JP2014082609A

JP2014082609A - Elastic wave device and design method for the same

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Publication number: JP2014082609A
Application number: JP2012228591A
Authority: JP
Inventors: Takashi Matsuda; 隆志松田
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2012-10-16
Filing date: 2012-10-16
Publication date: 2014-05-08
Anticipated expiration: 2032-10-16
Also published as: JP6042689B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an elastic wave device which can fully obtain the attenuation amount outside a pass band.SOLUTION: The elastic wave device has: an element substrate 1; a plurality of elastic wave resonators S1-S4, P1-P2 which are formed on the element substrate; an input pad T1 which is formed on the element substrate, connected to at least one of the elastic wave resonators, and to which an electrical signal is inputted; an output pad T2 which is formed on the element substrate, connected to at least one of the elastic wave resonators, and from which the electrical signal is outputted; a seal ring SR which is formed on the element substrate and formed so as to surround the elastic wave resonators; and a first inductor which is formed between the seal ring and a ground.

Description

本開示は、弾性波デバイス及びその設計・製造方法に関する。 The present disclosure relates to an acoustic wave device and a design / manufacturing method thereof.

弾性波デバイスは、移動体通信端末が備えるフィルタ、デュプレクサ等として用いられる。弾性波デバイスを構成する弾性波共振器には、弾性表面波を用いた弾性表面波（ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave））共振器、境界波を用いた弾性境界波共振器、圧電薄膜を用いた圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）、ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator））等がある。弾性波を励振する機能部分は、例えば弾性表面波デバイスではＩＤＴ（Inter Digital Transducer）等の電極が形成された領域であり、ＦＢＡＲでは圧電薄膜を挟みこむ電極の重なる領域である。弾性波共振器を保護するため、弾性波共振器が形成された素子基板を例えば樹脂や金属等により封止することがある。また、よりハーメチックにするため、弾性波共振器が形成された素子基板上に機能部分を囲うように、金属からなるシールリングを設けることがある。 The acoustic wave device is used as a filter, a duplexer, or the like included in the mobile communication terminal. The surface acoustic wave resonators constituting the surface acoustic wave device include a surface acoustic wave (SAW) resonator using a surface acoustic wave, a boundary acoustic wave resonator using a boundary wave, and a piezoelectric film using a piezoelectric thin film. There are thin film resonators (FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator), SMR (Solidly Mounted Resonator)) and the like. For example, in a surface acoustic wave device, a functional portion that excites an acoustic wave is a region where an electrode such as an IDT (Inter Digital Transducer) is formed, and in FBAR, a region where electrodes sandwiching a piezoelectric thin film overlap. In order to protect the acoustic wave resonator, the element substrate on which the acoustic wave resonator is formed may be sealed with, for example, resin or metal. Further, in order to make it more hermetic, a seal ring made of metal may be provided so as to surround the functional part on the element substrate on which the acoustic wave resonator is formed.

例えば特許文献１には、外気から保護し弾性波共振器を長期にわたって安定に動作させるために、機能部分を環状電極で囲い、また、接地用導体端子のインダクタンスを小さくするために環状導体を利用する技術が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses that a functional portion is surrounded by an annular electrode and an annular conductor is used to reduce the inductance of a grounding conductor terminal in order to protect the acoustic wave resonator from the outside air and operate stably over a long period of time. Techniques to do this are disclosed.

特開２００６−１４２９６号公報JP 2006-14296 A

特許文献１に開示されているように、弾性波共振器の機能部分は、通常、素子基板の一方端に入力用パッドが、その反対側に出力用パッドが形成される。つまり、入出力用パッドは素子基板の端に形成されることが多い。よって、弾性波共振器を囲うシールリングの近くに、入力用パッドと出力用パッドが形成される。入力用パッドと出力用パッドは素子基板上では離れているが、両者はともにシールリングの近くに形成されていることから、シールリングを介して電気的結合が生じており、弾性波デバイスの特性に影響を与えている。特に、弾性波フィルタの通過帯域外における減衰量を十分に得られにくいという影響があった。 As disclosed in Patent Document 1, in the functional portion of an acoustic wave resonator, an input pad is usually formed at one end of an element substrate and an output pad is formed on the opposite side. That is, the input / output pads are often formed at the end of the element substrate. Therefore, the input pad and the output pad are formed near the seal ring surrounding the acoustic wave resonator. Although the input pad and output pad are separated on the element substrate, both are formed close to the seal ring, so electrical coupling occurs through the seal ring, and the characteristics of the acoustic wave device Has an impact. In particular, there is an effect that it is difficult to obtain a sufficient amount of attenuation outside the passband of the elastic wave filter.

本発明は、素子基板と、前記素子基板上に形成された複数の弾性波共振器と、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つに接続され、電気信号が入力される入力用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つに接続され、電気信号が出力される出力用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器を囲うように形成されたシールリングと、前記シールリングとグランドとの間に形成された第一インダクタと、を有する弾性波デバイスである。本発明によれば、入出力用パッド間における電気的結合状態を調整することができるため、上記課題を解決することができる。 The present invention provides an element substrate, a plurality of acoustic wave resonators formed on the element substrate, and formed on the element substrate, connected to at least one of the acoustic wave resonators, and receiving an electric signal. An input pad formed on the element substrate and connected to at least one of the acoustic wave resonators to output an electrical signal; and formed on the element substrate, the acoustic wave resonance An acoustic wave device having a seal ring formed so as to surround the container and a first inductor formed between the seal ring and the ground. According to the present invention, since the electrical coupling state between the input / output pads can be adjusted, the above problem can be solved.

上記構成において、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つをグランドに接続するための第一接地用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記シールリングと接続され、前記第一接地用パッドと接続されていない、第二接地用パッドを有する構成とすることができる。 In the above configuration, a first grounding pad for connecting at least one of the acoustic wave resonators to the ground, formed on the element substrate, formed on the element substrate, and connected to the seal ring, It can be set as the structure which has the 2nd grounding pad which is not connected with said 1st grounding pad.

上記構成において、前記第一インダクタは、前記素子基板が実装されるパッケージ基板の実装面に形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, the first inductor may be formed on a mounting surface of a package substrate on which the element substrate is mounted.

上記構成において、前記素子基板の側面と同一平面を形成する絶縁性部材からなる封止部と、前記封止部上であって前記素子基板と対抗する面に形成された複数の接続部とを有する弾性波フィルタであって、前記弾性波フィルタは前記パッケージ基板の内部に形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, a sealing portion made of an insulating member that forms the same plane as a side surface of the element substrate, and a plurality of connection portions formed on the sealing portion and on a surface facing the element substrate. The elastic wave filter may be configured such that the elastic wave filter is formed inside the package substrate.

上記構成において、前記パッケージ基板の実装面上であって、前記シールリングと対応する領域に形成されたフレームを有する構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: It can be set as the structure which has the flame | frame formed in the area | region corresponding to the said seal ring on the mounting surface of the said package board | substrate.

上記構成において、前記第一インダクタは、Ｕ字状またはＵ字状を含む形状で形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, the first inductor may be formed in a U shape or a shape including a U shape.

