described above with reference to FIG.

本発明にかかるＬＥＤチップ検査装置１ｂは、ＬＥＤチップ検査装置１とは一部構成が異なり、照明部２ｂと、蛍光観察部３ｂを備えて構成されている。以下、相異点について説明を行う。 The LED chip inspection apparatus 1b according to the present invention is partly different from the LED chip inspection apparatus 1, and includes an illumination unit 2b and a fluorescence observation unit 3b. Hereinafter, the differences will be described.

照明部２ｂは、ウエハーＷの表面にパターニングされたＬＥＤチップＣに対して、斜め方向から照明光２１ｂが照射するものである。ＬＥＤチップＣは、照明光２１ｂが照射されることにより、蛍光発光した光３５ｃを発する。 The illumination part 2b irradiates the illumination light 21b to the LED chip C patterned on the surface of the wafer W from an oblique direction. The LED chip C emits fluorescent light 35c when irradiated with the illumination light 21b.

蛍光観察部３ｂは、蛍光発光した光３５ｃを観察するためのものである。
蛍光観察部３ｂには、蛍光発光した光３５ｃの光束を分岐する分岐手段３４が備えられている。分岐手段３４は、蛍光発光した光３５ｃの一部を、分岐した光３６ａとして透過させつつ、残りの光を分岐した光３６ｂとし反射させるものである。分岐手段３４としては、ハーフミラーや、ビームスプリッタ等と呼ばれる光学素子を例示することができる。 The fluorescence observation unit 3b is for observing the fluorescent light 35c.
The fluorescence observation unit 3b is provided with a branching unit 34 that branches the light beam of the fluorescent light 35c. The branching means 34 transmits a part of the fluorescent light 35c as the branched light 36a and reflects the remaining light as the branched light 36b. As the branching means 34, an optical element called a half mirror or a beam splitter can be exemplified.

具体的には、蛍光観察部３ｂの第１観察部３１と第２観察部３２とは、レンズ（不図示）などが組み込まれた鏡筒３３に取り付けられている。さらに、鏡筒３３には、分岐手段３４が取り付けられており、第１観察部３１と第２観察部３２とによって、ＬＥＤチップＣから発せられる蛍光発光した光３５ｃを同時に観察できるように構成されている。 Specifically, the first observation unit 31 and the second observation unit 32 of the fluorescence observation unit 3b are attached to a lens barrel 33 in which a lens (not shown) is incorporated. Further, a branching unit 34 is attached to the lens barrel 33 so that the first observation unit 31 and the second observation unit 32 can simultaneously observe the fluorescent light 35c emitted from the LED chip C. ing.

また、第１観察部３１の観察光路中には第１フィルタ部３１ｆが取り付けられており、第２観察部３２の観察光路中には第２フィルタ部３２ｆが取り付けられている。第１フィルタ部３１ｆは、分岐した光３６ａを通過させて、第１フィルタ部３１ｆを通過した光３７ａとして第１観察部３１で観察するためのものである。同様に、第２フィルタ部３２ｆは、分岐した光３６ｂを通過させて、第２フィルタ部３２ｆを通過した光３７ｂとして第２観察部３２で観察するためのものである。 A first filter part 31 f is attached in the observation optical path of the first observation part 31, and a second filter part 32 f is attached in the observation optical path of the second observation part 32. The first filter unit 31f is for passing the branched light 36a and observing the light 37a that has passed through the first filter unit 31f with the first observation unit 31. Similarly, the second filter unit 32f is for allowing the branched light 36b to pass therethrough and observing the light 37b passing through the second filter unit 32f with the second observation unit 32.

なお、図３では、蛍光発光した光３５ｃが垂直上方に発せられた状態について例示したが、これに限定されず、斜め方向に発せられた状態であっても良く、観察対象とする蛍光発光した光３５ｃの方向に合わせて、鏡筒３３を配置すれば良い。 3 illustrates the state in which the fluorescent light 35c is emitted vertically upward. However, the present invention is not limited to this, and the fluorescent light 35c may be emitted in an oblique direction. The lens barrel 33 may be arranged in accordance with the direction of the light 35c.

