JP2014132533A - Apparatus and method for manufacturing organic el panel - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for manufacturing an organic EL panel, capable of improving manufacturing quality.SOLUTION: The apparatus for manufacturing an organic EL panel comprises: a first line for bringing an element substrate from an anode layer-formed state where an anode layer 3 is formed on an element substrate body 2 into an organic layer-formed state where an organic layer 4 is formed on the anode layer 3, and further bringing the element substrate into a cathode layer-formed state where a cathode layer 5 is formed on the organic layer 4; a second line for forming a sealing substrate by mounting a filler on a sealing substrate body; and a third line for bonding the element substrate 11(C) being in the cathode layer-formed state and the sealing substrate together. The first line is provided with first drying means 41 which irradiates the element substrate 11(C) being in the cathode layer-formed state with microwaves to heat the substrate. The second line is provided with second drying means which irradiates the sealing substrate with microwaves to heat the substrate.

Description

本発明は、有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL panel manufacturing apparatus and manufacturing method.

有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）は、水分の影響を受けやすく、製造時に内部に水分が残存していると、ダークスポットと呼ばれる非発光箇所が発生してしまう。このため、基板上に陽極層、発光媒体層、陰極層をこの順に形成し、封止材上に樹脂層を積層して、これらを貼り合わせることにより製造される有機ＥＬ素子において、封止材上に積層された樹脂層にマイクロ波、遠赤外線を同時に照射して乾燥させる技術がある（例えば、特許文献１参照）。   An organic EL element (organic electroluminescence element) is easily affected by moisture, and if moisture remains inside during production, a non-light emitting portion called a dark spot is generated. For this reason, in an organic EL element manufactured by forming an anode layer, a light emitting medium layer, and a cathode layer on a substrate in this order, laminating a resin layer on the sealing material, and bonding them together, the sealing material There is a technique in which microwaves and far-infrared rays are simultaneously applied to a resin layer laminated thereon to dry the resin layer (see, for example, Patent Document 1).

特許第４６０９１３５号公報Japanese Patent No. 4609135

しかしながら、上記技術を用いても水分の除去が十分ではない場合がある。例えば、基板や、短絡防止用に陽極層に塗布されるレジスト等に水分が含まれている可能性があり、これらに水分が含まれていると非発光箇所が発生し、製造品質が低下してしまう。   However, even if the above technique is used, the removal of moisture may not be sufficient. For example, moisture may be contained in the substrate, resist applied to the anode layer for short circuit prevention, etc. If moisture is contained in these, non-light emitting parts are generated, and the production quality is lowered. End up.

したがって、本発明は、製造品質の向上を図ることができる有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法の提供を目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide an organic EL panel manufacturing apparatus and a manufacturing method capable of improving manufacturing quality.

上記目的を達成するために、本発明は、素子基板を、素子基板本体に陽極層を形成してなる陽極層形成状態から、前記陽極層に有機層を形成してなる有機層形成状態とし、さらに、前記有機層に陰極層を形成してなる陰極層形成状態とする第１のラインと、封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする第２のラインと、前記第１のラインで形成された前記陰極層形成状態にある素子基板と、前記第２のラインで形成された前記封止基板とを貼り合わせる第３のラインとを備える有機ＥＬパネルの製造装置であって、前記第１のラインには、前記陽極層形成状態、前記有機層形成状態および前記陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥手段が設けられ、前記第２のラインには、前記封止基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥手段が設けられていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention changes an element substrate from an anode layer formation state in which an anode layer is formed on an element substrate body to an organic layer formation state in which an organic layer is formed on the anode layer, Furthermore, a first line in which a cathode layer is formed by forming a cathode layer on the organic layer, a second line on which a filler is mounted on a sealing substrate body to form a sealing substrate, and the first And a third line for bonding the element substrate in the cathode layer formation state formed by the line and the sealing substrate formed by the second line. In the first line, an element substrate in at least one of the anode layer formation state, the organic layer formation state, and the cathode layer formation state is set as a dry object, and the dry object is microscopic. The first dry that heats by irradiating waves Means, and the second line is provided with second drying means for heating the drying target object by irradiating the target object with microwaves. To do.

これにより、第１のラインにおいて、第１の乾燥手段が、陽極層形成状態、有機層形成状態および陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板にマイクロ波を照射して加熱を行うことによりこれを乾燥させることになる。また、第２のラインにおいても、第２の乾燥手段が、封止基板にマイクロ波を照射して加熱を行うことによりこれを乾燥させることになる。したがって、素子基板および封止基板の両方について水分の残存量を減らしてから、これらを貼り合わせることができる。   Thereby, in the first line, the first drying means irradiates the element substrate in at least one of the anode layer formation state, the organic layer formation state, and the cathode layer formation state with microwaves. This is dried by heating. Also in the second line, the second drying means dries the sealing substrate by irradiating it with microwaves and heating it. Therefore, after the remaining amount of moisture is reduced for both the element substrate and the sealing substrate, they can be bonded together.

また、上記発明において、前記第１の乾燥手段および前記第２の乾燥手段のうちの少なくともいずれか一方が、前記乾燥対象物の放射熱から該乾燥対象物の温度を検出する温度検出部と、該温度検出部の検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御する制御部とを備えるのが好ましい。   Further, in the above invention, at least one of the first drying unit and the second drying unit includes a temperature detection unit that detects the temperature of the drying object from radiant heat of the drying object; It is preferable to include a control unit that controls the intensity of the microwave based on the detection result of the temperature detection unit.

これにより、温度検出部が乾燥対象物の放射熱からその温度を検出し、この検出結果に基づいて制御部がマイクロ波の強度を制御することになる。よって、乾燥対象物を適正に乾燥させることができる。   Thereby, a temperature detection part detects the temperature from the radiant heat of a drying target object, and a control part controls the intensity | strength of a microwave based on this detection result. Therefore, a drying target object can be dried appropriately.

また、上記発明において、前記第１の乾燥手段が、前記陰極層形成状態にある素子基板を前記乾燥対象物としてマイクロ波を照射する場合に、前記素子基板本体の前記陰極層とは反対側からマイクロ波を照射するのが好ましい。   In the above invention, when the first drying means irradiates the element substrate in the cathode layer forming state with the microwave as the object to be dried, the element substrate main body from the side opposite to the cathode layer. It is preferable to irradiate microwaves.

このように、素子基板本体の陰極層とは反対側からマイクロ波を照射するため、陰極層の影響を低減しつつ素子基板にマイクロ波を照射することができる。よって、乾燥対象物を効率良く乾燥させることができる。   Thus, since the microwave is irradiated from the side opposite to the cathode layer of the element substrate body, the element substrate can be irradiated with the microwave while reducing the influence of the cathode layer. Therefore, the drying object can be efficiently dried.

本発明は、素子基板本体に陽極層を形成してなる陽極層形成状態にある素子基板を、前記陽極層に有機層を形成して有機層形成状態とする有機層形成工程と、前記有機層形成状態にある素子基板を、前記有機層に陰極層を形成して陰極層形成状態とする陰極層形成工程と、封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする充填材搭載工程と、前記陰極層形成工程後の前記陰極層形成状態にある素子基板と、前記充填材搭載工程後の前記封止基板とを貼り合わせる貼合工程とを有する有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記有機層形成工程の前、前記有機層形成工程の後および前記陰極層形成工程の後のうちの少なくともいずれか一のタイミングで、前記素子基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥工程を有し、前記充填材搭載工程の後に、前記封止基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥工程を有することを特徴とする。   The present invention relates to an organic layer forming step in which an element substrate in an anode layer formation state formed by forming an anode layer on an element substrate body is formed into an organic layer formation state by forming an organic layer on the anode layer, and the organic layer A cathode layer forming step of forming a cathode layer on the organic layer by forming a cathode layer on the organic layer, and a filler mounting step of mounting a filler on the sealing substrate body to form a sealing substrate And an organic EL panel manufacturing method including a bonding step of bonding the element substrate in the cathode layer formation state after the cathode layer formation step and the sealing substrate after the filler mounting step. , Before the organic layer forming step, after the organic layer forming step, and after the cathode layer forming step, the element substrate is set as a drying target, and a microwave is applied to the drying target. 1st drying which heats by irradiating It has a degree, after the filling material mounting step, and having a second drying step of heating using microwave radiation in the the sealing substrate and drying the object the drying object.

