JP2014098565A - 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器及び移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】外部からの衝撃に対する耐衝撃性の向上、引張応力の経時的変化に伴う周波数変動の低減などにより性能を向上させることが可能な電子デバイスの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、機能部１１、機能部１１が固定されている支持部１２、を有するセンサー基板１０と、センサー基板１０よりも熱膨張係数が小さくセンサー基板１０を収容する凹状のパッケージベース２１、を有するパッケージ２０と、を備え、センサー基板１０の支持部１２は、両端に梁状の可撓部としての支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを有し、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端は、パッケージ２０のパッケージベース２１の凹部の、互いに対向する内壁２１ａ，２１ｂのそれぞれに接触している状態で、パッケージベース２１に固定されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子デバイス、この電子デバイスの製造方法、この電子デバイスを備えている電子機器及び移動体に関する。

従来、電子デバイスとして、矩形状の本体素板、本体素板の両側に接続されている矩形枠状の固定部、を有する振動子（以下、振動片という）と、この振動片を搭載するセラミックス基板と、この振動片を覆いセラミックス基板に固定される封止用蓋と、を備えている圧電振動子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記、圧電振動子は、振動片の一対の固定部に設けられている各電極リード部が、セラミックス基板に設けられている各導電性パターン上に、それぞれ半田付けなどにより固定されている。

特開昭５９−４０７１５号公報

上記圧電振動子の振動片には、一般的に水晶が用いられていることから、振動片は、セラミックス基板よりも熱膨張係数（熱膨張率、線膨張係数ともいう）が大きいこととなる（一例として、水晶の熱膨張係数は、約１３．４×１０^-6／℃、セラミックスの熱膨張係数は、７．０〜７．２×１０^-6／℃程度（アルミナの場合）である）。
このことから、上記圧電振動子は、振動片の電極リード部とセラミックス基板の導電性パターンとを、例えば、熱硬化性の接着剤を用いて固定する場合、振動片の電極リード部間が加熱により伸張し広がっている状態で、セラミックス基板の導電性パターン上に固定されることとなる。
この結果、上記圧電振動子は、常温に戻る際に、振動片の収縮作用により固定部同士を引き離す方向に引っ張られている状態となり、振動片の電極リード部間には、常に引張応力が生じていることとなる。
これにより、上記圧電振動子は、例えば、外部からの衝撃に対する耐衝撃性の低下や、上記引張応力の経時的変化（応力緩和）に伴う周波数変動（周波数ドリフト）の発生など、性能が劣化する虞がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる電子デバイスは、機能部、前記機能部が固定され両端に梁状の可撓部を備えている支持部、を有している機能素子と、前記機能素子よりも熱膨張係数が小さく前記機能素子を収容する凹状の収容部、を有している容器と、を備え、各前記可撓部の先端は、前記容器の前記収容部の互いに対向している内壁のそれぞれに接触している状態で、前記収容部に固定されていることを特徴とする。

これによれば、電子デバイスは、機能素子（振動片に相当）の支持部が両端に梁状の可撓部を有し、各可撓部の先端が、容器（セラミックス基板及び封止用蓋に相当）の凹状の収容部（セラミックス基板に相当）の、互いに対向する内壁のそれぞれに接触している状態で、収容部に固定されている。
これにより、電子デバイスは、各可撓部の先端が容器の収容部に、例えば、熱硬化性の接着剤により固定されている場合、加熱による機能素子の伸びが、収容部の内壁によって拘束（抑制、制限）される。
この結果、電子デバイスは、常温に戻った際に、機能素子が支持部の両端同士を引き離す方向に引っ張られることが殆どなく、機能素子には、固定に伴う引張応力などの応力が殆ど生じないこととなる（残留応力が殆どない）。
また、電子デバイスは、梁状の可撓部の撓みにより、加熱による機能素子の伸びが吸収されることから、加熱時に生じる機能素子の熱応力を緩和できる。
これらにより、電子デバイスは、例えば、外部からの衝撃に対する耐衝撃性の向上や、上記引張応力の経時的変化に伴う周波数変動の大幅低減など、性能を向上させることが可能となる。

［適用例２］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記支持部は、前記両端に前記可撓部としての支持腕を有し、各前記支持腕は、平面視で前記支持部の前記両端を互いに結んだ第１方向と交差する方向に屈曲して延び、自由状態における一方の前記支持腕の先端から、他方の前記支持腕の先端までの前記第１方向に沿った距離が、前記収容部の各前記支持腕を収容する部分における前記内壁間の前記第１方向に沿った距離よりも長く、各前記支持腕は、撓んだ状態で前記先端が前記内壁に接触していることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、支持部の両端に支持腕を有している。支持腕は、支持部の両端を互いに結んだ第１方向と交差する方向に屈曲して延び、自由状態における一方の支持腕の先端から、他方の支持腕の先端までの第１方向に沿った距離が、収容部の内壁間の第１方向に沿った距離よりも長くなっている。支持腕の先端とは、平面視で収容部の互いに対向する内壁に向かって最も突出した部分（先端部分の側面）を示している。そして、電子デバイスは、各支持腕が撓んだ状態で、先端が収容部の内壁に接触している。
これにより、電子デバイスは、収容部の内壁間の寸法ばらつきを吸収し、各支持腕の先端を常に収容部の内壁に接触させることができる。

［適用例３］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記容器は、前記収容部と、該収容部の開口部を覆う蓋部と、を備え、前記収容部の前記開口部と底部とを繋ぐ前記内壁の少なくとも一部は、前記底部側から前記開口部側に向かうに連れて、前記収容部の前記内壁間が広がる方向に傾斜または湾曲していることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、容器の収容部の開口部と底部とを繋ぐ内壁の少なくとも一部が、底部側から開口部側に向かうに連れて、収容部の内壁間が広がる方向に傾斜または湾曲している。
これにより、電子デバイスは、容器の収容部の開口部側の内壁間を底部側よりも広くすることができることから、開口部と干渉させることなく、機能素子を収容部に容易に収容することができる。

［適用例４］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記支持部は、複数設けられていることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、支持部が複数設けられていることから、機能素子をより安定した姿勢で収容部に収容することができる。

［適用例５］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記機能部は振動部であり、前記機能素子は、振動片であることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、機能部が振動部であり、機能素子が振動片であることから、上記適用例のいずれかに記載の効果が反映された優れた性能の振動子を提供することができる。