ＬＥＤチップ検査装置１ｂは、このような構成をしているため、検査対象となるＬＥＤチップＣを検査する際に、第１観察部３１と第２観察部３２を用いて、蛍光発光した光３５ｃを分岐させて同時に観察することができる。そして、双方の画像を見比べることで、上述した不良モードを迅速に判断できるようになるため、より好ましい。 Since the LED chip inspection apparatus 1b has such a configuration, when inspecting the LED chip C to be inspected, the light 35c emitted by fluorescence is emitted using the first observation unit 31 and the second observation unit 32. Can be observed simultaneously. It is more preferable to compare both images because the above-described failure mode can be quickly determined.

［別の形態］
検査対象となるＬＥＤチップＣが１枚の基板上に複数配置されていれば、蛍光観察部３の第１観察部３１と、第２観察部３２とは、検査対象となる複数のＬＥＤチップを一度に観察できる視野サイズが同じに設定されている形態とすることが好ましい。具体的には、分岐手段３４は、鏡筒３３に、ハーフミラーや、ビームスプリッタ等と呼ばれる光学素子を備えて構成する。そして、分岐手段３４から第１観察部３１，第２観察部３２までの光路長は同じにし、その間にレンズ等が配置されていれば、観察倍率が同じになるようにしておく。 [Another form]
If a plurality of LED chips C to be inspected are arranged on a single substrate, the first observation unit 31 and the second observation unit 32 of the fluorescence observation unit 3 have a plurality of LED chips to be inspected. It is preferable that the visual field sizes that can be observed at one time are set to be the same. Specifically, the branching unit 34 is configured by providing the lens barrel 33 with an optical element called a half mirror, a beam splitter, or the like. The optical path lengths from the branching unit 34 to the first observation unit 31 and the second observation unit 32 are made the same, and if a lens or the like is arranged between them, the observation magnification is made the same.

このような形態とすれば、検査対象となるＬＥＤチップＣを検査する際に、第１観察部３１と第２観察部３２とで、一度に観察する視野サイズが同じであり、双方の画像を見比べて不良モードを判断することが、より迅速にできるようになるため、より好ましい。 With such a configuration, when inspecting the LED chip C to be inspected, the first observation unit 31 and the second observation unit 32 have the same visual field size to be observed at a time, and both images are displayed. It is more preferable to determine the defective mode by comparing the two because it can be performed more quickly.

［別の形態］
図４は、本発明を具現化する形態の別の一例を示すブロック図である。
図４は、上述したＬＥＤチップ検査装置１，１ｂのさらに別の形態である、ＬＥＤチップ検査装置１ｃについて示したものである。
ＬＥＤチップ検査装置１ｃは、ＬＥＤチップ検査装置１の構成に加えて、検査対象となるＬＥＤチップの良否を判定する良否判定部７をさらに備えており、このような形態とすることがより好ましい。 [Another form]
FIG. 4 is a block diagram showing another example of a form embodying the present invention.
FIG. 4 shows an LED chip inspection apparatus 1c, which is yet another form of the LED chip inspection apparatuses 1 and 1b described above.
In addition to the configuration of the LED chip inspection apparatus 1, the LED chip inspection apparatus 1 c further includes a quality determination unit 7 that determines the quality of the LED chip to be inspected.

良否判定部７は、第１判定部７１と、第２判定部７２と、第３判定部７３を備えている。第１判定部７１は、第１観察部３１で観察された画像に基づいて、検査対象となるＬＥＤチップＣの蛍光発光強度を基に良否候補を判定するものである。
第２判定部７２は、第２観察部３２で観察された画像に基づいて、検査対象となるＬＥＤチップＣの蛍光発光強度を基に良否候補を判定するものである。
第３判定部７３は、第１判定部７１で判定された結果と、第２判定部７２で判定された結果に基づいて、検査対象となるＬＥＤチップＣの良否を判定するものである。 The pass / fail determination unit 7 includes a first determination unit 71, a second determination unit 72, and a third determination unit 73. The first determination unit 71 determines a pass / fail candidate based on the fluorescence emission intensity of the LED chip C to be inspected based on the image observed by the first observation unit 31.
The second determination unit 72 determines pass / fail candidates based on the fluorescence emission intensity of the LED chip C to be inspected based on the image observed by the second observation unit 32.
The 3rd determination part 73 determines the quality of the LED chip C used as a test object based on the result determined by the 1st determination part 71, and the result determined by the 2nd determination part 72. FIG.

