JP2014110064A - 磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁性粒子間の熱広がりを抑制し、良好な媒体SNRを示す磁気記録媒体を得る。
【解決手段】基板上に形成され、磁性粒子と、磁性粒子間に設けられた粒界とを有する磁気記録層を含み、粒界は、第1の熱伝導率を有する第1の粒界、及び第1の粒界上に設けられ、第1の熱伝導率とは異なる第2の熱伝導率を有する第2の粒界を有し、第1の粒界及び第2の粒界の少なくとも一方が熱伝導を抑制する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置に関する。
磁気的に情報の記録再生を行う磁気記録装置は、大容量、高速、安価な情報記憶手段として発展を続けている。特に、近年のハードディスクドライブ(HDD)の進展は著しい。HDDのさらなる高密度化は、信号処理、メカ・サーボ、ヘッド、媒体、HDI(Head Disk Interface)など複数の要素技術の集大成として進展してきているが、近年、媒体の熱擾乱問題がHDDの高密度化の阻害要因として顕在化しつつある。
従来の多結晶磁性粒子薄膜からなる多粒子系媒体を用いた磁気記録では、低ノイズ化、熱擾乱耐性の確保、記録感度の確保がトレードオフの関係にあり、これが記録密度の限界を決定する要因となっていた。
粒径微細化と熱擾乱耐性を両立する為に、媒体磁性膜の磁気異方性定数Kuを上げると媒体の記録保磁力Hc0すなわち磁気ヘッドによる高速磁化反転時の保磁力が上昇し、Hc0に比例して飽和記録に必要な磁界が増加する。
これに対し、媒体に対して何らかの手段で局所的に加熱を行うと、加熱部のHc0を低下させてオーバーライト特性(OW)を改善することができる。
このような方法として熱アシスト磁気記録方式がある。
多粒子系媒体を用いる熱アシスト磁気記録方式では、十分にノイズが低くなる程度に微細な磁性粒子を用い、熱擾乱耐性を確保する為に室温付近で高いKuを示す記録層を用いることが望ましい。このような大きなKuを有する媒体は、室温付近では記録に必要な磁界が記録ヘッドの発生磁界を上回り記録不能である。これに対して、熱アシスト磁気記録方式においては、記録磁極の近傍に光ビームなどを用いた加熱手段を配し、記録時に局所的に媒体を加熱し加熱部のHc0をヘッドからの記録磁界以下に低下させて記録することができる。
このような熱アシスト磁気記録では、さらなる高密度記録のために、磁性粒子間の熱広がりによる既記録情報の劣化の抑制及び良好な媒体SNRが望まれている。
本発明の実施形態は、磁性粒子間の熱広がりを抑制し、良好な媒体SNRを示す磁気記録媒体を得ることを目的とする。
実施形態によれば、基板、及び該基板上に形成された、磁性粒子と、該磁性粒子間に設けられた粒界とを有する磁気記録層を含み、
前記粒界は、第1の熱伝導率を有する第1の粒界と、該第1の粒界上に設けられた第1の熱伝導率とは異なる第2の熱伝導率を有する第2の粒界とを有し、該第1の粒界及び該第2の粒界の少なくとも一方が熱伝導を抑制することを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
前記粒界は、第1の熱伝導率を有する第1の粒界と、該第1の粒界上に設けられた第1の熱伝導率とは異なる第2の熱伝導率を有する第2の粒界とを有し、該第1の粒界及び該第2の粒界の少なくとも一方が熱伝導を抑制することを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
実施形態に係る磁気記録媒体は、基板、及び基板上に形成され、磁性粒子と磁性粒子間に設けられた粒界とを有するグラニュラ構造の磁気記録層を含む。
粒界は、第1の粒界と、第1の粒界上に設けられた第2の粒界を有する。第1の粒界は第1の熱伝導率を有する。第2の粒界は第1の熱伝導率とは異なる第2の熱伝導率を有する。さらに、第1の粒界及び第2の粒界の少なくとも一方は熱伝導を抑制する。