これにより、第１の乾燥工程において、有機層形成工程の前、有機層形成工程の後および陰極層形成工程の後のうちの少なくともいずれか一のタイミングで、陽極層形成状態、有機層形成状態および陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板にマイクロ波を照射して加熱を行うことによりこれを乾燥させることになる。また、充填材搭載工程の後の第２の乾燥工程によって、封止基板にマイクロ波を照射して加熱を行うことによりこれを乾燥させることになる。したがって、素子基板および封止基板の両方について水分の残存量を減らしてから、これらを貼り合わせることができる。   Thus, in the first drying step, the anode layer formation state, the organic layer formation state, at the timing of at least one of the organic layer formation step, the organic layer formation step, and the cathode layer formation step. The element substrate in at least one of the cathode layer formation state and the cathode layer formation state is dried by irradiating with microwaves and heating. Further, in the second drying step after the filler mounting step, the sealing substrate is irradiated with microwaves and heated to be dried. Therefore, after the remaining amount of moisture is reduced for both the element substrate and the sealing substrate, they can be bonded together.

また、上記発明において、前記第１の乾燥工程および前記第２の乾燥工程のうちの少なくともいずれか一方において、前記乾燥対象物の放射熱から該乾燥対象物の温度を検出し、この検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御するのが好ましい。   In the above invention, in at least one of the first drying step and the second drying step, the temperature of the drying object is detected from the radiant heat of the drying object, and the detection result It is preferable to control the intensity of the microwave based on this.

このように、乾燥対象物の放射熱からその温度を検出し、この検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御するため、乾燥対象物を適正に乾燥させることができる。   Thus, since the temperature is detected from the radiant heat of the object to be dried and the intensity of the microwave is controlled based on the detection result, the object to be dried can be appropriately dried.

また、上記発明において、前記第１の乾燥工程を前記陰極層形成工程の後に行う場合に、前記素子基板本体の前記陰極層とは反対側からマイクロ波を照射するのが好ましい。   Moreover, in the said invention, when performing the said 1st drying process after the said cathode layer formation process, it is preferable to irradiate a microwave from the opposite side to the said cathode layer of the said element substrate main body.

このように、素子基板本体の陰極層とは反対側からマイクロ波を照射するため、陰極層の影響を低減しつつ素子基板にマイクロ波を照射することができる。よって、乾燥対象物を効率良く乾燥させることができる。   Thus, since the microwave is irradiated from the side opposite to the cathode layer of the element substrate body, the element substrate can be irradiated with the microwave while reducing the influence of the cathode layer. Therefore, the drying object can be efficiently dried.

本発明によれば、有機ＥＬパネルの製造品質の向上を図ることができる。   According to the present invention, it is possible to improve the manufacturing quality of the organic EL panel.

本発明に係る第１実施形態によって製造される有機ＥＬパネルを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the organic electroluminescent panel manufactured by 1st Embodiment concerning this invention. 本発明に係る第１実施形態の製造装置を概略的に示すブロック図である。1 is a block diagram schematically showing a manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの第１の洗浄装置を概略的に示す側断面図である。It is a sectional side view which shows roughly the 1st washing | cleaning apparatus among the manufacturing apparatuses of 1st Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの有機層形成装置を概略的に示す側断面図である。It is a sectional side view which shows roughly the organic layer forming apparatus among the manufacturing apparatuses of 1st Embodiment concerning this invention. 本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの陰極層形成装置を概略的に示す側断面図である。It is a sectional side view which shows roughly the cathode layer forming apparatus among the manufacturing apparatuses of 1st Embodiment concerning this invention. 本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの第１の乾燥装置を概略的に示す側断面図である。It is a sectional side view which shows roughly the 1st drying apparatus among the manufacturing apparatuses of 1st Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの第２の洗浄装置を概略的に示す側断面図である。It is side sectional drawing which shows schematically the 2nd washing | cleaning apparatus among the manufacturing apparatuses of 1st Embodiment concerning this invention. 本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの塗布装置を概略的に示す側断面図である。It is a sectional side view which shows roughly the coating device among the manufacturing apparatuses of 1st Embodiment which concern on this invention. 本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの第２の乾燥装置を概略的に示す側断面図である。It is side sectional drawing which shows schematically the 2nd drying apparatus among the manufacturing apparatuses of 1st Embodiment which concern on this invention. 本発明に係る第２実施形態の製造装置を概略的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows roughly the manufacturing apparatus of 2nd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第２実施形態の製造装置のうちの前段の乾燥装置を概略的に示す側断面図である。It is side sectional drawing which shows roughly the drying apparatus of the front | former stage among the manufacturing apparatuses of 2nd Embodiment which concern on this invention. 本発明に係る第３実施形態の製造装置を概略的に示すブロック図である。It is a block diagram showing roughly a manufacturing device of a 3rd embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第３実施形態の製造装置のうちの中段の乾燥装置を概略的に示す側断面図である。It is side sectional drawing which shows roughly the drying apparatus of the middle stage among the manufacturing apparatuses of 3rd Embodiment which concerns on this invention.

「第１実施形態」
本発明に係る第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法を図１〜図９を参照して以下に説明する。 “First Embodiment”
The manufacturing apparatus and manufacturing method of the organic EL panel according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

第１実施形態の製造装置および製造方法で製造される有機ＥＬパネル（有機エレクトロルミネッセンスパネル）１は、図１に示すように、素子基板本体２に、陽極層３、有機層４、陰極層５がこの順に積層されるように形成されている。陽極層３のエッジ部分には陽極層３と陰極層５との短絡を防止するための短絡防止部６が形成されている。また、有機ＥＬパネル１は、陽極層３、有機層４および陰極層５を間に介在させるようにして素子基板本体２に対向配置される封止基板本体７と、陽極層３、有機層４および陰極層５の周囲を囲むように配されて素子基板本体２と封止基板本体７とを接着する接着層８と、接着層８の内側の素子基板本体２と封止基板本体７との間の空間に充填される充填層９とを有している。   As shown in FIG. 1, an organic EL panel (organic electroluminescence panel) 1 manufactured by the manufacturing apparatus and manufacturing method according to the first embodiment includes an element substrate body 2, an anode layer 3, an organic layer 4, and a cathode layer 5. Are stacked in this order. A short-circuit prevention portion 6 for preventing a short circuit between the anode layer 3 and the cathode layer 5 is formed at the edge portion of the anode layer 3. In addition, the organic EL panel 1 includes a sealing substrate body 7 that is disposed to face the element substrate body 2 with the anode layer 3, the organic layer 4, and the cathode layer 5 interposed therebetween, and the anode layer 3 and the organic layer 4. And an adhesive layer 8 arranged to surround the periphery of the cathode layer 5 to adhere the element substrate body 2 and the sealing substrate body 7, and the element substrate body 2 and the sealing substrate body 7 inside the adhesive layer 8. And a filling layer 9 filled in the space between them.

図２に示すように、第１実施形態の製造装置２０は、第１のライン２１と第２のライン２２と第３のライン２３とを備えている。   As shown in FIG. 2, the manufacturing apparatus 20 of the first embodiment includes a first line 21, a second line 22, and a third line 23.

第１のライン２１は、図１に示す素子基板本体２に陽極層３が形成された状態から、陽極層３に有機層４が形成された状態、さらには、有機層４に陰極層５が形成された状態へと、素子基板１１を変化させるものである。   The first line 21 includes a state where the anode layer 3 is formed on the element substrate body 2 shown in FIG. 1, a state where the organic layer 4 is formed on the anode layer 3, and a state where the cathode layer 5 is formed on the organic layer 4. The element substrate 11 is changed to the formed state.

