JP2014099610A - 集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ - Google Patents

集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ Download PDF

Info

Publication number
JP2014099610A
JP2014099610A JP2013234822A JP2013234822A JP2014099610A JP 2014099610 A JP2014099610 A JP 2014099610A JP 2013234822 A JP2013234822 A JP 2013234822A JP 2013234822 A JP2013234822 A JP 2013234822A JP 2014099610 A JP2014099610 A JP 2014099610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mode power
power converter
coupled
switch mode
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013234822A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014099610A5 (ja
JP6319995B2 (ja
Inventor
Balu Balakrishnan
バル・バラクリシュナン
David Michael Hugh Matthews
デイビッド・マイケル・ヒュー・マシューズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Power Integrations Inc
Original Assignee
Power Integrations Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Power Integrations Inc filed Critical Power Integrations Inc
Publication of JP2014099610A publication Critical patent/JP2014099610A/ja
Publication of JP2014099610A5 publication Critical patent/JP2014099610A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6319995B2 publication Critical patent/JP6319995B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33507Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters
    • H02M3/33523Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters with galvanic isolation between input and output of both the power stage and the feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12032Schottky diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)

Abstract

【課題】リードフレームの部分同士の間の磁気結合を用いた直流絶縁によりコントローラ同士の間の通信を可能にする集積回路パッケージ構造を提供する。
【解決手段】スイッチモードパワーコンバータで用いるための集積回路パッケージは、封入部とリードフレームとを含む。リードフレームの一部は封入部内に配設される。リードフレームは、封入部内に実質的に配設される第1の導通ループを有する第1の導体を含む。リードフレームは、第1の導体から直流絶縁される第2の導体も含む。第2の導体は、封入部内に実質的に配設され、第1の導通ループに近接しかつこれに磁気的に結合されて第1の導体と第2の導体との間に通信リンクを提供する第2の導通ループを含む。第1の制御回路を含む第1の制御ダイは第1の導体に結合される。第2の制御回路を含む第2の制御ダイは第2の導体に結合される。1つ以上の制御信号は、通信リンクを通して第1の制御ダイと第2の制御ダイとの間で通信される。
【選択図】図3C

