JP2013507523A - 材料を蒸着するための製造装置および当該製造装置で使用される電極 - Google Patents

材料を蒸着するための製造装置および当該製造装置で使用される電極 Download PDF

Info

Publication number
JP2013507523A
JP2013507523A JP2012533346A JP2012533346A JP2013507523A JP 2013507523 A JP2013507523 A JP 2013507523A JP 2012533346 A JP2012533346 A JP 2012533346A JP 2012533346 A JP2012533346 A JP 2012533346A JP 2013507523 A JP2013507523 A JP 2013507523A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
coating
disposed
manufacturing apparatus
socket
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2012533346A
Other languages
English (en)
Inventor
ヒラブランド デヴィッド
マッコイ キース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hemlock Semiconductor Operations LLC
Original Assignee
Hemlock Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hemlock Semiconductor Corp filed Critical Hemlock Semiconductor Corp
Publication of JP2013507523A publication Critical patent/JP2013507523A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4418Methods for making free-standing articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも1つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも7×10ジーメンス/メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性(測定単位:mm/N・m)を有する。

Description

(関連出願)
本特許出願は、2009年10月9日に出願した米国仮特許出願第61/250,361号の優先権を含めたすべての利益を主張するものである。当該仮特許出願の開示内容全体を参照により本明細書に援用するものとする。
本発明は製造装置に関する。より詳細には、本発明は当該製造装置内で利用される電極に関する。
当業界では、キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置が知られている。かかる製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。キャリア体は一般に略U字形であり、また互いに離間された第1の端部および第2の端部を有する。典型的にはキャリア体の各端部にソケットが配設される。チャンバの内部には一般にキャリア体の第1の端部および第2の端部に配設された各ソケットを受けるための2つ以上の電極が配設される。これらの電極はコンタクト領域を有する外面を含む。コンタクト領域はソケットを支持し、最終的にキャリア体を支持し、キャリア体がハウジングに対して移動するのを防止する。コンタクト領域は、ソケットと直接接触するように適合される電極の一部であり、電極からソケットを経てキャリア体に至る主電流路を提供する。
電極には、キャリア体に電流を供給するための電源装置が結合される。この電流により電極とキャリア体の両方が蒸着温度まで加熱される。この蒸着温度でキャリア体上に材料を蒸着することにより加工キャリア体が形成される。
当業界で知られているように、電極の形状とソケットの形状のばらつきにより、キャリア体を蒸着温度まで加熱する際にキャリア体上に蒸着される材料の熱膨張が生じる。このような方法の1つは、フラットヘッド電極と、グラファイト摺動子の形をとるソケットとを利用するものである。グラファイト摺動子は、キャリア体とフラットヘッド電極との間のブリッジとして作用する。コンタクト領域に掛かるキャリア体およびグラファイト摺動子の重量により、グラファイト摺動子とフラットヘッド電極との間の接触抵抗が減少する。別の方法では、二電極(two-part electrode)が使用される。二電極は、ソケットを圧迫する第1の半分および第2の半分を含む。二電極の第1の半分および第2の半分には、ソケットを圧迫する力を与えるばね要素が結合される。また別の方法では、カップを画定する電極が使用される。この方法では、電極のカップの内部にコンタクト領域が配置される。ソケットは、電極のカップに嵌合するように、かつ電極のカップの内部に配置されたコンタクト領域と接触するように適合される。別法として、ソケットは電極上部を覆うように嵌合される蓋として構成されることもある。
いくつかの製造装置では、特にキャリア体上に蒸着される材料がクロロシランの分解から得られる多結晶シリコンである場合は、コンタクト領域上に堆積物が堆積することにより電極に付着物が付く。このような堆積物は、時間の経過と共にソケットと電極との間の不適切な嵌合状態をもたらす。不適切な嵌合状態によりコンタクト領域とソケットとの間に小電気アークが発生し、その結果キャリア体上に蒸着される材料の金属汚染が生じる。金属汚染により蒸着材料の純度が低下するため、キャリア体の価値が低下する。また、付着物は電極とソケットとの間の熱伝達も低下させる。したがって、ソケットおよび最終的にはキャリア体を効果的に加熱するには、電極がより高温に到達する必要がある。電極の温度が高くなるほど電極上への材料の蒸着が加速される。このことは特に銀または銅を単独金属または主要金属として含む電極の場合に顕著である。
電極は、典型的にはキャリア体への材料の蒸着中に電極上に形成される堆積物の少なくとも一部を除去するために、継続的に機械洗浄処理にかけられる。機械洗浄処理は、典型的にはチャンバ内に配設された電極のすべての部分に対して実施される。このような部分には、コンタクト領域およびコンタクト領域の外側に位置する電極の外面が含まれる。
電極は、以下に挙げる状態の1つまたは複数が発生したときは交換しなければならない。第一に、キャリア体上に蒸着される材料の金属汚染が閾値レベルを超えたとき;第二に、電極のコンタクト領域の付着物により電極とソケットとの間の接続状態が劣化したとき;第三に、電極のコンタクト領域の付着物により電極に対して過剰な動作温度が要求されるときである。電極の寿命は、上述のいずれかの状態が発生する前に電極が処理し得るキャリア体の数によって決まる。腐食および堆積物の形成は電極の寿命を短縮するが、機械洗浄処理に起因する摩耗もまた電極の寿命を短縮するおそれがある。
当業界では、ステンレス鋼電極上に銀めっきを施すことが知られている。当業界で知られているように、銀はステンレス鋼と比較して高い熱伝導率および低い電気抵抗を示し、電極の熱伝達特性および導電特性の向上に関して直接的な利益をもたらすはずである。従来技術の教示に基づけば、ステンレス鋼電極上に銀めっきを施せば、電極の熱伝達特性および導電特性を向上させる目的は十分達成される。しかしながら、従来技術は電極の有効寿命の延長に関する問題には対処していない。
当業界では、ドリルビットや切断工具のような摩耗しやすい物体に耐摩耗性コーティングを施すことが知られている。しかしながら、電極に関しては、ドリルビットや切断工具のような物品にとっては重要でない様々な事項が考慮に入れられる。
電極の付着物および摩耗に関する上記の課題に鑑みると、電極の生産性を改善するとともに電極の寿命を延長する電極構造の開発が必要とされている。
