JP2014026142A - Manufacturing method for liquid crystal device, liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents

Manufacturing method for liquid crystal device, liquid crystal device and electronic apparatus Download PDF

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明徳 増澤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a liquid crystal device capable of improving display quality, and further to provide the liquid crystal device and an electronic apparatus.SOLUTION: A manufacturing method for a liquid crystal device includes the steps of: forming protrusion portions 41 having deposition angles greater than deposition angles of a first area 71 in a second area 72 on a first base material 10a; and entirely forming alignment films 28 formed of an inorganic material on the first base material 10a including the protrusion portions 41.

Description

本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal device, a liquid crystal device, and an electronic apparatus.

上記液晶装置は、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。   As the liquid crystal device, for example, an active drive type liquid crystal device including a transistor for each pixel as an element for switching control of a pixel electrode is known. Liquid crystal devices are used in, for example, direct view displays and light valves.

このような液晶装置の製造方法において、液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲んでいるシール材や封止材から溶出したりしたイオン性不純物が、液晶装置の駆動や熱拡散により、画素領域（表示領域）に拡散及び凝集することにより、液晶装置の表示特性が劣化する恐れがあることが知られている。   In such a method of manufacturing a liquid crystal device, ionic impurities mixed during liquid crystal injection or eluted from a sealing material or a sealing material surrounding the liquid crystal layer are driven into the pixel region by driving or thermal diffusion of the liquid crystal device. It is known that the display characteristics of the liquid crystal device may deteriorate due to diffusion and aggregation in the (display area).

例えば、特許文献１に記載のように、無機材料からなる無機配向膜を用いた場合、不純物が界面に吸着されやすくなるため、不純物の一層の局在化をもたらし、シミやムラの原因になる場合がある。また、特許文献１には、表示領域の無機配向膜の膜密度が、非表示領域の無機配向膜の膜密度よりも大きくなるように形成し、液晶層の配向特性を変える技術が知られている。   For example, as described in Patent Document 1, when an inorganic alignment film made of an inorganic material is used, impurities are likely to be adsorbed on the interface, resulting in further localization of impurities and causing spots and unevenness. There is a case. Patent Document 1 discloses a technique for changing the alignment characteristics of the liquid crystal layer by forming the inorganic alignment film in the display region so that the film density of the inorganic alignment film is higher than that of the non-display region. Yes.

特開２０１０−２０２５３号公報JP 2010-20253 A

しかしながら、特許文献１では、表示領域において非表示領域よりも無機配向膜の膜密度を低くしているので、表示領域の無機配向膜において不純物が吸着されてしまい、表示不良がおこる。また、膜密度を変えるために、マスクを用いて無機配向膜にイオンビームを照射している（図７（ｃ））。よって、マスクにもイオンビームが照射されるため、マスクにアライメントマークを設けることができず、マスクの外縁と基板の外縁で位置あわせを行う必要があり、その結果、膜密度が変わる境界の位置精度が低下するという課題がある。   However, in Patent Document 1, since the film density of the inorganic alignment film is lower in the display area than in the non-display area, impurities are adsorbed in the inorganic alignment film in the display area, resulting in display defects. In order to change the film density, the inorganic alignment film is irradiated with an ion beam using a mask (FIG. 7C). Therefore, since the mask is also irradiated with an ion beam, it is not possible to provide an alignment mark on the mask, and it is necessary to perform alignment between the outer edge of the mask and the outer edge of the substrate. As a result, the position of the boundary where the film density changes There is a problem that accuracy decreases.

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   An aspect of the present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and can be realized as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板の前記液晶層側の面は、表示領域を含む第１領域と、前記第１領域と前記シール材との間に位置する第２領域と、を有する液晶装置の製造方法であって、前記第２領域に、前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凸部を形成する凸部形成工程と、前記第１領域より前記第２領域の前記部分で蒸着角度が大きくなるように、前記第１領域と前記第２領域に無機材料を斜方蒸着して無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、を有することを特徴とする。   Application Example 1 A method of manufacturing a liquid crystal device according to this application example includes a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a seal for bonding the first substrate and the second substrate. And a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, and the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side includes a first region including a display region, and the first region And a second region located between the sealing material and a convex portion having a portion inclined with respect to the main surface of the first substrate in the second region. An inorganic alignment film formed by obliquely depositing an inorganic material in the first region and the second region so that the deposition angle is larger in the portion of the second region than in the first region. And an alignment film forming step of forming.

本適用例によれば、第１領域の蒸着角度より大きい蒸着角度となる領域を有する凸部を予め形成しておくので、基板上に無機配向膜を同一工程（同条件）で形成することにより、第１領域と比較して第２領域には、配向膜を構成する柱状構造物の間隔が広い無機配向膜を形成することができる。よって、第２領域の配向膜の柱状構造物間に不純物をトラップすることができる。また、基板上における第１領域と第２領域との蒸着角度が変わることにより、柱状構造物の間隔の異なる無機配向膜の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物の幅が異なる無機配向膜を一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。   According to this application example, since the convex portion having a region having a deposition angle larger than the deposition angle of the first region is formed in advance, the inorganic alignment film is formed on the substrate in the same process (same conditions). In the second region, compared with the first region, an inorganic alignment film having a wide interval between the columnar structures constituting the alignment film can be formed. Therefore, impurities can be trapped between the columnar structures of the alignment film in the second region. Moreover, since the area | region of the inorganic alignment film from which the space | interval of a columnar structure differs can be controlled by changing the vapor deposition angle of the 1st area | region and 2nd area | region on a board | substrate, the positional accuracy of a boundary can be improved. In addition, since the inorganic alignment films having different widths of the columnar structures can be formed at a time, it is possible to prevent display characteristics from deteriorating.

［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１領域は、前記表示領域の周囲に形成されたダミー画素領域を含むことが好ましい。   Application Example 2 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example, it is preferable that the first region includes a dummy pixel region formed around the display region.

本適用例によれば、第１領域がダミー画素領域を含み、その周囲に第２領域が設けられるので、第２領域でトラップした不純物が表示領域に拡散して表示特性に悪影響（例えば、シミ）を与えることをより抑えることができる。   According to this application example, since the first region includes the dummy pixel region and the second region is provided around the first region, the impurities trapped in the second region are diffused into the display region and adversely affect the display characteristics (for example, stains). ) Can be further suppressed.

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第２領域は、前記表示領域の角部の外側の領域を含むことが好ましい。   Application Example 3 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example, it is preferable that the second region includes a region outside a corner portion of the display region.

本適用例によれば、少なくとも表示領域の角部の外側に第２領域があるので、比較的不純物が溜まりやすい表示領域の角部において、不純物をトラップすることが可能となり、いわゆる角シミが発生することを抑えることができる。   According to this application example, since the second region is at least outside the corner of the display region, it is possible to trap impurities in the corner of the display region where impurities are relatively easily accumulated, and so-called corner spots are generated. Can be suppressed.

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記シール材の一部が離間した注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、前記注入口を封止部で埋める封止部形成工程と、を有し、前記第２領域は、少なくとも前記注入口と表示領域と間の領域を含むことが好ましい。   Application Example 4 In the method of manufacturing a liquid crystal device according to the application example, a liquid crystal injection process for injecting liquid crystal from an injection port in which a part of the sealing material is spaced, and a sealing unit that fills the injection port with a sealing unit It is preferable that the second region includes at least a region between the injection port and the display region.

本適用例によれば、少なくとも第２領域が注入口周辺の領域を含むので、例えば、注入口からシール材で囲まれた中に液晶を注入する際、液晶に含まれた不純物を注入する段階でトラップすることができる。よって、効率よく不純物をトラップすることができる。   According to this application example, since at least the second region includes a region around the injection port, for example, when the liquid crystal is injected into the region surrounded by the sealing material from the injection port, the step of injecting impurities contained in the liquid crystal Can be trapped with. Therefore, impurities can be trapped efficiently.

［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記凸部は、前記凸部における蒸着角度が広い斜面側の面積が、蒸着角度の小さい斜面側の面積と比較して大きいことが好ましい。   Application Example 5 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example, the convex portion has a larger area on the slope side where the deposition angle is wider than the area on the slope side where the deposition angle is small. Is preferred.

本適用例によれば、蒸着角度が大きい斜面側、つまり、凸部における蒸着源から遠い側の斜面の面積が広いので、より多くの不純物を捕獲することができる。   According to this application example, since the area of the slope on the slope side where the deposition angle is large, that is, the slope on the side far from the deposition source in the convex portion is large, more impurities can be captured.

［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に透明材料からなる第１画素電極を形成する第１画素電極形成工程を有することが好ましい。   Application Example 6 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example described above, it is preferable to include a first pixel electrode forming step of forming a first pixel electrode made of a transparent material on the first substrate.

本適用例によれば、画素電極が透明材料（例えば、ＩＴＯ）からなるので、透過型の液晶装置（透過型のライトバルブ）に用いることができる。   According to this application example, since the pixel electrode is made of a transparent material (for example, ITO), it can be used for a transmissive liquid crystal device (transmissive light valve).

［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に反射性材料からなる第２画素電極を形成する第２画素電極形成工程を有することが好ましい。   Application Example 7 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the application example, it is preferable to include a second pixel electrode forming step of forming a second pixel electrode made of a reflective material on the first substrate.

本適用例によれば、画素電極が反射性材料（例えば、アルミニウム）からなるので、反射型の液晶装置（反射型のライトバルブ）に用いることができる。   According to this application example, since the pixel electrode is made of a reflective material (for example, aluminum), it can be used for a reflective liquid crystal device (reflective light valve).

［適用例８］本記適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、前記第１基板上に設けられた無機材料からなる無機配向膜と、を含み、前記第１基板の前記液晶層側の面は、表示領域を含む第１領域と、前記第１領域と前記シール材との間に位置する第２領域と、を有し、前記無機配向膜において、前記第２領域に設けられた前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凸部の一部の柱状構造物の角度は、前記第１領域に設けられた柱状構造物の角度と比較して大きいことを特徴とする。   Application Example 8 A liquid crystal device according to this application example includes a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a sealing material for bonding the first substrate and the second substrate. A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, and an inorganic alignment film made of an inorganic material provided on the first substrate, on the liquid crystal layer side of the first substrate The surface has a first region including a display region, and a second region located between the first region and the sealing material, and the inorganic alignment film is provided in the second region. An angle of a columnar structure of a part of a convex portion having a portion inclined with respect to a main surface of the first substrate is larger than an angle of a columnar structure provided in the first region. .