また、実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板上に磁性粒子と磁性粒子間に設けられた第1の材料からなる粒界とを有する磁気記録層を形成する工程、粒界の少なくとも一部を除去して溝を形成し、溝上に第1の材料の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第2の材料からなる層を形成することにより、粒界を、第1の熱伝導率を有する第1の粒界、及び第1の粒界上に設けられ、第1の熱伝導率とは異なる第2の熱伝導率を有する第2の粒界に分割し、第1の粒界及び第2の粒界の少なくとも一方に熱伝導を抑制させるための構造を形成する工程を含む。
実施形態によれば、粒界を第1の粒界と第2の粒界に分割し、その少なくとも一方に熱伝導を抑制させるための構造を形成することにより、記録トラック幅方向と周方向とに熱広がりを抑制する効果をもたせることができる。これにより、熱アシスト記録方式を用いた磁気記録において、磁性粒子間の熱の広がりによる記録情報劣化を抑制し、良好な媒体SNRとの両立が可能となる。
実施形態にかかる磁気記録媒体では、基板と磁気記録層との間にヒートシンク層をさらに形成することができる。
ヒートシンク層は、Ag,Cu,Au,及びこれらの合金からなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む。
ヒートシンク層と磁気記録層との間に熱バリア層をさらに形成することができる。
熱バリア層はZrO2を含む。
磁性粒子は、L10構造のFePt合金あるいはL10構造のCoPt合金、及びCo/Pt多層膜からなる群から選択することができる。
上記磁性粒子は、例えばFePt−Cからなるターゲット、または、Coターゲット、Ptターゲット、及びCターゲットをスパッタすることにより、形成することができる。
第1の粒界及び第2の粒界は、各々、カーボン、SiO2、TiO2、Cr2O3からなる群から選択される少なくとも1種の材料からなる層、及びこの層及び/又は磁性粒子により区画された空隙とから選択される。
カーボンの熱伝導率は、100〜2000 W/(mK)、SiO2の熱伝導率は、1〜10 W/(mK)、TiO2の熱伝導率は、1〜10 W/(mK)、Cr2O3の熱伝導率は、1〜10W/(mK)である。
実施形態にかかる磁気記録媒体は、第2の粒界上に、第3の粒界をさらに含むことができる。
第3の粒界はまた、カーボン、SiO2、TiO2、Cr2O3からなる群から選択される少なくとも1種の材料からなる層、及びこの層及び/又は磁性粒子により区画された空隙とから選択され得る。
実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法において、第1の材料としてカーボンを使用し、第2の材料としてSiO2、及びTiO2のうち一方を使用することができる。
実施例
以下、図面を参照し、実施形態をより詳細に説明する
実施例1
図1に、実施例1にかかる磁気記録媒体を表す断面図を示す。
以下、図面を参照し、実施形態をより詳細に説明する
実施例1
図1に、実施例1にかかる磁気記録媒体を表す断面図を示す。
図示するように、磁気記録媒体100は、熱アシスト記録用の磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体であり、ガラス基板1と、その上に順に形成された、MgO下地層2、磁気記録層3、及びDLC(Diamond Like Carbon)保護膜4を有する。
磁気記録層3は、高磁気異方性を有するFePt合金からなる磁性粒子11と、磁性粒子11の間に設けられた粒界13とを有する。粒界13はC(カーボン)層からなる第1の粒界10と第1の粒界上10に設けられた熱伝導率の低いSiO2層からなる第2の粒界12を有する。
図2(a)ないし図2(e)は、図1の磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
図2(a)に示すように、まず、ガラス基板1上にスパッタ法によりMgO下地層2をArガス圧1Pa、RF800Wで10nm成膜する。基板を500℃に加熱しながら、その上に、FePt−Cコンポジットターゲットを使用し、スパッタ法によってFePt−C磁気記録層をArガス圧1Pa、DC1000Wで6nm形成する。得られた磁気記録層は、FePt磁性粒子11と、磁性粒子11間に設けられたC(カーボン)粒界10とを含むグラニュラ構造を有する。
