JP2014065765A - 異方性導電接着剤 - Google Patents
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Abstract
【課題】高い放熱性が得られる異方性導電接着剤を提供する。
【解決手段】導電性粒子31と、導電性粒子31よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子32とをバインダーに分散させる。この異方性導電接着剤を用いて熱圧着したLED実装体は、LED素子の端子(電極12a、14a)と、基板の端子(電極22a、23a)とが導電性粒子31を介して電気的に接続され、LED素子の端子と基板の端子との間にダイヤモンド粒子32が捕捉される。
【選択図】図1
【解決手段】導電性粒子31と、導電性粒子31よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子32とをバインダーに分散させる。この異方性導電接着剤を用いて熱圧着したLED実装体は、LED素子の端子(電極12a、14a)と、基板の端子(電極22a、23a)とが導電性粒子31を介して電気的に接続され、LED素子の端子と基板の端子との間にダイヤモンド粒子32が捕捉される。
【選択図】図1
Description
本発明は、導電性粒子が分散された異方性導電接着剤に関し、特に、ドライバーIC(Integrated Circuit)、LED(Light Emitting Diode)等のチップ(素子)が発する熱を放熱することが可能な異方性導電接着剤に関する。
従来、LED素子を基板に実装する工法として、ワイヤーボンド工法が用いられている。ワイヤーボンド工法は、図3に示すように、LED素子の電極(第1導電型電極104a及び第2導電型電極102a)面を上に向け(フェイスアップ)、そのLED素子と基板の電気的接合をワイヤーボンド(WB)301a、301bで行い、LED素子と基板との接着には、ダイボンド材302を用いる。
しかし、このようなワイヤーボンドで電気的接続を得る方法では、電極(第1導電型電極104a及び第2導電型電極102a)からのワイヤーボンドの物理的破断・剥離のリスクがあるため、より信頼性の高い技術が求められている。さらに、ダイボンド材302の硬化プロセスは、オーブン硬化で行われるため、生産に時間が掛かる。
ワイヤーボンドを用いない工法として、図4に示すように、LED素子の電極(第1導電型電極104a及び第2導電型電極102a)面を基板側に向け(フェイスダウン、フリップチップ)、そのLED素子と基板との電気的接続に、銀ペーストに代表される導電性ベースト303a、303bを用いる方法がある。
しかし、導電性ペースト303a、303bは、接着力が弱いため、封止樹脂304による補強が必要である。さらに、封止樹脂304の硬化プロセスは、オーブン硬化で行われるため、生産に時間が掛かる。
導電性ペーストを用いない工法として、図5に示すように、LED素子の電極面を基板側に向け(フェイスダウン、フリップチップ)、そのLED素子と基板との電気的接続及び接着に、絶縁性の接着剤バインダー305中に導電性粒子306を分散させた異方性導電接着剤を用いる方法がある。異方性導電接着剤は、接着プロセスが短いため、生産効率が良い。また、異方性導電接着剤は、安価であり、透明性、接着性、耐熱性、機械的強度、電気絶縁性等に優れている。
また、近年、フリップチップ実装するためのLED素子が開発されている。このFC実装用LED素子は、パッシベーション105により、電極面積を大きく取る設計が可能であるため、バンプレス実装が可能となる。また、発光層の下に反射膜を設けることによって光取り出し効率が良くなる。
FC実装用LED素子を基板に実装する工法としては、図6に示すように、金スズ共晶接合が用いられている。金スズ共晶接合は、チップ電極を金とスズの合金307で形成し、フラックスを基板に塗布し、チップを搭載、加熱することで基板電極と、共晶接合させる工法である。しかし、このようなはんだ接続工法は、加熱中のチップズレや洗浄しきれなかったフラックスによる信頼性への悪影響があるため歩留まりが悪い。また、高度な実装技術が必要である。
金スズ共晶を用いない工法として、図7に示すように、LED素子の電極面と基板との電気的接続に、はんだペーストを用いるはんだ接続工法がある。しかし、このようなはんだ接続工法は、ペーストが等方性の導電性を有するため、pn電極間がショートしてしまい歩留まりが悪い。
はんだペーストを用いない工法として、図8に示すように、LED素子と基板との電気的接続及び接着に、図5と同様、絶縁性のバインダー中に導電性粒子を分散させたACFなどの異方性導電接着剤を用いる方法がある。異方性導電接着剤は、pn電極間に絶縁性のバインダーが充填される。よって、ショートが発生しにくいため歩留まりが良い。また、接着プロセスが短いため、生産効率が良い。
ところで、LED素子の活性層(ジャンクション)103は、光の他に多くの熱を発生し、発光層温度(Tj=ジャンクション温度)が100℃以上になると、LEDの発光効率が低下し、LEDの寿命が短くなる。このため、活性層103の熱を効率良く逃がすための構造が必要である。
図3に示すようなWB実装では、活性層103がLED素子の上側に位置するため、発生した熱が基板側に効率良く伝わらないため放熱性が悪い。
また、図4、6、7に示すようなフリップチップ実装を行うと、活性層103が基板側に位置するため、熱が基板側に効率良く伝わる。図4、7に示すように、電極間を導電性ペースト303a、303bで接合した場合、高効率で放熱することができるが、導電性ペースト303a、303bによる接続は、上記で述べたように接続信頼性が悪い。また、図6に示すように、金スズ共晶接合を行った場合も、上記で述べたのと同様に接続信頼性が悪い。