本適用例によれば、第１領域と、第１領域の蒸着角度より大きくなる領域を有する凸部が配置された第２領域と、を設けるので、例えば、基板上に無機配向膜を同一工程（同条件）で形成することで、第１領域と比較して第２領域には、配向膜を構成する柱状構造物の間隔が広い無機配向膜を形成することができる。よって、第２領域の配向膜の柱状構造物間に不純物をトラップすることができる。また、基板上における第１領域と第２領域との蒸着角度を変えることにより、柱状構造物の間隔の異なる無機配向膜の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。   According to this application example, since the first region and the second region in which the convex portion having a region larger than the deposition angle of the first region is provided, for example, the inorganic alignment film is formed on the substrate in the same process. By forming it under the same conditions, an inorganic alignment film having a wider interval between the columnar structures constituting the alignment film can be formed in the second region as compared with the first region. Therefore, impurities can be trapped between the columnar structures of the alignment film in the second region. Moreover, since the area | region of the inorganic alignment film from which the space | interval of a columnar structure differs can be controlled by changing the vapor deposition angle of the 1st area | region and 2nd area | region on a board | substrate, the positional accuracy of a boundary can be improved.

［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。   Application Example 9 Electronic equipment according to this application example includes the liquid crystal device described above.

本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。   According to this application example, since the above-described liquid crystal device is provided, an electronic apparatus capable of improving display quality can be provided.

第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。1 is a schematic plan view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to a first embodiment. 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line H-H ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 1. 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the liquid crystal device. 液晶装置の構造を示す模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal device. 液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図。FIG. 2 is a schematic plan view mainly showing a configuration of an alignment film in a liquid crystal device. 図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 5. 凸部の断面形状を模式的に示す模式断面図。The schematic cross section which shows typically the cross-sectional shape of a convex part. 凸部の寸法を変えた場合に対応する各寸法値を示す図表。The table | surface which shows each dimension value corresponding to the case where the dimension of a convex part is changed. 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。5 is a flowchart showing a method for manufacturing a liquid crystal device in the order of steps. 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a part of the manufacturing method of the liquid crystal device. 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the projection type display apparatus provided with the liquid crystal device. 第２実施形態の液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図。The schematic plan view which mainly shows the structure of the orientation film among the liquid crystal devices of 2nd Embodiment. 図１２に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 12. 凸部の断面形状を模式的に示す模式断面図。The schematic cross section which shows typically the cross-sectional shape of a convex part. 凸部の寸法を変えた場合に対応する各寸法値を示す図表。The table | surface which shows each dimension value corresponding to the case where the dimension of a convex part is changed. 第２実施形態の凸部の製造方法を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of the convex part of 2nd Embodiment. 変形例における凸部の製造方法を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the manufacturing method of the convex part in a modification. 変形例の液晶装置の構成（特に凸部の構成）を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure (especially structure of a convex part) of the liquid crystal device of a modification. 変形例の液晶装置の構成（特に凸部の構成）を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure (especially structure of a convex part) of the liquid crystal device of a modification. 変形例の凸部の断面形状を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the cross-sectional shape of the convex part of a modification.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。   In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.

本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。   In this embodiment, an active matrix liquid crystal device including a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element will be described as an example of the liquid crystal device. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as a light modulation element (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector).

（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。 (First embodiment)
<Configuration of liquid crystal device>
FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line HH ′ of the liquid crystal device shown in FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device. Hereinafter, the configuration of the liquid crystal device will be described with reference to FIGS.

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment includes an element substrate 10 and a counter substrate 20 that are disposed to face each other, and a liquid crystal layer 15 that is sandwiched between the pair of substrates. As the first base material 10a constituting the element substrate 10 and the second base material 20a constituting the counter substrate 20, for example, a transparent substrate such as a glass substrate or a quartz substrate is used.

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。   The element substrate 10 is larger than the counter substrate 20, and both the substrates are bonded via a sealing material 14 disposed along the outer periphery of the counter substrate 20. Liquid crystal layer 15 is configured by sealing liquid crystal having positive or negative dielectric anisotropy in the gap. For the sealing material 14, for example, an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin is employed. Spacers (not shown) are mixed in the sealing material 14 to keep the distance between the pair of substrates constant.

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。   A pixel region E (display region) in which a plurality of pixels P are arranged is provided inside the inner edge of the sealing material 14. The pixel region E may include dummy pixels arranged so as to surround the plurality of pixels P in addition to the plurality of pixels P contributing to display. Although not shown in FIGS. 1 and 2, a light shielding portion (black matrix; BM) that divides a plurality of pixels P in the pixel area E in a plane is provided on the counter substrate 20.

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。   A data line driving circuit 22 is provided between the sealing material 14 along one side of the element substrate 10 and the one side. In addition, an inspection circuit 25 is provided between the sealing material 14 and the pixel region E along the other one side facing the one side. Further, a scanning line driving circuit 24 is provided between the sealing material 14 and the pixel region E along the other two sides orthogonal to the one side and facing each other. A plurality of wirings 29 connecting the two scanning line driving circuits 24 are provided between the sealing material 14 and the inspection circuit 25 along the other one side facing the one side.

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と画素領域Ｅとの間には、遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。   A light shielding portion 18 (parting portion) is provided between the sealing material 14 arranged in a ring shape on the counter substrate 20 and the pixel region E. The light shielding portion 18 is made of, for example, a light shielding metal or metal oxide, and the inside of the light shielding portion 18 is a pixel region E having a plurality of pixels P. Although not shown in FIG. 1, the pixel region E is also provided with a light-shielding portion that divides a plurality of pixels P in a plane.

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。   Wirings connected to the data line driving circuit 22 and the scanning line driving circuit 24 are connected to a plurality of external connection terminals 61 arranged along the one side. Hereinafter, the direction along the one side will be referred to as the X direction, and the direction along the other two sides orthogonal to the one side and facing each other will be described as the Y direction. The arrangement of the inspection circuit 25 is not limited to this, and the inspection circuit 25 may be provided between the sealing material 14 along the data line driving circuit 22 and the pixel region E.

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。   As shown in FIG. 2, on the surface of the first base material 10a on the liquid crystal layer 15 side, a transparent pixel electrode 27 provided for each pixel P and a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor, which is a switching element) are provided. Hereinafter, it is referred to as “TFT 30”), signal wirings, and an alignment film 28 covering them.

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜２８を含むものである。   In addition, a light shielding structure is employed that prevents light from entering the semiconductor layer in the TFT 30 to make the switching operation unstable. The element substrate 10 in the present invention includes at least the pixel electrode 27, the TFT 30, the signal wiring, and the alignment film 28.

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光部１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。   On the surface of the counter substrate 20 on the liquid crystal layer 15 side, a light shielding portion 18, a planarizing layer 33 formed so as to cover the light shielding portion 18, a counter electrode 31 provided so as to cover the planarizing layer 33, An alignment film 32 that covers the electrode 31 is provided. The counter substrate 20 in the present invention includes at least the light shielding portion 18, the counter electrode 31, and the alignment film 32.

遮光部１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。   As shown in FIG. 1, the light shielding unit 18 surrounds the pixel region E and is provided at a position where it overlaps the scanning line driving circuit 24 and the inspection circuit 25 in plan view (illustration is simplified). Thus, the light incident on the peripheral circuit including these drive circuits from the counter substrate 20 side is shielded, and the peripheral circuit is prevented from malfunctioning due to the light. Further, unnecessary stray light is shielded from entering the pixel region E to ensure high contrast in the display of the pixel region E.

平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。   The planarization layer 33 is made of, for example, an inorganic material such as silicon oxide, and is provided so as to cover the light shielding portion 18 with light transmittance. As a method for forming such a planarization layer 33, for example, a method of forming a film by using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like can be cited.

対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。   The counter electrode 31 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, covers the planarization layer 33, and includes an element substrate by vertical conduction portions 26 provided at the four corners of the counter substrate 20 as shown in FIG. It is electrically connected to the wiring on the 10 side.

画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、配向膜２８，３２として上記無機配向膜が採用されている。   The alignment film 28 covering the pixel electrode 27 and the alignment film 32 covering the counter electrode 31 are selected based on the optical design of the liquid crystal device 100. For example, by depositing an organic material such as polyimide and rubbing the surface, an organic alignment film obtained by subjecting liquid crystal molecules having positive dielectric anisotropy to a substantially horizontal alignment process, or vapor phase growth Examples thereof include an inorganic alignment film formed by depositing an inorganic material such as SiOx (silicon oxide) using a method and substantially vertically aligning liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy. In the present embodiment, the inorganic alignment film is employed as the alignment films 28 and 32.

このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。   Such a liquid crystal device 100 is, for example, a transmissive type, and adopts an optical design of a normally white mode in which the pixel P is brightly displayed when not driven and a normally black mode in which the pixel P is darkly displayed when not driven. Polarizing elements are arranged and used according to the optical design on the light incident side and the light exit side, respectively. In this embodiment, a normally black mode is employed.

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。   As shown in FIG. 3, the liquid crystal device 100 includes a plurality of scanning lines 3 a and a plurality of data lines 6 a that are insulated and orthogonal to each other at least in the pixel region E, and a capacitor line 3 b. The direction in which the scanning line 3a extends is the X direction, and the direction in which the data line 6a extends is the Y direction.

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。   A pixel electrode 27, a TFT 30, and a capacitive element 16 are provided in a region divided by the scanning line 3a, the data line 6a, the capacitive line 3b, and these signal lines, and these constitute a pixel circuit of the pixel P. doing.

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。   The scanning line 3 a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the data line 6 a is electrically connected to the data line side source / drain region (source region) of the TFT 30. The pixel electrode 27 is electrically connected to the pixel electrode side source / drain region (drain region) of the TFT 30.

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。   The data line 6a is connected to the data line driving circuit 22 (see FIG. 1), and supplies image signals D1, D2,..., Dn supplied from the data line driving circuit 22 to the pixels P. The scanning line 3a is connected to the scanning line driving circuit 24 (see FIG. 1), and supplies the scanning signals SC1, SC2,..., SCm supplied from the scanning line driving circuit 24 to each pixel P.

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。   The image signals D1 to Dn supplied from the data line driving circuit 22 to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each of a plurality of adjacent data lines 6a for each group. Good. The scanning line driving circuit 24 supplies the scanning signals SC1 to SCm to the scanning line 3a at a predetermined timing.

