JP2014075366A - Method for manufacturing organic el device, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an organic EL device by which display quality can be improved, an organic EL device, and an electronic apparatus.SOLUTION: A method for manufacturing an organic EL device includes steps of: forming, on an anode 24R on an element substrate 31, a luminous layer 63R emitting red by a coating method; forming, on an anode 24G on the element substrate 31, a luminous layer 63G emitting green by a coating method; forming, on the luminous layers 63R, 63G, intermediate layers 64R, 64G having electron injection properties; forming, in a region including portions on the intermediate layers 64R, 64G and on an anode 24B on the element substrate 31, a luminous layer 63B emitting blue by a vapor deposition method; and forming a cathode 25 on the luminous layer 63B.

Description

本発明は、有機EL装置の製造方法、有機EL装置、及び電子機器に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL device, an organic EL device, and an electronic apparatus.

有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置は、陽極と陰極との間に発光層を含む発光機能層を挟持した構造を有している。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成を挙げることができる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加することによって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合したときに発光が行われる。   An organic EL (electroluminescence) device has a structure in which a light emitting functional layer including a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode. As a light emitting functional layer, the structure by which the positive hole transport layer, the light emitting layer, and the electron carrying layer were laminated | stacked in order from the anode side can be mentioned, for example. Then, by applying a voltage between the anode and the cathode, holes are injected from the hole transport layer and electrons are injected from the electron transport layer into the light emitting layer, and light is emitted when they recombine.

有機EL装置の製造方法は、例えば、パターニング性が高く、大面積化が容易であり、材料の使用効率が高い塗布法が用いられる。しかしながら、塗布法における赤色発光層(R)、緑色発光層(G)は実用レベル(例えば、発光寿命特性など)であるものの、青色発光層(B)は実用レベルに到達したとは言い難い。一方、蒸着法における青色発光層(B)は、実用レベルに到達しつつある。   As a method for manufacturing the organic EL device, for example, a coating method with high patterning property, easy area enlargement, and high material use efficiency is used. However, although the red light emitting layer (R) and the green light emitting layer (G) in the coating method are at a practical level (for example, light emission lifetime characteristics), it is difficult to say that the blue light emitting layer (B) has reached a practical level. On the other hand, the blue light emitting layer (B) in the vapor deposition method is reaching a practical level.

そこで、例えば、特許文献1〜3に記載のように、赤色発光層(R)と緑色発光層(G)は塗布法で形成し、青色発光層(B)は赤色発光層(R)及び緑色発光層(G)上を含む全面に蒸着法で形成する方法が開示されている。   Therefore, for example, as described in Patent Documents 1 to 3, the red light emitting layer (R) and the green light emitting layer (G) are formed by a coating method, and the blue light emitting layer (B) is formed of the red light emitting layer (R) and the green light emitting layer. A method of forming the entire surface including the light emitting layer (G) by vapor deposition is disclosed.

特開2007−73532号公報JP 2007-73532 A 特開2003−332055号公報JP 2003-332055 A 特開平10−153967号公報JP-A-10-153967

しかしながら、塗布法で用いられる高分子材料と、蒸着法で用いられる低分子材料との間で、電荷の移動がスムーズに行われないという問題がある。つまり、発光を励起させようとする発光層への電子の注入性が悪いという問題がある。これにより、発光効率が低下したり寿命が低下したりするという課題があった。   However, there is a problem in that the charge transfer is not smoothly performed between the high molecular material used in the coating method and the low molecular material used in the vapor deposition method. That is, there is a problem in that the electron injection property to the light emitting layer that is intended to excite the light emission is poor. Thereby, there existed a subject that luminous efficiency fell or lifetime fell.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。また、以下の形態または適用例において、「上」とは、基板から見て有機EL素子が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples. In addition, in the following forms or application examples, “above” indicates the direction in which the organic EL element is arranged when viewed from the substrate. When “above” is written, it is in contact with OO. Or when placed on top of XX via other components or partly placed on top of XX and partly placed via other components It shall represent a case.

[適用例1]本適用例に係る有機EL装置の製造方法は、基板上の第1陽極上に第1色を発光する第1発光層を塗布法によって形成する第1発光層塗布工程と、前記基板上の第2陽極上に第2色を発光する第2発光層を塗布法によって形成する第2発光層塗布工程と、前記第1発光層及び前記第2発光層上に電子注入性を有する中間層を形成する中間層形成工程と、前記中間層上及び前記基板上の第3陽極上を含む領域に、第3色を発光する第3発光層を蒸着法によって形成する第3発光層蒸着工程と、前記第3発光層上に陰極を形成する陰極形成工程と、を有することを特徴とする。   [Application Example 1] A manufacturing method of an organic EL device according to this application example includes a first light-emitting layer coating step of forming a first light-emitting layer that emits a first color on a first anode on a substrate by a coating method; A second light-emitting layer coating step of forming a second light-emitting layer that emits a second color on the second anode on the substrate by a coating method; and an electron injection property on the first light-emitting layer and the second light-emitting layer. An intermediate layer forming step for forming an intermediate layer, and a third light emitting layer for forming a third light emitting layer for emitting a third color by a vapor deposition method in a region including the intermediate layer and the third anode on the substrate. It has a vapor deposition process and the cathode formation process which forms a cathode on the said 3rd light emitting layer, It is characterized by the above-mentioned.

この方法によれば、電子注入性を有する中間層を介して、塗布法によって形成された第1発光層及び第2発光層と、蒸着法によって形成された第3発光層とが積層されているので、第3発光層と、第1発光層及び第2発光層との間で電子注入を促進させる(確保する)ことが可能となる。よって、陰極からの電子を第3発光層から第1発光層及び第2発光層にスムーズに移動させることができる。その結果、発光素子を長時間に亘って発光させることが可能となり、寿命を向上させることができる。その結果、高い発光効率と長い寿命とを有する有機EL装置を製造することができる。   According to this method, the first light-emitting layer and the second light-emitting layer formed by the coating method and the third light-emitting layer formed by the vapor deposition method are stacked via the intermediate layer having an electron injecting property. Therefore, electron injection can be promoted (secured) between the third light emitting layer and the first light emitting layer and the second light emitting layer. Therefore, electrons from the cathode can be smoothly moved from the third light emitting layer to the first light emitting layer and the second light emitting layer. As a result, the light emitting element can emit light for a long time, and the lifetime can be improved. As a result, an organic EL device having high luminous efficiency and a long lifetime can be manufactured.

[適用例2]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記第1発光層は、赤色発光層であり、前記第2発光層は、緑色発光層であり、前記第3発光層は、青色発光層であることが好ましい。   Application Example 2 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, the first light emitting layer is a red light emitting layer, the second light emitting layer is a green light emitting layer, and the third light emitting layer is The blue light emitting layer is preferable.

この方法によれば、赤色発光層と緑色発光層とを塗布法によって形成し、青色発光層を蒸着法によって形成するので、青色の発光特性(例えば、寿命など)を、赤色及び緑色の発光特性に近づけることが可能となる。よって、有機EL装置の表示品質を向上させることができる。   According to this method, the red light emitting layer and the green light emitting layer are formed by the coating method, and the blue light emitting layer is formed by the vapor deposition method, so that the blue light emitting characteristics (for example, lifetime) can be improved. It becomes possible to approach. Therefore, the display quality of the organic EL device can be improved.

[適用例3]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記第3発光層は、少なくとも正孔輸送性を有する層と、電子輸送性を有する層とを含むことが好ましい。   Application Example 3 In the method of manufacturing an organic EL device according to the application example, it is preferable that the third light emitting layer includes at least a layer having a hole transporting property and a layer having an electron transporting property.

この方法によれば、第3発光層が正孔輸送性を有する層と電子輸送性を有する層とを含むので、第3陽極と陰極との間に第3発光層を形成することで、正孔及び電子を移動させることが可能となり、第3色を効率よく発光させることができる。   According to this method, since the third light emitting layer includes a layer having a hole transporting property and a layer having an electron transporting property, by forming the third light emitting layer between the third anode and the cathode, The holes and electrons can be moved, and the third color can be efficiently emitted.

[適用例4]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記第1陽極と前記第1発光層との間、及び、前記第2陽極と前記第2発光層との間に、少なくとも正孔注入層及び正孔輸送層のどちらか一方を形成することが好ましい。   Application Example 4 In the method of manufacturing an organic EL device according to the application example, at least between the first anode and the first light emitting layer and between the second anode and the second light emitting layer. It is preferable to form either the hole injection layer or the hole transport layer.

この方法によれば、少なくとも正孔注入層及び正孔輸送層のどちらか一方を形成するので、陽極から発光層への正孔の輸送性を向上させることができる。   According to this method, since at least one of the hole injection layer and the hole transport layer is formed, the hole transport property from the anode to the light emitting layer can be improved.

[適用例5]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記第3陽極と前記第3発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくともどちらか一方を形成することが好ましい。   Application Example 5 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, at least one of a hole injection layer and a hole transport layer is formed between the third anode and the third light emitting layer. It is preferable.

この方法によれば、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくともどちらか一方を形成するので、陽極から発光層への正孔の輸送性を向上させることができる。   According to this method, since at least one of the hole injection layer and the hole transport layer is formed, the hole transport property from the anode to the light emitting layer can be improved.

[適用例6]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記中間層形成工程は、前記正孔注入層または前記正孔輸送層と前記第3発光層との間に前記中間層を形成することが好ましい。   Application Example 6 In the method of manufacturing an organic EL device according to the application example, the intermediate layer forming step includes the intermediate layer between the hole injection layer or the hole transport layer and the third light emitting layer. It is preferable to form.

[適用例7]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記中間層形成工程は、前記第3陽極と前記第3発光層との間を含む領域に前記中間層を形成することが好ましい。   Application Example 7 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, the intermediate layer forming step includes forming the intermediate layer in a region including between the third anode and the third light emitting layer. preferable.

この方法によれば、第3陽極と第3発光層との間に中間層を有するので、陰極からの電子注入性を向上させることができる。   According to this method, since the intermediate layer is provided between the third anode and the third light emitting layer, the electron injecting property from the cathode can be improved.

[適用例8]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記中間層形成工程は、塗布法によって前記中間層を形成することが好ましい。   Application Example 8 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, it is preferable that the intermediate layer is formed by a coating method in the intermediate layer forming step.

この方法によれば、中間層を塗布法によって形成するので、各発光層毎に選択的に形成することができる。よって、基板上の全面に中間層を形成する場合と比較して、使用する材料を少なくすることができる。   According to this method, since the intermediate layer is formed by a coating method, it can be selectively formed for each light emitting layer. Therefore, the amount of material used can be reduced compared to the case where the intermediate layer is formed on the entire surface of the substrate.

[適用例9]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記中間層形成工程は、蒸着法によって前記中間層を形成することが好ましい。   Application Example 9 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, it is preferable that the intermediate layer is formed by an evaporation method in the intermediate layer forming step.

