JP2014067783A - Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
JP2014067783A
JP2014067783A JP2012210608A JP2012210608A JP2014067783A JP 2014067783 A JP2014067783 A JP 2014067783A JP 2012210608 A JP2012210608 A JP 2012210608A JP 2012210608 A JP2012210608 A JP 2012210608A JP 2014067783 A JP2014067783 A JP 2014067783A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
gas
substrate
gas supply
processing chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012210608A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirohisa Yamazaki
裕久 山崎
Yuji Takebayashi
雄二 竹林
Itaru Okada
格 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2012210608A priority Critical patent/JP2014067783A/en
Publication of JP2014067783A publication Critical patent/JP2014067783A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method and a substrate processing method, which disperse flow of a processing gas supplied into a processing chamber to improve uniformity of a film thickness of a thin film formed on a substrate.SOLUTION: The substrate processing apparatus comprises: a processing chamber 5 for housing a plurality of substrates 7 and processing the substrates 7; one and more processing gas supply parts 35, 36 each including a plurality of processing gas ejection ports 63a, 63b, 64 which extend in a lamination direction of the substrates and are opened in a plurality of directions in a horizontal plane with respect to a surface of the substrate for supplying a processing gas to inside the processing chamber; and a plurality of inert gas supply parts 37, 38 which are arranged so as to sandwich the plurality of processing gas ejection ports from both sides along a circumferential direction of the substrate and in which one and more inert gas ejection ports 65, 66 for supplying the inert gas are opened.

Description

本発明は、ウェーハ等の基板に、酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method, and a substrate processing method for performing processing such as oxidation processing, diffusion processing, and thin film generation on a substrate such as a wafer.

従来、例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板処理装置により基板上に薄膜を形成する基板処理工程がある。   Conventionally, as a process of manufacturing a semiconductor device such as a DRAM (Dynamic Random Access Memory), for example, there is a substrate processing process in which a thin film is formed on a substrate by a substrate processing apparatus.

従来の基板処理工程に用いられる基板処理装置は、水平姿勢で多段に積層された基板を収納して処理する処理室と、処理室内に少なくとも１種の処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルを有する処理ガス供給ユニットと、処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズルを有する不活性ガス供給ユニットと、処理室内を排気する排気ラインとを有している。   2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus used in a conventional substrate processing process includes a processing chamber that stores and processes substrates stacked in multiple stages in a horizontal posture, and a processing gas supply nozzle that supplies at least one processing gas into the processing chamber. It has a processing gas supply unit, an inert gas supply unit having an inert gas supply nozzle for supplying an inert gas into the processing chamber, and an exhaust line for exhausting the processing chamber.

基板上に薄膜を形成する際には、複数の基板を保持する基板保持具を処理室内に搬入し、排気ラインにより処理室内を排気しつつ処理ガス供給ノズルから処理室内にガスを供給することにより、各基板の間にガスを通過させて基板上に薄膜を形成していた。   When forming a thin film on a substrate, a substrate holder for holding a plurality of substrates is carried into the processing chamber, and gas is supplied from the processing gas supply nozzle to the processing chamber while exhausting the processing chamber by an exhaust line. A thin film was formed on the substrate by passing a gas between the substrates.

然し乍ら、従来の基板処理装置を用いた基板処理では、処理ガス供給ノズルから供給される処理ガスと、不活性ガス供給ノズルから供給される不活性ガスとが、共に基板の中心方向に向って流れる様になっている為、各基板の外周方向と中心付近とでは処理ガスの供給量に差異が生じてしまう。特に、基板を回転させながら処理ガスを供給した場合、熱分解し易い処理ガスが一方向に集中して基板に付着してしまう為、基板の外周付近に形成される薄膜が、基板の中心付近に形成される薄膜に比べて薄くなってしまい、処理基板の面内均一性が低下してしまう傾向があった。   However, in the substrate processing using the conventional substrate processing apparatus, both the processing gas supplied from the processing gas supply nozzle and the inert gas supplied from the inert gas supply nozzle flow toward the center of the substrate. Therefore, there is a difference in the supply amount of the processing gas between the outer peripheral direction of each substrate and the vicinity of the center. In particular, when the processing gas is supplied while rotating the substrate, the processing gas that is easily pyrolyzed concentrates in one direction and adheres to the substrate, so the thin film formed near the outer periphery of the substrate is near the center of the substrate. There is a tendency that the in-plane uniformity of the processing substrate is lowered due to the thinning of the thin film.

特開２００９−２０６４８９号公報JP 2009-206489 A

本発明は斯かる実情に鑑み、処理室内に供給する処理ガスの流れを分散させ、基板に形成される薄膜の膜厚の均一性を向上させる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法を提供するものである。   In view of such circumstances, the present invention disperses the flow of the processing gas supplied into the processing chamber and improves the uniformity of the thickness of the thin film formed on the substrate, the manufacturing method of the semiconductor device, and the substrate processing method Is to provide.

本発明の好ましい一態様によれば、複数の基板を収容して処理する処理室と、基板の積層方向に延在され、基板の表面に対して水平な面内で複数の方向に開口され、前記処理室内に処理ガスを供給する複数の処理ガス噴出口が設けられた１つ以上の処理ガス供給部と、前記複数の処理ガス噴出口を基板の周方向に沿って両側から挾む様に設けられ、不活性ガスを供給する１つ以上の不活性ガス噴出口が開口された複数の不活性ガス供給部とを有する基板処理装置が提供される。   According to a preferred aspect of the present invention, a processing chamber for accommodating and processing a plurality of substrates, a substrate extending in the stacking direction, and being opened in a plurality of directions within a plane horizontal to the surface of the substrate, One or more processing gas supply parts provided with a plurality of processing gas jets for supplying a processing gas into the processing chamber, and the plurality of processing gas jets sandwiched from both sides along the circumferential direction of the substrate Provided is a substrate processing apparatus having a plurality of inert gas supply units provided with one or more inert gas outlets for supplying an inert gas.

又本発明の好ましい他の態様によれば、処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室内に不活性ガス及び１種以上の処理ガスを供給して基板を処理する基板処理工程と、処理後の基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板処理工程では、処理ガスを基板の表面に対して水平な複数の方向に供給すると共に、処理ガスの流れを両側から挾む様に不活性ガスを供給する半導体装置の製造方法が提供される。   According to another preferable aspect of the present invention, a substrate carrying-in process for carrying a substrate into the processing chamber, a substrate processing process for processing the substrate by supplying an inert gas and one or more processing gases into the processing chamber, A method of manufacturing a semiconductor device comprising a substrate unloading step of unloading a substrate after processing from the processing chamber, wherein in the substrate processing step, a processing gas is supplied in a plurality of directions parallel to the surface of the substrate. In addition, a method of manufacturing a semiconductor device is provided that supplies an inert gas so that the flow of the processing gas is held from both sides.

更に又本発明の好ましい他の態様によれば、処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室内に不活性ガス及び１種以上の処理ガスを供給して基板を処理する基板処理工程と、処理後の基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程とを有する基板処理方法であって、前記基板処理工程では、処理ガスを基板の表面に対して水平な複数の方向に供給すると共に、処理ガスの流れを両側から挾む様に不活性ガスを供給する基板処理方法が提供される。   Furthermore, according to another preferable aspect of the present invention, a substrate carrying-in process for carrying a substrate into the processing chamber, and a substrate processing process for processing the substrate by supplying an inert gas and one or more processing gases into the processing chamber. And a substrate unloading step of unloading the processed substrate from the processing chamber, wherein the substrate processing step supplies process gas in a plurality of directions parallel to the surface of the substrate. There is provided a substrate processing method for supplying an inert gas so as to hold the flow of the processing gas from both sides.

本発明によれば、基板処理工程に於いて処理ガスの流れが集中し、基板の中心部に於いて膜が過剰に厚く形成されるのを抑制でき、膜の面内均一性を向上させることができると共に、処理ガスの流路が制限され、処理ガスが基板の外周よりも外側に流出するのを防止でき、成膜効率を向上させることができるという優れた効果を発揮する。   According to the present invention, the flow of processing gas is concentrated in the substrate processing step, and it is possible to suppress the formation of an excessively thick film at the center of the substrate, thereby improving the in-plane uniformity of the film. In addition, the flow path of the processing gas is limited, it is possible to prevent the processing gas from flowing out of the outer periphery of the substrate, and the film forming efficiency can be improved.

本発明の第１の実施例に係る基板処理装置の処理炉を示す立断面図である。1 is an elevational sectional view showing a processing furnace of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施例に係る基板処理装置の処理炉を示す平断面図である。It is a plane sectional view showing the processing furnace of the substrate processing apparatus concerning the 1st example of the present invention. 本発明の第１の実施例に係る第１処理ガス供給ノズルであり、（Ａ）は第１処理ガス供給ノズルの側面図を示し、（Ｂ）は第１処理ガス供給ノズルの立面図を示し、（Ｃ）は（Ａ）のＡ−Ａ矢視図を示している。It is a 1st process gas supply nozzle which concerns on 1st Example of this invention, (A) shows the side view of a 1st process gas supply nozzle, (B) shows the elevation of a 1st process gas supply nozzle. (C) has shown the AA arrow line view of (A). 本発明の第１の実施例の変形例を示す処理炉の平断面図である。It is a plane sectional view of the processing furnace which shows the modification of the 1st example of the present invention. 本発明の第１の実施例に係る基板処理工程を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the substrate processing process which concerns on 1st Example of this invention. 本発明の第１の実施例に係る成膜工程を説明するシーケンス図である。It is a sequence diagram explaining the film-forming process which concerns on the 1st Example of this invention. 成膜された膜の面内均一性を示すグラフであり、（Ａ）は本発明の第１処理ガス供給ノズルを用いた場合のグラフを示し、（Ｂ）は従来の処理ガス供給ノズルを用いた場合のグラフを示している。It is a graph which shows the in-plane uniformity of the film | membrane formed into a film, (A) shows the graph at the time of using the 1st process gas supply nozzle of this invention, (B) uses the conventional process gas supply nozzle. The graph is shown when there is. 本発明の第２の実施例に係る基板処理装置の処理炉を示す平断面図である。It is a plane sectional view showing the processing furnace of the substrate processing apparatus concerning the 2nd example of the present invention.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本発明の一実施例として、基板処理装置の一例を説明する。該基板処理装置は、半導体装置（ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ））の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。先ず、図１、図２に於いて、基板処理装置の一例として、基板に対して成膜処理等を行う縦型の装置を使用した場合の処理炉について説明する。尚、本実施例は、縦型装置の使用を前提としたものではなく、例えば枚葉式の基板処理装置を使用してもよいのは言う迄もない。   As an embodiment of the present invention, an example of a substrate processing apparatus will be described. The substrate processing apparatus is configured as an example of a semiconductor manufacturing apparatus used for manufacturing a semiconductor device (IC (Integrated Circuits)). First, in FIG. 1 and FIG. 2, a processing furnace in the case of using a vertical apparatus for performing a film forming process on a substrate will be described as an example of a substrate processing apparatus. Note that this embodiment is not based on the use of a vertical apparatus, and needless to say, for example, a single-wafer type substrate processing apparatus may be used.

処理炉１は、中心線が垂直となる様に縦向きに配設され、基板処理装置の筐体（図示せず）によって固定的に支持された反応管としての縦型のプロセスチューブ２を具備している。該プロセスチューブ２は、インナチューブ３とアウタチューブ４とを有し、前記インナチューブ３及び前記アウタチューブ４は石英（ＳｉＯ2 ）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い材料によって、円筒形状にそれぞれ一体成形されている。 The processing furnace 1 is provided with a vertical process tube 2 as a reaction tube that is vertically arranged so that the center line is vertical, and is fixedly supported by a housing (not shown) of a substrate processing apparatus. doing. The process tube 2 includes an inner tube 3 and an outer tube 4, and the inner tube 3 and the outer tube 4 are made of a cylinder having a high heat resistance such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). Are integrally molded.