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。   In the liquid crystal device 100, the TFT 30 as a switching element is turned on for a certain period by the input of the scanning signals SC1 to SCm, so that the image signals D1 to Dn supplied from the data line 6a are supplied to the pixel electrode 27 at a predetermined timing. It is the structure written in. The predetermined level of the image signals D1 to Dn written to the liquid crystal layer 15 through the pixel electrode 27 is held for a certain period between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31 disposed to face the liquid crystal layer 15. The

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。   In order to prevent the held image signals D1 to Dn from leaking, the capacitive element 16 is connected in parallel with the liquid crystal capacitance formed between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31. The capacitive element 16 is provided between the pixel electrode side source / drain region of the TFT 30 and the capacitive line 3b. The capacitive element 16 has a dielectric layer between two capacitive electrodes.

図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal device. Hereinafter, the structure of the liquid crystal device will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the cross-sectional positional relationship of each component and is expressed on a scale that can be clearly shown.

図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。   As shown in FIG. 4, the liquid crystal device 100 includes an element substrate 10 that is one of a pair of substrates, and a counter substrate 20 that is the other substrate disposed to face the element substrate 10. As described above, the first base material 10a configuring the element substrate 10 and the second base material 20a configuring the counter substrate 20 are configured by, for example, a quartz substrate or the like.

第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。   A lower light-shielding film 3c made of titanium (Ti), chromium (Cr), or the like is formed on the first base material 10a. The lower light-shielding film 3c is planarly patterned in a lattice shape and defines an opening area of each pixel. The lower light shielding film 3c may function as a part of the scanning line 3a. A base insulating layer 11a made of a silicon oxide film or the like is formed on the first base material 10a and the lower light shielding film 3c.

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。   On the base insulating layer 11a, the TFT 30, the scanning line 3a, and the like are formed. The TFT 30 has, for example, an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and is formed on the semiconductor layer 30a made of polysilicon, the gate insulating film 11g formed on the semiconductor layer 30a, and the gate insulating film 11g. And a gate electrode 30g made of a polysilicon film or the like. As described above, the scanning line 3a also functions as the gate electrode 30g.

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。   The semiconductor layer 30a is formed as an N-type TFT 30 by implanting N-type impurity ions such as phosphorus (P) ions. Specifically, the semiconductor layer 30a includes a channel region 30c, a data line side LDD region 30s1, a data line side source / drain region 30s, a pixel electrode side LDD region 30d1, and a pixel electrode side source / drain region 30d. ing.

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。   The channel region 30c is doped with P-type impurity ions such as boron (B) ions. The other regions (30s1, 30s, 30d1, 30d) are doped with N-type impurity ions such as phosphorus (P) ions. Thus, the TFT 30 is formed as an N-type TFT.

ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。   A first interlayer insulating layer 11b made of a silicon oxide film or the like is formed on the gate electrode 30g, the base insulating layer 11a, and the scanning line 3a. A capacitive element 16 is provided on the first interlayer insulating layer 11b. Specifically, the first capacitor electrode 16a as the pixel potential side capacitor electrode electrically connected to the pixel electrode side source / drain region 30d and the pixel electrode 27 of the TFT 30, and the capacitor line 3b (as the fixed potential side capacitor electrode). A part of the second capacitor electrode 16b) is disposed to face the dielectric film 16c, whereby the capacitor element 16 is formed.

容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。   The capacitor line 3b (second capacitor electrode 16b) includes at least one of refractory metals such as Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum). , Metal simple substance, alloy, metal silicide, polysilicide, and a laminate of these. Alternatively, it can be formed from an Al (aluminum) film.

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。   The first capacitor electrode 16 a is made of, for example, a conductive polysilicon film and functions as a pixel potential side capacitor electrode of the capacitor element 16. However, the first capacitor electrode 16a may be composed of a single layer film or a multilayer film containing a metal or an alloy, like the capacitor line 3b. The first capacitor electrode 16a functions as a pixel potential side capacitor electrode, and in addition to the pixel electrode 27 and the pixel electrode side source / drain region 30d (drain) via the contact hole CNT52, the relay layer 55, and the contact holes CNT53 and CNT51. A region).

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。   A data line 6a is formed on the capacitive element 16 via the second interlayer insulating layer 11c. The data line 6a is electrically connected to the data line side source / drain region 30s (source region) of the semiconductor layer 30a through the contact hole CNT54 formed in the first interlayer insulating layer 11b and the second interlayer insulating layer 11c. Has been.

データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜から形成されている。   A pixel electrode 27 is formed on the data line 6a via a third interlayer insulating layer 11d. The pixel electrode 27 is connected to the first capacitor electrode 16a via the contact holes CNT52, CNT53, and the relay layer 55 that are opened in the second interlayer insulating layer 11c and the third interlayer insulating layer 11d, whereby the semiconductor layer 30a. The pixel electrode side source / drain region 30d (drain region) is electrically connected. The pixel electrode 27 is formed of a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film.

画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。 On the pixel electrode 27 and the third interlayer insulating layer 11d, an alignment film 28 obtained by obliquely depositing an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) is provided. On the alignment film 28, a liquid crystal layer 15 in which liquid crystal or the like is sealed in a space surrounded by the sealing material 14 (see FIGS. 1 and 2) is provided.

一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。 On the other hand, the counter electrode 31 is provided on the entire surface of the second base material 20a. On the counter electrode 31 (on the lower side in FIG. 4), an alignment film 32 obtained by obliquely depositing an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) is provided. The counter electrode 31 is made of a transparent conductive film such as an ITO film, for example, like the pixel electrode 27 described above.

液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。   The liquid crystal layer 15 takes a predetermined alignment state by the alignment films 28 and 32 in a state where an electric field from the pixel electrode 27 is not applied. The sealing material 14 is an adhesive made of, for example, a photocurable resin or a thermosetting resin, for bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 around them, and a distance between the two substrates is set to a predetermined value. Spacers such as glass fiber or glass beads are mixed.

＜配向膜の構成＞
図５は、液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図である。図６は、図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、配向膜の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。 <Configuration of alignment film>
FIG. 5 is a schematic plan view mainly showing the configuration of the alignment film in the liquid crystal device. 6 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of the liquid crystal device shown in FIG. Hereinafter, the configuration of the alignment film will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

図５及び図６に示すように、液晶装置１００を構成する素子基板１０に配向膜２８が設けられており、対向基板２０に配向膜３２が設けられている。素子基板１０の第２領域７２に設けられた凸部４１は、断面が略半球状に形成されており、例えば、第２領域７２において画素領域Ｅを囲むように繋がって設けられている。   As shown in FIGS. 5 and 6, the alignment film 28 is provided on the element substrate 10 constituting the liquid crystal device 100, and the alignment film 32 is provided on the counter substrate 20. The convex portion 41 provided in the second region 72 of the element substrate 10 has a substantially hemispherical cross section, and is provided, for example, so as to surround the pixel region E in the second region 72.

具体的には、画素領域Ｅの周囲に、第１凸部４２が設けられている。第１凸部４２の周囲には、第１凸部４２と同様の断面形状をした第２凸部４３が設けられている。これら第１凸部４２及び第２凸部４３を含む第１基材１０ａ上（画素電極２７及び画素電極２７間から露出した第３層間絶縁層１１ｄ（図４参照）上）に、配向膜２８が設けられている。   Specifically, the first convex portion 42 is provided around the pixel region E. Around the first convex portion 42, a second convex portion 43 having the same cross-sectional shape as the first convex portion 42 is provided. On the first base material 10a including the first and second convex portions 42 and 43 (on the third interlayer insulating layer 11d (see FIG. 4) exposed from between the pixel electrode 27 and the pixel electrode 27), the alignment film 28 is formed. Is provided.

具体的には、画素領域Ｅ（表示領域）の外側で凸部４１が設けられていない領域（画素領域Ｅから所定の間隔）までを第１領域７１と称する。また、第１領域７１の外側の領域であり、シール材の内縁までの領域を第２領域７２と称する。また、第１領域７１上に設けられた配向膜２８を、第１配向膜２８ａと称する。凸部４１を有する第２領域７２上に設けられた配向膜２８を、第２配向膜２８ｂと称する。   Specifically, a region outside the pixel region E (display region) where the convex portion 41 is not provided (a predetermined interval from the pixel region E) is referred to as a first region 71. Further, a region outside the first region 71 and extending to the inner edge of the sealing material is referred to as a second region 72. In addition, the alignment film 28 provided on the first region 71 is referred to as a first alignment film 28a. The alignment film 28 provided on the second region 72 having the convex portions 41 is referred to as a second alignment film 28b.

また、第１領域７１が画素領域Ｅより一回り外側まで設けられているのは、画素領域Ｅに影響を及ぼさないようにするためである。なお、第１領域７１が画素領域Ｅと同じ領域になるように設定してもよい。   Further, the reason why the first area 71 is provided slightly outside the pixel area E is to prevent the pixel area E from being affected. The first area 71 may be set to be the same area as the pixel area E.

凸部４１に配向膜２８を設けることにより、凸部４１上に設けられた第２配向膜２８ｂを構成する柱状構造物２８ｂ１の間隔を、凸部４１を設けずに形成された第１配向膜２８ａを構成する柱状構造物２８ａ１の間隔より広くすることができる。   By providing the alignment film 28 on the protrusion 41, the first alignment film formed without providing the protrusion 41 with the interval between the columnar structures 28b1 constituting the second alignment film 28b provided on the protrusion 41 being provided. It can be made wider than the interval between the columnar structures 28a1 constituting 28a.

具体的には、実質的に蒸着角度が第１領域７１より大きくなる凸部４１の斜面４２ａ，４３ａ上に設けられた柱状構造物２８ｂ１の間隔が第１領域７１の間隔より広くなる。つまり、凸部４１において、蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａ側に設けられた柱状構造物２８ｂ１の間隔が、第１領域７１の間隔より広くなる。換言すると、凸部４１によって蒸着角度が変わることにより、柱状構造物２８ｂ１の間隔が変わり、この場合広くなる。これにより、不純物としてのイオン性不純物４４を第２領域７２（つまり、非表示領域）において柱状構造物２８ｂ１の間に捕獲（トラップ）することができる。   Specifically, the interval between the columnar structures 28 b 1 provided on the inclined surfaces 42 a and 43 a of the convex portion 41 where the deposition angle is substantially larger than that of the first region 71 is larger than the interval of the first region 71. That is, in the convex portion 41, the interval between the columnar structures 28 b 1 provided on the inclined surfaces 42 a and 43 a side far from the vapor deposition source is wider than the interval between the first regions 71. In other words, the interval between the columnar structures 28b1 is changed by changing the vapor deposition angle by the convex portion 41, and in this case, it becomes wider. Thereby, the ionic impurity 44 as an impurity can be trapped between the columnar structures 28b1 in the second region 72 (that is, the non-display region).

