JP2014126457A - 静電容量式検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】移動体が移動方向に沿って傾いた場合にも移動体の変位を精度良く求めることのできる静電容量式検出装置を提供する。
【解決手段】対象物と共にx方向に沿って移動する移動体1と、移動体1と対向配置される検出電極2A,2Bとを備え、各検出電極2A,2Bは、移動体1のx方向に沿った変位に伴って移動体1との間の静電容量CA,CBが変化する形状に形成され、移動体1の少なくとも各検出電極2A,2Bと対向する面を、各検出電極2A,2Bに向かって突出する曲面で形成した。
【選択図】図1
【解決手段】対象物と共にx方向に沿って移動する移動体1と、移動体1と対向配置される検出電極2A,2Bとを備え、各検出電極2A,2Bは、移動体1のx方向に沿った変位に伴って移動体1との間の静電容量CA,CBが変化する形状に形成され、移動体1の少なくとも各検出電極2A,2Bと対向する面を、各検出電極2A,2Bに向かって突出する曲面で形成した。
【選択図】図1
Description
本発明は、静電容量式検出装置に関する。
従来から、対象物の変位を求める静電容量式の検出装置が知られており、例えば特許文献1に開示されている。特許文献1に記載の静電エンコーダは、4相の電位検出電極を有する固定子と、第1電極及び第2電極を有し、固定子上で移動するように設けられた移動子とを備える。移動子は、固定子の上に摺動材を介して摺動自在に移動するように配置され、固定子の長手方向に移動し得るように取り付けられている。
また、この静電エンコーダは、移動子の第1電極及び第2電極の各々に誘起した電荷に感応する電位検出電極から出力される交流信号の差に基づきベクトル信号を生成する差動増幅器を備える。更に、この静電エンコーダは、ベクトル信号に基づき固定子に対する移動子の絶対的位置に係る信号を生成するレゾルバ/デジタル変換器を備える。
すなわち、この静電エンコーダは、固定子の上を移動子が移動するとき、固定子と移動子との間に生じる静電作用に基づき、固定子に対する移動子の相対的な位置の変化を、絶対的位置として測定する。
しかしながら、上記従来例では、移動子(移動体)は摺動材を介して固定子の上を摺動する構成となっている。このため、摺動材が固定子に引っ掛かる等して移動子の移動を妨げる虞がある。
そこで、摺動材を用いずに移動子を固定子に接触させない構成を採用することが考えられる。この構成では、固定子が移動子と接触しないために移動子の移動を妨げる虞はないが、移動子が移動方向に沿って傾く虞がある。この場合、移動子と固定子との間の静電容量は、移動子の変位のみならず移動子の傾きによっても変動するため、移動子の変位を精度良く求めることができないという問題があった。
また、摺動材を用いた構成においても、例えば摺動材が摩耗する等して、移動子が移動方向に沿って傾く虞がある。この場合も、やはり移動子と固定子との間の静電容量が、移動子の変位のみならず移動子の傾きによっても変動するため、移動子の変位を精度良く求めることができないという問題があった。
本発明は、上記の点に鑑みて為されたもので、移動体が移動方向に沿って傾いた場合にも移動体の変位を精度良く求めることのできる静電容量式検出装置を提供することを目的とする。
本発明の静電容量式検出装置は、対象物と共に一の方向に沿って移動する移動体と、前記移動体と対向配置される検出電極とを備え、前記検出電極は、前記移動体の前記一の方向に沿った変位に伴って前記移動体との間の静電容量が変化する形状に形成され、前記移動体の少なくとも前記検出電極と対向する面を、前記検出電極に向かって突出する曲面で形成することを特徴とする。
本発明の静電容量式検出装置は、対象物と共に一の方向に沿って移動する移動体と、前記移動体と対向配置される検出電極とを備え、前記移動体は、前記一の方向に沿った変位に伴って前記検出電極との間の静電容量が変化する形状に形成され、
前記検出電極の少なくとも前記移動体と対向する面を、前記移動体に向かって突出する曲面で形成することを特徴とする。
前記検出電極の少なくとも前記移動体と対向する面を、前記移動体に向かって突出する曲面で形成することを特徴とする。
この静電容量式検出装置において、前記検出電極は、リジッド基板から成る複数の基板を積層して成る多層基板のうち、内側の前記基板に形成することが好ましい。
この静電容量式検出装置において、前記リジッド基板は、セラミック基板から成ることが好ましい。
この静電容量式検出装置において、前記多層基板の少なくとも一部を樹脂製のケースに一体成形することが好ましい。
この静電容量式検出装置において、前記曲面は、円柱の側面であることが好ましい。
この静電容量式検出装置において、前記曲面は、球面であることが好ましい。