この方法によれば、中間層を蒸着法によって形成するので、基板上の全体に一度に形成できると共に、均一な膜質に形成することができる。また、蒸着法を用いるので、使用材料の選択性を向上させることができる。   According to this method, since the intermediate layer is formed by the vapor deposition method, the intermediate layer can be formed all over the substrate at once and can be formed in a uniform film quality. Moreover, since the vapor deposition method is used, the selectivity of the material used can be improved.

[適用例10]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記塗布法は、インクジェット法であることが好ましい。   Application Example 10 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, the coating method is preferably an ink jet method.

この方法によれば、インクジェット法を用いるので、各発光層の領域毎に液滴を吐出することで膜を形成することができる。言い換えれば、選択的に機能性を有する機能膜を形成できる。   According to this method, since the ink jet method is used, a film can be formed by discharging droplets for each region of each light emitting layer. In other words, a functional film having functionality can be selectively formed.

[適用例11]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記中間層は炭酸セシウムであることが好ましい。   Application Example 11 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, it is preferable that the intermediate layer is cesium carbonate.

[適用例12]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、色変換層を形成する色変換層形成工程を有することが好ましい。   Application Example 12 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, it is preferable to include a color conversion layer forming step of forming a color conversion layer.

この方法によれば、色変換層(カラーフィルター)を介して光を出力するので、例えば、光を着色したり、混色した色を除去したりすることができる。つまり、ねらいの波長分布を有する光が得られる。   According to this method, since light is output through the color conversion layer (color filter), for example, light can be colored or a mixed color can be removed. That is, light having a target wavelength distribution can be obtained.

[適用例13]本適用例に係る有機EL装置は、基板上の第1陽極上に塗布法によって形成された第1色を発光する第1発光層と、前記基板上の第2陽極上に塗布法によって形成された第2色を発光する第2発光層と、前記第1発光層上、前記第2発光層上、前記基板上の第3陽極上を含む領域に蒸着法によって形成された第3色を発光する第3発光層と、前記第3発光層上に設けられた陰極と、を有し、少なくとも前記第1発光層と前記第3発光層との間、及び、前記第2発光層と前記第3発光層との間に、電子注入性を有する中間層が設けられていることを特徴とする。   Application Example 13 An organic EL device according to this application example has a first light-emitting layer that emits a first color formed on a first anode on a substrate by a coating method, and a second anode on the substrate. A second light-emitting layer that emits a second color formed by a coating method, and a region including the first light-emitting layer, the second light-emitting layer, and the third anode on the substrate formed by vapor deposition. A third light-emitting layer that emits a third color; and a cathode provided on the third light-emitting layer, and at least between the first light-emitting layer and the third light-emitting layer, and the second An intermediate layer having an electron injecting property is provided between the light emitting layer and the third light emitting layer.

この構成によれば、電子注入性を有する中間層を介して、塗布法によって形成された第1発光層及び第2発光層と、蒸着法によって形成された第3発光層とが積層されているので、第3発光層と、第1発光層及び第2発光層との間で電子注入を促進させる(確保する)ことが可能となる。よって、陰極からの電子を第3発光層から第1発光層及び第2発光層にスムーズに移動させることができる。その結果、発光素子を長時間に亘って発光させることが可能となり、寿命を向上させることができる。その結果、高い発光効率と長い寿命とを有する有機EL装置を提供することができる。   According to this configuration, the first light-emitting layer and the second light-emitting layer formed by the coating method and the third light-emitting layer formed by the vapor deposition method are stacked via the intermediate layer having an electron injecting property. Therefore, electron injection can be promoted (secured) between the third light emitting layer and the first light emitting layer and the second light emitting layer. Therefore, electrons from the cathode can be smoothly moved from the third light emitting layer to the first light emitting layer and the second light emitting layer. As a result, the light emitting element can emit light for a long time, and the lifetime can be improved. As a result, an organic EL device having high luminous efficiency and a long lifetime can be provided.

[適用例14]上記適用例に係る有機EL装置において、前記第1発光層は、赤色発光層であり、前記第2発光層は、緑色発光層であり、前記第3発光層は、青色発光層であることが好ましい。   Application Example 14 In the organic EL device according to the application example, the first light emitting layer is a red light emitting layer, the second light emitting layer is a green light emitting layer, and the third light emitting layer is blue light emitting. A layer is preferred.

この構成によれば、赤色発光層と緑色発光層とを塗布法によって形成し、青色発光層を蒸着法によって形成するので、青色の発光特性(例えば、寿命など)を、赤色及び緑色の発光特性に近づけることが可能となる。よって、有機EL装置の表示品質を向上させることができる。   According to this configuration, since the red light emitting layer and the green light emitting layer are formed by the coating method and the blue light emitting layer is formed by the vapor deposition method, the blue light emitting characteristics (for example, lifetime) can be improved, and the red and green light emitting characteristics. It becomes possible to approach. Therefore, the display quality of the organic EL device can be improved.

[適用例15]本適用例に係る電子機器は、上記した有機EL装置の製造方法を用いて製造された有機EL装置、又は上記した有機EL装置を備えたことを特徴とする。   Application Example 15 An electronic apparatus according to this application example includes an organic EL device manufactured by using the above-described organic EL device manufacturing method or the above-described organic EL device.

この構成によれば、高い表示品質の画像を表示可能な電子機器を提供することができる。   According to this configuration, it is possible to provide an electronic device that can display an image with high display quality.

第1実施形態の有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the organic EL device according to the first embodiment. 有機EL装置の構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 第2実施形態の有機EL装置の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 第3実施形態の有機EL装置の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus of 3rd Embodiment. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 第4実施形態の有機EL装置の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus of 4th Embodiment. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 第5実施形態の有機EL装置の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus of 5th Embodiment. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 有機EL装置を備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows typically the structure of a television as an example of an electronic device provided with an organic EL apparatus. 有機EL装置の変形例の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of the modification of an organic electroluminescent apparatus.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

(第1実施形態)
<有機EL装置の構成>
図1は、有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機EL装置の構成を、図1を参照しながら説明する。なお、本実施形態の有機EL装置は、一例としてボトムエミッション構造で説明するが、トップエミッション構造にも適用可能である。
(First embodiment)
<Configuration of organic EL device>
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the organic EL device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG. The organic EL device of the present embodiment will be described with a bottom emission structure as an example, but can also be applied to a top emission structure.

図1に示すように、有機EL装置11は、複数の走査線12と、走査線12に対して交差する方向に延びる複数の信号線13と、信号線13に並行に延びる複数の電源線14とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線12と信号線13とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線13は、信号線駆動回路15に接続されている。また、走査線12は、走査線駆動回路16に接続されている。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 11 includes a plurality of scanning lines 12, a plurality of signal lines 13 extending in a direction intersecting the scanning lines 12, and a plurality of power supply lines 14 extending in parallel to the signal lines 13. Are wired in a grid pattern. An area partitioned by the scanning line 12 and the signal line 13 is configured as a pixel area. The signal line 13 is connected to the signal line drive circuit 15. The scanning line 12 is connected to the scanning line driving circuit 16.

各画素領域には、走査線12を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(Thin Film Transistor)21と、このスイッチング用TFT21を介して信号線13から供給される画素信号を保持する保持容量22と、保持容量22によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT23(以下、「TFT素子23」と称する。)と、が設けられている。更に、各画素領域には、TFT素子23を介して電源線14に電気的に接続したときに、電源線14から駆動電流が流れ込む陽極24と、陰極25と、この陽極24と陰極25との間に挟持された機能層としての発光機能層26とが設けられている。   Each pixel region holds a switching TFT (Thin Film Transistor) 21 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 12 and a pixel signal supplied from the signal line 13 via the switching TFT 21. And a driving TFT 23 (hereinafter referred to as “TFT element 23”) to which a pixel signal held by the holding capacitor 22 is supplied to the gate electrode is provided. Further, in each pixel region, when electrically connected to the power supply line 14 via the TFT element 23, an anode 24, a cathode 25, and an anode 24 and a cathode 25 into which drive current flows from the power supply line 14. A light emitting functional layer 26 is provided as a functional layer sandwiched therebetween.

有機EL装置11は、陽極24と陰極25と発光機能層26とにより構成される発光素子27を複数備えている。また、有機EL装置11は、複数の発光素子27で構成される表示領域を備えている。   The organic EL device 11 includes a plurality of light emitting elements 27 including an anode 24, a cathode 25, and a light emitting functional layer 26. In addition, the organic EL device 11 includes a display area composed of a plurality of light emitting elements 27.

この構成によれば、走査線12が駆動されてスイッチング用TFT21がオン状態になると、そのときの信号線13の電位が保持容量22に保持され、保持容量22の状態に応じて、TFT素子23のオン・オフ状態が決まる。そして、TFT素子23のチャネルを介して、電源線14から陽極24に電流が流れ、更に、発光機能層26を介して陰極25に電流が流れる。発光機能層26は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。   According to this configuration, when the scanning line 12 is driven and the switching TFT 21 is turned on, the potential of the signal line 13 at that time is held in the holding capacitor 22, and the TFT element 23 depends on the state of the holding capacitor 22. ON / OFF state is determined. Then, current flows from the power supply line 14 to the anode 24 through the channel of the TFT element 23, and further current flows to the cathode 25 through the light emitting functional layer 26. The light emitting functional layer 26 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing therethrough.

図2は、有機EL装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機EL装置の構成を、図2を参照しながら説明する。   FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the organic EL device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG.

図2に示すように、有機EL装置11は、ガラス等からなる基板としての素子基板31に表示領域32(図中一点鎖線の内側の領域)と非表示領域33(一点鎖線の外側の領域)とを有する構成になっている。表示領域32には、実表示領域32a(二点鎖線の内側の領域)とダミー領域32b(図中二点鎖線の外側の領域)とが設けられている。   As shown in FIG. 2, the organic EL device 11 includes a display region 32 (a region inside a one-dot chain line in the drawing) and a non-display region 33 (a region outside a one-dot chain line) on an element substrate 31 as a substrate made of glass or the like. It has the composition which has. The display area 32 is provided with an actual display area 32a (area inside the two-dot chain line) and a dummy area 32b (area outside the two-dot chain line in the figure).

実表示領域32a内には、光が射出されるサブ画素34(発光領域)がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素34の各々は、スイッチング用TFT21及びTFT素子23(図1参照)の動作に伴って、第1色としてのR(赤)、第2色としてのG(緑)、第3色としてのB(青)各色を発光する構成となっている。   In the actual display area 32a, sub-pixels 34 (light emitting areas) from which light is emitted are arranged in a matrix. Each of the sub-pixels 34 has R (red) as the first color, G (green) as the second color, and a third color in accordance with the operation of the switching TFT 21 and the TFT element 23 (see FIG. 1). The B (blue) as each color is configured to emit light.

ダミー領域32bには、主として各サブ画素34を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域32aの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路16が配置されており、実表示領域32aの図中上辺に沿うように検査回路35が配置されている。   In the dummy area 32b, a circuit for mainly causing each sub-pixel 34 to emit light is provided. For example, the scanning line driving circuit 16 is disposed along the left side and the right side of the actual display region 32a in the drawing, and the inspection circuit 35 is disposed along the upper side of the actual display region 32a in the drawing.