具体的には、第１判定部７１と、第２判定部７２と、第３判定部７３とは、画像処理ユニットとその実行プログラムによって構成することができる。 Specifically, the first determination unit 71, the second determination unit 72, and the third determination unit 73 can be configured by an image processing unit and its execution program.

この場合、第１判定部７１は、第１観察部３１から出力されて画像処理ユニットに入力された画像データに対して、実行プログラムに基づく処理を行い、検査対象となるＬＥＤチップＣ部分の明るさ情報を取得する。そして、当該明るさ情報と、予め設定された第１閾値情報に基づいて、検査対象となるＬＥＤチップＣ部分の蛍光発光の良否候補を判定する。つまり、当該明るさ情報が、予め設定された第１閾値情報よりも明るい（明画像）と判断されれば、当該部分を良品と判定し、逆に暗い（暗画像）と判断されれば、当該部分を不良と判定する。 In this case, the 1st determination part 71 performs the process based on an execution program with respect to the image data output from the 1st observation part 31, and was input into the image processing unit, and the brightness | luminance of the LED chip C part used as a test object Get information. Then, based on the brightness information and the first threshold information set in advance, a good or bad candidate for the fluorescence emission of the LED chip C portion to be inspected is determined. That is, if the brightness information is determined to be brighter (bright image) than the preset first threshold information, the portion is determined to be non-defective, and conversely, if determined to be dark (dark image), The part is determined to be defective.

さらに、第２判定部７２は、第２観察部３２から出力されて画像処理ユニットに入力された画像データに対して、実行プログラムに基づく処理を行い、検査対象となるＬＥＤチップＣ部分の明るさ情報を取得する。そして、当該明るさ情報と、予め設定された第２閾値情報に基づいて、検査対象となるＬＥＤチップＣ部分の蛍光発光の良否候補を判定する。つまり、当該明るさ情報が、予め設定された第２閾値情報よりも明るい（明画像）と判断されれば、当該部分を良品候補と判定し、逆に暗い（暗画像）と判断されれば、当該部分を不良候補と判定する。 Further, the second determination unit 72 performs a process based on the execution program on the image data output from the second observation unit 32 and input to the image processing unit, and the brightness of the LED chip C portion to be inspected. Get information. Then, based on the brightness information and the preset second threshold value information, a good or bad candidate for fluorescence emission of the LED chip C portion to be inspected is determined. That is, if it is determined that the brightness information is brighter (bright image) than the preset second threshold information, the portion is determined to be a good product candidate, and conversely, it is determined to be dark (dark image). The part is determined as a defect candidate.

さらに、第３判定部７３は、第１判定部７１と第２判定部７２から出力された判定結果
を取得し、それらの判定結果に対して論理演算して判定結果を出力する。つまり、検査対象となるＬＥＤチップＣ部分について、第１判定部７１と第２判定部７２との判定結果が双方とも良品候補判定であれば、第３判定部７３は、論理演算により良品として判定結果を出力する。一方、第１判定部７１と第２判定部７２との判定結果のいずれかが不良品候補判定であれば、第３判定部７３は、論理演算により不良品として判定結果を出力する。この不良品判定はより具体的な不良モードを判断することができる。不良モードとは、例えば、発光強度不良、短波長側に波長ずれして発光、長波長側に波長ずれして発光のいずれかである。 Furthermore, the third determination unit 73 acquires the determination results output from the first determination unit 71 and the second determination unit 72, performs a logical operation on the determination results, and outputs the determination results. That is, for the LED chip C portion to be inspected, if the determination results of the first determination unit 71 and the second determination unit 72 are both good product candidate determination, the third determination unit 73 determines that the product is good by logical operation. Output the result. On the other hand, if any of the determination results of the first determination unit 71 and the second determination unit 72 is a defective product candidate determination, the third determination unit 73 outputs the determination result as a defective product by logical operation. This defective product determination can determine a more specific failure mode. The failure mode is, for example, any of light emission intensity failure, light emission with a wavelength shift to the short wavelength side, and light emission with a wavelength shift to the long wavelength side.

ＬＥＤチップ検査装置１ｃは、このような構成をしているため、検査対象となるＬＥＤチップＣの良否判定を自動的に行うことができる。 Since the LED chip inspection apparatus 1c has such a configuration, it is possible to automatically determine the quality of the LED chip C to be inspected.