Description

関連出願
この出願は、2012年11月14日に出願された、「リードフレームを用いる磁気結合直流絶縁通信(Magnetically Coupled Galvanically Isolated Communication Using Lead Frame)」と題され、本願の譲受人に譲渡される、Balakrishnan et al.の米国特許出願第13/677,088号に関連する。
この出願は、2012年11月14日に出願された、「リードフレームを利用する磁気結合通信リンクのためのノイズ除去(Noise Cancellation for A Magnetically Coupled Communication Link Utilizing A Lead Frame)」と題され、本願の譲受人に譲渡される、Kung et al.の米国特許出願第13/677,068号にも関連する。
背景情報
開示の分野
本発明は、直流絶縁を必要とする回路同士の間の通信に一般に関する。より具体的には、本発明の例は、電源およびパワーインバータなどのスイッチモードパワーコンバータにおける絶縁障壁にわたる通信に関する。
背景
スイッチモードパワーコンバータは、移動体電子機器で一般的に用いられる、たとえば充電器などの、それらの動作のための調節された直流(DC)源を必要とする家庭用または産業用電気製品のために広く用いられる。オフラインAC−DCコンバータは、低周波(たとえば50Hzまたは60Hz)高圧AC(交流)入力電圧を必要なレベルのDC出力電圧に変換する。安全性および保護特徴とともに、十分に調節された出力、高効率、および小さなサイズにより、さまざまな種類のスイッチモードパワーコンバータが普及している。スイッチモードパワーコンバータの普及したトポロジーは、とりわけ共振型を含む、フライバック、フォワード、昇圧、降圧、ハーフブリッジ、およびフルブリッジを含む。
米国特許出願第13/677,088号 米国特許出願第13/677,068号
絶縁されたスイッチモードパワーコンバータの安全要件は一般的に、出力における電圧レベルの変化に加えて、スイッチモードパワーコンバータの入力と出力との間の直流絶縁を与えるのに、高周波変圧器の使用を要件とする。
スイッチモードパワーコンバータの市場における主な課題は、高性能の動作仕様を維持しながら、スイッチモードパワーコンバータのサイズおよびコストを低減することである。公知の絶縁スイッチモードパワーコンバータでは、スイッチモードパワーコンバータの出力の検知、および電流または電圧などのスイッチモードパワーコンバータ出力パラメータを調節するためのフィードバック信号の通信は、通常、たとえば光カプラなどの外部絶縁構成要素を用いて達成される。これらの公知の方法は、望まれない付加的なサイズおよびコストをスイッチモードパワーコンバータに加えてしまう。さらに、光カプラは動作が遅く、多くの場合、スイッチモードパワーコンバータのフィードバック帯域幅および過渡的応答を限定してしまう。
以下の図を参照して、本発明の非限定的かつ非網羅的実施形態を記載する。図中、同じ参照番号は、他に示さなければ、さまざまな図を通して同じ部分を指す。
対応する参照符号は、図面のいくつかの図を通して対応する構成要素を示す。当業者は、簡潔さおよび明瞭性のために図中の要素が図示され、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを認めるであろう。たとえば、図中の要素のいくつかの寸法は、本発明のさまざまな実施形態の理解を深めるのを助けるために、他の要素に対して誇張されていることがある。また、本発明のこれらのさまざまな実施形態がより妨げられずに見えるのを容易にするために、商業的に実現可能な実施形態で有用または必要な、一般的であるが十分に理解されている要素をしばしば描いていない。
この開示の目的のための、信号を送受信してデジタルまたはアナログ情報を通信する磁気結合導通ループの概念的な動作を示す図である。 この開示の教示に従う双方向動作に好適な導通ループの別の概念的な例を図示する図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループを有する集積回路パッケージの一例の外観図である。 本発明の教示に従う、図2Aの例示的な集積回路パッケージの内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループの一例の構造の内部図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループを有する集積回路パッケージの一例の外観図である。 本発明の教示に従う、図2Cの例示的な集積回路パッケージの内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループの一例の構造の内部図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージの例の外観図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体の磁気結合導通ループによって形成される磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージの内部のリードフレームの一例の内部図である。 本発明の教示に従う、コントローラダイ同士の間の磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージのリードフレームの例の内部図であり、当該通信リンクは集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体の磁気結合導通ループによって形成される。 本発明の教示に従う集積回路パッケージの内部のリードフレームの絶縁された導体の導通ループおよび集積回路ダイに結合されるジャンパーボンドワイヤの例示的な側面図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体の磁気結合導通ループによって形成される磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージのリードフレームの一例の内部図の傾斜3D(三次元)図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合導通ループによって形成される、コントローラダイ同士の間の通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージのリードフレームの一例の内部図の傾斜3D図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される、コントローラダイ同士の間の磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの一例を利用する二次制御を有する同期フライバックスイッチモードパワーコンバータの一例の概略図である。 本発明の教示に従う、磁気結合通信リンクを通して出力情報が一次側に転送され、磁気結合通信リンクを通してラインゼロクロス検出信号が二次側に転送される、集積回路パッケージの封入された部分の内部のコントローラダイ同士の間における双方向磁気結合通信リンクを含む複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの一例を利用するフライバックスイッチモードパワーコンバータの一例の概略図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの一例を利用する降圧コンバータの一例の概略図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの例を利用するハーフブリッジコンバータの部分の一例を含むスイッチモードパワーコンバータの例の概略図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの例を利用するハーフブリッジコンバータの部分の別の例を含むスイッチモードパワーコンバータの例の概略図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの例を利用するハーフブリッジコンバータの部分のまた別の例を含むスイッチモードパワーコンバータの例の概略図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される例示的な磁気結合通信リンクを利用するハーフブリッジコンバータの部分の一例を含むスイッチモードパワーコンバータの例の概略図である。 本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される例示的な磁気結合通信リンクを利用するハーフブリッジコンバータの部分の別の例を含むスイッチモードパワーコンバータの例の概略図である。
詳細な説明
以下の説明では、本発明の完全な理解を与えるために、数多くの具体的な詳細を述べる。しかしながら、当業者には、本発明を実践するのに具体的な詳細を用いる必要がないことが明らかであろう。他の事例では、本発明を曖昧にするのを避けるために、周知の材料または方法を詳細に記載していない。
この明細書を通じての「1つの実施形態」、「実施形態」、「一例」、または「例」の参照は、実施形態または例と関連して記載する特定の特徴、構造、または特性が本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。このように、この明細書を通じたさまざまな場所での「1つの実施形態では」、「実施形態では」、「一例」、または「例」という文言の出現は、必ずしも、すべてが同じ実施形態または例を参照しているわけではない。さらに、1つ以上の実施形態または例の中で、特定の特徴、構造、または特性を任意の好適な組合せおよび/または副次的組合せで組合せてもよい。特定の特徴、構造、または特性は、集積回路、電子回路、組合せ論理回路、または記載の機能性を提供する他の好適な構成要素に含まれてもよい。さらに、ここに与える図は、当業者に対する説明目的のためのものであり、図面は必ずしも縮尺通りに描かれていないことが認められる。
いくつかの適用例では、単一の集積回路パッケージの中に複数のコントローラが収容されることがある。各々のコントローラは半導体ダイとして作製される。本願は、パッケージ全体にコストをほとんどまたは全く加えずに、リードフレームの部分同士の間の磁気結合を用いた直流絶縁により、コントローラ同士の間の通信を可能にする集積回路パッケージ構造を開示する。
集積回路パッケージは典型的にリードフレームを含む。リードフレームは、集積回路パッケージ内に収容され得る単一のダイまたは複数のダイのための機械的支持を与える。一般的に、リードフレームは典型的に、半導体ダイを取付け得るダイ取付パッドを含む。さらに、リードフレームは一般的に、集積回路パッケージ外部の回路への電気的接続部となる導線も含む。リードフレームは一般的に、金属の平らなシートから構成される。金属の平らなシートには、ダイ取付パッドおよびリードフレームのさまざまな導線を規定するパターンを有するように、打抜き、エッチング、パンチングなどがなされてもよい。
以上で言及したように、公知のスイッチモードパワーコンバータにおいて、絶縁はしばしば、たとえば光カプラなどの外部絶縁構成要素を用いて、または二次巻線に磁気的に結合される変圧器コア上の余分のバイアス(たとえばフィードバック)巻線の使用によって与えられる。これらの公知の方法は、スイッチモードパワーコンバータに望まれない付加的なサイズおよび全体的なコストを加えてしまう。本発明の教示に従う例では、絶縁は、絶縁される回路同士の間の磁気結合通信リンクを与える、集積回路パッケージ構造の封入された部分の内部のリードフレームの直流絶縁された導体によって形成される磁気結合導通ループによって与えられる。さまざまな例では、本発明の教示に従う集積回路パッケージのリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクによって与えられる絶縁を、スイッチモードパワーコンバータの一次側と二次側との間の直流絶縁を要件とするスイッチモードパワーコンバータを含むさまざまな適用例で利用してもよい。集積回路パッケージのリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージを利用するいくつかの例示的なスイッチモードパワーコンバータは、本発明の教示に従うと、同期フライバック、絶縁フライバック、絶縁同期フライバック、降圧、フォワード、ハーフブリッジ、およびフルブリッジトポロジーを含むが、これらに限定されない。
この開示の目的のため、電流のための物理的な閉じた経路をループと称する。ループは、(この開示の例ではICパッケージ内部のリードフレームおよびボンドワイヤによって形成することができる)導体などの異なる要素および循環電流の経路にある電気的構成要素を含んでもよい。ループ中の各々の要素はループの一部を形成し、ループ中の1つ以上の要素の組合せを部分ループと称する。磁場結合の文脈では、磁場を囲むループを典型的に1つ以上の巻数を有すると称する。各々の巻数は磁場の1つの囲みに対応する。
図1Aおよび図1Bは、たとえば本発明の教示に従う、スイッチモードパワーコンバータのコントローラICにおいて動作情報を通信するために信号を送受信する磁気結合導通ループの概念的な動作を示す。図1Aでは、磁気結合通信リンク100は、送信回路110に結合される外側導通ループ102と、受信回路130に結合される内側導通ループ105とを含む。外側導通ループ102は、一例では、パルス電流120を導通ループ102に注入するパルス電流源114を含む。実施形態では、送信回路110は、送信器電流IT120を利用して情報を通信し得る。一例では、送信回路110内の回路は、送信器電流IT120のさまざまな性質を制御して、情報を受信回路130に通信し得る。送信器電流IT120の大きさが時間とともに変化するまたは変わる場合、これは、内側導通ループ105の導体の近くで、変動する磁場を発生する。電磁誘導の法則により、変動する磁場を受ける導体の両端で電圧が生成される。一例でのパルス電流IT120は、立上がり時間と、立下がり時間と、振幅とを有する。送信器電流IT120により外側導通ループ102によって生成される変動する磁束は、ページの表面に入る方向を有する。マーカ108は、送信器ループ102および受信器ループ105の両方を通る全体的な磁場を図示する。一般的に、マーカ108について図示するような「X」符号は、ページの中への磁場または磁束を示す一方で、マーカ符号についての点符号はページから外への磁場または磁束を示す。
したがって、実施形態では、電流IT120の変化によって生成される変動する磁場により受信器電圧VR140が誘導され、その結果、図1Aに図示する方向の受信器電流IR138が生じ得る。
受信回路130は、送信回路110によって誘導される電圧および/または電流を受け得る回路を含んでもよく、電圧および/または電流を情報と解釈する。情報を通信するように制御され得る送信器電流IT120の性質は、送信器電流IT120の大きさおよび変化率を含み得る。図示された送信器電流IT120の例では、パルス波形120が規定する立上がりおよび立下がりの傾斜は、送信器電流パルス波形120の立上がり時間の間の正の振幅および立下がり時間の間の負の振幅を有する脈動電圧VR140を誘導する。一例での受信回路130は、しきい値電圧VTh134と、受信回路130の誘導電圧パルスVR140の振幅との比較に応答する比較器132を含んでもよい。
