JP2014138113A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1改質層形成ステップは、第1分割予定ラインS1に沿って並ぶ隣接した二つのデバイス15をグループGとし、グループGに対応した領域に沿ってレーザービームを連続して照射した後、第2分割予定ラインS2との交差部を超えてこのグループGの隣のグループGに対応した領域に沿って再びレーザービームを照射することを繰り返し、一本の第1分割予定ラインS1を加工するグループ領域加工ステップと、グループ領域加工ステップを実施した第1分割予定ラインS1に隣接した第1分割予定ラインS1において、グループ領域加工ステップで設定されたグループGと1個のデバイスチップ15分ずらして二つのデバイス15を1グループとして設定するグループ設定ステップとを含んでいる。
【選択図】図6
Description
波長 :1064nm
平均出力 :1W
パルス幅 :40ns
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/s
S1 第1分割予定ライン
S2 第2分割予定ライン
15 デバイス(デバイスチップ)
10 レーザービーム照射ユニット
12 レーザービーム発生ユニット
14 集光器
17 第1改質層
17a 第2改質層
19,19a レーザービーム非照射領域
G グループ
24 チャックテーブル
30 分割装置
Claims (2)
- 第1の方向に伸長する複数の第1分割予定ラインと該第1分割予定ラインと交差して形成された複数の第2分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置付けながら該第1分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して、ウエーハの内部に第1改質層を形成する第1改質層形成ステップと、
該第1改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置付けながら該第2分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して、ウエーハの内部に第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、
該第1及び第2改質層が形成されたウエーハに外力を付与し、該第1及び第2分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、を含み、
該第1改質層形成ステップは、
該第1分割予定ラインに沿って並ぶ隣接した二つのデバイスをグループとし、第1グループに対応した領域に沿って該レーザービームを連続して照射した後、該第2分割予定ラインとの交差部を超えて該第1グループの隣の第2グループに対応した領域に沿って再びレーザービームを照射することを繰り返し、一本の該第1分割予定ラインを加工するグループ領域加工ステップと、
該グループ領域加工ステップを実施した該第1分割予定ラインに隣接した第1分割予定ラインにおいて、該グループ領域加工ステップで設定された該グループと1個のデバイスチップ分ずらして該二つのデバイスをグループと設定するグループ設定ステップと、を含み、
該グループ領域加工ステップと該グループ設定ステップとを交互に繰り返して、該第1分割予定ラインを全て加工することを特徴とするウエーハの加工方法。 - 前記第2改質層形成ステップでは、
該第2分割予定ラインに沿って該レーザービームを照射する際、該第2分割予定ラインと交差する該第1分割予定ラインに沿って既に前記第1改質層が形成されている領域を除いて該レーザービームを照射する請求項1記載のウエーハの加工方法。
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