JP2014048619A

JP2014048619A - Manufacturing method of flexible device

Info

Publication number: JP2014048619A
Application number: JP2012193939A
Authority: JP
Inventors: Yuji Tanaka; 裕司田中
Original assignee: Panasonic Corp
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2012-09-04
Filing date: 2012-09-04
Publication date: 2014-03-17

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To selectively peel off a flexible substrate only in an area used as a flexible device from a support substrate.SOLUTION: A manufacturing method of a flexible device includes: a preparation step to prepare a structure in which a support substrate 18 has a flexible substrate 10 disposed thereabove, and in an electronic element forming area (A) thereabove, an electronic element 13 is formed; a peeling-off step to irradiate the structure with a beam of peeling light 20; a cutting-off step to cut off the flexible substrate 10 peeled-off from the support substrate 18 from an area (B) excluding the electronic element forming area (A). Around the area corresponding to the electronic element forming area (A) between the support substrate 18 and the flexible substrate 10, a peeling prevention layer 19 is interposed to control the transmission amount of the peeling light 20 into the flexible substrate 10. In the peeling-off step, the area corresponding to the area where the peeling prevention layer 19 is not formed in the flexible substrate 10 is peeled off from the support substrate 18.

Description

本発明は、フレキシブルデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a flexible device.

最近では、耐衝撃性や柔軟性にも優れるディスプレイの需要が高まりつつある。そこで、ディスプレイを構成している現行のガラス基板に代えて、可撓性を有するフレキシブル基板を用いることが検討されている。
しかしながら、フレキシブル基板上に電子素子を形成する際には、基材であるフレキシブル基板には平坦性が要求されるところ、フレキシブル基板はその撓みや反りによって平坦性を確保することが難しい。そのため、ガラス基板に対し電子素子を形成する際に用いている現行の製造装置をそのまま利用することができない。そこで、フレキシブル基板上に電子素子を形成する場合には、硬質の支持基板上にフレキシブル基板の材料となるフレキシブル基板を固定することにより、フレキシブル基板の平坦性を確保するという方法が採られている（例えば、特許文献１〜３）。 Recently, the demand for displays having excellent impact resistance and flexibility is increasing. Therefore, it has been studied to use a flexible flexible substrate instead of the current glass substrate constituting the display.
However, when an electronic element is formed on a flexible substrate, flatness is required for the flexible substrate, which is a base material. However, it is difficult to ensure flatness due to bending and warping of the flexible substrate. Therefore, the current manufacturing apparatus used when forming the electronic element on the glass substrate cannot be used as it is. Therefore, when an electronic element is formed on a flexible substrate, a method of securing the flatness of the flexible substrate by fixing the flexible substrate as a material of the flexible substrate on a rigid support substrate is adopted. (For example, Patent Documents 1 to 3).

特許文献１では、フレキシブル基板との高い密着性を有する接着物質膜を支持基板上全体に亘って形成した上で、接着物質膜が形成された支持基板上にフレキシブル基板を形成する技術が開示されている。そして、フレキシブル基板に対して電子素子の形成を終えたら、支持基板におけるフレキシブル基板が形成された面とは反対側の面全体にレーザー光を照射する。これにより、フレキシブル基板と接着物質膜との密着性がレーザー光照射前よりも低下し、支持基板からフレキシブル基板が全面に亘って剥離される。 Patent Document 1 discloses a technique for forming a flexible substrate on a support substrate on which an adhesive substance film is formed after forming an adhesive substance film having high adhesion to the flexible substrate over the entire support substrate. ing. Then, after the formation of the electronic elements on the flexible substrate is completed, the entire surface of the support substrate opposite to the surface on which the flexible substrate is formed is irradiated with laser light. Thereby, the adhesiveness of a flexible substrate and an adhesive substance film falls rather than before laser beam irradiation, and a flexible substrate peels over the whole surface from a support substrate.

特開２０１１−４８３７４号公報JP 2011-48374 A 特開２０１１−２４８０７２号公報JP 2011-248072 A 特表２００６−５２２４７５号公報JP-T-2006-522475

しかしながら、特許文献１に係る製造方法では、支持基板の全面に亘ってレーザー光等の剥離用光を照射している。そのため、フレキシブルデバイスとして使用されない領域のフレキシブル基板までも、支持基板から剥離されてしまう。そうすると、剥離後のフレキシブルデバイスを不必要に大きい状態で搬送等することとなるため、取り扱いが煩雑になるという問題が生じる。 However, in the manufacturing method according to Patent Document 1, peeling light such as laser light is irradiated over the entire surface of the support substrate. Therefore, even a flexible substrate in a region not used as a flexible device is peeled off from the support substrate. If it does so, since the flexible device after peeling will be conveyed in an unnecessarily large state, the problem that handling will become complicated will arise.

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、剥離用光を支持基板の全面に照射した場合であっても、フレキシブルデバイスとして使用される領域のフレキシブル基板のみを選択的に支持基板から剥離することが可能なフレキシブルデバイスの製造方法の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems. Even when the entire surface of the support substrate is irradiated with the light for peeling, only the flexible substrate in the region used as the flexible device is selectively removed from the support substrate. It aims at providing the manufacturing method of the flexible device which can be peeled.

本発明の一態様であるフレキシブルデバイスの製造方法は、支持基板の上方にフレキシブル基板が配され、当該フレキシブル基板上における電子素子形成領域に電子素子が形成されてなる構造体を準備する準備工程と、前記支持基板の下面側から前記構造体に対し、前記フレキシブル基板を前記支持基板から剥離するための剥離用光を照射する剥離工程と、前記支持基板から剥離された前記フレキシブル基板を、前記電子素子形成領域を除く領域で切断する切断工程と、を含み、前記支持基板と前記フレキシブル基板との間における、前記電子素子形成領域に対応する領域の周囲には、前記フレキシブル基板への前記剥離用光の透過量を抑制する剥離防止層が介挿されており、前記剥離工程では、前記フレキシブル基板における前記剥離防止層が形成されていない領域に対応する領域が前記支持基板から剥離される。 A manufacturing method of a flexible device which is one embodiment of the present invention includes a preparation step of preparing a structure in which a flexible substrate is disposed above a support substrate and an electronic element is formed in an electronic element formation region on the flexible substrate. A peeling step of irradiating the structure with light for peeling the flexible substrate from the support substrate from the lower surface side of the support substrate; and the flexible substrate peeled from the support substrate A step of cutting in a region excluding an element formation region, and a region around the region corresponding to the electronic element formation region between the support substrate and the flexible substrate is used for the separation on the flexible substrate. An anti-peeling layer that suppresses the amount of transmitted light is inserted, and in the peeling step, the peeling prevention in the flexible substrate is performed. There area corresponding to the area not formed is peeled from the supporting substrate.

本発明の一態様によれば、剥離用光を支持基板の全面に照射した場合であっても、剥離防止層が形成されていない領域に対応する領域のフレキシブル基板、すなわち、フレキシブルデバイスとして使用される領域のフレキシブル基板のみを選択的に支持基板から剥離することが可能である。 According to one embodiment of the present invention, even when the entire surface of the support substrate is irradiated with peeling light, the flexible substrate in a region corresponding to a region where the peeling prevention layer is not formed, that is, used as a flexible device. It is possible to selectively peel off only the flexible substrate in the region to be removed from the support substrate.

フレキシブルデバイス１００の構造を示す模式断面図である。2 is a schematic cross-sectional view showing a structure of a flexible device 100. FIG. 実施の態様１に係るフレキシブルデバイス１００の製造方法を示す模式図である。6 is a schematic diagram showing a method for manufacturing flexible device 100 according to Embodiment 1. FIG. 実施の態様１に係るフレキシブルデバイス１００の製造方法を示す模式図である。6 is a schematic diagram showing a method for manufacturing flexible device 100 according to Embodiment 1. FIG. 実験に用いた支持基板とフレキシブル基板とからなる積層体の構造と、剥離実験の結果を示す表である。It is a table | surface which shows the structure of the laminated body which consists of the support substrate and flexible substrate which were used for experiment, and the result of peeling experiment. 実験に用いた無アルカリガラスの各波長における透過率を示す図である。It is a figure which shows the transmittance | permeability in each wavelength of the alkali free glass used for experiment. 剥離防止層１９の構成の一例としてのモリブデン膜（厚さ７５［ｎｍ］）の透過率および反射率を示す図である。It is a figure which shows the transmittance | permeability and reflectance of a molybdenum film | membrane (thickness 75 [nm]) as an example of a structure of the peeling prevention layer 19. FIG. 実施の態様２に係るフレキシブルデバイス１００の製造方法を示す模式図である。6 is a schematic diagram showing a method for manufacturing flexible device 100 according to Embodiment 2. FIG. 実施の態様２に係るフレキシブルデバイス１００の製造方法を示す模式図である。6 is a schematic diagram showing a method for manufacturing flexible device 100 according to Embodiment 2. FIG. 可撓性の板状部材を貼付してフレキシブルフィルム層とする場合における、支持基板とフレキシブルフィルム層との接合方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the joining method of a support substrate and a flexible film layer in the case of sticking a flexible plate-shaped member and setting it as a flexible film layer. 電子素子形成領域および剥離防止層の平面視形状の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the planar view shape of an electronic element formation area and a peeling prevention layer. 剥離防止層が電子素子形成領域を完全に囲繞しない場合の例を示す図である。It is a figure which shows the example in case a peeling prevention layer does not completely surround an electronic element formation area.

≪本発明の一態様の概要≫
本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法は、支持基板の上方にフレキシブル基板が配され、当該フレキシブル基板上における電子素子形成領域に電子素子が形成されてなる構造体を準備する準備工程と、前記支持基板の下面側から前記構造体に対し、前記フレキシブル基板を前記支持基板から剥離するための剥離用光を照射する剥離工程と、前記支持基板から剥離された前記フレキシブル基板を、前記電子素子形成領域を除く領域で切断する切断工程と、を含み、前記支持基板と前記フレキシブル基板との間における、前記電子素子形成領域に対応する領域の周囲には、前記フレキシブル基板への前記剥離用光の透過量を抑制する剥離防止層が介挿されており、前記剥離工程では、前記フレキシブル基板における前記剥離防止層が形成されていない領域に対応する領域が前記支持基板から剥離される。 << Outline of One Embodiment of the Present Invention >>
The manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention has the preparatory process of preparing the structure by which a flexible substrate is distribute | arranged above a support substrate and an electronic element is formed in the electronic element formation area on the said flexible substrate, A peeling step of irradiating the structure with light for peeling the flexible substrate from the support substrate from the lower surface side of the support substrate; and the flexible substrate peeled from the support substrate A step of cutting in a region excluding an element formation region, and a region around the region corresponding to the electronic element formation region between the support substrate and the flexible substrate is used for the separation on the flexible substrate. An anti-peeling layer that suppresses the amount of transmitted light is inserted, and in the peeling step, the peeling prevention in the flexible substrate is performed. There area corresponding to the area not formed is peeled from the supporting substrate.

本発明の一態様であるフレキシブルデバイスの製造方法では、支持基板とフレキシブル基板との間における、電子素子形成領域に対応する領域の周囲に、剥離防止層が介挿された構造体を準備する。すなわち、当該構造体においては、フレキシブル基板への剥離用光の透過量を抑制する剥離防止層が、電子素子形成領域外に対応する領域に介挿されている。これにより、剥離用光のエネルギーが電子素子形成領域外のフレキシブル基板に吸収されにくくなる結果、電子素子形成領域外のフレキシブル基板は支持基板から剥離されにくくなる。 In the method for manufacturing a flexible device according to one embodiment of the present invention, a structure in which a peeling prevention layer is interposed around a region corresponding to an electronic element formation region between a support substrate and a flexible substrate is prepared. That is, in the structure, a peeling prevention layer that suppresses the transmission amount of the peeling light to the flexible substrate is inserted in a region corresponding to the outside of the electronic element formation region. As a result, the energy of the peeling light is less likely to be absorbed by the flexible substrate outside the electronic element formation region, so that the flexible substrate outside the electronic element formation region is less likely to be peeled off from the support substrate.

したがって、電子素子形成領域外の領域であって、フレキシブルデバイスとして使用されない領域に対応する領域に剥離防止層を介挿することにより、剥離用光を支持基板の全面に照射した場合であっても、フレキシブルデバイスとして使用される領域のフレキシブル基板のみを選択的に支持基板から剥離することが可能となる。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記剥離防止層は、前記剥離用光を実質的に反射または吸収する。 Therefore, even when the entire surface of the supporting substrate is irradiated with the peeling prevention layer by interposing the peeling prevention layer in the area outside the electronic element forming area and corresponding to the area not used as the flexible device. Only the flexible substrate in the region used as the flexible device can be selectively peeled from the support substrate.
Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said peeling prevention layer substantially reflects or absorbs the said light for peeling.

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記剥離防止層は、金属または金属酸化物を含む。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記金属は、モリブデン、タングステン、銀およびアルミニウムのいずれかである。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記金属酸化物は、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化銀、酸化アルミニウム、酸化インジウムスズおよび酸化インジウム亜鉛のいずれかである。 Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said peeling prevention layer contains a metal or a metal oxide.
In the specific aspect of the method for manufacturing a flexible device according to one embodiment of the present invention, the metal is any one of molybdenum, tungsten, silver, and aluminum.
In the specific aspect of the method for manufacturing a flexible device according to one embodiment of the present invention, the metal oxide is any one of molybdenum oxide, tungsten oxide, silver oxide, aluminum oxide, indium tin oxide, and indium zinc oxide. .

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記剥離防止層の膜厚は、１０［ｎｍ］以上１００［ｎｍ］以下である。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記剥離工程後の前記支持基板の上方には、前記剥離防止層と、前記剥離防止層が形成されている領域に対応する前記フレキシブル基板とが接合した状態で残存している。 Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the film thickness of the said peeling prevention layer is 10 [nm] or more and 100 [nm] or less.
Moreover, in the specific aspect of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, in the area | region in which the said peeling prevention layer and the said peeling prevention layer are formed above the said support substrate after the said peeling process. The corresponding flexible substrate remains in a bonded state.

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記剥離用光の波長は、１７０［ｎｍ］以上６００［ｎｍ］以下である。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記剥離用光は、ＸｅＣｌエキシマレーザー光である。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記剥離用光は、紫外光である。 Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the wavelength of the said light for peeling is 170 [nm] or more and 600 [nm] or less.
In the specific aspect of the method for manufacturing a flexible device according to one embodiment of the present invention, the peeling light is XeCl excimer laser light.
Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said light for peeling is ultraviolet light.

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記フレキシブル基板の膜厚は３［μｍ］以上１５０［μｍ］以下である。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記フレキシブル基板は、可撓性の樹脂材料が塗布形成されてなるフレキシブルフィルム層を含む。 Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the film thickness of the said flexible substrate is 3 [micrometers] or more and 150 [micrometers] or less.
Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said flexible substrate contains the flexible film layer formed by apply | coating and forming a flexible resin material.

