JP2014001941A - Detection element, detection module, imaging device, detection imaging module, electronic apparatus, terahertz camera, and method for manufacturing detection element - Google Patents

Detection element, detection module, imaging device, detection imaging module, electronic apparatus, terahertz camera, and method for manufacturing detection element Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve such a problem that it is difficult to increase productivity and efficiency in a conventional detection element.SOLUTION: A detection element includes: a detection part 52 whose characteristics change in accordance with the amount of absorbed electromagnetic waves; a substrate 53 which supports the detection part 52; a cavity part 67 which is provided in a region overlapped on the detection part 52 in the substrate 53; and a hole 58 which penetrates through the substrate 53 from the side opposite to the detection part 52 side of the substrate 53 to be communicated with the cavity part 67. An aperture area of the hole 58 is smaller than that of the cavity part 67.

Description

本発明は、検出素子、検出モジュール、撮像デバイス、検出撮像モジュール、電子機器、テラヘルツカメラ、検出素子の製造方法等に関する。   The present invention relates to a detection element, a detection module, an imaging device, a detection imaging module, an electronic apparatus, a terahertz camera, a detection element manufacturing method, and the like.

従来から、電磁波の一種である赤外線を検出することができる検出素子として、熱型の検出素子が知られている。このような検出素子には、赤外線を検出する検出部が基板に設けられているものがある。そして、基板に検出部が設けられた検出素子では、従来、基板の検出部に重なる領域に凹部が設けられているものがある（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, a thermal detection element is known as a detection element that can detect infrared rays, which are a kind of electromagnetic waves. Some of such detection elements are provided with a detection unit for detecting infrared rays on a substrate. Some detection elements having a detection unit provided on a substrate are conventionally provided with a recess in a region overlapping the detection unit of the substrate (see, for example, Patent Document 1).

特開２００６−４７０８５号公報JP 2006-47085 A

検出素子の搬送のしやすさや、検出素子の扱いのしやすさなどの観点から、基板の剛性が高いことが好ましい。基板の剛性が低いと、検出素子の搬送や検出素子の扱いなどにおいて、検出素子に損傷が及ぶことに対する対処が必要になる。また、基板の剛性が低いと、検出素子に損傷が及びやすいので、検出素子の不良率が高まりやすい。このように、基板の剛性が低いと、検出素子の製造過程や、検出素子の使用過程において、生産性や効率を高めることが困難となる。
基板に凹部が設けられた上記の構成では、凹部によって基板の剛性が低くなりやすい。このため、従来の検出素子では、生産性や効率を高めることが困難であるという課題がある。 It is preferable that the substrate has a high rigidity from the viewpoint of ease of transport of the detection element and ease of handling of the detection element. When the rigidity of the substrate is low, it is necessary to cope with damage to the detection element in transporting the detection element or handling the detection element. Further, if the rigidity of the substrate is low, the detection element is likely to be damaged, and the defect rate of the detection element is likely to increase. Thus, if the rigidity of a board | substrate is low, it will become difficult to raise productivity and efficiency in the manufacture process of a detection element, or the use process of a detection element.
In the above configuration in which the concave portion is provided on the substrate, the rigidity of the substrate tends to be lowered by the concave portion. For this reason, in the conventional detection element, there exists a subject that it is difficult to raise productivity and efficiency.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、前記検出部を支持する基部と、前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、を有し、前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、ことを特徴とする検出素子。   Application Example 1 A detection unit whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves, a base that supports the detection unit, a cavity provided in a region that overlaps the detection unit in the base, and the base A hole penetrating the base portion from the side opposite to the detection portion side and leading to the cavity portion, and an opening area of the hole is smaller than an opening area of the cavity portion Detection element.

この適用例の検出素子では、基部の検出部側とは反対側から基部を貫通して空洞部に通じるホールの開口面積が、空洞部の開口面積よりも小さい。このため、空洞部の検出部側とは反対側には、ホールの領域を除いて、基部が存在する。換言すれば、空洞部は、ホールの領域を除いて、検出部側とは反対側から基部によって覆われている。これにより、空洞部に起因する基部の剛性の低下を軽減することができる。このため、検出素子の扱いやすさを高めることができるので、検出素子にかかる生産性や効率を高めやすくすることができる。   In the detection element of this application example, the opening area of the hole that penetrates the base portion from the opposite side of the base portion to the detection portion side and leads to the cavity portion is smaller than the opening area of the cavity portion. For this reason, the base part exists on the opposite side of the cavity from the detection part side, except for the hole region. In other words, the cavity is covered with the base from the side opposite to the detection unit except for the hole region. Thereby, the fall of the rigidity of the base resulting from a cavity part can be reduced. For this reason, since the ease of handling of the detection element can be increased, the productivity and efficiency of the detection element can be easily increased.

［適用例２］上記の検出素子であって、前記基部の前記検出部側に設けられ、前記検出部に電気的に接続された電極と、前記基部を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して、前記基部の前記検出部側で前記電極に電気的に接続された配線と、を有する、ことを特徴とする検出素子。   Application Example 2 In the above detection element, the electrode provided on the detection unit side of the base and electrically connected to the detection unit, and the base from the side opposite to the detection unit side A detection element comprising: a wiring penetrating to the detection portion side and electrically connected to the electrode on the detection portion side of the base portion.

この適用例では、基部の検出部側とは反対側から検出部に電気的な接続を行うことができる。   In this application example, electrical connection can be made to the detection unit from the side opposite to the detection unit side of the base.

［適用例３］上記の検出素子であって、前記検出部は、前記電磁波に含まれる赤外線の量に応じて電気的な前記特性を変化させる、ことを特徴とする検出素子。   Application Example 3 In the detection element described above, the detection unit changes the electrical characteristics according to the amount of infrared rays included in the electromagnetic wave.

この適用例では、電気的な特性の変化に基づいて、赤外線の量を検出することができる。   In this application example, the amount of infrared rays can be detected based on a change in electrical characteristics.

［適用例４］吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と前記検出部を支持する基部と、前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、前記基部の前記検出部側に設けられ、前記検出部に電気的に接続された電極と、前記基部を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して、前記基部の前記検出部側で前記電極に電気的に接続された配線と、前記基部の前記検出部側とは反対側に設けられ、前記検出部から前記電極及び前記配線を介して電気的な信号を受信する回路基板と、を有し、前記回路基板は、前記信号が入力される端子部を有し、前記配線が前記端子部に接続されており、前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、ことを特徴とする検出モジュール。   Application Example 4 A detection unit whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves, a base that supports the detection unit, a cavity provided in a region that overlaps the detection unit in the base, A hole that penetrates the base portion from the opposite side to the detection portion side and leads to the hollow portion, an electrode that is provided on the detection portion side of the base portion and is electrically connected to the detection portion, and the base portion A wiring that penetrates from the opposite side of the detection unit side to the detection unit side and is electrically connected to the electrode on the detection unit side of the base, and on the side opposite to the detection unit side of the base And a circuit board that receives an electrical signal from the detection unit via the electrode and the wiring, and the circuit board has a terminal part to which the signal is input, and the wiring is Connected to the terminal portion, the opening area of the hole is the front Smaller than the opening area of the cavity, the detection module, characterized in that.

この適用例の検出モジュールでは、基部の検出部側とは反対側から基部を貫通して空洞部に通じるホールの開口面積が、空洞部の開口面積よりも小さい。このため、空洞部の検出部側とは反対側には、ホールの領域を除いて、基部が存在する。換言すれば、空洞部は、ホールの領域を除いて、検出部側とは反対側から基部によって覆われている。これにより、空洞部に起因する基部の剛性の低下を軽減することができる。このため、検出モジュールの扱いやすさを高めることができるので、検出モジュールにかかる生産性や効率を高めやすくすることができる。
また、この検出モジュールでは、基部を貫通する配線を介して、基部の検出部側とは反対側から検出部に電気的な接続を行うことができる。そして、基部を貫通する配線は、基部の検出部側とは反対側において、基部の検出部側とは反対側に設けられた回路基板の端子部に接続されている。このため、回路基板に接続するための配線を基部の外側に設けることを避けることができるので、検出モジュールの小型化が図られる。 In the detection module of this application example, the opening area of the hole that penetrates the base portion from the side opposite to the detection portion side of the base portion and leads to the cavity portion is smaller than the opening area of the cavity portion. For this reason, the base part exists on the opposite side of the cavity from the detection part side, except for the hole region. In other words, the cavity is covered with the base from the side opposite to the detection unit except for the hole region. Thereby, the fall of the rigidity of the base resulting from a cavity part can be reduced. For this reason, since the handling property of a detection module can be improved, the productivity and efficiency concerning a detection module can be made easy to improve.
Further, in this detection module, electrical connection can be made to the detection unit from the side opposite to the detection unit side of the base via a wiring penetrating the base. And the wiring which penetrates the base is connected to the terminal part of the circuit board provided on the side opposite to the detection part side of the base on the side opposite to the detection part side. For this reason, since it can avoid providing the wiring for connecting with a circuit board in the outer side of a base, size reduction of a detection module is achieved.

［適用例５］互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子を有し、前記撮像素子は、吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、前記検出部を支持する基部と、前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、を有し、前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、ことを特徴とする撮像デバイス。   Application Example 5 Having a plurality of imaging devices arranged in two directions intersecting each other, the imaging device having a detection unit whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves, and a base that supports the detection unit And in the base portion, a hollow portion provided in a region overlapping the detection portion, and a hole penetrating the base portion from the side opposite to the detection portion side of the base portion and leading to the hollow portion, The opening area of the said hole is smaller than the opening area of the said cavity part, The imaging device characterized by the above-mentioned.

この適用例の撮像デバイスは、互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子を有している。この撮像デバイスにおける撮像素子では、基部の検出部側とは反対側から基部を貫通して空洞部に通じるホールの開口面積が、空洞部の開口面積よりも小さい。このため、空洞部の検出部側とは反対側には、ホールの領域を除いて、基部が存在する。換言すれば、空洞部は、ホールの領域を除いて、検出部側とは反対側から基部によって覆われている。これにより、空洞部に起因する基部の剛性の低下を軽減することができる。このため、撮像デバイスの扱いやすさを高めることができるので、撮像デバイスにかかる生産性や効率を高めやすくすることができる。   The imaging device of this application example includes a plurality of imaging elements arranged in two directions intersecting each other. In the imaging device in this imaging device, the opening area of the hole that penetrates the base portion from the side opposite to the detection portion side of the base portion to the cavity portion is smaller than the opening area of the cavity portion. For this reason, the base part exists on the opposite side of the cavity from the detection part side, except for the hole region. In other words, the cavity is covered with the base from the side opposite to the detection unit except for the hole region. Thereby, the fall of the rigidity of the base resulting from a cavity part can be reduced. For this reason, since the ease of handling of the imaging device can be increased, the productivity and efficiency of the imaging device can be easily increased.

［適用例６］上記の撮像デバイスであって、前記基部の前記検出部側に設けられ、前記検出部に電気的に接続された電極と、前記基部を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して、前記基部の前記検出部側で前記電極に電気的に接続された配線と、を有する、ことを特徴とする撮像デバイス。   Application Example 6 In the imaging device described above, the electrode provided on the detection unit side of the base and electrically connected to the detection unit, and the base from the side opposite to the detection unit side An imaging device comprising: a wiring penetrating to a detection portion side and electrically connected to the electrode on the detection portion side of the base portion.

この適用例では、基部の検出部側とは反対側から検出部に電気的な接続を行うことができる。   In this application example, electrical connection can be made to the detection unit from the side opposite to the detection unit side of the base.

［適用例７］上記の撮像デバイスであって、前記検出部は、前記電磁波に含まれる赤外線の量に応じて電気的な前記特性を変化させる、ことを特徴とする撮像デバイス。   Application Example 7 In the imaging device described above, the detection unit changes the electrical characteristics according to the amount of infrared rays included in the electromagnetic wave.

この適用例では、電気的な特性の変化に基づいて、赤外線の量を検出することができる。これにより、複数の撮像素子間での赤外線の分布を把握することができ、この分布に応じた像を撮像することができる。   In this application example, the amount of infrared rays can be detected based on a change in electrical characteristics. Thereby, the distribution of infrared rays among a plurality of image sensors can be grasped, and an image corresponding to this distribution can be taken.

［適用例８］互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子と、前記複数の撮像素子から電気的な信号を受信する回路基板と、を有し、前記撮像素子は、吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、前記検出部を支持する基部と、前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、前記基部の前記検出部側に設けられ、前記検出部に電気的に接続された電極と、前記基部を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して、前記基部の前記検出部側で前記電極に電気的に接続された配線と、を有し、前記回路基板は、前記基部の前記検出部側とは反対側に設けられており、且つ、前記電極及び前記配線を介して前記検出部から受信する前記信号が入力される端子部を有し、前記配線が前記端子部に接続されており、前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、ことを特徴とする撮像モジュール。   [Application Example 8] A plurality of imaging elements arranged in two directions intersecting each other, and a circuit board that receives electrical signals from the plurality of imaging elements. A detecting portion whose characteristics change according to the amount; a base portion supporting the detecting portion; a hollow portion provided in a region overlapping the detecting portion in the base portion; and a side opposite to the detecting portion side of the base portion A hole that passes through the base from the base to the cavity, an electrode that is provided on the detection unit side of the base and is electrically connected to the detection unit, and the base on the side opposite to the detection unit side And the wiring that is electrically connected to the electrode on the detection unit side of the base, and the circuit board is opposite to the detection unit side of the base And through the electrode and the wiring It has a terminal portion to which the signal received from the detection portion is input, the wiring is connected to the terminal portion, and the opening area of the hole is smaller than the opening area of the cavity portion. An imaging module.

この適用例の撮像モジュールは、互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子と、複数の撮像素子から電気的な信号を受信する回路基板と、を有している。この撮像モジュールにおける撮像素子では、基部の検出部側とは反対側から基部を貫通して空洞部に通じるホールの開口面積が、空洞部の開口面積よりも小さい。このため、空洞部の検出部側とは反対側には、ホールの領域を除いて、基部が存在する。換言すれば、空洞部は、ホールの領域を除いて、検出部側とは反対側から基部によって覆われている。これにより、空洞部に起因する基部の剛性の低下を軽減することができる。このため、撮像モジュールの扱いやすさを高めることができるので、撮像モジュールにかかる生産性や効率を高めやすくすることができる。
また、この撮像モジュールでは、基部を貫通する配線を介して、基部の検出部側とは反対側から検出部に電気的な接続を行うことができる。そして、基部を貫通する配線は、基部の検出部側とは反対側において、基部の検出部側とは反対側に設けられた回路基板の端子部に接続されている。このため、回路基板に接続するための配線を基部の外側に設けることを避けることができるので、撮像モジュールの小型化が図られる。 The imaging module of this application example includes a plurality of imaging elements arranged in two directions intersecting with each other, and a circuit board that receives electrical signals from the plurality of imaging elements. In the imaging device in this imaging module, the opening area of the hole that penetrates the base portion from the opposite side of the base portion to the detection portion side and leads to the cavity portion is smaller than the opening area of the cavity portion. For this reason, the base part exists on the opposite side of the cavity from the detection part side, except for the hole region. In other words, the cavity is covered with the base from the side opposite to the detection unit except for the hole region. Thereby, the fall of the rigidity of the base resulting from a cavity part can be reduced. For this reason, since the ease of handling of the imaging module can be increased, the productivity and efficiency of the imaging module can be easily increased.
Further, in this imaging module, electrical connection can be made to the detection unit from the side opposite to the detection unit side of the base via a wiring penetrating the base. And the wiring which penetrates the base is connected to the terminal part of the circuit board provided on the side opposite to the detection part side of the base on the side opposite to the detection part side. For this reason, since it can avoid providing the wiring for connecting with a circuit board in the outer side of a base, size reduction of an imaging module is achieved.

