JP2013504861A - LIGHT EMITTING DEVICE, PHOTOVOLTAIC DEVICE OR OTHER ELECTRONIC DEVICE AND SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - Google Patents

LIGHT EMITTING DEVICE, PHOTOVOLTAIC DEVICE OR OTHER ELECTRONIC DEVICE AND SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME Download PDF

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Abstract

本発明は、発光ダイオード(LED)で構成される照明デバイス又は光起電力ダイオードを備える発電装置等の電子装置を提供する。本電子装置は、印刷プロセスにより、半導体又は他の基板粒子インク若しくは基板粒子懸濁液を使用し、レンズ粒子インク又はレンズ粒子懸濁液を使用して、作製することができる。例示的な装置は、基部と、少なくとも1つの第1の導体と、少なくとも1つの第1の導体に結合された複数のダイオードと、複数のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、ダイオードの上に堆積するか又は取り付けられた、ポリマー内に懸濁している複数のレンズとを備える。レンズ及び懸濁ポリマーは、屈折率が異なっている。いくつかの実施形態では、レンズ及びダイオードは実質的に球形であり、平均直径又は平均長さの比が約10:1と2:1との間である。ダイオードをLED又は光起電力ダイオードとすることができる。The present invention provides an electronic device such as a power generation device including a lighting device or a photovoltaic diode composed of a light emitting diode (LED). The electronic device can be made by using a semiconductor or other substrate particle ink or substrate particle suspension and using lens particle ink or lens particle suspension by a printing process. An exemplary apparatus includes a base, at least one first conductor, a plurality of diodes coupled to the at least one first conductor, and at least one second conductor coupled to the plurality of diodes; A plurality of lenses suspended in a polymer deposited or mounted on the diode. The lens and the suspension polymer have different refractive indices. In some embodiments, the lens and diode are substantially spherical and the ratio of average diameter or average length is between about 10: 1 and 2: 1. The diode can be an LED or a photovoltaic diode.

Description

本発明は、包括的には、発光技術及び光起電力技術に関し、特に、発光装置、光起電力装置又は他の電子装置及びシステム、並びに発光装置、光起電力装置若しくは他の電子装置又はシステムを製造する方法に関する。   The present invention relates generally to light emitting technology and photovoltaic technology, and more particularly to light emitting devices, photovoltaic devices or other electronic devices and systems, and light emitting devices, photovoltaic devices or other electronic devices or systems. It relates to a method of manufacturing.

発光ダイオード(「LED」)を有する照明デバイスでは、通常、集積回路プロセスステップを用いて半導体ウェハーの上にLEDを作製する必要があった。そして、ウェハーは分割され、個々のLEDは反射性ケーシング内に配置され、ボンディングワイヤが各LEDに個々に取り付けられる。これは、時間がかかり、大きな労働力が必要であり、かつ費用のかかるプロセスであり、この結果、LEDベースの照明デバイスが、多くの消費者用途にとって全体として費用がかかりすぎることになる。   In lighting devices having light emitting diodes ("LEDs"), it has typically been necessary to fabricate LEDs on a semiconductor wafer using integrated circuit process steps. The wafer is then divided, individual LEDs are placed in a reflective casing, and bonding wires are individually attached to each LED. This is a time consuming, labor intensive and expensive process, which results in LED based lighting devices that are generally too expensive for many consumer applications.

同様に、太陽電池パネル等のエネルギー生成デバイスでもまた、通常、集積回路プロセスステップを用いて半導体ウェハー又は他の基板の上に光起電力ダイオードを作製する必要があった。結果として得られるウェハー又は他の基板を、その後パッケージングし、組み立てて、太陽電池パネルを作製する。これもまた、時間がかかり、大きな労働力が必要であり、かつ費用のかかるプロセスであり、この結果、光起電力デバイスもまた、助成金が支給されることなく又は他の政府の奨励金なしに広く使用されるには費用がかかりすぎることになる。   Similarly, energy generating devices such as solar panels also typically required the fabrication of photovoltaic diodes on a semiconductor wafer or other substrate using integrated circuit process steps. The resulting wafer or other substrate is then packaged and assembled to make a solar panel. This is also a time consuming, labor intensive and expensive process, so that photovoltaic devices are also not subsidized or without other government incentives It would be too expensive to be widely used.

光起電力デバイスを製造する他の方法もまた開発されている。例えば、「Photovoltaic Apparatus Including Spherical Semiconducting Particles」と題する、2008年11月27日に公開された、Hammerbacher他の特許文献1、及び2004年3月16日に発行され、「Photovoltaic Apparatus and Mass Producing Apparatus for Mass Producing Spherical Semiconducting Particles」と題する、Hamakawa他の特許文献2は、球全体の周りにpn接合が形成されている球形ダイオードを最初に使用する方法を開示しているが、さらに、内部のコア部分内に凹部を形成するために、球及びそのpn接合の実質的な部分を除去するように各個々のダイオードの対応する微細加工が必要であることにより、製造問題を提示している。最初に球形ダイオードであったものは、電極に接合するためにダイオードのn型(又は同様にN型)の内部基板部分又はp型(又は同様にP型)の内部基板部分のいずれかにアクセスするために、露出された内部コア部分を有する実質的に平坦な凹状側を形成するように、著しく又は相当に非球形となるように微細加工される。個々の非球形ダイオードは、微細加工されると、結果として得られるデバイスが製造されるように、適切に方向付け、個々に配置し、ダイオードの外部部分及び凹状内部部分の両方において導体に接合しなければならない。この場合も、これはまた時間がかかり、大きな労働力が必要であり、かつ費用のかかるプロセスであって、広い用途をもたらすためには相応の困難がある。   Other methods of manufacturing photovoltaic devices have also been developed. For example, “Photovoltaic Apparatus Including Spherical Semiconducting Particles” published on November 27, 2008, published by Hammerbacher et al., And US Pat. Hamakawa et al., Entitled “Mass Producing Spherical Semiconducting Particles”, discloses a method of first using a spherical diode in which a pn junction is formed around the entire sphere. Manufacturing problems are presented by the need for corresponding microfabrication of each individual diode to remove a substantial portion of the sphere and its pn junction in order to form a recess therein. What was originally a spherical diode has access to either the n-type (or N-type) internal substrate portion or the p-type (or P-type) internal substrate portion of the diode for bonding to the electrodes. To do so, it is micromachined to be significantly or substantially non-spherical to form a substantially flat concave side with an exposed inner core portion. Individual non-spherical diodes, when microfabricated, are properly oriented, individually positioned, and bonded to conductors in both the outer and concave inner parts of the diode so that the resulting device is manufactured. There must be. Again, this is a time consuming, labor intensive and expensive process with considerable difficulty to provide wide application.

「Methods and Apparatus Relating to Photovoltaic Semiconductor Devices」と題する、1987年1月20日に発行された、Ebertの特許文献3に開示されている、光起電力デバイスを製造する別の方法は、第1の側に湾曲のアレイを有する透明な固形シートを利用して、単一の屈折率を有する、当接している太陽光集光レンズの一体的に形成されたアレイを形成する。レンズパネルは、予め製造されたパネルに結合されかつ固定された平坦な第2の側を更に有し、予め製造されたパネルは、絶縁層によって分離された固体導電層を有している。この方法では、レーザーが、シートの各個々のレンズに沿って段状に配置され、該レンズは、固体の事前成形された導電層及び絶縁層を通して予め製造されたパネル内に対応する穴を機械加工し穿孔するように、レーザービームを集束させる。結果として得られるアレイは、多数の非常に小さい穿孔穴を有し、その後、それらの穴には、光起電力セルを生成するように半導体材料又は予め製造されたダイオードが充填され、各集光レンズは、結果として得られる光起電力セルより50倍〜100倍大きいように設計されている。レンズアレイの集光に起因して、光はわずかな範囲の角度からしか太陽電池上に集束せず、他の角度から入射する光は予め製造されたパネルの他の非太陽電池部分上に集束するため、太陽位置を追尾するように装置全体を移動させるために別個の太陽追尾アセンブリが必要である。この微細加工方法は、恐らくは対処されていない多くの難題により広く許容されなかった。すなわち、限定ではなく例として、各穿孔穴内に予め製造されたダイオードを方向付け、位置合せしかつ配置すること、効率的な機能のために十分な品質の結晶構造を有する半導体を穿孔穴内に作製することが困難であること、レンズパネルによって覆われている穿孔穴の領域に(集束した光に露出させるために)pn接合を形成することが困難であること、穿孔穴のサイズが小さいことによる製造問題、穿孔穴の一貫した充填が困難であること、パネルに予め成形されている残りの(融除されていない)固体導電層との十分に機能しかつ信頼性の高いオーミックコンタクトを生成するために、施された半導体材料又は予め製造されたダイオードを接合することが困難であること、レーザー加工による破片からの導電層間の短絡の発生等の問題である。さらに、この方法及び結果として得られる装置は、アドレス指定可能な又は動的なLEDディスプレイの作製には使用できない。   Another method of manufacturing a photovoltaic device, disclosed in Ebert, US Pat. No. 5,836, issued Jan. 20, 1987, entitled “Methods and Apparatus Relating to Photovoltaic Semiconductor Devices” A transparent solid sheet having a curved array on the side is utilized to form an integrally formed array of abutting solar condensing lenses having a single refractive index. The lens panel further has a flat second side coupled and secured to the prefabricated panel, the prefabricated panel having a solid conductive layer separated by an insulating layer. In this method, a laser is stepped along each individual lens of the sheet, which mechanically drills corresponding holes in a prefabricated panel through solid pre-formed conductive and insulating layers. Focus the laser beam so that it is machined and drilled. The resulting array has a large number of very small perforated holes, which are then filled with semiconductor material or pre-manufactured diodes to produce photovoltaic cells, The lens is designed to be 50-100 times larger than the resulting photovoltaic cell. Due to the focusing of the lens array, the light is focused on the solar cell only from a small range of angles, and the light incident from other angles is focused on other non-solar cell parts of the prefabricated panel In order to do this, a separate solar tracking assembly is required to move the entire device to track the sun position. This microfabrication method has not been widely accepted due to a number of challenges that have probably not been addressed. That is, by way of example and not limitation, directing, aligning and positioning pre-manufactured diodes in each perforation hole, creating a semiconductor with a crystal structure of sufficient quality for efficient functioning in the perforation hole Due to the difficulty of forming a pn junction (in order to be exposed to the focused light) in the area of the perforated hole covered by the lens panel, and the small size of the perforated hole Manufacturing problems, difficulty in consistent filling of perforated holes, producing well-functioning and reliable ohmic contacts with the remaining (non-ablative) solid conductive layer preformed on the panel Therefore, it is difficult to bond applied semiconductor materials or pre-manufactured diodes, and problems such as the occurrence of short circuits between conductive layers from debris by laser processing. It is. Furthermore, this method and the resulting device cannot be used to make addressable or dynamic LED displays.

発光デバイスに関して、他の様々な発光装置及び方法が、実際に発光デバイスから放出される光の量を増大させることを対象としてきた。例えば、「Methods of Manufacturing Light Emitting Devices」と題する、2007年5月17日に公開された、Luの特許文献4は、LEDから放出される光が実際にデバイスから出力されるように内部反射を最小限にしようと試みて、様々なレンズ並びに光抽出構造及び形状が開発されたことを開示している。   With respect to light emitting devices, various other light emitting devices and methods have been aimed at actually increasing the amount of light emitted from the light emitting device. For example, Lu, U.S. Pat. No. 5,637,051 published on May 17, 2007, entitled “Methods of Manufacturing Light Emitting Devices”, describes internal reflection so that light emitted from an LED is actually output from the device. Various lenses and light extraction structures and shapes have been developed in an attempt to minimize.

米国特許出願公開第2008/0289688号US Patent Application Publication No. 2008/0289688 米国特許第6,706,959号US Pat. No. 6,706,959 米国特許第4,638,110号US Pat. No. 4,638,110 米国特許出願公開第2007/0108459号US Patent Application Publication No. 2007/010859

他の理由もあるが特にこうした複雑性のために、光起電力デバイス及びLEDベースのデバイスの材料コスト及び製造コストは、それらが広く採用されるためには依然として非常に高い。結果として、組み込まれた構成要素に関してかつ製造の容易性に関して、より安価であるように設計される発光装置及び/又は光起電力装置が依然として必要とされている。より安価でありかつよりロバストなプロセスを用いて発光デバイス又は光起電力デバイスを製造し、それにより、したがって消費者及び企業によって広く使用され採用されることを可能にすることができる、LEDベースの照明デバイス及び光起電力パネルを製造することもまた依然として必要とされている。   Due to such complexity, among other reasons, the material costs and manufacturing costs of photovoltaic devices and LED-based devices are still very high for their wide adoption. As a result, there remains a need for light emitting devices and / or photovoltaic devices that are designed to be less expensive with respect to the incorporated components and with respect to ease of manufacture. LED-based, which can produce light-emitting or photovoltaic devices using a cheaper and more robust process, thus allowing it to be widely used and adopted by consumers and businesses There is still a need to manufacture lighting devices and photovoltaic panels.