素子基板31の下辺には、フレキシブル基板36が設けられている。フレキシブル基板36には、各配線と接続された駆動用IC37が備えられている。   A flexible substrate 36 is provided on the lower side of the element substrate 31. The flexible substrate 36 is provided with a driving IC 37 connected to each wiring.

図3は、有機EL装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機EL装置の構造について、図3を参照しながら説明する。なお、図3は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the organic EL device. Hereinafter, the structure of the organic EL device will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows the cross-sectional positional relationship of each component and is represented on a scale that can be clearly shown.

図3に示すように、有機EL装置11は、発光領域42において発光が行われるものであり、素子基板31と、素子基板31上に形成された回路素子層43と、回路素子層43上に形成された発光素子層44と、発光素子層44上に形成された陰極(共通電極)25とを有する。素子基板31としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。   As shown in FIG. 3, the organic EL device 11 emits light in the light emitting region 42, and includes an element substrate 31, a circuit element layer 43 formed on the element substrate 31, and a circuit element layer 43. The light emitting element layer 44 formed and a cathode (common electrode) 25 formed on the light emitting element layer 44 are included. Examples of the element substrate 31 include a glass substrate having translucency.

回路素子層43には、素子基板31上にシリコン酸化膜(SiO2)からなる下地保護膜45が形成され、下地保護膜45上にTFT素子23が形成されている。詳しくは、下地保護膜45上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜46が形成されている。半導体膜46には、ソース領域47及びドレイン領域48が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域51となっている。 In the circuit element layer 43, a base protective film 45 made of a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the element substrate 31, and the TFT element 23 is formed on the base protective film 45. Specifically, an island-shaped semiconductor film 46 made of a polysilicon film is formed on the base protective film 45. A source region 47 and a drain region 48 are formed in the semiconductor film 46 by introducing impurities. A portion where no impurity is introduced is a channel region 51.

更に、回路素子層43には、下地保護膜45及び半導体膜46を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜52が形成されている。ゲート絶縁膜52上には、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)などからなるゲート電極53(走査線)が形成されている。   Further, a transparent gate insulating film 52 made of a silicon oxide film or the like that covers the base protective film 45 and the semiconductor film 46 is formed in the circuit element layer 43. A gate electrode 53 (scanning line) made of aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), or the like is formed on the gate insulating film 52.

ゲート絶縁膜52及びゲート電極53上には、透明な第1層間絶縁膜54、第2層間絶縁膜55が形成されている。第1層間絶縁膜54及び第2層間絶縁膜55は、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)、チタン酸化膜(TiO2)などから構成されている。ゲート電極53は、半導体膜46のチャネル領域51に対応する位置に設けられている。 A transparent first interlayer insulating film 54 and a second interlayer insulating film 55 are formed on the gate insulating film 52 and the gate electrode 53. The first interlayer insulating film 54 and the second interlayer insulating film 55 are composed of, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ), a titanium oxide film (TiO 2 ), or the like. The gate electrode 53 is provided at a position corresponding to the channel region 51 of the semiconductor film 46.

半導体膜46のソース領域47は、ゲート絶縁膜52及び第1層間絶縁膜54を貫通して設けられたコンタクトホール56を介して、第1層間絶縁膜54上に形成された信号線13と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域48は、ゲート絶縁膜52、第1層間絶縁膜54、第2層間絶縁膜55を貫通して設けられたコンタクトホール57を介して、第2層間絶縁膜55上に形成された陽極24(24R,24G,24B)と電気的に接続されている。   The source region 47 of the semiconductor film 46 is electrically connected to the signal line 13 formed on the first interlayer insulating film 54 through a contact hole 56 provided through the gate insulating film 52 and the first interlayer insulating film 54. Connected. On the other hand, the drain region 48 is formed on the second interlayer insulating film 55 through a contact hole 57 provided through the gate insulating film 52, the first interlayer insulating film 54, and the second interlayer insulating film 55. The anode 24 (24R, 24G, 24B) is electrically connected.

陽極24は、例えば、発光領域42ごとに形成されている。また、陽極24は、透明のITO(Indium Tin Oxide)膜からなり、例えば、平面的に略矩形状の形状となっている。なお、回路素子層43には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層43には、各陽極24に接続された駆動用のトランジスター(TFT素子23)が形成されている。   The anode 24 is formed for each light emitting region 42, for example. The anode 24 is made of a transparent ITO (Indium Tin Oxide) film, and has, for example, a substantially rectangular shape in plan view. In the circuit element layer 43, a storage capacitor and a switching transistor (not shown) are formed. Further, as described above, in the circuit element layer 43, driving transistors (TFT elements 23) connected to the respective anodes 24 are formed.

陽極24の周囲には、絶縁層58及び隔壁(バンク)59が、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層58としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)等の無機材料が挙げられる。絶縁層58は、隣り合う陽極24間の絶縁性を確保すると共に、発光領域42の形状を所望の形状(例えば、トラック形状)にするために、陽極24の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極24と絶縁層58とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。言い換えれば、絶縁層58は、発光領域42を除いた領域に形成されていることになる。 Around the anode 24, an insulating layer 58 and partition walls (banks) 59 are provided in a substantially lattice shape in plan view. Examples of the insulating layer 58 include an inorganic material such as a silicon oxide film (SiO 2 ). The insulating layer 58 is formed so as to run on the peripheral portion of the anode 24 in order to ensure insulation between the adjacent anodes 24 and to make the light emitting region 42 have a desired shape (for example, a track shape). ing. That is, the anode 24 and the insulating layer 58 have a structure in which they are arranged so as to partially overlap in plan view. In other words, the insulating layer 58 is formed in a region excluding the light emitting region 42.

隔壁59は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光領域42(発光素子27R,27G,27B)を囲むように形成されている。つまり、囲まれた領域が隔壁59の開口部(発光領域42)となる。隔壁59の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。   The partition wall 59 has, for example, a trapezoidal shape with a sloped section, and is formed so as to surround the light emitting region 42 (light emitting elements 27R, 27G, 27B). That is, the enclosed region is an opening (light emitting region 42) of the partition wall 59. Examples of the material of the partition wall 59 include organic materials having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin.

陽極24上に設けられる各種膜は、各色の発光素子27R,27G,27B毎に異なっている。具体的には、赤色発光素子27Rは、隔壁59によって囲まれた第1陽極としての陽極24R上に、正孔注入層61R、正孔輸送層62R、第1発光層(赤色発光層)としての発光層63Rが、塗布法(インクジェット法)によって順に形成されている。更に、発光層63R上には、電子注入性を促進させるため(言い換えれば、電荷をスムーズに移動させるため)の中間層64Rが塗布法によって設けられている。   Various films provided on the anode 24 are different for each color of the light emitting elements 27R, 27G, and 27B. Specifically, the red light emitting element 27R is formed on the anode 24R as the first anode surrounded by the partition wall 59, as the hole injection layer 61R, the hole transport layer 62R, and the first light emitting layer (red light emitting layer). The light emitting layer 63R is sequentially formed by a coating method (inkjet method). Furthermore, on the light emitting layer 63R, an intermediate layer 64R for promoting the electron injection property (in other words, for moving the charges smoothly) is provided by a coating method.

緑色発光素子27Gは、隔壁59によって囲まれた第2陽極としての陽極24G上に、正孔注入層61G、正孔輸送層62G、第2発光層(緑色発光層)としての発光層63Gが、インクジェット法によって順に形成されている。更に、発光層63G上には、赤色発光素子27Rと同様に、電子注入性を促進させるための中間層64Gが塗布法によって設けられている。   The green light emitting element 27G includes a hole injection layer 61G, a hole transport layer 62G, and a light emitting layer 63G as a second light emitting layer (green light emitting layer) on the anode 24G as the second anode surrounded by the partition wall 59. They are formed in order by the inkjet method. Further, an intermediate layer 64G for promoting electron injecting property is provided on the light emitting layer 63G by a coating method, like the red light emitting element 27R.

正孔注入層61(61R,61G)は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層61は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT−PSS)などから構成することができる。   The hole injection layer 61 (61R, 61G) is composed of a conductive polymer layer containing a dopant in a conductive polymer material. Such a hole injection layer 61 can be composed of, for example, 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT-PSS) containing polystyrene sulfonic acid as a dopant.

正孔輸送層62(62R,62G)の構成材料としては、例えば、下記化1に示すTFBなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いることができる。   As a constituent material of the hole transport layer 62 (62R, 62G), for example, a material containing a triphenylamine polymer such as TFB shown in the following chemical formula 1 can be used.

Figure 2014075366
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発光層63は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層63の構成材料としては、赤色の発光層63Rであれば、例えば、下記化2に示す材料を用いることができる。緑色の発光層63Gであれば、例えば、下記化3に示す材料を用いることができる。   The light emitting layer 63 is a layer of an organic light emitting material that exhibits an electroluminescence phenomenon. As a constituent material of the light emitting layer 63, for example, the material shown in the following chemical formula 2 can be used as long as the light emitting layer 63R is red. In the case of the green light emitting layer 63G, for example, the material shown in the following chemical formula 3 can be used.

Figure 2014075366
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中間層64(64R,64G)は、アルカリ金属、又はアルカリ土類金属の酸化物・フッ化物・塩と金属酸化物との積層構造である。本実施形態では、例えば、アルカリ金属塩を用いる。アルカリ金属塩としては、例えば、炭酸セシウム(Cs2CO3)が挙げられる。ここでは、中間層64(64R,64G)となる前の炭酸セシウムの水溶液を、例えば、インクジェット法を用いて塗布する。中間層64の厚みは、例えば、5nmである。 The intermediate layer 64 (64R, 64G) has a laminated structure of an alkali metal or alkaline earth metal oxide / fluoride / salt and a metal oxide. In this embodiment, for example, an alkali metal salt is used. Examples of the alkali metal salt include cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ). Here, the aqueous solution of cesium carbonate before becoming the intermediate layer 64 (64R, 64G) is applied using, for example, an inkjet method. The thickness of the intermediate layer 64 is 5 nm, for example.

青色発光素子27Bは、隔壁59によって囲まれた第3陽極としての陽極24B上、及び、中間層64R,64G上を含む素子基板31上の全体に、蒸着法によって第3発光層(青色発光層)としての発光層63Bが形成されている。発光層63Bの構成としては、陽極24B側から順に、正孔輸送性のα−NPD(下記化4)、青色の発光層であるDPVBi(下記化5)、及び電子輸送性のAlq3(下記化6)の積層構造となっている。   The blue light emitting element 27B is formed on the anode 24B as the third anode surrounded by the partition wall 59 and on the entire element substrate 31 including the intermediate layers 64R and 64G by a vapor deposition method. ) As a light emitting layer 63B. As the configuration of the light emitting layer 63B, in order from the anode 24B side, hole transporting α-NPD (Chemical Formula 4 below), blue light emitting layer DPVBi (Chemical Formula 5 below), and electron transporting Alq3 (Chemical Formula below) 6).

