JP2014033098A - ファイバレーザ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 出力光の強度が低下することを抑制しつつ、反射光による損傷を抑制することができるファイバレーザ装置を提供する。
【解決手段】 ファイバレーザ装置1は、希土類添加ファイバ30でパルス状の信号光を増幅して、出力光を出射する光出射部5と、光出射部5から出射する出力光の光路に配置されるフィルタ70とを備える。信号光は、波長が、希土類添加ファイバ30の利得波長帯域内において、希土類添加ファイバで利得が最大となる波長よりも長波長である光である。フィルタ70は、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長を含む少なくとも一部の波長帯域の光を非透過とし、信号光と同じ波長の光、及び、信号光の波長よりも長波長側の波長帯域の光を透過とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、出力光の強度が低下することを抑制しつつ、反射光による損傷を抑制することができるファイバレーザ装置に関する。
レーザ光を用いて加工を行う加工機や、レーザ光を使ったメス等の医療機器等に用いるレーザ装置の一つとして、希土類添加ファイバにより信号光を増幅して出射するファイバレーザ装置が用いられている。このようなファイバレーザ装置では、デューティー比、すなわちOFF時間とON時間の比が、例えば10:1という具合に大きなパルス状の出力光を出射する場合がある。このようなデューティー比が大きなファイバレーザ装置では、出力光が出射していない状態で、ASE(Amplified Spontaneous Emission)光が出射することがある。そして出射するASE光の一部が、本来信号光が照射されるべき被加工体等で反射して、ファイバレーザ装置の出射端から入射する場合がある。このようにファイバレーザ装置にASE光の反射光が入射すると、反射光が希土類添加ファイバで増幅されて、増幅された反射光により光源等が損傷する虞がある。
そこで、不要なASE光を除去することが行われている。下記特許文献1には、ASE光をフィルタにより除去するレーザ装置が記載されている。また、下記特許文献2には、ASE光をフィルタにより除去する光増幅器が記載されている。特許文献1のレーザ装置、及び、特許文献2の光ファイバ増幅器では、光源から出射する信号光が希土類添加ファイバで増幅された後、フィルタを透過するよう構成されている。このフィルタは、この信号光と同じ波長の光のみが透過するように、透過する光の波長帯域が信号光の波長帯域に合わされて狭帯域化されている。このようにフィルタを透過する光の波長帯域と、信号光の波長帯域とが合わされることで、信号光のみがフィルタを透過し、フィルタを透過しないASE光が除去されている。
特開2001−83557号公報 特開平03−235924号公報
上記のように、フィルタが希土類添加ファイバよりも出射側に配置されることにより、出射したASE光が上記のような反射光として再びファイバレーザ装置に入射して、希土類添加ファイバで増幅されることを抑制することができる。
しかし、特許文献1,2に記載されているフィルタ、すなわち透過する光の波長が狭帯域化されているフィルタを希土類添加ファイバよりも出射側に配置すると、増幅されたパルス状の信号光が出力光として出射する際に、その強度が抑えられる場合がある。そして、このような出力光の強度の抑制は強度のより大きな光を出射させようとする程その傾向が大きくなることが明らかとなった。
更に、パルス間に出射するASE光が被加工体等で反射して再び希土類添加ファイバに入射する場合に、反射光として入射するASE光の一部が除去されないとしても、光源等への損傷を十分に抑制することができることが明らかとなった。
そこで、本発明は、上記検討結果を踏まえてなされたものであり、出力光の強度が低下することを抑制しつつ、反射光による損傷を抑制することができるファイバレーザ装置を提供することを目的とする。
すなわち、本発明のファイバレーザ装置は、励起光を出射する励起光源、及び、前記励起光が入射し、当該励起光により励起される希土類元素が添加される希土類添加ファイバを有し、前記希土類添加ファイバでパルス状の信号光を増幅して、前記信号光を含む出力光を出射する光出射部と、前記光出射部から出射する前記出力光の光路に配置されるフィルタと、を備え、前記信号光の波長は、前記希土類添加ファイバの利得波長帯域内において、前記希土類添加ファイバで利得が最大となる波長よりも長い波長であり、前記フィルタは、前記希土類添加ファイバで利得が最大となる前記波長を含む少なくとも一部の波長帯域の光を非透過とし、前記信号光の波長の光、及び、前記信号光の波長よりも長波長側の波長帯域の光を透過とすることを特徴とするものである。
本発明のファイバレーザ装置のようにパルス状の信号光を増幅して出射するファイバレーザ装置では、パルス状の信号光が増幅されて出力光が出射する間に、励起光により励起された希土類元素の自然放出により、ASE光が出射する場合がある。しかし、本発明のファイバレーザ装置によれば、ASE光が出射する場合であっても、ASE光の内、少なくとも希土類添加ファイバにおいて最大の利得で増幅される波長の光は、フィルタにより除去されて出射されない。従って、ASE光が出射され、加工体等の光の被照射体で反射して再びファイバレーザ装置内に入射する場合であっても、反射光には、希土類添加ファイバにおいて最大の利得で増幅される波長の光が含まれない。この最大の利得で増幅される波長の光が除去されることで、反射光が希土類添加ファイバにおいて、高い利得で増幅されることを抑制することができる。このため、反射光による損傷を抑制することができる。
また、パルス状の信号光を増幅する目的の一つとして、信号光を高い利得で増幅して、強度の大きな出力光を出射することを挙げることができる。このように信号光が高い利得で増幅され、強度の大きな光が希土類添加ファイバを伝播すると、非線形光学効果によって増幅された信号光の一部が長波長側にシフトする場合がある。しかし、本発明のファイバレーザ装置によれば、出力光に信号光よりも長波長側にシフトした光が含まれる場合であっても、この長波長側にシフトした光はフィルタを透過することができる。このため、フィルタを透過して出射する出力光の強度の低下を抑制することができる。なお、信号光が増幅されて出力光が出射するとき、出力光には広い波長帯域を有するASE光が含まれず、信号光の波長の光、及び信号光の波長よりも長い波長の光しか含まれない。従って、出力光が、信号光の波長の光よりも短波長側を非透過とするフィルタを通過しても、出力光の強度が低下することは殆どない。
このように本発明のファイバレーザ装置によれば、出力光の強度が低下することを抑制しつつ、反射光による損傷を抑制することができるのである。
なお、本発明における信号光とは、希土類添加ファイバに入射して増幅されて出射する光を意味しており、光に信号が重畳している必要はない。
