JP2014093331A - Deposition method of polymerized film, environment maintenance method of deposition device, deposition device and manufacturing method of electronic product - Google Patents

Deposition method of polymerized film, environment maintenance method of deposition device, deposition device and manufacturing method of electronic product

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JP2014093331A
JP2014093331A JP2012241303A JP2012241303A JP2014093331A JP 2014093331 A JP2014093331 A JP 2014093331A JP 2012241303 A JP2012241303 A JP 2012241303A JP 2012241303 A JP2012241303 A JP 2012241303A JP 2014093331 A JP2014093331 A JP 2014093331A
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Kippei Sugita
吉平 杉田
Yasushi Fujii
康 藤井
Kenji Sekiguchi
賢治 関口
Muneo Harada
宗生 原田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition method of a polymerized film with which a polymerized film is not deposited in a place which is not desired to deposit the polymerized film, and the polymerized film can be selectively deposited only in a place desired to deposit the polymerized film.SOLUTION: A deposition method of a polymerized film includes the steps of: supplying deposition suppression treatment gas containing a deposition inhibitor into a deposition suppression region where it is not desired to deposit a polymerized film, in an object to be treated, and applying deposition suppression treatment for suppressing the deposition of the polymerized film to the deposition suppression region (step 2); and supplying gas containing a first monomer and gas containing a second monomer different from the first monomer to the object to be treated to which the deposition suppression treatment has been applied, causing polymerization reaction in the first monomer and the second monomer, and selectively depositing the polymerized film on a selected region on the object to be treated (step 3).

Description

この発明は、重合膜の成膜方法、成膜装置の環境維持方法、成膜装置、並びに電子製品の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for forming a polymer film, a method for maintaining an environment for a film forming apparatus, a film forming apparatus, and a method for manufacturing an electronic product.

重合膜、例えば、ポリイミド薄膜に代表される高分子薄膜は、半導体集積回路装置の層間絶縁膜や、フラットパネルディスプレイ、例えば、液晶表示装置の液晶配向膜として用いることが検討されている。   A polymer film, for example, a polymer thin film typified by a polyimide thin film has been studied for use as an interlayer insulating film in a semiconductor integrated circuit device or a liquid crystal alignment film in a flat panel display, for example, a liquid crystal display device.

高分子薄膜は、原料モノマーを溶媒に溶かし、これを半導体ウエハ上にスピンコートして重合させるスピンコート法や、溶媒に溶かした原料モノマーを気化させ、気化した原料モノマーを被処理体表面上に蒸着し、被処理体の表面で重合反応を進行させる蒸着重合法（例えば、特許文献１）などを用いて成膜される。   The polymer thin film is prepared by dissolving a raw material monomer in a solvent, spin-coating it onto a semiconductor wafer and polymerizing it, or vaporizing the raw material monomer dissolved in the solvent, and vaporizing the raw material monomer on the surface of the object to be treated. The film is formed using a vapor deposition polymerization method (for example, Patent Document 1) in which vapor deposition is performed and a polymerization reaction proceeds on the surface of the object to be processed.

中でも、蒸着重合法はドライ処理であるため、ウェット処理では入っていかないような微細な部分にもモノマーを侵入させることができ、成膜性が良い、という利点を有している。このため、蒸着重合法を用いて形成した高分子薄膜は、例えば、深く、かつアスペクト比も高いヴィアやトレンチの側壁に形成される側壁絶縁膜の材料の有力な候補の一つとしても注目されている。   Among these, since the vapor deposition polymerization method is a dry process, the monomer can enter a fine portion which cannot be included in the wet process, and has an advantage that the film forming property is good. For this reason, polymer thin films formed by vapor deposition polymerization are attracting attention as one of the promising candidates for sidewall insulating films formed on the sidewalls of vias and trenches that are deep and have a high aspect ratio. ing.

深く、かつアスペクト比が高いヴィアやトレンチは、例えば、チップ及び／又はウエハを高さ方向に積み上げていく、いわゆる三次元ＬＳＩ集積化技術を用いた三次元半導体集積回路装置において、上下の集積回路どうしを電気的に接続する垂直配線構造などにみることができる。   Vias and trenches that are deep and have a high aspect ratio are, for example, upper and lower integrated circuits in a three-dimensional semiconductor integrated circuit device that uses so-called three-dimensional LSI integration technology in which chips and / or wafers are stacked in the height direction. This can be seen in the vertical wiring structure that electrically connects the two.

特開２０１０−６２４８０号公報JP 2010-62480 A

蒸着重合法は成膜性に優れ、微細な部分にも重合膜、例えば、高分子薄膜を成膜できる、という利点を有している。   The vapor deposition polymerization method has an advantage that it is excellent in film formability, and a polymer film, for example, a polymer thin film can be formed on a fine part.

しかしながら、蒸着重合法は成膜性に優れているため、成膜装置の処理室の処理空間側の内壁上や処理室の内部に存在する各種部品の表面上、さらには部品間のわずかな隙間にまで、高分子薄膜の成膜が進みやすい、という事情もあわせもつ。処理空間側の内壁上や各種部品の表面上、わずかな隙間に成膜された高分子薄膜は、処理室内におけるパーティクル等の発生原因になり得る。   However, since the vapor deposition polymerization method is excellent in film formability, a slight gap is formed on the inner wall of the processing chamber of the film forming apparatus, on the inner wall of the processing space, on the surface of various parts existing inside the processing chamber, and between the parts. In addition, there is a situation that the film formation of the polymer thin film is easy to proceed. The polymer thin film formed in a slight gap on the inner wall on the processing space side or on the surfaces of various parts can cause generation of particles or the like in the processing chamber.

この発明は、成膜させたくないところには成膜せず、成膜させたいところにのみ、重合膜を選択的に成膜させることが可能な重合膜の成膜方法、その成膜方法を利用した成膜装置の環境維持方法、その環境維持方法を実施することが可能な成膜装置、並びに上記成膜方法を利用した電子製品の製造方法を提供する。   The present invention provides a method for forming a polymerized film, which can selectively form a polymerized film only in a place where it is desired to form a film without forming a film where it is not desired to form a film. The present invention provides a method for maintaining an environment of a film forming apparatus, a film forming apparatus capable of performing the environment maintaining method, and a method for manufacturing an electronic product using the film forming method.

この発明の第１の態様に係る重合膜の成膜方法は、被処理体上に、重合膜を成膜する重合膜の成膜方法であって、（１）前記被処理体の、前記重合膜を成膜させたくない成膜抑制領域に、成膜抑制剤を含む成膜抑制処理ガスを供給し、前記成膜抑制領域に対して、前記重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を施す工程と、（２）前記成膜抑制処理が施された前記被処理体に、第１のモノマーを含むガスと、前記第１のモノマーとは異なる第２のモノマーを含むガスとを供給し、前記第１のモノマーと前記第２のモノマーとを重合反応させ、前記被処理体上の選ばれた領域上に前記重合膜を選択的に成膜する工程とを具備する。   A method for forming a polymer film according to a first aspect of the present invention is a method for forming a polymer film on a target object, wherein (1) the polymerization of the target object is performed. A film formation suppression process for supplying a film formation suppression treatment gas containing a film formation inhibitor to a film formation suppression area where it is not desired to form a film, and suppressing the formation of the polymer film to the film formation suppression area And (2) supplying a gas containing a first monomer and a gas containing a second monomer different from the first monomer to the object subjected to the film formation suppression process. And a step of polymerizing the first monomer and the second monomer to selectively form the polymer film on a selected region on the object to be processed.

この発明の第２の態様に係る成膜装置の環境維持方法は、被処理体を収容し、収容した前記被処理体上に対して重合膜の成膜処理を施す処理室と、前記処理室内に、第１のモノマーを含むガス、および前記第１のモノマーとは異なる第２のモノマーを含むガスを供給する重合膜原料ガス供給機構と、前記処理室内に、成膜抑制剤を含む成膜抑制処理ガスを供給する成膜抑制処理ガス供給機構と、を具備した重合膜を成膜する成膜装置の環境維持方法であって、前記処理室内において、前記被処理体上で前記第１のモノマーと前記第２のモノマーとを重合反応させる前記重合膜の成膜処理を施す前に、前記成膜抑制処理ガス供給機構から前記成膜抑制処理ガスを前記処理室内に供給し、少なくとも前記処理室の処理空間側に露呈した部分に、前記重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を施す。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for maintaining an environment of a film forming apparatus, comprising: a processing chamber for storing a target object; and performing a film forming process for a polymerized film on the stored target object; In addition, a polymer film source gas supply mechanism for supplying a gas containing a first monomer and a gas containing a second monomer different from the first monomer, and a film containing a film formation inhibitor in the processing chamber A film-forming suppression process gas supply mechanism for supplying a suppression process gas, and a method for maintaining an environment of a film formation apparatus for forming a polymer film, wherein the first treatment is performed on the target object in the process chamber. Before performing the film formation process of the polymer film that causes a polymerization reaction between the monomer and the second monomer, the film formation suppression process gas is supplied from the film formation suppression process gas supply mechanism into the process chamber, and at least the process In front of the exposed part on the processing space side of the room, Suppressing deposition suppression processing the deposition of the polymer film is subjected.

この発明の第３の態様に係る成膜装置は、被処理体を収容し、収容した前記被処理体上に対して重合膜の成膜処理を施す処理室と、前記処理室内に、第１のモノマーを含むガス、および前記第１のモノマーとは異なる第２のモノマーを含むガスを供給する重合膜原料ガス供給機構と、前記処理室内に、成膜抑制剤を含む成膜抑制処理ガスを供給する成膜抑制処理ガス供給機構と、を具備した重合膜を成膜する成膜装置であって、上記第２の態様に係る成膜装置の環境維持方法を実施する。   A film forming apparatus according to a third aspect of the present invention contains a processing object, a processing chamber for performing a film forming process of a polymerized film on the stored processing object, and a first chamber in the processing chamber. A polymerization film raw material gas supply mechanism for supplying a gas containing a monomer and a gas containing a second monomer different from the first monomer, and a film formation suppressing treatment gas containing a film formation inhibitor in the processing chamber A film formation apparatus for forming a polymer film having a film formation suppression processing gas supply mechanism to be supplied, wherein the environmental maintenance method of the film formation apparatus according to the second aspect is implemented.

この発明の第４の態様に係る電子製品の製造方法は、被処理体上に、重合膜を成膜する工程を備えた電子製品の製造方法であって、（１）前記被処理体の、前記重合膜を成膜させたくない成膜抑制領域に、成膜抑制剤を含む成膜抑制処理ガスを供給し、前記成膜抑制領域に対して、前記重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を施す工程と、（２）前記成膜抑制処理が施された前記被処理体に、第１のモノマーを含むガスと、前記第１のモノマーとは異なる第２のモノマーを含むガスとを供給し、前記第１のモノマーと前記第２のモノマーとを重合反応させ、前記被処理体上の選ばれた領域上に前記重合膜を選択的に成膜する工程とを具備する。   An electronic product manufacturing method according to a fourth aspect of the present invention is an electronic product manufacturing method including a step of forming a polymer film on an object to be processed, and (1) of the object to be processed, A film formation suppression process gas containing a film formation inhibitor is supplied to a film formation suppression area where the polymer film is not desired to be formed, and the film formation of the polymerization film is suppressed with respect to the film formation suppression area. A step of performing a suppression process; and (2) a gas including a first monomer and a gas including a second monomer different from the first monomer in the target object subjected to the film formation suppression process. And the step of polymerizing the first monomer and the second monomer to selectively form the polymerized film on a selected region on the object to be processed.

この発明によれば、成膜させたくないところには成膜せず、成膜させたいところにのみ、重合膜を選択的に成膜させることが可能な重合膜の成膜方法、その成膜方法を利用した成膜装置の環境維持方法、その環境維持方法を実施することが可能な成膜装置、並びに上記成膜方法を利用した電子製品の製造方法を提供できる。   According to the present invention, a method for forming a polymerized film capable of selectively forming a polymerized film only where it is desired to form a film without forming a film where it is not desired to form a film, and the film formation thereof It is possible to provide a method for maintaining an environment of a film forming apparatus using the method, a film forming apparatus capable of performing the environment maintaining method, and a method for manufacturing an electronic product using the film forming method.

