JP2013537701A - 少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含有する層を含む有機電子デバイス - Google Patents

Abstract

本発明は、第１の電極、第２の電極及び第１の電極と第２の電極との間に介在する第１の有機層を含む有機電子デバイスであって、第１の有機層が少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む、前記有機電子デバイスに関する。本発明は更に本発明による有機電子デバイスを含む装置に関する。

Description

発明の詳細な説明
本発明は、第１の電極、第２の電極、及び第１の電極と第２の電極との間に介在する第１の有機層を含む有機電子デバイスであって、第１の有機層が、少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む、有機電子デバイスに関する。本発明は更に本発明による有機電子デバイスを含む装置に関するものである。

有機エレクトロニクスは、エレクトロニクスのサブフィールドであり、ポリマー又は小さな有機化合物を含む電子回路を使用している。有機エレクトロニクスの利用分野は、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）におけるポリマー又は小さな有機化合物の使用、有機太陽電池（有機光起電力学）及び有機トランジスタ、例えば、有機ＦＥＴ及び有機ＴＦＴなどのスイッチング素子での使用である。

適した新規有機材料を使用することにより、有機エレクトロニクスに基づいた新規なタイプの部品、例えば、ディスプレイ、センサ、トランジスタ、データストア又は光電池を提供することができる。これは、薄型、軽量、軟質で、且つ低コストで生産可能な新規な用途の開発を可能にする。

好ましい分野の本出願による使用は、比較的小さな有機化合物を有機発光ダイオードに用いる使用である。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、電流によって励起された時に光を放射する材料の特性を活用している。ＯＬＥＤは、平らな視覚表示装置を製造するために、ブラウン管及び液晶表示装置に替わるものとして特に興味深い。非常にコンパクトな設計と本質的に低電力消費のために、ＯＬＥＤを含むデバイスは、携帯用途に、例えば、携帯電話、ノートパソコン等の用途に、及び照明用に特に適している。

ＯＬＥＤが作動する方法の基本原理とＯＬＥＤの適した構造（層）は、例えば、ＷＯ２００５／１１３７０４号及び本願明細書に引用されている文献に詳述されている。

使用される発光物質（発光体）は、蛍光物質（蛍光発光体）並びに、燐光物質（燐光発光体）であってよい。燐光発光体は通常、有機金属錯体であり、一重項発光を示す蛍光発光体とは対照的に、三重項発光を示す（M.A. Baldowら, Appl. Phys. Lett. 1999年, 75, 4〜6頁）。量子力学的な理由で、燐光発光体が使用される時に、４倍までの量子効率、エネルギー効率及び電力効率が可能である。

特に興味深いものは、長く効力のある耐用年数、良好な効率、熱応力に対する高い安定性及び低い使用及び動作電圧を有する有機発光ダイオードである。

実際に前述の特性を実行するためには、適切な発光材料を提供することが必要であるだけでなく、ＯＬＥＤ（相補材料）の他の要素もまた、適切なデバイス組成物中で互いにバランスを取らなければならない。かかるデバイス組成物は、例えば、実際の発光体が分散形で存在する特定のマトリックス材料を含んでよい。更に、組成物はブロッカー材料を含んでよく、正孔ブロッカー、励起子ブロッカー及び／又は電子ブロッカーがデバイス組成物中に存在することが可能である。追加的に又は代替的に、デバイス組成物は、正孔注入材料及び／又は電子注入材料及び／又は電荷輸送材料、例えば、正孔輸送材料及び／又は電子輸送材料を更に含んでよい。実際の発光体と組み合わせて使用される前述の材料の選択は、効率と耐用年数などのパラメータに、並びにＯＬＥＤの使用及び動作電圧に有意な影響を及ぼす。

特に、有機電子デバイス、特に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含む装置の消費電力の削減に対する需要が増大している。消費電力を削減するためには、有機電子デバイスの駆動電圧を低減することが試みられている。これは、駆動電圧の低減に加えて、有機電子デバイス、特にＯＬＥＤの寿命を延ばすことが更に重要である。従来技術では、発光素子は、上記の問題を克服するために開発されてきた。

ＵＳ２００６／０１８０８１２Ａ１号は、前記層の電導性の活性化エネルギーが０．０１ｅＶ以上であり且つ０．３０ｅＶ未満である、有機材料と無機材料を含有する層を有する発光素子を開示している。適した有機材料は、アリールアミン骨格を含み且つ正孔輸送特性を有するアリールアミン、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）及びＮ，Ｎ’−ビス（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＢＳＰＢ）を含む有機化合物である。好適な無機材料は、金属酸化物、特に、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、及びタングステン酸化物である。ＵＳ２００６／０１８０８１２Ａ１号には、酸化モリブデンの濃度が上昇するほど、抵抗が減少するのに対して、酸化モリブデンの濃度が８０質量％を上回る時には、抵抗が増加することが記載されている。

ＵＳ２００８／０００８９０５Ａ１号は、正孔輸送有機化合物を含有する光透過導電膜及び正孔輸送有機化合物に対して電子受容性を示す金属酸化物を有する画素又は画素部の電極を開示している。有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素及び高分子化合物である。無機化合物は、酸化モリブデンが特に好ましい遷移金属酸化物である。

ＤＥ１０２００８０５１１３２Ａ１号は、特定の層配列を有する有機電子デバイスを開示している。デバイスは、マトリックス材料及びドーパントが電荷移動錯体を形成する、ドーパントを含むマトリックス材料を含む電荷輸送層を含む。ＤＥ１０２００８０５１１３２Ａ１号には、正孔輸送層に適したマトリックス材料が記載されている。記載されている全ての材料は、有機材料、特に芳香族アミノ化合物である。適したドーパントは、例えば、金属酸化物である。

ＵＳ２００６／０００８７４０Ａ１号は、電荷輸送能を有する有機化合物を含む、有機デバイスを開示している。該デバイスは、積層又は混合の方法を介して有機正孔輸送化合物と三酸化モリブデンとの接触時に形成される電荷移動錯体有する電荷移動錯体含有層を含み、その際、有機正孔輸送化合物は、該電荷移動錯体含有層中でラジカルカチオンの状態である。適した有機正孔輸送化合物は、アリールアミン化合物である。

上述の従来技術では、消費電力の削減は、有機化合物、特にアリールアミン化合物、及び金属酸化物、特に（殆どの場合）モリブデン酸化物を含む正孔輸送層を使用することによって達成される。

しかし、消費電力の削減だけでなく、有機電子デバイスの寿命の延長にも改良の余地がある。

従って、低動作電圧、良好な動作寿命並びに優れた効率性及び熱応力に対する高い安定性を示す、有機電子デバイス、特に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を提供することが本発明の目的である。

この課題は、第１の電極、第２の電極及び第１の電極と第２の電極との間に介在する第１の有機層を含む有機電子デバイスであって、第１の有機層が少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む、前記有機電子デバイスによって解決される。

少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む第１の有機層を有する本発明の有機電子デバイスは、優れた電力効率、寿命、量子効率及び／又は低い動作電圧を示す。

金属酸化物
第１の有機層が、少なくとも１種の金属酸化物、好ましくは１種又は２種の金属酸化物、更に好ましくは１種の金属酸化物を含む。

金属酸化物は、好ましくは遷移金属酸化物、更に好ましくは周期律表の第４族、第５族、第６族、第７族又は第８族に属する金属の酸化物である。更に一層好ましくは、金属酸化物は、レニウム酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物及びマンガン酸化物から選択される。金属は、あらゆる適した酸化状態で前記酸化物中に存在し得る。最も好ましくは、金属酸化物は、モリブデン酸化物（ＭｏＯ_ｘ）又はレニウム酸化物（ＲｅＯ_ｘ）、特にＭｏＯ_３又はＲｅＯ_３である。とりわけ、ＲｅＯ_３が特に好ましい。本発明者らは、ＲｅＯ_３を使用することによって優れた動作寿命を有する電子機器が得られることを発見した。

金属酸化物は、通常、第１の有機層の全量（１００質量％である）を基準として、０．１質量％から１０質量％未満までの量で、好ましくは１〜８質量％の量で、更に好ましくは３〜５質量％の量で、第１の有機層において利用される。本発明者らは、金属酸化物の最適量があることを発見した。最適な量を上回る量が使用される場合、電子デバイスの動作寿命は、高いが明らかに最適量の場合よりも減少する。

金属有機化合物
第１の有機層は、少なくとも１種の金属有機化合物、好ましくは、１種又は２種の金属有機化合物、更に好ましくは１種の金属有機化合物を含む。

「金属有機化合物」（又は有機金属化合物）との用語は、一般に当業者によって理解されている。本発明によれば、この用語は、Gary L. Miesler及びDonald A. Tarr, Prentice-Hall（１９９８年）、第４２２頁、第１３章、第１段落によって無機化学（第２版）で定義された通りに理解されている。

好ましい金属有機化合物は、正孔輸送特性を有する金属有機化合物である。ＯＬＥＤの場合、正孔輸送特性を有する少なくとも１種の金属有機化合物のバンドギャップは、使用される発光体材料のバンドギャップよりも一般的に大きい。本出願の文脈では、「バンドギャップ」は三重項エネルギーを意味することが理解されている。

特に好ましい金属有機化合物はカルベン錯体である。適したカルベン錯体は、例えば、ＷＯ２００５／０１９３７３号、ＷＯ２００６／０５６４１８号、ＷＯ２００５／１１３７０４号、ＷＯ２００７／１１５９７０号、ＷＯ２００７／１１５９８１号及びＷＯ２００８／０００７２７号に記載されるカルベン錯体である。

特に好ましいカルベン錯体の例は、以下の式（Ｉ）

の化合物であり、
その式中、記号は以下の意味を有する：
Ｍ^１は、それぞれの金属原子について可能なあらゆる酸化状態の、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕからなる群から選択される金属原子であり；
カルベンは、非荷電であるか又はモノアニオン性であり且つ単座、二座又は三座であってよいカルベン配位子であり、その際、カルベン配位子はビスカルベン又はトリスカルベン配位子であることも可能であり；
Ｌは、単座又は二座であってよい、モノアニオン性又はジアニオン性配位子であり；
Ｋは、ホスフィン；ホスホネート及びその誘導体、アルセネート及びその誘導体；ホスフィット；ＣＯ；ピリジン；ニトリル及びＭ^１とのπ錯体を形成する共役ジエンからなる群から選択される非荷電の単座又は二座配位子であり；
ｎは、カルベン配位子の数であり、その際、ｎは少なくとも１であり、ｎ＞１である時、式Ｉの錯体中のカルベン配位子は同一又は異なってよく；
ｍは、配位子Ｌの数であり、その際、ｍは０又は１以上であってよく、ｍ＞１である時、配位子Ｌは同一又は異なってよく；
ｏは、配位子Ｋの数であり、その際、ｏは０又は１以上であってよく、ｏ＞１である時、配位子Ｋは同一又は異なってよく；
ｎ＋ｍ＋ｏの総和は、金属原子の酸化状態と配位数に依存し、また配位子のカルベン、Ｌ及びＫの配位座数（denticity）に依存し、さらには配位子のカルベン及びＬ上の電荷に依存するが、但し、ｎは少なくとも１であることを条件とする。

前記カルベン錯体はＷＯ２００５／１９３７３号に記載されている。

適したカルベン錯体の一例は、ＷＯ２００５／１９３７３号に開示されている、式（Ｉａ）

を有するｆａｃ−イリジウム−トリス（１，３−ジフェニルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ２’）（ｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３）である。

少なくとも１種の金属有機化合物、好ましくは、カルベン錯体は、通常、第１の有機層の全量（１００質量％である）を基準として、９０質量％を上回り９９．９質量％までの量で、好ましくは９２〜９９質量％の量で、更に好ましくは９５〜９７質量％の量で第１の有機層中で利用されている。

第１の有機層
第１の有機層は、少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物を含む。好ましい金属有機化合物及び好ましい金属酸化物、並びに金属有機化合物と金属酸化物の適量は上記されている。

第１の有機層は、好ましくは、正孔輸送層又は正孔注入層、更に好ましくは正孔輸送層である。

第１の有機層は好ましくは以下の：
ｉ）０．１質量％から１０重量％未満までの、好ましくは１〜８重量％の、更に好ましくは３〜５質量％の金属酸化物、好ましくはあらゆる適した酸化状態の、レニウム酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物及びマンガン酸化物から選択される金属酸化物、更に好ましくは、モリブデン酸化物（ＭｏＯ_ｘ）又はレニウム酸化物（ＲｅＯ_ｘ）、特にＭｏＯ_３又はＲｅＯ_３、最も好ましくはＲｅＯ_３；及び
ｉｉ）好ましくはカルベン錯体の、更に好ましくは式（Ｉ）のカルベン錯体の、最も好ましくは式（Ｉａ）のカルベン錯体の、９０質量％を上回り９９．９質量％までの、好ましくは９２〜９９質量％の、更に好ましくは９５〜９７質量％の金属有機化合物
を含み、
その際、金属酸化物と金属有機化合物の合計量は１００質量％である。