［適用例９］上記の検出素子を有する、ことを特徴とする電子機器。   Application Example 9 An electronic apparatus having the above-described detection element.

この適用例では、検出性能の向上を図りやすくすることができる検出素子によって、電子機器における検出性能の向上を図りやすくすることができる。   In this application example, it is possible to easily improve the detection performance of the electronic device by using the detection element that can easily improve the detection performance.

［適用例１０］上記の検出モジュールを有する、ことを特徴とする電子機器。   Application Example 10 An electronic apparatus having the detection module described above.

この適用例では、検出性能の向上を図りやすくすることができる検出モジュールによって、電子機器における検出性能の向上を図りやすくすることができる。また、この電子機器では、検出モジュールの小型化が図られるので、電子機器の小型化が図られる。   In this application example, it is possible to easily improve the detection performance in the electronic device by the detection module that can easily improve the detection performance. Moreover, in this electronic device, since the detection module can be reduced in size, the electronic device can be reduced in size.

［適用例１１］上記の撮像デバイスを有する、ことを特徴とする電子機器。   Application Example 11 An electronic apparatus having the imaging device described above.

この適用例では、検出性能の向上を図りやすくすることができる検出モジュールによって、電子機器における検出性能の向上を図りやすくすることができる。   In this application example, it is possible to easily improve the detection performance in the electronic device by the detection module that can easily improve the detection performance.

［適用例１２］上記の撮像モジュールを有する、ことを特徴とする電子機器。   Application Example 12 An electronic apparatus including the imaging module described above.

この適用例では、検出性能の向上を図りやすくすることができる撮像モジュールによって、電子機器における検出性能の向上を図りやすくすることができる。また、この電子機器では、撮像モジュールの小型化が図られるので、電子機器の小型化が図られる。   In this application example, it is possible to easily improve the detection performance in the electronic device by using the imaging module that can easily improve the detection performance. Moreover, in this electronic device, since the imaging module can be reduced in size, the electronic device can be reduced in size.

［適用例１３］テラヘルツ帯の赤外線を含む電磁波を被写体に向けて発する電磁波源と、前記被写体で反射した前記テラヘルツ帯の赤外線を受光して前記被写体を撮像する撮像デバイスと、を有し、前記撮像デバイスは、互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子を有し、前記撮像素子は、吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、前記検出部を支持する基部と、前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、を有し、前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、ことを特徴とするテラヘルツカメラ。   Application Example 13 An electromagnetic wave source that emits electromagnetic waves including infrared rays in the terahertz band toward the subject, and an imaging device that receives the infrared rays in the terahertz band reflected by the subject and images the subject, The imaging device includes a plurality of imaging elements arranged in two directions intersecting each other, and the imaging element has a detection unit whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves, and a base that supports the detection unit The base includes a cavity provided in a region overlapping the detection unit, and a hole that penetrates the base from the side opposite to the detection unit side of the base and communicates with the cavity. A terahertz camera, wherein an opening area of the hole is smaller than an opening area of the hollow portion.

この適用例のテラヘルツカメラは、テラヘルツ帯の赤外線を含む電磁波を被写体に向けて発する電磁波源と、被写体で反射したテラヘルツ帯の赤外線を受光して被写体を撮像する撮像デバイスと、を有している。この撮像デバイスは、互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子を有している。この撮像デバイスにおける撮像素子では、基部の検出部側とは反対側から基部を貫通して空洞部に通じるホールの開口面積が、空洞部の開口面積よりも小さい。このため、空洞部の検出部側とは反対側には、ホールの領域を除いて、基部が存在する。換言すれば、空洞部は、ホールの領域を除いて、検出部側とは反対側から基部によって覆われている。これにより、空洞部に起因する基部の剛性の低下を軽減することができる。このため、撮像デバイスの扱いやすさを高めることができるので、撮像デバイスにかかる生産性や効率を高めやすくすることができる。このため、このテラヘルツカメラでは、生産性や効率を高めやすくすることができる。   The terahertz camera of this application example includes an electromagnetic wave source that emits electromagnetic waves including terahertz band infrared rays toward a subject, and an imaging device that receives the terahertz band infrared rays reflected by the subject and images the subject. . This imaging device has a plurality of imaging elements arranged in two directions crossing each other. In the imaging device in this imaging device, the opening area of the hole that penetrates the base portion from the side opposite to the detection portion side of the base portion to the cavity portion is smaller than the opening area of the cavity portion. For this reason, the base part exists on the opposite side of the cavity from the detection part side, except for the hole region. In other words, the cavity is covered with the base from the side opposite to the detection unit except for the hole region. Thereby, the fall of the rigidity of the base resulting from a cavity part can be reduced. For this reason, since the ease of handling of the imaging device can be increased, the productivity and efficiency of the imaging device can be easily increased. For this reason, in this terahertz camera, productivity and efficiency can be easily improved.

［適用例１４］吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部が設けられた基板に、前記基板の前記検出部側とは反対側から前記検出部側に向けてホールを形成する工程と、前記ホールの底部から前記検出部側に向けて、前記ホールの開口面積よりも広い開口面積を有する空洞部を、前記ホールにつなげて形成する工程と、を含む、ことを特徴とする検出素子の製造方法。   [Application Example 14] A step of forming a hole in a substrate provided with a detection unit whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves from the side opposite to the detection unit side of the substrate toward the detection unit side. And a step of connecting a cavity having an opening area larger than the opening area of the hole from the bottom of the hole toward the detection unit, and connecting to the hole. Device manufacturing method.

この適用例の検出素子の製造方法では、基部にホールを形成し、このホールの底部から空洞部を形成する。このとき、空洞部をホールにつなげて形成する。この製造方法では、ホールの開口面積よりも広い開口面積を有する空洞部を形成する。この製造方法によれば、空洞部の検出部側とは反対側に、ホールの領域を除いて、基部を残存させることができる。換言すれば、ホールの領域を除いて、空洞部を、検出部側とは反対側から基部で覆うことができる。これにより、空洞部に起因する基部の剛性の低下を軽減することができる。このため、検出素子の扱いやすさを高めることができるので、検出素子にかかる生産性や効率を高めやすくすることができる。   In the detection element manufacturing method of this application example, a hole is formed in the base, and a cavity is formed from the bottom of the hole. At this time, the cavity is formed by connecting to the hole. In this manufacturing method, a cavity having an opening area larger than the opening area of the hole is formed. According to this manufacturing method, the base portion can be left on the opposite side of the hollow portion from the detection portion side except for the hole region. In other words, except for the hole region, the cavity can be covered with the base from the side opposite to the detection unit. Thereby, the fall of the rigidity of the base resulting from a cavity part can be reduced. For this reason, since the ease of handling of the detection element can be increased, the productivity and efficiency of the detection element can be easily increased.

［適用例１５］上記の検出素子の製造方法であって、前記空洞部を形成する工程では、前記ホールの内壁を保護した状態で前記ホール内にエッチング処理を施すことによって、前記ホールの底部から前記空洞部を形成する、ことを特徴とする検出素子の製造方法。   Application Example 15 In the manufacturing method of the detection element described above, in the step of forming the cavity, etching is performed in the hole in a state where the inner wall of the hole is protected, so that the bottom of the hole is formed. A method for manufacturing a detection element, wherein the cavity is formed.

この適用例では、ホールの内壁を保護した状態でホール内にエッチング処理を施すことによって、ホールの底部から空洞部を形成するので、ホールの開口面積を広げにくくすることができる。   In this application example, the cavity is formed from the bottom of the hole by etching the hole while protecting the inner wall of the hole, so that it is difficult to increase the opening area of the hole.

［適用例１６］上記の検出素子の製造方法であって、前記基板の前記検出部側に、前記検出部に電気的に接続する電極を形成する工程と、前記空洞部を形成する工程の前に、前記基板を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して前記電極に至る貫通孔を介して、前記基板を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通し、前記電極に電気的に接続する配線を形成する工程と、を含み、前記ホールを形成する工程において、前記ホールと、前記ホールの開口面積よりも広い開口面積を有する前記貫通孔とをいっしょに形成する、ことを特徴とする検出素子の製造方法。   Application Example 16 In the detection element manufacturing method described above, before the step of forming an electrode electrically connected to the detection unit on the detection unit side of the substrate and the step of forming the cavity In addition, the substrate passes through the substrate from the side opposite to the detection unit side to the detection unit side through a through hole extending from the side opposite to the detection unit side to the detection unit side and reaching the electrode. Forming a wiring electrically connected to the electrode, and in the step of forming the hole, the hole and the through hole having an opening area larger than the opening area of the hole are combined. A method for manufacturing a detection element, comprising:

この適用例では、貫通孔を介して、基板を検出部側とは反対側から検出部側に貫通して電極に電気的に接続する配線を形成するので、基部の検出部側とは反対側から検出部に電気的な接続を行うことができる。
また、この製造方法では、ホールを形成する工程において、ホールと貫通孔とをいっしょに形成するので、検出素子の製造にかかる効率を高めることができる。 In this application example, a wiring that penetrates the substrate from the side opposite to the detection unit side to the detection unit side through the through hole and is electrically connected to the electrode is formed, so the side opposite to the detection unit side of the base portion To the detection unit.
Moreover, in this manufacturing method, since the hole and the through hole are formed together in the step of forming the hole, it is possible to increase the efficiency of manufacturing the detection element.

［適用例１７］上記の検出素子の製造方法であって、前記ホールを形成する工程において、前記ホールと前記貫通孔とを１つの開口に統合して形成する、ことを特徴とする検出素子の製造方法。   Application Example 17 In the above-described detection element manufacturing method, in the step of forming the hole, the hole and the through hole are integrally formed into one opening. Production method.

この適用例では、ホールと貫通孔とを１つの開口に統合して形成するので、ホールと貫通孔とを互いに異なる開口で形成する場合に比較して、開口を広くすることができる。この結果、ホール及び貫通孔の形成にかかる時間を短縮しやすくすることができる。   In this application example, since the hole and the through hole are formed integrally in one opening, the opening can be widened as compared with the case where the hole and the through hole are formed with different openings. As a result, it is possible to easily shorten the time required for forming the holes and the through holes.

本実施形態におけるカメラの主要構成を示すブロック図。FIG. 2 is a block diagram illustrating a main configuration of a camera according to the present embodiment. 本実施形態における撮像ユニットの主要構成を示すブロック図。FIG. 2 is a block diagram illustrating a main configuration of an imaging unit in the present embodiment. 本実施形態における撮像デバイスの等価回路図。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the imaging device according to the present embodiment. 本実施形態における検出素子を示す平面図。The top view which shows the detection element in this embodiment. 第１実施形態における検出素子を図４中のＡ−Ａ線で切断したときの断面図。Sectional drawing when the detection element in 1st Embodiment is cut | disconnected by the AA in FIG. 第１実施形態における撮像デバイスとＩＣとの接続を説明する図。FIG. 3 is a diagram for explaining connection between an imaging device and an IC according to the first embodiment. 第１実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 1st Embodiment. 第１実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 1st Embodiment. 第１実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 1st Embodiment. 第１実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 1st Embodiment. 第１実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 1st Embodiment. 第２実施形態における撮像ユニットを示す断面図。Sectional drawing which shows the imaging unit in 2nd Embodiment. 第２実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 2nd Embodiment. 第２実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 2nd Embodiment. 第２実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 2nd Embodiment. 第２実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the imaging device in 2nd Embodiment. 第２実施形態におけるホールの他の例を示す平面図。The top view which shows the other example of the hole in 2nd Embodiment. 本実施形態における運転支援装置の主要構成を示すブロック図。The block diagram which shows the main structures of the driving assistance device in this embodiment. 本実施形態における運転支援装置を搭載した自動車を示す斜視図。The perspective view which shows the motor vehicle carrying the driving assistance device in this embodiment. 本実施形態におけるセキュリティー機器の主要構成を示すブロック図。The block diagram which shows the main structures of the security apparatus in this embodiment. 本実施形態におけるセキュリティー機器が設置された家を示す模式図。The schematic diagram which shows the house in which the security apparatus in this embodiment was installed. 本実施形態におけるゲーム機器の主要構成を示す模式図。The schematic diagram which shows the main structures of the game device in this embodiment. 本実施形態におけるゲーム機器のコントローラーの主要構成を示すブロック図。The block diagram which shows the main structures of the controller of the game device in this embodiment. 本実施形態における体温測定装置の主要構成を示すブロック図。The block diagram which shows the main structures of the body temperature measuring apparatus in this embodiment. 本実施形態における特定物質探知装置の主要構成を示すブロック図。The block diagram which shows the main structures of the specific substance detection apparatus in this embodiment.

電子機器の１つであるカメラを例に、実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態におけるカメラ１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、撮像ユニット５と、画像処理部７と、制御部９と、記憶部１１と、操作部１３と、表示部１５と、を含む。画像処理部７と、制御部９と、記憶部１１と、操作部１３と、表示部１５とは、バス１７を介して相互に接続されている。
光学系３は、物体からの電磁波を取り込み、その物体からの電磁波を像面に集めることによって、像面に物体の像を結像させる。 An embodiment will be described with reference to the drawings, taking a camera which is one of electronic devices as an example.
As shown in FIG. 1 which is a block diagram showing the main configuration of the camera 1 in this embodiment, an optical system 3, an imaging unit 5, an image processing unit 7, a control unit 9, a storage unit 11, and an operation Unit 13 and display unit 15. The image processing unit 7, the control unit 9, the storage unit 11, the operation unit 13, and the display unit 15 are connected to each other via a bus 17.
The optical system 3 takes an electromagnetic wave from the object and collects the electromagnetic wave from the object on the image plane, thereby forming an image of the object on the image plane.