通信された信号は、デジタル情報またはアナログ情報の形態を取ってもよい。デジタル情報の場合、通信は、当業者には公知のように、2値信号またはより複雑な符号化されたデジタルデータの形態であり得る。他の通信技術を用いてもよいことが認められる。他の例では、送信器電流IT120と、受信回路130が受信する結果的に誘導される受信器電圧VR140および受信器電流IR138との間の関係を利用する通信技術を利用してもよい。
図1Bは、磁気結合通信リンク150の別の例を図示する。一例では、通信リンク150は双方向通信に適し得、2つの導通ループを含む。第1のループ152および第2のループ155は、最大の共通の磁場区域を囲むように位置決めされる。一方向通信により適し得る図1Aの例とは反対に、図1Bの双方向の例のループ152および155はほぼ同じ寸法を有する。最良の双方向動作のためには、結果的にほぼ等しい双方向の挙動を生じるループの物理的な対称性が重要である。第1のループ152および第2のループ155中の磁場または磁束はページの中への方向を有する。
図1Aと図1Bとの間の動作上/機能上の差は、図1Bでは、第1のループ152および第2のループ155の両方がそれぞれトランシーバ(送信/受信)回路160および180に結合されることである。トランシーバ回路1,160は、選択スイッチS1 163を介して、送信回路162または受信回路165のいずれかを第1のループ152に結合し得る。
トランシーバ回路2,180は、選択スイッチS2 183を介して、送信回路182または受信回路185のいずれかを第2のループ155に結合し得る。
トランシーバ回路1 160が送信回路として結合されて電流パルスITR1を第1のループに注入すると、トランシーバ回路2 180は、第2のループ155およびスイッチS2 183を介して受信回路として結合されて、通信された信号を電流パルスITR2190または電圧パルスVTR2187として受信するであろう。
一方で、トランシーバ回路2 180が送信回路として結合されて電流パルスITR2190を第2のループに注入すると、トランシーバ回路1 160は、第1のループ152をを介してかつスイッチS1 163の制御された機能により、受信回路として結合されて、通信された信号を電流パルスITR1170としてまたは電圧パルスVTR1167として受信するであろう。
トランシーバ回路160および180中の送信回路162および182は、それぞれパルス電流源164および184を含むことができ、トランシーバ回路160および180中の受信回路165および185は、それぞれしきい値電圧168および188を有する比較器回路166および186を含むことができる。
IC業界での実際的な適用例の例を図示するため、図2Aおよび図2Bは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの直流絶縁された導体によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループを有する例示的な集積回路パッケージ210を示す。図2Aおよび図2Bに図示する例では、集積回路パッケージ210の2つの側に、外部ピン201、202、203、および204、ならびに外部ピン205、206、207、および208が存在する。例では、外部ピンのすべては、内部導通要素296および297を備えるリードフレーム298の一部であり、内部導通要素296および297は、示すように、ボンドワイヤ295などの任意のボンドワイヤが導入され、かつ集積回路パッケージ210の封入部299から延在する前に、集積回路パッケージ210の基本的に一部となっている。一例では、リードフレーム298は、たとえば銅などの、集積回路パッケージ化の際にリードフレームに利用される公知の導通材料を備えてもよく、これは実質的に平らであり、集積回路パッケージ210の成形化合物中に埋込まれる。例では、リードフレーム298は、パッケージ210のピン201〜208に結合される回路構成へのまたはそれからの電気的接続性を提供するとともに、ボンドワイヤ295の接続のための機械的支持を与える。
図2Bは、本発明の教示に従う、図2Aの例示的な集積回路パッケージ210のリードフレーム298の絶縁された第1の導体297および第2の導体296によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループ215および211の1つの例示的な構造を顕す、封入部299内部の図を示す。特に、図示する例に示すように、リードフレーム298は、封入部299内の絶縁成形化合物材料の中に封入される第1の導体297および第2の導体296を含む。一例では、リードフレーム298の第1および第2の導体297および296は、エッチング、打抜き、パンチングなどによって金属の平らなシートから形成されて、第1の導体297中の第1の導通部分ループ215および第2の導体296中の第2の導通部分ループ211を形成してもよい。図2Bに描かれた例では、ボンドワイヤ295は、示すように第2の導体296に結合されて、第2の導通部分ループ211の部分をともに結合する。描かれた例では、第2の導体296は第1の導体297から直流絶縁される。一例では、ボンドワイヤ295は、第1の導体297と第2の導体296との間の直流絶縁を維持するために、第1の導体297から十分な絶縁空間を設けるのに十分な経路長さを有する。図示しない別の例では、第1の導通ループ215および/または第2の導通ループ211の部分をともに結合する1つ以上の付加的なボンドワイヤを含んでもよいことが認められる。ピン201、202とピン203、204との間に接続される回路要素は、通信リンクを通して信号を送信または受信するために、示される部分導通ループ215を完成させる必要があることが認められる。同様に、ピン205、206とピン207、208との間に接続される回路要素は、通信リンクを通して信号を送信または受信するために、示される部分導通ループ211を真に完成させる必要があることが認められる。しかしながら、この記載の目的のため、部分導通ループ211および215を導通ループと称することがある。この記述は以下の図2Cおよび図2Dの後の考察にも拡張されることが認められる。
例に示すように、第2の導通ループ211は、封入部299内に配設され、第1の導通ループ215に近接してかつこれに磁気的に結合されて、本発明の教示に従い、直流絶縁された第1の導体297と第2の導体296との間に通信リンクを提供する。一例では、第1の導通ループ215および第2の導通ループ211の磁気結合部分は実質的に平らであり、実質的に同じ平面に配設される。図示する例に示すように、第1の導通ループ215および第2の導通ループ211は各々1つの巻数からなる。一例では、第2の導通ループ211と第1の導通ループ215との間の磁気結合によって与えられる通信リンクを利用して、本発明の教示に従い、リードフレーム298の直流絶縁された第2の導体296と第1の導体297との間で1つ以上の信号を通信する。一例では、送信信号が第1の端子T1のピン205および206と第2の端子T2のピン207および208との間に印加される。回路基板上の組立の便宜のため、端子に共通の1つよりも多くの外部ピンを有することが望ましいことがある。
図示する例を続けて、信号は、第1の端子R1のピン201および202と第2の端子R2のピン203および204との間の第2の導通ループ211から、磁気結合を通して第1の導通ループ215によって受信される。別の例では、信号は、反対方向に通信されて双方向通信を与えることもできることが認められる。
例に示すように、第1の端子R1のピン201および202はリードフレーム接続部216を通して第1の導通ループ215に結合され、第2の端子R2のピン203および204はリードフレーム接続部218を通して第1の導通ループ215に結合される。例では、端子T1およびR1の信号は、磁気結合および誘導の法則に従って同相である。一例では、複数の組立選択肢を設けることによる、上述したような外側ピン205/206、207/208、201/202、および203/204のそれぞれの対への各端子T1 214、T2 212、R1 216、およびR2 218の接続は、集積回路パッケージ210が実装される回路基板上の物理的接続を簡略化する。
図2Cは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージ250の封入された部分の内部のリードフレーム298の絶縁された導体によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループを有する集積回路パッケージ250の一例の外観図を示す。図2Cの集積回路パッケージ250は図2Aの集積回路パッケージ210と多数の類似点を共有することが認められる。たとえば、図2Cの集積回路パッケージ250は、リードフレーム298が配設される封入部299を含む。しかしながら、1つの相違点は、集積回路パッケージの2つの側に配置される外部ピンを有する代わりに、集積回路パッケージ250は、集積回路パッケージ250の1つの側に配置される外部ピン252、254、256、および258を含むことである。例では、外部ピンのすべてが集積回路パッケージ250のリードフレーム298の一部であり、示されるように集積回路パッケージ250の封入部299の単一の側から延在する。
図2Dは、本発明の教示に従う、図2Cの例示的な集積回路パッケージのリードフレーム298の絶縁された第1の導体297および第2の導体296によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループ215および211の1つの例示的な構造の封入部299内部の図を示す。集積回路パッケージ250の封入部299内部の図は、集積回路パッケージ210の封入部299内部の図と多数の類似点を共有することが認められる。たとえば、図2Dに示すように、リードフレーム298は、封入部299内で絶縁材料中に封入される第1の導体297と第2の導体296とを含む。描かれた例では、第2の導体296は第1の導体297から直流絶縁される。例に示すように、第2の導体296の第2の導通ループ260は、第1の導体297に含まれる第1の導通ループ255に近接してかつこれに磁気結合されて封入部299内に配設され、本発明の教示に従い、直流絶縁された第1の導体297と第2の導体296との間に通信リンクを提供する。図2Bに図示する例との1つの相違点は、図2Dに図示する例では第1の導通ループ255および/または第2の導通ループ260の中にボンドワイヤ295が含まれないことである。
図2Dに図示する例では、本発明の教示に従い、第2の導通ループ260と第1の導通ループ255との間の磁気結合によって設けられる通信リンクを利用して、リードフレーム298の直流絶縁された第2の導体296と第1の導体297との間で1つ以上の信号を通信する。例では、送信信号が第1の端子T1のピン258と第2の端子T2のピン252との間に印加される。例に示すように、第1の端子T1のピン258および第2の端子T2 252は第2の導通ループ260に結合される。信号は、第1の端子R1のピン256と第2の端子R2のピン254との間の第2の導通ループ260から磁気結合を通して第1の導通ループ255によって受信される。別の例では、信号は、反対方向に通信されて双方向通信も提供することができることが認められる。
図3Aは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージ315の封入部399内部のリードフレーム398の絶縁された導通ループによって形成される磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージ315の例の外側図を示す。図3Aに図示する例では、示すように、外部ピン301、302、303、304、305、306、307、308、309、310、311、および312が存在する。例では、示されるように、外部ピンのすべては、集積回路パッケージ315のリードフレーム398の一部であり、集積回路パッケージ315の封入部399から延在する。一例では、リードフレーム398は、たとえば銅などの、集積回路パッケージ化の際にリードフレームに利用される公知の導通材料を備えてもよく、これは実質的に平らであり、成形化合物の中に封入される。例では、リードフレーム398は、集積回路パッケージ315の封入部分内の内部回路構成へおよびそれからの電気的接続性を提供するとともに、パッケージ315内部の集積回路およびボンドワイヤのための機械的支持を与える。
図3Bは、本発明の教示に従う、図3Aの例示的な複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージ315のリードフレーム398の絶縁された第1の導体397および第2の導体396によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループ337および335の1つの例示的な構造を顕す封入部399内部の図を示す。特に、図示する例に示すように、リードフレーム398は、封入部399内で絶縁材料内に封入される第1の導体397と第2の導体396とを含む。描かれた例に示すように、第1の導体397は第1の導通ループ337を含み、第2の導体396は第2の導通ループ335を含む。例に示すように、第2の導通ループ335は、第1の導通ループ337に近接しかつこれに磁気的に結合されて封入部399内に配設され、本発明の教示に従い、直流絶縁された第1の導体397と第2の導体396との間に通信リンクを提供する。一例では、第1の導体397は、一例では示すように雑音消去に利用されてもよく、かつタイバー339に取付けられるオプションの第3の導通ループ338も含む。一例では、タイバー339は、リードフレーム398を封入部399で封入する前に、パッケージ315の製造の際に機械的支持接続部を設ける。一例では、封入部399は成形化合物を用いて射出成形される。第2の導通ループ335と第1の導通ループ337との間の磁気結合によって与えられる通信リンクを利用して、本発明の教示に従い、リードフレーム398の直流絶縁された第2の導体396と第1の導体397との間で1つ以上の信号を通信する。
図3Bでは、一例では、コントローラダイ360に含まれ、ダイパッド334上に組立てられる送信回路367からの電流信号が、送信回路367のノード341からボンドワイヤ344を通して注入される。電流信号はボンドワイヤ344の端ノード343に流れ、次に第2のループ335を完成させ、リードフレームを通って送信回路367へとボンドワイヤ361を通って流れ戻る。注入された信号は、第1の導通ループ337中に電圧信号を誘導する変動する磁場を生成し、これは、ボンドワイヤ377および357を通って第1の導通ループ337から受信回路355へ閉じる電流信号を生じる結果となる。受信回路355は、一次接地であるダイパッド333上に組立てられる第1の制御ダイ350中に含まれてもよい。