更に好ましい実施態様では、第１の有機層は、
ｉ）０．１質量％から１０質量％未満までの、好ましくは１〜８質量％の、更に好ましくは３〜５質量％のＲｅＯ_３；及び
ｉｉ）９０質量％を上回り９９．９質量％までの、好ましくは９２〜９９質量％の、更に好ましくは９５〜９７質量％のカルベン錯体、好ましくは式（Ｉ）のカルベン錯体、更に好ましくは式（Ｉａ）のカルベン錯体
を含み、
その際、金属酸化物とカルベン錯体の合計量は１００質量％である。

第１の有機層は、任意の方法、例えば、湿式法又は乾式法によって製造される。第１の有機層は、例えば、上述の金属有機化合物と金属酸化物との共蒸着によって製造することができる。特にＲｅＯ_３が真空中で容易に気化されるので、上記の共蒸着法は好ましい方法である。しかしながら、第１の有機層は、上記の金属有機化合物と金属アルコキシドを含む溶液を塗布し且つ焼成するような方法で製造することも可能である。塗布方法としては、例えば、インクジェット法又はスピンコート法を用いてよい。上記の本発明の電子デバイスの更なる有機層は、第１の有機層と同様の方法で製造することができる。

第１の有機層は、通常、５〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜８０ｎｍの厚さを有する。

更なる実施形態において、本発明は、有機層、好ましくは、少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む、正孔輸送層又は正孔注入層に関する。好適な金属有機化合物及び金属酸化物並びに適量は上記されている。好ましくは、正孔輸送層又は正孔注入層は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）における正孔輸送層又は正孔注入層である。

本発明の一実施形態では、有機電子デバイスは、少なくとも１種の式（ＩＩ）

（式中、
Ｒ^１及びＲ^２は互いに独立してＦ、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル、又はＣ_６〜Ｃ_１４アリールであり、その基は任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_８アルキル基によって置換されてよいか、又は
２つの置換基Ｒ^１及び／又はＲ^２が結合して縮合ベンゼン環基を形成し、これは任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_８アルキル基によって置換されてよく、
ａ及びｂは互いに独立して０、又は１〜３の整数であり、
Ｍはアルカリ金属原子、又はアルカリ土類金属原子であり、
ｐは、Ｍがアルカリ金属原子の場合、１であり、Ｍがアルカリ土類金属原子の場合、２である）
の化合物を含む第２の有機層を更に含む。

最も好ましい金属錯体は

であり、これは単一の種として、又はＬｉ_ｇＱ_ｇ（式中、ｇは整数である）、例えば、Ｌｉ_６Ｑ_６などの他の形で存在することができる。Ｑは８−ヒドロキシキノレート配位子又は８−ヒドロキシキノレートの誘導体を表す。

好ましくは、第２の有機層は、少なくとも１種の式（ＩＩＩ）、（ＩＶａ）及び／又は（ＩＶｂ）

（式中、
Ｒ^８１、Ｒ^８２、Ｒ^８３、Ｒ^８４、Ｒ^８１’、Ｒ^８２’、Ｒ^８３’、及びＲ^８４’は互いに独立してＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｅによって置換された及び／又はＤによって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｇによって置換されたＣ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｃ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、又はＧによって置換されたＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリールであり、
Ｑはアリーレン又はヘテロアリーレン基であり、そのそれぞれが任意にＧによって置換されてよく；
Ｄは−ＣＯ−；−ＣＯＯ−；−Ｓ−；−ＳＯ−；−ＳＯ_２−；−Ｏ−；−ＮＲ^２５−；−ＳｉＲ^３０Ｒ^３１−；−ＰＯＲ^３２−；−ＣＲ^２３＝ＣＲ^２４−；又は−Ｃ≡Ｃ−であり；且つ
Ｅは−ＯＲ^２９；−ＳＲ^２９；−ＮＲ^２５Ｒ^２６；−ＣＯＲ^２８；−ＣＯＯＲ^２７；−ＣＯＮＲ^２５Ｒ^２６；−ＣＮ；又はＦであり、ＧはＥ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｄによって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１８パーフルオロアルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、又はＥによって置換された及び／又はＤによって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、その際、
Ｒ^２３及びＲ^２４は互いに独立してＨ、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−によって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり；
Ｒ^２５及びＲ^２６は互いに独立してＣ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−によって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであるか；又は
Ｒ^２５及びＲ^２６は一緒になって５員環又は６員環を形成し、Ｒ^２７及びＲ^２８は互いに独立してＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−によって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、
Ｒ^２９はＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−によって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、
Ｒ^３０及びＲ^３１は互いに独立してＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、又はＣ_１〜Ｃ_１８アルキルによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリールであり；
Ｒ^３２はＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、又はＣ_１〜Ｃ_１８アルキルによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリールである）
の化合物を更に含む。

式（ＩＩＩ）の好ましい化合物は、式（ＩＩＩａ）

（式中、Ｑは

であり、
Ｒ^８５はＨ、又はＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり且つ
Ｒ^８５’はＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、又は

である）
の化合物である。

最も好ましいのは、式（ＩＩＩａａ）

（式中、
Ｒ^８９はフェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、又はピリミジニルであり、前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基によって置換されてよく、
Ｒ^９０はフェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、又はピリミジニルであり、前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基によって置換されてよく、
Ｒ^９１はフェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、又はピリミジニルであり、前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基によって置換されてよく、
Ｒ^９２はＨ、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、又はピリミジニルであり、前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基によって置換されてよく、
Ａは単結合、アリーレン基、又はヘテロアリーレン基（前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基によって置換されてよい）；又は−ＳｉＲ^８７Ｒ^８８（式中、Ｒ^８７及びＲ^８８は互いに独立してＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、又はＣ_６〜Ｃ_１４アリール基であり、その基は任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基によって置換されてよい）である）
の化合物である。

式（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）の好ましい化合物は以下の：

であり、式中、Ａ、Ｒ^８９、Ｒ^９０、Ｒ^９１及びＲ^９２は上記の通りである。

最も好ましいのは式（ＩＶａａａ）

の化合物である。

Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキルは、典型的には、直鎖状又は可能であれば、分枝鎖状である。例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ．−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、１，１，３，３−テトラメチルペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルヘキシル、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル及び２−エチルヘキシル、ｎ−ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、又はオクタデシルである。Ｃ_１〜Ｃ_８アルキルは、典型的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ．−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチル−プロピル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル及び２−エチルヘキシルである。Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルは、典型的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ．−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ．−ブチルである。

任意に置換されてよい、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリールは、典型的には、フェニル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、ナフチル、特に１−ナフチル、又は２−ナフチル、ビフェニリル、テルフェニリル、ピレニル、２−又は９−フルオレニル、フェナントリル、又はアントリルであり、これは非置換であるか又は置換されてよい。

Ｃ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリールは、５〜７個の環原子を有する環又は縮合環系を表し、その際、窒素、酸素又は硫黄は可能なヘテロ原子であり、典型的には、少なくとも６つの共役π電子を有する５〜３０個の原子を有する複素環式基、例えば、チエニル、ベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル、チアントレニル、フリル、フルフリル、２Ｈ−ピラニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、フェノキシチエニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ビピリジル、トリアジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、インドリジニル、イソインドリル、インドリル、インダゾリル、プリニル、キノリジニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルバゾリル、カルボリニル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾオキサゾリル、フェナントリジニル、アクリジニル、ピリミジニル、フェナントロリニル、フェナジニル、イソチアゾリル、フェノチアジニル、イソオキサゾリル、フラザニル又はフェノキサジニルであり、これは非置換であるか又は置換されてよい。

Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール基及びＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基は、好ましくは１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_８アルキル基によって置換されている。

アリーレン基の例は、フェニレン、ナフチレン、フェナレニレン、アントラシレン及びフェナントリレンであり、これは任意に１つ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基によって置換されてよい。好ましいアリーレン基は、１，３−フェニレン、３，６−ナフチレン、及び４，９−フェナレニレンであり、これは任意に１つ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基によって置換されてよい。

ヘテロアリーレン基の例は、１，３，４−チアジアゾール−２，５−イレン、１，３−チアゾール−２，４−イレン、１，３−チアゾール−２，５−イレン、２，４−チオフェニレン、２，５−チオフェニレン、１，３−オキサゾール−２，４−イレン、１，３−オキサゾール−２，５−イレン及び１，３，４−オキサジアゾール−２，５−イレン、２，５−インデニレン、２，６−インデニレン、特にピラジニレン、ピリジニレン、ピリミジニレン、及びトリアゾリレンであり、これは任意に１つ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基によって置換されてよい。好ましいヘテロアリーレン基は、２，６−ピラジニレン、２，６−ピリジニレン、４，６−ピリミジニレン、及び２，６−トリアゾリレンであり、これは任意に１つ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基によって置換されてよい。

特に好ましい実施態様では、第２の有機層は、以下の式

の化合物と、以下の式

の化合物との混合物を含む。

更に特に好ましい実施態様では、第２の有機層は、以下の式

の化合物と、以下の式

の化合物との混合物を含む。

式（ＩＩ）の有機金属錯体は、第２の有機層中に、１〜９９質量％の量で、好ましくは２５〜７５質量％の量で、更に好ましくは約５０質量％の量で含有されており、その際、式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、又は（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）の化合物の量は合計して１００質量％である。

式（ＩＩＩ）の化合物の合成は、J. Kidoら、Chem. Commun.（２００８年）５８２１〜５８２３頁、J. Kidoら、Chem. Mater. 20 （２００８年）５９５１〜５９５３頁及びＪＰ２００８−１２７３２６号に記載されているか、又は本願明細書に記載された方法と同様に実施され得る。

式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）の化合物の合成は、ＷＯ２００６／１２８８００号に記載されているか、又は本願明細書に記載された方法と同様に実施され得る。

式（ＩＩ）の化合物の合成は、例えば、クリストフ・シュミッツら、Chem. Mater. 12（２０００年）３０１２〜３０１９頁及びＷＯ００／３２７１７号に記載されているか、又は本願明細書に記載された方法と同様に実施され得る。

第２の有機層は好ましくは電子輸送層である。

有機電子デバイス
本発明の有機電子デバイスは、第１の電極、第２の電極、及び第１の電極と第２の電極との間に介在する第１の有機層を含み、その際、第１の有機層は、少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物を含む。第１の有機層の好ましい実施形態は上記されている。

適した第１の電極と第２の電極は当業者に公知である。

本発明の有機電子デバイスは、例えば、有機太陽電池（有機太陽電池）、スイッチング素子、例えば、有機トランジスタ、例えば、有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）又は有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機発光電界効果トランジスタ（ＯＬＥＦＥＴ）、又は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、好ましくは、ＯＬＥＤである。

有機電子デバイスの適した構造は、当業者に公知であり且つ以下に明記されている。

有機トランジスタ
有機トランジスタは、一般的に、正孔輸送能力及び／又は電子輸送能力を有する有機層から形成された半導体層；導電層から形成されたゲート電極；及び半導体層と導電層との間に導入された絶縁層を含む。ソース電極とドレイン電極がこの装置に搭載されてトランジスタ素子を製造する。更に、当業者に公知の更なる層が有機トランジスタ中に存在してもよい。好ましい実施形態では、正孔輸送能を有する有機層は、少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物を含む。適した金属有機化合物及び金属酸化物並びに適量は上記されている。

有機太陽電池
有機太陽電池（光電変換素子）は、一般に並列に配置された２つのプレート型電極間に存在する有機層を含む。有機層は櫛型電極上に構成してよい。有機層の位置について特に制限はなく、電極の材料についても特に制限はない。しかしながら、並列に配置されたプレート型電極を使用する場合、少なくとも１つの電極は、好ましくは、透明電極、例えばＩＴＯ電極又はフッ素ドープ酸化スズ電極から形成される。有機層は２つの副層、即ち、ｐ型半導体特性又は正孔輸送容量を有する層、及びｎ型半導体特性又は電子輸送能で形成された層から形成される。更に、当業者に公知の更なる層が有機太陽電池中に存在することが可能である。好ましい実施形態では、正孔輸送能を有する層は、少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物を含む。適した金属有機化合物及び金属酸化物並びに適量が上記されている。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）
本発明は更に、陽極Ａｎ及び陰極Ｋａ、陽極Ａｎと陰極Ｋａとの間に配置された発光層Ｅ、発光層Ｅと陽極Ａｎとの間に配置された正孔輸送層及び／又は正孔注入層、並びに適切であれば、正孔／励起子のための少なくとも１つの遮断層、電子／励起子のための少なくとも１つの遮断層、少なくとも１つの電子輸送層及び少なくとも１つの電子注入層からなる群から選択される少なくとも１つの更なる層を含む有機発光ダイオードであって、正孔輸送層及び／又は正孔注入層は、少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む、有機発光ダイオードに関する。適した金属有機化合物及び金属酸化物並びに適量は上記されている。