次に、図2(b)に示すように、C層10からなる粒界の上層部をエッチングにより取り除き、粒界の上方に溝を設ける。C層10の上層部は、たとえば酸素プラズマを用いるエッチング法により、取り除くことができる。具体的には、酸素流量20sccm、全圧0.1Pa、RFパワー100W、プラテンパワー10Wの条件で20秒間のRIE(反応性イオンエッチング)をおこなう。
次に、図2(c)に示すように、磁性粒子11の上層部に、SiO2をターゲットとして、全圧1Pa、RFパワー100Wにて、2分間スパッタを行い、SiO2層12を16nm形成する。あるいは、SiO2の代わりにTiO2等の酸化物を用いることができる。これにより、粒界にあるC層10上部の溝にもSiO2層が充填される。
次に、図2(d)に示すように、エッチングにより、SiO2膜12と磁性粒子11の上層面が均一面になるように平坦化処理をおこなう。このエッチングは、たとえばCF4ガスを用い、全圧5Pa、RPパワー80Wで、10秒間RIEを行う。これにより、C層10とSiO2膜12とからなる粒界13が設けられる。
図2(e)に示すように、粒界13と磁性粒子11を有する磁気記録層3の上層部にスパッタ法によりDLC保護膜4をArガス圧1Pa、DC1000Wで5nm形成することにより、実施例1に係る磁気記録媒体100が得られる。
C(カーボン)の熱伝導率は、おおよそ100〜2000程度、SiO2の熱伝導率はおおよそ1〜10程度である。これにより、実施形態によれば、C層とSiO2膜とからなる粒界を形成することにより、記録トラック幅方向と周方向とに対する熱広がり抑制効果がFePt−C媒体に対して向上する。
トラック周方向に対して熱広がりが抑制されることは、周方向における熱の変化(熱勾配)が急峻になることを意味する。熱勾配が急峻になることは、磁気記録媒体への情報記録において、磁化遷移幅が低減するという効果をもたらす。すなわち、磁化遷移幅の低減は媒体SNRの向上という効果をもたらす。
また、トラック幅方向に対して熱広がりが抑制されることは、記録トラックに情報を記録するときにおいて、記録ヘッドから発生する磁界や近接場光の、隣接するトラックへの影響が低減されるという効果をもたらす。
さらに、比較的良好な媒体SNRの得られるFePt−C媒体の磁性粒子を用いることで、Fe、PtおよびSiO2等酸化物のスパッタ法により作成される媒体の媒体SNRよりも、いっそう良好な媒体SNRを得ることが可能になる。
このように、実施例1に係る磁気記録媒体によれば、比較的良好な媒体SNRの得られるFePt−C媒体に対して、磁性粒子の間のCを除いた後に熱伝導率の低い非磁性体を配置させることにより、記録トラック幅方向と周方向とに熱広がりを抑制する効果をもたせることができる。これにより、さらなる媒体SNRの改善と、記録トラック幅方向に対する既記録情報の劣化の抑制とを可能にする。
図3(a)及び3(b)は、実施形態に係る磁気記録媒体の記録信号のトラック幅方向とエラーレートとの関係を表すグラフ図を示す。
図3(a)は、実施例1の磁気記録媒体および比較例1の磁気記録媒体を用いて熱アシスト記録をおこなった場合における記録信号のエラーレートのトラックプロファイルである。
比較例1の磁気記録媒体は、C層10からなる粒界の上層部をエッチングにより取り除かないこと、及びSiO2層を形成しないこと以外は実施例1と同様にして形成した。
100nmトラックピッチで複数の記録トラックに初期記録をおこない、トラック幅方向位置とそのトラックで得られる信号のエラーレートとの関係を示す。比較の磁気記録媒体を用いた場合のデータが101、実施形態に係る磁気記録媒体を用いた場合のデータが102である。図に示されるように、実施形態に係る磁気記録媒体を用いた場合のほうが、エラーレートが低く、改善されることがわかる。これは上述したように、トラック周方向に対して熱広がりが抑制されたことによると考えられる。
図3(b)は、図3(a)エラーレートのトラックプロファイルを測定した後に、上記初期記録とは異なる信号パターンで測定トラック幅方向位置0μmに1000回の記録をおこなって得られるエラーレートのトラックプロファイルである
比較の磁気記録媒体を用いた場合のデータが111、実施形態に係る磁気記録媒体を用いた場合のデータが112である。
比較の磁気記録媒体を用いた場合のデータが111、実施形態に係る磁気記録媒体を用いた場合のデータが112である。