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記フレキシブル基板は、可撓性の板状部材が貼付されてなるフレキシブルフィルム層を含む。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記フレキシブルフィルム層は、少なくとも前記剥離防止層が形成されていない領域においては、粘着層により前記支持基板と接合されている。 Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said flexible substrate contains the flexible film layer by which a flexible plate-shaped member is affixed.
Moreover, in the specific aspect of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said flexible film layer is joined to the said support substrate by the adhesion layer in the area | region in which the said peeling prevention layer is not formed at least. Yes.

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記切断工程において、前記支持基板の上方側から前記フレキシブル基板に対し切断用レーザー光を照射することにより前記フレキシブル基板を切断する。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記切断用レーザー光の波長は、波長１７０［ｎｍ］以上１０．６［μｍ］以下である。 Moreover, in the specific aspect of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, in the said cutting process, the said flexible substrate is irradiated by irradiating the laser beam for cutting with respect to the said flexible substrate from the upper side of the said support substrate. Disconnect.
Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the wavelength of the said laser beam for a cutting | disconnection is 170 [nm] or more and a wavelength below 170 [nm].

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記切断工程において、前記フレキシブル基板における前記剥離防止層と重なる領域に前記切断用レーザー光を照射する。
また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記フレキシブル基板上には複数の前記電子素子形成領域が存在するとともに、当該複数の電子素子形成領域のそれぞれに前記電子素子が形成されており、前記切断工程により、前記支持基板から剥離された前記フレキシブル基板を、一の前記電子素子が形成されたフレキシブル基板に個片化する。 Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said laser beam for a cutting | disconnection is irradiated to the area | region which overlaps with the said peeling prevention layer in the said flexible substrate in the said cutting process.
Moreover, in the specific aspect of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, while the said several electronic element formation area exists on the said flexible substrate, the said electron is formed in each of the said several electronic element formation area. An element is formed, and the flexible substrate peeled off from the support substrate in the cutting step is separated into a flexible substrate on which one electronic element is formed.

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記準備工程は、前記支持基板における前記電子素子形成領域に対応する領域の周囲に、前記剥離防止層を形成する剥離防止層形成サブ工程と、前記剥離防止層が形成された前記支持基板の上方に前記フレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成サブ工程と、前記フレキシブル基板上における前記電子素子形成領域に前記電子素子を形成する電子素子形成サブ工程と、を含む。 Moreover, in the specific aspect of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said preparatory process peels which forms the said peeling prevention layer around the area | region corresponding to the said electronic element formation area in the said support substrate. A prevention layer formation sub-step, a flexible substrate formation sub-step of forming the flexible substrate above the support substrate on which the peeling prevention layer is formed, and forming the electronic element in the electronic element formation region on the flexible substrate And an electronic element forming sub-process.

また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記電子素子は、酸化物ＴＦＴおよび有機ＥＬ素子の少なくとも一方を含む。
≪実施の態様１≫
［フレキシブルデバイス］
本実施の態様においては、フレキシブルデバイスの一例として、フレキシブル有機ＥＬ表示パネルを例に挙げて説明する。 Moreover, in the specific situation of the manufacturing method of the flexible device which concerns on 1 aspect of this invention, the said electronic element contains at least one of an oxide TFT and an organic EL element.
<< Aspect 1 >>
[Flexible device]
In this embodiment, a flexible organic EL display panel will be described as an example of a flexible device.

図１はフレキシブルデバイス１００の構造を示す模式断面図である。本明細書における図面は、本発明の一態様を分かり易く説明するため、Ｚ軸方向（厚み方向）の長さを誇張して示している。
フレキシブルデバイス１００は、フレキシブル基板１０、電子素子１３、第２バリア層１６および封止基板１７を備える。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the flexible device 100. In the drawings in this specification, the length in the Z-axis direction (thickness direction) is exaggerated for easy understanding of one embodiment of the present invention.
The flexible device 100 includes a flexible substrate 10, an electronic element 13, a second barrier layer 16, and a sealing substrate 17.

＜フレキシブル基板１０＞
フレキシブル基板１０は、フレキシブルフィルム１１と第１バリア層１２とを含む。
フレキシブルフィルム１１は、可撓性の樹脂材料が塗布形成されてなるフレキシブルフィルム層である。塗布形成することにより、高い平滑性を有し、異物や傷等の欠陥の少ないフレキシブルフィルム１１を得ることができる。このようなフレキシブルフィルム１１を有するフレキシブルデバイス１００は高品質である。 <Flexible substrate 10>
The flexible substrate 10 includes a flexible film 11 and a first barrier layer 12.
The flexible film 11 is a flexible film layer formed by applying and forming a flexible resin material. By applying and forming, the flexible film 11 having high smoothness and few defects such as foreign matters and scratches can be obtained. The flexible device 100 having such a flexible film 11 is of high quality.

フレキシブルフィルム１１として用いることが可能な樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレン、エチレン−プロピレン共重合体，エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。また、フレキシブルフィルム１１は、これらの材料のうち１種または２種以上を組み合わせた多層構造であってもよい。 Examples of the resin material that can be used as the flexible film 11 include polyimide, polyester, polytetrafluoroethylene, polyphenylene sulfide, polyamide, polyamideimide, polycarbonate, polystyrene, polypropylene, polyethylene, polyvinyl chloride, polyethersulfone, and polyethylene. Polyolefin such as naphthalene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, cyclic polyolefin, modified polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, acrylic resin, polymethyl methacrylate, acrylic-styrene copolymer, butadiene -Styrene copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polyether, polyether ketone, polyether ether ketone, polyethylene Teruimido, polyacetal, polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polyarylate, aromatic polyesters, polytetrafluoroethylene, and polyvinylidene fluoride. The flexible film 11 may have a multilayer structure in which one or more of these materials are combined.

フレキシブルフィルム１１の膜厚は３〜１５０μｍとすることが望ましい。３［μｍ］未満である場合は、支持基板から剥離された後のフレキシブルデバイス１００の搬送等の取り扱いが煩雑になったり、フレキシブル基板１０の上に形成される電子素子１３等の応力による反りの影響を受けやすくなったりするおそれがある。また、後述するように、支持基板からフレキシブル基板１０を剥離する際に剥離用光を用いるが、フレキシブルフィルム１１の膜厚が薄すぎる場合にはこの剥離用光がフレキシブルフィルム１１およびその上の第１バリア層を透過して電子素子１３に到達し、電子素子１３に損傷を与えるおそれがある。一方、１５０［μｍ］を超える場合は、製造工程中においてフレキシブルフィルム１１の反りが大きくなったり、完成後のフレキシブルデバイス１００の可撓性が低下したりするおそれがある。 The film thickness of the flexible film 11 is desirably 3 to 150 μm. When the thickness is less than 3 [μm], handling such as transport of the flexible device 100 after being peeled from the support substrate becomes complicated, or warping due to stress of the electronic element 13 or the like formed on the flexible substrate 10 occurs. May be easily affected. Further, as will be described later, the peeling light is used when peeling the flexible substrate 10 from the support substrate. However, when the film thickness of the flexible film 11 is too thin, the peeling light is emitted from the flexible film 11 and the upper film. There is a risk of damaging the electronic device 13 by passing through one barrier layer and reaching the electronic device 13. On the other hand, when it exceeds 150 [μm], the warp of the flexible film 11 may increase during the manufacturing process, or the flexibility of the completed flexible device 100 may decrease.

第１バリア層１２は、フレキシブルデバイス１００の使用時において、フレキシブルフィルム１１を介して浸入してきた水分や酸素、およびフレキシブルフィルム１１から発生する水分や不純物が電子素子１３に到達することを抑制する目的で設けられているものである。樹脂材料からなるフレキシブルフィルム１１は、現行のガラス基板と比較してガスバリア性が劣る。そのため、フレキシブルデバイス１００が使用状態に置かれると、電子素子１３が、フレキシブルフィルム１１を介して浸入してきた水分や酸素に触れることで、経時的に劣化するおそれがある。電子素子１３の劣化は、フレキシブル有機ＥＬ表示パネルの表示領域における非発光部（ダークスポット）の発生や輝度低下等の原因となる。第１バリア層１２は、このような問題を防止するものである。 The purpose of the first barrier layer 12 is to prevent moisture and oxygen that have entered through the flexible film 11 and moisture and impurities generated from the flexible film 11 from reaching the electronic element 13 when the flexible device 100 is used. Is provided. The flexible film 11 made of a resin material is inferior in gas barrier properties as compared with the current glass substrate. Therefore, when the flexible device 100 is put into use, the electronic element 13 may be deteriorated with time due to contact with moisture or oxygen that has entered through the flexible film 11. The deterioration of the electronic element 13 causes a non-light emitting portion (dark spot) in the display area of the flexible organic EL display panel, a decrease in luminance, and the like. The first barrier layer 12 prevents such a problem.

第１バリア層１２は、ガスバリア性に優れる緻密な材料で構成されることが望ましい。このような材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、アルキルシランアルコキシド等からなる薄膜やこれらの交互積層膜等が挙げられる。また、第１バリア層１２の膜厚は、例えば１０〜２０００［μｍ］程度が望ましい。 The first barrier layer 12 is preferably composed of a dense material having excellent gas barrier properties. Examples of such a material include a thin film made of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum oxynitride, alkylsilane alkoxide, and the like, and an alternate laminated film thereof. The film thickness of the first barrier layer 12 is preferably about 10 to 2000 [μm], for example.

＜電子素子１３＞
電子素子１３は、ＴＦＴ層１４、有機ＥＬ層１５を含む。
ＴＦＴ層１４は、有機ＥＬ層１５に形成されている有機ＥＬ素子を駆動制御するための駆動素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が複数形成されてなる。
有機ＥＬ層１５には有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子は、自発光を行うため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優れることで近年注目されている表示素子である。本実施の態様においては、図１の上方側へ光を取り出すいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ素子が用いられている。また、有機ＥＬ層１５に有機ＥＬ素子を複数個配設することにより、フレキシブルデバイス１００をフレキシブルな有機ＥＬ表示パネルとすることができる。さらに、有機ＥＬ素子は自発光を行うため、液晶素子と異なってバックライトや偏光板が不要であることから、より薄型の表示パネルとすることができる。その結果、より可撓性の高いフレキシブル表示パネルを得ることができる。 <Electronic element 13>
The electronic element 13 includes a TFT layer 14 and an organic EL layer 15.
The TFT layer 14 includes a plurality of TFTs (thin film transistors) that are drive elements for driving and controlling the organic EL elements formed in the organic EL layer 15.
An organic EL element is formed in the organic EL layer 15. The organic EL element is a display element that has been attracting attention in recent years because it is self-luminous and has high visibility, and since it is a completely solid element, it has excellent impact resistance. In this embodiment, a so-called top emission type organic EL element that extracts light upward in FIG. 1 is used. Moreover, the flexible device 100 can be made into a flexible organic EL display panel by disposing a plurality of organic EL elements in the organic EL layer 15. Further, since the organic EL element emits light by itself, unlike the liquid crystal element, a backlight and a polarizing plate are unnecessary, and thus a thinner display panel can be obtained. As a result, a flexible display panel with higher flexibility can be obtained.

ＴＦＴ層１４に形成されるＴＦＴの種類としては、例えば、有機ＴＦＴ、酸化物ＴＦＴ、ａ−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコンＴＦＴ）、ＬＴＰＳＴＦＴ（低温ポリシリコンＴＦＴ）等がある。ＴＦＴ層１４に形成されるＴＦＴは特に限定されるものではないが、樹脂材料を含むフレキシブル基板１０上に形成するものであるという観点、および有機ＥＬ素子の駆動素子であるという観点では、酸化物ＴＦＴを用いることがより望ましい。酸化物ＴＦＴはＬＴＰＳＴＦＴと比較して低温プロセスで形成することが可能であることから、耐熱温度が低いフレキシブル基板１０上に形成する場合に有用である。また、酸化物ＴＦＴは、ａ−ＳｉＴＦＴと比較して駆動性能が高いため、酸化物ＴＦＴを駆動素子として用いることで、高精細な有機ＥＬ表示パネルを実現することができる。 Examples of the TFT formed in the TFT layer 14 include an organic TFT, an oxide TFT, an a-Si TFT (amorphous silicon TFT), and an LTPS TFT (low temperature polysilicon TFT). The TFT formed in the TFT layer 14 is not particularly limited. From the viewpoint of being formed on the flexible substrate 10 containing a resin material, and from the viewpoint of being a driving element for an organic EL element, an oxide is used. It is more desirable to use TFT. Since the oxide TFT can be formed by a low temperature process as compared with the LTPSTFT, the oxide TFT is useful when formed on the flexible substrate 10 having a low heat-resistant temperature. In addition, since the oxide TFT has higher driving performance than the a-Si TFT, a high-definition organic EL display panel can be realized by using the oxide TFT as a driving element.

＜第２バリア層１６、封止基板１７＞
第２バリア層１６は、フレキシブルデバイス１００の使用状態において、使用環境中に含まれる水分や酸素が電子素子１３に浸入するのを防ぐ目的で形成されているものである。第２バリア層１６は、第１バリア層１２と同様にガスバリア性に優れる緻密な材料で構成されることが望ましい。また、有機ＥＬ層１５に形成されている有機ＥＬ素子はトップエミッション型であるため、透光性を有する材料である必要がある。ガスバリア性に優れた緻密な材料で、かつ透光性を有する材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウム等がある。また、第２バリア層１６の膜厚は、例えば１０〜２０００［μｍ］程度が望ましい。 <Second barrier layer 16 and sealing substrate 17>
The second barrier layer 16 is formed for the purpose of preventing moisture and oxygen contained in the use environment from entering the electronic element 13 in the usage state of the flexible device 100. As with the first barrier layer 12, the second barrier layer 16 is preferably made of a dense material having excellent gas barrier properties. Moreover, since the organic EL element formed in the organic EL layer 15 is a top emission type, it needs to be a light-transmitting material. Examples of a dense material having excellent gas barrier properties and a light-transmitting property include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, and aluminum oxynitride. The film thickness of the second barrier layer 16 is preferably about 10 to 2000 [μm], for example.

封止基板１７は、第２バリア層１６と同様に、フレキシブルデバイス１００の使用状態において、使用環境中に含まれる水分や酸素が電子素子１３に浸入するのを防ぐ目的で配されている。上述したように本実施の態様においては、図１の上方側へ光を取り出す方式の有機ＥＬ素子が用いられている。したがって、封止基板１７は可撓性および透光性を有する材料で構成されている必要がある。このような材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレン、エチレン−プロピレン共重合体，エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。 Similar to the second barrier layer 16, the sealing substrate 17 is disposed for the purpose of preventing moisture and oxygen contained in the usage environment from entering the electronic element 13 in the usage state of the flexible device 100. As described above, in this embodiment, an organic EL element of a system that extracts light upward in FIG. 1 is used. Therefore, the sealing substrate 17 needs to be made of a material having flexibility and translucency. Examples of such materials include polyimide, polyester, polytetrafluoroethylene, polyphenylene sulfide, polyamide, polyamideimide, polycarbonate, polystyrene, polypropylene, polyethylene, polyvinyl chloride, polyethersulfone, polyethylene naphthalene, and ethylene-propylene copolymer. Polymers, polyolefins such as ethylene-vinyl acetate copolymers, cyclic polyolefins, modified polyolefins, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, acrylic resins, polymethyl methacrylate, acrylic-styrene copolymers, butadiene-styrene copolymers, ethylene -Vinyl alcohol copolymer, polyether, polyether ketone, polyether ether ketone, polyether imide, polyacetal, polyphenyle Oxide, modified polyphenylene oxide, polyarylate, aromatic polyesters, polytetrafluoroethylene, and polyvinylidene fluoride.

