JP2014053470A - 半導体キャリア寿命測定装置および該方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体キャリア寿命測定装置Daおよびこれに実装された半導体キャリア寿命測定方法では、マイクロ波光導電減衰法が利用されており、測定対象の半導体塊に照射される光は、その波長が1.0μm〜1.1μmとされている。したがって、このような波長の光は、少なくとも100μmまで半導体塊内に浸透することができるから、半導体キャリア寿命測定装置Daおよび方法は、半導体塊におけるキャリア寿命に関する情報の測定を可能とする。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態における半導体キャリア寿命測定装置の構成を示す図である。本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置Daは、例えば、図1に示すように、光照射部1と、測定波入出力部2と、検出部3aと、演算制御入出力部4aとを備えている。
図6は、第2実施形態における半導体キャリア寿命測定装置の構成を示す図である。図7は、抵抗率と浸透長との関係を示す図である。図7の横軸は、対数表示の抵抗率(Ωcm)であり、その縦軸は、対数表示のマイクロ波の浸透長(μm)である。図7は、両対数で表示されている。
SM 被測定試料
1 照射部
2 測定波入出力部
3 検出部
4 演算制御入出力部
11 光源部
41 演算制御部
412 強度時間変化測定部
413 寿命情報演算部
414 抵抗率測定部
Claims (7)
- 波長1.0μm〜1.1μmの励起光を測定対象の半導体塊に照射する光照射部と、
前記測定対象の半導体塊に所定の測定波を照射する測定波照射部と、
前記測定対象の半導体塊で反射された前記測定波の反射波における強度を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて、前記光照射部によって前記励起光を前記測定対象の半導体塊に照射してこの照射終了時点から、前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定部と、
前記強度時間変化測定部の測定結果に基づいて、前記測定対象の半導体塊におけるキャリア寿命に関する情報を求める演算部とを備えること
を特徴とする半導体キャリア寿命測定装置。 - 前記測定対象の半導体塊における抵抗率を測定する抵抗率測定部をさらに備え、
前記演算部は、前記強度時間変化測定部の測定結果および前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて、前記測定対象の半導体塊におけるキャリア寿命に関する情報を求めること
を特徴とする請求項1に記載の半導体キャリア寿命測定装置。 - 前記演算部は、前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め、前記強度時間変化測定部の測定結果に基づいて求められた前記測定対象の半導体塊におけるキャリア寿命に関する情報を、この求めた前記測定波の浸透長に基づいて補正すること
を特徴とする請求項2に記載の半導体キャリア寿命測定装置。 - 前記抵抗率測定部は、前記測定波の反射波における反射率および位相のうちの少なくとも一方に基づいて、前記測定対象の半導体塊における抵抗率を測定すること
を特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体キャリア寿命測定装置。 - 前記キャリア寿命に関する情報は、前記キャリア寿命の長短の程度を表す評価指標であること
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体キャリア寿命測定装置。 - 前記キャリア寿命に関する情報は、キャリア寿命そのものであること
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体キャリア寿命測定装置。 - 波長1.0μm〜1.1μmの励起光を測定対象の半導体塊に照射する光照射工程と、
前記測定対象の半導体塊に所定の測定波を照射する測定波照射工程と、
前記測定対象の半導体塊で反射された前記測定波の反射波における強度を検出する検出工程と、
前記光照射部によって前記励起光を前記測定対象の半導体塊に照射してこの照射終了時点から、前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定工程と、
前記強度時間変化測定工程の測定結果に基づいて、前記測定対象の半導体塊におけるキャリア寿命に関する情報を求める演算工程とを備えること
を特徴とする半導体キャリア寿命測定方法。
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