図２に示すように、第１のライン２１は第１の搬送装置２５を有している。この第１の搬送装置２５には、素子基板本体２に陽極層３を形成し陽極層３のエッジ部分に短絡防止部６を形成してなる陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）が搬入されることになり、第１の搬送装置２５はこれを搬送する。第１の搬送装置２５は、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を陽極層３が下向きになる姿勢で搬送する。ここで、素子基板本体２は、例えばガラス等からなっており、陽極層３は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）からなっていて、短絡防止部６はレジストからなっている。   As shown in FIG. 2, the first line 21 has a first transport device 25. The first transport device 25 includes an element substrate 11 (A) in an anode layer formation state in which the anode layer 3 is formed on the element substrate body 2 and the short-circuit prevention unit 6 is formed on the edge portion of the anode layer 3. It will be carried in, and the 1st conveying apparatus 25 will convey this. The first transport device 25 transports the element substrate 11 (A) in the anode layer forming state with the anode layer 3 facing downward. Here, the element substrate main body 2 is made of, for example, glass, the anode layer 3 is made of, for example, ITO (indium tin composite oxide), and the short-circuit prevention portion 6 is made of a resist.

第１のライン２１は、第１の搬送装置２５における上流側に設けられて、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を洗浄する第１の洗浄工程を行う第１の洗浄装置２８を有している。図３に示すように、第１の洗浄装置２８は、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を収容可能な真空チャンバ２９を有しており、第１の洗浄工程として、真空チャンバ２９内において真空状態で、ウエット洗浄である洗剤による洗浄を陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）の特に陽極層３側の下面に対して行う。なお、洗剤による洗浄以外にも、同様のウエット洗浄として超音波洗浄を行ったり、酸素プラズマ洗浄やＵＶオゾン洗浄等のドライ洗浄を行っても良い。また、真空状態で洗浄を行うのではなく大気状態で洗浄を行っても良い。   The first line 21 is provided on the upstream side of the first transfer device 25 and includes a first cleaning device 28 that performs a first cleaning process for cleaning the element substrate 11 (A) in the anode layer forming state. Have. As shown in FIG. 3, the first cleaning device 28 has a vacuum chamber 29 that can accommodate the element substrate 11 (A) in the anode layer forming state, and the vacuum chamber 29 is used as the first cleaning step. Inside, in the vacuum state, cleaning with a detergent that is wet cleaning is performed on the lower surface of the element substrate 11 (A) in the anode layer formation state, particularly on the anode layer 3 side. In addition to cleaning with a detergent, ultrasonic cleaning may be performed as similar wet cleaning, or dry cleaning such as oxygen plasma cleaning or UV ozone cleaning may be performed. Further, the cleaning may be performed in the atmospheric state instead of the cleaning in the vacuum state.

図２に示すように、第１のライン２１には、第１の搬送装置２５における第１の洗浄装置２８の下流側に有機層形成装置３１が設けられており、第１の搬送装置２５における有機層形成装置３１の下流側に陰極層形成装置３２が設けられている。   As shown in FIG. 2, the first line 21 is provided with an organic layer forming device 31 on the downstream side of the first cleaning device 28 in the first transport device 25, and in the first transport device 25. A cathode layer forming device 32 is provided on the downstream side of the organic layer forming device 31.

有機層形成装置３１は、図３に示す第１の洗浄装置２８から搬送されてきた陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を収容可能な図４に示す真空チャンバ３４を有しており、真空チャンバ３４内での真空蒸着により陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）の陽極層３上に有機層４を形成して有機層形成状態の素子基板１１（Ｂ）とする有機層形成工程を行う。有機層４は、例えばＡｌｑ３(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium）、α−ＮＰＤ(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine）、ＴＰＤ(N, N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine）、ＣＢＰ(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 等からなっている。   The organic layer forming apparatus 31 has the vacuum chamber 34 shown in FIG. 4 that can accommodate the element substrate 11 (A) in the anode layer forming state conveyed from the first cleaning device 28 shown in FIG. The organic layer 4 is formed on the anode layer 3 of the element substrate 11 (A) in the anode layer formation state by vacuum deposition in the vacuum chamber 34 to obtain the element substrate 11 (B) in the organic layer formation state. A formation process is performed. The organic layer 4 is made of, for example, Alq3 (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum), α-NPD (N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl- (1,1′-biphenyl) -4 , 4'-diamine), TPD (N, N'-Bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine), CBP (4,4'-Bis (carbazol-9-yl) biphenyl) ) Etc.

陰極層形成装置３２は、図４に示す有機層形成装置３１から搬送されてきた有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）を収容可能な図５に示す真空チャンバ３７を有しており、真空チャンバ３７内での真空蒸着により有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）の有機層４上に陰極層５を形成して陰極層形成状態の素子基板１１（Ｃ）とする陰極層形成工程を行う。陰極層５は、例えばアルミニウムや銀からなっている。   The cathode layer forming device 32 has the vacuum chamber 37 shown in FIG. 5 that can accommodate the element substrate 11 (B) in the organic layer forming state conveyed from the organic layer forming device 31 shown in FIG. Forming a cathode layer 5 on the organic layer 4 of the element substrate 11 (B) in the organic layer forming state by vacuum deposition in the vacuum chamber 37 to form a cathode layer forming the element substrate 11 (C) in the cathode layer forming state Perform the process. The cathode layer 5 is made of, for example, aluminum or silver.

図２に示すように、第１のライン２１は、第１の搬送装置２５における陰極層形成装置３２の下流側に設けられ、陰極層５を形成した後の陰極層形成状態にある図５に示す素子基板１１（Ｃ）を保管する保管工程を行う保管装置４０と、第１の搬送装置２５における保管装置４０の下流側に設けられ、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）を乾燥させる第１の乾燥工程を行う第１の乾燥装置（第１の乾燥手段）４１とを有している。   As shown in FIG. 2, the first line 21 is provided on the downstream side of the cathode layer forming device 32 in the first transport device 25 and is in the cathode layer forming state after the cathode layer 5 is formed. The storage device 40 that performs the storage process of storing the element substrate 11 (C) shown, and the element substrate 11 (C) that is provided on the downstream side of the storage device 40 in the first transfer device 25 and is in the cathode layer formation state is dried. And a first drying device (first drying means) 41 that performs the first drying step.

以上により、図２に示す第１のライン２１は、図１に示す素子基板１１を、図３に示す素子基板本体２に陽極層３を形成してなる陽極層形成状態から、図４に示す陽極層３に有機層４を形成してなる有機層形成状態とし、さらに、図５に示す有機層４に陰極層５を形成してなる陰極層形成状態とするものである。よって、陽極層形成状態の図３に示す素子基板１１（Ａ）には、陽極層３、有機層４および陰極層５のうち陽極層３のみが形成されており、図４に示す有機層形成状態の素子基板１１（Ｂ）には、陽極層３、有機層４および陰極層５のうち陽極層３および有機層４のみが形成されていて、図５に示す陰極層形成状態の素子基板１１（Ｃ）には、陽極層３、有機層４および陰極層５のすべてが形成されている。また、図２に示す第１のライン２１には、陰極層形成状態にある図６に示す素子基板１１（Ｃ）を乾燥対象物として乾燥させる第１の乾燥装置４１が設けられている。言い変えれば、第１のライン２１で行われる製造工程には、陰極層形成工程の後のタイミングで、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）を乾燥対象物として乾燥させる第１の乾燥工程を有している。   As described above, the first line 21 shown in FIG. 2 shows the element substrate 11 shown in FIG. 1 from the anode layer formation state in which the anode layer 3 is formed on the element substrate body 2 shown in FIG. The organic layer 4 is formed by forming the organic layer 4 on the anode layer 3, and the cathode layer is formed by forming the cathode layer 5 on the organic layer 4 shown in FIG. 5. Therefore, only the anode layer 3 among the anode layer 3, the organic layer 4, and the cathode layer 5 is formed on the element substrate 11 (A) shown in FIG. 3 in the anode layer formation state, and the organic layer formation shown in FIG. Only the anode layer 3 and the organic layer 4 among the anode layer 3, the organic layer 4, and the cathode layer 5 are formed on the element substrate 11 (B) in the state, and the element substrate 11 in the cathode layer formation state shown in FIG. In (C), all of the anode layer 3, the organic layer 4, and the cathode layer 5 are formed. In addition, the first line 21 shown in FIG. 2 is provided with a first drying device 41 that dries the element substrate 11 (C) shown in FIG. 6 in the cathode layer forming state as an object to be dried. In other words, the manufacturing process performed in the first line 21 includes the first drying in which the element substrate 11 (C) in the cathode layer forming state is dried as an object to be dried at a timing after the cathode layer forming process. It has a process.

