JP2014154770A - 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 大型化及び高コスト化を抑制可能であると共にインダクタンスを低減可能な半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置1においては、単一の平板状の出力バスバー40の両端部41,43のそれぞれに接合されたスイッチング素子10,20同士が、出力バスバー40を折り曲げることにより互いに積層するように配置される。また、出力バスバー40の重複部分45が、モジュール化の際のモールド樹脂Aから突出して延在する。このため、出力バスバー40に対して別部材をさらに接合する必要がない。よって、スイッチング素子10,20同士を近接して配置させることにより、大型化及び高コスト化を抑制可能である。さらに、正極バスバー14及び負極バスバー24を互いに近接して配置して寄生インダクタンスを低減することが可能となる。
【選択図】図2
【解決手段】 半導体装置1においては、単一の平板状の出力バスバー40の両端部41,43のそれぞれに接合されたスイッチング素子10,20同士が、出力バスバー40を折り曲げることにより互いに積層するように配置される。また、出力バスバー40の重複部分45が、モジュール化の際のモールド樹脂Aから突出して延在する。このため、出力バスバー40に対して別部材をさらに接合する必要がない。よって、スイッチング素子10,20同士を近接して配置させることにより、大型化及び高コスト化を抑制可能である。さらに、正極バスバー14及び負極バスバー24を互いに近接して配置して寄生インダクタンスを低減することが可能となる。
【選択図】図2
Description
本発明は、一対のスイッチング素子を備える半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
特許文献1には、互いに対向して配置された一対のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)素子を樹脂によりモールドしてなる半導体装置が記載されている。特許文献1に記載の半導体装置においては、一方のIGBT素子のエミッタと他方のIGBT素子のコレクタとを電気的に接続する金属配線板に対して、出力バスバーをネジ止めにより接合している。
特許文献1に記載の半導体装置においては、上述したように、IGBT素子同士を接続する金属配線板に対して出力バスバーをネジ止めして接合している。このため、それらの接合部分には、ネジ止めのための工具隙等を設ける必要がある。したがって、その工具隙の分だけIGBT素子同士が離間するため、装置が大型化すると共にモールド樹脂の必要量が増加して材料費が高くなる。
また、金属配線板及び出力バスバーによって形成される電流経路が工具隙の分だけ冗長化するため、抵抗やインダクタンスが増加する。さらに、一方のIGBT素子のコレクタに接続される高圧バスバーと、他方のIGBT素子のエミッタに接続される低圧バスバーとが工具隙の分だけ離れて配置されるので、寄生インダクタンスが大きくなる。
本発明は、そのような事情に鑑みてなされたものであり、大型化及び高コスト化を抑制可能であると共にインダクタンスを低減可能な半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、一対のスイッチング素子を備える半導体装置であって、一方のスイッチング素子の所定の端子と他方のスイッチング素子の所定の端子とを電気的に接続する単一の中間電極を備え、略平板状の中間電極の両端部のそれぞれに接合されたスイッチング素子同士を、中間電極を折り曲げることにより互いに積層するように配置した後に、モールド樹脂により封止してモジュール化されており、中間電極を折り曲げて生じる中間電極の重複部分は、モールド樹脂から突出して延在している、ことを特徴とする。
また、上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、一対のスイッチング素子を備える半導体装置の製造方法であって、一方のスイッチング素子の所定の端子と他方のスイッチング素子の所定の端子とを電気的に接続するための単一の中間電極を用意する第1の工程と、第1の工程の後に、略平板状の中間電極の両端部のそれぞれにスイッチング素子を接合する第2の工程と、第2の工程の後に、中間電極を折り曲げることによって、スイッチング同士を互いに積層するように配置する第3の工程と、第3の工程の後に、スイッチング素子をモールド樹脂により封止してモジュール化する第4の工程と、を含み、中間電極を折り曲げて生じる中間電極の重複部分は、第4の工程においてスイッチング素子をモールド樹脂により封止したときにモールド樹脂から突出して延在する、ことを特徴とする。
この半導体装置、及び半導体装置の製造方法においては、単一の平板状の中間電極の両端部のそれぞれに接合されたスイッチング素子同士を、中間電極を折り曲げることにより互いに積層するように配置する。そして、中間電極の重複部分は、モジュール化の際のモールド樹脂から突出して延在している。したがって、中間電極に対して別部材からなる出力バスバー等をさらに接合する必要がない(すなわち、接合のための工具隙等が必要ない)。