図3Cは、本発明の教示に従う、第1の制御ダイ350が第1の導体397に実装されかつこれに結合されるとともに、第2の制御ダイ360が第2の導体396に実装されかつこれに結合される、封入部399内部の別の図を示す。図示する例では、示すように、第1の制御ダイ350がダイパッド333上に実装され、第2の制御ダイ360がダイパッド334上に実装される。図示する例では、ダイパッド333および334はそれぞれ一次接地パッドおよび二次接地パッドとして利用される。図3に示す例では、第1の制御ダイ350と第2の制御ダイ360との間の磁気結合通信リンクは、本発明の教示に従い、第1の導通ループ337と第2の導通ループ335との間の磁気結合通信リンクによって形成される。一例では、本発明の教示に従い、複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージ315を、たとえば、二次制御を伴なう同期フライバックスイッチモードパワーコンバータなどのスイッチモードパワーコンバータで利用してもよい。
たとえば5V以下などの低出力電圧を要件とする製品および適用例は、高効率および小さな形状因子を達成するのに同期整流を用いることがある。同期整流は、出力整流器ダイオードの代わりに整流器のように振る舞うように切換えられるMOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)を利用して電圧降下および電力損失を低減する。出力MOSFET整流器の切換行為は、十分に制御されたゲート信号によって主電力切換と同期される。一例では、第1の制御ダイ350は、同期フライバックスイッチモードパワーコンバータの一次側で用いるための一次制御回路およびスイッチ(一例ではMOSFET)を含み、第2の制御ダイ360は、同期フライバックスイッチモードパワーコンバータの二次側で用いるための二次制御回路を含む。さまざまな例では、一次制御回路およびスイッチ/MOSFETは、第1の制御ダイ350のためのモノリシックまたはハイブリッド構造で実現され得る。
図3Cに図示する例に示すように、一次スイッチ(またはMOSFET)は第1の制御ダイ350に含まれる。一例では、MOSFETのドレイン端子D 340はボンドワイヤ342を通してピン301に結合される。MOSFETのソース端子S 345は、ボンドワイヤ347を通して一次接地ダイパッド333に結合され、ソースピン302を通してアクセス可能である。図示する例では、ドレインピン301とソースピン302との間に大きな隙間(すなわち、ピンがなくなっている)が存在する。図示する例では、ソースピン302の広いパッドは、ヒートシンクとしても働き得る一次接地パッド333に内部で結合される。一例では、ピン303および304はそれぞれ、ボンドワイヤ352および354を通して第1の制御ダイ350に結合されて、第1の制御ダイ350を、たとえば、ラインアンダーボルテージ(line under voltage)(図5中のUV536の例)および供給バイパスコンデンサ(図5中のBP531の例)などの外部回路構成に接続する。
ボンドワイヤ336は、第3の導通ループ338を第1の制御ダイ350に結合する。第2の導通ループ335中を流れる変化する電流によって生成される変動する磁場により、第1の導通ループ337の中に電圧信号が誘導される。図3Cの例では、第1の導通ループ337が第3の導通ループ338(第1の導通ループの延長であるオプションの雑音消去ループ)に結合される。誘導電圧信号は、ボンドワイヤ336および347を通して、一例では一次接地ダイパッド333上の一次ダイ350中に含まれる受信回路に結合される。
例では、ピン305は、機械的支持のために第2の導体396の第2の導通ループ335に取付けられる。第2の制御ダイ360から通信される信号は、第2の導通ループ335を完成させるボンドワイヤ344および361を通して第2の導通ループ335に結合される。例に示すように、ボンドワイヤ344は、ポイント343において第2の導通ループ335をポイント341の第2の制御ダイ360に結合する接続部である。一例のピン312は、電流検知ボンドワイヤ371を通して二次接地パッド334に結合され、ボンドワイヤ371上の検知された電圧降下が、ボンドワイヤ370および372を通して第2の制御ダイ360に結合されるとともに、二次電流測定に利用される。一例では、ボンドワイヤ362、364、365、および366は、それぞれ第2の制御ダイ360とピン306、307、308、309、および310との間に結合されて、二次信号の入力/出力に利用される。一例では、ピン311は、示されるように、二次接地パッド334へのアクセスを与える。
一例では、第2の制御ダイ360下の二次接地パッド334上のスロットは、第2の導通ループ335を通して接地パッド334へ強制的に電流を流すことによって第2の導通ループ335をより長くして、第1の導通ループ337により近くかつこれに平行に流れて磁気結合を向上させる。第2の導通ループ335に近接しかつこれによって取囲まれるより小さな第1の導通ループ337は、本発明の教示に従い、第1の導通ループと第2の導通ループとの強い磁気結合を与える。一例では、リードフレーム398は平らであるが、他の例では、リードフレーム398の一部は、ダイの厚みを収容してボンドワイヤのプロファイルを最適化しかつ集積回路パッケージ315のタイバーおよび外部ピンを整列させるように、最適な縦方向の位置決めのために、上におよび/または下にセットされてもよい。
図3Dは、本発明の教示に従う、以上で言及したような電気的接続部であり、第2の導通ループ335のポイント341で第2の制御ダイ360に結合され、ポイント343で第2の導通ループ335に結合されるボンドワイヤ336の例示的な側面図を示す。例に示すように、ボンドワイヤ336はリードフレーム398の第2の導通ループ335およびピンパッド334のレベルよりも高レベルにある。示すように、ボンドワイヤ336は、第2の導通送信器ループ335を完成させ、第1の導通ループ337から絶縁されるのに十分な距離を有する。
図4Aは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体の磁気結合導通ループを用いて形成される磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージのリードフレームの一例の内部図の傾斜3D(三次元)図を示す。図4Aは、図示されるリードフレーム構造が図3Bおよび図3Cのリードフレーム398の構造と類似点を共有することを示す。特に、図4Aの例では、リードフレーム構造は、図3Bおよび図3Cのダイパッド333、第1の導通ループ337、および第3の導通ループ338とそれぞれ対応する、一次ダイパッド433および第1の導通ループ437ならびに第3の導通ループ438を含む第1の導体を含む。さらに、図4Aの例では、リードフレーム構造は、図3Bおよび図3Cのダイパッド334および第2の導通ループ335にそれぞれ対応する、二次ダイパッド434および第2の導通ループ435を含む第2の導体も含む。図4Aおよび図4Bでは、第3の導通ループ438を支持するタイバー接続部439Aは、図3Bおよび図3Cの第3の導通ループ338を支持するタイバー接続部339とは異なる場所にあり、図4Aおよび図4Bのタイバー接続部439Bは、図3Bおよび図3Cのリードフレーム398には存在しない。その結果、図3A、図3B、および図3Cに示すリードフレームの設計は、リードフレームの一次導体と二次導体との間の外部沿面距離を、封入部の外面に沿って測定される、外部ピン304と305との間または外部ピン301と312との間のいずれか小さい方の最小距離に増大させる、封入部の頂部側および底部側のタイバー接続部を有しない。
図4Bは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体の磁気結合導通ループを用いて形成される、コントローラダイ同士の間の通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージのリードフレームの一例の封入部内部の別の図の傾斜3D図を示す。図4Bは、図4Aに示すリードフレーム構造との類似点を共有するリードフレーム構造を示す。図4Bに図示する例では、一次および二次ダイはリードフレームに実装されて示される。図示する例に示すように、一次スイッチ450およびコントローラ451は、−一般的にハイブリッド構造と称される異なるダイ上にある。図4Bの例では、パワーMOSFETは高い電力定格を有し、その結果、一次接地ダイパッド433の実質的にすべてを覆う大きなサイズを有する別個のダイ450を生じる。図示する例では、一次制御ダイ451は、示されるように第3の導通ループ438の一部の上にわたって実装される。二次制御ダイ452は、示されるように、二次接地ダイパッド434上に実装される。
本発明の教示に従う集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの直流絶縁された導体同士の間の磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージをさまざまな異なる適用例で利用してもよいことが認められる。磁気結合通信リンクを有するそのような集積回路パッケージを利用するいくつかの異なるスイッチモードパワーコンバータトポロジーを本明細書中に記載するが、この開示に記載する具体的な例は説明の目的のために与えるものであり、他の適用例は、本発明の教示に従う集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの直流絶縁された導体同士の間の磁気結合通信リンクを利用してもよいことが認められる。
図示のため、図5は、本発明の教示に従う、集積回路パッケージ560の封入された部分の内部のリードフレームの直流絶縁された導体を用いて形成される、コントローラダイ同士の間の磁気結合通信リンク540を有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージ560の一例を利用する、二次制御を有する例示的な同期フライバックスイッチモードパワーコンバータ500の概略図を用いて1つのそのような例示的な適用例を示す。
フライバックコンバータのための二次制御は、より厳しい出力調節および過渡負荷に対するより速い応答という利点を有することが認められる。しかしながら、先に論じたように、二次制御の従来の方法はしばしば、スイッチモードパワーコンバータの複雑さおよびコストを増大させる、たとえば光カプラなどの外部絶縁装置を用いる。本発明の教示に従うと、絶縁された一次および二次制御ダイを有する磁気結合通信リンク540を有する例示的な複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージ560を用いることにより、光カプラなどの外部に加えられる絶縁構成要素はもはや必要ない。さらに、集積回路パッケージ560は、以前に論じたような集積回路パッケージのリードフレームを用いることによって磁気結合通信リンクを設けるので、本発明の教示に従うと、外部絶縁構成要素を追加する必要なしに、追加コストがほぼゼロで、スイッチモードパワーコンバータの一次側と二次側との間で直流絶縁を維持する。
例示的な同期フライバックスイッチモードパワーコンバータ500では、一次および二次コントローラは互いから直流絶縁されるが、一次コントローラと二次コントローラとの間には依然として確実な通信が存在する。図5の例は同期フライバックコンバータを示すが、同期MOSFET550がダイオードで置換された標準的なフライバックコンバータも本発明の教示から利益を得るであろうことが認められる。
図5に図示される例では、同期フライバックスイッチモードパワーコンバータ500は、示されるようにAC配線505に結合される入力を含む。フルブリッジ整流器510はAC配線505に結合されて、整流されたAC515を生成し、これはキャパシタンスCF517によってフィルタリングされる。整流されたAC515は、示されるように一次巻線521および二次巻線522を含むエネルギ転送要素520によって受けられるように結合される。図示する例では、示すように、クランプ回路525がエネルギ転送要素520の一次巻線521の両端に結合される。
描かれる例では、切換装置S1 530が、一次接地501において同期フライバックスイッチモードパワーコンバータ500の入力に、および一次巻線521においてエネルギ転送要素520に結合される。図示される例では、切換装置S1 530を集積回路パッケージ560中のモノリシックまたはハイブリッド構造に含んでもよい。描かれる例に示されるように、切換装置S1は一次コントローラダイ535からの制御信号539によって制御され、配線および負荷の変化に応答して、変圧器520の一次巻線521を通した二次巻線522へのエネルギ転送を調節する。図示される例ではダイオード−抵抗器−コンデンサ回路であるクランプ回路525は、切換装置S1 530両端にわたる一次巻線521からの漏れインダクタンスから生じるターンオフスパイクをクランプするように結合される。
図5の例に示すように、スイッチS2 550および逆並列ダイオードD2 555が二次側の二次巻線522に結合され、同期フライバックスイッチモードパワーコンバータ500の同期整流器として働く。一例では、ダイオードD2 555は外部に接続されるショットキーダイオードである。一例では、スイッチS2 550は、二次コントローラダイ565のSRピンからの信号によって制御される。SR端子575での電圧がゲートしきい値電圧よりも高い値に上昇すると常に、スイッチS2 550によって与えられる同期整流器が電流を導通し始める。二次リップルは出力フィルタキャパシタンスC1 586によって平滑化され、DC出力電圧Vo580が負荷電流Io582とともに負荷585に印加される。出力電圧Vo580は、抵抗器572および574を備える抵抗分割器を通して検知され、抵抗器572、574は二次コントローラのフィードバックピンFB573に結合される。他の例では、依然として本発明の教示から利益を得ながら、抵抗器574および572を集積回路560内に集積可能であることが認められる。
起動の際、一次接地501を基準とする一次ダイ535はスイッチS1 530の切換を開始し、これは二次側へのエネルギの転送を開始する。バイパスピンBP531はバイパスコンデンサ532に外部で結合される。ラインアンダーボルテージピンUV536は、別の例では整流されたACバス515に結合可能なAC入力配線に、抵抗器537を通して外部で結合される。一次ダイ535と二次ダイ565との間の通信は、本発明の教示に従う集積回路パッケージのリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンク540によって設けられる磁気結合を通したものである。さまざまな例では、通信リンク540は、本発明の教示に従い、上述の集積回路パッケージのリードフレームに含まれる直流絶縁された導通ループを用いて実現される。
図6は、本発明の教示に従い、集積回路パッケージの封入された部分の内部のコントローラダイ同士の間の双方向磁気結合通信リンクを含む複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの一例を利用するフライバックスイッチモードパワーコンバータ600の一例の概略を示し、それにおいては出力情報が磁気結合通信リンクを通して一次側に転送され、ラインゼロクロス検出信号が磁気結合通信リンクを通して二次側に転送される。
