JP2014011205A - 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第１液体の第１液浸空間を形成する第１部材と、光路に対して第１部材の外側に配置され、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。

米国特許出願公開第２００９／００４６２６１号

液浸露光装置において、望まれない空間に液体が流出すると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第１液体の第１液浸空間を形成する第１部材と、光路に対して第１部材の外側に配置され、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、第２部材の下方において所定領域を有する物体が光学部材の光軸と交差する方向に移動する期間の少なくとも一部において、第２部材の下面と物体の上面との距離を変えることと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、第２部材の下方において物体が光学部材の光軸と交差する方向に移動する期間の少なくとも一部における物体の移動条件に基づいて、第２部材の下面と物体の上面との距離を変えることと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が第１物体上及び間隙を介して第１物体に隣接する第２物体上の一方から他方へ移動するように、第２部材と第１、第２物体とを光学部材の光軸と実質的に垂直な所定面内において相対移動させることと、第２液浸空間が第１物体上及び第２物体上の一方から他方へ移動する期間の少なくとも一部において、光軸と実質的に平行な方向に関する第２部材の下面と第１物体の上面との距離、及び第２部材の下面と第２物体の上面との距離の一方又は両方を変えることと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、第２部材の下方において物体が光学部材の光軸と交差する方向に等速移動する期間と非等速移動する期間とで、光学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する第２部材の移動量及び物体の移動量の一方又は両方を変えることと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、基板の複数のショット領域を第１液浸空間の第１液体を介して露光光で順次露光することと、光学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する第２部材の移動量及び物体の移動量の一方又は両方を、複数のショット領域のうち第１ショット領域の露光が行われる露光期間と、第１ショット領域の露光終了後、次に露光される第２ショット領域の露光が開始されるまでの非露光期間とで変えることと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、第２部材の下方において所定領域を有する物体を光学部材の光軸と交差する所定面内において移動させることと、物体が移動する期間の少なくとも一部において、所定面内における物体の移動条件を変えることと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第１０の態様に従えば、第３〜第９のいずれか一つの態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また、本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの一例を示す図である。 第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第２実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第３実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第４実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第５実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第６実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第７実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第７実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第８実施形態に係る第２部材及び物体の動作の一例を示す図である。 第８実施形態に係る第２部材及び物体の動作の一例を示す図である。 第８実施形態に係る第２部材及び物体の動作の一例を示す図である。 第９実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第９実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第９実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第１０実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 第１１実施形態に係る第２部材の動作の一例を示す図である。 基板ステージの一例を示す図である。 デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する計測システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２を形成する液浸部材５と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置６と、制御装置６に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置７とを備えている。

露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する空間ＣＳの環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ）を調整するチャンバ装置１１を備えている。チャンバ装置１１は、空間ＣＳに、温度及び湿度が調整された気体Ｆｒを供給する気体供給部１１Ｓを有する。空間ＣＳには、少なくとも投影光学系ＰＬ、液浸部材５、基板ステージ２、及び計測ステージ３が配置される。本実施形態においては、マスクステージ１、及び照明系ＩＬの少なくとも一部も、空間ＣＳに配置される。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。なお、基板Ｐが、感光膜と、感光膜とは別の膜とを含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材８のガイド面８Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面８ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。本実施形態において、マスクステージ１は、その駆動システムの作動により、ガイド面８Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、縮小系である。投影光学系ＰＬの投影倍率は、例えば１／４でもよいし、１／５でもよいし、１／８でもよい。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系でもよいし、拡大系でもよい。本実施形態において、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。なお、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系でもよいし、屈折光学素子を含まない反射系でもよいし、反射光学素子及び屈折光学素子の両方を含む反射屈折系でもよい。投影光学系ＰＬは、倒立像を形成してもよいし、正立像を形成してもよい。

投影光学系ＰＬは、露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する終端光学素子１３を含む。射出面１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する。終端光学素子１３は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。投影領域ＰＲは、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１２は、−Ｚ方向を向いている。射出面１２は、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１２は、凸面でもよいし、凹面でもよい。なお、射出面１２は、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。本実施形態において、終端光学素子１３の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材（計測器）Ｃを搭載した状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、ベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面９ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。

基板ステージ２及び計測ステージ３は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システム１０の作動により移動する。駆動システム１０は、基板ステージ２に配置された可動子２Ｃと、計測ステージ３に配置された可動子３Ｃと、ベース部材９に配置された固定子９Ｍとを含む。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システム１０の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

基板ステージ２は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号、及び米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部１４と、第１保持部１４の周囲に配置され、カバー部材Ｔ１及びスケール部材（計測部材）Ｔ２をリリース可能に保持する第２保持部１５とを有する。本実施形態において、基板Ｐの周囲に配置される基板ステージ２の上面は、カバー部材Ｔ１の上面を含む。また、基板ステージ２の上面は、スケール部材Ｔ２の上面を含む。

計測システム４は、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号に開示されているような、基板ステージ２のスケール部材Ｔ２を用いて、その基板ステージ２の位置を計測するエンコーダシステムを含む。また、計測システム４は、干渉計システムを含む。

基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置６は、計測システム４の計測結果に基づいて、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

次に、本実施形態に係る液浸部材５について説明する。図２は、本実施形態に係る液浸部材５の一例を示す側面図、図３は、液浸部材５を下側（−Ｚ側）から見た図である。

液浸部材５は、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材２１と、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路Ｋ（終端光学素子１３の光軸）に対して第１部材２１の外側に配置される第２部材２２とを備える。第１部材２１は、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。第２部材２２は、液浸空間ＬＳ１から離れて、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ２を形成可能である。液浸空間ＬＳ１は、第１部材２１の下方の第１空間ＳＰ１の少なくとも一部に形成される。液浸空間ＬＳ２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２の少なくとも一部に形成される。

第１部材２１は、下面２３を有する。第２部材２２は、下面２４を有する。下面２３及び下面２４は、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体が対向可能である。終端光学素子１３の下方で移動可能な物体は、射出面１２と対向可能である。その物体は、投影領域ＰＲに配置可能である。その物体は、投影領域ＰＲを含むＸＹ平面内を移動可能である。その物体は、第１部材２１の下方で移動可能である。その物体は、第２部材２２の下方で移動可能である。

本実施形態において、その物体は、基板ステージ２（カバー部材Ｔ１、スケール部材Ｔ２）、基板ステージ２（第１保持部１４）に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ)の少なくとも一つを含む。

以下の説明においては、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体が、基板Ｐであることとする。なお、上述のように、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方でもよいし、基板Ｐ、基板ステージ２、及び計測ステージ３とは別の物体でもよい。

第１部材２１は、射出面１２側の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。液浸空間ＬＳ１は、射出面１２と基板Ｐ（物体）の上面との間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。

第１部材２１は、射出面１２側の光路Ｋを含む光路空間ＳＰＫ、及び下面２３側の第１空間ＳＰ１の少なくとも一部に、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。終端光学素子１３及び第１部材２１は、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。液浸空間ＬＳ１は、終端光学素子１３及び第１部材２１と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱによって形成される。一方側の射出面１２及び下面２３と、他方側の基板Ｐ（物体）の上面との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。

基板Ｐの露光においては、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域だけが液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳ１が形成される。

本実施形態において、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧ１の少なくとも一部は、下面２３と基板Ｐの上面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。液浸空間ＬＳ１の外側（界面ＬＧ１の外側）は、気体空間である。

本実施形態において、第１部材２１は、環状の部材である。本実施形態において、第１部材２１の一部は、終端光学素子１３の周囲に配置される。また、第１部材２１の一部は、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。

なお、第１部材２１は、環状の部材でなくてもよい。例えば、第１部材２１が、終端光学素子１３及び光路Ｋの周囲の一部に配置されていてもよい。なお、第１部材２１が、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、第１部材２１が、射出面１２と基板Ｐとの間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置され、終端光学素子１３の周囲に配置されていなくてもよい。なお、第１部材２１が、射出面１２と基板Ｐとの間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、第１部材２１が、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１２と物体との間の光路Ｋの周囲に配置されていなくてもよい。

第１部材２１は、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱを供給する供給口３１と、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの少なくとも一部を回収する回収口３２とを備えている。

図４は、供給口３１の近傍を示す第１部材２１の断面図である。供給口３１は、光路空間ＳＰＫ（光路Ｋ）に面するように配置される。供給口３１は、第１部材２１の内部に形成された供給流路３３を介して、液体ＬＱを供給可能な液体供給装置３４と接続される。供給口３１は、液体供給装置３４からの液体ＬＱを射出面１２側の光路空間ＳＰＫ（光路Ｋ）に供給する。

第１部材２１は、射出面１２が面する孔（開口）２０を有する。射出面１２から射出された露光光ＥＬは、開口２０を通過して基板Ｐに照射可能である。供給口３１から光路空間ＳＰＫに供給された液体ＬＱの少なくとも一部は、開口２０を介して、基板Ｐ上（物体上）に供給される。また、供給口３１から光路空間ＳＰＫに供給された液体ＬＱの少なくとも一部は、開口２０を介して、第１空間ＳＰ１に供給される。本実施形態においては、開口２０から、第１部材２１の下方の第１空間ＳＰ１に液体ＬＱが供給される。

液体供給装置３４は、液体調整システムを含む。液体供給装置３４は、例えば、供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量（単位時間当たりの液体供給量）を調整可能な供給量調整部３４Ａと、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整部３４Ｂと、供給する液体ＬＱの温度を検出する温度センサ３４Ｃとを有する。供給量調整部３４Ａは、マスフローコントローラを有する。温度調整部３４Ｂは、液体ＬＱを加熱可能な加熱装置と、液体ＬＱを冷却可能な冷却装置とを有する。

供給口３１は、光路Ｋの周囲に複数配置されてもよい。図２に示すように、本実施形態おいて、供給口３１は、光路Ｋに対して一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に配置される。図２に示すように、本実施形態においては、一側の供給口３１及び他側の供給口３１のそれぞれに液体供給装置３４が接続される。一側の供給口３１から供給される液体ＬＱの温度と、他側の供給口３１から供給される液体ＬＱの温度とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。一側の供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量と、他側の供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。

図５は、回収口３２の近傍を示す第１部材２１の断面図である。回収口３２は、第１空間ＳＰ１に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、回収口３２と対向可能である。回収口３２は、第１部材２１の内部に形成された回収流路３５を介して、液体ＬＱを回収（吸引）可能な液体回収装置３６と接続される。回収口３２は、第１部材２１と基板Ｐとの間の第１空間ＳＰ１の液体ＬＱの少なくとも一部を回収（吸引）可能である。回収口３２から回収流路３５に流入した液体ＬＱは、液体回収装置３６に回収される。

液体回収装置３６は、回収口３２を真空システムＢＳに接続可能である。液体回収装置３６は、回収口３２から回収された液体ＬＱが収容される収容部３６Ａと、回収口３２の吸引力を調整可能な圧力調整部３６Ｂとを有する。収容部３６Ａは、タンクを含む。圧力調整部３６Ｂは、圧力調整弁などを含む。

本実施形態において、第１部材２１は、多孔部材３７を備える。多孔部材３７は、液体ＬＱが流通可能な複数の孔(openingsあるいはpores)を有する。多孔部材３７は、例えばメッシュフィルタを含む。メッシュフィルタは、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材である。

本実施形態において、多孔部材３７は、プレート状の部材である。多孔部材３７は、基板Ｐが対向可能な下面３７Ｂと、第１部材２１に形成された回収流路３５に面する上面３７Ａと、上面３７Ａと下面３７Ｂとを結ぶように形成された複数の孔とを有する。本実施形態において、回収口３２は、多孔部材３７の孔を含む。多孔部材３７の孔（回収口３２）を介して回収された液体ＬＱは、回収流路３５を流れる。

本実施形態においては、多孔部材３７（回収口３２）から、第１空間ＳＰ１の液体ＬＱ及び気体の両方が回収（吸引）される。なお、多孔部材３７を介して実質的に液体ＬＱのみが回収され、気体の回収が制限されてもよい。例えば、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱが多孔部材３７の孔を通過して回収流路３５に流入し、気体は通過しないように、多孔部材３７の下面３７Ｂ側の圧力（第１空間ＳＰ１の圧力）と上面３７Ａ側の圧力（回収流路３５の圧力）との差が調整されてもよい。なお、多孔部材を介して液体のみを回収する技術の一例が、例えば米国特許第７２９２３１３号等に開示されている。

なお、多孔部材３７を設けなくてもよい。

本実施形態においては、供給口３１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口３２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、一方側の終端光学素子１３及び第１部材２１と、他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１が形成される。液浸空間ＬＳ１は、供給口３１から供給された液体ＬＱによって形成される。

下面２３は、開口２０の周囲に配置される。本実施形態において、下面２３の少なくとも一部は、ＸＹ平面とほぼ平行である。なお、下面２３の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。

下面２３は、開口２０の周囲に配置され、液体ＬＱを回収不可能な下面２３Ｂと、下面２３Ｂの周囲に配置され、液体ＬＱを回収可能な多孔部材３７の下面３７Ｂとを含む。液体ＬＱは、下面２３Ｂを通過できない。下面２３Ｂは、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。

本実施形態において、液体ＬＱを回収可能な下面３７Ｂは、下面２３の周縁部に配置される。下面２３（基板Ｐの上面）と平行なＸＹ平面内において、下面３７Ｂは、環状である。液体ＬＱを回収不可能な下面２３Ｂは、下面３７Ｂの内側に配置される。本実施形態において、界面ＬＧ１は、下面３７Ｂと基板Ｐの上面との間に配置される。

なお、液体ＬＱを回収可能な下面３７Ｂ（回収口３２）は、光路Ｋ（開口２０）の周囲に複数配置されてもよい。

第２部材２２は、第１部材２１とは異なる部材である。第２部材２２は、第１部材２１から離れている。第２部材２２は、第１部材２１の周囲の一部に配置される。

第２部材２２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２の少なくとも一部に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ２を形成可能である。第２空間ＳＰ２は、下面２４側の空間である。液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１と離れて形成される。液浸空間ＬＳ２は、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との間に形成される。第２部材２２は、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。液浸空間ＬＳ２は、第２部材２２と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱによって形成される。一方側の下面２４と、他方側の基板Ｐ（物体）の上面との間に液体ＬＱが保持されることによって、液浸空間ＬＳ２が形成される。