なお、封止基板１７の上面に、第２バリア層１６と同様の材料からなる第３のバリア層をさらに設けることとしてもよい。このようにすることで、使用環境中に含まれる水分や酸素の浸入をさらに抑制することが可能である。
［フレキシブルデバイス１００の製造方法］
＜概要＞
図２および図３は、実施の態様１に係るフレキシブルデバイス１００の製造方法を示す模式図である。本実施の態様に係るフレキシブルデバイス１００の製造方法は、大まかには、支持基板１８の上方にフレキシブル基板１０が配され、フレキシブル基板１０上における電子素子形成領域（Ａ）に電子素子１３が形成されてなる構造体を準備する準備工程（図２）と、支持基板１８の下面側から構造体に対し、フレキシブル基板１０を支持基板１８から剥離するためのレーザー光２０を照射する剥離工程（図３（ａ），（ｂ））と、支持基板１８から剥離されたフレキシブル基板１０を、電子素子形成領域を除く領域で切断する切断工程（図３（ｃ））と、を含む。 Note that a third barrier layer made of the same material as the second barrier layer 16 may be further provided on the upper surface of the sealing substrate 17. By doing in this way, it is possible to further suppress the intrusion of moisture and oxygen contained in the use environment.
[Method for Manufacturing Flexible Device 100]
<Overview>
2 and 3 are schematic views showing a method for manufacturing the flexible device 100 according to the first embodiment. In the manufacturing method of the flexible device 100 according to the present embodiment, the flexible substrate 10 is roughly disposed above the support substrate 18, and the electronic element 13 is formed in the electronic element forming region (A) on the flexible substrate 10. And a peeling step (FIG. 3) of irradiating the structure from the lower surface side of the support substrate 18 with a laser beam 20 for peeling the flexible substrate 10 from the support substrate 18. (A), (b)) and the cutting process (FIG.3 (c)) which cut | disconnects the flexible substrate 10 peeled from the support substrate 18 in the area | region except an electronic element formation area.

上記構造体における支持基板１８とフレキシブル基板１０との間には、電子素子形成領域に対応する領域を囲繞するように、フレキシブル基板１０へのレーザー光２０の透過量を抑制する剥離防止層１９が介挿されている。そして、剥離工程では、フレキシブル基板１０における剥離防止層１９が形成されていない領域に対応する領域が支持基板１８から剥離される。 Between the support substrate 18 and the flexible substrate 10 in the structure, an anti-peeling layer 19 that suppresses the transmission amount of the laser light 20 to the flexible substrate 10 is provided so as to surround a region corresponding to the electronic element formation region. It is inserted. In the peeling step, a region corresponding to a region where the peeling preventing layer 19 is not formed in the flexible substrate 10 is peeled from the support substrate 18.

以下、各工程の詳細について説明する。なお、本実施の態様においては、いわゆる多面取りを行う場合を例に挙げて説明する。多面取りとは、複数の電子素子形成領域を有する大面積の基板を準備し、各電子素子形成領域に電子素子を形成した後、基板を電子素子形成領域毎に切断し個片化する方法である。基板上に電子素子が形成されてなるデバイスを製造する場合において、製造コスト削減のために採用されている方法である。 Details of each step will be described below. In the present embodiment, a case of performing so-called multiple chamfering will be described as an example. Multi-chamfering is a method of preparing a large-area substrate having a plurality of electronic element formation regions, forming an electronic element in each electronic element formation region, and then cutting the substrate into pieces for each electronic element formation region. is there. This is a method adopted for manufacturing cost reduction in manufacturing a device in which an electronic element is formed on a substrate.

＜準備工程＞
図２は準備工程を示している。準備工程は、剥離防止層形成サブ工程（図２（ａ））、フレキシブル基板形成サブ工程（図２（ｂ），（ｃ））、および電子素子形成サブ工程（図２（ｄ））を含む。
（剥離防止層形成サブ工程）
本工程では、図２（ａ）に示すように、支持基板１８における電子素子形成領域（Ａ）に対応する領域の周囲に剥離防止層１９を形成する。本実施の態様においては、電子素子形成領域（Ａ）に対応する領域を囲繞するように剥離防止層１９を形成する。具体的には、支持基板１８上における電子素子形成領域（Ａ）に対応する領域の外側の領域（Ｂ）に剥離防止層１９を形成する。なお、電子素子形成領域（Ａ）はフレキシブル基板１０上に存在する領域である。 <Preparation process>
FIG. 2 shows the preparation process. The preparation process includes a peeling prevention layer formation sub-process (FIG. 2A), a flexible substrate formation sub-process (FIGS. 2B and 2C), and an electronic element formation sub-process (FIG. 2D). .
(Peeling prevention layer formation sub-process)
In this step, as shown in FIG. 2A, a peeling prevention layer 19 is formed around a region corresponding to the electronic element formation region (A) in the support substrate 18. In the present embodiment, the peeling prevention layer 19 is formed so as to surround a region corresponding to the electronic element formation region (A). Specifically, the peeling prevention layer 19 is formed in a region (B) outside the region corresponding to the electronic element formation region (A) on the support substrate 18. The electronic element formation region (A) is a region existing on the flexible substrate 10.

支持基板１８は、フレキシブル基板１０の平坦性を確保する目的で用いられているものである。そのため、平坦度が高く、変形しにくい材料で形成されていることが望ましい。このような材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、アルミナ等の絶縁性材料等が挙げられる。 The support substrate 18 is used for the purpose of ensuring the flatness of the flexible substrate 10. Therefore, it is desirable that the flatness is high and the material is not easily deformed. Examples of such materials include alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphate glass, borate glass, quartz, acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, epoxy resin, polyethylene, polyester, Insulating materials such as silicone resins and alumina can be used.

剥離防止層１９は、剥離工程においてフレキシブル基板１０へのレーザー光２０の透過量を抑制するものである。フレキシブル基板１０へのレーザー光２０の透過量を抑制する手段としては、例えば、レーザー光２０を実質的に反射または吸収する方法等が挙げられる。そのため、剥離防止層１９は、レーザー光２０を反射または吸収等する材料を含んでいる必要がある。さらに、剥離防止層１９は、以降のフレキシブル基板形成サブ工程、電子素子形成サブ工程、剥離工程における各種製造プロセスに耐え得る必要がある。このような剥離防止層１９の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、銀およびアルミニウム等の金属、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化銀、酸化アルミニウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）および酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の金属酸化物等が挙げられる。 The peeling prevention layer 19 suppresses the transmission amount of the laser light 20 to the flexible substrate 10 in the peeling process. Examples of means for suppressing the transmission amount of the laser light 20 to the flexible substrate 10 include a method of substantially reflecting or absorbing the laser light 20. Therefore, the peeling prevention layer 19 needs to include a material that reflects or absorbs the laser light 20. Furthermore, the peeling prevention layer 19 needs to be able to withstand various manufacturing processes in the subsequent flexible substrate forming sub-process, electronic element forming sub-process, and peeling process. Examples of the material of the peeling prevention layer 19 include metals such as molybdenum, tungsten, silver, and aluminum, molybdenum oxide, tungsten oxide, silver oxide, aluminum oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). And the like.

また、電子素子１３の構成要素の中に、フレキシブル基板１０へのレーザー光２０の透過量を抑制することが可能な金属または金属酸化物等を含む層が存在する場合がある。かかる場合、電子素子１３の構成要素の中に含まれる金属または金属酸化物等を、剥離防止層１９の材料に適用することとしてもよい。このようにすることで、当該金属または金属酸化物等を形成するための装置を流用して剥離防止層１９を形成することができるため、簡便に剥離防止層１９を形成することが可能になる。例えば、電子素子１３の構成要素の中にスパッタにより形成されてなるモリブデン膜が存在する場合、当該モリブデン膜を形成する際に用いるモリブデンターゲットをそのまま利用して、剥離防止層１９を形成することができる。したがって、剥離防止層１９を形成するために別途成膜装置やターゲットを準備したり、ターゲットを付け替えたりする必要がない。 In addition, in the constituent elements of the electronic element 13, there may be a layer containing a metal or a metal oxide that can suppress the transmission amount of the laser light 20 to the flexible substrate 10. In such a case, a metal or a metal oxide included in the constituent elements of the electronic element 13 may be applied to the material of the peeling prevention layer 19. By doing in this way, since the peeling prevention layer 19 can be formed using the apparatus for forming the said metal or a metal oxide, it becomes possible to form the peeling prevention layer 19 simply. . For example, when a molybdenum film formed by sputtering is present in the constituent elements of the electronic element 13, the peeling prevention layer 19 can be formed using the molybdenum target used for forming the molybdenum film as it is. it can. Therefore, it is not necessary to separately prepare a film forming apparatus or a target or to change the target in order to form the peeling prevention layer 19.

さらに、剥離防止層１９の膜厚は１０〜１００［ｎｍ］とすることが望ましい。膜厚が１０［ｎｍ］未満である場合には、レーザー光２０が剥離防止層１９を透過し、フレキシブル基板１０に照射されるおそれがあり、剥離防止層１９としての機能を発揮することができない。一方、膜厚の上限を１００［ｎｍ］とした理由は、膜厚をこれ以上厚くしても剥離防止層１９としての性能は向上しないと考えられるため、剥離防止層１９の製造効率に鑑みてのことである。 Furthermore, the film thickness of the peeling prevention layer 19 is desirably 10 to 100 [nm]. When the film thickness is less than 10 [nm], the laser beam 20 may pass through the peeling prevention layer 19 and irradiate the flexible substrate 10, and the function as the peeling prevention layer 19 cannot be exhibited. . On the other hand, the reason why the upper limit of the film thickness is set to 100 [nm] is that the performance as the peeling prevention layer 19 is not improved even if the film thickness is increased beyond this, and therefore, in view of the manufacturing efficiency of the peeling prevention layer 19. That's it.

剥離防止層１９の形成方法としては、例えば、支持基板１８上における領域（Ｂ）に開口が設けられたマスクを用いて、上記材料を蒸着またはスパッタにより成膜する方法、支持基板１８の上面全体に亘って上記の材料を含む膜を蒸着またはスパッタにより成膜し、電子素子形成領域（Ａ）に存在する膜をエッチング等で除去する方法が挙げられる。
（フレキシブル基板形成サブ工程）
本工程では、剥離防止層１９が形成された支持基板１８上にフレキシブル基板１０を形成する。 As a method for forming the peeling prevention layer 19, for example, a method in which the material is deposited by vapor deposition or sputtering using a mask having an opening in the region (B) on the support substrate 18, or the entire upper surface of the support substrate 18. For example, a film containing the above material is formed by vapor deposition or sputtering, and the film existing in the electronic element formation region (A) is removed by etching or the like.
(Flexible substrate formation sub-process)
In this step, the flexible substrate 10 is formed on the support substrate 18 on which the peeling prevention layer 19 is formed.

まず、図２（ｂ）に示すように、フレキシブルフィルム１１を形成する。本実施の態様においては、上述したような可撓性の樹脂材料を塗布することにより形成している。塗布方法としては、例えば、インクジェット法、スピンコート法、グラビア印刷法、ディスペンサー法、ノズルコート法、凹版印刷、凸版印刷等が挙げられる。
次に、図２（ｃ）に示すように、第１バリア層１２を形成する。第１バリア層１２の形成方法としては、ＣＶＤ法（化学気相成長法：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、真空蒸着法、スパッタ法、ＡＬＤ法（原子層堆積法：ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＭＬＤ法（分子層堆積法：ＭｏｌｅｃｕｌａｒＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やこれらの組合せ等が用いられる。 First, as shown in FIG. 2B, the flexible film 11 is formed. In this embodiment, it is formed by applying a flexible resin material as described above. Examples of the coating method include an inkjet method, a spin coating method, a gravure printing method, a dispenser method, a nozzle coating method, intaglio printing, and relief printing.
Next, as shown in FIG. 2C, the first barrier layer 12 is formed. The first barrier layer 12 may be formed by a CVD method (Chemical Vapor Deposition), an MOCVD method (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), a vacuum evaporation method, a sputtering method, or an ALD. A method (atomic layer deposition method), an MLD method (molecular layer deposition), a combination thereof, or the like is used.

本実施の態様のように多面取りを行う場合、フレキシブルフィルム１１と第１バリア層１２が積層されてなるフレキシブル基板１０上の領域が複数の領域に区画される。そして、区画された各領域に電子素子形成領域（Ａ）が設定される。このようにして、上面に複数の電子素子形成領域（Ａ）が存在するフレキシブル基板１０が形成される。
（電子素子形成サブ工程）
本工程（図２（ｄ））では、主としてフレキシブル基板１０上における複数の電子素子形成領域（Ａ）のそれぞれに電子素子１３を形成する。電子素子形成サブ工程には、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ層形成工程、封止工程が含まれる。 When performing multiple chamfering as in this embodiment, a region on the flexible substrate 10 in which the flexible film 11 and the first barrier layer 12 are laminated is partitioned into a plurality of regions. An electronic element formation region (A) is set in each partitioned region. In this way, the flexible substrate 10 having a plurality of electronic element formation regions (A) on the upper surface is formed.
(Electronic element formation sub-process)
In this step (FIG. 2D), the electronic element 13 is formed mainly in each of the plurality of electronic element formation regions (A) on the flexible substrate 10. The electronic element formation sub-process includes a TFT layer formation process, an organic EL layer formation process, and a sealing process.

・ＴＦＴ層形成工程
ここではＴＦＴの一例として、有機ＴＦＴを形成する工程を例に挙げて説明する。ＴＦＴ層形成工程は、ゲート電極形成工程、ゲート絶縁層形成工程、ソース電極及びドレイン電極形成工程、半導体層形成工程を含む。
ゲート電極は、金属材料を真空蒸着法またはスパッタ法で成膜し、その金属材料膜をエッチング等により選択的に除去することで形成される。ゲート電極に用いる金属材料としては、例えば、銀、アルミニウム、銀とパラジウムと銅との合金、銀とルビジウムと金との合金等が挙げられる。 -TFT layer formation process Here, as an example of TFT, a process of forming an organic TFT will be described as an example. The TFT layer forming step includes a gate electrode forming step, a gate insulating layer forming step, a source and drain electrode forming step, and a semiconductor layer forming step.
The gate electrode is formed by depositing a metal material by vacuum deposition or sputtering, and selectively removing the metal material film by etching or the like. Examples of the metal material used for the gate electrode include silver, aluminum, an alloy of silver, palladium, and copper, an alloy of silver, rubidium, and gold.