本発明のＯＬＥＤの構造
本発明の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、かくして一般的に以下の構造を有する：
陽極（Ａｎ）、陰極（Ｋａ）、陽極（Ａｎ）と陰極（Ｋａ）との間に配置された発光層Ｅ、及び発光層Ｅと陽極Ａｎとの間に配置された正孔輸送層及び／又は正孔注入層。

本発明のＯＬＥＤは、例えば、好ましい実施態様では、以下の層から形成されてよい：
１．陽極
２．正孔輸送層
３．発光層
４．正孔／励起子の遮断層
５．電子輸送層
６．陰極

前述の構造とは異なる層の配列も可能であり、これは当業者に公知である。例えば、ＯＬＥＤが上記の層の全てを有していないことが可能である；例えば、層（１）、（２）、（３）、（４）及び（６）を有するＯＬＥＤも同様に適している。更に、ＯＬＥＤは、正孔輸送層（２）と発光層（３）との間の電子／励起子の遮断層を有してもよい。更には、ＯＬＥＤは正孔輸送層（２）と発光層との間に正孔注入層を有してよい。

付加的に、複数の前述の機能（電子／励起子ブロッカー、正孔／励起子ブロッカー、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送）が、１つの層に兼備され、例えば、この層に存在する単一の材料によって担われることも可能である。例えば、一実施形態では、正孔輸送層に使用される材料は、励起子及び／又は電子を同時に遮断し得る。

更には、ＯＬＥＤの個々の層は、上記のものの中で、２つ以上の層から順に形成されてよい。例えば、正孔輸送層は、正孔が電極から注入される層と、正孔注入層から発光層に正孔を輸送する層から形成されてよい。電子輸送層は、同様に、複数の層、例えば、電子が電極によって注入された層、及び電子を電子注入層から受け取ってそれらを発光層に輸送する層から構成されてよい。記載されたこれらの層は、エネルギーレベル、耐熱性及び電荷キャリア移動度、さらには有機層又は金属電極によって特定された層のエネルギー差などの要因に応じてそれぞれ選択されている。当業者であれば、発明に従って、発光体物質として使用される有機化合物に最適に適合するようにＯＬＥＤの構造を選択することが可能である。特に効率的なＯＬＥＤを得るために、例えば、正孔輸送層のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）は、陽極の仕事関数に一致しなければならず、また電子輸送層のＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）は、陰極の仕事関数に一致しなければならないが、但し、前述の層が本発明のＯＬＥＤ中に存在することを条件とする。

陽極（１）は、正の電荷キャリアを提供する電極である。これは、例えば、金属、種々の金属の混合物、金属合金、金属酸化物、又は種々の金属酸化物の混合物を含む材料から形成され得る。あるいは、陽極は導電性ポリマーであってもよい。適した金属は、主族の金属及び金属の合金、ランタノイドの遷移金属、特に元素の周期表の第Ｉｂ族、第ＩＶａ族及び第ＶＩａ族の金属、及び第ＶＩＩＩａ族の遷移金属を含む。陽極が透明であるべき場合、一般に、元素の周期表（ｌＵＰＡＣ版）の第ＩＩｂ族及び第ＩＶｂ族の混合された金属酸化物、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が使用される。同様に、陽極（１）が、例えば、Nature, 第357巻、第477頁〜第479頁（1992年6月11日）に記載されているような、有機材料、例えば、ポリアニリンを含むことも可能である。少なくとも陽極又は陰極のいずれかは、生じた光を放出できるようにするために、少なくとも部分的に透明であるべきである。陽極（１）に用いられる材料は、好ましくはＩＴＯである。

本発明のＯＬＥＤの層（２）に適した正孔輸送材料は、該正孔輸送層が少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物を含まないか、又は少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物の他に含まない場合が、例えば、Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, 第4版, 第18巻, 第837頁〜第860頁, 1996年に開示されている。正孔輸送分子とポリマーの両方が正孔輸送材料として使用することができる。通常、使用される正孔輸送分子は、トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（フェニルアミノ）］トリフェニルアミン（１−ＮａｐｈＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル）（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲ又はＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（β−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＴＰＤ）、ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−２，２−ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（β−ＮＰＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＮＰＢ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＡＤ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−２−イル）アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビスフェニルアミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＢＡＰＦ）、２，２’，７，７’−テトラキス［Ｎ−ナフタレニル（フェニル）アミノ］−９，９’−スピロビフルオレン（スピロ−２ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（ＰＡＰＢ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−５）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−スピロ−ＤＢＰ）、２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９．９−スピロビフルオレン（スピロ−ＢＰＡ）、２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジトリル）アミノ−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフタレン−２−イルベンジジン（ＴＮＢ）、ポルフィリン化合物及びフタロシアニン、例えば、銅フタロシアニン及び酸化チタンフタロシアニンからなる群から選択される。通常、使用される正孔輸送性ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン及びポリアニリンからなる群から選択される。同様に、ポリスチレン及びポリカーボネートなどのポリマーに正孔輸送分子をドープすることによって正孔輸送性ポリマーを得ることも可能である。適した正孔輸送分子は、既に上記した分子である。

更に、一実施形態では、正孔輸送材料としてカルベン錯体を用いることが可能であり、その際、少なくとも１つの正孔輸送材料のバンドギャップは、一般に、使用される発光体材料のバンドギャップよりも大きい。適したカルベン錯体は上記されている。

本発明の好ましい実施形態では、正孔輸送層（２）は、少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物を含み、その際、適した金属有機化合物及び適した金属酸化物並びに金属有機化合物と適した金属酸化物の適量は上記されている。

発光層（３）は、少なくとも１種の発光体材料を含む。原則的に、該材料は蛍光発光体又は燐光発光体であってよく、適した発光体材料は当業者に公知である。少なくとも１種の発光体材料は、好ましくは、燐光発光体である。優先的に使用される燐光発光体化合物は、金属錯体、特に金属のルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム及び白金の錯体、特にイリジウムの錯体をベースとしたものであり、これらは重要性を増している。

本発明のＯＬＥＤでの使用に適した金属錯体は、例えば、文献ＷＯ０２／６０９１０Ａ１号、ＵＳ２００１／００１５４３２Ａ１号、ＵＳ２００１／００１９７８２Ａ１号、ＵＳ２００２／００５５０１４Ａ１号、ＵＳ２００２／００２４２９３Ａ１号、ＵＳ２００２／００４８６８９Ａ１号、ＥＰ１１９１６１２Ａ２号、ＥＰ１１９１６１３Ａ２号、ＥＰ１２１１２５７Ａ２号、ＵＳ２００２／００９４４５３Ａ１号、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２号、ＷＯ００／７０６５５Ａ２号、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１号、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１号、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２号、ＷＯ２００５／１１３７０４Ａ２号、ＷＯ２００６／１１５３０１Ａ１号、ＷＯ２００６／０６７０７４Ａ１号、ＷＯ２００６／０５６４１８号、ＷＯ２００６１２１８１１Ａ１号、ＷＯ２００７０９５１１８Ａ２号、ＷＯ２００７／１１５９７０号、ＷＯ２００７／１１５９８１号及びＷＯ２００８／０００７２７号に記載されている。

更に適した金属錯体は、市販の金属錯体トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（２−（４−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１−フェニルイソキノリン）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２，２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’）（アセチルアセトネート）、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２）ピコリネート、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）、ビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（ジ−ベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）及びトリス（３−メチル−１−フェニル−４−トリメチルアセチル−５−ピラゾリノ）テルビウム（ＩＩＩ）、ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）イソキノリン］（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラート）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−（９，９−ジヘキシルフルオレニル）−１−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）である。

更に、以下の市販の材料が適している：トリス（ジベンゾイルアセトナト）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）−モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（５−アミノフェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ−２−ナフトイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（４−ブロモベンゾイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ（ビフェニル）−メタン）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジフェニルフェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジ−メチル−フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジメチルフェナントロリンジスルホン酸）ユウロピウム（ＩＩＩ）二ナトリウム塩、トリス［ジ（４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）−ベンゾイルメタン）］モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）及びトリス［ジ［４−（２−（２−エトキシ−エトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ（５−アミノフェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾラート）ジフェニル−メチルホスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアゾール）−ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾラート）ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）ピラゾラート）ジメチルフェニルホスフィン、トリス［４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（２，２’）−ビピリジン］−ルテニウム（ＩＩＩ）、オスミウム（ＩＩ）ビス（２−（９，９−ジブチルフルオレニル）−１−イソキノリン（アセチルアセトネート）。

好ましい三重項発光体はカルベン錯体である。適したカルベン錯体は当業者に公知であり、例えば、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２号、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２号、ＷＯ２００５／１１３７０４号、ＷＯ２００７／１１５９７０号、ＷＯ２００７／１１５９８１号及びＷＯ２００８／０００７２７号に記載されている。好ましいカルベン錯体は、上記の式（Ｉ）のカルベン錯体である。特に好ましいカルベン錯体は上記の式（ｌａ）及び（ｌｂ）のカルベン錯体である。

発光層は、発光体材料の他に更なる成分を含んでよい。

例えば、発光体材料の発光色を変化させるために、蛍光染料が発光層中に存在してよい。更に好ましい実施形態では、マトリックス材料が使用されてもよい。このマトリックス材料は、ポリマー、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）又はポリシランであってよい。しかしながら、マトリックス材料は、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＤＰ＝ＣＢＰ）又は第三級芳香族アミン、例えばＴＣＴＡであってもよい。

適したマトリックス材料は、上記のマトリックス材料に加えて、原則的に、正孔及び電子輸送材料として以下に記載された材料、さらには炭素錯体、例えば、ＷＯ２００５／０１９３７３号に記載されたカルベン錯体である。特に適したものは、カルバゾール誘導体、例えば、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）、及び以下の出願：ＷＯ２００８／０３４７５８号、ＷＯ２００９／００３９１９号に記載されたマトリックス材料である。

更に、ジベンゾフランが、マトリックス材料として適しており、例えば、ＵＳ２００７／０２２４４４６Ａ１号に開示されたジベンゾフラン、例えば、Ｒ^１〜Ｒ^８基の少なくとも１つが複素環式基であるジベンゾフラン、例えば、化合物Ａ−１５、及びＷＯ２００９／０６９４４２Ａ１号、ＷＯ２０１０／０９００７７Ａ１号及びＪＰ２００６／３２１７５０Ａ号に開示されたジベンゾフランである。

ジベンゾフランをベースとした更なるマトリックス材料は、例えば、ＵＳ２００９０６６２２６号、ＥＰ１８８５８１８Ｂ１号、ＥＰ１９７０９７６号、ＥＰ１９９８３８８号及びＥＰ２０３４５３８号に記載されている。