図２に示す第１のライン２１の保管装置４０は、陰極層形成装置３２から搬送されてきた陰極層形成状態にある図５に示す素子基板１１（Ｃ）を複数収容可能なボックス状をなしており、その内部には窒素が充填されている。   The storage device 40 of the first line 21 shown in FIG. 2 has a box shape capable of accommodating a plurality of element substrates 11 (C) shown in FIG. 5 in the cathode layer forming state conveyed from the cathode layer forming device 32. The inside is filled with nitrogen.

図２に示す第１のライン２１の第１の乾燥装置４１は、保管装置４０から搬送されてきた陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）を収容可能な図６に示す真空チャンバ４２を有している。第１の乾燥装置４１は、真空チャンバ４２内において真空状態で、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）に、第１の乾燥工程としてマイクロ波発生源４３からマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、この素子基板１１（Ｃ）を乾燥させる。マイクロ波発生源４３は、真空チャンバ４２内にセットされた素子基板１１（Ｃ）に対して、素子基板本体２の陽極層３、有機層４および陰極層５とは反対側からマイクロ波を照射する。これは、陰極層５がアルミニウムからなる場合に、この陰極層５によってマイクロ波が遮断されることで乾燥効率が低下することを防止するためである。なお、遠赤外線等による加熱がなく、マイクロ波の照射のみであっても、水分や素子基板１１（Ｃ）の誘電物により水分の気化熱まで素子基板１１（Ｃ）の温度を上昇させることができる   The first drying device 41 of the first line 21 shown in FIG. 2 includes the vacuum chamber 42 shown in FIG. 6 that can accommodate the element substrate 11 (C) in the cathode layer formation state conveyed from the storage device 40. Have. In the vacuum chamber 42, the first drying device 41 is heated in a vacuum state by irradiating the element substrate 11 (C) in the cathode layer forming state with microwaves from the microwave generation source 43 as a first drying step. The element substrate 11 (C) is dried by performing the above. The microwave generation source 43 irradiates the element substrate 11 (C) set in the vacuum chamber 42 with microwaves from the side opposite to the anode layer 3, the organic layer 4, and the cathode layer 5 of the element substrate body 2. To do. This is because when the cathode layer 5 is made of aluminum, the cathode layer 5 prevents microwaves from being blocked, thereby preventing the drying efficiency from being lowered. Note that the temperature of the element substrate 11 (C) can be raised to the heat of vaporization of moisture by moisture or the dielectric material of the element substrate 11 (C) even when there is no heating by far infrared rays and only microwave irradiation. it can

真空チャンバ４２には、セットされた陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）の陰極層５の可視位置に窓部４５が形成されている。そして、第１の乾燥装置４１は、この窓部４５を介して、乾燥対象物である素子基板１１（Ｃ）の放射熱からその特に陰極層５の温度を検出する放射温度計（温度検出部）４６と、放射温度計４６の検出結果に基づいてマイクロ波の強度を、例えば放射温度計４６の検出温度が所定範囲内となるように制御する制御部４７とを有している。つまり、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）にマイクロ波を当てると、アルミニウムや銀からなる陰極層５の誘電率の方が水より高いため、陰極層５の温度が上がりやすい。このため、制御部４７は、陰極層５の温度が陰極層５や有機層４に影響を及ばさない範囲となるように温度を制御する。例えば、有機層４が１５０〜３００℃で蒸着されている場合に、その再蒸発を防ぐため、第１の乾燥工程における陰極層５の温度が１００℃以下となるようにマイクロ波の強度を制御する。ここで、窓部４５は、真空チャンバ４２の外側に設けられた放射温度計４６の検出波の波長が通過可能な材料で形成されており、例えば、フッ化バリウムガラスやフッ化カルシウムガラス等で形成されている。   In the vacuum chamber 42, a window portion 45 is formed at a visible position of the cathode layer 5 of the element substrate 11 (C) in the set cathode layer forming state. And the 1st drying apparatus 41 is the radiation thermometer (temperature detection part) which detects the temperature of the cathode layer 5 especially from the radiant heat of the element substrate 11 (C) which is a drying object through this window part 45. ) 46 and a control unit 47 that controls the intensity of the microwave based on the detection result of the radiation thermometer 46 so that the detected temperature of the radiation thermometer 46 falls within a predetermined range, for example. That is, when microwaves are applied to the element substrate 11 (C) in the cathode layer formation state, the cathode layer 5 made of aluminum or silver has a higher dielectric constant than water, and thus the temperature of the cathode layer 5 tends to rise. For this reason, the control unit 47 controls the temperature so that the temperature of the cathode layer 5 falls within a range that does not affect the cathode layer 5 and the organic layer 4. For example, when the organic layer 4 is deposited at 150 to 300 ° C., the intensity of the microwave is controlled so that the temperature of the cathode layer 5 in the first drying step is 100 ° C. or less in order to prevent re-evaporation. To do. Here, the window portion 45 is formed of a material that can pass the wavelength of the detection wave of the radiation thermometer 46 provided outside the vacuum chamber 42. For example, the window portion 45 is made of barium fluoride glass, calcium fluoride glass, or the like. Is formed.

なお、予め放射温度計４６と真空チャンバ４２内の対象物温度とのキャリブレーションを行い、対象物の放射率を確認しておく。窓部４５の汚れや放射温度計４６の劣化等により測定値がずれる可能性があるため、製造装置２０を稼働する都度、キャリブレーションを行うのが好ましい。また、真空チャンバ４２内に温度センサを設けて素子基板１１（Ｃ）の温度を検出するようにしても良いが、この場合、温度センサがマイクロ波によって温度上昇しないように適宜の位置にマイクロ波を反射させる反射板等を設けることになる。   The radiation thermometer 46 and the object temperature in the vacuum chamber 42 are calibrated in advance, and the emissivity of the object is confirmed. Since the measurement value may be shifted due to dirt on the window 45 or deterioration of the radiation thermometer 46, it is preferable to perform calibration each time the manufacturing apparatus 20 is operated. Further, a temperature sensor may be provided in the vacuum chamber 42 to detect the temperature of the element substrate 11 (C). In this case, the microwave is placed at an appropriate position so that the temperature sensor does not rise in temperature due to the microwave. A reflecting plate or the like that reflects the light is provided.

図２に示すように、第２のライン２２には、第２の搬送装置５１が設けられている。この第２の搬送装置５１には、何も塗布されていない封止基板本体７が搬入されることになり、第２の搬送装置５１はこれを搬送する。   As shown in FIG. 2, a second transport device 51 is provided on the second line 22. The sealing substrate body 7 to which nothing is applied is carried into the second transport device 51, and the second transport device 51 transports this.

第２のライン２２には、第２の搬送装置５１における上流側に、封止基板本体７を洗浄する第２の洗浄工程を行う第２の洗浄装置５２が設けられている。第２の洗浄装置５２は、第２の搬送装置５１で搬送されてきた封止基板本体７を収容可能な図７に示す真空チャンバ５３を有しており、第２の洗浄工程として、真空チャンバ５３内において真空状態で、ウエット洗浄である洗剤による洗浄を封止基板本体７の特に下面に対して行う。なお、第１の洗浄工程と同様、洗剤による洗浄以外にも、ウエット洗浄として超音波洗浄を行ったり、酸素プラズマ洗浄やＵＶオゾン洗浄等のドライ洗浄を行っても良い。また、真空状態で洗浄を行うのではなく大気状態で洗浄を行っても良い。ここで、封止基板本体７は、例えばガラス等からなっている。   In the second line 22, a second cleaning device 52 that performs a second cleaning process for cleaning the sealing substrate body 7 is provided on the upstream side of the second transfer device 51. The second cleaning device 52 has the vacuum chamber 53 shown in FIG. 7 that can accommodate the sealing substrate body 7 transported by the second transport device 51. As the second cleaning step, the vacuum chamber 53 is used. In a vacuum state in 53, cleaning with a detergent which is wet cleaning is performed on the lower surface of the sealing substrate body 7 in particular. Similar to the first cleaning step, in addition to cleaning with a detergent, ultrasonic cleaning may be performed as wet cleaning, or dry cleaning such as oxygen plasma cleaning or UV ozone cleaning may be performed. Further, the cleaning may be performed in the atmospheric state instead of the cleaning in the vacuum state. Here, the sealing substrate body 7 is made of glass or the like, for example.

