JP2014099610A - 集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ - Google Patents
集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014099610A JP2014099610A JP2013234822A JP2013234822A JP2014099610A JP 2014099610 A JP2014099610 A JP 2014099610A JP 2013234822 A JP2013234822 A JP 2013234822A JP 2013234822 A JP2013234822 A JP 2013234822A JP 2014099610 A JP2014099610 A JP 2014099610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mode power
- power converter
- coupled
- switch mode
- control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 128
- 230000006854 communication Effects 0.000 claims abstract description 127
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 127
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 39
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 19
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33507—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters
- H02M3/33523—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters with galvanic isolation between input and output of both the power stage and the feedback loop
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Near-Field Transmission Systems (AREA)
Abstract
【解決手段】スイッチモードパワーコンバータで用いるための集積回路パッケージは、封入部とリードフレームとを含む。リードフレームの一部は封入部内に配設される。リードフレームは、封入部内に実質的に配設される第1の導通ループを有する第1の導体を含む。リードフレームは、第1の導体から直流絶縁される第2の導体も含む。第2の導体は、封入部内に実質的に配設され、第1の導通ループに近接しかつこれに磁気的に結合されて第1の導体と第2の導体との間に通信リンクを提供する第2の導通ループを含む。第1の制御回路を含む第1の制御ダイは第1の導体に結合される。第2の制御回路を含む第2の制御ダイは第2の導体に結合される。1つ以上の制御信号は、通信リンクを通して第1の制御ダイと第2の制御ダイとの間で通信される。
【選択図】図3C
Description
この出願は、2012年11月14日に出願された、「リードフレームを用いる磁気結合直流絶縁通信(Magnetically Coupled Galvanically Isolated Communication Using Lead Frame)」と題され、本願の譲受人に譲渡される、Balakrishnan et al.の米国特許出願第13/677,088号に関連する。
開示の分野
本発明は、直流絶縁を必要とする回路同士の間の通信に一般に関する。より具体的には、本発明の例は、電源およびパワーインバータなどのスイッチモードパワーコンバータにおける絶縁障壁にわたる通信に関する。
スイッチモードパワーコンバータは、移動体電子機器で一般的に用いられる、たとえば充電器などの、それらの動作のための調節された直流(DC)源を必要とする家庭用または産業用電気製品のために広く用いられる。オフラインAC−DCコンバータは、低周波(たとえば50Hzまたは60Hz)高圧AC(交流)入力電圧を必要なレベルのDC出力電圧に変換する。安全性および保護特徴とともに、十分に調節された出力、高効率、および小さなサイズにより、さまざまな種類のスイッチモードパワーコンバータが普及している。スイッチモードパワーコンバータの普及したトポロジーは、とりわけ共振型を含む、フライバック、フォワード、昇圧、降圧、ハーフブリッジ、およびフルブリッジを含む。
以下の説明では、本発明の完全な理解を与えるために、数多くの具体的な詳細を述べる。しかしながら、当業者には、本発明を実践するのに具体的な詳細を用いる必要がないことが明らかであろう。他の事例では、本発明を曖昧にするのを避けるために、周知の材料または方法を詳細に記載していない。
Claims (34)
- スイッチモードパワーコンバータで用いるための集積回路パッケージであって、
封入部と、
リードフレームとを備え、前記リードフレームの一部は前記封入部内に配設され、前記リードフレームは、前記封入部内に実質的に配設される第1の導通ループを有する第1の導体を含み、前記リードフレームはさらに、前記第1の導体から直流絶縁される第2の導体を含み、前記第2の導体は、前記封入部内に実質的に配設され、前記第1の導通ループに近接しかつこれに磁気結合されて前記第1の導体と前記第2の導体との間に通信リンクを提供する第2の導通ループを含み、さらに、
前記第1の導体に結合される第1の制御回路を含む第1の制御ダイと、
前記第2の導体に結合される第2の制御回路を含む第2の制御ダイとを備え、
前記通信リンクを通して1つ以上の制御信号が前記第1の制御ダイと第2の制御ダイとの間で通信される、集積回路パッケージ。 - 前記スイッチモードパワーコンバータは、電源の入力とエネルギ転送要素の入力との間に結合される切換回路を備え、前記エネルギ転送要素の出力は前記スイッチモードパワーコンバータの出力に結合され、前記第1の制御回路は、前記切換回路に結合されて、前記通信リンクを通して前記第1の制御ダイと第2の制御ダイとの間で通信される前記1つ以上の制御信号に応答して前記切換回路の切換を制御して、前記スイッチモードパワーコンバータの入力から前記スイッチモードパワーコンバータの出力へのエネルギの転送を調節する、請求項1に記載の集積回路パッケージ。
- 前記スイッチモードパワーコンバータは絶縁された同期フライバックコンバータを備え、前記スイッチモードパワーコンバータはさらに、
前記エネルギ転送要素の出力および前記スイッチモードパワーコンバータの出力に結合される第2のスイッチを備え、
前記第2の制御回路は、前記スイッチモードパワーコンバータの前記出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合され、前記第2の制御回路は、前記第2のスイッチにさらに結合されて前記第2のスイッチの切換を制御して前記エネルギ転送要素から前記スイッチモードパワーコンバータの出力へエネルギを転送し、前記第2の制御回路は、前記通信リンクを通して前記1つ以上の制御信号を前記第1の制御回路に送信して、前記スイッチモードパワーコンバータの入力から前記スイッチモードパワーコンバータの前記出力へのエネルギの転送を調節する、請求項2に記載の集積回路パッケージ。 - 前記スイッチモードパワーコンバータは絶縁されたフライバックコンバータを備え、前記第2の制御回路は、前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合され、前記1つ以上の制御信号は前記フィードバック信号に応答し、前記第2の制御回路は、前記通信リンクを通して前記1つ以上の制御信号を前記第1の制御回路に送信して、前記スイッチモードパワーコンバータの入力から前記スイッチモードパワーコンバータの出力へのエネルギの転送を調節する、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