本実施形態において、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧ２の少なくとも一部は、下面２４と基板Ｐの上面との間に形成される。液浸空間ＬＳ２の外側（界面ＬＧ２の外側）は、気体空間である。

液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。液浸空間の大きさとは、液浸空間を形成する液体の体積を含む。また、液浸空間の大きさとは、液浸空間を形成する液体の重量を含む。また、液浸空間の大きさとは、例えば基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）における液浸空間の面積を含む。また、液浸空間の大きさとは、例えば基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）における所定方向（例えばＸ軸方向、又はＹ軸方向）に関する液浸空間の寸法を含む。

すなわち、基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）において、液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。液浸空間ＬＳ２を形成する液体ＬＱの体積（重量）は、液浸空間ＬＳ１を形成する液体ＬＱの体積（重量）よりも小さい。ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳ２の寸法は、液浸空間ＬＳ１の寸法よりも小さい。

本実施形態において、第２部材２２は、第１部材２１の周囲の空間において２つ配置される。本実施形態において、第２部材２２は、Ｘ軸方向に関して、第１部材２１の一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に配置される。液浸空間ＬＳ２は、Ｘ軸方向に関して、液浸空間ＬＳ１の一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に形成される。

以下の説明においては、第１部材２１の＋Ｘ側に配置される第２部材２２を適宜、第２部材２２１、と称し、第１部材２１の−Ｘ側に配置される第２部材２２を適宜、第２部材２２２、と称する。

なお、第２部材２２は、第１部材２１の一側（＋Ｘ側）のみに配置されてもよいし、他側（−Ｘ側）のみに配置されてもよい。液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１の一側（＋Ｘ側）のみに配置されてもよいし、他側（−Ｘ側）のみに配置されてもよい。

本実施形態において、下面２４の少なくとも一部は、ＸＹ平面とほぼ平行である。なお、下面２４の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。

本実施形態において、Ｚ軸方向に関する下面２３の位置（高さ）と下面２４の位置（高さ）とは、実質的に等しい。すなわち、下面２３と基板Ｐ（物体）の上面との距離と、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離とは、実質的に等しい。

なお、下面２４が下面２３よりも低い位置に配置されてもよい。すなわち、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離が、下面２３と基板Ｐ（物体）の上面との距離よりも小さくてもよい。なお、下面２４が下面２３よりも高い位置に配置されてもよい。すなわち、下面２５と基板Ｐ（物体）の上面との距離が、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離よりも大きくてもよい。

図６は、第２部材２２の一例を示す部分断面図である。第２部材２２は、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱを供給する供給口４１と、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収する回収口４２とを備えている。

本実施形態において、供給口４１は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、供給口４１と対向可能である。供給口４１は、第２部材２２の下面２４の少なくとも一部に配置される。供給口４１は、第２空間ＳＰ２に液体ＬＱを供給可能である。

本実施形態において、回収口４２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、回収口４２と対向可能である。回収口４２は、第２部材２２の下面２４の少なくとも一部に配置される。回収口４２は、第２空間ＳＰ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口４２は、第２空間ＳＰ２の気体を回収可能である。本実施形態において、回収口４２は、液体ＬＱを、気体とともに回収する。第２空間ＳＰ２の流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）の少なくとも一部は、回収口４２から回収される。

本実施形態において、回収口４２の少なくとも一部は、第１部材２１と供給口４１との間に配置される。また、回収口４２の少なくとも一部は、光路Ｋ（第１部材２１）に対して供給口４１の外側に配置される。本実施形態においては、回収口４２は、供給口４１を囲むように配置される。下面２４と平行な面内（ＸＹ平面内）において、回収口４２は、環状である。

なお、回収口４２は、供給口４１の周囲に複数配置されてもよい。すなわち、複数の回収口４２が、供給口４１の周囲において離散的に配置されてもよい。

供給口４１は、第２部材２２の内部に形成された供給流路４３を介して、液体ＬＱを供給可能な液体供給装置４４と接続される。供給口４１は、液体供給装置４４からの液体ＬＱを、第２空間ＳＰ２に供給する。

液体供給装置４４は、液体調整システムを含む。液体供給装置４４は、例えば、供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量（単位時間当たりの液体供給量）を調整可能な供給量調整部４４Ａと、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整部４４Ｂと、供給する液体ＬＱの温度を検出する温度センサ４４Ｃとを有する。供給量調整部４４Ａは、マスフローコントローラを有する。温度調整部４４Ｂは、液体ＬＱを加熱可能な加熱装置と、液体ＬＱを冷却可能な冷却装置とを有する。

図２に示すように、本実施形態においては、一側の第２部材２２１及び他側の第２部材２２２のそれぞれに液体供給装置４４が接続される。本実施形態において、一側の第２部材２２１の供給口４１から供給される液体ＬＱの温度と、他側の第２部材２２２の供給口４１から供給される液体ＬＱの温度とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。一側の第２部材２２１の供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量と、他側の第２部材２２の供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。

回収口４２は、第２部材２２の内部に形成された回収流路４５を介して、液体ＬＱ（気体）を回収（吸引）可能な液体回収装置４６と接続される。回収口４２は、第２部材２２と基板Ｐとの間の第２空間ＳＰ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収（吸引）可能である。第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２から回収された液体ＬＱは、回収流路４５を流れる。回収口４２から回収流路４５に流入した液体ＬＱは、液体回収装置４６に回収される。

液体回収装置４６は、回収口４２を真空システムＢＳに接続可能である。液体回収装置４６は、回収口４２から回収された液体ＬＱが収容される収容部４６Ａと、回収口４２の吸引力を調整可能な圧力調整部４６Ｂとを有する。収容部４６Ａは、タンクを含む。圧力調整部４６Ｂは、圧力調整弁などを含む。

回収口４２の吸引力は、回収流路４５の圧力と第２空間ＳＰ２の圧力との差に依存する。回収流路４５と第２空間ＳＰ２との圧力差によって、回収口４２の吸引力が定められる。本実施形態において、圧力調整部４６Ｂが、回収流路４５の圧力を調整可能である。チャンバ装置１１が、第２空間ＳＰ２の圧力を調整可能である。

図２に示すように、本実施形態においては、一側の第２部材２２１及び他側の第２部材２２２のそれぞれに液体回収装置４６が接続される。本実施形態において、一側の第２部材２２１の回収口４１の回収力（吸引力）と、他側の第２部材２２２の回収口４２の回収力（吸引力）とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。

本実施形態においては、供給口４１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、一方側の第２部材２２と、他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳ２が形成される。液浸空間ＬＳ２は、供給口４１から供給された液体ＬＱによって形成される。

図７は、基板ステージ２及び計測ステージ３の一例を示す平面図である。基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐは、第１保持部１４に保持される。カバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、カバー部材Ｔ１及びスケール部材Ｔ２は、第２保持部１５に保持される。本実施形態において、第１保持部１４に保持された基板Ｐの上面と、第２保持部１５に保持されたカバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面とは、実質的に同一平面内に配置される。なお、第１保持部１４に保持された基板Ｐの上面と、第２保持部１５に保持されたカバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の一方又は両方とは、同一平面内に配置されなくてもよい。なお、基板Ｐの上面に対してカバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面の一方又は両方が傾斜してもよいし、カバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面の一方又は両方が曲面を含んでもよい。

カバー部材Ｔ１は、基板Ｐの周囲に配置される。カバー部材Ｔ１は、間隙Ｇａを介して基板Ｐに隣接する。基板Ｐとカバー部材Ｔ１との間に間隙Ｇａが設けられる。

スケール部材Ｔ２は、カバー部材Ｔ１の周囲に配置される。スケール部材Ｔ２は、間隙Ｇｂを介してカバー部材Ｔ１に隣接する。カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２との間に間隙Ｇｂが形成される。

本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号、及び米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号などに開示されているように、終端光学素子１３及び第１部材２１の下方に形成される液浸空間ＬＳ１が基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動するように、基板ステージ２の上面（スケール部材Ｔ２の上面）と計測ステージ３の上面とが接近又は接触された状態で、基板ステージ２及び計測ステージ３が、終端光学素子１３及び第１部材２１に対して、ＸＹ平面内において移動可能である。

以下の説明においては、基板ステージ２の上面と計測ステージ３の上面とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３及び第１部材２１に対して、基板ステージ２及び計測ステージ３をＸＹ平面内において同期移動させる動作を適宜、スクラム移動動作、と称する。

本実施形態においては、図７に示すように、スクラム移動動作において、基板ステージ２の上面の＋Ｙ側の辺と、計測ステージ３の上面の＋Ｙ側の辺とが接近又は接触する。

スクラム移動動作により、終端光学素子１３及び第１部材２１の下方に形成される液浸空間ＬＳ１が、基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動する。第２部材２２の下方に形成される液浸空間ＬＳ２が、基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動する。

スクラム移動動作において、基板ステージ２は、間隙Ｇｃを介して計測ステージ３に隣接する。スクラム移動動作において、基板ステージ２と計測ステージ３との間に間隙Ｇｃが設けられる。

計測ステージ３の上面は、計測部材Ｃの周囲に配置される。計測ステージ３の上面は、間隙Ｇｄを介して計測部材Ｃに隣接する。計測ステージ３と計測部材Ｃとの間に間隙Ｇｄが形成される。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。

液浸部材５から離れた基板交換位置において、露光前の基板Ｐを基板ステージ２（第１保持部）に搬入（ロード）する処理が行われる。また、基板ステージ２が液浸部材５から離れている期間の少なくとも一部において、計測ステージ３が終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される。

第１部材２１の供給口３１（開口２０）は、第１部材２１の下方の第１空間ＳＰ１に液体ＬＱを供給可能である。第１部材２１の回収口３２は、第１空間ＳＰ１の流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）を吸引可能である。供給口３１からの液体ＬＱの供給の少なくとも一部と並行して、回収口３２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、第１空間ＳＰ１に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１が形成される。

第２部材２２の供給口４１は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に液体ＬＱを供給可能である。第２部材２２の回収口４２は、第２空間ＳＰ２の流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）を吸引可能である。供給口４１からの液体ＬＱの供給の少なくとも一部と並行して、回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、第２空間ＳＰ２に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ２が形成される。

計測ステージ３が終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される状態において、第１、第２液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、計測ステージ３上に形成される。

露光前の基板Ｐが基板ステージ２にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置６は、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）とが対向するように、基板ステージ２を移動する。終端光学素子１３及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態から、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態へ変化するように、スクラム移動動作が実行される。終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）とが対向する状態で、供給口３１からの液体ＬＱの供給と並行して回収口３２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、射出面１２側の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１３及び第１部材２１と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳ１が形成される。また、供給口４１からの液体ＬＱの供給と並行して回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、第２部材２２と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳ２が形成される。

制御装置６は、基板Ｐの露光処理を開始する。制御装置６は、基板Ｐ上に液浸空間ＬＳ１が形成され、基板Ｐ上及び基板ステージ２上の少なくとも一方に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出する。照明系ＩＬはマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び射出面１２と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置６は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。

液浸空間ＬＳ１が形成されている状態で、基板Ｐ(物体)がＸＹ平面内において移動することによって、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの一部が、液浸空間ＬＳ１から離れて、第１空間ＳＰ１の外側に移動（流出）する可能性がある。本実施形態においては、第１空間ＳＰ１の周囲の一部に、液浸空間ＬＳ２が形成される。そのため、第１空間ＳＰ１の外側に移動した液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ２に捕捉される。液浸空間ＬＳ２に捕捉された液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱとともに、回収口４２から回収される。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。そのため、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で基板Ｐ（物体）が移動した場合において、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの一部が液浸空間ＬＳ２から離れて第２空間ＳＰ２の外側に移動（流出）することが抑制される。換言すれば、液浸空間ＬＳ２は液浸空間ＬＳ１よりも小さいため、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの一部が第２空間ＳＰ２から流出することが、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの一部が第１空間ＳＰ１から流出することよりも抑制される。

図８は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域Ｓがマトリクス状に複数配置されている。制御装置６は、基板ステージ２（第１保持部１４）に保持されている基板Ｐの複数のショット領域Ｓを液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで順次露光する。複数のショット領域Ｓのそれぞれは、露光光ＥＬ（投影領域ＰＲ）に対して基板ＰをＹ軸方向に移動しながら露光される。

例えば基板Ｐの第１のショット領域Ｓを露光するために、制御装置６は、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成された状態で、基板Ｐ（第１のショット領域Ｓ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱとを介して第１のショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１のショット領域Ｓに投影され、その第１のショット領域Ｓが射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光される。第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、制御装置６は、次の第２のショット領域Ｓの露光を開始するために、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内においてＸ軸と交差する方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸及びＹ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。その後、制御装置６は、第２のショット領域Ｓの露光を開始する。

制御装置６は、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲ）に対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光後、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成された状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向と交差する方向（Ｘ軸方向、ＸＹ平面内においてＸ軸及びＹ軸方向に対して傾斜する方向など）に基板Ｐを移動する動作と、を繰り返して、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。

以下の説明において、ショット領域を露光するために、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲ）に対して基板Ｐ（ショット領域）をＹ軸方向に移動させる動作を適宜、スキャン移動動作、と称する。また、あるショット領域の露光後、次のショット領域を露光するために、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向と交差する方向に基板Ｐを移動させる動作を適宜、ステップ移動動作、と称する。

スキャン移動動作とステップ移動動作とを繰り返して、基板Ｐの複数のショット領域Ｓが順次露光される。

なお、スキャン移動動作は、専らＹ軸方向の等速移動である。ステップ移動動作は、非等速移動（加減速度移動）を含む。例えば、Ｘ軸方向に隣接する２つのショット領域間のステップ移動動作は、Ｙ軸方向の非等速移動（加減速移動）、及びＸ軸方向の非等速移動（加減速移動）を含む。