上記構成において、前記第一インダクタは、ミアンダ状に形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, the first inductor may be formed in a meander shape.

上記構成において、前記第一インダクタは、少なくとも一つの曲がり角を有するように形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, the first inductor may be configured to have at least one bend.

上記構成において、前記弾性波共振器は、弾性表面波共振器または弾性薄膜共振器からなることを特徴とする構成とすることができる。 In the above configuration, the acoustic wave resonator may be a surface acoustic wave resonator or an elastic thin film resonator.

上記構成において、前記複数の弾性波共振器はラダー型フィルタを構成することを特徴とする構成とすることができる。 In the above configuration, the plurality of acoustic wave resonators may constitute a ladder type filter.

上記構成において、前記第一接地用パッドは、第二インダクタを介して接地されていることを特徴とする構成とすることができる。 In the above configuration, the first grounding pad may be grounded via a second inductor.

本発明は、素子基板と、前記素子基板上に形成された複数の弾性波共振器と、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つに接続され、電気信号が入力される入力用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つに接続され、電気信号が出力される出力用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器を囲うように形成されたシールリングと、前記シールリングと前記グランドとの間に形成されたインダクタと、を有する弾性波デバイスの通過帯域の高周波側の前記通過帯域の外の帯域において、前記帯域の低周波側における前記フィルタの減衰特性を高める場合には前記インダクタのインダクタンスを小さくし、前記帯域の高周波側における前記フィルタの減衰特性を高める場合には前記インダクタのインダクタンスを大きくすることを特徴とする、弾性波フィルタの設計方法である。本発明によれば、弾性波フィルタの通過帯域外における減衰量を十分に得られた弾性波デバイスを提供することができる。 The present invention provides an element substrate, a plurality of acoustic wave resonators formed on the element substrate, and formed on the element substrate, connected to at least one of the acoustic wave resonators, and receiving an electric signal. An input pad formed on the element substrate and connected to at least one of the acoustic wave resonators to output an electrical signal; and formed on the element substrate, the acoustic wave resonance A band outside the passband on the high frequency side of the passband of the acoustic wave device having a seal ring formed so as to surround a vessel, and an inductor formed between the seal ring and the ground, When increasing the attenuation characteristic of the filter on the low frequency side of the band, reducing the inductance of the inductor, and increasing the attenuation characteristic of the filter on the high frequency side of the band It is characterized by increasing the inductance of the inductor, a method of designing acoustic wave filter. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the elastic wave device which fully obtained attenuation amount outside the pass band of an elastic wave filter can be provided.

本開示によれば、通過帯域外の減衰量を十分に確保した弾性波デバイスを提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide an elastic wave device that sufficiently secures an attenuation amount outside the passband.

図１は比較例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a comparative example. 図２は実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment. 図３は実施例及び比較例の周波数特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating frequency characteristics of the example and the comparative example. 図４は実施例１の弾性表面波フィルタを示す透過図である。FIG. 4 is a transmission diagram illustrating the surface acoustic wave filter according to the first embodiment. 図５はＷＬＰの断面図を示す図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the WLP. 図６はＷＬＰの実装面を示す図である。FIG. 6 is a view showing a mounting surface of the WLP. 図７はＷＬＰが内部に実装された弾性波デバイスの例を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an example of an acoustic wave device in which a WLP is mounted. 図８はＷＬＰの製造方法を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining a method of manufacturing WLP. 図９は実施例１の変形例を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a modification of the first embodiment. 図１０は実施例１の変形例のパッケージ基板を示す図である。FIG. 10 is a view showing a package substrate according to a modification of the first embodiment. 図１１は実施例２の共振器を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating the resonator according to the second embodiment. 図１２は実施例２を示す図である。FIG. 12 shows the second embodiment. 図１３は実施例３の共振器を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating the resonator according to the third embodiment.

まず比較例について説明する。図１は弾性波デバイスの一つであるラダー型の弾性波フィルタの比較例を示す回路図である。図１の示す通り、入力用パッドＴ１と出力用パッドＴ２の間に直列共振器Ｓ１〜Ｓ４が形成されている。直列共振器Ｓ１とＳ２の間に並列共振器Ｐ１が形成され、直列共振器Ｓ３とＳ４の間に並列共振器Ｐ２が形成されている。並列共振器Ｐ１とＰ２は共通のインダクタＬ１を介して接地端子Ｔ３に接続されている。シールリングＳＲは、共振器を囲うように形成され、接地用パッドＴ４に接続され、グランドＧＮＤに接続されている。本開示におけるグランドとは、例えば、電気信号が弾性波デバイスを通過する際に基準電位となる電極または電極パターンをいう。シールリングＳＲは入力用パッドＴ１及び出力用パッドＴ２の近くに配置されるために、容量結合により寄生容量成分Ｃ１、Ｃ２が生じている。 First, a comparative example will be described. FIG. 1 is a circuit diagram showing a comparative example of a ladder-type elastic wave filter which is one of elastic wave devices. As shown in FIG. 1, series resonators S1 to S4 are formed between an input pad T1 and an output pad T2. A parallel resonator P1 is formed between the series resonators S1 and S2, and a parallel resonator P2 is formed between the series resonators S3 and S4. The parallel resonators P1 and P2 are connected to the ground terminal T3 via a common inductor L1. The seal ring SR is formed so as to surround the resonator, is connected to the ground pad T4, and is connected to the ground GND. The ground in the present disclosure refers to, for example, an electrode or an electrode pattern that becomes a reference potential when an electric signal passes through an acoustic wave device. Since the seal ring SR is disposed near the input pad T1 and the output pad T2, parasitic capacitance components C1 and C2 are generated by capacitive coupling.

図２は本発明の弾性波デバイスの一つであるラダー型の弾性波フィルタの実施例を示す回路図である。実施例では、シールリングＳＲは、接地用パッドＴ４及びインダクタＬ２を介してグランドＧＮＤに接続されている。その他の回路構成は比較例と同様であるので、説明を省略する。このインダクタＬ２のインダクタンスにより、寄生容量成分Ｃ１，Ｃ２による弾性波フィルタの特性への影響を相殺しフィルタ特性を調整することができる。以下、この点を詳述する。 FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a ladder type acoustic wave filter which is one of the acoustic wave devices of the present invention. In the embodiment, the seal ring SR is connected to the ground GND via the grounding pad T4 and the inductor L2. Since other circuit configurations are the same as those of the comparative example, description thereof is omitted. By the inductance of the inductor L2, the influence of the parasitic capacitance components C1 and C2 on the characteristics of the elastic wave filter can be canceled and the filter characteristics can be adjusted. Hereinafter, this point will be described in detail.

