JP2014116503A - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method which can inhibit voids and achieve high reliability.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises a process of thermal pressure bonding a semiconductor chip on which a film adhesive is bonded on a bump electrode formation surface with a substrate on which a film adhesive is bonded so as to oppose the film adhesives to each other.

Description

本発明は、ボイドを抑制し、高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing voids and realizing high reliability.

半導体装置の小型化及び高密度化に伴い、半導体チップを基板に実装する方法として、表面に多数の突起電極が形成された半導体チップを用いたフリップチップ実装が注目され、急速に広まってきている。
フリップチップ実装においては、接合部分の接続信頼性を確保するための方法として、半導体チップの突起電極と基板の電極部とを接合した後に、半導体チップと基板との隙間に液状封止接着剤（アンダーフィル）を注入し、硬化させることが一般的な方法として採られている。しかしながら、アンダーフィルを用いたフリップチップ実装は、製造コストが高い、アンダーフィル充填に時間がかかる、電極間の距離及び半導体チップと基板との距離を狭めるのに限界がある等の問題を抱えている。 As semiconductor devices are miniaturized and densified, flip chip mounting using a semiconductor chip having a large number of protruding electrodes formed on the surface has attracted attention and is rapidly spreading as a method for mounting a semiconductor chip on a substrate. .
In flip chip mounting, as a method for ensuring the connection reliability of the joint portion, after bonding the protruding electrode of the semiconductor chip and the electrode portion of the substrate, a liquid sealing adhesive (in the gap between the semiconductor chip and the substrate) It is a common method to inject and cure the underfill. However, flip chip mounting using underfill has problems such as high manufacturing cost, long time for underfill filling, and limitations in reducing the distance between electrodes and the distance between the semiconductor chip and the substrate. Yes.

そこで、近年、ペースト状又はフィルム状の接着剤を半導体チップと基板との間に予め供給しておく、先塗布型のフリップチップ実装が提案されている。しかしながら、先塗布型のフリップチップ実装では、半導体チップの突起電極と基板の電極部とを接触させる際に、半導体チップの突起電極間、基板の回路パターンの隙間等に空気を巻き込んでボイドを生じたり、半導体チップを基板上に搭載する際の熱圧着工程において、接着剤からの揮発成分によってボイドが生じたりすることがある。このようなボイドは、電極間の短絡を招いたり、接着剤中にクラックを発生させる要因となったりする。また、先塗布型のフリップチップ実装では、熱圧着工程において突起電極の接合と接着剤の熱硬化とを同時に行うことから、精度の高い突起電極の接合とボイドの抑制とを同時に行うことは困難である。 Therefore, in recent years, a pre-coating type flip chip mounting in which a paste or film adhesive is supplied in advance between a semiconductor chip and a substrate has been proposed. However, in the pre-applied flip chip mounting, when the bump electrode of the semiconductor chip and the electrode portion of the substrate are brought into contact with each other, air is engulfed between the bump electrodes of the semiconductor chip, the gap of the circuit pattern of the substrate, etc. In the thermocompression bonding process when the semiconductor chip is mounted on the substrate, a void may be generated due to a volatile component from the adhesive. Such voids may cause a short circuit between the electrodes or cause cracks in the adhesive. Also, in the pre-coating type flip chip mounting, it is difficult to simultaneously perform high-precision bonding of the protruding electrodes and suppression of voids because the bonding of the protruding electrodes and the thermosetting of the adhesive are simultaneously performed in the thermocompression bonding process. It is.

ボイドを抑制するために、ペースト状又はフィルム状の接着剤の物性（例えば、粘度、濡れ性等）を制御することが行われているが、基板の回路パターンは一般的に実装体ごとに変化することから、このような方法では、実装体ごとに接着剤の物性を適正化する必要がある。このため、接着剤の物性だけではなく、半導体装置の製造方法を工夫することによりボイドを抑制することが求められている。
半導体装置の製造方法において、フィルム状接着剤を用いる場合には、半導体チップ側にフィルム状接着剤を貼り合わせることが一般的な方法として採られている（例えば、特許文献１）。しかしながら、半導体チップ側にフィルム状接着剤を貼り合わせた場合、半導体チップの突起電極間に生じるボイドはある程度抑制できるものの、基板の回路パターンの隙間にボイドが生じることは充分には抑制できていなかった。 In order to suppress voids, the physical properties (for example, viscosity, wettability, etc.) of paste-like or film-like adhesives are controlled, but the circuit pattern on the board generally varies from one mounting body to another. Therefore, in such a method, it is necessary to optimize the physical properties of the adhesive for each mounting body. For this reason, not only the physical properties of the adhesive but also the suppression of voids is required by devising the semiconductor device manufacturing method.
In the manufacturing method of a semiconductor device, when a film adhesive is used, it is a common method to bond the film adhesive to the semiconductor chip side (for example, Patent Document 1). However, when a film adhesive is bonded to the semiconductor chip side, the voids generated between the protruding electrodes of the semiconductor chip can be suppressed to some extent, but the generation of voids in the gap between the circuit patterns on the substrate cannot be sufficiently suppressed. It was.

特開２００９−２６０２７９号公報JP 2009-260279 A

本発明は、ボイドを抑制し、高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the manufacturing method of the semiconductor device which can suppress a void and implement | achieve high reliability.

本発明は、突起電極形成面にフィルム状接着剤が貼り合わされた半導体チップと、フィルム状接着剤が貼り合わされた基板とを、フィルム状接着剤同士が対向するようにして熱圧着する工程を有する半導体装置の製造方法である。
以下、本発明を詳述する。 The present invention includes a step of thermocompression bonding a semiconductor chip having a film-like adhesive bonded to a projecting electrode forming surface and a substrate having a film-like adhesive bonded together so that the film-like adhesives face each other. A method for manufacturing a semiconductor device.
The present invention is described in detail below.