前記インナチューブ３は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状となっている。該インナチューブ３の内部には処理室５が画成され、該処理室５の内部に基板保持具としてのボート６に水平姿勢で多段に積層された基板としてのウェーハ７が収納され処理される。又、前記インナチューブ３の下端開口は、ウェーハ７群を保持した前記ボート６を出入れする為の炉口を構成している。従って、前記インナチューブ３の内径は、ウェーハ７群を保持した前記ボート６の最大径よりも大きくなる様に設定されている。   The inner tube 3 has a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. A processing chamber 5 is defined inside the inner tube 3, and wafers 7 as substrates stacked in multiple stages in a horizontal posture on a boat 6 as a substrate holder are stored and processed in the processing chamber 5. . Further, the lower end opening of the inner tube 3 constitutes a furnace port for taking in and out the boat 6 holding the wafer 7 group. Accordingly, the inner diameter of the inner tube 3 is set to be larger than the maximum diameter of the boat 6 holding the wafer 7 group.

前記アウタチューブ４は、前記インナチューブ３に対して大きめに相似し、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状となっており、該インナチューブ３を囲む様に同心に配置される。該インナチューブ３と前記アウタチューブ４の下端部は、円筒状に形成されたマニホールド８のフランジによりそれぞれ気密に封止されている。該マニホールド８は、前記インナチューブ３及び前記アウタチューブ４についての保守点検作業や清掃作業の為に、前記インナチューブ３及び前記アウタチューブ４に着脱自在に取付けられている。前記マニホールド８が筐体（図示せず）に支持されることにより、前記プロセスチューブ２は垂直に据付けられた状態となっている。   The outer tube 4 is similar in size to the inner tube 3, has a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened, and is arranged concentrically so as to surround the inner tube 3. The lower ends of the inner tube 3 and the outer tube 4 are hermetically sealed by flanges of a manifold 8 formed in a cylindrical shape. The manifold 8 is detachably attached to the inner tube 3 and the outer tube 4 for maintenance and inspection work and cleaning work on the inner tube 3 and the outer tube 4. Since the manifold 8 is supported by a housing (not shown), the process tube 2 is vertically installed.

前記マニホールド８の側壁の一部には、前記処理室５内の雰囲気を排気する排気ラインとしての排気管９が接続されている。前記マニホールド８と前記排気管９との接続部には、該排気管９と前記処理室５内の雰囲気を連通させる排気口１１が形成されている。前記排気管９内は、前記排気口１１を介して前記インナチューブ３と前記アウタチューブ４との間に形成された隙間からなる排気路１２内に連通している。尚、該排気路１２の横断面形状は、一定幅の円形リング形状となっている。前記排気管９には、上流から順に、圧力センサ１３、圧力調整バルブとしてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ１４、真空排気装置としての真空ポンプ１５が設けられている。   An exhaust pipe 9 as an exhaust line for exhausting the atmosphere in the processing chamber 5 is connected to a part of the side wall of the manifold 8. An exhaust port 11 is formed at a connection portion between the manifold 8 and the exhaust pipe 9 to allow the atmosphere in the processing chamber 5 to communicate with the exhaust pipe 9. The exhaust pipe 9 communicates with an exhaust path 12 formed of a gap formed between the inner tube 3 and the outer tube 4 through the exhaust port 11. The cross-sectional shape of the exhaust passage 12 is a circular ring shape with a constant width. The exhaust pipe 9 is provided with a pressure sensor 13, an APC (Auto Pressure Controller) valve 14 as a pressure adjustment valve, and a vacuum pump 15 as a vacuum exhaust device in order from the upstream.

該真空ポンプ１５は、前記処理室５内の圧力が所定の圧力（真空度）となる様に真空排気を行う様構成されている。前記ＡＰＣバルブ１４及び前記圧力センサ１３には、圧力制御部１６が電気的に接続されている。該圧力制御部１６は、前記処理室５内の圧力が所望のタイミングで所望の圧力となる様に、前記圧力センサ１３により検出された圧力に基づいて前記ＡＰＣバルブ１４の開度を制御する様に構成されている。   The vacuum pump 15 is configured to perform vacuum evacuation so that the pressure in the processing chamber 5 becomes a predetermined pressure (degree of vacuum). A pressure control unit 16 is electrically connected to the APC valve 14 and the pressure sensor 13. The pressure control unit 16 controls the opening degree of the APC valve 14 based on the pressure detected by the pressure sensor 13 so that the pressure in the processing chamber 5 becomes a desired pressure at a desired timing. It is configured.

尚、主に、前記排気管９、前記圧力センサ１３、前記ＡＰＣバルブ１４により、本実施例に於ける排気ユニットが構成される。又、前記真空ポンプ１５を前記排気ユニットに含めてもよい。   The exhaust pipe 9, the pressure sensor 13, and the APC valve 14 mainly constitute the exhaust unit in this embodiment. The vacuum pump 15 may be included in the exhaust unit.

前記マニホールド８には、該マニホールド８の下端開口を閉塞するシールキャップ１７が、垂直方向下側から当接される様になっている。該シールキャップ１７は、前記アウタチューブ４の外径と同等以上の径を有する円盤形状に形成されており、前記プロセスチューブ２の外部に垂直に設置されたボートエレベータ１８によって水平姿勢で垂直方向に昇降される様に構成されている。   A seal cap 17 for closing the lower end opening of the manifold 8 is brought into contact with the manifold 8 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 17 is formed in a disk shape having a diameter equal to or larger than the outer diameter of the outer tube 4, and is vertically oriented in a horizontal posture by a boat elevator 18 installed vertically outside the process tube 2. It is configured to move up and down.

前記シールキャップ１７上には、ウェーハ７を保持する前記ボート６が垂直に立脚されて支持される様になっている。該ボート６は、上下で一対の端板１９，１９と、該端板１９，１９間に垂直に設けられた複数本の保持部材２１とを有している。前記端板１９及び前記保持部材２１は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなる。各保持部材２１には、多数条の保持溝２２が長手方向に等間隔で形成されている。各保持部材２１は、前記保持溝２２が互いに対向する様に設けられ、ウェーハ７の円周縁が同一段の前記保持溝２２内にそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウェーハ７が水平姿勢且つ互いに中心を揃えた状態で多段に積層されて保持される様に構成されている。 On the seal cap 17, the boat 6 that holds the wafers 7 is vertically supported and supported. The boat 6 includes a pair of upper and lower end plates 19 and 19 and a plurality of holding members 21 provided vertically between the end plates 19 and 19. The end plate 19 and the holding member 21 are made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). Each holding member 21 has a plurality of holding grooves 22 formed at equal intervals in the longitudinal direction. Each holding member 21 is provided so that the holding grooves 22 face each other, and the circumferential edges of the wafers 7 are inserted into the holding grooves 22 on the same stage, so that a plurality of wafers 7 are in a horizontal posture and It is configured to be stacked and held in multiple stages with the centers aligned.

又、前記ボート６と前記シールキャップ１７との間には、上下で一対の補助端板２３，２３が設けられ、該補助端板２３，２３は複数本の補助保持部材２４によって支持されている。各補助保持部材２４には、多数条の保持溝２５が形成され、該保持溝２５には、例えば石英（ＳｉＯ2 ）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなる円板形状の断熱板（図示せず）が、水平姿勢で多段に装填される様になっている。該断熱板により、後述するヒータユニット２６からの熱が、前記マニホールド８側に伝わり難くなる様に構成されている。 A pair of auxiliary end plates 23, 23 are provided between the boat 6 and the seal cap 17, and the auxiliary end plates 23, 23 are supported by a plurality of auxiliary holding members 24. . Each auxiliary holding member 24 is formed with a plurality of holding grooves 25, and the holding grooves 25 have a disk-shaped heat insulating plate made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). (Not shown) are loaded in multiple stages in a horizontal posture. The heat insulating plate is configured to make it difficult for heat from a heater unit 26 described later to be transmitted to the manifold 8 side.

前記シールキャップ１７の前記処理室５と反対側には、前記ボート６を回転させる回転機構２７が設けられている。該回転機構２７の回転軸２８は、前記シールキャップ１７を貫通して前記ボート６を下方から支持している。前記回転軸２８を回転させることで、前記処理室５内にてウェーハ７を回転可能となっている。又、前記シールキャップ１７が前記ボートエレベータ１８により垂直方向に昇降されることで、前記ボート６を前記処理室５内外へ搬送できる様になっている。   A rotation mechanism 27 for rotating the boat 6 is provided on the side of the seal cap 17 opposite to the processing chamber 5. A rotating shaft 28 of the rotating mechanism 27 passes through the seal cap 17 and supports the boat 6 from below. The wafer 7 can be rotated in the processing chamber 5 by rotating the rotating shaft 28. The seal cap 17 is moved up and down in the vertical direction by the boat elevator 18 so that the boat 6 can be conveyed into and out of the processing chamber 5.

前記ボートエレベータ１８及び前記回転機構２７には、駆動制御部２９が電気的に接続されている。該駆動制御部２９は、前記ボートエレベータ１８及び前記回転機構２７が所望のタイミングで所望の動作をする様制御する様になっている。   A drive control unit 29 is electrically connected to the boat elevator 18 and the rotation mechanism 27. The drive control unit 29 controls the boat elevator 18 and the rotating mechanism 27 to perform a desired operation at a desired timing.

前記アウタチューブ４の外部には、前記プロセスチューブ２内を全体に亘って均一に、又は所定の温度分布に加熱する加熱機構としての前記ヒータユニット２６が、前記アウタチューブ４を囲繞する様に設けられている。前記ヒータユニット２６は、断熱材の内側に設けられ、基板処理装置の筐体（図示せず）に支持されることで垂直に据付けられた状態となっており、例えばカーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータとして構成されている。   Outside the outer tube 4, the heater unit 26 as a heating mechanism that heats the inside of the process tube 2 uniformly or with a predetermined temperature distribution is provided so as to surround the outer tube 4. It has been. The heater unit 26 is provided inside the heat insulating material and is vertically installed by being supported by a housing (not shown) of a substrate processing apparatus. For example, a resistance heater such as a carbon heater is provided. It is configured as.

前記プロセスチューブ２内には、温度検出器としての温度センサ３１が設置されている。前記ヒータユニット２６と前記温度センサ３１とには温度制御部３２が電気的に接続され、前記温度センサ３１により検出された温度情報に基づき、前記温度制御部３２は前記処理室５内の温度が所望のタイミングで所望の温度分布となる様、前記ヒータユニット２６への通電具合を制御する様になっている。   A temperature sensor 31 as a temperature detector is installed in the process tube 2. A temperature control unit 32 is electrically connected to the heater unit 26 and the temperature sensor 31, and based on the temperature information detected by the temperature sensor 31, the temperature control unit 32 determines the temperature in the processing chamber 5. The state of energization to the heater unit 26 is controlled so that a desired temperature distribution is obtained at a desired timing.

尚、主に前記ヒータユニット２６、前記温度センサ３１により本実施例に於ける加熱ユニットが構成される。   The heater unit 26 and the temperature sensor 31 mainly constitute the heating unit in this embodiment.