小分子又は記載された小分子の（コ）ポリマーであり得る、更なる適したマトリックス材料は、以下の刊行物に記載されている：
ＷＯ２００７１０８４５９号（Ｈ−１〜Ｈ−３７）、好ましくはＨ−２０〜Ｈ−２２及びＨ−３２〜Ｈ−３７、最も好ましくは、Ｈ−２０、Ｈ−３２、Ｈ−３６、Ｈ−３７、ＷＯ２００８０３５５７１Ａ１号（ホスト１〜ホスト６）、ＪＰ２０１０１３５４６７号（化合物１〜４６及びＨＯＳＴ−１〜ＨＯＳＴ−３９及びＨｏｓｔ−４３）、ＷＯ２００９００８１００号の化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６７、好ましくはＮｏ．３、Ｎｏ．４、Ｎｏ．７〜Ｎｏ．１２、Ｎｏ．５５、Ｎｏ．５９、Ｎｏ．６３〜Ｎｏ．６７、更に好ましくはＮｏ．４、Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１２、Ｎｏ．５５、Ｎｏ．５９、Ｎｏ．６４、Ｎｏ．６５、及びＮｏ．６７、ＷＯ２００９００８０９９号の化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１１０、ＷＯ２００８１４０１１４号の化合物１−１〜１−５０、ＷＯ２００８０９０９１２号の化合物ＯＣ−７〜ＯＣ−３６及びＭｏ−４２〜Ｍｏ−５１のポリマー、ＪＰ２００８０８４９１３号のＨ−１〜Ｈ−７０、ＷＯ２００７０７７８１０号の化合物１〜４４、好ましくは１、２、４〜６、８、１９〜２２、２６、２８〜３０、３２、３６、３９〜４４、ＷＯ２０１００１８３０号のモノマー１−１〜１−９のポリマー、好ましくはモノマー１−３、１−７、及び１−９のポリマー、ＷＯ２００８０２９７２９号の化合物１−１〜１−３６（のポリマー）、ＷＯ２０１００４４３３４２号のＨＳ−１〜ＨＳ−１０１及びＢＨ−１〜ＢＨ−１７、好ましくはＢＨ−１〜ＢＨ−１７、ＪＰ２００９１８２２９８号のモノマー１−７５をベースとした（コ）ポリマー、ＪＰ２００９１７０７６４号、ＪＰ２００９１３５１８３号のモノマー１−１４をベースとした（コ）ポリマー、ＷＯ２００９０６３７５７号の好ましくはモノマー１−１〜１−２６をベースとした（コ）ポリマー、ＷＯ２００８１４６８３８号の化合物ａ−１〜ａ−４３及び１−１〜１−４６、ＪＰ２００８２０７５２０号のモノマー１−１〜１−２６をベースとした（コ）ポリマー、ＪＰ２００８０６６５６９号のモノマー１−１〜１−１６をベースとした（コ）ポリマー、ＷＯ２００８０２９６５２号のモノマー１−１〜１−５２をベースとした（コ）ポリマー、ＷＯ２００７１１４２４４号のモノマー１−１〜１−１８をベースとした（コ）ポリマー、ＪＰ２０１００４０８３０号の化合物ＨＡ−１〜ＨＡ−２０、ＨＢ−１〜ＨＢ−１６、ＨＣ−１〜ＨＣ−２３及びモノマーＨＤ−１〜ＨＤ−１２をベースとした（コ）ポリマー、ＪＰ２００９０２１３３６号、ＷＯ２０１００９００７７号の化合物１〜５５、ＷＯ２０１００７９６７８号の化合物Ｈ１〜Ｈ４２、ＷＯ２０１００６７７４６号、ＷＯ２０１００４４３４２号の化合物ＨＳ−１〜ＨＳ−１０１及びＰｏｌｙ−１〜Ｐｏｌｙ−４、ＪＰ２０１０１１４１８０号の化合物ＰＨ−１〜ＰＨ−３６、ＵＳ２００９２８４１３８号の化合物１〜１１１及びＨ１〜Ｈ７１、ＷＯ２００８０７２５９６号の化合物１〜４５、ＪＰ２０１００２１３３６号の化合物Ｈ−１〜Ｈ−３８、好ましくはＨ−１、ＷＯ２０１０００４８７７号の化合物Ｈ−１〜Ｈ−６０、ＪＰ２００９２６７２５５号の化合物１−１〜１−１０５、ＷＯ２００９１０４４８８号の化合物１−１〜１−３８、ＷＯ２００９０８６０２８号、ＵＳ２００９１５３０３４号、ＵＳ２００９１３４７８４号、ＷＯ２００９０８４４１３号の化合物２−１〜２−５６、ＪＰ２００９１１４３６９号の化合物２−１〜２−４０、ＪＰ２００９１１４３７０号の化合物１〜６７号、ＷＯ２００９０６０７４２号の化合物２−１〜２−５６、ＷＯ２００９０６０７５７号の化合物１−１〜１−７６、ＷＯ２００９０６０７８０号の化合物１−１〜１−７０、ＷＯ２００９０６０７７９号の化合物１−１〜１−４２、ＷＯ２００８１５６１０５号の化合物１〜５４、ＪＰ２００９０５９７６７号の化合物１〜２０、ＪＰ２００８０７４９３９号の化合物１〜２５６、ＪＰ２００８０２１６８７号の化合物１〜５０、ＷＯ２００７１１９８１６号の化合物１〜３７、ＷＯ２０１００８７２２２号の化合物Ｈ−１〜Ｈ−３１、ＷＯ２０１００９５５６４号の化合物ＨＯＳＴ−１〜ＨＯＳＴ−６１、ＷＯ２００７１０８３６２号、ＷＯ２００９００３８９８号、ＷＯ２００９００３９１９号、ＷＯ２０１００４０７７７号、ＵＳ２００７２２４４４６号及びＷＯ０６１２８８００号。

特に好ましい実施形態では、下記の一般式（Ｘ）の１種以上の化合物がマトリックス材料として使用されている。一般式（Ｘ）の化合物の好ましい実施形態も同様に以下に記載されている。

好ましい実施形態において、本発明は、従って、本発明による有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤであって、一般式（Ｘ）

（式中、
Ｔは、ＮＲ^５７、Ｓ、Ｏ又はＰＲ^５７、好ましくはＳ又はＯ、更に好ましくはＯであり；
Ｒ^５７は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルであり；
Ｑ’は、−ＮＲ^５８Ｒ^５９、−ＳｉＲ^７０Ｒ^７１Ｒ^７２、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^６０Ｒ^６１、−ＰＲ^６２Ｒ^６３、−Ｓ_（Ｏ）２Ｒ^６４、−Ｓ（Ｏ）Ｒ^６５、−ＳＲ^６６又は−ＯＲ^６７、好ましくは−ＮＲ^５８Ｒ^５９；更に好ましくは

（式中、
Ｒ^６８、Ｒ^６９は互いに独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり；好ましくはメチル、カルバゾリル、ジベンゾフリル又はジベンゾチエニルであり；
ｙ、ｚは互いに独立して０、１、２、３又は４、好ましくは０又は１であり；
Ｒ^５５、Ｒ^５６はそれぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ^７０Ｒ^７１Ｒ^７２、Ｑ’基又は供与作用又は受容作用を有する基であり；
ａ’’は０、１、２、３又は４であり；
ｂ’は０、１、２又は３であり；
Ｒ^５８、Ｒ^５９は窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環状残基を形成し、該基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール並びに供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよい、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ以上の更なる環状残基に縮合してよく、その際、縮合した残基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよい；
Ｒ^７０、Ｒ^７１、Ｒ^７２、Ｒ^６０、Ｒ^６１、Ｒ^６２、Ｒ^６３、Ｒ^６４、Ｒ^６５、Ｒ^６６、Ｒ^６７は互いに独立してアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルであるか、又は
一般式（Ｘ）の２つの単位は、結合又はＯを介して、少なくとも１つのヘテロ原子によって任意に中断された、直鎖状又は分枝鎖状の、飽和又は不飽和の橋を介して相互に橋かけされている）
の少なくとも１種の化合物、特に好ましくは三重項発光体としてのカルベン錯体と組み合わせた化合物を含む、前記ＯＬＥＤに関するものである。

好ましいものは式（Ｘ）の化合物であり、その際、
ＴはＳ又はＯ、好ましくはＯであり、且つ
Ｑ’は

であり、
式中、
Ｒ^６８、Ｒ^６９はそれぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール；好ましくはメチル、カルバゾリル、ジベンゾフリル又はジベンゾチエニルであり；
ｙ、ｚはそれぞれ独立して０、１、２、３又は４、好ましくは０又は１である。

特に好ましい式（Ｘ）の化合物は、以下の式（Ｘａ）：

（式中、記号及び添え字Ｑ’、Ｔ、Ｒ^５５、Ｒ^５６、ａ’’及びｂ’はそれぞれ上に定義される通りである）
を有する。

非常に特に好ましい式（Ｘ）の化合物は、以下の式（Ｘａａ）：

（式中、記号及び添え字Ｒ^６８、Ｒ^６９、ｙ、ｚ、Ｔ、Ｒ^５５、Ｒ^５６、ａ’’及びｂ’はそれぞれ上に定義される通りである）
を有する。

非常に特に好ましい実施態様において、式（Ｘａａ）では：
ＴはＯ又はＳ、好ましくはＯであり；
ａ’’は１であり；
ｂ’は０であり；
ｙ、ｚはそれぞれ独立して０又は１であり、且つ
Ｒ^６８、Ｒ^６９は、それぞれ独立して、メチル、カルバゾリル、ジベンゾフリル又はジベンゾチエニルであり、
Ｒ^５５は置換されたフェニル、カルバゾリル、ジベンゾフリル又はジベンゾチエニルである。

更に非常に特に好ましい式（Ｘ）の化合物は、式（Ｘａｂ）

（式中、記号及び添え字Ｒ^６８、Ｒ^６９、ｙ、ｚ、Ｔ、Ｒ^５５、Ｒ^５６、ａ’’及びｂ’はそれぞれ独立して上記の意味を有する）
を有する。

特に好ましい実施態様では、式（Ｘａｂ）中の記号及び添え字は以下の意味を有する：
ＴはＯ又はＳ、好ましくはＯであり；
ａ’’は０であり；
ｂ’は０であり；
ｙ、ｚは互いに独立して０又は１であり；且つ
Ｒ^６８、Ｒ^６９は互いに独立してメチル、カルバゾリル、ジベンゾフリル又はジベンゾチエニルである。

特に好ましい式（Ｘａｂ）の化合物は以下の化合物である：

（式中、ＴはＯ又はＳ、好ましくはＯである）。

式（Ｘ）の化合物は、例えば、ＷＯ２０１００７９０５１号、ＷＯ２００７／０７７８１０号、ＪＰ２００９２６７２５５号、ＵＳ２００９００１７３３１Ａ１号及びＷＯ２００９／００３８９８号にそれぞれ記載された通りに、又は上記の文献に記載された製造方法と類似した方法で製造されてよい。

本発明の更に好ましい実施態様では、少なくとも１種の式（Ｖ）の化合物は、マトリックス材料として、特に好ましくは三重項発光体としてのカルベン錯体と共に使用される。

（式中、
ＸはＮＲ、Ｓ、Ｏ又はＰＲであり；
Ｒはアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、又はヘテロシクロアルキルであり；
Ａは−ＮＲ^６Ｒ^７、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^８Ｒ^９、−ＰＲ^１０Ｒ^１１、−Ｓ（Ｏ）_２Ｒ^１２、−Ｓ（Ｏ）Ｒ^１３、−ＳＲ^１４、又は−ＯＲ^１５であり；
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに独立してアリール又はヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、又はヘテロシクロアルキルであり、その際、基Ｒ^１、Ｒ^２、又はＲ^３の少なくとも１つはアリール、又はヘテロアリールであり；
Ｒ^４及びＲ^５は互いに独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、基Ａ、又は供与特性、又は受容特性を有する基であり；
ｎ及びｍは、互いに独立して０、１、２、又は３であり；
Ｒ^６、Ｒ^７は窒素原子と一緒になって、３〜１０個の環原子を有する環状残基を形成し、該基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与特性、又は受容特性を有する基から選択される１つ以上の置換基で置換されてよい；及び／又は該基は３〜１０個の環原子を有する１つ以上の更なる環状残基と縮合されていてよく、その際、縮合された残基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与特性又は受容特性を有する基から選択される１つ以上の置換基で置換されてよく；且つ
Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は互いに独立してアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルである）。

式（Ｖ）の化合物は、ＷＯ２０１００７９０５１号（ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０６７１２０号）に記載されている。

一般式（Ｘ）の化合物、特にＲ^５５〜Ｒ^７７残基の化合物の場合、及び一般式（Ｖ）の化合物、特にＲ^１〜Ｒ^１５残基の化合物の場合：

アリール残基又は基、ヘテロアリール残基又は基、アルキル残基又は基、シクロアルキル残基又は基、ヘテロシクロアルキル残基又は基、アルケニル残基又は基、アルキニル残基又は基、供与作用及び／又は受容作用を有する基との用語は、それぞれ以下の通りに定義される：

アリール残基（又は基）は、芳香環又は複数の縮合芳香族環から形成された、６〜３０個の炭素原子、好ましくは６〜１８個の炭素原子の基本骨格を有する残基を意味すると理解される。適した基本骨格は、例えば、フェニル、ナフチル、アントラセニル又はフェナントレニル、インデニル又はフルオレニルである。この基本骨格は、非置換であるか（これは置換可能な全ての炭素原子が水素原子を有することを意味する）、又は１つ以上又は全ての置換可能な基本骨格の位置で置換されてよい。