半導体装置の製造方法において、フィルム状接着剤を用いる場合には、半導体チップ側にフィルム状接着剤を貼り合わせることが一般的な方法として採られている。一方、基板側にフィルム状接着剤を貼り合わせることも検討されているが、この場合には、半導体チップの突起電極間に生じるボイドを抑制することが困難となる。このような問題に対し、本発明者は、突起電極形成面にフィルム状接着剤が貼り合わされた半導体チップと、フィルム状接着剤が貼り合わされた基板とを、フィルム状接着剤同士が対向するようにして熱圧着する工程を有する半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの突起電極間に生じるボイドも基板の回路パターンの隙間に生じるボイドも抑制することができ、高い信頼性を実現できることを見出し、本発明を完成させるに至った。 In the manufacturing method of a semiconductor device, when a film adhesive is used, it is a common method to bond the film adhesive on the semiconductor chip side. On the other hand, it is also considered to attach a film adhesive to the substrate side, but in this case, it is difficult to suppress voids generated between the protruding electrodes of the semiconductor chip. With respect to such a problem, the present inventor makes the film adhesives face each other between the semiconductor chip in which the film adhesive is bonded to the protruding electrode forming surface and the substrate in which the film adhesive is bonded. According to the method of manufacturing a semiconductor device having the step of thermocompression bonding, it is possible to suppress voids generated between the protruding electrodes of the semiconductor chip and voids generated in the gaps of the circuit pattern of the substrate, thereby realizing high reliability. The headline and the present invention have been completed.

本発明の半導体装置の製造方法では、突起電極形成面にフィルム状接着剤が貼り合わされた半導体チップと、フィルム状接着剤が貼り合わされた基板とを、フィルム状接着剤同士が対向するようにして熱圧着する工程を行う。 In the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention, the film adhesive is made to face the semiconductor chip in which the film adhesive is bonded to the protruding electrode forming surface and the substrate in which the film adhesive is bonded. The process of thermocompression bonding is performed.

上記突起電極形成面にフィルム状接着剤が貼り合わされた半導体チップを準備する方法は特に限定されないが、予めウエハの突起電極形成面にフィルム状接着剤を常圧ラミネート、真空ラミネート等により貼り合わせた後、ブレードダイシング、レーザーダイシング等により半導体チップに個片化する方法が好ましい。常圧ラミネートでは空気が巻き込まれる場合があるが、加圧オーブン（例えば、ＰＣＯ−０８３ＴＡ（ＮＴＴアトバンステクノロジ社製））等を用いてフィルム状接着剤を加圧雰囲気下で加熱して、ボイドを除去してもよい。また、半導体チップの突起電極形成面にフィルム状接着剤を常圧ラミネート、真空ラミネート等により貼り合わせてもよい。
上記ウエハとして、例えば、シリコン、ガリウム砒素等の半導体からなり、半田からなる先端部を有する突起電極が表面に形成されたウエハが挙げられる。なお、半田からなる先端部を有する突起電極は、先端部が半田からなっていれば、突起電極の一部が半田からなっていても、突起電極全体が半田からなってもよい。 A method for preparing a semiconductor chip in which a film adhesive is bonded to the protruding electrode forming surface is not particularly limited, but the film adhesive is previously bonded to the protruding electrode forming surface of the wafer by atmospheric pressure lamination, vacuum lamination, or the like. Thereafter, a method of dividing into semiconductor chips by blade dicing, laser dicing or the like is preferable. Air may be entrained in normal pressure lamination, but the film adhesive is heated in a pressurized atmosphere using a pressure oven (for example, PCO-083TA (manufactured by NTT Atvans Technology Co., Ltd.)). May be removed. Alternatively, a film adhesive may be bonded to the projecting electrode forming surface of the semiconductor chip by normal pressure lamination, vacuum lamination, or the like.
Examples of the wafer include a wafer made of a semiconductor such as silicon or gallium arsenide and having a protruding electrode formed on the surface having a tip portion made of solder. It should be noted that the protruding electrode having the tip portion made of solder may be formed of a part of the protruding electrode, or the entire protruding electrode may be made of solder, as long as the tip portion is made of solder.

上記フィルム状接着剤が貼り合わされた基板を準備する方法は特に限定されないが、基板にフィルム状接着剤を常圧ラミネート、真空ラミネート等により貼り合わせる方法が好ましい。 The method for preparing the substrate on which the film adhesive is bonded is not particularly limited, but a method in which the film adhesive is bonded to the substrate by normal pressure lamination, vacuum lamination, or the like is preferable.

上記半導体チップに貼り合わされたフィルム状接着剤の厚みは、突起電極高さに対して７０％以上であることが好ましい。厚みが突起電極高さの７０％未満であると、フィルム欠陥等の影響により、半導体チップ全面を充填できないことがある。
上記基板に貼り合わされたフィルム状接着剤の厚みは、突起電極高さに対して１５％以上であることが好ましい。厚みが突起電極高さの１５％未満であると、フィルム状接着剤が半導体チップと基板との間に必要な量に満たないことがある。
また、良好なフィレットを形成するためには、上記半導体チップに貼り合わされたフィルム状接着剤の厚みが突起電極高さに対して８５％以上であることがより好ましい。 The thickness of the film adhesive bonded to the semiconductor chip is preferably 70% or more with respect to the height of the protruding electrode. If the thickness is less than 70% of the height of the protruding electrode, the entire surface of the semiconductor chip may not be filled due to film defects or the like.
The thickness of the film adhesive bonded to the substrate is preferably 15% or more with respect to the height of the protruding electrode. When the thickness is less than 15% of the height of the protruding electrode, the film adhesive may be less than the necessary amount between the semiconductor chip and the substrate.
In order to form a good fillet, the thickness of the film adhesive bonded to the semiconductor chip is more preferably 85% or more with respect to the height of the protruding electrode.