対向基板２０の第２基材２０ａ上には、例えば、第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１と同様の構造を有する、配向膜３２が設けられている。   On the second substrate 20a of the counter substrate 20, for example, an alignment film 32 having the same structure as the columnar structure 28a1 of the first alignment film 28a is provided.

図７は、略半球状の凸部の断面形状を模式的に示す模式断面図である。図８は、凸部の寸法を変えた場合に対応する各寸法値を示す図表である。以下、凸部の形状、及び凸部の各寸法値について、図７及び図８を参照しながら説明する。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view schematically showing a cross-sectional shape of a substantially hemispherical convex portion. FIG. 8 is a table showing each dimension value corresponding to the case where the dimension of the convex portion is changed. Hereinafter, the shape of the convex portion and each dimension value of the convex portion will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

図７に示すように、延設する方向に対する断面形状が略半球状の凸部４１の断面形状を凸部４１の最上面と凸部４１の端部とを結ぶようにして模式的に示すと、略二等辺三角形（左右対称）で示される。ここで、凸部４１の幅をｗ、凸部４１の半分の幅をａ、凸部４１の高さをｂ、凸部４１の斜面４２ａ，４３ａの角度をθとする。   As shown in FIG. 7, when the cross-sectional shape of the convex portion 41 having a substantially hemispherical cross-section with respect to the extending direction is schematically shown by connecting the uppermost surface of the convex portion 41 and the end of the convex portion 41. This is indicated by a substantially isosceles triangle (symmetrical). Here, the width of the convex portion 41 is w, the half width of the convex portion 41 is a, the height of the convex portion 41 is b, and the angles of the inclined surfaces 42a and 43a of the convex portion 41 are θ.

最初に、蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａに形成された柱状構造物２８ｂ１について説明する。第１領域７１における蒸着角度は、法線に対して４５°である。蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａにおける、実質的な蒸着角度は、第１領域７１の蒸着角度（仰角）＋「θ」である。例えば、蒸着角度が４５°であり、θが５．７°の場合、実質５０．７°で蒸着される。   First, the columnar structure 28b1 formed on the slopes 42a and 43a far from the vapor deposition source will be described. The vapor deposition angle in the first region 71 is 45 ° with respect to the normal line. The substantial vapor deposition angle on the slopes 42 a and 43 a far from the vapor deposition source is the vapor deposition angle (elevation angle) of the first region 71 + “θ”. For example, when the deposition angle is 45 ° and θ is 5.7 °, the deposition is substantially performed at 50.7 °.

このように、蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａに形成された第２配向膜２８ｂは、膜密度が低下し、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広くなる。つまり、イオン性不純物４４を、この斜面４２ａ，４３ａに形成された柱状構造物２８ｂ１の間に捕獲（トラップ）することができる。   As described above, the second alignment film 28b formed on the inclined surfaces 42a and 43a far from the vapor deposition source has a reduced film density and a wide interval between the columnar structures 28b1. That is, the ionic impurities 44 can be trapped between the columnar structures 28b1 formed on the slopes 42a and 43a.

一方、蒸着源から近い側の斜面４２ｂ，４３ｂに形成された柱状構造物２８ｂ１について説明する。実質的な蒸着角度は、第１領域７１の蒸着角度−「θ」である。例えば、柱状構造物２８ｂ１の蒸着角度は、蒸着角度が４５°であり、θが５．７°の場合、実質３９．３°で蒸着される。   On the other hand, the columnar structure 28b1 formed on the slopes 42b and 43b on the side closer to the deposition source will be described. The substantial deposition angle is the deposition angle of the first region 71− “θ”. For example, the vapor deposition angle of the columnar structure 28b1 is substantially 39.3 ° when the vapor deposition angle is 45 ° and θ is 5.7 °.

このように、蒸着源に近い側の斜面４２ｂ，４３ｂに形成された第２配向膜２８ｂは、膜密度が向上し、柱状構造物２８ｂ１の間隔が狭くなる。   Thus, the second alignment film 28b formed on the slopes 42b and 43b on the side closer to the vapor deposition source has an improved film density and a narrow interval between the columnar structures 28b1.

図８に示す図表は、凸部４１（４２，４３）の片側の斜面の幅ａと、凸部４１の高さｂと、を変えた場合における凸部４１の斜面の角度θを示している。具体的には、ａは、５μｍ、１０μｍ、１５μｍの３種類で変えている。ｂは、１μｍ、１．５μｍ、２μｍの３種類で変えている。   The chart shown in FIG. 8 shows the angle θ of the slope of the convex portion 41 when the width a of the slope on one side of the convex portion 41 (42, 43) and the height b of the convex portion 41 are changed. . Specifically, a is changed in three types of 5 μm, 10 μm, and 15 μm. b is changed in three types of 1 μm, 1.5 μm, and 2 μm.

この中でも、凸部４１の寸法は、製造のしやすさなどから、ａが１０μｍ、ｂが１〜１．５μｍ、θが５．７〜８．５であることが好ましい。なお、凸部４１の高さｂは、セル厚よりも小さく設定する必要がある。   Among these, the dimension of the convex part 41 is preferably 10 μm for a, 1 to 1.5 μm for b, and 5.7 to 8.5 for θ in view of ease of manufacturing. Note that the height b of the convex portion 41 needs to be set smaller than the cell thickness.

また、第１領域７１の外縁からシール材１４までの長さが０．８ｍｍの場合、凸部４１の本数は、最大で４０本形成することが可能である。なお、凸部４１の本数が多いほど、イオン性不純物４４をトラップすることが可能となる。   Further, when the length from the outer edge of the first region 71 to the sealing material 14 is 0.8 mm, it is possible to form a maximum of 40 convex portions 41. In addition, it becomes possible to trap the ionic impurity 44, so that the number of the convex parts 41 is large.

＜液晶装置の製造方法＞
図９は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１０は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図９及び図１０を参照しながら説明する。 <Method for manufacturing liquid crystal device>
FIG. 9 is a flowchart showing a manufacturing method of the liquid crystal device in the order of steps. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing method of the liquid crystal device. Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal device will be described with reference to FIGS.

最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７などを形成する。   First, a manufacturing method on the element substrate 10 side will be described. In step S11, the TFT 30, the pixel electrode 27, and the like are formed on the first base material 10a made of a glass substrate or the like. Specifically, the TFT 30, the pixel electrode 27, and the like are formed on the first base material 10a by using a well-known film forming technique, photolithography technique, and etching technique.

ステップＳ１２（凸部形成工程）では、第１基材１０ａ上に凸部４１（４２，４３）を形成する。具体的には、図１０を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから画素電極２７や第４層間絶縁層１１ｅまでを、第１基材１０ａと称して説明する。   In step S12 (convex portion forming step), convex portions 41 (42, 43) are formed on the first base material 10a. Specifically, this will be described with reference to FIG. The description from the first base material 10a to the pixel electrode 27 and the fourth interlayer insulating layer 11e will be referred to as the first base material 10a.

図１０（ａ）に示す工程では、画素電極２７などを含む第１基材１０ａ上に、例えば、スピンコート法を用いて、凸部前駆体膜４１ａとなる感光性樹脂材料を塗布する。感光性樹脂材料としては、例えば、ポジ型の樹脂材料であるノボラック樹脂が挙げられる。その後、凸部前駆体膜４１ａにプレベーク処理を施して硬化させる。   In the process shown in FIG. 10A, a photosensitive resin material to be the convex precursor film 41a is applied on the first base material 10a including the pixel electrode 27 and the like by using, for example, a spin coat method. As the photosensitive resin material, for example, a novolac resin that is a positive resin material can be used. Thereafter, the convex precursor film 41a is pre-baked and cured.

図１０（ｂ）に示す工程では、フォトマスク４５を用いて、凸部前駆体膜４１ａを露光する。これにより、凸部前駆体膜４１ａにおける凸部４１となる領域以外に紫外線４６が照射される。   In the step shown in FIG. 10B, the convex precursor film 41 a is exposed using the photomask 45. Thereby, the ultraviolet rays 46 are irradiated to a region other than the region to be the convex portion 41 in the convex portion precursor film 41a.

図１０（ｃ）に示す工程では、現像処理を行う。これにより、凸部前駆体膜４１ａにおける凸部４１となる領域のみの凸部前駆体膜４１ｂが残る。   In the step shown in FIG. 10C, development processing is performed. Thereby, the convex part precursor film | membrane 41b of only the area | region used as the convex part 41 in the convex part precursor film | membrane 41a remains.

図１０（ｄ）に示す工程では、凸部前駆体膜４１ｂに熱処理を施す。具体的には、例えば、２２０℃〜２４０℃の温度で熱処理を行う。これにより、角が丸くなり、断面が略半円状の凸部４１（４２，４３）が完成する。   In the step shown in FIG. 10D, heat treatment is performed on the convex precursor film 41b. Specifically, for example, the heat treatment is performed at a temperature of 220 ° C. to 240 ° C. Thereby, the corners are rounded and the convex portion 41 (42, 43) having a substantially semicircular cross section is completed.

続いて、ステップＳ１３（配向膜形成工程）では、凸部４１を含む第１基材１０ａ上に配向膜２８を形成する。具体的には、図１０（ｅ）を参照しながら説明する。図１０（ｅ）に示す工程では、凸部４１を有する第１基材１０ａ上に、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着法を用いて形成する。 Subsequently, in step S13 (alignment film forming step), the alignment film 28 is formed on the first base material 10a including the convex portions 41. Specifically, this will be described with reference to FIG. In the step shown in FIG. 10E, an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) is formed on the first base material 10a having the convex portions 41 by using the oblique deposition method.