［適用例６］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記機能部は、前記支持部に接続されているベース部と、該ベース部に継ぎ手部を介して接続されている板状の可動部と、を備え、前記機能素子には、前記ベース部と前記可動部とに物理量検出素子が掛け渡され、前記可動部は、該可動部の主面と交差する方向に加わる物理量に応じて、前記継ぎ手部を支点にして前記主面と交差する方向に変位可能に構成されていることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、機能部が支持部に接続されているベース部と、ベース部に継ぎ手部を介して接続されている板状の可動部と、を備え、ベース部と可動部とに物理量検出素子が掛け渡され、可動部が加わる物理量に応じて変位可能に構成されている。
これにより、電子デバイスは、可動部の変位を検出する物理量検出素子によって物理量の検出が可能となり、上記適用例のいずれかに記載の効果が反映された優れた性能の物理量センサーを提供することができる。

［適用例７］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記物理量検出素子は、前記ベース部と前記可動部とを結ぶ方向に沿って延びる少なくとも１つの振動梁を有する物理量検出部と、該物理量検出部の両端に接続されている一対の基部と、を備え、一方の前記基部が前記ベース部に固定され、他方の前記基部が前記可動部に固定されていることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、物理量検出素子が少なくとも１つの振動梁を有する物理量検出部と、物理量検出部の両端に接続されている一対の基部と、を備え、一方の基部がベース部に固定され、他方の基部が可動部に固定されている。
これにより、電子デバイスは、振動梁の特性によって物理量の変化を直線的に振動周波数（共振周波数）の変化に変換することができる。
この結果、電子デバイスは、他の物理量検出素子を用いる場合と比較して、物理量の検出精度が高い特性を有し、物理量センサーとしての検出精度を向上させることができる。

［適用例８］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれかに記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。

これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれかに記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例のいずれかに記載の効果が反映され、優れた性能を発揮することができる。

［適用例９］本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれかに記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。

これによれば、本構成の移動体は、上記適用例のいずれかに記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例のいずれかに記載の効果が反映され、優れた性能を発揮することができる。

［適用例１０］本適用例にかかる電子デバイスの製造方法は、機能部、前記機能部が固定されている支持部、を有する機能素子と、前記機能素子よりも熱膨張係数が小さく前記機能素子を収容する凹状の収容部、を有する容器と、を備え、前記機能素子の支持部は、両端に可撓性を有している支持腕を有し、各前記支持腕は、平面視で前記支持部の前記両端を互いに結んだ第１方向と交差する方向に屈曲して延び、自由状態における一方の前記支持腕の先端から、他方の前記支持腕の先端までの前記第１方向に沿った距離が、前記容器の前記収容部の各前記支持腕を収容する部分における内壁間の前記第１方向に沿った距離よりも長い電子デバイスの製造方法であって、前記支持腕を撓ませて、前記機能素子を前記容器の前記収容部に収容する工程と、前記支持腕の前記先端を前記内壁に接触した状態で、前記機能素子及び前記収容部を加熱し、接合部材を介して前記収容部に固定する工程と、を含むことを特徴とする。

これによれば、電子デバイスの製造方法は、支持腕を撓ませて、機能素子を容器の収容部に収容する工程と、支持腕の先端を、内壁に接触した状態で機能素子及び収容部を加熱し、接合部材を介して収容部に固定する工程と、を含む。
これにより、電子デバイスの製造方法は、加熱による支持腕の両先端間の伸びが、容器の内壁によって拘束（抑制）される。
この結果、電子デバイスの製造方法は、常温に戻った際に、機能素子の各支持腕が両先端同士を引き離す方向に引っ張られることが殆どなく、各支持腕の両先端間には、固定に伴う引張応力などの応力が殆ど生じないこととなる（残留応力が殆どない）。
また、電子デバイスの製造方法は、各支持腕の撓みにより、加熱による支持部の伸びが吸収されることから、加熱時に生じる支持部の熱応力を緩和できる。
加えて、電子デバイスの製造方法は、支持部の支持腕を撓ませることにより機能素子を収容部に収容することから、収容部の内壁間の寸法ばらつきを吸収し、各支持腕の先端を確実に収容部の内壁に接触させることができる。
これらにより、電子デバイスの製造方法は、例えば、外部からの衝撃に対する耐衝撃性の向上や、上記引張応力の経時的変化に伴う周波数変動の大幅低減など、電子デバイスの性能を向上させることが可能となる。

［適用例１１］上記適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、前記容器は、前記収容部と、該収容部の開口部を覆う蓋部と、を備え、前記収容部の前記開口部と底部とを繋ぐ前記内壁の少なくとも一部は、前記底部側から前記開口部側に向かうに連れて、前記収容部の前記内壁間が広がる方向に傾斜または湾曲していることが好ましい。

これによれば、収容部の開口部と底部とを繋ぐ内壁の少なくとも一部は、底部側から開口部側に向かうに連れて、収容部の内壁間が広がる方向に傾斜または湾曲している。
これにより、電子デバイスの製造方法は、容器の収容部の開口部側の内壁間を底部側よりも広くできることから、支持腕の先端を収容部の開口部と干渉させることなく、機能素子を収容部に容易に収容することができる。

第１実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図であり、（ａ）はリッド（蓋部）側から俯瞰した模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での模式断面図。 図１（ａ）のＢ−Ｂ線での模式断面図。 物理量センサーの動作について説明する模式断面図であり、（ａ）は可動部が紙面下方に変位した状態を示す模式断面図、（ｂ）は可動部が紙面上方に変位した状態を示す模式断面図。 物理量センサーの製造工程の一例を示すフローチャート。 （ａ）、（ｂ）は主要製造工程を説明する模式断面図。 （ｃ）、（ｄ）は主要製造工程を説明する模式断面図。 （ｅ）、（ｆ）は主要製造工程を説明する模式断面図。 第１実施形態の変形例の物理量センサーの概略構成を示す模式断面図。 第２実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式平面図。 電子機器の一例としての傾斜計を示す模式斜視図。 移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。

（第１実施形態）
最初に、電子デバイスの一例としての物理量センサーについて説明する。
図１は、第１実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図である。図１（ａ）は、リッド（蓋部）側から俯瞰した模式平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での模式断面図である。図２は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線での模式断面図である。
なお、図１（ａ）及び以下の各模式平面図では、説明の便宜上、リッドを省略してある。また、以下の各模式図において、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図中のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、互いに直交する座標軸である。

図１、図２に示すように、物理量センサー１は、機能素子としてのセンサー基板１０と、センサー基板１０よりも熱膨張係数が小さく、センサー基板１０を収容する容器としてのパッケージ２０と、を備えている。
センサー基板１０には、例えば、水晶の原石（ランバード）などから所定の角度で切り出された水晶基板が用いられ、フォトリソグラフィー、エッチングなどの技術により、外形形状が精度よく形成されている。
センサー基板１０は、機能部１１と、機能部１１に固定されている支持部１２と、を備えている。
支持部１２の両端には梁状の可撓部を備え、パッケージ２０の凹状の収容部としてのパッケージベース２１の凹部の、互いに対向する内壁２１ａ，２１ｂのそれぞれに接触している状態で、パッケージベース２１に固定されている。