- 前記第2の制御回路は、前記第1の制御ダイと第2の制御ダイとの間の前記通信リンクを通して前記第1の制御回路からACラインゼロクロス信号を受信するようにさらに結合される、請求項4に記載の集積回路パッケージ。
- 前記スイッチモードパワーコンバータは降圧コンバータを備え、前記第1の制御回路はハイ側制御回路であり、前記第2の制御回路は前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合され、前記1つ以上の制御信号は前記フィードバック信号に応答し、前記第2の制御回路は前記通信リンクを通して前記1つ以上の制御信号を前記ハイ側制御回路に送信するように結合される、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
- 前記スイッチモードパワーコンバータは、前記エネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチおよびロー側スイッチを有するスイッチングレグを含むハーフブリッジコンバータを備え、前記第1の制御回路は複数の制御回路のうち1つであり、前記複数の制御回路のうちの各々1つは、前記ハイ側およびロー側スイッチのそれぞれ1つの切換を制御するように結合される、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
- 状態信号は、前記通信リンクを通して前記第1の制御回路から前記複数の制御回路のうち他の1つに通信される、請求項7に記載の集積回路パッケージ。
- 前記スイッチモードパワーコンバータは、第1および第2のスイッチングレグを含むフルブリッジコンバータを備え、前記第1および第2のスイッチングレグの各々1つは、前記エネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチおよびロー側スイッチを備え、前記第1の制御回路は複数の制御回路のうちの1つであり、前記複数の制御回路の各々1つは、前記ハイ側およびロー側スイッチのそれぞれ1つの切換を制御するように結合される、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
- 状態信号は、前記通信リンクを通して前記制御回路からフルブリッジコントローラ回路に通信される、請求項9に記載の集積回路パッケージ。
- 前記第1の制御ダイは前記リードフレームの前記第1の導体上に実装され、前記第1の制御ダイは前記第1の導通ループに結合されかつこれを完成する、請求項2に記載の集積回路パッケージ。
- 前記第1の導体および前記第1の制御ダイに結合される第1のボンドワイヤをさらに備え、前記第1のボンドワイヤは前記第1の導通ループの部分として含まれる、請求項11に記載の集積回路パッケージ。
- 前記第2の制御ダイは前記リードフレームの前記第2の導体上に実装され、前記第2の制御ダイは前記第2の導通ループに結合される、請求項11に記載の集積回路パッケージ。
- 前記第2の導体および前記第2の制御ダイに結合される第2のボンドワイヤをさらに備え、前記第2のボンドワイヤは前記第2の導通ループの部分として含まれる、請求項13に記載の集積回路パッケージ。
- 前記1つ以上の制御信号は符号化された信号を備える、請求項1に記載の集積回路パッケージ。
- 前記通信リンクは一方向通信リンクを備える、請求項1に記載の集積回路パッケージ。
- 前記通信リンクは双方向通信リンクを備える、請求項1に記載の集積回路パッケージ。
- スイッチモードパワーコンバータであって、
エネルギ転送要素の入力および前記スイッチモードパワーコンバータの入力に結合される切換回路を備え、前記エネルギ転送要素は、前記切換回路と前記スイッチモードパワーコンバータの出力との間に結合され、さらに
前記切換回路に結合されるとともに、前記切換回路の切換を制御して前記スイッチモードパワーコンバータの入力から前記スイッチモードパワーコンバータの出力へのエネルギの転送を調節する制御回路と、
前記制御回路に結合される第1の導通ループを含む第1の導体とを備え、前記第1の導体は集積回路パッケージのリードフレームに含まれ、さらに
前記集積回路パッケージの前記リードフレームに含まれるとともに、前記第1の導体から直流絶縁される第2の導体を備え、前記第2の導体は、前記第1の導通ループに近接して配設されかつこれに磁気的に結合されて、前記第1の導体と第2の導体との間に通信リンクを提供する第2の導通ループを含み、前記制御回路は、前記第1の導通ループと前記第2の導通ループとの間の磁気結合を通して前記第2の導通ループから受信される1つ以上の制御信号に応答して前記切換回路を切換えるように結合される、スイッチモードパワーコンバータ。 - 前記スイッチモードパワーコンバータは絶縁された同期フライバックコンバータを備え、前記制御回路は一次制御回路であり、前記スイッチモードパワーコンバータはさらに、
前記エネルギ転送要素の出力および前記スイッチモードパワーコンバータの出力に結合される第2のスイッチと、
前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合される二次制御回路とを備え、
前記二次制御回路は、前記第2のスイッチにさらに結合されるとともに、前記第2のスイッチの切換を制御して前記エネルギ転送要素から電源の出力にエネルギを転送し、前記二次制御回路は、前記二次導体に結合されて、前記フィードバック信号に応答して前記第1の導通ループと第2の導通ループとの間の磁気結合を通して前記1つ以上の制御信号を前記一次制御回路に送信する、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。 - 前記スイッチモードパワーコンバータは絶縁されたフライバックコンバータを備え、前記制御回路は一次制御回路であり、前記スイッチモードパワーコンバータは、前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合される二次制御回路をさらに備え、前記1つ以上の制御信号は前記フィードバック信号に応答し、前記二次制御回路は、前記第2の導体に結合されて、前記第1の導通ループと第2の導通ループとの間の磁気結合を通して前記1つ以上の制御信号を前記一次制御回路に送信する、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記二次制御回路は、前記第1の導体と前記第2の導体との間の前記通信リンクを通して前記一次制御回路からゼロクロス信号を受信するようにさらに結合される、請求項20に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記スイッチモードパワーコンバータは降圧コンバータを備え、前記制御回路はハイ側制御回路であり、前記スイッチモードパワーコンバータは、前記スイッチモードパワーコンバータの出力を表わすフィードバック信号を受信するように結合される第2の制御回路をさらに備え、前記1つ以上の制御信号は前記フィードバック信号に応答し、前記第2の制御回路は、前記第2の導体に結合されて、前記第1の導通ループと第2の導通ループとの間の磁気結合を通して前記1つ以上の制御信号を前記ハイ側制御回路に送信する、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記切換回路は、前記エネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチおよびロー側スイッチを有するスイッチングレグを含むハーフブリッジコンバータを備え、前記制御回路は複数の制御回路のうちの1つであり、前記複数の制御回路の各々1つは、前記ハイ側およびロー側スイッチのそれぞれ1つの切換を制御するように結合される、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 