本発明は、キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極に関するものである。キャリア体は、互いに離間された第1の端部および第2の端部を有する。キャリア体の各端部にはソケットが配設される。
製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口も画定する。少なくとも1つの電極がハウジングを貫通して配設され、ソケットと結合されるように少なくとも部分的にチャンバの内部に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極とソケットとの間の導電率を維持するために、電極のコンタクト領域上にコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも7×10ジーメンス/メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性(mm/N・m)を有する。電極には、電極に電流を供給するための電源装置が結合される。
電極のコンタクト領域上にコンタクト領域コーティングを設けることにより多数の利点が得られる。1つの利点は、コンタクト領域コーティング用の材料を付着物源に基づいて選択することにより、電極への付着物の発生を遅らせることが可能となることである。付着物の発生を遅らせることにより電極の寿命が延び、結果として製造コストが削減され、加工キャリア体の製造時間が短縮されることになる。更に、ニッケルまたはニッケルより耐摩耗性が低い他の金属を、電極または電極の外面上に配設されるコーティングにおいて使用した場合の摩耗と比較して、電極に施される機械洗浄処理に起因する摩耗を最小限に抑えることも可能となる。かかる機械洗浄処理に起因する摩耗の最小化は、電極寿命の最大化にも効果的である。
以下の詳細な説明を添付図面と併せて読めば、本発明の他の利点が容易に理解されると同時に、その理解も深まるであろう。
電極を含み、キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置の断面図である。 図1の製造装置と共に利用される電極の内面を示す第1の斜視図である。 カップを画定する図2Aの電極の第2の斜視図であり、カップの一部分の内部に配置されたコンタクト領域を示す。 図2の電極の線3‐3に沿った断面図であり、該電極のコンタクト領域上のコンタクト領域コーティングを示す。 図3の電極の一部分の拡大断面図であり、カップ内に配設されたソケットを示す。 図3の電極の断面図であり、該電極に連結された循環システムの一部分を示す。 コンタクト領域コーティング、外部コーティングおよびチャネルコーティングが電極上に配設されている、図2〜図5に示した電極の別の実施形態を示す断面図である。 キャリア体上に材料を蒸着しているときの図1の製造装置の断面図である。
添付図面では、複数の図面にわたる同様のまたは対応する要素を同様の参照符号で示してある。キャリア体24上に材料22を蒸着するための製造装置20を図1および図7に示す。一実施形態において、蒸着対象の材料22はシリコンである。しかしながら、本発明の範囲から逸脱しない限り、製造装置20を使用してキャリア体24上に他の材料を蒸着することも可能であることを理解されたい。
典型的には、当業界で知られているジーメンス法等の化学蒸着法を用いる。キャリア体24は略U字形であり、互いに平行に離間された第1の端部54および第2の端部56を有する。ソケット57は、キャリア体24の第1の端部54および第2の端部56にそれぞれ配設される。
製造装置20は、チャンバ30を画定するハウジング28を備える。典型的には、ハウジング28は、内側シリンダ32、外側シリンダ34および基部プレート36を有する。内側シリンダ32は、互いに離間された開放端38および閉鎖端40を有する。外側シリンダ34は、内側シリンダ32と外側シリンダ34との間に空隙42を画定するように、内側シリンダ32の周りに配設され、典型的には循環冷却流体(図示せず)を収容するジャケットの働きをする。空隙42は、それだけに限らないが、従来の容器ジャケット、バッフルジャケットまたはハーフパイプジャケットであってよいことが当業者には理解されるであろう。
基部プレート36は内側シリンダ32の開放端38上に配設され、チャンバ30を画定する。基部プレート36はシール(図示せず)を有する。該シールは、内側シリンダ32を基部プレート36上に配設したときにチャンバ30が密封されるように、内側シリンダ32と位置合わせして配設される。一実施形態において、製造装置20はジーメンス型化学蒸着反応器である。
ハウジング28は、気体45をチャンバ30内に導入するための入口44および気体45をチャンバ30から排出するための出口46を画定する。典型的には、気体45をハウジング28に送達するための入口管48が入口44に連結され、気体45をハウジング28から除去するための排出管50が出口46に連結される。排出管50は、水や工業用熱伝導流体等の冷却流体で包被可能である。
少なくとも1つの電極52がソケット57と結合されるようにハウジング28を貫通して配設される。一実施形態では、図1および図7に示したとおり、少なくとも1つの電極52は、ハウジング28を貫通して配設され、キャリア体24の第1の端部54のソケット57を受けるための第1の電極52と、ハウジング28を貫通して配設され、キャリア体24の第2の端部56のソケット57を受けるための第2の電極52とを有する。電極52は、例えばフラットヘッド電極、二電極、カップ電極等、当業界で知られている任意のタイプの電極であってよいことを理解されたい。更に、少なくとも1つの電極52は、少なくとも部分的にチャンバ30の内部に配設される。一実施形態において、電極52は基部プレート36を貫通して配設される。
電極52は、典型的には室温下の最小導電率が約7×10〜42×10ジーメンス/メートル(S/m)であるベース金属から形成される。例えば、電極52は、銅、銀、ニッケル、インコネル(登録商標)、金およびこれらの組合せから選択されるベース金属から形成することができ、これらはそれぞれ上述の導電率パラメータを満足する。また、電極52は上述の導電率パラメータを満足する合金を含んでもよい。一実施形態において、電極52は、室温下の最小導電率が約58×10S/mであるベース金属から形成される。通常、電極52は室温下の導電率が約58×10S/mである銅を含み、銅は典型的には電極52の重量に対して約100重量%の量で存在する。銅は無酸素電気銅グレードUNS 10100であってよい。
図2A〜図6も参照すると、電極52は外面60を有する。電極52の外面60はコンタクト領域66を有する。特に、本明細書の定義によれば、コンタクト領域66は、電極52の外面60のうち、ソケット57と直接接触するように適合され、かつ電極52からソケット57を経てキャリア体24に至る主電流路を提供する部分に相当する。したがって、製造装置20の通常動作中は、コンタクト領域66は、キャリア体24上に蒸着されている材料22に晒されないように保護される。コンタクト領域66はソケット57と直接接触するように適合され、一般にキャリア体24への蒸着中に材料22に晒されることがないため、コンタクト領域66に関しては電極52の他の部分と異なる設計上の考慮がなされる。これらの考慮事項については後で詳述する。
一実施形態において、電極52は、第1の端部61および第2の端部62を含むシャフト58を有する。場合によっては、シャフト58は更に電極52の外面60も画定する。一般に、第1の端部61は電極52の開放端である。一実施形態において、シャフト58は略円筒形であり、図4に示すように直径Dを画定する。しかしながら、本発明から逸脱しない限り、シャフト58は正方形、円形、矩形、三角形等の異なる形状としてもよいことを理解されたい。