具体的には、センサー基板１０の支持部１２は、機能部１１を挟んでＹ軸方向の両側（＋（プラス）Ｙ側と−（マイナス）Ｙ側）に設けられている。支持部１２は、Ｘ軸方向の両端のそれぞれに、梁状の可撓部としての支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを有している。
支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、平面視で支持部１２の両端を互いに結んだ第１方向としてのＸ軸方向と交差する方向（ここではＹ軸方向）に屈曲して延びている。
詳述すると、−Ｙ側の支持部１２の支持腕１２ａ，１２ｂは、＋Ｙ方向に屈曲して延び、＋Ｙ側の支持部１２の支持腕１２ｃ，１２ｄは、−Ｙ方向に屈曲して延びている。つまり、支持腕１２ａ，１２ｂと支持腕１２ｃ，１２ｄとは、先端が互いに向き合い近づく方向に延びている。

支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、自由状態における一方（−Ｘ側）の支持腕１２ａ，１２ｃの先端から、他方（＋Ｘ側）の支持腕１２ｂ，１２ｄの先端までのＸ軸方向に沿った距離Ｌ１が、パッケージ２０の支持部１２を収容するパッケージベース２１におけるＹ軸方向に沿って延びる内壁２１ａ，２１ｂ間のＸ軸方向に沿った距離Ｌ２よりも長くなるように形成されている。
これにより、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、Ｘ軸方向に撓んだ状態で先端がパッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触していることとなる。
この状態で、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端は、例えば、熱硬化性の接合部材３０でパッケージベース２１に固定されている。

機能部１１は、支持部１２に接続されている矩形枠状のベース部１３と、ベース部１３の内側に継ぎ手部１４を介して接続されている矩形平板状の可動部１５と、を備えている。継ぎ手部１４を除いたベース部１３と可動部１５との間には、両者を分割するスリット状の貫通孔が設けられている。
継ぎ手部１４は、ベース部１３（可動部１５）の＋Ｚ側の主面１３ａ及び−Ｚ側の主面１３ｂからのハーフエッチングによって、ベース部１３と可動部１５とを区切るように、ベース部１３と可動部１５とを結ぶ方向（Ｙ軸方向）と直交する方向（Ｘ軸方向）に沿って有底の溝部１４ａが形成されている。
溝部１４ａにより、継ぎ手部１４のＹ軸方向に沿った断面形状（図２の形状）は、略Ｈ字状に形成されている。
センサー基板１０は、可動部１５が、主面１３ａ（主面１３ｂ）と交差する方向としてのＺ軸方向に加わる力（物理量）に応じて、継ぎ手部１４を支点（回転軸）にして主面１３ａと交差するＺ軸方向に変位（回動）可能となっている。

センサー基板１０には、ベース部１３と可動部１５とに物理量検出素子４０が掛け渡され、可動部１５は、上述したように、可動部１５の主面１３ａと交差する方向に加わる物理量に応じて、継ぎ手部１４を支点にして主面１３ａと交差するＺ軸方向に変位可能に構成されている。
また、可動部１５には、平面視で物理量検出素子４０をＸ軸方向の両側から挟むようにして、質量部５０が主面１３ａ及び主面１３ｂに２個ずつ搭載されている。

物理量検出素子４０は、センサー基板１０の継ぎ手部１４を跨いでベース部１３と可動部１５とに掛け渡されている。物理量検出素子４０は、Ｙ軸方向に沿って延びる２本の角柱状であって、Ｘ軸方向に屈曲振動をする一対の振動梁４１を有する物理量検出部４２と、物理量検出部４２の両端に接続された一対の基部４３，４４と、を備えている。
物理量検出素子４０は、一対の振動梁４１と一対の基部４３，４４とで二組の音叉を構成することから、双音叉素子とも呼ばれている。
物理量検出素子４０は、例えば、水晶の原石などから所定の角度で切り出された水晶基板を用いて、物理量検出部４２と基部４３，４４とが一体で略平板状に形成されている。また、物理量検出素子４０の外形形状は、フォトリソグラフィー、エッチングなどの技術を用いて精度よく形成されている。

物理量検出素子４０は、一方の基部４３が可動部１５の主面１３ａ側に、例えば、低融点ガラス、共晶接合可能な金／錫合金被膜などの接合部材４５を介して固定され、他方の基部４４がベース部１３の主面１３ａ側に接合部材４５を介して固定されている（取り付けられている）。
なお、物理量検出素子４０と、ベース部１３及び可動部１５の主面１３ａとの間には、可動部１５の変位時に物理量検出素子４０とベース部１３及び可動部１５とが互いに接触しないように、所定の隙間が設けられている。この隙間は、本実施形態では、接合部材４５の厚さで管理されている。
具体的には、例えば、ベース部１３及び可動部１５と物理量検出素子４０との間に、所定の隙間に相当する厚さに形成されたスペーサーを挟んだ状態で、ベース部１３及び可動部１５と物理量検出素子４０とを接合部材４５によって固定し、接合後スペーサーを除去することで、隙間を所定の範囲内に管理することができる。

物理量検出素子４０は、一対の振動梁４１の図示しない励振電極（駆動電極）から基部４４に引き出された引き出し電極４６，４７が、例えば、金属ワイヤー４８によって、センサー基板１０のベース部１３に設けられた接続端子１６，１７と接続されている。
詳述すると、引き出し電極４６は、金属ワイヤー４８を介して接続端子１６と接続され、引き出し電極４７は、金属ワイヤー４８を介して接続端子１７と接続されている。
なお、金属ワイヤー４８には、金、アルミニウムなどの線材が用いられている。

ベース部１３の接続端子１６，１７は、図示しない配線によって支持部１２の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端に設けられた電極１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄのうち、２個の、例えば、電極１８ａ，１８ｂと接続されている。この場合、残りの電極１８ｃ，１８ｄは、例えば、ダミー電極または予備電極となる。
なお、一対の振動梁４１の励振電極、引き出し電極４６，４７、接続端子１６，１７、電極１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ、配線は、例えば、クロムを下地層とし、その上に金が積層された構成となっている。

４個の質量部５０は、平面視（図１（ａ））において、略矩形状に形成され、平面視で略重心位置に設けられている円柱状（円板状）の凸部５１を介して、図示しない接合材により一部がベース部１３（支持部１２）と重なるように、センサー基板１０の可動部１５に取り付けられている。
質量部５０は、可動部１５の主面１３ａ側と主面１３ｂ側とに２個ずつ取り付けられている。可動部１５の主面１３ａ側の２個の質量部５０は、互いの間に物理量検出素子４０を挟むようにして取り付けられている。また、可動部１５の主面１３ｂ側の２個の質量部５０は、主面１３ａ側の２個の質量部５０と、平面視で重なるように（互いの輪郭が一致するように）取り付けられている。