適した置換基は、例えば、重水素、アルコキシ残基、アリールオキシ残基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、カルバゾリル基、シリル基、ＳｉＲ^７８Ｒ^７９Ｒ^８０（適したシリル基ＳｉＲ^７８Ｒ^７９Ｒ^８０は以下に記載されている）、アルキル残基、好ましくは１〜８個の炭素原子を有するアルキル残基、更に好ましくはメチル、エチル又はｉ−プロピル、アリール残基、好ましくは順に置換されてよい又は非置換であってよいＣ_６−アリール残基、ヘテロアリール残基、好ましくは少なくとも１個の窒素原子を含むヘテロアリール残基、更に好ましくはピリジル残基及びカルバゾリル残基、アルケニル残基、好ましくは１つの二重結合を有するアルケニル残基、更に好ましくは１つの二重結合と１〜８個の炭素原子を有するアルケニル残基、アルキニル残基、好ましくは１つの三重結合を有するアルキニル残基、更に好ましくは１つの三重結合及び１〜８個の炭素原子又は供与作用及び受容作用を有する基を有するアルキニル残基である。供与作用及び受容作用を有する適した基は以下に記載されている。置換アリール残基は、最も好ましくは、メチル、エチル、イソプロピル、アルコキシ、ヘテロアリール、ハロゲン、擬ハロゲン及びアミノ、好ましくはアリールアミノからなる群から選択される置換基を有する。アリール残基又はアリール基は好ましくはＣ_６〜Ｃ_１８−アリール残基であり、更に好ましくはＣ_６−アリール残基であり、これは任意に少なくとも１つ又は２つ以上の前述の置換基によって置換される。Ｃ_６〜Ｃ_１８−アリール残基、好ましくはＣ_６−アリール残基は、更に好ましくは前述の置換基を有していないか、１つ、２つ、３つ又は４つの置換基を有し、最も好ましくは置換基を有していないか、１つ又は２つの置換基を有する。

ヘテロアリール残基又はヘテロアリール基は、アリール残基の基本骨格中の少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子によって置換基される点で、また、ヘテロアリール残基の基本骨格が好ましくは５〜１８個の環原子を有する点で、前述のアリール残基とは異なる残基を意味すると理解される。好ましいヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳである。特に有利に適したヘテロアリール残基は、窒素含有ヘテロアリール残基である。最も好ましくは、基本骨格の１つ又は２つの炭素原子は、ヘテロ原子、好ましくは窒素によって置換されている。基本骨格は、特に好ましくは、系、例えば、ピリジン、ピリミジン及び５員環ヘテロ芳香族、例えば、ピロール、フラン、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、トリアゾールから選択される。更に、ヘテロアリール残基は、縮合環系、例えば、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンゾピロリル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、フェナントロリニル、カルバゾリル残基、アザカルバゾリル残基又はジアザカルバゾリル残基であってよい。基本骨格は、基本骨格の１つ、２つ以上又は全ての置換可能な位置で置換されてよい。適した置換基は、アリール基について既に記載されたものと同じである。

アルキル残基又はアルキル基は、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０、更に好ましくは炭素数１〜８、最も好ましくは炭素数１〜４の残基を意味すると理解される。このアルキル残基は、分枝鎖状又は非分枝鎖状であってよく、任意に１つ以上のヘテロ原子、好ましくはＳｉ、Ｎ、Ｏ又はＳ、更に好ましくはＮ、Ｏ又はＳによって中断されてよい。更に、このアルキル残基はアリール基について記載された１つ以上の置換基によって置換されてよい。更に、本発明によって存在するアルキル残基は少なくとも１つのハロゲン原子、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ、特にＦを有してもよい。更なる実施形態では、本発明によって存在するアルキル残基は、完全にフッ素化されてよい。同様に、アルキル残基が１つ以上の（ヘテロ）アリール基を有することも可能である。従って、本出願の文脈では、例えば、ベンジル基は、置換されたアルキル残基である。この文脈では、上に挙げられた全ての（ヘテロ）アリール基が適している。アルキル残基は、更に好ましくは、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチルからなる群から選択され、非常に特に好ましいものは、メチル及びエチルである。

シクロアルキル残基又はシクロアルキル基は、炭素数３〜２０、好ましくは炭素数３〜１０、更に好ましくは炭素数３〜８の残基を意味すると理解される。この基本骨格は、非置換であるか（これは置換可能な全ての炭素原子が水素原子を有することを意味する）、又は１つ以上又は全ての置換可能な基本骨格の位置で置換されてよい。適した置換基は、アリール残基について既に上記された基である。同様に、シクロアルキル残基が１つ以上の（ヘテロ）アリール基を有することも可能である。適したシクロアルキル残基の例は、シクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルである。

ヘテロシクロアルキル残基又はヘテロシクロアルキル基は、シクロアルキル残基の基本骨格中の少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子によって置換される点で前述のシクロアルキル残基とは異なる残基を意味すると理解される。好ましいヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳである。最も好ましくは、シクロアルキル残基の基本骨格の１つ又は２つの炭素原子はヘテロ原子によって置換される。適したヘテロシクロアルキル残基の例は、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、テトラヒドロフラン、ジオキサンから誘導される残基である。

アルケニル残基又はアルケニル基は、アルキル残基の少なくとも１つのＣ−Ｃ単結合がＣ−Ｃ二重結合に置き換えられている点で異なる、少なくとも２つの炭素原子を有する前述のアルキル残基に対応する残基を意味すると理解される。

アルキニル残基又はアルキニル基は、アルキル残基の少なくとも１つのＣ−Ｃ単結合がＣ−Ｃ三重結合で置き換えられている点で異なる、少なくとも２つの炭素原子を有する前述のアルキル残基に対応する残基を意味すると理解される。アルキニル残基は、好ましくは１つ又は２つの三重結合を有する。

ＳｉＲ^７８Ｒ^７９Ｒ^８０基は、Ｒ^７８、Ｒ^７９及びＲ^８０がそれぞれ独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール又はＯＲ^７３であるシリル残基を意味すると理解される。

ＳｉＲ^７４Ｒ^７５Ｒ^７６基は、Ｒ^７４、Ｒ^７５及びＲ^７６がそれぞれ独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール又はＯＲ^７３であるシリル残基を意味すると理解される。

本願の文脈においては、供与作用又は受容作用を有する基又は置換基は以下の群を意味すると理解される：
供与作用を有する群は、＋Ｉ及び／又は＋Ｍ効果を有する群を意味すると理解され、受容作用を有する群は、−Ｉ及び／又は−Ｍ効果を有する群を意味すると理解される。好ましい適した基は、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルコキシ、Ｃ_６〜Ｃ_３０−アリールオキシ、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキルチオ、Ｃ_６〜Ｃ_３０−アリールチオ、ＳｉＲ８１’’Ｒ８２’’Ｒ８３’’、ＯＲ７３、ハロゲン残基、ハロゲン化Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキル残基、カルボニル（−ＯＣ（Ｒ８１’’））、カルボニルチオ（−Ｃ＝Ｏ（ＳＲ８１’’））、カルボニルオキシ（−Ｃ＝Ｏ（ＯＲ８１’’））、オキシカルボニル（−ＯＣ＝Ｏ（Ｒ８１’’））、チオカルボニル（−ＳＣ＝Ｏ（Ｒ８１’’））、アミノ（−ＮＲ８１’’Ｒ８２’’）、擬ハロゲン残基、アミド（−Ｃ＝Ｏ（ＮＲ８１’’））、−ＮＲ８１’’Ｃ＝Ｏ（Ｒ８３’’）、ホスホネート（−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ８１’’）_２、ホスフェート（−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ８１’’）_２）、ホスフィン（−ＰＲ８１’’Ｒ８２’’）、ホスフィンオキシド（−Ｐ（Ｏ）Ｒ８１’’_２）、サルフェート（−ＯＳ（Ｏ）_２ＯＲ８１’’）、スルホキシド（−Ｓ（Ｏ）Ｒ８１’’）、スルホネート（−Ｓ（Ｏ）_２ＯＲ８１’’）、スルホニル（−Ｓ（Ｏ）_２Ｒ８１’’、スルホンアミド（−Ｓ（Ｏ）_２ＮＲ８１’’Ｒ８２’’）、ＮＯ_２、ボロン酸エステル（−ＯＢ（ＯＲ８１’’）_２）、イミノ（−Ｃ＝ＮＲ８１’’Ｒ８２’’））、ボラン残基、スタンナン残基、ヒドラジン残基、ヒドラゾン残基、オキシム残基、ニトロソ基、ジアゾ基、ビニル基、スルホキシイミン、アラン（alane）、ゲルマン、ボロキシム（boroxime）及びボラジンから選択される。

供与作用又は受容作用を有する前述の群に記載されたＲ８１’’、Ｒ８２’’及びＲ８３’’残基は、それぞれ独立して：
置換又は非置換のＣ_１〜Ｃ_２０アルキル又は置換又は非置換のＣ_６〜Ｃ_３０−アリール、又はＯＲ^７６であり、好適で且つ好ましいアルキル及びアリール残基は上記されている。Ｒ８１’’、Ｒ８２’’及びＲ８３’’残基は、更に好ましくはＣ_１〜Ｃ_６−アルキル、例えば、メチル、エチル又はｉ−プロピル基、又はフェニルである。好ましい実施形態では、ＳｉＲ８１’’Ｒ８２’’Ｒ８３’’の場合、Ｒ８１’’、Ｒ８２’’及びＲ８３’’は好ましくはそれぞれ独立して置換又は非置換のＣ_１〜Ｃ_２０−アルキル又は置換又は非置換のアリール、好ましくはフェニルである。

供与又は受容作用を有する好ましい置換基は、以下の：
Ｃ_１〜Ｃ_２０アルコキシ、好ましくはＣ_１〜Ｃ_６アルコキシ、更に好ましくはエトキシ又はメトキシ；Ｃ_６〜Ｃ_３０−アリールオキシ、好ましくはＣ_６〜Ｃ_１０−アリールオキシ、更に好ましくはフェニルオキシ；ＳｉＲ８１’’Ｒ８２’’Ｒ８３’’、ここでＲ８１’’、Ｒ８２’’及びＲ８３’’は好ましくはそれぞれ独立して置換又は非置換のアルキル、又は置換又は非置換のアリール、好ましくはフェニル；更に好ましくは、少なくとも１つのＲ８１’’、Ｒ８２’’及びＲ８３’’残基は置換又は非置換のフェニルであり、適した置換基は上記されている；ハロゲン残基、好ましくは、Ｆ、Ｃｌ、更に好ましくはＦ、ハロゲン化Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル残基、好ましくはハロゲン化Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル残基、最も好ましくはフッ素化Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル残基、例えば、ＣＦ_３、ＣＨ_２Ｆ、ＣＨＦ_２又はＣ_２Ｆ_５；アミノ；好ましくはジメチルアミノ、ジエチルアミノ又はジアリールアミノ、更に好ましくはジアリールアミノ；擬ハロゲン残基、好ましくはＣＮ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ_１〜Ｃ_４−アルキル、好ましくは−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｒ_２、好ましくはＰ（Ｏ）Ｐｈ_２からなる群から選択される。

供与作用又は受容作用を有する極めて特に好ましい置換基は、メトキシ、フェニルオキシ、ハロゲン化Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル、好ましくはＣＦ_３、ＣＨ_２Ｆ、ＣＨＦ_２、Ｃ_２Ｆ_５、ハロゲン、好ましくはＦ、ＣＮ、ＳｉＲ８１’’Ｒ８２’’Ｒ８３’’（適したＲ８１’’、Ｒ８２’’及びＲ８３’’残基は既に上記されている）、ジアリールアミノ（ＮＲ８４’’Ｒ８５’’、ここでＲ８４’’、Ｒ８５’’はそれぞれＣ_６〜Ｃ_３０−アリールである）、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ_１〜Ｃ_４−アルキル、好ましくは−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｐｈ_２からなる群から選択される。

ハロゲン基は、好ましくはＦ、Ｃｌ及びＢｒ、更に好ましくはＦ及びＣｌ、最も好ましくはＦを意味すると理解される。

擬ハロゲン基は好ましくはＣＮ、ＳＣＮ及びＯＣＮ、更に好ましくはＣＮを意味すると理解される。

供与作用又は受容作用を有する前述の基は、本願に記載されているが、供与作用又は受容作用を有する基として上記リストに挙げられていない、更なる残基及び置換基が供与作用又は受容作用を有する可能性を除外していない。

供与作用及び／又は受容作用を有するアリール残基又は基、ヘテロアリール残基又は基、アルキル残基又は基、シクロアルキル残基又は基、ヘテロシクロアルキル残基又は基、アルケニル残基又は基及び供与作用及び／又は受容作用を有する基は、上記の通り、置換されるか又は非置換であってよい。本願の文脈において、非置換基は、基の置換可能な原子が水素原子を有する基を意味すると理解される。本願の文脈において、置換された基とは、１つ以上の置換可能な原子が少なくとも１つの位置で水素原子の代わりに置換基を有する基を意味すると理解される。適した置換基は、アリール残基又は基について上記された置換基である。

同じ番号を有する残基が本願による化合物において２度以上生じる場合、これらの残基はそれぞれ独立して上記の定義を有してよい。

式（Ｘ）の化合物中の残基Ｔは、ＮＲ^５７、Ｓ、Ｏ又はＰＲ^５７、好ましくはＮＲ^５７、Ｓ又はＯ、更に好ましくはＯ又はＳ、最も好ましくはＯである。式（Ｖ）中の残基Ｘは、ＮＲ、Ｓ、Ｏ又はＰＲ、更に好ましくはＯ又はＳ、最も好ましくはＯであり；