図３は実施例及び比較例の周波数特性を示す図である。実線で示した周波数特性ＦＣ１は比較例にかかる周波数特性を示すものであり、破線で示した周波数特性ＦＣ２及び一点鎖線で示したＦＣ３は実施例にかかる周波数特性を示す。フィルタの通過帯域である周波数帯域Ｂ１の高周波側の周波数帯域Ｂ２において、インダクタンスを付与しないでシールリングＳＲを接地した比較例の周波数特性ＦＣ１に対して、インダクタンスを付与してシールリングＳＲを接地した実施例の周波数特性ＦＣ２、ＦＣ３の方が、減衰量が大きくなっていることが示されている。これにより、例えば、周波数帯域Ｂ１を構成するフィルタを低周波側とし別のフィルタを高周波側としてデュプレクサを構成する際に、高周波側の周波数帯域Ｂ２へ信号がもれることを抑制することができる。周波数特性ＦＣ２は、シールリングＳＲに２ナノヘンリー（ｎＨ）のインダクタンスを付与して接地した実施例の周波数特性であり、周波数特性ＦＣ３は、シールリングＳＲに３ｎＨのインダクタンスを付与して接地した実施例の周波数特性である。 FIG. 3 is a diagram illustrating frequency characteristics of the example and the comparative example. A frequency characteristic FC1 indicated by a solid line indicates the frequency characteristic according to the comparative example, and a frequency characteristic FC2 indicated by a broken line and an FC3 indicated by a one-dot chain line indicate the frequency characteristic according to the example. In the frequency band B2 on the high frequency side of the frequency band B1 that is the pass band of the filter, the seal ring SR is grounded by applying inductance to the frequency characteristic FC1 of the comparative example in which the seal ring SR is grounded without adding inductance. The frequency characteristics FC2 and FC3 of the embodiment are shown to have a larger attenuation. Thereby, for example, when the duplexer is configured with the filter constituting the frequency band B1 as the low frequency side and another filter as the high frequency side, it is possible to suppress leakage of the signal to the frequency band B2 on the high frequency side. The frequency characteristic FC2 is a frequency characteristic of an embodiment in which an inductance of 2 nanohenry (nH) is applied to the seal ring SR and grounded. The frequency characteristic FC3 is an implementation in which an inductance of 3 nH is applied to the seal ring SR and grounded. It is an example frequency characteristic.

図３に示すように、シールリングＳＲに付与するインダクタンスが小さいと、周波数特性ＦＣ２のように、周波数帯域Ｂ２における低周波側の減衰量を大きくすることができ、シールリングＳＲに付与するインダクタンスが大きいと、周波数特性ＦＣ３のように、周波数帯域Ｂ２における高周波側の減衰量を大きくすることができる。 As shown in FIG. 3, when the inductance applied to the seal ring SR is small, the attenuation on the low frequency side in the frequency band B2 can be increased as in the frequency characteristic FC2, and the inductance applied to the seal ring SR is reduced. If it is large, the amount of attenuation on the high frequency side in the frequency band B2 can be increased as in the frequency characteristic FC3.

このように、本実施例によれば、シールリングＳＲにインダクタンスを付与して接地することにより、フィルタの通過帯域である周波数帯域Ｂ１の高周波側の周波数帯域Ｂ２における減衰量を大きくすることができる。また、シールリングＳＲに付与するインダクタンスの大きさを調整する弾性波フィルタの設計方法により、フィルタの通過帯域である周波数帯域Ｂ１の高周波側の周波数帯域Ｂ２において、所望の減衰特性を得ることができる。 As described above, according to the present embodiment, the amount of attenuation in the frequency band B2 on the high frequency side of the frequency band B1, which is the pass band of the filter, can be increased by providing the seal ring SR with grounding. . Further, a desired attenuation characteristic can be obtained in the frequency band B2 on the high frequency side of the frequency band B1, which is the pass band of the filter, by the design method of the elastic wave filter that adjusts the magnitude of the inductance applied to the seal ring SR. .

図４は実施例１の弾性表面波フィルタ１００を示す図である。図４は素子基板１の主面の逆の面からの透視図である。素子基板１となる圧電基板は、例えば、３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム単結晶、４２°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム単結晶等、電気機械結合が大きく、周波数温度係数が小さい部材を好適に用いることができるが、これらに限らず、所望の特性を得られる素子基板であればよい。また、圧電基板の厚さは、例えば、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。素子基板１の主面上に、入力用パッドＴ１と出力用パッドＴ２が形成され、入力用パッドＴ１と出力用パッドＴ２の間にＩＤＴで構成された弾性表面波共振器である直列共振器Ｓ１〜Ｓ４が形成されている。直列共振器Ｓ１とＳ２の間に接続され、ＩＤＴで構成された弾性表面波共振器である並列共振器Ｐ１が形成され、直列共振器Ｓ３とＳ４の間に接続され、ＩＤＴで構成
された弾性表面波共振器である並列共振器Ｐ２が形成されている。直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と並列共振器Ｐ１〜２により、ラダー型フィルタが構成されている。各ＩＤＴは、信号の損失を防ぐために反射器に挟まれた構成となっている。並列共振器Ｐ１とＰ２は接地用パッドＴ３に接続されている。また、ダミーパッドＴ５はダミーのパッドである。また、素子基板１の主面上に、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と並列共振器Ｐ１〜２、入力用パッドＴ１、出力用パッドＴ２、接地用パッドＴ３、Ｔ４、及びダミーパッドＴ５を、囲うようにシールリングＳＲが形成されている。シールリングＳＲの幅ｄ１は例えば１０μｍ、高さは２０μｍとすることができる。シールリングＳＲは接地用パッドＴ４に接続されていて、共振器及び他の共振器と接続されたパッドとは接続されていない。これは、寄生容量成分Ｃ１、Ｃ２をインダクタンスの付与により調整する前に、素子基板の主面上でシールリングＳＲをグランドの基準電位と共通化しないようにするためである。 FIG. 4 is a diagram illustrating the surface acoustic wave filter 100 according to the first embodiment. FIG. 4 is a perspective view from a surface opposite to the main surface of the element substrate 1. The piezoelectric substrate used as the element substrate 1 is a member having a large electromechanical coupling and a small frequency temperature coefficient, such as a 36 ° Y-cut X-propagation lithium tantalate single crystal and a 42 ° Y-cut X-propagation lithium tantalate single crystal. However, the present invention is not limited thereto, and any element substrate that can obtain desired characteristics may be used. The thickness of the piezoelectric substrate can be set to 0.1 mm to 0.5 mm, for example. On the main surface of the element substrate 1, an input pad T1 and an output pad T2 are formed, and a series resonator S1 which is a surface acoustic wave resonator composed of an IDT between the input pad T1 and the output pad T2. To S4 are formed. A parallel resonator P1, which is a surface acoustic wave resonator formed of an IDT, is connected between the series resonators S1 and S2, and is connected between the series resonators S3 and S4 and is formed of an IDT. A parallel resonator P2, which is a surface wave resonator, is formed. A ladder filter is configured by the series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 and P2. Each IDT is configured to be sandwiched between reflectors to prevent signal loss. The parallel resonators P1 and P2 are connected to the ground pad T3. The dummy pad T5 is a dummy pad. Further, on the main surface of the element substrate 1, the series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 to 2, the input pad T1, the output pad T2, the ground pads T3 and T4, and the dummy pad T5 are surrounded. A seal ring SR is formed on the surface. The width d1 of the seal ring SR can be set to 10 μm and the height can be set to 20 μm, for example. The seal ring SR is connected to the grounding pad T4 and is not connected to the resonator and pads connected to other resonators. This is to prevent the seal ring SR from being shared with the ground reference potential on the main surface of the element substrate before the parasitic capacitance components C1 and C2 are adjusted by applying the inductance.

