JP2013532908A - ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード - Google Patents
ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013532908A JP2013532908A JP2013521727A JP2013521727A JP2013532908A JP 2013532908 A JP2013532908 A JP 2013532908A JP 2013521727 A JP2013521727 A JP 2013521727A JP 2013521727 A JP2013521727 A JP 2013521727A JP 2013532908 A JP2013532908 A JP 2013532908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- emitting diode
- light emitting
- nanoimprint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 111
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- -1 Samsung Electric Substances 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30617—Anisotropic liquid etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本発明による発光ダイオードの製造方法は、仮基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップと、p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップと、p型電極上に導電性基板を形成するステップと、仮基板を除去して、n型窒化物半導体層を露出させるステップと、n型窒化物半導体層上にナノインプリントレジスト層を形成するステップと、ナノインプリントモールドをナノインプリントレジスト層に加圧し、ナノパターンをナノインプリントレジスト層に転写するステップと、ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層からナノインプリントモールドを分離するステップと、ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングしてn型電極を形成するステップと、を含んで構成される。
本発明によれば、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させるためのナノパターンを、効率的且つ経済的に形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、このナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及び発光ダイオードが提供される効果がある。
Description
Claims (16)
- ナノインプリントモールドの製造方法において、
窒化物半導体基板の一面に、前記窒化物半導体基板を支持するための支持基板を形成するステップ;
前記支持基板が形成されている窒化物半導体基板を、水酸化カリウム水溶液と水酸化ナトリウム水溶液のうちから選択された1つのエッチング溶液に浸漬した後、紫外線を照射する光化学エッチングを通じて、ピラミッド状のナノパターンを前記窒化物半導体基板の他面に形成するステップ;
前記窒化物半導体基板の他面に形成されているピラミッド状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールドに転写するステップ;及び、
前記ピラミッド状のナノパターンが形成されたナノインプリントモールドを前記窒化物半導体基板から分離するステップ、を含む、ナノインプリントモールドの製造方法。 - 前記エッチング溶液のモル濃度と前記光化学エッチング時間のうちの少なくとも1つを調節して、前記ナノインプリントモールドのナノパターンの大きさを調節することを特徴とする、請求項1に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
- 前記エッチング溶液のモル濃度は、1モル(M)以上8モル(M)以下であり、前記光化学エッチング時間は、1分(min)以上60分(min)以下であることを特徴とする、請求項2に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
- 発光ダイオードの製造方法において、
仮基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップ;
前記p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップ;
前記p型電極上に導電性基板を形成するステップ;
前記仮基板を除去して、前記n型窒化物半導体層を露出させるステップ;
前記n型窒化物半導体層上にナノインプリントレジスト層を形成するステップ;
請求項1の方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されているピラミッド状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップ;
前記ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップ;及び、
前記ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングし、n型電極を形成するステップ、を含む、発光ダイオードの製造方法。 - さらに、前記n型窒化物半導体層と前記ナノインプリントレジスト層との間に、前記n型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調節層を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項4に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記屈折率調節層は、前記発光層からの光を互いに異なる屈折率で屈折させる、第1の屈折率調節層と第2の屈折率調節層とを順次に積層して形成することを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第1の屈折率調節層は、前記n型窒化物半導体層上に形成され、前記第1の屈折率調節層の屈折率は、前記n型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、
前記第2の屈折率調節層は、前記第1の屈折率調節層上に形成され、前記第2の屈折率調節層の屈折率は、前記第1の屈折率調節層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きいことを特徴とする、請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記第1の屈折率調節層は、ZnO、Al−doped ZnO、In−doped ZnO、Ga−doped ZnO、ZrO2、TiO2、SiO2、SiO、Al2O3、CuOX及びITOからなる群より選択された1種以上を含むことを特徴とする、請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第2の屈折率調節層は、MgO系酸化物であることを特徴とする、請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第2の屈折率調節層を構成するMgO系酸化物は、MgOに他の元素を添加して形成された多元化合物であることを特徴とする、請求項9に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記n型電極は、前記ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記n型窒化物半導体層が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することを特徴とする、請求項4に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 請求項4乃至11のいずれか一項に記載した発光ダイオードの製造方法により製造されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 発光ダイオードの製造方法において、
入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップ;
前記p型窒化物半導体層、前記発光層、及び前記n型窒化物半導体層の一部をメサエッチングし、前記n型窒化物半導体層の一部を露出させるステップ;
前記p型窒化物半導体層上に透明電極を形成するステップ;
前記透明電極上にナノインプリントレジスト層を形成するステップ;