図6に図示する例では、フライバックスイッチモードパワーコンバータ600は、示すように、AC配線605に結合される入力を含む。フルブリッジ整流器610はAC配線605に結合されて、整流されたAC615を生成し、これはキャパシタンスCF617によってフィルタリングされる。整流されたAC615は、示されるように、一次巻線621および二次巻線622を含むエネルギ転送要素620によって受信されるように結合される。図示される例では、示されるように、エネルギ転送要素620の一次巻線621の両端にクランプ回路625が結合される。
描かれる例では、切換装置S1 630が集積回路パッケージ660に含まれる。一例では、スイッチダイおよび一次制御ダイがモノリシックまたはハイブリッドダイとして構築されてもよい。例では、切換装置S1 630は、一次接地601においてフライバックスイッチモードパワーコンバータ600の入力に、および一次巻線621においてエネルギ転送要素620に結合される。描かれる例に示されるように、切換装置S1 630は一次コントローラダイ635からの制御信号639によって制御され、配線および負荷の変化に応答して、変圧器620の一次巻線621を通した二次巻線622へのエネルギ転送を調節する。図示される例ではダイオード−抵抗器−コンデンサ回路であるクランプ回路625は、切換装置S1 630両端にわたる一次巻線621からの漏れインダクタンスから生じるターンオフスパイクをクランプするように結合される。図示される例では、フライバック中の二次整流器ダイオードD2 655は、一次スイッチ630のオフ時間の間のみ電流を導通する。
二次リップルは出力フィルタキャパシタンスC1 686によってフィルタリングされ、DC出力電圧Vo680が負荷電流Io682とともに負荷685に印加される。出力電圧Vo680は、抵抗器672および674を備える抵抗分割器を通して検知され、それは二次コントローラダイ665のフィードバックピンFB673に結合されるとともに、一次接地601から絶縁される二次接地691を基準とする。一例では、フィードバック信号673は、リードフレーム通信ループ641の磁気結合を通して送信され、一次接地601を参照して一次ダイ635によって受信されるデータ信号である。一例では、一次側コントローラダイ635への通信リンク640のリードフレーム磁気結合によって転送されるFB信号673は、デジタルまたはアナログ信号のいずれかであり得る。抵抗器637を通してピン634で受信される入力配線情報と組合せてFB信号を利用して、スイッチS1 630の切換を制御するゲート制御信号639を生成して、エネルギ転送要素620を通した出力へのエネルギの転送を調節する。一例では、リードフレーム通信リンク640は、本発明の教示に従い、ダイ665と635との間で1つ以上の制御信号を送信する一方向通信リンク641および642を含む。別の例では、リードフレーム通信リンク640は、本発明の教示に従い、ダイ665と635との間のいずれかの方向に1つ以上の制御信号を送信するのに同じ磁気結合リードフレームループを用いる(図1Bに描かれるような)単一の双方向通信リンクを含む。
一例では、図6の例示的なフライバックスイッチモードパワーコンバータ600の具体的な制御機能は、示されるように一次接地601を基準とする共通のポイント604においてシャント接続された抵抗器602および603を通してAC配線入力605で検知されるAC配線のゼロクロス信号も利用する。例では、ゼロ検知信号606を一次ダイ635に結合するとともに、一次接地601を基準とし、リードフレーム通信ループ642の磁気結合を通して送信し、二次接地691を参照して二次ダイ665によって受信し、これを絶縁された遠隔制御信号として利用することができる。たとえば、ゼロクロス信号(1つおきのラインサイクルでゼロを通過するAC入力電圧と同期するパルス)を、たとえば洗濯機などの何らかの電気機器のための絶縁された信号として利用してライン周波数を検知するか、または機器中の効率的な負荷切換のために必要なタイミング信号を生成することができる。
図示する例に示すように、リードフレーム通信リンク640は双方向であり、2つの一方向通信リンク641および642を含む。通信リンク642はリードフレーム通信リンク641の逆方向に一方向である。図示する例では個別のリードフレーム通信リンクを一方向通信リンクとして説明したとしても、別の例では、本発明の教示に従う2つの一方向通信リンクの代わりに、単一のリードフレーム通信リンクを、(たとえば図1Bに提示するように)双方向実現例で利用することができることが認められる。
この発明の教示に従って構築される磁気結合通信リンクが直流絶縁を与えるとしても、当業者ならば、この発明の利点から利益を得るように、この発明を実践するスイッチモードパワーコンバータなどのシステム全体がシステムの入力と出力との間で必ずしも直流絶縁される必要がないことを認めるであろう。たとえば、非絶縁コンバータでは、本発明の教示に従う直流絶縁通信リンクは、固定可能なまたは互いに対して経時的に変化可能な異なる電圧を基準とする、スイッチモードパワーコンバータの2つの部分の間の通信を可能にする。
図7は、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの一例を利用する降圧コンバータ700の一例の概略を示す。
図7に図示される例では、降圧コンバータ700は、示されるようにAC配線705に結合される入力を含む。フルブリッジ整流器710はAC配線705に結合されて、整流されたAC715を生成し、これは、キャパシタンスCF717によってフィルタリングされる。AC配線705はブリッジ整流器710を通して整流され、整流されたAC715はキャパシタンスCF717によってフィルタリングされ、NチャネルMOSFETスイッチS1 720として描かれるハイ側スイッチに印加される。例では、MOSFETスイッチS1 720は、制御信号725を印加することによってオンされる。特に、ゲート抵抗器723両端のゲート−ソース電圧がゲートしきい値電圧を上回ると、MOSFET S1 720がオンされる。
図示される例ではインダクタ740であるエネルギ転送要素740は、示されるようにMOSFETスイッチS1 720に結合される。動作の際、エネルギは、MOSFETスイッチS1 720の切換制御を通して降圧コンバータ700のインダクタ740に転送される。特にMOSFETスイッチS1 720がオンである場合にエネルギがインダクタ740に転送され、MOSFETスイッチS1 720のオフ時間の間は、インダクタ740に蓄えられたエネルギが、負荷765を通して負荷電流763を循環させ、ダイオード745を循環することによって負荷765に送達される。調節された出力電圧Vo760は、キャパシタンスC1 761によってフィルタリングされる。
図示される例では、非絶縁降圧コンバータ中のハイ側MOSFETスイッチS1 720のための切換制御信号725は、コンバータ基準接地701から絶縁される。フィードバック信号FB755は、抵抗器752および754を含む抵抗分割器を通して出力電圧Vo760から生成され、コンバータ接地701を基準とするコントローラダイ736に入力される。図示される例では、入来/送出制御信号702はコントローラダイ736に結合される。一例では、入来/送出制御信号702は、たとえば、入来切換信号および送出状態/故障保護信号を含み得、コンバータ接地701を基準とする。例では、制御信号702は、本発明の教示に従う、集積回路パッケージ内部のリードフレームの第1および第2の導通ループの磁気結合によって与えられる双方向通信リンクを通して、絶縁されたハイ側制御ダイ732とコントローラダイ736との間で通信される。一例では、よりロー側の制御ダイ736への供給電圧は、コンバータ接地701を基準とするVL738であり、ハイ側制御ダイ732への供給電圧は、MOSFETスイッチS1 720のソースを基準とするVH739である。
他の例では、電流導通が逆の制御されたスイッチによって置換される循環ダイオード745を用いて同期降圧コンバータを実現してもよいことが認められる。制御されたスイッチのその例における切換は、ハイ側降圧主MOSFETスイッチS1 720と同期される。同期降圧コンバータのためのコントローラ回路も、他の例と同じように、本発明の教示に従う、リードフレームの直流絶縁された第1および第2の導通ループを通した磁気結合通信リンクから利益を得ることができることが認められる。さらに、同期コンバータの別の例示的な概略はハーフブリッジ構成を利用することができることに注意すべきである。
図8A、図7B、および図8Cは、本発明の教示に従い、集積回路パッケージ中のリードフレームの磁気結合された第1および第2の導通ループを利用して、さまざまなハーフブリッジ構成で通信リンクを提供する、絶縁された制御回路を有する集積回路パッケージの例を紹介する。たとえば、図8Aは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの例に含まれ得るハーフブリッジ構成850の一例を含むスイッチモードパワーコンバータ800の例の概略を示す。示されるように、入力段810は、ハーフブリッジ構成850の入力ポート820の入力端子においてハーフブリッジ構成850へDC電圧を与える。一例では、ハーフブリッジ構成850は、スイッチモードパワーコンバータ800の出力段730のエネルギ転送要素を駆動するように結合される、ハーフブリッジ構成850の出力ポート825の出力端子で高周波パルスを生成する。
図示される例では、ハーフブリッジ構成850は、入力ポート820および出力ポート825に結合されるスイッチングレグを含む。スイッチングレグは、示すように、出力段830のエネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチQ2 857およびロー側スイッチQ1 853を含む。ハイ側スイッチQ2 857およびロー側スイッチQ1 853の切換を制御するために、複数の制御回路が結合される。図示される例では、複数の制御回路のうち1つはハイ側コントローラ855であり、これはハイ側スイッチQ2 857のソースを基準とする制御信号856を用いてハイ側スイッチQ2 857を制御するように結合され、ハイ側スイッチQ2 857は、示されるように、ハーフブリッジ出力ポート825のハーフブリッジ中間点A823および高電位端子♯1に接続される。複数の制御回路のうち別の1つはロー側コントローラ851であり、これは、ロー側スイッチQ1 853のソースおよび接地基準801を基準とする制御信号852を用いてロー側スイッチQ1 853を制御するように結合される。したがって、一例では、ハイ側コントローラ755およびロー側コントローラ851は互いから直流絶縁される。描かれた例に示されるように、絶縁されたハイ側コントローラ855とロー側コントローラ851との間に磁気結合通信リンク860が存在し、これを通して1つ以上の制御信号を通信し得る。
一例では、絶縁されたロー側コントローラ851およびハイ側コントローラ855ダイは、本発明の教示に従い、通信リンク860が、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの直流絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージに含まれる、単一の集積回路パッケージに含まれる。一例では、通信リンク860は、直流絶縁されたロー側コントローラ851およびハイ側コントローラ855ダイのそれぞれのトランシーバ回路同士の間の双方向リンクである。別の例では、通信リンク860は、直流絶縁されたロー側コントローラ851およびハイ側コントローラ855ダイのそれぞれの送信回路と受信回路との間の複数の一方向リンクを含む。一例では、それぞれロー側およびハイ側切換装置853および857の制御信号852および856は、入力ポート820端子同士の間のシュートスルーという結果を生じ得る、ハイ側およびロー側スイッチ853および857のいずれの重なり合う切換も回避するように、ぴったりと同期される。
一例では、ロー側コントローラ851は、示されるように、入力制御信号802を受けるように結合される。一例では、制御信号852および856は、入力制御信号802に応答して、ロー側およびハイ側切換装置853および857を駆動するように結合される。一例では、ロー側コントローラ851は、状態信号804を出力するようにさらに結合され、これは、一例では、故障/状態情報を含むことがあり、故障条件の場合はハーフブリッジコンバータを保護するのに用いられ得る。一例では、状態信号804は、通信リンク860を通してロー側コントローラ851によって受信された、ロー側コントローラ851からのスイッチQ1 873に関する故障/状態情報およびハイ側コントローラ855からのスイッチQ2 877に関する故障/状態情報を含み得る。
一例では、供給VL885はロー側コントローラ851に結合され、接地基準801を基準とする。供給VH889はハイ側コントローラ855に結合され、ハーフブリッジ中間点A823を基準とする。ブートストラップコンデンサを通したハイ側供給の一例を以下の図8Cに描く。他の例では、変圧器上の直流絶縁された巻線によってハイ側供給を与えることができるか、またはハイ側スイッチのドレインからハイ側供給を供給することができる。
図8Bは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの例に含まれ得るハーフブリッジ構成870の一例を含むスイッチモードパワーコンバータ803の別の例の概略を示す。図8Bのスイッチモードパワーコンバータ803は、図8Aのスイッチモードパワーコンバータ800と多数の類似点を共有することが認められる。たとえば、図8Bのスイッチモードパワーコンバータ803は、ハーフブリッジ構成870の入力ポート820の入力端子でハーフブリッジ構成870にDC電圧を与える入力段810を含む。一例では、ハーフブリッジ構成870は、スイッチモードパワーコンバータ803の出力段830でエネルギ転送要素を駆動するように結合される、ハーフブリッジ構成870の出力ポート825の出力端子で高周波パルスを生成する。
さらに、ハーフブリッジ構成870は、入力ポート820および出力ポート825に結合されるスイッチングレグを含む。スイッチングレグは、示されるように、出力段830でエネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチQ2 877およびロー側スイッチQ1 875を含む。複数の制御回路は、ハイ側スイッチQ2 877およびロー側スイッチQ1 875の切換を制御するように結合される。図示される例では、複数の制御回路のうち1つは、ハイ側スイッチQ2 877を制御するように結合されるハイ側コントローラ875である。複数の制御回路のうち別の1つは、ロー側スイッチQ1 875を制御するように結合されるロー側コントローラ871である。