上述のように、シールリングＳＲは入力用パッドＴ１及び出力用パッドＴ２の近くに配置されているために、入力用パッドＴ１と出力用パッドＴ２の間に容量結合が生じている。シールリングＳＲと入力用パッドＴ１との距離d2とシールリングＳＲと出力用パッドＴ２との距離d3は、例えばそれぞれ１０μｍとすることができる。シールリングＳＲに対抗する入力用パッドＴ１の幅ｗ１，出力用パッドＴ２の幅ｗ２は、例えばそれぞれ５０μｍ、膜厚はそれぞれ１μｍとすることができる。このとき、d2に生じた寄生容量成分Ｃ１は０．０９７９６８ｐＦ（ピコファラッド）であり、d3に生じた寄生容量成分Ｃ２は０．０９７８３７ｐＦであった。そして、入出力の結合容量成分は０．００１２４２ｐＦであった。入出力パッドＴ１、Ｔ２間の容量結合は、このように微量な結合成分であっても、高周波になるに従い周波数特性に影響を与える。 As described above, since the seal ring SR is disposed near the input pad T1 and the output pad T2, capacitive coupling occurs between the input pad T1 and the output pad T2. A distance d2 between the seal ring SR and the input pad T1 and a distance d3 between the seal ring SR and the output pad T2 can be set to 10 μm, for example. For example, the width w2 of the input pad T1 and the width w2 of the output pad T2 opposed to the seal ring SR can be set to 50 μm and the film thickness can be set to 1 μm, respectively. At this time, the parasitic capacitance component C1 generated in d2 was 0.097968 pF (picofarad), and the parasitic capacitance component C2 generated in d3 was 0.097837 pF. The input / output coupling capacitance component was 0.001242 pF. Capacitive coupling between the input / output pads T1 and T2 affects the frequency characteristics as the frequency becomes high even with such a small amount of coupling component.

天板９は支持柱８に支えられている。支持柱８は、素子基板１上に７個形成され、接続配線５上に、一点鎖線で囲うことにより示した領域に形成された絶縁膜ＩＦを介して、１個形成されている。図４では天板９が形成される領域を符号９で示す破線で囲うことにより示した。支持柱８と天板９は、例えば、銅などの金属により形成されている。 The top plate 9 is supported by the support pillar 8. Seven support pillars 8 are formed on the element substrate 1, and one support pillar 8 is formed on the connection wiring 5 via an insulating film IF formed in a region indicated by being surrounded by a one-dot chain line. In FIG. 4, the region where the top plate 9 is formed is shown by being surrounded by a broken line indicated by reference numeral 9. The support pillar 8 and the top plate 9 are made of metal such as copper, for example.

図５は、弾性表面波フィルタ１００を収容するウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）を示す図である。ＷＬＰとは、弾性表面波デバイスの個片化前におけるウエハの段階で、弾性波共振器上の空隙ＡＧが確保されるように封止がなされ、その後個片化されたパッケージである。封止がなされてから個片化するため、封止部は素子基板１の側面（切断面）と同一平面を形成する。さらに、後述の説明で明らかになるが、素子基板１と対抗する面である封止部上には、ＷＬＰの外部との接続部であるバンプが複数形成される。 FIG. 5 is a view showing a wafer level package (WLP) that accommodates the surface acoustic wave filter 100. WLP is a package that is sealed so as to ensure a gap AG on the acoustic wave resonator at the stage of the wafer before the surface acoustic wave device is singulated, and then singulated. The sealing part forms the same plane as the side surface (cut surface) of the element substrate 1 in order to separate into pieces after the sealing. Furthermore, as will be apparent from the description below, a plurality of bumps that are connecting portions to the outside of the WLP are formed on the sealing portion that is a surface facing the element substrate 1.

図６は弾性波デバイスを構成するＷＬＰの実装面を示す図である。図４に示したパッドＴ１〜Ｔ５が図６にＴ１ｓ〜Ｔ５ｓで示したパッドにそれぞれバンプを介して接続される。図６のＴ１ｓは弾性波デバイスの入力側の回路（図示せず）へ接続されるパットである。図６のＴ２ｓは弾性波デバイスの出力側の回路（図示せず）へ接続されるパットである。図６のＴ３ｓはインダクタＬ１ｓを介してグランドＧＮＤに接続される。図６のＴ４ｓはインダクタＬ２ｓを介してグランドＧＮＤに接続される。インダクタＬ２ｓにより、シールリングＳＲがインダクタを介してグランドGNDに接地される。 FIG. 6 is a diagram showing a mounting surface of the WLP constituting the acoustic wave device. The pads T1 to T5 shown in FIG. 4 are connected to the pads shown by T1s to T5s in FIG. T1s in FIG. 6 is a pad connected to an input side circuit (not shown) of the acoustic wave device. T2s in FIG. 6 is a pad connected to a circuit (not shown) on the output side of the acoustic wave device. T3s in FIG. 6 is connected to the ground GND via the inductor L1s. T4s in FIG. 6 is connected to the ground GND through the inductor L2s. The seal ring SR is grounded to the ground GND via the inductor by the inductor L2s.

インダクタＬ１ｓ、Ｌ２ｓは、図示したように、曲がり角を有するように配線を引き回したり、Ｕ字形状や、ミアンダ形状を有するように配線を引き回して、インダクタンス成分を得るものでもよい。図３で示した高周波の帯域においては、分布定数回路素子として、インダクタンス成分を形成することができるからである。また、ディスクリート部品（集中定数回路素子）としてのインダクタチップを用いて形成してもよい。また、インダクタンス成分は、ＷＬＰの実装面に限らず、素子基板上やＷＬＰの封止部上、或いは、実装する基板が積層基板である場合にはその内層に形成されてもよい。但し、素子基板の誘電率が高い場合には、容量性が大きくなるために、所望のインダクタンスを得にくくなる場合があるため、素子基板以外にインダクタンス成分となる配線を引き回すことが望ましい。 As shown in the figure, the inductors L1s and L2s may be ones in which the wiring is routed so as to have a bend, or the wiring is routed so as to have a U shape or a meander shape to obtain an inductance component. This is because an inductance component can be formed as a distributed constant circuit element in the high-frequency band shown in FIG. Further, an inductor chip as a discrete component (lumped constant circuit element) may be used. Further, the inductance component is not limited to the WLP mounting surface, but may be formed on the element substrate, the WLP sealing portion, or in the inner layer when the mounting substrate is a multilayer substrate. However, when the dielectric constant of the element substrate is high, the capacitance is increased, and it may be difficult to obtain a desired inductance. Therefore, it is desirable to route wiring that becomes an inductance component other than the element substrate.

