JP2014162032A - Transparent conductive laminate, method for manufacturing the same, and touch panel - Google Patents

Transparent conductive laminate, method for manufacturing the same, and touch panel Download PDF

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Atsumitsu Sakurai
淳光 櫻井
Masaru Ito
大 伊藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive laminate having little dimensional changes, which allows manufacture of a capacitive touch panel having wiring lines formed therein while a transparent conductive part and a non-conductive part are made invisible.SOLUTION: The transparent conductive laminate includes a transparent conductive laminate film on both surfaces of a transparent substrate in which at least a film substrate, an optical adhesive layer and a film substrate are successively disposed, with the transparent conductive laminate film including, successively from the transparent substrate side, an optical adjusting layer and a transparent conductive part. The transparent conductive laminate film shows a dimensional change rate of 0.15% or less before and after the film is kept at 150°C for one hour. The transparent conductive laminate includes an electrode wiring line connected to the transparent conductive part.

Description

本発明は、静電容量方式のタッチパネルに適した透明導電積層体、該透明導電積層体の製造に適した透明導電積層体製造方法、及び、該透明導電積層体を用いたタッチパネルに関する。   The present invention relates to a transparent conductive laminate suitable for a capacitive touch panel, a transparent conductive laminate manufacturing method suitable for manufacturing the transparent conductive laminate, and a touch panel using the transparent conductive laminate.

近年、入力デバイスとして、タッチパネルが用いられている。タッチパネルは、表示画面上の表示部位を触れることで機器を操作する入力デバイスである。タッチパネルでは、抵抗膜方式、静電容量方式、などの形式が知られている。   In recent years, touch panels have been used as input devices. The touch panel is an input device that operates a device by touching a display part on the display screen. For touch panels, forms such as a resistive film type and a capacitance type are known.

抵抗膜方式は、対向する２枚の抵抗膜を備える方式である。片方の抵抗膜に電圧をかけた状態で、他方の抵抗膜を押圧すると、押圧した位置に対応して、押圧した抵抗膜側が対向した抵抗膜に接することで、電圧を検知する事により、操作した場所を検知することができる。   The resistance film method is a method including two opposing resistance films. When a voltage is applied to one resistance film and the other resistance film is pressed, the pressed resistance film side is in contact with the opposing resistance film corresponding to the pressed position, thereby detecting the voltage. Can be detected.

静電容量方式は、指先などの静電的な導電性の部位と、導電膜との間での静電容量の変化を捉えて位置を検出する方式である。表示画面上に透明導電部と非導電部を配置することにより、指先が透明導電部に近づくときの静電容量の変化から位置を検知することができる。また、静電容量方式では、異なる配線形状の透明導電膜を重ねることで、多点検出が可能であり、より直感的な操作の実現が可能である。   The capacitance method is a method of detecting a position by capturing a change in capacitance between a conductive part such as a fingertip and a conductive film. By arranging the transparent conductive portion and the non-conductive portion on the display screen, the position can be detected from the change in capacitance when the fingertip approaches the transparent conductive portion. Further, in the capacitive method, multiple points can be detected by overlapping transparent conductive films having different wiring shapes, and a more intuitive operation can be realized.

上述のようなタッチパネルでは、導電部からの引き出し配線を狭くする狭額縁化がもとめられており、寸法変化による差を抑えることで、引き出し配線を安定して形成させることが求められている。   In the touch panel as described above, a narrow frame is required to narrow the lead-out wiring from the conductive portion, and it is required to stably form the lead-out wiring by suppressing a difference due to a dimensional change.

例えば、静電容量式タッチパネルにおいて、低寸法変化なタッチパネル向け透明導電体が提案されている。（特許文献１参照）   For example, in a capacitive touch panel, a transparent conductor for a touch panel having a low dimensional change has been proposed. (See Patent Document 1)

特許第４７５４９５５号公報Japanese Patent No. 4754955

静電容量方式のタッチパネルでは、２つのフィルムを貼り合わせた構成でなる透明基材の両面に透明導電部と非導電部を不可視に形成し、低寸法変化な透明導電積層体を使用したタッチパネルは提供されていなかった。   In a capacitive touch panel, a transparent conductive part and a non-conductive part are formed invisible on both sides of a transparent base material formed by bonding two films, and a touch panel using a transparent conductive laminate having a low dimensional change is used. Was not provided.

そこで、本発明は上述の問題を解決するためになされたものであり、透明導電部及び非導電部を不可視にした状態で、２つのフィルムを貼り合わせた構成でなる透明基材の両面に透明導電部と非導電部を不可視に形成し、静電容量方式のタッチパネルを可能とする低寸法変化な透明導電体、及びその製造方法並びにタッチパネルを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is transparent on both sides of a transparent substrate having a structure in which two films are bonded together with the transparent conductive portion and the non-conductive portion being invisible. It is an object of the present invention to provide a transparent conductor having a low dimensional change, in which a conductive part and a non-conductive part are formed invisible, enabling a capacitive touch panel, a manufacturing method thereof, and a touch panel.