残基Ｒ^５７は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、好ましくはアリール、ヘテロアリール又はアルキル、更に好ましくはアリールであり、ここで、前述の残基は非置換であるか又は置換されてよい。適した置換基は上記されている。Ｒ^５７は、更に好ましくは、前述の置換基によって置換されてよい又は非置換であってよいフェニルである。Ｒ^５７は、最も好ましくは、非置換のフェニルである。

Ｒ残基は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、又はヘテロシクロアルキルであり、その際、前述の残基は、非置換であるか又は置換されてよい。適した置換基は上記されている。Ｒは更に好ましくは前述の置換基によって置換されてよい又は非置換であってよいフェニルである。Ｒは、最も好ましくは、非置換のフェニルである。

式（Ｘ）の化合物中のＱ’基は、−ＮＲ^５８Ｒ^５９、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^６０Ｒ^６１、−ＰＲ^６２Ｒ^６３、−Ｓ（Ｏ）_２Ｒ^６４、−Ｓ（Ｏ）Ｒ^６５、−ＳＲ^６６又は−ＯＲ^６７；好ましくはＮＲ^５８Ｒ^５９、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^６０Ｒ^６１又は−ＯＲ^６７、更に好ましくは−ＮＲ^５８Ｒ^５９である。

式（Ｖ）の化合物中のＡ基は、−ＮＲ^６Ｒ^７、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^８Ｒ^９、−ＰＲ^１０Ｒ^１１、−Ｓ_（Ｏ）２Ｒ^１２、−Ｓ（Ｏ）Ｒ^１３、−ＳＲ^１４、又は−ＯＲ^１５、好ましくは−ＮＲ^６Ｒ^７、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^８Ｒ^９又は−ＯＲ^１５、更に好ましくは−ＮＲ^６Ｒ^７である。

Ｒ^５８〜Ｒ^６７及びＲ^７４〜Ｒ^７６及びＲ^６〜Ｒ^１５残基はそれぞれ次の通りに定義される：
Ｒ^５８、Ｒ^５９、Ｒ^６、Ｒ^７は、窒素原子と一緒に、３〜１０個の環原子を有する環状残基を形成し且つ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよく及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ以上の更なる環状残基に縮合してよく、その際、縮合した残基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよく；
Ｒ^６０、Ｒ^６１、Ｒ^６２、Ｒ^６３、Ｒ^６４、Ｒ^６５、Ｒ^６６、Ｒ^６７、Ｒ^７４、Ｒ^７５、Ｒ^７６、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５はそれぞれ独立してアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、好ましくはアリール又はヘテロアリールであり、その際、残基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の残基よって置換されてよく、更に好ましくは非置換又は置換のフェニルであり、上記されている適した置換基、例えば、トリル又は以下の式の基である：

（式中、Ｔ基及びＲ^７０、Ｒ^７１及びＲ^７２残基はそれぞれ独立して式（Ｘ）の化合物について定義された通りである）。

Ｒ^６０、Ｒ^６１、Ｒ^６２、Ｒ^６３、Ｒ^６４、Ｒ^６５、Ｒ^６６及びＲ^６７及びＲ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５は最も好ましくはそれぞれ独立してフェニル、トリル又は以下の式

（式中、ＴはＮＰｈ、Ｓ又はＯである）
の基である。

有利に適した−ＮＲ^５８Ｒ^５９基及び−ＮＲ^６Ｒ^７基の例は、ピロリル、２，５−ジヒドロ−１−ピロリル、ピロリジニル、インドリル、インドリニル、イソインドリニル、カルバゾリル、アザカルバゾリル、ジアザカルバゾリル、イミダゾリル、イミダゾリニル、ベンズイミダゾリル、ピラゾリル、インダゾリル、１，２，３−トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、１，２，４−トリアゾリル、テトラゾリル、１，３−オキサゾリル、１，３−チアゾリル、ピペリジル、モルホリニル、９，１０−ジヒドロアクリジニル及び１，４−オキサジニルからなる群から選択され、その際、前述の基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよく；−ＮＲ^６Ｒ^７基及び−ＮＲ^５８Ｒ^５９基は、好ましくは独立してカルバゾリル、ピロリル、インドリル、イミダゾリル、ベンズイミダゾリル、アザカルバゾリル及びジアザカルバゾリルから選択され、その際、前述の基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよく；−ＮＲ^５８Ｒ^５９基及び−ＮＲ^６Ｒ^７基は独立して更に好ましくは非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよいカルバゾリルである。

特に好ましい−ＮＲ^５８Ｒ^５９基及び−ＮＲ^６Ｒ^７基は、以下の：

（式中、
Ｒ^６８、Ｒ^６９はそれぞれ独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、好ましくはメチル、カルバゾリル、ジベンゾフリル又はジベンゾチエニルであり；
ｙ、ｚはそれぞれ独立して０、１、２、３又は４であり、好ましくは０又は１である）
であり、例えば、以下のものである：

式（Ｘ）の化合物中のＲ^５５、Ｒ^５６及び式（Ｖ）の化合物中のＲ^４、Ｒ^５はそれぞれ独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、更なるＡ基又は供与作用又は受容作用を有する基であり；好ましくはそれぞれ独立してアルキル、アリール、ヘテロアリール又は供与作用又は受容作用を有する基である。例えば、Ｒ^５５又はＲ^５６又はＲ^４又はＲ^５はそれぞれ独立して以下のものであってよい：

式（Ｘ）の化合物において、ａ’’Ｒ^５５基及び／又はｂ’Ｒ^５６基が存在してよく、その際、ａ’’及びｂ’は、
ａ’’は０、１、２、３又は４であり；好ましくは独立して０、１又は２であり；
ｂ’は０、１、２又は３であり；好ましくは独立して０、１又は２である。

最も好ましくは少なくともａ’’又はｂ’は０であり、非常に特に好ましくはａ’’及びｂ’はそれぞれ０であるか又はａ’’は１であり且つｂ’は０である。

式（Ｖ）の化合物において、ｍＲ^４基及び／又はｎ’Ｒ^５基が存在してよく、その際、ｍ及びｎは、
ｍが０、１、２、３又は４であり；好ましくは独立して０、１又は２であり；
ｎが０、１、２又は３であり；好ましくは独立して０、１又は２である。

最も好ましくは少なくともｍ又はｎは０であり、非常に特に好ましくはｍ及びｎはそれぞれ０であるか又はｍは１であり且つｎは０である。

一般式（Ｖ）の更に好ましい化合物は、以下の式（ＸＩ）

（式中、
Ｒ^７０、Ｒ^７１、Ｒ^７２はそれぞれ独立してアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルである）
に対応する。

式（Ｖ）の化合物の好ましい例は、以下のものである：

前記化合物は、ＷＯ２０１００７９０５１号（ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０６７１２０号；特に１９〜２６頁、２７〜３４頁の表、３５〜３７頁及び４２〜４３頁）に記載されている。

特に好ましいマトリックス材料の例を以下に示す：

上記の化合物において、ＴはＯ、又はＳ、好ましくはＯである。Ｔが分子内で２回以上生じる場合、全ての基Ｔは同じ意味を有する。

更に、発光層は、追加の又は単独のマトリックス材料として及び／又は追加の発光体材料として更なるカルベン錯体を含んでよい。好適な更なるカルベン錯体は、上記と同じカルベン錯体、特に式（Ｉ）のカルベン錯体である。

好ましい実施形態では、発光層は、２質量％から７０質量％までの、好ましくは５〜４０質量％の少なくとも１種の前述の発光体材料と、３０〜９８質量％、好ましくは６０〜９５質量％の少なくとも１種の前述のマトリックス材料（一実施態様では、少なくとも１種の式（Ｖ）の化合物）とから形成されており、その際、発光体材料とマトリックス材料との合計は１００質量％になる。

好ましい実施態様では、発光層は、少なくとも１種の前述のマトリックス材料（一実施態様における式（Ｖ）の化合物）、例えば、

及び２種のカルベン錯体、好ましくは以下の式

を含む。

前記実施態様では、発光層は、２質量％から４０質量％までの、好ましくは５〜３５質量％の以下の式

及び６０〜９８質量％、好ましくは６５〜９５質量％の、少なくとも１種の前述のマトリックス材料（一実施態様では、式（Ｖ）の化合物）及び

から形成され、その際、カルベン錯体と、少なくとも１種の上記のマトリックス材料（一実施態様における式（Ｖ）の化合物）との合計は１００質量％になる。

好ましい実施態様において、発光層は、マトリックス材料として以下に記載される、少なくとも１種の前述のマトリックス材料（一実施態様における式（Ｖ）の化合物）及び１種又は２種のカルベン錯体、好ましくは式（Ｉａ）及び／又は（Ｉｂ）のカルベン錯体を含む。

更なる実施態様では、少なくとも１種の前述のマトリックス材料（一実施態様における式（Ｖ）の化合物）は、正孔ブロッカー／励起子ブロッカー材料として使用され、好ましくは三重項発光体としてのカルベン錯体と一緒に使用される。少なくとも１種の前述のマトリックス材料（一実施態様における式（Ｖ）の化合物）も、三重項発光体としてのカルベン錯体と一緒に、マトリックス材料及び正孔ブロッカー／励起子ブロッカー材料の両方として使用されてよい。

正孔／励起子（４）のブロッキング層が、前述のマトリックス材料（一実施態様における式（Ｖ）の化合物）を全く含まないか又は前述のマトリックス材料（一実施態様における式（Ｖ）の化合物）のいずれか１種の他に含まない場合、ＯＬＥＤは、正孔のブロッキング層が存在する場合、典型的にはＯＬＥＤで使用される、正孔ブロッカー材料、例えば、２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ピリジン（ｍＣＰｙ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン（ＢＣＰ））、ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェニラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡＩｑ）、フェノチアジンＳ，Ｓ−二酸化物誘導体、及び１，３，５−トリス（Ｎ−フェニル−２−ベンジルイミダゾリル）ベンゼン）（ＴＰＢＩ）を有し、ＴＰＢＩも電子伝導性材料として適している。更に適した正孔ブロッカー及び／又は電子輸送材料は、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、８−ヒドロキシキノリノラトリチウム、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール、６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジル、２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン、２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン、１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリンである。更なる実施態様では、ＷＯ２００６／１００２９８号に開示された、カルボニル基を含む基を介して結合された芳香環又は芳香族複素環を含む化合物、例えば、ＷＯ２００９００３９１９号（ＰＣＴ／ＥＰ２００８／０５８２０７号）及びＷＯ２００９００３８９８号（ＰＣＴ／ＥＰ２００８／０５８１０６号）に記載された、ジシリルカルバゾール、ジシリルベンゾフラン、ジシリルベンゾチオフェン、ジシリルベンゾホスホール、ジシリルベンゾチオフェンＳ−酸化物及びジシリルベンゾチオフェンＳ，Ｓ−二酸化物からなる群から選択されるジシリル化合物、及びＷＯ２００８／０３４７５８号に開示されたジシリル化合物を、正孔／励起子（４）のブロッキング層として又は発光層（３）中のマトリックス材料として使用することが可能である。

好ましい実施態様では、本発明は、（１）陽極、（２）正孔輸送層、（３）発光層、（４）正孔／励起子のブロッキング層、（５）電子輸送層及び（６）陰極の層を含み、適切であれば更なる層を含む本発明のＯＬＥＤであって、正孔輸送層が少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物を含む前記ＯＬＥＤに関する。適した金属有機化合物及び金属酸化物並びに適量は上記されている。

本発明のＯＬＥＤの層（５）に適した電子輸送材料は、金属キレート化オキシノイド（ｏｘｉｎｏｉｄ）化合物、例えば、２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］（ＴＰＢＩ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、フェナントロリンベースの化合物、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）又は４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）、及びアゾール化合物、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）及び３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、８−ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）−アルミニウム（ＢＡＩｑ）、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジル（ＢＰ−ＯＸＤ−Ｂｐｙ）、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ＮＴＡＺ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン （Ｂｂｙ−ＦＯＸＤ）、１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリン（２−ＮＰＩＰ）、２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＰＡＤＮ）、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＨＮＢｐｈｅｎ）を含む。層（５）は、電子輸送を促進し且つＯＬＥＤの層の境界面での励起の消失を防ぐためにバッファ層又はバリヤー層として作用し得る。層（５）は、好ましくは、電子の移動性を改善し、且つ励起の消失を減少させる。好ましい実施態様において、ＴＰＢＩは電子導体材料として使用される。原則的に、電子導体層は電子導体材料として少なくとも１種の式（Ｖ）の化合物を含むことが可能である。