請求項1の方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されているピラミッド状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップ;
前記ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップ;及び、
前記ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングしてp型電極を形成し、前記n型窒化物半導体層上にn型電極を形成するステップ、を含む、発光ダイオードの製造方法。 - 前記透明電極が、ITOであることを特徴とする、請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記p型電極は、前記ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記透明電極が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成されることを特徴とする、請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 請求項13乃至15のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法により製造されたことを特徴とする、発光ダイオード。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100139057A KR101233768B1 (ko) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 |
KR10-2010-0139057 | 2010-12-30 | ||
PCT/KR2011/008158 WO2012091271A2 (ko) | 2010-12-30 | 2011-10-28 | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013532908A true JP2013532908A (ja) | 2013-08-19 |
Family
ID=46383596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013521727A Pending JP2013532908A (ja) | 2010-12-30 | 2011-10-28 | ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8951820B2 (ja) |
EP (1) | EP2660027A4 (ja) |
JP (1) | JP2013532908A (ja) |
KR (1) | KR101233768B1 (ja) |
CN (1) | CN103038038B (ja) |
WO (1) | WO2012091271A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015111639A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-06-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基材、及び発光素子、ならびに光学基材の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8062568B2 (en) * | 2009-08-27 | 2011-11-22 | Korea University Research And Business Foundation | Nano pattern writer |
KR101165259B1 (ko) * | 2010-07-08 | 2012-08-10 | 포항공과대학교 산학협력단 | MgO피라미드 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법 |
KR20140031514A (ko) * | 2012-09-03 | 2014-03-13 | 포항공과대학교 산학협력단 | 굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
KR20140036405A (ko) * | 2012-09-13 | 2014-03-26 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광다이오드 및 그 제조방법 |
JP6160501B2 (ja) * | 2014-02-12 | 2017-07-12 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268601A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
JP2007150072A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | インプリント用スタンパおよびそれを用いた発光素子 |
JP2007165409A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
KR100762004B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-09-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 발광 다이오드 소자의 제조방법 |
KR20070120230A (ko) * | 2006-06-19 | 2007-12-24 | 삼성전자주식회사 | 확산시트의 제조방법 |
JP2008294306A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2009502043A (ja) * | 2005-07-21 | 2009-01-22 | クリー インコーポレイテッド | 光取り出し効率向上のための凹凸化高屈折率表面を有する青色発光ダイオード |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100523767B1 (ko) * | 2003-06-12 | 2005-10-26 | 한국과학기술원 | 유기 초분자의 자기조립과 자외선 에칭을 이용한나노패턴의 형성방법 |
KR100632632B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2006-10-12 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정의 다층 박막 제조 방법 및 이를 이용한유·무기 하이브리드 전기 발광 소자 |
KR100798863B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2008-01-29 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
KR101033273B1 (ko) * | 2008-03-27 | 2011-05-09 | 서울대학교산학협력단 | 초소수성 폴리머 구조물의 제조 |
CN101587916A (zh) * | 2008-05-21 | 2009-11-25 | 上海市纳米科技与产业发展促进中心 | 基于Si纳米线阵列太阳能电池及其制造方法 |
CN101770164A (zh) * | 2009-01-06 | 2010-07-07 | 上海市纳米科技与产业发展促进中心 | 一种纳米结构压印硬模板 |
DE102009008223A1 (de) * | 2009-02-10 | 2010-08-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip |
DE102009018286A1 (de) * | 2009-04-21 | 2010-10-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips |
JP5326806B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2013-10-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法 |
KR100965904B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2010-06-24 | 한국기계연구원 | 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 led 소자의 제조방법 |
KR100974288B1 (ko) * | 2010-01-13 | 2010-08-05 | 한국기계연구원 | 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 led 소자의 제조방법 |