本実施形態において、制御装置６は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図８中、例えば矢印Ｓｒに示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように、基板ステージ２を移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。

基板Ｐの複数のショット領域Ｓの露光が終了した後、その露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２は、基板交換位置に移動する。計測ステージ３は、終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される。終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態から、終端光学素子１３及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態へ変化するように、スクラム移動動作が実行される。

以下、同様の処理が繰り返されることによって、複数の基板Ｐが順次露光される。

基板Ｐの露光（スキャン移動動作及びステップ移動動作を含む）、スクラム移動動作、及び計測処理の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、基板Ｐの上面に（基板Ｐの上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、基板Ｐとカバー部材Ｔ１との間隙Ｇａ上に（基板Ｐとカバー部材Ｔ１とを跨ぐように）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、カバー部材Ｔ１の上面に（カバー部材Ｔ１の上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２との間隙Ｇｂ上に（カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２とを跨ぐように）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、スケール部材Ｔ２の上面に（スケール部材Ｔ２の上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、基板ステージ２と計測ステージ３との間隙Ｇｃ上に（基板ステージ２と計測ステージ３とを跨ぐように）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、計測ステージ３の上面に（計測ステージ３の上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、計測部材Ｃの上面に（計測部材Ｃの上面のみに）形成される場合がある。また、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、計測ステージ３と計測部材Ｃとの間隙Ｇｄ上に（計測ステージ３と計測部材Ｃとを跨ぐように）形成される場合がある。

以下の説明において、間隙Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄを総称して適宜、間隙Ｇ、と称する。基板Ｐなどの物体を適宜、物体Ｂ、と称する。間隙Ｇを形成する２つの物体のうち一方の物体Ｂを適宜、第１物体Ｂ１、と称し、他方の物体Ｂを適宜、第２物体Ｂ２、と称する。第２物体Ｂ２は、間隙Ｇを介して第１物体Ｂ１に隣接する。間隙Ｇは、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間に形成される。

本実施形態において、第１物体Ｂ１が、基板Ｐである場合、第２物体Ｂ２は、基板Ｐの周囲に配置されるカバー部材Ｔ１である。第１物体Ｂ１が、カバー部材Ｔ１である場合、第２物体Ｂ２は、基板Ｐである。第１物体Ｂ１が、カバー部材Ｔ１（又はスケール部材Ｔ２）である場合、第２物体Ｂ２は、スケール部材Ｔ２（又はカバー部材Ｔ１）である。第１物体Ｂ１が、基板ステージ２（又は計測ステージ３）である場合、第２物体Ｂ２は、計測ステージ３（又は基板ステージ２）である。第１物体Ｂ１が、計測部材Ｃ（又は計測ステージ３）である場合、第２物体Ｂ２は、計測ステージ３（又は計測部材Ｃ）である。

なお、間隙Ｇは、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間に形成される間隙でもよいし、１つの物体Ｂが有する間隙（スリット、開口など）でもよい。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、第２部材２２の下方において、所定領域ＰＡを有する物体Ｂが、終端光学素子１３の光軸（Ｚ軸）と交差するＸＹ平面内において移動する。

制御装置６は、所定領域ＰＡを有する物体Ｂが移動する期間の少なくとも一部において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗを変える。

所定領域ＰＡは、所定領域ＰＡの外側の領域よりも、液浸空間ＬＳ２の通過後において液体ＬＱが残留する可能性が高い領域である。所定領域ＰＡは、所定領域ＰＡの外側の領域よりも、液浸空間ＬＳ１の通過後において液体ＬＱが残留する可能性が高い領域である。

所定領域ＰＡは、第２部材２２との間の第２空間ＳＰ２からの液体ＬＱの流出が発生しやすい領域である。すなわち、第２部材２２と所定領域ＰＡとの間の第２空間ＳＰ２からの液体ＬＱの流出が発生する可能性が、第２部材２２と所定領域ＰＡの外側の領域との間の第２空間ＳＰ２からの液体ＬＱの流出が発生する可能性よりも高い。

所定領域ＰＡは、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の一部の領域である。所定領域ＰＡの外側の領域は、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の一部の領域である。

本実施形態において、所定領域ＰＡは、物体Ｂの間隙Ｇを含む。

図９は、第２部材２２の動作の一例を示す。図９は、液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１上から第２物体Ｂ２上へ移動するように、第２部材２２と第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２とが終端光学素子１３の光軸（Ｚ軸）と実質的に垂直なＸＹ平面内において相対移動される状態の一例を示す。第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間に間隙（間隙部）Ｇが設けられる。

図９（Ａ）は、液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１の上面に形成されている状態を示す。図９（Ｂ）は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態を示す。図９に示す例では、液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１の上面に形成されている状態から、間隙Ｇ上に形成される状態を経て、第２物体Ｂ２の上面に形成される状態に変化するように、第２部材２２に対して、第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２が−Ｙ方向に移動する。

制御装置６は、液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１上から第２物体Ｂ２上へ移動する期間の少なくとも一部において、終端光学素子１３の光軸と平行な方向（Ｚ軸方向）に関する第２部材２２の下面２４と第１物体Ｂ１の上面との距離、及び第２部材２２の下面２４と第２物体Ｂ２の上面との距離の一方又は両方を変える。

本実施形態において、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の位置を調整可能な駆動装置６０が設けられる。駆動装置６０は、第２部材２２をＺ軸方向に移動可能である。なお、駆動装置６０は、第２部材２２を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動してもよい。制御装置６は、駆動装置６０を制御して、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の下面２４と第１物体Ｂ１の上面との距離、及びＺ軸方向に関する第２部材２２の下面２４と第２物体Ｂ２の上面との距離の一方又は両方を調整可能である。

なお、制御装置６は、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）をＺ軸方向に移動してもよい。物体Ｂが、第１保持部１４に保持された基板Ｐ，基板ステージ２（カバー部材Ｔ１、スケール部材Ｔ２）、及び計測ステージ３（計測部材Ｃ）の少なくとも一つである場合、その物体Ｂは、駆動システム１０によって移動可能である。

なお、制御装置６は、第２部材２２及び物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の両方を移動して、第２部材２２の下面２４と物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の上面との距離を調整してもよい。

本実施形態において、制御装置６は、第２部材２２と第１物体Ｂ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２物体Ｂ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の一方又は両方を移動して、距離Ｗを変える。また、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の一方又は両方を移動して、距離Ｗを変える。また、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２の全部が第２物体Ｂ２上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の一方又は両方を移動して、距離Ｗを変える。

本実施形態において、第２部材２２と所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）とが対向する状態における第２部材２２の下面２４と物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）との距離と、第２部材２２の下面２４と所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）の外側の領域（第１物体Ｂ１の上面及び第２物体Ｂ２の上面の少なくとも一方）とが対向する状態における第２部材２２の下面２４と物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）との距離とは、異なる。本実施形態において、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上又は第２物体Ｂ２上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態とで、第２部材２２の下面２４と第１物体Ｂ１の上面との距離が異なる。液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上又は第２物体Ｂ２上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態とで、第２部材２２の下面２４と第２物体Ｂ２の上面との距離が異なる。

例えば、制御装置６は、第２部材２２と所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）との距離Ｗｂを、第２部材２２と所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）の外側の領域（第１物体Ｂ１の上面及び第２物体Ｂ２の上面の少なくとも一方）との距離Ｗａよりも短くする。すなわち、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている状態における第２部材２２と物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）との距離Ｗｂを、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上又は第２物体Ｂ２上に形成されている状態における第２部材２２と物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）との距離Ｗａよりも短くする。

これにより、例えば液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが間隙Ｇに流入したり、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが第２空間ＳＰ２の外側に流出したり、液体ＬＱが第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２上に残留したりすることが抑制される。

液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１の上面に形成されている状態から、間隙Ｇ上に形成される状態を経て、第２物体Ｂ２の上面に形成される状態に変化する場合、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上に形成される状態において、第２部材２２と第１物体Ｂ１とは、距離Ｗａだけ離れる。液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成される状態において、第２部材２２と第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２とは、距離Ｗａよりも短い距離Ｗｂだけ離れる。液浸空間ＬＳ２の全部が第２物体Ｂ２上に形成される状態において、第２部材２２と第２物体Ｂ２とは、距離Ｗｂよりも長い距離Ｗｃだけ離れる。本実施形態において、距離Ｗｃは、距離Ｗａと実質的に等しい。なお、距離Ｗｃは、距離Ｗａと異なってもよい。距離Ｗｃは、距離Ｗａよりも長くてもよいし、短くてもよい。制御装置６は、第２部材２２の下面２４と第１物体Ｂ１の上面との距離Ｗａと、第２部材２２の下面２４と第２物体Ｂ２の上面との距離Ｗｃとの差が小さくなるように、Ｚ軸方向に第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動することができる。

なお、制御装置６は、第２部材２２と所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）との距離を、第２部材２２と所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）の外側の領域との距離よりも長くしてもよい。

液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力を検出する圧力センサ５０が設けられてもよい。制御装置６は、圧力センサ５０の検出結果に基づいて、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。制御装置６は、第２部材２２と第１物体Ｂ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２物体Ｂ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、圧力センサ５０の検出結果に基づいて、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。

また、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、圧力センサ５０の検出結果に基づいて、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。

また、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２の全部が第２物体Ｂ２上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、圧力センサ５０の検出結果に基づいて、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。

なお、制御装置６は、圧力センサ５０の検出結果を用いずに、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。なお、圧力センサ５０は、なくてもよい。

制御装置６は、ＸＹ平面内における物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の位置に基づいて、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。例えば、第１物体Ｂ１が基板Ｐであり、第２物体Ｂ２が基板Ｐの周囲に配置されるカバー部材Ｔ１である場合、ＸＹ平面内における基板Ｐ、カバー部材Ｔ１、及び間隙Ｇａの少なくとも一つの位置に基づいて、液浸空間ＬＳ２の全部が基板Ｐ又はカバー部材Ｔ１上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２、基板Ｐ、及びカバー部材Ｔ１の少なくとも一つを移動してもよい。

本実施形態においては、計測システム４が、ＸＹ平面内における基板ステージ２の位置を計測可能である。基板ステージ２の位置が計測されることにより、ＸＹ平面内における基板Ｐ、カバー部材Ｔ１、及び間隙Ｇａの少なくとも一つの位置が求められる。例えば、基板ステージ２上における間隙Ｇａの位置に関する情報が記憶装置７に記憶される。例えば、計測システム４が干渉計システムである場合、干渉計システムの計測光が照射される基板ステージ２の計測ミラーと、基板ステージ２上における間隙Ｇａとの位置関係が記憶装置７に記憶される。その位置関係は、例えば設計値などにより既知である。記憶装置７の記憶情報及び計測システム４の計測結果に基づいて、ＸＹ平面内における間隙Ｇａの位置を求めることができる。制御装置６は、求めた間隙Ｇａの位置に基づいて、液浸空間ＬＳ２の全部が基板Ｐ上又はカバー部材Ｔ１上の少なくとも一方に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇａ上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動することができる。

なお、計測システム４が、基板Ｐのアライメントマークを検出するマーク検出装置を有する場合、制御装置６は、基板ステージ２の位置を計測する干渉計システムの計測結果と、マーク検出装置の検出結果に基づいて、干渉計システムが規定する座標系内における基板Ｐの位置を求めることができる。基板Ｐの位置が求められることにより、基板Ｐの周囲に形成される間隙Ｇａの位置（干渉計システムが規定する座標系内における間隙Ｇａの位置）が求められる。また、基板Ｐの位置が求められることにより、基板Ｐの周囲に形成されるカバー部材Ｔ１の位置（干渉計システムが規定する座標系内におけるカバー部材Ｔ１の位置）が求められる。制御装置６は、干渉計システムの計測結果及びマーク検出装置の検出結果に基づいて、液浸空間ＬＳ２の全部が基板Ｐ上又はカバー部材Ｔ１上の少なくとも一方に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇａ上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動することができる。

なお、基板ステージ２又は計測ステージ３など、基板Ｐとは別の物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）にアライメントマークが設けられている場合、マーク検出装置は、その物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）のアライメントマークを検出することができる。制御装置６は、ＸＹ平面内における物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の位置を計測する干渉計システムの計測結果と、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）のアライメントマークを検出するマーク検出装置の検出結果とに基づいて、液浸空間ＬＳ２の全部が物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動することができる。

なお、液浸空間ＬＳ２が第２物体Ｂ２上から第１物体Ｂ１上へ移動するように、第２部材２２と第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２とが終端光学素子１３の光軸（Ｚ軸）と実質的に垂直なＸＹ平面内において相対移動される場合も同様である。

以上説明したように、本実施形態によれば、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）を有する物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）が第２部材２２の下方を移動する期間の少なくとも一部において、第２部材２２と物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）とのＺ軸方向に関する距離を変えるようにしたので、液体ＬＱの流出などが抑制される。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生が抑制される。

なお、本実施形態においては、所定領域ＰＡが、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間に形成される間隙Ｇであることとした。所定領域ＰＡが、１つの物体Ｂに設けられる間隙（スリット、開口など）でもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、本実施形態に係る第２部材２２の動作の一例を示す。第２部材２２の下方において所定領域ＰＡを有する物体ＢがＸＹ平面内において移動される。

本実施形態において、所定領域ＰＡは、物体Ｂの段差（段差部）Ｄを含む。本実施形態において、物体Ｂの第１部分Ｂｐ１と第２部分Ｂｐ２との間に段差（段差部）Ｄが設けられる。図１０に示す例では、第２部分Ｂｐ２の上面は、第１部分Ｂｐ１の上面よりも＋Ｚ側（上側）に配置される。第１部分Ｂｐ１は、第２部分Ｂｐ２の−Ｙ側に配置される。