この静電容量式検出装置において、前記検出電極を挟んだ前記移動体とは反対側の位置に、前記検出電極と同電位に接続されるシールド電極を配置することが好ましい。
この静電容量式検出装置において、前記移動体と前記検出電極との間の静電容量に基づいて前記移動体の変位を求める処理部を備えることが好ましい。
本発明は、移動体の検出電極と対向する面を、検出電極に向かって突出する曲面で形成している。若しくは、本発明は、検出電極の移動体と対向する面を、移動体に向かって突出する曲面で形成している。このため、本発明では、移動体が移動方向に沿って傾いたとしても、移動体と検出電極との間の距離が変動せず、移動体の傾きによっては移動体と検出電極との間の静電容量は変動しない。したがって、本発明では、移動体が移動方向に沿って傾いた場合にも移動体の変位を精度良く求めることができる。
(実施形態1)
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態1について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図1に示す矢印によりx方向、y方向、z方向を規定する。本実施形態は、図1に示すように、移動体1と、1対の検出電極2A,2Bと、処理部3とを備える。
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態1について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図1に示す矢印によりx方向、y方向、z方向を規定する。本実施形態は、図1に示すように、移動体1と、1対の検出電極2A,2Bと、処理部3とを備える。
移動体1は、y方向に沿って長尺な円柱形状に形成され、変位を求める対象物(図示せず)に取り付けられる。なお、移動体1は、対象物に中間部材(図示せず)を介して取り付けられてもよいし、対象物に直接取り付けられてもよい。更には、移動体1が対象物の一部であってもよい。移動体1は、対象物と共にx方向(一の方向)に沿って移動する。したがって、この移動体1の変位を求めることで、対象物の変位を求めることができる。
検出電極2A,2Bは、何れも基板P1のz方向における一方の面(図1(b)における上面)に形成された金属パターンであり、移動体1と対向して配置される。各検出電極2A,2Bは、それぞれ平面視で三角形状に形成している。検出電極2Aは、x方向のマイナスの向きに向かうにつれてy方向の幅寸法が大きくなるように形成している。また、検出電極2Bは、x方向のプラスの向きに向かうにつれてy方向の幅寸法が大きくなるように形成している。
各検出電極2A,2Bの形状は三角形状に限定されるものではなく、y方向の幅寸法がx方向に沿って連続的に変化する形状であればよい。すなわち、各検出電極2A,2Bは、移動体1のx方向の変位に伴って移動体1との間の静電容量が変化する形状であればよい。
また、基板P1のz方向における他方の面(図1(b)における下面)には、図示しないが金属パターンから成るシールド電極を形成している。なお、シールド電極は、各検出電極2A,2Bが形成される基板に形成する構成に限定されるものではなく、各検出電極2A,2Bを挟んだ移動体1とは反対側の位置に配置する構成であればよい。
基板P1は、絶縁性を有する材料から成るリジッド基板である。リジッド基板は、フレキシブル基板と比較して剛性が高いので、リジッド基板上に形成される各検出電極2A,2Bの形状の安定性を向上することができる。また、後述の実施形態2のように、リジッド基板は多層化が容易であるので、シールド電極を配置するのにも適している。
本実施形態では、基板P1としてセラミック基板を用いている。セラミック基板は、耐熱性、剛性に優れた基板であるため、高温下での使用や製造に対しても形状が安定する。また、セラミック基板は、耐薬品性や耐オイル性にも優れた基板であるため、外気に晒された状態での使用にも耐え得る。
処理部3は、例えば基板P1とは異なる基板(図示せず)に設けられるもので、図2(a)に示すように、第1CV変換回路30と、第2CV変換回路31と、差分検出回路32と、演算回路32とを備える。また、図示しないが、処理部3は後述するスイッチSW1〜SW5を駆動する駆動回路も備える。
第1CV変換回路30は、移動体1と検出電極2Aとの間の静電容量CAに基づく電圧を出力するもので、オペアンプOP1と、コンデンサC1と、スイッチSW1,SW2とから構成される。検出電極2Aは、スイッチSW1に接続されている。このスイッチSW1を切り替えることにより、オペアンプOP1の反転入力端子、高インピーダンスの開放位置、接地電位の何れかと検出電極2Aとの間の接続を周期的に切り替える。オペアンプOP1の非反転入力端子は、基準電位V1に接続される。また、第1CV変換回路30は、オペアンプOP1の反転入力端子と出力端子との間にコンデンサC1を接続することで負帰還回路を構成している。このコンデンサC1と並列にスイッチSW2を接続しており、コンデンサC1とスイッチSW2とでスイッチトキャパシタを構成している。