撮像ユニット５は、電子デバイスの１つである撮像デバイス１９を有している。撮像デバイス１９は、後述する複数の検出素子を有している。検出素子は、電磁波を吸収し、吸収した電磁波の量に応じて特性を変化させる。そして、検出素子は、特性の変化を電気信号として出力する。つまり、検出素子は、電磁波を検出し、検出した電磁波の量に応じた信号を出力する。上述した光学系３によって取り込まれた物体からの電磁波は、撮像デバイス１９に像として結像される。結像された像における電磁波量の分布が、複数の検出素子によって検知される。結像された像における電磁波量の分布は、画像として表現され得る。このため、本実施形態では、検出素子は、撮像素子として機能する。
なお、撮像ユニット５は、撮像デバイス１９によって検知された像における電磁波量の分布を画像データＶＤとして画像処理部７に出力する。 The imaging unit 5 includes an imaging device 19 that is one of electronic devices. The imaging device 19 has a plurality of detection elements to be described later. The detection element absorbs electromagnetic waves and changes the characteristics according to the amount of absorbed electromagnetic waves. The detection element outputs the change in characteristics as an electrical signal. That is, the detection element detects an electromagnetic wave and outputs a signal corresponding to the amount of the detected electromagnetic wave. The electromagnetic wave from the object taken in by the optical system 3 described above is formed as an image on the imaging device 19. The distribution of the electromagnetic wave amount in the formed image is detected by a plurality of detection elements. The distribution of the electromagnetic wave amount in the formed image can be expressed as an image. For this reason, in this embodiment, a detection element functions as an image sensor.
The imaging unit 5 outputs the distribution of the electromagnetic wave amount in the image detected by the imaging device 19 to the image processing unit 7 as image data VD.

画像処理部７は、画像データＶＤに示される画像に対して、補正処理などの各種の画像処理を行う。
制御部９は、カメラ１における各構成の動作を制御する。
記憶部１１は、各種の情報を記憶している。記憶部１１には、カメラ１における動作の制御手順が記述されたプログラムソフトを記憶する領域や、各種のデータを一時的に展開する領域などが設定されている。
操作部１３は、操作者がカメラ１を操作するためのインターフェースとなるものであり、各種の入力ボタンなどを有している。
表示部１５は、画像データＶＤに示される画像を表示するものである。 The image processing unit 7 performs various types of image processing such as correction processing on the image indicated by the image data VD.
The control unit 9 controls the operation of each component in the camera 1.
The storage unit 11 stores various types of information. In the storage unit 11, an area for storing program software in which a control procedure of the operation in the camera 1 is described, an area for temporarily developing various data, and the like are set.
The operation unit 13 is an interface for an operator to operate the camera 1 and includes various input buttons.
The display unit 15 displays an image indicated by the image data VD.

上記の構成を有するカメラ１によれば、物体を撮像し、撮像した物体を画像として表示することができる。
なお、本実施形態では、撮像デバイス１９の検出素子として、電磁波の一種である赤外線を検出することができる検出素子が採用されている。これにより、カメラ１をサーモグラフィーや、暗視装置などとして活用することができる。 According to the camera 1 having the above configuration, an object can be imaged and the captured object can be displayed as an image.
In the present embodiment, a detection element that can detect infrared rays, which is a type of electromagnetic wave, is employed as the detection element of the imaging device 19. Thereby, the camera 1 can be utilized as a thermography or a night vision device.

撮像ユニット５は、主要構成を示すブロック図である図２に示すように、撮像デバイス１９と、選択回路２１と、読み出し回路２３と、Ａ／Ｄ変換部２５と、制御回路２７と、を含む。選択回路２１と、読み出し回路２３と、Ａ／Ｄ変換部２５と、制御回路２７とは、１つのＩＣ（Integrated Circuit）２９として構成されている。
撮像デバイス１９には、複数の検出素子３１が設けられている。複数の検出素子３１は、図中のＸ方向及びＹ方向に配列している。Ｘ方向及びＹ方向は、互いに交差する２つの方向である。そして、複数の検出素子３１は、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスを構成している。
本実施形態では、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の検出素子３１が、１つの素子列ＣＬを構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の検出素子３１が、１つの素子行ＬＮを構成している。 The imaging unit 5 includes an imaging device 19, a selection circuit 21, a readout circuit 23, an A / D conversion unit 25, and a control circuit 27, as shown in FIG. 2 which is a block diagram showing the main configuration. . The selection circuit 21, the readout circuit 23, the A / D conversion unit 25, and the control circuit 27 are configured as one IC (Integrated Circuit) 29.
The imaging device 19 is provided with a plurality of detection elements 31. The plurality of detection elements 31 are arranged in the X direction and the Y direction in the drawing. The X direction and the Y direction are two directions that intersect each other. The plurality of detection elements 31 form a matrix in which the X direction is the row direction and the Y direction is the column direction.
In the present embodiment, a plurality of detection elements 31 arranged along the Y direction constitute one element row CL. In addition, a plurality of detection elements 31 arranged along the X direction constitute one element row LN.

本実施形態では、撮像デバイス１９は、ｎ本（ｎは、１以上の整数）の素子行ＬＮと、ｍ本（ｍは、１以上の整数）の素子列ＣＬとを有している。つまり、本実施形態では、複数の検出素子３１が、ｎ行×ｍ列のマトリクスを構成している。
なお、以下において、ｎ本の素子行ＬＮが個々に識別される場合に、素子行ＬＮ（ｉ）という表記が用いられる。ｉは、１以上且つｎ以下の整数である。また、ｍ本の素子列ＣＬが個々に識別される場合に、素子列ＣＬ（ｊ）という表記が用いられる。ｊは、１以上且つｍ以下の整数である。 In the present embodiment, the imaging device 19 includes n (n is an integer of 1 or more) element rows LN and m (m is an integer of 1 or more) element columns CL. That is, in the present embodiment, the plurality of detection elements 31 constitute an n-row × m-column matrix.
Hereinafter, when n element rows LN are individually identified, the notation of element row LN (i) is used. i is an integer of 1 or more and n or less. In addition, when the m element rows CL are individually identified, the notation of the element row CL (j) is used. j is an integer of 1 or more and m or less.

ここで、撮像デバイス１９は、等価回路図である図３に示すように、ｎ本の選択線Ｔと、ｍ本の信号線Ｓと、を有している。ｎ本の選択線Ｔは、相互に間隔をあけてＹ方向に並んでいる。ｎ本の選択線Ｔは、それぞれ、Ｘ方向に延在している。ｍ本の信号線Ｓは、相互に間隔をあけてＸ方向に並んでいる。ｍ本の信号線Ｓは、それぞれ、Ｙ方向に延在している。
選択線Ｔは、素子行ＬＮごとに設けられている。また、信号線Ｓは、素子列ＣＬごとに設けられている。つまり、１本の素子行ＬＮが１本の走査線Ｔに対応し、１本の素子列ＣＬが１本の信号線Ｓに対応している。このため、以下において、ｎ本の選択線Ｔが個々に識別される場合に、選択線Ｔ（ｉ）という表記が用いられる。また、ｍ本の信号線Ｓが個々に識別される場合に、信号線Ｓ（ｊ）という表記が用いられる。 Here, the imaging device 19 has n selection lines T and m signal lines S as shown in FIG. 3 which is an equivalent circuit diagram. The n selection lines T are arranged in the Y direction at intervals. Each of the n selection lines T extends in the X direction. The m signal lines S are arranged in the X direction with a space between each other. Each of the m signal lines S extends in the Y direction.
The selection line T is provided for each element row LN. The signal line S is provided for each element column CL. That is, one element row LN corresponds to one scanning line T, and one element column CL corresponds to one signal line S. For this reason, in the following, when n selection lines T are individually identified, the notation of selection line T (i) is used. When m signal lines S are individually identified, the notation of signal line S (j) is used.

本実施形態では、検出素子３１は、キャパシター３７を有している。素子行ＬＮごとに、キャパシター３７の一方の電極は、対応する選択線Ｔに電気的に接続されている。また、素子列ＣＬごとに、キャパシター３７の他方の電極は、対応する信号線Ｓに電気的に接続されている。このため、検出素子３１は、選択線Ｔと信号線Ｓとの交差に対応して設けられているともみなされ得る。
図２に示す選択回路２１は、撮像デバイス１９の各選択線Ｔに電気的に接続されている。選択回路２１は、ｎ本の選択線Ｔに対して１本ずつ順次に選択信号を出力する（選択処理）。これにより、撮像デバイス１９において、ｎ本の素子行ＬＮが１本ずつ順次に選択されることになる。
読み出し回路２３は、撮像デバイス１９の各信号線Ｓに電気的に接続されている。読み出し回路２３は、ｍ本の信号線Ｓを介して、複数の検出素子３１から選択されている素子行ＬＮ単位で検出信号を読み出す（読み出し処理）。検出信号には、検出素子３１が検知した赤外線の光量に応じた信号値が反映されている。 In the present embodiment, the detection element 31 includes a capacitor 37. For each element row LN, one electrode of the capacitor 37 is electrically connected to the corresponding selection line T. For each element row CL, the other electrode of the capacitor 37 is electrically connected to the corresponding signal line S. For this reason, it can be considered that the detection element 31 is provided corresponding to the intersection of the selection line T and the signal line S.
The selection circuit 21 illustrated in FIG. 2 is electrically connected to each selection line T of the imaging device 19. The selection circuit 21 sequentially outputs selection signals one by one to the n selection lines T (selection processing). Thereby, in the imaging device 19, n element rows LN are sequentially selected one by one.
The readout circuit 23 is electrically connected to each signal line S of the imaging device 19. The readout circuit 23 reads out the detection signal in units of element rows LN selected from the plurality of detection elements 31 via the m signal lines S (reading process). In the detection signal, a signal value corresponding to the amount of infrared light detected by the detection element 31 is reflected.

Ａ／Ｄ変換部２５は、読み出し回路２３に電気的に接続されている。Ａ／Ｄ変換部２５は、読み出し回路２３が読み出した検出信号のアナログデータをデジタルデータの画像データＶＤに変換して出力する（Ａ／Ｄ変換処理）。
制御回路２７は、選択回路２１、読み出し回路２３、及びＡ／Ｄ変換部２５のそれぞれの駆動を個別に制御する。制御回路２７によって、選択処理、読み出し処理、及びＡ／Ｄ変換処理が制御される。 The A / D conversion unit 25 is electrically connected to the readout circuit 23. The A / D converter 25 converts the analog data of the detection signal read by the reading circuit 23 into image data VD of digital data and outputs it (A / D conversion processing).
The control circuit 27 individually controls the driving of the selection circuit 21, the readout circuit 23, and the A / D conversion unit 25. The control circuit 27 controls selection processing, reading processing, and A / D conversion processing.

（第１実施形態）
第１実施形態における検出素子３１は、平面図である図４に示すように、素子基板５１と、検出部５２と、を有している。
素子基板５１は、図４中のＡ−Ａ線における断面図である図５（ａ）に示すように、基板５３と、支持層６１と、を有している。
基板５３は、例えばガラスや石英、シリコンなどで構成されており、検出部５２側に向く面である第１面５３ａと、第１面５３ａとは反対側に向く面である第２面５３ｂとを有している。本実施形態では、基板５３の材料としてシリコンが採用されている。以下において、基板５３の第１面５３ａ側を上側と呼び、基板５３の第２面５３ｂ側を下側と呼ぶことがある。 (First embodiment)
As shown in FIG. 4 which is a plan view, the detection element 31 in the first embodiment includes an element substrate 51 and a detection unit 52.
The element substrate 51 includes a substrate 53 and a support layer 61 as shown in FIG. 5A which is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
The substrate 53 is made of, for example, glass, quartz, silicon, or the like, and includes a first surface 53a that is a surface facing the detection unit 52 side, and a second surface 53b that is a surface facing the first surface 53a. have. In this embodiment, silicon is used as the material of the substrate 53. Hereinafter, the first surface 53a side of the substrate 53 may be referred to as the upper side, and the second surface 53b side of the substrate 53 may be referred to as the lower side.

基板５３には、第１面５３ａ側（上側）に、第２面５３ｂ側（下側）に向かって凹となる凹部５６が設けられている。凹部５６の第２面５３ｂ側には、基板５３の凹部５６と第２面５３ｂとの間を貫通するホール５８が設けられている。凹部５６とホール５８とは、互いに連通している。
支持層６１は、基板５３の第１面５３ａ側に設けられている。凹部５６において、支持層６１は、凹部５６から離間している。凹部５６は、基板５３の第１面５３ａ側から支持層６１によって覆われている。凹部５６と支持層６１とによって、空洞部６７が構成されている。空洞部６７は、凹部５６と支持層６１とによって囲まれた領域である。支持層６１の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、支持層６１として、酸化シリコンが採用されている。
検出部５２は、支持層６１の基板５３側とは反対側（支持層６１の上側）に設けられている。検出部５２は、支持層６１の基板５３側とは反対側において、平面視で空洞部６７に重なる領域に設けられている。 The substrate 53 is provided with a concave portion 56 that is concave toward the second surface 53b side (lower side) on the first surface 53a side (upper side). A hole 58 is provided on the second surface 53b side of the recess 56 so as to penetrate between the recess 56 of the substrate 53 and the second surface 53b. The recess 56 and the hole 58 communicate with each other.
The support layer 61 is provided on the first surface 53 a side of the substrate 53. In the recess 56, the support layer 61 is separated from the recess 56. The recess 56 is covered with a support layer 61 from the first surface 53 a side of the substrate 53. A cavity 67 is constituted by the recess 56 and the support layer 61. The cavity 67 is a region surrounded by the recess 56 and the support layer 61. As the material of the support layer 61, for example, silicon oxide or silicon nitride can be employed. In the present embodiment, silicon oxide is employed as the support layer 61.
The detection unit 52 is provided on the opposite side of the support layer 61 from the substrate 53 side (upper side of the support layer 61). The detector 52 is provided in a region overlapping the cavity 67 in plan view on the opposite side of the support layer 61 from the substrate 53 side.

検出部５２は、図５（ａ）中の検出部５２の拡大図である図５（ｂ）に示すように、キャパシター３７と、絶縁膜７３と、第１配線７５と、第２配線７７と、絶縁膜７９と、吸収層８１と、を有している。
キャパシター３７は、支持層６１の上側に設けられており、第１電極８５と、焦電体８７と、第２電極８９と、を有している。
第１電極８５は、支持層６１の上側に設けられている。焦電体８７は、第１電極８５の支持層６１側とは反対側、すなわち第１電極８５の上側に設けられている。第２電極８９は、焦電体８７の第１電極８５側とは反対側、すなわち焦電体８７の上側に設けられている。
本実施形態では、第１電極８５及び第２電極８９として、それぞれ、イリジウム、酸化イリジウム、及び白金をこの順に積層した構成が採用されている。
また、焦電体８７の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）や、ＰＺＴにニオブ（Ｎｂ）を添加したＰＺＴＮなどが採用され得る。 As shown in FIG. 5B, which is an enlarged view of the detection unit 52 in FIG. 5A, the detection unit 52 includes a capacitor 37, an insulating film 73, a first wiring 75, and a second wiring 77. And an insulating film 79 and an absorption layer 81.
The capacitor 37 is provided on the upper side of the support layer 61 and includes a first electrode 85, a pyroelectric body 87, and a second electrode 89.
The first electrode 85 is provided on the upper side of the support layer 61. The pyroelectric body 87 is provided on the opposite side of the first electrode 85 from the support layer 61 side, that is, on the upper side of the first electrode 85. The second electrode 89 is provided on the opposite side of the pyroelectric body 87 from the first electrode 85 side, that is, on the upper side of the pyroelectric body 87.
In the present embodiment, a configuration in which iridium, iridium oxide, and platinum are stacked in this order as the first electrode 85 and the second electrode 89 is employed.
As a material of the pyroelectric material 87, lead zirconate titanate (PZT), PZTN obtained by adding niobium (Nb) to PZT, or the like can be used.