また、図5、8に示すように、導電性ペースト303a、303bを用いずにACF(Anisotropic conductive film)やACP(Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電接着剤でフリップチップ実装することで、活性層103が基板側近く配置され、熱が基板側に効率良く伝わる。また、接着力が高いため、高い接続信頼性が得られる。
しかしながら、従来の異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は、0.2W/(m・K)程度であるため、LED素子から発生する熱を基板側に十分に逃がすことができない。また、異方性導電接着剤を用いたフリップチップ実装では、電気接続部分の導電性粒子のみが放熱路となるため、放熱性が悪い。
また、異方性導電接着剤のバインダー中に高放熱フィラーを高充填し、熱伝導率を向上させることが考えられるが、バインダーの粘度が増加してしまい、ハンドリング性が悪くなる。また、フィラー量が増加するのに伴い、樹脂成分が減少するため、クラックや接着力の低下が生じてしまう。
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、高い放熱性が得られる異方性導電接着剤を提供する。
本件発明者は、鋭意検討を行った結果、ダイヤモンド粒子を配合することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明に係る異方性導電接着剤は、導電性粒子と、前記導電性粒子よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子とがバインダーに分散されてなることを特徴としている。
また、本発明に係る接続構造体は、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが導電性粒子を介して電気的に接続され、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間にダイヤモンド粒子が捕捉されてなることを特徴としている。
本発明によれば、熱圧着時に導電性粒子が潰れ、対向する端子間にダイヤモンド粒子が捕捉されるため、高い放熱性を得ることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
1.異方性導電接着剤及びその製造方法
2.接続構造体及びその製造方法
3.実施例
1.異方性導電接着剤及びその製造方法
2.接続構造体及びその製造方法
3.実施例
<1.異方性導電接着剤及びその製造方法>
本実施の形態における異方性導電接着剤は、導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子とがバインダーに分散されたものであり、その形状は、ペースト、フィルムなどであり、目的に応じて適宜選択することができる。
本実施の形態における異方性導電接着剤は、導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子とがバインダーに分散されたものであり、その形状は、ペースト、フィルムなどであり、目的に応じて適宜選択することができる。
導電性粒子は、例えば、金粒子、銀粒子、ニッケル粒子等の金属粒子、ベンゾグアナミン樹脂やスチレン樹脂等の樹脂粒子の表面を金、ニッケル、亜鉛等の金属で被覆した金属被覆樹脂粒子を使用することができる。金属被覆樹脂粒子は、圧縮時に潰れやすく、変形し易いため、接続パターンとの接触面積を大きくでき、また、接続パターンの高さのバラツキを吸収することが可能となる。
また、導電性粒子の平均粒径は、1〜10μmであることが好ましく、より好ましくは2〜6μmである。また、導電性粒子の配合量は、接続信頼性及び絶縁信頼性の観点から、バインダー100質量部に対して1〜100質量部であることが好ましい。
ダイヤモンド粒子は、銀、銅、金などの金属粒子に比べて熱伝導率が非常に高く、熱伝導性粒子として機能する。ダイヤモンド粒子の平均粒径(D50)は、導電性粒子の平均粒径の5〜80%であることが好ましい。ダイヤモンド粒子が導電性粒子に対して小さすぎると、圧着時にダイヤモンド粒子が対向する端子間に捕捉されず、優れた放熱性を得ることができない。一方、ダイヤモンド粒子が導電性粒子に対して大きすぎると、ダイヤモンド粒子を高充填することができず、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率を向上させることができない。
また、ダイヤモンド粒子の配合量は、異方性導電接着剤に対して8〜50体積%であることが好ましい。ダイヤモンド粒子の配合量が少なすぎると高い放熱性が得られなくなり、配合量が多すぎると導電性粒子の電気的接続を阻害してしまう。
また、ダイヤモンド粒子は、白又は灰色の無彩色であることが好ましい。これにより、ダイヤモンド粒子が光反射粒子として機能するため、LED素子に用いた場合、高い輝度を得ることができる。
バインダーとしては、従来の異方性導電接着剤や異方性導電フィルムにおいて使用されている接着剤組成物を利用することができる。接着剤組成物としては、脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物等を主成分としたエポキシ硬化系接着剤が好ましく挙げられる。