状態信号は、前記通信リンクを介して前記制御回路から前記複数の制御回路の他の1つに通信される、請求項23に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記切換回路は第1および第2のスイッチングレグを含むフルブリッジ構成を備え、前記第1および第2のスイッチングレグの各々1つは、前記エネルギ転送要素を駆動するように結合されるハイ側スイッチおよびロー側スイッチを備え、前記制御回路は複数の制御回路のうち1つであり、前記複数の制御回路の各々1つは、前記ハイ側およびロー側スイッチのそれぞれ1つの切換を制御するように結合される、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 状態信号は、前記通信リンクを通して前記制御回路からフルブリッジコントローラ回路に通信される、請求項25に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記制御回路はリードフレームの前記第1の導体上に実装される第1の集積回路ダイに含まれ、前記第1の集積回路ダイは前記第1の導通ループの部分をともに結合する、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記第1の導体および前記第1の集積回路ダイに結合される第1のボンドワイヤをさらに備え、前記第1のボンドワイヤは前記第1の導通ループの部分として含まれる、請求項27に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記第1の集積回路ダイから絶縁されるとともに、前記リードフレームの前記第2の導体上に実装される第2の集積回路ダイをさらに備え、前記第2の集積回路ダイは前記第2の導通ループの部分をともに結合する、請求項27に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記第2の導体および前記第2の集積回路ダイに結合される第2のボンドワイヤをさらに備え、前記第2のボンドワイヤは前記第2の導通ループの部分として含まれる、請求項29に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記第1および第2の導通ループは前記集積回路パッケージのそれぞれの外部ピンパッドに結合される、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記1つ以上の制御信号は符号化された信号を備える、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記通信リンクは一方向通信リンクを備える、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
- 前記通信リンクは双方向通信リンクを備える、請求項18に記載のスイッチモードパワーコンバータ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/677,120 US8976561B2 (en) | 2012-11-14 | 2012-11-14 | Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication |
US13/677,120 | 2012-11-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014099610A true JP2014099610A (ja) | 2014-05-29 |
JP2014099610A5 JP2014099610A5 (ja) | 2016-12-22 |
JP6319995B2 JP6319995B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=49619807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013234822A Active JP6319995B2 (ja) | 2012-11-14 | 2013-11-13 | 集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8976561B2 (ja) |
EP (1) | EP2733740B1 (ja) |
JP (1) | JP6319995B2 (ja) |
CN (1) | CN103944360B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018085916A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-31 | パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド | 高側から低側への制御ブロック通信を通した高度な保護をともなうハーフブリッジインバーターモジュール |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8035254B2 (en) * | 2007-04-06 | 2011-10-11 | Power Integrations, Inc. | Method and apparatus for integrated cable drop compensation of a power converter |
US9071152B2 (en) | 2012-07-03 | 2015-06-30 | Cognipower, Llc | Power converter with demand pulse isolation |
US9118253B2 (en) * | 2012-08-15 | 2015-08-25 | Flextronics Ap, Llc | Energy conversion architecture with secondary side control delivered across transformer element |
US8976561B2 (en) * | 2012-11-14 | 2015-03-10 | Power Integrations, Inc. | Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication |
US8818296B2 (en) | 2012-11-14 | 2014-08-26 | Power Integrations, Inc. | Noise cancellation for a magnetically coupled communication link utilizing a lead frame |
US9035435B2 (en) | 2012-11-14 | 2015-05-19 | Power Integrations, Inc. | Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame |
MX347685B (es) * | 2013-01-11 | 2017-05-09 | Koninklijke Philips Nv | Transferencia inductiva inalambrica de energia. |