さらに、前記フィルタは、少なくとも前記希土類添加ファイバの利得波長帯域内において、前記信号光の波長よりも短波長側の全ての光を非透過とすることが好ましい。
信号光の波長よりも短波長側の全ての光を非透過とすることで、ASE光の反射光から信号光の波長よりも短波長側光を除去することができる。従って、反射光により損傷を受けることをより一層抑制することができる。
また、前記光出射部は、前記信号光の出射方向と逆側に進行する光の強度を検出する光検出部と、前記励起光源を制御する制御部とを更に備え、前記制御部は、前記光検出部からの出力に基づき、前記信号光の出射方向と逆側に進行する前記光が所定の強度以上であると判断する場合に、前記励起光の強度を小さくするよう制御することが好ましい。
信号光の出射方向と逆側に進行する光の強度を検出することにより、反射光の強度をモニタすることができる。従って、何らかの原因により信号光の出射方向と逆側に進行する光が大きくなる場合に、反射光の強度が大きくなったと判断して、希土類添加ファイバによる利得を減少させることで、反射光による損傷が生じることをより抑制することができる。特に、信号光の波長の光を検出して、上記の制御を行うことにより、反射光による損傷をより抑制することができる。
また、前記光出射部と前記波長選択フィルタとの間における前記出力光の光路に、前記出力光の進行方向に進行する光を透過させ、前記出力光の進行方向と逆側に進行する光の前記光出射部への入射を抑制する光アイソレータが設けられることが好ましい。
光アイソレータにより、反射光が光出射部の希土類添加ファイバに入射することを抑制することができるので、反射光による損傷が生じることをより一層と抑制することができる。
また、前記希土類元素がイッテルビウムで、前記信号光は、波長が1070nm以上の光であり、前記波長選択フィルタは、少なくとも前記希土類添加ファイバの利得波長帯域内において、1070nmより短波長の光を非透過とすることが好ましい。
イッテルビウムを増幅媒体とした希土類添加ファイバは、利得が大きく、強度の大きな出力光を出射することができるが、増幅された信号光の一部が、非線形光学効果により長波長側へシフトし易い。しかし、本発明によれば、信号光の波長よりも長波長側の光がフィルタを透過することができるため、出射する出力光の強度の低下を抑制することができる。
また、前記光出射部は、パルス状の信号光を出射する信号光源を更に備え、前記信号光源から出射された前記信号光が前記希土類添加ファイバに入射することとしても良い。
このような構成によれば、MO−PA(Master Oscillator Power Amplifier)型のファイバレーザ装置とすることができ、信号光源が反射光により損傷することを抑制することができるので、高い信頼性のファイバレーザ装置とすることができる。
また、前記光出射部は、前記希土類添加ファイバの出射側と逆側に設けられ、前記信号光と同じ波長の光を反射する第1ミラーと、前記希土類添加ファイバの光の出射側に設けられ、前記第1ミラーが反射する光と同じ波長の光を前記第1ミラーよりも低い反射率で反射する第2ミラーと、前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間に設けられ、前記信号光と同じ波長の光が低損失な状態と高損失な状態とを繰り返す光スイッチと、を更に備え、前記信号光は、前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間を共振する光であることとしても良い。
このような構成により、信号光が共振する共振型のファイバレーザ装置をすることができ、光スイッチにより、パルス状の出力光を出射することができる。そして、反射光が増幅されることにより、共振構造が破壊されることを抑制することができるので、高い信頼性のファイバレーザ装置とすることができる。
以上説明したように、本発明によれば、出力光の強度が低下することを抑制しつつ、反射光による損傷を抑制することができるファイバレーザ装置が提供される。
本発明の第1実施形態に係るファイバレーザ装置を示す図である。 希土類添加ファイバに添加される希土類がイッテルビウムである場合の希土類添加ファイバの波長と利得との関係を示す図である。 図1の希土類添加ファイバから出射される光の強度を模式的に示す図である。 本発明の第2実施形態に係るファイバレーザ装置を示す図である。
以下、本発明に係るファイバレーザ装置の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るファイバレーザ装置を示す図である。
図1に示すように、ファイバレーザ装置1は、信号光を増幅して出力光を出射する光出射部5と、光出射部5から出射された出力光が透過するフィルタ70と、光出射部5とフィルタ70との間における出力光の光路に設けられる光アイソレータ75と、を主な構成として備える。また、光出射部5は、信号光を出射する信号光源10と、励起光を出射する励起光源20と、信号光と励起光とが入射する希土類添加ファイバ30と、信号光及び励起光を希土類添加ファイバ30に入射するためのコンバイナ40と、信号光源10と希土類添加ファイバ30との間に配置される光検出部50と、制御部60と、を主な構成として備える。このようにファイバレーザ装置1は、信号光源10がMO(Master Oscillator)とされ、励起光源20及び希土類添加ファイバ30がPA(Power Amplifier)とされる、いわゆるMO−PA型のファイバレーザ装置である。
信号光源10は、例えば、レーザダイオードや、ファブリペロー型やファイバリング型のファイバレーザ装置等からなる図示しない信号光発生部、及び、信号光発生部で発生する光をパルス状の信号光にするための光スイッチ11を有している。光スイッチ11は、例えば、AOM(Acoustic Optical Modulator)から構成され、信号光発生部の内部或いは外部に配置されている。光スイッチ11は、信号光が低損失な状態と高損失な状態とを繰り返すように制御される。光スイッチ11が、このように制御されることにより、信号光源10からはパルス状の信号光が出射する。なお、光スイッチ11は、AOM以外にマイクロマシン方式光スイッチやLN変調機等であっても良い。
この信号光源10から出射する信号光は、後述の希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長よりも長い波長の光とされ、例えば、波長が1085nmのレーザ光とされる。また、信号光源10は、コア、及び、コアの外周面を隙間なく囲むクラッドから構成される信号光用ファイバ15に接続されており、信号光源10から出射する信号光は、信号光用ファイバ15のコアを伝播する。信号光用ファイバ15としては、例えば、シングルモードファイバが挙げられ、この場合、信号光は、信号光用ファイバ15をシングルモードの光として伝播する。