質量部５０には、例えば、銅及び銅合金などの金属に代表される比較的比重の大きい材料が用いられている。また、接合材には、例えば、弾性を有するシリコーン樹脂系の接着剤が用いられている。
質量部５０は、凸部５１によりベース部１３との間に隙間が設けられていることによって、ベース部１３との間で、可動部１５のストッパーとして機能する（詳細後述）。

パッケージ２０は、平面形状が略矩形で凹部を有したパッケージベース２１と、パッケージベース２１の凹部の開口部２１ｃを覆う蓋部としての平面形状が略矩形で平板状のリッド２２と、を有し、略直方体形状に形成されている。
パッケージベース２１には、セラミックグリーンシートを成形して積層し焼成した酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体などのセラミックス系の絶縁性材料が用いられている。
リッド２２には、パッケージベース２１と同材料、または、コバール、４２アロイなどの金属が用いられている。

パッケージベース２１には、内底面（凹部の内側の底面）２３の外周部分から凹部の内壁２１ａ，２１ｂに沿って突出した２箇所の段差部２３ａ，２３ｂに、略矩形状の内部端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄが設けられている。詳述すると、内部端子２４ａは、段差部２３ａにおけるセンサー基板１０の電極１８ａに対向する位置（平面視において重なる位置）に設けられ、内部端子２４ｂは、段差部２３ｂにおけるセンサー基板１０の電極１８ｂに対向する位置に設けられ、内部端子２４ｃは、段差部２３ａにおけるセンサー基板１０の電極１８ｃに対向する位置に設けられ、内部端子２４ｄは、段差部２３ｂにおけるセンサー基板１０の電極１８ｄに対向する位置に設けられている。

パッケージベース２１の外底面（内底面２３の反対側の面、外側の底面）２５には、外部部材に取り付けられる際に用いられる一対の外部端子２６，２７が形成されている。外部端子２６，２７は、図示しない内部配線によって内部端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄのうち、例えば、前述したセンサー基板１０のベース部１３の接続端子１６，１７と接続されている電極１８ａ，１８ｂに対向する内部端子２４ａ，２４ｂと接続されている。
具体的には、外部端子２６は、内部端子２４ａと接続され、外部端子２７は、内部端子２４ｂと接続されている。この場合、内部端子２４ｃ，２４ｄは、例えば、ダミー端子または予備端子となる。
内部端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ及び外部端子２６，２７は、タングステンなどのメタライズ層にニッケル、金などの各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜からなる。

図２に示すように、パッケージベース２１には、凹部の底部にパッケージ２０の内部を封止する封止部２８が設けられている。
封止部２８は、パッケージベース２１に形成されている外底面２５側の孔径が内底面２３側の孔径よりも大きい、例えば、段付きの貫通孔２８ａに、金／ゲルマニウム合金、ハンダなどからなる封止材２８ｂを投入し、加熱溶融後、固化することでパッケージ２０の内部を気密に封止する構成となっている。

センサー基板１０は、主面１３ｂ側を取り付け面側としてパッケージベース２１の段差部２３ａ，２３ｂに載置されている。このとき、上述したように、センサー基板１０の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端は、側面がパッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触している（押し付けられている）。
この状態で、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端は、熱硬化性の接合部材３０（例えば、金属フィラーなどの導電性物質が混合された、エポキシ樹脂系、シリコーン樹脂系、ポリイミド樹脂系などの熱硬化性の導電性接着剤）を介して、パッケージベース２１の段差部２３ａ，２３ｂに固定されている（取り付けられている）。
これにより、センサー基板１０の電極１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄと、パッケージベース２１の内部端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄとは、電気的に接続されていることとなる。

物理量センサー１は、センサー基板１０が熱硬化性の接合部材３０を介してパッケージベース２１に取り付けられた状態で、パッケージベース２１の凹部の開口部２１ｃがリッド２２により覆われ、パッケージベース２１とリッド２２とがシームリング、低融点ガラス、接着剤などの接合部材２９で接合される（リッド２２がパッケージベース２１に取り付けられる）。
物理量センサー１は、リッド２２の接合後、パッケージ２０の内部が減圧された状態（真空度の高い状態）で、封止部２８の貫通孔２８ａに封止材２８ｂが投入され、加熱溶融後、固化されることにより、パッケージ２０の内部が気密に封止される。
なお、パッケージ２０の内部は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填されていてもよい。また、パッケージ２０は、パッケージベース２１及びリッド２２の両方に凹部を有していてもよい。

物理量センサー１は、外部端子２６，２７、内部端子２４ａ，２４ｂ、接続端子１６，１７、引き出し電極４６，４７などを経由して物理量検出素子４０の励振電極に印加される駆動信号によって、物理量検出素子４０の一対の振動梁４１が所定の周波数で発振（共振）する。そして、物理量センサー１は、加わる物理量に応じて変化する物理量検出素子４０の共振周波数を出力信号として出力する。

ここで、物理量センサー１の動作について説明する。ここでは、物理量センサー１に物理量としての加速度が印加された場合を例に挙げて説明する。
図３は、物理量センサーの動作について説明する模式断面図である。図３（ａ）は、可動部が紙面下方（−Ｚ方向）に変位した状態を示す模式断面図であり、図３（ｂ）は、可動部が紙面上方（＋Ｚ方向）に変位した状態を示す模式断面図である。

図３（ａ）に示すように、物理量センサー１は、Ｚ軸方向に加わる加速度＋αに応じた慣性力によって、可動部１５が、継ぎ手部１４を支点にして−Ｚ方向に変位した場合、物理量検出素子４０には、Ｙ軸方向に基部４３と基部４４とが互いに離れる方向の引張力が加わり、物理量検出部４２の一対の振動梁４１に引張応力（伸長応力）が生じる。
これにより、物理量センサー１は、例えば、巻き上げられた弦楽器の弦のように、物理量検出部４２の一対の振動梁４１の振動周波数（以下、共振周波数ともいう）が高くなる方に変化する。

一方、図３（ｂ）に示すように、物理量センサー１は、Ｚ軸方向に加わる加速度−αに応じた慣性力によって、可動部１５が、継ぎ手部１４を支点にして＋Ｚ方向に変位した場合、物理量検出素子４０には、Ｙ軸方向に基部４３と基部４４とが互いに近づく方向の圧縮力が加わり、物理量検出部４２の一対の振動梁４１に圧縮応力が生じる。
これにより、物理量センサー１は、例えば、巻き戻された弦楽器の弦のように、物理量検出部４２の一対の振動梁４１の共振周波数が低くなる方に変化する。

物理量センサー１は、この共振周波数の変化を検出している。Ｚ軸方向に加わる加速度（＋α、−α）は、この検出された共振周波数の変化の割合に応じて、ルックアップテーブルなどによって定められた数値に変換することで導出される。