本明細書中、半導体チップに貼り合わされたフィルム状接着剤、及び、基板に貼り合わされたフィルム状接着剤の両方に当てはまる事項について述べるときは、単に、フィルム状接着剤という。
上記フィルム状接着剤の最低溶融粘度は、好ましい下限が１００Ｐａ・ｓ、好ましい上限が１００００Ｐａ・ｓである。最低溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ未満であると、フィレットが広がりすぎるため、基板上の隣接する回路パターン等を汚染することがある。最低溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓを超えると、熱圧着時に電極間にフィルム状接着剤を噛み込むことがある。最低溶融粘度のより好ましい下限は１０００Ｐａ・ｓ、より好ましい上限は８０００Ｐａ・ｓである。なお、最低溶融粘度は、レオメーターを用いて測定することができる。 In this specification, when a matter that applies to both a film adhesive bonded to a semiconductor chip and a film adhesive bonded to a substrate is described, it is simply referred to as a film adhesive.
As for the minimum melt viscosity of the said film adhesive, a preferable minimum is 100 Pa.s and a preferable upper limit is 10000 Pa.s. If the minimum melt viscosity is less than 100 Pa · s, the fillet is excessively spread, so that adjacent circuit patterns on the substrate may be contaminated. When the minimum melt viscosity exceeds 10,000 Pa · s, a film adhesive may be caught between the electrodes during thermocompression bonding. A more preferable lower limit of the minimum melt viscosity is 1000 Pa · s, and a more preferable upper limit is 8000 Pa · s. The minimum melt viscosity can be measured using a rheometer.

上記フィルム状接着剤は、熱硬化性樹脂、熱硬化剤、硬化促進剤、及び、無機フィラーを含有することが好ましく、高分子量化合物を含有することがより好ましい。なかでも、常温（２５℃）で液状の成分とガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以下の高分子量化合物とを合わせた含有量が５重量％以下であることがより好ましい。なお、常温（２５℃）で液状の成分は、熱硬化性樹脂であっても、熱硬化剤であっても、硬化促進剤であっても、高分子量化合物であってもよく、これら以外の成分（例えば、希釈剤、カップリング剤、密着性付与剤等の添加剤等）であってもよい。
上記フィルム状接着剤における上記常温（２５℃）で液状の成分とガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以下の高分子量化合物とを合わせた含有量の下限は特に限定されないが、フィルム状接着剤の製膜性、可撓性等の観点から、好ましい下限は１重量％である。 The film adhesive preferably contains a thermosetting resin, a thermosetting agent, a curing accelerator, and an inorganic filler, and more preferably contains a high molecular weight compound. In particular, the combined content of the liquid component at room temperature (25 ° C.) and the high molecular weight compound having a glass transition temperature (Tg) of 0 ° C. or less is more preferably 5% by weight or less. The liquid component at room temperature (25 ° C.) may be a thermosetting resin, a thermosetting agent, a curing accelerator, or a high molecular weight compound. It may be a component (for example, an additive such as a diluent, a coupling agent, and an adhesion-imparting agent).
The lower limit of the combined content of the liquid component at the normal temperature (25 ° C.) and the high molecular weight compound having a glass transition temperature (Tg) of 0 ° C. or lower in the film adhesive is not particularly limited. From the viewpoint of film forming property, flexibility, etc., the preferred lower limit is 1% by weight.

上記熱硬化性樹脂は特に限定されず、例えば、付加重合、重縮合、重付加、付加縮合、開環重合等の反応により硬化する化合物が挙げられる。上記熱硬化性樹脂として、具体的には例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、キシレン樹脂、アルキル−ベンゼン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、珪素樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。なかでも、フィルム状接着剤の硬化物の強度及び接合信頼性を確保する観点から、エポキシ樹脂、アクリル樹脂が好ましい。 The said thermosetting resin is not specifically limited, For example, the compound hardened | cured by reaction, such as addition polymerization, polycondensation, polyaddition, addition condensation, ring-opening polymerization, is mentioned. Specific examples of the thermosetting resin include urea resin, melamine resin, phenol resin, resorcinol resin, epoxy resin, acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polybenzimidazole resin, diallyl phthalate resin, xylene resin, alkyl -A benzene resin, an epoxy acrylate resin, a silicon resin, a urethane resin, etc. are mentioned. Especially, an epoxy resin and an acrylic resin are preferable from a viewpoint of ensuring the intensity | strength and joining reliability of the hardened | cured material of a film adhesive.

上記エポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 The epoxy resin is not particularly limited. For example, bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol AD type and bisphenol S type, novolac type epoxy resins such as phenol novolak type and cresol novolak type, resorcinol type epoxy Resin, aromatic epoxy resin such as trisphenolmethane triglycidyl ether, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, polyether modified epoxy resin, NBR modified epoxy resin, CTBN modified epoxy resin, and These hydrogenated products can be mentioned. These epoxy resins may be used independently and may use 2 or more types together.