よって、スイッチング素子同士を近接して配置させることが可能であるので、装置の大型化を抑制可能であると共に、モールド樹脂の必要量を低減して高コスト化を抑制可能である。さらに、一対のスイッチング素子を正極と負極との間に接続するための正極バスバー及び負極バスバーを互いに近接して配置可能であるので、寄生インダクタンスを低減することが可能となる。
本発明によれば、大型化及び高コスト化を抑制可能であると共にインダクタンスを低減可能な半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、本発明に係る半導体装置、及び半導体装置を製造する方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一の要素同士、或いは相当する要素同士には、互いに同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、各図面において、各部の寸法比率は、実際のものとは異なる場合がある。
図1の(a)は、本発明に係る半導体装置の一実施形態の平面図であり、図1の(b)は、本発明に係る半導体装置の一実施形態を含むインバータの回路図である。図2の(a)は、図1の(a)のIIA−IIA線に沿っての断面図であり、図2の(b)は、図1の(a)のIIB−IIB線に沿っての断面図である。
図1,2に示されるように、本実施形態に係る半導体装置1は、一対のスイッチング素子10,20を備えている。本実施形態においては、主に、スイッチング素子10,20をIGBTとして説明する。ただし、スイッチング素子10,20は、その他にも、例えば、IGBTとダイオードとのペア、MOSとダイオードのペア、MOSのみ、及び、RC(Reverse Conducting)−IGBT等を用いることができる。
スイッチング素子10,20は、上下方向に互いに積層するように配置された状態において、モールド樹脂Aによって封止されてモジュール化されている。モールド樹脂Aは、例えば熱硬化性のエポキシ等である。なお、スイッチング素子10,20と共にダイオード等も一体にモジュール化することができるが、ここでは省略する。
スイッチング素子10,20は、それぞれに逆並列に接続されたダイオードD1,D2と共に、正極Pと負極Nとの間に直列に接続され、例えば、3相インバータIのU相を構成している。スイッチング素子10のコレクタC1は、正極Pに接続されている。スイッチング素子10のエミッタ(所定の端子)E1は、スイッチング素子20のコレクタ(所定の端子)C2に接続されている。
スイッチング素子20のエミッタE2は、負極Nに接続されている。スイッチング素子10のエミッタE1とスイッチング素子20のコレクタC2との接続点には、U相出力端子Uが設けられている。スイッチング素子10は、上アーム側のスイッチング素子であり、スイッチング素子20は、下アーム側のスイッチング素子である。
スイッチング素子10は、コレクタC1が形成された下面10aと、エミッタE1及びゲートG1が形成された上面10bとを有している。スイッチング素子10の下面10aには、半田等の導電性接着剤12によって放熱板11が接合されている。放熱板11は、金属等の導電材料からなり、導電性接着剤12を介してスイッチング素子10のコレクタC1に電気的に接続されている。したがって、放熱板11は、正電極として機能する。なお、放熱板11の少なくとも一部分(ここでは下面)は、放熱のために、モールド樹脂Aから露出している。
放熱板11には、半田等の導電性接着剤13によって、正極バスバー(リードフレーム)14が接合されている。したがって、正極バスバー14は、導電性接着剤13、放熱板11、及び、導電性接着剤12を介してスイッチング素子10のコレクタC1に電気的に接続されている。正極バスバー14は、例えば薄い銅版等により構成されており、放熱板11の一端部から延在してモールド樹脂Aから突出している。なお、スイッチング素子10の上面10bに形成されたゲートG1は、例えば金や銅からなるワイヤW1によって、ゲート信号端子B1に電気的に接続されている。
スイッチング素子20は、コレクタC2が形成された上面20aと、エミッタE2及びゲートG2が形成された下面20bとを有している。スイッチング素子20の上面20aには、半田等の導電性接着剤22によって放熱板21が接合されている。放熱板21は、金属等の導電材料からなり、導電性接着剤22を介してスイッチング素子20のコレクタC2に電気的に接続されている。したがって、放熱板21は、(例えばU相の)出力電極として機能する。なお、放熱板21の少なくとも一部分(ここでは上面)は、放熱のために、モールド樹脂Aから露出している。
スイッチング素子20の下面20bには、半田等の導電性接着剤23によって、負極バスバー(リードフレーム)24が接合されている。負極バスバー24は、導電性接着剤23を介してスイッチング素子20のエミッタE2に電気的に接続されている。負極バスバー24は、例えば薄い銅版等により構成されており、スイッチング素子20の下面20bから正極バスバー14に沿って延在し、モールド樹脂Aから突出している。なお、スイッチング素子20の下面20bに形成されたゲートG2は、例えば金や銅からなるワイヤW2によって、ゲート信号端子B2に電気的に接続されている。