ゲート絶縁層は、例えば、酸化シリコン等の公知のゲート絶縁体材料を、スパッタ法により成膜することで得られる。なお、公知のゲート絶縁体材料として、有機高分子材料、及び無機材料のいずれも使用可能である。
ソース電極及びドレイン電極は、金属材料をゲート電極の場合と同様に真空蒸着法またはスパッタ法で成膜し、その金属材料膜をエッチング等により選択的に除去することで形成される。ソース電極及びドレイン電極に用いる金属材料としては、例えば、金、銀、銅、銀とパラジウムと銅との合金、タングステン、モリブデン等が挙げられる。 The gate insulating layer is obtained, for example, by forming a known gate insulator material such as silicon oxide by sputtering. Note that any of an organic polymer material and an inorganic material can be used as a known gate insulator material.
The source electrode and the drain electrode are formed by forming a metal material by vacuum evaporation or sputtering as in the case of the gate electrode and selectively removing the metal material film by etching or the like. Examples of the metal material used for the source electrode and the drain electrode include gold, silver, copper, an alloy of silver, palladium, and copper, tungsten, and molybdenum.

半導体層は、有機半導体材料と溶媒とを含むインクをインクジェット法、スピンコート法等の公知の塗布方法で成膜することにより得られる。有機半導体材料としては、例えば、アセン系誘導体，ポルフィリン，フタロシアニン誘導体等の塗布型低分子材料オリゴマーや、チオフェン系，フルオレン系等の高分子材料等が挙げられる。以上の工程を経ることで、有機ＴＦＴを含んでなるＴＦＴ層１４が形成される。 The semiconductor layer is obtained by depositing an ink containing an organic semiconductor material and a solvent by a known coating method such as an inkjet method or a spin coating method. Examples of organic semiconductor materials include coating-type low-molecular material oligomers such as acene derivatives, porphyrins, and phthalocyanine derivatives, and polymer materials such as thiophene and fluorene. Through the above steps, the TFT layer 14 including the organic TFT is formed.

・有機ＥＬ層形成工程
有機ＥＬ層形成工程は、陽極形成工程、有機発光層形成工程、陰極形成工程を含む。
陽極は、金属材料を真空蒸着法またはスパッタ法で成膜し、その金属材料膜をエッチング等により選択的に除去することで形成される。陽極に用いる金属材料としては、例えば、上記のゲート電極に用いる金属材料で挙げた金属材料等を用いることができる。 Organic EL layer forming step The organic EL layer forming step includes an anode forming step, an organic light emitting layer forming step, and a cathode forming step.
The anode is formed by depositing a metal material by vacuum deposition or sputtering, and selectively removing the metal material film by etching or the like. As the metal material used for the anode, for example, the metal materials mentioned above for the metal material used for the gate electrode can be used.

有機発光層は、陽極上に、有機発光層を構成する有機材料と溶媒とを含むインクを真空蒸着またはインクジェット法で成膜することにより得られる。有機発光層を構成する有機材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物等、特開平５−１６３４８８号公報に記載の公知の材料を用いることができる。 The organic light emitting layer is obtained by depositing an ink containing an organic material constituting the organic light emitting layer and a solvent on the anode by vacuum deposition or an ink jet method. As the organic material constituting the organic light emitting layer, for example, known materials described in JP-A-5-163488 such as an oxinoid compound, a perylene compound, a coumarin compound, and an azacoumarin compound can be used.

陰極は、有機発光層上に、透明導電材料をスパッタ法で成膜することにより得られる。陰極に用いる透明導電材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等が挙げられる。
なお、有機ＥＬ素子には必要に応じて、さらに正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を含む場合がある。以上で有機ＥＬ層１５が完成する。
・封止工程
封止工程は、第２バリア層形成工程と封止基板接着工程を含む。 The cathode is obtained by forming a transparent conductive material on the organic light emitting layer by sputtering. Examples of the transparent conductive material used for the cathode include ITO and IZO.
The organic EL element may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like as necessary. Thus, the organic EL layer 15 is completed.
-Sealing process The sealing process includes a second barrier layer forming process and a sealing substrate bonding process.

第２バリア層形成工程では、電子素子１３を覆うように、第２バリア層１６を成膜する。具体的には、第２バリア層１６を構成する材料を、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタ法、ＡＬＤ法、ＭＬＤ法やこれらの組合せ等により成膜する。
封止基板接着工程では、電子素子１３および第２バリア層１６が形成されたフレキシブル基板１０と対向するように封止基板１７を載置し、第２バリア層１６と封止基板１７とを接着する。有機ＥＬ層１５に形成された有機ＥＬ素子はトップエミッション型であるため、本工程で用いる接着剤は、透光性を有し、かつ、緻密な材料で構成されている必要がある。このような材料としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等を挙げることができる。 In the second barrier layer forming step, the second barrier layer 16 is formed so as to cover the electronic element 13. Specifically, the material constituting the second barrier layer 16 is formed by CVD, MOCVD, vacuum deposition, sputtering, ALD, MLD, or a combination thereof.
In the sealing substrate bonding step, the sealing substrate 17 is placed so as to face the flexible substrate 10 on which the electronic element 13 and the second barrier layer 16 are formed, and the second barrier layer 16 and the sealing substrate 17 are bonded. To do. Since the organic EL element formed in the organic EL layer 15 is a top emission type, the adhesive used in this step needs to be translucent and made of a dense material. Examples of such a material include a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, and a urethane resin.

封止基板１７の上面にさらに第３のバリア層を設ける場合は、第３のバリア層を構成する材料を第２バリア層１６と同様に、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法等により成膜する。
＜剥離工程＞
続く剥離工程では、まず図３（ａ）に示すように、レーザー光２０を支持基板１８の下面側から照射する。本実施の態様においては、支持基板１８の下面全体に亘ってレーザー光２０を照射している。 When a third barrier layer is further provided on the upper surface of the sealing substrate 17, the material constituting the third barrier layer is formed by the CVD method, the MOCVD method, or the like in the same manner as the second barrier layer 16.
<Peeling process>
In the subsequent peeling step, first, as shown in FIG. 3A, the laser beam 20 is irradiated from the lower surface side of the support substrate 18. In this embodiment, the laser beam 20 is irradiated over the entire lower surface of the support substrate 18.

レーザー光２０を照射することにより、フレキシブル基板１０を支持基板１８から剥離するのであるが、本実施の態様においては、フレキシブル基板１０へのレーザー光２０の透過量を抑制する剥離防止層１９が形成されている。これにより、剥離防止層１９が形成されている領域においては、レーザー光２０は実質的に反射または吸収される。一方、図３（ｂ）に示すように、剥離防止層１９が形成されていない領域における支持基板１８のフレキシブル基板１０との界面は、レーザー光２０を吸収することで変質し、接合力が低下する。そして、当該界面に間隙１１ａが生じる。この結果、レーザー光２０を支持基板１８の下面全体に亘って照射した場合であっても、フレキシブル基板１０における剥離防止層１９が形成されていない領域に対応する領域のみが選択的に支持基板１８から剥離される。 By irradiating the laser beam 20, the flexible substrate 10 is peeled from the support substrate 18, but in this embodiment, a peeling prevention layer 19 that suppresses the amount of transmission of the laser beam 20 to the flexible substrate 10 is formed. Has been. Thereby, in the area | region in which the peeling prevention layer 19 is formed, the laser beam 20 is substantially reflected or absorbed. On the other hand, as shown in FIG. 3B, the interface between the support substrate 18 and the flexible substrate 10 in the region where the peeling prevention layer 19 is not formed is altered by absorbing the laser light 20, and the bonding strength is reduced. To do. And the gap | interval 11a arises in the said interface. As a result, even when the laser beam 20 is irradiated over the entire lower surface of the support substrate 18, only the region corresponding to the region where the peeling prevention layer 19 is not formed in the flexible substrate 10 is selectively supported. Is peeled off.

なお、図３（ｂ）に示すように、フレキシブル基板１０と支持基板１８との界面だけでなく、第１バリア層１２における支持基板１８との界面においても変質が起こり、それに伴って間隙１２ａが生じ得る。
ここで、「フレキシブル基板１０における剥離防止層１９が形成されていない領域に対応する領域が支持基板１８から剥離される」とは、フレキシブル基板１０における剥離防止層１９が形成されていない領域に対応する領域と支持基板１８との界面での接合力が低下することを指す。一方、フレキシブル基板１０における剥離防止層１９が形成されている領域に対応する領域と支持基板１８との界面では、剥離防止層１９が形成されていることにより、接合力は低下していない。したがって、剥離工程後の支持基板１８の上方には、剥離防止層１９と剥離防止層１９が形成されている領域に対応するフレキシブル基板１０とが接合した状態で残存している。すなわち、剥離防止層１９が形成されている領域においては、フレキシブル基板１０は支持基板１８から分離していない（フレキシブル基板１０と支持基板１８との界面では間隙は発生していない）。このように、剥離工程が終了した段階では、フレキシブル基板１０全体で見た場合には、フレキシブル基板１０は支持基板１８から分離していない。 As shown in FIG. 3B, the alteration occurs not only at the interface between the flexible substrate 10 and the support substrate 18, but also at the interface between the first barrier layer 12 and the support substrate 18, and the gap 12a is accordingly generated. Can occur.
Here, “the region corresponding to the region where the peeling prevention layer 19 is not formed on the flexible substrate 10 is peeled from the support substrate 18” corresponds to the region where the peeling prevention layer 19 is not formed on the flexible substrate 10. This means that the bonding force at the interface between the region to be supported and the support substrate 18 is reduced. On the other hand, at the interface between the support substrate 18 and the region corresponding to the region where the peeling prevention layer 19 is formed in the flexible substrate 10, the bonding force is not reduced because the peeling prevention layer 19 is formed. Therefore, the peeling prevention layer 19 and the flexible substrate 10 corresponding to the region where the peeling prevention layer 19 is formed remain above the support substrate 18 after the peeling step. That is, in the region where the peeling prevention layer 19 is formed, the flexible substrate 10 is not separated from the support substrate 18 (no gap is generated at the interface between the flexible substrate 10 and the support substrate 18). Thus, when the peeling process is completed, the flexible substrate 10 is not separated from the support substrate 18 when viewed from the entire flexible substrate 10.

また、レーザー光２０を吸収することによるフレキシブル基板１０の変質とは、主にアブレーションを指している。アブレーションとは、照射光を吸収した材料が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、フレキシブル基板１０の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、相変化によってフレキシブル基板１０の構成材料が微小な発泡状態となり、接合力が低下することもある。 The alteration of the flexible substrate 10 by absorbing the laser light 20 mainly refers to ablation. Ablation means that a material that absorbs irradiated light is photochemically or thermally excited, and its surface or internal atoms or molecules are disconnected and released, and is mainly composed of the constituent material of the flexible substrate 10. All or part of it appears as a phenomenon that causes phase changes such as melting and transpiration (vaporization). In addition, the constituent material of the flexible substrate 10 may be in a fine foamed state due to the phase change, and the bonding force may be reduced.

使用するレーザー光２０の波長は、フレキシブル基板１０における支持基板１８との界面付近の領域を変質させるものである必要がある。フレキシブルフィルム１１の材料として上記で列記したようなものを用いる場合、使用するレーザー光２０の波長は、例えば約１７０［ｎｍ］以上６００［ｎｍ］以下である。使用するレーザー光２０の波長に応じて、剥離防止層１９の材質を決定することになる。このような波長のレーザー光２０としては、例えば、エキシマレーザーに代表されるガスレーザー、ＹＡＧレーザーに代表される固体レーザー、色素レーザーに代表される液体レーザー、半導体レーザー（レーザーダイオード）、自由電子レーザー、化学レーザー、金属蒸気レーザー等が挙げられる。 The wavelength of the laser beam 20 to be used needs to change the region near the interface with the support substrate 18 in the flexible substrate 10. When the materials listed above are used as the material of the flexible film 11, the wavelength of the laser light 20 to be used is, for example, about 170 [nm] or more and 600 [nm] or less. The material of the peeling prevention layer 19 is determined according to the wavelength of the laser beam 20 to be used. Examples of the laser light 20 having such a wavelength include a gas laser typified by an excimer laser, a solid-state laser typified by a YAG laser, a liquid laser typified by a dye laser, a semiconductor laser (laser diode), and a free electron laser. , Chemical laser, metal vapor laser and the like.

なお、フレキシブルデバイスとして使用されない領域のフレキシブル基板までも、支持基板から剥離されてしまうという問題に対しては、支持基板から剥離させたい領域のみにレーザー光を照射することで解決を図ることも可能である。しかしながら、支持基板から剥離させたい領域のみを選択的にレーザー光を照射しようとすると、複数回走査する等の作業が必要となり、非常に効率が悪いという問題がある。本実施の態様のように多面取りを行う場合、多数のデバイスがフレキシブル基板上に形成される結果、各デバイス毎にレーザー光を照射する必要が生じ、特に効率が悪い。 In addition, it is possible to solve the problem that even a flexible substrate in a region not used as a flexible device is peeled off from the support substrate by irradiating only the region to be peeled off from the support substrate with laser light. It is. However, if it is intended to selectively irradiate only the region desired to be peeled off from the support substrate, there is a problem that the operation such as scanning a plurality of times is required and the efficiency is very low. When multi-chamfering is performed as in the present embodiment, a large number of devices are formed on the flexible substrate. As a result, it is necessary to irradiate each device with laser light, which is particularly inefficient.

また、支持基板から剥離させる必要のない領域に開口が設けられた金属マスク等を支持基板の下面に装着するという方法も考えられる。しかし、この方法を採った場合、剥離が発生する界面（フレキシブル基板と支持基板との界面）と、金属マスクとが厚み方向（Ｚ軸方向）に離間することになる。そのため、剥離が発生する界面と金属マスクとの間でレーザー光の屈折や散乱が発生することにより、剥離させる領域とさせない領域との境目がぼけるおそれがある。この問題は、フレキシブル基板上にフレキシブルデバイスが高密度に形成され、剥離させる領域とさせない領域とを精度よく作り分ける必要がある場合に、より深刻なものとなる。 Another possible method is to attach a metal mask or the like having an opening in a region that does not need to be peeled from the support substrate to the lower surface of the support substrate. However, when this method is adopted, the interface where the peeling occurs (interface between the flexible substrate and the support substrate) and the metal mask are separated in the thickness direction (Z-axis direction). For this reason, the refraction or scattering of laser light occurs between the interface where peeling occurs and the metal mask, which may blur the boundary between the area to be peeled and the area not to be peeled. This problem becomes more serious when flexible devices are formed with high density on a flexible substrate and it is necessary to accurately create a region to be peeled and a region not to be peeled off.