ここで、図３（ａ）に示すように、物理量センサー１は、Ｚ軸方向に加わる加速度＋αが所定の大きさより大きい場合、可動部１５の主面１３ａに固定された質量部５０の、平面視においてベース部１３と重なる部分がベース部１３に接触する。
これにより、物理量センサー１は、加速度＋αに応じて−Ｚ方向に変位する可動部１５の変位を、所定の範囲内に規制することができる。

一方、図３（ｂ）に示すように、物理量センサー１は、Ｚ軸方向に加わる加速度−αが所定の大きさより大きい場合、可動部１５の主面１３ｂに固定された質量部５０の、平面視においてベース部１３と重なる部分がベース部１３に接触する。
これにより、物理量センサー１は、加速度−αに応じて＋Ｚ方向に変位する可動部１５の変位を、所定の範囲内に規制することができる。

上述したように、本実施形態の物理量センサー１は、センサー基板１０の支持部１２が梁状の可撓部としての支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを有し、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端が、パッケージベース２１の、互いに対向する内壁２１ａ，２１ｂのそれぞれに接触している状態で、パッケージベース２１に固定されている。
これにより、物理量センサー１は、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端がパッケージベース２１に、例えば、熱硬化性の接合部材３０により固定されている場合、加熱によるセンサー基板１０の伸びが、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂによって拘束（抑制）される。
この結果、物理量センサー１は、常温に戻った際に、センサー基板１０が支持部１２の両端同士を引き離す方向に引っ張られることが殆どなく、センサー基板１０には、固定に伴う引張応力などの応力が殆ど生じないこととなる（残留応力が殆どない）。

また、物理量センサー１は、支持部１２の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの撓みにより、加熱によるセンサー基板１０の伸びが吸収されることから、加熱時に生じるセンサー基板１０の熱応力を緩和できる。
また、物理量センサー１は、残留応力を殆ど考えなくてもよいことから、センサー基板１０の設計の自由度を広げることができる。
これらにより、物理量センサー１は、例えば、外部からの衝撃に対する耐衝撃性の向上や、上記引張応力の経時的変化に伴う周波数変動の大幅低減など、性能を向上させることが可能となる。

また、物理量センサー１は、センサー基板１０の支持部１２の両端に支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを有している。支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、支持部１２の両端を互いに結んだＸ軸方向と交差するＹ軸方向に屈曲して延びている。
そして、自由状態における一方の支持腕１２ａ，１２ｃの先端から、他方の支持腕１２ｂ，１２ｄの先端までのＸ軸方向に沿った距離Ｌ１は、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂ間のＸ軸方向に沿った距離Ｌ２よりも長くなっている。
この結果、物理量センサー１は、各支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが撓んだ状態で、各支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端の側面がパッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触している（押し付けられている）。
これにより、物理量センサー１は、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂ間の寸法ばらつき（加工ばらつき）を吸収し、各支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端を常にパッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触させることができる。

また、物理量センサー１は、各支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端の側面がパッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触した状態で、接合部材３０によりパッケージベース２１に固定されている。
これにより、物理量センサー１は、各支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端が、接合部材３０の回りこみによって、パッケージベース２１の段差部２３ａ，２３ｂ（内部端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ）のみならず、内壁２１ａ，２１ｂへも固定されることから、段差部２３ａ，２３ｂのみに固定される場合と比較して、固定強度を向上させることができる。

なお、距離Ｌ１と距離Ｌ２との差は、センサー基板１０及びパッケージベース２１の寸法ばらつき（加工ばらつき）分であり、加工精度の向上によりその差は小さくできる。これにより、センサー基板１０をパッケージベース２１へ組み込む際の、各支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが撓むことによって生じる曲げ応力は、残留応力として殆ど無視できるレベルとなる。

また、物理量センサー１は、センサー基板１０の支持部１２が機能部１１の−Ｙ側だけでなく、反対側の＋Ｙ側にも設けられていることから、支持部１２が１箇所の場合と比較して、センサー基板１０をより安定した姿勢でパッケージベース２１に収容することができる。

また、物理量センサー１は、センサー基板１０の機能部１１が、支持部１２に接続されているベース部１３と、ベース部１３に継ぎ手部１４を介して接続されている板状の可動部１５と、を備え、ベース部１３と可動部１５とに物理量検出素子４０が掛け渡され、可動部１５が加わる物理量に応じて変位可能に構成されている。
これにより、物理量センサー１は、可動部１５の変位を検出する物理量検出素子４０によって物理量の検出が可能となり、電子デバイスとしての優れた性能の物理量センサーを提供することができる。

また、物理量センサー１は、物理量検出素子４０が少なくとも１つの（ここでは一対の）振動梁４１を有する物理量検出部４２と、物理量検出部４２の両端に接続されている一対の基部４３，４４と、を備え、基部４３が可動部１５に固定され、基部４４がベース部１３に固定されている。
これにより、物理量センサー１は、振動梁４１の特性によって物理量の変化を直線的に振動周波数（共振周波数）の変化に変換することができる。
この結果、物理量センサー１は、他の物理量検出素子を用いる場合と比較して、物理量の検出精度が高い特性を有し、物理量センサーとしての検出精度を向上させることができる。

次に、物理量センサー１の製造方法について説明する。
図４は、物理量センサーの製造工程の一例を示すフローチャートであり、図５（ａ）、図５（ｂ）、図６（ｃ）、図６（ｄ）、図７（ｅ）、図７（ｆ）は、主要製造工程を説明する模式断面図である。

図４に示すように、物理量センサー１の製造方法は、センサー基板準備工程と、パッケージ準備工程と、接合部材塗布工程と、センサー基板収容工程と、センサー基板固定工程と、封止工程と、を含んでいる。

［センサー基板準備工程］
まず、図５（ａ）に示すように、例えば、水晶の原石などから所定の角度で切り出された水晶基板を用いて、フォトリソグラフィー、ウエットエッチングなどの技術により、上述した構成のセンサー基板１０を形成する。
ここで、センサー基板１０は、図１（ａ）に示すように、支持腕１２ａ，１２ｃの先端から、支持腕１２ｂ，１２ｄの先端までのＸ軸方向に沿った距離Ｌ１が、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂ間のＸ軸方向に沿った距離Ｌ２よりも大きくなるように形成する。
なお、距離Ｌ１と距離Ｌ２との差は、センサー基板１０及びパッケージベース２１の寸法ばらつき（加工ばらつき）吸収分であり、加工精度の向上によりその差を小さくすることが好ましい。