本発明の例示的な実施の形態は、印刷技術及びコーティング技術を用いて、新たなタイプのLEDベースの照明デバイス及び光起電力デバイスと、こうしたデバイスを製造する新たな方法とを提供する。本発明の光起電力デバイス及び/又はLEDベースの照明デバイスは、携帯電話ディスプレイと同等のサイズから広告用掲示板の(又はそれより大きい)サイズまでの多種多様のサイズで製造することができる。例示的な本発明の光起電力デバイス及び/又はLEDベースの照明デバイスはまた、ロバストであり、かつ屋外及び他の負担の多い環境条件を含む、多種多様の条件下で動作することができる。光起電力デバイス及び/又はLEDベースの照明デバイスを製造する例示的な本発明の方法は、比較的低温の処理を利用し、後に更なる製造サイクルにおいて個々にかつ別個に製品に配置される、完成したダイオード又はパッケージングされたダイオード(製造後工程)を利用するのではなく、デバイスが製造されている際にin situで対応するダイオードを作製する。光起電力デバイス及び/又はLEDベース照明デバイスの例示的な本発明のレンズ構造は、別個の追尾又は他のパネル移動なしにモード結合及びより広い入射角又は拡散角も提供することができる。光起電力デバイス及び/又はLEDベースの照明デバイスを製造する例示的な本発明の方法は、完成した製品のコストを大幅に低減し、こうしたエネルギー生成デバイス及びエネルギー保存デバイスの広範にわたる採用を更に可能にする。   Exemplary embodiments of the present invention provide new types of LED-based lighting and photovoltaic devices and new methods of manufacturing such devices using printing and coating techniques. The photovoltaic devices and / or LED-based lighting devices of the present invention can be manufactured in a wide variety of sizes, from the same size as a mobile phone display to the size of an advertising billboard (or larger). Exemplary photovoltaic and / or LED-based lighting devices of the present invention are also robust and can operate under a wide variety of conditions, including outdoors and other burdensome environmental conditions. Exemplary inventive methods of manufacturing photovoltaic devices and / or LED-based lighting devices utilize relatively low temperature processing and are later placed individually and separately in the product in further manufacturing cycles. Rather than utilizing a completed diode or a packaged diode (post-manufacturing process), the corresponding diode is fabricated in situ as the device is being manufactured. Exemplary inventive lens structures of photovoltaic devices and / or LED-based lighting devices can also provide mode coupling and wider incident or diffusion angles without separate tracking or other panel movement. An exemplary inventive method of manufacturing photovoltaic devices and / or LED-based lighting devices significantly reduces the cost of the finished product and further allows for widespread adoption of such energy generating and energy storage devices. To.

例示的な実施の形態では、装置が、複数の離間されたチャネルを備える基部と、前記基部に結合された複数の第1の導体であって、各第1の導体が前記複数の離間されたチャネルの対応するチャネル内にある、複数の第1の導体と、前記複数の第1の導体に結合された複数の実質的に球形のダイオードと、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された複数の第2の導体と、少なくとも第1の屈折率を有する複数の実質的に球形のレンズであって、少なくとも第2の異なる屈折率を有する第1のポリマー内に懸濁している、複数の実質的に球形のレンズと、を具備する。   In an exemplary embodiment, an apparatus includes a base comprising a plurality of spaced channels and a plurality of first conductors coupled to the base, each first conductor being the plurality of spaced apart A plurality of first conductors, a plurality of substantially spherical diodes coupled to the plurality of first conductors, and a plurality of substantially spherical diodes coupled to the corresponding channels of the channel; A plurality of second conductors and a plurality of substantially spherical lenses having at least a first refractive index, wherein the plurality is suspended in a first polymer having at least a second different refractive index. A substantially spherical lens.

様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のダイオードの実質的に全てが、実質的に半球形の殻状pn接合を有することができる。同様に様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する浸透層又は浸透領域を有することができ、残りのダイオード基板は、第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有することができる。更なる様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のダイオードの各ダイオードは、実質的に半球形の殻か又はキャップ付きpn接合を有する第1の部分と、少なくとも部分的に球形の基板を有する第2の部分とを備えることができる。   In various exemplary embodiments, substantially all of the plurality of substantially spherical diodes can have a substantially hemispherical shell pn junction. Similarly, in various exemplary embodiments, about 15 percent to 55 percent of the surface of each substantially all of the plurality of substantially spherical diodes may comprise the first majority carrier or the first majority. There may be a permeation layer or a permeation region with a dopant, and the remaining diode substrate may have a second majority carrier or a second majority dopant. In various further exemplary embodiments, each diode of the plurality of substantially spherical diodes includes a first portion having a substantially hemispherical shell or a capped pn junction, and at least partially And a second portion having a spherical substrate.

いくつかの例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数の実質的に球形のダイオードの平均直径に対する比は、実質的に約5:1とすることができる。他の様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数の実質的に球形のダイオードの平均直径に対する比は、約10:1と2:1との間とすることができる。様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のレンズの相対的なサイズ又は間隔は、前記複数の実質的に球形のダイオードにモード結合を提供することができる。同様に様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のダイオードの平均直径は、約20ミクロンを超えかつ約40ミクロン未満とすることができる。   In some exemplary embodiments, the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of substantially spherical diodes is substantially about 5: 1. be able to. In various other exemplary embodiments, the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of substantially spherical diodes is about 10: 1 and 2: 1. And between. In various exemplary embodiments, the relative size or spacing of the plurality of substantially spherical lenses can provide mode coupling to the plurality of substantially spherical diodes. Similarly, in various exemplary embodiments, the plurality of substantially spherical diodes can have an average diameter greater than about 20 microns and less than about 40 microns.

様々な例示的な実施の形態のうちの任意のものについて、前記複数の実質的に球形のダイオードは、半導体発光ダイオード、有機発光ダイオード、カプセル封止型有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード又は光起電力ダイオードとすることができる。例えば、前記複数の実質的に球形のダイオードは、窒化ガリウム、ガリウムヒ素又はシリコンを含むことができる。   For any of the various exemplary embodiments, the plurality of substantially spherical diodes may be semiconductor light emitting diodes, organic light emitting diodes, encapsulated organic light emitting diodes, polymer light emitting diodes, or photovoltaics. It can be a diode. For example, the plurality of substantially spherical diodes can include gallium nitride, gallium arsenide, or silicon.

様々な例示的な実施の形態のうちの任意のものにおいて、複数の第3の導体は、前記複数の第2の導体に結合することができる。前記基部は、ブラッグ反射器又は反射性プラスチックコーティング若しくは反射性ポリエステルコーティング等の反射器又は屈折器を更に備えることができる。複数の導電性ビアは、前記基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記複数の第1の導体に対応して結合する(be correspondingly coupled)ことができる。前記基部は、前記複数の導電性ビアに結合され、かつ該基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンを更に備えることができる。様々な例示的な実施の形態では、前記複数の導電性ビアは、複数の実質的にランダムに分散した実質的に球形の導体を備えることができる。   In any of the various exemplary embodiments, a plurality of third conductors can be coupled to the plurality of second conductors. The base may further comprise a reflector or refractor such as a Bragg reflector or a reflective plastic coating or a reflective polyester coating. A plurality of conductive vias extend between the first side and the second side of the base and are correspondingly coupled to the plurality of first conductors on the first side. coupled). The base may further comprise a conductive backplane coupled to the plurality of conductive vias and coupled to or integrated with the second side of the base. In various exemplary embodiments, the plurality of conductive vias can comprise a plurality of substantially randomly distributed substantially spherical conductors.

同様に様々な例示的な実施の形態では、複数の絶縁体は、前記複数の実質的に球形のダイオードの各々に対応して結合することができ、かつ第2のポリマー又は樹脂内に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を備えることもできるし、光開始剤化合物及び第2のポリマー又は樹脂を備えることもできる。   Similarly, in various exemplary embodiments, a plurality of insulators can be bonded correspondingly to each of the plurality of substantially spherical diodes and photoinitiated in a second polymer or resin. A plurality of inorganic dielectric particles suspended together with the agent compound can be provided, or a photoinitiator compound and a second polymer or resin can be provided.

様々な例示的な実施の形態では、前記基部は、表面特徴があるか又はない実質的に平坦な全体的なフォームファクターを有し、約2ミリメートル未満の厚さを有する。例えば、前記基部は、紙、コート紙、プラスチックコート紙、エンボス紙、繊維紙、段ボール、ポスター用紙、ポスター板、木材、プラスチック、ゴム、布、ガラス及び/又はセラミックのうちの少なくとも1つを備えることができる。前記複数の離間されたチャネルは、実質的に平行とすることもできるし、少なくとも部分的に半球形状とし、アレイに配置する(and disposed)こともできるし、少なくとも部分的に放物線形状とすることもできる。前記基部は複数の角度付き***を更に備える。前記複数の離間されたチャネルはまた、複数の一体的に形成された突起又は支持部を更に備えることができる。このような例示的な実施の形態では、前記複数の第1の導体は、前記複数の離間されたチャネル内の前記複数の一体的に形成された突起又は支持部に結合され、前記複数の実質的に球形のダイオードは、前記複数の第1の導体に合金化され若しくはアニールされるか、又は化学的に結合される。   In various exemplary embodiments, the base has a substantially flat overall form factor with or without surface features and has a thickness of less than about 2 millimeters. For example, the base comprises at least one of paper, coated paper, plastic coated paper, embossed paper, fiber paper, cardboard, poster paper, poster board, wood, plastic, rubber, cloth, glass and / or ceramic. be able to. The plurality of spaced apart channels can be substantially parallel, at least partially hemispherical, can be arranged and disposed, or at least partially parabolic. You can also. The base further comprises a plurality of angled ridges. The plurality of spaced apart channels can also further comprise a plurality of integrally formed protrusions or supports. In such exemplary embodiments, the plurality of first conductors are coupled to the plurality of integrally formed protrusions or supports in the plurality of spaced apart channels, and the plurality of substantially A spherical diode is alloyed or annealed or chemically bonded to the plurality of first conductors.

前記複数の第1の導体は、硬化した導電性インク又は硬化した導電性ポリマーを含むことができる。例えば、前記複数の第1の導体は、以下のタイプの導体、すなわち、銀導電性インク、銅導電性インク、金導電性インク、アルミニウム導電性インク、錫導電性インク、カーボン導電性インク、カーボンナノチューブポリマー又は導電性ポリマーのうちの少なくとも1つを硬化形態で含むことができる。他の様々な例示的な実施の形態では、前記複数の第1の導体は、実質的に、スパッタリングされ、コーティングされ、蒸着し又は電気メッキされた、例えば、アルミニウム、銅、銀、ニッケル又は金等の金属、金属合金又は金属の組合せを含む。   The plurality of first conductors may include a cured conductive ink or a cured conductive polymer. For example, the plurality of first conductors may be the following types of conductors: silver conductive ink, copper conductive ink, gold conductive ink, aluminum conductive ink, tin conductive ink, carbon conductive ink, carbon At least one of a nanotube polymer or a conductive polymer can be included in a cured form. In various other exemplary embodiments, the plurality of first conductors are substantially sputtered, coated, vapor deposited or electroplated, eg, aluminum, copper, silver, nickel or gold Including metals, metal alloys or combinations of metals.

前記複数の第2の導体は、ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している光学的に透過性の導体又は導電性化合物を含むことができる。例えば、前記複数の第2の導体は、ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している以下の化合物、すなわち、カーボンナノチューブ、酸化アンチモン錫、酸化インジウム錫又はポリエチレン−ジオキシチオフェンのうちの少なくとも1つを含むことができる。   The plurality of second conductors can include an optically transmissive conductor or conductive compound suspended in a polymer, resin, or other medium. For example, the plurality of second conductors may be at least one of the following compounds suspended in a polymer, resin or other medium: carbon nanotubes, antimony tin oxide, indium tin oxide, or polyethylene-dioxythiophene. One can be included.

いくつかの例示的な実施の形態では、前記複数のレンズはホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含むことができる。   In some exemplary embodiments, the plurality of lenses can include borosilicate glass or polystyrene latex.

様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のダイオードは、前記複数の第1の導体に又は該第1の導体の中にアニール又は合金化される。他の様々な例示的な実施の形態では、前記複数のダイオードは、前記複数の第1の導体に又は該複数の第1の導体の中に化学的に結合される。別の様々な例示的な実施の形態では、前記複数のダイオードは、前記複数の第1の導体に又は該第1の導体の中に当接により結合される。   In various exemplary embodiments, the plurality of substantially spherical diodes are annealed or alloyed to or into the plurality of first conductors. In various other exemplary embodiments, the plurality of diodes are chemically coupled to or into the plurality of first conductors. In other various exemplary embodiments, the plurality of diodes are coupled to or in contact with the plurality of first conductors.