前記インナチューブ３の側壁には、チャンネル形状の予備室３３が前記インナチューブ３の径方向外向きに突出して垂直方向に長く延在する様に形成されている。前記予備室３３の側壁３４は前記インナチューブ３の側壁の一部を構成し、前記予備室３３の内壁は前記処理室５の内壁の一部を構成している。前記予備室３３の内部には、該予備室３３の内壁（即ち前記処理室５の内壁）に沿う様にウェーハ７の積層方向に延在され、前記処理室５内に処理ガスを供給する第１、第２処理ガス供給ノズル３５，３６が設けられている。又、前記予備室３３の内部には、該予備室３３の内壁（即ち前記処理室５の内壁）に沿う様にウェーハ７の積層方向に延在され、前記処理室５内に不活性ガスを供給する２本の第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８が、ウェーハ７の周方向に沿って前記第１、第２処理ガス供給ノズル３５，３６を両方から挾む様に設けられている。   A channel-shaped auxiliary chamber 33 is formed on the side wall of the inner tube 3 so as to protrude outward in the radial direction of the inner tube 3 and extend long in the vertical direction. The side wall 34 of the preliminary chamber 33 constitutes a part of the side wall of the inner tube 3, and the inner wall of the preliminary chamber 33 constitutes a part of the inner wall of the processing chamber 5. The preliminary chamber 33 extends in the stacking direction of the wafer 7 along the inner wall of the preliminary chamber 33 (that is, the inner wall of the processing chamber 5), and supplies a processing gas into the processing chamber 5. 1 and 2nd process gas supply nozzles 35 and 36 are provided. The preliminary chamber 33 is extended in the stacking direction of the wafers 7 along the inner wall of the preliminary chamber 33 (that is, the inner wall of the processing chamber 5), and inert gas is introduced into the processing chamber 5. Two first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 to be supplied are provided so as to sandwich the first and second processing gas supply nozzles 35 and 36 from both along the circumferential direction of the wafer 7. ing.

該第１、第２処理ガス供給ノズル３５，３６及び前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８は、それぞれ垂直部と水平部とを有するＬ字形状となっており、水平部の端部、即ち前記第１、第２処理ガス供給ノズル３５，３６の上流側端部である第１、第２処理ガス導入口部３９，４１、及び前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８の上流側端部である第１、第２不活性ガス導入口部４２，４３は、それぞれ前記マニホールド８の側壁を径方向に貫通して前記プロセスチューブ２の外部に突出している。   The first and second process gas supply nozzles 35 and 36 and the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 have L-shapes each having a vertical portion and a horizontal portion. Ends, that is, first and second processing gas introduction ports 39 and 41 that are upstream ends of the first and second processing gas supply nozzles 35 and 36, and the first and second inert gas supply nozzles. First and second inert gas introduction ports 42 and 43 which are upstream ends of 37 and 38 respectively penetrate the side wall of the manifold 8 in the radial direction and project outside the process tube 2.

前記第１、第２処理ガス導入口部３９，４１には、処理ガス供給ラインとしての第１、第２処理ガス供給管４４，４５がそれぞれ接続されている。   First and second processing gas supply pipes 44 and 45 as processing gas supply lines are connected to the first and second processing gas introduction ports 39 and 41, respectively.

該第１処理ガス供給管４４には、上流側から順に、例えば液体原料としてのＴＥＭＡＨ（Ｈｆ［ＮＣＨ3 Ｃ2 Ｈ5 ］4 、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム）や、ＴＥＭＡＺ（Ｚｒ［ＮＣＨ3 Ｃ2 Ｈ5 ］4 テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム）を気化させたガス（ＴＥＭＡＨガスやＴＥＭＡＺガス）等の処理ガスを供給する第１処理ガス供給源４６、流量制御装置としての第１ＭＦＣ（マスフローコントローラ）４７、及び第１開閉バルブ４８がそれぞれ設けられている。主に、前記第１処理ガス供給ノズル３５、前記第１処理ガス供給管４４、前記第１ＭＦＣ４７、前記第１開閉バルブ４８により第１処理ガス供給部（第１処理ガス供給系）が構成される。尚、前記第１処理ガス供給源４６を第１処理ガス供給部に含めてもよい。 For example, TEMAH (Hf [NCH 3 C 2 H 5 ] 4 , tetrakisethylmethylaminohafnium) or TEMAZ (Zr [NCH 3 C 2 ) as a liquid raw material is sequentially connected to the first processing gas supply pipe 44 from the upstream side. H 5 ] 4 tetrakisethylmethylaminozirconium), a first processing gas supply source 46 for supplying a processing gas such as a gas (TEMAH gas or TEMAZ gas), a first MFC (mass flow controller) 47 as a flow rate control device, The first opening / closing valve 48 is provided. A first process gas supply unit (first process gas supply system) is mainly configured by the first process gas supply nozzle 35, the first process gas supply pipe 44, the first MFC 47, and the first opening / closing valve 48. . The first processing gas supply source 46 may be included in the first processing gas supply unit.

この様に、不活性ガスにより両側から挾まれる処理ガスとしては、熱分解温度が処理温度（成膜温度）より低い様なガスであって、例えばＴＥＭＡＨガスやＴＥＭＡＺガス等が用いられる。尚、前記第１処理ガス供給管４４の前記第１開閉バルブ４８よりも下流側には、図示しないキャリアガス供給管が接続されている。該キャリアガス供給管からキャリアガスとしてのＮ2 ガスを供給することにより、処理ガスを希釈して前記処理室５内への処理ガスの供給や、該処理室５内での処理ガスの拡散を促すことが可能となっている。 As described above, the processing gas that is sandwiched from both sides by the inert gas is a gas whose thermal decomposition temperature is lower than the processing temperature (film formation temperature), and for example, TEMAH gas, TEMAZ gas, or the like is used. A carrier gas supply pipe (not shown) is connected to the first processing gas supply pipe 44 downstream of the first opening / closing valve 48. By supplying N 2 gas as a carrier gas from the carrier gas supply pipe, the processing gas is diluted to supply the processing gas into the processing chamber 5 and to diffuse the processing gas in the processing chamber 5. It is possible to prompt.

又、前記第２処理ガス供給管４５には、上流側から順に、例えばＯ3 （オゾン）ガス等の処理ガスを供給する第２処理ガス供給源４９、流量制御装置としての第２ＭＦＣ５１、及び第２開閉バルブ５２がそれぞれ設けられている。主に、前記第２処理ガス供給ノズル３６、前記第２処理ガス供給管４５、前記第２ＭＦＣ５１、前記第２開閉バルブ５２により第２処理ガス供給部（第２処理ガス供給系）が構成される。尚、前記第２処理ガス供給源４９を第２処理ガス供給部に含めてもよい。 In addition, the second processing gas supply pipe 45, in order from the upstream side, for example, a second processing gas supply source 49 for supplying a processing gas such as O 3 (ozone) gas, a second MFC 51 as a flow control device, and a second Two open / close valves 52 are provided. A second process gas supply unit (second process gas supply system) is mainly configured by the second process gas supply nozzle 36, the second process gas supply pipe 45, the second MFC 51, and the second opening / closing valve 52. . The second processing gas supply source 49 may be included in the second processing gas supply unit.

尚、第２処理ガス供給管４５の前記第２開閉バルブ５２よりも下流側には、図示しないキャリアガス供給管が接続されている。該キャリアガス供給管からキャリアガスとしてのＮ2 ガスを供給することにより、処理ガスを希釈して前記処理室５内への処理ガスの供給や、該処理室５内での処理ガスの拡散を促すことが可能となっている。 A carrier gas supply pipe (not shown) is connected to the second processing gas supply pipe 45 downstream of the second opening / closing valve 52. By supplying N 2 gas as a carrier gas from the carrier gas supply pipe, the processing gas is diluted to supply the processing gas into the processing chamber 5 and to diffuse the processing gas in the processing chamber 5. It is possible to prompt.

第１、第２不活性ガス導入口部４２，４３には、不活性ガス供給ラインとしての第１、第２不活性ガス供給管５３，５４が接続されている。該第１、第２不活性ガス供給管５３，５４には、上流側から順に、例えばＮ2 ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス等の不活性ガスを供給する第１、第２不活性ガス供給源５５，５６、流量制御装置としての第３、第４ＭＦＣ５７，５８、及び第３、第４開閉バルブ５９，６１がそれぞれ設けられている。 First and second inert gas supply pipes 53 and 54 serving as inert gas supply lines are connected to the first and second inert gas introduction ports 42 and 43. First and second inert gas supply sources for supplying an inert gas such as N 2 gas, Ar gas, and He gas in order from the upstream side to the first and second inert gas supply pipes 53 and 54. 55, 56, third and fourth MFCs 57, 58 as flow control devices, and third, fourth open / close valves 59, 61 are provided, respectively.

尚、主に、前記第１不活性ガス供給ノズル３７、前記第１不活性ガス供給管５３、前記第３ＭＦＣ５７、前記第３開閉バルブ５９により第１不活性ガス供給部が構成され、前記第２不活性ガス供給ノズル３８、前記第２不活性ガス供給管５４、前記第４ＭＦＣ５８、前記第４開閉バルブ６１により第２不活性ガス供給部（第２不活性ガス供給系）が構成される。尚、前記第１不活性ガス供給源５５、前記第２不活性ガス供給源５６を第２不活性ガス供給系に含めてもよい。   The first inert gas supply nozzle 37, the first inert gas supply pipe 53, the third MFC 57, and the third opening / closing valve 59 mainly constitute a first inert gas supply unit, and the second The inert gas supply nozzle 38, the second inert gas supply pipe 54, the fourth MFC 58, and the fourth open / close valve 61 constitute a second inert gas supply unit (second inert gas supply system). The first inert gas supply source 55 and the second inert gas supply source 56 may be included in the second inert gas supply system.

又、主に、前記第１処理ガス供給ノズル３５、前記第１処理ガス供給管４４、前記第１ＭＦＣ４７、前記第１開閉バルブ４８、図示しないキャリアガス供給管と、前記第２処理ガス供給ノズル３６、前記第２処理ガス供給管４５、前記第２ＭＦＣ５１、前記第２開閉バルブ５２、図示しないキャリアガス供給管により、本実施例に於ける処理ガス供給ユニットが構成される。ここで、前記第１処理ガス供給源４６、前記第２処理ガス供給源４９９を処理ガス供給ユニットに含めてもよい。即ち、第１処理ガス供給部と第２処理ガス供給部とで処理ガス供給ユニットが構成される。又、主に、前記第１不活性ガス供給ノズル３７、前記第１不活性ガス供給管５３、前記第３ＭＦＣ５７、前記第３開閉バルブ５９と、前記第２不活性ガス供給ノズル３８、前記第２不活性ガス供給管５４、前記第４ＭＦＣ５８、前記第４開閉バルブ６１により、本実施例に於ける不活性ガス供給ユニットが構成される。ここで、前記第１不活性ガス供給源５５、前記第２不活性ガス供給源５６を不活性ガス供給ユニットに含めてもよい。即ち、第１不活性ガス供給部と第２不活性ガス供給部とで不活性ガス供給ユニットが構成される。   The first processing gas supply nozzle 35, the first processing gas supply pipe 44, the first MFC 47, the first opening / closing valve 48, a carrier gas supply pipe (not shown), and the second processing gas supply nozzle 36 are mainly used. The second processing gas supply pipe 45, the second MFC 51, the second opening / closing valve 52, and a carrier gas supply pipe (not shown) constitute a processing gas supply unit in this embodiment. Here, the first processing gas supply source 46 and the second processing gas supply source 499 may be included in the processing gas supply unit. That is, the first processing gas supply unit and the second processing gas supply unit constitute a processing gas supply unit. The first inert gas supply nozzle 37, the first inert gas supply pipe 53, the third MFC 57, the third on-off valve 59, the second inert gas supply nozzle 38, the second The inert gas supply pipe 54, the fourth MFC 58, and the fourth open / close valve 61 constitute an inert gas supply unit in this embodiment. Here, the first inert gas supply source 55 and the second inert gas supply source 56 may be included in the inert gas supply unit. That is, the first inert gas supply unit and the second inert gas supply unit constitute an inert gas supply unit.

前記第１〜第４ＭＦＣ４７，５１，５７，５８及び前記第１〜第４開閉バルブ４８，５２，５９，６１には、ガス供給・流量制御部６２が電気的に接続されている。該ガス供給・流量制御部６２は、後述する各ＳＴＥＰで前記処理室５内に供給するガスの種類が所望のタイミングにて所望のガス種となる様、又供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の量となる様、更に不活性ガスに対する処理ガスの濃度が所望のタイミングにて所望の濃度となる様、前記第１〜第４ＭＦＣ４７，５１，５７，５８及び前記第１〜第４開閉バルブ４８，５２，５９，６１を制御する様になっている。   A gas supply / flow rate controller 62 is electrically connected to the first to fourth MFCs 47, 51, 57, 58 and the first to fourth on-off valves 48, 52, 59, 61. The gas supply / flow rate control unit 62 is configured so that the type of gas supplied into the processing chamber 5 in each STEP described later becomes a desired gas type at a desired timing, and the flow rate of the supplied gas is a desired timing. The first to fourth MFCs 47, 51, 57, 58 and the first to fourth so that the concentration of the processing gas with respect to the inert gas becomes a desired concentration at a desired timing. The on-off valves 48, 52, 59, 61 are controlled.