なお、上述の中で、発光強度不良とは、発光強度が不足している状態を前提に説明した。しかし、本発明を適用して検査を行う場合、発行強度量不足に限らず、第１閾値及び第２閾値に上限を設け、いずれかの上限値以上で発光している場合も発光強度不良とする様にしても良い。 In the above description, the defect in the light emission intensity has been described on the assumption that the light emission intensity is insufficient. However, when the inspection is performed by applying the present invention, not only the issue intensity amount is insufficient, but the upper limit is provided for the first threshold value and the second threshold value, and the light emission intensity is poor even when light is emitted at any upper limit value or more. You may do it.

上述の説明では、蛍光発光体の一類型として、半完成品状態ではあるがフォトルミネッセンス特性を有するＬＥＤチップを例示し、当該ＬＥＤチップの蛍光発光波長及び蛍光発光強度に基づいた良否判定を行うことで、検査を行うことについて詳細を説明した。そのため、本発明を適用させることで、蛍光発光する半完成品状態のＬＥＤチップの検査においても、当該ＬＥＤチップに対して、高精度かつ短時間に検査できる。また、本発明は、当該フォトルミネッセンス特性を有するＬＥＤチップがウエハーなどの１枚の基板上に複数配置されていれば、一度に複数のＬＥＤチップを検査対象としてＬＥＤチップの製造工程中の半完成品状態でより短時間に検査できるので、より好ましいと言える。 In the above description, as an example of a fluorescent light emitter, an LED chip that is in a semi-finished product state but has photoluminescence characteristics is exemplified, and quality determination is performed based on the fluorescent light emission wavelength and the fluorescent light emission intensity of the LED chip. The details of performing the inspection were explained. Therefore, by applying the present invention, it is possible to inspect the LED chip with high accuracy and in a short time even in the inspection of the LED chip in a semi-finished product state that emits fluorescence. Further, according to the present invention, when a plurality of LED chips having the photoluminescence characteristics are arranged on a single substrate such as a wafer, the plurality of LED chips are inspected at a time and are semi-finished during the LED chip manufacturing process. Since it can test | inspect in a short time in a goods state, it can be said that it is more preferable.

なお、本発明の検査対象となる蛍光発光体は、上述の半完成状態のＬＥＤチップに限らず、有機ＥＬ・無機ＥＬに用いられる蛍光発光材料や、他の蛍光発光素子を含めることができ、それらの蛍光発光波長及び蛍光発光強度を検査するために本発明を適用することができる。 In addition, the fluorescent light emitter to be inspected according to the present invention is not limited to the above-mentioned semi-finished LED chip, but can include fluorescent light emitting materials used in organic EL / inorganic EL and other fluorescent light emitting elements, The present invention can be applied to inspect their fluorescence emission wavelength and fluorescence emission intensity.

１ＬＥＤチップ検査装置
１ｂＬＥＤチップ検査装置
１ｃＬＥＤチップ検査装置
２照明部
２ｂ照明部
３蛍光観察部
３ｂ蛍光観察部
７良否判定部
２１照明光
２１ｂ照明光
３１第１観察部
３２第２観察部
３１ｆ第１フィルタ部
３２ｆ第２フィルタ部
３３鏡筒
３４分岐手段
３５ａ蛍光発光した光
３５ｂ蛍光発光した光
３５ｃ蛍光発光した光
３６ａ分岐した光
３６ｂ分岐した光
３７ａ第１フィルタ部を通過した光
３７ｂ第２フィルタ部を通過した光
７１第１判定部
７２第２判定部
７３第３判定部
ＣＬＥＤチップ
Ｓ載置台
Ｗウエハー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LED chip test | inspection apparatus 1b LED chip test | inspection apparatus 1c LED chip test | inspection apparatus 2 Illumination part 2b Illumination part 3 Fluorescence observation part 3b Fluorescence observation part 7 Pass / fail judgment part 21 Illumination light 21b Illumination light 31 1st observation part 32 2nd observation part 31f First filter section 32f Second filter section 33 Lens barrel 34 Branch means 35a Fluorescent light 35b Fluorescent light 35c Fluorescent light 36a Branched light 36b Branched light 37a Light passed through first filter section 37b Second Light that has passed through the filter unit 71 First determination unit 72 Second determination unit 73 Third determination unit C LED chip S mounting table W wafer