脂環式エポキシ化合物としては、分子内に2つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく挙げられる。これらは、液状であっても固体状であってもよい。具体的には、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールA、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート等を挙げることができる。中でも、硬化物にLED素子の実装等に適した光透過性を確保でき、速硬化性にも優れている点から、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートを好ましく使用することができる。
複素環状エポキシ化合物としては、トリアジン環を有するエポキシ化合物を挙げることができ、特に好ましくは1,3,5−トリス(2,3−エポキシプロピル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオンを挙げることができる。
水添加エポキシ化合物としては、先述の脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物の水素添加物や、その他公知の水素添加エポキシ樹脂を使用することができる。
脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物は、単独で使用してもよいが、2種以上を併用することができる。また、これらのエポキシ化合物に加えて本発明の効果を損なわない限り、他のエポキシ化合物を併用してもよい。例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、ジアリールビスフェノールA、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、クレゾール、テトラブロモビスフェノールA、トリヒドロキシビフェニル、ベンゾフェノン、ビスレゾルシノール、ビスフェノールヘキサフルオロアセトン、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン、ビキシレノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等の多価フェノールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテル;グリセリン、ネオペンチルグリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の脂肪族多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテル;p−オキシ安息香酸、β−オキシナフトエ酸のようなヒドロキシカルボン酸とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテルエステル;フタル酸、メチルフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラハイドロフタル酸、エンドメチレンテトラハイドロフタル酸、エンドメチレンヘキサハイドロフタル酸、トリメット酸、重合脂肪酸のようなポリカルボン酸から得られるポリグリシジルエステル;アミノフェノール、アミノアルキルフェノールから得られるグリシジルアミノグリシジルエーテル;アミノ安息香酸から得られるグリシジルアミノグリシジルエステル;アニリン、トルイジン、トリブロムアニリン、キシリレンジアミン、ジアミノシクロヘキサン、ビスアミノメチルシクロヘキサン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン等から得られるグリシジルアミン;エポキシ化ポリオレフィン等の公知のエポキシ樹脂類が挙げられる。
硬化剤としては、酸無水物、イミダゾール化合物、ジシアン等を挙げることができる。中でも、硬化物を変色させ難い酸無水物、特に脂環式酸無水物系硬化剤を好ましく使用できる。具体的には、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等を好ましく挙げることができる。
接着剤組成物において、脂環式エポキシ化合物と脂環式酸無水物系硬化剤とを使用する場合、それぞれの使用量は、脂環式酸無水物系硬化剤が少なすぎると未硬化エポキシ化合物が多くなり、多すぎると余剰の硬化剤の影響で被着体材料の腐食が促進される傾向があるので、脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、脂環式酸無水物系硬化剤を、好ましくは80〜120質量部、より好ましくは95〜105質量部の割合で使用する。
このような構成からなる異方性導電接着剤は、圧着時に導電性粒子が潰れ、電気的な接続状態を維持するとともに、ダイヤモンド粒子が対向する端子間に捕捉されるため、高い放熱性及び高い接続信頼性を得ることができる。
また、本実施の形態における異方性導電接着剤は、接着剤組成物と、導電性粒子と、ダイヤモンド粒子とを均一に混合することにより製造することができる。
<2.接続構造体及びその製造方法>
次に、前述した異方性導電接着剤を用いた接続構造体について説明する。本実施の形態における接続構造体は、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが導電性粒子を介して電気的に接続され、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間にダイヤモンド粒子が捕捉されている。