US20140253279A1 (en) * | 2013-03-08 | 2014-09-11 | Qualcomm Incorporated | Coupled discrete inductor with flux concentration using high permeable material |
US9093911B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-07-28 | Flextronics Ap, Llc | Switching mode power converter using coded signal control |
KR101471438B1 (ko) * | 2013-10-28 | 2014-12-10 | 김영수 | 양방향 통신루프에 결합된 아이솔레이터를 포함하는 통신 복구 기능을 구비한 환경감지 시스템 |
US9369054B2 (en) * | 2013-11-01 | 2016-06-14 | Dialog Semiconductor Inc. | Reducing power consumption of a synchronous rectifier controller |
DE102013226386A1 (de) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | BSH Hausgeräte GmbH | Haushaltsgerät mit galvanisch getrennten Schaltungsteilen |
US9171828B2 (en) * | 2014-02-05 | 2015-10-27 | Texas Instruments Incorporated | DC-DC converter having terminals of semiconductor chips directly attachable to circuit board |
US9543844B2 (en) * | 2014-04-01 | 2017-01-10 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for a switched-mode power supply |
US10361023B2 (en) * | 2014-08-07 | 2019-07-23 | Nvidia Corporation | Magnetic power coupling to an integrated circuit module |
US9515014B2 (en) * | 2014-10-08 | 2016-12-06 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power converter package with integrated output inductor |
US9742288B2 (en) * | 2014-10-21 | 2017-08-22 | Power Integrations, Inc. | Output-side controller with switching request at relaxation ring extremum |
US9704639B2 (en) * | 2014-11-07 | 2017-07-11 | Solantro Semiconductor Corp. | Non-planar inductive electrical elements in semiconductor package lead frame |
US9831782B2 (en) | 2015-02-10 | 2017-11-28 | Infineon Technologies Austria Ag | Switched mode power supply with secondary-side power regulation |
EP3125065B1 (en) * | 2015-07-31 | 2018-12-19 | Power Integrations Switzerland GmbH | Communicating across galvanic isolation |
ES2646670B1 (es) * | 2016-06-09 | 2018-10-10 | Bsh Electrodomésticos España, S.A. | Dispositivo de aparato doméstico y procedimiento con un dispositivo de aparato doméstico |
DE202016104993U1 (de) | 2016-09-09 | 2017-12-12 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Schaltwandler |
CN108282092B (zh) * | 2017-01-05 | 2020-08-14 | 罗姆股份有限公司 | 整流ic以及使用该整流ic的绝缘型开关电源 |
EP3382407B1 (en) * | 2017-03-31 | 2019-10-23 | Mitsubishi Electric R & D Centre Europe B.V. | Method for controlling the health of a multi-die power module and a multi-die health monitoring device |
US10033285B1 (en) * | 2017-06-19 | 2018-07-24 | Dialog Semiconductor Inc. | Secondary controller for a flyback converter including a sense resistor fault detection |
TWI655698B (zh) * | 2018-01-05 | 2019-04-01 | 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 | 用於磁耦合隔離器的雙引線架磁耦合封裝結構及其製造方法 |
CN110010509B (zh) * | 2018-01-05 | 2023-10-20 | 光宝新加坡有限公司 | 双引线架磁耦合封装结构及其制造方法 |
US10491125B2 (en) | 2018-02-12 | 2019-11-26 | Silanna Asia Pte Ltd | Switched-mode power controller with multi-mode startup |
US10892755B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-01-12 | Cognipower, Llc | Driver circuitry for fast, efficient state transitions |
US10554206B2 (en) | 2018-02-27 | 2020-02-04 | Cognipower, Llc | Trigger circuitry for fast, low-power state transitions |
CN112204739B (zh) * | 2018-06-20 | 2024-03-15 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件 |
FR3088497B1 (fr) | 2018-11-13 | 2021-05-07 | Renault Sas | Systeme de transfert d'une puissance electrique sans contact et procede associe |