図示するように、実施形態に係る磁気記録媒体を用いた場合のほうが、エラーレートの劣化する幅が狭く、改善されることがわかる。これは上述したように、トラック幅方向に対して熱広がりが抑制されたことによると考えられる。
実施例2
図4は、実施例2にかかる磁気記録媒体を表す断面図を示す。
図4は、実施例2にかかる磁気記録媒体を表す断面図を示す。
実施例2にかかる磁気記録媒体200は、ガラス基板1と、その上に順に形成された、MgO下地層2、磁気記録層3、SiO2層12、及びDLC保護膜4を有する。
磁気記録層3は、高磁気異方性を有するFePt合金からなる磁性粒子11と、磁性粒子11の間に設けられた粒界13とを有する。
粒界13は、C層からなる第1の粒界10と、第1の粒界上に設けられた空隙20と、空隙20上に設けられた熱伝導率の低いSiO2層12’を有する。なお、このSiO2層12は、空隙20と磁性粒子11の上部に空隙20を塞ぐように形成される。
図5(a)ないし図5(e)は、実施例2の磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
図5(a)に示すように、ガラス基板1上にスパッタ法によりMgO下地層2をArガス圧1Pa、RF800Wで10nm成膜する。基板を500℃に加熱しながら、その上層部に、Fe、PtおよびCをターゲットとして用いたスパッタ法によってFePt−C磁気記録層をArガス圧1Pa、DC1000Wで6nm形成する。得られた磁気記録層は、FePt磁性粒子11と磁性粒子11間に設けられたC層10からなる粒界とを含むグラニュラ構造を有する。
次に、図5(b)に示すように、C層10の上層部をエッチングにより取り除き、粒界の上方に溝を設ける。C層10の上層部は、たとえば酸素プラズマを用いるエッチング法により、取り除くことができる。具体的には、酸素流量20sccm、全圧0.1Pa、RFパワー100W、プラテンパワー10Wの条件で20秒間のRIE(反応性イオンエッチング)をおこなう。
次に、図5(c)に示すように、磁性粒子11の上層部に、分子量5000〜50000のHSQ(水素化シルセスキオキサンポリマー)を使用して、スピンコート法により厚さ50nmのSOG(Spin On Glass)層12を成膜する。分子量の比較的大きいSOGを用いることにより、C層10とSOG層12との間に空隙20が設けられる。これにより、粒界13は、C層10と、その上に設けられた空隙20と、空隙20上に埋め込まれたSOG層の一部12’を有する。この粒界13と磁性粒子11により磁気記録層3が得られる。
次に、図5(d)に示すように、エッチングにより、SOG層12の上層面が均一面になるように、かつ、FePt磁性粒子11上に2nm積層されるように、たとえばCF4ガスにより、全圧5Pa、RPパワー80Wで8分間RIEを行うことにより平坦化・薄層化処理する。
その後、図5(e)に示すように、SOG層12の上層部にスパッタ法によりDLC保護膜4をArガス圧1Pa、DC1000Wで5nm形成して、実施例2に係る磁気記録媒体200が得られる。
ここで、Cの熱伝導率は、おおよそ100〜2000程度、気体の熱伝導率は0.02程度である。このため、記録トラック幅方向と周方向とに対する熱広がり抑制効果がFePt−C媒体に対して向上する。
実施例3
図6に、実施例3に係る磁気記録媒体を表す断面図を示す。
図6に、実施例3に係る磁気記録媒体を表す断面図を示す。
実施例3に係る磁気記録媒体300は、ガラス基板1と、その上に順に形成された、MgO下地層2、磁気記録層3、及びDLC保護膜4を有する。
磁気記録層3は、高磁気異方性を有するFePt合金からなる磁性粒子11と、磁性粒子11の間に設けられた粒界13とを有する。
粒界13は、その下方から磁性粒子11の側面にわたりC層10が形成され、C層10に囲まれた溝の部分に熱伝導率の低いSiO2層12が形成されている。
図7(a)ないし図7(e)は、実施例3の磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
図7(a)に示すように、まず、ガラス基板1上にスパッタ法によりArガス圧1Pa、RF800Wで10nmMgO下地層2を成膜する。基板を500℃に加熱しながら、その上に、FePt−Cコンポジットターゲットを使用し、スパッタ法によってFePt−C磁気記録層をArガス圧1Pa、DC1000Wで6nm形成する。得られた磁気記録層は、FePt磁性粒子11と、磁性粒子11間に設けられたC(カーボン)10からなる粒界とを含むグラニュラ構造を有する。