正極バスバー14と負極バスバー24とは、その大部分において、互いに近接して対向するように(併走するように)配置されている。そして、正極バスバー14と負極バスバー24との間には、絶縁板30が介在させられている。したがって、正極バスバー14と負極バスバー24とは、絶縁板30によって互いに電気的に絶縁されている。絶縁板30は、例えば、ガラスエポキシ等の樹脂やセラミック等によって、厚さ0.2mm程度の長尺板状に形成されている。
ここで、半導体装置1は、出力バスバー(リードフレーム:中間電極)40をさらに備えている。出力バスバー40は、単一の導電部材によって略U字板状に形成されている。出力バスバー40の一端部41は、半田等の導電性接着剤42によってスイッチング素子10の上面10bに接合されている。出力バスバー40の他端部43は、半田等の導電性接着剤44によって放熱板21に接合されている。
したがって、スイッチング素子10のエミッタE1と、スイッチング素子20のコレクタC2とは、導電性接着剤42、出力バスバー40、導電性接着剤44、及び、放熱板21を介して電気的に接続されている。つまり、半導体装置1は、スイッチング素子10の上面10bに形成されたエミッタE1と、スイッチング素子20の上面20aに形成されたコレクタC2とを電気的に接続する単一の出力バスバー40を備えている。
スイッチング素子10,20は、後述するように、平板状の出力バスバー40の両端部41,43のそれぞれに接合された後に、出力バスバー40を略U字状に折り曲げることにより上下方向に積層するように配置され、モールド樹脂Aにより封止してモジュール化されている。出力バスバー40を略U字状に折り曲げた際に生じる重複部分45は、正極バスバー14及び負極バスバー24に沿って延在し、正極バスバー14及び負極バスバー24と同様にしてモールド樹脂Aから突出している。
引き続いて、半導体装置1の製造方法について説明する。図3、図4、及び図5は、図1,2に示された半導体装置の製造方法の主要な工程を説明するための図である。なお、図3〜5の各図は、図4の(b)が平面図である他は側面図である。
本実施形態に係る半導体装置1の製造方法においては、まず、図3の(a)に示されるように、スイッチング素子10を導電性接着剤12によって放熱板11に接合すると共に、スイッチング素子20を導電性接着剤22によって放熱板21に接合する(工程S101)。このとき、スイッチング素子10の下面10aに形成されたコレクタC1を放熱板11に電気的に接続すると共に、スイッチング素子20の上面(図3では下側の面)20aに形成されたコレクタC2に放熱板21を電気的に接続する。
続いて、正極バスバー14、負極バスバー24、出力バスバー40、及びゲート信号端子B1,B2を用意する(第1の工程)。このとき、出力バスバー40は、略U字状に折り曲げられておらず、略平板状を呈している。また、正極バスバー14、負極バスバー24、出力バスバー40、及びゲート信号端子B1,B2は、それぞれの一部分が所定のフレーム材に接合されることにより、互いに一体に構成されている。
続いて、図3の(b)に示されるように、放熱板11の一端部に導電性接着剤13によって正極バスバー14を接合すると共に、スイッチング素子20の下面(図3では上側の面)20bに導電性接着剤23によって負極バスバー24を接合する(工程S102)。また、この工程S102においては、平板状の出力バスバー40の一端部41を導電性接着剤42によってスイッチング素子10の上面10bに接合する共に、その他端部43を導電性接着剤44によって放熱板21に接合する(工程S102:第2の工程)。
つまり、この工程S102においては、正極バスバー14,15の接合と併せて、出力バスバー40の両端部41,43のそれぞれにスイッチング素子10,20を接合する。これにより、スイッチング素子10のエミッタE1とスイッチング素子20のコレクタC2とが出力バスバー40により電気的に接続される。
続いて、図4に示されるように、ゲート信号線B1をワイヤW1によってスイッチング素子10のゲートG1に電気的に接続すると共に、ゲート信号線B2をワイヤW2によってスイッチング素子20ゲートG2に電気的に接続する(工程S103)。
上述したように、正極バスバー14、負極バスバー24、出力バスバー40、及びゲート信号端子B1,B2は、所定のフレーム材によって一体に構成されている。このため、この工程S102及び工程S103においては、正極バスバー14、負極バスバー24、出力バスバー40、及びゲート信号端子B1,B2を、同時に所定の位置に配置し、同一面側から実装することができる。
続いて、図4に示される折り曲げ線(出力バスバー40の長手方向における略中心位置)Lにおいて出力バスバー40を略180°折り曲げることにより、出力バスバー40を略U字状に形成し、スイッチング素子10,20を上下方向に積層するように配置する(工程S104:第3の工程)。これにより、正極バスバー14と負極バスバー24とが互いに近接して併走することとなる。
なお、出力バスバー40によって形成される電流経路を短くするために、出力バスバー40の重複部分45において、出力バスバー40を短絡させることが好ましい。そのためには、例えば、出力バスバー40の重複部分45が互いに接触するようクランプしたり、重複部分45に溶接等を施すことにより互いに接合したりすることができる。