励起光源20は、複数のレーザダイオード21から構成され、後述の希土類添加ファイバに添加される希土類元素を励起する波長の励起光、例えば波長が915nmの励起光を出射する。また、励起光源20のそれぞれのレーザダイオード21は、励起光用ファイバ22に接続されており、レーザダイオード21から出射する励起光は、励起光用ファイバ22を伝播する。励起光用ファイバ22としては、例えば、マルチモードファイバが挙げられ、この場合、励起光は励起光用ファイバ22をマルチモード光として伝播する。
希土類添加ファイバ30は、コアと、コアの外周面を隙間なく囲むクラッドと、クラッドの外周面を被覆する樹脂クラッドと、樹脂クラッドの外周面を被覆する被覆層とから構成される光ファイバであり、一方の端部が入射端31とされ他方の端部が出射端32とされている。クラッドの屈折率はコアの屈折率よりも低く、樹脂クラッドの屈折率はクラッドの屈折率よりもさらに低くされている。このようなコアを構成する材料としては、例えば、屈折率を上昇させるゲルマニウム等の元素、及び、励起光源20から出射する励起光により励起されるイッテルビウム(Yb)等の希土類元素が添加された石英が挙げられる。このような希土類元素としては、希土類元素が挙げられ、希土類元素としては、上記Ybの他にツリウム(Tm)、セリウム(Ce)、ネオジウム(Nd)、ユーロピウム(Eu)、エルビウム(Er)等が挙げられる。また、クラッドを構成する材料としては、例えば、何らドーパントが添加されていない純粋石英が挙げられる。また、樹脂クラッドを構成する材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂が挙げられ、被覆層を構成する材料としては、例えば、樹脂クラッドを構成する樹脂とは異なる紫外線硬化樹脂が挙げられる。
この希土類添加ファイバ30は、励起光により励起される希土類元素が、コアを伝播する光により誘導放出を起こすことで、コアを伝播する光を増幅する。図2は、添加される希土類がイッテルビウムである場合において、デューティー比が10:1である場合の希土類添加ファイバ30を伝播する信号光の波長と利得との関係を示す図である。図2に示す希土類添加ファイバ30の利得の例は、波長が、1030nm近傍で最大となる。従って、イッテルビウムが添加されたこのような希土類添加ファイバ30が用いられる場合、信号光源10からは、例えば上述のように波長が1085nmのレーザ光という具合に、波長が約1030nmよりも長波長の信号光が出射される。
また、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長は、簡易的に以下の方法で実験的にもとめることが出来る。それは、信号光源10から連続状の信号光を希土類添加ファイバ30に入射すると共に、励起光源20から使用時に出射される励起光のパワーを信号光のデューティー比で除したパワーの励起光を希土類添加ファイバ30に入射する。このときに信号光が最も大きな利得で増幅される波長を希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長にすれば良い。このような波長の求め方であれば、計算によっても求めることができる。なお、上記の「使用時に出射される励起光のパワーをデューティー比で除したパワー」とは、例えば、信号光のデューティー比が10:1である場合、使用時に出射される励起光のパワーを1/10で除すことを意味し、この場合、使用時に出射される励起光のパワーの10倍のパワーとなる。
コンバイナ40は、信号光用ファイバ15及びそれぞれの励起光用ファイバ22と、希土類添加ファイバ30の入射端31とを接続している。具体的には、コンバイナ40において、信号光用ファイバ15のコアが、希土類添加ファイバ30のコアに接続されており、さらにそれぞれの励起光用ファイバ22のコアが、希土類添加ファイバ30のクラッドに接続されている。従って、信号光源10から出射する信号光は、希土類添加ファイバ30のコアに入射され、励起光源20から出射する励起光は、希土類添加ファイバ30のクラッドに入射する。
光検出部50は、信号光用ファイバ15の途中に設けられる光分離部51、及び、光分離部51により分離された光の強度を電気的信号に変換する光電変換部52とから構成される。光分離部51は、例えば、光カプラ等から構成され、希土類添加ファイバ30の入射端31から信号光源10に向かって出射する光を分離して、光電変換部52に入射する。つまり、光検出部50は、信号光の出射方向と逆側に進行する光の強度を検出する。また、光電変換部52は、例えばフォトダイオード等の光電変換素子から構成され、光分離部51から入射する光を光電変換し、光分離部51から入射する光の強度に基づいた電気的信号を制御部60に出力する。
制御部60は、光源制御部61、及び、光電変換部52から入力する信号の電圧と基準電圧とを比較する比較器62を有している。比較器62は、光電変換部52から入力される信号と基準電圧とを比較して、その結果を示す信号を光源制御部61に出力する。光源制御部61は、論理ゲートや、CPU(Central Processing Unit)等で構成されており、比較器62からの信号に基づいて、制御信号を生成する。生成された制御信号は、励起光源20に入力され、励起光源20は、出射する励起光の強度をこの制御信号に基づいたものとする。従って、励起光源20から出射する励起光は、光源制御部61の制御信号に基づいた強度の光とされる。また、本実施形態において、光源制御部61は、励起光源20の制御以外に、信号光源10を制御する。例えば、光源制御部61は、信号光源10から出射する信号光の強度や、パルス状の信号光のデューティー比等を制御することができる。
フィルタ70は、光出射部5の希土類添加ファイバ30から出射する光の光路に配置されている。本実施形態において、フィルタ70は、信号光の波長よりも短波長側であって、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長を含む少なくとも一部の波長帯域の光を非透過とする。そして、フィルタ70は、信号光、及び、信号光の波長よりも長波長側の波長帯域の光を透過とする。例えば、上述のように、希土類添加ファイバ30が、イッテルビウムが添加され、利得が最大となる波長が1030nm近傍である光ファイバであり、信号光の波長が1085nmである場合、波長が1070nm以下の光を非透過とし、波長が1070nmよりも長波長側の光を透過とする。
このようなフィルタ70としては、ガラス上にフィルタ膜が形成されたフィルタを挙げることができる。このようなフィルタ膜としては、複数種類の金属酸化膜が繰り返し積層された多層膜を挙げることができる。また、フィルタ70は、図1に示すように、希土類添加ファイバ30から出射する光の進行方向に対して、フィルタ面が傾斜して配置されることが好ましい。フィルタ面が傾斜して配置されることにより、フィルタ70が非透過の光を反射する場合に、反射した光を適切に取り出しやすいためである。