前処理無しの場合の被処理体上への重合膜の成膜状況を示した図面代用写真Photo substitute for drawing showing the state of film formation on the workpiece without pretreatment ＡＤＰガスで前処理した場合の被処理体上への重合膜の成膜状況を示した図面代用写真Photo in place of a drawing showing the state of polymerized film formation on the object to be processed when pretreated with ADP gas ＨＭＤＳガスで前処理した場合の被処理体上への重合膜の成膜状況を示した図面代用写真Photo substitute for drawing showing the film formation state of polymer film on the object to be processed when pre-treated with HMDS gas ＴＭＳＤＭＡガスで前処理した場合の被処理体上への重合膜の成膜状況を示した図面代用写真Photo substitute for drawing showing the state of film formation of the polymer film on the object to be processed when pre-treated with TMSDMA gas 蒸着重合法によるポリイミド薄膜の成膜プロセスを概略的に示した断面図で、（Ａ）図は前処理無し、（Ｂ）図はＴＭＳＤＭＡによる前処理有りの場合を示す断面図FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a process for forming a polyimide thin film by vapor deposition polymerization, where FIG. (A) shows no pretreatment and FIG. (B) shows a case where pretreatment by TMSDMA is performed. この発明の第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法の一例を概略的に示す流れ図1 is a flowchart schematically showing an example of a method for forming a polymer film according to the first embodiment of the present invention. （Ａ）図〜（Ｃ）図は第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法の一例の主要な工程を概略的に示す断面図FIGS. 1A to 1C are cross-sectional views schematically showing main steps of an example of a method for forming a polymerized film according to the first embodiment. この発明の第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法に好適な裏面処理装置の一例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows roughly an example of the back surface processing apparatus suitable for the film-forming method of the polymeric film which concerns on 1st Embodiment of this invention （Ａ）図は縦型バッチ式成膜装置に使用されるボート上の被処理体を示す平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図中の６Ｂ−６Ｂ線に沿う断面図(A) The figure is a top view which shows the to-be-processed object on the boat used for a vertical batch type film-forming apparatus, (B) A figure is sectional drawing which follows the 6B-6B line in (A) figure. この発明の第２の実施形態に係る重合膜の成膜方法の一例を概略的に示す流れ図Flow chart schematically showing an example of a method for forming a polymer film according to the second embodiment of the present invention （Ａ）図〜（Ｃ）図は第２の実施形態に係る重合膜の成膜方法の一例の主要な工程を概略的に示す断面図FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views schematically showing main steps of an example of a method for forming a polymerized film according to the second embodiment. この発明の第２の実施形態に係る重合膜の成膜方法に好適な表裏面処理装置の一例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows roughly an example of the front-and-back processing apparatus suitable for the film-forming method of the polymeric film which concerns on 2nd Embodiment of this invention この発明の第３の実施形態に係る成膜装置の一例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows roughly an example of the film-forming apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention 図１０に示す成膜装置に対して成膜抑制処理を施している状態を示す断面図Sectional drawing which shows the state which is performing the film-forming suppression process with respect to the film-forming apparatus shown in FIG. （Ａ）図〜（Ｏ）図は重合膜の成膜を抑制する成膜抑制剤として利用可能な材料例を示す図(A) to (O) are diagrams showing examples of materials that can be used as a film formation inhibitor that suppresses the formation of a polymer film.

実施形態の説明に先立ち、本願発明者らが得た新しい知見を説明する。   Prior to the description of the embodiments, new knowledge obtained by the inventors of the present application will be described.

本願発明者らは、蒸着重合法を用いて被処理体上に重合膜を成膜する前、被処理体表面を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガスや、トリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）ガスを用いて前処理しておくと、被処理体の表面上への重合膜の成膜が抑制される、もしくは被処理体の表面上に重合膜が成膜されない、という現象を見いだした。   The inventors of the present application use hexamethyldisilazane (HMDS) gas or trimethylsilyldimethylamine (TMSDMA) gas on the surface of the object before forming a polymer film on the object by vapor deposition polymerization. In other words, it has been found that when the pretreatment is performed, the formation of the polymer film on the surface of the object to be processed is suppressed, or the polymer film is not formed on the surface of the object to be processed.

図１Ａ〜図１Ｄは、被処理体上への重合膜の成膜状況を示した図面代用写真である。   1A to 1D are photographs, which substitute for a drawing, showing a film formation state of a polymer film on an object to be processed.

＜蒸着重合の成膜条件＞
図１Ａ〜図１Ｄに示す結果は、蒸着重合法を用いて、シリコンウエハ上に、重合膜としてポリイミド薄膜を成膜した場合を示している。ポリイミド薄膜の原料としては、モノマーＡとしてピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ：Ｃ１０Ｈ２Ｏ６）、モノマーＢとして４，４´−オキシジアニリン（ＯＤＡ：Ｃ１２Ｈ１２Ｎ２Ｏ）を用い、これらを別々の溶媒に溶かし、さらにそれぞれ気化させたものをプリミックスしてから成膜装置の処理室内に供給した。ポリイミド薄膜の成膜条件の一例は、次の通りである。
ＰＭＤＡ流 量： ５０ｓｃｃｍ
ＯＤＡ 流 量： ５０ｓｃｃｍ
成 膜 圧 力： ２６．６Ｐａ（０．２Ｔｏｒｒ：なお、本明細書においては１Ｔｏｒｒを１３３Ｐａとする）
成 膜 温 度： ２００℃
成 膜 時 間： ８ｍｉｎ
キュア 温 度： ２００℃
キュア 時 間： ３０ｍｉｎ <Deposition conditions for vapor deposition polymerization>
The results shown in FIG. 1A to FIG. 1D show the case where a polyimide thin film is formed as a polymer film on a silicon wafer using the vapor deposition polymerization method. As raw materials for the polyimide thin film, pyromellitic dianhydride (PMDA: C 10 H 2 O 6 ) is used as monomer A, and 4,4′-oxydianiline (ODA: C 12 H 12 N 2 O) is used as monomer B. These were dissolved in separate solvents, and the vaporized materials were premixed before being supplied into the processing chamber of the film forming apparatus. An example of the conditions for forming the polyimide thin film is as follows.
PMDA flow rate: 50sccm
ODA flow rate: 50sccm
Deposition pressure: 26.6 Pa (0.2 Torr: In this specification, 1 Torr is 133 Pa)
Deposition temperature: 200 ° C
Deposition time: 8 min
Cure temperature: 200 ℃
Cure time: 30min

＜前処理無し＞
まず、図１Ａに示すように、前処理をしなかった場合には、上記処理条件にて成膜処理をすることにより、シリコンウエハ上にはポリイミド薄膜が膜状に成膜される。 <No pretreatment>
First, as shown in FIG. 1A, when the pretreatment is not performed, a polyimide thin film is formed in a film shape on the silicon wafer by performing a film forming process under the above processing conditions.

＜エポキシ基を含むオルガノシランガスによる前処理有り＞
次に、図１Ｂに示すように、前処理として、オルガノシランガス、例えば、エポキシ基を含む３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＡＤＰ）ガスを用い、以下の処理条件で前処理した場合には、シリコンウエハ上には、前処理をしなかった場合と同様に、ポリイミド薄膜が膜状に成膜される。なお、エポキシ基を含むＡＤＰガスは、無機材料の下地（例えば、シリコンやシリコン酸化物膜）と、有機材料の膜（例えば、ポリイミド膜）との密着性を改善するシランカップリング剤としても知られているガスである。
処 理 圧 力： ６００〜７６０Ｐａ（４．５〜５．７Ｔｏｒｒ）
処 理 温 度： １００〜１５０℃
処 理 時 間： ５〜１０ｍｉｎ <Pretreatment with organosilane gas containing epoxy group>
Next, as shown in FIG. 1B, when pretreatment is performed under the following treatment conditions using organosilane gas, for example, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (ADP) gas containing an epoxy group, as pretreatment. A polyimide thin film is formed on the silicon wafer in the same manner as when no pretreatment is performed. An ADP gas containing an epoxy group is also known as a silane coupling agent for improving adhesion between an inorganic material base (for example, silicon or silicon oxide film) and an organic material film (for example, polyimide film). Gas.
Processing pressure: 600 to 760 Pa (4.5 to 5.7 Torr)
Processing temperature: 100-150 ° C
Processing time: 5-10min

＜メチル基を含むオルガノシラザンガスによる前処理有り＞
次に、図１Ｃに示すように、前処理として、オルガノシラザンガス、例えば、メチル基を含むヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガスを用い、以下の条件で前処理した場合には、シリコンウエハ上に、ポリイミド薄膜が膜状ではなく、島状に成膜されるようになる。
処 理 圧 力： １３３０〜１３３００Ｐａ（１０〜１００Ｔｏｒｒ）
処 理 温 度： ５０〜２００℃
処 理 時 間： １〜１０ｍｉｎ
これは、シリコンウエハの表面に、メチル基を含むオルガノシラザンガスによる被膜が形成されることで、ポリイミド薄膜の成膜が抑制されたもの、と考えることができる。 <Pre-treatment with organosilazane gas containing methyl group>
Next, as shown in FIG. 1C, an organosilazane gas, for example, hexamethyldisilazane (HMDS) gas containing a methyl group, is used as a pretreatment. The polyimide thin film is formed in an island shape instead of a film shape.
Processing pressure: 1330 to 13300 Pa (10 to 100 Torr)
Processing temperature: 50-200 ° C
Processing time: 1-10min
This can be considered that the film formation of the polyimide thin film was suppressed by forming the film by the organosilazane gas containing a methyl group on the surface of a silicon wafer.

＜メチル基を含むアミン系シランガスによる前処理有り＞
次に、図１Ｄに示すように、アミン系シランガス、例えば、メチル基を含むトリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）ガスを用い、以下の条件で前処理した場合には、シリコンウエハ上には、ポリイミド薄膜が成膜されない。
処 理 圧 力 ： １３３０〜１３３００Ｐａ（１０〜１００Ｔｏｒｒ）
処 理 温 度 ： ５０〜２００℃
処 理 時 間 ： １〜１０ｍｉｎ
これもまた、シリコンウエハの表面に、メチル基を含むアミン系シランガスによる被膜が形成されることで、ポリイミド薄膜の成膜が抑制されたもの、と考えることができる。 <Pretreatment with amine-based silane gas containing methyl group>
Next, as shown in FIG. 1D, when an amine-based silane gas, for example, a trimethylsilyldimethylamine (TMSDMA) gas containing a methyl group is used and pretreated under the following conditions, a polyimide thin film is formed on the silicon wafer. No film is formed.
Processing pressure: 1330 to 13300 Pa (10 to 100 Torr)
Processing temperature: 50-200 ° C
Processing time: 1-10min
It can also be considered that the film formation of the polyimide thin film is suppressed by forming a film with an amine-based silane gas containing a methyl group on the surface of the silicon wafer.

＜成膜プロセスの考察＞
図２は蒸着重合法によるポリイミド薄膜の成膜プロセスを概略的に示した断面図で、（Ａ）図は前処理無し、（Ｂ）図はＴＭＳＤＭＡによる前処理有りの場合を示す。 <Consideration of deposition process>
2A and 2B are cross-sectional views schematically showing a process for forming a polyimide thin film by vapor deposition polymerization. FIG. 2A shows a case without pretreatment, and FIG. 2B shows a case with pretreatment by TMSDMA.

蒸着重合法では、被処理体の表面上に滞在しているモノマーＡもしくはモノマーＢに、モノマーＢもしくはモノマーＡが接触することで重合反応がおき、被処理体の表面上に重合膜が形成されていく。   In the vapor deposition polymerization method, the monomer B or the monomer A stays on the surface of the object to be processed and the monomer B or the monomer A comes into contact with the monomer B or the monomer A to form a polymer film on the surface of the object to be processed. To go.

図２Ａに示すように、シリコンウエハＷの表面を前処理しなかった場合、シリコンウエハＷの表面が、モノマーＡもしくはモノマーＢが長く滞在できる環境になっている、と推測される。このため、シリコンウエハＷの表面上において、モノマーＡとモノマーＢとが出会う確率が高くなり、モノマーＡとモノマーＢとの重合反応がシリコンウエハＷの表面上で起こり、モノマーＡとモノマーＢとが重合反応することで重合膜、例えば、ポリイミド薄膜ＰＩが成膜される。なお、エポキシ基を含むオルガノシランガスを用いて前処理した場合にも、同様にして重合膜が成膜される。   As shown in FIG. 2A, when the surface of the silicon wafer W is not pretreated, it is estimated that the surface of the silicon wafer W is in an environment where the monomer A or the monomer B can stay for a long time. For this reason, the probability that the monomer A and the monomer B meet on the surface of the silicon wafer W is increased, the polymerization reaction of the monomer A and the monomer B occurs on the surface of the silicon wafer W, and the monomer A and the monomer B are A polymerized film, for example, a polyimide thin film PI is formed by the polymerization reaction. Even when pretreatment is performed using an organosilane gas containing an epoxy group, a polymerized film is formed in the same manner.