これにより、第１基材１０ａ上における第１領域７１には第１配向膜２８ａが形成される。また、第２領域７２及び凸部４１上には、第１配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１の間隔と比較して、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂが形成される。換言すると、凸部４１における蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａに形成された柱状構造物２８ｂ１の間隔が、第１領域７１の柱状構造物２８ａ１の間隔より広く形成される。   Thereby, the first alignment film 28a is formed in the first region 71 on the first base material 10a. Further, on the second region 72 and the convex portion 41, the second alignment film 28b having a wider interval between the columnar structures 28b1 than the interval between the columnar structures 28a1 of the first alignment film 28a is formed. In other words, the interval between the columnar structures 28b1 formed on the inclined surfaces 42a and 43a on the side far from the vapor deposition source in the convex portion 41 is formed wider than the interval between the columnar structures 28a1 in the first region 71.

このように柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することにより、第２配向膜２８ｂでイオン性不純物４４を捕獲することが可能となり、画素領域Ｅを含む第１配向膜２８ａ側にイオン性不純物４４が拡散することを抑えることができる。以上により、素子基板１０側が完成する。   By forming the second alignment film 28b having the wide interval between the columnar structures 28b1 as described above, the ionic impurities 44 can be captured by the second alignment film 28b, and the first alignment film 28a including the pixel region E can be captured. The diffusion of the ionic impurities 44 on the side can be suppressed. Thus, the element substrate 10 side is completed.

次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１（共通電極）を形成する。   Next, a manufacturing method on the counter substrate 20 side will be described. First, in step S21, the counter electrode 31 (common electrode) is formed on the second base material 20a made of a light-transmitting material such as a glass substrate, using a known film forming technique, photolithography technique, and etching technique. .

ステップＳ２２では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法は、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。   In step S <b> 22, the alignment film 32 is formed on the counter electrode 31. For example, the alignment film 32 is formed by using an oblique deposition method. Thus, the counter substrate 20 side is completed. Next, a method for bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 will be described.

ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における画素領域Ｅの周縁部に（画素領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。   In step S <b> 31, the sealing material 14 is applied on the element substrate 10. Specifically, for example, the relative positional relationship between the element substrate 10 and a dispenser (also possible with a discharge device) is changed, so that the peripheral area of the pixel area E in the element substrate 10 is set (so as to surround the pixel area E). The sealing material 14 is applied.

ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。   In step S32, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together. Specifically, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together via the sealing material 14 applied to the element substrate 10. More specifically, it is performed while ensuring the positional accuracy in the vertical and horizontal directions of the substrates 10 and 20.

ステップＳ３３では、液晶注入口（符号省略）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。   In step S33, liquid crystal is injected into the structure from a liquid crystal injection port (reference number omitted), and then the liquid crystal injection port is sealed with a sealing material. Thus, the liquid crystal device 100 is completed.

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１１を参照して説明する。図１１は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。 <Configuration of electronic equipment>
Next, a projection display device as an electronic apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a schematic diagram showing a configuration of a projection display device including the above-described liquid crystal device.

図１１に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。   As shown in FIG. 11, the projection display apparatus 1000 of the present embodiment includes a polarization illumination device 1100 arranged along the system optical axis L, two dichroic mirrors 1104 and 1105 as light separation elements, and three Reflective mirrors 1106, 1107, 1108, five relay lenses 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, three transmissive liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 as light modulation means, and a cross dichroic as a light combiner A prism 1206 and a projection lens 1207 are provided.

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。   The polarized light illumination device 1100 is generally configured by a lamp unit 1101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 1102, and a polarization conversion element 1103.

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。   The dichroic mirror 1104 reflects red light (R) and transmits green light (G) and blue light (B) among the polarized light beams emitted from the polarization illumination device 1100. Another dichroic mirror 1105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 1104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。   The red light (R) reflected by the dichroic mirror 1104 is reflected by the reflection mirror 1106 and then enters the liquid crystal light valve 1210 via the relay lens 1205. Green light (G) reflected by the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1220 via the relay lens 1204. The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1230 via a light guide system including three relay lenses 1201, 1202, 1203 and two reflection mirrors 1107, 1108.

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。   The liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 are disposed to face the incident surfaces of the cross dichroic prism 1206 for each color light. The color light incident on the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 is modulated based on video information (video signal) and emitted toward the cross dichroic prism 1206.

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。   In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected on the screen 1300 by the projection lens 1207 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。   The liquid crystal light valve 1210 is the one to which the liquid crystal device 100 described above is applied. The liquid crystal device 100 is arranged with a gap between a pair of polarizing elements arranged in crossed Nicols on the incident side and the emission side of colored light. The same applies to the other liquid crystal light valves 1220 and 1230.

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。   According to such a projection type display apparatus 1000, the liquid crystal light valve 1210, 1220, 1230 uses the liquid crystal apparatus 100 in which image sticking or the like is suppressed, so that high display quality can be realized.

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。   The electronic device on which the liquid crystal device 100 is mounted includes a projection display device 1000, a head-up display, a smartphone, an EVF (Electrical View Finder), a mobile mini projector, a mobile phone, a mobile computer, a digital camera, and a digital video. It can be used for various electronic devices such as cameras, displays, in-vehicle devices, audio devices, exposure devices, and lighting devices.

以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法、液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the method for manufacturing the liquid crystal device 100, the liquid crystal device 100, and the electronic apparatus of the first embodiment, the following effects can be obtained.

（１）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第１領域７１の蒸着角度よりも大きい蒸着角度にするための凸部４１を予め形成しておくので、第１基材１０ａ上（第４層間絶縁層１１ｅ上）に斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成することにより、第１領域７１の第１配向膜２８ａと比較して第２領域７２（具体的には、凸部４１における蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａ）には、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することができる。よって、第２領域７２の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１間にイオン性不純物４４をトラップすることができる。また、第１基材１０ａ上における第１領域７１と第２領域７２との実質的な蒸着角度を変えることにより、柱状構造物２８（２８ａ１，２８ｂ１）の間隔の異なる配向膜２８の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の幅が異なる配向膜２８ａ，２８ｂを一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。   (1) According to the manufacturing method of the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the convex portion 41 for making the vapor deposition angle larger than the vapor deposition angle of the first region 71 is formed in advance. By forming the alignment film 28 using the oblique deposition method (on the fourth interlayer insulating layer 11e), the second region 72 (specifically, compared to the first alignment film 28a of the first region 71) A second alignment film 28b having a wide interval between the columnar structures 28b1 can be formed on the inclined surfaces 42a, 43a) of the convex portion 41 on the side far from the vapor deposition source. Therefore, the ionic impurities 44 can be trapped between the columnar structures 28b1 of the second alignment film 28b in the second region 72. Further, by changing the substantial vapor deposition angle between the first region 71 and the second region 72 on the first base material 10a, the regions of the alignment film 28 having different intervals between the columnar structures 28 (28a1, 28b1) are controlled. Therefore, the boundary position accuracy can be improved. In addition, since the alignment films 28a and 28b having different widths of the columnar structures 28a1 and 28b1 can be formed at a time, it is possible to suppress deterioration of display characteristics.

（２）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、ダミー画素が設けられた領域までを第１領域７１として、その周囲を第２領域７２とすることにより、シール材１４などから溶出されたイオン性不純物４４が画素領域Ｅ（表示領域）側に拡散することを抑えることができる。よって、画素領域Ｅに悪影響（例えば、シミ）を与えることをより抑えることができる。   (2) According to the manufacturing method of the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the region up to the region where the dummy pixels are provided is defined as the first region 71, and the periphery thereof is defined as the second region 72, thereby elution from the sealing material 14 and the like. The diffused ionic impurities 44 can be prevented from diffusing to the pixel region E (display region) side. Therefore, it is possible to further suppress adverse effects (for example, spots) on the pixel region E.

（３）本実施形態の液晶装置１００によれば、第１領域７１の蒸着角度よりも大きい蒸着角度にするための凸部４１が設けられているので、第１基材１０ａ上（第４層間絶縁層１１ｅ上）に斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成することにより、第１領域７１の第１配向膜２８ａと比較して第２領域７２（具体的には、凸部４１における蒸着源から遠い側の斜面４２ａ，４３ａ）には、柱状構造物２８ｂ１の間隔が広い第２配向膜２８ｂを形成することができる。よって、第２領域７２の第２配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１間にイオン性不純物４４をトラップすることができる。また、第１基材１０ａ上における第１領域７１と第２領域７２との実質的な蒸着角度を変えることにより、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の間隔の異なる配向膜２８の領域を制御できるので、境界の位置精度を向上させることができる。加えて、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の幅が異なる配向膜２８ａ，２８ｂを一括で形成することができるので、表示特性が劣化することを抑えることができる。   (3) According to the liquid crystal device 100 of the present embodiment, since the convex portion 41 is provided to make the vapor deposition angle larger than the vapor deposition angle of the first region 71, the first substrate 10 a (the fourth interlayer) By forming the alignment film 28 using the oblique deposition method on the insulating layer 11e, the second region 72 (specifically, in the convex portion 41) as compared with the first alignment film 28a of the first region 71. A second alignment film 28b having a wide interval between the columnar structures 28b1 can be formed on the inclined surfaces 42a and 43a) far from the vapor deposition source. Therefore, the ionic impurities 44 can be trapped between the columnar structures 28b1 of the second alignment film 28b in the second region 72. Further, by changing the substantial vapor deposition angle between the first region 71 and the second region 72 on the first base material 10a, the regions of the alignment film 28 having different intervals between the columnar structures 28a1 and 28b1 can be controlled. The position accuracy of the boundary can be improved. In addition, since the alignment films 28a and 28b having different widths of the columnar structures 28a1 and 28b1 can be formed at a time, it is possible to suppress deterioration of display characteristics.

（４）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。   (4) According to the electronic apparatus of this embodiment, since the liquid crystal device 100 described above is provided, an electronic apparatus capable of improving display quality can be provided.

（第２実施形態）
＜配向膜の構成＞
図１２は、第２実施形態の液晶装置のうち主に配向膜の構成を示す模式平面図である。図１３は、図１２に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、配向膜の構成について、図１２及び図１３を参照しながら説明する。 (Second Embodiment)
<Configuration of alignment film>
FIG. 12 is a schematic plan view mainly showing a configuration of an alignment film in the liquid crystal device of the second embodiment. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ of the liquid crystal device shown in FIG. Hereinafter, the configuration of the alignment film will be described with reference to FIGS. 12 and 13.

第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、凸部１４１の形状が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。   The liquid crystal device 200 of the second embodiment is different from the first embodiment described above in the shape of the convex portion 141, and the other configurations are generally the same. Therefore, in the second embodiment, portions different from the first embodiment will be described in detail, and descriptions of other overlapping portions will be omitted as appropriate.