ついで、センサー基板１０の主面１３ａに、センサー基板１０の継ぎ手部１４を跨いでベース部１３と可動部１５とに掛け渡すようにして、物理量検出素子４０を接合部材４５によって取り付ける（固定する）。
ついで、物理量検出素子４０の引き出し電極４６，４７と、センサー基板１０のベース部１３の接続端子１６，１７とを、ワイヤーボンディング技術を用いて金属ワイヤー４８により接続する。
ついで、センサー基板１０の可動部１５の両主面１３ａ，１３ｂに、質量部５０を図示しない接合材によって２個ずつ並べて取り付ける。このとき、質量部５０の一部がベース部１３と平面視で重なるように位置決めしておく。

［パッケージ準備工程］
ついで、図５（ｂ）に示すように、上述したパッケージ２０のパッケージベース２１を準備する。なお、リッド２２は、後工程でパッケージベース２１に取り付ける。

［接合部材塗布工程］
ついで、図６（ｃ）に示すように、パッケージベース２１の段差部２３ａ，２３ｂに設けられている内部端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄに、例えば、図示しないディスペンサーなどの塗布装置を用いて、熱硬化性の接合部材３０（導電性接着剤）を塗布する。

［センサー基板収容工程］
ついで、図６（ｄ）に示すように、センサー基板１０の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端を、図示しない治具などを用いて矢印Ｃ方向に撓ませた状態で、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに沿わせながら矢印Ｄ方向に移動させて、センサー基板１０を、パッケージベース２１の段差部２３ａ，２３ｂに接合部材３０を介して載置する。これにより、センサー基板１０を、パッケージベース２１に収容したこととなる。
このとき、センサー基板１０の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端の側面は、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触している（押し付けられている）。

［センサー基板固定工程］
ついで、加熱炉、乾燥機、恒温槽などの加熱装置に投入し、センサー基板１０の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端がパッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触している状態で、接合部材３０、センサー基板１０及びパッケージベース２１を、例えば、約２００℃〜約３００℃で約１時間程度加熱し、加熱により硬化した接合部材３０を介して、センサー基板１０の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端をパッケージベース２１に固定する（取り付ける）。
これにより、センサー基板１０の電極１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄと、パッケージベース２１の内部端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄとは、電気的に接続されていることとなる。

［封止工程］
ついで、図７（ｅ）に示すように、リッド２２を接合部材２９によってパッケージベース２１に気密に接合する（取り付ける）。
ついで、図７（ｆ）に示すように、リッド２２が接合されたパッケージベース２１を反転し、パッケージ２０の内部が減圧された状態（例えば、真空チャンバー内などの真空度が高い状態）で、封止部２８の貫通孔２８ａに球状の封止材２８ｂを投入し、レーザービームや電子ビームを照射して加熱溶融後、封止材２８ｂを固化することにより、貫通孔２８ａを閉塞し、パッケージ２０の内部を気密に封止する。
なお、パッケージ２０の内部は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填されていてもよい。
上記各工程などを経ることにより、図１、図２に示すような物理量センサー１を得る。

上述したように、物理量センサー１の製造方法は、センサー基板１０の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを撓ませて、センサー基板１０をパッケージ２０のパッケージベース２１に収容するセンサー基板収容工程と、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端を、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触した状態で、接合部材３０、センサー基板１０及びパッケージベース２１を加熱し、加熱により硬化した接合部材３０を介してパッケージベース２１に固定するセンサー基板固定工程と、を含む。

これにより、物理量センサー１の製造方法は、加熱による支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの両先端間の伸び（距離Ｌ１の伸び）が、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂによって拘束（抑制、制限）される。
この結果、物理量センサー１の製造方法は、常温に戻った際に、センサー基板１０の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが、両先端同士（支持腕１２ａ，１２ｂの先端同士及び支持腕１２ｃ，１２ｄの先端同士）を引き離す方向に引っ張られることが殆どなく、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの両先端間には、固定に伴う引張応力などの応力が殆ど生じないこととなる（残留応力が殆どない）。

また、物理量センサー１の製造方法は、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの撓みにより、加熱によるセンサー基板１０の伸びが吸収されることから、加熱時に生じるセンサー基板１０の熱応力を緩和できる。
加えて、物理量センサー１の製造方法は、支持部１２の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを撓ませることによりセンサー基板１０をパッケージベース２１に収容することから、パッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂ間の寸法ばらつき（加工ばらつき）を吸収し、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端を確実にパッケージベース２１の内壁２１ａ，２１ｂに接触させることができる。
これらにより、物理量センサー１の製造方法は、例えば、外部からの衝撃に対する耐衝撃性の向上や、上記引張応力の経時的変化に伴う周波数変動の大幅低減など、物理量センサー１の性能を向上させることが可能となる。

（変形例）
次に、第１実施形態の変形例について説明する。
図８は、第１実施形態の変形例の物理量センサーの概略構成を示す模式断面図である。
なお、第１実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。なお、図８の断面位置は、図１（ｂ）と同様である。

図８に示すように、変形例の物理量センサー２は、物理量センサー１と同様に、パッケージ２０がパッケージベース２１と、パッケージベース２１の凹部の開口部２１ｃを覆うリッド２２と、を備えている。
物理量センサー２は、パッケージベース２１の開口部２１ｃと底部（ここでは段差部２３ａ，２３ｂ）とを繋ぐ内壁１２１ａ，１２１ｂの少なくとも一部が、段差部２３ａ，２３ｂ側から開口部２１ｃ側（リッド２２側）に向かうに連れて、パッケージベース２１の内壁１２１ａ，１２１ｂ間が広がる方向に傾斜または湾曲（ここでは傾斜）している。
具体的には、物理量センサー２は、開口部２１ｃ側の内壁１２１ａ，１２１ｂ間の距離Ｌ３が、段差部２３ａ，２３ｂ側の内壁１２１ａ，１２１ｂ間の距離Ｌ２よりも長くなるように、内壁１２１ａ，１２１ｂの一部がパッケージベース２１の外壁側に傾斜している。

これによれば、物理量センサー２は、パッケージベース２１の開口部２１ｃ側の内壁１２１ａ，１２１ｂ間の距離Ｌ３を、段差部２３ａ，２３ｂ側の内壁１２１ａ，１２１ｂ間の距離Ｌ２よりも長くすることができる。換言すれば、開口部２１ｃ側の内壁１２１ａ，１２１ｂ間を、段差部２３ａ，２３ｂ側の内壁１２１ａ，１２１ｂ間よりも広くすることができる。
この結果、物理量センサー２は、例えば、距離Ｌ３を自由状態のセンサー基板１０の距離Ｌ１以上にしておくことにより、センサー基板１０の支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを予め撓ませることなく、センサー基板１０をパッケージベース２１に容易に収容することができる。

なお、物理量センサー２の製造方法は、物理量センサー１の製造方法に準じるが、パッケージベース２１が上記の構成となっていることにより、センサー基板収容工程において、支持腕１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端をパッケージベース２１の開口部２１ｃと干渉させることなく、センサー基板１０をパッケージベース２１に容易に収容することができる。