例示的な装置又はシステムは、E12、E14、E26、E27又はGU−10照明標準規格に準拠するインターフェース等の、標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェース又は標準エジソン型照明ソケット内に挿入するためのインターフェース、又は標準蛍光灯型照明ソケット内に挿入するためのインターフェースを更に具備する。   An exemplary device or system is inserted into an interface or standard Edison-type lighting socket for insertion into a standardized lighting socket, such as an interface compliant with E12, E14, E26, E27 or GU-10 lighting standards. Or an interface for insertion into a standard fluorescent lighting socket.

別の例示的な実施の形態は、基部と、前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数の実質的に球形のダイオードと、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、第1のポリマー内に懸濁しかつ前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された、複数の実質的に球形のレンズと、を具備する、装置である。例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する。   Another exemplary embodiment includes a base, at least one first conductor coupled to the base, and a plurality of substantially spherical diodes coupled to the at least one first conductor; At least one second conductor coupled to the plurality of substantially spherical diodes; and a plurality of substantially suspended in a first polymer and coupled to the plurality of substantially spherical diodes. And a spherical lens. In an exemplary embodiment, the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index and the first polymer has at least a second different refractive index.

別の例示的な装置は、基部と、前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数の実質的に光共振型のダイオードと、前記複数の実質的に光共振型のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、第1のポリマー内に懸濁しかつ前記複数の実質的に光共振型のダイオードに結合された、複数のレンズであって、少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、複数のレンズと、を具備する。様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に光共振型のダイオードは、実質的に球形、実質的に環状又は実質的に円柱状とすることができる。同様に様々な例示的な実施の形態では、前記複数のレンズは、実質的に、球形、半球形、ファセット状、楕円形、長円形、立方体、角柱状、台形、三角形又は角錐形とすることができる。   Another exemplary apparatus includes a base, at least one first conductor coupled to the base, and a plurality of substantially optically resonant diodes coupled to the at least one first conductor; At least one second conductor coupled to the plurality of substantially optically resonant diodes, and a plurality suspended in a first polymer and coupled to the plurality of substantially optically resonant diodes A plurality of lenses having at least a first refractive index, wherein the first polymer has at least a second different refractive index. In various exemplary embodiments, the plurality of substantially optically resonant diodes can be substantially spherical, substantially annular, or substantially cylindrical. Similarly, in various exemplary embodiments, the plurality of lenses are substantially spherical, hemispherical, faceted, elliptical, oval, cubic, prismatic, trapezoidal, triangular or pyramidal. Can do.

様々な例示的な実施の形態では、装置は、可撓性、折畳み式、又は折り目付け可能(creasable)とすることができる。   In various exemplary embodiments, the device can be flexible, foldable, or creasable.

標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェースと、基部と、前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数の実質的に球形のダイオードであって、約20ミクロンより大きくかつ約40ミクロン未満である平均直径を有する、複数の実質的に球形のダイオードと、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの絶縁体と、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、ポリマー内に懸濁しかつ前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された、複数の実質的に球形のレンズであって、少なくとも第1の屈折率を有し、前記ポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有し、前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数の実質的に球形のダイオードの平均直径に対する比は、約10:1と2:1との間である、複数の実質的に球形のレンズと、を具備する例示的なシステムも開示される。   An interface for insertion into a standardized lighting socket; a base; at least one first conductor coupled to the base; and a plurality of substantially spherical shapes coupled to the at least one first conductor. A plurality of substantially spherical diodes having an average diameter greater than about 20 microns and less than about 40 microns, and at least one isolation coupled to the plurality of substantially spherical diodes A body, at least one second conductor coupled to the plurality of substantially spherical diodes, and a plurality of substantially suspended in a polymer and coupled to the plurality of substantially spherical diodes. A spherical lens having at least a first refractive index, the polymer having at least a second different refractive index, and the plurality of substantially spherical lenses. A plurality of substantially spherical lenses, wherein a ratio of an average diameter of said plurality of substantially spherical diodes to an average diameter of said plurality of substantially spherical diodes is between about 10: 1 and 2: 1. An exemplary system is also disclosed.

別の例示的な装置は、複数の離間されたチャネルを有する基部であって、該複数の離間されたチャネルの各チャネルは複数の一体的に形成された突起を備える、基部と、前記基部に結合又は一体的に形成された導電性バックプレーンと、前記基部内の、前記導電性バックプレーンに結合された複数の導電性ビアと、前記複数の導電性ビア及び前記一体的に形成された突起に結合された少なくとも第1の導体と、前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数の実質的に球形のダイオードであって、前記複数の実質的に球形のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する浸透層又は浸透領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、複数の実質的に球形のダイオードと、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、ポリマー内に懸濁しかつ前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された複数の実質的に球形のレンズと、を具備する。   Another exemplary apparatus is a base having a plurality of spaced channels, each channel of the plurality of spaced channels comprising a plurality of integrally formed protrusions; and A conductive backplane coupled or integrally formed; a plurality of conductive vias coupled to the conductive backplane in the base; the plurality of conductive vias and the integrally formed protrusions; At least a first conductor coupled to the plurality of substantially spherical diodes coupled to the at least one first conductor, wherein substantially all of the plurality of substantially spherical diodes. About 15 percent to 55 percent of the surface of each diode has a permeation layer or region having a first majority carrier or first majority dopant, and the remaining diode substrate is a second majority carrier. A plurality of substantially spherical diodes having a first or second multiple dopant; at least one second conductor coupled to the plurality of substantially spherical diodes; and the plurality suspended in a polymer A plurality of substantially spherical lenses coupled to the substantially spherical diode.

いくつかの例示的な実施の形態では、装置が、複数の離間されたチャネルを備える基部と、前記基部に結合された複数の第1の導体であって、各第1の導体が前記複数の離間されたチャネルの対応するチャネル内にある、複数の第1の導体と、前記複数の第1の導体に結合された複数のダイオードと、前記複数のダイオードに結合された複数の第2の導体と、少なくとも第1の屈折率を有する複数の実質的に球形のレンズであって、少なくとも第2の異なる屈折率を有する第1のポリマー内に懸濁している、複数の実質的に球形のレンズと、を具備する。様々な例示的な実施の形態では、前記複数のダイオードは、実質的に球形、実質的に環状、実質的に円柱状、実質的にファセット状、実質的に矩形、実質的に平坦又は実質的に楕円形とすることができる。   In some exemplary embodiments, the apparatus includes a base comprising a plurality of spaced channels, and a plurality of first conductors coupled to the base, each first conductor being the plurality of the plurality. A plurality of first conductors, a plurality of diodes coupled to the plurality of first conductors, and a plurality of second conductors coupled to the plurality of diodes in corresponding channels of the spaced apart channels And a plurality of substantially spherical lenses having at least a first refractive index, wherein the plurality of substantially spherical lenses are suspended in a first polymer having at least a second different refractive index. And. In various exemplary embodiments, the plurality of diodes are substantially spherical, substantially annular, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially flat or substantially. Can be oval.

他の例示的な実施の形態では、装置が、基部と、前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数のダイオードと、前記複数のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、第1のポリマー内に懸濁しかつ前記複数のダイオードに結合された、複数の実質的に球形のレンズと、を具備する。いくつかの例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有することができ、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する。   In another exemplary embodiment, an apparatus includes a base, at least one first conductor coupled to the base, a plurality of diodes coupled to the at least one first conductor, and the plurality of diodes. At least one second conductor coupled to the plurality of diodes, and a plurality of substantially spherical lenses suspended in the first polymer and coupled to the plurality of diodes. In some exemplary embodiments, the plurality of substantially spherical lenses can have at least a first refractive index, and the first polymer has at least a second different refractive index.

例示的なシステムは、標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェースと、基部と、前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数のダイオードと、前記複数のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、第1のポリマー内に懸濁しかつ前記複数のダイオードに結合された、複数のレンズであって、少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、複数のレンズと、を具備することもできる。様々な例示的な実施の形態では、前記複数のダイオードは、実質的に球形、実質的に環状、実質的に円柱状、実質的にファセット状、実質的に矩形、実質的に平坦、又は実質的に楕円形とすることができ、前記複数のレンズは、実質的に、球形、半球形、ファセット状、楕円形、長円形、立方体、角柱状、台形、三角形又は角錐形とすることができる。   An exemplary system includes an interface for insertion into a standardized lighting socket, a base, at least one first conductor coupled to the base, and coupled to the at least one first conductor. A plurality of diodes, at least one second conductor coupled to the plurality of diodes, and a plurality of lenses suspended in the first polymer and coupled to the plurality of diodes, the at least first A plurality of lenses, wherein the first polymer has at least a second different refractive index. In various exemplary embodiments, the plurality of diodes are substantially spherical, substantially annular, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially flat, or substantially. The plurality of lenses can be substantially spherical, hemispherical, faceted, elliptical, oval, cubic, prismatic, trapezoidal, triangular or pyramidal. .

例示的な実施の形態では、装置が、基部と、前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数のダイオードであって、該複数のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する層又は領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、複数のダイオードと、前記複数のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、第1のポリマー内に懸濁しかつ前記複数のダイオードに結合された、複数のレンズであって、少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、複数のレンズと、を具備する。   In an exemplary embodiment, an apparatus is a base, at least one first conductor coupled to the base, and a plurality of diodes coupled to the at least one first conductor, the plurality of diodes About 15 percent to 55 percent of the surface of each of the substantially all diodes has a layer or region having a first majority carrier or a first majority dopant, and the remaining diode substrate is a second majority. A plurality of diodes having a carrier or a second majority dopant; at least one second conductor coupled to the plurality of diodes; and suspended in a first polymer and coupled to the plurality of diodes; A plurality of lenses, having at least a first refractive index, wherein the first polymer has at least a second different refractive index. That.

別の例示的な装置では、基部と、前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数のダイオードと、前記複数のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、前記複数のダイオードに結合されたレンズ構造であって、複数のレンズを備え、複数の屈折率を更に有し、前記複数のレンズの平均直径又は平均長さの、前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さに対する比は、約10:1と2:1との間である、レンズ構造と、を具備する。   In another exemplary apparatus, a base, at least one first conductor coupled to the base, a plurality of diodes coupled to the at least one first conductor, and coupled to the plurality of diodes. A lens structure coupled to at least one second conductor and the plurality of diodes, comprising a plurality of lenses, further having a plurality of refractive indexes, and an average diameter or length of the plurality of lenses. A ratio of the plurality of diodes to the average diameter or length of the plurality of diodes between about 10: 1 and 2: 1.

様々な例示的な実施の形態では、電子装置を製造する方法も含み、例示的な方法は、基部に結合された複数の第1の導体を形成することと、前記複数の第1の導体に複数の実質的に球形の基板粒子を結合することと、前記複数の第1の導体への前記結合に続き、前記複数の実質的に球形の基板粒子を複数の実質的に球形のダイオードに変化させることと、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された複数の第2の導体を形成することと、を含む。   In various exemplary embodiments, also including a method of manufacturing an electronic device, the exemplary method includes forming a plurality of first conductors coupled to a base and applying the plurality of first conductors to the first conductors. Following the coupling of a plurality of substantially spherical substrate particles and the coupling to the plurality of first conductors, the plurality of substantially spherical substrate particles is converted into a plurality of substantially spherical diodes. And forming a plurality of second conductors coupled to the plurality of substantially spherical diodes.

例示的な方法は、第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることを更に含むことができ、様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有することができ、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有することができる。前記堆積させるステップは、前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数の実質的に球形のレンズを、前記複数の実質的に球形のダイオード及び前記複数の第2の導体の上に印刷することを更に含むことができる。   The exemplary method may further include depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended within the first polymer, and in various exemplary embodiments, the plurality of substantially The spherical lens can have at least a first refractive index, and the first polymer can have at least a second different refractive index. The step of depositing prints the plurality of substantially spherical lenses suspended in the first polymer over the plurality of substantially spherical diodes and the plurality of second conductors. Can be further included.

例示的な方法の実施の形態では、前記複数の実質的に球形のダイオードに予め製造された層を取り付けることを更に含むことができ、前記予め製造された層は、前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数の実質的に球形のレンズを含む。様々な例示的な実施の形態では、前記複数の第1の導体を形成する前記ステップは、前記基部の複数のチャネル内に、導電性インク又は導電性ポリマー等の第1の導電性媒体を堆積させることを更に含むことができる。例示的な方法の実施の形態では、前記第1の導電性媒体を部分的に硬化させることを更に含むことができ、前記複数の第1の導体に前記複数の実質的に球形の基板粒子を結合する前記ステップは、前記複数のチャネル内に、キャリア媒体内に懸濁している前記複数の実質的に球形の基板粒子を堆積させることと、前記第1の導電性媒体を完全に硬化させることと、を更に含む。   In an exemplary method embodiment, the method may further comprise attaching a prefabricated layer to the plurality of substantially spherical diodes, wherein the prefabricated layer is within the first polymer. The plurality of substantially spherical lenses in suspension. In various exemplary embodiments, the step of forming the plurality of first conductors deposits a first conductive medium, such as a conductive ink or a conductive polymer, in the plurality of channels of the base. Can further include. In an exemplary method embodiment, the method may further include partially curing the first conductive medium, wherein the plurality of substantially spherical substrate particles are disposed on the plurality of first conductors. The step of combining deposits the plurality of substantially spherical substrate particles suspended in a carrier medium within the plurality of channels and fully cures the first conductive medium. And.