これに対して、図２Ｂに示すように、シリコンウエハＷの表面を、例えば、メチル基を含むアミン系シランガスを用いて前処理すると、シリコンウエハＷの表面に成膜抑制被膜１が形成される。成膜抑制被膜１の表面ではモノマーＡもしくはモノマーＢの少なくともどちらか一方が長く滞在することができない、もしくは滞在できない環境になっていると推測される。このようにシリコンウエハＷの表面の環境を変化させると、シリコンウエハＷの表面上において、モノマーＡとモノマーＢとが出会う確率が低くなる。これにより、シリコンウエハＷの表面上には、重合膜、例えば、ポリイミド薄膜が成膜され難くなる、もしくは成膜されなくなるもの、と考えられる。なお、メチル基を含むオルガノシラザンガスを用いて前処理した場合にも、同様な重合膜の成膜抑制現象がおきる。   On the other hand, as shown in FIG. 2B, when the surface of the silicon wafer W is pretreated using, for example, an amine-based silane gas containing a methyl group, a film formation suppressing film 1 is formed on the surface of the silicon wafer W. . It is presumed that at least one of the monomer A and the monomer B cannot stay for a long time or cannot stay on the surface of the film formation suppressing film 1. When the environment of the surface of the silicon wafer W is changed in this way, the probability that the monomer A and the monomer B meet on the surface of the silicon wafer W is lowered. Thereby, it is considered that a polymerized film, for example, a polyimide thin film is difficult to be formed on the surface of the silicon wafer W or is not formed. Even when pretreatment is performed using an organosilazane gas containing a methyl group, a similar film formation suppression phenomenon occurs.

このような知見に基づき、本願発明者らは、重合膜を成膜させたくない領域には重合膜を成膜させず、重合膜を成膜したい領域にのみ、選択的に重合膜を成膜することが可能な重合膜の成膜方法を完成させた。   Based on such knowledge, the inventors of the present application do not form a polymer film in a region where a polymer film is not desired to be deposited, but selectively forms a polymer film only in a region where a polymer film is desired to be deposited. A method for forming a polymerized film that can be performed has been completed.

以下、この発明の実施形態のいくつかを、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。   Several embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that common parts are denoted by common reference numerals throughout the drawings.

（第１の実施形態）
［重合膜の成膜方法］
蒸着重合法はドライ処理であり、微細な領域に原料モノマーを供給できることから、ウェット処理に比較して成膜性に優れている。この観点から、蒸着重合法を用いて形成した重合膜、例えば、ポリイミド薄膜は、半導体集積回路装置における、例えば、深く、かつアスペクト比も高いヴィアやトレンチの側壁に形成される側壁絶縁膜の材料の有力な候補の一つとなっている。 (First embodiment)
[Method of forming polymerized film]
The vapor deposition polymerization method is a dry process, and can supply the raw material monomer to a fine region, so that the film forming property is superior to the wet process. From this point of view, a polymer film formed using a vapor deposition polymerization method, for example, a polyimide thin film, is a material of a sidewall insulating film formed on a sidewall of a via or a trench having a high aspect ratio, for example, in a semiconductor integrated circuit device. Has become one of the leading candidates.

しかしながら、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、ポリイミド薄膜のような重合膜は敬遠されがちな材料でもある。これは、裏面に重合膜が付着した、あるいは成膜された半導体ウエハを半導体製造装置の処理室内に搬入してしまうと、例えば、重合膜が有機材料であった場合には、処理室の内部を有機物によって汚染してしまう可能性があるからである。また、そのような半導体ウエハを処理室内に設置されたステージヒーター等に載せて加熱した場合には、ステージ面に重合膜が転写され、ステージ面を焼けつかせてしまう可能性もある。   However, in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, a polymer film such as a polyimide thin film is a material that is often avoided. This is because when a polymer wafer is deposited on the back surface or a semiconductor wafer on which a film is formed is carried into a processing chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, for example, when the polymer film is an organic material, This is because there is a possibility of contamination with organic matter. Further, when such a semiconductor wafer is heated by being placed on a stage heater or the like installed in the processing chamber, there is a possibility that the polymer film is transferred to the stage surface and the stage surface is burnt.

これらのような事情から、裏面に付着した、あるいは成膜された重合膜は除去されなければならない。しかし、重合膜、例えば、ポリイミド薄膜は耐薬品性が強く、化学的な薬品処理のみでポリイミド薄膜を除去することは困難である。このため、ポリイミド薄膜を除去するためには、例えば、紫外線等のエネルギーを持つ電磁波を照射してポリイミド薄膜を変質させる変質処理を含めたり、あるいは機械的な研磨処理を含めたりしながら除去することも必要になってくる。このため、相応の工程数と、相応の除去時間とが必要になってくる。   For these reasons, the polymerized film adhered to the back surface or deposited must be removed. However, a polymerized film, for example, a polyimide thin film has strong chemical resistance, and it is difficult to remove the polyimide thin film only by chemical chemical treatment. For this reason, in order to remove the polyimide thin film, for example, it is necessary to remove the polyimide thin film by including an alteration process that alters the polyimide thin film by irradiating electromagnetic waves having energy such as ultraviolet rays, or including a mechanical polishing process. Will also be needed. For this reason, a corresponding number of steps and a corresponding removal time are required.

このような事情に基づき、第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法は、重合膜を成膜させたくない領域については重合膜の成膜を抑制し、重合膜を成膜させたい領域については、重合膜を選択的に成膜する。   Based on such circumstances, the method for forming the polymer film according to the first embodiment suppresses the formation of the polymer film for the region where the polymer film is not desired to be formed, and the region where the polymer film is desired to be formed. As for the above, a polymerized film is selectively formed.

図３は、この発明の第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法の一例を概略的に示す流れ図、図４Ａ〜図４Ｃはその主要な工程を概略的に示す断面図である。   FIG. 3 is a flow chart schematically showing an example of a method for forming a polymer film according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views schematically showing main steps thereof.

まず、図３のステップ１および図４Ａに示すように、被処理体を準備する。被処理体の一例は、シリコンウエハＷである。   First, as shown in Step 1 of FIG. 3 and FIG. 4A, an object to be processed is prepared. An example of the object to be processed is a silicon wafer W.

次に、図３のステップ２および図４Ｂに示すように、シリコンウエハＷ（被処理体）の重合膜を成膜させたくない成膜抑制領域に対して、重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を施す。本例においては、成膜抑制領域はシリコンウエハＷの裏面であり、ここに成膜抑制処理を施す。成膜抑制処理の一例は、成膜抑制処理ガスとして、メチル基を含むトリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）ガスを用い、このＴＭＳＤＭＡガスをシリコンウエハＷの裏面に供給する。処理条件の一例は、次の通りである。
処 理 圧 力 ： １３３０〜１３３００Ｐａ（１０〜１００Ｔｏｒｒ）
処 理 温 度 ： ５０〜２００℃
処 理 時 間 ： １〜１０ｍｉｎ
これにより、シリコンウエハＷの裏面には、ＴＭＳＤＭＡガスによる成膜抑制被膜１が形成される。 Next, as shown in step 2 of FIG. 3 and FIG. 4B, the formation of the polymer film is suppressed for the film formation suppression region where the polymer film of the silicon wafer W (object to be processed) is not desired to be formed. A film suppression process is performed. In this example, the film formation suppression region is the back surface of the silicon wafer W, and a film formation suppression process is performed here. As an example of the film formation suppression process, trimethylsilyldimethylamine (TMSDMA) gas containing a methyl group is used as the film formation suppression process gas, and this TMSDMA gas is supplied to the back surface of the silicon wafer W. An example of the processing conditions is as follows.
Processing pressure: 1330 to 13300 Pa (10 to 100 Torr)
Processing temperature: 50-200 ° C
Processing time: 1-10min
Thereby, the film formation suppression film 1 by TMSDMA gas is formed on the back surface of the silicon wafer W.

次に、図３のステップ３および図４Ｃに示すように、第１のモノマーと第２のモノマーとを重合反応させ、シリコンウエハＷ（被処理体）上の選ばれた領域上に重合膜を選択的に成膜する。本例においては、選ばれた領域とはシリコンウエハＷの裏面に相対する被処理面であり、ここに重合膜を選択的に成膜する。重合膜の一例は、ポリイミド薄膜である。成膜手法の一例は、ポリイミド薄膜の原料として、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ：Ｃ１０Ｈ２Ｏ６：モノマーＡ）、および４，４´−オキシジアニリン（ＯＤＡ：Ｃ１２Ｈ１２Ｎ２Ｏ：モノマーＢ）を用い、蒸着重合法にて、ポリイミド薄膜を成膜する。具体的には、モノマーＡ、およびモノマーＢをそれぞれ気化させたものをプリミックスした後、成膜装置の処理室内に供給する。成膜条件の一例は、次の通りである。
ＰＭＤＡ流 量： ５０ｓｃｃｍ
ＯＤＡ 流 量： ５０ｓｃｃｍ
成 膜 圧 力： ２６．６Ｐａ（０．２Ｔｏｒｒ）
成 膜 温 度： ２００℃
成 膜 時 間： ８ｍｉｎ
キュア 温 度： ２００℃
キュア 時 間： ３０ｍｉｎ Next, as shown in Step 3 of FIG. 3 and FIG. 4C, the first monomer and the second monomer are polymerized to form a polymerized film on a selected region on the silicon wafer W (object to be processed). A film is selectively formed. In this example, the selected region is a surface to be processed opposite to the back surface of the silicon wafer W, and a polymer film is selectively formed thereon. An example of the polymerized film is a polyimide thin film. As an example of the film formation method, pyromellitic dianhydride (PMDA: C 10 H 2 O 6 : monomer A) and 4,4′-oxydianiline (ODA: C 12 H 12 N) are used as raw materials for the polyimide thin film. A polyimide thin film is formed by vapor deposition polymerization using 2 O: monomer B). Specifically, the vaporized monomers A and B are premixed and then supplied into the processing chamber of the film forming apparatus. An example of the film forming conditions is as follows.
PMDA flow rate: 50sccm
ODA flow rate: 50sccm
Deposition pressure: 26.6 Pa (0.2 Torr)
Deposition temperature: 200 ° C
Deposition time: 8 min
Cure temperature: 200 ℃
Cure time: 30min

これにより、シリコンウエハＷの被処理面に、重合膜としてポリイミド薄膜２が選択的に成膜される。   Thereby, the polyimide thin film 2 is selectively formed on the surface to be processed of the silicon wafer W as a polymerization film.

このように、第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法によれば、シリコンウエハＷの裏面に成膜抑制被膜１を形成しておくことで、ポリイミド薄膜２を、蒸着重合法によってシリコンウエハＷの被処理面のみに選択的に成膜することができる。よって、シリコンウエハＷの裏面からポリイミド薄膜２を除去する工程を省略することができ、電子製品、例えば、半導体集積回路装置の製造に際し、そのスループットを向上させることができる、という利点を得ることができる。   As described above, according to the method for forming a polymer film according to the first embodiment, by forming the film formation suppressing film 1 on the back surface of the silicon wafer W, the polyimide thin film 2 can be formed by a vapor deposition polymerization method. A film can be selectively formed only on the processing surface of the wafer W. Therefore, the step of removing the polyimide thin film 2 from the back surface of the silicon wafer W can be omitted, and the advantage that the throughput can be improved when manufacturing an electronic product, for example, a semiconductor integrated circuit device. it can.

さらに、ポリイミド薄膜２を除去する除去装置を用意しておく必要もないことから、製造工場内において必要な装置の台数も削減でき、電子製品、例えば、半導体集積回路装置にかかる製造コストの削減についても同時に図ることが可能である。   Further, since it is not necessary to prepare a removing device for removing the polyimide thin film 2, the number of necessary devices in the manufacturing factory can be reduced, and the manufacturing cost for electronic products, for example, semiconductor integrated circuit devices can be reduced. Can also be achieved at the same time.

なお、第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法において、シリコンウエハＷの裏面に、たとえポリイミド薄膜２が成膜された場合であっても、成膜されたポリイミド薄膜２は、図１Ｃに示したように島状に点在する微細なものにできる。このため、ポリイミド薄膜２を除去する工程は、裏面にポリイミド薄膜２が層状に厚く成膜されてしまう従来に比較して、より簡単にすることが可能である。ポリイミド薄膜２を除去する工程が簡単になれば、従来に比較して、電子製品、例えば、半導体集積回路装置の製造に際し、そのスループット等を向上させることが可能である。   In the polymer film forming method according to the first embodiment, even when the polyimide thin film 2 is formed on the back surface of the silicon wafer W, the formed polyimide thin film 2 is formed as shown in FIG. As shown in Fig. 4, it can be made minute, scattered in islands. For this reason, the process of removing the polyimide thin film 2 can be simplified as compared with the conventional method in which the polyimide thin film 2 is thickly formed on the back surface. If the process of removing the polyimide thin film 2 is simplified, it is possible to improve the throughput and the like when manufacturing an electronic product, for example, a semiconductor integrated circuit device, as compared with the conventional case.