上記エポキシ樹脂は、常温で液状のエポキシ樹脂であっても、常温で固体のエポキシ樹脂であってもよく、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。
上記常温で液状のエポキシ樹脂のうち、市販品として、例えば、ＥＰＩＣＬＯＮ ８４０、８４０−Ｓ、８５０、８５０−Ｓ、ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ（以上、ＤＩＣ社製）等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０、８３０−Ｓ、ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ（以上、ＤＩＣ社製）等のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４０３２、ＨＰ−４０３２Ｄ（以上、ＤＩＣ社製）等のナフタレン型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−７０１５（ＤＩＣ社製）、ＥＸ−２５２（ナガセケムテックス社製）等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＥＸ−２０１（ナガセケムテックス社製）等のレゾルシノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。 The epoxy resin may be an epoxy resin that is liquid at room temperature, or may be an epoxy resin that is solid at room temperature, or may be used in appropriate combination.
Among the epoxy resins that are liquid at room temperature, commercially available products include, for example, bisphenol A type epoxy resins such as EPICLON 840, 840-S, 850, 850-S, EXA-850CRP (manufactured by DIC), EPICLON 830, Bisphenol F type epoxy resin such as 830-S, EXA-830CRP (above, manufactured by DIC), naphthalene type epoxy resin such as EPICLON HP-4032, HP-4032D (above, manufactured by DIC), EPICLON EXA-7015 (DIC) And hydrogenated bisphenol A type epoxy resin such as EX-252 (manufactured by Nagase ChemteX), resorcinol type epoxy resin such as EX-201 (manufactured by Nagase ChemteX), and the like.

上記常温で固体のエポキシ樹脂のうち、市販品として、例えば、ＥＰＩＣＬＯＮ ８６０、１０５５０、１０５５（以上、ＤＩＣ社製）等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−１５１４（ＤＩＣ社製）等のビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４７００、ＨＰ−４７１０、ＨＰ−４７７０（以上、ＤＩＣ社製）等のナフタレン型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００シリーズ（ＤＩＣ社製）等のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−５０００、ＥＸＡ−９９００（以上、ＤＩＣ社製）等のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。 Among the epoxy resins that are solid at room temperature, commercially available products include, for example, bisphenol A type epoxy resins such as EPICLON 860, 10550, and 1055 (manufactured by DIC), and bisphenol S such as EPICLON EXA-1514 (manufactured by DIC). Type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin such as EPICLON HP-4700, HP-4710, HP-4770 (manufactured by DIC), dicyclopentadiene type epoxy resin such as EPICLON HP-7200 series (made by DIC), EPICLON Examples thereof include cresol novolak type epoxy resins such as HP-5000 and EXA-9900 (manufactured by DIC).

上記熱硬化剤は特に限定されず、従来公知の熱硬化剤を上記熱硬化性樹脂に合わせて適宜選択することができる。上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、上記熱硬化剤として、例えば、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの熱硬化剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なかでも、硬化速度、硬化物の物性等に優れることから、酸無水物系硬化剤が好ましい。 The said thermosetting agent is not specifically limited, A conventionally well-known thermosetting agent can be suitably selected according to the said thermosetting resin. When an epoxy resin is used as the thermosetting resin, the thermosetting agent may be, for example, an acid anhydride curing agent, a phenol curing agent, an amine curing agent, a latent curing agent such as dicyandiamide, or a cationic catalytic curing. Agents and the like. These thermosetting agents may be used independently and may use 2 or more types together. Of these, an acid anhydride curing agent is preferable because of excellent curing speed, physical properties of the cured product, and the like.

上記酸無水物系硬化剤のうち、市販品として、例えば、ＹＨ−３０６、ＹＨ−３０７（以上、三菱化学社製、常温（２５℃）で液状）、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤、常温（２５℃）で固体）等が挙げられる。 Among the acid anhydride curing agents, commercially available products include, for example, YH-306, YH-307 (above, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, liquid at room temperature (25 ° C.)), YH-309 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, acid Anhydride type curing agent, solid at normal temperature (25 ° C.)) and the like.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されず、常温（２５℃）で液状の成分とガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以下の高分子量化合物とを合わせた含有量を上記範囲内とすることが好ましい。上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用い、エポキシ基と等量反応する熱硬化剤を用いる場合、上記熱硬化剤の含有量は、フィルム状接着剤中に含まれるエポキシ基の総量に対する好ましい下限が６０当量、好ましい上限が１１０当量である。含有量が６０当量未満であると、フィルム状接着剤を充分に硬化させることができないことがある。含有量が１１０当量を超えても、特にフィルム状接着剤の硬化性には寄与せず、過剰な熱硬化剤が揮発することによってボイドの原因となることがある。含有量のより好ましい下限は７０当量、より好ましい上限は１００当量である。 Content of the said thermosetting agent is not specifically limited, The content which combined the liquid component and high molecular weight compound whose glass transition temperature (Tg) is 0 degrees C or less at normal temperature (25 degreeC) shall be in the said range. Is preferred. When using an epoxy resin as the thermosetting resin and using a thermosetting agent that reacts with an epoxy group in an equal amount, the content of the thermosetting agent has a preferable lower limit with respect to the total amount of epoxy groups contained in the film adhesive. 60 equivalents and a preferred upper limit is 110 equivalents. If the content is less than 60 equivalents, the film adhesive may not be sufficiently cured. Even if the content exceeds 110 equivalents, it does not particularly contribute to the curability of the film adhesive and may cause voids due to volatilization of excess thermosetting agent. The more preferable lower limit of the content is 70 equivalents, and the more preferable upper limit is 100 equivalents.

上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度、硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。 The said hardening accelerator is not specifically limited, For example, an imidazole series hardening accelerator, a tertiary amine type hardening accelerator, etc. are mentioned. Of these, an imidazole curing accelerator is preferred because it is easy to control the reaction system for adjusting the curing speed and the physical properties of the cured product.