第2CV変換回路31は、移動体1と検出電極2Bとの間の静電容量CBに基づく電圧を出力するもので、オペアンプOP2と、コンデンサC2と、スイッチSW3,SW4とから構成される。検出電極2Bは、スイッチSW3に接続されている。このスイッチSW3を切り替えることにより、オペアンプOP2の反転入力端子、高インピーダンスの開放位置、接地電位の何れかと検出電極2Bとの間の接続を周期的に切り替える。オペアンプOP2の非反転入力端子は、基準電位V1に接続される。また、第2CV変換回路31は、オペアンプOP2の反転入力端子と出力端子との間にコンデンサC2を接続することで負帰還回路を構成している。このコンデンサC2と並列にスイッチSW4を接続しており、コンデンサC2とスイッチSW4とでスイッチトキャパシタを構成している。
以下、各CV変換回路30,31の動作について図2(a),(b)を用いて説明する。先ず、各検出電極2A,2Bが、それぞれスイッチSW1,SW3を介してオペアンプOP1,OP2の反転入力端子に接続され、且つスイッチSW2,SW4がオフであるとする。この場合、オペアンプOP1は、静電容量CAとコンデンサC1とのインピーダンス比に応じた電圧を出力する。また、オペアンプOP2は、静電容量CBとコンデンサC2とのインピーダンス比に応じた電圧を出力する。
次に、スイッチSW2,SW4がオンに切り替わると、コンデンサC1,C2が蓄積された電荷を放電することにより、各オペアンプOP1,OP2の出力電圧が一旦リセットされる。このとき、各検出電極2A,2BがスイッチSW1,SW3を介して接地電位に接続されることで、静電容量CA,CBもリセットされる。その後、スイッチSW1,SW3を切り替えて各検出電極2A,2BをそれぞれオペアンプOP1,OP2の反転入力端子に接続し、且つスイッチSW2,SW4をオンに切り替える。すると、各オペアンプOP1,OP2は、それぞれ再び静電容量CA,CBとコンデンサC1,C2とのインピーダンス比に応じた電圧を出力する。上記の動作を繰り返すことで、各オペアンプOP1,OP2からは、それぞれ静電容量CA,CBに基づく電圧が周期的に出力される。
差分検出回路32は、各CV変換回路30,31の出力電圧の差分を出力するもので、オペアンプOP3と、抵抗R1〜R4とから構成される。差分検出回路32の出力電圧V0は、静電容量CAと静電容量CBとの差分に比例するもので、演算回路33に与えられる。
演算回路33は、例えばマイクロコントローラから成り、出力電圧V0に基づいて移動体1の変位を求める。例えば、移動体1がx方向のプラスの向きに移動すると、移動体1と対向する検出電極2Aの面積が小さくなり、移動体1と対向する検出電極2Bの面積が大きくなる。したがって、この場合には、静電容量CBが静電容量CAよりも大きくなる。また、移動体1がx方向のマイナスの向きに移動すると、移動体1と対向する検出電極2Aの面積が大きくなり、移動体1と対向する検出電極2Bの面積が小さくなる。したがって、この場合には、静電容量CAが静電容量CBよりも大きくなる。すなわち、移動体1の変位に伴って各静電容量CA,CBの差分が変化するので、出力電圧V0から移動体1の変位を求めることができる。
なお、シールド電極は、スイッチSW5を介して基準電位V1と接続されている。このスイッチSW5を切り替えることにより、基準電位V1、接地電位の何れかとシールド電極とが周期的に接続される。ここで、本実施形態では、シールド電極の電位が各検出電極2A,2Bと常に等電位となるようにスイッチSW5を切り替える。これにより、各検出電極2A,2Bとシールド電極との間では電荷の充放電が行われない。
したがって、シールド電極を挟んで各検出電極2A,2Bと反対側の位置に他の物体が存在したとしても、当該物体の存在によって静電容量CA,CBが変化することはない。また、シールド電極を備えることで、ノイズによる静電容量CA,CBの変動も防止することができる。
上述のように、本実施形態では、移動体1をy方向に沿って長尺な円柱形状に形成している。すなわち、移動体1における少なくとも各検出電極2A,2Bと対向する面を、検出電極2A,2Bに向かって突出する曲面で形成している。このため、本実施形態では、移動体1が移動方向(x方向)に沿って傾いたとしても、移動体1と各検出電極2A,2Bとの間の距離が変動しない。つまり、移動体1の傾きによっては移動体1と各検出電極2A,2Bとの間の各静電容量CA,CBは変動しない。したがって、本実施形態では、移動体1が移動方向に沿って傾いた場合にも移動体1の変位、ひいては対象物の変位を精度良く求めることができる。