このように、第１の実施形態によれば、成膜させたくないところには成膜せず、成膜させたいところにのみ、重合膜を選択的に成膜させることが可能な重合膜の成膜方法を得ることができる。   As described above, according to the first embodiment, the polymer film that can selectively form the polymer film only in the place where the film is not formed, and the film is not formed in the place where the film is not desired is formed. A film forming method can be obtained.

このような重合膜の成膜方法は、電子製品の製造方法、例えば、半導体集積回路装置やフラットパネルディスプレイの製造方法に有効に適用することができる。   Such a method for forming a polymerized film can be effectively applied to a method for manufacturing an electronic product, for example, a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device or a flat panel display.

［裏面処理装置］
次に、被処理体の裏面に対してのみ選択的に成膜抑制処理を施すことが可能であり、この発明の第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法の実施に好適である裏面処理装置の一例を説明する。 [Back treatment equipment]
Next, it is possible to selectively perform the film formation suppressing process only on the back surface of the object to be processed, and the back surface is suitable for carrying out the method for forming a polymer film according to the first embodiment of the present invention. An example of the processing apparatus will be described.

図５は、この発明の第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法に好適な裏面処理装置の一例を概略的に示す断面図である。なお、図５において、被処理体を加熱する加熱機構等の図示は省略している。   FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of a back surface treatment apparatus suitable for the method for forming a polymer film according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 5, illustration of a heating mechanism for heating the object to be processed is omitted.

図５に示すように、裏面処理装置１００は、被処理体、例えば、シリコンウエハＷを収容する処理室１０１を備えている。処理室１０１の底部には、シリコンウエハＷを支持する支持部１０２が設けられている。本例の支持部１０２は、シリコンウエハＷのエッジを、例えば、水平に支持する。支持部１０２は、処理室１０１内の空間を、被処理面側空間１０３と、裏面側空間１０４との２つの空間に分離する。   As shown in FIG. 5, the back surface processing apparatus 100 includes a processing chamber 101 that accommodates an object to be processed, for example, a silicon wafer W. A support part 102 that supports the silicon wafer W is provided at the bottom of the processing chamber 101. The support part 102 of this example supports the edge of the silicon wafer W horizontally, for example. The support unit 102 divides the space in the processing chamber 101 into two spaces, that is, a processing surface side space 103 and a back surface side space 104.

処理室１０１の側壁には、不活性ガス供給管１０５と、シリコンウエハＷの裏面に対して成膜抑制処理ガスを供給する成膜抑制処理ガス供給管１０６とが設けられている。   An inert gas supply pipe 105 and a film formation suppression processing gas supply pipe 106 for supplying a film formation suppression processing gas to the back surface of the silicon wafer W are provided on the side wall of the processing chamber 101.

不活性ガス供給管１０５は不活性ガス供給機構１０７に接続されている。不活性ガス供給機構１０７は、窒素ガス等の不活性ガスの供給源となる不活性ガス供給源１０８を備えている。不活性ガス供給源１０８から供給された不活性ガスは、不活性ガス供給管１０５を介して被処理面側空間１０３に吐出される。これにより、被処理面側空間１０３内において、シリコンウエハＷの被処理面に対して不活性ガスが供給される。被処理面側空間１０３内に供給された不活性ガスは、被処理面側空間１０３に接続された排気管１０９を介して、被処理面側空間１０３から排気される。   The inert gas supply pipe 105 is connected to an inert gas supply mechanism 107. The inert gas supply mechanism 107 includes an inert gas supply source 108 serving as a supply source of an inert gas such as nitrogen gas. The inert gas supplied from the inert gas supply source 108 is discharged to the processing surface side space 103 through the inert gas supply pipe 105. Thereby, the inert gas is supplied to the processing surface of the silicon wafer W in the processing surface side space 103. The inert gas supplied into the processing surface side space 103 is exhausted from the processing surface side space 103 via an exhaust pipe 109 connected to the processing surface side space 103.

成膜抑制処理ガス供給管１０６は、成膜抑制処理ガス供給機構１１０に接続されている。成膜抑制処理ガス供給機構１１０は、例えば、ＴＭＳＤＭＡ等の成膜抑制剤の供給源となる成膜抑制剤供給源１１１、および成膜抑制剤を気化させる気化器１１２を備えている。成膜抑制剤供給源１１１には、液状の、もしくは溶媒に溶かされた成膜抑制剤が格納されている。液状の、もしくは溶媒に溶かされた成膜抑制剤は、気化器１１２に送給される。気化器１１２は、送給された成膜抑制剤を気化させて成膜抑制処理ガスとする。成膜抑制処理ガスは、成膜抑制処理ガス供給管１０６を介して裏面側空間１０４に吐出される。   The film formation suppression processing gas supply pipe 106 is connected to the film formation suppression processing gas supply mechanism 110. The film formation suppression processing gas supply mechanism 110 includes, for example, a film formation inhibitor supply source 111 that is a supply source of a film formation inhibitor such as TMSDMA, and a vaporizer 112 that vaporizes the film formation inhibitor. The film formation inhibitor supply source 111 stores a liquid film formation inhibitor dissolved in a solvent. The film formation inhibitor, which is liquid or dissolved in a solvent, is sent to the vaporizer 112. The vaporizer 112 vaporizes the supplied film formation inhibitor to obtain a film formation suppression process gas. The film formation suppression process gas is discharged to the back surface side space 104 through the film formation suppression process gas supply pipe 106.

これにより、裏面側空間１０４内に成膜抑制処理ガスが供給され、裏面側空間１０４内において、シリコンウエハＷの裏面に対してのみ成膜抑制処理を施すことができる。裏面側空間１０４内に供給された成膜抑制ガスは、裏面側空間１０４に接続された排気管１１３を介して裏面側空間１０４から排気される。   Thereby, the film formation suppression processing gas is supplied into the back surface side space 104, and the film formation suppression processing can be performed only on the back surface of the silicon wafer W in the back surface side space 104. The film formation suppression gas supplied into the back side space 104 is exhausted from the back side space 104 via the exhaust pipe 113 connected to the back side space 104.

また、処理室１０１の側壁には、シリコンウエハＷを処理室１０１の内部に搬入出する搬入出口１１４が設けられている。搬入出口１１４はゲートバルブ１１５により開閉可能とされている。   Further, a loading / unloading port 114 for loading / unloading the silicon wafer W into / from the processing chamber 101 is provided on the side wall of the processing chamber 101. The loading / unloading port 114 can be opened and closed by a gate valve 115.

このような裏面処理装置１００によれば、シリコンウエハＷのエッジを水平に支持しつつ、シリコンウエハＷを利用しながら、処理室１０１内の空間を、被処理面側空間１０３と裏面側空間１０４との２つの空間に分離する支持部１０２を備えている。   According to such a back surface processing apparatus 100, while supporting the edge of the silicon wafer W horizontally and using the silicon wafer W, the space in the processing chamber 101 is divided into the processing surface side space 103 and the back surface side space 104. And a support portion 102 that is separated into two spaces.

このように被処理面側空間１０３と裏面側空間１０４との２つの空間に分離することで、裏面処理装置１００は、裏面側空間１０４に対してのみ成膜抑制処理ガスを選択的に供給することができ、シリコンウエハＷの裏面に対してのみ選択的に成膜抑制処理を施すことが可能である。   As described above, the back surface processing apparatus 100 selectively supplies the film formation suppression processing gas only to the back surface side space 104 by separating the space into the two surfaces of the processing surface side space 103 and the back surface side space 104. It is possible to selectively perform the film formation suppressing process only on the back surface of the silicon wafer W.

したがって、裏面処理装置１００は、この発明の第１の実施形態に係る重合膜の成膜方法の実施に好適、特に、図３のステップ２に示した成膜抑制処理に好適に利用することができる。   Therefore, the back surface processing apparatus 100 is preferably used for the execution of the method for forming a polymer film according to the first embodiment of the present invention, and particularly preferably used for the film formation suppressing process shown in Step 2 of FIG. it can.

［好適な成膜処理の形態］
成膜処理の形態は、枚葉式とバッチ式とに大別される。この発明の実施形態に係る重合膜の成膜方法は、枚葉式、バッチ式のいずれにも対応することができる。 [Preferred film forming process]
The form of the film forming process is roughly divided into a single wafer type and a batch type. The method for forming a polymer film according to an embodiment of the present invention can be applied to either a single wafer type or a batch type.

しかしながら、この発明の実施形態に係る重合膜の成膜方法は、バッチ式、特に、被処理体を、ボート上に、高さ方向に複数枚積み重ねて成膜処理を行う縦型バッチ式成膜装置において、特に有効である。   However, the method for forming a polymerized film according to an embodiment of the present invention is a batch type, and in particular, a vertical batch type film forming method in which a plurality of objects to be processed are stacked in a height direction on a boat to form a film. This is particularly effective in the apparatus.

図６Ａは縦型バッチ式成膜装置に使用されるボート上の被処理体を示す平面図、図６Ｂは図６Ａ中の６Ｂ−６Ｂ線に沿う断面図である。   6A is a plan view showing an object to be processed on a boat used in a vertical batch type film forming apparatus, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line 6B-6B in FIG. 6A.

図６Ａおよび図６Ｂに示すように、縦型バッチ式成膜装置においては、複数枚の被処理体、例えば、複数枚のシリコンウエハＷを、ボート１５０上に、高さ方向に複数枚積み重ねた状態で、成膜処理を行う処理室の内部に収容される。ボート１５０は、回転可能な図示せぬテーブルの上に保温筒などを介して配置され、テーブルとともに回転される。成膜処理に際しては、ボート１５０ごとシリコンウエハＷを回転させた状態で、処理室内において、高さ方向に、例えば、垂直に延びるインジェクタ１５１から、成膜処理ガスを処理室の内部に吐出する。蒸着重合法による成膜処理であった場合、モノマーＡ（ＰＭＤＡ）とモノマーＢ（ＯＤＡ）とは、例えば、インジェクタ１５１の内部に設けられたプリミックス空間１５２内においてプリミックスする。そして、モノマーＡとモノマーＢとをプリミックスした成膜処理ガスを、インジェクタ１５１に設けられた複数の吐出孔１５３を介して、処理室の内部に、例えば、水平方向に吐出される。   As shown in FIGS. 6A and 6B, in the vertical batch type film forming apparatus, a plurality of objects to be processed, for example, a plurality of silicon wafers W, are stacked on the boat 150 in the height direction. In this state, the film is accommodated in a processing chamber for performing a film forming process. The boat 150 is disposed on a rotatable table (not shown) via a heat insulating cylinder and is rotated together with the table. During the film formation process, the film processing gas is discharged into the processing chamber from an injector 151 that extends in the height direction, for example, vertically, in the processing chamber while the boat 150 is rotated along with the silicon wafer W. In the case of the film forming process by the vapor deposition polymerization method, the monomer A (PMDA) and the monomer B (ODA) are premixed in, for example, a premix space 152 provided in the injector 151. And the film-forming process gas which premixed the monomer A and the monomer B is discharged into the inside of a process chamber through the several discharge hole 153 provided in the injector 151, for example in a horizontal direction.

ボート１５０は、例えば、石英製である。石英製のボート１５０は、複数本、本例では３本の支柱１５４を有し、支柱１５４には溝１５５が複数形成されている。複数のシリコンウエハＷは、複数の溝１５５によって支持されるようになっている。   The boat 150 is made of, for example, quartz. The quartz boat 150 has a plurality of support posts 154 in this example, and a plurality of grooves 155 are formed in the support posts 154. The plurality of silicon wafers W are supported by the plurality of grooves 155.

このようなボート１５０においては、被処理面および裏面のそれぞれを、露出させた状態で複数のシリコンウエハＷを支持する。このため、成膜処理ガスは、シリコンウエハＷの被処理面だけでなく、裏面にも接触される。つまり、重合膜、例えば、ポリイミド薄膜は、シリコンウエハＷの裏面にも自然と成膜されてしまう状態にある。   In such a boat 150, a plurality of silicon wafers W are supported with the surface to be processed and the back surface exposed. For this reason, the film forming process gas is in contact with not only the surface to be processed of the silicon wafer W but also the back surface. That is, a polymerized film, for example, a polyimide thin film is naturally formed on the back surface of the silicon wafer W.

実施形態に係る重合膜の成膜方法は、重合膜を成膜させたくない領域については重合膜の成膜を抑制し、重合膜を成膜させたい領域については重合膜を選択的に成膜する。   The method for forming a polymer film according to the embodiment suppresses the formation of a polymer film for a region where a polymer film is not desired to be formed, and selectively forms a polymer film for a region where a polymer film is desired to be formed. To do.