図8Bのスイッチモードパワーコンバータ803と図8Aのスイッチモードパワーコンバータ800との間の1つの相違点は、図8Bの例示的なスイッチモードパワーコンバータ803では、ドライバ872および876を有するIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)Q1 875およびQ2 877として描かれるロー側およびハイ側切換装置がロー側およびハイ側コントローラ871および875のコントローラ集積回路パッケージ885には含まれないことである。一例では、図8Bのスイッチモードパワーコンバータ803の構成は、高圧高電力ハーフブリッジ適用例により適している。図8Bに描かれる例示的なスイッチモードパワーコンバータ803のような、IGBTスイッチを用い、スイッチによる逆電流導通が求められる適用例では、スイッチQ1 875およびQ2 877は、IGBT Q1 875両端のダイオード879およびIGBT Q2 877両端の逆並列ダイオード878によって描かれる内部または外部逆並列ダイオードを含むべきである。
一例では、ハイ側コントローラ875およびロー側コントローラ871は互いから直流絶縁される。特に、ロー側コントローラ供給VL883は接地基準801を基準とし、ハイ側コントローラ供給VH889はロー側コントローラ供給VL883から絶縁され、ハーフブリッジ中間点A823を基準とする。ハーフブリッジスイッチを駆動するための入力制御信号802は、ハイ側およびロー側切換の両方を制御するロー側コントローラに結合される。描かれる例に示されるように、絶縁されたハイ側コントローラ875とロー側コントローラ871との間には通信リンク880が存在し、これを通して1つ以上の制御信号を通信し得る。一例では、絶縁されたロー側コントローラダイ871およびハイ側コントローラダイ875は、本発明の教示に従い、通信リンク860が集積回路パッケージ885の封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する集積回路パッケージに含まれる、単一の集積回路パッケージに含まれる。一例では、通信リンク880は、直流絶縁されたロー側コントローラダイ871およびハイ側コントローラダイ875のそれぞれのトランシーバ回路同士の間の双方向リンクである。別の例では、通信リンク880は、直流絶縁されたロー側コントローラダイ871およびハイ側コントローラダイ875のそれぞれの送信回路と受信回路との間の複数の一方向リンクを含む。
一例では、ロー側コントローラ871は、状態信号804を出力するようにさらに結合され、それは一例では故障/状態情報を含み得、故障条件の場合はハーフブリッジコンバータを保護するように用いられ得る。一例では、状態信号804は、通信リンク880を通してロー側コントローラ871が受信する、ロー側コントローラ871からのスイッチQ1 873に関する故障/状態情報およびハイ側コントローラ875からのスイッチQ2 877に関する故障/状態情報を含み得る。
図8Cは、図8Bのスイッチモードパワーコンバータ803と多くの類似点を共有するスイッチモードパワーコンバータ805の例を示す。特に、図8Bのスイッチモードパワーコンバータ803の前段810、出力段830、ハーフブリッジ構成870、および集積回路パッケージ885という構成要素のすべては図8Cのスイッチモードパワーコンバータ805にも含まれる。図8Cに描かれる例ではブートストラップコンデンサも含まれ、ロー側コントローラ供給およびロー側接地基準801から絶縁されるブートストラップコンデンサ888を通ってハイ側コントローラ875に供給電圧VH889を与える。一例では、ブートストラップコンデンサ888は、示されるように、ロー側コントローラ供給端子VL883に結合されるロー側コントローラ供給882から充電される。ロー側スイッチQ1 875が閉じ、ハイ側スイッチQ2 877が開く毎回の切換サイクルで、ブートストラップコンデンサ888は、接地基準801に対して、供給882からダイオード886および抵抗器884を通して充電される。さらに、ブートストラップコンデンサ888は、ロー側スイッチQ1 875が開放され、ハイ側スイッチQ2 877が閉成され、高電圧が中間点A823に印加されると、ハイ側コントローラ875にVH889を供給するように結合される。
別の例では、絶縁されたバイアスまたは変圧器からの供給巻線を通して、絶縁された供給電圧もハイ側コントローラに与えられ得ることが認められる。また別の例では、電圧は、ハイ側スイッチのドレイン端子からハイ側コントローラに供給されてもよい。
図9Aは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される4つの双方向磁気結合通信リンクの例を利用するフルブリッジ構成950の一例を含むスイッチモードパワーコンバータ900の例の概略を示す。一例では、フルブリッジ構成950は、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される磁気結合通信リンクを有する複数ダイ絶縁コントローラ集積回路パッケージの例に含まれ得る。示されるように、入力段910は、フルブリッジ構成950の入力ポート920の入力端子でDCまたは低周波電圧をフルブリッジ構成950に与える。一例では、フルブリッジ構成950は、フルブリッジ構成950の出力ポート925の出力端子で高周波パルスを生成し、スイッチモードパワーコンバータ900の出力段930でエネルギ転送要素を駆動するように結合される。
図示される例では、フルブリッジ構成950は、入力ポート920および出力ポート925に結合される第1および第2のスイッチングレグを含む。描かれる例に示されるように、スイッチングレグの一方は、ハイ側スイッチQ2 952に結合されるロー側スイッチQ1 951を含む。他方のスイッチングレグは、ハイ側スイッチQ4 954に結合されるロー側スイッチQ3 953を含む。第1および第2のスイッチングレグは、複数の制御回路ダイのうちそれぞれ1つから受信されるように結合されるそれぞれの制御信号に応答して、出力段930でエネルギ転送要素を駆動するように結合される。図示される例では、制御回路ダイ931は、制御信号915を生成して、ロー側スイッチQ1 951の切換を制御するように結合される。制御回路ダイ932は、制御信号916を生成して、ハイ側スイッチQ2 952の切換を制御するように結合される。制御回路ダイ941は、制御信号917を生成して、ロー側スイッチQ3 953の切換を制御するように結合される。制御回路ダイ942は、制御信号918を生成して、ハイ側スイッチQ4 954の切換を制御するように結合される。
その例では、制御回路ダイ931および941からそれぞれ生成される制御信号915および917は接地基準901を基準とする。制御回路ダイ932および942からそれぞれ生成される制御信号916および918は、ハイ側スイッチQ2 952およびQ4 954のソースをそれぞれ基準とするか、または換言するとそれぞれハーフブリッジ中間点A921およびB923を基準とする。
図9Aに描かれる例では、フルブリッジ構成950は、集積回路パッケージ中のフルブリッジコントローラ955によって実現される。一例では、集積回路パッケージは、ハイ側およびロー側スイッチのための絶縁された複数のコントローラダイならびにドライバおよび切換装置を含んでもよい。
図9Aに図示される例では、フルブリッジコントローラ955へのおよびそれからの入力信号902および状態信号904は、スイッチモードパワーコンバータ900の動作パラメータおよび故障/状態条件に対応する。図9Aの例に示されるように、1つ以上の制御信号は、通信リンク933を通して、フルブリッジコントローラ955のトランシーバ回路935と制御回路ダイ931との間で通信されてもよい。1つ以上の制御信号は、通信リンク934を通して、フルブリッジコントローラ955のトランシーバ回路936と制御回路ダイ932との間で通信されてもよい。1つ以上の制御信号は、通信リンク943を通して、フルブリッジコントローラ955のトランシーバ回路945と制御回路ダイ941との間で通信されてもよい。1つ以上の制御信号は、通信リンク944を通して、フルブリッジコントローラ955のトランシーバ回路946と制御回路ダイ942との間で通信されてもよい。一例では、通信リンク933、934、943、および944は、本発明の教示に従う集積回路パッケージのリードフレームおよびボンドワイヤを用いて形成される絶縁された導通ループの磁気結合を用いて実現される。一例では、通信リンク933、934、943、および944は双方向である。別の例では、通信リンク933、934、943、および944は、複数の一方向リンクを含んで双方向通信を提供し得る。
図9Bは、本発明の教示に従う、集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される例示的な磁気結合通信リンクを利用するフルブリッジ構成970の別の例を含むスイッチモードパワーコンバータ903の例の概略を示す。図9Bのスイッチモードパワーコンバータ903は、図9Aのスイッチモードパワーコンバータ900と多数の類似点を共有することが認められる。たとえば、図9Bのスイッチモードパワーコンバータ903は、フルブリッジ構成970の入力ポート920の入力端子でDCまたは低周波電圧をフルブリッジ構成970に与える入力段910を含む。一例では、フルブリッジ構成970は、フルブリッジ構成970の出力ポート925の出力端子で高周波パルスを生成し、スイッチモードパワーコンバータ903の出力段930でエネルギ転送要素を駆動するように結合される。
さらに、フルブリッジ構成970は、入力ポート920および出力ポート925に結合される第1および第2のスイッチングレグを含む。描かれる例に示されるように、スイッチングレグの一方は、ハイ側スイッチQ2 952に結合されるロー側スイッチQ1 951を含む。他方のスイッチングレグは、ハイ側スイッチQ4 954に結合されるロー側スイッチQ3 953を含む。第1および第2のスイッチングレグは、フルブリッジ構成970のマイクロコントローラ995から受信されるように結合されるそれぞれの制御信号に応答して、出力段930でエネルギ転送要素を駆動するように結合される。
描かれる例では、マイクロコントローラ995は、切換プログラムでプログラムされてフルブリッジ構成970を制御して、スイッチQ1 951、Q2 952、Q3 953、およびQ4 954の切換を制御する。一例では、マイクロコントローラ995への入来切換信号902およびそれからの送出状態信号904は、スイッチモードパワーコンバータ903の動作パラメータおよび故障/状態条件に対応する。一例では、マイクロコントローラ995は、入力信号902に応答して制御信号991、992、993、および994を生成する。一例では、制御信号991はモジュール979を通して通信され、モジュール979は、ロー側スイッチQ1 951の切換を制御するように結合される制御信号955を出力する。制御信号992はモジュール980を通して通信され、モジュール980は、ハイ側スイッチQ2 952の切換を制御するように結合される制御信号956を出力する。制御信号993はモジュール989を通して通信され、モジュール989はロー側スイッチQ3 953の切換を制御するように結合される制御信号957を出力する。制御信号994はモジュール990を通して通信され、モジュール990は、ハイ側スイッチQ4 954の切換を制御するように結合される制御信号958を出力する。
図9Bに図示される例では、各々のモジュール979、980、989、および990はそれぞれ集積回路パッケージ973、974、983、および984を含むことに注意すべきである。一例では、集積回路パッケージ973、974、983、および984は、図2A、図2B、図2C、および図2Dについて上述したように、集積回路パッケージ210および/または集積回路パッケージ250との実質的な類似点を共有する。したがって、各々の集積回路パッケージ979、974、975、および976は、本発明の教示に従う、集積回路パッケージのそれぞれの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される直流絶縁磁気結合導通ループを含む。したがって、本発明の教示に従うと、各々の集積回路パッケージ979、974、975、および976の対向する端に結合されるトランシーバ回路または送信/受信回路は直流絶縁されるが、依然として通信可能である。各々のモジュール979、980、989、および990に含まれる各々のトランシーバ回路および/または送信/受信回路は、マイクロコントローラ995の接地基準に拘わらず、制御されたスイッチのソース端子を基準とし得ることが認められる。
一例では、モジュール979、980、989、および990の各々は実質的に互いに類似しており、各々が同様の構成要素を含む。モジュール979の具体的な例を参照して図示するため、モジュール979のトランシーバ回路971および975は、示されるように、集積回路パッケージ973を通して通信する。一例では、信号を昇圧してロー側スイッチQ1 951を駆動するドライバ977をモジュール979にも含むことができる。一例では、個別のモジュール979、980、989、および990の利用は、高電力定格のフルブリッジコンバータ設計によく適している。
一例では、モジュール979、980、989、および990の各々は、本発明の教示に従い、送信/受信回路のためのダイ、オプションのドライバ、および集積回路パッケージの封入された部分の内部のリードフレームの絶縁された導体によって形成される直流絶縁通信リンクを含む集積回路パッケージである。
この開示の目的のため、集積回路パッケージの「封入部」は、その中に配設される1つ以上の集積回路ダイおよび集積回路ダイパッドから集積回路パッケージのリードフレームおよびピンへの接続部を含み得るリードフレームの部分を取囲むまたは囲む任意の外部構造体、容器、または型と考えられ得る。例示的な封入部は、成形された非鉄絶縁材料、プラスチック、セラミックカバーなどから作られ得る。いくつかの例では、集積回路パッケージの封入部は、その中に入れられる物品を外部要素から保護する気密封止を与えても与えなくてもよい。
この開示の目的のため、「集積回路」パッケージという用語は、集積回路に一般的に用いられるパッケージの種類を指す。図2A、図2B、図2C、および図2D中の例などの、この発明のいくつかの実施形態はパッケージ中に集積回路を有していないことがあることが認められる。
要約書に記載するものを含む本発明の図示する例の上記記載は、網羅的になることまたは開示される正確な形態への限定を意図するものではない。発明の具体的な実施形態およびそのための例を図示の目的のためにここに記載するが、本発明のより広い精神および範囲から逸脱することなく、さまざまな均等の修正例が可能である。実際に、具体的な例示的な電圧、電流、周波数、電力範囲の値、時間などは説明の目的のために与えられるものであり、本発明の教示に従う他の実施形態および例では他の値も用いてもよいことが認められる。
100,150,540,640,860,880,933,934,943,944 通信リンク、102,105,152,155,211,215,255,260,335,337 ループ、210,315,560,885,973,974,983,984 集積回路パッケージ、295,342,347 ボンドワイヤ、296,297,396,397 導体、298,398 リードフレーム、299,399 封入部、333,334 ダイパッド、350,360,369,451,452 制御ダイ、339 タイバー、500,600,800,803,805,900,903 スイッチモードパワーコンバータ、700 降圧コンバータ、740 エネルギ転送要素、850,870 ハーフブリッジ構成、950,970 フルブリッジ構成。