光アイソレータ75は、希土類添加ファイバ30から出射する信号光の進行方向に進行する光を透過し、この信号光の進行方向とは逆側に進行する光の光出射部5への入射を抑制するよう構成されている。また、本実施形態において、この光アイソレータ75は、信号光の進行方向とは逆側に進行する光の内、信号光の波長と同じ波長の光の光出射部5への入射を最も抑制するように構成されている。つまり、光アイソレータ75は、信号光源10から出射する信号光の波長と同じ波長の光に対するアイソレーションが最大とされている。
次に、このようなファイバレーザ装置1の動作について説明する。
まず、光源制御部61から信号光源10に制御信号が入力されて、信号光源10の光スイッチ11は、予め定められた一定の周期で信号光が低損失な状態と高損失な状態とを繰り返すようにスイッチング動作をする。そして、信号光源10からこのスイッチング動作に同期したパルス状の信号光が一定の周期で出射する。このとき信号光源10から出射する信号光は、上述のように、例えば、波長が1085nmの光とされ、信号光のデューティー比は、例えば、「信号光源10から信号光が出射していない期間」:「信号光源10から信号光が出射している期間」が10:1とされる。信号光源10から出射された信号光は、信号光用ファイバ15のコアを伝播して、コンバイナ40に入射する。
また、励起光源20のそれぞれのレーザダイオード21から励起光が出射する。励起光源20のそれぞれのレーザダイオード21から出射する励起光は、上述のように、例えば、波長が915nmとされる。そして、それぞれのレーザダイオード21から出射された励起光は、励起光用ファイバ22を伝播しコンバイナ40に入射する。
こうしてコンバイナ40に入射したパルス状の信号光は、希土類添加ファイバ30の入射端31からコアに入射して、コアを伝播する。一方、コンバイナ40に入射した励起光は、希土類添加ファイバ30の入射端31からクラッドに入射して、クラッドを主に伝播する。
励起光が伝播する希土類添加ファイバ30では、励起光がコアを通過するときに、コアに添加されている希土類元素に吸収されて、希土類元素は励起される。そして、信号光が希土類添加ファイバ30に入射していない期間は、希土類元素の励起状態が高くなる。一方、パルス状の信号光が希土類添加ファイバ30に入射されると、励起された希土類元素は、信号光により誘導放出を起こし、この誘導放出により信号光が増幅されて、希土類添加ファイバ30の出射端32からパルス状の出力光が出射する。
図3は、希土類添加ファイバ30から出射する光の強度を示す図である。上記のように信号光が希土類添加ファイバ30に入射している期間は、強度の大きな出力光OLが希土類添加ファイバ30から出射する。このとき、希土類添加ファイバ30において、信号光の一部が、非線形光学効果により、波長が長波長側にシフトする場合がある。この場合、希土類添加ファイバ30から出射する出力光OLは、信号光SLと、信号光SLが長波長側にシフトしたストークス光STとから成る。
一方、信号光が希土類添加ファイバ30に入射していない期間は、励起状態が高くなった希土類元素からASE光が放出される。このASE光は、波長の帯域幅が広く、信号光源10から出射する信号光の波長よりも短波長側の光ASEsと、信号光源10から出射する信号光の波長よりも長波長側の光ASElとからなり、強度の小さな光である。ASE光が発生すると、希土類添加ファイバ30で発生したASE光が増幅される。ところで、信号光源10から出射する信号光は、希土類添加ファイバ30で最も利得が高い波長よりも長波長の光である。従って、図3に示すように信号光よりも短波長側の光ASEsが、信号光よりも長波長側の光ASElよりも高い利得で増幅される。こうして、信号光よりも短波長側の光ASElが高い利得で増幅されたASE光が、希土類添加ファイバ30の出射端32から出射する。
希土類添加ファイバ30から出射する光は、光アイソレータ75を介して、フィルタ70に入射する。そして、信号光源10から出射する信号光の波長と同波長の光、及び、信号光源10から出射される信号光の波長よりも長波長側の波長帯域の光は、フィルタ70を透過する。一方、信号光の波長よりも短波長側であって、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長を含む少なくとも一部の波長帯域の光は、フィルタ70を透過することができない。
上述のように信号光源10から出射する信号光の波長は、前記希土類添加ファイバで利得が最大となる波長よりも長波長であるため、信号光源10から信号光が希土類添加ファイバ30に入射している期間は、信号光SLとストークス光STとから成る出力光OLがフィルタ70を透過して、ファイバレーザ装置1から出射する。この期間、希土類添加ファイバ30からASE光は出射しないため、光出射部5から出射する出力光OLには、信号光SLの波長よりも短波長側の光が殆ど含まれない。従って、光出射部5から出射する出力光OLの強度は、フィルタ70により殆ど低下しない。こうしてファイバレーザ装置1から強度の大きなパルス状の出力光OLが出射する。
一方、信号光源10から信号光が希土類添加ファイバ30に入射していない期間は、上述のように増幅されたASE光がフィルタ70に入射する。ASE光の内、信号光源10から出射する信号光の波長よりも長波長の光ASElはフィルタ70を透過する。しかし、信号光源10から出射する信号光の波長より短波長の光である光ASEsの内、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長を含む少なくとも一部の波長帯域の光は、フィルタ70を透過せずにフィルタ70で反射して、図示しない無反射体に吸収される。
例えば、上記のように、希土類添加ファイバ30が、利得が最大となる波長が1030nm近傍である光ファイバであり、信号光源10から出射する信号光の波長が1085nmであり、フィルタ70が1070nm以下の波長の光を非透過とする。この場合、ASE光の内、希土類添加ファイバ30高い利得で増幅される光を含む光ASEsの多くは、フィルタ70で信号光が伝播するライン外に反射し、フィルタ70を透過しない。一方、希土類添加ファイバ30高い利得で増幅される光を含まない光ASEsの残りと、希土類添加ファイバ30で低い利得で増幅される信号光よりも長波長の光ASElとがフィルタ70を透過する。こうして信号光よりも波長帯域の大きく、強度の小さな光が出射する。
ファイバレーザ装置1の使用時においては、ファイバレーザ装置1から出射する光が、加工体等の被照射体に照射される。このとき、被照射体に照射される光の一部が、被照射体で反射して、反射光として再びファイバレーザ装置1に入射する場合がある。