第１の発明に係る透明導電積層体は、少なくとも、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電部を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を備えた透明導電積層体であって、前記透明導電積層膜の１５０℃１時間前後の寸法変化率が０．１５％以下であり、前記透明導電部に接続された電極配線を備えていることを特徴とする透明導電積層体である。   The transparent conductive laminate according to the first invention has at least an optical adjustment layer and a transparent conductive portion provided in order from the transparent substrate on both sides of the transparent substrate in which at least the film base, the optical adhesive layer, and the film base are provided. A transparent conductive laminate comprising the transparent conductive laminate film, wherein the transparent conductive laminate film has a dimensional change rate of about 0.15% or less around 150 ° C. for 1 hour, and is connected to the transparent conductive portion. It is provided with the transparent conductive laminated body characterized by the above-mentioned.

また、第２の発明に係る透明導電積層体は、前記第１の発明において、前記光学調整層が、前記透明基板の両面に金属酸化物層、酸化ケイ素層がこの順で設けられてなることを特徴とする透明導電積層体である。   In the transparent conductive laminate according to the second invention, in the first invention, the optical adjustment layer is provided with a metal oxide layer and a silicon oxide layer in this order on both surfaces of the transparent substrate. It is a transparent conductive laminated body characterized by these.

また、第３の発明に係る透明導電積層体は、前記第１または第２の発明において、前記透明基板の両面に設けられた透明導電層をパターニングすることにより、前記透明導電部と共に非導電部が形成されている透明導電積層体である。   Moreover, the transparent conductive laminate according to the third invention is the non-conductive part together with the transparent conductive part by patterning the transparent conductive layer provided on both surfaces of the transparent substrate in the first or second invention. Is a transparent conductive laminate in which is formed.

また、第４の発明に係るタッチパネルは、前記第１から第３のいずれかの発明の透明導電積層体を用いたタッチパネルである。   A touch panel according to a fourth invention is a touch panel using the transparent conductive laminate of any one of the first to third inventions.

また、第５の発明に係る透明導電積層体の製造方法は、前記第１から第３のいずれかの発明の透明導電積層体を製造する透明導電積層体の製造方法であって、前記透明導電積層膜を形成後に固定して加熱処理をする工程と、透明導電層を前記透明導電部と前記非導電部とにパターン形成する工程と、前記電極配線を加工する工程とを含む透明導電積層体の製造方法である。   Moreover, the manufacturing method of the transparent conductive laminated body which concerns on 5th invention is a manufacturing method of the transparent conductive laminated body which manufactures the transparent conductive laminated body of any one of the said 1st to 3rd invention, Comprising: The said transparent conductive A transparent conductive laminate including a step of fixing and heat-treating after forming a laminated film, a step of patterning a transparent conductive layer into the transparent conductive portion and the non-conductive portion, and a step of processing the electrode wiring It is a manufacturing method.

本発明の透明導電積層体は、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電層を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜に対し、加熱する工程後の透明導電積層膜の１５０℃１時間前後の変化率が０．１５％以下であり、加熱する工程後の透明導電積層膜の透明導電部に電極配線が接続されている静電容量方式のタッチパネルを提供することが出来る。これにより、透明導電部及び非導電部を不可視にした状態で、２つのフィルムを貼り合わせた構成でなる透明基材の両面に透明導電部と非導電部を不可視に形成し、静電容量方式のタッチパネルを可能とする低寸法変化な透明導電体、及びその製造方法並びにそれを用いたタッチパネルを提供することができる。   The transparent conductive laminate of the present invention is a transparent conductive laminate film in which an optical adjustment layer and a transparent conductive layer are provided in order from a transparent substrate on both surfaces of a transparent substrate in which a film base, an optical adhesive layer, and a film base are provided in order. On the other hand, the rate of change of the transparent conductive laminated film after the heating step at around 150 ° C. for about 1 hour is 0.15% or less, and the electrode wiring is connected to the transparent conductive portion of the transparent conductive laminated film after the heating step. A capacitive touch panel can be provided. Thereby, in a state where the transparent conductive portion and the non-conductive portion are made invisible, the transparent conductive portion and the non-conductive portion are formed invisible on both surfaces of the transparent base material formed by bonding the two films, and the electrostatic capacity method It is possible to provide a transparent conductor having a low dimensional change that enables a touch panel, a manufacturing method thereof, and a touch panel using the same.

本発明の透明導電積層体の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the transparent conductive laminated body of this invention.

以下、本発明の透明導電積層体について説明を行う。   Hereinafter, the transparent conductive laminate of the present invention will be described.

フィルム基材は、基体となる部位であり、可視光域で透明な材料であればよい。例えば、（１）無機ガラス、（２）ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど）、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６など）、ポリイミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、などの透明樹脂、を用いてもよい。また、フィルム基材は、上記の透明樹脂を無延伸・延伸させたプラスチックフィルムであってもよい。また、フィルム基材は複数の材料が積層された複合フィルムであってもよい。   The film base material is a part that becomes a base material, and may be any material that is transparent in the visible light range. For example, (1) inorganic glass, (2) polyolefin (polyethylene, polypropylene, etc.), polyester (polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc.), polyamide (nylon 6, nylon 66, etc.), polyimide, polyarylate, polycarbonate Transparent resins such as polyacrylate, polyethersulfone, and polysulfone may be used. Further, the film substrate may be a plastic film obtained by non-stretching / stretching the transparent resin. The film substrate may be a composite film in which a plurality of materials are laminated.

また、フィルム基材の厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電積層体においてフィルム基材の厚みは上記範囲に限定されるものではない。   Moreover, it is preferable that the thickness of a film base material exists in the range of about 10 micrometers or more and 200 micrometers or less. However, the thickness of the film substrate in the transparent conductive laminate of the present invention is not limited to the above range.