グランドＧＮＤは、図６に示されるように、他のパターンに比べ相当に広い面積を有する。これは、弾性表面波フィルタ１００が携帯電話等のマザーボードに実装されマザーボードのグランドと接続された際、安定的にグランド電位を弾性表面波フィルタ１００に供給するためである。本発明でいうグランドとは、マザーボードのグランドではなく、そこに接続され得るものであって、弾性波デバイスにグランド電位を供給し得る金属パターンを指す。 As shown in FIG. 6, the ground GND has a considerably larger area than other patterns. This is because the ground potential is stably supplied to the surface acoustic wave filter 100 when the surface acoustic wave filter 100 is mounted on a motherboard such as a mobile phone and connected to the ground of the motherboard. The term “ground” as used in the present invention refers to a metal pattern that can be connected to the ground wave instead of the mother board ground and can supply a ground potential to the acoustic wave device.

ＷＬＰの実装面は、弾性波デバイスの表面に形成されてもよく、例えば、図７に示すように、積層されたプリント配線基板３００，３１０，３２０の内部に形成されていてもよい。図７に示すように、下層の配線基板３００の一部領域に、例えば図６に示した配線パターン２００を形成し、その上に実施例１のＷＬＰを実装する。ＷＬＰに対応する位置に穴が形成された中間層を構成するプリント配線基板３１０を積層する。樹脂等の絶縁体を流入させ、封止部４を形成する。上層を構成するプリント配線基板３２０を積層する。プリント配線基板は、予め、ビア７、接続配線５、外部接続端子２０１などにより電気回路の構成要素となるように構成されている。 The mounting surface of the WLP may be formed on the surface of the acoustic wave device. For example, as illustrated in FIG. 7, the mounting surface of the WLP may be formed inside the stacked printed wiring boards 300, 310, and 320. As shown in FIG. 7, for example, the wiring pattern 200 shown in FIG. 6 is formed in a partial region of the lower wiring substrate 300, and the WLP of the first embodiment is mounted thereon. A printed wiring board 310 constituting an intermediate layer in which holes are formed at positions corresponding to WLP is laminated. An insulating material such as resin is introduced to form the sealing portion 4. A printed wiring board 320 constituting the upper layer is laminated. The printed wiring board is configured in advance to be a component of an electric circuit by the via 7, the connection wiring 5, the external connection terminal 201, and the like.

以上によれば、ＷＬＰが内部に形成された積層されたプリント配線基板３００，３１０，３２０を用いた弾性波デバイス５００を形成することができる。積層されたプリント配線基板３００，３１０，３２０を用いた弾性波デバイス５００は、例えば、集積回路、キャパシタ、インダクタなどの様々な電子部品が集積されて構成されたモジュールである。このように、弾性波デバイスは、弾性波を利用したデバイスであれば何でもよく、例えば、デュプレクサ、トリプレクサ、クワドロプレクサなどの分波器やこれらを含むモジュールから、弾性波フィルタを利用した携帯電話などの移動通信機器を含む。 According to the above, it is possible to form the acoustic wave device 500 using the stacked printed wiring boards 300, 310, and 320 in which the WLP is formed. The acoustic wave device 500 using the stacked printed wiring boards 300, 310, and 320 is a module in which various electronic components such as an integrated circuit, a capacitor, and an inductor are integrated. As described above, the elastic wave device may be anything as long as it uses an elastic wave. For example, a cellular phone using an elastic wave filter from a duplexer, a triplexer, a quadroplexer, or the like, or a module including them. Including mobile communication equipment.

次に、実施例１の弾性波デバイスを構成するＷＬＰの構成について詳細に説明する。図５（a）は、図４のＡ−Ａ断面図であり、素子基板１上に形成されたシールリングＳＲと、素子基板１上に形成された支持柱８と、素子基板１上に形成された接続配線５と、接続配線５上に形成された絶縁膜ＩＦと、絶縁膜ＩＦ上に形成された支持柱８と、支持柱８に支持された天板９と、封止部４と、の位置関係を示している。シールリングＳＲは並列共振器Ｐ１、支持柱８、及び天板９を囲うように形成されている。また、シールリングＳＲの高さは天板９の高さと同等にすることができる。後述するように、ＷＬＰは、天板９と、一定以上の粘度を有する絶縁性部材からなる封止部４により、弾性波共振器の領域上に空隙ＡＧが確保されて、封止されている。 Next, the configuration of the WLP constituting the acoustic wave device of Example 1 will be described in detail. FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 4, and the seal ring SR formed on the element substrate 1, the support pillar 8 formed on the element substrate 1, and the element substrate 1. Connected wiring 5, insulating film IF formed on connecting wiring 5, support pillar 8 formed on insulating film IF, top plate 9 supported on support pillar 8, sealing portion 4 The positional relationship of is shown. The seal ring SR is formed so as to surround the parallel resonator P1, the support column 8, and the top plate 9. Further, the height of the seal ring SR can be made equal to the height of the top plate 9. As will be described later, the WLP is sealed with a ceiling AG 9 and a sealing portion 4 made of an insulating member having a certain viscosity or more, with a gap AG secured on the area of the acoustic wave resonator. .

図５（b）は、図４のＢ−Ｂ断面図であり、素子基板１上に形成されたシールリングＳＲと、素子基板１上に形成された支持柱８と、支持柱８に支持された天板９と、接地用パッドＴ３と、接地用パッドＴ３状に形成された引出電極２と、天板９に導通するバンプ３と、封止部４と、の位置関係を示している。バンプ３は、ＷＬＰを外部と接続するための接続部となり、例えば金や半田などで形成される。図５（ｂ）からわかるように、金属で形成された天板９及び支持柱８は、接地用パッドＴ３と同電位になっている。支持柱８は、天板９を物理的に支持できる範囲内であれば自由にその配置を設計することができるが、グランド電位とした支持柱８を、アイソレーションを高めたい共振器の間に配置することにより、共振器間のアイソレーションを向上させることができる。なお、図示はしないが、天板９を樹脂等の絶縁物により形成する場合には、天板９を通じて導通することができないので、入力用パッドＴ１又は出力用パッドＴ２のように、接地用パッドＴ３も天板９が形成される領域の外側に形成することが望ましい。 FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 4, and is supported by the seal ring SR formed on the element substrate 1, the support pillar 8 formed on the element substrate 1, and the support pillar 8. The positional relationship among the top plate 9, the grounding pad T3, the extraction electrode 2 formed in the shape of the grounding pad T3, the bump 3 conducting to the top plate 9, and the sealing portion 4 is shown. The bump 3 serves as a connection portion for connecting the WLP to the outside, and is formed of, for example, gold or solder. As can be seen from FIG. 5B, the top plate 9 and the support column 8 made of metal are at the same potential as the grounding pad T3. The arrangement of the support columns 8 can be freely designed as long as the top plate 9 can be physically supported. However, the support columns 8 having a ground potential can be arranged between the resonators to be isolated. By arranging, the isolation between the resonators can be improved. Although not shown, when the top plate 9 is formed of an insulator such as a resin, it cannot be conducted through the top plate 9, so that it can be grounded like the input pad T1 or the output pad T2. It is desirable to form T3 also outside the region where the top plate 9 is formed.