いくつかの例示的な実施の形態では、第1の導電性媒体を堆積させる前記ステップは、金属、金属合金又は金属の組合せを、スパッタリングすること、コーティングすること、蒸着させること又は電気メッキすることを含むことができる。   In some exemplary embodiments, the step of depositing the first conductive medium comprises sputtering, coating, evaporating, or electroplating a metal, metal alloy, or combination of metals. Can be included.

様々な例示的な実施の形態では、前記複数の第1の導体に前記複数の実質的に球形の基板粒子を結合する前記ステップは、前記複数のチャネル内に、反応性キャリア媒体内に懸濁している前記複数の実質的に球形の基板粒子を堆積させることと、前記反応性キャリア媒体を除去することと、前記第1の導電性媒体を硬化又は再硬化させることと、を更に含むことができる。他の様々な例示的な実施の形態では、前記複数の第1の導体に前記複数の実質的に球形の基板粒子を結合する前記ステップは、前記複数のチャネル内に、異方性導電性媒体内に懸濁している前記複数の実質的に球形の基板粒子を堆積させることと、前記異方性導電性媒体内に懸濁している前記複数の実質的に球形の基板粒子を圧縮することと、を更に含むことができる。他の様々な例示的な実施の形態では、前記複数の第1の導体に前記複数の実質的に球形の基板粒子を結合する前記ステップは、前記複数のチャネル内に、揮発性キャリア媒体内に懸濁している前記複数の実質的に球形の基板粒子を堆積させることと、前記揮発性キャリア媒体を蒸発させることと、を更に含むことができる。更なる他の様々な例示的な実施の形態では、前記複数の第1の導体に前記複数の実質的に球形の基板粒子を結合する前記ステップは、前記複数のチャネル内に、キャリア媒体内に懸濁している前記複数の実質的に球形の基板粒子を堆積させることと、前記複数のチャネル内で前記複数の実質的に球形の基板粒子をアニール又は合金化することと、を更に含むことができる。   In various exemplary embodiments, the step of coupling the plurality of substantially spherical substrate particles to the plurality of first conductors is suspended within the plurality of channels and within a reactive carrier medium. Depositing the plurality of substantially spherical substrate particles, removing the reactive carrier medium, and curing or re-curing the first conductive medium. it can. In various other exemplary embodiments, the step of coupling the plurality of substantially spherical substrate particles to the plurality of first conductors comprises anisotropically conductive media in the plurality of channels. Depositing the plurality of substantially spherical substrate particles suspended within, and compressing the plurality of substantially spherical substrate particles suspended within the anisotropic conductive medium. Can further be included. In various other exemplary embodiments, the step of coupling the plurality of substantially spherical substrate particles to the plurality of first conductors is performed in the plurality of channels, in a volatile carrier medium. The method may further include depositing the plurality of substantially spherical substrate particles in suspension and evaporating the volatile carrier medium. In still other various exemplary embodiments, the step of coupling the plurality of substantially spherical substrate particles to the plurality of first conductors is within the plurality of channels, within a carrier medium. Further comprising depositing the plurality of substantially spherical substrate particles in suspension and annealing or alloying the plurality of substantially spherical substrate particles in the plurality of channels. it can.

いくつかの例示的な実施の形態では、前記複数の第1の導体が、前記複数の離間されたチャネル内で複数の一体的に形成された突起又は支持部に結合されているとき、前記複数の第1の導体に前記複数の実質的に球形の基板粒子を結合する前記ステップは、前記複数のチャネル内に、キャリア媒体内に懸濁している前記複数の実質的に球形の基板粒子を堆積させることと、前記複数の実質的に球形の基板粒子を前記複数の第1の導体にアニール若しくは合金化するか、又は化学的に結合することと、を更に含むことができる。   In some exemplary embodiments, the plurality of first conductors are coupled to a plurality of integrally formed protrusions or supports within the plurality of spaced apart channels. Coupling the plurality of substantially spherical substrate particles to a first conductor of the plurality of layers deposits the plurality of substantially spherical substrate particles suspended in a carrier medium within the plurality of channels. And annealing or alloying or chemically bonding the plurality of substantially spherical substrate particles to the plurality of first conductors.

様々な例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形の基板粒子の各実質的に球形の基板粒子が半導体を含むとき、該複数の実質的に球形の基板粒子を前記複数の実質的に球形のダイオードに変化させる前記ステップは、前記複数の実質的に球形の基板粒子の上にドーパント材料を堆積させ、該複数の実質的に球形の基板粒子とともに前記ドーパント材料をアニール又は合金化することにより、各実質的に球形の基板粒子内にpn接合を形成することを更に含むことができる。例えば、前記アニーリング又は前記合金化は、レーザー又は熱によるアニーリング又は合金化とすることができ、前記ドーパント材料は、基板液体又は膜とすることができ、キャリア内に懸濁しているドーパント元素又は化合物とすることができる。いくつかの例示的な実施の形態では、前記ドーパント材料は、前記複数の実質的に球形の基板粒子の第1の上方部分に堆積して、実質的に半球形の殻又はキャップ付きのpn接合を形成することができる。   In various exemplary embodiments, when each substantially spherical substrate particle of said plurality of substantially spherical substrate particles comprises a semiconductor, said plurality of substantially spherical substrate particles are said plurality of substantially spherical substrate particles. The step of transforming into a generally spherical diode deposits a dopant material over the plurality of substantially spherical substrate particles and anneals or alloys the dopant material with the plurality of substantially spherical substrate particles. Doing so can further include forming a pn junction in each substantially spherical substrate particle. For example, the annealing or alloying can be laser or thermal annealing or alloying, and the dopant material can be a substrate liquid or film, and a dopant element or compound suspended in a carrier. It can be. In some exemplary embodiments, the dopant material is deposited on a first upper portion of the plurality of substantially spherical substrate particles to form a substantially hemispherical shell or capped pn junction. Can be formed.

いくつかの例示的な実施の形態では、前記複数の実質的に球形の基板粒子が、第1の有機化合物又はポリマー化合物を含むとき、前記複数の実質的に球形の基板粒子を前記複数の実質的に球形のダイオードに変化させる前記ステップは、前記複数の実質的に球形の基板粒子の上に第2の有機化合物又はポリマー化合物を堆積させることを更に含むことができる。   In some exemplary embodiments, when the plurality of substantially spherical substrate particles comprise a first organic compound or polymer compound, the plurality of substantially spherical substrate particles are replaced with the plurality of substantially spherical substrate particles. The step of converting to a generally spherical diode may further comprise depositing a second organic compound or polymer compound on the plurality of substantially spherical substrate particles.

例示的な方法の実施の形態は、前記複数の第2の導体の上に又は中に複数の第3の導体を堆積させること、又はブラッグ反射器又は反射性プラスチックコーティング若しくは反射性ポリエステルコーティング等の前記基部に反射器又は屈折器を結合すること、又は標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェースを取り付けることを更に含むことができる。   Exemplary method embodiments include depositing a plurality of third conductors on or in the plurality of second conductors, or such as Bragg reflectors or reflective plastic coatings or reflective polyester coatings, etc. It may further include coupling a reflector or refractor to the base, or attaching an interface for insertion into a standardized lighting socket.

例示的な方法の実施の形態では、第2のポリマー又は樹脂に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を堆積させることであって、前記複数の実質的に球形のダイオードの各々に対応して結合された複数の絶縁体を形成する、堆積させることを更に含むことができる。   In an exemplary method embodiment, depositing a plurality of inorganic dielectric particles suspended with a photoinitiator compound on a second polymer or resin comprising the plurality of substantially spherical diodes. The method may further include depositing a plurality of insulators coupled correspondingly.

様々な例示的な実施の形態では、前記複数の第2の導体を形成する前記ステップは、ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している光学的に透過性の導体又は導電性化合物を堆積させることを更に含むことができる。   In various exemplary embodiments, the step of forming the plurality of second conductors deposits an optically transmissive conductor or conductive compound suspended in a polymer, resin or other medium. Can further include.

同様に、様々な例示的な実施の形態では、前記形成するステップ、前記結合するステップ及び前記変化させるステップは、印刷プロセスによって又は該印刷プロセスを介して行われる。   Similarly, in various exemplary embodiments, the forming, combining, and changing steps are performed by or through a printing process.

電子装置を製造する別の例示的な方法もまた開示されており、該例示的な方法は、基部に結合された少なくとも1つの第1の導体を形成することと、前記少なくとも1つの第1の導体に複数の実質的に球形の基板粒子を結合することと、前記複数の実質的に球形の基板粒子を複数の実質的に球形のダイオードに変化させることと、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体を形成することとを含む。いくつかの例示的な実施の形態では、例示的な方法は、第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることであって、該複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは、少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることを更に含むことができる。他の様々な例示的な実施の形態では、例示的な方法は、前記複数の実質的に球形のダイオードに予め製造された層を取り付けることであって、該予め製造された層は、前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数の実質的に球形のレンズを含み、複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、取り付けることを更に含むことができる。   Another exemplary method of manufacturing an electronic device is also disclosed, the exemplary method comprising forming at least one first conductor coupled to a base and said at least one first Coupling a plurality of substantially spherical substrate particles to a conductor; converting the plurality of substantially spherical substrate particles into a plurality of substantially spherical diodes; and the plurality of substantially spherical substrate particles. Forming at least one second conductor coupled to the diode. In some exemplary embodiments, an exemplary method is to deposit a plurality of substantially spherical lenses suspended within the first polymer, the plurality of substantially spherical lenses. The lens may further comprise depositing having at least a first index of refraction and the first polymer having at least a second different index of refraction. In various other exemplary embodiments, an exemplary method is to attach a prefabricated layer to the plurality of substantially spherical diodes, the prefabricated layer being the first A plurality of substantially spherical lenses suspended within one polymer, wherein the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index, and the first polymer comprises at least a second It can further comprise attaching with different refractive indices.

同様に例示的な実施の形態では、前記少なくとも1つの第1の導体を形成するステップは、銀導電性インク、銅導電性リンク、金導電性インク、アルミニウム導電性インク、錫導電性インク、カーボン導電性インク、カーボンナノチューブポリマー又は導電性ポリマー等、第1の導電性媒体を堆積させることを更に含むことができる。いくつかの例示的な実施の形態では、第1の導電性媒体を堆積させる前記ステップは、アルミニウム、銅、銀、ニッケル又は金等の金属、金属合金又は金属の組合せをスパッタリングすること、コーティングすること、蒸着させること又は電気メッキすることを含む。   Similarly, in an exemplary embodiment, the step of forming the at least one first conductor comprises: silver conductive ink, copper conductive link, gold conductive ink, aluminum conductive ink, tin conductive ink, carbon It may further comprise depositing a first conductive medium, such as a conductive ink, a carbon nanotube polymer or a conductive polymer. In some exemplary embodiments, the step of depositing the first conductive medium comprises sputtering, coating a metal, a metal alloy or a combination of metals such as aluminum, copper, silver, nickel or gold. Including vapor deposition or electroplating.

発光電子装置を製造する別の例示的な方法が開示されており、該例示的な方法は、基部に結合された少なくとも1つの導体を形成することと、前記少なくとも1つの第1の導体に複数の実質的に球形の基板粒子を結合することと、前記少なくとも1つの導体への前記結合に続き、前記複数の実質的に球形の基板粒子を複数の実質的に球形の発光ダイオードに変化させることであって、前記複数の実質的に球形の発光ダイオードは約20ミクロンより大きくかつ40ミクロン未満の平均直径を有する、変化させることと、前記複数の実質的に球形の発光ダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体を形成することと、ポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることであって、前記複数の実質的に球形のレンズは少なくとも1つの屈折率を有し、前記ポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有し、複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数の実質的に球形の発光ダイオードの平均直径に対する比は、約10:1と2:1との間である、堆積させることと、標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェースを取り付けることと、を含む。   Another exemplary method of manufacturing a light emitting electronic device is disclosed, the exemplary method comprising forming at least one conductor coupled to a base and a plurality of the at least one first conductor. Coupling the substantially spherical substrate particles and, following the coupling to the at least one conductor, converting the plurality of substantially spherical substrate particles into a plurality of substantially spherical light emitting diodes. And wherein the plurality of substantially spherical light emitting diodes have an average diameter that is greater than about 20 microns and less than 40 microns, and at least coupled to the plurality of substantially spherical light emitting diodes. Forming a second conductor and depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended in a polymer, the plurality of substantially spherical lenses. At least one refractive index, the polymer has at least a second different refractive index, and an average diameter of the plurality of substantially spherical lenses relative to an average diameter of the plurality of substantially spherical light emitting diodes. The ratio comprises between about 10: 1 and 2: 1 depositing and attaching an interface for insertion into a standardized lighting socket.

