JP2014137388A5 - - Google Patents
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US5897977A (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Attenuating embedded phase shift photomask blanks |
US6274280B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-08-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer attenuating phase-shift masks |
US6844119B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-01-18 | Hoya Corporation | Method for producing a halftone phase shift mask blank, a halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
KR101726553B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2017-04-12 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법 |
JP5474129B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | 半透明積層膜の設計方法およびフォトマスクブランクの製造方法 |
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