電極52は、シャフト58の端部61、62の一方に配設されるヘッド64も有することができる。ヘッド64はシャフト58と一体化可能であることを理解されたい。典型的には、ヘッド64が存在する場合はヘッド64上にコンタクト領域66が配置される。ソケット57と電極52の接続方法は、本発明から逸脱しない範囲で用途に応じて異なる可能性があることが当業者には理解されるであろう。例えば、フラットヘッド電極(図示せず)等に関する一実施形態では、コンタクト領域66を電極52の上部の単なる平面とし、ソケット57が電極52の第2の端部62を覆うように嵌合されるソケットカップ(図示せず)を画定するようにしてもよい。図2A〜図6に示す別の実施形態において、電極52はソケット57を受けるためのカップ68を画定する。電極52がカップ68を画定する場合、コンタクト領域66はカップ68の一部分の内部に配置される。より詳細には、カップ68は底部102および側壁104を有し、側壁104は全体として先細形状のカップ68を画定する。この応用例では、コンタクト領域66はカップ68の側壁104上にのみ配置され、カップ68の底部102はコンタクト領域66の指定範囲に含まれない。というのも、カップ68が先細形状であるためソケット57は全体的に側壁104上に載置されるからである。したがって、導電率は通常カップ68の底部102に関しては考慮されず、カップ68の側壁104に関して考慮される。実際、条件によってはカップ68の底部102の導電率を最小限に抑えることが望ましいこともある。この場合については後で詳述する。ソケット57およびカップ68は、製造装置20からキャリア体24を回収する際にソケット57を電極52から取り外せるように設計することができる。典型的には、ヘッド64はシャフト58の直径Dより大きい直径Dを画定する。基部プレート36は、電極52のヘッド64がチャンバ30内に残ることによりチャンバ30の密封状態が保たれるように、電極52のシャフト58を受けるための孔(参照符号無し)を画定する。
第1の組のねじ山70を電極52の外面60に配設することができる。再び図1を参照すると、典型的には電極52の周囲に電極52を絶縁するための誘電スリーブ72が配設される。誘電スリーブ72はセラミックを含んでもよい。第1の組のねじ山70にはナット74が配設される。ナット74は、基部プレート36とナット74との間で誘電スリーブ72を圧迫して電極52をハウジング28に固定する。電極52は、本発明の範囲から逸脱しない限りフランジのような他の方法によってハウジング28に固定してもよいことを理解されたい。
典型的には、シャフト58およびヘッド64の少なくとも一方は、チャネル78を画定する内面76を有する。内面76は、シャフト58の第1の端部61から離間された終端部80を有する。終端部80は略平坦であり、かつ電極52の第1の端部61に対して平行である。終端部80の構成としては、円錐形構成、楕円形構成、逆円錐形構成(すべて図示せず)のような他の構成も利用可能であることを理解されたい。チャネル78は、電極52の第1の端部61から終端部80まで延びる長さLを有する。終端部80は、電極52のシャフト58内に配設することが可能であり、電極52のヘッド64が存在する場合はヘッド64内に配設することも可能であり、その場合も本発明から逸脱しないことを理解されたい。
製造装置20は更に、電極52に結合され、電極52に電流を供給するための電源装置82を備える。典型的には、電線または電気ケーブル84により電源装置82を電極52に結合させる。一実施形態において、電線84は、第1の組のねじ山70とナット74との間に電線84を配設することにより電極52に接続される。電線84と電極52との間の接続は様々な方法によって実現可能であることを理解されたい。
電極52の温度は、電流が電極52を通過し、その結果電極52が加熱されることにより変化するが、これにより電極52の動作温度が定まる。かかる加熱は、当業界ではジュール加熱として知られている。特に、電流が電極52を通り、電極52のコンタクト領域66にあるソケット57を介してキャリア体24に到達すると、キャリア体24のジュール加熱が引き起こされる。また、キャリア体24のジュール加熱は、チャンバ30の放射加熱/対流加熱をもたらす。電流がキャリア体24を通過することによりキャリア体24の動作温度が定まる。
図5ならびに図1および図7を再び参照すると、製造装置20は、電極52のチャネル78内に配設される循環システム86も備えることができる。循環システム86が存在する場合、循環システム86は少なくとも部分的にチャネル78の内部に配設される。循環システム86の一部分をチャネル78の外側に配設してもよいことを理解されたい。循環システム86を電極52に結合するための第2の組のねじ山88を、電極52の内面76に配設してもよい。しかしながら、フランジやカップリングのような他の締結方法を使用して循環システム86を電極52に結合してもよいことが当業者には理解されるであろう。
循環システム86は、電極52のチャネル78と流体連通する、電極52の温度を低減するための冷却剤を有する。一実施形態において、冷却剤は水である。しかしながら、本発明から逸脱しない限り、冷却剤は循環によって熱を低減するように設計された任意の流体であってよいことを理解されたい。更に、循環システム86は、電極52とリザーバ(図示せず)との間で結合されるホース90も有する。ここで図5だけを参照すると、ホース90は内側チューブ92および外側チューブ94を有する。内側チューブ92および外側チューブ94はホース90と一体化可能であり、別法ではカップリングを利用してホース90に取り付ける(図示せず)ことも可能であることを理解されたい。内側チューブ92はチャネル78内に配設される。内側チューブ92は、冷却剤を電極52内で循環させるためにチャネル78の長さLの大部分にわたって延在する。
循環システム86内の冷却剤は加圧下にあり、内側チューブ92および外側チューブ94を通るように付勢される。典型的には、冷却剤は内側チューブ92を出て電極52の内面76の終端部80に対して付勢され、その後ホース90の外側チューブ94を通ってチャネル78を出る。冷却剤が外側チューブ94を介してチャネル78に流入し、内側チューブ92を介してチャネル78から出るように、逆向きの流れ構成にすることも可能であることを理解されたい。また、熱伝達の技術分野の当業者には、電極52の表面積およびヘッド64との近接性により、終端部80の構成が熱伝達率に影響を及ぼすことが理解されるであろう。上述のとおり、終端部80の幾何学的輪郭が異なれば、同じ循環流速でも対流熱伝達係数は異なるものとなる。
図2A〜図6に示したカップ68を含む電極52の実施形態では、腐食および堆積物の形成によりカップ68の耐久性が低下し、その結果キャリア体24上に配設されたソケット57と、電極52のカップ68の一部分の内部に配置されたコンタクト領域66との間の嵌合状態が劣化する。嵌合状態が劣化すると、電極52からキャリア体24に電流が流れるときにコンタクト領域66とソケット57との間に小電気アークが発生する。このような小電気アークにより電極52の金属がキャリア体24上に堆積し、その結果キャリア体24上に蒸着される材料22の金属汚染が生じる。一例として、高純度シリコンの製造では、蒸着後の加工キャリア体に含まれる金属汚染物を最小限に抑えることが望ましい。というのも、金属汚染物は、加工キャリア体から作製されるシリコンインゴットおよびウェハに不純物が混入する原因となるからである。このようなウェハ上の金属汚染物は、マイクロ電子デバイスの後処理中にバルクウェハから該ウェハにより作製されるマイクロ電子デバイスの活性領域へと拡散するおそれがある。例えば、加工キャリア体中の銅の濃度が高すぎると、例外的に銅がウェハ内で拡散する傾向がある。こうした汚染に関する問題は、電極52が露出銅を含む場合に特に顕著となる。
一般に、金属汚染が多結晶シリコンの閾値レベルを超えた場合、または材料22が電極52上に蒸着され、加工後にソケット57を電極52のカップ68から取り外すことが妨げられる場合は、電極52を交換しなければならない。この状況を例示すると、銅系電極に起因する多結晶シリコンの銅汚染は、典型的には0.01ppbaの閾値を下回る。しかしながら、高純度半導体材料の製造分野の当業者には、遷移金属汚染の態様が個々の用途に応じて異なることが理解されるであろう。例えば、光起電力電池用のインゴットやウェハの製造に使用されるシリコンは、寿命および電池性能を大きく損なうことなく、半導体グレードのシリコンに比べてかなり高いレベルの銅汚染、例えば100〜10,000倍の銅汚染を許容し得ることが知られている。したがって、多結晶シリコンの各純度仕様を電極交換の必要に照らして個別に評価することができる。