前記第１処理ガス供給ノズル３５の垂直部、即ち前記予備室３３内に延在する部分には、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示される様に、一対の第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂが前記ボート６に積層されたウェーハ７と平行となる様同一面内に穿設され、又前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂは垂直方向に等間隔で複数穿設されている。尚、前記第１処理ガス供給ノズル３５の垂直部に穿設される前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ間の角度θは、０°〜９６°、即ち該第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂが共にウェーハ７の中心方向に向けられた状態から、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂがそれぞれウェーハ７の周端方向に向けられた状態迄の範囲で任意に選択可能となっている。本実施例では、例えばθを４６°とし、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂからウェーハ７の中心と外周の中間に向って処理ガスが噴出される様になっている。   As shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C, a vertical portion of the first process gas supply nozzle 35, that is, a portion extending into the preliminary chamber 33, is provided with a pair of first process gas jets. The outlets 63a and 63b are drilled in the same plane so as to be parallel to the wafers 7 stacked on the boat 6, and a plurality of the first process gas jets 63a and 63b are drilled at equal intervals in the vertical direction. Yes. The angle θ between the first process gas jets 63a and 63b formed in the vertical portion of the first process gas supply nozzle 35 is 0 ° to 96 °, that is, the first process gas jet 63a, It can be arbitrarily selected in a range from a state in which both 63b are directed toward the center of the wafer 7 to a state in which the first processing gas ejection ports 63a and 63b are respectively directed toward the peripheral edge of the wafer 7. . In this embodiment, for example, θ is set to 46 °, and the processing gas is jetted from the first processing gas jet ports 63a and 63b toward the middle between the center and the outer periphery of the wafer 7.

又、前記第２処理ガス供給ノズル３６の垂直部、即ち前記予備室３３内に延在する部分には、第２処理ガス噴出口６４がウェーハ７と平行となる様同一面内に穿設され、又垂直方向に等間隔で複数穿設されている。尚、該第２処理ガス噴出口６４からウェーハ７の中心方向に向って処理ガスが噴出される様になっている。   Further, a second processing gas jet port 64 is formed in the same plane so as to be parallel to the wafer 7 in a vertical portion of the second processing gas supply nozzle 36, that is, a portion extending into the preliminary chamber 33. In addition, a plurality of holes are formed at equal intervals in the vertical direction. A processing gas is jetted from the second processing gas jet port 64 toward the center of the wafer 7.

更に、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８の垂直部、即ち前記予備室３３内に延在する部分には、第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６がそれぞれウェーハ７と平行となる様同一面内に穿設され、又垂直方向に等間隔で複数穿設され、該第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６からウェーハ７の中心方向に向って不活性ガスが噴出される様になっている。   Further, first and second inert gas jets 65 and 66 are provided in the vertical portions of the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38, that is, in the portions extending into the preliminary chamber 33, respectively. 7 is formed in the same plane so as to be parallel to the substrate 7 and is formed in plural at equal intervals in the vertical direction, and is not directed toward the center of the wafer 7 from the first and second inert gas jets 65, 66. Active gas is jetted out.

前記第１、第２処理ガス供給ノズル３５，３６や前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８が前記予備室３３内に設けられることで、前記第１処理ガス供給ノズル３５の前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ、前記第２処理ガス供給ノズル３６の前記第２処理ガス噴出口６４、及び前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８の前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６は、前記インナチューブ３の内周面より、該インナチューブ３の径方向外側に配置された状態となっている。   The first and second processing gas supply nozzles 35 and 36 and the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 are provided in the preliminary chamber 33, so that the first processing gas supply nozzle 35 has the First process gas jets 63a and 63b, the second process gas jet 64 of the second process gas supply nozzle 36, and the first and second of the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38, respectively. The inert gas outlets 65 and 66 are arranged on the radially outer side of the inner tube 3 from the inner peripheral surface of the inner tube 3.

前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ、前記第２処理ガス噴出口６４、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６の個数は、例えば前記ボート６に保持されたウェーハ７の枚数と一致する様に構成されている。又、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ、前記第２処理ガス噴出口６４、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６の高さ位置は、例えば前記ボート６に保持された上下に隣接するウェーハ７間の空間に対向する様に設定されている。尚、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ、前記第２処理ガス噴出口６４、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６の径は、各ウェーハ７へのガスの供給量が均一となる様、それぞれ異なる大きさに設定されている。又、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ、前記第２処理ガス噴出口６４、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６は、複数枚のウェーハ７に対して１個ずつ（例えば数枚のウェーハ７に対して１個ずつ）穿設することとしてもよい。   The number of the first process gas jets 63 a and 63 b, the second process gas jet 64, and the first and second inert gas jets 65 and 66 is, for example, the number of wafers 7 held in the boat 6. It is configured to match. The height positions of the first process gas jets 63a and 63b, the second process gas jet 64, and the first and second inert gas jets 65 and 66 are held in the boat 6, for example. It is set so as to face the space between the wafers 7 adjacent in the vertical direction. The diameters of the first process gas jets 63a and 63b, the second process gas jet 64, and the first and second inert gas jets 65 and 66 are determined by the amount of gas supplied to each wafer 7. Different sizes are set so as to be uniform. Further, the first processing gas jets 63a and 63b, the second processing gas jets 64, and the first and second inert gas jets 65 and 66 are provided one by one for a plurality of wafers 7 ( For example, it may be perforated one by one for several wafers 7.

インナチューブ３の側壁であって、前記第１、第２処理ガス供給ノズル３５，３６に対向した位置、即ち前記予備室３３と１８０°反対側の位置には、例えばスリット状の貫通孔である排気孔６７が垂直方向に細長く開設され、前記処理室５内と前記排気路１２内とは前記排気孔６７を介して連通している。従って、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ、前記第２処理ガス噴出口６４から前記処理室５内に供給された処理ガス、及び前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６から前記処理室５内に供給された不活性ガスは、前記排気孔６７を介して前記排気路１２へと流れた後、前記排気口１１を介して前記排気管９内に流入し、前記処理炉１の外へと排出される様になっている。尚、本実施例では、前記排気孔６７をスリット状の貫通孔としているが、該排気孔６７は複数個の孔により構成されていてもよい。   For example, a slit-shaped through-hole is formed on the side wall of the inner tube 3 at a position facing the first and second processing gas supply nozzles 35 and 36, that is, at a position opposite to the preliminary chamber 33 by 180 °. An exhaust hole 67 is elongated in the vertical direction, and the inside of the processing chamber 5 and the inside of the exhaust path 12 communicate with each other through the exhaust hole 67. Therefore, from the first process gas jets 63a and 63b, the process gas supplied from the second process gas jet 64 into the process chamber 5, and the first and second inert gas jets 65 and 66, respectively. The inert gas supplied into the processing chamber 5 flows into the exhaust passage 12 through the exhaust hole 67 and then flows into the exhaust pipe 9 through the exhaust port 11, and the processing furnace. It is designed to be discharged outside of 1. In this embodiment, the exhaust hole 67 is a slit-like through hole, but the exhaust hole 67 may be composed of a plurality of holes.

尚、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８と前記排気孔６７とを結ぶ直線は、前記第１、第２処理ガス供給ノズル３５，３６と前記排気孔６７とを結ぶ直線を挾込む様になっている。又、上記では前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６が前記ウェーハ７の中心方向に向って穿設されているが、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６は外側に開いた方向としてもよい。例えば、図４に示される様に、前記第１不活性ガス噴出口６５から噴出される不活性ガスが、前記第１処理ガス噴出口６３ａから噴出される処理ガスと平行となる様にし、又前記第２不活性ガス噴出口６６から噴出される不活性ガスが、前記第１処理ガス噴出口６３ｂから噴出される処理ガスと平行となる様にしてもよい。   The straight line connecting the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 and the exhaust hole 67 is a straight line connecting the first and second process gas supply nozzles 35 and 36 and the exhaust hole 67. It is supposed to be drowned. In the above description, the first and second inert gas jets 65 and 66 are bored toward the center of the wafer 7. However, the first and second inert gas jets 65 and 66 are It is good also as the direction opened outside. For example, as shown in FIG. 4, the inert gas ejected from the first inert gas ejection port 65 is parallel to the processing gas ejected from the first processing gas ejection port 63a. The inert gas ejected from the second inert gas ejection port 66 may be parallel to the processing gas ejected from the first processing gas ejection port 63b.

上記の構成により、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ、前記第２処理ガス噴出口６４、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６から前記処理室５内のウェーハ７の近傍に供給されたガスは、水平方向であってウェーハ７の表面と平行な方向に向かって流れる。即ちガスの主たる流れが水平方向へ向かう流れとなる様前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂ、前記第２処理ガス噴出口６４、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６から前記処理室５内のウェーハ７の近傍でガスが噴出される。   With the above-described configuration, the vicinity of the wafer 7 in the processing chamber 5 from the first processing gas jets 63a and 63b, the second processing gas jets 64, the first and second inert gas jets 65 and 66. The gas supplied to the gas flows in a horizontal direction parallel to the surface of the wafer 7. That is, from the first process gas jets 63a and 63b, the second process gas jet 64, the first and second inert gas jets 65 and 66 so that the main flow of the gas is directed in the horizontal direction. Gas is ejected near the wafer 7 in the processing chamber 5.

前記圧力制御部１６、前記駆動制御部２９、前記温度制御部３２、前記ガス供給・流量制御部６２は、基板処理装置全体を統括制御する主制御部６８に電気的に接続されており、前記圧力制御部１６、前記駆動制御部２９、前記温度制御部３２、前記ガス供給・流量制御部６２、前記主制御部６８により統括制御部であるコントローラ６９が構成される。   The pressure control unit 16, the drive control unit 29, the temperature control unit 32, and the gas supply / flow rate control unit 62 are electrically connected to a main control unit 68 that controls the entire substrate processing apparatus, The pressure controller 16, the drive controller 29, the temperature controller 32, the gas supply / flow rate controller 62, and the main controller 68 constitute a controller 69 that is an overall controller.

次に、上述した前記処理炉１を用いて実施される半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程を説明する。以下では、前記処理室５内でウェーハ７上に膜を成膜する方法について説明する。尚、下記の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は、前記コントローラ６９によって制御される。   Next, one process of the manufacturing process of the semiconductor device (device) performed using the processing furnace 1 described above will be described. Hereinafter, a method for forming a film on the wafer 7 in the processing chamber 5 will be described. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 69.

成膜方法としては、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる少なくとも２種類の互いに反応する処理ガスを１種類ずつ交互にウェーハ７上に供給し、成膜を行う手法を用いる。以下、処理ガスとしてＴＥＭＡＺガス及びＯ3 ガスを用いてウェーハ７上に高誘電率膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）であるＺｒＯ2 膜（ジルコニウム酸化膜）を形成する例について、図５、図６を参照して説明する。尚、図５は基板処理工程を説明するフローチャートであり、図６は基板処理工程に於ける成膜工程のシーケンス図である。 As a film forming method, under certain film forming conditions (temperature, time, etc.), at least two kinds of mutually reactive processing gases used for film forming are alternately supplied onto the wafer 7 one by one to perform film forming. Use the technique. Hereinafter, an example of forming a ZrO 2 film (zirconium oxide film), which is a high dielectric constant film (High-k film), on the wafer 7 using TEMAZ gas and O 3 gas as the processing gas will be described with reference to FIGS. The description will be given with reference. FIG. 5 is a flowchart for explaining the substrate processing step, and FIG. 6 is a sequence diagram of the film forming step in the substrate processing step.