一方、本実施の態様に係る方法では、金属または金属酸化物を含む膜を成膜するだけで、レーザー光の透過を抑制する剥離防止層１９を形成することができるため、簡便である。また、剥離が発生する界面と剥離防止層１９とが同一面となるため、金属マスク等を用いる方法と比較して、レーザー光の屈折や散乱によるぼけの影響を小さくできる。
＜切断工程＞
次に、支持基板１８から剥離されたフレキシブル基板１０を、電子素子形成領域（Ａ）を除く領域（Ｂ）で切断する（図３（ｃ））。これにより、図３（ｄ）に示すように、フレキシブルデバイス１００として用いられる領域に対応するフレキシブル基板１０のみが切り出される。本実施の態様のように多面取りを行う場合には、切断工程により、支持基板１８から剥離されたフレキシブル基板１０を、一の電子素子１３が形成されたフレキシブル基板１０に個片化する。 On the other hand, the method according to this embodiment is simple because the peeling prevention layer 19 that suppresses the transmission of laser light can be formed simply by forming a film containing a metal or metal oxide. In addition, since the interface where peeling occurs and the peeling preventing layer 19 are on the same plane, the influence of blur due to laser light refraction or scattering can be reduced as compared with a method using a metal mask or the like.
<Cutting process>
Next, the flexible substrate 10 peeled from the support substrate 18 is cut in a region (B) excluding the electronic element formation region (A) (FIG. 3C). Thereby, as shown in FIG.3 (d), only the flexible substrate 10 corresponding to the area | region used as the flexible device 100 is cut out. When performing multiple chamfering as in this embodiment, the flexible substrate 10 peeled from the support substrate 18 is separated into the flexible substrate 10 on which one electronic element 13 is formed by a cutting process.

本実施の態様においては、フレキシブル基板１０を切断する手段として切断用レーザー光２１を用いているが、使用する切断用レーザー光２１の波長は、特に限定されるものではない。フレキシブルフィルム１１および第１および第２バリア層１２，１６の材料として、上述したようなものを用いた場合、使用することが可能な切断用レーザー光２１の波長は、例えば約１７０［ｎｍ］以上１０．６［μｍ］以下である。 In the present embodiment, the cutting laser beam 21 is used as a means for cutting the flexible substrate 10, but the wavelength of the cutting laser beam 21 to be used is not particularly limited. When the above-described materials are used for the flexible film 11 and the first and second barrier layers 12 and 16, the wavelength of the cutting laser beam 21 that can be used is, for example, about 170 [nm] or more. 10.6 [μm] or less.

フレキシブル基板１０を切断する際、支持基板１８における上方および下方のどちら側から切断用レーザー光２１を照射することしてもよいが、支持基板１８の上方側、すなわち、電子素子１３が形成された側から切断用レーザー光２１を照射することが望ましい。電子素子１３が形成された側から切断用レーザーを照射することで、支持基板１８を切断することなく、かつ、支持基板１８への損傷を低減しつつ、フレキシブル基板１０を切断することができる。これにより、支持基板１８を再利用することが可能となり、その結果、製造コストの削減につながる。一方、支持基板１８における下面側から切断用レーザー光２１を照射する場合、支持基板１８もろともフレキシブル基板１０を切断することになる。 When cutting the flexible substrate 10, the cutting laser beam 21 may be irradiated from either the upper side or the lower side of the support substrate 18, but the upper side of the support substrate 18, that is, the side on which the electronic element 13 is formed. It is desirable to irradiate the laser beam 21 for cutting. By irradiating the cutting laser from the side where the electronic element 13 is formed, the flexible substrate 10 can be cut without cutting the support substrate 18 and reducing damage to the support substrate 18. As a result, the support substrate 18 can be reused, resulting in a reduction in manufacturing cost. On the other hand, when the cutting laser beam 21 is irradiated from the lower surface side of the support substrate 18, the flexible substrate 10 is cut together with the support substrate 18.

また、切断用レーザー光２１を照射する位置は、電子素子形成領域（Ａ）を除く領域（Ｂ）であれば特に限定されるものではないが、フレキシブル基板１０における剥離防止層１９と重なる領域に切断用レーザー光２１を照射することが望ましい。このようにすることで、
剥離防止層１９により切断用レーザー光２１の支持基板１８への透過量を抑制することができ、切断用レーザー光２１による支持基板１８の損傷を低減することが可能である。支持基板１８の損傷を低減することで、上述したように支持基板１８を再利用することが可能となる。さらに、図３（ｃ）に示しているように、剥離防止層１９の端部付近に切断用レーザー光２１を照射するようにすることがより望ましい。このようにすることで、支持基板１８への損傷を低減しつつ、完成品としてのフレキシブルデバイス１００に剥離防止層１９が残存しないようにすることができる。 Further, the position of irradiation with the cutting laser beam 21 is not particularly limited as long as it is a region (B) excluding the electronic element formation region (A), but in the region overlapping with the peeling prevention layer 19 in the flexible substrate 10. It is desirable to irradiate the cutting laser beam 21. By doing this,
The amount of permeation of the cutting laser beam 21 to the support substrate 18 can be suppressed by the peeling prevention layer 19, and damage to the support substrate 18 by the cutting laser beam 21 can be reduced. By reducing damage to the support substrate 18, the support substrate 18 can be reused as described above. Furthermore, as shown in FIG. 3C, it is more desirable to irradiate the cutting laser beam 21 near the end portion of the peeling prevention layer 19. By doing in this way, it can prevent that the peeling prevention layer 19 does not remain in the flexible device 100 as a finished product, reducing the damage to the support substrate 18. FIG.

さらに、本実施の態様においては、フレキシブル基板１０を切断する際に第１および第２バリア層１２，１６ごと切断することとしているが、これに限定されるものではない。第１および第２バリア層１２，１６の切断により当該各層に発生するクラックが原因で当該各層の封止性を低下させるおそれがある場合は、切断領域に相当する第１および第２バリア層１２，１６を予め取り除いておくこととしてもよい。 Furthermore, in the present embodiment, the first and second barrier layers 12 and 16 are cut when the flexible substrate 10 is cut, but the present invention is not limited to this. When there is a possibility that the sealing performance of each layer may be reduced due to cracks generated in the respective layers due to the cutting of the first and second barrier layers 12 and 16, the first and second barrier layers 12 corresponding to the cutting regions are used. 16 may be removed in advance.

＜最終工程＞
最後に、個片化されたフレキシブル基板１０を支持基板１８から分離することで、本実施形態に係るフレキシブルデバイス１００が完成する（図３（ｄ））。上述したように、フレキシブルフィルム１１が塗布形成されてなるものであるため、個片化されたフレキシブルデバイス１００をスライドさせるだけで、フレキシブル基板１０を支持基板１８から分離することができる。したがって、フレキシブルデバイス１００に加重をかけることなく、フレキシブル基板１０を支持基板１８から分離させることが可能である。 <Final process>
Finally, the flexible substrate 10 separated into pieces is separated from the support substrate 18 to complete the flexible device 100 according to the present embodiment (FIG. 3D). As described above, since the flexible film 11 is formed by coating, the flexible substrate 10 can be separated from the support substrate 18 simply by sliding the flexible device 100 that has been separated into pieces. Therefore, the flexible substrate 10 can be separated from the support substrate 18 without applying a load to the flexible device 100.

また、本実施の態様においては、支持基板１８の下面側全体にレーザー光２０を照射しているため、支持基板１８上に形成されているフレキシブルデバイス１００を全て同時に支持基板１８から分離させることが可能である。
＜その他＞
切断工程終了後、さらに、支持基板１８の上方に残存したフレキシブル基板１０および第２バリア層１６の残渣を除去する工程を行うこととしてもよい。本工程を行うことで、支持基板１８上に剥離防止層１９のみが形成された状態に戻すことができる。したがって、支持基板１８および剥離防止層１９を再利用することが可能である。 In the present embodiment, since the entire lower surface side of the support substrate 18 is irradiated with the laser light 20, all the flexible devices 100 formed on the support substrate 18 can be separated from the support substrate 18 at the same time. Is possible.
<Others>
It is good also as performing the process of removing the residue of the flexible substrate 10 and the 2nd barrier layer 16 which remain | survived above the support substrate 18 after completion | finish of a cutting process. By performing this step, it is possible to return to the state where only the peeling prevention layer 19 is formed on the support substrate 18. Therefore, the support substrate 18 and the peeling prevention layer 19 can be reused.

また、剥離防止層１９が損傷している場合には、フレキシブル基板１０および第２バリア層１６の残渣を除去する際に剥離防止層１９も一緒に除去することとしてもよい。この場合には、エッチングまたは洗浄で比較的容易に除去することが可能な材料で剥離防止層１９を構成することが望ましい。
支持基板１８および剥離防止層１９は、フレキシブルデバイス１００を製造する毎に交換する（支持基板１８および剥離防止層１９を再利用しない）こととしてもよいし、フレキシブルデバイス１００を所定回数製造するごとに交換する（支持基板１８および剥離防止層１９を再利用する）こととしてもよい。 Moreover, when the peeling prevention layer 19 is damaged, when removing the residue of the flexible substrate 10 and the 2nd barrier layer 16, it is good also as removing the peeling prevention layer 19 together. In this case, it is desirable that the peeling prevention layer 19 is made of a material that can be removed relatively easily by etching or cleaning.
The support substrate 18 and the peel prevention layer 19 may be replaced every time the flexible device 100 is manufactured (the support substrate 18 and the peel prevention layer 19 are not reused), or each time the flexible device 100 is manufactured a predetermined number of times. It is good also as replacing | exchanging (reusing the support substrate 18 and the peeling prevention layer 19).

［剥離防止層１９の効果の検証］
本発明者は、剥離防止層がフレキシブル基板へのレーザー光の透過量を抑制する効果を具備していることを確認する実験を行った。
図４は、実験に用いた支持基板とフレキシブル基板とからなる積層体の構造と、剥離実験の結果を示す表である。 [Verification of effect of peeling prevention layer 19]
The inventor conducted an experiment to confirm that the peeling prevention layer has an effect of suppressing the amount of laser light transmitted to the flexible substrate.
FIG. 4 is a table showing the structure of the laminate composed of the support substrate and the flexible substrate used in the experiment and the results of the peeling experiment.

図４に示すように、実験に用いた積層体は３種である。ｅｎｔｒｙ１〜３は比較例であり、支持基板１８の上に直接フレキシブルフィルム１１が形成された構造、すなわち、剥離防止層を有しない構造である。ｅｎｔｒｙ４〜７は、支持基板１８の上に剥離防止層１９を介してフレキシブルフィルム１１が形成された構造である。ｅｎｔｒｙ４，５では、剥離防止層１９としてモリブデン（Ｍｏ）膜を用い、ｅｎｔｒｙ６，７では、タングステン（Ｗ）膜を用いた。支持基板１８としては、厚さ０．７［ｍｍ］の無アルカリガラスを用いた。剥離防止層１９については、モリブデン膜およびタングステン膜ともに厚さは７５［ｎｍ］とした。 As shown in FIG. 4, there are three types of laminates used in the experiment. The entries 1 to 3 are comparative examples, and have a structure in which the flexible film 11 is formed directly on the support substrate 18, that is, a structure having no peeling prevention layer. The entries 4 to 7 have a structure in which the flexible film 11 is formed on the support substrate 18 via the peeling prevention layer 19. In entries 4 and 5, a molybdenum (Mo) film was used as the peeling prevention layer 19, and in entries 6 and 7, a tungsten (W) film was used. As the support substrate 18, alkali-free glass having a thickness of 0.7 [mm] was used. Regarding the peeling prevention layer 19, the thickness of both the molybdenum film and the tungsten film was set to 75 [nm].

当該実験では、レーザー光としてＸｅＣｌエキシマレーザー光を使用した。ＸｅＣｌエキシマレーザー光の出射波長は約３０８［ｎｍ］である。実験用積層体の移動速度は２５［ｍｍ／ｓ］とした。図４に示す表に記載している各エネルギー密度［ｍＪ／ｃｍ²］になるように実験用積層体にレーザー光を照射した。その後、ｅｎｔｒｙ１〜３では支持基板１８とフレキシブルフィルム１１との界面付近における剥離の有無を、ｅｎｔｒｙ４〜７では剥離防止層１９とフレキシブルフィルム１１との界面付近における剥離の有無を調べた。フレキシブルフィルム１１を剥離したときの最大剥離強度が０〜０．０５［Ｎ／ｃｍ］となる場合を「剥離した」とし、０．０５［Ｎ／ｃｍ］以上となる場合を「剥離せず」とした。 In this experiment, XeCl excimer laser light was used as the laser light. The emission wavelength of the XeCl excimer laser light is about 308 [nm]. The moving speed of the experimental laminate was set to 25 [mm / s]. The experimental laminate was irradiated with laser light so as to have each energy density [mJ / cm ² ] described in the table shown in FIG. Thereafter, in entries 1 to 3, the presence or absence of peeling near the interface between the support substrate 18 and the flexible film 11 was examined, and in entries 4 to 7 the presence or absence of peeling near the interface between the peeling prevention layer 19 and the flexible film 11 was examined. The case where the maximum peel strength when peeling the flexible film 11 is 0 to 0.05 [N / cm] is “peeled”, and the case where it is 0.05 [N / cm] or more is “no peel” It was.

実験結果を説明する前に、実験に用いた無アルカリガラスの透過率について説明する。図５は、実験に用いた無アルカリガラスの各波長における透過率を示す図である。図５に示すように、３０８［ｎｍ］近傍においては、支持基板１８の透過率は約７０［％］であり、支持基板１８においてはＸｅＣｌエキシマレーザー光の吸収および反射が略起きていないことを確認した。 Before describing the experimental results, the transmittance of the alkali-free glass used in the experiments will be described. FIG. 5 is a diagram showing the transmittance at each wavelength of the alkali-free glass used in the experiment. As shown in FIG. 5, in the vicinity of 308 [nm], the transmittance of the support substrate 18 is about 70 [%], and the support substrate 18 shows that absorption and reflection of XeCl excimer laser light are not substantially occurring. confirmed.

図４に示すように、比較例に係るｅｎｔｒｙ１〜３においては、エネルギー密度が１５８［ｍＪ／ｃｍ²］であれば、フレキシブルフィルム１１が剥離されることが分かった。一方、ｅｎｔｒｙ４およびｅｎｔｒｙ６のように剥離防止層１９を設けた場合、剥離防止層１９を有しない場合に剥離が起きるようなエネルギー密度（１６７［ｍＪ／ｃｍ²］）のレーザー光を照射しても、剥離が起きないことが分かった。エネルギー密度を２４０［ｍＪ／ｃｍ²］まで上昇させると、剥離防止層１９を設けた場合であっても剥離が生じた。なお、レーザー光の繰り返し周波数については、２５［Ｈｚ］および５０［Ｈｚ］の２種で実験を実施したが、図４の表における「剥離した」、「剥離せず」の結果は変わらなかった。 As shown in FIG. 4, in entries 1 to 3 according to the comparative example, it was found that the flexible film 11 is peeled off when the energy density is 158 [mJ / cm ² ]. On the other hand, when the peeling prevention layer 19 is provided as in entry 4 and entry 6, even if laser light having an energy density (167 [mJ / cm ² ]) that causes peeling when the peeling prevention layer 19 is not provided is irradiated. It was found that no peeling occurred. When the energy density was increased to 240 [mJ / cm ² ], peeling occurred even when the peeling preventing layer 19 was provided. In addition, about the repetition frequency of a laser beam, experiment was implemented by 2 types, 25 [Hz] and 50 [Hz], but the result of "peeling" in the table of Drawing 4 and "not exfoliating" did not change. .