Claims (34)

  1. スイッチモードパワーコンバータで用いるための集積回路パッケージであって、
    封入部と、
    リードフレームとを備え、前記リードフレームの一部は前記封入部内に配設され、前記リードフレームは、前記封入部内に実質的に配設される第1の導通ループを有する第1の導体を含み、前記リードフレームはさらに、前記第1の導体から直流絶縁される第2の導体を含み、前記第2の導体は、前記封入部内に実質的に配設され、前記第1の導通ループに近接しかつこれに磁気結合されて前記第1の導体と前記第2の導体との間に通信リンクを提供する第2の導通ループを含み、さらに、
    前記第1の導体に結合される第1の制御回路を含む第1の制御ダイと、
    前記第2の導体に結合される第2の制御回路を含む第2の制御ダイとを備え、
    前記通信リンクを通して1つ以上の制御信号が前記第1の制御ダイと第2の制御ダイとの間で通信される、集積回路パッケージ。
  2. 前記スイッチモードパワーコンバータは、電源の入力とエネルギ転送要素の入力との間に結合される切換回路を備え、前記エネルギ転送要素の出力は前記スイッチモードパワーコンバータの出力に結合され、前記第1の制御回路は、前記切換回路に結合されて、前記通信リンクを通して前記第1の制御ダイと第2の制御ダイとの間で通信される前記1つ以上の制御信号に応答して前記切換回路の切換を制御して、前記スイッチモードパワーコンバータの入力から前記スイッチモードパワーコンバータの出力へのエネルギの転送を調節する、請求項1に記載の集積回路パッケージ。
  3. 前記スイッチモードパワーコンバータは絶縁された同期フライバックコンバータを備え、前記スイッチモードパワーコンバータはさらに、
    前記エネルギ転送要素の出力および前記スイッチモードパワーコンバータの出力に結合される第2のスイッチを備え、
    前記第2の制御回路は、前記スイッチモードパワーコンバータの前記出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合され、前記第2の制御回路は、前記第2のスイッチにさらに結合されて前記第2のスイッチの切換を制御して前記エネルギ転送要素から前記スイッチモードパワーコンバータの出力へエネルギを転送し、前記第2の制御回路は、前記通信リンクを通して前記1つ以上の制御信号を前記第1の制御回路に送信して、前記スイッチモードパワーコンバータの入力から前記スイッチモードパワーコンバータの前記出力へのエネルギの転送を調節する、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
  4. 前記スイッチモードパワーコンバータは絶縁されたフライバックコンバータを備え、前記第2の制御回路は、前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合され、前記1つ以上の制御信号は前記フィードバック信号に応答し、前記第2の制御回路は、前記通信リンクを通して前記1つ以上の制御信号を前記第1の制御回路に送信して、前記スイッチモードパワーコンバータの入力から前記スイッチモードパワーコンバータの出力へのエネルギの転送を調節する、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
  5. 前記第2の制御回路は、前記第1の制御ダイと第2の制御ダイとの間の前記通信リンクを通して前記第1の制御回路からACラインゼロクロス信号を受信するようにさらに結合される、請求項4に記載の集積回路パッケージ。
  6. 前記スイッチモードパワーコンバータは降圧コンバータを備え、前記第1の制御回路はハイ側制御回路であり、前記第2の制御回路は前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合され、前記1つ以上の制御信号は前記フィードバック信号に応答し、前記第2の制御回路は前記通信リンクを通して前記1つ以上の制御信号を前記ハイ側制御回路に送信するように結合される、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
  7. 前記スイッチモードパワーコンバータは、前記エネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチおよびロー側スイッチを有するスイッチングレグを含むハーフブリッジコンバータを備え、前記第1の制御回路は複数の制御回路のうち1つであり、前記複数の制御回路のうちの各々1つは、前記ハイ側およびロー側スイッチのそれぞれ1つの切換を制御するように結合される、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
  8. 状態信号は、前記通信リンクを通して前記第1の制御回路から前記複数の制御回路のうち他の1つに通信される、請求項7に記載の集積回路パッケージ。
  9. 前記スイッチモードパワーコンバータは、第1および第2のスイッチングレグを含むフルブリッジコンバータを備え、前記第1および第2のスイッチングレグの各々1つは、前記エネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチおよびロー側スイッチを備え、前記第1の制御回路は複数の制御回路のうちの1つであり、前記複数の制御回路の各々1つは、前記ハイ側およびロー側スイッチのそれぞれ1つの切換を制御するように結合される、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
  10. 状態信号は、前記通信リンクを通して前記制御回路からフルブリッジコントローラ回路に通信される、請求項9に記載の集積回路パッケージ。
  11. 前記第1の制御ダイは前記リードフレームの前記第1の導体上に実装され、前記第1の制御ダイは前記第1の導通ループに結合されかつこれを完成する、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
  12. 前記第1の導体および前記第1の制御ダイに結合される第1のボンドワイヤをさらに備え、前記第1のボンドワイヤは前記第1の導通ループの部分として含まれる、請求項11に記載の集積回路パッケージ。
  13. 前記第2の制御ダイは前記リードフレームの前記第2の導体上に実装され、前記第2の制御ダイは前記第2の導通ループに結合される、請求項11に記載の集積回路パッケージ。
  14. 前記第2の導体および前記第2の制御ダイに結合される第2のボンドワイヤをさらに備え、前記第2のボンドワイヤは前記第2の導通ループの部分として含まれる、請求項13に記載の集積回路パッケージ。
  15. 前記1つ以上の制御信号は符号化された信号を備える、請求項1に記載の集積回路パッケージ。
  16. 前記通信リンクは一方向通信リンクを備える、請求項1に記載の集積回路パッケージ。
  17. 前記通信リンクは双方向通信リンクを備える、請求項1に記載の集積回路パッケージ。
  18. スイッチモードパワーコンバータであって、
    エネルギ転送要素の入力および前記スイッチモードパワーコンバータの入力に結合される切換回路を備え、前記エネルギ転送要素は、前記切換回路と前記スイッチモードパワーコンバータの出力との間に結合され、さらに
    前記切換回路に結合されるとともに、前記切換回路の切換を制御して前記スイッチモードパワーコンバータの入力から前記スイッチモードパワーコンバータの出力へのエネルギの転送を調節する制御回路と、
    前記制御回路に結合される第1の導通ループを含む第1の導体とを備え、前記第1の導体は集積回路パッケージのリードフレームに含まれ、さらに
    前記集積回路パッケージの前記リードフレームに含まれるとともに、前記第1の導体から直流絶縁される第2の導体を備え、前記第2の導体は、前記第1の導通ループに近接して配設されかつこれに磁気的に結合されて、前記第1の導体と第2の導体との間に通信リンクを提供する第2の導通ループを含み、前記制御回路は、前記第1の導通ループと前記第2の導通ループとの間の磁気結合を通して前記第2の導通ループから受信される1つ以上の制御信号に応答して前記切換回路を切換えるように結合される、スイッチモードパワーコンバータ。
  19. 前記スイッチモードパワーコンバータは絶縁された同期フライバックコンバータを備え、前記制御回路は一次制御回路であり、前記スイッチモードパワーコンバータはさらに、
    前記エネルギ転送要素の出力および前記スイッチモードパワーコンバータの出力に結合される第2のスイッチと、
    前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合される二次制御回路とを備え、
    前記二次制御回路は、前記第2のスイッチにさらに結合されるとともに、前記第2のスイッチの切換を制御して前記エネルギ転送要素から電源の出力にエネルギを転送し、前記二次制御回路は、前記二次導体に結合されて、前記フィードバック信号に応答して前記第1の導通ループと第2の導通ループとの間の磁気結合を通して前記1つ以上の制御信号を前記一次制御回路に送信する、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  20. 前記スイッチモードパワーコンバータは絶縁されたフライバックコンバータを備え、前記制御回路は一次制御回路であり、前記スイッチモードパワーコンバータは、前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合される二次制御回路をさらに備え、前記1つ以上の制御信号は前記フィードバック信号に応答し、前記二次制御回路は、前記第2の導体に結合されて、前記第1の導通ループと第2の導通ループとの間の磁気結合を通して前記1つ以上の制御信号を前記一次制御回路に送信する、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  21. 前記二次制御回路は、前記第1の導体と前記第2の導体との間の前記通信リンクを通して前記一次制御回路からゼロクロス信号を受信するようにさらに結合される、請求項20に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  22. 前記スイッチモードパワーコンバータは降圧コンバータを備え、前記制御回路はハイ側制御回路であり、前記スイッチモードパワーコンバータは、前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合される第2の制御回路をさらに備え、前記1つ以上の制御信号は前記フィードバック信号に応答し、前記第2の制御回路は、前記第2の導体に結合されて、前記第1の導通ループと第2の導通ループとの間の磁気結合を通して前記1つ以上の制御信号を前記ハイ側制御回路に送信する、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  23. 前記切換回路は、前記エネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチおよびロー側スイッチを有するスイッチングレグを含むハーフブリッジコンバータを備え、前記制御回路は複数の制御回路のうちの1つであり、前記複数の制御回路の各々1つは、前記ハイ側およびロー側スイッチのそれぞれ1つの切換を制御するように結合される、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  24. 状態信号は、前記通信リンクを介して前記制御回路から前記複数の制御回路の他の1つに通信される、請求項23に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  25. 前記切換回路は第1および第2のスイッチングレグを含むフルブリッジ構成を備え、前記第1および第2のスイッチングレグの各々1つは、前記エネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチおよびロー側スイッチを備え、前記制御回路は複数の制御回路のうち1つであり、前記複数の制御回路の各々1つは、前記ハイ側およびロー側スイッチのそれぞれ1つの切換を制御するように結合される、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  26. 状態信号は、前記通信リンクを通して前記制御回路からフルブリッジコントローラ回路に通信される、請求項25に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  27. 前記制御回路はリードフレームの前記第1の導体上に実装される第1の集積回路ダイに含まれ、前記第1の集積回路ダイは前記第1の導通ループの部分をともに結合する、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  28. 前記第1の導体および前記第1の集積回路ダイに結合される第1のボンドワイヤをさらに備え、前記第1のボンドワイヤは前記第1の導通ループの部分として含まれる、請求項27に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  29. 前記第1の集積回路ダイから絶縁されるとともに、前記リードフレームの前記第2の導体上に実装される第2の集積回路ダイをさらに備え、前記第2の集積回路ダイは前記第2の導通ループの部分をともに結合する、請求項27に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  30. 前記第2の導体および前記第2の集積回路ダイに結合される第2のボンドワイヤをさらに備え、前記第2のボンドワイヤは前記第2の導通ループの部分として含まれる、請求項29に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  31. 前記第1および第2の導通ループは前記集積回路パッケージのそれぞれの外部ピンパッドに結合される、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  32. 前記1つ以上の制御信号は符号化された信号を備える、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  33. 前記通信リンクは一方向通信リンクを備える、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
  34. 前記通信リンクは双方向通信リンクを備える、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
JP2013234822A 2012-11-14 2013-11-13 集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ Active JP6319995B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/677,120 US8976561B2 (en) 2012-11-14 2012-11-14 Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication
US13/677,120 2012-11-14