次に、前述した異方性導電接着剤を用いた接続構造体について説明する。本実施の形態における接続構造体は、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが導電性粒子を介して電気的に接続され、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間にダイヤモンド粒子が捕捉されている。
本実施の形態における電子部品としては、熱を発するドライバーIC(Integrated Circuit)、LED(Light Emitting Diode)等のチップ(素子)が好適である。
図1は、LED実装体の構成例を示す断面図である。このLED実装体は、LED素子と基板とを、前述した導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子とが接着剤成分中に分散された異方性導電接着剤を用いて接続したものである。
LED素子は、例えばサファイヤからなる素子基板11上に、例えばn−GaNからなる第1導電型クラッド層12と、例えばInxAlyGa1−x−yN層からなる活性層13と、例えばp−GaNからなる第2導電型クラッド層14とを備え、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。また、第1導電型クラッド層12上の一部に第1導電型電極12aを備え、第2導電型クラッド層14上の一部に第2導電型電極14aを備える。LED素子の第1導電型電極12aと第2導電型電極14aとの間に電圧を印加すると、活性層13にキャリアが集中し、再結合することにより発光が生じる。
基板は、基材21上に第1導電型用回路パターン22と、第2導電型用回路パターン23とを備え、LED素子の第1導電型電極12a及び第2導電型電極14aに対応する位置にそれぞれ電極22a及び電極23aを有する。
異方性導電接着剤は、前述と同様、導電性粒子31と、導電性粒子31よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子32とがバインダー33に分散されている。
図1に示すように、LED実装体は、LED素子の端子(電極12a、14a)と、基板の端子(電極22a、23a)とが導電性粒子31を介して電気的に接続され、LED素子の端子と基板の端子との間にダイヤモンド粒子32が捕捉されている。
これにより、LED素子の活性層13で発生した熱を効率良く基板側に逃がし、発光効率の低下を防ぎ、LED実装体を長寿命化させることができる。また、ダイヤモンド粒子32が、白又は灰色の無彩色であることにより、活性層13からの光を反射し、高い輝度を得ることができる。
また、フリップチップ実装するためのLED素子は、図2に示すように、パッシベーション105により、LED素子の端子(電極12a、14a)が大きく設計されているため、LED素子の端子(電極12a、14a)と基板の端子(回路パターン22、23)との間に導電性粒子31及び熱伝導粒子32がより多く捕捉される。これにより、LED素子の活性層13で発生した熱をさらに効率良く基板側に逃がすことができる。
次に、上述した接続構造体の製造方法について説明する。本実施の形態における実装体の製造方法は、前述した導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子とが接着剤成分中に分散された異方性導電接着剤を、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間に挟み、第1の電子部品と第2の電子部品とを熱圧着する。
これにより、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが導電性粒子を介して電気的に接続され、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間にダイヤモンド粒子が捕捉されてなる接続構造体を得ることができる。
本実施の形態における接続構造体の製造方法は、熱圧着時に導電性粒子が潰れ、対向する端子間にダイヤモンド粒子が捕捉されるため、高い放熱性及び高い接続信頼性を得ることができる。
<3.実施例>
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
<3.1 ダイヤモンド粒子の含有量について>
本実験では、異方性導電接着剤(ACP)を作製し、LED実装体を作製し、ダイヤモンド粒子の含有量について検討した。異方性導電接着剤の作製、LED実装体の作製、LED実装体の放熱性の評価、電気特性の評価、及び導電性粒子の潰れ具合を評価は、次のように行った。
本実験では、異方性導電接着剤(ACP)を作製し、LED実装体を作製し、ダイヤモンド粒子の含有量について検討した。異方性導電接着剤の作製、LED実装体の作製、LED実装体の放熱性の評価、電気特性の評価、及び導電性粒子の潰れ具合を評価は、次のように行った。
[異方性導電接着剤の作製]
エポキシ硬化系接着剤(エポキシ樹脂(商品名:CEL2021P、(株)ダイセル化学製)及び酸無水物(MeHHPA、商品名:MH700、新日本理化(株)製)を主成分としたバインダー)中に、樹脂粒子の表面にAuが被覆された平均粒径5μmの導電性粒子(品名:AUL705、積水化学工業社製)を10質量%配合した。この樹脂組成物にダイヤモンド粒子を配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。