上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、フジキュア７０００（Ｔ＆Ｋ ＴＯＫＡ社製、常温（２５℃）で液状）、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール系硬化促進剤（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製、常温（２５℃）で固体）、２ＭＺ、２ＭＺ−Ｐ、２ＰＺ、２ＰＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＺ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ、２ＰＺ−ＣＮＳ、２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ、２ＭＺ−Ａ、２ＭＺＡ−ＰＷ、Ｃ１１Ｚ−Ａ、２Ｅ４ＭＺ−Ａ、２ＭＡＯＫ−ＰＷ、２ＰＺ−ＯＫ、２ＭＺ−ＯＫ、２ＰＨＺ、２ＰＨＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＨＺ、２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、２Ｅ４ＭＺ・ＢＩＳ、ＶＴ、ＶＴ−ＯＫ、ＭＡＶＴ、ＭＡＶＴ−ＯＫ（以上、四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 The imidazole curing accelerator is not particularly limited. For example, Fujicure 7000 (manufactured by T & K TOKA, liquid at room temperature (25 ° C.)), 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole in which 1-position of imidazole is protected with a cyanoethyl group, Imidazole-based curing accelerator with basicity protected with isocyanuric acid (trade name “2MA-OK”, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., solid at room temperature (25 ° C.)), 2MZ, 2MZ-P, 2PZ, 2PZ-PW, 2P4MZ , C11Z-CNS, 2PZ-CNS, 2PZCNS-PW, 2MZ-A, 2MZA-PW, C11Z-A, 2E4MZ-A, 2MAOK-PW, 2PZ-OK, 2MZ-OK, 2PHZ, 2PHZ-PW, 2P4MHZ, 2P4MHZ -PW, 2E4MZ ・ BIS, VT, VT-OK, MAVT, MAVT-OK Above, it includes the Shikoku Chemicals Co., Ltd.), and the like. These imidazole type hardening accelerators may be used independently and may use 2 or more types together.

上記硬化促進剤の含有量は特に限定されず、常温（２５℃）で液状の成分とガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以下の高分子量化合物とを合わせた含有量を上記範囲内とすることが好ましいが、熱硬化剤１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。含有量が５重量部未満であると、フィルム状接着剤の熱硬化のために高温で長時間の加熱を必要とすることがある。含有量が５０重量部を超えると、フィルム状接着剤の貯蔵安定性が不充分となったり、過剰な硬化促進剤が揮発することによってボイドの原因となったりすることがある。含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。 Content of the said hardening accelerator is not specifically limited, Content which combined the liquid component and high molecular weight compound whose glass transition temperature (Tg) is 0 degrees C or less at normal temperature (25 degreeC) shall be in the said range. However, the preferable lower limit with respect to 100 parts by weight of the thermosetting agent is 5 parts by weight, and the preferable upper limit is 50 parts by weight. If the content is less than 5 parts by weight, heating at a high temperature for a long time may be required for thermosetting the film adhesive. When the content exceeds 50 parts by weight, the storage stability of the film-like adhesive may be insufficient, or voids may be caused by excessive volatilization of the curing accelerator. The more preferable lower limit of the content is 10 parts by weight, and the more preferable upper limit is 30 parts by weight.

上記高分子量化合物は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以下の高分子量化合物であっても、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃を超える高分子量化合物であっても、これらの混合物であってもよい。上記高分子量化合物を用いることで、フィルム状接着剤に製膜性、可撓性等を付与するとともに、フィルム状接着剤の硬化物に強靭性を持たせ、高い接合信頼性を確保することができる。
上記高分子量化合物は特に限定されず、例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、キシレン樹脂、アルキル−ベンゼン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、珪素樹脂、ウレタン樹脂等の公知の高分子量化合物が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子量化合物が好ましい。 The high molecular weight compound may be a high molecular weight compound having a glass transition temperature (Tg) of 0 ° C. or lower, or a high molecular weight compound having a glass transition temperature (Tg) exceeding 0 ° C., and a mixture thereof. Also good. By using the above high molecular weight compound, it is possible to provide film-forming adhesives with film-forming properties, flexibility, etc., and to give toughness to the cured product of the film-like adhesives, thereby ensuring high bonding reliability. it can.
The high molecular weight compound is not particularly limited. For example, urea resin, melamine resin, phenol resin, resorcinol resin, epoxy resin, acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polybenzimidazole resin, diallyl phthalate resin, xylene resin, alkyl- Known high molecular weight compounds such as benzene resin, epoxy acrylate resin, silicon resin, and urethane resin can be used. Among these, a high molecular weight compound having an epoxy group is preferable.

上記エポキシ基を有する高分子量化合物を添加することで、フィルム状接着剤の硬化物は、優れた可撓性を発現する。即ち、上記フィルム状接着剤の硬化物は、上記熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有する高分子量化合物に由来する優れた可撓性とを兼備することとなるので、耐冷熱サイクル性、耐ハンダリフロー性、寸法安定性等に優れるものとなり、高い接合信頼性及び高い導通信頼性を発現することとなる。 By adding the high molecular weight compound having the epoxy group, the cured product of the film adhesive exhibits excellent flexibility. That is, the cured product of the film adhesive is excellent in mechanical strength, heat resistance and moisture resistance derived from the epoxy resin as the thermosetting resin, and excellent in the high molecular weight compound having the epoxy group. Since it combines flexibility, it will be excellent in cold-heat cycle resistance, solder reflow resistance, dimensional stability, etc., and will exhibit high joint reliability and high conduction reliability.

上記エポキシ基を有する高分子量化合物は、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子量化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を多く含む高分子化合物を得ることができ、硬化物の機械的強度及び耐熱性がより優れたものとなることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好ましい。これらのエポキシ基を有する高分子量化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 The high molecular weight compound having an epoxy group is not particularly limited as long as it is a high molecular weight compound having an epoxy group at the terminal and / or side chain (pendant position). For example, an epoxy group-containing acrylic rubber, an epoxy group-containing butadiene rubber, Examples thereof include bisphenol type high molecular weight epoxy resin, epoxy group-containing phenoxy resin, epoxy group-containing acrylic resin, epoxy group-containing urethane resin, and epoxy group-containing polyester resin. Among them, an epoxy group-containing acrylic resin is preferable because a polymer compound containing a large amount of epoxy groups can be obtained and the cured product has better mechanical strength and heat resistance. These high molecular weight compounds having an epoxy group may be used alone or in combination of two or more.