図１２及び図１３に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、第１基材１０ａ上における第２領域７２に、画素領域Ｅを囲むように繋がった凸部１４１が設けられており、第１基材１０ａ上の全体に配向膜１２８が設けられている。具体的には、画素領域Ｅの周囲に、第１凸部１４２が設けられている。第１凸部１４２の周囲には、第１凸部１４２と同様の形状をした第２凸部１４３が設けられている。   As shown in FIGS. 12 and 13, in the liquid crystal device 200 of the second embodiment, a convex portion 141 connected so as to surround the pixel region E is provided in the second region 72 on the first base material 10 a. The alignment film 128 is provided on the entire first base material 10a. Specifically, the first convex portion 142 is provided around the pixel region E. Around the first convex portion 142, a second convex portion 143 having the same shape as the first convex portion 142 is provided.

第１実施形態と同様、画素領域Ｅ（表示領域）の一回り外側までの領域、つまり、凸部１４１が設けられていない領域を第１領域７１と称する。また、第１領域７１の外側の領域であり、凸部１４１が設けられている領域を第２領域７２と称する。また、第１領域７１上に設けられた配向膜１２８を、第１配向膜１２８ａと称する。凸部１４１を有する第２領域７２上に設けられた配向膜１２８を、第２配向膜１２８ｂと称する。   Similar to the first embodiment, a region extending to the outside of the pixel region E (display region), that is, a region where the convex portion 141 is not provided is referred to as a first region 71. In addition, a region outside the first region 71 and provided with the convex portion 141 is referred to as a second region 72. The alignment film 128 provided on the first region 71 is referred to as a first alignment film 128a. The alignment film 128 provided on the second region 72 having the convex portion 141 is referred to as a second alignment film 128b.

具体的には、凸部１４１は、断面形状が略三角形状に形成されている。なお、凸部１４１は、蒸着源から遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａの領域が、近い側の斜面１４２ｂ，１４３ｂの領域と比べて広くなるように設けられている。つまり、凸部１４１は非対称の形状となっている。   Specifically, the convex portion 141 is formed in a substantially triangular cross section. Note that the convex portion 141 is provided so that the regions of the slopes 142a and 143a on the side far from the vapor deposition source are wider than the regions of the slopes 142b and 143b on the near side. That is, the convex portion 141 has an asymmetric shape.

配向膜１２８の下側に凸部１４１を設けることにより、第１実施形態と同様、凸部１４１上に設けられた第２配向膜１２８ｂを構成する柱状構造物１２８ｂ１の間隔が、凸部１４１を設けずに形成された第１配向膜１２８ａを構成する柱状構造物１２８ａ１の間隔より広くすることができる。   By providing the convex portion 141 on the lower side of the alignment film 128, the interval between the columnar structures 128 b 1 constituting the second alignment film 128 b provided on the convex portion 141 is made similar to that in the first embodiment. The interval between the columnar structures 128a1 constituting the first alignment film 128a formed without being provided can be made larger.

第２実施形態の特徴として、斜方蒸着する際の蒸着角度に対して大きくなる凸部１４１の斜面（蒸着源から遠い側の凸部１４１の斜面）１４２ａ，１４３ａの面積を広くすることが可能となり、この斜面１４２ａ，１４３ａに設けられた柱状構造物１２８ｂ１の間隔が広くなる。これにより、イオン性不純物４４を第２領域７２（つまり、非表示領域）において柱状構造物１２８ｂ１の間により多く捕獲（トラップ）することができる。   As a feature of the second embodiment, it is possible to widen the slopes of the convex portion 141 (the slope of the convex portion 141 on the side far from the vapor deposition source) 142a, 143a that increases with respect to the vapor deposition angle during oblique vapor deposition. Thus, the interval between the columnar structures 128b1 provided on the inclined surfaces 142a and 143a is widened. Thereby, more ionic impurities 44 can be captured (trapped) between the columnar structures 128b1 in the second region 72 (that is, the non-display region).

図１４は、凸部の断面形状を模式的に示す模式断面図である。図１５は、凸部の寸法を変えた場合に対応する各寸法値を示す図表である。以下、凸部の形状、及び凸部の各寸法値について、図１４及び図１５を参照しながら説明する。   FIG. 14 is a schematic cross-sectional view schematically showing the cross-sectional shape of the convex portion. FIG. 15 is a chart showing each dimension value corresponding to the case where the dimension of the convex portion is changed. Hereinafter, the shape of the convex portion and each dimension value of the convex portion will be described with reference to FIGS. 14 and 15.

図１４に示すように、第２実施形態の凸部１４１の断面形状を模式的に示すと、左右非対称の略三角形状で示される。言い換えれば、蒸着源から近い側の斜面１４２ｂ，１４３ｂの領域に対して、遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａの領域が広くなっている。ここで、凸部１４１の幅をｗ、凸部１４１における斜面１４２ａ，１４３ａ側の幅をａ、凸部１４１の高さをｂ、凸部１４１の斜面１４２ａ，１４３ａの角度（蒸着源から遠い側の斜面の角度）をθとする。   As shown in FIG. 14, when the cross-sectional shape of the convex portion 141 of the second embodiment is schematically shown, it is shown as a substantially asymmetrical triangular shape. In other words, the area of the slopes 142a and 143a on the far side is wider than the area of the slopes 142b and 143b on the side closer to the deposition source. Here, the width of the convex portion 141 is w, the width of the convex portion 141 on the slope 142a, 143a side is a, the height of the convex portion 141 is b, and the angle of the slope 142a, 143a of the convex portion 141 (the side far from the deposition source). Is the angle of the slope of.

蒸着源から遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａにおける、実質的な蒸着角度は、第１領域７１の蒸着角度（仰角）＋「θ」である。例えば、柱状構造物１２８ｂ１の蒸着角度は、蒸着角度が４５°であり、θが５．７°の場合、実質５０．７°で蒸着される。   The substantial vapor deposition angle on the slopes 142a, 143a far from the vapor deposition source is the vapor deposition angle (elevation angle) of the first region 71+ “θ”. For example, the vapor deposition angle of the columnar structure 128b1 is substantially 50.7 ° when the vapor deposition angle is 45 ° and θ is 5.7 °.

次に、蒸着源から近い側の斜面１４２ｂ，１４３ｂに形成された柱状構造物１２８ｂ１について説明する。実質的な蒸着角度は、第１領域７１の蒸着角度−「θ’」である。例えば、柱状構造物１２８ｂ１の蒸着角度は、蒸着角度が４５°であり、θ’が１６．７°の場合、実質２８．３°で蒸着される。   Next, the columnar structure 128b1 formed on the slopes 142b and 143b on the side closer to the vapor deposition source will be described. The substantial vapor deposition angle is the vapor deposition angle of the first region 71 − “θ ′”. For example, the vapor deposition angle of the columnar structure 128b1 is substantially 28.3 ° when the vapor deposition angle is 45 ° and θ ′ is 16.7 °.

図１５に示す図表は、凸部１４１の片側の斜面１４２ａ，１４３ａ（蒸着源から遠い側の斜面）の幅ａと、凸部１４１の高さｂと、を変えた場合における凸部１４１の斜面１４２ａ，１４３ａ側の角度（蒸着源から遠い側の斜面の角度）を示している。具体的には、ａは、５μｍ、１０μｍ、１５μｍの３種類で変えている。ｂは、１μｍ、１．５μｍ、２μｍの３種類で変えている。   The chart shown in FIG. 15 shows the slope of the convex portion 141 when the width a of the slopes 142a and 143a on one side of the convex portion 141 (the slope far from the vapor deposition source) and the height b of the convex portion 141 are changed. The angle on the 142a, 143a side (the angle of the slope far from the vapor deposition source) is shown. Specifically, a is changed in three types of 5 μm, 10 μm, and 15 μm. b is changed in three types of 1 μm, 1.5 μm, and 2 μm.

この中でも、凸部１４１の寸法は、製造のしやすさなどから、ｗが１５μｍ、ａが１０μｍ、ｂが１〜１．５μｍ、θが５．７〜８．５であることが好ましい。   Among these, it is preferable that w is 15 μm, a is 10 μm, b is 1 to 1.5 μm, and θ is 5.7 to 8.5 from the viewpoint of ease of manufacture.

また、第１領域７１の外縁からシール材１４までの長さが０．８ｍｍの場合、凸部１４１の本数は、最大で５３本形成することが可能である。なお、凸部１４１の本数が多いほど、イオン性不純物４４をトラップすることが可能となる。   Further, when the length from the outer edge of the first region 71 to the sealing material 14 is 0.8 mm, the maximum number of the convex portions 141 can be 53. In addition, it becomes possible to trap the ionic impurity 44, so that the number of the convex parts 141 is large.

＜液晶装置の製造方法＞
図１６は、第２実施形態の凸部の製造方法を示す模式断面図である。以下、凸部の製造方法を、図１６を参照しながら説明する。 <Method for manufacturing liquid crystal device>
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the convex portion according to the second embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of a convex part is demonstrated, referring FIG.

図１６（ａ）に示す工程では、画素電極２７などを含む第１基材１０ａ上に、例えば、スピンコート法を用いて、凸部前駆体膜１４１ａとなる感光性樹脂材料を塗布する。感光性樹脂材料としては、例えば、ポジ型の樹脂材料であるノボラック樹脂が挙げられる。その後、凸部前駆体膜１４１ａにプレベーク処理を施す。   In the step shown in FIG. 16A, a photosensitive resin material to be the convex precursor film 141a is applied onto the first base material 10a including the pixel electrode 27 and the like by using, for example, a spin coat method. As the photosensitive resin material, for example, a novolac resin that is a positive resin material can be used. Thereafter, a pre-bake process is performed on the convex precursor film 141a.

図１６（ｂ）に示す工程では、第１フォトマスク１４５ａを用いて、凸部前駆体膜１４１ａを露光する。具体的には、凸部前駆体膜１４１ａにおける凸部１４１全体の領域を遮光した第１フォトマスク１４５ａを用いる。   In the step shown in FIG. 16B, the convex precursor film 141a is exposed using the first photomask 145a. Specifically, the first photomask 145a that shields the entire region of the convex portion 141 in the convex portion precursor film 141a is used.