なお、移動体1は、図3(a),(b)に示すように球状に形成してもよい。この構成では、移動体1がx方向に傾いた場合のみならず、x軸又はy軸を軸として回転した場合でも、各静電容量CA,CBに影響を与えることがなく、移動体1の変位をより精度良く求めることができる。なお、移動体1は完全な球状で形成する必要はなく、少なくとも各検出電極2A,2Bと対向する曲面が球面であればよい。
ここで、本実施形態では、移動体1を円柱形状又は球形状に形成しているが、移動体1の各検出電極2A,2Bと対向する面が、各検出電極2A,2Bに向かって突出する曲面であれば、他の形状であってもよい。例えば、移動体1を、その曲面が楕円面となる形状に形成してもよい。この構成では、移動体1がx方向に傾いたとしても、その曲面と各検出電極2A,2Bとの間の距離が傾いていない場合とほぼ同じになり、移動体1の変位を精度良く求めることができる。
(実施形態2)
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態2について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図4(a)に示す矢印によりx方向、y方向、z方向を規定する。また、以下の説明では、実施形態1と共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図4,5に示すように、基板P1の代わりに多層基板P2を用いている。また、本実施形態では、検出電極2A,2Bの代わりに検出電極2C及び1対の参照電極2D,2Eを用いている。
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態2について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図4(a)に示す矢印によりx方向、y方向、z方向を規定する。また、以下の説明では、実施形態1と共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図4,5に示すように、基板P1の代わりに多層基板P2を用いている。また、本実施形態では、検出電極2A,2Bの代わりに検出電極2C及び1対の参照電極2D,2Eを用いている。
多層基板P2は、複数(本実施形態では4枚)の基板P20〜P23を積層して成る。各基板P20〜P23は、何れもリジッド基板から成る。本実施形態では、各基板P20〜P23はセラミック基板である。各基板P20〜P23は、x方向に沿って長尺な矩形状の主部A1と、主部A1からy方向に沿って突出する矩形状の突部A2とを一体に形成して成る。各基板P20〜P23は、移動体1に近い方から、P20,P21,P22,P23の順にz方向に沿って積層している。
基板P20の突部A2の一面(図5における手前側の面)には、処理部3を構成する電子部品B1を実装している。基板P21の主部A1の一面(図5における手前側の面)には、検出電極2Cと、検出電極2Cを挟む形で配置される1対の参照電極2D,2Eとを形成している。検出電極2Cは、実施形態1の各検出電極2A,2Bと同様に、平面視で三角形状に形成されている。検出電極2Cは、y方向の幅寸法がx方向に沿って連続的に変化する。この検出電極2Cを挟んだy方向における両側には、それぞれ参照電極2D,2Eを形成している。各参照電極2D,2Eは、平面視で矩形状に形成されている。各参照電極2D,2Eは、y方向の幅寸法がx方向に沿って変化しない。
基板P22の主部A1の一面(図5における手前側の面)には、平面視で矩形状のシールド電極S1を形成している。このシールド電極S1は、実施形態1のシールド電極と同様の機能を有する。また、各基板P20〜P23の主部A1と突部A2との境界部には、x方向に沿って一定の間隔を空けて、4つのスルーホールT1をそれぞれ貫設している。これらスルーホールT1を介して、各電極2C〜2E及びシールド電極S1を処理部3と電気的に接続している。
本実施形態の処理部3は、実施形態1の第1CV変換回路30と同様の構成の3つのCV変換回路(図示せず)と、演算回路(図示せず)とを備える。各CV変換回路は、移動体1と検出電極2Cとの間の静電容量CC、移動体1と各参照電極2D,2Eとの間の静電容量CD,CEに比例した電圧をそれぞれ出力する。ここで、静電容量CCは、基本的に移動体1のx方向の変位に伴って連続的に変化するが、移動体1がy方向に傾く場合にも変化する。一方、静電容量CD,CEは、何れも移動体1のx方向の変位によっては変化しないが、移動体1がy方向に傾く場合は、その傾きに伴って連続的に変化する。