Figure 2014075366
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発光層63B上には、陰極25が素子基板31上の全面に成膜されている。陰極25は、例えば、フッ化リチウム(LiF)及びアルミニウム(Al)の積層体である。陰極25上は、例えば、缶封止方式を用いて封止が施されている(図示せず)。具体的には、凹型のガラスや金属製の対向基板の中に乾燥剤が入れられ、エポキシ等の接着剤を介して陰極25側に貼り付けられている。   The cathode 25 is formed on the entire surface of the element substrate 31 on the light emitting layer 63B. The cathode 25 is, for example, a laminate of lithium fluoride (LiF) and aluminum (Al). The cathode 25 is sealed using a can sealing method (not shown). Specifically, a desiccant is placed in a concave glass or metal counter substrate, and is attached to the cathode 25 side through an adhesive such as epoxy.

上述した発光層63は、陽極24と陰極25との間に電圧を印加することによって、発光層63には、陽極24から正孔が、また、陰極25から電子が注入される。発光層63において、これらが結合したときに光を発する。   In the light emitting layer 63 described above, a voltage is applied between the anode 24 and the cathode 25, whereby holes are injected from the anode 24 and electrons are injected from the cathode 25 into the light emitting layer 63. The light emitting layer 63 emits light when they are combined.

なお、上記したように、中間層64(64R,64G)を介し、塗布法によって形成された発光層63(63R,63G)と、蒸着法によって形成された発光層63(63B)とが積層されているので、電子注入性を促進させることが可能となり、陰極25からの電子を発光層63R,63G側にスムーズに移動させることができる。   As described above, the light emitting layer 63 (63R, 63G) formed by the coating method and the light emitting layer 63 (63B) formed by the vapor deposition method are stacked via the intermediate layer 64 (64R, 64G). Therefore, it becomes possible to promote the electron injecting property, and the electrons from the cathode 25 can be smoothly moved to the light emitting layers 63R and 63G side.

<有機EL装置の製造方法>
図4〜図9は、有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機EL装置の製造方法を、図4〜図9を参照しながら説明する。なお、各種配線や電極、駆動用TFT等を形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略又は簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。また、図面についても同様に、省略又は簡略化する。
<Method for manufacturing organic EL device>
4 to 9 are schematic cross-sectional views showing the method of manufacturing the organic EL device in the order of steps. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS. Note that the manufacturing process for forming various wirings, electrodes, driving TFTs, and the like is the same as a well-known process, so the description thereof will be omitted or simplified here, and the subsequent processes will be described in detail. The drawings are similarly omitted or simplified.

まず、図4に示すように、素子基板31上に、公知の成膜技術を用いて回路素子層43(詳細は、図3参照)を形成し、回路素子層43上にITOからなる陽極24(24R,24G,24B)を形成する。   First, as shown in FIG. 4, a circuit element layer 43 (see FIG. 3 for details) is formed on the element substrate 31 using a known film forming technique, and the anode 24 made of ITO is formed on the circuit element layer 43. (24R, 24G, 24B) are formed.

続いて、図5に示すように、回路素子層43及び陽極24上に、絶縁層58及び隔壁59を形成する。詳しくは、まず、絶縁層58の材料となる、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)を含んだ絶縁層を、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により、回路素子層43及び陽極24上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層58のうち発光領域42に開口部を形成し、絶縁層58を完成させる。 Subsequently, as shown in FIG. 5, an insulating layer 58 and a partition wall 59 are formed on the circuit element layer 43 and the anode 24. Specifically, first, an insulating layer including, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ), which is a material of the insulating layer 58, covers the circuit element layer 43 and the anode 24 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like. To form. Next, an opening is formed in the light emitting region 42 of the insulating layer 58 by using a photolithography technique and an etching technique, and the insulating layer 58 is completed.

その後、絶縁層58上に隔壁59を形成する。まず、隔壁59の材料の塗工液を絶縁層58上及び陽極24上に塗布する。塗工液は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層における発光領域42に開口部を形成する。これにより、隔壁59の形状が完成する。   Thereafter, a partition wall 59 is formed on the insulating layer 58. First, a coating liquid of a material for the partition wall 59 is applied on the insulating layer 58 and the anode 24. The coating liquid is, for example, an acrylic resin. Next, the coating liquid is dried to form a partition layer. Thereafter, an opening is formed in the light emitting region 42 in the partition layer. Thereby, the shape of the partition wall 59 is completed.

続いて、図6に示すように、赤色発光領域66及び緑色発光領域67において、隔壁59によって囲まれた陽極24(24R,24G)上に、正孔注入層61(61R,61G)、正孔輸送層62(62R,62G)、発光層63(63R,63G)を形成する(第1発光層塗布工程、第2発光層塗布工程)。   Subsequently, as shown in FIG. 6, in the red light emitting region 66 and the green light emitting region 67, the hole injection layer 61 (61 R, 61 G) and the hole are formed on the anode 24 (24 R, 24 G) surrounded by the partition wall 59. The transport layer 62 (62R, 62G) and the light emitting layer 63 (63R, 63G) are formed (first light emitting layer coating step, second light emitting layer coating step).

詳しくは、正孔注入層61の材料を含んだ機能液を液滴吐出法(例えば、インクジェット法)により吐出し、そのあと機能液を乾燥させる。正孔注入層61の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸(PSS)を加えた混合物(PEDOT/PSS)等を用いることができる。   Specifically, the functional liquid containing the material of the hole injection layer 61 is discharged by a droplet discharge method (for example, an ink jet method), and then the functional liquid is dried. As the functional liquid of the hole injection layer 61, for example, a mixture (PEDOT / PSS) in which polystyrene sulfonic acid (PSS) as a dopant is added to a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) can be used.

次に、正孔注入層61上に、正孔輸送層62の材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、そのあと機能液を乾燥させる。正孔輸送層62の機能液としては、例えば、TFBが溶媒に溶解されている。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンなどが挙げられる。   Next, a functional liquid containing the material for the hole transport layer 62 is discharged onto the hole injection layer 61 by an ink jet method, and then the functional liquid is dried. As a functional liquid for the hole transport layer 62, for example, TFB is dissolved in a solvent. Examples of the solvent include cyclohexylbenzene.

次に、正孔輸送層62上に、発光層63(63R,63G)の材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、そのあと機能液を乾燥させる。発光層63の機能液としては、例えば、発光層63Rであれば、赤色蛍光材料の固形分が含まれている。発光層63Gであれば、緑色蛍光材料の固形分が含まれている。   Next, a functional liquid containing the material of the light emitting layer 63 (63R, 63G) is ejected onto the hole transport layer 62 by an inkjet method, and then the functional liquid is dried. As the functional liquid of the light emitting layer 63, for example, in the case of the light emitting layer 63R, the solid content of the red fluorescent material is included. In the case of the light emitting layer 63G, the solid content of the green fluorescent material is included.

続いて、図7に示すように、発光層63(63R,63G)上に中間層64(64R,64G)を形成する(中間層形成工程)。詳しくは、発光層63上に、アルカリ金属塩(例えば、炭酸セシウム)の水溶液をインクジェット法により吐出し、そのあと水溶液を乾燥させる。中間層64の厚みとしては、例えば、5nmである。   Subsequently, as shown in FIG. 7, the intermediate layer 64 (64R, 64G) is formed on the light emitting layer 63 (63R, 63G) (intermediate layer forming step). Specifically, an aqueous solution of an alkali metal salt (for example, cesium carbonate) is discharged onto the light emitting layer 63 by an ink jet method, and then the aqueous solution is dried. The thickness of the intermediate layer 64 is 5 nm, for example.

続いて、図8に示すように、中間層64R,64G、青色発光領域68の陽極24B、及び隔壁59上の全体に亘って、蒸着法により発光層63Bを形成する(第3発光層蒸着工程)。詳しくは、例えば、陽極24B側から順に、正孔輸送性のα−NPD、青色の発光層であるDPVBi、及び電子輸送性のAlq3の積層構造となっている。   Subsequently, as shown in FIG. 8, the light emitting layer 63 </ b> B is formed by vapor deposition over the intermediate layers 64 </ b> R and 64 </ b> G, the anode 24 </ b> B of the blue light emitting region 68, and the partition 59 (third light emitting layer vapor deposition step) ). Specifically, for example, a stacked structure of a hole transporting α-NPD, a blue light emitting layer DPVBi, and an electron transporting Alq3 is sequentially formed from the anode 24B side.

続いて、図9に示すように、発光層63B上に陰極25を形成し、更に陰極25上を封止する(陰極形成工程)。具体的には、例えば、フッ化リチウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極25を形成する。その後、缶封止方式を用いて陰極25上を封止し、有機EL装置11が完成する。   Subsequently, as shown in FIG. 9, the cathode 25 is formed on the light emitting layer 63B, and the cathode 25 is further sealed (cathode forming step). Specifically, for example, the cathode 25 is formed by laminating a lithium fluoride film and an aluminum film in this order, for example, by vapor deposition. Then, the cathode 25 is sealed using a can sealing method, and the organic EL device 11 is completed.

以上詳述したように、第1実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.

(1)第1実施形態によれば、アルカリ金属等からなる中間層64(64R,64G)を介して、インクジェット法によって形成された発光層63(63R,63G)と、蒸着法によって形成された発光層63(63B)とが積層されているので、発光層63Bと発光層63R,63G側との間で電子注入性を促進させることが可能となる。よって、陰極25からの電子を発光層63R,63G側にスムーズに移動させることができる。その結果、中間層64を設けない構成の場合と比較して、発光素子27を長時間に亘って発光させることができ、有機EL装置11の寿命を向上させることができる。   (1) According to the first embodiment, the light emitting layer 63 (63R, 63G) formed by the ink jet method is formed by the vapor deposition method through the intermediate layer 64 (64R, 64G) made of alkali metal or the like. Since the light emitting layer 63 (63B) is laminated, it is possible to promote electron injectability between the light emitting layer 63B and the light emitting layers 63R and 63G side. Therefore, electrons from the cathode 25 can be smoothly moved to the light emitting layers 63R and 63G side. As a result, the light emitting element 27 can emit light for a long time as compared with the configuration in which the intermediate layer 64 is not provided, and the life of the organic EL device 11 can be improved.

(2)第1実施形態によれば、青色の発光層63Bを蒸着法によって成膜するので、塗布法で青色の発光層を形成する場合と比較して、電気的な特性を向上させることが可能となり、高品位な表示を行うことができる。   (2) According to the first embodiment, since the blue light-emitting layer 63B is formed by vapor deposition, the electrical characteristics can be improved compared to the case where the blue light-emitting layer is formed by a coating method. It becomes possible, and a high-quality display can be performed.

(第2実施形態)
<有機EL装置の構成>
図10は、第2実施形態の有機EL装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機EL装置の構造を、図10を参照しながら説明する。
(Second Embodiment)
<Configuration of organic EL device>
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the organic EL device of the second embodiment. Hereinafter, the structure of the organic EL device will be described with reference to FIG.