電子装置を製造する別の例示的な方法が開示されており、該方法は、基部に結合された少なくとも1つの導体を形成することと、前記少なくとも1つの第1の導体に複数の実質的に球形の基板粒子を結合することと、前記少なくとも1つの導体への前記結合に続き、前記複数の実質的に球形の基板粒子を複数の実質的に球形のダイオードに変化させることであって、前記複数の実質的に球形のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する浸透層又は浸透領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、変化させることと、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体を形成することと、ポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることであって、該複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記ポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることと、を含む。   Another exemplary method of manufacturing an electronic device is disclosed, the method including forming at least one conductor coupled to a base and a plurality of substantially on the at least one first conductor. Coupling a spherical substrate particle; and, following the coupling to the at least one conductor, converting the plurality of substantially spherical substrate particles into a plurality of substantially spherical diodes, the method comprising: About 15 percent to 55 percent of the surface of each substantially all of the plurality of substantially spherical diodes has a permeable layer or region having a first majority carrier or a first majority dopant, with the remainder A diode substrate having a second majority carrier or a second majority dopant, the at least one first diode coupled to the plurality of substantially spherical diodes being varied. Forming a plurality of substantially spherical lenses suspended in the polymer, wherein the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index. The polymer has at least a second different refractive index.

電子装置を製造する別の例示的な方法は、基部に結合された複数の第1の導体を形成することと、前記複数の第1の導体に複数の基板粒子を結合することと、前記複数の第1の導体への前記結合に続き、前記複数の基板粒子を複数のダイオードに変化させることと、前記複数のダイオードに結合されている複数の第2の導体を形成することと、第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることであって、該複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることと、を含む。いくつかの例示的な実施の形態では、前記複数のダイオードを、実質的に球形、実質的に環状、実質的に円柱状、実質的にファセット状、実質的に矩形、実質的に平坦又は実質的に楕円形とすることができる。堆積させるステップは、前記複数のダイオード及び前記複数の第2の導体の上に前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数の実質的に球形のレンズを印刷することを更に含むことができる。   Another exemplary method of manufacturing an electronic device includes forming a plurality of first conductors coupled to a base, coupling a plurality of substrate particles to the plurality of first conductors, and Following the coupling to the first conductor, the plurality of substrate particles are converted into a plurality of diodes, forming a plurality of second conductors coupled to the plurality of diodes; Depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended within a polymer of said plurality of substantially spherical lenses having at least a first refractive index, said first polymer comprising: Depositing having at least a second different refractive index. In some exemplary embodiments, the plurality of diodes are substantially spherical, substantially annular, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially flat or substantially. Can be elliptical. The step of depositing can further include printing the plurality of substantially spherical lenses suspended in the first polymer over the plurality of diodes and the plurality of second conductors. .

電子装置を製造する更に別の例示的な方法は、基部に結合された少なくとも1つの導体を形成することと、前記少なくとも1つの第1の導体に複数の基板粒子を結合することと、前記少なくとも1つの導体への前記結合に続き、前記複数の基板粒子を複数のダイオードに変化させることと、前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体を形成することと、第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることであって、該複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることと、を含む。   Yet another exemplary method of manufacturing an electronic device includes forming at least one conductor coupled to a base, coupling a plurality of substrate particles to the at least one first conductor, and Following the coupling to a conductor, converting the plurality of substrate particles into a plurality of diodes; and forming at least one second conductor coupled to the plurality of substantially spherical diodes; Depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer, wherein the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index, The polymer having at least a second different refractive index.

電子システムを製造する別の例示的な方法の実施の形態も開示されており、該方法の実施の形態は、基部に結合された少なくとも1つの導体を形成することと、前記少なくとも1つの第1の導体に複数の基板粒子を結合することと、前記複数の基板粒子を複数の実質的に光共振型のダイオードに変化させることと、前記複数の実質的に光共振型のダイオードに結合されている少なくとも1つの第2の導体を形成することと、第1のポリマー内に懸濁している複数のレンズを堆積させることであって、該複数のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることと、標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェースを取り付けることと、を含む。   Another exemplary method embodiment for manufacturing an electronic system is also disclosed, the method embodiment including forming at least one conductor coupled to a base and said at least one first. Coupling a plurality of substrate particles to the plurality of conductors, converting the plurality of substrate particles into a plurality of substantially optical resonant diodes, and coupling to the plurality of substantially optical resonant diodes. Forming at least one second conductor, and depositing a plurality of lenses suspended in the first polymer, the plurality of lenses having at least a first refractive index; The first polymer has at least a second different refractive index and includes depositing and attaching an interface for insertion into a standardized lighting socket.

様々な例示的な実施の形態では、電子装置を製造する方法は、基部の複数のチャネル内に第1の導電性媒体を堆積させて複数の第1の導体を形成することと、前記複数のチャネル内に、キャリア媒体内に懸濁している複数の半導体基板粒子を堆積させることと、前記複数の半導体基板粒子の各半導体基板粒子と前記複数の第1の導体のうちの第1の導体との間にオーミックコンタクトを形成することと、前記複数の半導体基板粒子を複数の半導体ダイオードに変化させることと、第2の導電性媒体を堆積させて、前記複数の半導体ダイオードに結合された複数の第2の導体を形成することと、前記複数のダイオードの上に第1のポリマー内に懸濁している複数のレンズを堆積させることと、を含む。例えば、前記堆積ステップは、以下のタイプの堆積のうちの少なくとも1つを更に含むことができ、すなわち、印刷、コーティング、圧延、噴霧、積層、スパッタリング、ラミネーション、スクリーン印刷、インクジェット印刷、電気光学印刷、電子インク印刷、フォトレジスト印刷、熱印刷、レーザージェット印刷、磁気印刷、パッド印刷、フレキソ印刷、ハイブリッドオフセットリソグラフィー又はグラビア印刷である。同様に例えば、前記第1の導電性媒体を堆積させるステップは、前記第1の導電性媒体で前記複数のチャネルをコーティングすることと、ドクターブレードを用いて前記基部の第1の面を擦ることにより余分な第1の導電性媒体を除去することと、を更に含むことができ、同様に、前記複数の半導体基板粒子を堆積させるステップは、キャリア媒体内に懸濁している前記複数の半導体基板粒子で前記複数のチャネルをコーティングすることと、ドクターブレードを用いて前記基部の第1の面を擦ることにより余分な複数の球形の基板粒子を除去することと、を更に含むことができる。   In various exemplary embodiments, a method of manufacturing an electronic device includes depositing a first conductive medium in a plurality of channels in a base to form a plurality of first conductors; Depositing a plurality of semiconductor substrate particles suspended in a carrier medium in the channel, each semiconductor substrate particle of the plurality of semiconductor substrate particles and a first conductor of the plurality of first conductors; Forming an ohmic contact between the plurality of semiconductor substrate particles, converting the plurality of semiconductor substrate particles into a plurality of semiconductor diodes, and depositing a second conductive medium to couple the plurality of semiconductor diodes coupled to the plurality of semiconductor diodes. Forming a second conductor and depositing a plurality of lenses suspended in a first polymer on the plurality of diodes. For example, the deposition step can further include at least one of the following types of deposition: printing, coating, rolling, spraying, laminating, sputtering, lamination, screen printing, inkjet printing, electro-optical printing. Electronic ink printing, photoresist printing, thermal printing, laser jet printing, magnetic printing, pad printing, flexographic printing, hybrid offset lithography or gravure printing. Similarly, for example, depositing the first conductive medium comprises coating the plurality of channels with the first conductive medium and rubbing the first surface of the base using a doctor blade. Removing the excess first conductive medium, and similarly, the step of depositing the plurality of semiconductor substrate particles comprises the plurality of semiconductor substrates suspended in a carrier medium. The method may further include coating the plurality of channels with particles and removing excess spherical substrate particles by rubbing the first surface of the base with a doctor blade.

電子装置を製造する更に別の例示的な方法は、基部に第1の導電性媒体を堆積させることであって、少なくとも1つの第1の導体を形成、堆積させることと、キャリア媒体内に懸濁している複数の半導体基板粒子を堆積させることと、前記複数の半導体基板粒子と前記少なくとも1つの第1の導体との間にオーミックコンタクトを形成することと、前記複数の半導体基板粒子の上にドーパントを堆積させて、前記複数の半導体基板粒子をアニールすることにより、各半導体基板粒子にpn接合を形成することであって、複数の半導体ダイオードを形成する、形成することと、第2の導電性媒体を堆積させることであって、前記複数の半導体ダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体を形成する、堆積させることと、前記複数のダイオードの上に第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることであって、該複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることと、を含む。   Yet another exemplary method of manufacturing an electronic device is to deposit a first conductive medium on a base, forming and depositing at least one first conductor, and suspending in a carrier medium. Depositing a plurality of turbid semiconductor substrate particles, forming an ohmic contact between the plurality of semiconductor substrate particles and the at least one first conductor, and on the plurality of semiconductor substrate particles Forming a pn junction in each semiconductor substrate particle by depositing a dopant and annealing the plurality of semiconductor substrate particles, forming a plurality of semiconductor diodes; and second conducting Depositing a conductive medium, forming at least one second conductor coupled to the plurality of semiconductor diodes; and depositing the plurality of dies Depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer on the card, the plurality of substantially spherical lenses having at least a first refractive index. Depositing the first polymer having at least a second different refractive index.

別の例示的な実施の形態では、電子装置を製造する方法は、基部の複数のキャビティ内に第1の導電性媒体を印刷して複数の第1の導体を形成することと、前記複数のキャビティ内に、キャリア媒体内に懸濁している複数の実質的に球形の基板粒子を印刷することと、前記複数の実質的に球形の半導体基板粒子の第1の上方の部分にドーパントを印刷することと、前記ドープした複数の球形の半導体基板粒子をアニールすることであって、少なくとも部分的に半球形殻のpn接合を有する複数の実質的に球形のダイオードを形成する、アニールすることと、前記複数の実質的に球形のダイオードの第1の部分の上に電気的絶縁媒体を印刷することと、前記複数の実質的に球形のダイオードの第2の部分の上に第2の導電性媒体を印刷することであって、複数の第2の導体を形成する、印刷することと、前記複数の実質的に球形のダイオードの上に第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを印刷することであって、前記複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、印刷することと、を含む。   In another exemplary embodiment, a method of manufacturing an electronic device includes printing a first conductive medium in a plurality of cavities in a base to form a plurality of first conductors; Printing a plurality of substantially spherical substrate particles suspended in the carrier medium in the cavity and printing a dopant on a first upper portion of the plurality of substantially spherical semiconductor substrate particles. Annealing the doped plurality of spherical semiconductor substrate particles, forming a plurality of substantially spherical diodes having at least partially hemispherical shell pn junctions; and Printing an electrically insulating medium on a first portion of the plurality of substantially spherical diodes; and a second conductive medium on a second portion of the plurality of substantially spherical diodes. Printing Forming a plurality of second conductors, printing and printing a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer on the plurality of substantially spherical diodes. And wherein the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index and the first polymer has at least a second different refractive index.

本発明の多数の他の利点及び特徴は、本発明及びその実施形態の以下の詳細な説明、特許請求の範囲、及び添付図面から容易に明らかとなろう。   Numerous other advantages and features of the present invention will become readily apparent from the following detailed description of the invention and the embodiments thereof, from the claims and from the accompanying drawings.

本発明の目的、特徴及び利点は、添付図面に関連して考慮する場合に以下の開示を参照してより容易に明らかとなるはずであり、図面では、様々な図において同様の参照符号を用いて同一の構成要素が識別されており、様々な図において、選択された構成要素の実施形態の更なるタイプ、具体例又は変形を識別するために、英字を含む参照符号が利用されている。   The objects, features and advantages of the present invention should become more readily apparent with reference to the following disclosure when considered in conjunction with the accompanying drawings, in which like reference numerals are used in the various views. Identical components have been identified, and in various figures, reference signs including letters are utilized to identify further types, examples or variations of selected component embodiments.