図２に示すように、第２のライン２２には、第２の搬送装置５１における第２の洗浄装置５２の下流側に塗布装置５５が設けられている。ここで、第２の搬送装置５１は、第２の洗浄装置５２で洗浄された封止基板本体７の上下を反転させ、洗浄した下面を上面にして塗布装置５５に搬送する。塗布装置５５は、第２の洗浄装置５２から搬送されてきた封止基板本体７を収容可能な図８に示すボックス５６を有しており、このボックス５６内には窒素が充填されている。塗布装置５５は、封止基板本体７の上面（第２の洗浄工程での下面）に、ディスペンサやスクリーン印刷機により、図１の接着層８を形成する接着材８（Ａ）および図１の充填層９を形成する充填材９（Ａ）を図８に示すように搭載して封止基板５７とする接着材搭載工程および充填材搭載工程を行う。なお、接着材８（Ａ）は、充填材９（Ａ）の周囲を囲むように封止基板本体７に塗布される。   As shown in FIG. 2, a coating device 55 is provided in the second line 22 on the downstream side of the second cleaning device 52 in the second transport device 51. Here, the second transport device 51 reverses the top and bottom of the sealing substrate body 7 cleaned by the second cleaning device 52 and transports it to the coating device 55 with the cleaned lower surface as the upper surface. The coating device 55 has a box 56 shown in FIG. 8 in which the sealing substrate main body 7 conveyed from the second cleaning device 52 can be accommodated, and the box 56 is filled with nitrogen. The coating device 55 is formed on the upper surface (the lower surface in the second cleaning step) of the sealing substrate body 7 by using a dispenser or a screen printer, and the adhesive 8 (A) for forming the adhesive layer 8 in FIG. As shown in FIG. 8, an adhesive material mounting step and a filler material mounting step in which the filler 9 (A) for forming the filler layer 9 is mounted as a sealing substrate 57 are performed. The adhesive 8 (A) is applied to the sealing substrate body 7 so as to surround the periphery of the filler 9 (A).

図２に示すように、第２のライン２２は、第２の搬送装置５１における塗布装置５５の下流側に第２の乾燥装置（第２の乾燥手段）５９を有している。第２の乾燥装置５９は、第１の乾燥装置４１と略同様となっている。第２の乾燥装置５９は、塗布装置５５から搬送されてきた図８に示す封止基板５７を収容可能な図９に示す真空チャンバ６０を有している。第２の乾燥装置５９は、この真空チャンバ６０内において真空状態で、封止基板５７に、マイクロ波発生源６１からマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、封止基板５７を乾燥させる第２の乾燥工程を行う。マイクロ波発生源６１は、真空チャンバ６０内にセットされた封止基板５７に対して、接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）とは反対側からマイクロ波を照射するようになっている。なお、接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）側からマイクロ波を照射するようにしても良い。これは、封止基板５７には、基本的にマイクロ波をカットするものがないためである。   As shown in FIG. 2, the second line 22 has a second drying device (second drying means) 59 on the downstream side of the coating device 55 in the second transport device 51. The second drying device 59 is substantially the same as the first drying device 41. The second drying device 59 has the vacuum chamber 60 shown in FIG. 9 that can accommodate the sealing substrate 57 shown in FIG. 8 conveyed from the coating device 55. In the vacuum chamber 60, the second drying device 59 irradiates the sealing substrate 57 with microwaves from the microwave generation source 61 and heats the sealing substrate 57 to dry the sealing substrate 57. 2 drying process is performed. The microwave generation source 61 irradiates the sealing substrate 57 set in the vacuum chamber 60 with microwaves from the side opposite to the adhesive 8 (A) and the filler 9 (A). Yes. In addition, you may make it irradiate a microwave from the adhesive material 8 (A) and the filler 9 (A) side. This is because the sealing substrate 57 basically does not cut microwaves.

第２の乾燥装置５９は、セットされた封止基板５７の接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）の可視位置に窓部６３が形成されている。第２の乾燥装置５９は、この窓部６３を介して乾燥対象物である封止基板５７の放射熱から封止基板５７の特に接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）の温度を検出する放射温度計（温度検出部）６４と、放射温度計６４の検出結果に基づいてマイクロ波の強度を、例えば放射温度計６４の検出温度が所定範囲内となるように制御する制御部６５とを有している。つまり、封止基板５７にマイクロ波を当てると、接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）の少なくともいずれか一方が熱硬化する場合に、熱硬化を開始してしまう可能性がある。このため、制御部６５は、熱硬化するものの温度が熱硬化開始温度まで上昇しないように制御する。例えば、第２の乾燥工程における接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）の温度が４０℃以下となるようにマイクロ波の強度を制御する。ここで、窓部６３は、第１の乾燥装置４１と同様、放射温度計６４の検出波の波長が透過可能な材料で形成されている。また、第２の乾燥装置５９は、第１の乾燥装置４１と同様に、放射温度計６４と真空チャンバ６０内の対象物温度とのキャリブレーションを行う。   In the second drying device 59, a window portion 63 is formed at a visible position of the adhesive 8 (A) and the filler 9 (A) of the set sealing substrate 57. The second drying device 59 changes the temperature of the adhesive 8 (A) and the filler 9 (A) of the sealing substrate 57 from the radiant heat of the sealing substrate 57 that is the object to be dried through the window 63. A radiation thermometer (temperature detection unit) 64 to be detected, and a control unit 65 that controls the intensity of the microwave based on the detection result of the radiation thermometer 64 so that, for example, the detection temperature of the radiation thermometer 64 falls within a predetermined range. And have. That is, when microwaves are applied to the sealing substrate 57, when at least one of the adhesive 8 (A) and the filler 9 (A) is thermoset, there is a possibility that thermosetting starts. For this reason, the control part 65 is controlled so that the temperature of what is thermoset does not rise to the thermosetting start temperature. For example, the intensity of the microwave is controlled so that the temperature of the adhesive 8 (A) and the filler 9 (A) in the second drying step is 40 ° C. or lower. Here, similarly to the first drying device 41, the window portion 63 is formed of a material that can transmit the wavelength of the detection wave of the radiation thermometer 64. The second drying device 59 calibrates the radiation thermometer 64 and the object temperature in the vacuum chamber 60 in the same manner as the first drying device 41.

以上により、図２に示す第２のライン２２は、図１に示す封止基板本体７に接着層８および充填層９を形成する図８に示す接着材８（Ａ）充填材９（Ａ）をそれぞれ搭載して封止基板５７とするものであり、第２のライン２２には、封止基板５７を乾燥対象物としこの乾燥対象物を乾燥させる図９に示す第２の乾燥装置５９が設けられている。言い換えれば、第２のライン２２による製造工程には、充填材搭載工程の後に、封止基板５７を乾燥対象物として乾燥させる第２の乾燥工程を有している。   Thus, the second line 22 shown in FIG. 2 forms the adhesive layer 8 and the filling layer 9 on the sealing substrate body 7 shown in FIG. 1. The adhesive 8 (A) and the filling material 9 (A) shown in FIG. 9 is used as a sealing substrate 57. The second line 22 includes a second drying device 59 shown in FIG. 9 that uses the sealing substrate 57 as a drying target and dries the drying target. Is provided. In other words, the manufacturing process using the second line 22 includes a second drying process for drying the sealing substrate 57 as a drying object after the filler mounting process.