したがって、実施形態に係る重合膜の成膜方法を用いて、重合膜を成膜させたくない領域としてシリコンウエハＷの裏面を選び、重合膜を成膜させたい領域として被処理面を選ぶ。このようにすれば、被処理面および裏面のそれぞれを露出させた状態で、複数のシリコンウエハＷをボート１５０上に支持したとしても、シリコンウエハＷのそれぞれにおいて、裏面には重合膜、例えば、ポリイミド薄膜が成膜されることはなく、被処理面にのみ、ポリイミド薄膜を選択的に成膜することができる。   Therefore, using the method for forming a polymer film according to the embodiment, the back surface of the silicon wafer W is selected as a region where the polymer film is not desired to be formed, and the processing surface is selected as a region where the polymer film is desired to be formed. In this way, even if a plurality of silicon wafers W are supported on the boat 150 in a state where each of the processing surface and the back surface is exposed, in each of the silicon wafers W, a polymer film, for example, The polyimide thin film is not formed, and the polyimide thin film can be selectively formed only on the surface to be processed.

したがって、実施形態に係る重合膜の成膜方法は、バッチ式、特に、被処理体を、ボート上に、高さ方向に複数枚積み重ねて成膜処理を行う縦型バッチ式成膜装置において、特に有効である。   Therefore, the method for forming a polymer film according to the embodiment is a batch type, in particular, in a vertical batch type film forming apparatus that performs a film forming process by stacking a plurality of objects to be processed in a height direction on a boat. It is particularly effective.

（第２の実施形態）
［重合膜の成膜方法］
被処理体の被処理面は、特に、電子製品用の被処理体の被処理面は、シリコンやシリコン酸化物膜のような無機材料となっていることが多い。これに対して、重合膜は、例えば、ポリイミド薄膜に代表されるように有機材料である。無機材料上に有機材料からなる薄膜を成膜した場合には、無機材料上に無機材料からなる薄膜を成膜した場合に比較して、密着性が劣ることがしばしばある。 (Second Embodiment)
[Method of forming polymerized film]
In many cases, the surface to be processed of an object to be processed is an inorganic material such as silicon or a silicon oxide film, in particular, the surface to be processed for an electronic product. On the other hand, the polymerized film is an organic material as represented by a polyimide thin film, for example. When a thin film made of an organic material is formed on an inorganic material, adhesion is often inferior compared to a case where a thin film made of an inorganic material is formed on an inorganic material.

このような観点に基づき、第２の実施形態に係る重合膜の成膜方法は、重合膜を成膜させたくない領域については第１の実施形態と同様に重合膜の成膜を抑制し、重合膜を成膜させたい領域については、下地との密着性を促進させつつ、重合膜を成膜する。   Based on such a viewpoint, the method for forming the polymer film according to the second embodiment suppresses the film formation of the polymer film in the same manner as in the first embodiment for the region where the polymer film is not desired to be formed. In the region where the polymer film is to be formed, the polymer film is formed while promoting adhesion with the base.

さらに、第２の実施形態においては、上記重合膜の成膜抑制処理と、上記重合膜の密着性促進処理とを並行して行うことも可能な被処理体の表裏面処理装置を提供する。   Furthermore, in 2nd Embodiment, the front-and-back processing apparatus of the to-be-processed object which can perform the film-forming suppression process of the said polymer film and the adhesion promotion process of the said polymer film in parallel is provided.

図７は、この発明の第２の実施形態に係る重合膜の成膜方法の一例を概略的に示す流れ図、図８Ａ〜図８Ｃはその主要な工程を概略的に示す断面図である。   FIG. 7 is a flowchart schematically showing an example of a method for forming a polymer film according to the second embodiment of the present invention, and FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views schematically showing main steps thereof.

図７および図８Ａ〜８Ｃに示すように、第２の実施形態が第１の実施形態と異なるところは、例えば、重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を施す工程（ステップ２）と、例えば、シリコンウエハＷ（被処理体）の重合膜を成膜させたい被処理領域に対して、重合膜の密着性を促進する密着性促進処理を施す工程（ステップ４）を備えていることである。   As shown in FIG. 7 and FIGS. 8A to 8C, the second embodiment is different from the first embodiment in, for example, a step of performing a film formation suppression process for suppressing the formation of a polymerized film (step 2). For example, a process (step 4) of performing an adhesion promoting process for promoting the adhesion of the polymerized film to the process target region where the polymer film of the silicon wafer W (object to be processed) is to be formed is provided. It is.

例えば、図７および図８Ｂに示すように、ステップ４においては、被処理領域、例えば、シリコンウエハＷの被処理面に対して密着性促進処理を施す。密着性促進処理の一例は、密着性促進処理ガスとして、エポキシ基を含むＡＤＰガスを用い、このＡＤＰガスをシリコンウエハＷの被処理面に供給する。処理条件の一例は、次の通りである。
処 理 圧 力： ６００〜７６０Ｐａ（４．５〜５．７Ｔｏｒｒ）
処 理 温 度： １００〜１５０℃
処 理 時 間： ５〜１０ｍｉｎ
これにより、シリコンウエハＷの被処理面には、ＡＤＰガスによる密着性促進被膜３が形成される。 For example, as shown in FIG. 7 and FIG. 8B, in step 4, the adhesion promoting process is performed on the processing region, for example, the processing surface of the silicon wafer W. In an example of the adhesion promoting process, an ADP gas containing an epoxy group is used as the adhesion promoting process gas, and this ADP gas is supplied to the surface to be processed of the silicon wafer W. An example of the processing conditions is as follows.
Processing pressure: 600 to 760 Pa (4.5 to 5.7 Torr)
Processing temperature: 100-150 ° C
Processing time: 5-10min
Thereby, the adhesion promoting coating 3 by the ADP gas is formed on the surface to be processed of the silicon wafer W.

次に、図７のステップ３および図８Ｃに示すように、第１のモノマーと第２のモノマーとを重合反応させ、シリコンウエハＷ（被処理体）上の選ばれた領域上に重合膜を選択的に成膜する。本例における選ばれた領域は、密着性促進被膜３が形成された被処理面であり、ここに重合膜を選択的に成膜する。重合膜の一例は、第１の実施形態と同様にポリイミド薄膜であり、成膜手法については、第１の実施形態において説明したものと同様でよい。   Next, as shown in Step 3 of FIG. 7 and FIG. 8C, the first monomer and the second monomer are polymerized to form a polymerized film on a selected region on the silicon wafer W (object to be processed). A film is selectively formed. The selected region in this example is a surface to be processed on which the adhesion promoting coating 3 is formed, and a polymer film is selectively formed thereon. An example of the polymerized film is a polyimide thin film as in the first embodiment, and the film forming method may be the same as that described in the first embodiment.

これにより、シリコンウエハＷの被処理面には、重合膜としてポリイミド薄膜２が密着性促進被膜３を介して選択的に成膜される。   Thereby, the polyimide thin film 2 is selectively formed on the surface to be processed of the silicon wafer W through the adhesion promoting coating 3 as a polymerized film.

このような第２の実施形態に係る重合膜の成膜方法によれば、第１の実施形態と同様の利点が得られる上、さらに、ポリイミド薄膜２が密着性促進被膜３を介して、シリコンウエハＷの被処理面に成膜されるので、ポリイミド薄膜２とシリコンウエハＷとの密着性を、密着性促進被膜３がない場合に比較して、向上させることができる、という利点を得ることができる。   According to the method for forming a polymer film according to the second embodiment, the same advantages as those of the first embodiment can be obtained, and further, the polyimide thin film 2 can be bonded to the silicon via the adhesion promoting coating 3. Since the film is formed on the processing surface of the wafer W, the advantage that the adhesion between the polyimide thin film 2 and the silicon wafer W can be improved as compared with the case where the adhesion promoting coating 3 is not provided. Can do.

このように、第２の実施形態によれば、重合膜を成膜させたくない領域については第１の実施形態と同様に重合膜の成膜を抑制し、重合膜を成膜させたい領域については、下地との密着性を促進させつつ、重合膜を成膜することが可能な重合膜の成膜方法を得ることができる。   As described above, according to the second embodiment, in the region where the polymer film is not desired to be formed, the formation of the polymer film is suppressed as in the first embodiment, and the region where the polymer film is desired to be formed. Can provide a method for forming a polymer film that can form a polymer film while promoting adhesion to the substrate.

なお、密着性促進処理工程（ステップ４）は、成膜抑制処理工程（ステップ２）と並行して行う例を示したが、必ずしも並行して行う必要はなく、“密着性促進処理工程（ステップ４）の後、成膜抑制処理工程（ステップ２）を行う”、又は“成膜抑制処理工程（ステップ２）の後、密着性促進処理工程（ステップ４）を行う”というようにシリアルに行うことも可能である。   Although the example in which the adhesion promotion processing step (step 4) is performed in parallel with the film formation suppression processing step (step 2) is shown, it is not necessarily performed in parallel. 4) After the film formation suppression processing step (step 2) "or" After the film formation suppression processing step (step 2), the adhesion promoting processing step (step 4) is performed ". It is also possible.

しかし、これらの処理に要する時間のことを考慮すると、並行して行うことが好ましい。このような密着性促進処理工程（ステップ４）と、成膜抑制処理工程（ステップ２）と並行して行うことが可能な、表裏面処理装置の一例について、以下説明する。   However, considering the time required for these processes, it is preferable to perform the processes in parallel. An example of the front and back processing apparatus that can be performed in parallel with the adhesion promoting process (Step 4) and the film formation suppressing process (Step 2) will be described below.

［表裏面処理装置］
図９は、この発明の第２の実施形態に係る重合膜の成膜方法に好適な表裏面処理装置の一例を概略的に示す断面図である。なお、図９において、被処理体を加熱する加熱機構等の図示は省略している。 [Front and back side processing equipment]
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an example of a front and back surface processing apparatus suitable for the method for forming a polymer film according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 9, a heating mechanism for heating the object to be processed is not shown.

図９に示すように、表裏面処理装置２００が、図５に示した裏面処理装置１００と異なるところは、不活性ガス供給機構１０７の代わりに、密着性促進処理ガス供給機構２０１を備えていることにある。   As shown in FIG. 9, the front and back surface processing apparatus 200 is different from the back surface processing apparatus 100 shown in FIG. 5 in that an adhesion promoting processing gas supply mechanism 201 is provided instead of the inert gas supply mechanism 107. There is.

密着性促進処理ガス供給機構２０１は、例えば、ＡＤＰ等の密着性促進剤の供給源となる密着性促進剤供給源２０２、および密着性促進剤を気化させる気化器２０３を備えている。密着性促進剤供給源２０２には、液状の、もしくは溶媒に溶かされた密着性促進剤が格納されている。液状の、もしくは溶媒に溶かされた密着性促進剤は、気化器２０３に送給される。気化器２０３は、送給された密着性促進剤を気化させて密着性促進処理ガスとする。気化器２０３は、処理室１０１の側壁に設けられた密着性促進処理ガス供給管２０４に接続されている。密着性促進処理ガスは、密着性促進処理ガス供給管２０４を介して被処理面側空間１０３に吐出される。被処理面側空間１０３に密着性促進処理ガスが吐出されることで、被処理面側空間１０３内に密着性促進処理ガスが供給され、被処理面側空間１０３内において、シリコンウエハＷの表面に対して密着性促進処理を施すことができる。被処理面側空間１０３に供給された密着性促進処理ガスは、排気管１０９を介して被処理面側空間１０３から排気される。   The adhesion promotion processing gas supply mechanism 201 includes, for example, an adhesion promoter supply source 202 that serves as a supply source of an adhesion promoter such as ADP, and a vaporizer 203 that vaporizes the adhesion promoter. The adhesion promoter supply source 202 stores an adhesion promoter in liquid form or dissolved in a solvent. The adhesion promoter in liquid form or dissolved in a solvent is fed to the vaporizer 203. The vaporizer 203 vaporizes the supplied adhesion promoter to produce an adhesion promotion processing gas. The vaporizer 203 is connected to an adhesion promoting processing gas supply pipe 204 provided on the side wall of the processing chamber 101. The adhesion promoting process gas is discharged into the processing surface side space 103 through the adhesion promoting process gas supply pipe 204. The adhesion promoting process gas is discharged into the processing surface side space 103, whereby the adhesion promoting processing gas is supplied into the processing surface side space 103 and the surface of the silicon wafer W in the processing surface side space 103. Adhesion promoting treatment can be applied to. The adhesion promoting processing gas supplied to the processing surface side space 103 is exhausted from the processing surface side space 103 via the exhaust pipe 109.