そこで、本実施形態では、各静電容量CD,CEに基づいて静電容量CCを補正することで、移動体1のy方向の傾きに依らないx方向の変位を求めている。以下、静電容量CCを補正する方法について図6を用いて説明する。なお、図6では各電極2C〜2Eが露出しているが、実際には多層基板P2の内層に形成されており、露出していない。移動体1がy方向に傾いていない場合において、移動体1と検出電極2Cとの間の距離をD0、移動体1と参照電極2Dとの間の距離をD1、移動体1と参照電極2Eとの間の距離をD2とする。また、移動体1がy方向に傾いている場合において、移動体1と検出電極2Cとの間の距離をD0’とする。更に、各電極2C〜2Eはy方向に沿って等間隔に配置されているものとする。
先ず、静電容量CD、誘電率、参照電極2Dの移動体1と対向する面積に基づいて、距離D1を算出する。同様に、静電容量CE、誘電率、参照電極2Eの移動体1と対向する面積に基づいて、距離D2を算出する。次に、距離D1,D2に基づいて、距離D0’を算出する。そして、静電容量が距離に反比例することを利用して、距離D0’、D0に基づいて静電容量CCを補正する。これにより、移動体1がy方向に傾いていない場合の静電容量CCを算出することができる。
多層基板P2は、図4(a)に示すように、x方向に沿って長尺な樹脂製のケース4に一体成形している。ケース4は、多層基板P2における主部A1と突部A2との境界部を覆う。したがって、スルーホールT1は、ケース4により覆われるために外部に露出することがない。このため、各電極2C〜2Eの外部に対する絶縁性を確保することができる。また、ケース4の長手方向の両端部には、それぞれz方向に沿って貫通する取付孔40を設けている。この取付孔40に取付ねじ(図示せず)を挿入してねじ止めすることにより、本実施形態を任意の場所に取り付けることができる。
上述のように、本実施形態では、多層基板P2のうち内側の基板P21に検出電極2C及び参照電極2D,2Eを形成している。したがって、本実施形態では、各電極2C〜2Eが外部に露出することがないため、各電極2C〜2Eの外部に対する絶縁性を確保することができる。なお、各電極2C〜2Eは、本実施形態のように、多層基板P2の内側の基板のうち最も移動体1に近い基板に形成するのが望ましい。この構成では、移動体1と各電極2C〜2Eとの間の静電容量CC〜CEを検出し易く、増幅回路が必要である場合にもその増幅率を極力小さく抑えることができる。
(実施形態3)
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態3について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図7に示す矢印によりx方向、y方向、z方向を規定する。本実施形態は、図7に示すように、移動体1’と、検出電極2Fと、処理部3とを備える。
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態3について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図7に示す矢印によりx方向、y方向、z方向を規定する。本実施形態は、図7に示すように、移動体1’と、検出電極2Fと、処理部3とを備える。
移動体1’は、平面視で三角形状に形成され、変位を求める対象物(図示せず)に取り付けられる。なお、移動体1’は、対象物に中間部材(図示せず)を介して取り付けられてもよいし、対象物に直接取り付けられてもよい。更には、移動体1’が対象物の一部であってもよい。移動体1’は、対象物と共にx方向に沿って移動する。
移動体1’は、x方向のマイナスの向きに向かうにつれてy方向の幅寸法が大きくなるように形成している。勿論、移動体1’の形状は三角形状に限定されるものではなく、y方向の幅寸法がx方向に沿って連続的に変化する形状であればよい。すなわち、移動体1’は、自身のx方向の変位に伴って検出電極2Fとの間の静電容量が変化する形状であればよい。
検出電極2Fは、y方向に沿って長尺な円柱形状に形成され、移動体1’と対向して配置される。
処理部3は、移動体1’と検出電極2Fとの間の静電容量を電圧に変換するCV変換回路34と、当該電圧の増減に基づいて移動体1’のx方向の変位を演算する演算回路35とを備える。
上述のように、本実施形態では、検出電極2Fをy方向に沿って長尺な円柱形状に形成している。すなわち、検出電極2Fにおける少なくとも移動体1’と対向する面を、移動体1’に向かって突出する曲面で形成している。このため、本実施形態では、移動体1’が移動方向(x方向)に沿って傾いたとしても、移動体1’と検出電極2Fとの間の距離が変動しない。つまり、移動体1’の傾きによっては移動体1’と検出電極2Fとの間の静電容量は変動しない。したがって、本実施形態では、移動体1’が移動方向に沿って傾いた場合にも移動体1’の変位、ひいては対象物の変位を精度良く求めることができる。