図２に示すように、第３のライン２３には、第１のライン２１の図６に示す第１の乾燥装置４１で乾燥させられた陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）と、第２のライン２２の図９に示す第２の乾燥装置５９で乾燥させられた封止基板５７とを、内部を封止するように貼り合わせる貼合工程を行って図１に示す有機ＥＬパネル１とする貼合装置６７と、貼合装置６７で形成された有機ＥＬパネル１を搬送する第３の搬送装置６８と、第３の搬送装置６８における貼合装置６７の下流側に設けられて有機ＥＬパネル１の図９に示す接着材８（Ａ）を硬化させて図１に示す接着層８を形成する接着材硬化装置６９と、第３の搬送装置６８における接着材硬化装置６９の下流側に設けられて有機ＥＬパネル１に電極等を貼り付ける部品装着装置７０とを有している。   As shown in FIG. 2, the third line 23 includes an element substrate 11 (C) in a cathode layer formation state dried by the first drying device 41 of the first line 21 shown in FIG. The organic EL panel shown in FIG. 1 is performed by performing a bonding step of bonding the sealing substrate 57 dried by the second drying device 59 shown in FIG. 9 on the second line 22 so as to seal the inside. 1 is provided on the downstream side of the bonding device 67 in the third conveying device 68 and the third conveying device 68 that conveys the organic EL panel 1 formed by the bonding device 67. An adhesive material curing device 69 for curing the adhesive material 8 (A) shown in FIG. 9 of the organic EL panel 1 to form the adhesive layer 8 shown in FIG. 1 and a downstream of the adhesive material curing device 69 in the third transport device 68. Component mounting device that is provided on the side and attaches electrodes to the organic EL panel 1 Has a 0 and.

第３のライン２３の接着材硬化装置６９は、図９に示す接着材８（Ａ）が例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる場合に、これを硬化させるべく有機ＥＬパネル１に紫外線を照射する。なお、接着材硬化装置６９は、接着材８（Ａ）が熱硬化性樹脂からなる場合には、これを硬化させるべく有機ＥＬパネル１を加熱する。   When the adhesive 8 (A) shown in FIG. 9 is made of, for example, an ultraviolet curable epoxy resin, the adhesive curing device 69 in the third line 23 irradiates the organic EL panel 1 with ultraviolet rays so as to cure the adhesive 8 (A). Note that when the adhesive 8 (A) is made of a thermosetting resin, the adhesive curing device 69 heats the organic EL panel 1 to cure the adhesive 8 (A).

つまり、第３のライン２３は、第１のライン２１で形成された陰極層形成状態にある図６に示す素子基板１１（Ｃ）と、第２のライン２２で形成された図９に示す封止基板５７とを貼り合わせる。言い換えれば、貼合工程は、陰極層形成工程後の陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）と、充填材搭載工程後の封止基板５７とを貼り合わせる。   That is, the third line 23 includes the element substrate 11 (C) shown in FIG. 6 in the cathode layer formation state formed by the first line 21 and the seal shown in FIG. 9 formed by the second line 22. The stop substrate 57 is bonded together. In other words, in the bonding step, the element substrate 11 (C) in the cathode layer forming state after the cathode layer forming step and the sealing substrate 57 after the filler mounting step are bonded together.

以上に述べた第１実施形態によれば、第１のライン２１において、有機層形成工程の後に行われる第１の乾燥工程によって、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）に第１の乾燥装置４１によってマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、この素子基板１１（Ｃ）を乾燥させることになる。また、第２のライン２２において、充填材搭載工程の後の第２の乾燥工程によって、封止基板５７に、第２の乾燥装置５９によってマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、封止基板５７を乾燥させることになる。よって、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）および封止基板５７の両方について水分の残存量を減らしてからこれらを貼り合わせて封止することができる。したがって、有機ＥＬパネル１の製造品質の向上を図ることができる。具体的には、例えば、素子基板本体２や、短絡防止用に陽極層３に塗布される短絡防止部６を構成するレジスト等に水分が含まれている可能性があり、これらに水分が含まれていると有機ＥＬパネル１に非発光箇所が発生し、製造品質が低下してしまうことになるが、陰極層形成工程後の陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）を乾燥させることで、素子基板本体２やレジスト等に含まれている水分に起因した製造品質が低下を抑制できる。   According to the first embodiment described above, in the first line 21, the first drying process performed after the organic layer forming process causes the element substrate 11 (C) in the cathode layer forming state to have the first. The element substrate 11 (C) is dried by heating by irradiating the microwave with the drying device 41. In the second line 22, the sealing substrate 57 is heated by being irradiated with microwaves by the second drying device 59 in the second drying step after the filler mounting step. The substrate 57 is dried. Therefore, after reducing the residual amount of moisture in both the element substrate 11 (C) and the sealing substrate 57 in the cathode layer forming state, they can be bonded and sealed. Therefore, the manufacturing quality of the organic EL panel 1 can be improved. Specifically, for example, there is a possibility that moisture is contained in the element substrate main body 2 or the resist constituting the short-circuit prevention portion 6 applied to the anode layer 3 for short-circuit prevention, which contains moisture. If this is done, a non-light emitting portion is generated in the organic EL panel 1 and the manufacturing quality is deteriorated. However, the element substrate 11 (C) in the cathode layer forming state after the cathode layer forming step is dried. Thus, it is possible to suppress a decrease in manufacturing quality due to moisture contained in the element substrate body 2 and the resist.

しかも、保管装置４０から繰り出された陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）に、第１の乾燥装置４１によってマイクロ波を照射して加熱を行うことから、仮に保管装置４０での保管中に水分の付着があったとしても、これを除去することができる。   Moreover, since the element substrate 11 (C) in the cathode layer forming state fed out from the storage device 40 is heated by being irradiated with microwaves by the first drying device 41, it is temporarily stored in the storage device 40. Even if water adheres to it, it can be removed.

また、貼合工程の直前（つまり封止直前）の陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）に第１の乾燥装置４１によってマイクロ波を照射して加熱を行うとともに、貼合工程の直前（つまり封止直前）の封止基板５７に第２の乾燥装置５９によってマイクロ波を照射して加熱を行うことから、乾燥状態の劣化が進む前に素子基板１１（Ｃ）と封止基板５７とを貼り合わせて封止することができる。   In addition, the element substrate 11 (C) in the cathode layer formation state immediately before the bonding step (that is, immediately before sealing) is heated by irradiating microwaves with the first drying device 41 and immediately before the bonding step. In other words, since the sealing substrate 57 (immediately before sealing) is heated by being irradiated with microwaves by the second drying device 59, the element substrate 11 (C) and the sealing substrate 57 are before the deterioration of the dry state proceeds. And can be sealed together.

また、第１の乾燥装置４１では、放射温度計４６が乾燥対象物である素子基板１１（Ｃ）の放射熱からその温度を検出すると、この検出結果に基づいて制御部４７がマイクロ波の強度を制御することになり、第２の乾燥装置５９では、放射温度計６４が乾燥対象物である封止基板５７の放射熱からその温度を検出すると、この検出結果に基づいて制御部６５がマイクロ波の強度を制御することになる。よって、乾燥対象物である素子基板１１（Ｃ）および封止基板５７を、適正に乾燥させることができる。   Further, in the first drying device 41, when the radiation thermometer 46 detects the temperature from the radiant heat of the element substrate 11 (C) that is the object to be dried, the control unit 47 determines the intensity of the microwave based on the detection result. In the second drying device 59, when the radiation thermometer 64 detects the temperature from the radiant heat of the sealing substrate 57, which is the object to be dried, the control unit 65 uses the detection result to detect the microscopic value. The intensity of the wave will be controlled. Therefore, the element substrate 11 (C) and the sealing substrate 57 that are the objects to be dried can be appropriately dried.

また、第１の乾燥装置４１では、素子基板本体２の陰極層５とは反対側から素子基板１１（Ｃ）にマイクロ波を照射するため、陰極層５の影響を低減しつつ素子基板１１（Ｃ）にマイクロ波を照射することができる。よって、素子基板１１（Ｃ）を効率良く乾燥させることができる。   Further, in the first drying device 41, the element substrate 11 (C) is irradiated with microwaves from the side opposite to the cathode layer 5 of the element substrate body 2, so that the influence of the cathode layer 5 is reduced and the element substrate 11 ( C) can be irradiated with microwaves. Therefore, the element substrate 11 (C) can be efficiently dried.