また、表裏面処理装置２００は、成膜抑制処理ガス供給機構１１０を備えており、ここから成膜抑制処理ガスを裏面側空間１０４に供給することができるので、シリコンウエハＷの裏面に対しては成膜抑制処理を施すことができる。   Further, the front and back surface processing apparatus 200 includes a film formation suppression processing gas supply mechanism 110 from which a film formation suppression processing gas can be supplied to the back surface side space 104, so that the back surface of the silicon wafer W can be supplied. Can be subjected to film formation suppression processing.

しかも、被処理面側空間１０３と裏面側空間１０４とは、支持部１０２によって互いに分離されているので、密着性促進処理と成膜抑制処理とを並行して行うことも可能である。   Moreover, since the processing surface side space 103 and the back surface side space 104 are separated from each other by the support portion 102, the adhesion promoting process and the film formation suppressing process can be performed in parallel.

（第３の実施形態）
次に、蒸着重合法を用いて重合膜を成膜することが可能な成膜装置の例を、この発明の第３の実施形態として説明する。 (Third embodiment)
Next, an example of a film forming apparatus capable of forming a polymer film using a vapor deposition polymerization method will be described as a third embodiment of the present invention.

［成膜装置］
図１０は、この発明の第３の実施形態に係る成膜装置の一例を概略的に示す断面図である。 [Film deposition system]
FIG. 10 is a sectional view schematically showing an example of a film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention.

図１０に示すように、成膜装置３００は、被処理体を、ボート上に、高さ方向に複数枚積み重ねて成膜処理を行う縦型バッチ式成膜装置である。成膜装置３００は、有天井の円筒状の外管３０１と、外管３０１の内側に設けられ、有天井の円筒状の内管３０２とを備えている。外管３０１および内管３０２は、例えば、石英製であり、内管３０２の内側を、被処理体、例えば、シリコンウエハＷを複数収容し、収容された複数のシリコンウエハＷに対して一括して重合膜の成膜処理を施す処理室３０３とする。本例においては、重合膜として、例えば、ポリイミド膜を、蒸着重合法を用いて、シリコンウエハＷの被処理面上に成膜する。   As shown in FIG. 10, a film forming apparatus 300 is a vertical batch type film forming apparatus that performs a film forming process by stacking a plurality of objects to be processed on a boat in the height direction. The film forming apparatus 300 includes a cylindrical outer tube 301 with a ceiling and a cylindrical inner tube 302 with a ceiling provided inside the outer tube 301. The outer tube 301 and the inner tube 302 are made of, for example, quartz, and the inside of the inner tube 302 accommodates a plurality of objects to be processed, for example, silicon wafers W, and collectively for the plurality of silicon wafers W accommodated. Thus, a processing chamber 303 for performing a film forming process of the polymer film is provided. In this example, as the polymer film, for example, a polyimide film is formed on the surface to be processed of the silicon wafer W by vapor deposition polymerization.

内管３０２の側壁の一方には、処理室３０３内に成膜処理ガスを導入するガス導入部として、高さ方向に、例えば、垂直に延びるインジェクタ１５１が設けられている。インジェクタ１５１は内部にガス拡散空間であるプリミックス空間１５２を備えている。プリミックス空間１５２は、成膜処理ガス供給機構３０４に接続される。   One side wall of the inner tube 302 is provided with an injector 151 extending vertically, for example, as a gas introduction part for introducing a film forming process gas into the process chamber 303. The injector 151 includes a premix space 152 that is a gas diffusion space. The premix space 152 is connected to the film forming process gas supply mechanism 304.

本例の成膜処理ガス供給機構３０４は、モノマーＡの供給源となるモノマーＡ供給源３０５ａと、モノマーＢの供給源となるモノマーＢ供給源３０５ｂとを備えている。モノマーＡの一例はＰＭＤＡであり、モノマーＢの一例はＯＤＡである。モノマーＡ供給源３０５ａおよびモノマーＢ供給源３０５ｂには、液状の、もしくは溶媒に溶かされたＰＭＤＡおよびＯＤＡが格納されている。これらのＰＭＤＡおよびＯＤＡは、気化器３０６ａおよび３０６ｂに送給される。気化器３０６ａおよび３０６ｂは、送給されたＰＭＤＡおよびＯＤＡを気化させる。気化器３０６ａおよび３０６ｂは、プリミックス空間１５２に接続されるガス供給管３０７ａおよび３０７ｂに接続され、気化されたＰＭＤＡおよびＯＤＡは、ガス供給管３０７ａおよび３０７ｂを介してプリミックス空間１５２に供給される。気化されたＰＭＤＡおよびＯＤＡは、プリミックス空間１５２においてプリミックスされ、インジェクタ１５１に設けられた複数の吐出孔１５３を介して、処理室３０３の内部に、例えば、水平方向に吐出される。   The film forming process gas supply mechanism 304 of this example includes a monomer A supply source 305a that serves as a monomer A supply source and a monomer B supply source 305b that serves as a monomer B supply source. An example of monomer A is PMDA, and an example of monomer B is ODA. The monomer A supply source 305a and the monomer B supply source 305b store liquid or dissolved PMDA and ODA in a solvent. These PMDA and ODA are sent to vaporizers 306a and 306b. The vaporizers 306a and 306b vaporize the supplied PMDA and ODA. The vaporizers 306a and 306b are connected to gas supply pipes 307a and 307b connected to the premix space 152, and the vaporized PMDA and ODA are supplied to the premix space 152 via the gas supply pipes 307a and 307b. . The vaporized PMDA and ODA are premixed in the premix space 152 and discharged into the processing chamber 303 through the plurality of discharge holes 153 provided in the injector 151, for example, in the horizontal direction.

内管３０２の側壁の他方には、処理室３０３内を排気する複数の排気口３０８が形成されている。複数の排気口３０８はそれぞれ、外管３０１と内管３０２とによって区画された空間に連通している。空間は排気空間３０９として機能し、排気空間３０９は排気管３１０を通じて、処理室３０３内を排気する排気機構３１１に接続される。排気機構３１１は、例えば、真空ポンプ等の排気装置３１２を備えており、処理室３０３の内部の雰囲気を排気するほか、処理室３０３の内部の圧力を、処理に必要とされる圧力に設定したりする。   A plurality of exhaust ports 308 for exhausting the inside of the processing chamber 303 are formed on the other side wall of the inner tube 302. Each of the plurality of exhaust ports 308 communicates with a space defined by the outer tube 301 and the inner tube 302. The space functions as an exhaust space 309, and the exhaust space 309 is connected to an exhaust mechanism 311 that exhausts the inside of the processing chamber 303 through an exhaust pipe 310. The exhaust mechanism 311 includes an exhaust device 312 such as a vacuum pump, for example. The exhaust mechanism 311 exhausts the atmosphere inside the processing chamber 303 and sets the pressure inside the processing chamber 303 to a pressure required for processing. Or

外管３０１の開放側端部（下端側）は、例えば、ステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド３１３にＯリング等のシール部材３１４を介して連結されている。マニホールド３１３は、外管３０１の下端側を支持する。また、内管３０２の開放側端部は、例えば、マニホールド３１３の内側周囲につば状に設けられた内管支持部３１５に接続されている。   The open side end (lower end side) of the outer tube 301 is connected to a manifold 313 formed of, for example, stainless steel in a cylindrical shape via a seal member 314 such as an O-ring. The manifold 313 supports the lower end side of the outer tube 301. The open side end of the inner tube 302 is connected to an inner tube support 315 provided in a collar shape around the inner side of the manifold 313, for example.

マニホールド３１３の下方からは、複数枚の被処理体、例えば、シリコンウエハＷを多段に載置可能なボート１５０が、内管支持部３１５の内側を介して処理室３０３内に挿入可能となっている。ボート１５０は、図６Ａおよび図６Ｂに示したボートと同様の石英製のボート１５０である。石英製のボート１５０は、複数本の支柱１５４を有し、支柱１５４には溝１５５が複数形成され、複数のシリコンウエハＷは、複数の溝１５５によって支持される。   From the lower side of the manifold 313, a boat 150 on which a plurality of objects to be processed, for example, silicon wafers W can be placed in multiple stages, can be inserted into the processing chamber 303 through the inner tube support portion 315. Yes. The boat 150 is a quartz boat 150 similar to the boat shown in FIGS. 6A and 6B. The quartz boat 150 has a plurality of pillars 154, a plurality of grooves 155 are formed in the pillars 154, and the plurality of silicon wafers W are supported by the plurality of grooves 155.

ボート１５０は、石英製の保温筒３１６を介してテーブル３１７上に載置される。テーブル３１７は、マニホールド３１３の下端側の開口部を開閉する、例えば、ステンレススチール製の蓋部３１８を貫通する回転軸３１９上に支持される。回転軸３１９の貫通部には、例えば、磁性流体シール３２０が設けられ、回転軸３１９を気密にシールしつつ回転可能に支持している。蓋部３１８の周辺部とマニホールド３１３の下端との間には、例えば、Ｏリングよりなるシール部材３２１が介設されている。これにより処理室３０３内のシール性が保持されている。回転軸３１９は、例えば、ボートエレベータ等の昇降機構（図示せず）に支持されたアーム３２２の先端に取り付けられている。これにより、ボート１５０および蓋部３１８等は、一体的に昇降されて処理室３０３内に対して挿脱される。外管３０１の外側周囲には、外管３０１を囲むように加熱装置３２３が設けられている。加熱装置３２３は、処理室３０３内に収容された複数枚のシリコンウエハＷを加熱する。   The boat 150 is placed on a table 317 via a quartz heat insulating cylinder 316. The table 317 is supported on a rotary shaft 319 that opens and closes an opening on the lower end side of the manifold 313 and penetrates a lid 318 made of, for example, stainless steel. For example, a magnetic fluid seal 320 is provided in the penetrating portion of the rotating shaft 319 and supports the rotating shaft 319 so as to be rotatable while hermetically sealing. Between the peripheral part of the cover part 318 and the lower end of the manifold 313, the sealing member 321 which consists of O-rings is interposed, for example. Thereby, the sealing property in the processing chamber 303 is maintained. The rotating shaft 319 is attached to the tip of an arm 322 supported by an elevating mechanism (not shown) such as a boat elevator, for example. As a result, the boat 150, the lid portion 318, and the like are integrally moved up and down and inserted into and removed from the processing chamber 303. A heating device 323 is provided around the outside of the outer tube 301 so as to surround the outer tube 301. The heating device 323 heats the plurality of silicon wafers W accommodated in the processing chamber 303.

第３の実施形態に係る成膜装置３００は、処理室３０３の内部に、重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理ガスを供給する成膜抑制処理ガス供給機構３２４を備えている。成膜抑制処理ガス供給機構３２４は、例えば、ＴＭＳＤＭＡ等の成膜抑制剤の供給源となる成膜抑制剤供給源３２５、および成膜抑制剤を気化させる気化器３２６を備えている。成膜抑制剤供給源３２５には、液状の、もしくは溶媒に溶かされた成膜抑制剤が格納されている。液状の、もしくは溶媒に溶かされた成膜抑制剤は、気化器３２６に送給される。気化器３２６は、送給された成膜抑制剤を気化させて成膜抑制処理ガスとする。気化器３２６は、成膜抑制処理ガス供給管３２７に接続され、成膜抑制処理ガス供給管３２７は、例えば、石英管よりなり、マニホールド３１３の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて、処理室３０３に向けて垂直に延びる。成膜抑制処理ガス供給管３２７の先端からは、成膜抑制処理ガスが吐出される。これにより、処理室３０３内に成膜抑制処理ガスを抑制することができる。   A film formation apparatus 300 according to the third embodiment includes a film formation suppression processing gas supply mechanism 324 that supplies a film formation suppression processing gas that suppresses the formation of a polymerized film inside the processing chamber 303. The film formation suppression processing gas supply mechanism 324 includes, for example, a film formation inhibitor supply source 325 that is a supply source of a film formation inhibitor such as TMSDMA, and a vaporizer 326 that vaporizes the film formation inhibitor. The film formation inhibitor supply source 325 stores a film formation inhibitor that is liquid or dissolved in a solvent. The film formation inhibitor dissolved or dissolved in a solvent is fed to the vaporizer 326. The vaporizer 326 vaporizes the supplied film formation inhibitor to form a film formation suppression process gas. The vaporizer 326 is connected to a film formation suppression processing gas supply pipe 327. The film formation suppression processing gas supply pipe 327 is made of, for example, a quartz tube, and is bent upward through the side wall of the manifold 313. , Extending vertically toward the processing chamber 303. A film formation suppression process gas is discharged from the tip of the film formation suppression process gas supply pipe 327. Thereby, the film formation suppression processing gas can be suppressed in the processing chamber 303.