好ましい実施態様において、本発明のＯＬＥＤの電子輸送層（５）は、式（ＩＩ）の有機金属錯体及び好ましくは更に式（ＩＩＩ）、（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）の化合物を含む。層（５）は好ましくは電子の移動性を改善する。式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）の化合物並びに前記化合物の有機層、特に、電子輸送層における適量は上記されている。

正孔輸送材料及び電子輸送材料として上記された材料の中で、幾つかは複数の機能を果たす。例えば、電子輸送材料の幾つかは、それらが低いＨＯＭＯを有する時に、同時に正孔ブロッキング材料である。これらは、例えば、正孔／励起子（４）のブロッキング層において使用できる。

電荷輸送層は、使用される材料の輸送特性を改善するために、第一に層厚さを更に厚くするために（ピンホール／短回路の回避）、そして第二にデバイスの動作電圧を最小にするために電子的にドープされてもよい。例えば、正孔輸送材料は、電子受容体でドープされてよい；例えば、フタロシアニン又はアリールアミン、例えば、ＴＰＤ又はＴＤＴＡはテトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）で又はＭｏＯ_３もしくはＷＯ_３でドープされてよい。電子ドーピングは当業者に公知であり、例えば、W. Gao, A. Kahn, J. Appl. Phys., 第94巻, 第1号, 2003年7月1日（ｐ−ドープ有機層）； A. G. Werner、F. Li, K. Harada、M. Pfeiffer、T. Fritz、K. Leo. Appl. Phys. Lett., 第82巻, 第25号, 2003年6月23日及びPfeifferら、Organic Electronics 2003, 4, 89〜103頁に開示されている。

陰極（６）は、電子又は負の電荷キャリアを導入する役割を果たす電極である。陰極に適した材料は、元素の周期表（古いＩＵＰＡＣ版）の、第Ｉａ族のアルカリ金属、例えば、Ｌｉ、Ｃｓ、第ＩＩａ族のアルカリ土類金属、例えば、カルシウム、バリウム又はマグネシウム、第ＩＩｂ族の金属（ランタニド及びアクチニド、例えば、サマリウムを含む）からなる群から選択される。更に、金属、例えば、アルミニウム又はインジウム、及び全ての記載された金属の組み合わせを使用することも可能である。更にリチウム含有有機金属化合物又はフッ化カリウム（ＫＦ）は、動作電圧を減少させるために有機層と陰極との間に適用できる。

本発明によるＯＬＥＤは、当業者に公知の更なる層を更に含んでよい。例えば、正の電荷の輸送を促進させ且つ／又は層のバンドギャップを互いに適合させる層は、層（２）と発光層（３）との間に適用されてよい。あるいは、この更なる層は保護層の役割を果たしてもよい。類似の手法では、追加の層は、負の電荷の輸送を促進し且つ／又は層の間のバンドギャップを互いに整合させるために、発光層（３）と層（４）との間に存在してよい。あるいは、この層は保護層の役割を果たしてもよい。

好ましい実施態様において、本発明のＯＬＥＤは、層（１）〜（６）の他に、少なくとも１種の下記の次の層を含む：
− 陽極（１）と正孔輸送層（２）との間の正孔注入層；
− 正孔輸送層（２）と発光層（３）との間の電子のブロッキング層；
− 電子輸送層（５）と陰極（６）との間の電子注入層。

正孔注入層のための材料は、銅フタロシアニン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス−（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（１Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＮＡＴＡ）、チタンオキシドフタロシアニン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（α−ＮＰＰ）から選択されてよい。原則的に、正孔注入層は、少なくとも１種の金属有機化合物と少なくとも１種の金属酸化物を含むことが可能である。適した金属有機化合物及び適した金属酸化物並びに前記金属有機化合物と前記金属酸化物の適量は上記されている。

電子注入層のための材料として、例えば、ＫＦ又はＬｉｑが選択され得る。ＫＦがＬｉｑよりも更に好ましい。

当業者は適した材料がどのように選択されるべきか知っている（例えば、電気化学の研究に基づいて）。個々の層に適した材料は当業者に公知であり且つ例えば、ＷＯ００／７０６５５号に開示されている。

更に、本発明のＯＬＥＤに使用される層の幾つかが、電荷キャリア輸送の効率を向上させるために表面処理されることが可能である。記載されたそれぞれの層の材料の選択は、好ましくは高効率及び寿命を有するＯＬＥＤを得ることによって決定される。

本発明のＯＬＥＤは当業者に公知の方法によって製造できる。一般に、本発明のＯＬＥＤは、個々の層の適した基材上への連続的な蒸着によって製造される。適した基材は、例えば、ガラス、無機半輸送（semitransport）、典型的にはＩＴＯ、又はＩＺＯ、又はポリマーフィルムである。蒸着の場合、慣用の手法、例えば、熱蒸発、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）などを使用することが可能である。代替プロセスでは、ＯＬＥＤの有機層は、当業者に公知のコーティング技術を利用して、適した溶媒の溶液又は分散液から適用することができる。

一般に、異なる層は、以下の厚さを有する：陽極（１）５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜２００ｎｍ；正孔伝導層（２）５〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜８０ｎｍ、発光層（３）１〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜８０ｎｍ、正孔／励起子のブロッキング層（４）２〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍ、電子導電層（５）５〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜８０ｎｍ、陰極（６）２０〜１０００ｎｍ、好ましくは３０〜５００ｎｍ。陰極に関する本発明のＯＬＥＤにおける正孔と電子の再結合領域の相対的な位置及びそれによるＯＬＥＤの発光スペクトルは、他の要因の中でも、それぞれの層の相対厚さによって影響され得る。これは再結合領域の位置が、好ましくは、ダイオードの光学共振特性に、ゆえに発光体の発光波長に適合するように、電子輸送層の厚さが選択されるべきであることを意味する。ＯＬＥＤ中の個々の層の層厚さの比は、使用される材料に依存する。使用される追加の層の層厚さは当業者に公知である。電子導電層及び／又は正孔伝導層が、それらが電気的にドープされた時に規定の層厚さよりも大きな厚さを有することが可能である。

第１の有機層、特に、本願の正孔輸送層又は正孔注入層を使用することによって、高効率及び低動作電圧のＯＬＥＤを得ることが可能である。しばしば、第１の有機層、特に、本願の正孔輸送層又は正孔注入層の使用によって得られるＯＬＥＤは、更に長い寿命を有する。ＯＬＥＤの効率は、ＯＬＥＤの他の層を最適化することによって更に改善することができる。形状付けられた基材及び動作電圧の低下又は量子効率の向上をもたらす新規な電子輸送材料も同様に本発明のＯＬＥＤにおいて有用である。更に、異なる層のエネルギーレベルを調整し且つエレクトロルミネセンスを促進するために、追加の層がＯＬＥＤ中に存在してよい。

ＯＬＥＤは、少なくとも１つの第２の発光層を更に含んでよい。ＯＬＥＤの全ての発光は、少なくとも２つの発光層の発光から構成されており、また白色光を含んでもよい。

ＯＬＥＤは、エレクトロルミネセンスが有用である全ての装置で使用されてよい。適したデバイスは好ましくは、固定式及び移動式視覚的表示装置並びに照明装置から選択される。固定式の視覚的表示装置は、例えば、コンピュータ、テレビの視覚的表示装置、プリンタ、キッチン用品及び広告パネルにおける視覚的表示装置、照明及び情報パネルである。移動式の視覚的表示装置は、例えば、携帯電話、ラップトップ型コンピュータ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、乗り物における視覚的表示装置並びにバス及び電車の行先表示である。本発明のＯＬＥＤを使用できる更なるデバイスは、例えば、キーボード；衣類；家具；壁紙の品目である。

更に、本願の電子輸送層は、逆構造物を有するＯＬＥＤにおいて使用できる。逆構造のＯＬＥＤ及び典型的には本願明細書で使用される材料は、当業者に公知である。

更に、本発明は、本発明の有機電子デバイス、又は本発明の有機層、特に、電子輸送層を含む、固定式の視覚的表示装置、例えば、コンピュータ、テレビの視覚的表示装置、プリンタ、キッチン用品及び広告パネルの視覚的表示装置、照明、情報パネル、及び移動式の視覚的表示装置、例えば、携帯電話、ラップトップ型コンピュータ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、乗り物における視覚的表示装置並びにバス及び電車の行先表示；照明装置；キーボード；衣類；家具；壁紙の品目からなる群から選択される装置に関する。

以下の実施例は、例示目的のためだけに挙げられており、特許請求の範囲を限定するものではない。特段記載されない限り、全ての部及びパーセンテージは質量である。

実施例
Ｉ 導電性
比較の導電性例１
陽極として使用されるＩＴＯ基材は、最初に、ＬＣＤ製造のために市販の洗剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ（登録商標）２０ＮＳ、及び２５ＯＲＧＡＮ−ＡＣＩＤ（登録商標）中和剤）を用いて洗浄され、次いで超音波洗浄機内でアセトン／イソプロパノール混合物中で洗浄される。可能性のある有機残留物を除去するために、基剤を、オゾン中で連続的なオゾン流に更に２５分間曝す。この処理も、ＩＴＯの正孔注入特性を改善する。

その後、以下に記載した有機材料を、約１０^−８ミリバールで約０．５〜５ｎｍ／分の速度で蒸着によって清浄な基材に適用する。Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）は、８０ｎｍの厚さを有する基材に適用される。

最終的に、１００ｎｍ−厚さのＡｌ電極が蒸着によって適用される。

導電性例１
比較の導電性例１のようなデバイスの製造及び構造は、５質量％のＭｏＯ_３がドープされたｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）を除いて、ｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）単独の代わりに基材に適用される。

導電性例２
比較の導電性例１のようなデバイスの製造及び構造は、５質量％のＲｅＯ_３がドープされたｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）を除いて、ｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）単独の代わりに基材に適用される。

導電性例及び比較の導電性例のデバイスについて測定された、Ａ＠２Ｖ、ｍＡ／ｃｍ２＠２Ｖ、電気抵抗Ω・ｃｍ及び導電性Ｓ／ｍを以下の表１に示す。

金属酸化物がドープされた、特にＲｅＯ_３がドープされたＶ１の導電性は、Ｖ１単独の導電性よりも遙かに高い。

ＩＩ 適用例
比較の適用例１
陽極として使用されるＩＴＯ基材は、最初に、ＬＣＤ製造のために市販の洗剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ（登録商標）２０ＮＳ、及び２５ＯＲＧＡＮ−ＡＣＩＤ（登録商標）中和剤）を用いて洗浄され、次いで超音波洗浄機内でアセトン／イソプロパノール混合物中で洗浄される。可能性のある有機残留物を除去するために、基剤を、オゾン中で連続的なオゾン流に更に２５分間曝す。この処理も、ＩＴＯの正孔注入特性を改善する。次に、ＡＪ２０−１０００（Ｐｌｅｘｃｏｒｅから市販されている）を、スピンコートして正孔注入層（約４０ｎｍ）を形成するために乾燥させる。

その後、以下に記載した有機材料を、約１０^−８ミリバールで約０．５〜５ｎｍ／分の速度で蒸着によって清浄な基材に適用する。正孔輸送及び励起子ブロッカーとして、ｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）を４０ｎｍの厚さを有する基材に適用する。

その後、３０質量％の化合物（Ｖ２）

、３５質量％の化合物（Ｖ１）及び３５質量％の化合物（Ｖ３）

の混合物を、４０ｎｍの厚さで蒸着によって適用する（化合物Ｖ２は発光体材料として機能し、化合物Ｖ１及びＶ３はマトリックス材料として機能する）。

その後、材料（Ｖ３）

を、励起子及び正孔ブロッカーとして蒸着によって５ｎｍの厚さで適用する。

次に、２５質量％の（８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ））

と、７５質量％の（Ｖ４）

との混合物を、電子輸送層として蒸着によって４０ｎｍの厚さで適用し、その際、厚さ２ｎｍのフッ化カリウム層（電子注入層）であり、最終的には、厚さ１００ｎｍのＡｌ電極である。

適用例１
ＯＬＥＤの製造及び構造については、ｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）が４０ｎｍの厚さで基材に適用されることを除いて、比較の適用例１と同様であり、その際、最初の３５ｎｍはＭｏＯ_３（５０質量％）でドープされて正孔輸送及び励起子ブロッカーを形成する。

適用例２
ＯＬＥＤの製造及び構造については、ｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）が４０ｎｍの厚さで基材に適用されることを除いて、比較の適用例１と同様であり、その際、最初の３５ｎｍはＲｅＯ_３（５０質量％）でドープされて正孔輸送及び励起子ブロッカーを形成する。

適用例３
ＯＬＥＤの製造及び構造については、ｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）が４０ｎｍの厚さで基材に適用されることを除いて、比較の適用例１と同様であり、その際、最初の３５ｎｍはＲｅＯ_３（３質量％）でドープされて正孔輸送及び励起子ブロッカーを形成する。