エポキシ硬化系接着剤(エポキシ樹脂(商品名:CEL2021P、(株)ダイセル化学製)及び酸無水物(MeHHPA、商品名:MH700、新日本理化(株)製)を主成分としたバインダー)中に、樹脂粒子の表面にAuが被覆された平均粒径5μmの導電性粒子(品名:AUL705、積水化学工業社製)を10質量%配合した。この樹脂組成物にダイヤモンド粒子を配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。
[LED実装体の作製]
異方性導電接着剤を用いてLEDチップ(青色LED、Vf=3.2V(If=20mA))をAu電極基板に搭載した。異方性導電接着剤をAu電極基板に塗布した後、LEDチップをアライメントして搭載し、200℃−20秒−1kg/chipの条件で加熱圧着を行った。Au電極基板は、バンプボンダーにてAuバンプを形成した後、フラットニング処理を行ったものを使用した(ガラスエポキシ基板、導体スペース=100μmP、Ni/Auメッキ=5.0/0.3μm、金バンプ=15μmt)。
異方性導電接着剤を用いてLEDチップ(青色LED、Vf=3.2V(If=20mA))をAu電極基板に搭載した。異方性導電接着剤をAu電極基板に塗布した後、LEDチップをアライメントして搭載し、200℃−20秒−1kg/chipの条件で加熱圧着を行った。Au電極基板は、バンプボンダーにてAuバンプを形成した後、フラットニング処理を行ったものを使用した(ガラスエポキシ基板、導体スペース=100μmP、Ni/Auメッキ=5.0/0.3μm、金バンプ=15μmt)。
[放熱性の評価]
過渡熱抵抗測定装置(CATS電子設計社製)を用いて、LED実装体の熱抵抗値(℃/W)を測定した。測定条件はIf=200mA(定電流制御)で行った。
過渡熱抵抗測定装置(CATS電子設計社製)を用いて、LED実装体の熱抵抗値(℃/W)を測定した。測定条件はIf=200mA(定電流制御)で行った。
[電気特性の評価]
初期Vf値として、If=20mA時のVf値を測定した。また、85℃、85%RH環境下でLED実装体をIf=20mAで500時間点灯させ(高温高湿試験)、If=20mA時のVf値を測定した。接続信頼性の評価は、導通の破断(OPEN)を確認した場合を×、ショート(初期Vf値よりも5%以上低下)を確認した場合を△、それ以外を○と評価した。
初期Vf値として、If=20mA時のVf値を測定した。また、85℃、85%RH環境下でLED実装体をIf=20mAで500時間点灯させ(高温高湿試験)、If=20mA時のVf値を測定した。接続信頼性の評価は、導通の破断(OPEN)を確認した場合を×、ショート(初期Vf値よりも5%以上低下)を確認した場合を△、それ以外を○と評価した。
[導電性粒子の潰れ具合の評価]
ボンディング後のLED実装体のLEDチップを剥離し、バンプ上に捕捉されている導電性粒子の状態を金属顕微鏡で観察した。目視により、最適な潰れ具合(導電性粒子が半分ほど潰れている状態)を良、導電性粒子が潰れきっていない状態(導電性粒子の潰れ具合が半分以下の状態)を不足と評価した。
ボンディング後のLED実装体のLEDチップを剥離し、バンプ上に捕捉されている導電性粒子の状態を金属顕微鏡で観察した。目視により、最適な潰れ具合(導電性粒子が半分ほど潰れている状態)を良、導電性粒子が潰れきっていない状態(導電性粒子の潰れ具合が半分以下の状態)を不足と評価した。
[実施例1]
熱伝導フィラーとして、平均粒径(D50)が2.0μmのダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を8体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
熱伝導フィラーとして、平均粒径(D50)が2.0μmのダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を8体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
このLED実装体の熱抵抗の測定結果は、173℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は良であった。
[実施例2]
熱伝導フィラーとして、ダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を12体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
熱伝導フィラーとして、ダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を12体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
このLED実装体の熱抵抗の測定結果は、160℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は良であった。
[実施例3]
熱伝導フィラーとして、ダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を20体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
熱伝導フィラーとして、ダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を20体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