図１６（ｃ）に示す工程では、第２フォトマスク１４５ｂを用いて、凸部前駆体膜１４１ａにおける、第１フォトマスク１４５ａで遮光した領域の一部の領域を露光する。具体的には、凸部１４１における蒸着源から遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａの面積が広くなるように、凸部１４１における蒸着源から遠い側の領域を露光する。なお、図１６（ｂ）に示す工程の露光量より弱い露光量で露光する。   In the step shown in FIG. 16C, the second photomask 145b is used to expose a partial region of the convex portion precursor film 141a that is shielded by the first photomask 145a. Specifically, the region of the convex portion 141 far from the vapor deposition source is exposed so that the area of the slopes 142a and 143a far from the vapor deposition source in the convex portion 141 is increased. In addition, it exposes with the exposure amount weaker than the exposure amount of the process shown in FIG.16 (b).

図１６（ｄ）に示す工程では、現像処理を行う。凸部前駆体膜１４１ａに露光量の異なる紫外線を照射したことにより、膜厚に差が生じる。これにより、凸部１４１となる前の階段状の凸部前駆体膜１４１ｂが形成される。   In the step shown in FIG. 16D, development processing is performed. By irradiating the projection precursor film 141a with ultraviolet rays having different exposure amounts, a difference in film thickness occurs. Thereby, the step-shaped convex part precursor film | membrane 141b before becoming the convex part 141 is formed.

図１６（ｅ）に示す工程では、凸部前駆体膜１４１ｂに熱処理を施す。具体的には、例えば、２２０℃〜２４０℃の温度で熱処理を行う。これにより、断面が非対称の略三角形状（偏った半円形状）の凸部１４１（１４２，１４３）が完成する。   In the step shown in FIG. 16E, heat treatment is performed on the convex precursor film 141b. Specifically, for example, the heat treatment is performed at a temperature of 220 ° C. to 240 ° C. Thereby, the convex part 141 (142, 143) having a substantially triangular shape (biased semicircular shape) having an asymmetric cross section is completed.

以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記（１）〜（４）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the second embodiment, in addition to the effects (1) to (4), the following effects can be obtained.

（５）第２実施形態の液晶装置２００の製造方法によれば、蒸着角度が大きくなる斜面側、つまり、凸部１４１における蒸着源から遠い側の斜面１４２ａ，１４３ａの面積が広いので、第１実施形態と比較して、より多くのイオン性不純物４４を第２領域７２において捕獲することができる。その結果、シミなどの発生をより抑えることができる。   (5) According to the method of manufacturing the liquid crystal device 200 of the second embodiment, since the area of the slopes 142a and 143a on the slope side where the deposition angle is large, that is, the slopes 142a and 143a far from the deposition source in the convex portion 141 is large. Compared to the embodiment, more ionic impurities 44 can be captured in the second region 72. As a result, it is possible to further suppress the occurrence of spots and the like.

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。   The aspect of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. It is included in the range. Moreover, it can also implement with the following forms.

（変形例１）
上記した第２実施形態の凸部１４１は、上記した製造方法に限定されず、図１７に示すような製造方法でもよい。図１７は、変形例における凸部の製造方法を示す模式断面図である。 (Modification 1)
The convex portion 141 of the second embodiment described above is not limited to the manufacturing method described above, and may be a manufacturing method as shown in FIG. FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing a method for manufacturing a convex portion in a modified example.

まず、図１７（ａ）に示す工程では、第２実施形態と同様、第１基材１０ａ上に凸部前駆体膜１４１ａを成膜する。図１７（ｂ）に示す工程では、透過率の異なるハーフトーンマスク２４５を用いて、凸部前駆体膜１４１ａを露光する。ハーフトーンマスク２４５は、紫外線を透過する透過領域と、半透過する半透過部と、遮光する遮光部とを有する。半透過部の領域が、凸部１４１における段差ができる領域に対応する。図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す工程は、第２実施形態と同様、現像処理と熱処理を行う。以上により、第２実施形態と同様な形状の凸部１４１（１４２，１４３）を形成することができる。   First, in the step shown in FIG. 17A, as in the second embodiment, a convex precursor film 141a is formed on the first substrate 10a. In the step shown in FIG. 17B, the convex precursor film 141a is exposed using a halftone mask 245 having different transmittance. The halftone mask 245 includes a transmission region that transmits ultraviolet rays, a semi-transmission portion that transmits light, and a light-shielding portion that blocks light. The region of the semi-transmissive portion corresponds to a region where a step in the convex portion 141 is formed. In the steps shown in FIGS. 17C and 17D, development processing and heat treatment are performed as in the second embodiment. As described above, the convex portions 141 (142, 143) having the same shape as that of the second embodiment can be formed.

この方法によれば、第１フォトマスク１４５ａ及び第２フォトマスク１４５ｂの２種類のフォトマスクを用いることなく、１つのハーフトーンマスク２４５で製造することができる。よって、例えば、かかる工数を減らすことができる。   According to this method, one halftone mask 245 can be manufactured without using two types of photomasks of the first photomask 145a and the second photomask 145b. Therefore, for example, such man-hours can be reduced.

（変形例２）
上記したように、第１領域７１の周囲（表示領域の周囲）を囲むように繋がった凸部４１，１４１を設けることに限定されず、図１８及び図１９に示すように凸部２４１，３４１ａ，３４１ｂを設けるようにしてもよい。図１８及び図１９は、変形例の液晶装置の構成（特に凸部の構成）を示す模式平面図である。 (Modification 2)
As described above, the projections 241 and 341a are not limited to providing the projections 41 and 141 connected so as to surround the periphery of the first region 71 (the periphery of the display region), as shown in FIGS. , 341b may be provided. 18 and 19 are schematic plan views showing the configuration (particularly, the configuration of convex portions) of a liquid crystal device according to a modification.

図１８に示す液晶装置３００は、画素領域Ｅ（表示領域）の周囲に、蒸着源の方向に対して垂直方向に延びる複数の凸部２４１が配置されている。なお、断面形状は、第１実施形態の凸部４１、及び第２実施形態の凸部１４１のどちらでも可能である。これによれば、イオン性不純物４４がイオントラップ部上を通過するので、より効率的にイオン性不純物４４をトラップすることが可能となり、角シミの防止に効果を発揮することができる。   In the liquid crystal device 300 illustrated in FIG. 18, a plurality of convex portions 241 extending in a direction perpendicular to the direction of the vapor deposition source is disposed around the pixel region E (display region). The cross-sectional shape can be either the convex portion 41 of the first embodiment or the convex portion 141 of the second embodiment. According to this, since the ionic impurities 44 pass over the ion trap portion, the ionic impurities 44 can be trapped more efficiently, and an effect can be exhibited in preventing corner spots.

また、図１９に示す液晶装置４００は、対向する２箇所の角部のみ、蒸着源の方向（配向方向）に対して垂直方向に延びる凸部３４１ａが配置されている。その他の領域は、対向する角部の方向に繋がる凸部３４１ｂが配置されている。これによれば、角シミにより効果を発揮することができる。   Further, in the liquid crystal device 400 illustrated in FIG. 19, convex portions 341 a extending in a direction perpendicular to the direction of the vapor deposition source (alignment direction) are arranged only at two opposing corners. In other regions, convex portions 341b connected in the direction of the opposite corners are arranged. According to this, an effect can be exhibited by the corner stain.

（変形例３）
上記したように、第２領域７２における凸部４１の断面形状は、隣り合う凸部４１との間に第１基材１０ａが露出するように形成することに限定されず、例えば、図２０のように形成するようにしてもよい。図２０は、変形例の凸部の断面形状を示す模式断面図である。 (Modification 3)
As described above, the cross-sectional shape of the convex portion 41 in the second region 72 is not limited to be formed so that the first base material 10a is exposed between the adjacent convex portions 41. For example, FIG. You may make it form like this. FIG. 20 is a schematic cross-sectional view showing a cross-sectional shape of a convex portion according to a modification.

図２０に示す凸部４４１は、隣り合う凸部４４１が繋がるように形成されている。具体的には、複数の凸部４４１によって、断面形状が波状のような形状に形成されている。このように形成すれば、第２領域７２に形成できる凸部４４１の本数を増やすことが可能となり、よりイオン性不純物４４をトラップすることができる。   The convex part 441 shown in FIG. 20 is formed so that the adjacent convex part 441 is connected. Specifically, the cross-sectional shape is formed in a wavy shape by the plurality of convex portions 441. If formed in this manner, the number of convex portions 441 that can be formed in the second region 72 can be increased, and the ionic impurities 44 can be trapped more.

（変形例４）
上記したように、素子基板１０側に第１配向膜２８ａ及び第２配向膜２８ｂを形成することに限定されず、例えば、対向基板２０側に第１配向膜及び第２配向膜を形成するようにしてもよい。少なくともどちらか一方の基板（素子基板１０、対向基板２０）に形成するようにすることが望ましい。対向基板２０に形成する場合、対向電極３１における画素領域Ｅに第１配向膜３２（２８ａに相当）を形成する。また、画素領域Ｅの周囲に第２配向膜３２（２８ｂに相当）を形成する。 (Modification 4)
As described above, the first alignment film 28a and the second alignment film 28b are not limited to be formed on the element substrate 10 side. For example, the first alignment film and the second alignment film are formed on the counter substrate 20 side. It may be. It is desirable to form it on at least one of the substrates (element substrate 10 and counter substrate 20). When forming on the counter substrate 20, a first alignment film 32 (corresponding to 28 a) is formed in the pixel region E of the counter electrode 31. In addition, a second alignment film 32 (corresponding to 28b) is formed around the pixel region E.

（変形例５）
上記したように、液晶注入方式の液晶装置１００に適用することに限定されず、液晶滴下方式（ＯＤＦ）の液晶装置に適用するようにしてもよい。なお、上記液晶注入方式の液晶装置１００の場合、液晶にイオン性不純物４４が含まれている場合には、液晶注入口（離間部）と表示領域の間に第２領域７２（第２配向膜２８ｂ）を形成し、液晶の注入時に第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物をトラップするようにしてもよい。また、液晶注入口（離間部）に第２領域７２（第２配向膜２８ｂ）を形成し、液晶注入時に第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物をトラップし、その後、封止材で埋め込んでも良い。 (Modification 5)
As described above, the present invention is not limited to application to the liquid crystal injection type liquid crystal device 100, and may be applied to a liquid crystal dropping type (ODF) liquid crystal device. In the case of the liquid crystal injection type liquid crystal device 100 described above, when the ionic impurities 44 are included in the liquid crystal, the second region 72 (second alignment film) is provided between the liquid crystal injection port (separating portion) and the display region. 28b) may be formed, and ionic impurities may be trapped by the second alignment film 28b when the liquid crystal is injected. Alternatively, the second region 72 (second alignment film 28b) may be formed in the liquid crystal injection port (separating portion), and ionic impurities may be trapped by the second alignment film 28b during liquid crystal injection, and then embedded with a sealing material. .

