JP2014026955A - イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射装置の運転方法 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 249
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 164
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 98
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 86
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】カセット7と処理室5との間で、未処理基板とイオンビーム照射処理された基板との基板交換作業を複数回行う基板搬送部(搬送ロボット8、真空予備室6等)と処理室5にイオンビーム3を供給する為のイオンビーム供給部(プラズマ生成容器1、引出電極系2等)を備えているイオンビーム照射装置で、少なくとも1回の基板交換作業と並行して、イオンビーム供給部の運転パラメータを設定変更することでイオンビーム供給部内のクリーニングを行う。
【選択図】図1
Description
これまでに述べた本発明で用いられるイオンビーム照射装置の例としては、カセット7を大気側に配置しておくタイプのものであったが、カセット7を真空予備室6内に導入するタイプのイオンビーム照射装置にも適用できる。この場合、これらまでの例と同様に未処理基板と処理済基板との交換の際にクリーニングを行うようにしてもいいし、これとは別に、処理済基板が収納されたカセット7と未処理基板が収納されたカセット7との交換の間に、装置内部のクリーニングを行うようにしてもいい。
2・・・引出電極系
3・・・イオンビーム
4・・・基板
5・・・処理室
6・・・真空予備室
7・・・カセット
Claims (6)
- 複数枚の基板が収納されるカセットと、
前記基板へのイオンビーム照射処理がなされる処理室と、
前記カセットと前記処理室との間で、前記カセットに収納された未処理基板と前記処理室内でイオンビーム照射処理された処理済基板との基板交換を複数回行う基板搬送部と、
イオンビームを発生させ、前記処理室内に当該イオンビームを供給するイオンビーム供給部と、を備えたイオンビーム照射装置であって、
前記基板搬送部によって複数回行われる基板交換作業のうち、少なくとも1回の基板交換作業と並行して、前記イオンビーム供給部の運転パラメータを設定変更して、前記イオンビーム供給部内のクリーニングを行うことを特徴とするイオンビーム照射装置。 - 前記イオンビーム照射装置は前記イオンビーム供給部内のクリーニングを行う為のクリーニング用の運転パラメータが格納された記憶装置を有しており、
前記イオンビーム供給部内のクリーニング時には、前記記憶装置から前記クリーニング用の運転パラメータの読み出しが行われることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム照射装置。 - 前記記憶装置には前記クリーニング用の運転パラメータが複数格納されていて、
前記記憶装置からの前記運転パラメータの読み出しは、前記イオンビーム照射装置の運転時間、イオンビーム照射条件、あるいは、前記イオンビーム供給部で発生した放電回数のいずれかに基づいて行われることを特徴とする請求項2記載のイオンビーム照射装置。 - 前記イオンビーム照射装置は、前記処理室内に設けられ、前記イオンビームの電流を計測するイオンビーム電流計測器を備えていて、
前記イオンビーム供給部内のクリーニングが終了してから所定時間経過後に、前記イオンビーム電流計測器での計測を開始することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のイオンビーム照射装置。 - 前記イオンビーム供給部は、
ドーパントガスが導入され、内部でプラズマが生成されるプラズマ生成容器と、
前記プラズマ生成容器内で生成されたプラズマからイオンビームを引出す為の複数枚の電極群から構成された引出電極系を備えていて、
前記イオンビーム供給部内のクリーニングが終了した後で、かつ、前記プラズマ生成容器内に導入される前記ドーパントガスの導入量が所定量に達した後に、前記引出電極系に所定電圧が印加されることで前記イオンビームの引出しが行われることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のイオンビーム照射装置。 - 複数枚の基板が収納されたカセットと、
前記基板へのイオンビーム照射処理がなされる処理室と、
前記カセットと前記処理室との間で、前記カセットに収納された未処理基板と前記処理室内でイオンビーム照射処理された処理済基板との基板交換を複数回行う基板搬送部と、
イオンビームを発生させ、前記処理室内に当該イオンビームを供給するイオンビーム供給部と、を備えたイオンビーム照射装置であって、
前記基板搬送部によって複数回行われる基板交換作業のうち、少なくとも1回の基板交換作業と並行して、前記イオンビーム供給部内のクリーニングを行うことを特徴とするイオンビーム照射装置の運転方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012267674A JP5672297B2 (ja) | 2012-06-22 | 2012-12-06 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射装置の運転方法 |
CN201310081172.1A CN103515172B (zh) | 2012-06-22 | 2013-03-14 | 离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法 |
KR1020130037479A KR101521416B1 (ko) | 2012-06-22 | 2013-04-05 | 이온빔 조사장치 및 이온빔 조사장치의 운전방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012140475 | 2012-06-22 | ||
JP2012140475 | 2012-06-22 | ||
JP2012267674A JP5672297B2 (ja) | 2012-06-22 | 2012-12-06 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射装置の運転方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014026955A true JP2014026955A (ja) | 2014-02-06 |
JP5672297B2 JP5672297B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=50200390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012267674A Active JP5672297B2 (ja) | 2012-06-22 | 2012-12-06 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射装置の運転方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5672297B2 (ja) |
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