（基板搬入工程）
先ず、複数枚のウェーハ７を前記ボート６に装填（ウェーハチャージ）する。そして、複数枚のウェーハ７を保持した前記ボート６を前記ボートエレベータ１８によって持上げ、前記処理室５内に搬入（ボートロード）する。この状態で、前記シールキャップ１７はＯリング（図示せず）を介して前記マニホールド８の下端をシールした状態となる。尚、基板搬入工程に於いては、例えば前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を開放し、前記インナチューブ３内にパージガスとしてＮ2 ガスを供給し続けることが望ましい。 (Substrate loading process)
First, a plurality of wafers 7 are loaded into the boat 6 (wafer charge). The boat 6 holding a plurality of wafers 7 is lifted by the boat elevator 18 and loaded into the processing chamber 5 (boat loading). In this state, the seal cap 17 seals the lower end of the manifold 8 via an O-ring (not shown). In the substrate loading process, for example, it is desirable to open the third and fourth open / close valves 59 and 61 and continue to supply N 2 gas as a purge gas into the inner tube 3.

（減圧及び昇温工程）
続いて、前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を閉め、前記インナチューブ３内（前記処理室５内）が所望の処理圧力（真空度）となる様に、前記真空ポンプ１５により排気し、圧力調整を行う。この時、前記圧力センサ１３で測定した圧力に基づき、前記ＡＰＣバルブ１４の開度をフィードバック制御する。又、ウェーハ７の表面が所望の処理温度となる様に、前記ヒータユニット２６への通電量を調整し、温度調整を行う。更に、前記回転機構２７により、前記ボート６及びウェーハ７を回転させる。ウェーハ７を回転させることにより、ウェーハ７表面へ供給される処理ガスの流量をより均一化させることができる。 (Decompression and temperature rise process)
Subsequently, the third and fourth on-off valves 59 and 61 are closed, and the vacuum pump 15 is evacuated so that the inner tube 3 (in the processing chamber 5) has a desired processing pressure (degree of vacuum). Adjust the pressure. At this time, the opening degree of the APC valve 14 is feedback controlled based on the pressure measured by the pressure sensor 13. Further, the amount of current supplied to the heater unit 26 is adjusted to adjust the temperature so that the surface of the wafer 7 has a desired processing temperature. Further, the boat 6 and the wafer 7 are rotated by the rotation mechanism 27. By rotating the wafer 7, the flow rate of the processing gas supplied to the surface of the wafer 7 can be made more uniform.

前記処理室５内の減圧及び昇温工程終了後、該処理室５内の圧力が１０〜１０００Ｐａの範囲内の値であって、例えば５０Ｐａとなり、該処理室５内の温度が１８０〜２５０℃の範囲内の値であって、例えば２２０℃となったところで、以下の４つのＳＴＥＰからなる成膜工程が行われる。   After the pressure reduction and temperature raising process in the processing chamber 5 is completed, the pressure in the processing chamber 5 is a value in the range of 10 to 1000 Pa, for example 50 Pa, and the temperature in the processing chamber 5 is 180 to 250 ° C. When the value is within the range of, for example, 220 ° C., a film forming process including the following four STEPs is performed.

（成膜工程）
成膜工程では、ＳＴＥＰ：０１〜ＳＴＥＰ：０４を１サイクルとし、このサイクルを所定回数繰返すことにより、ウェーハ７上に所望の厚さのＨｉｇｈ−ｋ膜（ＺｒＯ2 膜）を形成する。 (Film formation process)
In the film forming process, STEP: 01 to STEP: 04 are defined as one cycle, and a high-k film (ZrO 2 film) having a desired thickness is formed on the wafer 7 by repeating this cycle a predetermined number of times.

ＳＴＥＰ：０１（ＴＥＭＡＺガス供給工程） 先ず、前記第１処理ガス供給源４６にて液体原料としてのＴＥＭＡＺを気化させた後、前記第１開閉バルブ４８を開放して前記第１処理ガス供給ノズル３５を介してＴＥＭＡＺガスを前記処理室５内に供給する。ＴＥＭＡＺガスは、前記第１処理ガス供給管４４に接続されたキャリアガス供給管（図示せず）からのＮ2 ガス（キャリアガス）により、希釈されながら前記処理室５内に供給される様になっている。 STEP: 01 (TEMAZ gas supply process) First, after the TEMAZ as a liquid raw material is vaporized by the first process gas supply source 46, the first open / close valve 48 is opened and the first process gas supply nozzle 35 is opened. The TEMAZ gas is supplied into the processing chamber 5 through. The TEMAZ gas is supplied into the processing chamber 5 while being diluted with N 2 gas (carrier gas) from a carrier gas supply pipe (not shown) connected to the first processing gas supply pipe 44. It has become.

尚、ＴＥＭＡＺガスは、ウェーハ７上に形成される膜厚の面内均一性に大きな影響を及すガスである為、本実施例では、ＴＥＭＡＺガスの供給と並行して、前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を開放し、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８を介して不活性ガスとしてのＮ2 ガスを前記処理室５内に供給している。 Since the TEMAZ gas is a gas that greatly affects the in-plane uniformity of the film thickness formed on the wafer 7, in the present embodiment, in parallel with the supply of the TEMAZ gas, The four open / close valves 59 and 61 are opened, and N 2 gas as an inert gas is supplied into the processing chamber 5 through the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38.

前記第１処理ガス供給ノズル３５から前記処理室５内に供給されたＴＥＭＡＺガスは、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂからウェーハ７の中心と外周の中間部に向って拡散する水平方向のガス流となる。この時、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂから供給されるＴＥＭＡＺガスを挾込む様に、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６からＮ2 ガスを前記処理室５内に供給することで、ＴＥＭＡＺガスの流路が制限される。従って、拡散されたＴＥＭＡＺガスがウェーハ７の外周と前記インナチューブ３との間に流出するのを抑制できると共に、ウェーハ７の中心部に供給されるＴＥＭＡＺガスが前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６からのＮ2 ガスで希釈され、ＴＥＭＡＺガスのウェーハ７の中心部への集中的な供給を抑制でき、各ウェーハ７の中心と外周に対するＴＥＭＡＺガスの供給量を均一化することができる。 The TEMAZ gas supplied into the process chamber 5 from the first process gas supply nozzle 35 is diffused from the first process gas outlets 63a and 63b toward the center of the wafer 7 and the middle part of the outer periphery. Gas flow. At this time, N 2 gas is introduced into the processing chamber 5 from the first and second inert gas outlets 65 and 66 so that the TEMAZ gas supplied from the first processing gas outlets 63a and 63b is introduced. By supplying, the flow path of the TEMAZ gas is limited. Accordingly, the diffused TEMAZ gas can be prevented from flowing out between the outer periphery of the wafer 7 and the inner tube 3, and the TEMAZ gas supplied to the center of the wafer 7 is the first and second inert gases. Diluted with N 2 gas from the jets 65 and 66, can suppress the concentrated supply of TEMAZ gas to the center of the wafer 7, and uniformize the supply amount of TEMAZ gas to the center and outer periphery of each wafer 7. Can do.

又、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂから供給されるＴＥＭＡＺガスの流れと、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６から供給されるＮ2 ガスの流れとが交差しているので、ＴＥＭＡＺガスが早期に希釈され、濃度むらがなくなり、ウェーハ７に供給されるＴＥＭＡＺガスの均一性を増すことができる。 Also, the flow of TEMAZ gas supplied from the first process gas jets 63a and 63b intersects the flow of N 2 gas supplied from the first and second inert gas jets 65 and 66. Therefore, the TEMAZ gas is diluted at an early stage, the concentration unevenness is eliminated, and the uniformity of the TEMAZ gas supplied to the wafer 7 can be increased.

前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂから供給されたＴＥＭＡＺガス、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６から供給されたＮ2 ガスは、前記排気孔６７、前記排気路１２、前記排気口１１を通って前記排気管９より排気される。その過程で、積層された各ウェーハ７の表面にＴＥＭＡＺガスがそれぞれ供給され、各ウェーハ７上にＺｒ含有層が形成される。 The TEMAZ gas supplied from the first process gas outlets 63a and 63b and the N 2 gas supplied from the first and second inert gas outlets 65 and 66 are the exhaust hole 67, the exhaust passage 12, The gas is exhausted from the exhaust pipe 9 through the exhaust port 11. In the process, TEMAZ gas is supplied to the surface of each laminated wafer 7, and a Zr-containing layer is formed on each wafer 7.

ＴＥＭＡＺガス及びＮ2 ガスの供給を所定時間継続した後、前記第１開閉バルブ４８を閉め、前記処理室５内へのＴＥＭＡＺガスの供給を停止する。 After the supply of the TEMAZ gas and the N 2 gas is continued for a predetermined time, the first opening / closing valve 48 is closed, and the supply of the TEMAZ gas into the processing chamber 5 is stopped.

尚、前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６から供給されるＮ2 ガスの流量は、前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂから供給されるＴＥＭＡＺガスの流量以上の流量とするのが好ましい。Ｎ2 ガスの流量をＴＥＭＡＺガスの流量以上の流量とすることで、ＴＥＭＡＺガスの希釈が更に促進され、ウェーハ７上に於けるＴＥＭＡＺガスの供給量を更に均一化させることができる。 The flow rate of N 2 gas supplied from the first and second inert gas jets 65 and 66 is higher than the flow rate of TEMAZ gas supplied from the first process gas jets 63a and 63b. Is preferred. By setting the flow rate of the N 2 gas to be equal to or higher than the flow rate of the TEMAZ gas, the dilution of the TEMAZ gas is further promoted, and the supply amount of the TEMAZ gas on the wafer 7 can be made more uniform.

尚、ＳＴＥＰ：０１の実行中は、前記処理室５内の圧力が１０〜７００Ｐａの範囲内の値であって、例えば１４０Ｐａとなる様調整する。又、前記第１処理ガス供給ノズル３５からのＴＥＭＡＺガスの供給流量が０．０１〜０．３５ｇ／ｍｉｎの範囲内の値であって、例えば０．３ｇ／ｍｉｎとなる様調整し、図示しないキャリアガス供給管からのＮ2 ガス（キャリアガス）の供給流量が５〜２５ｓｌｍの範囲内の値であって、例えば２２ｓｌｍとなる様調整する。又、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８からのＮ2 ガス（不活性ガス）の供給流量が、それぞれ０．５〜９ｓｌｍの範囲内の値であって、例えば４ｓｌｍとなる様に調整する。又、前記処理室５内の温度が１８０〜２５０℃の範囲内の値であって、例えば２２０℃とし、更にＴＥＭＡＺガスをウェーハ７に晒す時間を３０〜１８０秒の範囲内の値であって、例えば１２０秒とする。 During execution of STEP: 01, the pressure in the processing chamber 5 is adjusted to a value in the range of 10 to 700 Pa, for example, 140 Pa. Further, the supply flow rate of the TEMAZ gas from the first process gas supply nozzle 35 is a value within a range of 0.01 to 0.35 g / min, for example, 0.3 g / min, and is not illustrated. Adjustment is made so that the supply flow rate of N 2 gas (carrier gas) from the carrier gas supply pipe is a value in the range of 5 to 25 slm, for example, 22 slm. Further, the supply flow rates of N 2 gas (inert gas) from the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 are values within the range of 0.5 to 9 slm, for example, 4 slm. Adjust as follows. The temperature in the processing chamber 5 is a value in the range of 180 to 250 ° C., for example, 220 ° C., and the time for exposing the TEMAZ gas to the wafer 7 is a value in the range of 30 to 180 seconds. For example, 120 seconds.