絶縁膜７３は、キャパシター３７の支持層６１側とは反対側、すなわちキャパシター３７の上側に設けられている。絶縁膜７３は、キャパシター３７を上側から覆っている。絶縁膜７３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。
絶縁膜７３には、第１電極８５に重なる部位に、コンタクトホール７４ａが設けられている。また、絶縁膜７３には、第２電極８９に重なる部位に、コンタクトホール７４ｂが設けられている。
第１配線７５及び第２配線７７は、それぞれ、絶縁膜７３のキャパシター３７側とは反対側、すなわち絶縁膜７３の上側に設けられている。第１配線７５は、コンタクトホール７４ａを介して第１電極８５に電気的に接続されている。第２配線７７は、コンタクトホール７４ｂを介して第２電極８９に電気的に接続されている。なお、第１配線７５及び第２配線７７の材料としては、それぞれ、アルミニウムなどの金属が採用され得る。 The insulating film 73 is provided on the opposite side of the capacitor 37 from the support layer 61 side, that is, on the upper side of the capacitor 37. The insulating film 73 covers the capacitor 37 from above. As a material of the insulating film 73, for example, silicon oxide or silicon nitride can be employed.
A contact hole 74 a is provided in the insulating film 73 at a portion overlapping the first electrode 85. In addition, a contact hole 74 b is provided in the insulating film 73 at a portion overlapping the second electrode 89.
The first wiring 75 and the second wiring 77 are provided on the opposite side of the insulating film 73 from the capacitor 37 side, that is, on the insulating film 73. The first wiring 75 is electrically connected to the first electrode 85 through the contact hole 74a. The second wiring 77 is electrically connected to the second electrode 89 through the contact hole 74b. In addition, as a material of the 1st wiring 75 and the 2nd wiring 77, metals, such as aluminum, respectively can be employ | adopted.

絶縁膜７９は、第１配線７５及び第２配線７７の上側に設けられており、第１配線７５、第２配線７７及びキャパシター３７を上側から覆っている。なお、第１配線７５と第２配線７７とは、互いに離間している。互いに離間している第１配線７５と第２配線７７との間には、絶縁膜７９が介在している。このため、第１配線７５と第２配線７７との間の絶縁性が確保されている。絶縁膜７９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。
吸収層８１は、絶縁膜７９の上側において、平面視でキャパシター３７に重なる領域に設けられている。吸収層８１は、検出素子３１の上側から検出素子３１に入射する赤外線を吸収する機能を有する。吸収層８１の材料としては、酸化シリコンや窒化シリコンの他、窒化アルミニウムやチタンアルミニウムの窒化物などが採用され得る。本実施形態では、吸収層８１の材料として、酸化シリコン及び窒化シリコンが採用されている。 The insulating film 79 is provided above the first wiring 75 and the second wiring 77, and covers the first wiring 75, the second wiring 77, and the capacitor 37 from above. The first wiring 75 and the second wiring 77 are separated from each other. An insulating film 79 is interposed between the first wiring 75 and the second wiring 77 that are separated from each other. For this reason, the insulation between the 1st wiring 75 and the 2nd wiring 77 is ensured. As a material of the insulating film 79, for example, silicon oxide or silicon nitride can be employed.
The absorption layer 81 is provided on the upper side of the insulating film 79 in a region overlapping the capacitor 37 in plan view. The absorption layer 81 has a function of absorbing infrared rays that enter the detection element 31 from above the detection element 31. As a material of the absorption layer 81, a nitride of aluminum nitride, titanium aluminum, or the like can be employed in addition to silicon oxide or silicon nitride. In the present embodiment, silicon oxide and silicon nitride are employed as the material of the absorption layer 81.

第１配線７５は、図５（ａ）に示すように、凹部５６に重なる領域から、凹部５６に重なる領域よりも外側に延在している。第２配線７７も、凹部５６に重なる領域から、凹部５６に重なる領域よりも外側に延在している。
撮像デバイス１９には、複数のビア配線９１が設けられている。本実施形態では、１つの検出素子３１に対して２つのビア配線９１が設けられている。以下において、１つの検出素子３１に対応する２つのビア配線９１のそれぞれを識別する場合に、２つのビア配線９１は、それぞれ、ビア配線９１ａ及びビア配線９１ｂと表記される。
ビア配線９１ａは、第１配線７５を介して第１電極８５に電気的に接続されている。ビア配線９１ｂは、第２配線７７を介して第２電極８９に電気的に接続されている。
ビア配線９１ａは、平面視で、凹部５６に重なる領域よりも外側に設けられており、素子基板５１を支持層６１から基板５３の第２面５３ｂまで貫通している。また、ビア配線９１ｂも、平面視で、凹部５６に重なる領域よりも外側に設けられており、素子基板５１を支持層６１から基板５３の第２面５３ｂまで貫通している。 As shown in FIG. 5A, the first wiring 75 extends from the region overlapping the recess 56 to the outside of the region overlapping the recess 56. The second wiring 77 also extends from the region overlapping the recess 56 to the outside of the region overlapping the recess 56.
The imaging device 19 is provided with a plurality of via wirings 91. In the present embodiment, two via wirings 91 are provided for one detection element 31. In the following, when each of the two via wirings 91 corresponding to one detection element 31 is identified, the two via wirings 91 are represented as a via wiring 91a and a via wiring 91b, respectively.
The via wiring 91 a is electrically connected to the first electrode 85 through the first wiring 75. The via wiring 91 b is electrically connected to the second electrode 89 through the second wiring 77.
The via wiring 91 a is provided outside the region overlapping the recess 56 in plan view, and penetrates the element substrate 51 from the support layer 61 to the second surface 53 b of the substrate 53. The via wiring 91 b is also provided outside the region overlapping the recess 56 in plan view, and penetrates the element substrate 51 from the support layer 61 to the second surface 53 b of the substrate 53.

上記の構成を有する検出素子３１は、図６に示すように、ビア配線９１ａ及びビア配線９１ｂを介して、前述したＩＣ２９に電気的に接続されている。これにより、撮像ユニット５が構成される。
ＩＣ２９には、複数のパッド９５が設けられている。複数のパッド９５は、それぞれ、読み出し回路２３や選択回路２１（図２）などに電気的につながっている。
検出素子３１において、第１電極８５は、第１配線７５及びビア配線９１ａを介してＩＣ２９のパッド９５に電気的に接続されている。また、第２電極８９は、第２配線７７及びビア配線９１ｂを介してＩＣ２９のパッド９５に電気的に接続されている。
このため、検出素子３１の第１電極８５及び第２電極８９は、それぞれ、ＩＣ２９における読み出し回路２３や選択回路２１に電気的に接続され得る。 As shown in FIG. 6, the detection element 31 having the above-described configuration is electrically connected to the above-described IC 29 through a via wiring 91a and a via wiring 91b. Thereby, the imaging unit 5 is configured.
The IC 29 is provided with a plurality of pads 95. The plurality of pads 95 are electrically connected to the readout circuit 23, the selection circuit 21 (FIG. 2), and the like, respectively.
In the detection element 31, the first electrode 85 is electrically connected to the pad 95 of the IC 29 through the first wiring 75 and the via wiring 91 a. The second electrode 89 is electrically connected to the pad 95 of the IC 29 through the second wiring 77 and the via wiring 91b.
Therefore, the first electrode 85 and the second electrode 89 of the detection element 31 can be electrically connected to the readout circuit 23 and the selection circuit 21 in the IC 29, respectively.

複数のパッド９５は、それぞれ、撮像デバイス１９における１つのビア配線９１に対応して設けられている。つまり、１つのビア配線９１に対して１つのパッド９５が設けられている。以下において、複数のパッド９５を、ビア配線９１ａとビア配線９１ｂとで識別する場合に、ビア配線９１ａに対応するパッド９５がパッド９５ａと表記され、ビア配線９１ｂに対応するパッド９５がパッド９５ｂと表記される。   The plurality of pads 95 are respectively provided corresponding to one via wiring 91 in the imaging device 19. That is, one pad 95 is provided for one via wiring 91. Hereinafter, when a plurality of pads 95 are identified by the via wiring 91a and the via wiring 91b, the pad 95 corresponding to the via wiring 91a is referred to as a pad 95a, and the pad 95 corresponding to the via wiring 91b is referred to as a pad 95b. It is written.

ＩＣ２９は、第１面９７ａと、第１面９７ａとは反対側の面である第２面９７ｂと、を有している。パッド９５ａ及びパッド９５ｂは、第１面９７ａに設けられている。撮像デバイス１９とＩＣ２９とを互いに積層することによって、撮像デバイス１９（検出素子３１）とＩＣ２９と間の接続が達成される。撮像デバイス１９とＩＣ２９と間の接続は、撮像デバイス１９の第２面５３ｂと、ＩＣ２９の第１面９７ａとを互いに対面させた状態で、撮像デバイス１９とＩＣ２９とを積層することによって達成される。そして、ビア配線９１ａとパッド９５ａとの間、及び、ビア配線９１ｂとパッド９５ｂとの間を、それぞれ、ハンダなどを介して電気的に接続することによって、検出素子３１とＩＣ２９との間の電気的な接続が達成される。
このように、撮像デバイス１９とＩＣ２９とを積層することによって、撮像ユニット５の省スペース化が図られている。 IC29 has the 1st surface 97a and the 2nd surface 97b which is a surface on the opposite side to the 1st surface 97a. The pad 95a and the pad 95b are provided on the first surface 97a. By stacking the imaging device 19 and the IC 29 on each other, the connection between the imaging device 19 (detection element 31) and the IC 29 is achieved. The connection between the imaging device 19 and the IC 29 is achieved by stacking the imaging device 19 and the IC 29 in a state where the second surface 53b of the imaging device 19 and the first surface 97a of the IC 29 face each other. . Then, the electrical connection between the detection element 31 and the IC 29 is achieved by electrically connecting the via wiring 91a and the pad 95a and the via wiring 91b and the pad 95b through solder or the like. Connection is achieved.
As described above, the imaging unit 5 and the IC 29 are stacked to save the space of the imaging unit 5.

上記の構成を有する検出素子３１では、検出素子３１の上側から照射される赤外線を吸収層８１が吸収する。赤外線を吸収した吸収層８１は、吸収した赤外線の量に応じて発熱する。吸収層８１が発した熱は、キャパシター３７に伝達される。
キャパシター３７では、伝達された熱に応じて電気的な特性が変化する。この電気的な特性の変化によって、赤外線の量を検出することができる。本実施形態では、キャパシター３７の焦電体８７の分極量が変化する。つまり、本実施形態では、電気的な特性の１つである焦電体８７の分極量の変化によって、赤外線の量が検出され得る。 In the detection element 31 having the above configuration, the absorption layer 81 absorbs infrared rays irradiated from the upper side of the detection element 31. The absorption layer 81 that has absorbed infrared rays generates heat in accordance with the amount of infrared rays that have been absorbed. The heat generated by the absorption layer 81 is transmitted to the capacitor 37.
In the capacitor 37, the electrical characteristics change according to the transferred heat. The amount of infrared rays can be detected by this change in electrical characteristics. In the present embodiment, the amount of polarization of the pyroelectric body 87 of the capacitor 37 changes. That is, in the present embodiment, the amount of infrared light can be detected by a change in the polarization amount of the pyroelectric body 87, which is one of the electrical characteristics.

撮像デバイス１９の製造方法について説明する。
撮像デバイス１９の製造方法では、まず、図７（ａ）に示すように、基板５３の第１面５３ａに支持層６１を形成する。支持層６１は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。
なお、基板５３は、第２面５３ｃを有している。第２面５３ｃは、第１面５３ａとは反対側、すなわち第１面５３ａの裏面側の面である。後に、基板５３の第２面５３ｃ側が研磨され、図５（ａ）に示す第２面５３ｂが出現する。研磨については、詳細を後述する。
支持層６１の形成に次いで、図７（ｂ）に示すように、支持層６１の基板５３側とは反対側に第１電極８５を形成する。第１電極８５は、スパッタリング法で金属の膜を形成してから、この金属の膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。 A method for manufacturing the imaging device 19 will be described.
In the method for manufacturing the imaging device 19, first, as shown in FIG. 7A, the support layer 61 is formed on the first surface 53 a of the substrate 53. The support layer 61 can be formed by using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method to form a silicon oxide film.
The substrate 53 has a second surface 53c. The second surface 53c is a surface opposite to the first surface 53a, that is, a surface on the back surface side of the first surface 53a. Later, the second surface 53c side of the substrate 53 is polished, and a second surface 53b shown in FIG. 5A appears. Details of the polishing will be described later.
Following the formation of the support layer 61, as shown in FIG. 7B, the first electrode 85 is formed on the opposite side of the support layer 61 from the substrate 53 side. The first electrode 85 may be formed by forming a metal film by a sputtering method and then patterning the metal film by utilizing a photolithography method and an etching method.

次いで、図７（ｃ）に示すように、第１電極８５の上側に焦電体８７を形成してから、焦電体８７の上側に第２電極８９を形成する。
焦電体８７及び第２電極８９の形成では、まず、第１電極８５の上側に、焦電体８７の材料となる物質を塗布して加熱することにより、第１電極８５を覆う膜を形成する。
次いで、焦電体８７の材料で形成した膜の上側に、スパッタリング法で金属の膜を形成する。
次いで、焦電体８７の材料で形成した膜とこの膜の上側に形成した金属の膜とを、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングする。これにより、焦電体８７及び第２電極８９が形成され、キャパシター３７が形成され得る。 Next, as shown in FIG. 7C, the pyroelectric body 87 is formed on the upper side of the first electrode 85, and then the second electrode 89 is formed on the upper side of the pyroelectric body 87.
In the formation of the pyroelectric body 87 and the second electrode 89, first, a film that covers the first electrode 85 is formed on the upper side of the first electrode 85 by applying and heating a material that is the material of the pyroelectric body 87. To do.
Next, a metal film is formed on the upper side of the film formed of the material of the pyroelectric body 87 by a sputtering method.
Next, a film formed of the material of the pyroelectric body 87 and a metal film formed on the upper side of the film are patterned by utilizing a photolithography method and an etching method. Thereby, the pyroelectric body 87 and the second electrode 89 are formed, and the capacitor 37 can be formed.