第2実施形態の有機EL装置71は、青色発光領域68において陽極24Bと発光層63Bとの間に正孔注入層61B及び正孔輸送層62Bを設ける点が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。   The organic EL device 71 of the second embodiment is different from the first embodiment in that a hole injection layer 61B and a hole transport layer 62B are provided between the anode 24B and the light emitting layer 63B in the blue light emitting region 68. . Hereinafter, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

図10に示すように、第2実施形態の有機EL装置71は、第1実施形態と同様、素子基板31と、素子基板31上に形成された回路素子層43と、回路素子層43上に形成された陽極24(24R,24G,24B)、絶縁層58、及び隔壁59とを有する。   As shown in FIG. 10, the organic EL device 71 according to the second embodiment includes an element substrate 31, a circuit element layer 43 formed on the element substrate 31, and a circuit element layer 43, as in the first embodiment. The anode 24 (24R, 24G, 24B), the insulating layer 58, and the partition wall 59 are formed.

隔壁59に囲まれた陽極24(24R,24G,24B)上には、インクジェット法によって正孔注入層61(61R,61G,61B)及び正孔輸送層62(62R,62G,62B)が形成されている。このように、第1実施形態と異なる点として、青色発光領域68にも、正孔注入層61B及び正孔輸送層62Bが形成されている。   On the anode 24 (24R, 24G, 24B) surrounded by the partition wall 59, a hole injection layer 61 (61R, 61G, 61B) and a hole transport layer 62 (62R, 62G, 62B) are formed by an inkjet method. ing. Thus, as a point different from the first embodiment, the hole injection layer 61B and the hole transport layer 62B are also formed in the blue light emitting region 68.

赤色発光領域66において、正孔輸送層62R上には、インクジェット法によって発光層63R及び中間層64Rが順に形成されている。これらの構成は、第1実施形態と同様である。   In the red light emitting region 66, a light emitting layer 63R and an intermediate layer 64R are sequentially formed on the hole transport layer 62R by an inkjet method. These configurations are the same as those in the first embodiment.

緑色発光領域67において、正孔輸送層62G上には、インクジェット法によって発光層63G及び中間層64Gが順に形成されている。これらの構成は、第1実施形態と同様である。   In the green light emitting region 67, a light emitting layer 63G and an intermediate layer 64G are sequentially formed on the hole transport layer 62G by an ink jet method. These configurations are the same as those in the first embodiment.

中間層64R,64G、青色発光領域68の正孔輸送層62B、及び隔壁59上に亘る素子基板31上の全体には、第1実施形態と同様に、蒸着法を用いて発光層63Bが設けられている。なお、第2実施形態では、陽極24B上に正孔注入層61B及び正孔輸送層62Bが設けられているので、第1実施形態で用いた3層からなる発光層63Bのうち正孔輸送性のα−NPDを除くようにしてもよい。そして、発光層63B上には、陰極25が全面成膜されている。   Similar to the first embodiment, the light emitting layer 63B is provided on the entire surface of the element substrate 31 over the intermediate layers 64R and 64G, the hole transport layer 62B of the blue light emitting region 68, and the partition wall 59 using the vapor deposition method. It has been. In the second embodiment, since the hole injection layer 61B and the hole transport layer 62B are provided on the anode 24B, the hole transport property of the three-layer light emitting layer 63B used in the first embodiment. The α-NPD may be excluded. A cathode 25 is formed on the entire surface of the light emitting layer 63B.

<有機EL装置の製造方法>
図11〜図13は、第2実施形態の有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機EL装置の製造方法を、図11〜図13を参照しながら説明する。なお、第1実施形態と同じ部分については同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
<Method for manufacturing organic EL device>
11 to 13 are schematic cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the organic EL device of the second embodiment in the order of steps. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the same part as 1st Embodiment, and those description is abbreviate | omitted or simplified here.

まず、図11に示すように、各色発光領域66,67,68において、隔壁59によって囲まれた陽極24上に、正孔注入層61と正孔輸送層62とを、インクジェット法を用いて形成する。詳しくは、赤色発光領域66における陽極24R上に、正孔注入層61R、正孔輸送層62Rの順に形成する。また、緑色発光領域67における陽極24G上に、正孔注入層61G、正孔輸送層62Gの順に形成する。また、青色発光領域68における陽極24B上に、正孔注入層61B、正孔輸送層62Bの順に形成する。正孔注入層61及び正孔輸送層62の製造方法は、第1実施形態と同様である。   First, as shown in FIG. 11, a hole injection layer 61 and a hole transport layer 62 are formed on the anode 24 surrounded by the partition wall 59 in each color light emitting region 66, 67, 68 by using an inkjet method. To do. Specifically, the hole injection layer 61R and the hole transport layer 62R are formed in this order on the anode 24R in the red light emitting region 66. Further, the hole injection layer 61G and the hole transport layer 62G are formed in this order on the anode 24G in the green light emitting region 67. Further, the hole injection layer 61B and the hole transport layer 62B are formed in this order on the anode 24B in the blue light emitting region 68. The manufacturing method of the hole injection layer 61 and the hole transport layer 62 is the same as that of the first embodiment.

続いて、図12に示すように、赤色発光領域66及び緑色発光領域67において、正孔輸送層62(62R,62G)上に、発光層63(63R,63G)と中間層64(64R,64G)とを、インクジェット法を用いて形成する。発光層63及び中間層64の製造方法は、第1実施形態と同様である。   Subsequently, as shown in FIG. 12, in the red light emitting region 66 and the green light emitting region 67, the light emitting layer 63 (63R, 63G) and the intermediate layer 64 (64R, 64G) are formed on the hole transport layer 62 (62R, 62G). Are formed using an ink jet method. The manufacturing method of the light emitting layer 63 and the intermediate | middle layer 64 is the same as that of 1st Embodiment.

続いて、図13に示すように、中間層64R,64G、青色発光領域68の正孔輸送層62B、及び隔壁59上の全体に亘って、蒸着法により発光層63Bを形成する。詳しくは、例えば、正孔輸送層62B側から順に、正孔輸送性のα−NPD、青色の発光層であるDPVBi、及び電子輸送性のAlq3の積層構造となっている。続いて、発光層63B上に陰極25を形成し、有機EL装置71が完成する。   Subsequently, as shown in FIG. 13, the light emitting layer 63 </ b> B is formed by vapor deposition over the intermediate layers 64 </ b> R and 64 </ b> G, the hole transport layer 62 </ b> B of the blue light emitting region 68, and the entire partition 59. Specifically, for example, a stacked structure of a hole transporting α-NPD, a blue light emitting layer DPVBi, and an electron transporting Alq3 is sequentially formed from the hole transporting layer 62B side. Subsequently, the cathode 25 is formed on the light emitting layer 63B, and the organic EL device 71 is completed.

以上詳述したように、第2実施形態によれば、上記した第1実施形態の(1)、(2)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the second embodiment, in addition to the effects (1) and (2) of the first embodiment described above, the following effects can be obtained.

(3)第2実施形態によれば、青色発光領域68の陽極24B上に、他の発光領域66,67と同様に正孔注入層61B及び正孔輸送層62Bを形成するので、陽極24表面の凸凹形状を緩和させることができる。よって、有機EL装置71の内部にリーク電流が流れたり、ダークスポットが発生したりする等の不具合を抑えることができる。   (3) According to the second embodiment, the hole injection layer 61B and the hole transport layer 62B are formed on the anode 24B of the blue light emitting region 68 in the same manner as the other light emitting regions 66 and 67. The uneven shape can be relaxed. Accordingly, it is possible to suppress problems such as leakage current flowing inside the organic EL device 71 and dark spots.

(4)第2実施形態によれば、青色発光領域68の陽極24B上に、他の発光領域66,67と同様に正孔注入層61B及び正孔輸送層62Bを形成するので、陽極24からの正孔の輸送性を向上させることができる。   (4) According to the second embodiment, the hole injection layer 61B and the hole transport layer 62B are formed on the anode 24B of the blue light emitting region 68 in the same manner as the other light emitting regions 66 and 67. The hole transportability can be improved.

(第3実施形態)
<有機EL装置の構成>
図14は、第3実施形態の有機EL装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機EL装置の構造を、図14を参照しながら説明する。
(Third embodiment)
<Configuration of organic EL device>
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the organic EL device of the third embodiment. Hereinafter, the structure of the organic EL device will be described with reference to FIG.

第3実施形態の有機EL装置81は、各色発光領域66,67,68の全体に亘って中間層84が設けられている点が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。   The organic EL device 81 of the third embodiment is different from the first embodiment in that an intermediate layer 84 is provided over the entire color light emitting regions 66, 67, 68. Hereinafter, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

図14に示すように、第3実施形態の有機EL装置81は、第1実施形態と同様、素子基板31と、素子基板31上に形成された回路素子層43と、回路素子層43上に形成された陽極24(24R,24G,24B)、絶縁層58、及び隔壁59とを有する。   As shown in FIG. 14, the organic EL device 81 according to the third embodiment is similar to the first embodiment in that the element substrate 31, the circuit element layer 43 formed on the element substrate 31, and the circuit element layer 43 are formed. The anode 24 (24R, 24G, 24B), the insulating layer 58, and the partition wall 59 are formed.

隔壁59に囲まれた陽極24(24R,24G)上には、インクジェット法によって正孔注入層61(61R,61G)、正孔輸送層62(62R,62G)、及び発光層63(63R,63G)が形成されている。これらの製造方法は、第1実施形態と同様である。   On the anode 24 (24R, 24G) surrounded by the partition wall 59, a hole injection layer 61 (61R, 61G), a hole transport layer 62 (62R, 62G), and a light emitting layer 63 (63R, 63G) are formed by an inkjet method. ) Is formed. These manufacturing methods are the same as those in the first embodiment.

発光層63R,63G、青色発光領域68の陽極24B、及び隔壁59上に亘る素子基板31上の全体には、第3実施形態の特徴部分である中間層84が、蒸着法によって形成されている。この場合の中間層84は、電子注入性を有することが好ましい。   On the entire surface of the element substrate 31 over the light emitting layers 63R and 63G, the anode 24B of the blue light emitting region 68, and the partition wall 59, an intermediate layer 84 which is a characteristic part of the third embodiment is formed by vapor deposition. . In this case, the intermediate layer 84 preferably has an electron injecting property.

そして、中間層84上には青色の発光層63Bが蒸着法によって形成されている。更に、発光層63B上には、陰極25が全面成膜されている。   A blue light emitting layer 63B is formed on the intermediate layer 84 by a vapor deposition method. Further, the cathode 25 is formed on the entire surface of the light emitting layer 63B.

<有機EL装置の製造方法>
図15〜図17は、第3実施形態の有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機EL装置の製造方法を、図15〜図17を参照しながら説明する。なお、第1実施形態と同じ部分については同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
<Method for manufacturing organic EL device>
15 to 17 are schematic cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the organic EL device according to the third embodiment in the order of steps. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the same part as 1st Embodiment, and those description is abbreviate | omitted or simplified here.

まず、図15に示すように、赤色発光領域66及び緑色発光領域67において、隔壁59によって囲まれた陽極24上に、正孔注入層61、正孔輸送層62、及び発光層63を、インクジェット法を用いて形成する。   First, as shown in FIG. 15, in the red light emitting region 66 and the green light emitting region 67, the hole injection layer 61, the hole transport layer 62, and the light emitting layer 63 are formed on the anode 24 surrounded by the partition wall 59. Form using the method.