また、特に温度管理が必要な素子基板１１（Ｃ）に対しては、第１の乾燥装置４１によって真空チャンバ４２内でマイクロ波を照射するのみ、つまり遠赤外線等の他の手段による加熱がないので、素子基板１１（Ｃ）の温度制御が容易となる。   In addition, the element substrate 11 (C) that particularly needs temperature management is only irradiated with microwaves in the vacuum chamber 42 by the first drying device 41, that is, is not heated by other means such as far infrared rays. Therefore, it becomes easy to control the temperature of the element substrate 11 (C).

なお、第１実施形態において、第１の乾燥装置４１に放射温度計４６および制御部４７を設け、第２の乾燥装置５９に放射温度計６４および制御部６５を設けたが、第１の乾燥装置４１および第２の乾燥装置５９のうちの少なくともいずれか一方に、放射温度計および制御部を設けるようにしても良い。   In the first embodiment, the first drying device 41 is provided with the radiation thermometer 46 and the control unit 47, and the second drying device 59 is provided with the radiation thermometer 64 and the control unit 65. A radiation thermometer and a control unit may be provided in at least one of the device 41 and the second drying device 59.

「第２実施形態」
本発明に係る第２実施形態の有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法を主に図１０，図１１を参照して第１実施形態との相違部分を中心に説明する。 “Second Embodiment”
A manufacturing apparatus and a manufacturing method of an organic EL panel according to a second embodiment of the present invention will be described mainly with respect to differences from the first embodiment with reference to FIGS.

第２実施形態では、図１０に示すように、第１のライン２１における第１の洗浄装置２８と有機層形成装置３１との間に前段の乾燥装置（第１の乾燥手段）８０が追加で設けられている。この前段の乾燥装置８０は、図１１に示すように、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を乾燥対象物として乾燥させる前段の乾燥工程（第１の乾燥工程）を行う。言い変えれば、第２実施形態においては、有機層形成工程の前のタイミングで、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を乾燥対象物として乾燥させる前段の乾燥工程（第１の乾燥工程）を有している。   In the second embodiment, as shown in FIG. 10, a previous drying device (first drying means) 80 is additionally provided between the first cleaning device 28 and the organic layer forming device 31 in the first line 21. Is provided. As shown in FIG. 11, the preceding stage drying apparatus 80 performs a previous stage drying process (first drying process) in which the element substrate 11 (A) in the anode layer formation state is dried as an object to be dried. In other words, in the second embodiment, at the timing before the organic layer forming step, the previous drying step (first drying step) in which the element substrate 11 (A) in the anode layer forming state is dried as the object to be dried. )have.

前段の乾燥装置８０は、図２に示す第１の洗浄装置２８から搬送されてきた陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を収容可能な真空チャンバ８１を有している。前段の乾燥装置８０は、真空チャンバ８１内において真空状態で、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）に、前段の乾燥工程としてマイクロ波発生源８２からマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、素子基板１１（Ａ）を乾燥させる。マイクロ波発生源８２は、真空チャンバ８１内にセットされた陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）に対して、陽極層３側からマイクロ波を照射する。なお、陽極層３とは反対側からマイクロ波を照射するようにしても良い。これは、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）には、基本的にマイクロ波をカットするものがないためである。なお、真空チャンバ８１には目視用の窓部８３が設けられているが、この窓部８３をなくしても良い。   The former drying apparatus 80 has a vacuum chamber 81 in which the element substrate 11 (A) in the anode layer formation state conveyed from the first cleaning apparatus 28 shown in FIG. 2 can be accommodated. The pre-stage drying device 80 heats the element substrate 11 (A) in the vacuum layer 81 in a vacuum state in the vacuum chamber 81 by irradiating the microwave from the microwave generation source 82 as a pre-stage drying process. As a result, the element substrate 11 (A) is dried. The microwave generation source 82 irradiates the element substrate 11 (A) set in the vacuum chamber 81 in the anode layer formation state with microwaves from the anode layer 3 side. Note that microwaves may be irradiated from the side opposite to the anode layer 3. This is because the element substrate 11 (A) in the anode layer formation state basically has no microwave cut. The vacuum chamber 81 is provided with a visual window 83. However, the window 83 may be omitted.

陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）は、有機層４がないため、特に精密な温度制御が不要であり、よって、前段の乾燥装置８０には、放射温度計および制御部は設けられておらず、マイクロ波発生源８２は、予め設定された強度および時間でマイクロ波を照射するようになっている。   Since the element substrate 11 (A) in the anode layer forming state does not have the organic layer 4, no particularly precise temperature control is required. Therefore, the drying apparatus 80 in the previous stage is provided with a radiation thermometer and a control unit. However, the microwave generation source 82 irradiates the microwave with a preset intensity and time.

以上に述べた第２実施形態によれば、有機層形成工程の前のタイミングで、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を乾燥させる前段の乾燥工程を追加しているため、有機層４が形成された後では有機層４で閉じ込められて後段の第１の乾燥工程では乾燥しにくい部分の水分を事前に除去することができる。   According to the second embodiment described above, an organic layer is added because the previous drying step of drying the element substrate 11 (A) in the anode layer forming state is added at the timing before the organic layer forming step. After 4 is formed, it is possible to remove in advance the moisture of the portion that is confined by the organic layer 4 and is difficult to dry in the first drying process at the subsequent stage.

なお、第２実施形態において、第１の乾燥装置４１およびこれによる第１の乾燥工程を廃止して、前段の乾燥装置８０による前段の乾燥工程のみを行うようにしても良い。   In the second embodiment, the first drying apparatus 41 and the first drying process using the first drying apparatus 41 may be omitted, and only the previous drying process performed by the previous drying apparatus 80 may be performed.

「第３実施形態」
本発明に係る第３実施形態の有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法を主に図１２，図１３を参照して第２実施形態との相違部分を中心に説明する。 “Third Embodiment”
A manufacturing apparatus and a manufacturing method of an organic EL panel according to a third embodiment of the present invention will be described mainly with reference to FIGS. 12 and 13 focusing on differences from the second embodiment.

第３実施形態では、図１２に示すように、第１のライン２１における有機層形成装置３１と陰極層形成装置３２との間に中段の乾燥装置（第１の乾燥手段）９０が追加で設けられている。この中段の乾燥装置９０は、図１３に示すように、有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）を乾燥対象物として乾燥させる中段の乾燥工程（第１の乾燥工程）を行う。言い変えれば、第３実施形態においては、有機層形成工程の後のタイミングで、有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）を乾燥対象物として乾燥させる中段の乾燥工程（第１の乾燥工程）を有している。中段の乾燥装置９０は、第１の乾燥装置４１と同様の構成となっているが、基本的にマイクロ波をカットするものがないため、有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）に有機層４側からマイクロ波を照射するようにしてもよい。   In the third embodiment, as shown in FIG. 12, an intermediate drying device (first drying means) 90 is additionally provided between the organic layer forming device 31 and the cathode layer forming device 32 in the first line 21. It has been. As shown in FIG. 13, the middle-stage drying apparatus 90 performs a middle-stage drying process (first drying process) for drying the element substrate 11 (B) in the organic layer forming state as an object to be dried. In other words, in the third embodiment, at the timing after the organic layer forming step, an intermediate drying step (first drying step) in which the element substrate 11 (B) in the organic layer forming state is dried as an object to be dried. )have. The middle-stage drying device 90 has the same configuration as the first drying device 41, but basically there is nothing to cut microwaves, so that the element substrate 11 (B) in the organic layer formation state is organic. You may make it irradiate a microwave from the layer 4 side.

なお、第３実施形態において、第１の乾燥装置４１およびこれによる第１の乾燥工程を廃止し前段の乾燥装置８０およびこれによる前段の乾燥工程を廃止して、中段の乾燥装置９０による中段の乾燥工程のみを行うようにしても良い。また、第１の乾燥装置４１およびこれによる第１の乾燥工程を廃止して、前段の乾燥装置８０による前段の乾燥工程および中段の乾燥装置９０による中段の乾燥工程のみを行うようにしても良い。さらに、前段の乾燥装置８０およびこれによる前段の乾燥工程を廃止して、中段の乾燥装置９０による中段の乾燥工程および第１の乾燥装置４１による第１の乾燥工程のみを行うようにしても良い。   In the third embodiment, the first drying apparatus 41 and the first drying process thereby are abolished, the previous drying apparatus 80 and the previous drying process are abolished, and the middle drying apparatus 90 performs the middle drying process. Only the drying process may be performed. Alternatively, the first drying device 41 and the first drying process using the first drying device 41 may be abolished, and only the previous drying process performed by the previous drying device 80 and the middle drying process performed by the middle drying device 90 may be performed. . Further, the former drying device 80 and the previous drying step may be eliminated, and only the middle drying step by the middle drying device 90 and the first drying step by the first drying device 41 may be performed. .