次いで、図７（ｄ）に示すように、キャパシター３７の上側に絶縁膜７３を形成する。絶縁膜７３は、ＣＶＤ法でキャパシター３７を覆う膜を形成してから、この膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。このパターニングのときに、コンタクトホール７４ａ及びコンタクトホール７４ｂも形成する。
次いで、図８（ａ）に示すように、第１配線７５及び第２配線７７を形成する。第１配線７５及び第２配線７７は、スパッタリング法で金属の膜を形成してから、この金属の膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、図８（ｂ）に示すように、第１配線７５及び第２配線７７の上側に、第１配線７５、第２配線７７及びキャパシター３７を覆う絶縁膜７９を形成する。絶縁膜７９は、ＣＶＤ法で第１配線７５、第２配線７７及びキャパシター３７を覆う膜を形成してから、この膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、図８（ｃ）に示すように、絶縁膜７９の上側において、平面視でキャパシター３７に重なる領域に吸収層８１を形成する。吸収層８１は、ＣＶＤ法で酸化シリコン及び窒化シリコンの積層膜を形成してから、この積層膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。 Next, as shown in FIG. 7D, an insulating film 73 is formed on the upper side of the capacitor 37. The insulating film 73 can be formed by forming a film that covers the capacitor 37 by a CVD method and then patterning the film by utilizing a photolithography method and an etching method. At the time of this patterning, a contact hole 74a and a contact hole 74b are also formed.
Next, as shown in FIG. 8A, the first wiring 75 and the second wiring 77 are formed. The first wiring 75 and the second wiring 77 can be formed by forming a metal film by a sputtering method and then patterning the metal film using a photolithography method and an etching method.
Next, as illustrated in FIG. 8B, an insulating film 79 that covers the first wiring 75, the second wiring 77, and the capacitor 37 is formed above the first wiring 75 and the second wiring 77. The insulating film 79 can be formed by forming a film that covers the first wiring 75, the second wiring 77, and the capacitor 37 by a CVD method, and then patterning the film using a photolithography method and an etching method.
Next, as illustrated in FIG. 8C, an absorption layer 81 is formed on the upper side of the insulating film 79 in a region overlapping the capacitor 37 in plan view. The absorption layer 81 can be formed by forming a laminated film of silicon oxide and silicon nitride by a CVD method and then patterning the laminated film by utilizing a photolithography method and an etching method.

次いで、図８（ｄ）に示すように、基板５３を第２面５３ｃ側から薄くすることによって、第２面５３ｂを出現させる。基板５３は、グラインダーや研削盤などによる研削や、ＣＭＰ法を活用することによって、薄くされ得る。なお、基板５３を薄くする際に、例えば、検出部５２の上側から基板５３にサポート基板を施すことによって、基板５３や検出部５２などが保護され得る。
次いで、図９（ａ）に示すように、基板５３を貫通するスルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂを形成する。また、このとき、ホール５８ａも形成する。
スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂは、それぞれ、基板５３の第２面５３ｂから第１面５３ａまで貫通している。スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂは、それぞれ、平面視で、第１電極８５に重なる領域の外側に設けられる。そして、スルーホール１０５ａは、平面視で、第１配線７５に重なる領域内に設けられる。スルーホール１０５ｂは、平面視で、第２配線７７に重なる領域内に設けられる。 Next, as shown in FIG. 8D, the second surface 53b appears by thinning the substrate 53 from the second surface 53c side. The substrate 53 can be thinned by grinding with a grinder, a grinding machine, or the like, or by using a CMP method. In addition, when making the board | substrate 53 thin, the board | substrate 53, the detection part 52, etc. can be protected by providing a support substrate to the board | substrate 53 from the upper side of the detection part 52, for example.
Next, as shown in FIG. 9A, a through hole 105a and a through hole 105b penetrating the substrate 53 are formed. At this time, a hole 58a is also formed.
The through hole 105a and the through hole 105b penetrate the substrate 53 from the second surface 53b to the first surface 53a, respectively. The through hole 105a and the through hole 105b are each provided outside the region overlapping the first electrode 85 in plan view. The through hole 105a is provided in a region overlapping the first wiring 75 in plan view. The through hole 105b is provided in a region overlapping the second wiring 77 in plan view.

ホール５８ａは、基板５３を貫通していない。ホール５８ａは、基板５３の第２面５３ｂから基板５３の途中までの領域に設けられる。つまり、ホール５８ａは、基板５３の第２面５３ｂで開口し、第１面５３ａに至る前に行き止まりになっている。ホール５８ａは、平面視で、検出部５２に重なる領域の内側に設けられる。本実施形態では、ホール５８ａは、平面視で、第１電極８５に重なる領域の内側に設けられる。
ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂは、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのエッチングでは、エッチャントとして、例えば、ＳＦ6（六フッ化硫黄）などが採用され得る。ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂは、基板５３の第２面５３ｂ側から第１面５３ａ側に向けて形成される。 The hole 58a does not penetrate the substrate 53. The hole 58 a is provided in a region from the second surface 53 b of the substrate 53 to the middle of the substrate 53. That is, the hole 58a is opened at the second surface 53b of the substrate 53, and is a dead end before reaching the first surface 53a. The hole 58a is provided inside a region overlapping the detection unit 52 in plan view. In the present embodiment, the hole 58a is provided inside a region overlapping the first electrode 85 in plan view.
The hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b can be formed by utilizing a photolithography method and an etching method. In the etching of the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b, for example, SF 6 (sulfur hexafluoride) can be employed as an etchant. The hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b are formed from the second surface 53b side of the substrate 53 toward the first surface 53a side.

ここで、ホール５８ａの開口面積Ａ１は、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの開口面積Ａ２よりも小さい。ホール５８ａの開口面積Ａ１を、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの開口面積Ａ２よりも小さくすることによって、マイクロローディング効果が得られる。マイクロローディング効果により、同じエッチング工程でホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂをいっしょに形成しても、ホール５８ａのエッチングを第１面５３ａに至る前に停止させることができる。これにより、基板５３を貫通するスルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂと、基板５３の途中で行き止まりになるホール５８ａとをいっしょに形成することができる。   Here, the opening area A1 of the hole 58a is smaller than the opening area A2 of each of the through hole 105a and the through hole 105b. By making the opening area A1 of the hole 58a smaller than the opening area A2 of each of the through hole 105a and the through hole 105b, a microloading effect can be obtained. Due to the microloading effect, even if the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b are formed together in the same etching process, the etching of the hole 58a can be stopped before reaching the first surface 53a. As a result, the through hole 105 a and the through hole 105 b that penetrate the substrate 53 and the hole 58 a that stops in the middle of the substrate 53 can be formed together.

ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂの形成に次いで、図９（ｂ）に示すように、支持層６１のスルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれに重なる領域を除去する。支持層６１は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって除去され得る。エッチングとしては、例えば、ＣＦ4（四フッ化炭素）をエッチャントとする異方性のドライエッチングが採用され得る。
次いで、図９（ｃ）に示すように、基板５３の第２面５３ｂ側から、ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの内側を覆う絶縁膜１０７を形成する。絶縁膜１０７は、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）を原料としたＣＶＤ法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。
絶縁膜１０７は、ホール５８ａの内壁と、開口側とは反対側の底部とを覆っている。また、絶縁膜１０７は、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの内壁と、第１配線７５のスルーホール１０５ａで囲まれた領域と、第２配線７７のスルーホール１０５ｂで囲まれた領域とを覆っている。 Subsequent to the formation of the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b, as shown in FIG. 9B, the regions overlapping the through hole 105a and the through hole 105b of the support layer 61 are removed. The support layer 61 can be removed by utilizing a photolithography method and an etching method. As the etching, for example, anisotropic dry etching using CF 4 (carbon tetrafluoride) as an etchant can be employed.
Next, as shown in FIG. 9C, an insulating film 107 that covers the insides of the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b from the second surface 53b side of the substrate 53 is formed. The insulating film 107 can be formed by forming a silicon oxide film using a CVD method using TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) as a raw material.
The insulating film 107 covers the inner wall of the hole 58a and the bottom opposite to the opening side. The insulating film 107 includes inner walls of the through hole 105a and the through hole 105b, a region surrounded by the through hole 105a of the first wiring 75, and a region surrounded by the through hole 105b of the second wiring 77. Covering.

絶縁膜１０７の形成に次いで、図１０（ａ）に示すように、ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの内部において、開口側とは反対側の底部に相当する絶縁膜１０７を除去する。このとき、絶縁膜１０７は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって除去され得る。エッチングとしては、例えば、ＣＦ4をエッチャントとする異方性のドライエッチングが採用され得る。
なお、この段階で、ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの開口面積は、図１０（ａ）に示すように、絶縁膜１０７によって、絶縁膜１０７の形成前に比較して狭くなっている。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、絶縁膜１０７の基板５３側とは反対側において、ホール５８ａに重なる領域に、ホール５８ａの開口を塞ぐマスクパターン１０９を形成する。このとき、マスクパターン１０９は、少なくともスルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれに重なる領域を除いて形成される。マスクパターン１０９としては、例えば、ドライフィルムなどのレジストフィルムが採用され得る。 After the formation of the insulating film 107, as shown in FIG. 10A, the insulating film 107 corresponding to the bottom of the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b opposite to the opening side is removed. To do. At this time, the insulating film 107 can be removed by utilizing a photolithography method and an etching method. As the etching, for example, anisotropic dry etching using CF 4 as an etchant can be employed.
At this stage, the opening area of each of the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b is narrowed by the insulating film 107 as compared with that before the insulating film 107 is formed, as shown in FIG. ing.
Next, as shown in FIG. 10B, a mask pattern 109 for closing the opening of the hole 58a is formed in a region overlapping the hole 58a on the opposite side of the insulating film 107 from the substrate 53 side. At this time, the mask pattern 109 is formed except at least a region overlapping with each of the through hole 105a and the through hole 105b. As the mask pattern 109, for example, a resist film such as a dry film can be employed.

次いで、図１０（ｃ）に示すように、マスクパターン１０９の基板５３側とは反対側から、絶縁膜１０７、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの内側、並びにマスクパターン１０９を覆う金属膜１１１を形成する。金属膜１１１は、例えば、スパッタリング法などを活用することによって形成され得る。金属膜１１１の構成としては、例えば、ＴｉＷ（チタンタングステン）などで構成されるバリア層と、銅などで構成されるメッキシード層とを積層した構成が採用され得る。
なお、この段階で、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの開口面積は、図１０（ｃ）に示すように、金属膜１１１によって、金属膜１１１の形成前に比較して狭くなっている。 Next, as shown in FIG. 10C, from the opposite side of the mask pattern 109 to the substrate 53 side, a metal film 111 covering the inside of each of the insulating film 107, the through hole 105a and the through hole 105b, and the mask pattern 109. Form. The metal film 111 can be formed by utilizing, for example, a sputtering method. As the configuration of the metal film 111, for example, a configuration in which a barrier layer made of TiW (titanium tungsten) or the like and a plating seed layer made of copper or the like are stacked can be adopted.
At this stage, the opening area of each of the through hole 105a and the through hole 105b is narrowed by the metal film 111 as compared with that before the metal film 111 is formed, as shown in FIG.

次いで、マスクパターン１０９をリフトオフ法などで除去することによって、図１１（ａ）に示すように、金属膜１１１をパターニングする。これにより、金属膜１１１は、ホール５８ａに重なる領域を除いて、少なくともスルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれに重なる領域に形成される。そして、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂのそれぞれの内側は、金属膜１１１によって覆われる。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、ホール５８ａの開口を塞ぐマスクパターン１１３を形成してから、金属膜１１１を下地として電解メッキを施すことによって、ビア配線９１ａ及びビア配線９１ｂを形成する。このとき、マスクパターン１１３は、金属膜１１１の基板５３側とは反対側において、ホール５８ａに重なる領域に形成される。
次いで、マスクパターン１１３を除去する。 Next, the metal film 111 is patterned as shown in FIG. 11A by removing the mask pattern 109 by a lift-off method or the like. As a result, the metal film 111 is formed at least in the regions overlapping with the through holes 105a and the through holes 105b, except for the region overlapping with the holes 58a. The inner side of each of the through hole 105 a and the through hole 105 b is covered with the metal film 111.
Next, as shown in FIG. 11B, after forming a mask pattern 113 that closes the opening of the hole 58a, the via wiring 91a and the via wiring 91b are formed by performing electroplating with the metal film 111 as a base. . At this time, the mask pattern 113 is formed in a region overlapping the hole 58a on the opposite side of the metal film 111 from the substrate 53 side.
Next, the mask pattern 113 is removed.

次いで、図１１（ｃ）に示すように、ホール５８ａの開口側とは反対側の底部から、基板５３にエッチング処理を施すことによって、ホール５８ａの検出部５２側に凹部５６を形成する。このとき、凹部５６をホール５８ａにつなげて形成する。そして、凹部５６が基板５３の第１面５３ａに達するまで、エッチング処理を実施する。これにより、ホール５８ａと凹部５６とが互いに連通した状態で、空洞部６７が形成される。そして、基板５３を貫通していなかったホール５８ａは、凹部５６を介して基板５３を貫通するホール５８になる。
なお、このときのエッチング処理では、例えば、ＳＦ6をエッチャントとする等方性のドライエッチングが採用され得る。これにより、ホール５８の開口面積よりも広い開口面積を有する凹部５６を形成することができる。 Next, as shown in FIG. 11C, the substrate 53 is etched from the bottom opposite to the opening side of the hole 58a, thereby forming a recess 56 on the detection portion 52 side of the hole 58a. At this time, the recess 56 is formed by being connected to the hole 58a. Then, the etching process is performed until the concave portion 56 reaches the first surface 53 a of the substrate 53. Thereby, the cavity 67 is formed in a state where the hole 58a and the recess 56 communicate with each other. The hole 58 a that has not penetrated the substrate 53 becomes a hole 58 that penetrates the substrate 53 through the recess 56.
In this etching process, for example, isotropic dry etching using SF 6 as an etchant can be employed. Thereby, the recess 56 having an opening area larger than the opening area of the hole 58 can be formed.

上記により、図５（ａ）に示す撮像デバイス１９が製造され得る。
本実施形態において、撮像ユニット５が撮像モジュールに対応し、基板５３が基部に対応し、ホール５８がホールに対応し、第１配線７５及び第２配線７７が電極に対応し、ＩＣ２９が回路基板に対応している。
本実施形態では、基板５３の検出部５２側とは反対側から基板５３を貫通して空洞部６７に通じるホール５８の開口面積が、空洞部６７の開口面積よりも小さい。このため、空洞部６７の検出部５２側とは反対側には、ホール５８の領域を除いて、基板５３が存在する。換言すれば、空洞部６７は、ホール５８の領域を除いて、検出部５２側とは反対側から基板５３によって覆われている。これにより、空洞部６７に起因する基板５３の剛性の低下を軽減することができる。このため、検出素子３１や撮像デバイス１９の扱いやすさを高めることができるので、検出素子３１や撮像デバイス１９にかかる生産性や効率を高めやすくすることができる。 As described above, the imaging device 19 illustrated in FIG. 5A can be manufactured.
In this embodiment, the imaging unit 5 corresponds to the imaging module, the substrate 53 corresponds to the base, the hole 58 corresponds to the hole, the first wiring 75 and the second wiring 77 correspond to the electrode, and the IC 29 is the circuit board. It corresponds to.
In the present embodiment, the opening area of the hole 58 that penetrates the substrate 53 from the side opposite to the detection unit 52 side of the substrate 53 to the cavity portion 67 is smaller than the opening area of the cavity portion 67. For this reason, the substrate 53 is present on the opposite side of the cavity portion 67 from the detection portion 52 side except for the region of the hole 58. In other words, the cavity portion 67 is covered with the substrate 53 from the side opposite to the detection portion 52 side except for the region of the hole 58. Thereby, a decrease in rigidity of the substrate 53 due to the hollow portion 67 can be reduced. For this reason, since the ease of handling of the detection element 31 and the imaging device 19 can be enhanced, the productivity and efficiency of the detection element 31 and the imaging device 19 can be easily increased.