図１０は、液浸空間ＬＳ２が第１部分Ｂｐ１上から第２部分Ｂｐ２上へ移動するように、第２部材２２と物体Ｂとが終端光学素子１３の光軸（Ｚ軸）と実質的に垂直なＸＹ平面内において相対移動される状態の一例を示す。

図１０（Ａ）は、液浸空間ＬＳ２が第１部分Ｂｐ１の上面に形成されている状態を示す。図１０（Ｂ）は、液浸空間ＬＳ２が第２部分Ｂｐ２の上面に形成されている状態を示す。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が第１部分Ｂｐ１の上面に形成されている状態から、段差Ｄ上に形成される状態を経て、第２部分Ｂｐ２の上面に形成される状態に変化するように、第２部材２２に対して、物体Ｂが−Ｙ方向に移動する。

本実施形態において、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２が第１部分Ｂｐ１上から第２部分Ｂｐ２上へ移動する期間の少なくとも一部において、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方をＺ軸方向に移動する。

制御装置６は、第２部材２２と第１部分Ｂｐ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２部分Ｂｐ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方をＺ軸方向に移動する。例えば、第２部材２２の下面２４と第２部分Ｂｐ２の上面との距離Ｗｃが、第２部材２２の下面２４と第１部分Ｂｐ１の上面との距離Ｗａよりも短くなる場合、制御装置６は、第２部材２２と第１部分Ｂｐ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２部分Ｂｐ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂ（第１、第２部分Ｂｐ１、Ｂｐ２）の一方又は両方を移動してもよい。例えば、制御装置６は、第２部材２２の下面２４と第１部分Ｂｐ１の上面との距離Ｗａと、第２部材２２の下面２４と第２部分Ｂｐ２の上面との距離Ｗｃとの差が小さくなるように、Ｚ軸方向に関して、第２部材２２及び物体Ｂ（第１、第２部分Ｂｐ１、Ｂｐ２）の一方又は両方を移動してもよい。

本実施形態において、距離Ｗｃは、距離Ｗａと実質的に等しい。なお、距離Ｗｃは、距離Ｗａと異なってもよい。距離Ｗｃは、距離Ｗａよりも長くてもよいし、短くてもよい。

これにより、第２部材２２の液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが第２空間ＳＰ２の外側に流出したり、液体ＬＱが物体Ｂ上に残留したりすることが抑制される。

液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力を検出する圧力センサ５０が設けられてもよい。制御装置６は、圧力センサ５０の検出結果に基づいて、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。

制御装置６は、第２部材２２と第１部分Ｂｐ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２部分Ｂｐ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、圧力センサ５０の検出結果に基づいて、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。

なお、制御装置６は、圧力センサ５０の検出結果を用いずに、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。なお、圧力センサ５０は、なくてもよい。

なお、制御装置６は、第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差に基づいて、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。制御装置６は、第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差に基づいて、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方のＺ軸方向に関する移動量を定めてもよい。

第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差は、例えば基板Ｐの上面の位置を検出可能な、所謂、オートフォーカス検出システムで検出可能である。なお、基板Ｐの露光などが開始される前に、所定の検出システムが、第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差を検出してもよい。；制御装置６は、第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差の検出結果に基づいて、第２部材２２と第１部分Ｂｐ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２部分Ｂｐ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方のＺ軸方向に関する移動量を定めてもよい。

また、第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差に関する情報が記憶装置７に記憶されてもよい。制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、第２部材２２と第１部分Ｂｐ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２部分Ｂｐ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方のＺ軸方向に関する移動量を定めてもよい。

また、制御装置６は、ＸＹ平面内における物体Ｂ（第１、第２部分Ｂｐ１、Ｂｐ２）の位置に基づいて、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。ＸＹ平面内における物体Ｂの位置は、段差部Ｄの位置を含む。ＸＹ平面内における物体Ｂの位置は、計測システム４によって計測可能である。

例えば、物体Ｂが基板ステージ２である場合、計測システム４は、ＸＹ平面内における基板ステージ２の位置を計測可能である。基板ステージ２の位置が計測されることにより、ＸＹ平面内における第１部分Ｂｐ１、第２部分Ｂｐ２、及び段差部Ｄの少なくとも一つの位置が求められる。例えば、基板ステージ２上における第１部分Ｂｐ１、第２部分Ｂｐ２、及び段差部Ｄの少なくとも一つの位置が記憶装置７に記憶される。例えば、計測システム４が干渉計システムである場合、記憶装置７は、干渉計システムの計測光が照射される基板ステージ２の計測ミラーと、基板ステージ２上における段差部Ｄとの位置関係を記憶する。その位置関係は、例えば設計値などにより既知である。記憶装置７の記憶情報及び計測システム４の計測結果に基づいて、ＸＹ平面内における第１部分Ｂｐ１、第２部分Ｂｐ２、及び段差部Ｄの少なくとも一つの位置を求めることができる。また、記憶装置７には、第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差に関する情報が記憶される。制御装置６は、求めた段差部Ｄの位置に基づいて、液浸空間ＬＳ２が第１部分Ｂｐ１上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が第２部分Ｂｐ２上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動することができる。すなわち、制御装置６は、段差部Ｄの位置、及び第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差に関する情報を記憶する記憶装置７の記憶情報と、物体Ｂ（基板ステージ２など）の位置を計測する計測システム４の計測結果とに基づいて、第２部材２２と第１部分Ｂｐ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２部分Ｂｐ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動することができる。

なお、計測システム４が、物体Ｂ（基板ステージ２など）に設けられているアライメントマークを検出するマーク検出装置を有する場合、制御装置６は、ＸＹ平面内における物体Ｂの位置を計測する干渉計システム（又はエンコーダシステム）の計測結果と、マーク検出装置の検出結果に基づいて、干渉計システムが規定する座標系内における物体Ｂの位置を求めることができる。物体Ｂの位置が求められることにより、物体Ｂの第１部分Ｂｐ１、第２部分Ｂｐ２、及び所定領域ＰＡ（段差部Ｄ）の位置（干渉計システムが規定する座標系内における位置）が求められる。制御装置６は、干渉計システムの計測結果と、マーク検出装置の検出結果と、第１部分Ｂｐ１の上面の高さと第２部分Ｂｐ２の上面の高さとの差に関する情報を記憶した記憶装置７の記憶情報とに基づいて、液浸空間ＬＳ２が第１部分Ｂｐ１上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、液浸空間ＬＳ２が第２部分Ｂｐ２上に形成されるときの液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。

なお、液浸空間ＬＳ２が第２部分Ｂｐ２上から第１部分Ｂｐ１上へ移動するように、第２部材２２と物体Ｂとが終端光学素子１３の光軸（Ｚ軸）と実質的に垂直なＸＹ平面内において相対移動される場合も同様である。

以上説明したように、本実施形態によれば、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、所定領域ＰＡ（段差部Ｄ）を有する物体Ｂが第２部材２２の下方を移動する期間の少なくとも一部において、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方のＺ軸方向に関する位置を変えるようにしたので、液体ＬＱの流出などが抑制される。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生が抑制される。

なお、本実施形態においては、第１部分Ｂｐ１及び第２部分Ｂｐ２は、１つの物体Ｂ上に配置されることとした。第１物体Ｂ１に第１部分Ｂｐ１が配置され、第１物体Ｂ１に隣接する第２物体Ｂ２に第２部分Ｂｐ２が配置されてもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１１は、本実施形態に係る第２部材２２の動作の一例を示す図である。本実施形態において、所定領域ＰＡは、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間に設けられる段差部Ｄを含む。段差部Ｄは、第１物体Ｂ１と、間隙Ｇを介して第１物体Ｂ１に隣接する第２物体Ｂ２との間に設けられる。

制御装置６は、第２部材２２と第１物体Ｂ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２物体Ｂ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。例えば、第２部材２２の下面２４と第２物体Ｂ２の上面との距離Ｗｃが、第２部材２２の下面２４と第１物体Ｂ１の上面との距離Ｗａよりも短くなる場合、制御装置６は、第２部材２２と第１物体Ｂ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２物体Ｂ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。例えば、制御装置６は、第２部材２２の下面２４と第１物体Ｂ１の上面との距離Ｗａと、第２部材２２の下面２４と第２物体Ｂ２の上面との距離Ｗｃとの差が小さくなるように、Ｚ軸方向に関して、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。

本実施形態において、距離Ｗｃは、距離Ｗａと実質的に等しい。なお、距離Ｗｃは、距離Ｗａと異なってもよい。距離Ｗｃは、距離Ｗａよりも長くてもよいし、短くてもよい。

また、制御装置６は、ＸＹ平面内における第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２の位置に基づいて、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。ＸＹ平面内における物体Ｂの位置は、段差部Ｄ（間隙部Ｇ）の位置を含む。ＸＹ平面内における第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２の位置は、計測システム４によって計測可能である。例えば、第１物体Ｂ１が、基板Ｐであり、第２物体Ｂ２が、基板Ｐの周囲に配置されるカバー部材Ｔ１である場合、ＸＹ平面内における基板ステージ２の位置が計測されることにより、ＸＹ平面内における段差部Ｄ（間隙部Ｇ）の位置が求められる。例えば、記憶装置７が、基板ステージ２上における段差部Ｄ（間隙部Ｇ）の位置を記憶することにより、基板ステージ２の位置を計測した計測システム４の計測結果に基づいて、ＸＹ平面内における段差部Ｄ（間隙部Ｇ）の位置が求められる。また、記憶装置７は、基板Ｐの上面の高さとその基板Ｐの上面の周囲に配置されるカバー部材Ｔ１の上面の高さとの差に関する情報を記憶可能である。なお、本実施形態において、カバー部材Ｔ１の上面の高さ（基板ステージ２の上面の高さ）は、実質的に変化しない。そのため、基板Ｐの厚みに関する情報が取得されることによって、基板Ｐの上面の高さとカバー部材Ｔ１の上面（基板ステージ２の上面）の高さとの差に関する情報が求められる。制御装置６は、段差部Ｄ（間隙部Ｇ）の位置、及び第１物体Ｂ１（基板Ｐ）の上面の高さと第２物体Ｂ２（カバー部材Ｔ１）の上面の高さとの差に関する情報を記憶する記憶装置７の記憶情報と、ＸＹ平面内における第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２（基板ステージ２）の位置を計測する計測システム４の計測結果とに基づいて、第２部材２２と第１物体Ｂ１との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力と、第２部材２２と第２物体Ｂ２との間に形成される液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの圧力との差が小さくなるように、第２部材２２、第１物体Ｂ１、及び第２物体Ｂ２の少なくとも一つを移動してもよい。

なお、上述の第１実施形態、第２実施形態、及び第３実施形態の内容は、適宜組み合わせることができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１２は、本実施形態に係る第２部材２２の動作の一例を示す。第２部材２２の下方において所定領域ＰＡを有する物体ＢがＸＹ平面内において移動される。

本実施形態において、所定領域ＰＡは、所定領域ＰＡの外側の領域よりも液体ＬＱに対して親液性である親液領域ＳＡを含む。物体Ｂにおいて、所定領域ＰＡの外側の領域は、液体ＬＱに対して撥液性である撥液領域ＨＡを含む。液体ＬＱに対する親液領域ＳＡの接触角は、９０度よりも大きい。液体ＬＱに対する親液領域ＳＡの接触角は、１００度以上でもよいし、１１０度以上でもよい。液体ＬＱに対する撥液領域ＨＡの接触角は、９０度よりも小さい。液体ＬＱに対する撥液領域ＨＡの接触角は、８０度以下でもよいし、７０度以下でもよい。

図１２は、液浸空間ＬＳ２が撥液領域ＨＡ上から親液領域ＳＡ上へ移動するように、第２部材２２と物体Ｂとが終端光学素子１３の光軸（Ｚ軸）と実質的に垂直なＸＹ平面内において相対移動される状態の一例を示す。

図１２（Ａ）は、液浸空間ＬＳ２が撥液領域ＨＡの上面に形成されている状態を示す。図１２（Ｂ）は、液浸空間ＬＳ２が親液領域ＳＡの上面に形成されている状態を示す。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が撥液領域ＨＡの上面に形成されている状態から、撥液領域ＨＡと親液領域ＳＡとの境界を経て、親液領域ＳＡの上面に形成される状態に変化するように、第２部材２２に対して、物体Ｂが−Ｙ方向に移動する。

本実施形態において、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２が撥液領域ＨＡ上から親液領域ＳＡ上へ移動する期間の少なくとも一部において、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方をＺ軸方向に関して移動して、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗを変える。

例えば、制御装置６は、第２部材２２と所定領域ＰＡ（親液領域ＳＡ）とが対向する状態における第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗｅを、第２部材２２と所定領域ＰＡ（親液領域ＳＡ）の外側の領域（撥液領域ＨＡ）とが対向する状態における第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗｄよりも小さくする。

これにより、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが第２空間ＳＰ２の外側に流出したり、液体ＬＱが物体Ｂ上に残留したりすることが抑制される。

なお、制御装置６は、第２部材２２と所定領域ＰＡ（親液領域ＳＡ）とが対向する状態における第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗｅを、第２部材２２と所定領域ＰＡ（親液領域ＳＡ）の外側の領域とが対向する状態における第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗｄよりも大きくしてもよい。

なお、制御装置６は、圧力センサ５０の検出結果を用いて、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよいし、圧力センサ５０の検出結果を用いずに、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。なお、圧力センサ５０は、なくてもよい。

なお、液浸空間ＬＳ２が親液領域ＳＡ上から撥液領域ＨＡ上へ移動するように、第２部材２２と物体Ｂとが終端光学素子１３の光軸（Ｚ軸）と実質的に垂直なＸＹ平面内において相対移動される場合も同様である。

以上説明したように、本実施形態によれば、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、所定領域ＰＡ（親液領域ＳＡ）を有する物体Ｂが第２部材２２の下方を移動する期間の少なくとも一部において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離を変えるようにしたので、液体ＬＱの流出などが抑制される。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生が抑制される。