次に、図7(b)に示すように、C層10からなる粒界の一部をエッチングにより取り除く。C層10の一部は、たとえば酸素プラズマを用いるエッチング法により、取り除くことができる。具体的には、酸素流量10sccm、全圧0.1Pa、RFパワー100W、プラテンパワー10Wの条件で10秒間のRIEをおこなう。これにより、粒界の下方から磁性粒子11の側面にわたりC層10が残り、その内側が除去されて溝ができる。
次に、図7(c)に示すように、溝の部分及び磁性粒子11上に、SiO2をターゲットとして、全圧1Pa、RFパワー100Wにて、2分間スパッタを行い、SiO2層12を形成する。あるいは、SiO2の代わりにTiO2等の酸化物を用いることができる。これにより、粒界にある溝にもSiO2層が充填される。
次に、図7(d)に示すように、エッチングにより、SiO2膜12と磁性粒子11の上層面が均一面になるように平坦化処理をおこなう。このエッチングは、たとえばCF4ガスを用い、全圧5Pa、RPパワー80Wで、10分間RIEを行う。これにより、粒界の下方から側面にわたり形成されたC層10とC層10内に充填されたSiO2層とからなる粒界13が設けられる。
図7(e)に示すように、粒界13と磁性粒子11を有する磁気記録層3の上層部にDLC保護膜4をスパッタ法により形成することにより、実施例3に係る磁気記録媒体300が得られる。
実施例4
図8に、実施例4に係る磁気記録媒体を表す断面図を表す図を示す。
図8に、実施例4に係る磁気記録媒体を表す断面図を表す図を示す。
実施例4に係る磁気記録媒体400は、ガラス基板1と、その上に順に形成された、MgO下地層2、磁気記録層3、SiO2層12、及びDLC保護膜4を有する。
磁気記録層3は、高磁気異方性を有するFePt合金からなる磁性粒子11と、磁性粒子11の間に設けられた粒界13とを有する。
粒界13は、その下方から磁性粒子11の側面にわたりC層10が形成され、C層10に囲まれた溝の下方に設けられた空隙20と、空隙20上に設けられた熱伝導率の低いSiO2層12’を有する。なお、このSiO2層12は、空隙20と磁気記録層3との上部に空隙20を塞ぐように形成される。
図9(a)ないし図9(e)は、実施例4の磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
図9(a)に示すように、ガラス基板1上にスパッタ法によりMgO下地層2をArガス圧1Pa、RF800Wで10nm成膜する。基板を500℃に加熱しながら、その上層部に、Fe、PtおよびCをターゲットとして用いたスパッタ法によってFePt−C磁気記録層をArガス圧1Pa、DC1000Wで6nm形成する。得られた磁気記録層は、FePt磁性粒子11と磁性粒子11間に設けられたC層10からなる粒界とを含むグラニュラ構造を有する。
次に、図9(b)に示すように、C層10の一部をエッチングにより取り除く。C層10の一部は、たとえば酸素プラズマを用いるエッチング法により、取り除くことができる。具体的には、たとえば酸素流量10sccm、全圧0.1Pa、RFパワー100W、プラテンパワー10Wの条件で10秒間のRIEを行う。これにより、粒界の下方から磁性粒子11の側面にわたりC層10が残り、その内側が除去されて溝ができる。
次に、図9(c)に示すように、磁性粒子11の上層部に、分子量5000〜50000のHSQ(水素化シルセスキオキサンポリマー)を使用して、スピンコート法により厚さ50nmのSOG層12を成膜する。分子量の比較的大きいSOGを用いることにより、C層10とSOG層12との間に空隙20が設けられる。これにより、粒界13は、C層10と、その上に設けられた空隙20と、空隙20を介して溝の一部に埋め込まれたSOG層の一部12’を有する。この粒界13と磁性粒子11により磁気記録層3が得られる。
次に、図9(d)に示すように、エッチングにより、SOG層12の上層面が均一面になるように、かつ、FePt磁性粒子11上に2nm積層されるように平坦化・薄層化処理をおこなう。このエッチングは、たとえばCF4ガスによるRIEを用いる。