成膜装置３００には制御部３５０が接続されている。制御部３５０は、例えば、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ３５１を備えており、成膜装置３００の各構成部の制御は、プロセスコントローラ３５１が行う。プロセスコントローラ３５１には、ユーザーインターフェース３５２と、記憶部３５３とが接続されている。   A controller 350 is connected to the film forming apparatus 300. The control unit 350 includes a process controller 351 made of, for example, a microprocessor (computer), and the process controller 351 controls each component of the film forming apparatus 300. A user interface 352 and a storage unit 353 are connected to the process controller 351.

ユーザーインターフェース３５２は、オペレータが成膜装置３００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うためのタッチパネルディスプレイやキーボードなどを含む入力部、および成膜装置３００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどを含む表示部を備えている。   The user interface 352 includes an input unit including a touch panel display and a keyboard for an operator to perform command input operations in order to manage the film forming apparatus 300, and a display that visualizes and displays the operating status of the film forming apparatus 300. Etc. are provided.

記憶部３５３は、成膜装置３００で実行される各種処理をプロセスコントローラ３５１の制御にて実現するための制御プログラムや、成膜装置３００の各構成部に処理条件に応じた処理を実行させるためのプログラムを含んだ、いわゆるプロセスレシピが格納される。プロセスレシピは、記憶部３５３の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、プロセスレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して適宜伝送させるようにしてもよい。   The storage unit 353 controls a control program for realizing various processes executed by the film forming apparatus 300 under the control of the process controller 351 and causes each component of the film forming apparatus 300 to execute processes according to processing conditions. A so-called process recipe including the following programs is stored. The process recipe is stored in a storage medium in the storage unit 353. The storage medium may be a hard disk or a semiconductor memory, or a portable medium such as a CD-ROM, DVD, or flash memory. Further, the process recipe may be appropriately transmitted from another apparatus via, for example, a dedicated line.

プロセスレシピは、必要に応じてユーザーインターフェース３５２からのオペレータの指示等にて記憶部３５３から読み出され、読み出されたプロセスレシピに従った処理をプロセスコントローラ３５１が実行することで、成膜装置３００は、プロセスコントローラ３５１の制御のもと、要求された処理を実行する。   The process recipe is read from the storage unit 353 according to an operator's instruction or the like from the user interface 352 as necessary, and the process controller 351 executes processing according to the read process recipe, thereby forming the film forming apparatus. 300 performs the requested processing under the control of the process controller 351.

このような成膜装置３００によれば、シリコンウエハＷの被処理面上に、蒸着重合法を用いて重合膜、本例ではポリイミド薄膜を成膜することができる。   According to such a film forming apparatus 300, a polymerized film, in this example, a polyimide thin film, can be formed on the surface to be processed of the silicon wafer W by using a vapor deposition polymerization method.

さらに、成膜装置３００は、成膜抑制処理ガス供給機構３２４を備えている。成膜装置３００によれば、成膜抑制処理ガス供給機構３２４を用いることで、例えば、処理室３０３の内部において、重合膜を成膜させたくない部分に対して、成膜抑制処理を施すことが可能である。重合膜を成膜させたくない部分としては、処理室３０３の処理空間側に露呈した部分、例えば、処理室３０３の内壁表面、インジェクタ１５１の表面、成膜抑制処理ガス供給管３２７の表面、および保温筒３１６などの表面である。さらに、ボート１５０の表面も、重合膜を成膜させたくない部分である。   Further, the film formation apparatus 300 includes a film formation suppression process gas supply mechanism 324. According to the film forming apparatus 300, by using the film formation suppression processing gas supply mechanism 324, for example, a film formation suppression process is performed on a portion in the processing chamber 303 where a polymer film is not desired to be formed. Is possible. The portions where the polymer film is not desired to be formed include portions exposed to the processing space side of the processing chamber 303, for example, the inner wall surface of the processing chamber 303, the surface of the injector 151, the surface of the film formation suppression processing gas supply pipe 327, and This is the surface of the heat insulating cylinder 316 or the like. Further, the surface of the boat 150 is also a portion where the polymer film is not desired to be formed.

これらの表面に対して成膜抑制処理を施す場合には、例えば、図１１に示すように、処理室３０３内に、ボート１５０を、シリコンウエハＷが載置されていない状態で収容する。この状態で、重合膜の成膜処理を施す前に、成膜抑制処理ガスを成膜抑制処理ガス供給管３２７から吐出させ、処理室３０３内に成膜抑制処理ガスを供給する。これにより、上記各部材の表面には、重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理が施される。   When the film formation suppression process is performed on these surfaces, for example, as illustrated in FIG. 11, the boat 150 is accommodated in the processing chamber 303 in a state where the silicon wafer W is not mounted. In this state, before performing the film formation process of the polymer film, the film formation suppression process gas is discharged from the film formation suppression process gas supply pipe 327 to supply the film formation suppression process gas into the process chamber 303. Thereby, the film formation suppression process which suppresses film-forming of a polymer film is given to the surface of each said member.

このように重合膜の成膜処理を施す前に、上記各部材の表面に成膜抑制処理を施すことで、成膜装置３００を用いて重合膜の成膜処理を行ったとしても、上記各部材の表面上において、重合膜の成膜を抑制することができる。   Even if the film formation process of the polymer film is performed using the film formation apparatus 300 by performing the film formation suppression process on the surface of each of the members before performing the film formation process of the polymer film, Formation of a polymerized film can be suppressed on the surface of the member.

したがって、成膜装置３００の処理室３０３の内部の環境は重合膜が成膜され難い環境となり、処理室３０３内の環境を、パーティクル等が発生し難い清浄な状態に維持することができる。このように処理室３０３内で発生するパーティクルを抑制できると、電子製品、本例では、半導体集積回路装置の歩留りの向上に貢献することができる。また、成膜装置３００のクリーニングの頻度を下げることもできる。このため、成膜装置３００の稼働効率を向上させることができ、例えば、半導体集積回路装置の製造に際し、そのスループットの向上にも役立つ。   Therefore, the environment inside the processing chamber 303 of the film forming apparatus 300 is an environment in which a polymerized film is difficult to form, and the environment inside the processing chamber 303 can be maintained in a clean state in which particles and the like are hardly generated. When particles generated in the processing chamber 303 can be suppressed in this manner, it is possible to contribute to an improvement in the yield of the electronic product, in this example, the semiconductor integrated circuit device. In addition, the frequency of cleaning the film forming apparatus 300 can be reduced. For this reason, the operating efficiency of the film forming apparatus 300 can be improved. For example, when the semiconductor integrated circuit device is manufactured, the throughput is also improved.

［成膜抑制剤］
上記第１〜第３の実施形態においては、成膜抑制剤として、ＴＭＳＤＭＡ、またはＨＭＤＳを例示した。成膜抑制剤としては、これらに限られるものではない。図１２Ａ〜図１２Ｏに、重合膜の成膜を抑制する成膜抑制剤として利用可能な材料例を示す。 [Deposition inhibitor]
In the said 1st-3rd embodiment, TMSDMA or HMDS was illustrated as a film-forming inhibitor. The film formation inhibitor is not limited to these. 12A to 12O show examples of materials that can be used as a film formation inhibitor that suppresses the formation of a polymer film.

図１２Ａ〜図１２Ｏに示すように、重合膜の成膜を抑制する成膜抑制剤としては、
（Ａ） メチルシリルアミン
（Ｂ） ジメチルシリルアミン
（Ｃ） トリメチルシリルアミン
（Ｄ） シリルジメチルアミン
（Ｅ） ジメチルシリルジメチルアミン
（Ｆ） トリメチルシリルジメチルアミン
（Ｇ） シリルジエチルアミン
（Ｈ） ジメチルシリルジエチルアミン
（Ｉ） トリメチルシリルジエチルアミン
（Ｊ） トリメチルシリルイミダゾール
（Ｋ） トリメチルシリルピロール
（Ｌ） テトラメチルジシラザン
（Ｍ） ヘキサメチルジシラザン
（Ｎ） ビス（ジメチルアミノ）シラン
（Ｏ） ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン
等を挙げることができ、これらの材料の少なくとも一つを含んでいれば、上記実施形態で説明したような利点を得ることができる。 As shown in FIGS. 12A to 12O, as a film formation inhibitor that suppresses the formation of a polymer film,
(A) Methylsilylamine (B) Dimethylsilylamine (C) Trimethylsilylamine (D) Silyldimethylamine (E) Dimethylsilyldimethylamine (F) Trimethylsilyldimethylamine (G) Silyldiethylamine (H) Dimethylsilyldiethylamine (I) Trimethylsilyldiethylamine (J) Trimethylsilylimidazole (K) Trimethylsilylpyrrole (L) Tetramethyldisilazane (M) Hexamethyldisilazane (N) Bis (dimethylamino) silane (O) Bis (dimethylamino) dimethylsilane If at least one of these materials is included, the advantages described in the above embodiment can be obtained.

また、図１２Ａ〜図１２Ｏに示すように、上記材料例は、いずれも炭化水素基、例えばメチル基（ＣＨ３）を含み、また、シラザン結合（シリコンと窒素との結合）を有したものである。 Also, as shown in FIGS. 12A to 12O, the above examples of materials all include hydrocarbon groups, for example, methyl groups (CH 3 ), and have silazane bonds (bonds between silicon and nitrogen). is there.

以上、この発明をいくつかの実施形態に従って説明したが、この発明は、上記いくつかの実施形態に限定されることは無く、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。   As mentioned above, although this invention was demonstrated according to some embodiment, this invention is not limited to the said some embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range which does not deviate from the meaning.

例えば、上記実施形態においては、処理条件を具体的に例示したが、処理条件は、上記具体的な例示に限られるものではなく、例えば、処理室３０３内の容積等に応じて、適宜変更が可能である。   For example, in the above embodiment, the processing conditions are specifically exemplified, but the processing conditions are not limited to the above specific examples, and may be appropriately changed according to the volume in the processing chamber 303, for example. Is possible.

また、この発明によれば、シリコンウエハの裏面からポリイミド薄膜を除去する工程を省略することができる。このため、この発明は、電子製品、例えば、半導体集積回路装置やフラットパネルディスプレイ等の電子製品の製造に際し、そのスループットを向上させることができる。したがって、この発明は、電子製品の製造に有効に適用することができる。   Moreover, according to this invention, the process of removing a polyimide thin film from the back surface of a silicon wafer can be omitted. For this reason, the present invention can improve the throughput of an electronic product, for example, an electronic product such as a semiconductor integrated circuit device or a flat panel display. Therefore, the present invention can be effectively applied to the manufacture of electronic products.

また、蒸着重合法を用いて形成した重合膜は、例えば、深く、かつアスペクト比も高いヴィアやトレンチの側壁に形成される側壁絶縁膜の材料として使うことができる。深く、かつアスペクト比が高いヴィアやトレンチは、三次元ＬＳＩ集積化技術を用いた三次元半導体集積回路装置において、例えば、上下の集積回路どうしを電気的に接続する垂直配線構造などにみられる。特に、三次元半導体集積回路装置の製造においては、シリコンウエハや支持用ウエハの裏面にポリイミド薄膜が成膜されてしまうと、ウエハを積み重ねるごとに、ポリイミド薄膜を除去する工程が必要となり、工程数が増える。この点、この発明によれば、ウエハを積み重ねるごとに必要であった、シリコンウエハや支持用ウエハの裏面から、ポリイミド薄膜を除去する工程を無くすことができる。したがって、この発明によるスループットの向上効果は、三次元半導体集積回路装置の製造において、より顕著に得ることができる。   In addition, the polymer film formed by using the vapor deposition polymerization method can be used as a material for a sidewall insulating film formed on the sidewall of a via or a trench having a high depth and a high aspect ratio, for example. Vias and trenches that are deep and have a high aspect ratio are found in, for example, a vertical wiring structure that electrically connects upper and lower integrated circuits in a three-dimensional semiconductor integrated circuit device using a three-dimensional LSI integration technique. In particular, in the manufacture of a three-dimensional semiconductor integrated circuit device, if a polyimide thin film is formed on the back surface of a silicon wafer or a supporting wafer, a process for removing the polyimide thin film is required every time the wafers are stacked. Will increase. In this regard, according to the present invention, it is possible to eliminate the step of removing the polyimide thin film from the back surface of the silicon wafer or the supporting wafer, which is necessary every time the wafers are stacked. Therefore, the effect of improving the throughput according to the present invention can be obtained more significantly in the manufacture of a three-dimensional semiconductor integrated circuit device.