ファイバレーザ装置1に入射した反射光は、フィルタ70に入射する。反射光は、ファイバレーザ装置1から出射した光の一部から成るため、ファイバレーザ装置1から出力光OLが出射している期間であれば、反射光は、出射する信号光SLの一部とストークス光STの一部とから成り、ファイバレーザ装置1からASE光が出射している期間であれば、光ASElの一部と、光ASEeのうち希土類添加ファイバ30高い利得で増幅される光を含まない光の一部とから成る。これらの光は、出射時にフィルタ70を透過した波長の光であるため、反射光においてもフィルタ70を透過する。
フィルタ70を透過した反射光は、光アイソレータ75に入射する。そして、光アイソレータ75に入射する反射光の多くは、光アイソレータ75のアイソレーションにより、光出射部5への入射が抑制される。ところでファイバレーザ装置1から出射する出力光OLの内、信号光SLが最も大きな強度である。従って、通常、反射光においても、信号光SLが最も大きな強度となる。しかし、上述のように本実施形態では、光アイソレータ75は、信号光源10から出射する信号光の波長と同じ波長の光に対するアイソレーションが最大とされているため、光アイソレータ75に入射する反射光の、光出射部5への入射が抑制される。
ここで、光アイソレータ75に入射する反射光の内、一部の光がアイソレーションされずに光出射部5に入射する場合がある。光出射部5に入射する光は、希土類添加ファイバ30の出射端32から希土類添加ファイバ30に入射して、励起された希土類元素により増幅される。
希土類添加ファイバ30で増幅された反射光は、希土類添加ファイバ30の入射端31から信号光源10へ向かう。このとき、信号光源10から信号光が出射している期間であれば、増幅されて希土類添加ファイバ30の入射端31から信号光源10へ向かう反射光は、信号光SLとストークス光STと同じ波長の光となる。一方、信号光源10から信号光が出射していない期間では、増幅される反射光は、光ASElと光ASEsのうちフィルタを透過可能な波長帯域の光とから成るものの、希土類添加ファイバ30の入射端31から信号光源10へ向かう光は、増幅された反射光の他に、希土類添加ファイバ30で新たに発生して、入射端31から出射するASE光が含まれる。
そして、希土類添加ファイバ30の入射端31から信号光源10へ向かう光は、光検出部50の光分離部51において、少なくとも一部が分離されて、光電変換部52に入射する。光電変換部52は、光分離部51から入射した光の強度に基づいた信号を制御部60に出力する。
制御部60では、光電変換部52から信号が入力されると、比較器62において、この信号の電圧と、基準電圧Vccとを比較する。そして、光電変換部52から出力する信号の電圧が、基準電圧Vccより小さい場合には、比較器62は、光電変換部52からの信号の電圧が低い旨の信号を光源制御部61に出力する。例えばこの信号は、電圧の低い信号とされる。この場合、光源制御部61は、希土類添加ファイバ30の入射端31から信号光源10に向う光の強度が小さいと判断して、励起光源20に特別な制御信号を出力しない。つまり、励起光源20は、光検出部50に入射する光が所定の強度より小さい場合には、通常の強度で励起光を出射する。
一方、希土類添加ファイバ30の入射端31から信号光源10に向かって出射される光の強度が所定の強度以上である場合においては、光電変換部52から出力する信号の電圧が高くなり、比較器62において、光電変換部52から出力する電圧が基準電圧Vccよりも高いと判断される。この場合、比較器62は、光電変換部52からの信号の電圧が高い旨の信号を光源制御部61に出力する。この信号は、例えば電圧の高い信号とされる。この信号が光源制御部61に入力すると、光源制御部61は、希土類添加ファイバ30の入射端31から信号光源10に向う光の強度が大きいと判断して、励起光源20を制御して、励起光源20から出射する励起光の強度を小さくする。つまり、励起光源20は、光検出部50に入射する光が所定の強度より大きい場合には、励起光の強度を小さくする。
このように、信号光の出射方向と逆側に進行する光の強度をモニタして、その光の強度に応じて励起光の強度を調節し、希土類添加ファイバ30による利得を減少させることで、反射光による損傷が生じることをより抑制することができる。
なお、フィルタ70を透過可能な反射光のうち、信号光の反射光が信号光源10等への損傷を誘発する可能性が高い。従って、信号光の反射光をモニタして、この反射光の強度が所定の強度より大きい場合に、励起光の強度を小さくしても良い。このような信号光の反射光をモニタするには、信号光がパルス状であるため、信号光の反射光もパルス状であることに着目して、信号光の出射方向と逆側に進行する光の強度が立ち上がったときに、この光を反射光としてモニタすればよい。このように信号光の反射光をモニタすることにより、信号光源10等への損傷をより抑制することができる。
また、信号光の反射光をモニタするには、光分離部51が波長選択性を有しており、信号光と同じ波長の光を分離して光電変換部52に入射するようにしても良い。このような光分離部51としては、波長選択性を有する光カプラを挙げることができる。反射光の波長は信号光と同じ波長であるため、光分離部51がこのような波長選択性を有するよう構成することで、反射光が光電変換部52に入射し、ASE光が光電変換部52に入射することを大幅に低減することができ、反射光のモニタが容易になる。
以上説明したように、本発明のファイバレーザ装置1によれば、ASE光が出射する場合であっても、ASE光の内、少なくとも希土類添加ファイバ30で最大の利得で増幅される光は、フィルタ70により除去されて出射されない。従って、ASE光が出射され、加工体等で反射して再び、ファイバレーザ装置1内に入射する場合であっても、反射光には、希土類添加ファイバ30で最大の利得で増幅される光が含まれない。この最大の利得で増幅される光が除去されることで、反射光が希土類添加ファイバ30において、高い利得で増幅されることを抑制することができる。このため、反射光による損傷を抑制することができる。
また、増幅された信号光の一部において、波長が長波長側にシフトする場合であっても、波長がシフトしたストークス光STはフィルタ70を透過することができる。このため、フィルタ70を透過して出射する出力光OLの強度の低下を抑制することができる。こうして、出射される出力光OLの強度が低下することを抑制しつつ、反射光による損傷を抑制することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について図4を参照して詳細に説明する。なお、特に説明する場合を除き、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。
図4は、本発明の第2実施形態に係るファイバレーザ装置を示す図である。図4に示すように、本実施形態のファイバレーザ装置2は、第1実施形態の光出射部5に代えて、光出射部6が用いられている点において、第1実施形態のファイバレーザ装置1と異なる。