なお、上述の第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、及び第４実施形態の内容は、適宜組み合わせることができる。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１３は、本実施形態に係る第２部材２２の動作の一例を示す。第２部材２２の下方において物体ＢがＸＹ平面内において移動される。

本実施形態において、制御装置６は、物体Ｂの移動条件に基づいて、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗを変える。

本実施形態において、移動条件は、物体Ｂの速度を含む。

図１３（Ａ）は、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、物体Ｂが第１速度Ｖ１で移動する状態を示す。物体Ｂが第１速度Ｖ１で移動する状態において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが距離Ｗｆに調整される。

図１３（Ｂ）は、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、物体Ｂが第１速度Ｖ１よりも高い第２速度Ｖ２で移動する状態を示す。物体Ｂが第２速度Ｖ２で移動する状態において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが距離Ｗｆよりも短いＷｇに調整される。

これにより、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが第２空間ＳＰ２の外側に流出したり、液体ＬＱが物体Ｂ上に残留したりすることが抑制される。

なお、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、物体Ｂが第１速度Ｖ１で移動する状態において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが距離Ｗｇに調整され、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、物体Ｂが第１速度Ｖ１よりも高い第２速度Ｖ２で移動する状態において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが距離Ｗｇよりも長い距離Ｗｆに調整されてもよい。

本実施形態において、移動条件は、物体Ｂの加速度を含んでもよい。

液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、物体Ｂが第１加速度Ａｃ１で移動する状態において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが距離Ｗｆに調整され、物体Ｂが第１加速度Ａｃ１よりも高い第２加速度Ａｃ２で移動する状態において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが距離Ｗｆよりも短い距離Ｗｇに調整されてもよい。

液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、物体Ｂが第１加速度Ａｃ１で移動する状態において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが距離Ｗｇに調整され、物体Ｂが第１加速度Ａｃ１よりも高い第２加速度Ａｃ２で移動する状態において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが距離Ｗｇよりも長い距離Ｗｆに調整されてもよい。

これにより、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが第２空間ＳＰ２の外側に流出したり、液体ＬＱが物体Ｂ上に残留したりすることが抑制される。

なお、上述の第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、及び第５実施形態の内容は、適宜組み合わせることができる。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１４は、本実施形態に係る第２部材２２の動作の一例を示す。第２部材２２の下方において物体ＢがＸＹ平面内において移動される。

本実施形態において、制御装置６は、物体Ｂの移動条件に基づいて、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗを変える。

本実施形態において、移動条件は、ＸＹ平面内における物体Ｂの移動軌跡を含む。

例えば、図１４において、矢印Ｓｂで示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように、第２部材２２に対して物体Ｂが移動する場合、制御装置６は、その物体Ｂの移動軌跡Ｓｂに基づいて、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動して、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗを変える。

例えば、移動軌跡Ｓｂが、第１移動軌跡Ｓｂ１と、物体Ｂの移動によって第２空間ＳＰ２から液体ＬＱが流出する可能性が高い第２移動軌跡Ｓｂ２とを含む場合、制御装置６は、第２移動軌跡Ｓｂ２における第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗｊを、第１移動軌跡Ｓｂ１における第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗｈよりも短くする。

第１移動軌跡Ｓｂ１は、例えば直線の移動軌跡である。第２移動軌跡Ｓｂ２は、例えば曲線を含む移動軌跡である。例えば、物体ＢがＸＹ平面内において進行方向を変えるとき、第２空間ＳＰ２から液体ＬＱが流出する可能性が高い。

例えば基板Ｐの露光において、第１移動軌跡Ｓｂ１は、スキャン移動動作が行われるときの基板ステージ２の移動軌跡である。第２移動軌跡Ｓｂ２は、ステップ移動動作が行われるときの移動軌跡である。

本実施形態においても、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが第２空間ＳＰ２の外側に流出したり、液体ＬＱが物体Ｂ上に残留したりすることが抑制される。

なお、第２移動軌跡Ｓｂ２における第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離が、第１移動軌跡Ｓｂ１における第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離よりも長くてもよい。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１５及び図１６は、本実施形態に係る第２部材２２の動作の一例を示す。第２部材２２の下方において物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）がＸＹ平面内において移動される。液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）は、第２部材２２の下方において、ＸＹ平面内において等速移動する。また、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）は、第２部材２２の下方において、ＸＹ平面内において非等速移動する。

非等速移動は、物体Ｂが加速するように移動する状態を含む。非等速移動は、物体Ｂが減速するように移動する状態を含む。非等速移動は、物体Ｂが加速した後、減速するように移動する状態を含む。非等速移動は、物体Ｂが減速した後、加速するように移動する状態を含む。非等速移動は、物体Ｂが加速及び減速を繰り返しながら移動する状態を含む。

図１５は、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）が−Ｙ方向へ等速移動する状態の一例を示す。図１６は、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）が−Ｙ方向へ非等速移動する状態の一例を示す。図１５及び図１６において、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間に段差部Ｄが設けられる。例えば、第１物体Ｂ１の上面が第１保持部１４に保持された基板Ｐの上面であり、第２物体Ｂ２の上面が基板Ｐの上面の周囲に配置されるカバー部材Ｔ１の上面（基板ステージ２の上面）である場合、基板Ｐとカバー部材Ｔ１との間に段差部Ｄが設けられる可能性がある。

図１５（Ａ）は、第１物体Ｂ１上に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態を示す。図１５（Ｂ）は、第２物体Ｂ２上に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態を示す。第２部材２２の下面２４と第１物体Ｂ１の上面との距離Ｗ１と、第２部材２２の下面２４と第２物体Ｂ２の上面との距離Ｗ２との差が小さくなるように、第２部材２２がＺ軸方向に移動する。第２部材２２は、図１５（Ａ）に示す状態から、＋Ｚ方向に第１移動量Ｕ１だけ移動して、図１５（Ｂ）に示す状態に変化する。

図１６（Ａ）は、第１物体Ｂ１上に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態を示す。図１６（Ｂ）は、第２物体Ｂ２上に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態を示す。第２部材２２の下面２４と第１物体Ｂ１の上面との距離Ｗ１と、第２部材２２の下面２４と第２物体Ｂ２の上面との距離Ｗ３との差が小さくなるように、第２部材２２がＺ軸方向に移動する。第２部材２２は、図１６（Ａ）に示す状態から、＋Ｚ方向に第２移動量Ｕ２だけ移動して、図１６（Ｂ）に示す状態に変化する。

本実施形態においては、第１移動量Ｕ１と第２移動量Ｕ２とは異なる。すなわち、本実施形態において、制御装置６は、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の移動量を、物体Ｂが等速移動する期間と非等速移動する期間とで変える。

本実施形態において、物体Ｂが等速移動する期間における第２部材２２の第１移動量Ｕ１は、物体Ｂが非等速移動する期間における第２部材２２の第２移動量Ｕ２よりも小さい。

例えば基板Ｐの露光において、物体Ｂの等速移動動作は、基板Ｐ（基板ステージ２）のスキャン移動動作である。物体Ｂの非等速移動動作は、基板Ｐ（基板ステージ２）のステップ移動動作である。すなわち、物体Ｂが等速移動する期間は、基板Ｐのショット領域Ｓの露光が行われる露光期間である。物体Ｂが非等速移動する期間は、基板Ｐのあるショット領域Ｓの露光終了後、次に露光されるショット領域Ｓの露光が開始されるまでの非露光期間である。露光期間において、物体Ｂが等速移動（スキャン移動）される。非露光期間において、物体Ｂが非等速移動（ステップ移動）される。

本実施形態においては、制御装置６は、基板Ｐの露光において、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の移動量を、露光期間（スキャン移動動作が行われる期間）と非露光期間（ステップ移動動作が行われる期間）とで変える。

本実施形態において、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）における第２部材２２の第１移動量Ｕ１は、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）における第２部材２２の第２移動量Ｕ２よりも小さい。

制御装置６は、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）において、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の位置を一定にしてもよい。なお、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）において、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の位置は一定でなくてもよい。制御装置６は、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）において、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の位置を第１位置から第１位置よりも高い第２位置に変更してもよい。また、制御装置６は、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）において、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の位置を第１位置から第１位置よりも低い第３位置に変更してもよい。

第２部材２２の移動量が大きくなることによって、例えば振動が発生する可能性がある。本実施形態によれば、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）において、Ｚ軸方向に関する第２部材２２の移動量は小さいので、振動の発生が抑制される。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生が抑制される。

また、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離を、望みの距離にすることができる。

なお、制御装置６は、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する移動量を、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する移動量よりも大きくしてもよい。

なお、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する移動速度と、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する移動速度とが異なってもよい。制御装置６は、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する移動速度を、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する移動速度よりも低くしてもよい。なお、制御装置６は、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する移動速度を、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する移動速度よりも高くしてもよい。

なお、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する加速度と、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する加速度とが異なってもよい。制御装置６は、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する加速度を、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する加速度よりも低くしてもよい。なお、制御装置６は、物体Ｂが等速移動する期間（露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する加速度を、物体Ｂが非等速移動する期間（非露光期間）における第２部材２２のＺ軸方向に関する加速度よりも高くしてもよい。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１７は、本実施形態に係る物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の動作の一例を示す。液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、第２部材２２の下方において、所定領域ＰＡを有する物体ＢがＸＹ平面において移動する。図１７に示す例では、物体Ｂは、第１物体Ｂ１と、間隙Ｇを介して第１物体Ｂ１に隣接する第２物体Ｂ２とを含む。所定領域ＰＡは、間隙Ｇを含む。

本実施形態においては、制御装置６は、所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）を有する物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）が移動する期間の少なくとも一部において、ＸＹ平面内における第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２の移動条件を変える。

制御装置６は、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上又は第２物体Ｂ２上に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）上に形成されている状態とで、第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２の移動条件を変える。

図１７は、液浸空間ＬＳ２が第１物体Ｂ１上から第２物体Ｂ２上へ移動するように、第２部材２２に対して第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２が−Ｙ方向へ移動する例を示す。図１７（Ａ）は、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上に形成されている状態を示す。図１７（Ｂ）は、液浸空間Ｇが所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）上に形成されている状態を示す。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上（又は第２物体Ｂ２上）に形成されている状態と、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇ上に形成されている第２状態とで、ＸＹ平面内における物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）の移動条件が異なる。

物体Ｂの移動条件は、ＸＹ平面内における物体Ｂの移動速度を含む。本実施形態においては、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）の外側の領域上（第１物体Ｂ１の上面又は第２物体Ｂ２の上面）に位置する状態において、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）を速度Ｖａで移動し、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）上に位置する状態において、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）を速度Ｖａよりも低い速度Ｖｂで移動する。すなわち、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）上に形成されている状態における物体Ｂの移動速度Ｖｂは、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上（又は第２物体Ｂ２上）に形成されている状態における物体Ｂの移動速度Ｖａよりも低い。

物体Ｂの移動条件は、ＸＹ平面内における物体Ｂの加速度を含んでもよい。制御装置６は、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）の外側の領域上（第１物体Ｂ１の上面又は第２物体Ｂ２の上面）に位置する状態において、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）を加速度Ｃａで移動し、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）上に位置する状態において、物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）を加速度Ｃａよりも低い加速度Ｃｂで移動してもよい。すなわち、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）上に形成されている状態における物体Ｂの加速度Ｃｂは、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上（又は第２物体Ｂ２上）に形成されている状態における物体Ｂの加速度Ｃａよりも低くてもよい。

これにより、例えば液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが間隙Ｇに流入したり、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが第２空間ＳＰ２の外側に流出したり、液体ＬＱが第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２上に残留したりすることが抑制される。

なお、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）上に形成されている状態における物体Ｂの移動速度が、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上（又は第２物体Ｂ２上）に形成されている状態における物体Ｂの移動速度よりも高くてもよい。

なお、液浸空間ＬＳ２が所定領域ＰＡ（間隙Ｇ）上に形成されている状態における物体Ｂの加速度が、液浸空間ＬＳ２の全部が第１物体Ｂ１上（又は第２物体Ｂ２上）に形成されている状態における物体Ｂの加速度よりも高くてもよい。

なお、図１８に示すように、所定領域ＰＡが、所定領域ＰＡの外側の領域よりも液体ＬＱに対して親液性である親液領域ＳＡでもよい。

なお、図１９に示すように、所定領域ＰＡが、物体Ｂの段差部Ｄを含んでもよい。

液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、第２部材２２と物体Ｂとが第１相対移動条件で移動したときに物体Ｂ上に残留液体が発生する物体Ｂの領域ＰＡに関する情報と、残留液体の発生が抑制される物体Ｂの領域ＰＢに関する情報とを記憶装置７に記憶させてもよい。領域ＰＡは、物体Ｂが有する間隙Ｇを含む。また、領域ＰＡは、物体Ｂが有する段差部Ｄを含む。また、領域ＰＡは、物体Ｂが有する親液領域ＳＡを含む。

制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、第２部材２２の下方を領域ＰＡが通過する期間の少なくとも一部において、第２部材２２と物体Ｂとを第１相対移動条件とは異なる第２相対移動条件で移動させてもよい。

第１移動条件は、物体Ｂが速度Ｖａで移動する条件を含む。第２移動条件は、物体Ｂが速度Ｖａよりも低い速度Ｖｂで移動する条件を含む。

すなわち、記憶装置７の記憶情報に基づいて、速度Ｖａで領域ＰＡが第２部材２２の下方を通過してしまうと残留液体が発生してしまうと判断された場合、制御装置６は、速度Ｖａより低い速度Ｖｂで物体Ｂを移動させる。これにより、物体Ｂ上に残留液体が発生することが抑制される。

なお、液浸空間ＬＳ１についても同様である。すなわち、液浸空間ＬＳ１が形成されている状態で、第１部材２１と物体Ｂとが第１相対移動条件で移動したときに物体Ｂ上に残留液体が発生する物体Ｂの領域ＰＡに関する情報と、残留液体の発生が抑制される物体Ｂの領域ＰＢに関する情報とを記憶装置７に記憶させてもよい。制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、第１部材２１の下方を領域ＰＡが通過する期間の少なくとも一部において、第１部材２１と物体Ｂとを第１相対移動条件とは異なる第２相対移動条件で移動させてもよい。