先述のとおり、ニッケルは電極52に含まれ得る一般的な材料である。ニッケルは、(同様に電極に一般に含まれる)銅に比べて多結晶シリコンに対する汚染が少ないため、電極52上、特に多結晶シリコンを形成する製造装置で使用される電極52上の外部コーティングにも含められる。しかしながら、銅基板上のニッケルコーティングの耐摩耗性は約1.5×10−5mm/N・mと低く、銀および金も耐摩耗性が同様に低いため、電極52の寿命切れを早めるおそれがある。
図3、図4および図6を参照すると、電極52は、電極52のコンタクト領域66上に配設されたコンタクト領域コーティング96を有する。典型的には、コンタクト領域コーティング96は電極52のベース金属上に直接配設される。すなわち、コンタクト領域コーティング96と電極52のベース金属との間に配設される層は他に存在しない。コンタクト領域コーティング96は、少なくとも7×10ジーメンス/メートル、より典型的には少なくとも20×10S/m、最も典型的には少なくとも40×10S/m(それぞれ室温下の測定値)の導電率を有するが、導電率の上限を制限するものではない。コンタクト領域コーティング96の導電率は、電極52とキャリア体24との間の主電流路に入らない電極52の他の部分よりも重要性が高いため、またコンタクト領域コーティング96は蒸着中にソケット57と接触し、キャリア体上に蒸着される材料22からある程度保護されるため、コンタクト領域コーティング96用の特定の材料としては、上述の導電特性を満足する材料が選択される。
電極52は、キャリア体24への材料22の蒸着中に電極52上に形成され得る堆積物を除去するために、継続的に機械洗浄処理にかけられる。機械洗浄処理は、典型的にはチャンバ30内に配設された電極52のすべての部分、特にコンタクト領域66に対して実施される。電極52がカップ68を画定し、カップ68の一部分の内部にコンタクト領域66が配置される場合、一般にはカップ68の形状により機械洗浄処理に由来する高い研磨力がカップ68に作用することになる。機械洗浄処理に伴う摩耗の故に、コンタクト領域コーティング96は、ニッケルより大きい耐摩耗性(測定単位:mm/N・m)も有する。これにより電極52の全体的な耐摩耗性が向上する。耐摩耗性は、ASTM G99‐5「ピンオンディスク装置による摩耗試験の標準試験方法」によって測定可能である。コンタクト領域コーティング96は、典型的には少なくとも6×10mm/N・mまたは少なくとも1×10mm/N・mの耐摩耗性を有する。これらの値はニッケルの耐摩耗性よりも数桁高い値である。
一実施形態において、コンタクト領域コーティング96は更に、物理蒸着法(physical vapor deposition:PVD)コーティングまたはプラズマアシスト化学気相成長法(plasma-assisted chemical vapor deposition:PCVD)コーティングのうちの1つとして定義することができる。別の実施形態において、コンタクト領域コーティング96は更に、動的化合物蒸着法(dynamic compound deposition:DCD)コーティングとして定義される。動的化合物蒸着法(DCD)は、Richter Precision社(ペンシルベニア州イーストピーターズバーグ)が実施する独自の低温コーティングプロセスである。PVD、PCVDおよびDCDコーティングは、典型的には電気めっきを施すのが困難であるが、先述のような電極52の特性を改善する材料から形成される。動的化合物蒸着法コーティング96は、他の技術によって形成されるコーティングと比較して摩擦係数が大幅に低下し、耐久性が向上する。
コンタクト領域コーティング96は、典型的には室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物を含む。このような適当なチタン含有化合物は、窒化チタン、炭化チタンおよびこれらの組合せからなる群から選択することができる。コンタクト領域コーティング96は、室温下で少なくとも7×10ジーメンス/メートルという十分な導電率がコンタクト領域コーティング96の全域で達成される限り、他の金属および/または化合物を含むことが可能である。例えば、一実施形態において、コンタクト領域コーティング96は更に、銀、ニッケル、クロム、金、白金、パラジウム;これらの合金、例えばニッケル‐銀合金;および酸化チタンのうちの少なくとも1つを含んでもよい。酸化チタン自体の導電性は十分ではないが、酸化チタンと導電性チタン含有化合物(例えば上述のチタン含有化合物)を組み合わせることにより、十分な導電性を有するコンタクト領域コーティング96を得ることが可能となる。典型的には、コンタクト領域コーティング96は、室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物のみを実質的に含む。しかしながら、このような他の金属または化合物のうちの1つまたは複数が存在する場合、室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物の総量は、典型的にはコンタクト領域コーティング96の総重量に対して少なくとも50重量%である。
室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物は、十分な導電率および耐摩耗性を有するため、コンタクト領域コーティング96にとって理想的である。チタン含有化合物も電気めっきを施すのが困難である。したがって、チタン含有化合物はPVDまたはPCVDコーティングに含めることが理想的である。
コンタクト領域コーティング96は、電極52の形成に使用される一般的な材料よりも高い耐摩耗性をもたらすことにより電極の寿命を延長する。更に、コンタクト領域66における電極52の耐摩耗性は電極52の交換の要否を左右する要因の1つである故に、耐摩耗性に基づくコンタクト領域コーティング96の材料選択は、耐摩耗性への関心が相対的に低いこともある電極52の他の部分の材料選択よりも、電極52の寿命を延長する上で高い効果を発揮する可能性がある。したがって、コンタクト表面コーティング96に使用する特定のタイプの材料は、先述のような許容可能な導電性を備えるとともに耐摩耗性も備えなければならない。
耐摩耗性は、コンタクト領域66の外側における電極52の他の位置においても望ましい特徴である。というのも、機械洗浄処理は、典型的にはコンタクト領域66の外側に位置する電極の外面60を含めて、チャンバ30内に配設された電極52のすべての部分に対して実施されるからである。したがって、電極52に対しては、電極52の寿命を延長するためのコーティングを、コンタクト領域66以外の位置に施すことも可能である。図6の一実施形態を参照すると、電極52は、コンタクト領域66の外側に位置する電極52の外面60上に配設された外部コーティング98を有する。特に、外部コーティング98は、コンタクト領域66の外側のヘッド64上および電極52のシャフト58上のうちの少なくとも一方に配設可能である。換言すると、外部コーティング98は、コンタクト領域66の外側のヘッド64上とシャフト58上のいずれかに配設することも、コンタクト領域66の外側のヘッド64上とシャフト58上の両方に配設することも可能である。
外部コーティング98は、コンタクト領域コーティング96と異なっていてもよい。特に、外部コーティング98は、コンタクト領域コーティング96とは異なる材料を含むこと、および/またはコンタクト領域コーティング96とは異なる技法を利用して形成することが可能である。コンタクト領域コーティング96または外部コーティング98に使用される材料のタイプは、導電性等の物理的特性に関する考慮事項に応じて異なる可能性がある。例えば、先述のとおり、コンタクト領域66の導電性は、電極52とキャリア体24との間の主電流路に入らない電極52の他の部分と比較して重要性が高い。したがって、コンタクト領域コーティング96は室温下で少なくとも7×10ジーメンス/メートルという導電性を有するが、外部コーティング98は必ずしも導電性を有する必要はない。
室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物は、特に、高い反応器温度におけるクロロシランに対して優れた耐食性を有し、したがってコンタクト領域66の外側の外部コーティング98にも適する。より具体的にいえば、電極52のコンタクト領域66の外側では導電性が重視されないが、チタン含有化合物は、その優れた耐摩耗性および耐食性により、コンタクト領域66の外側に位置する電極52の外面60上に配設される外部コーティング98に適していることを理解されたい。コンタクト領域66の外側に位置する外部コーティング98には、白金およびロジウムも適している。というのも、白金とロジウムはいずれもニッケルより高い温度でシリサイド形成を示す(これにより耐食性に関する利点がもたらされる)からである。