光出射部6は、励起光源20と、希土類添加ファイバ30と、希土類添加ファイバ30の入射端31に接続される第1光ファイバ81と、第1光ファイバ81に設けられる第1ミラーとしての第1FBG(Fiber Bragg Grating)86と、励起光を第1光ファイバ81に入射するためのコンバイナ41と、希土類添加ファイバ30の出射端32に接続される第2光ファイバ82と、第2光ファイバ82に設けられる第2ミラーとしての第2FBG87と、第1FBG86と第2FBG87との間に設けられる光スイッチ85と、第2FBG87よりも光の出射端側に配置される光検出部50と、制御部60と、を主な構成として備える。このようにファイバレーザ装置2は、共振器型のファイバレーザ装置である。
第1光ファイバ81は、コアの直径が希土類添加ファイバ30のコアの直径と同様とされ、クラッドの外径が希土類添加ファイバ30のクラッドの外径と同様とされる。従って、希土類添加ファイバ30のコアと第1光ファイバ81のコアとが光学的に結合し、希土類添加ファイバ30のクラッドと第1光ファイバ81のクラッドとが光学的に結合している。
また、第1光ファイバ81の希土類添加ファイバ30と接続されている側と反対側の端部は、コンバイナ41に接続されており、コンバイナ41において、励起光用ファイバ22のコアが第1光ファイバ81のクラッドに接続されている。従って、励起光源20から出射する励起光は、第1光ファイバ81に入射する。
また、第1光ファイバ81のコアには、第1FBG86が設けられている。こうして第1FBG86は、希土類添加ファイバ30の出射側と逆側に設けられている。第1FBG86は、第1光ファイバ81の長手方向に沿って一定の周期で屈折率が高くなる部分が繰り返されており、この周期が調整されることにより、励起状態とされた希土類添加ファイバ30の希土類元素が放出する光の波長帯域の内、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長よりも長波長の光を反射するように構成されている。第1FBG86は、上述のように希土類添加ファイバ30に添加される希土類がイッテルビウムである場合、例えば1085nmにおいて反射率が、例えば100%とされる。
希土類添加ファイバ30の出射端32に接続されている第2光ファイバ82は、コアの直径が希土類添加ファイバ30の直径と同様とされる。従って、希土類添加ファイバ30のコアと第2光ファイバ82のコアとが光学的に結合している。
また、第2光ファイバ82のコアには、第2FBG87が設けられている。こうして第2FBG87は、希土類添加ファイバ30の出射側に設けられている。第2FBG87は、第2光ファイバ82の長手方向に沿って一定の周期で屈折率が高くなる部分が繰り返されており、第1FBG86が反射する光と同じ波長の光を第1FBG86よりも低い反射率で反射するように構成され、例えば、第1FBG86が反射する光と同じ波長の光を50%の反射率で反射するように構成されている。
光スイッチ85は、第2光ファイバに設けられ、第1実施形態の信号光源10における光スイッチ85と同様の素子から構成され、第1FBG86、第2FBG87で反射する波長の光が低損失な状態と高損失な状態とを繰り返すようにスイッチング制御される。光スイッチ85が低損失な状態では、光スイッチ85に入射する光の略全てが光スイッチ85を透過する。一方、光スイッチ85が高損失な状態では、光スイッチ85に入射する光の内、第1FBG86、第2FBG87で反射する波長の光の殆どが損失し、他の波長の光が光スイッチ85を透過する。
光検出部50の光分離部51は、第2光ファイバ82の途中に設けられ、第2光ファイバ82の出射端側から希土類添加ファイバ30側に向かって出射する光を分離して、光電変換部52に入射する。従って、本実施形態の光検出部50は、第1実施形態の光検出部50と同様に、信号光の出射方向と逆側に進行する光の強度を検出する。
制御部60は、第1実施形態において、励起光源20及び信号光源10を制御するものとしたが、本実施形態では、励起光源20及び光スイッチ85を制御する。そして、光源制御部61は、比較器62からの信号に基づいて、励起光源20や、光スイッチ85を制御して、励起光の強度や、後述のように出射するパルス状の信号光のデューティー比等を制御する。
次にファイバレーザ装置2の動作について説明する。
まず、励起光源20のそれぞれのレーザダイオード21から励起光が出射すると共に、光スイッチ85が、予め定められた一定の周期で低損失な状態と高損失な状態とを繰り返すようにスイッチング動作をする。
励起光源20から励起光が出射すると、この励起光がコンバイナ41において、第1光ファイバ81のクラッドに入射して、第1光ファイバ81のクラッドから、希土類添加ファイバ30のクラッドに入射する。そして、第1実施形態と同様にして、希土類添加ファイバ30のコアに添加されている希土類元素を励起する。そして励起状態とされた希土類元素は、ASE光を放出する。このときのASE光は、第1実施形態におけるASE光と同様であり、例えば、中心波長が1030nm近傍で広い波長帯域を有する光である。
ここで、光スイッチ85が高損失な状態では、ASE光の内、光スイッチ85で第1FBG86及び第2FBG87で反射する波長の光が損失し、それ以外の光が光スイッチ85を透過する。光スイッチ85を透過したASE光は、第2FBG87で反射する波長以外の波長の光であるため、第2FBG87を透過して、第2光ファイバから出射する。こうして、ASE光が光出射部6から出射する。このASE光には、図3でしめすASE光と同様に、後述の信号光よりも短波長側のASEsと、後述の信号光よりも短波長側のASElとから成る。
上記のように光スイッチ85が高損失な期間では、希土類添加ファイバ30の希土類元素の励起状態が高くなる。そして、光スイッチ85が低損失な状態となると、発生するASE光の略全てが光スイッチ85を透過する。そして、ASE光の内、第1FBG86及び第2FBG87で反射する波長の光が、第1FBG86及び第2FBG87の間を共振しながら、励起された希土類添加ファイバ30の希土類元素の誘導放出により増幅される。本実施形態では、第1FBG86及び第2FBG87で反射して共振しながら増幅する光が信号光とされる。従って、信号光の波長は、第1FBG86及び第2FBG87で反射する波長の光であり、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長よりも長波長の光である。こうして増幅した信号光の一部は、第2FBG87と透過して、出力光として第2光ファイバ82から出射する。上記のように光スイッチ85は、一定の周期でスイッチング動作するため、第2光ファイバ82から出射する出力光はパルス状となる。こうして、パルス状の出力光が、光出射部6から出射する。このとき、信号光の一部が非線形光学効果により長波長側にシフトする場合がある。従って、出力光は、第1実施形態における出力光OLと同様にして、図3で示す信号光SLと、信号光SLよりも長波長のストークス光STとから成る。