US11929685B2 (en) * | 2018-11-19 | 2024-03-12 | Bombardier Transportation Gmbh | Voltage source converter and a method for operation thereof |
CN109617414A (zh) | 2018-12-07 | 2019-04-12 | 昂宝电子(上海)有限公司 | 使用霍尔效应传感器的开关模式功率转换器及其方法 |
TWI675532B (zh) * | 2019-02-26 | 2019-10-21 | 群光電能科技股份有限公司 | 電源轉換裝置 |
US12021439B2 (en) | 2019-05-24 | 2024-06-25 | Power Integrations, Inc. | Switching delay for communication |
US10862399B1 (en) * | 2019-06-27 | 2020-12-08 | Cypress Semiconductor Corporation | Primary controller calibration and trimming using secondary controller in secondary-controlled flyback converters |
US10818568B1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-10-27 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Super-fast transient response (STR) AC/DC converter for high power density charging application |
CN110247555B (zh) * | 2019-07-09 | 2024-02-13 | 上海来远电子科技有限公司 | 一种无高压电解电容和光耦合器的隔离式电源适配装置 |
US11150273B2 (en) * | 2020-01-17 | 2021-10-19 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor integrated circuits |
US11183436B2 (en) | 2020-01-17 | 2021-11-23 | Allegro Microsystems, Llc | Power module package and packaging techniques |
CN111709103A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-09-25 | 中铁二院工程集团有限责任公司 | 一种基于多导体回路法的带回流线直接供电方式牵引网链式参数模型 |
KR102528007B1 (ko) * | 2020-12-21 | 2023-05-03 | 현대모비스 주식회사 | 대용량 양방향 절연형 dc-dc 컨버터 어셈블리 및 냉각구조 |
SE545682C2 (en) * | 2021-06-23 | 2023-12-05 | Bombardier Transp Gmbh | A voltage source converter and a method for operation thereof |
CN117995788B (zh) * | 2024-04-03 | 2024-06-28 | 德氪微电子(深圳)有限公司 | 用于开关功率转换器的毫米波芯片集成封装结构 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6331472A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 高周波直流高電圧電源回路 |
JP2006271172A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sony Corp | スイッチング電源回路 |
US20080278255A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Intersil Americas Inc. | Rf-coupled digital isolator |
JP2009524397A (ja) * | 2006-01-19 | 2009-06-25 | アナログ デバイシーズ インク | 電力コンバータシステム |
JP2011019317A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Murata Mfg Co Ltd | 絶縁型スイッチング電源 |
JP2011114176A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置 |
JP2012070505A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Dc−dcコンバータ |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5469334A (en) | 1991-09-09 | 1995-11-21 | Power Integrations, Inc. | Plastic quad-packaged switched-mode integrated circuit with integrated transformer windings and mouldings for transformer core pieces |
US5162970A (en) | 1992-01-27 | 1992-11-10 | American Technical Ceramics Corporation | Miniature monolithic ceramic coupler for electronic circuits |
US5444600A (en) | 1992-12-03 | 1995-08-22 | Linear Technology Corporation | Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using the same |
US5428245A (en) * | 1994-05-06 | 1995-06-27 | National Semiconductor Corporation | Lead frame including an inductor or other such magnetic component |
JPH09260569A (ja) | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US6509807B1 (en) * | 1997-04-08 | 2003-01-21 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit assembly |
US6384478B1 (en) | 1998-05-06 | 2002-05-07 | Conexant Systems, Inc. | Leadframe having a paddle with an isolated area |
JP2000232235A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US6518885B1 (en) | 1999-10-14 | 2003-02-11 | Intermec Ip Corp. | Ultra-thin outline package for integrated circuit |