なお、本実施形態では、ホール５８ａと、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂとをいっしょの工程で形成する方法が採用されているが、ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂの形成方法は、これに限定されない。ホール５８ａ、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂの形成方法としては、ホール５８ａと、スルーホール１０５ａ及びスルーホール１０５ｂとを別の工程で形成する方法も採用され得る。   In the present embodiment, a method of forming the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b in the same process is adopted. However, the method for forming the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b is as follows. It is not limited to. As a method of forming the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b, a method of forming the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b in separate steps may be employed.

（第２実施形態）
第２実施形態における検出素子３１は、図１２に示すように、素子基板１２１を有している。第２実施形態における検出素子３１は、第１実施形態における素子基板５１（図５（ａ））が、図１２に示す素子基板１２１に替えられていることを除いては、第１実施形態における検出素子３１と同様の構成を有している。このため、第２実施形態では、第１実施形態と同じ構成については、第１実施形態と同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。 (Second Embodiment)
As shown in FIG. 12, the detection element 31 in the second embodiment has an element substrate 121. The detection element 31 in the second embodiment is the same as that in the first embodiment, except that the element substrate 51 (FIG. 5A) in the first embodiment is replaced with the element substrate 121 shown in FIG. The configuration is the same as that of the detection element 31. For this reason, in 2nd Embodiment, about the same structure as 1st Embodiment, the code | symbol same as 1st Embodiment is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

素子基板１２１は、図１２に示すように、基板５３と、支持層６１と、ビア配線９１と、を有している。基板５３には、凹部５６と、ホール１２３とが設けられている。第２実施形態においても、凹部５６と支持層６１とによって、空洞部６７が構成されている。空洞部６７は、凹部５６と支持層６１とによって囲まれた領域である。
ホール１２３は、開口部１２５を介して空洞部６７内に連通している。
ビア配線９１は、基板５３の第１面５３ａと第２面５３ｂとの間を、ホール１２３の内壁に沿って貫通している。 As shown in FIG. 12, the element substrate 121 includes a substrate 53, a support layer 61, and via wiring 91. The substrate 53 is provided with a recess 56 and a hole 123. Also in the second embodiment, the hollow portion 67 is configured by the concave portion 56 and the support layer 61. The cavity 67 is a region surrounded by the recess 56 and the support layer 61.
The hole 123 communicates with the inside of the cavity 67 through the opening 125.
The via wiring 91 penetrates between the first surface 53 a and the second surface 53 b of the substrate 53 along the inner wall of the hole 123.

第２実施形態における撮像デバイス１９の製造方法について説明する。第２実施形態では、基板５３に支持層６１を形成する工程（図７（ａ））から基板５３を薄くする工程（図８（ｄ））までの流れが、第１実施形態と同様である。このため、以下において、基板５３に支持層６１を形成する工程（図７（ａ））から基板５３を薄くする工程（図８（ｄ））までの流れの説明を省略する。
第２実施形態における撮像デバイス１９の製造方法では、基板５３を薄くする工程の後に、図１３（ａ）に示すように、基板５３にホール１２３ａを形成する。ホール１２３ａは、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。ホール１２３ａのエッチングでは、エッチャントとして、例えば、ＳＦ6などが採用され得る。ホール１２３ａは、基板５３の第２面５３ｂ側から第１面５３ａ側に向けて形成される。 A method for manufacturing the imaging device 19 in the second embodiment will be described. In the second embodiment, the flow from the step of forming the support layer 61 on the substrate 53 (FIG. 7A) to the step of thinning the substrate 53 (FIG. 8D) is the same as in the first embodiment. . Therefore, in the following, description of the flow from the step of forming the support layer 61 on the substrate 53 (FIG. 7A) to the step of thinning the substrate 53 (FIG. 8D) is omitted.
In the method for manufacturing the imaging device 19 in the second embodiment, after the step of thinning the substrate 53, holes 123a are formed in the substrate 53 as shown in FIG. The hole 123a can be formed by utilizing a photolithography method and an etching method. In the etching of the hole 123a, for example, SF 6 can be employed as an etchant. The hole 123a is formed from the second surface 53b side of the substrate 53 toward the first surface 53a side.

ここで、ホール１２３ａは、２つの貫通領域１２７と、中途領域１２９とに区分され得る。２つの貫通領域１２７は、それぞれ、基板５３の第１面５３ａと第２面５３ｂとの間を貫通している領域である。２つの貫通領域１２７は、それぞれ、平面視で、第１電極８５に重なる領域の外側に設けられる。２つの貫通領域１２７のうちの一方は、平面視で、第１配線７５に重なる領域内に設けられる。２つの貫通領域１２７のうちの他方は、平面視で、第２配線７７に重なる領域内に設けられる。以下において、２つの貫通領域１２７のそれぞれを識別する場合に、第１配線７５に重なる貫通領域１２７が貫通領域１２７ａと表記され、第２配線７７に重なる貫通領域１２７が貫通領域１２７ｂと表記される。   Here, the hole 123a can be divided into two penetrating regions 127 and a midway region 129. The two penetrating regions 127 are regions penetrating between the first surface 53a and the second surface 53b of the substrate 53, respectively. The two penetration regions 127 are each provided outside the region overlapping the first electrode 85 in plan view. One of the two through regions 127 is provided in a region overlapping the first wiring 75 in plan view. The other of the two through regions 127 is provided in a region overlapping the second wiring 77 in plan view. Hereinafter, when identifying each of the two through regions 127, the through region 127 that overlaps the first wiring 75 is referred to as a through region 127a, and the through region 127 that overlaps the second wiring 77 is referred to as a through region 127b. .

中途領域１２９は、貫通領域１２７ａと貫通領域１２７ｂとの間に位置しており、平面視で、検出部５２に重なっている。中途領域１２９は、基板５３を貫通していない領域である。中途領域１２９は、基板５３の第２面５３ｂから基板５３の途中までの領域である。つまり、ホール１２３ａは、中途領域１２９において、基板５３の第２面５３ｂで開口し、第１面５３ａに至る前に行き止まりになっている。
ホール１２３ａは、基板５３の第２面５３ｂ側から見た平面図である図１３（ｂ）に示すように、貫通領域１２７と中途領域１２９とで異なる開口幅を有している。中途領域１２９における開口幅Ｈ１が、貫通領域１２７における開口幅Ｈ２よりも狭い。 The midway region 129 is located between the penetration region 127a and the penetration region 127b, and overlaps the detection unit 52 in plan view. The midway region 129 is a region that does not penetrate the substrate 53. The midway region 129 is a region from the second surface 53 b of the substrate 53 to the middle of the substrate 53. That is, the hole 123a is opened at the second surface 53b of the substrate 53 in the midway region 129, and is a dead end before reaching the first surface 53a.
As shown in FIG. 13B, which is a plan view seen from the second surface 53 b side of the substrate 53, the hole 123 a has different opening widths in the through region 127 and the midway region 129. The opening width H <b> 1 in the midway region 129 is narrower than the opening width H <b> 2 in the through region 127.

中途領域１２９の開口幅Ｈ１を、貫通領域１２７における開口幅Ｈ２よりも狭くすることによって、マイクロローディング効果が得られる。マイクロローディング効果により、同じエッチング工程で貫通領域１２７及び中途領域１２９をいっしょに形成しても、中途領域１２９のエッチングを第１面５３ａに至る前に停止させることができる。これにより、基板５３を貫通する貫通領域１２７と、基板５３の途中で行き止まりになる中途領域１２９とを有するホール１２３ａを同じ工程でいっしょに形成することができる。
ホール１２３ａの形成に次いで、図１３（ｃ）に示すように、支持層６１の貫通領域１２７ａ及び貫通領域１２７ｂのそれぞれに重なる領域を除去する。支持層６１は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって除去され得る。エッチングとしては、例えば、ＣＦ4をエッチャントとする異方性のドライエッチングが採用され得る。 By making the opening width H1 of the midway region 129 narrower than the opening width H2 of the through region 127, a microloading effect can be obtained. Due to the microloading effect, even if the through region 127 and the midway region 129 are formed together in the same etching process, the etching of the midway region 129 can be stopped before reaching the first surface 53a. As a result, a hole 123 a having a through region 127 that penetrates the substrate 53 and a midway region 129 that stops in the middle of the substrate 53 can be formed together in the same process.
Following the formation of the holes 123a, as shown in FIG. 13C, the regions overlapping the penetrating regions 127a and 127b of the support layer 61 are removed. The support layer 61 can be removed by utilizing a photolithography method and an etching method. As the etching, for example, anisotropic dry etching using CF 4 as an etchant can be employed.

次いで、図１４（ａ）に示すように、基板５３の第２面５３ｂ側から、ホール１２３ａの内側を覆う絶縁膜１３１を形成する。絶縁膜１３１は、ＴＥＯＳを原料としたＣＶＤ法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。
絶縁膜１３１は、ホール１２３ａの内壁と、開口側とは反対側の底部とを覆っている。なお、絶縁膜１３１は、第１配線７５の貫通領域１２７ａで囲まれた領域、及び第２配線７７の貫通領域１２７ｂで囲まれた領域も覆っている。
次いで、図１４（ｂ）に示すように、ホール１２３ａ内の開口側とは反対側の底部において、貫通領域１２７で囲まれた領域の絶縁膜１３１を除去する。また、このとき、中途領域１２９内の絶縁膜１３１の一部を除去することによって開口部１２５を形成する。
絶縁膜１３１は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって除去され得る。エッチングとしては、例えば、ＣＦ4をエッチャントとする異方性のドライエッチングが採用され得る。
なお、この段階で、ホール１２３ａの開口面積は、図１４（ｂ）に示すように、絶縁膜１３１によって、絶縁膜１３１の形成前に比較して狭くなっている。 Next, as illustrated in FIG. 14A, an insulating film 131 that covers the inside of the hole 123 a is formed from the second surface 53 b side of the substrate 53. The insulating film 131 can be formed by forming a silicon oxide film using a CVD method using TEOS as a raw material.
The insulating film 131 covers the inner wall of the hole 123a and the bottom opposite to the opening side. The insulating film 131 also covers a region surrounded by the through region 127 a of the first wiring 75 and a region surrounded by the through region 127 b of the second wiring 77.
Next, as shown in FIG. 14B, the insulating film 131 in the region surrounded by the through region 127 is removed at the bottom of the hole 123a opposite to the opening side. At this time, the opening 125 is formed by removing a part of the insulating film 131 in the midway region 129.
The insulating film 131 can be removed by utilizing a photolithography method and an etching method. As the etching, for example, anisotropic dry etching using CF 4 as an etchant can be employed.
At this stage, the opening area of the hole 123a is narrowed by the insulating film 131 as compared with that before the insulating film 131 is formed, as shown in FIG.

次いで、図１４（ｃ）に示すように、絶縁膜１３１の基板５３側とは反対側において、ホール１２３ａの中途領域１２９に重なる領域に、中途領域１２９の開口を塞ぐマスクパターン１３３を形成する。このとき、マスクパターン１３３は、基板５３の第２面５３ｂ側から見た平面図である図１５（ａ）に示すように、少なくとも貫通領域１２７ａ及び貫通領域１２７ｂのそれぞれに重なる領域を除いて形成される。マスクパターン１０９としては、例えば、ドライフィルムなどのレジストフィルムが採用され得る。
次いで、図１５（ｂ）に示すように、マスクパターン１３３の基板５３側とは反対側から、貫通領域１２７ａ及び貫通領域１２７ｂのそれぞれの内側、並びにマスクパターン１０９を覆う金属膜１３５を形成する。金属膜１３５は、例えば、スパッタリング法などを活用することによって形成され得る。金属膜１３５の構成としては、例えば、ＴｉＷ（チタンタングステン）などで構成されるバリア層と、銅などで構成されるメッキシード層とを積層した構成が採用され得る。
なお、この段階で、ホール１２３ａの開口面積は、図１５（ｂ）に示すように、金属膜１３５によって、金属膜１３５の形成前に比較して狭くなっている。 Next, as shown in FIG. 14C, a mask pattern 133 is formed on the opposite side of the insulating film 131 from the substrate 53 side in a region overlapping the midway region 129 of the hole 123a to close the opening of the midway region 129. At this time, as shown in FIG. 15A, which is a plan view seen from the second surface 53b side of the substrate 53, the mask pattern 133 is formed excluding at least the regions overlapping with the through region 127a and the through region 127b. Is done. As the mask pattern 109, for example, a resist film such as a dry film can be employed.
Next, as shown in FIG. 15B, a metal film 135 that covers the inner side of the through region 127 a and the through region 127 b and the mask pattern 109 is formed from the opposite side of the mask pattern 133 to the substrate 53 side. The metal film 135 can be formed by utilizing, for example, a sputtering method. As the configuration of the metal film 135, for example, a configuration in which a barrier layer made of TiW (titanium tungsten) or the like and a plating seed layer made of copper or the like are stacked can be adopted.
At this stage, the opening area of the hole 123a is narrowed by the metal film 135 as compared with that before the metal film 135 is formed, as shown in FIG.

次いで、マスクパターン１３３をリフトオフ法などで除去することによって、図１５（ｃ）に示すように、金属膜１３５をパターニングする。これにより、金属膜１３５は、中途領域１２９の一部に重なる領域を除いて、少なくとも貫通領域１２７ａ及び貫通領域１２７ｂのそれぞれに重なる領域に形成される。これにより、貫通領域１２７ａ及び貫通領域１２７ｂのそれぞれの内側は、金属膜１３５によって覆われる。
次いで、図１６（ａ）に示すように、中途領域１２９の開口を塞ぐマスクパターン１３７を形成してから、金属膜１３５を下地として電解メッキを施すことによって、ビア配線９１ａ及びビア配線９１ｂを形成する。このとき、マスクパターン１３７は、金属膜１３５の基板５３側とは反対側において、中途領域１２９に重なる領域に形成される。
次いで、マスクパターン１３７を除去する。 Next, the metal film 135 is patterned by removing the mask pattern 133 by a lift-off method or the like as shown in FIG. As a result, the metal film 135 is formed in regions that overlap at least each of the through region 127a and the through region 127b except for a region that overlaps a part of the midway region 129. Thereby, the inner side of each of the penetrating region 127a and the penetrating region 127b is covered with the metal film 135.
Next, as shown in FIG. 16A, a via pattern 91a and a via line 91b are formed by forming a mask pattern 137 that closes the opening of the midway region 129 and then performing electroplating with the metal film 135 as a base. To do. At this time, the mask pattern 137 is formed in a region overlapping the midway region 129 on the side opposite to the substrate 53 side of the metal film 135.
Next, the mask pattern 137 is removed.