電極52のコンタクト領域66の外側では導電性が重視されないので、コンタクト領域66の外側に位置する電極52の外面60上に配設される外部コーティング98については、室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物以外の材料、すなわち白金またはロジウムを使用してもよい。したがって、外部コーティング98をコンタクト領域66の外側に位置する電極52の外面60上に配設する場合は、導電性よりも熱反射特性、熱伝導特性、純度特性および堆積物剥離(deposit release)特性を改善する材料の能力に重きを置いて材料を選択することができる。例えば、外部コーティング98をコンタクト領域の外側に位置する電極52の外面60上に配設する場合(図6参照)、外部コーティング98の導電率は室温下で7×10ジーメンス/メートル未満の導電率を含めた任意の導電率であってよい。
外部コーティング98の室温下の導電率が7×10ジーメンス/メートル未満である場合、外部コーティング98は、それだけに限らないがダイヤモンド状炭素化合物を含み得る。ダイヤモンド状炭素化合物は当業界で既知であり、当業者によって識別可能である。当業界で知られているように、天然ダイヤモンドはsp結合炭素原子の純立方晶の結晶方位を有する。溶融材料からのダイヤモンドの成長速度は天然ダイヤモンドとバルク合成ダイヤモンドのいずれの製造方法においても十分に遅く、したがって格子構造が立方体の形に成長する時間が確保され、炭素原子のsp結合が可能となる。一方、ダイヤモンド状炭素コーティングは、いくつかの方法によって製造可能であり、その結果、用途の要求に合致した特有の最終要求コーティング特性を実現できる。したがって、立方格子と六方格子が原子層ごとに無作為に混在することもある。というのも、原子が材料中の所定位置に「固定」される前に一方の結晶幾何形状が他方を犠牲にして成長する時間が存在しないからである。これにより、長距離結晶秩序を有さない非晶質ダイヤモンド状炭素コーティングが得られる可能性がある。このような長距離結晶秩序の欠如により脆い破面が存在しなくなり、したがって、かかるコーティングがダイヤモンドと同様の硬さを維持しつつも柔軟性を備え、コーティング対象の基礎形状と共形になる利点が得られる。
ダイヤモンド状炭素化合物を含むコーティングは、Richter Precision社からTribo-kote(商標)という商品名で販売されている。特に、ダイヤモンド状炭素化合物を含む外部コーティング98は、優れた熱反射特性、熱伝導特性、純度特性および堆積物剥離特性を有する。このような特性は、キャリア体24への蒸着中にコンタクト領域66の外側に位置する電極52の外面60がチャンバ30および材料22に晒されるので、コンタクト領域66の外側かつチャンバ30の内側における電極の外面60にとって理想的である。特に、ダイヤモンド状炭素化合物の鏡面反射率は、典型的にはPerkin Elmer社製Lambda 19分光光度計で測定した場合、15〜30ミクロンの遠赤外線波長では10〜20%、1000〜2500nmの近赤外線波長では25〜33%、500nm未満のUV可視波長では10〜26%である。ダイヤモンド状炭素化合物を使用する場合、外部コーティング98中に存在するダイヤモンド状炭素化合物の量は、典型的には外部コーティング98の総重量に対して95重量%超である。より典型的には、ダイヤモンド状炭素化合物を使用する場合、外部コーティング98はダイヤモンド状炭素化合物のみを含む。ダイヤモンド状炭素化合物の蒸着は典型的には動的コーティング蒸着技法(既述)を利用して実施するが、本発明は何らかの特定の技法によるダイヤモンド状炭素コーティングの蒸着に限定されるものではないことを理解されたい。
ダイヤモンド状炭素の代わりとして、酸化チタンもコンタクト領域66の外側の外部コーティング98に適している。酸化チタンは、コンタクト領域コーティング96に単独で使用するには導電性が不十分であるが優れた鏡面反射率を有するため、コンタクト領域66の外側の外部コーティング98に特に適する可能性がある。特に、酸化チタンの鏡面反射率は、典型的には1〜30ミクロンの遠赤外線波長では58〜80%、1000〜1500nmの近赤外線波長では5〜66%、1500〜2500nmの近赤外線波長では30〜66%、500nm未満のUV可視波長では40〜65%である。したがって、酸化チタンはスペクトル反射率の改善に関する大きな利点をもたらす可能性がある。
コンタクト領域コーティング96およびコンタクト領域66の外側の外部コーティング98は、典型的には約0.1μm〜約5μmの厚さを有する。図示は省略するが、コンタクト領域コーティング96および外部コーティング98は、例えばコンタクト領域コーティング96および外部コーティング98のより高い有効厚さを達成するために、一般的な組成構造を有する複数の個別層を含み得ることを理解されたい。更に、本発明の範囲から逸脱しない限り、コンタクト領域コーティング96上および/または外部コーティング98上に付加的なコーティングを配設することも可能であることを理解されたい。
上記の説明から、コンタクト領域コーティング96の内容が外部コーティング98と異なる可能性があることが分かる。電極52がカップ68を画定し、カップ68の一部分の内部にコンタクト領域66が配置される場合は、カップ68の底部102上の外部コーティング98と、カップ68の側壁104上のコンタクト領域コーティング96とが異なることもある。というのも、カップ68の底部102については導電性が重視されない可能性があるからである。したがって、カップ68の底部102上に配設される外部コーティング98は、室温下で7×10ジーメンス/メートル未満の導電率を有するものであってよく、優れた熱反射特性、熱伝導特性、純度特性および堆積物剥離特性ならびに優れた耐摩耗性を有するダイヤモンド状炭素化合物を含んでもよい。更に、室温下の導電率が7×10ジーメンス/メートル未満であり、カップ68の底部102に配設される外部コーティング98は、ソケット57がカップ68の底部102と接触していないときにカップ68の底部102とソケット57との間でアークが発生するのを効果的に防止することができる。
また、いくつかの状況下では、電極52の特定のベース金属、キャリア体56上に蒸着される材料22、製造装置の所期の使用条件といった各種要因に応じて電極52を選択的にコーティングすることが望ましい可能性もある。図3〜図5に示す一実施形態では、電極52のコンタクト領域66の外側において、電極52の外面60に対し外部コーティング98を含めたコーティングが施されていない。電極52がヘッド64およびシャフト58を有する場合、コンタクト領域66の外側に位置するヘッド64、およびシャフト58のうちの少なくとも一方は、それ自体の外面60上に配設されるコーティングを含まなくてもよい。
上述のとおり、コンタクト領域コーティング96および随意に外部コーティング98を有する電極52は、製造装置20の動作中にチャンバ30内に存在する気体に対して耐食性を示し得る。特に、電極52は、最高450℃の高温下で水素およびトリクロロシランに対する優れた耐性を示し得る。例えば、コンタクト領域コーティング96および随意に外部コーティング98を有する電極52は、水素およびトリクロロシランガス雰囲気に450℃の温度で5時間晒した後に、表面の起泡または劣化が少なくまたは発生せず(目視観察により判定)、重量の変化が生じないまたは重量の正の変化を示す可能性がある。このことは、電極52または各種コーティング96、98の気体による腐食が少ないことまたは腐食が生じないことを示す。ある程度の重量減少(表面の劣化)が許容され得るが、そのような重量減少は典型的には第2の外部コーティング106の総重量の20重量%以下、または15重量%以下、または10重量%以下であるが、重量減少はないことが好ましい。しかしながら、本発明の電極52は、耐食性に関する何らかの特定の物理的特性に限定されるものではないことを理解されたい。