（第２実施形態）
次に、電子デバイスの他の一例としての水晶振動子について説明する。
図９は、第２実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式平面図である。

図９に示すように、水晶振動子３は、機能素子としての水晶振動片２１０と、水晶振動片２１０よりも熱膨張係数が小さく、水晶振動片２１０を収容する容器としてのパッケージ２２０と、を備えている。
水晶振動片２１０には、例えば、水晶の原石などから所定の角度で切り出された水晶基板が用いられ、フォトリソグラフィー、エッチングなどの技術により、外形形状が精度よく形成されている。
水晶振動片２１０は、機能部としての振動部２１１と、振動部２１１に接続されている支持部２１２と、を備えている。
振動部２１１は、支持部２１２から紙面左右方向に延びる一対の振動腕２１５を有し、支持部２１２の一部を含んで音叉状に構成されている。
支持部２１２における振動腕２１５が延びる方向（紙面左右方向）と交差する方向（紙面上下方向）の両端は、パッケージ２２０の凹状の収容部としてのパッケージベース２２１の凹部の、互いに対向する内壁２２１ａ，２２１ｂのそれぞれに接触している状態で、パッケージベース２２１に固定されている。

具体的には、水晶振動片２１０の支持部２１２は、紙面上下方向の両端のそれぞれに梁状の可撓部としての支持腕２１２ａ，２１２ｂを有している。
支持腕２１２ａ，２１２ｂは、平面視で支持部２１２の両端を互いに結んだ第１方向としての紙面上下方向と交差する方向（紙面左右方向）に屈曲して、振動腕２１５側に延びている。

支持腕２１２ａ，２１２ｂは、自由状態における一方の支持腕２１２ａの先端から、他方の支持腕２１２ｂの先端までの紙面上下方向に沿った距離Ｌ２１が、パッケージベース２２１における紙面左右方向に沿って延びる内壁２２１ａ，２２１ｂ間の紙面上下方向に沿った距離Ｌ２２よりも長くなるように形成されている。
これにより、支持腕２１２ａ，２１２ｂは、紙面上下方向に撓んだ状態で、先端がパッケージベース２２１の内壁２２１ａ，２２１ｂに接触していることとなる。
この状態で、支持腕２１２ａ，２１２ｂの先端は、例えば、熱硬化性の接合部材３０でパッケージベース２２１に固定されている。

パッケージ２２０は、第１実施形態と同様に、平面形状が略矩形で凹部を有したパッケージベース２２１と、パッケージベース２２１の凹部の開口部２２１ｃを覆う蓋部としての平面形状が略矩形で平板状のリッド（図示せず）と、を有し、略直方体形状に形成されている。
パッケージ２２０の構成、材質などは、第１実施形態と殆ど同様なので、詳細な説明を省略する。

上述したように、本実施形態の水晶振動子３は、水晶振動片２１０の支持部２１２が梁状の可撓部としての支持腕２１２ａ，２１２ｂを有し、支持腕２１２ａ，２１２ｂの先端が、パッケージベース２２１の内壁２２１ａ，２２１ｂのそれぞれに接触している状態で、パッケージベース２２１に固定されている。
これにより、水晶振動子３は、支持腕２１２ａ，２１２ｂの先端がパッケージベース２２１に、例えば、熱硬化性の接合部材３０により固定されている場合、加熱による水晶振動片２１０の伸びが、パッケージベース２２１の内壁２２１ａ，２２１ｂによって拘束（抑制）される。
この結果、水晶振動子３は、常温に戻った際に、水晶振動片２１０が支持部２１２の両端同士を引き離す方向に引っ張られることが殆どなく、水晶振動片２１０には、固定に伴う引張応力などの応力が殆ど生じないこととなる（残留応力が殆どない）。
また、水晶振動子３は、水晶振動片２１０の支持腕２１２ａ，２１２ｂの撓みにより、加熱による水晶振動片２１０の伸びが吸収されることから、加熱時に生じる水晶振動片２１０の熱応力を緩和できる。
これらにより、水晶振動子３は、例えば、外部からの衝撃に対する耐衝撃性の向上や、上記引張応力の経時的変化に伴う周波数変動の大幅低減など、性能を向上させることが可能となる。

また、水晶振動子３は、水晶振動片２１０の支持部２１２の両端に支持腕２１２ａ，２１２ｂを有している。
そして、自由状態における支持腕２１２ａの先端から、支持腕２１２ｂの先端までの距離Ｌ２１は、パッケージベース２２１の内壁２２１ａ，２２１ｂ間の距離Ｌ２２よりも長くなっている。
この結果、水晶振動子３は、支持腕２１２ａ，２１２ｂが撓んだ状態で、支持腕２１２ａ，２１２ｂの先端の側面がパッケージベース２２１の内壁２２１ａ，２２１ｂに接触している（押し付けられている）。
これにより、水晶振動子３は、パッケージベース２２１の内壁２２１ａ，２２１ｂ間の寸法ばらつきを吸収し、支持腕２１２ａ，２１２ｂの先端を常にパッケージベース２２１の内壁２２１ａ，２２１ｂに接触させることができる。

なお、距離Ｌ２１と距離Ｌ２２との差は、水晶振動片２１０及びパッケージベース２２１の寸法ばらつき（加工ばらつき）分であり、加工精度の向上によりその差は小さくできる。これにより、水晶振動片２１０をパッケージベース２２１へ組み込む際の、支持腕２１２ａ，２１２ｂが撓むことによって生じる曲げ応力は、残留応力として殆ど無視できるレベルとなる。
なお、内壁２２１ａ，２２１ｂは、第１実施形態の変形例と同様に、傾斜または湾曲していてもよい。
また、水晶振動片２１０は、図示の音叉型に限定されるものではなく、ＡＴカット型などであってもよい。

（電子機器）
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器について説明する。
図１０は、電子デバイスを備えている電子機器の一例としての傾斜計を示す模式斜視図である。

図１０に示すように、傾斜計４００は、上述した電子デバイスとしての物理量センサー１を、傾斜センサーとして備えている。
傾斜計４００は、例えば、山の斜面、道路の法面、盛土の擁壁面などの被計測場所に設置される。傾斜計４００は、外部からケーブル４４０を介して電源が供給され、または電源を内蔵し、図示しない駆動回路によって物理量センサー１（傾斜センサー）に駆動信号が送られている。

そして、傾斜計４００は、図示しない検出回路によって、物理量センサー１に加わる重力加速度に応じて変化する物理量センサー１の共振周波数から、傾斜計４００の姿勢の変化（傾斜計４００に対する重力加速度が加わる方向の変化）を検出し、それをルックアップテーブルなどによって角度に換算して、例えば、無線またはケーブル４４０などで基地局にデータ転送する。