JP2002246231A (ja) | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型インダクタ |
US6621140B1 (en) | 2002-02-25 | 2003-09-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Leadframe inductors |
US7319261B1 (en) | 2002-11-21 | 2008-01-15 | Analog Devices, Inc. | Integrated MOS one-way isolation coupler and a semiconductor chip having an integrated MOS isolation one-way coupler located thereon |
JP2004274004A (ja) | 2003-01-16 | 2004-09-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 超小型電力変換装置 |
US6982621B2 (en) | 2003-04-01 | 2006-01-03 | Power Integrations, Inc. | Method and apparatus for substantially reducing electrical displacement current flow between input and output windings of an energy transfer element |
CN100367645C (zh) * | 2003-08-20 | 2008-02-06 | 松下电器产业株式会社 | 开关电源装置 |
US6998952B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-02-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Inductive device including bond wires |
US7276897B2 (en) | 2004-04-09 | 2007-10-02 | Ksr International Co. | Inductive position sensor |
US7902627B2 (en) | 2004-06-03 | 2011-03-08 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolation circuitry with improved common mode detector |
US7577223B2 (en) | 2004-06-03 | 2009-08-18 | Silicon Laboratories Inc. | Multiplexed RF isolator circuit |
US7447492B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-11-04 | Silicon Laboratories Inc. | On chip transformer isolator |
US7376212B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-05-20 | Silicon Laboratories Inc. | RF isolator with differential input/output |
US7091791B1 (en) | 2004-07-23 | 2006-08-15 | Atheros Communications, Inc. | Transformer implementation using bonding wires |
US7202790B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-04-10 | Sensormatic Electronics Corporation | Techniques for tuning an antenna to different operating frequencies |
US7280024B2 (en) | 2005-02-02 | 2007-10-09 | Intel Corporation | Integrated transformer structure and method of fabrication |
US7558622B2 (en) * | 2006-05-24 | 2009-07-07 | Bao Tran | Mesh network stroke monitoring appliance |
US8093983B2 (en) | 2006-08-28 | 2012-01-10 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Narrowbody coil isolator |
US7524731B2 (en) | 2006-09-29 | 2009-04-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Process of forming an electronic device including an inductor |
US8362481B2 (en) * | 2007-05-08 | 2013-01-29 | Scanimetrics Inc. | Ultra high speed signal transmission/reception |
CN101414787A (zh) * | 2007-10-17 | 2009-04-22 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 负电压产生电路 |
US7868431B2 (en) | 2007-11-23 | 2011-01-11 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Compact power semiconductor package and method with stacked inductor and integrated circuit die |
US7884696B2 (en) | 2007-11-23 | 2011-02-08 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Lead frame-based discrete power inductor |
CN102360730B (zh) * | 2008-01-25 | 2014-03-05 | 万国半导体股份有限公司 | 基于引线框架的分立功率电感 |
CN101345479B (zh) * | 2008-04-29 | 2011-08-17 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 无光耦隔离的数字dc/dc反激变换器及控制方法 |
US8201748B2 (en) | 2009-04-27 | 2012-06-19 | Impinj, Inc. | Packaged RFID IC with integrated antenna |
US8412006B2 (en) | 2010-03-23 | 2013-04-02 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optocoupler |
US8870080B2 (en) | 2010-08-12 | 2014-10-28 | Féinics Amatech Teoranta | RFID antenna modules and methods |