また、フィルム基材に表面処理を行ってもよい。表面処理を行うことにより、フィルム基材の表面上に積層される層の接着を強固にすることが出来る。表面処理としては、例えば、易接着処理、プラズマ処理、コロナ処理、オゾン処理、などの方法が挙げられる。   Moreover, you may surface-treat to a film base material. By performing the surface treatment, the adhesion of the layer laminated on the surface of the film substrate can be strengthened. Examples of the surface treatment include methods such as easy adhesion treatment, plasma treatment, corona treatment, and ozone treatment.

また、フィルム基材は表面にハードコート層が形成されてもよい。ハードコート層を形成することにより、透明基板の機械強度、耐擦性、などを向上することが出来る。ハードコート層に用いる材料は、可視光域で透明な材料であればよい。例えば、（１）アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系樹脂、（２）有機珪素系樹脂、（３）熱硬化型ポリシロキサン樹脂、などの透明樹脂、をハードコート層の材料として用いてよい。   The film base may have a hard coat layer formed on the surface. By forming the hard coat layer, the mechanical strength, scratch resistance, etc. of the transparent substrate can be improved. The material used for the hard coat layer may be any material that is transparent in the visible light range. For example, (1) acrylic resins such as acrylic esters, acrylamides, methacrylic esters, and methacrylamides, (2) transparent resins such as organosilicon resins, (3) thermosetting polysiloxane resins, May be used as a material for the hard coat layer.

ハードコート層の形成方法としては、ハードコート層に選択した材料に応じた薄膜形成方法を用いて行ってよい。例えば、選択した主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料とを溶剤に溶解させ塗液を調整し、該塗液を、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーター、などの塗布方法を用いてフィルム基材に塗布することにより形成してもよい。   As a method for forming the hard coat layer, a thin film forming method corresponding to the material selected for the hard coat layer may be used. For example, a selected main component resin and a material that absorbs ultraviolet rays are dissolved in a solvent to prepare a coating solution, and the coating solution is a die coater, curtain flow coater, roll coater, reverse roll coater, gravure coater, knife. You may form by apply | coating to a film base material using coating methods, such as a coater, a bar coater, a spin coater, and a micro gravure coater.

また、表裏両面にハードコート層が形成されたフィルム基材を用いることが好ましい。表裏のハードコート層の膜厚を制御することにより、本発明の透明導電膜において、透明導電積層体の表裏の応力が対称となるべく調整することができる。表裏の応力を調整することにより、反りの発生などを抑制することが出来、好適にタッチパネルに組みこむことが出来る。   Moreover, it is preferable to use the film base material in which the hard-coat layer was formed in both front and back. By controlling the film thickness of the front and back hard coat layers, the stress on the front and back of the transparent conductive laminate can be adjusted to be symmetric in the transparent conductive film of the present invention. By adjusting the stresses on the front and back sides, it is possible to suppress the occurrence of warpage and the like, and it can be suitably incorporated into the touch panel.

また、ハードコート層の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電積層体において透明基板の厚みは上記範囲に限定されるものではない。   Moreover, it is preferable that the thickness of a hard-coat layer exists in the range of about 1 micrometer or more and 10 micrometers or less. However, in the transparent conductive laminate of the present invention, the thickness of the transparent substrate is not limited to the above range.

透明導電部は、可視光域で透明、かつ、電気伝導性を有する材料であればよい。例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛、カーボンナノチューブ、グラフェン、ナノ銀、導電性高分子樹脂（イオン伝導機構を有する４級アンモニウム塩系導電性モノマー、電子伝導機構を有する導電性微粒子、π共役系導電性高分子、などを含む樹脂）、などを用いてよい。   The transparent conductive part may be any material that is transparent in the visible light region and has electrical conductivity. For example, indium tin oxide (ITO), zinc oxide, carbon nanotube, graphene, nano silver, conductive polymer resin (quaternary ammonium salt-based conductive monomer having ionic conduction mechanism, conductive having electron conduction mechanism) A resin containing a conductive fine particle, a π-conjugated conductive polymer, or the like.

また、導電部にＩＴＯを使用する場合、導電部の光学膜厚は３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。３０ｎｍより薄い場合、膜厚が薄く導電性能が充分に得られない。また、８０ｎｍより厚い場合、得られた薄膜の透過率は低下し、光学特性が低下する。ただし、本発明の透明導電積層体においてＩＴＯの薄膜を用いた透明導電パターン電極の光学膜厚は上記範囲に限定されるものではない。   Moreover, when using ITO for a conductive part, it is preferable that the optical film thickness of a conductive part exists in the range of 30 nm or more and 80 nm or less. When the thickness is less than 30 nm, the film thickness is small, and sufficient conductive performance cannot be obtained. On the other hand, when it is thicker than 80 nm, the transmittance of the obtained thin film is lowered and the optical properties are lowered. However, the optical film thickness of the transparent conductive pattern electrode using the ITO thin film in the transparent conductive laminate of the present invention is not limited to the above range.

また、透明基板に、高屈折率層および低屈折率層が透明基板表面から見てこの順で積層されていてもよい。屈折率の異なる層を積層することにより、異なる層界面での反射光同士の位相を逆転させて打ち消すことで反射光を軽減することが出来る。このため、透明基板側から発せられる反射光を軽減することが出来ることから、観察面側に近い透明導電パターン電極の視認を困難にすることが出来る。なお、「高屈折率層および低屈折率層」における、高屈折率および低屈折率とは、片方の層が他方の層と屈折率が異なることから相対的に区別したものである。また、軽減する反射光の帯域は、各層の屈折率および光学膜厚で制御できることから、各層の物理膜厚は阻害したい帯域に応じて適宜光学設計し、決定してよい。   Moreover, the high refractive index layer and the low refractive index layer may be laminated on the transparent substrate in this order as viewed from the transparent substrate surface. By laminating layers having different refractive indexes, the reflected light can be reduced by reversing the phases of reflected light at different layer interfaces and canceling them. For this reason, since the reflected light emitted from the transparent substrate side can be reduced, it is difficult to visually recognize the transparent conductive pattern electrode close to the observation surface side. The “high refractive index layer and low refractive index layer” in the “high refractive index layer and low refractive index layer” are relatively distinguished because one layer has a refractive index different from that of the other layer. In addition, since the band of reflected light to be reduced can be controlled by the refractive index and optical film thickness of each layer, the physical film thickness of each layer may be determined by optical design as appropriate according to the band to be inhibited.

例えば、透明基材とハードコート層の屈折率が１．５以上１．７以下の範囲にあり、透明導電パターン電極に、酸化インジウム錫の薄膜（光学膜厚：３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下）を用いる場合、高屈折率層（屈折率：１．７以上２．６以下、光学膜厚：５ｎｍ以上２５ｎｍ以下）、低屈折率層（屈折率：１．３以上１．５以下、光学膜厚：５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下）とすることにより、可視光下における酸化インジウム錫に特有な黄色味を軽減することができる。上述の範囲を満たす高屈折率層および低屈折率層の材料の組み合わせとしては、例えば、高屈折率層：酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、低屈折率層：酸化ケイ素（ＳｉＯＸ「ｘは酸素原子の数」）の組み合わせなどが挙げられる。 For example, the refractive index of the transparent substrate and the hard coat layer is in the range of 1.5 to 1.7, and a thin film of indium tin oxide (optical film thickness: 30 nm to 80 nm) is used for the transparent conductive pattern electrode. , High refractive index layer (refractive index: 1.7 to 2.6, optical film thickness: 5 nm to 25 nm), low refractive index layer (refractive index: 1.3 to 1.5, optical film thickness: 50 nm) By setting the thickness to 100 nm or less, the yellowness peculiar to indium tin oxide under visible light can be reduced. Examples of combinations of materials of the high refractive index layer and the low refractive index layer that satisfy the above-described range include, for example, a high refractive index layer: niobium oxide (Nb 2 O 5 ), a low refractive index layer: silicon oxide (SiO X “x” And the combination of “the number of oxygen atoms”).

高屈折率層および低屈折率層の形成方法としては、高屈折率層および低屈折率層に選択した材料に応じた薄膜形成方法を用いて行ってよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。特に、気相成膜方法は厳密に膜厚制御を行うことが出来、所望の光学膜厚に調整することが可能であることから、気相成膜方法を用いることが好ましい。   As a method for forming the high refractive index layer and the low refractive index layer, a thin film forming method corresponding to the material selected for the high refractive index layer and the low refractive index layer may be used. For example, (1) coating methods such as screen printing and ink jet printing, (2) magnetron sputtering methods, physical vacuum deposition methods (PVD) such as EB deposition methods that irradiate accelerated electron beams, chemical vapor deposition methods (CVD), For example, a vapor deposition method such as the above may be used. In particular, the vapor phase film forming method can strictly control the film thickness and can be adjusted to a desired optical film thickness, and therefore, it is preferable to use the vapor phase film forming method.

本発明の透明導電膜では、透明導電部に接続する配線部は、電気伝導性を有し、加工性に優れた材料から適宜選択して用いてよい。例えば、銅、銀、金、などの金属配線などを用いてもよい。   In the transparent conductive film of the present invention, the wiring part connected to the transparent conductive part may be appropriately selected from materials having electrical conductivity and excellent workability. For example, metal wiring such as copper, silver, and gold may be used.

また、配線部の厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電積層体において配線部の厚みは上記範囲に限定されるものではない。   Moreover, it is preferable that the thickness of a wiring part exists in the range of about 0.1 micrometer or more and 2 micrometers or less. However, the thickness of the wiring part in the transparent conductive laminate of the present invention is not limited to the above range.

透明導電積層膜の加熱は、真空吸着法や両面からのプレス法などを用いることによる固定した状態を用いてもよい。   The transparent conductive laminated film may be heated in a fixed state by using a vacuum adsorption method or a pressing method from both sides.

加熱方法としては、真空中もしくは大気中でも実施してよく、赤外線アニール法などを用いてもよい。   As a heating method, the heating may be performed in a vacuum or in the air, and an infrared annealing method or the like may be used.

また、加熱温度としては、１００℃以上１５０℃以下であることが好ましい。１００℃未満だとＩＴＯの結晶化に時間がかかり、１５０℃より高い温度では、熱負けによる伸びやテンションがかかった際に破断することが懸念される。寸法変化率は、１５０℃１時間前後で０．１５％、好ましくは０．１％以下にするとよい。   Moreover, as heating temperature, it is preferable that they are 100 degreeC or more and 150 degrees C or less. If it is lower than 100 ° C., it takes time to crystallize ITO, and if it is higher than 150 ° C., there is a concern that it breaks when it is stretched or tensioned by heat loss. The dimensional change rate may be 0.15%, preferably 0.1% or less at around 150 ° C. for 1 hour.

加熱工程は、透明導電層の結晶化と透明導電積層膜の低寸法変化を目的として実施し、少なくとも、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電層を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を形成した後や、フィルム基材と光学粘着層を貼り合わせる前にフィルム基材上に光学調整層及び透明導電層を透明基板から順に形成した後に加熱する手順が考えられるが、特にフィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電層を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を形成した後に実施するとよい。   The heating process is carried out for the purpose of crystallization of the transparent conductive layer and the low dimensional change of the transparent conductive laminated film, and at least optically applied to both sides of the transparent substrate comprising a film base, an optical adhesive layer, and a film base in order. The optical adjustment layer and the transparent conductive layer are transparent on the film substrate after forming the transparent conductive laminated film in which the adjustment layer and the transparent conductive layer are sequentially provided from the transparent substrate, and before the film substrate and the optical adhesive layer are bonded together. Although a procedure of heating after forming in order from the substrate can be considered, in particular, an optical adjustment layer and a transparent conductive layer are provided in order from the transparent substrate on both sides of the transparent substrate in which the film base, the optical adhesive layer, and the film base are provided in order. It is good to carry out after forming the transparent conductive laminated film.

図１に、本発明の透明導電積層体の一例を概略図で示す。
図１の透明導電積層体１２は、透明基板１０がフィルム基材１ａ、光学粘着層９、フィルム基材１ｂを順に有するように形成されており、透明基板１０においてさらに、フィルム基材１ａ、１ｂの表裏両面にそれぞれハードコート層２ａ，２ｂが形成された構成を備えている。透明基板１０の両面には、金属酸化化合物層３ａ，３ｂ、酸化ケイ素層４ａ，４ｂ、酸化インジウム・スズ層５ａ，５ｂが形成されており、酸化インジウム・スズ層が導電部（透明導電部）５ａ，５ｂと非導電部６ａ，６ｂにパターニングされ、導電部５ａ，５ｂの端部から配線部（電極配線）７ａ，７ｂが形成されている。図１の透明導電積層体１２は、一方のフィルム基材上にハードコート層、金属酸化化合物層、酸化ケイ素層、酸化インジウム・スズ層、配線部を形成した後に２枚のフィルムを加熱し、１５０℃１時間前後の寸法変化率が０．１５％以下となるようにした後、光学粘着層９を介して貼り合わせて形成してもよい。 In FIG. 1, an example of the transparent conductive laminated body of this invention is shown with a schematic diagram.
The transparent conductive laminate 12 of FIG. 1 is formed so that the transparent substrate 10 has a film base 1a, an optical adhesive layer 9, and a film base 1b in this order, and the transparent base 10 further includes film bases 1a and 1b. The hard coat layers 2a and 2b are respectively formed on both the front and back surfaces. Metal oxide compound layers 3a and 3b, silicon oxide layers 4a and 4b, and indium / tin oxide layers 5a and 5b are formed on both surfaces of the transparent substrate 10, and the indium / tin oxide layer is a conductive portion (transparent conductive portion). 5a, 5b and non-conductive portions 6a, 6b are patterned, and wiring portions (electrode wiring) 7a, 7b are formed from the ends of the conductive portions 5a, 5b. The transparent conductive laminate 12 of FIG. 1 heats two films after forming a hard coat layer, a metal oxide compound layer, a silicon oxide layer, an indium tin oxide layer, and a wiring portion on one film substrate, After the dimensional change rate at about 150 ° C. for about 1 hour is 0.15% or less, the optical adhesive layer 9 may be used for bonding.

以下、本発明の透明導電積層体１２の製造方法について説明を行う。   Hereinafter, the manufacturing method of the transparent conductive laminated body 12 of this invention is demonstrated.

＜透明導電部形成工程＞
まず、透明基板に透明導電部材料による透明導電層の薄膜を形成し、該薄膜にパターン形成することにより、導電部５ａ，５ｂと非導電部６ａ，６ｂを形成する。これにより、透明導電積層膜１１が形成される。 <Transparent conductive part formation process>
First, a thin film of a transparent conductive layer made of a transparent conductive part material is formed on a transparent substrate, and the conductive parts 5a and 5b and the non-conductive parts 6a and 6b are formed by patterning the thin film. Thereby, the transparent conductive laminated film 11 is formed.

導電部材料による薄膜の形成は、導電部５ａ，５ｂに選択した材料に応じて、適した薄膜形成方法を用いてよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。特に、導電部５ａ，５ｂの材料にＩＴＯを用いる場合、気相成膜方法によりＩＴＯ薄膜を形成すると電荷密度が向上し導電性も向上する傾向があることから、気相成膜方法を用いることが好ましい。   For the formation of the thin film using the conductive portion material, a suitable thin film forming method may be used according to the material selected for the conductive portions 5a and 5b. For example, (1) coating methods such as screen printing and inkjet printing, (2) physical vacuum deposition (PVD) methods such as magnetron sputtering method, EB deposition method irradiating accelerated electron beam, chemical vapor deposition method A vapor phase film forming method such as (CVD: Chemical Vapor Deposition) may be used. In particular, when ITO is used as the material of the conductive portions 5a and 5b, the formation of the ITO thin film by the vapor deposition method tends to improve the charge density and the conductivity, so use the vapor deposition method. Is preferred.