ここで、図４に示した結果によれば、エネルギー密度を２４０［ｍＪ／ｃｍ²］とした場合に剥離が起きている。しかしながら、２４０［ｍＪ／ｃｍ²］といった高いエネルギー密度とするのは、フレキシブルフィルム１１の損傷や、過剰なエネルギー密度を原因とする温度上昇による電子素子１３の損傷等を生じるおそれがあるため、望ましくない。望ましいエネルギー密度は、例えば、約１５８〜１６７［ｍＪ／ｃｍ²］程度である。すなわち、ｅｎｔｒｙ４〜７のうちｅｎｔｒｙ４，６が本実施の態様に相当し、ｅｎｔｒｙ５，７は本実施の態様に相当しない。 Here, according to the results shown in FIG. 4, peeling occurs when the energy density is 240 [mJ / cm ² ]. However, a high energy density of 240 [mJ / cm ² ] is desirable because it may cause damage to the flexible film 11, damage to the electronic element 13 due to temperature rise caused by excessive energy density, and the like. Absent. The desirable energy density is, for example, about 158 to 167 [mJ / cm ² ]. That is, of the entries 4 to 7, entries 4 and 6 correspond to this embodiment, and entries 5 and 7 do not correspond to this embodiment.

上述したように、支持基板１８においてはレーザー光の吸収および反射が略起きていない。したがって、剥離防止層１９によりレーザー光が吸収または反射されることで、レーザー光の殆どは剥離防止層１９とフレキシブルフィルム１１との界面に到達していないと推察される。
ここで、剥離防止層１９からのフレキシブルフィルム１１の剥離は、以下のような機構で起こるものと推察される。まず、レーザー光が剥離防止層１９に吸収された後、吸収されたレーザー光が熱に変換される。そして、変換された熱がフレキシブルフィルム１１に供与されることにより、フレキシブルフィルム１１が変質し、剥離防止層１９から剥離すると考えられる。つまり、フレキシブルフィルム１１にレーザー光が直接照射されることにより変質が生じているのではないと考えられる。 As described above, the support substrate 18 does not substantially absorb and reflect the laser beam. Therefore, it is assumed that most of the laser light does not reach the interface between the peeling prevention layer 19 and the flexible film 11 by absorbing or reflecting the laser light by the peeling prevention layer 19.
Here, it is surmised that peeling of the flexible film 11 from the peeling prevention layer 19 occurs by the following mechanism. First, after the laser light is absorbed by the peeling prevention layer 19, the absorbed laser light is converted into heat. The converted heat is supplied to the flexible film 11 so that the flexible film 11 is altered and peeled off from the peeling preventing layer 19. That is, it is considered that the alteration is not caused by direct irradiation of the flexible film 11 with laser light.

この想定される機構に鑑みれば、（１）剥離防止層１９がレーザー光の殆どを反射する性質を有する場合、または、（２）レーザー光を吸収する性質を有している場合であって、熱変換により発生した熱がフレキシブルフィルム１１を変質させる程の量でない場合、のいずれかを満たすことで、フレキシブルフィルム１１が支持基板１８（剥離防止層１９）から剥離することを防止することが可能である。但し、（２）の性質については、エネルギー密度が上述した望ましい範囲内であれば、「レーザー光の殆どを吸収する場合」と言い換えることができる。 In view of this assumed mechanism, (1) when the peeling prevention layer 19 has the property of reflecting most of the laser light, or (2) when it has the property of absorbing the laser light, When the amount of heat generated by heat conversion is not an amount that changes the quality of the flexible film 11, it is possible to prevent the flexible film 11 from being peeled off from the support substrate 18 (peeling prevention layer 19) by satisfying any one of them. It is. However, the property (2) can be rephrased as “when absorbing most of the laser light” if the energy density is within the above-described desirable range.

すなわち、剥離防止層１９は、（１）剥離用光の殆どを反射する性質、または、（２）剥離用光の殆どを吸収する性質のいずれかを有していることが必要である。これは、「剥離防止層が剥離用光を実質的に反射または吸収する」ことと対応する。
剥離防止層１９の構成の一例としてのモリブデン膜（厚さ７５［ｎｍ］）の透過率および反射率を図６に示す。図６（ａ）は透過率［％］、（ｂ）は反射率［％］を示している。図６（ａ）に示すように、波長が３０８［ｎｍ］近傍の光に対する透過率は略０［％］である。一方、図６（ｂ）に示すように、この波長における反射率は約６５［％］である。すなわち、厚さ７５［ｎｍ］のモリブデン膜は、レーザー光の殆どを透過させずに反射させている。すなわち、剥離防止層１９として厚さ７５［ｎｍ］のモリブデン膜を用いた場合は、上述した（１）の性質を少なくとも有していることにより、フレキシブルフィルム１１の剥離を防止していることになる。 That is, the peeling prevention layer 19 needs to have either (1) the property of reflecting most of the peeling light or (2) the property of absorbing most of the peeling light. This corresponds to “the peeling preventing layer substantially reflects or absorbs the peeling light”.
FIG. 6 shows the transmittance and reflectance of a molybdenum film (thickness 75 [nm]) as an example of the configuration of the peeling prevention layer 19. 6A shows the transmittance [%], and FIG. 6B shows the reflectance [%]. As shown in FIG. 6A, the transmittance for light having a wavelength near 308 [nm] is approximately 0 [%]. On the other hand, as shown in FIG. 6B, the reflectance at this wavelength is about 65 [%]. That is, the molybdenum film having a thickness of 75 [nm] reflects most of the laser light without transmitting. That is, when a 75 nm thick molybdenum film is used as the peeling prevention layer 19, the peeling of the flexible film 11 is prevented by having at least the property (1) described above. Become.

≪実施の態様２≫
図７、図８は、実施の態様２に係るフレキシブルデバイス１００の製造方法を示す模式図である。本実施の態様に係るフレキシブルデバイス１００の製造方法では、実施の態様１における剥離防止層形成サブ工程とフレキシブル基板形成サブ工程との間に、さらに、剥離層形成サブ工程を含む点が異なる。以下、本実施の態様について、実施の態様１と異なる点を中心に説明する。また、図７、図８において、実施の態様１におけるものと同様の構成には同符号を付している。 << Embodiment 2 >>
7 and 8 are schematic views showing a method for manufacturing the flexible device 100 according to the second embodiment. The manufacturing method of the flexible device 100 according to this embodiment is different in that a peeling layer forming sub-process is further included between the peeling preventing layer forming sub-process and the flexible substrate forming sub-process in the first embodiment. Hereinafter, this embodiment will be described focusing on differences from the first embodiment. 7 and 8, the same reference numerals are given to the same components as those in the first embodiment.

図７（ａ）は剥離防止層形成サブ工程を示しており、実施の態様１と同様である。図７（ｂ）に示す剥離層形成サブ工程では、剥離防止層１９が形成された支持基板１８の上面に剥離層２４を形成する。
剥離層２４は、剥離用光が照射されることで層内または界面にて変質を生じる材料を含む層である。剥離層２４は、電子素子を形成するまでの間における支持基板１８とフレキシブル基板１０とを固定する機能、支持基板１８からフレキシブル基板１０を剥離する際における両者間の剥離を容易にする機能を有する。剥離層内または剥離層の界面における変質とは、主に、上述したアブレーションのことである。 FIG. 7A shows a peeling prevention layer forming sub-step, which is the same as in the first embodiment. In the peeling layer forming sub-process shown in FIG. 7B, the peeling layer 24 is formed on the upper surface of the support substrate 18 on which the peeling preventing layer 19 is formed.
The release layer 24 is a layer that includes a material that is altered in the layer or at the interface when irradiated with release light. The peeling layer 24 has a function of fixing the support substrate 18 and the flexible substrate 10 until the electronic element is formed, and a function of facilitating peeling between the two when the flexible substrate 10 is peeled from the support substrate 18. . The alteration in the release layer or at the interface of the release layer is mainly the ablation described above.

剥離層２４を構成する材料としては、例えば、アモルファスシリコン、ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｏ₂等の酸化ケイ素、Ｋ₂ＳｉＯ₃，Ｌｉ₂ＳｉＯ₃，ＣａＳｉＯ₃，ＺｒＳｉＯ₄，Ｎａ₂ＳｉＯ₃等のケイ酸化合物、ＴｉＯ，Ｔｉ₂０₃，Ｔｉ０₂等の酸化チタン、ＢａＴｉ０₄，ＢａＴｉＯ₃，Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀，ＢａＴｉ₅Ｏ₁₁，ＣａＴｉＯ₃，ＳｒＴｉＯ₃，ＰｂＴｉＯ₃，ＭｇＴｉＯ₃，ＺｒＴｉＯ₂，ＳｎＴｉＯ₄，Ａｌ₂ＴｉＯ₅，ＦｅＴｉＯ₃等のチタン酸化合物、ＺｒＯ₂等の酸化ジルコニウム、ＢａＺｒＯ₃，ＺｒＳｉＯ₄，ＰｂＺｒＯ₃，ＭｇＺｒＯ₃，Ｋ₂ＺｒＯ₃等のジルコン酸化合物、ＰＺＴ，ＰＬＺＴ，ＰＬＬＺＴ，ＰＢＺＴ等のセラミックスあるいは誘電体（強誘電体）、ポリエチレン，ポリプロピレンのようなポリオレフィン，ポリイミド，ポリアミド，ポリエステル，ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），エポキシ樹脂等の高分子材料（芳香族炭化水素を有するものであってもよい。）、Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍ等の金属またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金等が挙げられる。 Examples of the material constituting the release layer 24 include amorphous silicon, silicon oxide such as SiO, SiO ₂ , and Si ₃ O ₂ , K ₂ SiO ₃ , Li ₂ SiO ₃ , CaSiO ₃ , ZrSiO ₄ , and Na ₂ SiO _3. silicic acid _{_{compounds, TiO, Ti 2 0 3,}} Ti0 2 and the like titanium _{_{oxide, BaTi0 4, BaTiO 3, Ba}} 2 Ti 9 O 20, BaTi 5 O 11, CaTiO 3, SrTiO 3, PbTiO 3, MgTiO 3, ZrTiO ₂ , titanic acid compounds such as SnTiO ₄ , Al ₂ TiO ₅ , FeTiO ₃ , zirconium oxides such as ZrO ₂ , zirconic acid compounds such as BaZrO ₃ , ZrSiO ₄ , PbZrO ₃ , MgZrO ₃ , K ₂ ZrO ₃ , PZT, PLZT , PLLZT, PBZT and other ceramics or dielectric (ferroelectric), polyethylene, polypropylene Such polymer materials (having aromatic hydrocarbons) such as polyolefin, polyimide, polyamide, polyester, polymethyl methacrylate (PMMA), polyphenylene sulfide (PPS), polyethersulfone (PES), and epoxy resin. ), Metals such as Al, Li, Ti, Mn, In, Sn, Y, La, Ce, Nd, Pr, Gd, and Sm, or alloys containing at least one of them.

剥離層２４の厚さは、構成する材料や形成方法等によって異なるが、例えば、１［ｎｍ］以上２０［μｍ］以下程度であるのが好ましく、１０［ｎｍ］以上２［μｍ］以下程度であるのがより好ましく、４０［ｎｍ］以上１［μｍ］以下程度であるのがさらに好ましい。剥離層２４の膜厚が薄すぎると、剥離層２４の膜内の均一性が損なわれるため、剥離層２４の変質にムラが生じるおそれがある。膜厚が厚すぎると、剥離層２４の変質を起こさせるための剥離用光の光量を大きくする必要があるとともに、後に剥離層２４を除去する際に、その作業に時間が余計にかかるといった問題がある。 The thickness of the release layer 24 varies depending on the material, the forming method, and the like. For example, the thickness is preferably about 1 [nm] to 20 [μm], and is preferably about 10 [nm] to 2 [μm]. More preferably, it is about 40 [nm] or more and 1 [μm] or less. If the thickness of the release layer 24 is too thin, the uniformity of the release layer 24 in the film is impaired, and thus there may be unevenness in the deterioration of the release layer 24. When the film thickness is too thick, it is necessary to increase the amount of light for peeling for causing the alteration of the peeling layer 24, and it takes time to remove the peeling layer 24 later. There is.

次に、剥離層２４の上面に、フレキシブルフィルム１１および第１バリア層１２を順に積層することで、フレキシブル基板１０を形成する（図７（ｃ））。このように、剥離層２４は、剥離防止層１９が形成された支持基板１８とフレキシブル基板１０との間に介挿されることになる。その後、電子素子１３、第２バリア層１６、封止基板１７を順に形成する（図７（ｄ））。 Next, the flexible substrate 10 is formed by sequentially laminating the flexible film 11 and the first barrier layer 12 on the upper surface of the release layer 24 (FIG. 7C). Thus, the peeling layer 24 is interposed between the support substrate 18 on which the peeling preventing layer 19 is formed and the flexible substrate 10. Thereafter, the electronic element 13, the second barrier layer 16, and the sealing substrate 17 are sequentially formed (FIG. 7D).

続いて、支持基板１８の下方側から剥離用光２０を照射する（図８（ａ））。使用する剥離用光２０の種類としては、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザー光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。
剥離用光２０を照射することで、例えば剥離層２４における支持基板１８との界面において変質が生じ、当該界面に間隙２４ａが形成される。 Subsequently, the peeling light 20 is irradiated from the lower side of the support substrate 18 (FIG. 8A). Examples of the type of peeling light 20 to be used include X-rays, ultraviolet rays, visible light, infrared rays (heat rays), laser beams, millimeter waves, microwaves, electron beams, radiation (α rays, β rays, γ rays) and the like. Is mentioned.
By irradiating the peeling light 20, for example, alteration occurs at the interface between the peeling layer 24 and the support substrate 18, and a gap 24 a is formed at the interface.

次に、支持基板１８から剥離されたフレキシブル基板１０を、電子素子形成領域（Ａ）を除く領域（Ｂ）で切断することにより（図８（ｃ））、一の電子素子１３が形成されたフレキシブル基板１０に個片化する（図８（ｄ））。そして、フレキシブル基板１０下面の不要になった剥離層２４を除去する。以上の工程によりフレキシブルデバイス１００が完成する。 Next, the flexible substrate 10 peeled from the support substrate 18 was cut in the region (B) excluding the electronic device formation region (A) (FIG. 8C), thereby forming one electronic device 13. The flexible substrate 10 is separated into individual pieces (FIG. 8D). And the peeling layer 24 which became unnecessary on the flexible substrate 10 lower surface is removed. The flexible device 100 is completed through the above steps.