（変形例６）
上記したように、イオン性不純物４４によるシミなどの表示不良が画素領域Ｅ（表示領域）の角部に発生しやすいことから、第２配向膜２８ｂを画素領域Ｅの角部周辺のみに設けるようにしてもよい。これによれば、表示領域の角部において、イオン性不純物４４をトラップすることが可能となり、いわゆる角シミ（配向方向の２箇所）が発生することを抑えることができる。 (Modification 6)
As described above, display defects such as spots due to the ionic impurities 44 are likely to occur at the corners of the pixel region E (display region), so the second alignment film 28b is provided only around the corners of the pixel region E. It may be. According to this, it becomes possible to trap the ionic impurities 44 at the corners of the display region, and it is possible to suppress the occurrence of so-called corner spots (two locations in the alignment direction).

（変形例７）
上記したように、透過型の液晶装置１００に適用することに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。この場合、画素領域Ｅはアルミニウムなどの反射性材料を用いて画素電極（第２画素電極）を形成する。つまり、画素領域Ｅは、画素電極２７上にＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成する。画素領域Ｅ周辺は、例えば、ＩＴＯ膜を形成する。 (Modification 7)
As described above, the present invention is not limited to being applied to the transmissive liquid crystal device 100. For example, the present invention may be applied to a reflective liquid crystal device. In this case, the pixel area E forms a pixel electrode (second pixel electrode) using a reflective material such as aluminum. That is, in the pixel region E, an insulating film made of SiO 2 or the like is formed on the pixel electrode 27. For example, an ITO film is formed around the pixel region E.

なお、第２領域７２のＩＴＯ膜を用いて、画素領域Ｅの周囲にイオントラップ電極を設けるようにしてもよい。   Note that an ion trap electrode may be provided around the pixel region E using the ITO film in the second region 72.

（変形例８）
上記したように、第２配向膜２８ｂによってイオン性不純物４４をトラップすることに限定されず、例えば、第２領域７２にイオントラップ電極を配置して、両方でイオン性不純物をトラップするようにしてもよい。これによれば、イオン性不純物４４のトラップする能力を向上させることができる。また、捕獲したイオン性不純物４４が、再拡散することを抑えることができる。また、イオントラップ電極に重なるように凸部４１，１４１を設けるようにしてもよい。この場合、少なくとも、凸部４１，１４１において蒸着源から離れた側の斜面４２ａ，４３ａ，１４２ａ，１４３ａがイオントラップ電極と平面的に重なるように設けることが望ましい。 (Modification 8)
As described above, it is not limited to trapping the ionic impurity 44 by the second alignment film 28b. For example, an ion trap electrode is disposed in the second region 72 and the ionic impurity is trapped in both. Also good. According to this, the ability to trap the ionic impurities 44 can be improved. Further, it is possible to prevent the trapped ionic impurities 44 from re-diffusing. Moreover, you may make it provide the convex parts 41 and 141 so that it may overlap with an ion trap electrode. In this case, it is desirable to provide at least the slopes 42a, 43a, 142a, 143a on the side away from the vapor deposition source in the convex portions 41, 141 so as to overlap the ion trap electrode in a plane.

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光部、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２，１２８…配向膜、２８ａ，１２８ａ…第１配向膜、２８ｂ，１２８ｂ…第２配向膜、２８ａ１，２８ｂ１，１２８ａ１，１２８ｂ１…柱状構造物、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４１，１４１，２４１，４４１…凸部、４１ａ，４１ｂ，１４１ａ…凸部前駆体膜、４２，１４２…第１凸部、４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，１４２ａ，１４２ｂ…斜面、４３，１４３…第２凸部、４４…イオン性不純物、４５…フォトマスク、４６…紫外線、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７１…第１領域、７２…第２領域、１００，２００，３００，４００…液晶装置、１４５ａ…第１フォトマスク、１４５ｂ…第２フォトマスク、２４５…ハーフトーンマスク、３４１ａ，３４１ｂ…凸部、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプ、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。   3a ... scanning line, 3b ... capacitance line, 3c ... lower light shielding film, 6a ... data line, 10 ... element substrate, 10a ... first substrate, 11a ... underlying insulating layer, 11b ... first interlayer insulating layer, 11c ... 2nd interlayer insulation layer, 11d ... 3rd interlayer insulation layer, 11e ... 4th interlayer insulation layer, 11g ... Gate insulation film, 14 ... Sealing material, 15 ... Liquid crystal layer, 16 ... Capacitance element, 16a ... 1st capacitance electrode, 16b ... second capacitor electrode, 16c ... dielectric film, 18 ... light shielding part, 20 ... counter substrate, 20a ... second substrate, 22 ... data line drive circuit, 24 ... scan line drive circuit, 25 ... inspection circuit, 26 ... vertical conduction part, 27 ... pixel electrode, 28, 32, 128 ... alignment film, 28a, 128a ... first alignment film, 28b, 128b ... second alignment film, 28a1, 28b1, 128a1, 128b1 ... columnar structure, 29 ... Wiring, 30 ... TFT, 30a ... Half Body layer, 30c ... channel region, 30d ... pixel electrode side source / drain region, 30d1 ... pixel electrode side LDD region, 30g ... gate electrode, 30s ... data line side source / drain region, 30s1 ... data line side LDD region, 31 ... opposite Electrode, 33, flattening layer, 41, 141, 241, 441, convex portion, 41a, 41b, 141a, convex portion precursor film, 42, 142, first convex portion, 42a, 42b, 43a, 43b, 142a, 142b ... slope, 43,143 ... second convex part, 44 ... ionic impurities, 45 ... photomask, 46 ... ultraviolet light, CNT51, 52, 53, 54 ... contact hole, 55 ... relay layer, 61 ... external connection terminal , 71 ... 1st area | region, 72 ... 2nd area | region, 100, 200, 300, 400 ... Liquid crystal device, 145a ... 1st photomask, 145b ... 2nd photo 245 ... halftone mask, 341a, 341b ... convex, 1000 ... projection type display device, 1100 ... polarized illumination device, 1101 ... lamp, 1102 ... integrator lens, 1103 ... polarization conversion element, 1104, 1105 ... dichroic mirror, 1106, 1107, 1108: reflection mirror, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205 ... relay lens, 1206 ... cross dichroic prism, 1207 ... projection lens, 1210, 1220, 1230 ... liquid crystal light valve, 1300 ... screen.

Claims (9)

第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、を含み、
前記第１基板の前記液晶層側の面は、表示領域を含む第１領域と、前記第１領域と前記シール材との間に位置する第２領域と、を有する
液晶装置の製造方法であって、
前記第２領域に、前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凸部を形成する凸部形成工程と、
前記第１領域より前記第２領域の前記部分で蒸着角度が大きくなるように、前記第１領域と前記第２領域に無機材料を斜方蒸着して無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 A first substrate;
A second substrate disposed opposite to the first substrate;
A sealing material for bonding the first substrate and the second substrate;
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate,
The surface of the first substrate on the liquid crystal layer side includes a first region including a display region, and a second region located between the first region and the sealing material. And
Forming a convex portion having a portion inclined with respect to the main surface of the first substrate in the second region; and
An alignment film forming step of forming an inorganic alignment film by obliquely depositing an inorganic material in the first region and the second region so that a deposition angle is larger in the portion of the second region than in the first region; ,
A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: 請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１領域は、前記表示領域の周囲に形成されたダミー画素領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。 A manufacturing method of a liquid crystal device according to claim 1,
The method of manufacturing a liquid crystal device, wherein the first region includes a dummy pixel region formed around the display region. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２領域は、前記表示領域の角部の外側の領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。 A method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 1 or 2,
The method of manufacturing a liquid crystal device, wherein the second region includes a region outside a corner portion of the display region. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記シール材の一部が離間した注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、
前記注入口を封止部で埋める封止部形成工程と、を有し、
前記第２領域は、少なくとも前記注入口と表示領域と間の領域を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。 A method for manufacturing a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3,
A liquid crystal injection step of injecting liquid crystal from an injection port in which a part of the sealing material is separated;
A sealing part forming step of filling the injection port with a sealing part,
The method for manufacturing a liquid crystal device, wherein the second region includes at least a region between the injection port and the display region. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記凸部は、前記凸部における蒸着角度が大きい斜面側の面積が、蒸着角度の小さい斜面側の面積と比較して広いことを特徴とする液晶装置の製造方法。 A method for manufacturing a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 4,
The method for manufacturing a liquid crystal device, wherein the convex portion has a larger area on the slope side where the deposition angle is larger than the area on the slope side where the deposition angle is small. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に透明材料からなる第１画素電極を形成する第１画素電極形成工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 A method for manufacturing a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 5,
A method of manufacturing a liquid crystal device, comprising: a first pixel electrode forming step of forming a first pixel electrode made of a transparent material on the first substrate. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に反射性材料からなる第２画素電極を形成する第２画素電極形成工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 A method for manufacturing a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 6,
A method of manufacturing a liquid crystal device, comprising: a second pixel electrode forming step of forming a second pixel electrode made of a reflective material on the first substrate. 第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、
前記第１基板上に設けられた無機材料からなる無機配向膜と、
を含み、
前記第１基板の前記液晶層側の面は、表示領域を含む第１領域と、前記第１領域と前記シール材との間に位置する第２領域と、を有し、
前記無機配向膜において、前記第２領域に設けられた前記第１基板の主面に対して傾斜する部分を有する凸部の一部の柱状構造物の角度は、前記第１領域に設けられた柱状構造物の角度と比較して大きいことを特徴とする液晶装置。 A first substrate;
A second substrate disposed opposite to the first substrate;
A sealing material for bonding the first substrate and the second substrate;
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate;
An inorganic alignment film made of an inorganic material provided on the first substrate;
Including
The surface on the liquid crystal layer side of the first substrate has a first region including a display region, and a second region located between the first region and the sealing material,
In the inorganic alignment film, an angle of a columnar structure of a part of a convex portion having a portion inclined with respect to a main surface of the first substrate provided in the second region is provided in the first region. A liquid crystal device characterized by being larger than an angle of a columnar structure. 請求項８に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 8.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015175304A (en) * 2014-03-17 2015-10-05 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Blower and outdoor unit

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