Claims

検査対象となる蛍光発光体に向けて照明光を照射する照明部と、
前記蛍光発光体から蛍光発光した光を観察する蛍光観察部を備え、
前記蛍光観察部には、第１観察部と、第２観察部と、第１フィルタ部と、第２フィルタ部とを備え、
前記第１観察部では前記第１フィルタ部を通過した光を観察し、
前記第２観察部では前記第２フィルタ部を通過した光を観察し、
前記第１フィルタ部は、前記蛍光発光した光のうち、正常発光の判定基準となる第１の波長よりも長い波長の光を透過させ、
前記第２フィルタ部は、前記蛍光発光した光のうち、正常発光の判定基準となる第２の波長よりも短い波長の光を透過させ、
前記第１の波長は、前記第２の波長よりも短く設定されている
ことを特徴とする蛍光発光体の検査装置。
An illumination unit that irradiates illumination light toward the fluorescent light-emitting object to be inspected;
A fluorescence observation unit for observing the light emitted from the fluorescence emitter;
The fluorescence observation unit includes a first observation unit, a second observation unit, a first filter unit, and a second filter unit,
The first observation unit observes light that has passed through the first filter unit,
The second observation unit observes light that has passed through the second filter unit,
The first filter unit transmits light having a wavelength longer than the first wavelength, which is a criterion for determining normal light emission, of the fluorescent light.
The second filter unit transmits light having a shorter wavelength than the second wavelength that is a criterion for normal light emission among the fluorescent light.
The inspection apparatus for a fluorescent light emitter, wherein the first wavelength is set shorter than the second wavelength.

前記蛍光観察部には、前記蛍光発光した光の光束を分岐する分岐手段を備え、
前記第１観察部と前記第２観察部とが、前記検査対象となる蛍光発光体を同時に観察することを特徴とする、請求項１に記載の蛍光発光体の検査装置。
The fluorescence observation unit includes a branching unit that branches a light flux of the fluorescent light,
2. The fluorescent light emitter inspection apparatus according to claim 1, wherein the first observation unit and the second observation unit simultaneously observe the fluorescent light emitter to be inspected.

前記検査対象となる蛍光発光体は、１枚の基板上に複数配置されており、
前記蛍光観察部は、検査対象となる複数の蛍光発光体を一度に観察できる視野サイズが同じに設定されている
ことを特徴とする、請求項２に記載の蛍光発光体の検査装置。
A plurality of fluorescent light emitters to be inspected are arranged on one substrate,
3. The fluorescent light emitter inspection apparatus according to claim 2, wherein the fluorescence observation section is set to have the same field of view size capable of observing a plurality of fluorescent light emitters to be inspected at the same time.

当該検査対象となる蛍光発光体の良否を判定する良否判定部をさらに備え、
前記良否判定部は、
第１観察部で観察された画像に基づいて当該検査対象となる蛍光発光体の蛍光発光強度を基に良否候補を判定する第１判定部と、
第２観察部で観察された画像に基づいて当該検査対象となる蛍光発光体の蛍光発光強度を基に良否候補を判定する第２判定部と、
前記第１判定部と前記第２判定部の結果に基づいて当該検査対象となる蛍光発光体の良否を判定する第３判定部とを備えた
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の蛍光発光体の検査装置。
A pass / fail judgment unit for judging pass / fail of the fluorescent light-emitting object to be inspected;
The pass / fail judgment unit
A first determination unit that determines a pass / fail candidate based on the fluorescence emission intensity of the fluorescent light emitter to be inspected based on the image observed by the first observation unit;
A second determination unit that determines a pass / fail candidate based on the fluorescence emission intensity of the fluorescent light emitter to be inspected based on the image observed by the second observation unit;
Any one of Claims 1-3 characterized by including the 3rd determination part which determines the quality of the fluorescent substance used as the said test | inspection object based on the result of the said 1st determination part and the said 2nd determination part. An inspection apparatus for a fluorescent light emitter according to claim 1.

前記検査対象となる蛍光発光体が、フォトルミネッセンス特性を有するＬＥＤチップであることを特徴とする、請求項４に記載のＬＥＤチップの検査装置。 The LED chip inspection apparatus according to claim 4, wherein the fluorescent light emitting object to be inspected is an LED chip having photoluminescence characteristics.