また、電極52と冷却剤との間の熱伝導率を維持するために、電極52の内面76上にチャネルコーティング100を配設することができる。一般に、チャネルコーティング100は、電極52の腐食に対する耐性と比較して、冷却剤と内面76の相互作用によって生じる腐食に対して高い耐性を有する。チャネルコーティング100は、典型的には腐食に対する耐性がありかつ堆積物の堆積を抑制する金属を含む。例えば、チャネルコーティング100は、銀、金、ニッケル、クロムおよびこれらの合金、例えばニッケル‐銀合金のうちの少なくとも1つを含んでよい。典型的には、チャネルコーティング100はニッケルである。チャネルコーティング100の熱伝導率は、70.3〜427W/mK、より典型的には70.3〜405W/mK、最も典型的には70.3〜90.5W/mKである。また、チャネルコーティング100の厚さは、0.0025mm〜0.026mm、より典型的には0.0025mm〜0.0127mm、最も典型的には0.0051mm〜0.0127mmである。
電極52は、チャネルコーティング100上に配設される曇り防止層(anti-tarnishing layer)(図示せず)を更に有し得ることを理解されたい。該曇り防止層は、チャネルコーティング100の上部に塗布される保護薄膜有機層である。電極52のチャネルコーティング100の形成後に、Technic社のTarniban(商標)のような保護系を使用して、過度の熱抵抗を誘起することなく電極52内およびチャネルコーティング100内の金属の酸化を低減することができる。例えば、一実施形態では、純銀と比較して堆積物の形成に対する耐性を改善するために、電極52が銀を含み、チャネルコーティング100が銀を含み、曇り防止層を設けるようにしてもよい。典型的には、熱伝導率および堆積物の形成に対する耐性を最大化するために、電極52が銅を含み、チャネルコーティング100がニッケルを含み、チャネルコーティング100上に曇り防止層が配設されるようにする。
次に図7を参照して、キャリア体24上に材料22を堆積する典型的な方法について説明する。キャリア体24は、キャリア体24の第1の端部54および第2の端部56にそれぞれ配設されたソケット57が電極52のカップ68内に配設され、チャンバ30が封止されるように、チャンバ30内に配置される。電流は電源装置82から電極52に伝達される。蒸着温度は蒸着対象の材料22に基づいて計算される。キャリア体24の動作温度は、電流をキャリア体24まで直接通過させることによりキャリア体24の動作温度が蒸着温度を上回るように増加される。キャリア体24が蒸着温度に達すると、チャンバ30内に気体45が導入される。一実施形態において、チャンバ30内に導入される気体45は、クロロシランやブロモシラン等のハロシランを含む。気体は更に水素を含んでもよい。しかしながら、本発明は気体中に存在する成分に限定されず、気体は他の蒸着前駆体、特にシラン、四塩化ケイ素、トリブロモシラン等の分子を含むシリコンを含み得ることを理解されたい。一実施形態において、キャリア体24はシリコンスリムロッドであり、製造装置20を使用してキャリア体上にシリコンを蒸着することができる。特に、本実施形態では、気体は典型的にはトリクロロシランを含有し、シリコンはトリクロロシランの熱分解の結果としてキャリア体24上に蒸着される。冷却剤を利用して電極52の動作温度が蒸着温度に達するのを防止し、シリコンが電極52上に蒸着されないようにする。材料22は、キャリア体24上の材料22が所望の直径に達するまでキャリア体24上に均一に蒸着される。
キャリア体24の加工が済むと電流が遮断され、これにより電極52およびキャリア体24は電流の受け取りを停止する。気体45がハウジング28の出口46を通じて排出されると、キャリア体24の冷却が可能となる。加工キャリア体24の動作温度が低下すると、加工キャリア体24をチャンバ30から取り出すことが可能となる。その後加工キャリア体24を取り出し、製造装置20内に新しいキャリア体24を設置する。
ニッケルから形成されるサンプルクーポンの耐食性を例示するために、下記の表1に示すような様々なコーティングを配設して様々な実施例を調製した。外部コーティング98にのみ適した材料を用いて様々なクーポンを調製したが、これらのクーポンはコンタクト領域コーティング96ではなく外部コーティング98に適した材料を例示するものであって比較例ではない。
Figure 2013507523
実施例1〜5の各クーポンを350℃の水素環境下に置いて5時間放置した。実験前後に各クーポンの重量を記録した。各クーポンの初期の物理的状態および最終的な物理的状態(例えば表面の起泡および劣化)も観察した。テスト結果を下記の表2に示す。
Figure 2013507523
実施例6および実施例7の各クーポンを350℃の水素およびトリクロロシラン環境下に置いて5時間放置した。実験前後に各クーポンの重量を記録した。各クーポンの初期の物理的状態および最終的な物理的状態(例えば表面の起泡および劣化)も観察した。テスト結果を下記の表3に示す。
Figure 2013507523
実施例8のクーポンを450℃の水素およびトリクロロシラン環境下に置いて5時間放置した。実験前後にクーポンの重量を記録した。クーポンの初期の物理的状態および最終的な物理的状態(例えば表面の起泡および劣化)も観察した。クーポンの初期重量は18.0264g、最終重量は18.0266g、したがって0.0002gの重量差があったが、表面の起泡または劣化は見られなかった。
上記の教示に照らせば本発明の様々な修正形態および変更形態が考案され得ることは明らかである。本発明は、添付の特許請求の範囲の具体的な記載と異なる形で実施されてもよい。特許請求の範囲に記載した各請求項は、詳細な説明に明示した特定の化合物、組成物または方法に限定されるものではなく、特許請求の範囲に含まれる実施形態に応じて異なる可能性があることを理解されたい。様々な実施形態の特定の特徴または態様を説明するために本明細書に記載したマーカッシュ群に関しては、他のすべてのマーカッシュ要素から独立したマーカッシュ群の各メンバーから異なる結果、特別な結果および/または予想外の結果が得られることを理解されたい。マーカッシュ群の各要素は個別に利用することも組み合わせて利用することも可能であり、特許請求の範囲に含まれる個々の実施形態を適切にサポートする。
特許請求の範囲には、本発明の様々な実施形態を個別に説明する際および網羅的に説明する際に利用するすべての範囲および部分的範囲が含まれ、かつ、そのような値が本明細書に明記されていない場合でも、各範囲に含まれるすべての値および/または小数値を含めたすべての範囲が記載され想定されていることを理解されたい。本明細書に列挙した範囲および部分的範囲は、本発明の様々な実施形態の記載を十分なものとし、各実施形態を実施可能にするためのものであるが、かかる範囲および部分的範囲を1/2、1/3、1/4、1/5等の関連範囲に細分することも可能であることが、当業者には容易に理解されるであろう。単なる一例として、「0.1〜0.9」という範囲であれば、下位1/3、すなわち0.1〜0.3と、中位1/3、すなわち0.4〜0.6と、上位1/3、すなわち0.7〜0.9とに細分することができる。この場合も各範囲が個別にかつ全体の範囲が特許請求の範囲に含まれる。各範囲は個別にかつ/または全体的に利用することができ、特許請求の範囲に含まれる個々の実施形態を適切にサポートすることができる。また、「少なくとも」、「より大きい」、「より小さい」、「以下」といった範囲を画定もしくは修飾する表現に関しては、かかる表現が部分的範囲および/または上限もしくは下限も含むことを理解されたい。別の例として、「少なくとも10」という範囲は、少なくとも10〜35の部分的範囲、少なくとも10〜25の部分的範囲、25〜35の部分的範囲等を本質的に含む。これらの部分的範囲はそれぞれ個別にかつ/または全体的に利用することができ、特許請求の範囲に含まれる個々の実施形態を適切にサポートする。最後に、本明細書の開示に含まれる個々の数値が利用可能であり、各数値はそれぞれ特許請求の範囲に含まれる個々の実施形態を適切にサポートする。例えば、「1〜9」という範囲には、利用可能な個々の整数(例えば「3」)および小数点数(または分数)(例えば「4.1」)を含めた個々の数値が含まれ、特許請求の範囲に含まれる個々の実施形態を適切にサポートする。