KR101872348B1 (ko) * | 2011-06-22 | 2018-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트용 도광판 및 그 제조 방법 |
-
2010
- 2010-12-30 KR KR1020100139057A patent/KR101233768B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-10-28 CN CN201180037163.1A patent/CN103038038B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-28 JP JP2013521727A patent/JP2013532908A/ja active Pending
- 2011-10-28 EP EP11852764.7A patent/EP2660027A4/en not_active Withdrawn
- 2011-10-28 WO PCT/KR2011/008158 patent/WO2012091271A2/ko active Application Filing
-
2013
- 2013-02-20 US US13/772,304 patent/US8951820B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268601A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
JP2009502043A (ja) * | 2005-07-21 | 2009-01-22 | クリー インコーポレイテッド | 光取り出し効率向上のための凹凸化高屈折率表面を有する青色発光ダイオード |
JP2007150072A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | インプリント用スタンパおよびそれを用いた発光素子 |
JP2007165409A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
KR20070120230A (ko) * | 2006-06-19 | 2007-12-24 | 삼성전자주식회사 | 확산시트의 제조방법 |
KR100762004B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-09-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 발광 다이오드 소자의 제조방법 |
JP2008294306A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015111639A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-06-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基材、及び発光素子、ならびに光学基材の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101233768B1 (ko) | 2013-02-15 |
US8951820B2 (en) | 2015-02-10 |
KR20120077188A (ko) | 2012-07-10 |
WO2012091271A3 (ko) | 2012-08-23 |
CN103038038A (zh) | 2013-04-10 |
EP2660027A4 (en) | 2016-01-20 |
CN103038038B (zh) | 2015-05-13 |
EP2660027A2 (en) | 2013-11-06 |
WO2012091271A2 (ko) | 2012-07-05 |
US20130161685A1 (en) | 2013-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5054366B2 (ja) | ナノ構造物が形成された基板の製造方法及び発光素子並びにその製造方法 | |
KR100798863B1 (ko) | 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 | |
EP2940741B1 (en) | Reversely-installed photonic crystal led chip and method for manufacturing same | |
JP2013532908A (ja) | ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード | |
JP5632081B2 (ja) | ナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード | |
TW201312767A (zh) | 紋理化光電子裝置及其相關製造方法 | |
JP2007288106A (ja) | 半導体発光素子の製造方法およびそれから得られる素子 | |
KR20160092635A (ko) | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | |
CN103811614B (zh) | 具有异质材料结构的发光元件及其制造方法 | |
WO2012045222A1 (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
KR101535852B1 (ko) | 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드 | |
WO2012040978A1 (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
Zhang et al. | Enhancement in the light output power of GaN-based light-emitting diodes with nanotextured indium tin oxide layer using self-assembled cesium chloride nanospheres | |
CN108461586B (zh) | 一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法 | |
Huang et al. | GaN-based light-emitting diodes with hybrid micro/nano-textured indium-tin-oxide layer | |
KR101221075B1 (ko) | 나노 임프린트를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조방법과 이를 통해 제조된 발광 다이오드 소자 | |
Shei | SILAR‐Based Application of Various Nanopillars on GaN‐Based LED to Enhance Light‐Extraction Efficiency | |
KR101325641B1 (ko) | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | |
KR20140036403A (ko) | 발광 다이오드의 패턴 형성 방법 | |
JP2013539918A (ja) | Ledチップの製造方法、ledチップ及びled | |
Park et al. | Enhanced optical power of GaN-based light-emitting diode with nanopatterned p-GaN by simple light coupling mask lithography | |
KR101743351B1 (ko) | 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 그 반도체 발광 소자 | |
KR101720864B1 (ko) | 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 그 반도체 발광 소자 | |
KR102091837B1 (ko) | 투명 전극을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20140039414A (ko) | 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140114 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140318 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140326 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140715 |