物体Ｂ上に残留液体が発生する第２部材２２と物体Ｂとの第１相対移動条件関する情報と、残留液体の発生が抑制される第２部材２２と物体Ｂとの第２相対移動条件関する情報とを記憶装置７に記憶させてもよい。制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、第２部材２２と物体Ｂとが第１相対移動条件で移動される期間の少なくとも一部において、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との距離Ｗが短くなるように、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。

なお、第１部材２１についても同様である。すなわち、物体Ｂ上に残留液体が発生する第１部材２１と物体Ｂとの第１相対移動条件関する情報と、残留液体の発生が抑制される第１部材２１と物体Ｂとの第２相対移動条件関する情報とを記憶装置７に記憶させてもよい。制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、第１部材２１と物体Ｂとが第１相対移動条件で移動される期間の少なくとも一部において、第１部材２１の下面２３と物体Ｂの上面との距離が短くなるように、第１部材２１及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。

液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、第２部材２２と物体Ｂとが第１相対移動条件で移動したときに物体Ｂ上に残留液体が発生する物体Ｂの領域ＰＡに関する情報と、残留液体の発生が抑制される物体Ｂの領域ＰＢに関する情報とを記憶装置７に記憶させてもよい。制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、第２部材２２の下方を領域ＰＡが通過する期間の少なくとも一部において、第２部材２２の下面２４と領域ＰＡとの距離が短くなるように、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。

なお、第１部材２１についても同様である。すなわち、液浸空間ＬＳ１が形成されている状態で、第１部材２１と物体Ｂとが第１相対移動条件で移動したときに物体Ｂ上に残留液体が発生する物体Ｂの領域ＰＡに関する情報と、残留液体の発生が抑制される物体Ｂの領域ＰＢに関する情報とを記憶装置７に記憶させてもよい。制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、第１部材２１の下方を領域ＰＡが通過する期間の少なくとも一部において、第１部材２１の下面２３と領域ＰＡとの距離が短くなるように、第１部材２１及び物体Ｂの一方又は両方を移動してもよい。

なお、第１空間ＳＰ１の外側において基板Ｐ（物体）上に残留液体が発生する又は第１空間ＳＰ１から液体ＬＱが流出する第１部材２１と基板Ｐ（物体）との相対移動条件と、残留液体の発生又は液体ＬＱの流出が抑制される相対移動条件とに関する情報を記憶装置７に記憶させてもよい。制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、基板Ｐの露光における第１部材２１と基板Ｐ（物体）との相対移動条件を調整してもよい。駆動装置によって第１部材２１が移動可能な場合、制御装置６は、その駆動装置及び駆動システム１０の一方又は両方を制御して、第１部材２１と基板Ｐ（物体）との相対移動条件を調整することができる。第１部材２１が実質的に動かない場合、制御装置６は、駆動システム１０を制御して、第１部材２１に対する基板Ｐ（物体）の移動条件を調整することができる。

なお、基板Ｐの露光後において、第１空間ＳＰ１の外側における基板Ｐ（物体）上の残留液体又は第１空間ＳＰ１から流出した液体ＬＱを検出装置で検出してもよい。検出装置は、基板Ｐ（物体）の上方から、第１空間ＳＰ１の外側における基板Ｐ（物体）上の残留液体又は第１空間ＳＰ１から流出した液体ＬＱの光学像（画像）を取得可能な撮像装置（カメラ）でもよい。その検出装置の検出結果に基づいて、記憶装置７の記憶情報が更新されてもよい。

同様に、第２空間ＳＰ２の外側において基板Ｐ（物体）上に残留液体が発生する又は第２空間ＳＰ２から液体ＬＱが流出する第２部材２２と基板Ｐ（物体）との相対移動条件と、残留液体の発生又は液体ＬＱの流出が抑制される相対移動条件とに関する情報を記憶装置７に記憶させてもよい。制御装置６は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、基板Ｐの露光における第２部材２２と基板Ｐ（物体）との相対移動条件を調整してもよい。駆動装置によって第２部材２２が移動可能な場合、制御装置６は、その駆動装置及び駆動システム１０の一方又は両方を制御して、第２部材２２と基板Ｐ（物体）との相対移動条件を調整することができる。第２部材２２が実質的に動かない場合、制御装置６は、駆動システム１０を制御して、第２部材２２に対する基板Ｐ（物体）の移動条件を調整することができる。

なお、基板Ｐの露光後において、第２空間ＳＰ２の外側における基板Ｐ（物体）上の残留液体又は第２空間ＳＰ２から流出した液体ＬＱを検出装置で検出してもよい。検出装置は、基板Ｐ（物体）の上方から、第２空間ＳＰ２の外側における基板Ｐ（物体）上の残留液体又は第２空間ＳＰ２から流出した液体ＬＱの光学像（画像）を取得可能な撮像装置（カメラ）でもよい。その検出装置の検出結果に基づいて、記憶装置７の記憶情報が更新されてもよい。

なお、上述の相対移動条件は、第１部材２１（第２部材２２）と基板Ｐ（物体）との相対的な移動速度及び加速度の一方又は両方を含む概念である。また、相対移動条件は、ＸＹ平面内における一方向に関する相対的な移動距離を含む。また、相対移動条件は、第１部材２１（第２部材２２）と基板Ｐ（物体）との相対的な移動軌跡を含む。なお、基板Ｐがスキャン方向への移動とスキャン方向と交差するステップ方向への移動とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域Ｓが順次露光される場合において、上述の相対移動条件は、スキャン方向への移動速度とステップ方向への移動速度との合成速度を含む概念でもよい。

なお、本実施形態と、上述の第１〜第７実施形態とは、適宜組み合わせることができる。例えば、第２部材２２及び物体Ｂの一方又は両方をＺ軸方向に移動して、第２部材２２と物体ＢとのＺ軸方向に関する距離を変えながら、ＸＹ平面内における物体Ｂの移動条件を変えてもよい。

＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２０は、本実施形態に係る第２部材２２及び物体Ｂの動作の一例を示す。本実施形態において、制御装置６は、第２空間ＳＰ２の外側における物体Ｂ上の液体ＬＱｄが、液浸空間ＬＳ２を通過するように、第２部材２２と物体ＢとをＸＹ平面内において相対移動する。制御装置６は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの一部が液浸空間ＬＳ２から分離せず、第２空間ＳＰ２の外側にはみ出すように、第２部材２２と物体ＢとをＸＹ平面内において相対移動する。制御装置６は、駆動システム１０を制御して物体ＢをＸＹ平面内において移動可能である。また、制御装置６は、駆動装置６０を制御して第２部材２２をＸＹ平面内において移動可能である。

これにより、液体ＬＱｄが第２空間ＳＰ２に移動しなくても、液体ＬＱｄは、液浸空間ＬＳ２に捕捉される。液浸空間ＬＳ２に捕捉された液体ＬＱｄは、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱとともに、第２部材２２の回収口４２から回収される。したがって、物体Ｂ上に液体ＬＱｄが残留することが抑制される。

また、制御装置６は、物体Ｂの移動条件を制御して、第２空間ＳＰ２から液体ＬＱが流出するタイミングを制御可能である。物体Ｂの移動条件は、ＸＹ平面内における物体Ｂの移動速度を含む。物体Ｂの移動条件が、ＸＹ平面内における物体Ｂの加速度を含んでもよい。なお、制御装置６は、第２部材２２の移動条件を制御して、第２空間ＳＰ２から液体ＬＱが流出するタイミングを制御してもよい。第２部材２２の移動条件は、ＸＹ平面内における第２部材２２の移動速度を含む。第２部材２２の移動条件が、ＸＹ平面内における第２部材２２の加速度を含んでもよい。

なお、第１部材２１についても同様である。すなわち、制御装置６は、第１空間ＳＰ１の外側における物体Ｂ上の液体ＬＱｄが、液浸空間ＬＳ１を通過するように、第１部材２１と物体ＢとをＸＹ平面内において相対移動してもよい。制御装置６は、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの一部が液浸空間ＬＳ１から分離せず、第１空間ＳＰ１の外側にはみ出すように、第１部材２１と物体ＢとをＸＹ平面内において相対移動してもよい。これにより、液体ＬＱｄが第１空間ＳＰ１に移動しなくても、液体ＬＱｄは、液浸空間ＬＳ１に捕捉される。液浸空間ＬＳ１に捕捉された液体ＬＱｄは、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱとともに、第１部材２１の回収口３２から回収される。

また、図２１に示すように、制御装置６は、ＸＹ平面内における物体Ｂの移動方向とは逆方向に第１部材２１を移動することによって、第１空間ＳＰ１から液体ＬＱが流出する位置を制御することができる。

また、物体Ｂが、例えば−Ｙ方向に移動された後、＋Ｙ方向に移動される場合において、第１部材２１が、物体Ｂが−Ｙ方向への移動から＋Ｙ方向への移動へ変化する期間の少なくとも一部において−Ｙ方向に移動することによって、第１空間ＳＰ１から液体ＬＱが流出する位置を制御することができる。

第１空間ＳＰ１から液体ＬＱが流出する位置が制御されることにより、その流出される液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ２で捕捉可能である。また、図２２に示すように、第１空間ＳＰ１から液体ＬＱが流出する位置に、第２部材２２（液浸空間ＬＳ２）が移動してもよい。

＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２３は、液浸空間ＬＳ２が基板Ｐ上及びカバー部材Ｔ１上の一方から他方へ移動するように、第２部材２２に対して基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１がＸＹ平面内において移動する状態の一例を示す。図２３（Ａ）は、液浸空間ＬＳ２がカバー部材Ｔ１上から基板Ｐ上に移動するように、基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１が−Ｙ方向に移動する状態を示す。図２３（Ｂ）は、液浸空間ＬＳ２が基板Ｐ上からカバー部材Ｔ１上に移動するように、基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１が＋Ｙ方向に移動する状態を示す。

本実施形態において、液浸空間ＬＳ２がカバー部材Ｔ１上から基板Ｐ上に移動するように基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１が移動するときの移動速度Ｖｔは、液浸空間ＬＳ２が基板Ｐ上からカバー部材Ｔ１上に移動するように基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１が移動するときの移動速度Ｖｐよりも低い。

本実施形態によれば、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが間隙Ｇａに流入したり、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱが第２空間ＳＰ２の外側に流出したり、液体ＬＱが基板Ｐ上及びカバー部材Ｔ１上に残留したりすることが抑制される。

＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２４は、第２部材２２の下面２４１の一例を模式的に示す。液浸空間ＬＳ２が基板Ｐ上及びカバー部材Ｔ１上の一方から他方へ移動するように、第２部材２２に対して基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１がＸＹ平面内において移動する。

本実施形態において、下面２４１は、第１辺Ｈａと、第２辺Ｈｂと、第１辺Ｈａと第２辺Ｈｂとの間に設けられる角部Ｈｋとを有する。

液浸空間ＬＳ２が基板Ｐ上及びカバー部材Ｔ１上の一方から他方に移動するように基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１が移動する期間の少なくとも一部において、下面２４１の中心２４１Ｃと角部Ｈｋとを結ぶ仮想線が、基板Ｐの中心ＰＣに対する放射方向と実質的に平行となるように、第２部材２２の位置が調整される。これにより、液浸空間ＬＳ２が基板Ｐ上及びカバー部材Ｔ１上の一方から他方へ移動するように、第２部材２２に対して基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１がＸＹ平面内において移動する場合において、液体ＬＱが流出したり残留したりすることが抑制される。

なお、第１部材２１についても同様である。すなわち、第１部材２１の下面が、第１辺と、第２辺と、第１辺と第２辺との間に設けられる角部とを有する場合、液浸空間ＬＳ１が基板Ｐ上及びカバー部材Ｔ１上の一方から他方に移動するように基板Ｐ及びカバー部材Ｔ１が移動する期間の少なくとも一部において、第１部材２１の下面の中心と角部とを結ぶ仮想線が、基板Ｐの中心に対する放射方向と実質的に平行となるように、第１部材２１の位置が調整されることによって、液体ＬＱの流出、残留などが抑制される。

なお、上述の各実施形態における第２部材２２及び物体Ｂの動作と、第２部材２２の供給口４１からの液体ＬＱの供給量及び回収口４２の吸引力の一方又は両方を変える動作とを、組み合わせることができる。例えば、制御装置６は、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、第２部材２２の下方において物体Ｂ（第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２）が移動する期間の少なくとも一部において、第２部材２２と物体Ｂとの距離を変えるとともに、第２部材２２の供給口４１からの液体ＬＱの供給量及び回収口４２の吸引力の一方又は両方を変えてもよい。

また、供給口４１からの液体ＬＱの供給量及び回収口４２の吸引力の一方又は両方に基づいて、Ｚ軸方向に関する第２部材２２と物体Ｂとの距離Ｗが調整されてもよい。例えば、供給口４１からの液体ＬＱの供給量が多い場合、距離Ｗが短くなるように調整されてもよい。供給口４１からの液体ＬＱの供給量が多い場合、距離Ｗが長くなるように調整されてもよい。供給口４１からの液体ＬＱの供給量が少ない場合、距離Ｗが短くなるように調整されてもよい。供給口４１からの液体ＬＱの供給量が少ない場合、距離Ｗが長くなるように調整されてもよい。なお、回収口４２の吸引力が強い場合、距離Ｗが短くなるように調整されてもよい。回収口４２の吸引力が強い場合、距離Ｗが長くなるように調整されてもよい。回収口４２の吸引力が弱い場合、距離Ｗが短くなるように調整されてもよい。回収口４２の吸引力が弱い場合、距離Ｗが長くなるように調整されてもよい。