本実施の態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法によっても、実施の態様１で説明した効果を得ることが可能である。
≪実施の態様３≫
実施の態様１，２においては、フレキシブルフィルム層としてのフレキシブルフィルム１１を塗布形成する例について説明した。本実施の態様では、フレキシブルフィルム層を可撓性の板状部材が貼付されてなるものとする例について説明する。 The effects described in Embodiment 1 can be obtained also by the method for manufacturing a flexible device according to this embodiment.
<< Embodiment 3 >>
In Embodiments 1 and 2, the example in which the flexible film 11 as the flexible film layer is applied and formed has been described. In the present embodiment, an example in which a flexible plate-like member is attached to the flexible film layer will be described.

可撓性の板状部材を貼付してフレキシブルフィルム層を形成する場合、当該可撓性の板状部材としては、実施の態様１におけるフレキシブルフィルム１１と同様の材料を含むものを用いることができる。可撓性の板状部材をフレキシブルフィルム層とする場合には、既存のフレキシブルフィルムを板状部材として用いることができる。その結果、フレキシブル基板の材料選択の幅が広がるため、フレキシブルデバイスの用途や性能に合った適切な材料のものを用いることができる。 In the case where a flexible film layer is formed by attaching a flexible plate-like member, the flexible plate-like member may be a material containing the same material as the flexible film 11 in Embodiment 1. . When using a flexible plate-like member as a flexible film layer, an existing flexible film can be used as the plate-like member. As a result, since the range of selection of the material for the flexible substrate is widened, an appropriate material suitable for the use and performance of the flexible device can be used.

図９は、可撓性の板状部材を貼付してフレキシブルフィルム層とする場合における、支持基板とフレキシブルフィルム層との接合方法について説明するための図である。
［第１例］
第１例としては、図９（ａ）に示すように、上方に剥離防止層１９が形成された支持基板１８に対し、フレキシブルフィルム層としての板状のフレキシブルフィルム２２をプレスして接合する。この方法の場合、剥離防止層１９が存在することによりフレキシブルフィルム２２に段差が生じる。しかしながら、上述したように剥離防止層１９の膜厚は１０〜１００［ｎｍ］程度と極薄い。また、剥離防止層１９は電子素子形成領域外に形成されるため、電子素子形成領域においての平坦性は確保することができる。したがって、当該段差が電子素子等の形成に影響するものではない。 FIG. 9 is a diagram for explaining a method of joining the support substrate and the flexible film layer when a flexible plate-like member is attached to form a flexible film layer.
[First example]
As a first example, as shown in FIG. 9 (a), a plate-like flexible film 22 as a flexible film layer is pressed and bonded to a support substrate 18 on which an anti-peeling layer 19 is formed. In the case of this method, a step is generated in the flexible film 22 due to the presence of the peeling prevention layer 19. However, as described above, the film thickness of the peeling prevention layer 19 is as thin as about 10 to 100 [nm]. Moreover, since the peeling prevention layer 19 is formed outside the electronic element formation region, flatness in the electronic element formation region can be ensured. Therefore, the step does not affect the formation of an electronic element or the like.

第１例の場合、フレキシブルフィルム２２を支持基板１８から剥離する際には、剥離用光として、例えばレーザー光を用いる。レーザー光を照射することで、フレキシブルフィルム２２における支持基板１８との界面が変質することにより、フレキシブルフィルム２２と支持基板１８との接合力が低下し、剥離が起こる。
［第２例］
第２例としては、図９（ｂ）に示すように、上方に剥離防止層１９が形成された支持基板１８上の全体に亘って粘着層２３を形成し、当該粘着層２３を介して板状のフレキシブルフィルム２２と支持基板１８とを接合する。粘着層２３は、支持基板１８とフレキシブルフィルム２２とを仮固定する機能のほか、剥離工程において剥離用光を照射されることで接合力が低下し、フレキシブルフィルム２２の支持基板１８からの剥離を容易にする機能を有する。粘着層２３は、例えば、シリコーン系粘着剤またはアクリル系粘着剤等を塗布する、ダイシングテープまたはバックグラインドテープ等を貼付することで形成することができる。 In the case of the first example, when the flexible film 22 is peeled from the support substrate 18, for example, laser light is used as the peeling light. By irradiating the laser beam, the interface between the flexible film 22 and the support substrate 18 is altered, so that the bonding force between the flexible film 22 and the support substrate 18 is reduced and peeling occurs.
[Second example]
As a second example, as shown in FIG. 9 (b), an adhesive layer 23 is formed over the entire support substrate 18 on which the peeling prevention layer 19 is formed, and the plate is interposed through the adhesive layer 23. The flexible film 22 and the support substrate 18 are joined. In addition to the function of temporarily fixing the support substrate 18 and the flexible film 22, the adhesive layer 23 decreases the bonding force when irradiated with the light for peeling in the peeling process, and peels the flexible film 22 from the support substrate 18. Has a function to facilitate. The adhesive layer 23 can be formed, for example, by applying a dicing tape, a back grind tape, or the like to which a silicone adhesive or an acrylic adhesive is applied.

粘着層２３としてシリコーン系粘着剤を用いる場合の剥離工程では、剥離用光としてレーザー光を用いることができる。一方、アクリル系粘着剤、ダイシングテープ、バックグラインドテープのように、紫外光を照射することにより接合力が低下するものを用いる場合は、剥離用光として紫外光を用いる。すなわち、支持基板１８と可撓性の板状部材とを粘着層２３により接合する場合は、粘着層２３の材質に応じて剥離用光を選択することになる。 In the peeling step in the case of using a silicone-based pressure-sensitive adhesive as the pressure-sensitive adhesive layer 23, laser light can be used as the light for peeling. On the other hand, when using a material whose bonding strength is reduced by irradiating ultraviolet light, such as an acrylic pressure-sensitive adhesive, dicing tape, and back grind tape, ultraviolet light is used as the peeling light. That is, when the support substrate 18 and the flexible plate-like member are joined by the adhesive layer 23, the light for peeling is selected according to the material of the adhesive layer 23.

第２例の場合、剥離防止層１９が存在することによるフレキシブルフィルム２２の段差は発生しない。したがって、膜厚が極薄い層を含む電子素子を形成する場合等であっても、電子素子形成領域の周縁部における段差の影響がない。
［第３例］
第２例では、支持基板１８上の全体に亘って粘着層２３を形成することとしたが、これに限定されるものではない。図９（ｃ）に示す第３例では、粘着層２３は支持基板１８上における剥離防止層１９が形成されていない領域に配されている。このように、少なくとも剥離防止層１９が形成されていない領域において、フレキシブルフィルム２２が粘着層２３により支持基板１８と接合されていればよい。 In the case of the second example, the step of the flexible film 22 due to the presence of the peeling prevention layer 19 does not occur. Therefore, even when an electronic element including a very thin layer is formed, there is no influence of a step at the peripheral edge of the electronic element formation region.
[Third example]
In the second example, the adhesive layer 23 is formed over the entire support substrate 18, but the present invention is not limited to this. In the third example shown in FIG. 9C, the adhesive layer 23 is disposed in a region on the support substrate 18 where the peeling prevention layer 19 is not formed. Thus, the flexible film 22 should just be joined with the support substrate 18 by the adhesion layer 23 in the area | region in which the peeling prevention layer 19 is not formed at least.

剥離工程で用いる剥離用光は、第２例の場合と同じである。また、第３例の場合も同様に、剥離防止層１９が存在することによるフレキシブルフィルム２２の段差は発生しない。
［その他］
剥離用光のフレキシブルフィルム１１への透過量を抑制する観点で言えば、支持基板１８の上に粘着層２３か剥離防止層１９のどちらを先に形成するか（どちらを下層とするか）は、特に限定されない。しかしながら、剥離防止層１９の再利用性の観点で言えば、図９（ｂ）に示すように支持基板１８の上に先に剥離防止層１９を形成し、その上に粘着層２３を形成することが望ましい。支持基板１８を再利用する場合、粘着層２３を除去することになるところ、仮に粘着層２３の上に剥離防止層１９を形成すると、粘着層２３と一緒に剥離防止層１９も除去されてしまうため、剥離防止層１９を再利用することができない。さらに、剥離工程で剥離用光を照射した際には、フレキシブルフィルム２２と粘着層２３と接合力だけでなく、支持基板１８と粘着層２３と接合力も低下する。そのため、剥離防止層１９が粘着層２３と一緒に支持基板１８から剥離されてしまうおそれがある。 The peeling light used in the peeling step is the same as in the second example. Similarly, in the case of the third example, the step of the flexible film 22 due to the presence of the peeling prevention layer 19 does not occur.
[Others]
From the viewpoint of suppressing the amount of peeling light transmitted to the flexible film 11, which of the adhesive layer 23 and the peeling prevention layer 19 is formed first on the support substrate 18 (which is the lower layer) is determined. There is no particular limitation. However, from the viewpoint of reusability of the peeling prevention layer 19, the peeling prevention layer 19 is first formed on the support substrate 18 as shown in FIG. 9B, and the adhesive layer 23 is formed thereon. It is desirable. When the support substrate 18 is reused, the adhesive layer 23 is removed. However, if the anti-peeling layer 19 is formed on the adhesive layer 23, the anti-peeling layer 19 is also removed together with the adhesive layer 23. Therefore, the peeling prevention layer 19 cannot be reused. Furthermore, when the peeling light is irradiated in the peeling step, not only the bonding force between the flexible film 22 and the adhesive layer 23 but also the bonding force between the support substrate 18 and the adhesive layer 23 is reduced. Therefore, the peeling prevention layer 19 may be peeled from the support substrate 18 together with the adhesive layer 23.

［変形例・その他］
以上、実施の態様１，２について説明したが、本発明は上記の実施の態様に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
（１）実施の態様１においては、多面取りを行う場合を例に挙げて説明したが、本発明は多面取りを行わない場合でも適用できるものである。多面取りでない場合でも本発明を適用することで、剥離用光を全面に照射したとしてもフレキシブル基板におけるフレキシブルデバイスとして使用されるのみを選択的に支持基板から剥離することができるという効果を得ることが可能である。 [Modifications / Others]
Although the first and second embodiments have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, the following modifications can be considered.
(1) In the first embodiment, the case where multi-chamfering is performed has been described as an example, but the present invention can be applied even when multi-chamfering is not performed. Even if it is not multi-faced, by applying the present invention, it is possible to selectively peel off from a support substrate only when used as a flexible device in a flexible substrate even if the entire surface is irradiated with peeling light. Is possible.

（２）実施の態様１における剥離工程では、支持基板１８の下面側から全体に亘ってレーザー光を照射し、形成された複数のフレキシブルデバイスを全て支持基板から分離させることとしたが、本発明はこれに限定されない。形成された複数のフレキシブルデバイスを個々に分離させることとしてもよい。この場合、正確にフレキシブルデバイスとして分離する領域のみにレーザー光を照射しなくとも、分離する領域よりも広範にレーザー光が照射されていれば、分離する領域のみを選択的に支持基板から分離させることが可能である。 (2) In the peeling step in the first embodiment, laser light is irradiated over the entire surface from the lower surface side of the support substrate 18 to separate all the formed flexible devices from the support substrate. Is not limited to this. A plurality of formed flexible devices may be separated individually. In this case, even if the laser beam is not irradiated to only the region to be accurately separated as the flexible device, only the region to be separated is selectively separated from the support substrate if the laser beam is irradiated more widely than the region to be separated. It is possible.

（３）実施の態様においては、電子素子形成領域および剥離防止層の平面視形状（ＸＹ平面形状）について特に言及しなかったが、これらの形状は特に限定されるものではない。図１０は、電子素子形成領域および剥離防止層の平面視形状の一例を示す図である。図１０の（Ｃ）で示す領域は、支持基板１８における、電子素子形成領域に対応する領域を示している。すなわち、領域（Ｃ）は、電子素子形成領域と同視できる。 (3) In the embodiment, no particular mention was made of the planar shape (XY planar shape) of the electronic element formation region and the peeling prevention layer, but these shapes are not particularly limited. FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a planar view shape of the electronic element formation region and the peeling prevention layer. A region indicated by (C) in FIG. 10 indicates a region corresponding to the electronic element formation region in the support substrate 18. That is, the region (C) can be regarded as the electronic element formation region.

電子素子形成領域の形状を、例えば図１０（ａ）に示す四角形状、図１０（ｂ）に示す六角形、図１０（ｃ）に示す円形状、図１０（ｄ）に示すネコ顔形状等とすることとしてもよい。図１０（ｂ）では六角形とする例を示したが、三角形、五角形、六角形以上の多角形とすることとしてもよい。また、図１０（ｄ）で示したネコのほか、イヌやウサギ等の動物、カブトムシやクワガタ、シャクトリムシ等の虫類やその幼虫、チューリップやヒマワリ等の植物の形状とすることとしてもよい。 The shape of the electronic element formation region is, for example, a quadrangular shape shown in FIG. 10A, a hexagon shown in FIG. 10B, a circular shape shown in FIG. 10C, a cat face shape shown in FIG. It is good also as doing. Although FIG. 10B shows an example of a hexagon, it may be a triangle, pentagon, or a polygon greater than a hexagon. In addition to the cat shown in FIG. 10 (d), the shape of animals such as dogs and rabbits, reptiles such as beetles, stag beetles and rhododendrons, larvae thereof, and plants such as tulips and sunflowers may be used.

（４）切断工程において支持基板とフレキシブル基板とが安定的に固定されていることが望ましい。そのため、上述した実施の態様および図１０では、剥離防止層が電子素子形成領域を完全に囲繞するように形成されている例を示した。しかしながら、本発明は、剥離防止層が電子素子形成領域を完全に囲繞しているものに限定されない。
図１１は、剥離防止層が電子素子形成領域を完全に囲繞しない場合の例を示す図である。図１１では、電子素子形成領域の平面視形状（ＸＹ平面形状）が四角形状である場合を例に挙げて説明する。ドットのハッチングで示している領域（Ｃ）は、支持基板１８における、電子素子形成領域に対応する領域であり、電子素子形成領域と同視できるものである。 (4) It is desirable that the support substrate and the flexible substrate are stably fixed in the cutting step. Therefore, in the above-described embodiment and FIG. 10, an example in which the peeling prevention layer is formed so as to completely surround the electronic element formation region is shown. However, the present invention is not limited to one in which the peeling prevention layer completely surrounds the electronic element formation region.
FIG. 11 is a diagram illustrating an example where the peeling prevention layer does not completely surround the electronic element formation region. In FIG. 11, the case where the planar view shape (XY planar shape) of the electronic element formation region is a square shape will be described as an example. A region (C) indicated by dot hatching is a region corresponding to the electronic element formation region in the support substrate 18 and can be regarded as the electronic element formation region.

図１１（ａ）に示すように、電子素子形成領域に対応する領域（Ｃ）の三辺を囲むように剥離防止層１９を形成することとしてもよい。さらに、図１１（ｂ）に示すように、領域（Ｃ）の二辺を囲むような形状としてもよい。このような構成であっても、切断工程において支持基板とフレキシブル基板とが固定されている状態とすることができる。なお、図１１（ｂ）においては、対向する二辺を囲むように、剥離防止層が形成されていることとしたが、隣り合う二辺を囲むように形成することとしてもよい。 As shown in FIG. 11A, the peeling prevention layer 19 may be formed so as to surround three sides of the region (C) corresponding to the electronic element formation region. Furthermore, as shown in FIG. 11B, a shape surrounding the two sides of the region (C) may be used. Even with such a configuration, the supporting substrate and the flexible substrate can be fixed in the cutting step. In FIG. 11B, the peeling prevention layer is formed so as to surround two opposite sides, but may be formed so as to surround two adjacent sides.