図５（ｃ）は、図４のＣ−Ｃ断面図であり、出力用パッドＴ２及び接地端子Ｔ５上に形成された引出電極２と、引出電極２上に形成されたバンプ３と、素子基板１とバンプ３のみが外部に露出するように封止する封止部４と、を示す図である。各パッドＴ１〜Ｔ５は、引出電極２及びバンプ３を介してＷＬＰの外部と電気的に接続される。 FIG. 5C is a cross-sectional view taken along the line C-C of FIG. 4. The extraction electrode 2 formed on the output pad T2 and the ground terminal T5, the bump 3 formed on the extraction electrode 2, and the element substrate It is a figure which shows the sealing part 4 which seals so that only 1 and the bump 3 may be exposed outside. Each of the pads T1 to T5 is electrically connected to the outside of the WLP through the extraction electrode 2 and the bump 3.

次に、実施例１の弾性波デバイスを構成するＷＬＰの製造方法について説明する。ウエハ状の圧電基板上に、蒸着法やスパッタリング法などにより、アルミニウム、銅等の金属からなる金属層を設ける。次に、フォトリソグラフィー法等により金属層上に形成したレジストをパターニングする。そして、エッチング法やリフトオフ法等により、金属層パターンを形成し、ＩＤＴ，反射電極、信号配線、接地端子を形成する。これにより、入力用パッド、出力用パッド、直列共振器、並列共振器、接地用パッドが形成される。 Next, a method for manufacturing WLP constituting the acoustic wave device of Example 1 will be described. A metal layer made of a metal such as aluminum or copper is provided on the wafer-like piezoelectric substrate by vapor deposition or sputtering. Next, the resist formed on the metal layer is patterned by a photolithography method or the like. Then, a metal layer pattern is formed by an etching method, a lift-off method, or the like, and an IDT, a reflective electrode, a signal wiring, and a ground terminal are formed. Thereby, an input pad, an output pad, a series resonator, a parallel resonator, and a ground pad are formed.

図８は、上記のウエハ上でのプロセス後の、ＷＬＰの製造方法を説明するための図であり、図４のＢ−Ｂ断面図に対応して、一単位あたりのＷＬＰの製造途中の段階を示すものである。実際には複数の単位ＷＬＰがウエハ状に二次元に連接している。上記の金属層パターンを形成した工程の後、図８に示すように、シールリングＳＲと、パッドＴ１〜Ｔ５上に形成される引出電極２と、支持柱８とを形成する領域以外の領域に、第一のフォトレジストaを設ける。第一のフォトレジストaは、支持柱８の高さと同等の高さになるように形成される。次に、スパッタリング法等により、シードメタルｂを形成する。次に、シールリングＳＲと、端子Ｔ１〜Ｔ５上に形成される引出電極２と、支持柱８と、天板９とを形成する領域以外の領域のシードメタルｂ上に、第二のフォトレジストｃを設ける。そして、電解メッキ法等により、シードメタルｂ上に、例えば、銅を析出させる。これにより、図５（ｂ）に示したシールリングＳＲと、引出電極２と、支持柱８と、天板９とが形成される。 FIG. 8 is a diagram for explaining a method of manufacturing WLP after the above-described process on the wafer, and corresponding to the BB cross-sectional view of FIG. 4, a stage in the process of manufacturing WLP per unit. Is shown. Actually, a plurality of units WLP are two-dimensionally connected in a wafer shape. After the step of forming the metal layer pattern, as shown in FIG. 8, in a region other than the region where the seal ring SR, the extraction electrode 2 formed on the pads T1 to T5, and the support pillar 8 are formed. First photoresist a is provided. The first photoresist a is formed to have a height equivalent to the height of the support pillar 8. Next, seed metal b is formed by sputtering or the like. Next, a second photoresist is formed on the seed metal b in a region other than the region where the seal ring SR, the extraction electrode 2 formed on the terminals T1 to T5, the support column 8, and the top plate 9 are formed. c is provided. Then, for example, copper is deposited on the seed metal b by an electrolytic plating method or the like. Thereby, the seal ring SR, the extraction electrode 2, the support pillar 8, and the top plate 9 shown in FIG. 5B are formed.

その後、レジスト剥離液に浸漬させ、超音波洗浄等により、第一及び第二のフォトレジストを除去する。 Thereafter, the first and second photoresists are removed by immersion in a resist stripping solution and ultrasonic cleaning or the like.

ここで、支持柱８は、天板９を支えるために形成される。天板９は、封止部４を形成する際に封止材が共振器に接触することを防ぐために形成される。共振器は物理的に振動するため、封止材が接触しないように共振器の周囲に空隙を形成しなければ、共振特性が劣化するためである。支持柱８は、共振器および端子が形成された領域以外の領域に形成される。接続配線上に形成する場合は、絶縁膜ＩＦを介して形成する。 Here, the support column 8 is formed to support the top plate 9. The top plate 9 is formed to prevent the sealing material from coming into contact with the resonator when the sealing portion 4 is formed. This is because the resonator vibrates physically, and unless the air gap is formed around the resonator so that the sealing material does not contact, the resonance characteristics deteriorate. The support column 8 is formed in a region other than the region where the resonator and the terminal are formed. When it is formed on the connection wiring, it is formed via the insulating film IF.

次に、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などの樹脂シートを、天板９の形成プロセス後のウエハに熱圧着し、封止部４を形成する。封止する部材は樹脂に特に限定されないが、天板及び支持柱の内側への流入が回避され、空隙が確保できるよう、粘性の高い部材が望ましい。また、高い耐湿性を有する液晶ポリマーを用いることが好ましい。液晶ポリマーシートとして、例えば、クラレ株式会社の製品「ベクスター」等を使用することができる。ここで、ＬＣＰと圧電基板の密着性は高くないが、シールリングＳＲがあることにより、ＬＣＰが剥がれ難くなるという点において、実施例１のＷＬＰは有効である。 Next, a resin sheet such as liquid crystal polymer (LCP) is thermocompression bonded to the wafer after the process of forming the top plate 9 to form the sealing portion 4. The member to be sealed is not particularly limited to resin, but a highly viscous member is desirable so that inflow to the inside of the top plate and the support column can be avoided and a gap can be secured. Further, it is preferable to use a liquid crystal polymer having high moisture resistance. As the liquid crystal polymer sheet, for example, Kuraray Co., Ltd. product “BEXTER” can be used. Here, the adhesion between the LCP and the piezoelectric substrate is not high, but the WLP of Example 1 is effective in that the LCP is difficult to peel off due to the presence of the seal ring SR.

次に、引出電極２を露出させるために、レーザーを用いて封止部４に開口部を形成し、その開口部にバンプ３を形成する。接地用パッドＴ３は天板９と導通しているため、天板９の任意の位置を露出させて、バンプ３を形成する。その後、ダイシング処理をして個片化し、個々のＷＬＰを得る。 Next, in order to expose the extraction electrode 2, an opening is formed in the sealing portion 4 using a laser, and the bump 3 is formed in the opening. Since the grounding pad T3 is electrically connected to the top plate 9, an arbitrary position of the top plate 9 is exposed to form the bump 3. Thereafter, dicing is performed to obtain individual WLPs.