本発明の教示による装置の実施形態の例示的な基部の斜視図である。2 is a perspective view of an exemplary base of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の第1の例示的な基部の断面図である。1 is a cross-sectional view of a first exemplary base of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の第2の例示的な基部の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a second exemplary base of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の第3の例示的な基部の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a third exemplary base of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の第4の例示的な基部の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a fourth exemplary base of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体を備えた例示的な基部の斜視図である。1 is a perspective view of an exemplary base with a plurality of first conductors of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体を備えた例示的な基部の断面図である。2 is a cross-sectional view of an exemplary base with a plurality of first conductors of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体を備えた第5の例示的な基部の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base with a plurality of first conductors of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体を備えた第6の例示的な基部の断面図である。7 is a cross-sectional view of a sixth exemplary base with a plurality of first conductors of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体を備えた第6の例示的な基部の断面図である。7 is a cross-sectional view of a sixth exemplary base with a plurality of first conductors of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体及び複数の基板粒子を備えた例示的な基部の斜視図である。2 is a perspective view of an exemplary base with a plurality of first conductors and a plurality of substrate particles of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体及び複数の基板粒子を備えた第5の例示的な基部の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base with a plurality of first conductors and a plurality of substrate particles of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態を形成する例示的な方法における任意選択のステップに対する、複数の基板粒子が圧縮ローラーを通過している第5の例示的な基部の側面図である。7 is a side view of a fifth exemplary base with a plurality of substrate particles passing through a compression roller for optional steps in an exemplary method of forming an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体及び複数のダイオードを備えた第5の例示的な基部の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base with a plurality of first conductors and a plurality of diodes of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体及び複数のダイオードを備えた第5の例示的な基部の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base with a plurality of first conductors and a plurality of diodes of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード及び複数の絶縁体を備えた例示的な基部の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of an exemplary base with a plurality of first conductors, a plurality of diodes, and a plurality of insulators of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード及び複数の絶縁体を備えた第5の例示的な基部の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base with a plurality of first conductors, a plurality of diodes, and a plurality of insulators of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード、複数の絶縁体及び複数の第2の導体を備えた例示的な基部の斜視図である。1 is a perspective view of an exemplary base with a plurality of first conductors, a plurality of diodes, a plurality of insulators and a plurality of second conductors of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード、複数の絶縁体及び複数の第2の導体を備えた第5の例示的な基部の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base with a plurality of first conductors, a plurality of diodes, a plurality of insulators and a plurality of second conductors of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体及び発光層を備えた第5の例示的な基部の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base with a plurality of first conductors, a plurality of diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, and a light emitting layer of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. . 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード、複数の第2の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた例示的な基部の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of an exemplary base with a plurality of first conductors, a plurality of diodes, a plurality of second conductors, and a plurality of lenses suspended in a polymer of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. . 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体、複数の第3の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた第5の例示的な基部の断面図である。A plurality of first conductors, a plurality of diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, a plurality of third conductors and a plurality of lenses suspended in a polymer of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention FIG. 7 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base with 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた例示的な第7の基部の斜視図である。An exemplary first with a plurality of first conductors, a plurality of diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, and a plurality of lenses suspended in a polymer of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 7 is a perspective view of a base portion of FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数のダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体、複数の第3の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた第7の例示的な基部の断面図である。A plurality of first conductors, a plurality of diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, a plurality of third conductors and a plurality of lenses suspended in a polymer of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention FIG. 7 is a cross-sectional view of a seventh exemplary base with 本発明の教示による装置の実施形態の例示的な第8の基部の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of an exemplary eighth base of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数の実質的にファセット状のダイオード、複数の第2の導体及び複数の第3の導体を備えた例示的な基部の斜視図である。1 is a perspective view of an exemplary base with a plurality of first conductors, a plurality of substantially faceted diodes, a plurality of second conductors, and a plurality of third conductors of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. It is. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数の実質的にファセット状のダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体及び複数の第3の導体を備えた第5の例示的な基部の断面図である。An apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention includes a plurality of first conductors, a plurality of substantially faceted diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, and a plurality of third conductors. FIG. 6 is a cross-sectional view of an exemplary base of FIG. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数の実質的に楕円形(又は長円形)のダイオード及び複数の第2の導体を備えた例示的な基部の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of an exemplary base with a plurality of first conductors, a plurality of substantially elliptical (or oval) diodes, and a plurality of second conductors of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. . 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数の実質的に楕円形(又は長円形)のダイオード、複数の絶縁体及び複数の第2の導体を備えた第5の例示的な基部の断面図である。A fifth example comprising a plurality of first conductors, a plurality of substantially elliptical (or oval) diodes, a plurality of insulators, and a plurality of second conductors in an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. It is sectional drawing of a typical base. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数の実質的に不規則なダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた例示的な基部の斜視図である。An apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention includes a plurality of first conductors, a plurality of substantially irregular diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, and a plurality of lenses suspended in a polymer. FIG. 6 is a perspective view of an exemplary base provided. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数の実質的に不規則なダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた第5の例示的な基部の断面図である。An apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention includes a plurality of first conductors, a plurality of substantially irregular diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, and a plurality of lenses suspended in a polymer. FIG. 10 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base provided. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数の実質的に球形のダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体、複数の第3の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた第6の例示的な基部の斜視図である。Suspended within a plurality of first conductors, a plurality of substantially spherical diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, a plurality of third conductors and a polymer of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. FIG. 9 is a perspective view of a sixth exemplary base with a plurality of lenses. 本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体、複数の実質的に球形のダイオード、複数の絶縁体、複数の第2の導体、複数の第3の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた第6の例示的な基部の断面図である。Suspended within a plurality of first conductors, a plurality of substantially spherical diodes, a plurality of insulators, a plurality of second conductors, a plurality of third conductors and a polymer of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view of a sixth exemplary base with a plurality of lenses. 本発明の教示による装置の実施形態の第1の導体、複数の実質的に球形のダイオード、絶縁体、第2の導体及び第3の導体を備えた例示的な基部の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of an exemplary base with a first conductor, a plurality of substantially spherical diodes, an insulator, a second conductor, and a third conductor of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の第1の導体、複数の実質的に球形のダイオード、絶縁体、第2の導体、第3の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた例示的な基部の斜視図である。An apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention comprises a first conductor, a plurality of substantially spherical diodes, an insulator, a second conductor, a third conductor, and a plurality of lenses suspended in a polymer. FIG. 6 is a perspective view of an exemplary base. 本発明の教示による装置の実施形態の第1の導体、複数の実質的に球形のダイオード、絶縁体、第2の導体、第3の導体及びポリマー内に懸濁している複数のレンズを備えた例示的な基部の断面図である。An apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention comprises a first conductor, a plurality of substantially spherical diodes, an insulator, a second conductor, a third conductor, and a plurality of lenses suspended in a polymer. 1 is a cross-sectional view of an exemplary base. 本発明の教示による装置の実施形態の第1の導体、第1の導体(又は導電性)接着層、複数の基板粒子及び絶縁体を備えた第9の例示的な基部の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of a ninth exemplary base with a first conductor, a first conductor (or conductive) adhesive layer, a plurality of substrate particles, and an insulator of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による装置の実施形態の第1の導体、第1の導体接着層、複数の基板粒子及び絶縁体を備えた第9の例示的な基部の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a ninth exemplary base with a first conductor, a first conductor adhesion layer, a plurality of substrate particles, and an insulator of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. 本発明の教示による例示的な装置の実施形態の第1の導体、第1の導体(又は導電性)接着層、複数の基板粒子の上に、堆積した基板(又は半導体)層又は領域を用いて形成された複数のダイオード、絶縁体、第2の導体、及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー(binder:結合剤))内に懸濁している)複数のレンズが堆積している第9の例示的な基部の斜視図である。Using the first conductor, first conductor (or conductive) adhesive layer, substrate (or semiconductor) layer or region deposited on a plurality of substrate particles in an exemplary apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. A plurality of diodes, insulators, second conductors, and a plurality of lenses (suspended in a polymer (resin or other binder)) deposited FIG. 6 is a perspective view of an exemplary base. 本発明の教示による例示的な装置の実施形態の第1の導体、第1の導体(又は導電性)接着層、複数の基板粒子の上に、堆積した基板(又は半導体)層又は領域を用いて形成された複数のダイオード、絶縁体、第2の導体、及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)内に懸濁している)複数のレンズが堆積している第9の例示的な基部の断面図である。Using the first conductor, first conductor (or conductive) adhesive layer, substrate (or semiconductor) layer or region deposited on a plurality of substrate particles in an exemplary apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. Section of a ninth exemplary base on which a plurality of diodes, insulators, second conductors, and a plurality of lenses (suspended in a polymer (resin or other binder)) are deposited FIG. 本発明の教示による第1のシステムの実施形態を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a first system embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 本発明の教示による第2のシステムの実施形態を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating a second system embodiment in accordance with the teachings of the present invention. 本発明の教示による方法実施形態を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a method embodiment in accordance with the teachings of the present invention.

本発明は、多くの種々の形態の実施形態が可能であるが、本開示は、本発明の原理の例示としてみなされ、本発明を例示する特定の実施形態に限定するようには意図されていないということを理解して、本発明の特定の例示的な実施形態を図面に示し、本明細書において詳細に説明する。これに関して、本発明に一貫する少なくとも1つの実施形態を詳細に説明する前に、本発明は、その用途が、上述及び後述し、図面に示し、又は例において説明するような構成の詳細に限定されず、また構成要素の配置に限定されないことを理解するべきである。本発明に一貫する方法及び装置は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施され実行されることが可能である。また、以下に含む要約書とともに本明細書で採用する術語及び用語は、説明を目的とするものであり、限定するものとみなされるべきではないことを理解するべきである。   While the invention is capable of many different forms, the disclosure is to be construed as illustrative of the principles of the invention and is intended to limit the invention to the particular embodiments illustrated. With this understanding in mind, certain exemplary embodiments of the invention are shown in the drawings and are described in detail herein. In this regard, before describing in detail at least one embodiment consistent with the present invention, the present invention is limited in its application to the details of construction as described above and below, and shown in the drawings or illustrated in the examples. It should be understood that the present invention is not limited to the arrangement of components. The methods and apparatus consistent with the present invention are capable of other embodiments and can be implemented and carried out in various ways. It should also be understood that the terminology and terminology employed herein with the abstract included below are for illustrative purposes and should not be considered limiting.

選択された実施形態に対して、本明細書で開示する発明は、「Method of Manufacturing Addressable and Static Electronic Displays」と題する、発明者William Johnstone Ray他、2007年5月31日出願の米国特許出願第11/756,616号と、「Addressable or Static Light Emitting or Electronic Apparatus」と題する、発明者William Johnstone Ray他、2007年5月31日出願の米国特許出願第11/756,619号に関連し(「関連出願」)、それらは、本出願と同一の譲受人に譲渡され、それらの全ての内容は参照によりその全体が本明細書に援用され、本出願と同一の全ての開示された主題に対して優先権を主張する。   For selected embodiments, the invention disclosed herein is a US patent application filed May 31, 2007 entitled "Method of Manufacturing Addressable and Static Electronic Displays", inventor William Johnstone Ray et al. 11 / 756,616 and inventor William Johnstone Ray et al., Entitled “Addressable or Static Light Emitting or Electronic Apparatus”, US patent application Ser. No. 11 / 756,619 filed May 31, 2007 ( “Related applications”), which are assigned to the same assignee as the present application, the entire contents of which are incorporated herein by reference in their entirety and to the same disclosed subject matter. Insist on priority.