また、この発明は、例えば、半導体集積回路に形成されたパッド電極の位置を、電子製品の形態に併せて変換、再配置するインターポーザの製造方法にも適用することができる。インターポーザもまた、深く、かつアスペクト比も高いヴィアやトレンチを持ち、これらの側壁には、三次元半導体集積回路装置と同様に、側壁絶縁膜が形成される。   The present invention can also be applied to, for example, a method for manufacturing an interposer in which the position of a pad electrode formed in a semiconductor integrated circuit is converted and rearranged in accordance with the form of an electronic product. The interposer also has vias and trenches that are deep and have a high aspect ratio, and a sidewall insulating film is formed on these sidewalls as in the three-dimensional semiconductor integrated circuit device.

その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。   In addition, the present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.

Ｗ…シリコンウエハ、１…成膜抑制被膜、２…ポリイミド薄膜、３…密着性促進被膜。   W: silicon wafer, 1 ... film formation suppression coating, 2 ... polyimide thin film, 3 ... adhesion promoting coating.

Claims (16)

被処理体上に、重合膜を成膜する重合膜の成膜方法であって、
（１） 前記被処理体の、前記重合膜を成膜させたくない成膜抑制領域に、成膜抑制剤を含む成膜抑制処理ガスを供給し、前記成膜抑制領域に対して、前記重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を施す工程と、
（２） 前記成膜抑制処理が施された前記被処理体に、第１のモノマーを含むガスと、前記第１のモノマーとは異なる第２のモノマーを含むガスとを供給し、前記第１のモノマーと前記第２のモノマーとを重合反応させ、前記被処理体上の選ばれた領域上に前記重合膜を選択的に成膜する工程と
を具備することを特徴とする重合膜の成膜方法。 A method for forming a polymer film on a workpiece to form a polymer film,
(1) A film formation suppression treatment gas containing a film formation inhibitor is supplied to a film formation suppression region where the polymer film is not desired to be formed on the object to be processed, and the polymerization is performed on the film formation suppression region. Applying a film formation suppression process for suppressing film formation;
(2) A gas containing a first monomer and a gas containing a second monomer different from the first monomer are supplied to the object subjected to the film formation suppressing process, and the first monomer is supplied. And a step of polymerizing the second monomer and the second monomer to selectively form the polymer film on a selected region on the object to be processed. Membrane method. 前記成膜抑制剤は、炭化水素基を含むシリコン化合物であることを特徴とする請求項１に記載の重合膜の成膜方法。   The method for forming a polymer film according to claim 1, wherein the film formation inhibitor is a silicon compound containing a hydrocarbon group. 前記シリコン化合物は、
メチルシリルアミン
ジメチルシリルアミン
トリメチルシリルアミン
シリルジメチルアミン
ジメチルシリルジメチルアミン
トリメチルシリルジメチルアミン
シリルジエチルアミン
ジメチルシリルジエチルアミン
トリメチルシリルジエチルアミン
トリメチルシリルイミダゾール
トリメチルシリルピロール
テトラメチルジシラザン
ヘキサメチルジシラザン
ビス（ジメチルアミノ）シラン
ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン
の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の重合膜の成膜方法。 The silicon compound is
Methylsilylamine dimethylsilylamine trimethylsilylamine silyldimethylamine dimethylsilyldimethylamine trimethylsilyldimethylamine silyldiethylamine dimethylsilyldiethylamine trimethylsilyldiethylamine trimethylsilylimidazole trimethylsilylpyrrole tetramethyldisilazane hexamethyldisilazane bis (dimethylamino) silane bis (dimethylamino) dimethylsilane The method for forming a polymer film according to claim 2, comprising at least one of the following. 前記成膜抑制領域は、前記被処理体の被処理面に対して反対側の裏面であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の重合膜の成膜方法。   4. The method for forming a polymer film according to claim 1, wherein the film formation suppression region is a back surface opposite to a surface to be processed of the object to be processed. . 前記成膜抑制処理が施された前記被処理体を、前記（２）工程を施す処理室内に、前記裏面を露出させた状態で高さ方向に沿って複数枚収容し、
前記（２）工程を、複数枚の前記被処理体それぞれに対して同時に行うことを特徴とする請求項４に記載の重合膜の成膜方法。 A plurality of the objects to be processed subjected to the film formation suppression process are accommodated along the height direction in the processing chamber in which the step (2) is performed with the back surface exposed.
5. The method for forming a polymer film according to claim 4, wherein the step (2) is performed simultaneously on each of the plurality of objects to be processed. 被処理体を収容し、収容した前記被処理体上に対して重合膜の成膜処理を施す処理室と、
前記処理室内に、第１のモノマーを含むガス、および前記第１のモノマーとは異なる第２のモノマーを含むガスを供給する重合膜原料ガス供給機構と、
前記処理室内に、成膜抑制剤を含む成膜抑制処理ガスを供給する成膜抑制処理ガス供給機構と、を具備した重合膜を成膜する成膜装置の環境維持方法であって、
前記処理室内において、前記被処理体上で前記第１のモノマーと前記第２のモノマーとを重合反応させる前記重合膜の成膜処理を施す前に、
前記成膜抑制処理ガス供給機構から前記成膜抑制処理ガスを前記処理室内に供給し、少なくとも前記処理室の処理空間側に露呈した部分に、前記重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を施すことを特徴とする成膜装置の環境維持方法。 A processing chamber for storing the object to be processed, and performing a film formation process of the polymer film on the stored object to be processed;
A polymer film raw material gas supply mechanism for supplying a gas containing a first monomer and a gas containing a second monomer different from the first monomer into the processing chamber;
A film formation suppression processing gas supply mechanism for supplying a film formation suppression processing gas containing a film formation inhibitor into the processing chamber;
In the processing chamber, before performing the film formation process of the polymer film that polymerizes the first monomer and the second monomer on the target object,
A film formation suppression process for supplying the film formation suppression process gas from the film formation suppression process gas supply mechanism into the processing chamber and suppressing the film formation of the polymer film at least in a portion exposed to the processing space side of the processing chamber. A method for maintaining the environment of the film forming apparatus. 前記成膜抑制剤は、炭化水素基を含むシリコン化合物であることを特徴とする請求項６に記載の成膜装置の環境維持方法。   The method for maintaining an environment of a film forming apparatus according to claim 6, wherein the film formation inhibitor is a silicon compound containing a hydrocarbon group. 前記シリコン化合物は、
メチルシリルアミン
ジメチルシリルアミン
トリメチルシリルアミン
シリルジメチルアミン
ジメチルシリルジメチルアミン
トリメチルシリルジメチルアミン
シリルジエチルアミン
ジメチルシリルジエチルアミン
トリメチルシリルジエチルアミン
トリメチルシリルイミダゾール
トリメチルシリルピロール
テトラメチルジシラザン
ヘキサメチルジシラザン
ビス（ジメチルアミノ）シラン
ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン
の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項７に記載の成膜装置の環境維持方法。 The silicon compound is
Methylsilylamine dimethylsilylamine trimethylsilylamine silyldimethylamine dimethylsilyldimethylamine trimethylsilyldimethylamine silyldiethylamine dimethylsilyldiethylamine trimethylsilyldiethylamine trimethylsilylimidazole trimethylsilylpyrrole tetramethyldisilazane hexamethyldisilazane bis (dimethylamino) silane bis (dimethylamino) dimethylsilane The method for maintaining an environment of a film forming apparatus according to claim 7, comprising at least one of the following. 前記成膜抑制処理の際、前記処理室内に、前記被処理体を載置するボートを、前記被処理体が載置されていない状態で収容し、
前記処理室内において、前記重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を前記ボートの表面に施すことを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の成膜装置の環境維持方法。 During the film formation suppression process, the boat in which the object to be processed is placed is accommodated in the processing chamber in a state where the object to be processed is not placed,
The film forming apparatus environment according to any one of claims 6 to 8, wherein a film formation suppressing process for suppressing film formation of the polymer film is performed on the surface of the boat in the processing chamber. Maintenance method. 被処理体を収容し、収容した前記被処理体上に対して重合膜の成膜処理を施す処理室と、
前記処理室内に、第１のモノマーを含むガス、および前記第１のモノマーとは異なる第２のモノマーを含むガスを供給する重合膜原料ガス供給機構と、
前記処理室内に、成膜抑制剤を含む成膜抑制処理ガスを供給する成膜抑制処理ガス供給機構と、を具備した重合膜を成膜する成膜装置であって、
請求項６から請求項９のいずれか一項に記載の成膜装置の環境維持方法を実施することを特徴とする成膜装置。 A processing chamber for storing the object to be processed, and performing a film formation process of the polymer film on the stored object to be processed;
A polymer film raw material gas supply mechanism for supplying a gas containing a first monomer and a gas containing a second monomer different from the first monomer into the processing chamber;
A film forming apparatus for forming a polymer film having a film formation suppressing treatment gas supply mechanism for supplying a film formation suppressing treatment gas containing a film formation inhibitor into the processing chamber,
A film forming apparatus for carrying out the environment maintaining method for a film forming apparatus according to any one of claims 6 to 9. 被処理体上に、重合膜を成膜する工程を備えた電子製品の製造方法であって、
（１） 前記被処理体の、前記重合膜を成膜させたくない成膜抑制領域に、成膜抑制剤を含む成膜抑制処理ガスを供給し、前記成膜抑制領域に対して、前記重合膜の成膜を抑制する成膜抑制処理を施す工程と、
（２） 前記成膜抑制処理が施された前記被処理体に、第１のモノマーを含むガスと、前記第１のモノマーとは異なる第２のモノマーを含むガスとを供給し、前記第１のモノマーと前記第２のモノマーとを重合反応させ、前記被処理体上の選ばれた領域上に前記重合膜を選択的に成膜する工程と
を具備することを特徴とする電子製品の製造方法。 A method for producing an electronic product comprising a step of forming a polymer film on a workpiece,
(1) A film formation suppression treatment gas containing a film formation inhibitor is supplied to a film formation suppression region where the polymer film is not desired to be formed on the object to be processed, and the polymerization is performed on the film formation suppression region. Applying a film formation suppression process for suppressing film formation;
(2) A gas containing a first monomer and a gas containing a second monomer different from the first monomer are supplied to the object subjected to the film formation suppressing process, and the first monomer is supplied. And a step of polymerizing the second monomer and the second monomer, and selectively forming the polymer film on a selected region on the object to be processed. Method. 前記成膜抑制剤は、炭化水素基を含むシリコン化合物であることを特徴とする請求項１１に記載の電子製品の製造方法。   The method of manufacturing an electronic product according to claim 11, wherein the film formation inhibitor is a silicon compound containing a hydrocarbon group. 前記シリコン化合物は、
メチルシリルアミン
ジメチルシリルアミン
トリメチルシリルアミン
シリルジメチルアミン
ジメチルシリルジメチルアミン
トリメチルシリルジメチルアミン
シリルジエチルアミン
ジメチルシリルジエチルアミン
トリメチルシリルジエチルアミン
トリメチルシリルイミダゾール
トリメチルシリルピロール
テトラメチルジシラザン
ヘキサメチルジシラザン
ビス（ジメチルアミノ）シラン
ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン
の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１２に記載の電子製品の製造方法。 The silicon compound is
Methylsilylamine dimethylsilylamine trimethylsilylamine silyldimethylamine dimethylsilyldimethylamine trimethylsilyldimethylamine silyldiethylamine dimethylsilyldiethylamine trimethylsilyldiethylamine trimethylsilylimidazole trimethylsilylpyrrole tetramethyldisilazane hexamethyldisilazane bis (dimethylamino) silane bis (dimethylamino) dimethylsilane The method of manufacturing an electronic product according to claim 12, comprising at least one of the following. 前記成膜抑制領域は、前記被処理体の被処理面に対して反対側の裏面であることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の電子製品の製造方法。   The method for manufacturing an electronic product according to any one of claims 11 to 13, wherein the film formation suppression region is a back surface opposite to a surface to be processed of the object to be processed. 前記成膜抑制処理が施された前記被処理体を、前記（２）工程を施す処理室内に、前記裏面を露出させた状態で高さ方向に沿って複数枚収容し、
前記（２）工程を、複数枚の前記被処理体それぞれに対して同時に行うことを特徴とする請求項１４に記載の電子製品の製造方法。 A plurality of the objects to be processed subjected to the film formation suppression process are accommodated along the height direction in the processing chamber in which the step (2) is performed with the back surface exposed.
15. The method of manufacturing an electronic product according to claim 14, wherein the step (2) is performed simultaneously on each of the plurality of objects to be processed. 前記電子製品は、半導体集積回路装置、フラットパネルディスプレイ、およびインターポーザのいずれか一つであることを特徴とする請求項１１から請求項１５のいずれか一項に記載の電子製品の製造方法。   The method of manufacturing an electronic product according to any one of claims 11 to 15, wherein the electronic product is any one of a semiconductor integrated circuit device, a flat panel display, and an interposer.
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