詳しくは、赤色発光領域66における陽極24R上に、正孔注入層61R、正孔輸送層62R、発光層63Rの順に形成する。また、緑色発光領域67における陽極24G上に、正孔注入層61G、正孔輸送層62G、発光層63Gの順に形成する。正孔注入層61、正孔輸送層62、発光層63の製造方法は、第1実施形態と同様である。   Specifically, the hole injection layer 61R, the hole transport layer 62R, and the light emitting layer 63R are formed in this order on the anode 24R in the red light emitting region 66. Further, the hole injection layer 61G, the hole transport layer 62G, and the light emitting layer 63G are formed in this order on the anode 24G in the green light emitting region 67. The manufacturing method of the hole injection layer 61, the hole transport layer 62, and the light emitting layer 63 is the same as that of the first embodiment.

続いて、図16に示すように、発光層63R,63G、青色発光領域68の陽極24B、及び隔壁59上に亘る素子基板31上の全体に、中間層84を蒸着法によって形成する。中間層84の材料としては、例えば、第1実施形態と同様に、炭酸セシウム(Cs2CO3)を用いることができる。また、中間層84を蒸着法を用いて形成するので、用いる材料の選択性を広げることができる。例えば、炭酸セシウムに限定されず、フッ化リチウムなどを用いるようにしてもよい。また、本実施形態のように、青色発光領域68に中間層84を設けるか否かについては、青色の発光層63Bの正孔輸送性、又は電子輸送性などの特性に応じて決定することが好ましい。 Subsequently, as shown in FIG. 16, an intermediate layer 84 is formed by vapor deposition on the entire surface of the element substrate 31 over the light emitting layers 63R and 63G, the anode 24B of the blue light emitting region 68, and the partition wall 59. As a material of the intermediate layer 84, for example, cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) can be used as in the first embodiment. In addition, since the intermediate layer 84 is formed by vapor deposition, the selectivity of the material to be used can be expanded. For example, it is not limited to cesium carbonate, and lithium fluoride or the like may be used. Further, as in the present embodiment, whether or not the intermediate layer 84 is provided in the blue light emitting region 68 may be determined according to characteristics such as hole transport property or electron transport property of the blue light emitting layer 63B. preferable.

続いて、図17に示すように、中間層84上に発光層63B及び陰極25を、蒸着法によって形成する。詳しくは、例えば、中間層84側から順に、正孔輸送性のα−NPD、青色の発光層であるDPVBi、及び電子輸送性のAlq3の積層構造となっている。続いて、発光層63B上に陰極25を形成し、有機EL装置81が完成する。   Subsequently, as shown in FIG. 17, the light emitting layer 63 </ b> B and the cathode 25 are formed on the intermediate layer 84 by vapor deposition. Specifically, for example, a stacked structure of a hole transporting α-NPD, a blue light emitting layer DPVBi, and an electron transporting Alq3 is sequentially formed from the intermediate layer 84 side. Subsequently, the cathode 25 is formed on the light emitting layer 63B, and the organic EL device 81 is completed.

以上詳述したように、第3実施形態によれば、上記した第1実施形態の(1)、(2)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the third embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects (1) and (2) of the first embodiment.

(5)第3実施形態によれば、蒸着法を用いて素子基板31上の全体に中間層84を形成するので、塗布法を用いて中間層を形成する場合と比較して、均一な膜質に形成できると共に、使用材料の選択性を向上させることができる。   (5) According to the third embodiment, since the intermediate layer 84 is formed on the entire element substrate 31 using the vapor deposition method, the film quality is more uniform than when the intermediate layer is formed using the coating method. And the selectivity of the material used can be improved.

(第4実施形態)
<有機EL装置の構成>
図18は、第4実施形態の有機EL装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機EL装置の構造を、図18を参照しながら説明する。
(Fourth embodiment)
<Configuration of organic EL device>
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the organic EL device of the fourth embodiment. Hereinafter, the structure of the organic EL device will be described with reference to FIG.

第4実施形態の有機EL装置91は、各色発光領域66,67,68に正孔注入層61及び正孔輸送層62が設けられていると共に、各色発光領域66,67,68、及び隔壁59上の全体に亘って中間層84が設けられている点が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。   In the organic EL device 91 according to the fourth embodiment, the hole emitting layer 61 and the hole transporting layer 62 are provided in each color light emitting region 66, 67, 68, and each color light emitting region 66, 67, 68 and partition wall 59 are provided. The point from which the intermediate | middle layer 84 is provided over the whole upper part differs from 1st Embodiment. Hereinafter, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

図18に示すように、第4実施形態の有機EL装置91は、第1実施形態と同様、素子基板31と、素子基板31上に形成された回路素子層43と、回路素子層43上に形成された陽極24(24R,24G,24B)、絶縁層58、及び隔壁59とを有する。   As shown in FIG. 18, the organic EL device 91 according to the fourth embodiment is similar to the first embodiment in that the element substrate 31, the circuit element layer 43 formed on the element substrate 31, and the circuit element layer 43 are formed. The anode 24 (24R, 24G, 24B), the insulating layer 58, and the partition wall 59 are formed.

更に、各色発光領域66,67,68において、隔壁59によって囲まれた陽極24(24R,24G,24B)上には、インクジェット法によって正孔注入層61(61R,61G,61B)及び正孔輸送層62(62R,62G,62B)が形成されている。これらの製造方法は、第1実施形態と同様である。   Further, in each color light emitting region 66, 67, 68, the hole injection layer 61 (61R, 61G, 61B) and the hole transport are formed on the anode 24 (24R, 24G, 24B) surrounded by the partition wall 59 by an ink jet method. Layer 62 (62R, 62G, 62B) is formed. These manufacturing methods are the same as those in the first embodiment.

また、赤色発光領域66において、正孔輸送層62R上には、発光層63Rが形成されている。一方、緑色発光領域67において、正孔輸送層62G上には、発光層63Gが形成されている。これらは、インクジェット法により形成される。   In the red light emitting region 66, a light emitting layer 63R is formed on the hole transport layer 62R. On the other hand, in the green light emitting region 67, the light emitting layer 63G is formed on the hole transport layer 62G. These are formed by an ink jet method.

そして、発光層63R,63G、青色発光領域68における正孔輸送層62B、及び隔壁59上に亘る素子基板31上の全体には、中間層84が蒸着法によって形成されている。中間層84上には、発光層63B、陰極25の順に蒸着法によって形成されている。   An intermediate layer 84 is formed by vapor deposition on the entire surface of the element substrate 31 over the light emitting layers 63R and 63G, the hole transport layer 62B in the blue light emitting region 68, and the partition wall 59. On the intermediate layer 84, the light emitting layer 63B and the cathode 25 are formed in this order by vapor deposition.

<有機EL装置の製造方法>
図19〜図21は、第4実施形態の有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機EL装置の製造方法を、図19〜図21を参照しながら説明する。なお、第1実施形態と同じ部分については同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
<Method for manufacturing organic EL device>
19 to 21 are schematic cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the organic EL device according to the fourth embodiment in the order of steps. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the same part as 1st Embodiment, and those description is abbreviate | omitted or simplified here.

まず、図19に示すように、各色発光領域66,67,68において、隔壁59によって囲まれた陽極24上に、正孔注入層61及び正孔輸送層62を、インクジェット法を用いて形成する。   First, as shown in FIG. 19, the hole injection layer 61 and the hole transport layer 62 are formed on the anode 24 surrounded by the partition wall 59 in each color light emitting region 66, 67, 68 using an ink jet method. .

詳しくは、赤色発光領域66における陽極24R上に、正孔注入層61R、正孔輸送層62Rの順に形成する。また、緑色発光領域67における陽極24G上に、正孔注入層61G、正孔輸送層62Gの順に形成する。また、青色発光領域68における陽極24B上に、正孔注入層61B、正孔輸送層62Bの順に形成する。   Specifically, the hole injection layer 61R and the hole transport layer 62R are formed in this order on the anode 24R in the red light emitting region 66. Further, the hole injection layer 61G and the hole transport layer 62G are formed in this order on the anode 24G in the green light emitting region 67. Further, the hole injection layer 61B and the hole transport layer 62B are formed in this order on the anode 24B in the blue light emitting region 68.

次に、赤色発光領域66において、正孔輸送層62R上に発光層63Rをインクジェット法によって形成する。また、緑色発光領域67において、正孔輸送層62G上に発光層63Gをインクジェット法によって形成する。   Next, in the red light emitting region 66, the light emitting layer 63R is formed on the hole transport layer 62R by an inkjet method. In the green light emitting region 67, the light emitting layer 63G is formed on the hole transport layer 62G by an ink jet method.

続いて、図20に示すように、発光層63R,63G、青色発光領域68の正孔輸送層62B、及び隔壁59上に亘る素子基板31上の全体に、中間層84を蒸着法によって形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 20, an intermediate layer 84 is formed by vapor deposition on the entire surface of the element substrate 31 over the light emitting layers 63R and 63G, the hole transport layer 62B of the blue light emitting region 68, and the partition wall 59. .

続いて、図21に示すように、中間層84上に発光層63B及び陰極25を、蒸着法によって形成する。詳しくは、例えば、中間層84側から順に、正孔輸送性のα−NPD、青色の発光層であるDPVBi、及び電子輸送性のAlq3の積層構造となっている。続いて、発光層63B上に陰極25を形成し、有機EL装置91が完成する。   Subsequently, as shown in FIG. 21, the light emitting layer 63B and the cathode 25 are formed on the intermediate layer 84 by a vapor deposition method. Specifically, for example, a stacked structure of a hole transporting α-NPD, a blue light emitting layer DPVBi, and an electron transporting Alq3 is sequentially formed from the intermediate layer 84 side. Subsequently, the cathode 25 is formed on the light emitting layer 63B, and the organic EL device 91 is completed.

以上詳述したように、第4実施形態によれば、上記した実施形態の(1)〜(5)の効果を得ることができる。   As described above in detail, according to the fourth embodiment, the effects (1) to (5) of the above-described embodiment can be obtained.

(第5実施形態)
<有機EL装置の構成>
図22は、第5実施形態の有機EL装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機EL装置の構造を、図22を参照しながら説明する。
(Fifth embodiment)
<Configuration of organic EL device>
FIG. 22 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the organic EL device of the fifth embodiment. Hereinafter, the structure of the organic EL device will be described with reference to FIG.

第5実施形態の有機EL装置111は、赤色各色発光領域66と緑色発光領域67に正孔注入層61及び正孔輸送層62が設けられており、青色発光領域68には正孔注入層61のみが設けられている点が、第4実施形態と異なっている。以下、第4実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。   In the organic EL device 111 according to the fifth embodiment, a hole injection layer 61 and a hole transport layer 62 are provided in the red light emission region 66 and the green light emission region 67, and a hole injection layer 61 is provided in the blue light emission region 68. This is different from the fourth embodiment in that only is provided. Hereinafter, the same components as those in the fourth embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted or simplified here.