図1は、本発明の教示による装置の実施形態の例示的な基部100、100A、100B、100C、100Dの斜視図である。図2は、本発明の教示による装置の実施形態の第1の例示的な基部100の(25−25’平面を通る)断面図である。図3は、本発明の教示による装置の実施形態の第2の例示的な基部100Aの(25−25’平面を通る)断面図である。図4は、本発明の教示による装置の実施形態の第3の例示的な基部100Bの(25−25’平面を通る)断面図である。図5は、本発明の教示による装置の実施形態の第4の例示的な基部100Cの(25−25’平面を通る)断面図である。様々な斜視図又は側面図(図1、図6、図11、図13、図16、図18、図21、図26、図28、図34、図35等)の多くにおいて、任意の1つ又は複数の対応する基部100を利用することができ、対応する斜視図において示されているように対応する基部が利用される場合、様々な断面図(図2〜図5、図7、図8、図12、図14、図15、図17、図19、図20、図22、図27、図29等)が特定の例示的な例又は例示とみなされることに留意するべきである。装置200、300、400、500、600及び/又は700等の装置に対するいかなる言及も、後述する装置200A、200B、300A、300B、400A、400B、500A、500B、600A、600B、700A及び700Bを含むその又はそれらの変形を意味しかつ含む(その逆もまた同様)ものと理解するべきであることもまた留意するべきである。さらに、装置200、200A、200B、300、300A、300B、400、400A、400B、500、500A、500B、600、600A、600B、700A及び700Bは、後により詳細に説明するように、以下のうちの任意の1つ又は複数に関して互いに異なってもよい。すなわち、(1)それらの装置の対応する基部100内の任意のキャビティ、チャネル又は溝105の存在及び/又は形状、(2)基板(又は半導体)粒子120及び/又はレンズ150の形状、(3)導体及び絶縁体の複数ではなく単一の層を有すること、(4)一体的に形成されるか又は他の導電性ビア280、285を含むこと、(5)バックプレーン290を含むこと、(6)対応する装置を作製するために利用される堆積方法等である。また、同様に後により詳細に説明するように、組み込まれたダイオード155が、装置200A、300A、400A、500A、600A、700Aの場合は発光ダイオードであり、装置200B、300B、400B、500B、600B、700Bの場合は光起電力ダイオードである限り、装置200A、300A、400A、500A、600A、700Aは装置200B、300B、400B、500B、600B、700Bとは異なる。他の点では、いずれの装置200、300、400、500、600及び/又は700も、任意の組合せで他の装置200、300、400、500、600及び/又は700の実施形態のいずれかの要素のうちのいずれも含むか又は備えることができるように、装置200、300、400、500、600及び/又は700のいずれかのいかなる特徴又は要素に対するいかなる言及も、他の装置200、300、400、500、600及び/又は700の実施形態のいずれにも、個々にかつ/又はこうした特徴若しくは要素と組み合わせて、等しく適用可能であることを理解するべきである。さらに、様々な堆積、プロセス及び/又は他の製造ステップのあらゆるものが、様々な装置200、300、400、500、600及び/又は700のいずれにも適用可能である。   FIG. 1 is a perspective view of an exemplary base 100, 100A, 100B, 100C, 100D of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view (through the 25-25 'plane) of a first exemplary base 100 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view (through the 25-25 'plane) of a second exemplary base 100A of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view (through the 25-25 'plane) of a third exemplary base 100B of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view (through the 25-25 'plane) of a fourth exemplary base 100C of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. Any one of many of the various perspective or side views (FIGS. 1, 6, 11, 13, 16, 18, 18, 21, 26, 28, 34, 35, etc.) Alternatively, a plurality of corresponding bases 100 can be utilized, and when corresponding bases are utilized as shown in the corresponding perspective views, various cross-sectional views (FIGS. 2-5, 7, 8). It should be noted that FIGS. 12, 14, 15, 17, 17, 19, 20, 22, 27, 29, etc.) are considered specific illustrative examples or illustrations. Any reference to a device such as devices 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700 includes devices 200A, 200B, 300A, 300B, 400A, 400B, 500A, 500B, 600A, 600B, 700A and 700B as described below. It should also be noted that it should be understood to mean and include its or variations thereof (and vice versa). Furthermore, the devices 200, 200A, 200B, 300, 300A, 300B, 400, 400A, 400B, 500, 500A, 500B, 600, 600A, 600B, 700A and 700B are described below, as will be described in more detail later. May be different from each other with respect to any one or more of the above. (1) the presence and / or shape of any cavities, channels or grooves 105 in the corresponding base 100 of those devices, (2) the shape of the substrate (or semiconductor) particles 120 and / or lenses 150, (3 ) Having a single layer rather than a plurality of conductors and insulators; (4) including integrally or other conductive vias 280, 285; (5) including a backplane 290; (6) A deposition method used for manufacturing a corresponding apparatus. Similarly, as will be described in more detail later, the incorporated diode 155 is a light emitting diode in the case of devices 200A, 300A, 400A, 500A, 600A, 700A, and devices 200B, 300B, 400B, 500B, 600B. 700B, the devices 200A, 300A, 400A, 500A, 600A, 700A are different from the devices 200B, 300B, 400B, 500B, 600B, 700B as long as they are photovoltaic diodes. In other respects, any device 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700 is any combination of any of the embodiments of other devices 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700 in any combination. Any reference to any feature or element of any of the devices 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700 so that any of the elements can be included or provided can be It should be understood that any of the 400, 500, 600 and / or 700 embodiments are equally applicable individually and / or in combination with such features or elements. Further, any of a variety of depositions, processes, and / or other manufacturing steps are applicable to any of a variety of apparatuses 200, 300, 400, 500, 600, and / or 700.

用語「基板」は、2つの異なる構成要素、すなわち、他の構成要素のための基部又は支持部を形成し、基板上に様々な層を印刷するため等の関連する用途では本明細書において「基板」と等価的に呼ぶことができる、基部(支持基板又は基礎基板)100(100A〜100Hを含む)と、対応するダイオード155を形成するために利用される複数の半導体、ポリマー、又は有機発光基板粒子若しくは光起電力基板粒子等の複数の基板粒子120とを指すために利用することができることも留意するべきである。当業者は、これらの様々な基板は、文脈及び対応する参照符号の両方に基づいて異なり、混乱を回避するために、本明細書では、支持タイプの基板又は基礎タイプの基板を「基部」と呼び、「基板」を、電子工学及び/又は半導体の技術分野の通常の意味において基板粒子120を含む材料を意味し指すために利用する、ということを理解するであろう。   The term “substrate” is used herein in related applications, such as to form a base or support for two different components, namely other components, and to print various layers on the substrate. A plurality of semiconductor, polymer, or organic light-emitting devices used to form a base (support substrate or base substrate) 100 (including 100A-100H) and corresponding diode 155, which can be referred to equivalently as “substrate” It should also be noted that it can be used to refer to a plurality of substrate particles 120, such as substrate particles or photovoltaic substrate particles. Those skilled in the art will recognize that these various substrates differ based on both the context and the corresponding reference signs, and to avoid confusion, the present specification refers to a support type substrate or a base type substrate as a “base”. It will be understood that the term “substrate” is used to mean and refer to a material that includes substrate particles 120 in the ordinary sense of the electronics and / or semiconductor arts.

図1〜図5に示すように、例示的な基部100、100A、100B、100C、100D(及び後述する100E〜100G)は、複数のキャビティ(チャネル、トレンチ又は空隙)105を含み、それらのキャビティ105は、選択された実施形態では、細長いキャビティとして形成され、例示的な基部100、100A〜100Gの対応する複数の***(ピーク、上昇部又は頂)によって互いに分離されているチャネル、溝又はスロット(又は同様に、窪み、谷、孔、開口部、間隙、オリフィス、空洞、スリット、通路又は波形)を有効に形成する。基部100、100A、100B、100C、100Dに対するキャビティ、チャネル又は溝105を、湾曲し(半円形又は半楕円形)実質的に直線状に(25−25’平面に対して垂直な方向に)延在するものとして示すが、限定ではなく正方形、矩形、曲線、波状、不規則、異なるサイズ等を含む、任意の形状及び/又はサイズの任意の1つ又は複数の方向に延在するあらゆるキャビティ、チャネル又は溝105が、均等でありかつ特許請求される本発明の範囲内にあるとみなされ、キャビティ、チャネル又は溝105の更なる例示的な形状を、他の図面に示しかつ後述する。複数のキャビティ、チャネル又は溝105は、離間されており、図示するように、***(ピーク、上昇部又は頂)115によって互いに分離されており、後述するように、選択された実施形態に対して複数の第1の導体110を成形し画定するために利用される。キャビティ又はチャネル105を、図1及び他の図面では、実質的に平行であり実質的に同じ方向に向けられているように示すが、当業者は、チャネルの深さ及び幅、チャネル方向又は向き(例えば、円形、楕円形、曲線、波状、正弦波状、三角形、奇抜な、芸術的な、不規則な等)、間隔の変形、空隙又はキャビティのタイプ(例えば、チャネル、窪み又は孔)等を含む、無数の変形が利用可能であり、こうした変形は全て、均等でありかつ本発明の範囲内にあるとみなされることを理解するであろう。更なる形態を有する基部100もまた、図9、図10、図23〜図25、図30〜図33及び図37〜図39を参照して例示しかつ後述する。例えば、実質的に平坦な全体的フォームファクターを有し、いかなる顕著な表面の変形もない(すなわち、いかなるキャビティも、チャネルも、溝105も有していない)例示的な基部100Hを、図37〜図39を参照して例示しかつ後述する。   As shown in FIGS. 1-5, exemplary bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D (and 100E-100G, described below) include a plurality of cavities (channels, trenches or voids) 105, and these cavities. 105 are channels, grooves or slots that are formed as elongated cavities in selected embodiments and are separated from each other by a corresponding plurality of ridges (peaks, rises or peaks) of the exemplary base 100, 100A-100G. (Or similarly, a depression, valley, hole, opening, gap, orifice, cavity, slit, passage or corrugation) is effectively formed. Cavities, channels or grooves 105 for bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D are curved (semi-circular or semi-elliptical) and extend substantially linearly (in a direction perpendicular to the 25-25 ′ plane). Any cavity extending in any one or more directions of any shape and / or size, including but not limited to square, rectangular, curved, wavy, irregular, different sizes, etc. The channels or grooves 105 are considered to be equivalent and within the scope of the claimed invention, and further exemplary shapes of the cavities, channels or grooves 105 are shown in other figures and described below. The plurality of cavities, channels or grooves 105 are spaced apart and separated from each other by ridges (peaks, rises or peaks) 115, as shown, for selected embodiments as described below. Used to shape and define the plurality of first conductors 110. Although the cavity or channel 105 is shown in FIG. 1 and other drawings as being substantially parallel and oriented in substantially the same direction, those skilled in the art will understand the depth and width of the channel, the channel direction or orientation. (Eg, circular, oval, curved, wavy, sinusoidal, triangular, unusual, artistic, irregular, etc.), spacing variation, void or cavity type (eg, channel, depression or hole), etc. It will be appreciated that a myriad of variations are available, including all such variations that are considered equivalent and within the scope of the present invention. A base 100 having further configurations is also illustrated and described below with reference to FIGS. 9, 10, 23-23, 30-33, and 37-39. For example, an exemplary base 100H having a substantially flat overall form factor and no significant surface deformation (ie, no cavities, channels, or grooves 105) is shown in FIG. -Illustrated with reference to FIG. 39 and described below.

基部100、100A、100B、100C、100D(及び後述する他の基部100E、100F、100G、100H)は、限定ではなく例としてプラスチック、紙、段ボール、又はコート紙若しくはコーティングされた段ボール等、任意の適切な材料から形成するか、又はそうした材料を含むことができる。例示的な実施形態では、基部100(100A、100B、100C、100D、100E、100F及び/又は100Gを含む)は、例えばSappi,Ltdから販売されているエンボス紙又はエンボス板紙を含む、成形プロセス等により複数のキャビティ105が一体的に形成されている、エンボス加工されてコーティングされた紙又はプラスチックを含む。同様に例示的な実施形態では、基部100(100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G及び/又は100H)は、実質的な電気的絶縁を提供することができるか又はそれに適している誘電率を有する材料を含む。基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100Hは、同様に例えば、以下のうちのいずれかの1つ又は複数を含むことができる。すなわち、紙、コート紙、プラスチックコート紙、繊維紙、段ボール、ポスター用紙、ポスター板、本、雑誌、新聞、木板、合板及び任意の選択された形態の他の紙又は木材ベースの製品、任意の選択された形態(シート、膜、板等)のプラスチック材料又はポリマー材料、任意の選択された形態の天然ゴム及び合成ゴムの材料及び製品、任意の選択された形態の天然繊維及び合成繊維、いずれかの選択された形態のガラス、セラミック並びに他のシリコン又はシリカ由来の材料及び製品、コンクリート(硬化)、石及び他の建築材料及び製品、又は現在既存の若しくは将来作製される任意の他の製品である。第1の例示的な実施形態では、或る程度の電気的絶縁を提供する(すなわち、基部100(100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G及び/又は100Hを含む)の第1の(表面)側に堆積するか又は施される1つ又は複数の第1の導体110の電気的絶縁、すなわち互いからの又は他の装置若しくはシステム構成要素からの電気的絶縁のいずれかを提供するのに十分な誘電率又は絶縁特性を有する)、基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100Hを選択することができる。例えば、比較的高価な選択ではあるが、基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100Hとしてガラスシート又はシリコンウェハーを利用することもできる。一方、他の例示的な実施形態では、Sappi, Ltd.から入手可能な特許の紙(patent stock)及び100ポンドの表示用紙、又はMitsubishi Paper Mills社、Mead社等の他の製紙業者からの同様のコート紙、並びに他の紙製品等、プラスチックシート又はプラスチックコート紙製品を利用して、基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100Hが形成される。更なる例示的な実施形態では、限定されないが、追加の密閉層又はカプセル封止層(プラスチック、ラッカー及びビニル等)が基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100Hの1つ又は複数の表面に堆積しているものを含む、任意のタイプの基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100Hを利用することができる。   Bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D (and other bases 100E, 100F, 100G, 100H to be described later) are not limited to any example, such as plastic, paper, cardboard, or coated paper or coated cardboard It can be formed from or include any suitable material. In an exemplary embodiment, the base 100 (including 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F and / or 100G) includes, for example, an embossed paper or embossed paperboard sold by Sappi, Ltd, a molding process, etc. A plurality of cavities 105 are integrally formed, including embossed and coated paper or plastic. Similarly, in exemplary embodiments, base 100 (100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, and / or 100H) can provide or be suitable for substantial electrical isolation. Including a material having a dielectric constant. Bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, 100H can similarly include, for example, one or more of any of the following. Paper, coated paper, plastic coated paper, fiber paper, cardboard, poster paper, poster board, book, magazine, newspaper, wood board, plywood and other paper or wood based products of any selected form, optional Plastic materials or polymer materials in selected forms (sheets, membranes, plates, etc.), natural rubber and synthetic rubber materials and products in any selected form, natural fibers and synthetic fibers in any selected form, any In selected forms of glass, ceramics and other silicon or silica-derived materials and products, concrete (hardened), stone and other building materials and products, or any other product currently existing or created in the future It is. In a first exemplary embodiment, a first that provides a degree of electrical isolation (ie, includes a base 100 (including 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, and / or 100H)). Providing electrical insulation of one or more first conductors 110 deposited or applied on the (surface) side, ie either from each other or from other devices or system components Base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, and 100H can be selected. For example, although it is a relatively expensive choice, glass sheets or silicon wafers can be used as the bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, and 100H. On the other hand, in other exemplary embodiments, patent stock and 100 pound display paper available from Sappi, Ltd. or similar from other paper manufacturers such as Mitsubishi Paper Mills, Mead, etc. Bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, and 100H are formed using a plastic sheet or a plastic-coated paper product such as coated paper and other paper products. In further exemplary embodiments, but not limited to, an additional sealing or encapsulation layer (plastic, lacquer, vinyl, etc.) of the base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, 100H. Any type of base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, 100H can be utilized, including those deposited on one or more surfaces.