このLED実装体の熱抵抗の測定結果は、138℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は良であった。
[実施例4]
熱伝導フィラーとして、ダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を50体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
熱伝導フィラーとして、ダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を50体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
このLED実装体の熱抵抗の測定結果は、123℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は良であった。
[実施例5]
熱伝導フィラーとして、ダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を60体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
熱伝導フィラーとして、ダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を60体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
このLED実装体の熱抵抗の測定結果は、128℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で×であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は不足であった。
[比較例1]
ダイヤモンド粒子を配合せずに異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
ダイヤモンド粒子を配合せずに異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
このLED実装体の熱抵抗の測定結果は、200℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は良であった。
[比較例2]
熱伝導フィラーとして、平均粒径(D50)が20μmのダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を20体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を得た。
熱伝導フィラーとして、平均粒径(D50)が20μmのダイヤモンド粒子(商品名:IRM、トーメイダイヤ社製)を20体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を得た。
このLED実装体の熱抵抗は、初期の導通信頼性評価において破断を確認したため、測定できなかった。また、導通信頼性の評価は、初期で△、高温高湿試験後で×であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は不足であった。
表1及び表2に、実施例1〜5及び比較例1、2の評価結果を示す。
比較例1のように、ダイヤモンド粒子添加していないACPを用いた場合、LED実装体は、熱抵抗値が200(℃/W)であった。このLED実装サンプルを85℃85%RH環境下での点灯保存試験では試験500hにおいて電気接続信頼性も良好であった。また、導電粒子の潰れ具合は最適であった。
実施例1のように、ダイヤモンド粒子(2μm)をバインダーに対して8体積%添加したACPを用いたLED実装体は、熱抵抗値が173(℃/W)であり、比較例1よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性を向上させることができた。さらに、LED実装サンプルを85℃85%RH環境下で500h点灯させた点灯保存試験でも、接続信頼性が艮好であった。また、導電粒子の潰れ具合も最適であった。
実施例2のように、ダイヤモンド粒子(2μm)をバインダーに対して12体積%添加したACPを用いたLED実装体は、熱抵抗値が160(℃/W)であり、比較例1よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性を向上させることができた。さらに、LED実装体を85℃85%RH環境下で500h点灯させた点灯保存試験でも、接続信頼性が艮好であった。また、導電粒子の潰れ具合も最適であった。
実施例3のように、ダイヤモンド粒子(2μm)をバインダーに対して20体積%添加したACPを用いたLED実装体は、熱抵抗値が138(℃/W)であり、比較例1よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性を向上させることができた。さらに、LED実装体を85℃85%RH環境下で500h点灯させた点灯保存試験でも、接続信頼性が艮好であった。また、導電粒子の潰れ具合も最適であった。
実施例4のように、ダイヤモンド粒子(2μm)をバインダーに対して50体積%添加したACPを用いたLED実装体は、熱抵抗値が123(℃/W)であり、比較例1よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性を向上させることができた。さらに、LED実装体を85℃85%RH環境下で500h点灯させた点灯保存試験でも、接続信頼性が艮好であった。また、導電粒子の潰れ具合も最適であった。