また、供給口４１からの液体ＬＱの供給量及び回収口４２の吸引力の一方又は両方に基づいて、ＸＹ平面内における物体Ｂの移動条件が調整されてもよい。例えば、供給口４１からの液体ＬＱの供給量が多い場合、物体Ｂの移動速度が高くなってもよいし、低くなってもよい。供給口４１からの液体ＬＱの供給量が少ない場合、物体Ｂの移動速度が高くなってもよいし、低くなってもよい。供給口４１からの液体ＬＱの供給量が多い場合、物体Ｂの加速度が高くなってもよいし、低くなってもよい。供給口４１からの液体ＬＱの供給量が少ない場合、物体Ｂの加速度が高くなってもよいし、低くなってもよい。なお、回収口４２の吸引力が強い場合、物体Ｂの移動速度が高くなってもよいし、低くなってもよい。回収口４２の吸引力が弱い場合、物体Ｂの移動速度が高くなってもよいし、低くなってもよい。回収口４２の吸引力が強い場合、物体Ｂの加速度が高くなってもよいし、低くなってもよい。回収口４２の吸引力が弱い場合、物体Ｂの加速度が高くなってもよいし、低くなってもよい。

なお、上述の各実施形態において、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱと、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱとは、同じ種類（物性）でもよいし、異なる種類（物性）でもよい。

なお、本実施形態において、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱと、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱとは、同じクリーン度でもよいし、異なるクリーン度でもよい。

なお、上述したように、制御装置６は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置６は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置７は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置７には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

なお、制御装置６に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。

記憶装置７に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）６が読み取り可能である。記憶装置７には、制御装置６に、露光光が射出される光学部材の射出面と基板との間の露光光の光路に満たされた第１液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置の制御を実行させるプログラムが記録されている。

記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、第２部材の下方において所定領域を有する物体が光学部材の光軸と交差する方向に移動する期間の少なくとも一部において、第２部材の下面と物体の上面との距離を変えることと、を実行させてもよい。

また、記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、第２部材の下方において物体が光学部材の光軸と交差する方向に移動する期間の少なくとも一部における物体の移動条件に基づいて、第２部材の下面と物体の上面との距離を変えることと、を実行させてもよい。

また、記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が第１物体上及び間隙を介して第１物体に隣接する第２物体上の一方から他方へ移動するように、第２部材と第１、第２物体とを光学部材の光軸と実質的に垂直な所定面内において相対移動させることと、第２液浸空間が第１物体上及び第２物体上の一方から他方へ移動する期間の少なくとも一部において、光軸と実質的に平行な方向に関する第２部材の下面と第１物体の上面との距離、及び第２部材の下面と第２物体の上面との距離の一方又は両方を変えることと、を実行させてもよい。

また、記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、第２部材の下方において物体が光学部材の光軸と交差する方向に等速移動する期間と非等速移動する期間とで、光学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する第２部材の移動量及び物体の移動量の一方又は両方を変えることと、を実行させてもよい。

また、記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、基板の複数のショット領域を第１液浸空間の第１液体を介して露光光で順次露光することと、学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する第２部材の移動量及び物体の移動量の一方又は両方を、複数のショット領域のうち第１ショット領域の露光が行われる露光期間と、第１ショット領域の露光終了後、次に露光される第２ショット領域の露光が開始されるまでの非露光期間とで変えることと、を実行させてもよい。

また、記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間が形成されている状態で、第２部材の下方において所定領域を有する物体を光学部材の光軸と交差する所定面内において移動させることと、物体が移動する期間の少なくとも一部において、所定面内における物体の移動条件を変えることと、を実行させてもよい。

記憶装置７に記憶されているプログラムが制御装置６に読み込まれることにより、基板ステージ２、計測ステージ３、及び液浸部材５等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間が形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の射出面１２側（像面側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号に開示されているような、終端光学素子１３の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱが水であることとしたが、水以外の液体でもよい。液体ＬＱは、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）等の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱが、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等のフッ素系液体でもよい。また、液体ＬＱが、種々の流体、例えば、超臨界流体でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐが、半導体デバイス製造用の半導体ウエハを含むこととしたが、例えばディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等を含んでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）であることとしたが、例えばマスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）でもよい。

また、露光装置ＥＸが、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光する露光装置（スティッチ方式の一括露光装置）でもよい。また、スティッチ方式の露光装置が、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置でもよい。

また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６６１１３１６号に開示されているような、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。また、露光装置ＥＸが、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー等でもよい。

また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号、米国特許第６２０８４０７号、米国特許第６２６２７９６号等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図２５に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２００１、２００２を備えている場合、射出面１２と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの第１保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの第１保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。

また、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。

なお、露光装置ＥＸが、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置でもよいし、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置でもよいし、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置でもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号に開示されているような、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。

上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが投影光学系ＰＬを備えることとしたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射する露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。

また、露光装置ＥＸが、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号に開示されているような、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）でもよい。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、３…計測ステージ、５…液浸部材、６…制御装置、７…記憶装置、１２…射出面、１３…終端光学素子、２１…第１部材、２２…第２部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｋ…光路、ＬＱ…液体、ＬＳ１…液浸空間、ＬＳ２…液浸空間、Ｐ…基板、Ｓ…ショット領域、ＳＰ１…第１空間、ＳＰ２…第２空間。

Claims (85)

1. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
   前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第１液体の前記第１液浸空間を形成する第１部材と、
   前記光路に対して前記第１部材の外側に配置され、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える露光装置。
2. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において所定領域を有する物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動され、
   前記物体が移動する期間の少なくとも一部において、前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離を変える調整装置を備える請求項１に記載の露光装置。
3. 前記所定領域は、前記物体が有する間隙を含む請求項２に記載の露光装置。
4. 前記所定領域は、前記所定領域の外側の領域よりも液体に対して親液性である請求項２又は３に記載の露光装置。
5. 前記所定領域は、段差部を含む請求項２〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
6. 前記所定領域は、前記所定領域の外側の領域よりも、前記第１、第２液浸空間の通過後において液体が残留する可能性が高い領域である請求項２〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
7. 前記第２部材と前記所定領域との間の前記第２空間からの液体の流出が発生する可能性が、前記第２部材と前記所定領域の外側の領域との間の前記第２空間からの液体の流出が発生する可能性よりも高い請求項２〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
8. 前記調整装置は、前記第２部材と前記所定領域との距離を、前記第２部材と前記所定領域の外側の領域との距離よりも短くする請求項２〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
9. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動され、
   前記物体の移動条件に基づいて、前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離を変える調整装置を備える請求項１に記載の露光装置。
10. 前記移動条件は、前記物体の速度を含む請求項９に記載の露光装置。
11. 前記物体が第１速度で移動する状態において、前記第２部材の下面と前記物体の上面とが第１距離に調整され、
    前記物体が前記第１速度よりも高い第２速度で移動する状態において、前記第２部材の下面と前記物体の上面とが第１距離よりも短い第２距離に調整され請求項１０に記載の露光装置。
12. 前記移動条件は、前記物体の加速度を含む請求項９〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
13. 前記物体が第１加速度で移動する状態において、前記第２部材の下面と前記物体の上面とが第１距離に調整され、
    前記物体が前記第１加速度よりも高い第２加速度で移動する状態において、前記第２部材の下面と前記物体の上面が第１距離よりも短い第２距離に調整される請求項１２に記載の露光装置。
14. 前記移動条件は、前記光学部材の光軸と交差する面内における前記物体の移動軌跡を含む請求項９〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
15. 前記移動軌跡は、直線の第１移動軌跡と、曲線を含む第２移動軌跡とを含み、
    前記第２移動軌跡における前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離は、前記第１移動軌跡における前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離よりも短い請求項１４に記載の露光装置。
16. 前記移動軌跡は、第１移動軌跡と、前記物体の移動によって前記第２空間から液体が流出する可能性が高い第２移動軌跡とを含み、
    前記第２移動軌跡における前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離は、前記第１移動軌跡における前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離よりも短い請求項１４又は１５に記載の露光装置。
17. 前記物体は、第１物体と、間隙を介して前記第１物体に隣接する第２物体と、を含み、
    前記第２液浸空間が前記第１物体上及び前記第２物体上の一方から他方へ移動するように、前記第２部材と前記第１、第２物体とが前記光学部材の光軸と実質的に垂直な所定面内において相対移動され、
    前記第２液浸空間が前記第１物体上及び前記第２物体上の一方から他方へ移動する期間の少なくとも一部において、前記光軸と実質的に平行な方向に関する前記第２部材の下面と前記第１物体の上面との距離、及び前記第２部材の下面と前記第２物体の上面との距離の一方又は両方を変える調整装置を備える請求項１に記載の露光装置。
18. 前記第２液浸空間の全部が前記第１物体上又は前記第２物体上に形成されている第１状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている第２状態とで、前記第２部材の下面と前記第１物体の上面との距離が異なる請求項１７に記載の露光装置。
19. 前記第２液浸空間の全部が前記第１物体上又は前記第２物体上に形成されている第１状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている第２状態とで、前記第２部材の下面と前記第２物体の上面との距離が異なる請求項１７又は１８に記載の露光装置。
20. 前記第１物体と前記第２物体との間に段差部を有する請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
21. 前記第１物体は、前記基板を含み、前記第２物体は、前記基板の周囲に配置される部材を含む請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の露光装置。
22. 前記調整装置は、前記第１物体の上面の高さと前記第２物体の上面の高さとの差に基づいて、前記光軸と実質的に平行な方向に関する前記第２部材、前記第１物体、及び前記第２物体の少なくとも一つの移動量を定める請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
23. 前記調整装置は、前記第２部材の下面と前記第１物体の上面との距離と、前記第２部材の下面と前記第２物体の上面との距離との差が小さくなるように、前記光軸と実質的に平行な方向に前記第２部材、前記第１物体、及び前記第２物体の少なくとも一つを移動する請求項１７〜２２のいずれか一項に記載の露光装置。
24. 前記調整装置は、前記所定面内における前記物体の位置に基づいて、前記第２部材、前記第１物体、及び前記第２物体の少なくとも一つを移動する請求項１７〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
25. 前記所定面内における前記物体の位置は、前記第１物体と前記第２物体との段差部の位置を含む請求項２４に記載の露光装置。
26. 前記段差部の位置、及び前記第１物体の上面の高さと前記第２物体の上面の高さとの差に関する情報を記憶する記憶装置と、
    前記物体の位置を計測する計測装置と、を備え、
    前記調整装置は、前記記憶装置の記憶情報及び前記計測装置の計測結果に基づいて、前記第２部材、前記第１物体、及び前記第２物体の少なくとも一つを移動する請求項１７〜２５のいずれか一項に記載の露光装置。
27. 前記基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、
    前記第１物体の上面は、前記基板ステージに保持された前記基板の上面を含み、
    前記第２物体の上面は、前記基板の上面の周囲に配置される前記基板ステージの上面を含み、
    前記第１物体の上面の高さと前記第２物体の上面の高さとの差に関する情報は、前記基板の厚みに関する情報を含む請求項２６に記載の露光装置。
28. 前記第２液浸空間の前記第２液体の圧力を検出する圧力センサを備え、
    前記調整装置は、前記圧力センサの検出結果に基づいて、前記第２部材、前記第１物体、及び前記第２物体の少なくとも一つを移動する請求項２〜２７のいずれか一項に記載の露光装置。
29. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において前記物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に等速移動及び非等速移動され、
    前記物体が等速移動する期間及び非等速移動する期間において、前記第２部材及び前記物体は、前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に移動可能であり、
    前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する前記第２部材の移動量及び前記物体の移動量の一方又は両方を、前記物体が前記等速移動する期間と前記非等速移動する期間とで変える調整装置を備える請求項１に記載の露光装置。
30. 前記調整装置は、前記物体が等速移動する期間及び非等速移動する期間において、前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に前記第２部材及び前記物体の一方又は両方を移動可能であり、
    前記等速移動する期間における前記第２部材及び前記物体の速度は、前記非等速移動する期間における前記速度よりも低い請求項２８に記載の露光装置。
31. 前記調整装置は、前記物体が等速移動する期間及び非等速移動する期間において、前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に前記第２部材及び前記物体の一方又は両方を移動可能であり、
    前記等速移動する期間における前記第２部材及び前記物体の加速度は、前記非等速移動する期間における前記加速度よりも低い請求項２９又は３０に記載の露光装置。
32. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記基板の複数のショット領域が前記第１液浸空間の前記第１液体を介して前記露光光で順次露光され、
    前記複数のショット領域のうち第１ショット領域の露光が行われる露光期間、及び前記第１ショット領域の露光終了後、次に露光される第２ショット領域の露光が開始されるまでの非露光期間において、前記第２部材及び前記物体は、前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に移動可能であり、
    前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する前記第２部材の移動量及び前記物体の移動量の一方又は両方を、前記露光期間と、前記非露光期間とで変える調整装置を備える請求項１に記載の露光装置。
33. 前記調整装置は、前記露光期間及び非露光期間において、前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に前記第２部材及び前記物体の一方又は両方を移動可能であり、
    前記露光期間における前記第２部材及び前記物体の速度は、前記非露光期間における前記速度よりも低い請求項３２に記載の露光装置。
34. 前記調整装置は、前記露光期間及び非露光期間において、前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に前記第２部材及び前記物体の一方又は両方を移動可能であり、
    前記露光期間における前記第２部材及び前記物体の加速度は、前記非露光期間における前記加速度よりも低い請求項３２又は３３に記載の露光装置。
35. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において所定領域を有する物体が前記光学部材の光軸と交差する所定面内において移動され、
    前記物体が移動する期間の少なくとも一部において、前記所定面内における前記物体の移動条件を変える調整装置を備える請求項１に記載の露光装置。
36. 前記所定領域は、前記物体が有する間隙を含む請求項３５に記載の露光装置。
37. 前記所定領域は、前記所定領域の外側の領域よりも液体に対して親液性である請求項３５又は３６に記載の露光装置。
38. 前記所定領域は、段差部を含む請求項３５〜３７のいずれか一項に記載の露光装置。
39. 前記所定領域は、前記所定領域の外側の領域よりも、前記第１、第２液浸空間の通過後において液体が残留する可能性が高い領域である請求項３５〜３８のいずれか一項に記載の露光装置。
40. 前記第２部材と前記所定領域との間の前記第２空間からの液体の流出が発生する可能性が、前記第２部材と前記所定領域の外側の領域との間の前記第２空間からの液体の流出が発生する可能性よりも高い請求項３５〜３９のいずれか一項に記載の露光装置。
41. 前記物体の移動条件は、前記所定面内における前記物体の速度を含む請求項３５〜４０のいずれか一項に記載の露光装置。
42. 前記調整装置は、前記第２液浸空間が前記所定領域の外側の領域上に位置する状態において前記物体を第１速度で移動し、前記第２液浸空間が前記所定領域上に位置する状態において前記物体を前記第１速度よりも低い第２速度で移動する請求項３５〜４１のいずれか一項に記載の露光装置。
43. 前記物体の移動条件は、前記所定面内における前記物体の加速度を含む請求項３５〜４２のいずれか一項に記載の露光装置。
44. 前記調整装置は、前記第２液浸空間が前記所定領域の外側の領域上に位置する状態において前記物体を第１加速度で移動し、前記第２液浸空間が前記所定領域上に位置する状態において前記物体を前記第１加速度よりも低い第２加速度で移動する請求項３５〜４３のいずれか一項に記載の露光装置。
45. 前記物体は、第１物体と、間隙を介して前記第１物体に隣接する第２物体と、を含み、
    前記第２液浸空間が前記第１物体上及び前記第２物体上の一方から他方へ移動するように、前記第２部材と前記第１、第２物体とが前記光学部材の光軸と実質的に垂直な所定面内において相対移動され、
    前記第２液浸空間が前記第１物体上及び前記第２物体上の一方から他方へ移動する期間の少なくとも一部において、前記所定面内における前記物体の移動条件を変える調整装置を備える請求項１に記載の露光装置。
46. 前記第２液浸空間の全部が前記第１物体上又は前記第２物体上に形成されている第１状態と、前記第２液浸空間が前記間隙上に形成されている第２状態とで、前記移動条件が異なる請求項４５に記載の露光装置。
47. 前記物体の移動条件は、前記所定面内における前記物体の速度を含む請求項４５又は４６に記載の露光装置。
48. 前記第２状態における前記物体の移動速度は、前記第１状態における前記物体の移動速度よりも低い請求項４５〜４７のいずれか一項に記載の露光装置。
49. 前記物体の移動条件は、前記所定面内における前記物体の加速度を含む請求項４５〜４８のいずれか一項に記載の露光装置。
50. 前記第２状態における前記物体の加速度は、前記第１状態における前記物体の加速度よりも低い請求項４５〜４９のいずれか一項に記載の露光装置。
51. 前記第１液浸空間が形成されている状態で、前記第１部材と前記物体とが第１相対移動条件で移動したときに前記物体上に残留液体が発生する前記物体の第１領域及び前記残留液体の発生が抑制される前記物体の第２領域に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記第１部材の下方を前記第２領域が通過する期間の少なくとも一部において、前記第１部材と前記物体とを前記第１相対移動条件とは異なる第２相対移動条件で移動させる請求項１に記載の露光装置。
52. 前記第１相対移動条件は、前記物体が第１速度で移動する条件を含み、
    前記第２相対移動条件は、前記物体が前記第１速度よりも低い第２速度で移動する条件を含む請求項５１に記載の露光装置。
53. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材と前記物体とが第１相対移動条件で移動したときに前記物体上に残留液体が発生する前記物体の第１領域及び前記残留液体の発生が抑制される前記物体の第２領域に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記第２部材の下方を前記第１領域が通過する期間の少なくとも一部において、前記第２部材と前記物体とを前記第１相対移動条件とは異なる第２相対移動条件で移動させる請求項１に記載の露光装置。
54. 前記第１移動条件は、前記物体が第１速度で移動する条件を含み、
    前記第２移動条件は、前記物体が前記第１速度よりも低い第２速度で移動する条件を含む請求項５３に記載の露光装置。
55. 前記第１領域は、前記物体が有する間隙を含む請求項５１〜５４のいずれか一項に記載の露光装置。
56. 前記第１領域は、前記物体が有する段差部を含む請求項５１〜５５のいずれか一項に記載の露光装置。
57. 前記物体上に残留液体が発生する前記第１部材と前記物体との第１相対移動条件及び前記残留液体の発生が抑制される第２相対移動条件に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記第１相対移動条件で移動される期間の少なくとも一部において、前記第１部材の下面と前記物体の上面との距離を短くする請求項１に記載の露光装置。
58. 前記物体上に残留液体が発生する前記第２部材と前記物体との第１相対移動条件及び前記残留液体の発生が抑制される第２相対移動条件に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記第１相対移動条件で移動される期間の少なくとも一部において、前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離を短くする請求項１に記載の露光装置。
59. 前記第１液浸空間が形成されている状態で、前記第１部材と前記物体とが第１相対移動条件で移動したときに前記物体上に残留液体が発生する前記物体の第１領域及び前記残留液体の発生が抑制される前記物体の第２領域に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記第１部材の下方を前記第１領域が通過する期間の少なくとも一部において、前記第１部材の下面と前記第１領域との距離を短くする請求項１に記載の露光装置。
60. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材と前記物体とが第１相対移動条件で移動したときに前記物体上に残留液体が発生する前記物体の第１領域及び前記残留液体の発生が抑制される前記物体の第２領域に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記第２部材の下方を前記第１領域が通過する期間の少なくとも一部において、前記第２部材の下面と前記第１領域との距離を短くする請求項１に記載の露光装置。
61. 前記第１液浸空間が形成されている状態で、前記第１部材の下方において物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動され、
    前記第１部材の下方の第１空間の外側において前記物体上に残留液体が発生する又は前記第１空間から第１液体が流出する前記第１部材と前記物体との相対移動条件及び残留液体の発生又は第１液体の流出が抑制される相対移動条件に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記基板の露光における前記相対移動条件が調整される請求項１に記載の露光装置。
62. 前記基板の露光後において前記物体上の残留液体又は流出した第１液体を検出する検出装置を備え、
    前記検出装置の検出結果に基づいて、前記記憶装置の記憶情報が更新される請求項６１に記載の露光装置。
63. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動され、
    前記第２部材の下方の第２空間の外側において前記物体上に残留液体が発生する又は前記第２空間から第２液体が流出する前記第２部材と前記物体との相対移動条件及び残留液体の発生又は第２液体の流出が抑制される相対移動条件に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記基板の露光における前記相対移動条件が調整される請求項６１又は６２に記載の露光装置。
64. 前記基板の露光後において前記物体上の残留液体又は流出した第２液体を検出する検出装置を備え、
    前記検出装置の検出結果に基づいて、前記記憶装置の記憶情報が更新される請求項６３に記載の露光装置。
65. 前記基板がスキャン方向への移動と前記スキャン方向と交差するステップ方向への移動とを繰り返しながら、前記基板の複数のショット領域が順次露光され、
    前記相対移動条件は、前記スキャン方向への移動速度と前記ステップ方向への移動速度との合成速度を含む請求項６１〜６４のいずれか一項に記載の露光装置。
66. 前記第１空間の外側における前記物体上の液体が、前記第１液浸空間を通過するように、前記第１部材と前記物体とを相対移動する移動装置を備える請求項１に記載の露光装置。
67. 前記移動装置は、前記物体の移動条件を制御して、前記第１空間から前記第１液体が流出するタイミングを制御可能である請求項６６に記載の露光装置。
68. 前記物体の移動条件は、前記光学部材の光軸と実質的に垂直な面内における前記物体の移動速度及び加速度の一方又は両方を含む請求項６７に記載の露光装置。
69. 前記移動装置は、前記物体の移動方向とは逆方向に前記第１部材を移動して、前記第１空間から前記第１液体が流出する位置を制御可能である請求項６６に記載の露光装置。
70. 前記物体は、前記光学部材の光軸と実質的に垂直な面内において第１方向に移動された後、前記第１方向とは異なる第２方向に移動され、
    前記第１部材は、前記物体が前記第１方向への移動から前記第２方向への移動へ変化する期間の少なくとも一部において、前記逆方向に移動する請求項６９に記載の露光装置。
71. 前記物体は、前記基板と、間隙を介して前記基板の周囲に配置されるカバー部材と、を含み、
    前記第２液浸空間が前記基板上及び前記カバー部材上の一方から他方へ移動するように、前記第２部材に対して前記基板及び前記カバー部材が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動され、
    前記第２液浸空間が前記カバー部材上から前記基板上に移動するように前記基板及び前記カバー部材が移動するときの移動速度は、前記第２液浸空間が前記基板上から前記カバー部材上に移動するように前記基板及び前記カバー部材が移動するときの移動速度よりも低い請求項１に記載の露光装置。
72. 前記物体は、前記基板と、間隙を介して前記基板の周囲に配置されるカバー部材と、を含み、
    前記第２液浸空間が前記基板上及び前記カバー部材上の一方から他方へ移動するように、前記第２部材に対して前記基板及び前記カバー部材が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動され、
    前記第２下面は、第１辺と、第２辺と、前記第１辺と前記第２辺との間に設けられる角部と、を有し、
    前記第２液浸空間が前記基板上及び前記カバー部材上の一方から他方に移動するように前記基板及び前記カバー部材が移動する期間の少なくとも一部において、前記第２下面の中心と前記角部とを結ぶ仮想線が、前記基板の中心に対する放射方向と実質的に平行となるように、前記第２部材の位置が調整される請求項１に記載の露光装置。
73. 前記物体は、前記基板と、間隙を介して前記基板の周囲に配置されるカバー部材と、を含み、
    前記第１液浸空間が前記基板上及び前記カバー部材上の一方から他方へ移動するように、前記第１部材に対して前記基板及び前記カバー部材が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動され、
    前記第１下面は、第１辺と、第２辺と、前記第１辺と前記第２辺との間に設けられる角部と、を有し、
    前記第１液浸空間が前記基板上及び前記カバー部材上の一方から他方に移動するように前記基板及び前記カバー部材が移動する期間の少なくとも一部において、前記第１下面の中心と前記角部とを結ぶ仮想線が、前記基板の中心に対する放射方向と実質的に平行となるように、前記第１部材の位置が調整される請求項１に記載の露光装置。
74. 前記第２部材の下方の第２空間に前記第２液体を供給可能な第２液体供給部と、
    前記第２空間の流体を吸引可能な流体吸引部と、
    前記物体が移動する期間の少なくとも一部において、前記第２液体供給部の供給量及び前記流体吸引部の吸引力の一方又は両方を変える液体調整装置と、を備える請求項１〜７３のいずれか一項に記載の露光装置。
75. 前記供給量及び前記吸引力の一方又は両方に基づいて、前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する前記第２部材と前記物体との距離が調整される請求項７４に記載の露光装置。
76. 前記供給量及び前記吸引量の一方又は両方に基づいて、前記光学部材の光軸と実質的に垂直な面内における前記物体の移動条件が調整される請求項７４又は７５に記載の露光装置。
77. 前記第１部材の下方の第１空間に前記第１液体を供給可能な第１液体供給部と、
    前記第１空間の前記第１液体を回収する第１液体回収部と、を備える請求項１〜７６のいずれか一項に記載の露光装置。
78. 請求項１〜７７のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
79. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で前記第１液体の前記第１液浸空間を形成することと、
    前記光路に対して前記第１部材の外側に配置される第２部材で、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、
    前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において所定領域を有する物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動する期間の少なくとも一部において、前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離を変えることと、を含む露光方法。
80. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で前記第１液体の前記第１液浸空間を形成することと、
    前記光路に対して前記第１部材の外側に配置される第２部材で、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、
    前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に移動する期間の少なくとも一部における前記物体の移動条件に基づいて、前記第２部材の下面と前記物体の上面との距離を変えることと、を含む露光方法。
81. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で前記第１液体の前記第１液浸空間を形成することと、
    前記光路に対して前記第１部材の外側に配置される第２部材で、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、
    前記第２液浸空間が第１物体上及び間隙を介して前記第１物体に隣接する第２物体上の一方から他方へ移動するように、前記第２部材と前記第１、第２物体とを前記光学部材の光軸と実質的に垂直な所定面内において相対移動させることと、
    前記第２液浸空間が前記第１物体上及び前記第２物体上の一方から他方へ移動する期間の少なくとも一部において、前記光軸と実質的に平行な方向に関する前記第２部材の下面と前記第１物体の上面との距離、及び前記第２部材の下面と前記第２物体の上面との距離の一方又は両方を変えることと、を含む露光方法。
82. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で前記第１液体の前記第１液浸空間を形成することと、
    前記光路に対して前記第１部材の外側に配置される第２部材で、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、
    前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において物体が前記光学部材の光軸と交差する方向に等速移動する期間と非等速移動する期間とで、前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する前記第２部材の移動量及び前記物体の移動量の一方又は両方を変えることと、を含む露光方法。
83. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で前記第１液体の前記第１液浸空間を形成することと、
    前記光路に対して前記第１部材の外側に配置される第２部材で、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、
    前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記基板の複数のショット領域を前記第１液浸空間の前記第１液体を介して前記露光光で順次露光することと、
    前記光学部材の光軸と実質的に平行な方向に関する前記第２部材の移動量及び前記物体の移動量の一方又は両方を、前記複数のショット領域のうち第１ショット領域の露光が行われる露光期間と、前記第１ショット領域の露光終了後、次に露光される第２ショット領域の露光が開始されるまでの非露光期間とで変えることと、を含む露光方法。
84. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で前記第１液体の前記第１液浸空間を形成することと、
    前記光路に対して前記第１部材の外側に配置される第２部材で、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、
    前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記第２部材の下方において所定領域を有する物体を前記光学部材の光軸と交差する所定面内において移動させることと、
    前記物体が移動する期間の少なくとも一部において、前記所定面内における前記物体の移動条件を変えることと、を含む露光方法。
85. 請求項７９〜８４のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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