このように、傾斜計４００は、性能が向上し検出特性に優れた物理量センサー１を備えていることから、被計測場所の日常の管理（保全）や異常の早期発見に貢献することができる。
なお、傾斜計４００は、物理量センサー１に代えて物理量センサー２を用いてもよい。これによれば、傾斜計４００は、物理量センサー１を用いたときと同様の効果を奏することができる。

上述した物理量センサー１または物理量センサー２は、上記傾斜計４００に限らず、地震計、ナビゲーション装置、姿勢制御装置、ゲームコントローラー、携帯電話などの加速度センサー、傾斜センサー、圧力センサー、重量センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記第１実施形態及び変形例で説明した効果が反映された優れた性能の電子機器を提供することができる。

（移動体）
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体について説明する。
図１１は、電子デバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車５００は、電子デバイスとしての水晶振動子３を、搭載されている各種電子制御式装置（例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ＡＢＳ装置、電子制御式一定速度走行装置など）の基準クロックを発生するタイミングデバイスとして用いている。また、自動車５００は、電子デバイスとしての物理量センサー１または物理量センサー２を、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの姿勢検出センサーとして用いている。
これらによれば、自動車５００は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記各実施形態及び変形例で説明した効果が反映され、優れた性能を発揮することができる。

上述した電子デバイスは、上記自動車５００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体のタイミングデバイスまたは姿勢検出センサーとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記各実施形態及び変形例で説明した効果が反映された優れた性能の移動体を提供することができる。

１，２…電子デバイスとしての物理量センサー、３…電子デバイスとしての水晶振動子、１０…機能素子としてのセンサー基板、１１…機能部、１２…支持部、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ…梁状の可撓部としての支持腕、１３…ベース部、１３ａ，１３ｂ…主面、１４…継ぎ手部、１４ａ…溝部、１５…可動部、１６，１７…接続端子、１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ…電極、２０…容器としてのパッケージ、２１…凹状の収容部としてのパッケージベース、２１ａ，２１ｂ…内壁、２１ｃ…開口部、２２…蓋部としてのリッド、２３…内底面、２３ａ，２３ｂ…段差部、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ…内部端子、２５…外底面、２６，２７…外部端子、２８…封止部、２８ａ…貫通孔、２８ｂ…封止材、２９，３０…接合部材、４０…物理量検出素子、４１…振動梁、４２…物理量検出部、４３，４４…基部、４５…接合部材、４６，４７…引き出し電極、４８…金属ワイヤー、５０…質量部、５１…凸部、１２１ａ，１２１ｂ…内壁、２１０…機能素子としての水晶振動片、２１１…機能部としての振動部、２１２…支持部、２１２ａ，２１２ｂ…梁状の可撓部としての支持腕、２１５…振動腕、２２０…容器としてのパッケージ、２２１…凹状の収容部としてのパッケージベース、２２１ａ，２２１ｂ…内壁、２２１ｃ…開口部、４００…電子機器としての傾斜計、４４０…ケーブル、５００…移動体としての自動車。

Claims (11)

1. 機能部、前記機能部が固定され両端に梁状の可撓部を備えている支持部、を有している機能素子と、
   前記機能素子よりも熱膨張係数が小さく前記機能素子を収容する凹状の収容部、を有している容器と、を備え、
   各前記可撓部の先端は、前記容器の前記収容部の互いに対向している内壁のそれぞれに接触している状態で、前記収容部に固定されていることを特徴とする電子デバイス。
2. 請求項１に記載の電子デバイスにおいて、
   前記支持部は、前記両端に前記可撓部としての支持腕を有し、
   各前記支持腕は、平面視で前記支持部の前記両端を互いに結んだ第１方向と交差する方向に屈曲して延び、
   自由状態における一方の前記支持腕の先端から、他方の前記支持腕の先端までの前記第１方向に沿った距離が、前記収容部の各前記支持腕を収容する部分における前記内壁間の前記第１方向に沿った距離よりも長く、
   各前記支持腕は、撓んだ状態で前記先端が前記内壁に接触していることを特徴とする電子デバイス。
3. 請求項１または請求項２に記載の電子デバイスにおいて、
   前記容器は、前記収容部と、該収容部の開口部を覆う蓋部と、を備え、
   前記収容部の前記開口部と底部とを繋ぐ前記内壁の少なくとも一部は、前記底部側から前記開口部側に向かうに連れて、前記収容部の前記内壁間が広がる方向に傾斜または湾曲していることを特徴とする電子デバイス。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、
   前記支持部は、複数設けられていることを特徴とする電子デバイス。
5. 請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、
   前記機能部は振動部であり、前記機能素子は、振動片であることを特徴とする電子デバイス。
6. 請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、
   前記機能部は、前記支持部に接続されているベース部と、該ベース部に継ぎ手部を介して接続されている板状の可動部と、を備え、
   前記機能素子には、前記ベース部と前記可動部とに物理量検出素子が掛け渡され、
   前記可動部は、該可動部の主面と交差する方向に加わる物理量に応じて、前記継ぎ手部を支点にして前記主面と交差する方向に変位可能に構成されていることを特徴とする電子デバイス。
7. 請求項６に記載の電子デバイスにおいて、
   前記物理量検出素子は、前記ベース部と前記可動部とを結ぶ方向に沿って延びる少なくとも１つの振動梁を有する物理量検出部と、該物理量検出部の両端に接続されている一対の基部と、を備え、
   一方の前記基部が前記ベース部に固定され、他方の前記基部が前記可動部に固定されていることを特徴とする電子デバイス。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
9. 請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
10. 機能部、前記機能部が固定されている支持部、を有している機能素子と、
    前記機能素子よりも熱膨張係数が小さく前記機能素子を収容する凹状の収容部、を有している容器と、を備え、
    前記機能素子の支持部は、両端に可撓性を有している支持腕を有し、
    各前記支持腕は、平面視で前記支持部の前記両端を互いに結んだ第１方向と交差する方向に屈曲して延び、
    自由状態における一方の前記支持腕の先端から、他方の前記支持腕の先端までの前記第１方向に沿った距離が、前記容器の前記収容部の各前記先端を収容する部分における内壁間の前記第１方向に沿った距離よりも長い電子デバイスの製造方法であって、
    前記支持腕を撓ませて、前記機能素子を前記容器の前記収容部に収容する工程と、
    前記支持腕の前記先端を前記内壁に接触した状態で、前記機能素子及び前記収容部を加熱し、接合部材を介して前記収容部に固定する工程と、
    を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
11. 請求項１０に記載の電子デバイスの製造方法において、
    前記容器は、前記収容部と、該収容部の開口部を覆う蓋部と、を備え、
    前記収容部の前記開口部と底部とを繋ぐ前記内壁の少なくとも一部は、前記底部側から前記開口部側に向かうに連れて、前記収容部の前記内壁間が広がる方向に傾斜または湾曲していることを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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