つまり、第１〜第３実施形態により、第１のライン２１には、第１の乾燥装置４１、前段の乾燥装置８０および中段の乾燥装置９０のうちの少なくともいずれか一つを設けて、陽極層形成状態、有機層形成状態および陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板１１にマイクロ波を照射し加熱を行えば良い。言い換えれば、有機層形成工程の前と、有機層形成工程の後且つ陰極層形成工程の前と、陰極層形成工程の後とのうちの少なくともいずれか一のタイミングで、素子基板１１にマイクロ波を照射し加熱を行えば良い。   That is, according to the first to third embodiments, the first line 21 is provided with at least one of the first drying device 41, the previous drying device 80, and the middle drying device 90, and the anode. The element substrate 11 in at least one of the layer formation state, the organic layer formation state, and the cathode layer formation state may be irradiated with microwaves and heated. In other words, the microwave is applied to the element substrate 11 at at least one of the timing before the organic layer forming step, after the organic layer forming step and before the cathode layer forming step, and after the cathode layer forming step. And heating may be performed.

１ 有機ＥＬパネル
２ 素子基板本体
３ 陽極層
４ 有機層
５ 陰極層
７ 封止基板本体
９ 充填層
９（Ａ） 充填材
１１ 素子基板
１１（Ａ） 陽極層形成状態の素子基板
１１（Ｂ） 有機層形成状態の素子基板
１１（Ｃ） 陰極層形成状態の素子基板
２０ 製造装置
２１ 第１のライン
２２ 第２のライン
２３ 第３のライン
３１ 有機層形成装置
３２ 陰極層形成装置
４１ 第１の乾燥装置
４６，６４ 放射温度計（温度検出部）
４７，６５ 制御部
５７ 封止基板
５９ 第２の乾燥装置（第２の乾燥手段）
６７ 貼合装置
８０ 前段の乾燥装置（第１の乾燥手段）
９０ 中段の乾燥装置（第１の乾燥手段） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL panel 2 Element substrate main body 3 Anode layer 4 Organic layer 5 Cathode layer 7 Sealing substrate main body 9 Filling layer 9 (A) Filler 11 Element substrate 11 (A) Element substrate 11 (B) Organic layer formation state Element substrate in layer formation state 11 (C) Element substrate in cathode layer formation state 20 Manufacturing apparatus 21 First line 22 Second line 23 Third line 31 Organic layer formation apparatus 32 Cathode layer formation apparatus 41 First drying Equipment 46, 64 Radiation thermometer (temperature detector)
47, 65 Control unit 57 Sealing substrate 59 Second drying device (second drying means)
67 Pasting device 80 Previous drying device (first drying means)
90 Middle stage drying apparatus (first drying means)

Claims (6)

素子基板を、素子基板本体に陽極層を形成してなる陽極層形成状態から、前記陽極層に有機層を形成してなる有機層形成状態とし、さらに、前記有機層に陰極層を形成してなる陰極層形成状態とする第１のラインと、
封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする第２のラインと、
前記第１のラインで形成された前記陰極層形成状態にある素子基板と、前記第２のラインで形成された前記封止基板とを貼り合わせる第３のラインとを備える有機ＥＬパネルの製造装置であって、
前記第１のラインには、前記陽極層形成状態、前記有機層形成状態および前記陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥手段が設けられ、
前記第２のラインには、前記封止基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥手段が設けられていることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造装置。 The element substrate is changed from an anode layer formation state in which an anode layer is formed on the element substrate body to an organic layer formation state in which an organic layer is formed on the anode layer, and further, a cathode layer is formed on the organic layer. A first line having a cathode layer forming state,
A second line in which a filler is mounted on the sealing substrate body to form a sealing substrate;
An apparatus for manufacturing an organic EL panel, comprising: an element substrate in the cathode layer formation state formed in the first line; and a third line for bonding the sealing substrate formed in the second line Because
In the first line, an element substrate that is in at least one of the anode layer formation state, the organic layer formation state, and the cathode layer formation state is used as a dry object, and a microwave is applied to the dry object. A first drying means for heating by irradiation is provided,
The second line is provided with second drying means for heating the sealing substrate by irradiating the sealing object with microwaves and heating the sealing substrate. manufacturing device. 前記第１の乾燥手段および前記第２の乾燥手段のうちの少なくともいずれか一方が、
前記乾燥対象物の放射熱から該乾燥対象物の温度を検出する温度検出部と、
該温度検出部の検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御する制御部とを備えることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造装置。 At least one of the first drying means and the second drying means is:
A temperature detector for detecting the temperature of the drying object from the radiant heat of the drying object;
The organic EL panel manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising: a control unit that controls the intensity of the microwave based on a detection result of the temperature detection unit. 前記第１の乾燥手段が、前記陰極層形成状態にある素子基板を前記乾燥対象物としてマイクロ波を照射する場合に、前記素子基板本体の前記陰極層とは反対側からマイクロ波を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬパネルの製造装置。   When the first drying means irradiates microwaves with the element substrate in the cathode layer formation state as the object to be dried, irradiates microwaves from the side opposite to the cathode layer of the element substrate body. The manufacturing apparatus of the organic EL panel according to claim 1 or 2. 素子基板本体に陽極層を形成してなる陽極層形成状態にある素子基板を、前記陽極層に有機層を形成して有機層形成状態とする有機層形成工程と、
前記有機層形成状態にある素子基板を、前記有機層に陰極層を形成して陰極層形成状態とする陰極層形成工程と、
封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする充填材搭載工程と、
前記陰極層形成工程後の前記陰極層形成状態にある素子基板と、前記充填材搭載工程後の前記封止基板とを貼り合わせる貼合工程とを有する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記有機層形成工程の前、前記有機層形成工程の後および前記陰極層形成工程の後のうちの少なくともいずれか一のタイミングで、前記素子基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥工程を有し、
前記充填材搭載工程の後に、前記封止基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥工程を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 An element substrate in an anode layer forming state formed by forming an anode layer on the element substrate body, an organic layer forming step of forming an organic layer on the anode layer to form an organic layer;
A cathode layer forming step in which the element substrate in the organic layer forming state is formed into a cathode layer forming state by forming a cathode layer on the organic layer;
A filler mounting step of mounting a filler on the sealing substrate body to form a sealing substrate;
An organic EL panel manufacturing method comprising: an element substrate in the cathode layer forming state after the cathode layer forming step; and a bonding step of bonding the sealing substrate after the filler mounting step.
Before the organic layer formation step, after the organic layer formation step and after the cathode layer formation step, the element substrate is set as a drying target and microwaves are applied to the drying target. Having a first drying step of irradiating and heating;
An organic EL panel manufacturing method comprising a second drying step of heating the sealing substrate by irradiating the drying target with microwaves after the filler mounting step. 前記第１の乾燥工程および前記第２の乾燥工程のうちの少なくともいずれか一方において、前記乾燥対象物の放射熱から該乾燥対象物の温度を検出し、この検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。   In at least one of the first drying step and the second drying step, the temperature of the drying object is detected from the radiant heat of the drying object, and the intensity of the microwave is based on the detection result. The method of manufacturing an organic EL panel according to claim 4, wherein: 前記第１の乾燥工程を前記陰極層形成工程の後に行う場合に、前記素子基板本体の前記陰極層とは反対側からマイクロ波を照射することを特徴とする請求項４または５に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。   6. The organic material according to claim 4, wherein when the first drying step is performed after the cathode layer forming step, microwaves are irradiated from the side opposite to the cathode layer of the element substrate body. Manufacturing method of EL panel.

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