実施例5のように、ダイヤモンド粒子(2μm)をバインダーに対して60体積%添加したACPを用いたLED実装体は、熱抵抗値が128(℃/W)であり、比較例1よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性を向上させることができた。しかしながら、LED実装体を85℃85%RH環境下で500h点灯させた点灯保存試験では、初期Vf値よりも5%以上の低下が見られた。また、導電性粒子の潰れ具合を確認したところ、過剰量のダイヤモンド粒子がバンプ上でスペーサーの役割をしており、導電性粒子の潰れ具合が不十分であった。
比較例2のように、ダイヤモンド粒子(20μm)をバインダーに対して20体積%添加したACPを用いたLED実装体は、初期Vf値の測定で導通の破断を確認した。また、導電性粒子の潰れ具合を確認したところ、粒径の大きいダイヤモンド粒子がバンプ上でスペーサーの役割をし、導電性粒子が満足に潰れていなかった。さらに、大きな粒子がチヅブに食い込み、LED素子のチップ破壌を起こしていた。
以上のように、異方性導電接着剤にダイヤモンド粒子を添加することにより、LEDパッケージの熱抵抗値を下げることができ、LED素子からでた熱を効率よく基板側へ放熱することができた。また、ダイヤモンド粒子を異方性導電接着剤に対して8〜50体積%配合することにより、高い接続信頼性を得ることができた。
<3.2 ダイヤモンド粒子以外の熱伝導性粒子について>
本実験では、ダイヤモンド粒子以外の熱伝導性粒子を用いた異方性導電接着剤(ACP)を作製し、LED実装体を作製した。異方性導電接着剤の作製、LED実装体の作製、電気特性の評価、及び導電性粒子の潰れ具合を評価は、前述の<3.1 ダイヤモンド粒子の配合量について>と同様に行い、ACP硬化物の熱伝導率の測定は、次のように行った。
本実験では、ダイヤモンド粒子以外の熱伝導性粒子を用いた異方性導電接着剤(ACP)を作製し、LED実装体を作製した。異方性導電接着剤の作製、LED実装体の作製、電気特性の評価、及び導電性粒子の潰れ具合を評価は、前述の<3.1 ダイヤモンド粒子の配合量について>と同様に行い、ACP硬化物の熱伝導率の測定は、次のように行った。
<ACP硬化物の熱伝導率測定>
異方性導電接着剤をガラス板で挟み込み、これを150℃、1時間の条件で硬化し、厚み1mmtの硬化物を得た。そして、レーザーフラッシュ法による測定装置(キセノンフラッシュアナライザーLFA447、NETZSCH製)を用いて、硬化物の熱伝導率の測定を行った。
異方性導電接着剤をガラス板で挟み込み、これを150℃、1時間の条件で硬化し、厚み1mmtの硬化物を得た。そして、レーザーフラッシュ法による測定装置(キセノンフラッシュアナライザーLFA447、NETZSCH製)を用いて、硬化物の熱伝導率の測定を行った。
[比較例3]
熱伝導フィラーとして、平均粒径(D50)が0.7μmのアルミナ粒子(外観:透明/白色、屈折率:1.76、電気抵抗率:1×1015Ω・cm、熱伝導率:38W/(m・K)を23体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
熱伝導フィラーとして、平均粒径(D50)が0.7μmのアルミナ粒子(外観:透明/白色、屈折率:1.76、電気抵抗率:1×1015Ω・cm、熱伝導率:38W/(m・K)を23体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
ACP硬化物の熱伝導率は0.54W/(m・K)であり、LED実装体の熱抵抗は181℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は良であった。
[比較例4]
平均粒径(D50)が1.1μmの窒化アルミ粒子(外観:灰色、電気抵抗率:0.1×1015Ω・cm、熱伝導率:200W/(m・K))を20体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
平均粒径(D50)が1.1μmの窒化アルミ粒子(外観:灰色、電気抵抗率:0.1×1015Ω・cm、熱伝導率:200W/(m・K))を20体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
ACP硬化物の熱伝導率は0.58W/(m・K)であり、LED実装体の熱抵抗は170℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は良であった。
[比較例5]
平均粒径(D50)が1.5μmの銀粒子(外観:銀光沢/灰色、電気抵抗率:1.6×10−6Ω・cm、熱伝導率:420W/(m・K))を12体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
平均粒径(D50)が1.5μmの銀粒子(外観:銀光沢/灰色、電気抵抗率:1.6×10−6Ω・cm、熱伝導率:420W/(m・K))を12体積%配合して異方性導電接着剤を作製し、LED実装体を作製した。
ACP硬化物の熱伝導率は0.37W/(m・K)であり、LED実装体の熱抵抗は133℃/Wであった。また、導通信頼性の評価は、初期で○、高温高湿試験後で△であった。また、導電性粒子の潰れ具合の評価は良であった。
表3に、実施例3、比較例3〜5の評価結果を示す。