次いで、図１６（ｂ）に示すように、中途領域１２９の開口側とは反対側の底部から、開口部１２５を介して基板５３にエッチング処理を施すことによって、中途領域１２９の検出部５２側に凹部５６を形成する。このとき、凹部５６を、開口部１２５を介してホール１２３ａにつなげて形成する。そして、凹部５６が基板５３の第１面５３ａに達するまで、エッチング処理を実施する。これにより、開口部１２５を介してホール１２３ａと凹部５６とが互いに連通した状態で、空洞部６７が形成される。そして、基板５３を貫通していなかった中途領域１２９が凹部５６を介して基板５３を貫通することによって、ホール１２３ａからホール１２３が形成される。
なお、このときのエッチング処理では、例えば、ＳＦ6をエッチャントとする等方性のドライエッチングが採用され得る。これにより、開口部１２５の開口面積よりも広い開口面積を有する凹部５６を形成することができる。
上記により、図１２に示す撮像デバイス１９が製造され得る。 Next, as shown in FIG. 16B, the substrate 53 is etched through the opening 125 from the bottom opposite to the opening side of the midway region 129, so that the detection region 52 side of the midway region 129 is present. A recess 56 is formed in the substrate. At this time, the recess 56 is formed by being connected to the hole 123a through the opening 125. Then, the etching process is performed until the concave portion 56 reaches the first surface 53 a of the substrate 53. Thus, the cavity 67 is formed in a state where the hole 123a and the recess 56 communicate with each other through the opening 125. Then, the midway region 129 that has not penetrated the substrate 53 penetrates the substrate 53 through the recess 56, whereby the hole 123 is formed from the hole 123a.
In this etching process, for example, isotropic dry etching using SF 6 as an etchant can be employed. Thereby, the recessed part 56 which has an opening area larger than the opening area of the opening part 125 can be formed.
As described above, the imaging device 19 shown in FIG. 12 can be manufactured.

第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
さらに、第２実施形態では、ホール１２３ａが、第１実施形態におけるホール５８ａとスルーホール１０５ａとスルーホール１０５ｂとを１つの開口に統合した形態である。このため、ホール１２３ａの開口を、第１実施形態におけるホール５８ａとスルーホール１０５ａとスルーホール１０５ｂとを合わせた開口よりも大きくすることができる。これにより、ホール１２３ａのエッチング処理にかかる時間を、ホール５８ａとスルーホール１０５ａとスルーホール１０５ｂとのエッチング処理にかかる時間よりも短くすることができる。この結果、検出素子３１や撮像デバイス１９にかかる生産性や効率を一層高めやすくすることができる。 In the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Furthermore, in the second embodiment, the hole 123a is a form in which the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b in the first embodiment are integrated into one opening. For this reason, the opening of the hole 123a can be made larger than the combined opening of the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b in the first embodiment. Thereby, the time required for the etching process of the hole 123a can be made shorter than the time required for the etching process of the hole 58a, the through hole 105a, and the through hole 105b. As a result, the productivity and efficiency of the detection element 31 and the imaging device 19 can be further enhanced.

なお、第２実施形態では、ホール１２３ａの形状として、図１３（ｂ）に示す形状が採用されている。しかしながら、ホール１２３ａの形状は、これに限定されない。ホール１２３ａの形状としては、中途領域１２９の開口幅Ｈ１が貫通領域１２７の開口幅Ｈ２よりも狭ければ、例えば、図１７に示すように、種々の形状が採用され得る。   In the second embodiment, the shape shown in FIG. 13B is adopted as the shape of the hole 123a. However, the shape of the hole 123a is not limited to this. As the shape of the hole 123a, various shapes can be adopted as shown in FIG. 17, for example, as long as the opening width H1 of the midway region 129 is smaller than the opening width H2 of the through region 127.

（運転支援装置）
カメラ１を用いた電子機器の１つである運転支援装置について説明する。
本実施形態における運転支援装置４００は、主要構成を示すブロック図である図１８に示すように、処理ユニット２１１と、カメラ１と、ヨーレートセンサー２１３と、車速センサー２１５と、ブレーキセンサー２１７と、スピーカー２１９と、表示装置２２１と、を有している。
処理ユニット２１１は、運転支援装置４００を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）を有している。
カメラ１は、車両外部の所定の撮像領域における赤外線を検出する。
ヨーレートセンサー２１３は、車両のヨーレートを検出する。
車速センサー２１５は、車両の走行速度を検出する。
ブレーキセンサー２１７は、運転者のブレーキ操作の有無を検出する。 (Drive assist device)
A driving support device that is one of electronic devices using the camera 1 will be described.
As shown in FIG. 18, which is a block diagram showing the main configuration, the driving support apparatus 400 in the present embodiment includes a processing unit 211, a camera 1, a yaw rate sensor 213, a vehicle speed sensor 215, a brake sensor 217, and a speaker. 219 and a display device 221.
The processing unit 211 has a CPU (Central Processing Unit) that controls the driving support apparatus 400.
The camera 1 detects infrared rays in a predetermined imaging area outside the vehicle.
The yaw rate sensor 213 detects the yaw rate of the vehicle.
The vehicle speed sensor 215 detects the traveling speed of the vehicle.
The brake sensor 217 detects the presence or absence of a driver's brake operation.

処理ユニット２１１は、例えば、カメラ１の撮像により得られる自車両周辺の赤外線画像に基づいて、自車両の周囲に存在する物体及び歩行者等の対象物を検出する。そして、処理ユニット２１１は、対象物の検出結果と、ヨーレートセンサー２１３、車速センサー２１５、及びブレーキセンサー２１７により検出される自車両の走行状態にかかる検出信号とに基づいて、自車両が対象物に接触する可能性があると判断したときに、スピーカー２１９や表示装置２２１を介して警報を出力する。
なお、カメラ１は、図１９に示すように、自動車２２３の前部において車幅方向の中心付近に配置されている。表示装置２２１は、フロントウィンドーにおいて運転者の前方視界を妨げない位置に各種情報を表示するＨＵＤ（Head Up Display）２２５等を有する構成が採用され得る。 For example, the processing unit 211 detects an object such as an object and a pedestrian around the host vehicle based on an infrared image around the host vehicle obtained by imaging by the camera 1. Then, the processing unit 211 determines that the host vehicle is the target based on the detection result of the target object and the detection signal relating to the traveling state of the host vehicle detected by the yaw rate sensor 213, the vehicle speed sensor 215, and the brake sensor 217. When it is determined that there is a possibility of contact, an alarm is output via the speaker 219 or the display device 221.
As shown in FIG. 19, the camera 1 is disposed near the center in the vehicle width direction at the front portion of the automobile 223. The display device 221 may employ a configuration having a HUD (Head Up Display) 225 or the like that displays various types of information at a position that does not hinder the driver's forward view in the front window.

（セキュリティー機器）
カメラ１を用いた電子機器の１つであるセキュリティー機器について説明する。
本実施形態におけるセキュリティー機器４１０は、主要構成を示すブロック図である図２０に示すように、カメラ１と、人感センサー２３１と、動き検知処理部２３３と、人感センサー検知処理部２３５と、画像圧縮部２３７と、通信処理部２３９と、制御部２４１と、を有する。
カメラ１は、監視エリアを撮像する。
人感センサー２３１は、監視エリアへの侵入者を検知する。
動き検知処理部２３３は、カメラ１から出力された画像データを処理して監視エリアに侵入した移動体を検知する。
人感センサー検知処理部２３５は、人感センサー２３１の検知処理を行う。
画像圧縮部２３７は、カメラ１から出力された画像データを所定の方式で圧縮する。
通信処理部２３９は、圧縮された画像データや侵入者検知情報などの送信、及び、外部装置からセキュリティー機器４１０への各種設定情報等の受信を行う。
制御部２４１は、セキュリティー機器４１０の各処理部に対して条件設定、処理コマンド送信、レスポンス処理を行うＣＰＵを有している。 (Security equipment)
A security device that is one of electronic devices using the camera 1 will be described.
As shown in FIG. 20, which is a block diagram showing the main configuration, the security device 410 according to the present embodiment includes a camera 1, a human sensor 231, a motion detection processing unit 233, a human sensor detection processing unit 235, The image compression unit 237, the communication processing unit 239, and the control unit 241 are included.
The camera 1 images the monitoring area.
The human sensor 231 detects an intruder into the monitoring area.
The motion detection processing unit 233 processes the image data output from the camera 1 to detect a moving body that has entered the monitoring area.
The human sensor detection processing unit 235 performs detection processing of the human sensor 231.
The image compression unit 237 compresses the image data output from the camera 1 by a predetermined method.
The communication processing unit 239 transmits compressed image data, intruder detection information, and the like, and receives various setting information from the external device to the security device 410.
The control unit 241 includes a CPU that performs condition setting, processing command transmission, and response processing for each processing unit of the security device 410.

動き検知処理部２３３は、図示しないバッファメモリーと、バッファメモリーの出力が入力されるブロックデータ平滑部と、ブロックデータ平滑部の出力が入力される状態変化検出部とを備える。そして、動き検知処理部２３３の状態変化検出部は、監視エリアが静止状態であれば動画で撮影した異なるフレームでも同一画像データとなるが、状態変化（移動体の侵入）があるとフレーム間の画像データで差が生じることを利用して状態変化を検知している。
セキュリティー機器４１０は、図２１に示すように、軒下にカメラ１及び人感センサー２３１が設置されている。そして、カメラ１は、監視エリア２４３を撮像し、人感センサー２３１は検知エリア２４５を検出する。 The motion detection processing unit 233 includes a buffer memory (not shown), a block data smoothing unit to which an output of the buffer memory is input, and a state change detection unit to which an output of the block data smoothing unit is input. Then, the state change detection unit of the motion detection processing unit 233 has the same image data even in different frames taken with a moving image if the monitoring area is stationary. A change in state is detected by utilizing the difference in image data.
As shown in FIG. 21, the security device 410 is provided with a camera 1 and a human sensor 231 under the eaves. Then, the camera 1 images the monitoring area 243 and the human sensor 231 detects the detection area 245.

（ゲーム機器）
カメラ１を用いた電子機器の１つであるゲーム機器について説明する。
本実施形態におけるゲーム機器４２０は、図２２に示すように、コントローラー２５１と、本体２５３と、ディスプレイ２５５と、ＬＥＤモジュール２５７及びＬＥＤモジュール２５８と、を有している。ゲーム機器４２０では、プレイヤー２５９が一方の手でコントローラー２５１を把持してゲームをプレイすることができる。
コントローラー２５１は、図２３に示すように、撮像情報演算ユニット２６１と、操作スイッチ２６３と、加速度センサー２６５と、コネクター２６７と、プロセッサー２６９と、無線モジュール２７１と、を有している。 (Game equipment)
A game machine that is one of electronic devices using the camera 1 will be described.
As shown in FIG. 22, the game device 420 in this embodiment includes a controller 251, a main body 253, a display 255, an LED module 257, and an LED module 258. In the game machine 420, the player 259 can play the game by holding the controller 251 with one hand.
As illustrated in FIG. 23, the controller 251 includes an imaging information calculation unit 261, an operation switch 263, an acceleration sensor 265, a connector 267, a processor 269, and a wireless module 271.

撮像情報演算ユニット２６１は、カメラ１と、カメラ１で撮像した画像データを処理するための画像処理回路２７３を有する。
画像処理回路２７３は、カメラ１から得られた赤外線画像データを処理して、高輝度部分を検知し、それの重心位置や面積を検出してこれらのデータを出力する。
プロセッサー２６９は、操作スイッチ２６３からの操作データと、加速度センサー２６５からの加速度データ及び高輝度部分データを一連のコントロールデータとして出力する。無線モジュール２７１は、所定周波数の搬送波をこのコントロールデータで変調し、アンテナ２７５から電波信号として出力する。
なお、コントローラー２５１に設けられているコネクター２６７を通して入力されたデータもプロセッサー２６９によって上述のデータと同様に処理されてコントロールデータとして無線モジュール２７１とアンテナ２７５を介して出力される。 The imaging information calculation unit 261 includes a camera 1 and an image processing circuit 273 for processing image data captured by the camera 1.
The image processing circuit 273 processes the infrared image data obtained from the camera 1, detects a high-luminance portion, detects the position of the center of gravity and the area thereof, and outputs these data.
The processor 269 outputs operation data from the operation switch 263, acceleration data from the acceleration sensor 265, and high-luminance partial data as a series of control data. The wireless module 271 modulates a carrier wave having a predetermined frequency with this control data, and outputs it as a radio signal from the antenna 275.
Note that data input through the connector 267 provided in the controller 251 is also processed by the processor 269 in the same manner as the above-described data, and is output as control data via the wireless module 271 and the antenna 275.

ゲーム機器４２０では、コントローラー２５１のカメラ１をディスプレイ２５５の画面２７７に向けると、ディスプレイ２５５の近傍に設置された二つのＬＥＤモジュール２５７及びＬＥＤモジュール２５８から出力される赤外線をカメラ１が検知する。そして、コントローラー２５１は、二つのＬＥＤモジュール２５７及びＬＥＤモジュール２５８の位置や面積情報を高輝度点の情報として取得する。輝点の位置や大きさのデータがコントローラー２５１から無線で本体２５３に送信され、本体２５３で受信される。プレイヤー２５９がコントローラー２５１を動かすと、輝点の位置や大きさのデータが変化する。それを利用して、本体２５３はコントローラー２５１の動きに対応した操作信号を取得できる。そして、操作信号にしたがってゲーム機器４２０はゲームを進行させることができる。   In the game device 420, when the camera 1 of the controller 251 is directed toward the screen 277 of the display 255, the camera 1 detects infrared rays output from the two LED modules 257 and the LED module 258 installed in the vicinity of the display 255. Then, the controller 251 acquires the position and area information of the two LED modules 257 and the LED module 258 as high luminance point information. Data on the position and size of the bright spot is transmitted from the controller 251 to the main body 253 wirelessly and received by the main body 253. When the player 259 moves the controller 251, the data on the position and size of the bright spot changes. Using this, the main body 253 can acquire an operation signal corresponding to the movement of the controller 251. Then, the game device 420 can advance the game according to the operation signal.