ＳＴＥＰ：０２（残留ガス除去工程） 続いて、前記処理室５内に残留したＴＥＭＡＺガスの排気が行われる。この時、前記排気管９の前記ＡＰＣバルブ１４及び前記第１、第２不活性ガス供給管５３，５４の前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を開いたままとすることで、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８から供給されるＮ2 ガスはパージガスとして機能する。該第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８からのＮ2 ガスにより、前記処理室５内の雰囲気をＮ2 ガスで置換した後、前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を閉め、更に前記処理室５内を所定の圧力となる迄排気する。 STEP: 02 (residual gas removal step) Subsequently, the TEMAZ gas remaining in the processing chamber 5 is exhausted. At this time, by keeping the APC valve 14 of the exhaust pipe 9 and the third and fourth open / close valves 59 and 61 of the first and second inert gas supply pipes 53 and 54 open, 1. The N 2 gas supplied from the second inert gas supply nozzles 37 and 38 functions as a purge gas. First, the N 2 gas from the second inert gas supply nozzles 37 and 38, the atmosphere in the processing chamber 5 was replaced with N 2 gas, closing the third, fourth on-off valve 59, 61 Further, the inside of the processing chamber 5 is evacuated until a predetermined pressure is reached.

尚、ＳＴＥＰ：０２の実行中は、該処理室５内の圧力が１０〜１００Ｐａ、例えば７０Ｐａ以下となる様に調整する。尚、このとき、前記処理室５内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、前記処理室５内を完全にパージしなくてもよい。前記処理室５内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ：０３に於いて悪影響が生じることはない。このとき前記処理室５内に供給するＮ2 ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、インナチューブ３（処理室５）の容積と同程度の量を供給することで、ステップ：０３に於いて悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。この様に、前記処理室５内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。又、Ｎ2 ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。又、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８からのＮ2 ガスの供給流量が、それぞれ０．５〜５ｓｌｍの範囲内の値であって、例えば０．５ｓｌｍとなる様に調整する。又、前記処理室５内の温度が、１８０〜２５０℃の範囲内の値であって、例えば２２０℃となる様に調整し、更にＳＴＥＰ：０２の実行時間を３０〜１５０秒の範囲内の値であって、例えば６０秒とする。 During execution of STEP: 02, the pressure in the processing chamber 5 is adjusted to be 10 to 100 Pa, for example, 70 Pa or less. At this time, the gas remaining in the processing chamber 5 may not be completely removed, and the processing chamber 5 may not be completely purged. If the amount of gas remaining in the processing chamber 5 is very small, no adverse effect will occur in the subsequent step 03. At this time, the flow rate of the N 2 gas supplied into the processing chamber 5 does not need to be a large flow rate. For example, by supplying an amount similar to the volume of the inner tube 3 (processing chamber 5), step 03 In this case, purging can be performed to such an extent that no adverse effect occurs. Thus, by not completely purging the inside of the processing chamber 5, the purge time can be shortened and the throughput can be improved. In addition, consumption of N 2 gas can be minimized. Further, the supply flow rate of N 2 gas from the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 is adjusted to be a value within the range of 0.5 to 5 slm, for example, 0.5 slm. To do. Further, the temperature in the processing chamber 5 is a value within the range of 180 to 250 ° C., for example, adjusted to be 220 ° C., and the execution time of STEP: 02 is within the range of 30 to 150 seconds. For example, 60 seconds.

ＳＴＥＰ：０３（Ｏ3 供給工程） 前記第２処理ガス供給源４９にてＯ2 ガスからＯ3 ガスを生成した後、前記第２処理ガス供給管４５の前記第２開閉バルブ５２を開放して前記第２処理ガス供給ノズル３６を介してＯ3 ガスを前記処理室５内に供給する。Ｏ3 ガスは、前記第２処理ガス供給管４５に接続されたキャリアガス供給管（図示せず）からのＮ2 ガス（キャリアガス）により、希釈されながら前記処理室５内に供給される様になっている。 STEP: 03 (O 3 supply step) After the O 3 gas is generated from the O 2 gas by the second process gas supply source 49, the second on-off valve 52 of the second process gas supply pipe 45 is opened. O 3 gas is supplied into the processing chamber 5 through the second processing gas supply nozzle 36. The O 3 gas is supplied into the processing chamber 5 while being diluted by N 2 gas (carrier gas) from a carrier gas supply pipe (not shown) connected to the second processing gas supply pipe 45. It has become.

尚、Ｏ3 ガスは、ウェーハ７上に形成される膜厚の面内均一性への影響が小さいガスである為、本実施例では、前記第２処理ガス噴出口６４はウェーハ７の中心方向に向って穿設された１箇所のみであり、又前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８からのＮ2 ガス（不活性ガス）の供給を行わない様にしている。但し、ＳＴＥＰ：０３にて供給される処理ガスがウェーハ７上に形成される膜厚の面内均一性に影響を及すガスである場合には、処理ガスが２方向に拡散する様前記第２処理ガス噴出口６４を２箇所に穿設すると共に、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８からＮ2 ガスを供給する様にしてもよい。 Since the O 3 gas is a gas that has a small influence on the in-plane uniformity of the film thickness formed on the wafer 7, in the present embodiment, the second processing gas jet port 64 is directed toward the center of the wafer 7. The N 2 gas (inert gas) is not supplied from the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38. However, when the processing gas supplied at STEP 03 is a gas that affects the in-plane uniformity of the film thickness formed on the wafer 7, the processing gas is diffused in two directions. Two process gas jets 64 may be provided at two locations, and N 2 gas may be supplied from the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38.

前記第２処理ガス噴出口６４から供給されたＯ3 ガスは、前記排気孔６７、前記排気路１２、前記排気口１１を通って前記排気管９より排気される。その過程で、ウェーハ７上のＺｒ含有層とＯ3 ガスとが反応し、ウェーハ７上にＨｉｇｈ−ｋ膜（ＺｒＯ2 膜）が生成される。 The O 3 gas supplied from the second processing gas jet port 64 is exhausted from the exhaust pipe 9 through the exhaust hole 67, the exhaust path 12, and the exhaust port 11. In the process, the Zr-containing layer on the wafer 7 reacts with the O 3 gas, and a High-k film (ZrO 2 film) is generated on the wafer 7.

Ｏ3 ガスの供給を所定時間継続した後、前記第２開閉バルブ５２を閉め、前記処理室５内へのＯ3 ガスの供給を停止する。 After the supply of O 3 gas is continued for a predetermined time, the second opening / closing valve 52 is closed, and the supply of O 3 gas into the processing chamber 5 is stopped.

尚、ＳＴＥＰ：０３の実行中は、該処理室５内の圧力が、１０〜３００Ｐａの範囲内の値であって、例えば１００Ｐａとなる様に調整する。又、前記第２処理ガス供給ノズル３６からのＯ3 ガスの供給流量が、６〜２０ｓｌｍの範囲内の値であって、例えば１７ｓｌｍとなる様に調整する。又、前記第２処理ガス供給管４５に接続されたキャリアガス供給管（図示せず）からのＮ2 ガス（キャリアガス）の供給流量が、０〜２ｓｌｍの範囲内の値であって、例えば０．５ｓｌｍとなる様に調整する。又、処理室５内の温度が１８０〜２５０℃の範囲内の値となる様に調整し、更にＯ3 ガスにウェーハ７を晒す時間を１０〜３００秒の範囲内の値であって、例えば１２０秒とする。 During execution of STEP: 03, the pressure in the processing chamber 5 is adjusted to a value in the range of 10 to 300 Pa, for example, 100 Pa. Further, the O 3 gas supply flow rate from the second process gas supply nozzle 36 is adjusted to a value in the range of 6 to 20 slm, for example, 17 slm. The supply flow rate of N 2 gas (carrier gas) from a carrier gas supply pipe (not shown) connected to the second processing gas supply pipe 45 is a value within a range of 0 to 2 slm, for example, Adjust to 0.5 slm. Further, the temperature in the processing chamber 5 is adjusted to be a value in the range of 180 to 250 ° C., and the time for exposing the wafer 7 to the O 3 gas is a value in the range of 10 to 300 seconds. 120 seconds.

ＳＴＥＰ：０４（残留ガス除去工程） 続いて、前記処理室５内に残留したＯ3 ガス及び反応生成物の排気が行われる。この時、前記排気管９の前記ＡＰＣバルブ１４を開いたままとし、更に前記第１、第２不活性ガス供給管５３，５４の前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を開放することで、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８から供給されるＮ2 ガスがパージガスとして機能する。該第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８からのＮ2 ガスにより、前記処理室５内の雰囲気をＮ2 ガスで置換した後、前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を閉め、更に前記処理室５内を所定の圧力となる迄排気する。 STEP: 04 (residual gas removal step) Subsequently, the O 3 gas and reaction products remaining in the processing chamber 5 are exhausted. At this time, the APC valve 14 of the exhaust pipe 9 is kept open, and the third and fourth open / close valves 59 and 61 of the first and second inert gas supply pipes 53 and 54 are opened. The N 2 gas supplied from the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 functions as a purge gas. First, the N 2 gas from the second inert gas supply nozzles 37 and 38, the atmosphere in the processing chamber 5 was replaced with N 2 gas, closing the third, fourth on-off valve 59, 61 Further, the inside of the processing chamber 5 is evacuated until a predetermined pressure is reached.

尚、ＳＴＥＰ：０４の実行中は、該処理室５内の圧力が１０〜１００Ｐａの範囲内の値であって、例えば７０Ｐａ以下となる様に調整する。又、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８からのＮ2 ガス（パージガス）の供給流量が、それぞれ５〜２５ｓｌｍの範囲内の値となる様に調整する。尚、このとき、前記処理室５内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、前記処理室５内を完全にパージしなくてもよい。前記処理室５内に残留するガスが微量であれば、その後にステップ：０１を行う場合であっても悪影響が生じることはない。このとき前記処理室５内に供給するＮ2 ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、インナチューブ３（処理室５）の容積と同程度の量を供給することで、ステップ：０１に於いて悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。この様に、前記処理室５内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。又、Ｎ2 ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。又、前記処理室５内の温度が、１８０〜２５０℃の範囲内の値であって、例えば２２０℃となる様に調整し、更にＳＴＥＰ：０４の実行時間を１０〜９０秒の範囲内の値であって、例えば６０秒とする。 During execution of STEP: 04, the pressure in the processing chamber 5 is adjusted to a value in the range of 10 to 100 Pa, for example, 70 Pa or less. Further, the supply flow rate of the N 2 gas (purge gas) from the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 is adjusted to be a value in the range of 5 to 25 slm. At this time, the gas remaining in the processing chamber 5 may not be completely removed, and the processing chamber 5 may not be completely purged. If the amount of gas remaining in the processing chamber 5 is very small, no adverse effect will occur even when the step 01 is subsequently performed. At this time, the flow rate of the N 2 gas supplied into the processing chamber 5 does not need to be a large flow rate. For example, by supplying an amount similar to the volume of the inner tube 3 (processing chamber 5), step: 01 In this case, purging can be performed to such an extent that no adverse effect occurs. Thus, by not completely purging the inside of the processing chamber 5, the purge time can be shortened and the throughput can be improved. In addition, consumption of N 2 gas can be minimized. Further, the temperature in the processing chamber 5 is a value within the range of 180 to 250 ° C., for example, adjusted to be 220 ° C., and the execution time of STEP: 04 is within the range of 10 to 90 seconds. For example, 60 seconds.

上述したＳＴＥＰ：０１〜ＳＴＥＰ：０４を１サイクルとし、該サイクルを所定回数繰返すことにより、ＴＥＭＡＺガス及びＯ3 ガスを互いに混合させることなく前記処理室５内に交互に供給し、ウェーハ７上に所望の膜厚のＨｉｇｈ−ｋ膜（ＺｒＯ2 膜）を形成することができる。尚、各工程の処理条件としては、必ずしも上記に限定されるものでないのは言う迄もない。 The above-described STEP: 01 to STEP: 04 are defined as one cycle, and the TEMAZ gas and the O 3 gas are alternately supplied into the processing chamber 5 without being mixed with each other by repeating the cycle a predetermined number of times. A high-k film (ZrO 2 film) having a desired film thickness can be formed. Needless to say, the processing conditions of each step are not necessarily limited to the above.