（５）実施の態様１では、剥離工程後に切断工程を行う例を示したが、これに限定されるものではなく、先に切断工程を行なってから剥離工程を実施することとしてもよい。しかしながら、実施の態様１で例示したように剥離工程後に切断工程を行った方が、より高品質なフレキシブルデバイスを製造することが可能である。先に切断工程を行なってから剥離工程を実施した場合、折角所定の寸法に切断したフレキシブル基板が、剥離工程において剥離用光を照射されることで熱膨張して寸法が変わったり、切断面で剥離用光が乱反射し、電子素子等に影響を与えたりするおそれがある。 (5) Although the example which performs a cutting process after a peeling process was shown in Embodiment 1, it is not limited to this, It is good also as implementing a peeling process after performing a cutting process previously. However, it is possible to manufacture a higher quality flexible device by performing the cutting step after the peeling step as exemplified in Embodiment 1. When the peeling process is performed after performing the cutting process first, the flexible substrate cut into the predetermined dimensions at the folding angle is thermally expanded by being irradiated with the light for peeling in the peeling process, and the dimensions change or There is a possibility that the peeling light is diffusely reflected and affects an electronic element or the like.

（６）実施の態様１においては、電子素子形成サブ工程に有機ＥＬ層形成工程およびＴＦＴ層形成工程が含まれることとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、これらの形成工程のいずれかを欠いている、もしくは、別の工程を含んでいることとしてもよい。
（７）実施の態様１において説明した有機ＥＬ素子の製造方法は、単なる一例であり、他の構成要素を形成する工程が含まれていてもよい。また、上記の実施の態様においては、図１における上方側（陰極側）から光を取り出すいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ素子の製造方法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。この他の方式としては、例えば、図１における下方側（陽極側）から光を取り出すボトムエミッション型、図１における上方側および下方側の両方から光を取り出す両面発光型がある。 (6) In Embodiment 1, the organic EL layer forming step and the TFT layer forming step are included in the electronic element forming sub-step, but the present invention is not limited to this. For example, any of these forming steps may be missing, or another step may be included.
(7) The method for manufacturing the organic EL element described in Embodiment 1 is merely an example, and a step of forming other components may be included. In the above embodiment, the method for manufacturing a so-called top emission type organic EL element in which light is extracted from the upper side (cathode side) in FIG. 1 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. . As other systems, for example, there are a bottom emission type in which light is extracted from the lower side (anode side) in FIG. 1 and a dual emission type in which light is extracted from both the upper side and the lower side in FIG.

ボトムエミッション型とする場合、第２バリア層および封止基板を透光性にする必要がない一方、第１バリア層およびフレキシブルフィルム（つまり、フレキシブル基板）を透光性にする必要がある。また、両面発光型とする場合、第１および第２バリア層、フレキシブルフィルムおよび封止基板の全てを透光性にする必要がある。
（８）実施の態様１で説明したフレキシブルデバイス１００は、第１バリア層１２、第２バリア層１６および封止基板１７を備えることとしたが、これらは本発明において必須の構成要件ではなく、これらの構成を含まないものとすることも可能である。これと同様に、フレキシブルデバイスの製造方法においても、これらの構成を形成する工程は必須のものではない。 In the case of the bottom emission type, the second barrier layer and the sealing substrate do not need to be translucent, while the first barrier layer and the flexible film (that is, the flexible substrate) need to be translucent. Moreover, when setting it as a double-sided light emission type | mold, it is necessary to make all the 1st and 2nd barrier layers, a flexible film, and a sealing substrate translucent.
(8) The flexible device 100 described in Embodiment 1 includes the first barrier layer 12, the second barrier layer 16, and the sealing substrate 17, but these are not essential constituent elements in the present invention. It is also possible not to include these configurations. Similarly, in the manufacturing method of a flexible device, the process of forming these structures is not essential.

（９）実施の態様１においては電子素子としてＴＦＴ層を含むものとしたが、ＴＦＴ層は必須の構成要件ではない。例えば、有機ＥＬ素子を照明として用いるような場合等、有機ＥＬ素子をアクティブマトリクス方式で動作させない場合等にはＴＦＴ層は不要である。
（１０）実施の態様１においてはフレキシブル基板を切断する手段としていわゆるレーザーカッターを用いた。レーザーカッターを用いる場合、波長を適切に選択することで、フレキシブル基板のみを選択的に切断することが可能であるため、剥離防止層や支持基板の再利用の観点からは望ましい。しかしながら、フレキシブル基板を切断する方法はレーザーカッターを用いる方法に限定されるものではなく、例えば、刃物タイプのカッターを用いる方法、打抜き加工、レーザー加工等を用いることも可能である。 (9) Although the TFT layer is included as the electronic element in the first embodiment, the TFT layer is not an essential constituent element. For example, the TFT layer is unnecessary when the organic EL element is not operated by an active matrix method, such as when the organic EL element is used as illumination.
(10) In Embodiment 1, a so-called laser cutter is used as means for cutting the flexible substrate. In the case of using a laser cutter, it is possible to selectively cut only the flexible substrate by appropriately selecting the wavelength, which is desirable from the viewpoint of reuse of the peeling prevention layer and the support substrate. However, the method of cutting the flexible substrate is not limited to the method using a laser cutter, and for example, a method using a cutter type cutter, a punching process, a laser process, or the like can be used.

（１１）本明細書における「ａからなるＡ」には、Ａがａのみを含有している場合だけでなく、製造工程において通常レベルで混入し得る程度に微量の不純物が混入している場合も含まれる。例えば、「樹脂材料からなるフレキシブルフィルム」には、フレキシブルフィルムが樹脂材料のみを含有している場合だけでなく、金属等の微量の不純物が混入している場合も含まれる。 (11) “A consisting of a” in the present specification includes not only a case where A contains only a, but also a case where a trace amount of impurities is mixed so that it can be mixed at a normal level in the manufacturing process. Is also included. For example, the “flexible film made of a resin material” includes not only the case where the flexible film contains only the resin material but also the case where a trace amount of impurities such as metal is mixed.

（１２）上記の実施の態様で使用している、材料、数値等は好ましい例を例示しているだけであり、この態様に限定されることはない。また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、各図面における部材の縮尺は実際のものとは異なる。なお、数値範囲を示す際に用いる符号「〜」は、その両端の数値を含む。 (12) The materials, numerical values, and the like used in the above-described embodiment only exemplify preferable examples, and are not limited to this embodiment. In addition, changes can be made as appropriate without departing from the scope of the technical idea of the present invention. Furthermore, the scale of the members in each drawing is different from the actual one. Note that the symbol “˜” used to indicate a numerical range includes numerical values at both ends.

本発明のフレキシブルデバイスの製造方法は、例えば、携帯型情報端末等に搭載されるディスプレイ等を構成するフレキシブルデバイスの製造方法に好適に利用可能である。 The method for manufacturing a flexible device of the present invention can be suitably used for, for example, a method for manufacturing a flexible device that constitutes a display or the like mounted on a portable information terminal or the like.

１０フレキシブル基板
１１、２２フレキシブルフィルム
１２第１バリア層
１３電子素子
１４ＴＦＴ層
１５有機ＥＬ層
１６第２バリア層
１７封止基板
１８支持基板
１９剥離防止層
１１ａ、１２ａ、２４ａ間隙
２０レーザー光
２１切断用レーザー光
２３粘着層
２４剥離層
１００フレキシブルデバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Flexible substrate 11, 22 Flexible film 12 1st barrier layer 13 Electronic element 14 TFT layer 15 Organic EL layer 16 2nd barrier layer 17 Sealing substrate 18 Support substrate 19 Detachment prevention layer 11a, 12a, 24a Gap 20 Laser light 21 Cutting Laser light 23 Adhesive layer 24 Release layer 100 Flexible device

Claims

支持基板の上方にフレキシブル基板が配され、当該フレキシブル基板上における電子素子形成領域に電子素子が形成されてなる構造体を準備する準備工程と、
前記支持基板の下面側から前記構造体に対し、前記フレキシブル基板を前記支持基板から剥離するための剥離用光を照射する剥離工程と、
前記支持基板から剥離された前記フレキシブル基板を、前記電子素子形成領域を除く領域で切断する切断工程と、を含み、
前記支持基板と前記フレキシブル基板との間における、前記電子素子形成領域に対応する領域の周囲には、前記フレキシブル基板への前記剥離用光の透過量を抑制する剥離防止層が介挿されており、
前記剥離工程では、前記フレキシブル基板における前記剥離防止層が形成されていない領域に対応する領域が前記支持基板から剥離される、
フレキシブルデバイスの製造方法。 A preparation step of preparing a structure in which a flexible substrate is arranged above a support substrate and an electronic element is formed in an electronic element formation region on the flexible substrate;
A peeling step of irradiating the structure from the lower surface side of the support substrate with a peeling light for peeling the flexible substrate from the support substrate;
Cutting the flexible substrate peeled from the support substrate in a region excluding the electronic element formation region, and
An anti-peeling layer that suppresses the transmission amount of the peeling light to the flexible substrate is interposed between the support substrate and the flexible substrate around a region corresponding to the electronic element forming region. ,
In the peeling step, a region corresponding to a region where the peeling prevention layer is not formed in the flexible substrate is peeled from the support substrate.
A manufacturing method of a flexible device.

前記剥離防止層は、前記剥離用光を実質的に反射または吸収する、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The peeling prevention layer substantially reflects or absorbs the peeling light;
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記剥離防止層は、金属または金属酸化物を含む、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The peeling prevention layer contains a metal or a metal oxide,
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記金属は、モリブデン、タングステン、銀およびアルミニウムのいずれかである、
請求項３に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The metal is any of molybdenum, tungsten, silver and aluminum.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 3.

前記金属酸化物は、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化銀、酸化アルミニウム、酸化インジウムスズおよび酸化インジウム亜鉛のいずれかである、
請求項３に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The metal oxide is any one of molybdenum oxide, tungsten oxide, silver oxide, aluminum oxide, indium tin oxide and indium zinc oxide.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 3.

前記剥離防止層の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The film thickness of the peeling prevention layer is 10 nm or more and 100 nm or less,
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記剥離工程後の前記支持基板の上方には、前記剥離防止層と、前記剥離防止層が形成されている領域に対応する前記フレキシブル基板とが接合した状態で残存している、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 Above the support substrate after the peeling step, the peeling prevention layer and the flexible substrate corresponding to a region where the peeling prevention layer is formed remain in a bonded state.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記剥離用光の波長は、１７０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The wavelength of the peeling light is 170 nm or more and 600 nm or less.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記剥離用光は、ＸｅＣｌエキシマレーザー光である、
請求項８に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The peeling light is XeCl excimer laser light.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 8.

前記剥離用光は、紫外光である、
請求項８に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The peeling light is ultraviolet light,
The manufacturing method of the flexible device of Claim 8.

前記フレキシブル基板の膜厚は３μｍ以上１５０μｍ以下である、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The film thickness of the flexible substrate is 3 μm or more and 150 μm or less,
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記フレキシブル基板は、可撓性の樹脂材料が塗布形成されてなるフレキシブルフィルム層を含む、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The flexible substrate includes a flexible film layer formed by coating a flexible resin material.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記フレキシブル基板は、可撓性の板状部材が貼付されてなるフレキシブルフィルム層を含む、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The flexible substrate includes a flexible film layer to which a flexible plate-like member is attached.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記フレキシブルフィルム層は、少なくとも前記剥離防止層が形成されていない領域においては、粘着層により前記支持基板と接合されている、
請求項１３に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The flexible film layer is bonded to the support substrate by an adhesive layer at least in a region where the peeling prevention layer is not formed.
The method for manufacturing a flexible device according to claim 13.

前記切断工程において、前記支持基板の上方側から前記フレキシブル基板に対し切断用レーザー光を照射することにより前記フレキシブル基板を切断する、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 In the cutting step, the flexible substrate is cut by irradiating the flexible substrate with a laser beam for cutting from the upper side of the support substrate.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記切断用レーザー光の波長は、波長１７０ｎｍ以上１０．６μｍ以下である、
請求項１５に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The wavelength of the cutting laser beam is 170 nm or more and 10.6 μm or less,
The method for manufacturing a flexible device according to claim 15.

前記切断工程において、前記フレキシブル基板における前記剥離防止層と重なる領域に前記切断用レーザー光を照射する、
請求項１５に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 In the cutting step, the laser beam for cutting is irradiated to a region overlapping with the peeling prevention layer in the flexible substrate.
The method for manufacturing a flexible device according to claim 15.

前記フレキシブル基板上には複数の前記電子素子形成領域が存在するとともに、当該複数の電子素子形成領域のそれぞれに前記電子素子が形成されており、
前記切断工程により、前記支持基板から剥離された前記フレキシブル基板を、一の前記電子素子が形成されたフレキシブル基板に個片化する、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 A plurality of the electronic element formation regions exist on the flexible substrate, and the electronic elements are formed in each of the plurality of electronic element formation regions,
The flexible substrate separated from the support substrate by the cutting step is singulated into a flexible substrate on which one electronic element is formed,
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記準備工程は、
前記支持基板における前記電子素子形成領域に対応する領域の周囲に、前記剥離防止層を形成する剥離防止層形成サブ工程と、
前記剥離防止層が形成された前記支持基板の上方に前記フレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成サブ工程と、
前記フレキシブル基板上における前記電子素子形成領域に前記電子素子を形成する電子素子形成サブ工程と、を含む、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The preparation step includes
An anti-peeling layer forming sub-process for forming the anti-peeling layer around a region corresponding to the electronic element forming region on the support substrate;
A flexible substrate forming sub-process for forming the flexible substrate above the support substrate on which the peeling prevention layer is formed;
An electronic element formation sub-process for forming the electronic element in the electronic element formation region on the flexible substrate,
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.

前記剥離防止層形成サブ工程と前記フレキシブル基板形成サブ工程との間に、さらに、
前記剥離防止層が形成された前記支持基板と前記フレキシブル基板との間に介挿され、前記剥離用光が照射されることで層内または界面にて変質を生じる剥離層を形成する剥離層形成サブ工程を含む、
請求項１９に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 Between the peeling prevention layer forming sub-step and the flexible substrate forming sub-step,
Formation of a release layer that is interposed between the support substrate on which the release prevention layer is formed and the flexible substrate, and forms a release layer that is altered in the layer or at the interface when irradiated with the release light. Including sub-processes,
The method for manufacturing a flexible device according to claim 19.

前記電子素子は、酸化物ＴＦＴおよび有機ＥＬ素子の少なくとも一方を含む、
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 The electronic element includes at least one of an oxide TFT and an organic EL element.
The manufacturing method of the flexible device of Claim 1.