導電部材料による薄膜に対するパターン形成は、導電部５ａ，５ｂに選択した材料に応じて、適したパターニング方法を用いてよい。例えば、薄膜上に所望するパターンと対応するエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより、薄膜にパターン形成してもよい。パターニング方法としては、例えば、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、電子線描画、などが挙げられる。また、エッチャント液としては、例えば、塩化第二鉄液、王水、塩酸、シュウ酸、などを用いてもよい。   The pattern formation for the thin film using the conductive portion material may use a suitable patterning method according to the material selected for the conductive portions 5a and 5b. For example, a pattern may be formed on the thin film by forming an etchant mask corresponding to a desired pattern on the thin film and immersing it in an etchant solution. Examples of the patterning method include screen printing, photolithography, nanoimprint, electron beam drawing, and the like. Further, as the etchant solution, for example, ferric chloride solution, aqua regia, hydrochloric acid, oxalic acid, etc. may be used.

＜加熱工程＞
次に、透明導電積層膜１１の加熱処理をおこない、透明導電積層膜１１の加熱後の１５０℃１時間前後の寸法変化を０．１５％以下にする。 <Heating process>
Next, the transparent conductive laminated film 11 is heat-treated, and the dimensional change around 150 ° C. for 1 hour after the transparent conductive laminated film 11 is heated is set to 0.15% or less.

加熱方法としては、真空中でも大気中で実施してもよい。   The heating method may be performed in a vacuum or in the air.

また、加熱時の状態としては、真空吸着法やプレス法を用いた面を固定する方法や、両端にテンションをかけるなどの固定方法が考えられる。   Moreover, as a state at the time of heating, a fixing method such as a method of fixing a surface using a vacuum adsorption method or a press method or a tension applied to both ends can be considered.

＜配線部形成工程＞
次に、配線部７ａ，７ｂに選択した材料による薄膜を形成し、前記導電部５ａ，５ｂと接続する配線部７ａ，７ｂを形成する。 <Wiring section forming process>
Next, a thin film made of the selected material is formed on the wiring portions 7a and 7b, and wiring portions 7a and 7b connected to the conductive portions 5a and 5b are formed.

配線部材料による薄膜の形成は、配線部７ａ，７ｂに選択した材料に応じて、適した薄膜形成方法を用いてよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。   For the formation of the thin film by the wiring part material, a suitable thin film forming method may be used according to the material selected for the wiring parts 7a and 7b. For example, (1) coating methods such as screen printing and ink jet printing, (2) magnetron sputtering methods, physical vacuum deposition methods (PVD) such as EB deposition methods that irradiate accelerated electron beams, chemical vapor deposition methods (CVD), For example, a vapor deposition method such as the above may be used.

また、配線部７ａ，７ｂにパターニングを施し、一層に複数本の配線を形成してもよい。
配線部材料による薄膜に対するパターン形成は、配線部７ａ，７ｂに選択した材料に応じて、適したパターニング方法を用いてよい。例えば、薄膜上に所望するパターンと対応するエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより、薄膜にパターン形成してもよい。パターニング方法としては、例えば、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、電子線描画、などが挙げられる。また、エッチャント液としては、例えば、塩化第二鉄液、王水、塩酸、シュウ酸、などを用いてもよい。 Alternatively, the wiring portions 7a and 7b may be patterned to form a plurality of wirings in one layer.
The pattern formation for the thin film by the wiring part material may use a suitable patterning method according to the material selected for the wiring parts 7a and 7b. For example, a pattern may be formed on the thin film by forming an etchant mask corresponding to a desired pattern on the thin film and immersing it in an etchant solution. Examples of the patterning method include screen printing, photolithography, nanoimprint, electron beam drawing, and the like. Further, as the etchant solution, for example, ferric chloride solution, aqua regia, hydrochloric acid, oxalic acid, etc. may be used.

＜実施例１＞
まず、フィルム基材１ａ，１ｂの表裏両面に樹脂を塗工し、下部ハードコート層２ｂおよび上部ハードコード層２ａを形成した。
フィルム基材１ａ，１ｂには、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）を用いた。また、下部ハードコート層２ｂの膜厚は１．５μｍであった。また、上部ハードコード層２ａの膜厚は１．５μｍであった。 <Example 1>
First, the resin was applied to both the front and back surfaces of the film bases 1a and 1b to form the lower hard coat layer 2b and the upper hard cord layer 2a.
As the film bases 1a and 1b, a polyethylene terephthalate film (PET) having a thickness of 50 μm was used. The film thickness of the lower hard coat layer 2b was 1.5 μm. The film thickness of the upper hard cord layer 2a was 1.5 μm.

次に、上部ハードコート層２ａ上に、高屈折率層３ａ，３ｂを形成した。
高屈折率層３ａ，３ｂに用いる材料は、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）とした。また、高屈折率層３ａ，３ｂの形成にはマグネトロンスパッタリングを用いた。 Next, high refractive index layers 3a and 3b were formed on the upper hard coat layer 2a.
The material used for the high refractive index layers 3a and 3b was niobium oxide (Nb 2 O 5 ). Magnetron sputtering was used to form the high refractive index layers 3a and 3b.