図７（Ａ）（Ｂ）は、ウェーハ７上に形成されたＺｒＯ2 膜の膜厚分布を示したグラフである。図７（Ａ）は図２に示される本実施例のＴＥＭＡＺガスを２方向に拡散させる前記第１処理ガス供給ノズル３５を用いると共に、Ｎ2 ガスをウェーハ７の中心方向に向けて供給した場合のＺｒＯ2 膜の膜厚分布を示し、図７（Ｂ）はＴＥＭＡＺガスをウェーハ７の中心に向って１方向に供給する、従来の処理ガス供給ノズルを用いた場合のＺｒＯ2 膜の膜厚分布を示している。尚、図７（Ａ）（Ｂ）中、縦軸は膜厚を示し、横軸はウェーハ７の面内位置を示しており、横軸の０位置はウェーハ７の中心を示している。 7A and 7B are graphs showing the film thickness distribution of the ZrO 2 film formed on the wafer 7. 7A shows a case where the first process gas supply nozzle 35 for diffusing the TEMAZ gas of this embodiment shown in FIG. 2 in two directions is used and N 2 gas is supplied toward the center of the wafer 7. shows the thickness distribution of the ZrO 2 film, FIG. 7 (B) is supplied in one direction toward the TEMAZ gas in the center of the wafer 7, the thickness of the ZrO 2 film when using conventional processing gas supply nozzle Distribution is shown. 7A and 7B, the vertical axis represents the film thickness, the horizontal axis represents the in-plane position of the wafer 7, and the 0 position on the horizontal axis represents the center of the wafer 7.

図７（Ａ）には、上述した成膜工程のＳＴＥＰ：０１に於いて、前記第１、第２不活性ガス供給ノズル３７，３８から供給されるＮ2 ガスの供給流量を、４ｓｌｍ、０．５ｓｌｍ、９ｓｌｍとした場合の３パターンの膜厚分布が示されている。Ｎ2 ガスの供給流量を９ｓｌｍとした場合こそ、従来の膜厚分布よりもウェーハ７上のＺｒＯ2 膜の面内均一性が悪化しているが、他の２例、特にＮ2 ガスの供給流量を４ｓｌｍとした場合には、ウェーハ７上のＺｒＯ2 膜の面内均一性が大幅に向上しているのが分る。 FIG. 7A shows the supply flow rate of N 2 gas supplied from the first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 in STEP: 01 of the film forming process described above, 4 slm, 0. The film thickness distribution of three patterns in the case of .5 slm and 9 slm is shown. Even when the supply flow rate of N 2 gas is 9 slm, the in-plane uniformity of the ZrO 2 film on the wafer 7 is worse than the conventional film thickness distribution, but the other two examples, particularly the supply of N 2 gas When the flow rate is 4 slm, it can be seen that the in-plane uniformity of the ZrO 2 film on the wafer 7 is greatly improved.

更に、流量を９ｓｌｍとした場合は、中心部の膜厚が厚く、周辺部の膜厚が薄くなっており、膜厚分布の傾向が４ｓｌｍ、０．５ｓｌｍの場合に対して逆転している。従って、Ｎ2 ガスの流量を調整することで、膜厚分布の傾向を制御することができる。 Further, when the flow rate is 9 slm, the film thickness in the central part is thick and the film thickness in the peripheral part is thin, and the tendency of the film thickness distribution is reversed with respect to the cases of 4 slm and 0.5 slm. Therefore, the tendency of the film thickness distribution can be controlled by adjusting the flow rate of the N 2 gas.

尚、図４に示される様に２方向に拡散されるＴＥＭＡＺガスと平行にＮ2 ガスを供給した場合も、ウェーハ７の外周方向にＴＥＭＡＺガスが供給されることから、図７（Ａ）の様な膜厚の分布傾向を示すと予測される。 As shown in FIG. 4, even when N 2 gas is supplied in parallel with the TEMAZ gas diffused in two directions, the TEMAZ gas is supplied in the outer peripheral direction of the wafer 7. It is predicted that the distribution tendency of various film thickness is shown.

（昇圧工程、基板搬出工程）
ウェーハ７上に所望の膜厚のＨｉｇｈ−ｋ膜（ＺｒＯ2 膜）を形成した後、前記ＡＰＣバルブ１４の開度を小さくし、前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を開放して前記プロセスチューブ２内の圧力が大気圧に復帰するまでＮ2 ガス（パージガス）を供給する。その後、基板搬入工程とは逆の手順により、成膜済みのウェーハ７を前記処理室５内から搬出し（ボートアンロード）、最後に処理済みのウェーハ７が前記ボート６より取出され（ウェーハディスチャージ）、基板処理工程を終了する。 (Pressurization process, substrate unloading process)
After a high-k film (ZrO 2 film) having a desired film thickness is formed on the wafer 7, the opening degree of the APC valve 14 is reduced, and the third and fourth on-off valves 59 and 61 are opened to N 2 gas (purge gas) is supplied until the pressure in the process tube 2 returns to atmospheric pressure. Thereafter, the film-formed wafer 7 is unloaded from the processing chamber 5 (boat unloading) by the reverse procedure of the substrate loading process, and finally the processed wafer 7 is unloaded from the boat 6 (wafer discharge). ), The substrate processing step is completed.

尚、基板搬出工程に於いては、前記第３、第４開閉バルブ５９，６１を開放したままとし、前記プロセスチューブ２内にパージガスを供給し続けることが望ましい。   In the substrate unloading process, it is desirable to keep the third and fourth open / close valves 59 and 61 open and continue to supply the purge gas into the process tube 2.

上述の様に、第１の実施例では、前記処理室５内にＴＥＭＡＺガスを供給する前記第１処理ガス供給ノズル３５が、同一面内に穿設された一対の前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂを有し、該第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂを介して前記ボート６に積層されたウェーハ７と平行な２方向にＴＥＭＡＺガスを分散させる様になっているので、ＴＥＭＡＺガスがウェーハ７の中心方向に多量に供給され、ウェーハ７の中心部に於いてＺｒＯ2 膜が過剰に厚く形成されるのを抑制でき、ＺｒＯ2 膜の面内均一性を向上させることができる。 As described above, in the first embodiment, the pair of the first processing gas jet nozzles in which the first processing gas supply nozzle 35 for supplying the TEMAZ gas into the processing chamber 5 is formed in the same plane. 63a and 63b, and the TEMAZ gas is dispersed in two directions parallel to the wafers 7 stacked on the boat 6 through the first process gas jets 63a and 63b. a large amount supplied to the center of the wafer 7, at the center of the wafer 7 can be prevented from ZrO 2 film is formed excessively thick, it is possible to improve the in-plane uniformity of the ZrO 2 film.

又、ＴＥＭＡＺガスを挾込む様にＮ2 ガスが前記処理室５内に供給されているので、ＴＥＭＡＺガスの流路が制限され、ＴＥＭＡＺガスがウェーハ７と前記インナチューブ３との間に流出するのを抑制し、成膜効率を高められると共に、ＴＥＭＡＺガスがＮ2 ガスで希釈されることでＴＥＭＡＺガスのウェーハ７の中心部への集中的な供給を抑制でき、ＺｒＯ2 膜の面内均一性を更に向上させることができる。 Further, since the N 2 gas is supplied into the processing chamber 5 so as to insert the TEMAZ gas, the flow path of the TEMAZ gas is limited, and the TEMAZ gas flows out between the wafer 7 and the inner tube 3. The TEMAZ gas is diluted with N 2 gas, so that the concentrated supply of the TEMAZ gas to the center of the wafer 7 can be suppressed, and the ZrO 2 film can be uniformly distributed in the surface. The property can be further improved.

尚、第１の実施例では、前記第１処理ガス供給ノズル３５に２方向にＴＥＭＡＺガスを分散させる前記第１処理ガス噴出口６３ａ，６３ｂを穿設しているが、穿設する第１処理ガス噴出口を３つ以上とし、３方向以上にＴＥＭＡＺガスを分散させてもよい。   In the first embodiment, the first process gas jet nozzles 63a and 63b for dispersing the TEMAZ gas in two directions are provided in the first process gas supply nozzle 35, but the first process to be provided is provided. There may be three or more gas outlets, and the TEMAZ gas may be dispersed in three or more directions.

又、前記第１、第２の不活性ガス供給ノズル３７，３８にウェーハ７の中心方向に不活性ガスを供給する前記第１、第２不活性ガス噴出口６５，６６を穿設しているが、前記第１処理ガス供給ノズル３５と同様、不活性ガス噴出口を複数穿設し、不活性ガスを複数方向に分散できる様にしてもよいのは言う迄もない。   The first and second inert gas supply nozzles 37 and 38 are provided with the first and second inert gas jets 65 and 66 for supplying an inert gas toward the center of the wafer 7. However, like the first process gas supply nozzle 35, it goes without saying that a plurality of inert gas outlets may be provided so that the inert gas can be dispersed in a plurality of directions.

次に、図８に於いて、本発明の第２の実施例について説明する。尚、図８中、図２中と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する   Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8 that are the same as those in FIG. 2 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

第２の実施例では、第１の実施例に於ける第２処理ガス供給ノズル３６と第２不活性ガス供給ノズル３８との間に、例えば処理室５内に第３の処理ガスを供給可能な第３処理ガス供給ノズル７１が設けられている。該第３処理ガス供給ノズル７１には、第３処理ガス噴出口７２が垂直方向に等間隔で複数穿設されており、該第３処理ガス噴出口７２からウェーハ７の中心方向に向って処理ガスが噴出される様になっている。   In the second embodiment, a third processing gas can be supplied, for example, into the processing chamber 5 between the second processing gas supply nozzle 36 and the second inert gas supply nozzle 38 in the first embodiment. A third processing gas supply nozzle 71 is provided. The third process gas supply nozzle 71 has a plurality of third process gas jets 72 formed at equal intervals in the vertical direction, and processes from the third process gas jets 72 toward the center of the wafer 7. Gas is going to be ejected.

第２の実施例では、前記処理室５内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルを３本設けているので、３種以上の処理ガスを必要とする成膜処理も行うことができる。   In the second embodiment, since three processing gas supply nozzles for supplying a processing gas are provided in the processing chamber 5, a film forming process that requires three or more processing gases can be performed.

尚、第２の実施例の処理炉１を用い、２種の処理ガスにより成膜処理を行ってもよく、その場合、第２処理ガス供給ノズル３６を第３の不活性ガス供給ノズルとして使用することができる。   It should be noted that the processing furnace 1 of the second embodiment may be used to perform the film forming process with two processing gases, in which case the second processing gas supply nozzle 36 is used as the third inert gas supply nozzle. can do.

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。 (Appendix)
The present invention includes the following embodiments.

（付記１）複数の基板を収容して処理する処理室と、該処理室内に１種以上の処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットであって、前記処理室内に基板の積層方向に延在された１本以上の処理ガス供給ノズルを有する処理ガス供給ユニットと、前記処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニットであって、前記処理室内に基板の積層方向に延在されると共に基板の周方向に沿って前記処理ガス供給ノズルを両側から挾む様に設けられ、前記処理室内に不活性ガスを供給する１つ以上の不活性ガス噴出口が開口した複数の不活性ガス供給ノズルを有する不活性ガス供給ユニットとを具備し、前記処理ガス供給ノズルには、基板の表面に対して水平な面内で複数の方向に開口し、前記処理室内に処理ガスを供給する複数の処理ガス噴出口が設けられたことを特徴とする基板処理装置。   (Supplementary note 1) A processing chamber for accommodating and processing a plurality of substrates, and a processing gas supply unit for supplying one or more processing gases into the processing chamber, and extending in the stacking direction of the substrates in the processing chamber. A processing gas supply unit having one or more processing gas supply nozzles, and an inert gas supply unit for supplying an inert gas into the processing chamber, and extending in the substrate stacking direction into the processing chamber. A plurality of inert gas supplies that are provided so as to sandwich the processing gas supply nozzle from both sides along the circumferential direction of the substrate and that have one or more inert gas jets that supply the inert gas into the processing chamber. An inert gas supply unit having a nozzle, and the processing gas supply nozzle has a plurality of openings that open in a plurality of directions in a plane parallel to the surface of the substrate and supplies the processing gas into the processing chamber. Processing gas ejection A substrate processing apparatus, wherein a provided.