図22に示すように、第5実施形態の有機EL装置111は、第4実施形態と同様、素子基板31と、素子基板31上に形成された回路素子層43と、回路素子層43上に形成された陽極24(24R,24G,24B)、絶縁層58、及び隔壁59とを有する。   As shown in FIG. 22, the organic EL device 111 of the fifth embodiment is similar to the fourth embodiment in that an element substrate 31, a circuit element layer 43 formed on the element substrate 31, and a circuit element layer 43 are formed. The anode 24 (24R, 24G, 24B), the insulating layer 58, and the partition wall 59 are formed.

更に、各色発光領域66,67,68において、隔壁59によって囲まれた陽極24(24R,24G,24B)上には、インクジェット法によって正孔注入層61(61R,61G,61B)が形成されている。これらの製造方法は、第4実施形態と同様である。   Further, in each color light emitting region 66, 67, 68, a hole injection layer 61 (61R, 61G, 61B) is formed on the anode 24 (24R, 24G, 24B) surrounded by the partition wall 59 by an ink jet method. Yes. These manufacturing methods are the same as those in the fourth embodiment.

更に、発光領域66,67において、正孔注入層61(61R,61G)上には、インクジェット法によって正孔輸送層62(62R,62G)が形成されている。これらの製造方法は、第4実施形態と同様である。   Further, in the light emitting regions 66 and 67, the hole transport layer 62 (62R and 62G) is formed on the hole injection layer 61 (61R and 61G) by an inkjet method. These manufacturing methods are the same as those in the fourth embodiment.

また、赤色発光領域66において、正孔輸送層62R上には、発光層63Rが形成されている。一方、緑色発光領域67において、正孔輸送層62G上には、発光層63Gが形成されている。これらは、インクジェット法により形成される。   In the red light emitting region 66, a light emitting layer 63R is formed on the hole transport layer 62R. On the other hand, in the green light emitting region 67, the light emitting layer 63G is formed on the hole transport layer 62G. These are formed by an ink jet method.

そして、発光層63R,63G、青色発光領域68における正孔注入層61B、及び隔壁59上に亘る素子基板31上の全体には、中間層84が蒸着法によって形成されている。中間層84上には、発光層63B、陰極25の順に蒸着法によって形成されている。   An intermediate layer 84 is formed on the entire surface of the element substrate 31 over the light emitting layers 63R and 63G, the hole injection layer 61B in the blue light emitting region 68, and the partition wall 59 by vapor deposition. On the intermediate layer 84, the light emitting layer 63B and the cathode 25 are formed in this order by vapor deposition.

<有機EL装置の製造方法>
図23〜図25は、第5実施形態の有機EL装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機EL装置の製造方法を、図23〜図25を参照しながら説明する。なお、第4実施形態と同じ部分については同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
<Method for manufacturing organic EL device>
23 to 25 are schematic cross-sectional views showing the method of manufacturing the organic EL device of the fifth embodiment in the order of steps. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the same part as 4th Embodiment, and those description is abbreviate | omitted or simplified here.

まず、図23に示すように、各色発光領域66,67,68において、隔壁59によって囲まれた陽極24上に、正孔注入層61を、インクジェット法を用いて形成する。   First, as shown in FIG. 23, the hole injection layer 61 is formed on the anode 24 surrounded by the partition wall 59 in each color light emitting region 66, 67, 68 using an ink jet method.

そして、発光領域66,67において、正孔注入層61上にインクジェット法を用いて正孔輸送層62を形成する。   Then, in the light emitting regions 66 and 67, the hole transport layer 62 is formed on the hole injection layer 61 by using an ink jet method.

詳しくは、赤色発光領域66における陽極24R上に、正孔注入層61R、正孔輸送層62Rの順に形成する。また、緑色発光領域67における陽極24G上に、正孔注入層61G、正孔輸送層62Gの順に形成する。また、青色発光領域68における陽極24B上には、正孔注入層61Bのみを形成する。   Specifically, the hole injection layer 61R and the hole transport layer 62R are formed in this order on the anode 24R in the red light emitting region 66. Further, the hole injection layer 61G and the hole transport layer 62G are formed in this order on the anode 24G in the green light emitting region 67. Further, only the hole injection layer 61B is formed on the anode 24B in the blue light emitting region 68.

次に、赤色発光領域66において、正孔輸送層62R上に発光層63Rをインクジェット法によって形成する。また、緑色発光領域67において、正孔輸送層62G上に発光層63Gをインクジェット法によって形成する。   Next, in the red light emitting region 66, the light emitting layer 63R is formed on the hole transport layer 62R by an inkjet method. In the green light emitting region 67, the light emitting layer 63G is formed on the hole transport layer 62G by an ink jet method.

続いて、図24に示すように、発光層63R,63G、青色発光領域68の正孔注入層61B、及び隔壁59上に亘る素子基板31上の全体に、中間層84を蒸着法によって形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 24, an intermediate layer 84 is formed by vapor deposition on the entire surface of the element substrate 31 over the light emitting layers 63R and 63G, the hole injection layer 61B of the blue light emitting region 68, and the partition wall 59. .

続いて、図25に示すように、中間層84上に発光層63B及び陰極25を、蒸着法によって形成する。詳しくは、例えば、中間層84側から順に、正孔輸送性のα−NPD、青色の発光層であるDPVBi、及び電子輸送性のAlq3の積層構造となっている。続いて、発光層63B上に陰極25として発光層63B側から順にフッ化リチウムとアルミニウムを形成し、有機EL装置91が完成する。   Subsequently, as shown in FIG. 25, the light emitting layer 63B and the cathode 25 are formed on the intermediate layer 84 by vapor deposition. Specifically, for example, a stacked structure of a hole transporting α-NPD, a blue light emitting layer DPVBi, and an electron transporting Alq3 is sequentially formed from the intermediate layer 84 side. Subsequently, lithium fluoride and aluminum are sequentially formed from the light emitting layer 63B side as the cathode 25 on the light emitting layer 63B, and the organic EL device 91 is completed.

以上詳述したように、第5実施形態によれば、上記した実施形態の(1)〜(5)の効果を得ることができる。   As described above in detail, according to the fifth embodiment, the effects (1) to (5) of the above-described embodiment can be obtained.

<電子機器の構成>
図26は、本発明に係る有機EL装置を備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、テレビの構成を、図26を参照しながら説明する。
<Configuration of electronic equipment>
FIG. 26 is a schematic perspective view schematically showing a configuration of a television as an example of an electronic apparatus including the organic EL device according to the invention. Hereinafter, the configuration of the television will be described with reference to FIG.

図26に示すように、テレビ101は、表示部102と、枠部103と、脚部104と、リモコン105とを有する。表示部102には、上述の製造方法を用いて製造された有機EL装置11,71,81,91が実装されている。枠部103は、表示部102をガイドするために用いられる。脚部104は、表示部102及び枠部103を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン105は、例えば、テレビ101の電源をON/OFFしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。   As illustrated in FIG. 26, the television 101 includes a display unit 102, a frame unit 103, a leg unit 104, and a remote controller 105. On the display unit 102, organic EL devices 11, 71, 81, 91 manufactured using the above-described manufacturing method are mounted. The frame part 103 is used for guiding the display part 102. The leg portion 104 is used to fix the display portion 102 and the frame portion 103 at a certain height. The remote controller 105 is used, for example, to turn on / off the power of the television 101 or change the channel.

なお、電子機器は、上記した有機EL装置11,71,81,91を備えたものであり、他にも例えば、ディスプレイ、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等に用いることができる。   The electronic device includes the above-described organic EL devices 11, 71, 81, 91. In addition, for example, a display, a mobile phone, a mobile computer, a digital camera, a digital video camera, a car navigation device, an audio It can be used for equipment.

以上詳述したように、第5実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the fifth embodiment, the following effects can be obtained.

(6)第5実施形態によれば、上記した有機EL装置11,71,81,91を備えることによって、表示品質の高い画像を形成する電子機器を提供することができる。   (6) According to the fifth embodiment, by providing the organic EL devices 11, 71, 81, 91 described above, it is possible to provide an electronic device that forms an image with high display quality.

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。   In addition, embodiment is not limited above, It can also implement with the following forms.

(変形例1)
上記した有機EL装置11,71,81,91は、カラーフィルターを設けていないが、図27に示すように、カラーフィルターを含む構成にしてもよい。図27は、有機EL装置の変形例の構造を示す模式断面図である。図27に示す有機EL装置211は、例えば、第1実施形態の有機EL装置11にカラーフィルター(色変換層)213を配置したものである。詳しくは、陽極24(24R,24G,24B)の下側に光遮光層212を形成し、更に、陰極25に透過性の材料を用いることにより、トップエミッション構造としたものである。
(Modification 1)
The above-described organic EL devices 11, 71, 81, 91 are not provided with a color filter, but may be configured to include a color filter as shown in FIG. FIG. 27 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a modification of the organic EL device. In an organic EL device 211 shown in FIG. 27, for example, a color filter (color conversion layer) 213 is arranged in the organic EL device 11 of the first embodiment. Specifically, a top emission structure is obtained by forming a light shielding layer 212 under the anode 24 (24R, 24G, 24B) and using a transmissive material for the cathode 25.

上記した有機EL装置11,71,81,91は、発光層63Bを全面に形成していることから混色することが考えられる。しかしながら、カラーフィルター213を介すことによって、色を変換することが可能となり、混色した色を混色する前の色に近づけることができる。つまり、混色する色を除去することができる。なお、有機EL装置211は、トップエミッション構造としたが、カラーフィルター213の配置位置を変えることによって、ボトムエミッション構造にも適用できる。また、上記したように、カラーフィルター213を第1実施形態の有機EL装置11と組み合わせることに限定されず、第2実施形態〜第4実施形態で用いた有機EL装置71,81,91と組み合わせるようにしてもよい。また、カラーフィルターは、色を変換する機能に限定されず、着色させる機能を有していてもよい。   The above-described organic EL devices 11, 71, 81, 91 may be mixed in color because the light emitting layer 63B is formed on the entire surface. However, the color can be converted through the color filter 213, and the mixed color can be brought close to the color before mixing. That is, the mixed color can be removed. Although the organic EL device 211 has a top emission structure, it can also be applied to a bottom emission structure by changing the arrangement position of the color filter 213. Further, as described above, the color filter 213 is not limited to being combined with the organic EL device 11 of the first embodiment, and is combined with the organic EL devices 71, 81, 91 used in the second to fourth embodiments. You may do it. Further, the color filter is not limited to the function of converting colors, and may have a function of coloring.

(変形例2)
上記したように、青色の発光層63Bを、正孔輸送性のα−NPD、青色の発光層であるDPVBi、及び電子輸送性のAlq3の3層で構成していることに限定されず、例えば、DPVBiとAlq3との間に、BAlqのような正孔ブロッキング層を設けるようにしてもよい。これによれば、選択する発光層63Bの材料にもよるが、発光層に正孔を留めておくことが可能となり、正孔と電子とを効率よく結合させることができる。
(Modification 2)
As described above, the blue light-emitting layer 63B is not limited to the three layers of the hole transporting α-NPD, the blue light-emitting layer DPVBi, and the electron transporting Alq3. A hole blocking layer such as BAlq may be provided between DPVBi and Alq3. According to this, although depending on the material of the light emitting layer 63B to be selected, holes can be retained in the light emitting layer, and holes and electrons can be efficiently combined.