上記高分子量化合物として、上記エポキシ基を有する高分子量化合物、特に、エポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、上記エポキシ基を有する高分子量化合物の重量平均分子量の好ましい下限は１万、好ましい上限は１００万である。重量平均分子量が１万未満であると、フィルム状接着剤の製膜性が不充分となったり、フィルム状接着剤の硬化物の可撓性が充分に向上しなかったりすることがある。重量平均分子量が１００万を超えると、高分子量化合物は、溶媒への溶解性が低下して取扱い性が低下することがある。 When the high molecular weight compound having an epoxy group, particularly an epoxy group-containing acrylic resin is used as the high molecular weight compound, the preferred lower limit of the weight average molecular weight of the high molecular weight compound having the epoxy group is 10,000, and the preferred upper limit is 1,000,000. It is. When the weight average molecular weight is less than 10,000, the film-forming property of the film-like adhesive may be insufficient, or the flexibility of the cured product of the film-like adhesive may not be sufficiently improved. When the weight average molecular weight exceeds 1,000,000, the high molecular weight compound may have a reduced solubility in a solvent and a handleability.

上記高分子量化合物として、上記エポキシ基を有する高分子量化合物、特に、エポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、上記エポキシ基を有する高分子量化合物のエポキシ当量の好ましい下限が２００、好ましい上限が１０００である。エポキシ当量が２００未満であると、フィルム状接着剤の硬化物の可撓性が充分に向上しないことがある。エポキシ当量が１０００を超えると、フィルム状接着剤の硬化物の機械的強度又は耐熱性が不充分となることがある。 When the high molecular weight compound having an epoxy group, particularly an epoxy group-containing acrylic resin is used as the high molecular weight compound, the preferable lower limit of the epoxy equivalent of the high molecular weight compound having the epoxy group is 200, and the preferable upper limit is 1000. If the epoxy equivalent is less than 200, the flexibility of the cured product of the film adhesive may not be sufficiently improved. When the epoxy equivalent exceeds 1000, the mechanical strength or heat resistance of the cured product of the film adhesive may be insufficient.

上記フィルム状接着剤における上記高分子量化合物の含有量は特に限定されず、常温（２５℃）で液状の成分とガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以下の高分子量化合物とを合わせた含有量を上記範囲内とすることが好ましいが、上記フィルム状接着剤における好ましい下限は３重量％、好ましい上限は３０重量％である。含有量が３重量％未満であると、熱ひずみに対する充分な信頼性が得られないことがある。含有量が３０重量％を超えると、フィルム状接着剤の耐熱性が低下することがある。 Content of the said high molecular weight compound in the said film adhesive is not specifically limited, Content which combined the liquid component and high molecular weight compound whose glass transition temperature (Tg) is 0 degrees C or less at normal temperature (25 degreeC). Although it is preferable to be within the above range, the preferable lower limit in the film adhesive is 3% by weight, and the preferable upper limit is 30% by weight. If the content is less than 3% by weight, sufficient reliability against thermal strain may not be obtained. When content exceeds 30 weight%, the heat resistance of a film adhesive may fall.

上記フィルム状接着剤においては、上記無機フィラーの含有量が４０重量％以下であることが好ましい。含有量が４０重量％を超えると、フィルム状接着剤の製膜性が不充分となったり、最低溶融粘度を上記範囲内とすることが困難となったりすることがある。
上記フィルム状接着剤における上記無機フィラーの含有量の下限は特に限定されないが、フィルム状接着剤の硬化物の強度及び接合信頼性を確保する観点から、好ましい下限は１０重量％である。 In the said film adhesive, it is preferable that content of the said inorganic filler is 40 weight% or less. When the content exceeds 40% by weight, the film-forming property of the film adhesive may be insufficient, or it may be difficult to make the minimum melt viscosity within the above range.
Although the minimum of content of the said inorganic filler in the said film adhesive is not specifically limited, From a viewpoint of ensuring the intensity | strength and joining reliability of the hardened | cured material of a film adhesive, a preferable minimum is 10 weight%.

上記無機フィラーは特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛等が挙げられる。なかでも、流動性に優れることから球状シリカが好ましく、メチルシランカップリング剤、フェニルシランカップリング剤等で表面処理された球状シリカがより好ましい。表面処理された球状シリカを用いることで、フィルム状接着剤の製膜性を高めることができる。 The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include silica, alumina, aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, silicon carbide, magnesium oxide, and zinc oxide. Of these, spherical silica is preferable because of excellent fluidity, and spherical silica surface-treated with a methylsilane coupling agent, a phenylsilane coupling agent, or the like is more preferable. By using the surface-treated spherical silica, the film-forming property of the film adhesive can be improved.

上記無機フィラーの平均粒子径は特に限定されないが、フィルム状接着剤の透明性、流動性、接合信頼性等の観点から、０．０１〜１μｍ程度が好ましい。 Although the average particle diameter of the said inorganic filler is not specifically limited, About 0.01-1 micrometer is preferable from viewpoints, such as transparency of a film adhesive, fluidity | liquidity, joining reliability.

上記フィルム状接着剤は、必要に応じて、更に、希釈剤、チキソトロピー付与剤、溶媒、無機イオン交換体、ブリード防止剤、イミダゾールシランカップリング剤等の接着性付与剤、密着性付与剤、ゴム粒子等の応力緩和剤等のその他の添加剤を含有してもよい。 If necessary, the film adhesive may further include a diluent, a thixotropy imparting agent, a solvent, an inorganic ion exchanger, a bleed inhibitor, an imidazole silane coupling agent or other adhesive imparting agent, an adhesion imparting agent, or a rubber. You may contain other additives, such as stress relaxation agents, such as particle | grains.

