JP2014130974A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下層の絶縁層1又は2上に形成されており、一辺の長さが100〜300μmである方形のガス抜き用の開口部Aが300〜1000μmの配列ピッチで格子状に複数形成された下層の電源導体Pと、下層の絶縁層上に下層の電源導体Pを覆うように積層された上層の絶縁層2と、上層の絶縁層上にセミアディティブ法により形成されており、直径が80〜150μmの円形の上層のビアランド9およびこのビアランド9の周囲を幅が30〜100μmのクリアランスCを介して取り囲むように配置された上層の電源導体Pと、を具備して成る配線基板であって、下層の開口部Aと上層のクリアランスCとは、互いに上下に対向することがないように配置されている。
【選択図】図2
Description
9 ビアランド
A ガス抜き用の開口部
C クリアランス
P 電源導体
Claims (1)
- 下層の絶縁層上に形成されており、一辺の長さが100〜300μmである方形のガス抜き用の開口部が300〜1000μmの配列ピッチで格子状に複数形成された下層の電源導体と、前記下層の絶縁層上に前記下層の電源導体を覆うように積層された上層の絶縁層と、該上層の絶縁層上にセミアディティブ法により形成されており、直径が80〜150μmの円形の上層のビアランドおよび該ビアランドの周囲を幅が30〜100μmのクリアランスを介して取り囲むように配置された上層の電源導体と、を具備して成る配線基板であって、前記開口部と前記クリアランスとは、互いに上下に対向することがないように配置されていることを特徴とする配線基板。
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