(変形例3)
上記した第3実施形態及び第4実施形態の中間層84は、炭酸セシウムの単層であることに限定されず、例えば、炭酸セシウムと酸化モリブデン(MoO3)との積層構造としてもよい。膜厚は、例えば、炭酸セシウムが1nmであり、酸化モリブデンが1nmである。これによれば、特に、青色発光領域における正孔の注入性を向上させることができる。
(Modification 3)
The intermediate layer 84 of the third embodiment and the fourth embodiment described above is not limited to being a single layer of cesium carbonate, and may be, for example, a stacked structure of cesium carbonate and molybdenum oxide (MoO 3 ). The film thickness is, for example, 1 nm for cesium carbonate and 1 nm for molybdenum oxide. According to this, in particular, the hole injection property in the blue light emitting region can be improved.

(変形例4)
上記したように、第2実施形態及び第4実施形態のように、陽極24上に正孔注入層61及び正孔輸送層62の2層を積層することに限定されず、例えば、発光層への正孔注入性や正孔輸送性をみて、どちらか一方を設けるようにしてもよい。
(Modification 4)
As described above, as in the second and fourth embodiments, the invention is not limited to stacking two layers of the hole injection layer 61 and the hole transport layer 62 on the anode 24. For example, to the light emitting layer Either one may be provided in view of the hole injection property and hole transport property.

(変形例5)
上記したように、赤色の発光層63R及び緑色の発光層63Gを高分子の材料を用いて塗布していることに限定されず、低分子の材料を塗布するようにしてもよい。
(Modification 5)
As described above, the red light-emitting layer 63R and the green light-emitting layer 63G are not limited to being applied using a high molecular material, and a low molecular material may be applied.

(変形例6)
上記した第3実施形態及び第4実施形態のように、素子基板31上の全体に蒸着法を用いて中間層84を形成することに限定されず、例えば、表示領域のみに中間層を形成するようにしてもよい。また、マスク蒸着を用いて、発光領域42のみに選択的に中間層を形成するようにしてもよい。
(Modification 6)
As in the third embodiment and the fourth embodiment described above, the intermediate layer 84 is not limited to being formed on the entire element substrate 31 by vapor deposition. For example, the intermediate layer is formed only in the display region. You may do it. Alternatively, the intermediate layer may be selectively formed only in the light emitting region 42 using mask vapor deposition.

11,71,81,91,211…有機EL装置、12…走査線、13…信号線、14…電源線、15…信号線駆動回路、16…走査線駆動回路、21…スイッチング用TFT、22…保持容量、23…TFT素子、24,24R,24G,24B…陽極(第1陽極、第2陽極、第3陽極)、25…陰極、26…発光機能層、27…発光素子、27R…赤色発光素子、27G…緑色発光素子、27B…青色発光素子、31…基板としての素子基板、32…表示領域、32a…実表示領域、32b…ダミー領域、33…非表示領域、34…サブ画素、35…検査回路、36…フレキシブル基板、37…駆動用IC、42…発光領域、43…回路素子層、44…発光素子層、45…下地保護膜、46…半導体膜、47…ソース領域、48…ドレイン領域、51…チャネル領域、52…ゲート絶縁膜、53…ゲート電極、54…第1層間絶縁膜、55…第2層間絶縁膜、56…コンタクトホール、57…コンタクトホール、58…絶縁層、59…隔壁、61,61R,61G,61B…正孔注入層、62,62R,62G,62B…正孔輸送層、63,63R,63G,63B…発光層(第1発光層、第2発光層、第3発光層)、64,64R,64G,84…中間層、66…赤色発光領域、67…緑色発光領域、68…青色発光領域、101…電子機器としてのテレビ、102…表示部、103…枠部、104…脚部、105…リモコン、212…光遮光層、213…カラーフィルター。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 71, 81, 91, 211 ... Organic EL device, 12 ... Scan line, 13 ... Signal line, 14 ... Power supply line, 15 ... Signal line drive circuit, 16 ... Scan line drive circuit, 21 ... Switching TFT, 22 ... Retention capacitor, 23 ... TFT element, 24, 24R, 24G, 24B ... Anode (first anode, second anode, third anode), 25 ... Cathode, 26 ... Light emitting functional layer, 27 ... Light emitting element, 27R ... Red Light emitting element, 27G ... green light emitting element, 27B ... blue light emitting element, 31 ... element substrate as substrate, 32 ... display area, 32a ... real display area, 32b ... dummy area, 33 ... non-display area, 34 ... subpixel, 35 ... inspection circuit, 36 ... flexible substrate, 37 ... driving IC, 42 ... light emitting region, 43 ... circuit element layer, 44 ... light emitting element layer, 45 ... base protective film, 46 ... semiconductor film, 47 ... source region, 48 ... Drey 51, channel region, 52 ... gate insulating film, 53 ... gate electrode, 54 ... first interlayer insulating film, 55 ... second interlayer insulating film, 56 ... contact hole, 57 ... contact hole, 58 ... insulating layer, 59 ... partition wall, 61, 61R, 61G, 61B ... hole injection layer, 62, 62R, 62G, 62B ... hole transport layer, 63, 63R, 63G, 63B ... light emitting layer (first light emitting layer, second light emitting layer, (Third light emitting layer), 64, 64R, 64G, 84 ... intermediate layer, 66 ... red light emitting region, 67 ... green light emitting region, 68 ... blue light emitting region, 101 ... TV as an electronic device, 102 ... display unit, 103 ... Frame portion 104... Leg portion 105. Remote control 212. Light shielding layer 213 Color filter.

Claims (15)

基板上の第1陽極上に第1色を発光する第1発光層を塗布法によって形成する第1発光層塗布工程と、
前記基板上の第2陽極上に第2色を発光する第2発光層を塗布法によって形成する第2発光層塗布工程と、
前記第1発光層上及び前記第2発光層上に電子注入性を有する中間層を形成する中間層形成工程と、
前記中間層上及び前記基板上の第3陽極上に、第3色を発光する第3発光層を蒸着法によって形成する第3発光層蒸着工程と、
前記第3発光層上に陰極を形成する陰極形成工程と、
を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
A first light emitting layer coating step of forming a first light emitting layer that emits a first color on a first anode on a substrate by a coating method;
A second light emitting layer coating step of forming a second light emitting layer for emitting a second color on the second anode on the substrate by a coating method;
An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer having an electron injecting property on the first light emitting layer and the second light emitting layer;
A third light-emitting layer deposition step of forming a third light-emitting layer that emits a third color on the intermediate layer and the third anode on the substrate by a vapor deposition method;
A cathode forming step of forming a cathode on the third light emitting layer;
A method for producing an organic EL device, comprising:
請求項1に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記第1発光層は、赤色発光層であり、
前記第2発光層は、緑色発光層であり、
前記第3発光層は、青色発光層であることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 1,
The first light emitting layer is a red light emitting layer,
The second light emitting layer is a green light emitting layer,
The method of manufacturing an organic EL device, wherein the third light emitting layer is a blue light emitting layer.
請求項1又は請求項2に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記第3発光層は、少なくとも正孔輸送性を有する層と、電子輸送性を有する層とを含むことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 1 or 2,
The method of manufacturing an organic EL device, wherein the third light emitting layer includes at least a layer having a hole transporting property and a layer having an electron transporting property.
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記第1陽極と前記第1発光層との間、及び、前記第2陽極と前記第2発光層との間に、少なくとも正孔注入層及び正孔輸送層のどちらか一方を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 3,
Forming at least one of a hole injection layer and a hole transport layer between the first anode and the first light-emitting layer and between the second anode and the second light-emitting layer; A method for manufacturing an organic EL device, which is characterized.
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記第3陽極と前記第3発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくともどちらか一方を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 4,
A method for manufacturing an organic EL device, comprising forming at least one of a hole injection layer and a hole transport layer between the third anode and the third light emitting layer.
請求項5に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記中間層形成工程は、前記正孔注入層または前記正孔輸送層と前記第3発光層との間に前記中間層を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 5,
In the intermediate layer forming step, the intermediate layer is formed between the hole injection layer or the hole transport layer and the third light emitting layer.
請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記中間層形成工程は、前記第3陽極と前記第3発光層との間を含む領域に前記中間層を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 6,
In the intermediate layer forming step, the intermediate layer is formed in a region including between the third anode and the third light emitting layer.
請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記中間層形成工程は、塗布法によって前記中間層を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 7,
In the intermediate layer forming step, the intermediate layer is formed by a coating method.
請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記中間層形成工程は、蒸着法によって前記中間層を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 7,
In the intermediate layer forming step, the intermediate layer is formed by a vapor deposition method.
請求項8に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記塗布法は、インクジェット法であることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 8,
The method of manufacturing an organic EL device, wherein the coating method is an inkjet method.
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記中間層は炭酸セシウムであることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 10,
The method for manufacturing an organic EL device, wherein the intermediate layer is cesium carbonate.
請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
色変換層を形成する色変換層形成工程を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 11,
A method for producing an organic EL device comprising a color conversion layer forming step of forming a color conversion layer.
基板上の第1陽極上に塗布法によって形成された第1色を発光する第1発光層と、
前記基板上の第2陽極上に塗布法によって形成された第2色を発光する第2発光層と、
前記第1発光層上、前記第2発光層上、前記基板上の第3陽極上を含む領域に蒸着法によって形成された第3色を発光する第3発光層と、
前記第3発光層上に設けられた陰極と、を有し、
少なくとも前記第1発光層と前記第3発光層との間、及び、前記第2発光層と前記第3発光層との間に、電子注入性を有する中間層が設けられていることを特徴とする有機EL装置。
A first light emitting layer for emitting a first color formed on a first anode on a substrate by a coating method;
A second light emitting layer for emitting a second color formed on the second anode on the substrate by a coating method;
A third light-emitting layer that emits a third color formed by vapor deposition in a region including the first light-emitting layer, the second light-emitting layer, and the third anode on the substrate;
A cathode provided on the third light emitting layer,
An intermediate layer having an electron injecting property is provided at least between the first light emitting layer and the third light emitting layer and between the second light emitting layer and the third light emitting layer. Organic EL device.
請求項13に記載の有機EL装置であって、
前記第1発光層は、赤色発光層であり、
前記第2発光層は、緑色発光層であり、
前記第3発光層は、青色発光層であることを特徴とする有機EL装置。
The organic EL device according to claim 13,
The first light emitting layer is a red light emitting layer,
The second light emitting layer is a green light emitting layer,
The organic EL device, wherein the third light emitting layer is a blue light emitting layer.
請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法を用いて製造された有機EL装置、又は請求項13又は請求項14に記載の有機EL装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An organic EL device manufactured using the method for manufacturing an organic EL device according to any one of claims 1 to 10, or the organic EL device according to claim 13 or 14. Features electronic equipment.
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