上記突起電極形成面にフィルム状接着剤が貼り合わされた半導体チップと、上記フィルム状接着剤が貼り合わされた基板とを、フィルム状接着剤同士が対向するようにして熱圧着する方法は特に限定されず、例えば、従来公知のボンディング装置を用いる方法等が挙げられる。 The method of thermocompression bonding the semiconductor chip having the film-like adhesive bonded to the protruding electrode forming surface and the substrate having the film-like adhesive bonded to each other with the film-like adhesives facing each other is particularly limited. For example, the method using a conventionally well-known bonding apparatus etc. are mentioned.

熱圧着する際の温度の好ましい下限は２４０℃、好ましい上限は３００℃である。温度が２４０℃未満であると、半導体チップと基板との間の電極接合が形成されないことがある。温度が３００℃を超えると、フィルム状接着剤から揮発成分が発生してボイドを増加させることがある。熱圧着する際の時間（保持時間）は特に限定されないが、好ましい下限が１秒、好ましい上限が３秒である。また、熱圧着する際には、上記突起電極形成面にフィルム状接着剤が貼り合わされた半導体チップに対して圧力をかけることが好ましい。圧力は、半導体チップと基板との間の電極接合が形成される圧力であれば特に限定されないが、０．３〜３ＭＰａが好ましい。 The preferable lower limit of the temperature for thermocompression bonding is 240 ° C., and the preferable upper limit is 300 ° C. If the temperature is lower than 240 ° C., electrode bonding between the semiconductor chip and the substrate may not be formed. When temperature exceeds 300 degreeC, a volatile component may generate | occur | produce from a film adhesive and may increase a void. The time (holding time) for thermocompression bonding is not particularly limited, but a preferred lower limit is 1 second and a preferred upper limit is 3 seconds. Moreover, when thermocompression bonding, it is preferable to apply pressure to the semiconductor chip in which a film adhesive is bonded to the protruding electrode forming surface. Although a pressure will not be specifically limited if it is the pressure in which the electrode junction between a semiconductor chip and a board | substrate is formed, 0.3-3 Mpa is preferable.

本発明の半導体装置の製造方法では、更に、上記フィルム状接着剤を完全に硬化させる工程を行ってもよい。 In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a step of completely curing the film adhesive may be performed.

本発明によれば、ボイドを抑制し、高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device which can suppress a void and can implement | achieve high reliability can be provided.

以下に実施例を掲げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。 Examples of the present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples.

（実施例１〜５及び比較例１〜２）
（１）フィルム状接着剤の製造
表１に記載のフィルム状接着剤組成Ａ〜Ｄに従って、各材料を溶媒としてのＭＥＫに添加し、ホモディスパーを用いて攪拌混合することにより接着剤溶液を製造した。得られた接着剤溶液を、アプリケーターを用いて離型ＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが表２に記載の厚みとなるように塗工し、乾燥することにより、半導体チップ側、及び、基板側のフィルム状接着剤をそれぞれ製造した。使用時まで、得られた接着剤層の表面を離型ＰＥＴフィルム（保護フィルム）で保護した。得られた接着剤層の最低溶融粘度を、レオメーターを用いて測定した。測定結果を表２に示した。 (Examples 1-5 and Comparative Examples 1-2)
(1) Manufacture of film adhesive According to the film adhesive composition AD of Table 1, each material is added to MEK as a solvent, and an adhesive solution is manufactured by stirring and mixing using a homodisper. did. The obtained adhesive solution is coated on a release PET film using an applicator so that the thickness after drying becomes the thickness described in Table 2, and dried to thereby provide a semiconductor chip side and a substrate side. Each film-like adhesive was manufactured. Until use, the surface of the obtained adhesive layer was protected with a release PET film (protective film). The minimum melt viscosity of the obtained adhesive layer was measured using a rheometer. The measurement results are shown in Table 2.

（２）半導体装置の製造
半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップ（ＷＡＬＴＳ ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、突起電極高さ３０μｍ、半田溶融点２３５℃、厚さ１００μｍ、ウォルツ社製）と、Ｎｉ／Ａｕ電極を有する基板（ＷＡＬＴＳ−ＫＩＴ ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、ウォルツ社製）とを用意した。半導体チップ側に使用するフィルム状接着剤の片面の保護フィルムを剥がし、真空ラミネーター（ＡＴＭ−８１２Ｍ、タカトリ社製）を用いて、ステージ温度８０℃、真空度８０Ｐａで半導体チップ上に貼り合わせた。また、基板側に使用するフィルム状接着剤を８ｍｍ×８ｍｍにカットして片面の保護フィルムを剥がし、真空ラミネーター（ＡＴＭ−８１２Ｍ、タカトリ社製）を用いて、ステージ温度８０℃、真空度８０Ｐａで基板上に貼り合わせた。
フリップチップボンダ（ＦＣ−３０００Ｓ、東レエンジニアリング社製）を用いて、半導体チップと基板とを、ボンディングステージ温度１２０℃の条件下で、１６０℃接触で２８０℃まで昇温し、０．８ＭＰａで８秒間荷重をかけ、フィルム状接着剤同士が対向するようにして熱圧着させた。その後、１７０℃で０．５時間加熱することによりフィルム状接着剤を完全に硬化させて、半導体装置を得た。 (2) Manufacturing of semiconductor device Semiconductor chip (WALTS MB50-0101JY, protruding electrode height 30 μm, solder melting point 235 ° C., thickness 100 μm, manufactured by Waltz) on which a protruding electrode made of solder is formed, A substrate having a Ni / Au electrode (WALTS-KIT MB50-0101JY, manufactured by Waltz) was prepared. The protective film on one side of the film-like adhesive used on the semiconductor chip side was peeled off and bonded onto the semiconductor chip at a stage temperature of 80 ° C. and a vacuum of 80 Pa using a vacuum laminator (ATM-812M, manufactured by Takatori). Moreover, the film-like adhesive used on the substrate side is cut into 8 mm × 8 mm, the protective film on one side is peeled off, and using a vacuum laminator (ATM-812M, manufactured by Takatori) at a stage temperature of 80 ° C. and a vacuum of 80 Pa. Laminated on the substrate.
Using a flip chip bonder (FC-3000S, manufactured by Toray Engineering Co., Ltd.), the temperature of the semiconductor chip and the substrate was increased to 280 ° C. at 160 ° C. under a bonding stage temperature of 120 ° C., and 8 at 0.8 MPa. A load was applied for 2 seconds, and thermocompression bonding was performed so that the film adhesives face each other. Thereafter, the film adhesive was completely cured by heating at 170 ° C. for 0.5 hour to obtain a semiconductor device.