適用例４
ＯＬＥＤの製造及び構造については、ｌｒ（ｄｐｂｉｃ）_３（Ｖ１）が４０ｎｍの厚さで基材に適用されることを除いて、比較の適用例１と同様であり、その際、最初の３５ｎｍはＲｅＯ_３（５質量％）でドープされて正孔輸送及び励起子ブロッカーを形成する。

ＯＬＥＤを特徴付けるために、エレクトロルミネセンススペクトルを、様々な電流及び電圧で記録する。更に、電流−電圧特性を、発光出力と組み合わせて測定する。光出力を、光度計でキャリブレーションすることによって測光パラメータに変換することができる。寿命を測定するために、ＯＬＥＤを定電流密度で動作させ、光出力の低下を記録する。寿命は、輝度が初期輝度の半分に減少するまでに経過した時間として定義されている。

適用例及び比較の適用例のデバイスについて測定された、Ｖ＠３００ｃｄ／ｍ^２、Ｉｍ／Ｗ＠３００ｃｄ／ｍ^２、ＥＱＥ（％）＠３００ｃｄ／ｍ^２、寿命（ｈ）＠２０００ｃｄ／ｍ^２、寿命（ｈ）＠３００ｃｄ／ｍ^２及び色（ＣＩＥ）を、以下の表２に示し、その際、比較の適用例の測定データを１００に設定し、適用例のデータを、比較の適用例のデータに関連させて明確に示す。

適用例のデバイスの寿命、出力効率及び量子効率は、比較の適用例のデバイスと比較して優れている。

Claims (16)

1. 第１の電極、第２の電極、及び第１の電極と第２の電極との間に介在する第１の有機層を含む有機電子デバイスであって、第１の有機層が、少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む、前記有機電子デバイス。
2. 金属酸化物が遷移金属酸化物、好ましくは周期表の第４族、第５族、第６族、第７族又は第８族に属する金属の酸化物であり、更に好ましくは、金属酸化物が、レニウム酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物及びマンガン酸化物からなる群から選択され、最も好ましくは、金属酸化物がレニウム酸化物又はモリブデン酸化物である、請求項１に記載の有機電子デバイス。
3. 遷移金属酸化物がＭｏＯ_３又はＲｅＯ_３、好ましくはＲｅＯ_３である、請求項２に記載の有機電子デバイス。
4. 金属酸化物が、第１の有機層の全量を基準として、０．１質量％から１０質量％未満までの量で、好ましくは１〜８質量％の量で、更に好ましくは３〜５質量％の量で第１の有機層で使用される、請求項１から３までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
5. 金属有機化合物が金属カルベン錯体である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
6. 金属カルベン錯体が式（Ｉ）
   

   

   （式中、記号は以下の意味を有する：
   Ｍ^１は、それぞれの金属原子について可能なあらゆる酸化状態のＣｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕからなる群から選択される金属原子であり；
   カルベンは、非荷電であるか又はモノアニオン性であってよく且つ単座、二座又は三座であってよいカルベン配位子であり、その際、カルベン配位子はビスカルベン又はトリスカルベン配位子であることも可能であり；
   Ｌは単座又は二座であってよいモノアニオン性又はジアニオン性配位子であり；
   Ｋは、ホスフィン；ホスホネート及びその誘導体、アルセネート及びその誘導体；ホスフィット；ＣＯ；ピリジン；ニトリル及びＭ^１とのπ錯体を形成する共役ジエンからなる群から選択される非荷電の単座又は二座配位子であり；
   ｎはカルベン配位子の数であり、その際、ｎは少なくとも１であり、ｎ＞１である時、式Ｉの錯体中のカルベン配位子は同一又は異なってよく；
   ｍは配位子Ｌの数であり、その際、ｍは０又は１以上であってよく、ｍ＞１である時、配位子Ｌは同一又は異なってよく；
   ｏは配位子Ｋの数であり、その際、ｏは０又は１以上であってよく、ｏ＞１である時、配位子Ｋは同一又は異なってよく；
   ｎ＋ｍ＋ｏの総和は、金属原子の酸化状態と配位数に依存し、配位子のカルベン、Ｌ及びＫの配位座数に依存し、さらには配位子のカルベン及びＬ上の電荷に依存するが、但し、ｎは少なくとも１であることを条件とする）
   の化合物である、請求項５に記載の有機電子デバイス。
7. 金属カルベン錯体が以下の式
   

   

   を有する、請求項６に記載の有機電子デバイス。
8. 少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む、第１の有機層が正孔輸送層又は正孔注入層である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
9. 少なくとも１種の式（ＩＩ）
   

   

   （式中、
   Ｒ^１及びＲ^２は互いに独立してＦ、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル、又はＣ_６〜Ｃ_１４アリールであり、その基は任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_８アルキル基によって置換されてよいか、又は
   ２つの置換基Ｒ^１及び／又はＲ^２が結合して縮合ベンゼン環基を形成し、これは任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_８アルキル基によって置換されてよく、
   ａ及びｂは互いに独立して０、又は１〜３の整数であり、
   Ｍはアルカリ金属原子、又はアルカリ土類金属原子であり、
   ｎは、Ｍがアルカリ金属原子の場合、１であり、Ｍがアルカリ土類金属原子の場合、２である）
   の化合物を含む第２の有機層を更に含む、請求項１から８までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
10. 第２の有機層が、少なくとも１種の式（ＩＩＩ）
    

    

    （式中、
    Ｒ^８１、Ｒ^８２、Ｒ^８３、Ｒ^８４、Ｒ^８１’、Ｒ^８２’、Ｒ^８３’、及びＲ^８４’は互いに独立してＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｅによって置換された及び／又はＤによって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｇによって置換されたＣ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｃ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、又はＧによって置換されたＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリールであり、
    Ｑはアリーレン又はヘテロアリーレン基であり、そのそれぞれが任意にＧによって置換されてよく；
    Ｄは−ＣＯ−；−ＣＯＯ−；−Ｓ−；−ＳＯ−；−ＳＯ_２−；−Ｏ−；−ＮＲ^２５−；−ＳｉＲ^３０Ｒ^３１−；−ＰＯＲ^３２−；−ＣＲ^２３＝ＣＲ^２４−；又は−Ｃ≡Ｃ−であり；且つ
    Ｅは−ＯＲ^２９；−ＳＲ^２９；−ＮＲ^２５Ｒ^２６；−ＣＯＲ^２８；−ＣＯＯＲ^２７；−ＣＯＮＲ^２５Ｒ^２６；−ＣＮ；又はＦであり、ＧはＥ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｄによって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１８パーフルオロアルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、又はＥによって置換された及び／又はＤによって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、その際、
    Ｒ^２３及びＲ^２４は互いに独立してＨ、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−によって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり；
    Ｒ^２５及びＲ^２６は互いに独立してＣ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−によって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであるか；又は
    Ｒ^２５及びＲ^２６は一緒になって５員環又は６員環を形成し、Ｒ^２７及びＲ^２８は互いに独立してＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−によって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、
    Ｒ^２９はＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−によって中断されたＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、
    Ｒ^３０及びＲ^３１は互いに独立してＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、又はＣ_１〜Ｃ_１８アルキルによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリールであり；
    Ｒ^３２はＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、又はＣ_１〜Ｃ_１８アルキルによって置換されたＣ_６〜Ｃ_１８アリールである）
    、式（ＩＶａ）及び／又は式（ＩＶｂ）
    

    

    （式中、
    Ｒ^８９はフェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、又はピリミジニルであり、前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基によって置換されてよく、
    Ｒ^９０はフェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、又はピリミジニルであり、前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基によって置換されてよく、
    Ｒ^９１はフェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、ピリミジニル、又はジベンゾフラニルであり、前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基によって置換されてよく、
    Ｒ^９２はＨ、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、又はピリミジニルであり、前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール基によって置換されてよく、
    Ａは単結合、アリーレン基、又はヘテロアリーレン基（前記基のそれぞれは、任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基によって置換されてよい）；又は−ＳｉＲ^８７Ｒ^８８−（式中、Ｒ^８７及びＲ^８８は互いに独立してＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、又はＣ_６〜Ｃ_１４アリール基であり、その基は任意に１つ、又はそれ以上のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基によって置換されてよい）
    の化合物を更に含む、請求項９に記載の有機電子デバイス。
11. 有機電子デバイスが、有機太陽電池、スイッチング素子及び有機発光ダイオードからなる群から選択され、好ましくは有機発光ダイオードである、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
12. 有機電子デバイスが、少なくとも１種の燐光発光体材料、好ましくは金属カルベン錯体を含む発光層を更に含むＯＬＥＤである、請求項１１に記載の有機電子デバイス。
13. 発光層が、ホスト材料として少なくとも１種の式（Ｘ）
    

    

    （式中、
    Ｔは、ＮＲ^５７、Ｓ、Ｏ又はＰＲ^５７、好ましくはＳ又はＯ、更に好ましくはＯであり；
    Ｒ^５７は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルであり；
    Ｑ’は、−ＮＲ^５８Ｒ^５９、−ＳｉＲ^７０Ｒ^７１Ｒ^７２、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^６０Ｒ^６１、−ＰＲ^６２Ｒ^６３、−Ｓ（Ｏ）_２Ｒ^６４、−Ｓ（Ｏ）Ｒ^６５、−ＳＲ^６６又は−ＯＲ^６７、好ましくは−ＮＲ^５８Ｒ^５９；更に好ましくは
    

    

    （式中、
    Ｒ^６８、Ｒ^６９は互いに独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり；好ましくはメチル、カルバゾリル、ジベンゾフリル又はジベンゾチエニルであり；
    ｙ、ｚは互いに独立して０、１、２、３又は４、好ましくは０又は１である）
    であり；
    Ｒ^５５、Ｒ^５６はそれぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ^７０Ｒ^７１Ｒ^７２、Ｑ’基又は供与作用又は受容作用を有する基であり；
    ａ’’は０、１、２、３又は４であり；
    ｂ’は０、１、２又は３であり；
    Ｒ^５８、Ｒ^５９は窒素原子と一緒に、３〜１０個の環原子を有する環状残基を形成し、該残基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール並びに供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよい、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ以上の更なる環状残基に縮合してよく、その際、縮合した残基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与作用又は受容作用を有する基から選択される１つ以上の置換基によって置換されてよい；
    Ｒ^７０、Ｒ^７１、Ｒ^７２、Ｒ^６０、Ｒ^６１、Ｒ^６２、Ｒ^６３、Ｒ^６４、Ｒ^６５、Ｒ^６６、Ｒ^６７は互いに独立してアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルであるか、又は
    一般式（Ｘ）の２つの単位は、結合又はＯを介して、少なくとも１つのヘテロ原子によって任意に中断された、直鎖状又は分枝鎖状の、飽和又は不飽和の橋を介して相互に橋かけされている）
    の化合物を更に含む、請求項１２に記載の有機電子デバイス。
14. 発光層が、少なくとも１種の式（Ｖ）
    

    

    （式中、
    ＸはＮＲ、Ｓ、Ｏ又はＰＲであり；
    Ｒはアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、又はヘテロシクロアルキルであり；
    Ａは−ＮＲ^６Ｒ^７、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^８Ｒ^９、−ＰＲ^１０Ｒ^１１、−Ｓ（Ｏ）_２Ｒ^１２、−Ｓ（Ｏ）Ｒ^１３、−ＳＲ^１４、又は−ＯＲ^１５であり；
    Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに独立してアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、又はヘテロシクロアルキルであり、その際、基Ｒ^１、Ｒ^２、又はＲ^３の少なくとも１つはアリール、又はヘテロアリールであり；
    Ｒ^４及びＲ^５は互いに独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、基Ａ、又は供与特性、又は受容特性を有する基であり；
    ｎ及びｍは、互いに独立して０、１、２、又は３であり；
    Ｒ^６、Ｒ^７は窒素原子と一緒になって、３〜１０個の環原子を有する環状残基を形成し、該残基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与特性、又は受容特性を有する基から選択される１つ以上の置換基で置換されてよい；及び／又は該残基は３〜１０個の環原子を有する１つ以上の更なる環状残基と縮合されていてよく、その際、縮合された残基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与特性又は受容特性を有する基から選択される１つ以上の置換基で置換されてよく；且つ
    Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は互いに独立してアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、又はヘテロシクロアルキルである）
    の化合物を更に含む、請求項１２に記載の有機電子デバイス。
15. 少なくとも１種の金属有機化合物及び少なくとも１種の金属酸化物を含む正孔輸送層又は正孔注入層。
16. 請求項１から１４までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス、又は請求項１５に記載の正孔輸送層又は正孔注入層を含む、装置。