その後、図9(e)に示すように、SOG層12の上層部にスパッタ法によりDLC保護膜4をArガス圧1Pa、DC1000Wで5nm形成して、実施例4に係る磁気記録媒体400が得られる。
実施例5
図10に、実施例5に係る磁気記録媒体を表す断面図を示す。
図10に、実施例5に係る磁気記録媒体を表す断面図を示す。
実施例5に係る磁気記録媒体500は、ガラス基板1と、その上に順に形成された、MgO下地層2、磁気記録層3、SiO2層12、及びDLC保護膜4を有する。
磁気記録層3は、高磁気異方性を有するFePt合金からなる磁性粒子11と、磁性粒子11の間に設けられた粒界13とを有する。
粒界13は、空隙20と、空隙20上に設けられた熱伝導率の低いSiO2層12’を有する。なお、このSiO2層12は、空隙20と磁性粒子11の上部に空隙20を塞ぐように形成される。
図11(a)ないし図11(e)は、実施例5の磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
図11(a)に示すように、ガラス基板1上にスパッタ法によりMgO下地層2をArガス圧1Pa、RF800Wで10nm成膜する。基板を500℃に加熱しながら、その上層部に、Fe、PtおよびCをターゲットとして用いたスパッタ法によってFePt−C磁気記録層をArガス圧1Pa、DC1000Wで6nm形成する。得られた磁気記録層は、FePt磁性粒子11と磁性粒子11間に設けられたC層10からなる粒界とを含むグラニュラ構造を有する。
次に、図11(b)に示すように、C10をエッチングにより取り除く。C10は、たとえば酸素プラズマを用いるエッチング法により、取り除くことができる。具体的には、酸素流量20sccm、全圧0.1Pa、RFパワー100W、プラテンパワー10Wの条件で60秒間のRIE(反応性イオンエッチング)を行う。これにより、粒界13中のC層が全て除去されて溝になる。
次に、図11(c)に示すように、FePt磁性粒子11と溝の上に、分子量5000〜50000のHSQ(水素化シルセスキオキサンポリマー)を使用して、スピンコート法により厚さ50nmのSOG(Spin On Glass)層12を成膜する。分子量の比較的大きいSOGを用いることにより、粒界13の溝の底部とSOG層12との間に空隙20が設けられる。これにより、粒界13は、空隙20と、空隙20上に埋め込まれたSOG層の一部12’から構成される。この粒界13と磁性粒子11により磁気記録層3が得られる。
次に、図11(d)に示すように、エッチングにより、SOG層12の上層面が均一面になるように、かつ、FePt磁性粒子11上に2nm積層されるように平坦化・薄層化処理をおこなう。このエッチングは、たとえばCF4ガスによるRIEを用いる。
その後、図11(e)に示すように、SOG層12の上層部にスパッタ法によりDLC保護膜4をArガス圧1Pa、DC1000Wで5nm形成して、実施例5に係る磁気記録媒体500が得られる。
これらの実施例1ないし5にかかる磁気記録媒体において、記録再生特性を評価した。記録再生特性の評価は、スピンスタンドを用いて測定した。
記録再生特性の評価は、記録周波数の条件を線記録密度1000kBPIとして測定した。
その結果、実施例1のSNRは、11.1dB、実施例2は11.4dB、実施例3は10.8dB、実施例4は11.0dB、及び実施例5は11.6dBと良好な記録再生特性を示すことが分かった。また、比較例1は10.5dBであった。
実施例1ないし5に示すように、FePt磁性粒子11間にC層10とSiO2層及び/または空隙20からなる粒界13を設けることにより、粒界を第1の粒界と第2の粒界に分割し、その少なくとも一方に熱伝導を抑制させるための構造を形成することができる。
実施例6
図12は、実施例6に係る磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
図12は、実施例6に係る磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
図12に示されるように、実施形態に係る磁気記録再生装置130は、上面の開口した矩形箱状の筐体131と、複数のねじにより筐体131にねじ止めされる筐体の上端開口を閉塞する図示しないトップカバーを有している。