なお、検出電極2Fは球状に形成してもよい。この構成では、移動体1’がx方向に傾いた場合のみならず、x軸又はy軸を軸として回転した場合でも、静電容量に影響を与えることがなく、移動体1’の変位をより精度良く求めることができる。なお、検出電極2Fは完全な球状で形成する必要はなく、少なくとも移動体1’と対向する曲面が球面であればよい。
また、検出電極2Fの移動体1’と対向する面が、移動体1’に向かって突出する曲面であれば、他の形状であってもよい。例えば、検出電極2Fを、その曲面が楕円面となる形状に形成してもよい。この構成では、移動体1’がx方向に傾いたとしても、その曲面と検出電極2Fとの間の距離が傾いていない場合とほぼ同じになり、移動体1’の変位を精度良く求めることができる。
なお、上記実施形態1〜3では、処理部3を検出装置の一部としているが、処理部3は検出装置とは異なる外部の装置に組み込まれるものであってもよい。
1 移動体
2A,2B 検出電極
2A,2B 検出電極
Claims (9)
- 対象物と共に一の方向に沿って移動する移動体と、前記移動体と対向配置される検出電極とを備え、前記検出電極は、前記移動体の前記一の方向に沿った変位に伴って前記移動体との間の静電容量が変化する形状に形成され、
前記移動体の少なくとも前記検出電極と対向する面を、前記検出電極に向かって突出する曲面で形成することを特徴とする静電容量式検出装置。 - 対象物と共に一の方向に沿って移動する移動体と、前記移動体と対向配置される検出電極とを備え、前記移動体は、前記一の方向に沿った変位に伴って前記検出電極との間の静電容量が変化する形状に形成され、
前記検出電極の少なくとも前記移動体と対向する面を、前記移動体に向かって突出する曲面で形成することを特徴とする静電容量式検出装置。 - 前記検出電極は、リジッド基板から成る複数の基板を積層して成る多層基板のうち、内側の前記基板に形成することを特徴とする請求項1に記載の静電容量式検出装置。
- 前記リジッド基板は、セラミック基板から成ることを特徴とする請求項3に記載の静電容量式検出装置。
- 前記多層基板の少なくとも一部を樹脂製のケースに一体成形することを特徴とする請求項3又は4に記載の静電容量式検出装置。
- 前記曲面は、円柱の側面であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の静電容量式検出装置。
- 前記曲面は、球面であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の静電容量式検出装置。
- 前記検出電極を挟んだ前記移動体とは反対側の位置に、前記検出電極と同電位に接続されるシールド電極を配置することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の静電容量式検出装置。
- 前記移動体と前記検出電極との間の静電容量に基づいて前記移動体の変位を求める処理部を備えることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の静電容量式検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012283363A JP2014126457A (ja) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 静電容量式検出装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018031728A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | アイシン精機株式会社 | 静電容量センサ |
US10591079B2 (en) | 2015-06-18 | 2020-03-17 | Denso Corporation | Electric actuator and manufacturing method for same |
-
2012
- 2012-12-26 JP JP2012283363A patent/JP2014126457A/ja active Pending
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US10591079B2 (en) | 2015-06-18 | 2020-03-17 | Denso Corporation | Electric actuator and manufacturing method for same |
JP2018031728A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | アイシン精機株式会社 | 静電容量センサ |
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