次に、高屈折率層３ａ，３ｂ上に、低屈折率層４ａ，４ｂを形成した。
低屈折率層４ａ，４ｂの材料には、酸化ケイ素を用いた。また、低屈折率層４ａ，４ｂの形成には、マグネトロンスパッタリングを用いた。 Next, low refractive index layers 4a and 4b were formed on the high refractive index layers 3a and 3b.
Silicon oxide was used as the material of the low refractive index layers 4a and 4b. Further, magnetron sputtering was used to form the low refractive index layers 4a and 4b.

次に、低屈折率層４ａ，４ｂ上に、透明導電パターン電極（導電部５ａ，５ｂ）を形成した。
透明導電パターン電極に用いる材料は、酸化スズを５ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）とした。また、透明導電パターン電極は、マグネトロンスパッタリングにてＩＴＯの薄膜を形成し、スクリーン印刷にてパターンに応じたエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより形成した。このとき、導電部５ａ，５ｂと非導電部６ａ，６ｂのパターン幅は、導電部５ａ，５ｂが５ｍｍ、非導電部６ａ，６ｂが７０μｍのパターンとした。また、エッチャント液には、塩化第二鉄液を用いた。 Next, transparent conductive pattern electrodes (conductive portions 5a and 5b) were formed on the low refractive index layers 4a and 4b.
The material used for the transparent conductive pattern electrode was indium tin oxide (ITO) containing 5 wt% of tin oxide. Moreover, the transparent conductive pattern electrode was formed by forming an ITO thin film by magnetron sputtering, forming an etchant mask corresponding to the pattern by screen printing, and immersing in an etchant solution. At this time, the pattern widths of the conductive portions 5a and 5b and the non-conductive portions 6a and 6b were set such that the conductive portions 5a and 5b were 5 mm, and the non-conductive portions 6a and 6b were 70 μm. A ferric chloride solution was used as the etchant solution.

次に、加熱処理を実施した。１００℃、５０Ｎでテンションをかけながら１０分間加熱を実施した。   Next, heat treatment was performed. Heating was performed for 10 minutes while applying tension at 100 ° C. and 50N.

次に、導電部５ａ，５ｂと接続する配線部７ａ，７ｂを形成した。
配線部７ａ，７ｂに用いる材料は、銅とした。また、下層配線部７ｂは、マグネトロンスパッタリングにて銅の薄膜を形成し、スクリーン印刷にてパターンに応じたエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより形成した。このとき、エッチャント液には、過硫酸ナトリウム水溶液を用いた。また、下層配線部７ｂの配線パターンは、導電部のパターンであるラインパターンと接続する配線パターンとした。 Next, wiring portions 7a and 7b connected to the conductive portions 5a and 5b were formed.
The material used for the wiring portions 7a and 7b was copper. The lower wiring portion 7b was formed by forming a copper thin film by magnetron sputtering, forming an etchant mask corresponding to the pattern by screen printing, and immersing in an etchant solution. At this time, a sodium persulfate aqueous solution was used as the etchant solution. The wiring pattern of the lower layer wiring portion 7b is a wiring pattern connected to the line pattern that is the pattern of the conductive portion.

その後、光学粘着層９を介して２つの透明導電膜を貼り合わせ、両面にパターニングされた透明導電積層体１２を作成した。   Then, two transparent conductive films were bonded together through the optical adhesive layer 9, and the transparent conductive laminated body 12 patterned on both surfaces was created.

以上より、本発明の透明導電積層体を製造した。このとき、製造した透明導電膜は、高屈折率層／低屈折率層／導電部の各層の光学膜厚は、高屈折率層：１２ｎｍ、低屈折率層：７４ｎｍ、導電部：４０ｎｍ、であった。   From the above, the transparent conductive laminate of the present invention was produced. At this time, in the manufactured transparent conductive film, the optical film thickness of each of the high refractive index layer / low refractive index layer / conductive portion is as follows: high refractive index layer: 12 nm, low refractive index layer: 74 nm, conductive portion: 40 nm. there were.

＜評価＞
実施例１と比較例１とにおいて、全光線透過率、透過色相ｂ＊、１５０℃１時間前後での寸法変化を実施した。 <Evaluation>
In Example 1 and Comparative Example 1, the total light transmittance, transmitted hue b *, and dimensional change at around 150 ° C. for 1 hour were performed.

この透明導電積層体１２の導電性パターン領域の全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ７１０５）は９０．６％、透過色相ｂ＊は２．５であり、高透過率・高透明でかつ、パターン領域の目立たない透明導電積層体が得られた。また、１５０℃１時間前後での寸法変化率が０．０９％である透明導電積層体が得られた。   The total light transmittance (JIS-K7105) of the conductive pattern region of the transparent conductive laminate 12 is 90.6%, the transmitted hue b * is 2.5, high transmittance and high transparency, and the pattern region An inconspicuous transparent conductive laminate was obtained. Moreover, the transparent conductive laminated body whose dimensional change rate in 150 degreeC around 1 hour is 0.09% was obtained.

＜比較例１＞
実施例１と同様に透明導電積層体を作製した。ただし、加熱は実施しなかった。 <Comparative Example 1>
A transparent conductive laminate was produced in the same manner as in Example 1. However, heating was not performed.