（付記２）積層された複数の基板を処理室内に搬入する工程と、処理ガス供給ユニットに備えられ、前記処理室内に基板の積層方向に延在された１本以上の処理ガス供給ノズルに開口された複数の処理ガス噴出口であって、基板の表面に対して水平な面内で複数の方向に開口された複数の処理ガス噴出口から前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室から搬出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。   (Supplementary Note 2) A step of carrying a plurality of stacked substrates into the processing chamber, and a processing gas supply unit provided in the processing chamber and opened in one or more processing gas supply nozzles extending in the substrate stacking direction. A plurality of processing gas spouts that are opened in a plurality of directions within a plane parallel to the surface of the substrate to supply the processing gas into the processing chamber to process the substrate. And a step of unloading the processed substrate from the processing chamber.

（付記３）積層された複数の基板を処理室内に搬入する工程と、処理ガス供給ユニットに備えられ、前記処理室内に基板の積層方向に延在された１本以上の処理ガス供給ノズルに開口された複数の処理ガス噴出口であって、基板の表面に対して水平な面内で複数の方向に開口された複数の処理ガス噴出口から前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室から搬出する工程とを有することを特徴とする基板処理方法。   (Supplementary Note 3) A step of carrying a plurality of stacked substrates into the processing chamber, and a processing gas supply unit provided in the processing chamber and opened in one or more processing gas supply nozzles extending in the substrate stacking direction. A plurality of processing gas spouts that are opened in a plurality of directions within a plane parallel to the surface of the substrate to supply the processing gas into the processing chamber to process the substrate. And a step of carrying out the processed substrate from the processing chamber.

（付記４）水平姿勢で多段に積層された基板を収納して処理する処理室と、該処理室内に１種以上の処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットと、前記処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニットと、前記処理室内を排気する排気ユニットとを具備し、前記処理ガス供給ユニットは基板の積層方向に延在し、前記処理室内で異なる２方向に処理ガスを噴出する１本以上の処理ガス供給ノズルを有し、前記不活性ガス供給ユニットは基板の積層方向に延在し基板の周方向に沿って前記処理ガス供給ノズルを挾む様設けられた複数の不活性ガス供給ノズルを有することを特徴とする基板処理装置。   (Supplementary Note 4) A processing chamber for storing and processing substrates stacked in multiple stages in a horizontal posture, a processing gas supply unit for supplying one or more processing gases into the processing chamber, and an inert gas in the processing chamber An inert gas supply unit to be supplied; and an exhaust unit for exhausting the processing chamber. The processing gas supply unit extends in a direction in which the substrates are stacked, and jets the processing gas in two different directions in the processing chamber. A plurality of inert gas supply nozzles, wherein the inert gas supply unit extends in the stacking direction of the substrates and includes a plurality of inert gases provided so as to sandwich the process gas supply nozzles along the circumferential direction of the substrates. A substrate processing apparatus having a gas supply nozzle.

（付記５）不活性ガスの供給流量を調整する流量制御部を更に具備し、該流量制御部により不活性ガスの供給流量を調整することで、基板上に生成される膜の膜厚を制御する付記１又は付記４の基板処理装置。   (Additional remark 5) The flow rate control part which adjusts the supply flow rate of an inert gas is further provided, and the film thickness of the film | membrane produced | generated on a board | substrate is controlled by adjusting the supply flow rate of an inert gas by this flow rate control part. The substrate processing apparatus of appendix 1 or appendix 4.

１ 処理炉
２ プロセスチューブ
３ インナチューブ
４ アウタチューブ
５ 処理室
６ ボート
７ ウェーハ
３３ 予備室
３５ 第１処理ガス供給ノズル
３６ 第２処理ガス供給ノズル
３７ 第１不活性ガス供給ノズル
３８ 第２不活性ガス供給ノズル
６３ 第１処理ガス噴出口
６４ 第２処理ガス噴出口
６５ 第１不活性ガス噴出口
６６ 第２不活性ガス噴出口
７１ 第３処理ガス供給ノズル
７２ 第３処理ガス噴出口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing furnace 2 Process tube 3 Inner tube 4 Outer tube 5 Processing chamber 6 Boat 7 Wafer 33 Preparatory chamber 35 1st processing gas supply nozzle 36 2nd processing gas supply nozzle 37 1st inert gas supply nozzle 38 2nd inert gas Supply nozzle 63 First process gas outlet 64 Second process gas outlet 65 First inert gas outlet 66 Second inert gas outlet 71 Third process gas supply nozzle 72 Third process gas outlet

Claims (3)

複数の基板を収容して処理する処理室と、基板の積層方向に延在され、基板の表面に対して水平な面内で複数の方向に開口され、前記処理室内に処理ガスを供給する複数の処理ガス噴出口が設けられた１つ以上の処理ガス供給部と、前記複数の処理ガス噴出口を基板の周方向に沿って両側から挾む様に設けられ、不活性ガスを供給する１つ以上の不活性ガス噴出口が開口された複数の不活性ガス供給部とを有することを特徴とする基板処理装置。   A processing chamber that accommodates and processes a plurality of substrates, and a plurality of chambers that extend in the stacking direction of the substrates, open in a plurality of directions in a plane parallel to the surface of the substrate, and supply a processing gas into the processing chamber 1 or more process gas supply parts provided with the process gas jet nozzles, and a plurality of the process gas jet nozzles provided so as to be sandwiched from both sides along the circumferential direction of the substrate. A substrate processing apparatus, comprising: a plurality of inert gas supply units each having one or more inert gas jet openings. 処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室内に不活性ガス及び１種以上の処理ガスを供給して基板を処理する基板処理工程と、処理後の基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板処理工程では、処理ガスを基板の表面に対して水平な複数の方向に供給すると共に、処理ガスの流れを両側から挾む様に不活性ガスを供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。   A substrate carrying-in step for carrying a substrate into the processing chamber, a substrate processing step for processing the substrate by supplying an inert gas and one or more processing gases into the processing chamber, and a substrate after processing are carried out from the processing chamber. A method of manufacturing a semiconductor device having a substrate unloading process, wherein the process gas is supplied in a plurality of directions parallel to the surface of the substrate and the process gas flows from both sides. An inert gas is supplied to the semiconductor device. 処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室内に不活性ガス及び１種以上の処理ガスを供給して基板を処理する基板処理工程と、処理後の基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程とを有する基板処理方法であって、前記基板処理工程では、処理ガスを基板の表面に対して水平な複数の方向に供給すると共に、処理ガスの流れを両側から挾む様に不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理方法。   A substrate carrying-in step for carrying a substrate into the processing chamber, a substrate processing step for processing the substrate by supplying an inert gas and one or more processing gases into the processing chamber, and a substrate after processing are carried out from the processing chamber. A substrate processing method including a substrate unloading step, wherein the processing gas is supplied in a plurality of directions parallel to the surface of the substrate and the flow of the processing gas is not allowed to flow from both sides. A substrate processing method comprising supplying an active gas.
JP2012210608A 2012-09-25 2012-09-25 Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and substrate processing method Pending JP2014067783A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012210608A JP2014067783A (en) 2012-09-25 2012-09-25 Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012210608A JP2014067783A (en) 2012-09-25 2012-09-25 Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and substrate processing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014067783A true JP2014067783A (en) 2014-04-17

Family

ID=50743910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012210608A Pending JP2014067783A (en) 2012-09-25 2012-09-25 Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014067783A (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016178136A (en) * 2015-03-19 2016-10-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus
JP2018046129A (en) * 2016-09-14 2018-03-22 株式会社日立国際電気 Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and program
JP2018049853A (en) * 2015-08-04 2018-03-29 株式会社日立国際電気 Substrate processing device, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP2018195727A (en) * 2017-05-18 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 Deposition method and deposition device
JP2018207095A (en) * 2017-06-08 2018-12-27 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド Substrate processing apparatus
JP2019091819A (en) * 2017-11-15 2019-06-13 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program
WO2019207646A1 (en) * 2018-04-24 2019-10-31 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and program
JP2019195106A (en) * 2019-08-02 2019-11-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and program
JP2019203191A (en) * 2018-04-30 2019-11-28 アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ Substrate processing equipment and method
US10615061B2 (en) 2015-08-04 2020-04-07 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus
JP2020188280A (en) * 2017-02-23 2020-11-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program and reaction tube
KR20210093337A (en) 2019-02-27 2021-07-27 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and recording medium
JPWO2021187029A1 (en) * 2020-03-17 2021-09-23

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016178136A (en) * 2015-03-19 2016-10-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus
JP2018049853A (en) * 2015-08-04 2018-03-29 株式会社日立国際電気 Substrate processing device, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
US11495477B2 (en) 2015-08-04 2022-11-08 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus
US11222796B2 (en) 2015-08-04 2022-01-11 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus
US10615061B2 (en) 2015-08-04 2020-04-07 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus
JP2018046129A (en) * 2016-09-14 2018-03-22 株式会社日立国際電気 Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and program
JP6998106B2 (en) 2017-02-23 2022-01-18 株式会社Kokusai Electric Substrate processing equipment, semiconductor device manufacturing methods, programs and reaction tubes
JP2020188280A (en) * 2017-02-23 2020-11-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program and reaction tube
JP2018195727A (en) * 2017-05-18 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 Deposition method and deposition device
US11111580B2 (en) 2017-06-08 2021-09-07 Eugene Technology Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
JP2018207095A (en) * 2017-06-08 2018-12-27 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド Substrate processing apparatus
TWI693300B (en) * 2017-06-08 2020-05-11 南韓商尤金科技有限公司 Apparatus for processing substrate
JP2019091819A (en) * 2017-11-15 2019-06-13 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program
JPWO2019207646A1 (en) * 2018-04-24 2021-01-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs
WO2019207646A1 (en) * 2018-04-24 2019-10-31 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and program
JP2019203191A (en) * 2018-04-30 2019-11-28 アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ Substrate processing equipment and method
KR20210093337A (en) 2019-02-27 2021-07-27 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and recording medium
JP2019195106A (en) * 2019-08-02 2019-11-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and program
JPWO2021187029A1 (en) * 2020-03-17 2021-09-23
WO2021187029A1 (en) * 2020-03-17 2021-09-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method, and program
CN114901864A (en) * 2020-03-17 2022-08-12 株式会社国际电气 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and program
JP7329133B2 (en) 2020-03-17 2023-08-17 株式会社Kokusai Electric SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND PROGRAM

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014067783A (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and substrate processing method
JP4560575B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US10131984B2 (en) Substrate processing apparatus
US9206931B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US10961625B2 (en) Substrate processing apparatus, reaction tube and method of manufacturing semiconductor device
KR20180075390A (en) Film forming apparatus, film forming method and heat insulating member
KR101850186B1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and method of processing substrate
US9970110B2 (en) Plasma processing apparatus
US9209015B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2008258595A (en) Substrate processing apparatus
US9508546B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
TWI737868B (en) Film formation device and film formation method
JP2011018707A (en) Method of manufacturing semiconductor device, and substrate processing apparatus
JP2011171566A (en) Ald film forming device, and method of manufacturing semiconductor device
US20160064190A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2010118462A (en) Substrate processing apparatus
JP2018064058A (en) Film deposition device, method for cleaning the same, and storage medium
JP2011238832A (en) Substrate processing apparatus
JP2011029441A (en) Device and method for treating substrate
JP2017034013A (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and program
JP2022142267A (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2011222677A (en) Substrate processing apparatus
JP2009004642A (en) Device for treating substrate
CN115132560A (en) Reaction tube, processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
JP2012136743A (en) Substrate treatment device