筐体131内には、例えば実施例5に係る磁気記録媒体500、この磁気記録媒体500を支持及び回転させる駆動手段としてのスピンドルモータ133、磁気記録媒体500に対して熱アシスト方式により磁気信号の記録及び再生を行う磁気ヘッド134、磁気ヘッド134を先端に搭載したサスペンションを有し且つ磁気ヘッド134を磁気記録媒体500に対して移動自在に支持するヘッドジンバルアッセンブリ135、ヘッドジンバルアッセンブリ135を回転自在に支持する回転軸136、回転軸136を介してヘッドジンバルアッセンブリ135を回転、位置決めするボイスコイルモータ137、及びヘッドアンプ回路基板138等が収納されている。
図13は、図12の磁気ヘッド周辺の構成を表す図を示す。
図示するように、熱アシスト方式により磁気信号の記録及び再生を行う磁気ヘッド134は、ヘッドジンバルアッセンブリ(HGA)135のアーム32から延出したサスペンション34の延出端にジンバル34bを介して支持されている。また、HGA135は、実施例5に係る磁気記録媒体500の垂直磁気記録層3を局所的に加熱する加熱部として、レーザ光を照射するレーザ光源50を備えている。このレーザ光源50は、例えば、サスペンション34の先端部上に実装されている。
また、ヘッド部44は、スライダ134のトレーリング端42bに薄膜プロセスで形成された再生ヘッド52および記録ヘッド51を有し、分離型磁気ヘッドとして形成されている。
磁気記録再生装置130を用いてレーザ光源50により400℃で加熱を行った場合のレーザ光源からの距離に対する磁気記録媒体の温度を計算した。
図14に、レーザ光源からの距離と磁気記録媒体の温度との関係を表すグラフを示す。
図中、121は、実施例5に係る磁気記録媒体を使用した場合、122は、比較として比較例1に係る磁気記録媒体を使用した場合を各々示す。
図示するように、例えば熱源中心から30nmの位置では比較例1よりも実施例5の方が30℃低くなり、実施形態にかかる磁気記録媒体を使用すると、磁性粒子間の熱広がりを抑制できることがわかる。
また、実施例1ないし4についても同様の値を求めたところ、磁性粒子間の熱広がりを抑制する効果が見られた。
実施例7
図15に、実施例7にかかる磁気記録媒体を表す断面図を示す。
図15に、実施例7にかかる磁気記録媒体を表す断面図を示す。
図示するように、磁気記録媒体600は、熱アシスト記録用の磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体であり、ガラス基板1と、MgO下地層2との間に、例えばAgからなるヒートシンク層5が設けられていること以外は、図1と同様の構造を有する。
このヒートシンク層は、Agをターゲットして、スパッタにより、Arガス圧1Pa、DC1000Wで30nm成膜する。
実施例7にかかる磁気記録媒体によれば、ヒートシンク層5が設けられていることにより、さらに、磁性粒子間の熱広がりを抑制するという効果がある。
また、実施例1と同様に磁気記録再生特性を測定したところ、SNRは13.6dBであった。
実施例8
図16に、実施例8にかかる磁気記録媒体を表す断面図を示す。
図16に、実施例8にかかる磁気記録媒体を表す断面図を示す。
図示するように、磁気記録媒体700は、熱アシスト記録用の磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体であり、MgO下地層2と、磁気記録層3の間に、例えばZrO2からなる熱バリア層6がさらに設けられていること以外は、図15と同様の構造を有する。
この熱バリア層は、ZrO2をターゲットして、スパッタにより、Arガス圧1Pa、DC1000Wで10nm成膜する。
実施例8にかかる磁気記録媒体によれば、熱バリア層が設けられていることにより、さらに、磁性粒子間の熱広がりを抑制するという効果がある。
また、実施例1と同様に磁気記録再生特性を測定したところ、SNRは13.8dBであった。
また、上記実施例7及び8の磁気記録層の構成は、実施例1と同様であるものに限らず、実施例2ないし実施例5に用いられる磁気記録層の構成から選択することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…基板、2…下地層、3…磁気記録層、4…保護膜、
10…カーボン、11…磁性粒子、12…非磁性層、20…空隙
10…カーボン、11…磁性粒子、12…非磁性層、20…空隙