続いて、図2に示されるように、正極バスバー14と負極バスバー24との間に絶縁板30を介在させた後に、スイッチング素子10,20をモールド樹脂Aによって封止することによりモジュール化する(第4の工程)。このとき、出力バスバー40の重複部分45は、モールド樹脂Aから突出している。
その後、正極バスバー14、負極バスバー24、出力バスバー40、及びゲート信号端子B1,B2をフレーム材から切り離して互いに分離することにより、半導体装置1が得られる。なお、各部材をフレーム材から切り離したときに、その切断部分がモールド樹脂Aから露出する場合がある。この製造方法においては、その切断部分の露出が問題にならないような配置としているが、場合によっては、ポッティング等によりその切断部分を封止してもよい。
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置1、及び半導体装置1の製造方法においては、単一の平板状の出力バスバー40の両端部41,43のそれぞれに接合されたスイッチング素子10,20同士を、出力バスバー40を折り曲げることにより互いに積層するように配置する。そして、出力バスバー40の重複部分45は、モジュール化の際のモールド樹脂Aから突出して延在している。
したがって、出力バスバー40に対して別部材等をさらに接合する必要がない(すなわち、接合のための工具隙等が必要ない)。よって、スイッチング素子10,20同士を近接して配置させることが可能であるので、装置の大型化を抑制可能であると共に、モールド樹脂Aの必要量を低減して高コスト化を抑制可能である。さらに、スイッチング素子10,20を正極Pと負極Nとの間に接続するための正極バスバー14及び負極バスバー24を互いに近接して配置可能であるので、正極バスバー14と負極バスバー24との結合率を上げることにより、寄生インダクタンスを低減することが可能となる。
さらに、本実施形態に係る半導体装置1の製造方法においては、スイッチング素子10(放熱板11)及びスイッチング素子20(放熱板21)の一方の側から(図示上側から)、正極バスバー14、負極バスバー24、出力バスバー40を接合することができ、作業性が良好である。また、同様の理由から、フレーム材によって互いに一体にされた正極バスバー14、負極バスバー24、及びバスバー40を用いることができるので(すなわち、それらを同一のリードフレームで構成することが可能であるので)、作業性がさらに向上する。
以上の実施形態は、本発明に係る半導体装置、及び半導体装置の製造方法の一実施形態を説明したものである。したがって、本発明に係る半導体装置、及び半導体装置の製造方法は、上述した半導体装置1、及び半導体装置1の製造方法に限定されない。本発明に係る半導体装置、及び半導体装置の製造方法は、各請求項の要旨を変更しない範囲において、上述したものを任意に変更したものとすることができる。
例えば、上記実施形態は、本発明を3相インバータのU相を構成する場合に適用した例を説明したが、本発明の適用の態様はこれに限定されない。本発明は、互いに電気的に接続された一対のスイッチング素子を備える任意の半導体装置(例えばコンバータ等)に適用することができる。
1…半導体装置、10,20…スイッチング素子、40…出力バスバー(中間電極)、41…一端部、43…他端部、45…重複部分、A…モールド樹脂。
Claims (2)
- 一対のスイッチング素子を備える半導体装置であって、
一方の前記スイッチング素子の所定の端子と他方の前記スイッチング素子の所定の端子とを電気的に接続する単一の中間電極を備え、
略平板状の前記中間電極の両端部のそれぞれに接合された前記スイッチング素子同士を、前記中間電極を折り曲げることにより互いに積層するように配置した後に、モールド樹脂により封止してモジュール化されており、
前記中間電極を折り曲げて生じる前記中間電極の重複部分は、前記モールド樹脂から突出して延在している、
ことを特徴とする半導体装置。 - 一対のスイッチング素子を備える半導体装置の製造方法であって、
一方の前記スイッチング素子の所定の端子と他方の前記スイッチング素子の所定の端子とを電気的に接続するための単一の中間電極を用意する第1の工程と、
前記第1の工程の後に、略平板状の前記中間電極の両端部のそれぞれに前記スイッチング素子を接合する第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記中間電極を折り曲げることによって、前記スイッチング素子同士を互いに積層するように配置する第3の工程と、
前記第3の工程の後に、前記スイッチング素子をモールド樹脂により封止してモジュール化する第4の工程と、を含み、
前記中間電極を折り曲げて生じる前記中間電極の重複部分は、前記第4の工程において前記スイッチング素子を前記モールド樹脂により封止したときに前記モールド樹脂から突出して延在する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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