JP2014048327A - Light deflector, image display device using the same, and method for manufacturing light deflector - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical System)技術を用いた光偏向器及びこれを用いる画像表示装置、光偏向器の製造方法に関する。 The present invention relates to an optical deflector using MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology, an image display device using the optical deflector, and an optical deflector manufacturing method.
近年、MEMS技術を用いた光偏向器が種々開発されている。光偏向器は、一例として、画像を表示させるための表示デバイスとして用いられる。光偏向器のミラーにレーザ光を照射し、ミラーを2次元的に偏向させる。これによって、光偏向器は、レーザ光を水平方向及び垂直方向に走査させて、スクリーン上に画像を表示させることができる。この種の光偏向器は、例えば特許文献1に記載されている。 In recent years, various optical deflectors using MEMS technology have been developed. An optical deflector is used as a display device for displaying an image as an example. The mirror of the optical deflector is irradiated with laser light to deflect the mirror two-dimensionally. Thereby, the optical deflector can scan the laser beam in the horizontal direction and the vertical direction to display an image on the screen. This type of optical deflector is described in Patent Document 1, for example.
光偏向器によってレーザ光を水平方向または垂直方向に走査させるには、ミラーを大きな回転角度(偏向角度)で所定の固有共振周波数で往復振動させることが必要となる。画像の水平周波数は垂直周波数と比較して格段に高いので、ミラーを水平方向に高速で振動させなければならない。 In order to scan the laser beam in the horizontal direction or the vertical direction by the optical deflector, it is necessary to reciprocate the mirror at a predetermined natural resonance frequency at a large rotation angle (deflection angle). Since the horizontal frequency of the image is much higher than the vertical frequency, the mirror must be vibrated at high speed in the horizontal direction.
光偏向器は、ミラー、ミラーを揺動自在に支持する梁、梁を保持するアーム等の構成要素を有する。ミラーを高速で振動させることによって、光偏向器における特定の箇所に応力が集中して、アームが破壊する場合がある。そこで、アームの破壊限界が高い光偏向器が求められる。 The optical deflector includes components such as a mirror, a beam that slidably supports the mirror, and an arm that holds the beam. When the mirror is vibrated at a high speed, the stress may concentrate on a specific portion of the optical deflector, and the arm may be broken. Therefore, an optical deflector having a high arm breakage limit is required.
本発明はこのような要望に対応するため、破壊限界が高い光偏向器及びこれを用いる画像表示装置、破壊限界の高い光偏向器を製造することができる光偏向器の製造方法を提供することを目的とする。 In order to meet such a demand, the present invention provides an optical deflector having a high destruction limit, an image display apparatus using the same, and a method of manufacturing an optical deflector capable of producing an optical deflector having a high destruction limit. With the goal.
本発明は、上述した従来の技術の課題を解決するため、シリコンによって形成された外周枠部(17)と、前記外周枠部上に形成されたBOX層シリコン酸化膜(43)と、前記BOX層シリコン酸化膜上に形成され、シリコンによって形成された固定枠部(11)と、シリコンによって形成され、一方の端部が前記固定枠部と連結し、他方の端部が前記固定枠部で囲まれた開口内に突出するように伸びたアーム(14a〜14d)と、シリコンによって形成され、前記アームの前記他方の端部と連結した梁(13a〜13d)と、シリコンによって形成され、前記梁によって前記開口内で揺動自在に支持されているミラー(12)とを備え、前記アームの下面側に位置し、前記外周枠部で囲まれた裏面キャビティの上端面は、前記BOX層シリコン酸化膜よりも前記アームの上面側にずれた位置にあることを特徴とする光偏向器(100)を提供する。 In order to solve the above-described problems of the prior art, the present invention provides an outer peripheral frame portion (17) made of silicon, a BOX layer silicon oxide film (43) formed on the outer peripheral frame portion, and the BOX. A fixed frame portion (11) formed on the silicon oxide film and formed of silicon; one end portion is connected to the fixed frame portion; the other end portion is the fixed frame portion Arms (14a to 14d) extending so as to protrude into the enclosed opening, a beam (13a to 13d) formed of silicon and connected to the other end of the arm, and formed of silicon, A mirror (12) swingably supported in the opening by a beam, and located at the lower surface side of the arm, the upper end surface of the back cavity surrounded by the outer peripheral frame portion is formed on the BOX layer Providing optical deflector than silicon oxide film, characterized in that a position shifted to the upper surface of the arm (100).
上記の光偏向器において、前記アームの上面に形成され、前記ミラーを揺動させる圧電部(15a,15b)をさらに備えることが好ましい。 The optical deflector preferably further includes a piezoelectric portion (15a, 15b) formed on the upper surface of the arm and swinging the mirror.
また、本発明は、上述した従来の技術の課題を解決するため、上記の光偏向器と、前記ミラーに画像信号に応じたレーザ光を入射させるレーザ光源(50)とを備えることを特徴とする画像表示装置を提供する。 Further, the present invention is characterized by comprising the above-described optical deflector and a laser light source (50) for allowing a laser beam corresponding to an image signal to enter the mirror, in order to solve the above-described problems of the prior art. An image display device is provided.
さらに、本発明は、上述した従来の技術の課題を解決するため、シリコン基板(42)と、BOX層シリコン酸化膜(43)と、シリコン層(44)とがこの順で積層された積層構造を有するSOIウェハ(40)を作成する第1のステップと、前記シリコン層上に、ミラー(12)を駆動するための圧電部(15a,15b)を形成する第2のステップと、前記シリコン層の所定の領域を所定の深さまでエッチングして、前記ミラーと、前記ミラーと連結した梁(13a〜13d)と、前記梁と連結したアーム(14a〜14d)それぞれに相当する第1〜第3のパターン部(120,13a0〜13d0,14a0〜14d0)を形成する第3のステップと、前記シリコン基板の所定の領域を前記BOX層シリコン酸化膜が露出するまでエッチングして裏面キャビティ(19)を形成する第4のステップと、露出した前記BOX層シリコン酸化膜を除去する第5のステップと、前記第3のパターン部の下面が前記BOX層シリコン酸化膜よりも前記第3のパターン部の上面側に位置するように、前記シリコン層を、前記BOX層シリコン酸化膜を除去した側からエッチングして、前記ミラーと、前記梁と、前記アームをそれぞれ形成する第6のステップとを含むことを特徴とする光偏向器の製造方法を提供する。 Furthermore, in order to solve the above-described problems of the prior art, the present invention provides a laminated structure in which a silicon substrate (42), a BOX layer silicon oxide film (43), and a silicon layer (44) are laminated in this order. A first step of creating an SOI wafer (40) having a second step, a second step of forming a piezoelectric portion (15a, 15b) for driving a mirror (12) on the silicon layer, and the silicon layer 1 to 3 corresponding to the mirror, the beams (13a to 13d) connected to the mirror, and the arms (14a to 14d) connected to the beam. A third step of forming the pattern portions (120, 13a0 to 13d0, 14a0 to 14d0) and a predetermined region of the silicon substrate until the BOX layer silicon oxide film is exposed. A fourth step of forming a back surface cavity (19) by etching, a fifth step of removing the exposed BOX layer silicon oxide film, and a lower surface of the third pattern portion from the BOX layer silicon oxide film The silicon layer is etched from the side where the BOX layer silicon oxide film is removed so as to be positioned on the upper surface side of the third pattern portion to form the mirror, the beam, and the arm, respectively. And a sixth step of manufacturing the optical deflector.
上記の光偏向器の製造方法において、前記第3のステップは、前記所定の深さとして、前記BOX層シリコン酸化膜を露出させない深さまでエッチングし、前記第6のステップは、前記シリコン層を貫通させるようにエッチングすることが好ましい。 In the method of manufacturing an optical deflector, the third step etches the BOX layer silicon oxide film to a depth that does not expose the BOX layer silicon oxide film, and the sixth step penetrates the silicon layer. Etching is preferably performed so that
上記の光偏向器の製造方法において、前記第4のステップは、ボッシュプロセスを用いて前記シリコン基板をエッチングすることが好ましい。 In the method of manufacturing an optical deflector, it is preferable that the fourth step etches the silicon substrate using a Bosch process.
本発明の光偏向器及びこれを用いる画像表示装置、光偏向器の製造方法によれば、破壊限界を高くすることができる。 According to the optical deflector of the present invention, the image display apparatus using the same, and the method of manufacturing the optical deflector, the destruction limit can be increased.
以下、一実施形態の光偏向器及びこれを用いる画像表示装置、光偏向器の製造方法について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, an optical deflector according to an embodiment, an image display apparatus using the optical deflector, and a method for manufacturing the optical deflector will be described with reference to the accompanying drawings.
一実施形態の光偏向器は、図1に示す水平偏向素子部10と、図4に示す垂直偏向素子部20mcまたは図6に示す垂直偏向素子部20mmのいずれかとを組み合わせて構成される。垂直偏向素子部20mcと垂直偏向素子部20mmとを垂直偏向素子部20と総称する。
The optical deflector of one embodiment is configured by combining the horizontal
図1において、水平偏向素子部10は次のように構成される。矩形状の固定枠部11で囲まれた開口11o内の中央部には略円形のミラー12が形成されている。ミラー12は梁13a〜13dと連結され、梁13a〜13dによって揺動自在に支持されている。アーム14a〜14dの一方の端部は固定枠部11と連結され、他方の端部は開口11o内に突出するように伸びて、梁13a〜13dと連結されている。ミラー12は、開口11o内に浮かんでいるような状態となっている。
In FIG. 1, the horizontal
アーム14a,14dの上面には、駆動用圧電部15a,15bが形成されている。アーム14b,14cの上面には、検出用圧電部16a,16bが形成されている。駆動用圧電部15a,15b及び検出用圧電部16a,16bは、圧電膜と電極とを含む。
Driving
駆動用圧電部15a,15bに所定の駆動信号が供給されると、圧電膜の結晶格子は上下方向に引き伸ばされ、同時に水平方向に圧縮される。この際に圧電膜には引っ張り応力が加えられることになり、この応力によって、駆動用圧電部15a,15bは上方または下方に撓む。ここでの上下方向とは紙面に直交する方向であり、水平方向とは紙面と平行方向である。これによって、アーム14a,14dの梁13a,13d側が上下振動するので、ミラー12は、梁13aと梁13bとの間隙を二分すると共に梁13cと梁13dとの間隙を二分する軸線を回転軸として揺動する。
When a predetermined drive signal is supplied to the driving
固定枠部11,ミラー12,梁13a〜13d,アーム14a〜14dは、理想的な弾性材料である単結晶シリコン(以下、単にシリコン)によって形成されている。ミラー12は、シリコンを鏡面とすることによって形成されている。シリコン上にアルミニウムや銀等の高反射性材料を蒸着してミラー12としてもよい。
The fixed
図2は、図1の10A−10A断面図である。図2に示すように、固定枠部11の下面にはBOX層シリコン酸化膜43を介して外周枠部17が形成されている。外周枠部17はシリコンによって形成されている。外周枠部17の下面には底面フレーム18が形成されている。アーム14a〜14dの下面(裏面)側には、所定空間の裏面キャビティ19が形成されている。アーム14a〜14dの下面と底面フレーム18の上面とで囲まれた空間が裏面キャビティ19である。底面フレーム18はシリコンによって形成してよいし、シリコン以外の材料によって形成してもよい。
2 is a cross-sectional view taken along the
図3の(a)は、図2におけるアーム14d及び駆動用圧電部15b側の部分拡大断面図である。図3の(a)に示すように、アーム14dの先端部は矢印で示すように上下に振動する。図3の(a)に示すように、本実施形態の水平偏向素子部10においては、裏面キャビティ19の上端部であるアーム14a〜14dの下面(裏面)14udrは、BOX層シリコン酸化膜43よりも上方、アーム14a〜14dの表面側にずれた位置にある。
FIG. 3A is a partially enlarged sectional view of the
また、本実施形態の水平偏向素子部10においては、固定枠部11は、BOX層シリコン酸化膜43側の端部とアーム14a〜14dの下面14udrを延長した面との間であり、下面14udrよりも下方に突出する突出部11prを有する。
Further, in the horizontal
図3の(b)は、比較のための一般的な構造を示している。裏面キャビティ19の上端部であるアーム14a〜14dの下面14udrは、BOX層シリコン酸化膜43の上端面と同じ位置にある。図3の(b)では、図3の(a)の突出部11prに相当するものはない。アーム14a〜14dが上下に振動すると、アーム14a〜14dの下面14udrとBOX層シリコン酸化膜43との角部である裏面キャビティ19のエッジ14edg’に応力が集中する。
FIG. 3B shows a general structure for comparison. The lower surfaces 14udr of the
エッジ14edg’は、互いに性質の異なるシリコンとシリコン酸化膜との境界であるので、エッジ14edg’に応力が集中することによってアーム14a〜14dが破壊しやすい。具体的には、シリコンはヤング率130GPa、熱膨張係数2.8ppm/℃であるのに対し、シリコン酸化膜はヤング率66GPa、熱膨張係数2.3ppm/℃であり、性質が大きく異なる。従って、アーム14a〜14dを大きく振動させれば、エッジ14edg’に応力が集中して破壊するおそれがある。
Since the edge 14edg 'is a boundary between silicon and a silicon oxide film having different properties, the
一方、本実施形態の図3の(a)においては、エッジ14edgは、それぞれシリコンであるアーム14a〜14dと固定枠部11との角部であるので、破壊限界を図3の(b)よりも大幅に高くすることができる。従って、アーム14a〜14dの破壊限界振れ角を大きくすることができる。
On the other hand, in FIG. 3A of the present embodiment, the edge 14edg is a corner portion between the
次に、図4〜図7を用いて、垂直偏向素子部20について説明する。図4,図5に示す垂直偏向素子部20mcはいわゆるムービングコイル方式の垂直偏向素子部20であり、図6,図7に示す垂直偏向素子部20mmはいわゆるムービングマグネット方式の垂直偏向素子部20である。 Next, the vertical deflection element unit 20 will be described with reference to FIGS. 4 and 5 is a so-called moving coil type vertical deflection element unit 20, and the vertical deflection element unit 20 mm shown in FIGS. 6 and 7 is a so-called moving magnet type vertical deflection element unit 20. is there.
まず、図4,図5を用いてムービングコイル方式の垂直偏向素子部20mcの構造について説明する。図4において、ムービングコイル方式の垂直偏向素子部20mcは次のように構成される。矩形状の固定枠部21の中央部には略正方形のフレーム22が形成されている。フレーム22は、梁23a,23bによって揺動自在に支持されている。フレーム22の外周端部近傍にはコイル24が巻回されており、固定枠部21上にはコイル24の電極24e1,24e2が形成されている。固定枠部21上には、コイル24を挟むように、磁石25a,25bが取り付けられている。
First, the structure of the moving coil type vertical deflection element portion 20mc will be described with reference to FIGS. In FIG. 4, the moving coil type vertical deflection element portion 20mc is configured as follows. A substantially
固定枠部21で囲まれた固定枠部21の内側の部分は開口21oとなっている。フレーム22は、梁23a,23bによって支持されて、開口21o内に浮かんでいるような状態となっている。固定枠部21,フレーム22,梁23a,23bは、シリコンによって形成されている。
An inner portion of the fixed
垂直偏向素子部20mcを用いる場合には、図1に示す水平偏向素子部10はフレーム22上に配置され、水平偏向素子部10と垂直偏向素子部20mcとが一体化されることによって本実施形態の光偏向器となる。なお、図1と図4は水平偏向素子部10と垂直偏向素子部20mcをそれぞれ同じ拡大率で図示していない。水平偏向素子部10は、垂直偏向素子部20mcのフレーム22上に配置できる程度の大きさである。水平偏向素子部10は、図1に示す状態から90度傾けた状態で図4に示すフレーム22上に配置される。
When the vertical deflection element unit 20mc is used, the horizontal
コイル24に例えば正弦波の駆動電流を流すと、コイル24に流れる電荷が磁石25a,25bより発生する磁界から受けるローレンツ力によって、フレーム22は梁23a,23bを中心として揺動する。
For example, when a sinusoidal drive current is passed through the
図5は、図4の20A−20A断面図である。図5に示すように、固定枠部21の下面には底面フレーム28が形成されている。底面フレーム28はシリコンによって形成してよいし、シリコン以外の材料によって形成してもよい。
5 is a cross-sectional view taken along the
次に、図6,図7を用いてムービングマグネット方式の垂直偏向素子部20mmの構造について説明する。図6,図7において、図4,図5と同一機能を果たす部分には同一符号を付す場合がある。同一符号を付した部分の説明は省略する。 Next, the structure of the moving magnet type vertical deflection element portion 20 mm will be described with reference to FIGS. 6 and 7, parts having the same functions as those in FIGS. 4 and 5 may be denoted by the same reference numerals. The description of the parts denoted by the same reference numerals is omitted.
図6において、ムービングマグネット方式の垂直偏向素子部20mmは次のように構成される。固定枠部21の内周端部近傍にはコイル26が巻回されており、固定枠部21上にはコイル26の電極26e1,26e2が形成されている。フレーム22の裏面には、磁石27が取り付けられている。
In FIG. 6, the moving magnet type vertical deflection element portion 20 mm is configured as follows. A
垂直偏向素子部20mmを用いる場合にも、図1に示す水平偏向素子部10はフレーム22上に配置され、水平偏向素子部10と垂直偏向素子部20mmとが一体化されることによって本実施形態の光偏向器となる。水平偏向素子部10は、図1に示す状態から90度傾けた状態で図6に示すフレーム22上に配置される。
Even when the vertical deflection element portion 20 mm is used, the horizontal
コイル26に例えば正弦波の駆動電流を流すと、コイル26に流れる電荷が磁石27より発生する磁界から受けるローレンツ力によって、フレーム22は梁23a,23bを中心として揺動する。
For example, when a sinusoidal drive current is passed through the
図7は、図6の20B−20B断面図である。図7に示すように、磁石27は、フレーム22の裏面に一部埋め込まれた状態で取り付けられている。固定枠部21の下面には底面フレーム28が形成されている。
7 is a cross-sectional view taken along 20B-20B in FIG. As shown in FIG. 7, the
図8,図9を用いて、本実施形態の光偏向器を用いた画像表示装置の概略的な構成について説明する。図8において、光偏向器100は、水平偏向素子部10と垂直偏向素子部20とが一体化された構成を有する。
A schematic configuration of an image display apparatus using the optical deflector of the present embodiment will be described with reference to FIGS. In FIG. 8, the
光偏向器100は、概略的に、ミラー12,水平駆動部10hd,垂直駆動部20vd,駆動検出部10dtを有する。駆動用圧電部15a,15bは、水平駆動部10hdに相当する。コイル24及び磁石25a,25b、または、コイル26及び磁石27は、垂直駆動部20vdに相当する。検出用圧電部16a,16bは、駆動検出部10dtに相当する。
The
制御部101には、画像表示装置で表示する画像信号が入力される。制御部101は、入力された画像信号の水平同期信号に基づいて、光偏向器100を水平方向に揺動させるための水平駆動信号を生成して水平駆動部10hdに供給する。制御部101は、入力された画像信号の垂直同期信号に基づいて、光偏向器100を垂直方向に揺動させるための垂直駆動信号を生成して垂直駆動部20vdに供給する。駆動検出部10dtによって水平偏向素子部10の揺動を検出することによって生成された駆動検出信号は、制御部101に入力される。
An image signal to be displayed on the image display device is input to the
R光源駆動部102r,G光源駆動部102g,B光源駆動部102bは、制御部101による制御によって、R光源103r,G光源103g,B光源103bをそれぞれ駆動する。R光源103r,G光源103g,B光源103bは、3原色のレーザ光であるR,G,B光を発生する。プリズム104は、R光源103rより発せられたR光の光路を90度折り曲げる。プリズム105はR光とG光とを合成し、プリズム106は、R光とG光との合成光とB光とを合成する。
The R light
制御部101は、入力された画像信号に応じた合成光がプリズム106より出力されるよう、R光源駆動部102r,G光源駆動部102g,B光源駆動部102bを制御する。ミラー107は、プリズム106より出力されたR,G,B光の合成光を反射する。レンズ108は、ミラー107からの合成光を集光してミラー12へと入射させる。
The
破線で囲んだR光源103r,G光源103g,B光源103bと、プリズム104〜106と、ミラー107と、レンズ108の部分は、図9におけるレーザ光源50に相当する。図9において、レーザ光源50より発せられた画像信号に応じたレーザ光は、光偏向器100のミラー12に入射される。ミラー12は、上述したように、水平偏向素子部10によってレーザ光をスクリーン60の水平方向に走査させるよう揺動され、垂直偏向素子部20によってレーザ光をスクリーン60の垂直方向に走査させるよう揺動される。
The portions of the R
光偏向器100によるレーザ光の水平方向及び垂直方向の走査によって、スクリーン60上には画像信号に基づく画像が表示される。
An image based on the image signal is displayed on the
次に、水平偏向素子部10の製造方法について説明する。まず、図10に示すように、シリコン酸化膜41,シリコン基板42,BOX層シリコン酸化膜43,シリコン層44,シリコン酸化膜45を順に積層したSOI(Silicon On Insulator)ウェハ40を作成する。
Next, a method for manufacturing the horizontal
SOIウェハ40の一般的な製造方法は次の通りである。シリコン基板42の表裏面を熱酸化してシリコン酸化膜41及びBOX層シリコン酸化膜43を形成する。BOX層シリコン酸化膜43側に活性層シリコンウェハを重ね合わせて、熱と圧力を加えて活性層シリコンウェハを貼り付ける。活性層シリコンウェハを所定の膜厚となるよう研磨して、シリコン層44とする。シリコン層44の表面を熱酸化してシリコン酸化膜45を形成する。
A general manufacturing method of the
シリコン層44の厚さは、図1,図2に示す水平偏向素子部10のミラー12,梁13,アーム14の厚さよりも5〜50μm厚くしておく。シリコン層44の膜厚は薄いほど垂直方向の寸法精度を向上させることができる。応力が集中する裏面キャビティ19のエッジ14edg(図3)と、シリコン層44とBOX層シリコン酸化膜43との貼り合わせ部が接近することになるので、シリコン層44の厚さは、破壊限界と走査精度とのいずれを優先するかによって、最適値を選択する。
The thickness of the
BOX層シリコン酸化膜43の膜厚は、裏面キャビティ19をエッチングによって形成する際のストッパとして機能する膜厚に設定する。BOX層シリコン酸化膜43には面内で膜厚にばらつきがある。裏面キャビティ19のエッチング時に、裏面キャビティ19全面におけるBOX層シリコン酸化膜43が露出するまでBOX層シリコン酸化膜43がなくならないことが必要である。SOIウェハ40の表面側に設けたシリコン酸化膜45は、後に形成する電極の配線膜及び圧電膜とシリコン層44との絶縁を図るために形成している。
The film thickness of the BOX layer
次に、図11に示すように、シリコン酸化膜45上に、下部電極51,圧電膜52,上部電極53を順に形成する。下部電極51は、詳細には、シリコン酸化膜45側より順に、配向性助長層と配向膜との2層構造である。配向性助長層は、例えばTiを用いた電極材料であり、配向膜は例えばPtである。配向膜は、下部電極51上に形成する圧電膜52を、シリコン層44の面に垂直な方向に配向させる働きをする。Tiの配向性助長層の膜厚は0.02μm程度、Ptの配向膜の膜厚は0.1μm程度である。
Next, as shown in FIG. 11, a
圧電膜52を構成する圧電材料としては、高い圧電特性を示すジルコン酸チタン酸鉛(PZT)系やLaNiO3等のペロブスカイト構造を有した複合酸化物を用いることができる。PZT系の場合、圧電膜52の膜厚を3μm程度とするのが一般的である。
As the piezoelectric material constituting the
上部電極53は、詳細には、圧電膜52側から順に、密着層と電極層との2層構造である。密着層として例えばTi、電極層としてPt,Ir,Au,Ag,Cu,Al等を用いることができる。Tiの密着層の膜厚は0.02μm程度、電極層としてAuを用いた場合の膜厚は0.3μm程度である。
Specifically, the
次に、図12の(a),(b)に示すように、下部電極51,圧電膜52,上部電極53をパターンエッチングすることによって、駆動用圧電部15a,15b及び検出用圧電部16a,16bそれぞれに相当するパターン部15a0,15b0,16a0,16b0を形成する。図12の(a)は、図12の(b)における40A−40A断面図である。
Next, as shown in FIGS. 12A and 12B, the
図12では、簡略化のため、パターン部15a0,15b0,16a0,16b0から外部への配線の引き出しについては図示を省略している。エッチング方法としてはイオンミリング法等を用いることができる。 In FIG. 12, for the sake of simplification, the drawing of wiring from the pattern portions 15a0, 15b0, 16a0, 16b0 to the outside is omitted. As an etching method, an ion milling method or the like can be used.
引き続き、図13の(a),(b)に示すように、シリコン層44の表面側をエッチングする。エッチング深さは、水平偏向素子部10完成時のミラー12,梁13a〜13d,アーム14a〜14dの膜厚相当とする。ここでのエッチングはドライエッチングである。エッチング手法としては、ボッシュプロセスを用いることが好ましい。ボッシュプロセスによって側壁保護とエッチングを交互に繰り返し、水平方向の寸法精度を確保することが望ましい。ここでの水平方向とは、エッチングの深さ方向と直交する方向である。
Subsequently, as shown in FIGS. 13A and 13B, the surface side of the
ある程度のばらつきが許容される場合には、ボッシュプロセスを用いることなく、通常の高密度プラズマを利用したICPエッチングを用いてもよい。完成時のミラー12等のシリコンの膜厚を50μmとし、ウェハ面内のエッチング深さのばらつきを±5%とすると、膜厚のばらつきは50±2.5μmとなる。
When a certain degree of variation is allowed, ICP etching using normal high-density plasma may be used without using the Bosch process. When the film thickness of silicon such as the
図13の(b)に示すように、シリコン層44の表面側をエッチングすることによって、ミラー12,梁13a〜13d,アーム14a〜14dそれぞれに相当するパターン部120,13a0〜13d0,14a0〜14d0を形成することができる。同じく、図13の(a)は、図13の(b)における40A−40A断面図である。
As shown in FIG. 13B, by etching the surface side of the
図13の(a)に示すように、シリコン層44を例えばボッシュプロセスによって深さ方向にエッチングするとき、BOX層シリコン酸化膜43が露出せず、シリコン層44の一部が残るようにエッチングすることが好ましい。
As shown in FIG. 13A, when the
次に、図14及び図14の部分拡大図である図15に示すように、シリコン酸化膜41をパターンエッチングして、シリコン基板42をエッチングする。図14,図15の状態で、シリコン基板42は外周枠部17に相当する状態となる。
Next, as shown in FIG. 15 which is a partially enlarged view of FIGS. 14 and 14, the
エッチングするシリコン基板42の厚さは250〜500μm程度でエッチング深さが深いため、ボッシュプロセスを用いて側壁を保護しながらエッチングを進めることが好ましい。上記のように、BOX層シリコン酸化膜43はシリコン基板42をエッチングして裏面キャビティ19を形成する際のストッパとなる。図14に示すように、シリコン基板42をエッチングした部分のBOX層シリコン酸化膜43が露出している。
Since the thickness of the
引き続き、図16及び図16の部分拡大図である図17に示すように、露出しているBOX層シリコン酸化膜43の部分をエッチングによって除去する。ここでのエッチングによってシリコン基板42の下面に形成されているシリコン酸化膜41も除去される。
Subsequently, as shown in FIG. 17 which is a partially enlarged view of FIGS. 16 and 16, the exposed portion of the BOX layer
BOX層シリコン酸化膜43の膜厚は1〜2μm程度と薄い。フッ酸等によるウェットエッチでは等方的にエッチングが進み、少なからずサイドエッチが生じる。BOX層シリコン酸化膜43とシリコン層44の下面との角部であるエッジ部近傍に凹凸が生じてしまうので、ここでのエッチングとしてはドライエッチングを用いることが好ましい。
The thickness of the BOX layer
BOX層シリコン酸化膜43をエッチングするエッチング条件を最適化することによって、シリコン層44をほとんどエッチングすることなく、露出しているBOX層シリコン酸化膜43のみを除去することが可能である。従って、シリコン層44の膜厚は当初のSOIウェハ40のまま維持される。
By optimizing the etching conditions for etching the BOX layer
最後に、図18及び図18の部分拡大図である図19に示すように、BOX層シリコン酸化膜43のエッチングに引き続き、シリコン層44をエッチングしてシリコン層44を貫通させる。図13に示す表面側からのシリコン層44のエッチングと図18に示す裏面側からのシリコン層44のエッチングによって、シリコン層44が貫通する。この状態で、ここでは図示していない部分を含めて、ミラー12、梁13a〜13d、アーム14a〜14d,駆動用圧電部15a,15b,検出用圧電部16a,16bが形成される。
Finally, as shown in FIG. 19 which is a partially enlarged view of FIG. 18 and FIG. 18, following the etching of the BOX layer
図18,図19の状態で、シリコン層44は固定枠部11に相当する状態となる。
18 and 19, the
前述のように、シリコン層44の厚さは、完成時の水平偏向素子部10のミラー12,梁13,アーム14の厚さよりも5〜50μm厚くしているので、シリコン層44のエッチング膜厚は5〜50μmである。完成時のミラー12等の膜厚を50μmとし、SOIウェハ40のシリコン層44の膜厚を100μmとすると、エッチング膜厚は50μmとなる。シリコン層44の面内のばらつきを±5%とすると、エッチング膜厚のばらつきは±2.5μmとなる。シリコン層44の表面側のエッチング深さのばらつきと合わせると、最大で±5μmの差が生じる。
As described above, the thickness of the
この±5μmの差を共振周波数に換算すると±1.6kHz、割合にすると、±5.4%に相当する。シリコン層44の裏面からシリコン層44を貫通させるときのエッチング膜厚を小さくことによって、完成時のシリコン層44の膜厚のばらつきを小さく抑えることができる。裏面からのエッチング膜厚が5μmの場合、裏面のエッチング膜厚のばらつきは±0.25μmとなる。表面側のエッチング深さのばらつきと合わせると、最大で±0.275μmの差が生じる。
When this ± 5 μm difference is converted to the resonance frequency, it corresponds to ± 1.6 kHz, and the ratio corresponds to ± 5.4%. By reducing the etching film thickness when penetrating the
この±0.275μmの差を共振周波数に換算すると±1.1kHz、割合にすると、±3.7%に相当する。図8において、駆動検出部10dtからの駆動検出信号によって水平駆動信号を制御すれば、共振周波数のばらつきを十分に制御することができる。 This difference of ± 0.275 μm corresponds to ± 1.1 kHz when converted to the resonance frequency, and corresponds to ± 3.7% when expressed as a ratio. In FIG. 8, if the horizontal drive signal is controlled by the drive detection signal from the drive detection unit 10dt, the variation in the resonance frequency can be sufficiently controlled.
以上のようにして、図3の(a)で説明したように、アーム14a〜14dの下面14udrをBOX層シリコン酸化膜43よりも上方側にずらして、アーム14a〜14dの振動時に応力が集中するエッジ14edgから離した位置に設けた構造を有する水平偏向素子部10を製造することができる。以上説明した製造方法では、製造プロセスが複雑化することはない。
As described above, as described in FIG. 3A, the lower surfaces 14udr of the
図20及び図20の部分拡大図である図21を用いて本実施形態の変形例について説明する。図16,図17の状態からシリコン層44の裏面側からエッチングする際に、図20,図21に示すように、裏面キャビティ19の側壁におけるアーム14a〜14d側の端部をテーパ状に形成してもよい。
A modification of this embodiment will be described with reference to FIG. 21 which is a partially enlarged view of FIG. 20 and FIG. When etching from the back surface side of the
一般的なボッシュプロセスでは、側壁保護とエッチングとのバランスをとって垂直にエッチングが進むように制御する。ボッシュプロセスによるエッチングの際に、側壁保護の割合を大きくすることによってエッチングが進むに従ってエッチング面を小さくすることができる。これによって、BOX層シリコン酸化膜43より上側の部分をテーパ状の側壁19tpswとすることができる。
In a general Bosch process, control is performed so that the etching proceeds vertically while balancing the protection of the sidewall and the etching. When the etching is performed by the Bosch process, the etching surface can be reduced as the etching progresses by increasing the ratio of the side wall protection. As a result, the portion above the BOX layer
図21に示すように、エッジ14edg部分の角度は鈍角になるので、エッジ14edg部分を直角状にする場合よりも応力を小さくすることができる。よって、図20,図21に示す例では、破壊限界をさらに高くすることができ、破壊限界振れ角をさらに大きくすることができる。 As shown in FIG. 21, since the angle of the edge 14edg portion becomes an obtuse angle, the stress can be made smaller than in the case where the edge 14edg portion has a right angle. Therefore, in the example shown in FIGS. 20 and 21, the fracture limit can be further increased, and the fracture limit deflection angle can be further increased.
シリコン層44の表面側とエッチング済みのシリコン基板42の側壁を表面保護剤で完全に覆うことによって、ドライエッチングの代わりにTMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)等を使用したウェットエッチングを用いることも可能である。この場合、シリコン層44として面方位が<100>であるシリコンウェハを使用すれば、約55度のテーパが形成され、ドライエッチングによって形成したテーパと同じ効果が得られる。
It is also possible to use wet etching using TMAH (tetramethylammonium hydroxide) instead of dry etching by completely covering the surface side of the
本発明は以上説明した本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。本実施形態では、垂直偏向素子部20のフレーム22上に水平偏向素子部10を配置して水平偏向素子部10と垂直偏向素子部20とを一体化した構成の光偏向器100を例にしたが、光偏向器の全体的な構成は本実施形態に限定されるものではない。本実施形態では、水平方向の揺動を圧電部、垂直方向の揺動をコイルと磁石によって行わせているが、駆動方法の組み合わせも本実施形態に限定されるものではない。
The present invention is not limited to the embodiment described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. In the present embodiment, the
10 水平偏向素子部
11 固定枠部
12 ミラー
13a〜13d 梁
14a〜14d アーム
15a,15b 駆動用圧電部
13a0〜13d0,14a0〜14d0,15a0,15b0,16a0,16b0,120 パターン部
16a,16b 検出用圧電部
17 外周枠部
19 裏面キャビティ
20mc,20mm 垂直偏向素子部
40 SOIウェハ
41,45 シリコン酸化膜
42 シリコン基板
43 BOX層シリコン酸化膜
44 シリコン層
51,53 電極
52 圧電膜
50 レーザ光源
100 光偏向器
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記外周枠部上に形成されたBOX層シリコン酸化膜と、
前記BOX層シリコン酸化膜上に形成され、シリコンによって形成された固定枠部と、
シリコンによって形成され、一方の端部が前記固定枠部と連結し、他方の端部が前記固定枠部で囲まれた開口内に突出するように伸びたアームと、
シリコンによって形成され、前記アームの前記他方の端部と連結した梁と、
シリコンによって形成され、前記梁によって前記開口内で揺動自在に支持されているミラーと、
を備え、
前記アームの下面側に位置し、前記外周枠部で囲まれた裏面キャビティの上端面は、前記BOX層シリコン酸化膜よりも前記アームの上面側にずれた位置にある
ことを特徴とする光偏向器。 An outer peripheral frame formed of silicon;
A BOX layer silicon oxide film formed on the outer peripheral frame portion;
A fixed frame portion formed on the BOX layer silicon oxide film and formed of silicon;
An arm formed of silicon and having one end connected to the fixed frame portion and the other end extending so as to protrude into an opening surrounded by the fixed frame portion;
A beam formed of silicon and connected to the other end of the arm;
A mirror formed of silicon and supported swingably in the opening by the beam;
With
The upper surface of the back surface cavity located on the lower surface side of the arm and surrounded by the outer peripheral frame portion is located at a position shifted to the upper surface side of the arm from the BOX layer silicon oxide film. vessel.
前記ミラーに画像信号に応じたレーザ光を入射させるレーザ光源と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。 An optical deflector according to claim 1 or 2,
A laser light source for causing a laser beam corresponding to an image signal to enter the mirror;
An image display device comprising:
前記シリコン層上に、ミラーを駆動するための圧電部を形成する第2のステップと、
前記シリコン層の所定の領域を所定の深さまでエッチングして、前記ミラーと、前記ミラーと連結した梁と、前記梁と連結したアームそれぞれに相当する第1〜第3のパターン部を形成する第3のステップと、
前記シリコン基板の所定の領域を前記BOX層シリコン酸化膜が露出するまでエッチングして裏面キャビティを形成する第4のステップと、
露出した前記BOX層シリコン酸化膜を除去する第5のステップと、
前記第3のパターン部の下面が前記BOX層シリコン酸化膜よりも前記第3のパターン部の上面側に位置するように、前記シリコン層を、前記BOX層シリコン酸化膜を除去した側からエッチングして、前記ミラーと、前記梁と、前記アームをそれぞれ形成する第6のステップと、
を含むことを特徴とする光偏向器の製造方法。 A first step of creating an SOI wafer having a laminated structure in which a silicon substrate, a BOX layer silicon oxide film, and a silicon layer are laminated in this order;
A second step of forming a piezoelectric part for driving a mirror on the silicon layer;
A predetermined region of the silicon layer is etched to a predetermined depth to form first to third pattern portions corresponding to the mirror, a beam connected to the mirror, and an arm connected to the beam. 3 steps,
A fourth step of etching a predetermined region of the silicon substrate until the BOX layer silicon oxide film is exposed to form a backside cavity;
A fifth step of removing the exposed BOX layer silicon oxide film;
The silicon layer is etched from the side from which the BOX layer silicon oxide film is removed so that the lower surface of the third pattern portion is located on the upper surface side of the third pattern portion with respect to the BOX layer silicon oxide film. A sixth step of forming the mirror, the beam, and the arm, respectively.
The manufacturing method of the optical deflector characterized by including.
前記第6のステップは、前記シリコン層を貫通させるようにエッチングする
ことを特徴とする請求項4記載の光偏向器の製造方法。 In the third step, the BOX layer silicon oxide film is etched to a depth that does not expose the BOX layer silicon oxide film as the predetermined depth,
The method of manufacturing an optical deflector according to claim 4, wherein the sixth step performs etching so as to penetrate the silicon layer.
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