Claims (33)

  1. 互いに離間された第1の端部および第2の端部を有し該端部のそれぞれにソケットが配設されたキャリア体上に材料を蒸着するための製造装置であり、
    チャンバを画定するハウジングと、
    前記ハウジング内に通じるように画定され、前記チャンバ内に気体を導入するための入口と、
    前記ハウジング内に通じるように画定され、前記気体を前記チャンバから排出するための出口と、
    前記ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を含む外面を有する少なくとも1つの電極であって、前記ハウジングを貫通して配設され、前記ソケットと結合されるように少なくとも部分的に前記チャンバ内に配設される電極と、
    前記電極と結合され、前記電極に電流を供給するための電源装置と、
    前記電極の前記コンタクト領域上に配設され、前記電極と前記ソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングであって、室温下で少なくとも7×10ジーメンス/メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性(測定単位:mm/N・m)を有するコンタクト領域コーティングと
    を備えることを特徴とする製造装置。
  2. 前記電極はベース金属から形成され、前記コンタクト領域コーティングは前記電極の前記ベース金属上に直接配設される請求項1に記載の製造装置。
  3. 前記ベース金属は、銅、銀、ニッケル、インコネル(登録商標)、金およびこれらの組合せからなる群から選択される請求項2に記載の製造装置。
  4. 前記コンタクト領域コーティングは、物理蒸着法コーティングまたはプラズマアシスト化学気相成長法コーティングのうちの1つとして更に定義される請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造装置。
  5. 前記コンタクト領域コーティングは、動的化合物蒸着法コーティングとして更に定義される請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造装置。
  6. 前記コンタクト領域コーティングは、ASTM G99‐5による耐摩耗性が少なくとも6×10mm/N・mである請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造装置。
  7. 前記コンタクト領域コーティングは、室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物を含む請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造装置。
  8. 前記電極は、前記コンタクト領域の外側の前記電極上に配設される外部コーティングを更に有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造装置。
  9. 前記外部コーティングは前記コンタクト領域コーティングと異なる請求項8に記載の製造装置。
  10. 前記外部コーティングは、室温下で7×10ジーメンス/メートル未満の導電率を有する請求項9に記載の製造装置。
  11. 前記外部コーティングはダイヤモンド状炭素化合物を含む請求項10に記載の製造装置。
  12. 前記電極は、
    第1の端部および第2の端部を有するシャフトと、
    前記シャフトの前記端部のうちの一方に配設されるヘッドと
    を更に有し、前記電極の前記ヘッドは、前記コンタクト領域を含む前記外面を画定する請求項1〜11のいずれか一項に記載の製造装置。
  13. 前記ヘッドおよび前記シャフトの少なくとも一方は、前記コンタクト領域の外側に位置するそれ自体の前記外面上に配設されるコーティングを含まない請求項12に記載の製造装置。
  14. 前記少なくとも1つの電極は、前記キャリア体の前記第1の端部側の前記ソケットを受けるための第1の電極と、前記キャリア体の前記第2の端部側の前記ソケットを受けるための第2の電極とを有する請求項1〜13のいずれか一項に記載の製造装置。
  15. 互いに離間された第1の端部および第2の端部を有し該端部のそれぞれにソケットが配設されたキャリア体上に材料を蒸着するための製造装置と共に使用される電極であり、
    第1の端部および第2の端部を有するシャフトと、
    前記ソケットと結合されるように前記シャフトの前記端部のうちの一方に配設されるヘッドであって、前記ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を含む外面を有するヘッドと、
    前記電極の前記コンタクト領域上に配設され、前記電極と前記ソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングであって、室温下で少なくとも7×10ジーメンス/メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性(測定単位:mm/N・m)を有するコンタクト領域コーティングと
    を備えることを特徴とする電極。
  16. 前記電極はベース金属から形成され、前記コンタクト領域コーティングは前記電極の前記ベース金属上に直接配設される請求項15に記載の電極。
  17. 前記ベース金属は、銅、銀、ニッケル、インコネル(登録商標)、金およびこれらの合金からなる群から選択される請求項16に記載の電極。
  18. 前記コンタクト領域コーティングは、物理蒸着法コーティングまたはプラズマアシスト化学気相成長法コーティングのうちの1つとして更に定義される請求項15〜17のいずれか一項に記載の電極。
  19. 前記コンタクト領域コーティングは、動的化合物蒸着法コーティングとして更に定義される請求項15〜17のいずれか一項に記載の電極。
  20. 前記電極はカップを画定し、該カップの一部分の内部に前記コンタクト領域が配置される請求項15〜19のいずれか一項に記載の電極。
  21. 前記コンタクト領域は前記カップの側壁上にのみ配置される請求項20に記載の電極。
  22. 前記コンタクト領域コーティングは、室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物を含む請求項15〜21のいずれか一項に記載の電極。
  23. 前記カップの前記底部に外部コーティングが配設される請求項21または22に記載の電極。
  24. 前記コンタクト領域の外側の前記電極上に外部コーティングが配設される請求項15〜22のいずれか一項に記載の電極。
  25. 前記外部コーティングは前記コンタクト領域コーティングと異なる請求項23または24に記載の電極。
  26. 前記外部コーティングは、室温下で7×10ジーメンス/メートル未満の導電率を有する請求項25に記載の電極。
  27. 前記外部コーティングはダイヤモンド状炭素化合物を含む請求項26に記載の電極。
  28. 前記ヘッドおよび前記シャフトの少なくとも一方は、前記コンタクト領域の外側に位置するそれ自体の前記外面上に配設されるコーティングを含まない請求項15〜22のいずれか一項に記載の電極。
  29. 互いに離間された第1の端部および第2の端部を有し該端部のそれぞれにソケットが配設されたキャリア体上に材料を蒸着するための製造装置であり、
    チャンバを画定するハウジングと、
    前記ハウジング内に通じるように画定され、前記チャンバ内に気体を導入するための入口と、
    前記ハウジング内に通じるように画定され、前記気体を前記チャンバから排出するための出口と、
    ベース金属から形成され、前記ハウジングを貫通して配設され、前記ソケットと結合されるように少なくとも部分的に前記チャンバ内に配設される少なくとも1つの電極であって、
    第1の端部および第2の端部を有するシャフト、ならびに
    前記シャフトの前記端部のうちの一方に配設されたヘッドであって、前記ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を含む外面を有するヘッド
    を有する電極と、
    前記電極と結合され、前記電極に電流を供給するための電源装置と、
    前記電極の前記コンタクト領域において前記ベース金属上に直接配設された、前記電極と前記ソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングであって、室温下で少なくとも7×10ジーメンス/メートルの導電率を有し、ASTM G99‐5による耐摩耗性が少なくとも6×10mm/N・mであるコンタクト領域コーティングと
    を備えることを特徴とする製造装置。
  30. 前記ベース金属は、銅、銀、ニッケル、インコネル(登録商標)、金およびこれらの合金からなる群から選択される請求項29に記載の製造装置。
  31. 前記コンタクト領域コーティングは、物理蒸着法コーティングまたはプラズマアシスト化学気相成長法コーティングのうちの1つとして更に定義される請求項29または30に記載の製造装置。
  32. 前記コンタクト領域コーティングは、動的化合物蒸着法コーティングとして更に定義される請求項29または30に記載の製造装置。
  33. 前記コンタクト領域コーティングは、室温下の導電率が少なくとも7×10ジーメンス/メートルであるチタン含有化合物を含む請求項29〜32のいずれか一項に記載の製造装置。
JP2012533346A 2009-10-09 2010-10-08 材料を蒸着するための製造装置および当該製造装置で使用される電極 Ceased JP2013507523A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25036109P 2009-10-09 2009-10-09
US61/250,361 2009-10-09
PCT/US2010/051970 WO2011044457A1 (en) 2009-10-09 2010-10-08 Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013507523A true JP2013507523A (ja) 2013-03-04