この透明導電性積層体の導電性パターン領域の全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ７１０５）は８９％、透過色相ｂ＊は３．２であり、１５０℃１時間前後での寸法変化率は、０．７％であった。   The total light transmittance (JIS-K7105) of the conductive pattern region of this transparent conductive laminate was 89%, the transmitted hue b * was 3.2, and the dimensional change rate at around 150 ° C. for 1 hour was 0. 7%.

＜比較例２＞
実施例１と同様に透明導電積層体を作製した。加熱７０℃、５０Ｎでテンションをかけながら１０分間加熱を実施した <Comparative example 2>
A transparent conductive laminate was produced in the same manner as in Example 1. Heating was performed for 10 minutes while applying tension at 70 ° C. and 50 N.

この透明導電性積層体の導電性パターン領域の全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ７１０５）は９０．０％、透過色相ｂ＊は３．０であり、１５０℃１時間前後での寸法変化率は０．４％であった。   The total light transmittance (JIS-K7105) of the conductive pattern region of this transparent conductive laminate is 90.0%, the transmitted hue b * is 3.0, and the dimensional change rate at around 150 ° C. for 1 hour is 0. 4%.

本発明の透明導電膜は、静電容量方式のタッチパネルを利用する広範な分野で利用が期待される。例えば、金融機関のＡＴＭ、電子機器の操作パネル（コピー機、ファックス、カーナビ、その他家電、など）、携帯情報端末（携帯電話、スマートフォン、タブレットＰＣ、など）、電子書籍端末、携帯ゲーム端末、携帯音楽プレーヤー、自動販売機、などの分野で利用が期待される。   The transparent conductive film of the present invention is expected to be used in a wide range of fields using a capacitive touch panel. For example, ATMs of financial institutions, operation panels of electronic devices (copy machines, fax machines, car navigation systems, other home appliances, etc.), portable information terminals (mobile phones, smartphones, tablet PCs, etc.), electronic book terminals, portable game terminals, mobile phones It is expected to be used in fields such as music players and vending machines.

１ａ，１ｂ……フィルム基材
２ａ，２ｂ……ハードコート層
３ａ，３ｂ……高屈折率層（金属酸化物層）
４ａ，４ｂ……低屈折率層（酸化ケイ素層）
５ａ，５ｂ……導電部（酸化インジウム・スズ層）
６ａ，６ｂ……非導電部
７ａ，７ｂ……配線部
９……光学粘着層
１０……透明基板
１１……透明導電積層膜
１２……透明導電積層体 1a, 1b: Film base 2a, 2b: Hard coat layer 3a, 3b: High refractive index layer (metal oxide layer)
4a, 4b: Low refractive index layer (silicon oxide layer)
5a, 5b: Conductive part (indium / tin oxide layer)
6a, 6b: Non-conductive parts 7a, 7b ... Wiring part 9 ... Optical adhesive layer 10 ... Transparent substrate 11 ... Transparent conductive laminated film 12 ... Transparent conductive laminated body

Claims (5)

少なくとも、フィルム基材、光学粘着層、及びフィルム基材を順に設けてなる透明基板の両面に光学調整層及び透明導電部を透明基板から順に設けてなる透明導電積層膜を備えた透明導電積層体であって、
前記透明導電積層膜の１５０℃１時間前後の寸法変化率が０．１５％以下であり、
前記透明導電部に接続された電極配線を備えていることを特徴とする透明導電積層体。 A transparent conductive laminate comprising a transparent conductive laminate film in which an optical adjustment layer and a transparent conductive portion are provided in order from a transparent substrate on both surfaces of a transparent substrate provided with at least a film base, an optical adhesive layer, and a film base. Because
The dimensional change rate of the transparent conductive laminated film around 150 ° C. for 1 hour is 0.15% or less,
A transparent conductive laminate comprising electrode wiring connected to the transparent conductive portion. 前記光学調整層が、前記透明基板の両面に金属酸化物層、酸化ケイ素層がこの順で設けられてなることを特徴とする請求項１に記載の透明導電積層体。   The transparent conductive laminate according to claim 1, wherein the optical adjustment layer includes a metal oxide layer and a silicon oxide layer provided in this order on both surfaces of the transparent substrate. 前記透明基板の両面に設けられた透明導電層をパターニングすることにより、前記透明導電部と共に非導電部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電積層体。   The transparent conductive laminate according to claim 1, wherein a non-conductive portion is formed together with the transparent conductive portion by patterning a transparent conductive layer provided on both surfaces of the transparent substrate. 請求項１から３のいずれか１項に記載の透明導電積層体を備えることを特徴とするタッチパネル。   A touch panel comprising the transparent conductive laminate according to claim 1. 請求項１から３のいずれか１項に記載の透明導電積層体を製造する透明導電積層体の製造方法であって、
前記透明導電積層膜を形成後に固定して加熱処理をする工程と、
透明導電層を前記透明導電部と前記非導電部とにパターン形成する工程と、
前記電極配線を加工する工程とを含むことを特徴とする透明導電積層体の製造方法。 It is a manufacturing method of the transparent conductive layered product which manufactures the transparent conductive layered product according to any one of claims 1 to 3,
A step of fixing and heat-treating after forming the transparent conductive laminated film;
Patterning a transparent conductive layer on the transparent conductive portion and the non-conductive portion;
And a step of processing the electrode wiring.
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