次に、実施例１の変形例について説明する。図９は実施例１の変形例を示す図である。本変形例及び以下の実施例では、図４に示した支持柱８と天板９は形成されない。セラミックなどの絶縁性基板の単層または積層基板からなるパッケージ基板６００の実装面６０１に、図４に示し
た弾性表面波フィルタ１００がフリップチップボンディングされている。パッケージ基板６００上にはシールリングＳＲに対応する位置にフレームＦが形成されている。フレームＦは、例えば樹脂や金属により形成され、シールリングＳＲと接着されている。フレームＦは、封止性を向上するために、内側の領域を完全に囲うように形成されていることが望ましい。なお、シールリングＳＲの部材とパッケージ基板の部材の密着性が良い場合やハーメチックに封止する必要がない場合などには、フレームＦは特に無くてもよい。 Next, a modification of the first embodiment will be described. FIG. 9 is a diagram illustrating a modification of the first embodiment. In the present modification and the following embodiments, the support pillar 8 and the top plate 9 shown in FIG. 4 are not formed. A surface acoustic wave filter 100 shown in FIG. 4 is flip-chip bonded to a mounting surface 601 of a package substrate 600 made of a single layer or a multilayer substrate of an insulating substrate such as ceramic. A frame F is formed on the package substrate 600 at a position corresponding to the seal ring SR. The frame F is formed of, for example, resin or metal and is bonded to the seal ring SR. The frame F is preferably formed so as to completely surround the inner region in order to improve the sealing performance. Note that the frame F is not particularly necessary when the adhesion between the member of the seal ring SR and the member of the package substrate is good or when it is not necessary to hermetically seal.

図１０は実施例１の変形例のパッケージ基板６００の実装面６０１を示す図である。図１０に示すＴ１１ｓ〜Ｔ１５ｓに、素子基板１上に形成されたパッドＴ１〜５がそれぞれ対応して、バンプ３を介してフリップチップ実装される。パッドＴ１〜Ｔ５はそれぞれ図９に示すビア７及び内層パターン６０２を介して外部接続端子６０３に接続されている。Ｔ１４ｓはＬ１２ｓを介してグランドＧＮＤに接続されている。Ｔ１３ｓはＬ１１ｓを介してグランドＧＮＤに接続されている。ここで、Ｌ１１ｓ、Ｌ１２ｓ、及び／又はグランドＧＮＤは、内層に形成されていてもよい。また、Ｌ１１ｓが接続されるグランドＧＮＤと、Ｌ１２ｓが接続されるグランドＧＮＤは、電気的に接続されないで、すなわち、共通の電位にならないまま外部接続端子に接続されていてもよい。多重モード型ＳＡＷフィルタやラティス型フィルタの設計手法などを用いて、平衡入力型又は平衡出力型のフィルタを構成する場合には、バランス特性が良くなる場合があるからである。なお、内層にバランを構成してもよい。 FIG. 10 is a diagram illustrating a mounting surface 601 of a package substrate 600 according to a modification of the first embodiment. Pads T1 to T5 formed on the element substrate 1 correspond to T11s to T15s shown in FIG. The pads T1 to T5 are connected to the external connection terminal 603 via the via 7 and the inner layer pattern 602 shown in FIG. T14s is connected to the ground GND via L12s. T13s is connected to the ground GND via L11s. Here, L11s, L12s, and / or the ground GND may be formed in the inner layer. Further, the ground GND to which L11s is connected and the ground GND to which L12s are connected may not be electrically connected, that is, may be connected to the external connection terminal without having a common potential. This is because when a balanced input type or balanced output type filter is configured using a multi-mode SAW filter or a lattice type filter design method, the balance characteristic may be improved. In addition, you may comprise a balun in an inner layer.

実施例２は、実施例１乃至実施例１の変形例にかかる共振器を、バルク波を励振させる弾性薄膜共振器（ＦＢＡＲ）で構成した例である。実施例２の共振器は、図１１に示すように、シリコン等からなる素子基板１０上に、下部電極１１、圧電薄膜１２、上部電極１３がこの順序で形成され、下部電極と素子基板１０の間には、音響反射手段１４が形成されている。音響反射手段１４、下部電極１１、圧電薄膜１２及び上部電極１３が重なる領域において、重なる方向に振動することにより、共振器として作用する。図１０に示した例では、音響反射手段１４としての空隙は、前記重なる領域が円乃至楕円形状をしており、下部電極１１、圧電薄膜１２及び上部電極１３がドーム状に形成されていることにより構成される。音響反射手段１４としての空隙は、素子基板１０上にキャビティを形成することにより構成されてもよく、この場合、下部電極１１、圧電薄膜１２及び上部電極１３の積層体は略平坦に形成され、下部電極１１、圧電薄膜１２及び上部電極１３が重なる領域は、四角形や五角形などの多角形を形成し得る。 The second embodiment is an example in which the resonator according to the modification of the first to first embodiments is configured by an elastic thin film resonator (FBAR) that excites a bulk wave. In the resonator according to the second embodiment, as shown in FIG. 11, a lower electrode 11, a piezoelectric thin film 12, and an upper electrode 13 are formed in this order on an element substrate 10 made of silicon or the like. An acoustic reflecting means 14 is formed between them. In the region where the acoustic reflection means 14, the lower electrode 11, the piezoelectric thin film 12 and the upper electrode 13 overlap, it vibrates in the overlapping direction, thereby acting as a resonator. In the example shown in FIG. 10, the gap as the acoustic reflection means 14 is such that the overlapping region has a circular or elliptical shape, and the lower electrode 11, the piezoelectric thin film 12 and the upper electrode 13 are formed in a dome shape. Consists of. The air gap as the acoustic reflection means 14 may be formed by forming a cavity on the element substrate 10. In this case, the laminate of the lower electrode 11, the piezoelectric thin film 12 and the upper electrode 13 is formed substantially flat, A region where the lower electrode 11, the piezoelectric thin film 12 and the upper electrode 13 overlap can form a polygon such as a quadrangle or a pentagon.

図１２はＦＢＡＲを用いてラダー型フィルタ８００を構成した例である。実施例１と同様、素子基板１上に形成された入力用パッドＴ１と出力用パッドＴ２の近くにラダー型フィルタと各端子を囲うようにシールリングＳＲが形成されている。その他の構成は実施例１及び実施例１の変形例と同様であるので説明を省略する。 FIG. 12 shows an example in which a ladder filter 800 is configured using FBAR. As in the first embodiment, a ladder type filter and a seal ring SR are formed in the vicinity of the input pad T1 and the output pad T2 formed on the element substrate 1 so as to surround each terminal. Since other configurations are the same as those of the first embodiment and the modification of the first embodiment, the description thereof is omitted.