比較例3のように、アルミナ粒子をバインダーに対して23%添加したACPを用いたLED実装体は、熱抵抗値が181℃/Wであり、同様な熱伝導フィラー配合量である実施例3よりも熱抵抗が高く、高い放熱特性が得られなかった。
比較例4のように、窒化アルミ粒子をバインダーに対して20%添加したACPを用いたLED実装体は、熱抵抗値が170℃/Wであり、同様な熱伝導フィラー配合量である実施例3よりも熱抵抗が高く、高い放熱特性が得られなかった。
比較例5のように、窒化アルミ粒子をバインダーに対して12%添加したACPを用いたLED実装体は、熱抵抗値が133℃/Wであり、同様な熱伝導フィラー配合量である実施例3と同等の高い放熱特性が得られた。しかしながら、LED実装体を85℃85%RH環境下で500h点灯させた点灯保存試験では、初期Vf値よりも5%以上の低下が見られた。
11 素子基板、12 第1導電型クラッド層、13 活性層、14 第2導電型クラッド層、15 パッシベーション、21 基材、22 第1導電型用回路パターン、23 第2導電型用回路パターン、31 導電性粒子、32 ダイヤモンド粒子、33 バインダー、101 素子基板、102 第1導電型クラッド層、103 活性層、104 第2導電型クラッド層、105 パッシベーション、201 基材、202 第1導電型用回路パターン、203 第2導電型用回路パターン、301 ワイヤーボンド、302 ダイボンド材、303 導電性ペースト、304 封止樹脂、305 バインダー、306 導電性粒子、307 金スズ合金
Claims (7)
- 導電性粒子と、前記導電性粒子よりも平均粒径が小さいダイヤモンド粒子とがバインダーに分散されてなる異方性導電接着剤。
- 前記ダイヤモンド粒子の含有量が、8〜50体積%である請求項1記載の異方性導電接着剤。
- 前記ダイヤモンド粒子が、白又は灰色の無彩色である請求項1又は2記載の異方性導電接着剤。
- 熱抵抗値が200℃/W未満である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の異方性導電接着剤。
- 第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが導電性粒子を介して電気的に接続され、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間にダイヤモンド粒子が捕捉されてなる接続構造体。
- 第1の電子部品が、LED素子であり、
第2の電子部品が、基板である請求項5記載の接続構造体。 - 前記ダイヤモンド粒子が、白又は灰色の無彩色である請求項6記載の接続構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012210222A JP2014065765A (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 異方性導電接着剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012210222A JP2014065765A (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 異方性導電接着剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2014065765A true JP2014065765A (ja) | 2014-04-17 |
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Family Applications (1)
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JP2012210222A Pending JP2014065765A (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 異方性導電接着剤 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2014065765A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220137966A (ko) | 2020-03-10 | 2022-10-12 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 마이크로 led 칩을 갖는 리페어용 부품과 그 제조방법, 리페어 방법, 발광 장치 제조방법 및 발광 장치 |
US11923333B2 (en) | 2014-11-17 | 2024-03-05 | Dexerials Corporation | Anisotropic electrically conductive film |
-
2012
- 2012-09-24 JP JP2012210222A patent/JP2014065765A/ja active Pending
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KR20220137966A (ko) | 2020-03-10 | 2022-10-12 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 마이크로 led 칩을 갖는 리페어용 부품과 그 제조방법, 리페어 방법, 발광 장치 제조방법 및 발광 장치 |
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