光出射部6から出射したASE光及び出力光は、第1実施形態において、光出射部5から出射したASE光及び出力光と同様とされる。従って、光出射部6から出力光が出射している期間は、信号光SLとストークス光STとから成る出力光OLがフィルタ70を透過して、ファイバレーザ装置1から出射する。この出力光OLは、フィルタ70により強度が殆ど低下しない。こうしてファイバレーザ装置2から強度の大きなパルス状の出力光OLが出射する。一方、光出射部6から出力光OLが出射していない期間は、上述のように光出射部6からASE光が出射する。このASE光の内、信号光よりも長波長の光ASElはフィルタ70を透過する。しかし、信号光の波長より短波長の光である光ASEsの内、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長を含む少なくとも一部の波長帯域の光は、フィルタ70を透過せずにフィルタ70で反射して無反射体に吸収される。
ファイバレーザ装置2から出射する光は、第1実施形態のファイバレーザ装置1から出射する光と同様にして、被照射体で反射して、反射光として再びファイバレーザ装置2に入射する場合がある。この場合、第1実施形態における反射光と同様にしてフィルタ70を透過し、光アイソレータ75に入射する。そして、一部の反射光が、光アイソレータ75でアイソレーションされずに光出射部6に入射する場合がある。
光出射部6に入射した反射光は、光検出部50の光分離部51において、少なくとも一部が分離されて、第1実施形態と同様の信号が制御部60に入力する。そして、制御部60は、第1実施形態と同様にして、光検出部50に入射する光が所定の強度より小さい場合には、励起光源20から出射する励起光の強度を大きくし、光検出部50に入射する光が所定の強度より大きい場合には、励起光源20励起光源20を制御して、励起光源20から出射する励起光の強度を小さくする。
本実施形態では、光出射部6に入射する光の一部が、第2FBG87を透過して、希土類添加ファイバ30に入射して、励起された希土類元素により増幅される場合であっても、反射光には、希土類添加ファイバ30で利得が最大となる波長の光が含まれないため、共振構造や励起光源が損傷することが抑制される。
また、上記のように反射光の強度が光検出部50、制御部60によりモニタされて、反射光の強度により、励起光の強度がコントロールされるため、共振構造や励起光源が損傷することがより一層抑制される。
以上、本発明について、第1、第2実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、上記実施形態のファイバレーザ装置1,2において、光アイソレータ75が設けられていなくても良い。
さらに、上記実施形態のファイバレーザ装置1,2において、反射光を光検出部50及び制御部60でモニタしたが、他の方法により反射光をモニタしても良く、光検出部50及び制御部60を備えず、反射光のモニタを特に行わなくても良い。
以上説明したように、本発明によれば、出力光の強度が低下することを抑制しつつ、反射光による損傷を抑制することができるファイバレーザ装置が提供され、加工機や、医療機器といったレーザ光を用いる分野での利用が期待される。
1、2・・・ファイバレーザ装置
5,6・・・光出射部
10・・・信号光源
11・・・光スイッチ
15・・・信号光用ファイバ
20・・・励起光源
21・・・レーザダイオード
22・・・励起光用ファイバ
30・・・希土類添加ファイバ
31・・・入射端
32・・・出射端
40,41・・・コンバイナ
50・・・光検出部
51・・・光分離部
52・・・光電変換部
60・・・制御部
61・・・光源制御部
62・・・比較器
70・・・フィルタ
75・・・光アイソレータ
85・・・光スイッチ
86・・・第1FBG(第1ミラー)
87・・・第2FBG(第2ミラー)

Claims (7)

  1. 励起光を出射する励起光源、及び、前記励起光が入射し、当該励起光により励起される希土類元素が添加される希土類添加ファイバを有し、前記希土類添加ファイバでパルス状の信号光を増幅して、前記信号光を含む出力光を出射する光出射部と、
    前記光出射部から出射する前記出力光の光路に配置されるフィルタと、
    を備え、
    前記信号光の波長は、前記希土類添加ファイバの利得波長帯域内において、前記希土類添加ファイバで利得が最大となる波長よりも長い波長であり、
    前記フィルタは、前記希土類添加ファイバで利得が最大となる前記波長を含む少なくとも一部の波長帯域の光を非透過とし、前記信号光の波長の光、及び、前記信号光の波長よりも長波長側の波長帯域の光を透過とする
    ことを特徴とするファイバレーザ装置。
  2. 前記フィルタは、少なくとも前記希土類添加ファイバの利得波長帯域内において、前記信号光の波長よりも短波長側の全ての光を非透過とする
    ことを特徴とする請求項1に記載のファイバレーザ装置。
  3. 前記光出射部は、前記信号光の出射方向と逆側に進行する光の強度を検出する光検出部と、前記励起光源を制御する制御部とを更に備え、
    前記制御部は、前記光検出部からの出力に基づき、前記信号光の出射方向と逆側に進行する前記光が所定の強度以上であると判断する場合に、前記励起光の強度を小さくするよう制御する
    ことを特徴とする請求項1に記載のファイバレーザ装置。
  4. 前記光出射部と前記波長選択フィルタとの間における前記出力光の光路に、前記出力光の進行方向に進行する光を透過させ、前記出力光の進行方向と逆側に進行する光の前記光出射部への入射を抑制する光アイソレータが設けられる
    ことを特徴とする請求項1に記載のファイバレーザ装置。
  5. 前記希土類元素がイッテルビウムで、
    前記信号光は、波長が1070nm以上の光であり、
    前記波長選択フィルタは、少なくとも前記希土類添加ファイバの利得波長帯域内において、1070nmより短波長の光を非透過とする
    ことを特徴とする請求項1に記載のファイバレーザ装置。
  6. 前記光出射部は、パルス状の信号光を出射する信号光源を更に備え、
    前記信号光源から出射された前記信号光が前記希土類添加ファイバに入射する
    ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のファイバレーザ装置。
  7. 前記光出射部は、前記希土類添加ファイバの出射側と逆側に設けられ、前記信号光と同じ波長の光を反射する第1ミラーと、前記希土類添加ファイバの光の出射側に設けられ、前記第1ミラーが反射する光と同じ波長の光を前記第1ミラーよりも低い反射率で反射する第2ミラーと、
    前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間に設けられ、前記信号光と同じ波長の光が低損失な状態と高損失な状態とを繰り返す光スイッチと、
    を更に備え、
    前記信号光は、前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間を共振する光である
    ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のファイバレーザ装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018129452A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 古河電気工業株式会社 光ファイバレーザ装置およびその制御方法
WO2022054287A1 (ja) * 2020-09-14 2022-03-17 日本電信電話株式会社 希土類添加光ファイバ及び光ファイバ増幅器
US20220123515A1 (en) * 2019-02-27 2022-04-21 Fujikura Ltd. Laser device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3691057A4 (en) * 2017-09-29 2021-04-21 Fujikura Ltd. FIBER LASER SYSTEM AND CONTROL PROCEDURE FOR IT
EP3745193A1 (en) * 2018-01-23 2020-12-02 Fujikura Ltd. Filter element, laser device, fiber laser device, filter method, and method for manufacturing laser device
JP6785901B2 (ja) * 2019-02-21 2020-11-18 株式会社フジクラ フィルタ装置、レーザ装置
CN112823454B (zh) * 2019-02-21 2024-04-30 株式会社藤仓 光纤激光装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204947A (ja) * 1992-07-07 1994-07-22 Alcatel Nv ジャイアントパルスに対して保護を与えるための光フィルタを備えた光伝送システム
JPH08213676A (ja) * 1994-11-16 1996-08-20 Oki Electric Ind Co Ltd 光ファイバ増幅器
JP2005011888A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Fujikura Ltd エルビウム添加光ファイバ、光ファイバレーザ
WO2009104691A1 (ja) * 2008-02-19 2009-08-27 株式会社フジクラ 光ファイバレーザ
JP2010500742A (ja) * 2006-08-07 2010-01-07 パイロフォトニクス レーザーズ インコーポレイテッド 帯域外利得が低下したファイバ増幅器およびファイバレーザ
WO2010109641A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 富士通株式会社 光増幅器及び光受信装置
JP2010258272A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ光源
WO2011118817A1 (ja) * 2010-03-26 2011-09-29 株式会社フジクラ レーザ装置
JP2012516040A (ja) * 2009-01-23 2012-07-12 コラクティヴ ハイ−テック インコーポレイテッド 二ステージ輝度変換装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2619096B2 (ja) 1990-02-13 1997-06-11 日本電信電話株式会社 光増幅器
WO1996006471A1 (en) * 1994-08-23 1996-02-29 British Telecommunications Public Limited Company Dark pulse generation
JP2001083557A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp レーザ装置
JP2007190566A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Miyachi Technos Corp ファイバレーザ加工装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204947A (ja) * 1992-07-07 1994-07-22 Alcatel Nv ジャイアントパルスに対して保護を与えるための光フィルタを備えた光伝送システム
JPH08213676A (ja) * 1994-11-16 1996-08-20 Oki Electric Ind Co Ltd 光ファイバ増幅器
JP2005011888A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Fujikura Ltd エルビウム添加光ファイバ、光ファイバレーザ
JP2010500742A (ja) * 2006-08-07 2010-01-07 パイロフォトニクス レーザーズ インコーポレイテッド 帯域外利得が低下したファイバ増幅器およびファイバレーザ
WO2009104691A1 (ja) * 2008-02-19 2009-08-27 株式会社フジクラ 光ファイバレーザ
JP2012516040A (ja) * 2009-01-23 2012-07-12 コラクティヴ ハイ−テック インコーポレイテッド 二ステージ輝度変換装置
WO2010109641A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 富士通株式会社 光増幅器及び光受信装置
JP2010258272A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ光源
WO2011118817A1 (ja) * 2010-03-26 2011-09-29 株式会社フジクラ レーザ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018129452A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 古河電気工業株式会社 光ファイバレーザ装置およびその制御方法
US20220123515A1 (en) * 2019-02-27 2022-04-21 Fujikura Ltd. Laser device
WO2022054287A1 (ja) * 2020-09-14 2022-03-17 日本電信電話株式会社 希土類添加光ファイバ及び光ファイバ増幅器

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