Family

ID=43332662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012533346A Ceased JP2013507523A (ja) 2009-10-09 2010-10-08 材料を蒸着するための製造装置および当該製造装置で使用される電極

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20120199068A1 (ja)
EP (1) EP2486166A1 (ja)
JP (1) JP2013507523A (ja)
KR (1) KR20120085277A (ja)
CN (1) CN102666916A (ja)
CA (1) CA2777101A1 (ja)
RU (1) RU2012114734A (ja)
TW (1) TW201127984A (ja)
WO (1) WO2011044457A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5477145B2 (ja) * 2009-04-28 2014-04-23 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコン反応炉
CA2876507A1 (en) * 2012-07-10 2014-01-16 Hemlock Semiconductor Corporation Manufacturing apparatus for depositing a material and a socket for use therein
US10680354B1 (en) * 2019-03-14 2020-06-09 Antaya Technologies Corporation Electrically conductive connector

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3406044A (en) * 1965-01-04 1968-10-15 Monsanto Co Resistance heating elements and method of conditioning the heating surfaces thereof
JPH069295A (ja) * 1989-12-26 1994-01-18 Advanced Silicon Materials Inc 水素不透過性外側被覆層を有する黒鉛製チャック
JP2005272965A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 電極部材、及びこれを備えた成膜装置
JP2006016243A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Sumitomo Titanium Corp 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極
US20060179931A1 (en) * 2005-01-21 2006-08-17 Abb Patent Gmbh Electrode in a measurement tube of a magnetic-inductive flowmeter
JP2006240934A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokuyama Corp 多結晶シリコンの製造装置
JP2007107030A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp 電極の短絡防止方法および短絡防止板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4039883A (en) * 1972-07-04 1977-08-02 U.S. Philips Corporation Soldered joint
DE2652218A1 (de) * 1976-11-16 1978-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium
US4822641A (en) * 1985-04-30 1989-04-18 Inovan Gmbh & Co. Kg Method of manufacturing a contact construction material structure
DE19882883B4 (de) * 1997-12-15 2009-02-26 Advanced Silicon Materials LLC, (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Moses Lake System für die chemische Abscheidung aus der Gasphase zum Herstellen polykristalliner Siliziumstangen
US6605352B1 (en) * 2000-01-06 2003-08-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Corrosion and erosion resistant thin film diamond coating and applications therefor
US6669996B2 (en) * 2000-07-06 2003-12-30 University Of Louisville Method of synthesizing metal doped diamond-like carbon films
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
JP3870824B2 (ja) * 2001-09-11 2007-01-24 住友電気工業株式会社 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置
US20100101494A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Hsieh Jui Hai Harry Electrode and chemical vapor deposition apparatus employing the electrode

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3406044A (en) * 1965-01-04 1968-10-15 Monsanto Co Resistance heating elements and method of conditioning the heating surfaces thereof
JPH069295A (ja) * 1989-12-26 1994-01-18 Advanced Silicon Materials Inc 水素不透過性外側被覆層を有する黒鉛製チャック
JP2005272965A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 電極部材、及びこれを備えた成膜装置
JP2006016243A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Sumitomo Titanium Corp 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極
US20060179931A1 (en) * 2005-01-21 2006-08-17 Abb Patent Gmbh Electrode in a measurement tube of a magnetic-inductive flowmeter
JP2006240934A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokuyama Corp 多結晶シリコンの製造装置
JP2007107030A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp 電極の短絡防止方法および短絡防止板

Also Published As

Publication number Publication date
CA2777101A1 (en) 2011-04-14
KR20120085277A (ko) 2012-07-31
WO2011044457A1 (en) 2011-04-14
CN102666916A (zh) 2012-09-12
US20120199068A1 (en) 2012-08-09
RU2012114734A (ru) 2013-11-20
EP2486166A1 (en) 2012-08-15
TW201127984A (en) 2011-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5762949B2 (ja) 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極
JP5680093B2 (ja) 電極を有するcvd装置
AU2009236677B2 (en) Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein
JP2013507523A (ja) 材料を蒸着するための製造装置および当該製造装置で使用される電極
JP5909533B2 (ja) 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極
JP5680094B2 (ja) Cvd装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131003

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140304

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140708

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141008

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141209

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150122

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150526

A045 Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20150929