実施例３は、実施例１、実施例１の変形例乃至実施例２にかかる共振器を、ＦＢＡＲとは異なる種類の弾性薄膜共振器（ＳＭＲ）で構成した例である。実施例３の共振器は、図１３に示すように、シリコン等からなる素子基板１０上に、下部電極１１、圧電薄膜１２、上部電極１３がこの順序で形成される。下部電極と基板の間には、空隙のかわりに音響反射手段１４が形成されている。音響反射手段１４、下部電極１１、圧電薄膜１２及び上部電極１３が重なる領域において、重なる方向に振動することにより、共振器として作用する。図１２に示した例では、音響反射手段１４として、音響インピーダンスが極端に異なる３層のシリコンＳｉＯ_２と２層のタングステンを交互に積層することにより、素子基板１０上に形成されている。３層のシリコンＳｉＯ_２と２層のタングステンは、膜厚がλの4分の1である薄膜である。なおλは共振周波数における伝搬波長である。その他の構成は実施例１乃至実施例２と同様であるので説明を省略する。 The third embodiment is an example in which the resonators according to the first and the modified examples of the first embodiment and the second embodiment are configured by elastic thin film resonators (SMR) of a type different from the FBAR. In the resonator according to the third embodiment, as shown in FIG. 13, a lower electrode 11, a piezoelectric thin film 12, and an upper electrode 13 are formed in this order on an element substrate 10 made of silicon or the like. An acoustic reflecting means 14 is formed between the lower electrode and the substrate instead of a gap. In the region where the acoustic reflection means 14, the lower electrode 11, the piezoelectric thin film 12 and the upper electrode 13 overlap, it vibrates in the overlapping direction, thereby acting as a resonator. In the example shown in FIG. 12, the acoustic reflecting means 14 is formed on the element substrate 10 by alternately stacking three layers of silicon SiO ₂ and two layers of tungsten having extremely different acoustic impedances. The three layers of silicon SiO ₂ and the two layers of tungsten are thin films having a thickness of ¼ of λ. Note that λ is a propagation wavelength at the resonance frequency. Since other configurations are the same as those of the first and second embodiments, the description thereof is omitted.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は本開示の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 The embodiments of the present invention have been described in detail above, but the present invention is not limited to the specific embodiments of the present disclosure, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. Deformation / change is possible.

１、１０・・・素子基板２・・・引出電極３・・・バンプ４・・・封止部５・・・接続配線７・・・ビア８・・・支持柱９・・・天板１１・・・下部電極１２・・・圧電薄膜１３・・・上部電極１４・・・音響反射手段６００・・・パッケージ基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,10 ... Element board | substrate 2 ... Lead electrode 3 ... Bump 4 ... Sealing part 5 ... Connection wiring 7 ... Via 8 ... Supporting pillar 9 ... Top plate 11 ... Lower electrode 12 ... piezoelectric thin film 13 ... upper electrode 14 ... acoustic reflection means 600 ... package substrate

Claims

素子基板と、前記素子基板上に形成された複数の弾性波共振器と、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つに接続され、電気信号が入力される入力用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つに接続され、電気信号が出力される出力用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器を囲うように形成されたシールリングと、前記シールリングとグランドとの間に形成された第一インダクタと、を有する弾性波デバイス。 An element substrate, a plurality of acoustic wave resonators formed on the element substrate, and an input pad formed on the element substrate and connected to at least one of the acoustic wave resonators to receive an electric signal And an output pad that is connected to at least one of the acoustic wave resonators and outputs an electrical signal, and is formed on the element substrate and surrounds the acoustic wave resonator. An acoustic wave device comprising: a seal ring formed on a first ring; and a first inductor formed between the seal ring and a ground.

前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つをグランドに接続するための第一接地用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記シールリングと接続され、前記第一接地用パッドと接続されていない、第二接地用パッドを有する、請求項１に記載の弾性波デバイス。 A first grounding pad formed on the element substrate for connecting at least one of the acoustic wave resonators to a ground; and formed on the element substrate and connected to the seal ring; The acoustic wave device according to claim 1, further comprising a second grounding pad that is not connected to the pad.

前記第一インダクタは、前記素子基板が実装されるパッケージ基板の実装面に形成されている、請求項１又は２に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the first inductor is formed on a mounting surface of a package substrate on which the element substrate is mounted.

前記素子基板の側面と同一平面を形成する絶縁性部材からなる封止部と、前記封止部上であって前記素子基板と対抗する面に形成された複数の接続部とを有する弾性波フィルタであって、前記弾性波フィルタは前記パッケージ基板の内部に形成されている、請求項１〜３に記載の弾性波デバイス。 An acoustic wave filter having a sealing portion made of an insulating member that forms the same plane as a side surface of the element substrate, and a plurality of connection portions formed on the sealing portion and on a surface facing the element substrate. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the acoustic wave filter is formed inside the package substrate.

前記パッケージ基板の実装面上であって、前記シールリングと対応する領域に形成されたフレームを有する、請求項１〜３に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, further comprising a frame formed on a mounting surface of the package substrate and in a region corresponding to the seal ring.

前記第一インダクタは、Ｕ字状またはＵ字状を含む形状で形成されている請求項１〜５に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the first inductor is formed in a U shape or a shape including a U shape.

前記第一インダクタは、ミアンダ状に形成されている請求項１〜６に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the first inductor is formed in a meander shape.

前記第一インダクタは、少なくとも一つの曲がり角を有するように形成されている請求項１〜５に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the first inductor is formed to have at least one bend.

前記弾性波共振器は、弾性表面波共振器または弾性薄膜共振器からなることを特徴とする請求項１〜８に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the acoustic wave resonator includes a surface acoustic wave resonator or an elastic thin film resonator.

前記複数の弾性波共振器はラダー型フィルタを構成することを特徴とする請求項１〜９に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the plurality of acoustic wave resonators constitute a ladder type filter.

前記第一接地用パッドは、第二インダクタを介して接地されていることを特徴とする請求項１〜１０に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the first grounding pad is grounded via a second inductor.

素子基板と、前記素子基板上に形成された複数の弾性波共振器と、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つに接続され、電気信号が入力される入力用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器の少なくとも一つに接続され、電気信号が出力される出力用パッドと、前記素子基板上に形成され、前記弾性波共振器を囲うように形成されたシールリングと、前記シールリングと前記グランドとの間に形成されたインダクタと、を有する弾性波デバイスの通過帯域の高周波側の前記通過帯域の外の帯域において、前記帯域の低周波側における前記フィルタの減衰特性を高める場合には前記インダクタのインダクタンスを小さくし、前記帯域の高周波側における前記フィルタの減衰特性を高める場合には前記インダクタのインダクタンスを大きくすることを特徴とする、弾性波フィルタの設計方法。 An element substrate, a plurality of acoustic wave resonators formed on the element substrate, and an input pad formed on the element substrate and connected to at least one of the acoustic wave resonators to receive an electric signal And an output pad that is connected to at least one of the acoustic wave resonators and outputs an electrical signal, and is formed on the element substrate and surrounds the acoustic wave resonator. In a band outside the pass band on the high frequency side of the pass band of the acoustic wave device having a seal ring formed on the surface and an inductor formed between the seal ring and the ground, the low frequency of the band When increasing the attenuation characteristic of the filter on the side, the inductance of the inductor is decreased, and when increasing the attenuation characteristic of the filter on the high frequency side of the band, the impedance is decreased. Characterized by increasing the inductance of the inductor, the design method of the acoustic wave filter.