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014099610A true JP2014099610A (ja) 2014-05-29
JP2014099610A5 JP2014099610A5 (ja) 2016-12-22
JP6319995B2 JP6319995B2 (ja) 2018-05-09

Family

ID=49619807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013234822A Active JP6319995B2 (ja) 2012-11-14 2013-11-13 集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8976561B2 (ja)
EP (1) EP2733740B1 (ja)
JP (1) JP6319995B2 (ja)
CN (1) CN103944360B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018085916A (ja) * 2016-10-27 2018-05-31 パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド 高側から低側への制御ブロック通信を通した高度な保護をともなうハーフブリッジインバーターモジュール

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8035254B2 (en) * 2007-04-06 2011-10-11 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for integrated cable drop compensation of a power converter
US9071152B2 (en) 2012-07-03 2015-06-30 Cognipower, Llc Power converter with demand pulse isolation
US9118253B2 (en) * 2012-08-15 2015-08-25 Flextronics Ap, Llc Energy conversion architecture with secondary side control delivered across transformer element
US8976561B2 (en) * 2012-11-14 2015-03-10 Power Integrations, Inc. Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication
US8818296B2 (en) 2012-11-14 2014-08-26 Power Integrations, Inc. Noise cancellation for a magnetically coupled communication link utilizing a lead frame
US9035435B2 (en) 2012-11-14 2015-05-19 Power Integrations, Inc. Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame
MX347685B (es) * 2013-01-11 2017-05-09 Koninklijke Philips Nv Transferencia inductiva inalambrica de energia.
US20140253279A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-11 Qualcomm Incorporated Coupled discrete inductor with flux concentration using high permeable material
US9093911B2 (en) * 2013-03-15 2015-07-28 Flextronics Ap, Llc Switching mode power converter using coded signal control
KR101471438B1 (ko) * 2013-10-28 2014-12-10 김영수 양방향 통신루프에 결합된 아이솔레이터를 포함하는 통신 복구 기능을 구비한 환경감지 시스템
US9369054B2 (en) * 2013-11-01 2016-06-14 Dialog Semiconductor Inc. Reducing power consumption of a synchronous rectifier controller
DE102013226386A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 BSH Hausgeräte GmbH Haushaltsgerät mit galvanisch getrennten Schaltungsteilen
US9171828B2 (en) * 2014-02-05 2015-10-27 Texas Instruments Incorporated DC-DC converter having terminals of semiconductor chips directly attachable to circuit board
US9543844B2 (en) * 2014-04-01 2017-01-10 Infineon Technologies Austria Ag System and method for a switched-mode power supply
US10361023B2 (en) * 2014-08-07 2019-07-23 Nvidia Corporation Magnetic power coupling to an integrated circuit module
US9515014B2 (en) * 2014-10-08 2016-12-06 Infineon Technologies Americas Corp. Power converter package with integrated output inductor
US9742288B2 (en) * 2014-10-21 2017-08-22 Power Integrations, Inc. Output-side controller with switching request at relaxation ring extremum
US9704639B2 (en) * 2014-11-07 2017-07-11 Solantro Semiconductor Corp. Non-planar inductive electrical elements in semiconductor package lead frame
US9831782B2 (en) 2015-02-10 2017-11-28 Infineon Technologies Austria Ag Switched mode power supply with secondary-side power regulation
EP3125065B1 (en) * 2015-07-31 2018-12-19 Power Integrations Switzerland GmbH Communicating across galvanic isolation
ES2646670B1 (es) * 2016-06-09 2018-10-10 Bsh Electrodomésticos España, S.A. Dispositivo de aparato doméstico y procedimiento con un dispositivo de aparato doméstico
DE202016104993U1 (de) 2016-09-09 2017-12-12 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Schaltwandler
CN108282092B (zh) * 2017-01-05 2020-08-14 罗姆股份有限公司 整流ic以及使用该整流ic的绝缘型开关电源
EP3382407B1 (en) * 2017-03-31 2019-10-23 Mitsubishi Electric R & D Centre Europe B.V. Method for controlling the health of a multi-die power module and a multi-die health monitoring device
US10033285B1 (en) * 2017-06-19 2018-07-24 Dialog Semiconductor Inc. Secondary controller for a flyback converter including a sense resistor fault detection
TWI655698B (zh) * 2018-01-05 2019-04-01 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 用於磁耦合隔離器的雙引線架磁耦合封裝結構及其製造方法
CN110010509B (zh) * 2018-01-05 2023-10-20 光宝新加坡有限公司 双引线架磁耦合封装结构及其制造方法
US10491125B2 (en) 2018-02-12 2019-11-26 Silanna Asia Pte Ltd Switched-mode power controller with multi-mode startup
US10892755B2 (en) 2018-02-27 2021-01-12 Cognipower, Llc Driver circuitry for fast, efficient state transitions
US10554206B2 (en) 2018-02-27 2020-02-04 Cognipower, Llc Trigger circuitry for fast, low-power state transitions
CN112204739B (zh) * 2018-06-20 2024-03-15 罗姆股份有限公司 半导体器件
FR3088497B1 (fr) 2018-11-13 2021-05-07 Renault Sas Systeme de transfert d'une puissance electrique sans contact et procede associe
US11929685B2 (en) * 2018-11-19 2024-03-12 Bombardier Transportation Gmbh Voltage source converter and a method for operation thereof
CN109617414A (zh) 2018-12-07 2019-04-12 昂宝电子(上海)有限公司 使用霍尔效应传感器的开关模式功率转换器及其方法
TWI675532B (zh) * 2019-02-26 2019-10-21 群光電能科技股份有限公司 電源轉換裝置
US12021439B2 (en) 2019-05-24 2024-06-25 Power Integrations, Inc. Switching delay for communication
US10862399B1 (en) * 2019-06-27 2020-12-08 Cypress Semiconductor Corporation Primary controller calibration and trimming using secondary controller in secondary-controlled flyback converters
US10818568B1 (en) * 2019-06-28 2020-10-27 Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. Super-fast transient response (STR) AC/DC converter for high power density charging application
CN110247555B (zh) * 2019-07-09 2024-02-13 上海来远电子科技有限公司 一种无高压电解电容和光耦合器的隔离式电源适配装置
US11150273B2 (en) * 2020-01-17 2021-10-19 Allegro Microsystems, Llc Current sensor integrated circuits
US11183436B2 (en) 2020-01-17 2021-11-23 Allegro Microsystems, Llc Power module package and packaging techniques
CN111709103A (zh) * 2020-05-18 2020-09-25 中铁二院工程集团有限责任公司 一种基于多导体回路法的带回流线直接供电方式牵引网链式参数模型
KR102528007B1 (ko) * 2020-12-21 2023-05-03 현대모비스 주식회사 대용량 양방향 절연형 dc-dc 컨버터 어셈블리 및 냉각구조
SE545682C2 (en) * 2021-06-23 2023-12-05 Bombardier Transp Gmbh A voltage source converter and a method for operation thereof
CN117995788B (zh) * 2024-04-03 2024-06-28 德氪微电子(深圳)有限公司 用于开关功率转换器的毫米波芯片集成封装结构

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6331472A (ja) * 1986-07-24 1988-02-10 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 高周波直流高電圧電源回路
JP2006271172A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Sony Corp スイッチング電源回路
US20080278255A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Intersil Americas Inc. Rf-coupled digital isolator
JP2009524397A (ja) * 2006-01-19 2009-06-25 アナログ デバイシーズ インク 電力コンバータシステム
JP2011019317A (ja) * 2009-07-08 2011-01-27 Murata Mfg Co Ltd 絶縁型スイッチング電源
JP2011114176A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
JP2012070505A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Mitsubishi Electric Corp Dc−dcコンバータ

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5469334A (en) 1991-09-09 1995-11-21 Power Integrations, Inc. Plastic quad-packaged switched-mode integrated circuit with integrated transformer windings and mouldings for transformer core pieces
US5162970A (en) 1992-01-27 1992-11-10 American Technical Ceramics Corporation Miniature monolithic ceramic coupler for electronic circuits
US5444600A (en) 1992-12-03 1995-08-22 Linear Technology Corporation Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using the same
US5428245A (en) * 1994-05-06 1995-06-27 National Semiconductor Corporation Lead frame including an inductor or other such magnetic component
JPH09260569A (ja) 1996-03-25 1997-10-03 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US6509807B1 (en) * 1997-04-08 2003-01-21 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit assembly
US6384478B1 (en) 1998-05-06 2002-05-07 Conexant Systems, Inc. Leadframe having a paddle with an isolated area
JP2000232235A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Rohm Co Ltd 半導体装置
US6518885B1 (en) 1999-10-14 2003-02-11 Intermec Ip Corp. Ultra-thin outline package for integrated circuit
JP2002246231A (ja) 2001-02-14 2002-08-30 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
US6621140B1 (en) 2002-02-25 2003-09-16 Rf Micro Devices, Inc. Leadframe inductors
US7319261B1 (en) 2002-11-21 2008-01-15 Analog Devices, Inc. Integrated MOS one-way isolation coupler and a semiconductor chip having an integrated MOS isolation one-way coupler located thereon
JP2004274004A (ja) 2003-01-16 2004-09-30 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 超小型電力変換装置
US6982621B2 (en) 2003-04-01 2006-01-03 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for substantially reducing electrical displacement current flow between input and output windings of an energy transfer element
CN100367645C (zh) * 2003-08-20 2008-02-06 松下电器产业株式会社 开关电源装置
US6998952B2 (en) 2003-12-05 2006-02-14 Freescale Semiconductor, Inc. Inductive device including bond wires
US7276897B2 (en) 2004-04-09 2007-10-02 Ksr International Co. Inductive position sensor
US7902627B2 (en) 2004-06-03 2011-03-08 Silicon Laboratories Inc. Capacitive isolation circuitry with improved common mode detector
US7577223B2 (en) 2004-06-03 2009-08-18 Silicon Laboratories Inc. Multiplexed RF isolator circuit
US7447492B2 (en) * 2004-06-03 2008-11-04 Silicon Laboratories Inc. On chip transformer isolator
US7376212B2 (en) 2004-06-03 2008-05-20 Silicon Laboratories Inc. RF isolator with differential input/output
US7091791B1 (en) 2004-07-23 2006-08-15 Atheros Communications, Inc. Transformer implementation using bonding wires
US7202790B2 (en) * 2004-08-13 2007-04-10 Sensormatic Electronics Corporation Techniques for tuning an antenna to different operating frequencies
US7280024B2 (en) 2005-02-02 2007-10-09 Intel Corporation Integrated transformer structure and method of fabrication
US7558622B2 (en) * 2006-05-24 2009-07-07 Bao Tran Mesh network stroke monitoring appliance
US8093983B2 (en) 2006-08-28 2012-01-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Narrowbody coil isolator
US7524731B2 (en) 2006-09-29 2009-04-28 Freescale Semiconductor, Inc. Process of forming an electronic device including an inductor
US8362481B2 (en) * 2007-05-08 2013-01-29 Scanimetrics Inc. Ultra high speed signal transmission/reception
CN101414787A (zh) * 2007-10-17 2009-04-22 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 负电压产生电路
US7868431B2 (en) 2007-11-23 2011-01-11 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Compact power semiconductor package and method with stacked inductor and integrated circuit die
US7884696B2 (en) 2007-11-23 2011-02-08 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Lead frame-based discrete power inductor
CN102360730B (zh) * 2008-01-25 2014-03-05 万国半导体股份有限公司 基于引线框架的分立功率电感
CN101345479B (zh) * 2008-04-29 2011-08-17 哈尔滨工业大学深圳研究生院 无光耦隔离的数字dc/dc反激变换器及控制方法
US8201748B2 (en) 2009-04-27 2012-06-19 Impinj, Inc. Packaged RFID IC with integrated antenna
US8412006B2 (en) 2010-03-23 2013-04-02 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optocoupler
US8870080B2 (en) 2010-08-12 2014-10-28 Féinics Amatech Teoranta RFID antenna modules and methods
EP2461335B1 (en) 2010-12-03 2015-09-23 Nxp B.V. Bond wire transformer
US8811526B2 (en) * 2011-05-31 2014-08-19 Keyssa, Inc. Delta modulated low power EHF communication link
WO2013012585A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-24 Ut-Battelle, Llc Wireless power transfer electric vehicle supply equipment installation and validation tool
US8772909B1 (en) 2012-10-04 2014-07-08 Vlt, Inc. Isolator with integral transformer
US8976561B2 (en) * 2012-11-14 2015-03-10 Power Integrations, Inc. Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication
US8818296B2 (en) 2012-11-14 2014-08-26 Power Integrations, Inc. Noise cancellation for a magnetically coupled communication link utilizing a lead frame
US9035435B2 (en) * 2012-11-14 2015-05-19 Power Integrations, Inc. Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame
US9178411B2 (en) * 2013-01-22 2015-11-03 Power Integrations, Inc. Charging circuit for a power converter controller

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6331472A (ja) * 1986-07-24 1988-02-10 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 高周波直流高電圧電源回路
JP2006271172A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Sony Corp スイッチング電源回路
JP2009524397A (ja) * 2006-01-19 2009-06-25 アナログ デバイシーズ インク 電力コンバータシステム
US20080278255A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Intersil Americas Inc. Rf-coupled digital isolator
JP2011019317A (ja) * 2009-07-08 2011-01-27 Murata Mfg Co Ltd 絶縁型スイッチング電源
JP2011114176A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
JP2012070505A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Mitsubishi Electric Corp Dc−dcコンバータ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018085916A (ja) * 2016-10-27 2018-05-31 パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド 高側から低側への制御ブロック通信を通した高度な保護をともなうハーフブリッジインバーターモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US9275946B2 (en) 2016-03-01
EP2733740A3 (en) 2017-02-15
CN103944360B (zh) 2018-07-06
EP2733740B1 (en) 2020-06-24
US20140133186A1 (en) 2014-05-15
CN103944360A (zh) 2014-07-23
EP2733740A2 (en) 2014-05-21
JP6319995B2 (ja) 2018-05-09
US20150162272A1 (en) 2015-06-11
US8976561B2 (en) 2015-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6319995B2 (ja) 集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ
JP6817276B2 (ja) 集積回路パッケージ
JP2014099610A5 (ja)
TWI644498B (zh) 無線功率傳輸電路及操作其之方法
US9621044B2 (en) Zero voltage soft switching scheme for power converters
EP3376724B1 (en) Communicating across galvanic isolation, for example, in a power converter
US9985626B2 (en) Bidirectional GaN switch with built-in bias supply and integrated gate drivers
US8148845B2 (en) Circuit assembly including a power semiconductor module and a controller

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161104

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161104

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170623

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180313

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180403

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6319995

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250