（体温測定装置）
カメラ１を用いた電子機器の１つである体温測定装置について説明する。
本実施形態における体温測定装置４３０は、図２４に示すように、カメラ１と、体温分析装置２８１と、情報通信装置２８３と、ケーブル２８５と、を有している。
カメラ１は、所定の対象領域を撮像し、撮像された対象者２８７の画像情報を、ケーブル２８５を介して体温分析装置２８１に送信する。
体温分析装置２８１は、画像読取処理ユニット２８８と、体温分析処理ユニット２８９と、を含む。画像読取処理ユニット２８８は、カメラ１からの熱分布画像を読み取る。体温分析処理ユニット２８９は、画像読取処理ユニット２８８からのデータと、画像分析設定テーブルとに基づいて体温分析テーブルを作成する。
体温分析処理ユニット２８９は、体温分析テーブルに基づいて体温情報送信用データを情報通信装置２８３へ送信する。この体温情報送信用データは体温異常であることに対応する所定のデータを含んでもよい。また、対象領域内に複数の対象者２８７を含んでいると判断した場合には、対象者２８７の人数と体温異常者の人数の情報を体温情報送信用データに含んでもよい。 (Body temperature measuring device)
A body temperature measurement device that is one of electronic devices using the camera 1 will be described.
As shown in FIG. 24, the body temperature measurement device 430 in the present embodiment includes a camera 1, a body temperature analysis device 281, an information communication device 283, and a cable 285.
The camera 1 captures an image of a predetermined target area, and transmits the image information of the captured subject 287 to the body temperature analyzer 281 via the cable 285.
The body temperature analysis device 281 includes an image reading processing unit 288 and a body temperature analysis processing unit 289. The image reading processing unit 288 reads the heat distribution image from the camera 1. The body temperature analysis processing unit 289 creates a body temperature analysis table based on the data from the image reading processing unit 288 and the image analysis setting table.
The body temperature analysis processing unit 289 transmits body temperature information transmission data to the information communication device 283 based on the body temperature analysis table. The data for transmitting body temperature information may include predetermined data corresponding to abnormal body temperature. In addition, when it is determined that a plurality of subjects 287 are included in the target area, information on the number of subjects 287 and the number of people with abnormal body temperature may be included in the body temperature information transmission data.

（特定物質探知装置）
カメラ１を用いた電子機器の１つである特定物質探知装置について説明する。
本実施形態における特定物質探知装置４４０は、図２５に示すように、カメラ１と、制御ユニット２９１と、照射光ユニット２９３と、光学フィルター２９５と、表示部２９７と、を有している。特定物質探知装置４４０では、カメラ１の撮像デバイス１９において、検出素子３１の吸収層８１によって吸収される赤外線の波長域がテラヘルツ域に設定されている。 (Specific substance detection device)
A specific substance detection device that is one of electronic devices using the camera 1 will be described.
As shown in FIG. 25, the specific substance detection apparatus 440 in the present embodiment includes a camera 1, a control unit 291, an irradiation light unit 293, an optical filter 295, and a display unit 297. In the specific substance detection apparatus 440, in the imaging device 19 of the camera 1, the wavelength range of infrared rays absorbed by the absorption layer 81 of the detection element 31 is set to the terahertz range.

制御ユニット２９１は、特定物質探知装置４４０の全体を制御するシステムコントローラーを含んでいる。このシステムコントローラーは、制御ユニット２９１に含まれる光源駆動部及び画像処理ユニットを制御する。
照射光ユニット２９３は、波長が１００μｍ〜１０００μｍの範囲にある電磁波であるテラヘルツ光を射出するレーザー装置と光学系を含み、テラヘルツ光を検査対象の人物２９８に照射する。人物２９８からの反射テラヘルツ光は、探知対象である特定物質２９９の分光スペクトルのみを通過させる光学フィルター２９５を介してカメラ１に受光される。
カメラ１で生成された画像信号は、制御ユニット２９１の画像処理ユニットで所定の画像処理が施され、その画像信号が表示部２９７へ出力される。そして人物２９８の衣服内等に特定物質２９９が存在するか否かにより受光信号の強度が異なるので特定物質２９９の存在が判別できる。 The control unit 291 includes a system controller that controls the entire specific substance detection apparatus 440. This system controller controls the light source driving unit and the image processing unit included in the control unit 291.
The irradiation light unit 293 includes a laser device that emits terahertz light, which is an electromagnetic wave having a wavelength in the range of 100 μm to 1000 μm, and an optical system, and irradiates the person 298 to be inspected with terahertz light. The reflected terahertz light from the person 298 is received by the camera 1 through the optical filter 295 that allows only the spectral spectrum of the specific substance 299 to be detected.
The image signal generated by the camera 1 is subjected to predetermined image processing by the image processing unit of the control unit 291, and the image signal is output to the display unit 297. The presence of the specific substance 299 can be determined because the intensity of the received light signal varies depending on whether or not the specific substance 299 is present in the clothes of the person 298.

１…カメラ、５…撮像ユニット、９…制御部、１９…撮像デバイス、２１…選択回路、２３…読み出し回路、２５…Ａ／Ｄ変換部、２７…制御回路、２９…ＩＣ、３１…検出素子、３７…キャパシター、５２…検出部、５３…基板、５６…凹部、５８，５８ａ…ホール、６１…支持層、６７…空洞部、７５…第１配線、７７…第２配線、８１…吸収層、８５…第１電極、８７…焦電体、８９…第２電極、９１，９１ａ，９１ｂ…ビア配線、９５，９５ａ，９５ｂ…パッド、１０５ａ，１０５ｂ…スルーホール、１２３…ホール、１２５…開口部、１２７，１２７ａ，１２７ｂ…貫通領域、１２９…中途領域、４００…運転支援装置、４１０…セキュリティー機器、４２０…ゲーム機器、４３０…体温測定装置、４４０…特定物質探知装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Camera, 5 ... Imaging unit, 9 ... Control part, 19 ... Imaging device, 21 ... Selection circuit, 23 ... Reading circuit, 25 ... A / D conversion part, 27 ... Control circuit, 29 ... IC, 31 ... Detection element 37 ... Capacitor 52 ... Detector 53 ... Substrate 56 ... Recess 58, 58a ... Hole 61 ... Support layer 67 ... Cavity 75 ... First wiring 77 ... Second wiring 81 ... Absorption layer 85 ... first electrode, 87 ... pyroelectric body, 89 ... second electrode, 91, 91a, 91b ... via wiring, 95, 95a, 95b ... pad, 105a, 105b ... through hole, 123 ... hole, 125 ... opening 127, 127a, 127b ... penetrating region, 129 ... midway region, 400 ... driving support device, 410 ... security device, 420 ... game device, 430 ... body temperature measuring device, 440 ... specific substance detection device.

Claims (17)

吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、
前記検出部を支持する基部と、
前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、
前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、を有し、
前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、
ことを特徴とする検出素子。 A detector whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves;
A base for supporting the detection unit;
In the base, a cavity provided in a region overlapping the detection unit;
A hole that penetrates the base from the opposite side of the base to the detection part and leads to the cavity,
The opening area of the hole is smaller than the opening area of the cavity,
A detection element characterized by that. 前記基部の前記検出部側に設けられ、前記検出部に電気的に接続された電極と、
前記基部を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して、前記基部の前記検出部側で前記電極に電気的に接続された配線と、を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の検出素子。 An electrode provided on the detection unit side of the base and electrically connected to the detection unit;
A wiring that penetrates the base from the side opposite to the detection unit side to the detection unit side, and is electrically connected to the electrode on the detection unit side of the base,
The detection element according to claim 1. 前記検出部は、前記電磁波に含まれる赤外線の量に応じて電気的な前記特性を変化させる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の検出素子。 The detection unit changes the electrical characteristics according to the amount of infrared rays included in the electromagnetic wave.
The detection element according to claim 1, wherein: 吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、
前記検出部を支持する基部と、
前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、
前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、
前記基部の前記検出部側に設けられ、前記検出部に電気的に接続された電極と、
前記基部を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して、前記基部の前記検出部側で前記電極に電気的に接続された配線と、
前記基部の前記検出部側とは反対側に設けられ、前記検出部から前記電極及び前記配線を介して電気的な信号を受信する回路基板と、を有し、
前記回路基板は、前記信号が入力される端子部を有し、
前記配線が前記端子部に接続されており、
前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、
ことを特徴とする検出モジュール。 A detector whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves;
A base for supporting the detection unit;
In the base, a cavity provided in a region overlapping the detection unit;
A hole penetrating the base portion from the side opposite to the detection portion side of the base portion and leading to the cavity portion;
An electrode provided on the detection unit side of the base and electrically connected to the detection unit;
A wiring that penetrates the base from the side opposite to the detection unit side to the detection unit side and is electrically connected to the electrode on the detection unit side of the base;
A circuit board that is provided on the opposite side of the base from the detection unit side and receives an electrical signal from the detection unit via the electrode and the wiring;
The circuit board has a terminal portion to which the signal is input,
The wiring is connected to the terminal portion;
The opening area of the hole is smaller than the opening area of the cavity,
A detection module characterized by that. 互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子を有し、
前記撮像素子は、
吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、
前記検出部を支持する基部と、
前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、
前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、を有し、
前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、
ことを特徴とする撮像デバイス。 A plurality of image sensors arranged in two directions intersecting each other;
The image sensor is
A detector whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves;
A base for supporting the detection unit;
In the base, a cavity provided in a region overlapping the detection unit;
A hole that penetrates the base from the opposite side of the base to the detection part and leads to the cavity,
The opening area of the hole is smaller than the opening area of the cavity,
An imaging device characterized by that. 前記基部の前記検出部側に設けられ、前記検出部に電気的に接続された電極と、
前記基部を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して、前記基部の前記検出部側で前記電極に電気的に接続された配線と、を有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の撮像デバイス。 An electrode provided on the detection unit side of the base and electrically connected to the detection unit;
A wiring that penetrates the base from the side opposite to the detection unit side to the detection unit side, and is electrically connected to the electrode on the detection unit side of the base,
The imaging device according to claim 5. 前記検出部は、前記電磁波に含まれる赤外線の量に応じて電気的な前記特性を変化させる、
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の撮像デバイス。 The detection unit changes the electrical characteristics according to the amount of infrared rays included in the electromagnetic wave.
The imaging device according to claim 5 or 6. 互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子と、
前記複数の撮像素子から電気的な信号を受信する回路基板と、を有し、
前記撮像素子は、
吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、
前記検出部を支持する基部と、
前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、
前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、
前記基部の前記検出部側に設けられ、前記検出部に電気的に接続された電極と、
前記基部を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して、前記基部の前記検出部側で前記電極に電気的に接続された配線と、を有し、
前記回路基板は、
前記基部の前記検出部側とは反対側に設けられており、且つ、前記電極及び前記配線を介して前記検出部から受信する前記信号が入力される端子部を有し、
前記配線が前記端子部に接続されており、
前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、
ことを特徴とする撮像モジュール。 A plurality of image sensors arranged in two directions intersecting each other;
A circuit board for receiving electrical signals from the plurality of image sensors,
The image sensor is
A detector whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves;
A base for supporting the detection unit;
In the base, a cavity provided in a region overlapping the detection unit;
A hole penetrating the base portion from the side opposite to the detection portion side of the base portion and leading to the cavity portion;
An electrode provided on the detection unit side of the base and electrically connected to the detection unit;
A wiring penetrating from the side opposite to the detection unit side to the detection unit side and electrically connected to the electrode on the detection unit side of the base, and
The circuit board is
The terminal is provided on the opposite side of the base from the detection unit side, and has a terminal portion to which the signal received from the detection unit is input via the electrode and the wiring,
The wiring is connected to the terminal portion;
The opening area of the hole is smaller than the opening area of the cavity,
An imaging module characterized by that. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の検出素子を有する、
ことを特徴とする電子機器。 It has the detection element according to any one of claims 1 to 3.
An electronic device characterized by that. 請求項４に記載の検出モジュールを有する、
ことを特徴とする電子機器。 It has a detection module according to claim 4.
An electronic device characterized by that. 請求項５乃至７のいずれか一項に記載の撮像デバイスを有する、
ことを特徴とする電子機器。 The imaging device according to any one of claims 5 to 7, comprising:
An electronic device characterized by that. 請求項８に記載の撮像モジュールを有する、
ことを特徴とする電子機器。 The imaging module according to claim 8 is provided.
An electronic device characterized by that. テラヘルツ帯の赤外線を含む電磁波を被写体に向けて発する電磁波源と、
前記被写体で反射した前記テラヘルツ帯の赤外線を受光して前記被写体を撮像する撮像デバイスと、を有し、
前記撮像デバイスは、互いに交差する２つの方向に配列する複数の撮像素子を有し、
前記撮像素子は、
吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部と、
前記検出部を支持する基部と、
前記基部において、前記検出部に重なる領域に設けられた空洞部と、
前記基部の前記検出部側とは反対側から前記基部を貫通して前記空洞部に通じるホールと、を有し、
前記ホールの開口面積は、前記空洞部の開口面積よりも小さい、
ことを特徴とするテラヘルツカメラ。 An electromagnetic wave source that emits electromagnetic waves including infrared rays in the terahertz band toward the subject;
An imaging device that receives infrared rays of the terahertz band reflected by the subject and images the subject,
The imaging device has a plurality of imaging elements arranged in two directions intersecting each other,
The image sensor is
A detector whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves;
A base for supporting the detection unit;
In the base, a cavity provided in a region overlapping the detection unit;
A hole that penetrates the base from the opposite side of the base to the detection part and leads to the cavity,
The opening area of the hole is smaller than the opening area of the cavity,
A terahertz camera. 吸収した電磁波の量に応じて特性が変化する検出部が設けられた基板に、前記基板の前記検出部側とは反対側から前記検出部側に向けてホールを形成する工程と、
前記ホールの底部から前記検出部側に向けて、前記ホールの開口面積よりも広い開口面積を有する空洞部を、前記ホールにつなげて形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする検出素子の製造方法。 Forming a hole from the opposite side of the substrate to the detection unit side on the substrate provided with a detection unit whose characteristics change according to the amount of absorbed electromagnetic waves;
Forming a hollow portion having an opening area larger than the opening area of the hole from the bottom of the hole toward the detection portion side, and connecting to the hole.
A method for manufacturing a detecting element. 前記空洞部を形成する工程では、前記ホールの内壁を保護した状態で前記ホール内にエッチング処理を施すことによって、前記ホールの底部から前記空洞部を形成する、
ことを特徴とする請求項１４に記載の検出素子の製造方法。 In the step of forming the cavity, the cavity is formed from the bottom of the hole by performing an etching process in the hole while protecting the inner wall of the hole.
The method of manufacturing a detection element according to claim 14. 前記基板の前記検出部側に、前記検出部に電気的に接続する電極を形成する工程と、
前記空洞部を形成する工程の前に、前記基板を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通して前記電極に至る貫通孔を介して、前記基板を前記検出部側とは反対側から前記検出部側に貫通し、前記電極に電気的に接続する配線を形成する工程と、を含み、
前記ホールを形成する工程において、前記ホールと、前記ホールの開口面積よりも広い開口面積を有する前記貫通孔とをいっしょに形成する、
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の検出素子の製造方法。 Forming an electrode electrically connected to the detection unit on the detection unit side of the substrate;
Before the step of forming the hollow portion, the substrate is referred to as the detection portion side through a through hole that penetrates the substrate from the side opposite to the detection portion side to the detection portion side and reaches the electrode. Forming a wiring penetrating from the opposite side to the detection unit side and electrically connected to the electrode,
In the step of forming the hole, the hole and the through-hole having an opening area larger than the opening area of the hole are formed together.
The method of manufacturing a detection element according to claim 14 or 15, 前記ホールを形成する工程において、前記ホールと前記貫通孔とを１つの開口に統合して形成する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の検出素子の製造方法。 In the step of forming the hole, the hole and the through hole are formed integrally in one opening.
The method of manufacturing a detection element according to claim 16.
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