EP2461335B1 (en) | 2010-12-03 | 2015-09-23 | Nxp B.V. | Bond wire transformer |
US8811526B2 (en) * | 2011-05-31 | 2014-08-19 | Keyssa, Inc. | Delta modulated low power EHF communication link |
WO2013012585A1 (en) * | 2011-07-21 | 2013-01-24 | Ut-Battelle, Llc | Wireless power transfer electric vehicle supply equipment installation and validation tool |
US8772909B1 (en) | 2012-10-04 | 2014-07-08 | Vlt, Inc. | Isolator with integral transformer |
US8976561B2 (en) * | 2012-11-14 | 2015-03-10 | Power Integrations, Inc. | Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication |
US8818296B2 (en) | 2012-11-14 | 2014-08-26 | Power Integrations, Inc. | Noise cancellation for a magnetically coupled communication link utilizing a lead frame |
US9035435B2 (en) * | 2012-11-14 | 2015-05-19 | Power Integrations, Inc. | Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame |
US9178411B2 (en) * | 2013-01-22 | 2015-11-03 | Power Integrations, Inc. | Charging circuit for a power converter controller |
-
2012
- 2012-11-14 US US13/677,120 patent/US8976561B2/en active Active
-
2013
- 2013-11-13 EP EP13192746.9A patent/EP2733740B1/en active Active
- 2013-11-13 JP JP2013234822A patent/JP6319995B2/ja active Active
- 2013-11-14 CN CN201310565706.8A patent/CN103944360B/zh active Active
-
2015
- 2015-02-23 US US14/629,227 patent/US9275946B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6331472A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 高周波直流高電圧電源回路 |
JP2006271172A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sony Corp | スイッチング電源回路 |
JP2009524397A (ja) * | 2006-01-19 | 2009-06-25 | アナログ デバイシーズ インク | 電力コンバータシステム |
US20080278255A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Intersil Americas Inc. | Rf-coupled digital isolator |
JP2011019317A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Murata Mfg Co Ltd | 絶縁型スイッチング電源 |
JP2011114176A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置 |
JP2012070505A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Dc−dcコンバータ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018085916A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-31 | パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド | 高側から低側への制御ブロック通信を通した高度な保護をともなうハーフブリッジインバーターモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9275946B2 (en) | 2016-03-01 |
EP2733740A3 (en) | 2017-02-15 |
CN103944360B (zh) | 2018-07-06 |
EP2733740B1 (en) | 2020-06-24 |
US20140133186A1 (en) | 2014-05-15 |
CN103944360A (zh) | 2014-07-23 |
EP2733740A2 (en) | 2014-05-21 |
JP6319995B2 (ja) | 2018-05-09 |
US20150162272A1 (en) | 2015-06-11 |
US8976561B2 (en) | 2015-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6319995B2 (ja) | 集積回路パッケージおよびスイッチモードパワーコンバータ | |
JP6817276B2 (ja) | 集積回路パッケージ | |
JP2014099610A5 (ja) | ||
TWI644498B (zh) | 無線功率傳輸電路及操作其之方法 | |
US9621044B2 (en) | Zero voltage soft switching scheme for power converters | |
EP3376724B1 (en) | Communicating across galvanic isolation, for example, in a power converter | |
US9985626B2 (en) | Bidirectional GaN switch with built-in bias supply and integrated gate drivers | |
US8148845B2 (en) | Circuit assembly including a power semiconductor module and a controller |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161104 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180313 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180403 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6319995 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |