JP2014045065A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014045065A JP2014045065A JP2012186366A JP2012186366A JP2014045065A JP 2014045065 A JP2014045065 A JP 2014045065A JP 2012186366 A JP2012186366 A JP 2012186366A JP 2012186366 A JP2012186366 A JP 2012186366A JP 2014045065 A JP2014045065 A JP 2014045065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- dopant
- unit
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】回転するシリコンの基板の表面にドーパントを含む塗布液を吐出して、表面全面に当該塗布液を塗布する。次に、その基板を加熱することによって基板表面にドーパントを含む多分子層の薄膜101を形成する。そして、多分子層の薄膜101が形成された基板の表面にフラッシュ光を照射して加熱することにより、薄膜101に含まれるドーパントを基板の表面に拡散させる。フラッシュ光の照射時間は、0.01ミリセカンド以上100ミリセカンド以下の極めて短時間であるため、薄膜101を含む基板の表面近傍が加熱されている時間は極めて短く、ドーパントの拡散距離も短くなって基板の表層の極めて浅い領域のみに不純物を導入することができる。
【選択図】図7
Description
図1は、本発明に係る基板処理装置1の全体構成を示す図である。この基板処理装置1は、シリコンの半導体基板W(以下、単に基板W)にドーパントを含む塗布液を塗布して多分子層の薄膜を形成し、その後フラッシュ光を照射してのフラッシュ加熱によってドーパントを基板表層に拡散させる。基板処理装置1は、基板Wの搬出入を行うためのインデクサ部IDと、複数の処理ユニットを配置したユニット配置部MPと、を備える。また、基板処理装置1は、装置に設けられた各種動作機構を制御して基板処理を進行させる制御部9を備える。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の基板処理装置の構成は第1実施形態と全く同じである。図8は、第2実施形態における処理手順を示すフローチャートである。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、基板Wの表面にドーパントを含む薄膜101を形成した後に、その薄膜101の一部を剥離する処理を行う点である。以下に示す処理手順は、制御部9が基板処理装置1の各動作機構を制御することによって進行される。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、基板処理装置1の構成は図1に限定されるものではなく、少なくとも薄膜形成およびフラッシュ加熱を行うユニットを備えた構成であれば良い。
9 制御部
10 塗布処理ユニット
20 ベークユニット
30 剥離ユニット
40 フラッシュ加熱ユニット
80 受渡部
FL フラッシュランプ
ID インデクサ部
IR 移載ロボット
MP ユニット配置部
TR 主搬送ロボット
W 基板
Claims (4)
- 基板の表面にドーパントを導入する基板処理方法であって、
基板の表面にドーパントを含む塗布液を塗布し、多分子層の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜を形成した基板の表面にフラッシュ光を照射して加熱することにより、前記薄膜に含まれるドーパントを基板の表面に拡散させるフラッシュ加熱工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
前記フラッシュ加熱工程の前に、前記薄膜の一部を剥離することによって所定厚さの薄膜を基板の表面に残留させる剥離工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。 - 基板の表面にドーパントを導入する基板処理装置であって、
基板の表面にドーパントを含む塗布液を塗布する塗布処理部と、
前記塗布液が塗布された基板を加熱し、ドーパントを含む多分子層の薄膜を基板の表面に形成する焼成処理部と、
前記薄膜が形成された基板の表面にフラッシュ光を照射して加熱することにより、前記薄膜に含まれるドーパントを基板の表面に拡散させるフラッシュ加熱部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3記載の基板処理装置において、
前記フラッシュ光を照射する前に、前記薄膜の一部を剥離することによって所定厚さの薄膜を基板の表面に残留させる剥離処理部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012186366A JP2014045065A (ja) | 2012-08-27 | 2012-08-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012186366A JP2014045065A (ja) | 2012-08-27 | 2012-08-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014045065A true JP2014045065A (ja) | 2014-03-13 |
Family
ID=50396137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012186366A Pending JP2014045065A (ja) | 2012-08-27 | 2012-08-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014045065A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016151937A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法、および熱処理装置 |
JP2019135733A (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-15 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP2021007160A (ja) * | 2016-12-12 | 2021-01-21 | 株式会社Screenホールディングス | ドーパント導入方法および熱処理方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63117419A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH09181009A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホウ素拡散用塗布液 |
JP2007035719A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | ホウ素拡散用塗布液 |
JP2008103686A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-05-01 | Kovio Inc | 印刷されたドーパント層 |
JP2008218863A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2010062223A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Japan Vam & Poval Co Ltd | ホウ素拡散用塗布液 |
JP2010514585A (ja) * | 2007-01-03 | 2010-05-06 | ナノグラム・コーポレイション | シリコン/ゲルマニウムによるナノ粒子インク、ドーピングされた粒子、印刷法、及び半導体用途のためのプロセス |
JP2011040453A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Sony Corp | ドーピング方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2012501550A (ja) * | 2008-08-27 | 2012-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 印刷誘電体障壁を使用するバックコンタクト太陽電池 |
-
2012
- 2012-08-27 JP JP2012186366A patent/JP2014045065A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63117419A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH09181009A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホウ素拡散用塗布液 |
JP2007035719A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | ホウ素拡散用塗布液 |
JP2008103686A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-05-01 | Kovio Inc | 印刷されたドーパント層 |
JP2010514585A (ja) * | 2007-01-03 | 2010-05-06 | ナノグラム・コーポレイション | シリコン/ゲルマニウムによるナノ粒子インク、ドーピングされた粒子、印刷法、及び半導体用途のためのプロセス |
JP2008218863A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2012501550A (ja) * | 2008-08-27 | 2012-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 印刷誘電体障壁を使用するバックコンタクト太陽電池 |
JP2010062223A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Japan Vam & Poval Co Ltd | ホウ素拡散用塗布液 |
JP2011040453A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Sony Corp | ドーピング方法、および半導体装置の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016151937A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法、および熱処理装置 |
JP2016184670A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法、および熱処理装置 |
CN107251197A (zh) * | 2015-03-26 | 2017-10-13 | 株式会社斯库林集团 | 热处理方法及热处理装置 |
US10128135B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-11-13 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment device |
TWI642109B (zh) * | 2015-03-26 | 2018-11-21 | 思可林集團股份有限公司 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
CN107251197B (zh) * | 2015-03-26 | 2020-07-10 | 株式会社斯库林集团 | 热处理方法 |
JP2021007160A (ja) * | 2016-12-12 | 2021-01-21 | 株式会社Screenホールディングス | ドーパント導入方法および熱処理方法 |
JP2019135733A (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-15 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP7038558B2 (ja) | 2018-02-05 | 2022-03-18 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9741559B2 (en) | Film forming method, computer storage medium, and film forming system | |
JP6157809B2 (ja) | 基板処理方法 | |
US10128135B2 (en) | Heat treatment method and heat treatment device | |
US8781308B2 (en) | Apparatus for and method of heat-treating film formed on surface of substrate | |
JP4343050B2 (ja) | 現像処理装置及びその方法 | |
JP2008128567A (ja) | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 | |
WO2016063743A1 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
US7832352B2 (en) | Coating treatment method and coating treatment apparatus | |
JP2014045065A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2013074217A (ja) | 熱処理装置 | |
CN111799171A (zh) | 热处理方法及热处理装置 | |
JP2004319754A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2012174820A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
KR102663059B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
WO2024047955A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI828373B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2012084755A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
TWI805354B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
TW202412091A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2012141490A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160405 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160726 |