Claims (16)
- 基板、及び
該基板上に形成された、磁性粒子と、該磁性粒子間に設けられた粒界とを有する磁気記録層を含み、
前記粒界は、第1の熱伝導率を有する第1の粒界と、該第1の粒界上に設けられた第1の熱伝導率とは異なる第2の熱伝導率を有する第2の粒界とを有し、該第1の粒界及び該第2の粒界の少なくとも一方が熱伝導を抑制することを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記基板と前記磁気記録層との間にヒートシンク層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記ヒートシンク層は銀、銅、金、及びそれらの合金からなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む請求項2に記載の磁気記録媒体。
- 前記ヒートシンク層と前記磁気記録層との間に熱バリア層をさらに含む請求項2または3に記載の磁気記録媒体。
- 前記熱バリア層はZrO2を含む請求項4に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性粒子は、L10構造の鉄プラチナ合金、L10構造のコバルトプラチナ合金、及びコバルトとプラチナの多層膜からなる群から選択される請求項1ないし5のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 前記第1の粒界及び第2の粒界は、各々、カーボン、SiO2、及びTiO2からなる群から選択される少なくとも1種の材料からなる層と、該層及び前記磁性粒子により区画された空隙とから選択される請求項1ないし6のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。請求項1ないし6のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 基板上に磁性粒子と該磁性粒子間に設けられた第1の材料からなる粒界とを有する磁気記録層を形成する工程、
前記粒界の少なくとも一部を除去して溝を形成し、該溝上に該第1の材料の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第2の材料からなる層を形成することにより、前記粒界を、第1の熱伝導率を有する第1の粒界、及び該第1の粒界上に設けられ、第1の熱伝導率とは異なる第2の熱伝導率を有する第2の粒界に分割し、該第1の粒界及び第2の粒界の少なくとも一方に熱伝導を抑制させるための構造を形成する工程を具備する磁気記録媒体の製造方法。 - 前記磁気記録層を形成する工程の前に前記基板上にヒートシンク層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記ヒートシンク層は、銀、銅、金、及びそれらの合金からなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む請求項9に記載の方法。
- 前記磁気記録層を形成する工程の前に、前記ヒートシンク層上に熱バリア層を形成する工程をさらに含む請求項9または10に記載の方法。
- 前記熱バリア層はZrO2を含む請求項11に記載の方法。
- 前記磁気記録媒体を製造する工程は、FePt−Cからなるターゲット、または、Co、Pt、及びCターゲットをスパッタすることを含む請求項8ないし12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の粒界及び第2の粒界は、各々、カーボン、SiO2、及びTiO2からなる群から選択される少なくとも1種の材料からなる層と、該層及び前記磁性粒子により区画された空隙とから選択される請求項8ないし13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の材料はカーボンであり、前記第2の材料はSiO2、及びTiO2のうち一方であることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を加熱するための熱源を備えた磁気ヘッドとを具備する磁気記録再生装置。
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