＜評価＞
実施例及び比較例で得られた半導体装置について、以下の評価を行った。結果を表２に示した。 <Evaluation>
The following evaluation was performed about the semiconductor device obtained by the Example and the comparative example. The results are shown in Table 2.

（１）ボイド評価（ＳＡＴ）
超音波探査映像装置（ＳＡＴ）（Ｃ−ＳＡＭ Ｄ９５００、日本バーンズ社製）を用いて半導体装置のボイドを観察した。フィルム状接着剤により半導体チップ面積の９５％以上を充填できていた場合を○、９５％未満しか充填できていなかった場合を×とした。 (1) Void evaluation (SAT)
The voids of the semiconductor device were observed using an ultrasonic exploration imaging device (SAT) (C-SAM D9500, manufactured by Burns Japan). The case where 95% or more of the semiconductor chip area could be filled with the film-like adhesive was marked with ◯, and the case where it was filled less than 95% was marked with x.

（２）フィレット評価
マイクロスコープ（ＶＨＸ−５００Ｆ、キーエンス社製）を用いて半導体装置のフィレットを観察した。フィレットが半導体チップのコーナー部から２００μｍ以上広がっていた場合を○、半導体チップのコーナー部から１００μｍ以上２００μｍ未満広がっていた場合を△、半導体チップのコーナー部から１００μｍ未満の広がりであった場合を×とした。 (2) Fillet evaluation The fillet of the semiconductor device was observed using a microscope (VHX-500F, manufactured by Keyence Corporation). A case where the fillet extends 200 μm or more from the corner portion of the semiconductor chip, a case where the fillet extends 100 μm or more and less than 200 μm from the corner portion of the semiconductor chip, and a case where the fillet extends less than 100 μm from the corner portion of the semiconductor chip. It was.

（３）リフロー試験
半導体装置を６０℃、６０％ＲＨで４０時間吸湿させ、その後、リフロー（Ｍａｘ２６０℃）に３回通した（リフロー試験）。超音波探査映像装置（ＳＡＴ）（Ｃ−ＳＡＭ Ｄ９５００、日本バーンズ社製）を用いて半導体装置における剥離を観察した。リフロー試験前後で変化がなかった場合を○、リフロー試験後に剥離が発生していた場合を×とした。 (3) Reflow test The semiconductor device was moisture absorbed at 60 ° C. and 60% RH for 40 hours, and then passed through reflow (Max 260 ° C.) three times (reflow test). Separation in the semiconductor device was observed using an ultrasonic exploration imaging device (SAT) (C-SAM D9500, manufactured by Nihon Burns). The case where there was no change before and after the reflow test was marked as ◯, and the case where peeling occurred after the reflow test was marked as x.

本発明によれば、ボイドを抑制し、高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device which can suppress a void and can implement | achieve high reliability can be provided.

Claims (4)

突起電極形成面にフィルム状接着剤が貼り合わされた半導体チップと、フィルム状接着剤が貼り合わされた基板とを、フィルム状接着剤同士が対向するようにして熱圧着する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Characterized in that it includes a step of thermocompression bonding a semiconductor chip having a film-like adhesive bonded to a projecting electrode forming surface and a substrate having a film-like adhesive bonded together so that the film-like adhesives face each other. A method for manufacturing a semiconductor device. 半導体チップに貼り合わされたフィルム状接着剤の厚みが、突起電極高さに対して８５％以上であり、基板に貼り合わされたフィルム状接着剤の厚みが、突起電極高さに対して１５％以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 The thickness of the film adhesive bonded to the semiconductor chip is 85% or more relative to the height of the protruding electrode, and the thickness of the film adhesive bonded to the substrate is equal to or higher than 15% relative to the height of the protruding electrode. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein: 半導体チップに貼り合わされたフィルム状接着剤、及び、基板に貼り合わされたフィルム状接着剤の最低溶融粘度が、１００〜１００００Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。 The minimum melt viscosity of the film adhesive bonded to the semiconductor chip and the film adhesive bonded to the substrate is 100 to 10,000 Pa · s. Production method. 半導体チップに貼り合わされたフィルム状接着剤、及び、基板に貼り合わされたフィルム状接着剤が、熱硬化性樹脂、熱硬化剤、硬化促進剤、及び、無機フィラーを含有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置の製造方法。 The film adhesive bonded to a semiconductor chip and the film adhesive bonded to a substrate contain a thermosetting resin, a thermosetting agent, a curing accelerator, and an inorganic filler. Item 4. A method for manufacturing a semiconductor device according to Item 1, 2 or 3.