様々な図に示すような例示的な基部100は、限定ではなく例として印刷機によって供給することができ、かつ第1の面(又は側)に、キャビティ、チャネル又は溝105(例えば、網状の、実質的に平坦な基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G)を含むか、又は所定公差内の実質的に平滑な(かつキャビティ、チャネル又は溝105を含まない)第1の面を有する(実質的に平滑かつ実質的に平坦な基部100H)トポロジーを有することができる、1枚の選択された材料(例えば紙又はプラスチック)を含む等、全体的な意味で実質的に平坦なフォームファクターを有する。当業者は、無数の更なる形状及び表面トポロジーが利用可能であり、均等でありかつ特許請求される本発明の範囲内にあるとみなされることを理解するであろう。   An exemplary base 100 as shown in the various figures may be provided by a printing press by way of example and not limitation, and a cavity, channel or groove 105 (eg, mesh-like) on the first side (or side). , Including substantially flat bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G) or substantially smooth within predetermined tolerances (and not including cavities, channels or grooves 105). Substantially in an overall sense, including one selected material (eg, paper or plastic) that can have a one-sided (substantially smooth and substantially flat base 100H) topology Has a flat form factor. Those skilled in the art will appreciate that a myriad of additional shapes and surface topologies are available, equivalent, and considered to be within the scope of the claimed invention.

図3を参照すると、第2の例示的な基部100Aは、2つの更なる構成要素又は特徴を更に含み、それらのうちの任意のものを、第2の例示的な基部100Aの一部として一体的に形成することもできるし、それらを第2の例示的な基部100Aを形成するように基部100等の別の材料の上に堆積させることもできる。図示するように、第2の例示的な基部100Aは、実質的に透明なプラスチックコーティング(例えばポリエステル、マイラー等)等のコーティング260によって覆うことができるか又は任意の適切な屈折率を有する、光学格子、ブラッグ反射器又はミラー等の反射器、屈折器又はミラー250を更に備えており、それにより、(特に、反射器、屈折器又はミラー250を例えば屈折格子として実施することができる場合)キャビティ、チャネル又は溝105の内側は実質的に平滑である。反射器、屈折器又はミラー250を利用して、入射光がキャビティ、チャネル若しくは溝105(及び光起電力用途の場合等、後述する任意の組み込まれたダイオード155)に向かって戻るように、又はキャビティ、チャネル若しくは溝105を有する装置(200、300、400、500、600及び/又は700)の(第1の)面に向かって反射される。   Referring to FIG. 3, the second exemplary base 100A further includes two additional components or features, any of which are integrated as part of the second exemplary base 100A. Or they can be deposited on another material, such as base 100, to form second exemplary base 100A. As shown, the second exemplary base 100A can be covered by a coating 260, such as a substantially transparent plastic coating (eg, polyester, mylar, etc.), or have any suitable refractive index. It further comprises a reflector, refractor or mirror 250, such as a grating, Bragg reflector or mirror, so that the cavity (especially if the reflector, refractor or mirror 250 can be implemented as a refractive grating, for example). The inside of the channel or groove 105 is substantially smooth. Utilizing a reflector, refractor or mirror 250, such that incident light returns towards the cavity, channel or groove 105 (and any embedded diode 155 described below, such as for photovoltaic applications), or Reflected towards the (first) surface of the device (200, 300, 400, 500, 600 and / or 700) having a cavity, channel or groove 105.

図4を参照すると、第3の例示的な基部100Bは、第3の例示的な基部100Bの一部として一体的に形成することができるか、又は第3の例示的な基部100Bを形成するように基部100等の別の材料の上に堆積させることができる、例えばアルミニウム又は銀でコーティングされたポリエステル又はプラスチック等の反射コーティング270を更に備えている。反射コーティング270はまた、キャビティ、チャネル若しくは溝105(及び光起電力用途の場合等、後述する任意の組み込まれたダイオード155)に向かって戻るように、又はキャビティ、チャネル若しくは溝105を有する装置(200、300、400、500、600及び/又は700)の表面に向かうように入射光を反射させるためにも利用される。反射器、屈折器若しくはミラー250又は反射コーティング270は、概して、選択された用途に応じて、後述する複数のダイオード155の選択されたバンドギャップに対して適切な波長で光を反射又は屈折させるように選択される。   Referring to FIG. 4, the third exemplary base 100B can be integrally formed as part of the third exemplary base 100B, or forms a third exemplary base 100B. It further includes a reflective coating 270, such as polyester or plastic coated with aluminum or silver, which can be deposited on another material, such as the base 100. The reflective coating 270 also returns toward the cavity, channel or groove 105 (and any embedded diode 155 described below, such as for photovoltaic applications) or a device having a cavity, channel or groove 105 ( 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700) is also used to reflect incident light towards the surface. The reflector, refractor or mirror 250 or reflective coating 270 generally reflects or refracts light at an appropriate wavelength for a selected band gap of the plurality of diodes 155 described below, depending on the selected application. Selected.

図5を参照すると、第4の例示的な基部100Cは、上述したコーティング及び/又は反射器(250、260、270)のうちのいずれかを含むことができるとともに、2つの追加の構成要素又は特徴、すなわち複数の導電性ビア280及び導電性バックプレーン290のうちのいずれかを更に備え、それらのうちの任意のものを、第4の例示的な基部100Cの一部として一体的に形成することもできるし、それらを第4の例示的な基部100Cを形成するように基部100等の別の材料の上に又はその中に堆積させるか又は施すこともできる。例えば、例示的な導電性ビア280を、後述する第1の複数の導体110の堆積中等、第4の例示的な基部100Cの対応する空隙に導電性インク又はポリマーを充填することにより形成することができる。同様に例えば、導電性ビア280は、第4の例示的な基部100Cを形成するようにプラスチックシート内に埋め込まれた、金属、カーボン又は他の導電性ピン若しくはワイヤから形成される等、第4の例示的な基部100Cと一体的に形成することができる。((ランダムに又は規則的に)分散されている実質的に球形の導電性ビア285としての)導電性ビアの別の変形を、図10及び図33を参照して例示しかつ後述する。同様に例えば、各対応する第1の導体110に対して1つ又は複数の導電性ビア280、285が存在してもよい。別の例として、導電性バックプレーン290は、基部100Cと一体的に形成することもできるし、基部100の第2の(裏)側又は面に、後述する例示的な導電性インク又はポリマー等の導電性インク又はポリマーによってコーティング又は印刷すること等により、基部100の上に堆積させることもできる。図示するように、複数の導電性ビア280(及び/又は導電性ビア285)及び/又は導電性バックプレーン290のいずれか又は両方を、金属、導電性インク若しくはポリマー等の任意の種類若しくはタイプの任意の導電性物質、又は限定ではなく例として後述する第1の導体110、第2の導体140及び/若しくは第3の導体145を含むことができる材料のいずれかを含む、カーボン又はカーボンナノチューブ等の様々な他の導電性材料から形成することができる。導電性ビア280(及び/又は導電性ビア285)は、1つ又は複数の第1の導体110(後述する)にかつ/又はそこから結合し、接続し、かつ他の方法で導電するために利用される。導電性バックプレーン290は、導電性ビア280、285と他のシステム350、375の構成要素との間の好都合な電気的結合又は接続を提供し、例えば、装置200、300、400、500、600、700に電圧若しくは電流を印加するため、又は装置200、300、400、500、600、700によって生成される電圧若しくは電流を受け取るために電極としても機能することができる。他の例示的な実施形態では、後により説明するように、別個のワイヤ、リード又は他の接続を、異なるタイプのアドレス指定可能性に対して等、導電性バックプレーン290の代りに又はそれに加えて、ビア280のうちの各々、いくつか又は全てに提供することができる。(ビア280(285)及び/又は導電性バックプレーン290なしに実施される他の例示的な実施形態では、後述するように、装置200、300、400、500、600、700の側部又は縁から等、複数の第1の導体110に対して他のタイプの接触を行うことができる。)導電性ビア280及び/又は導電性バックプレーン290を、他の基部100、100A、100B、100D、100E、100F、100G、100Hのいずれかの中に含めることもでき、こうした変形の全てが、均等でありかつ特許請求される本発明の範囲内にある。   Referring to FIG. 5, the fourth exemplary base 100C can include any of the coatings and / or reflectors (250, 260, 270) described above and includes two additional components or The feature further includes any of the plurality of conductive vias 280 and conductive backplane 290, any of which is integrally formed as part of the fourth exemplary base 100C. They can also be deposited or applied on or in another material, such as base 100, to form a fourth exemplary base 100C. For example, the exemplary conductive via 280 is formed by filling a corresponding void in the fourth exemplary base 100C with conductive ink or polymer, such as during deposition of the first plurality of conductors 110 described below. Can do. Similarly, for example, the conductive via 280 is formed from a metal, carbon or other conductive pin or wire embedded in a plastic sheet to form a fourth exemplary base 100C, etc. Can be formed integrally with the exemplary base portion 100C. Another variant of a conductive via (as a substantially spherical conductive via 285 distributed (randomly or regularly) is illustrated and described below with reference to FIGS. Similarly, for example, there may be one or more conductive vias 280, 285 for each corresponding first conductor 110. As another example, the conductive backplane 290 can be formed integrally with the base portion 100C, or an exemplary conductive ink or polymer described later on the second (back) side or surface of the base portion 100, etc. It can also be deposited on the base 100, such as by coating or printing with a conductive ink or polymer. As shown, either or both of the plurality of conductive vias 280 (and / or conductive vias 285) and / or conductive backplane 290 can be of any type or type, such as metal, conductive ink or polymer. Carbon or carbon nanotubes, etc., including any conductive material, or any material that can include the first conductor 110, the second conductor 140, and / or the third conductor 145 described below by way of example and not limitation Can be formed from a variety of other conductive materials. Conductive via 280 (and / or conductive via 285) may be coupled to and / or coupled to and / or otherwise conduct to one or more first conductors 110 (described below). Used. The conductive backplane 290 provides a convenient electrical coupling or connection between the conductive vias 280, 285 and other system 350, 375 components, for example, devices 200, 300, 400, 500, 600. , 700 or to receive a voltage or current generated by the device 200, 300, 400, 500, 600, 700. In other exemplary embodiments, separate wires, leads or other connections may be substituted for or in addition to the conductive backplane 290, such as for different types of addressability, as will be described later. Thus, each, some or all of the vias 280 can be provided. (In other exemplary embodiments implemented without vias 280 (285) and / or conductive backplane 290, the sides or edges of devices 200, 300, 400, 500, 600, 700 as described below. Other types of contacts can be made to the plurality of first conductors 110, etc.) Conductive vias 280 and / or conductive backplanes 290 may be connected to other bases 100, 100A, 100B, 100D, It can be included in any of 100E, 100F, 100G, 100H, and all such variations are equivalent and within the scope of the claimed invention.

第5の例示的な基部100Dについては図8を参照して後述し、それは、第2の例示的な基部100A及び第4の例示的な基部100Cの様々な特徴を組み合わせている。内部突起(又は支持部)245を備えた半円形チャネル105、非軸放物線(放物面)形状のチャネル105A及び実質的に半球形キャビティ105B等、キャビティ、チャネル又は溝105に対して種々の形態を有する、更なる第6の基部100G、第7の基部100E及び第8の基部100Fもまた後述し、第9の例示的な基部100Hは、キャビティ、チャネル又は溝105のない実質的に平滑な面のトポロジーを有する第1の側又は面を備えている。   A fifth exemplary base 100D is described below with reference to FIG. 8, which combines various features of the second exemplary base 100A and the fourth exemplary base 100C. Various configurations for cavities, channels or grooves 105, such as semicircular channel 105 with internal protrusion (or support) 245, non-axial parabolic (parabolic) channel 105A and substantially hemispherical cavity 105B. An additional sixth base 100G, seventh base 100E, and eighth base 100F are also described below, and the ninth exemplary base 100H is substantially smooth without cavities, channels or grooves 105. A first side or surface having a surface topology is provided.

様々なキャビティ、チャネル又は溝105が、それらの間にあらゆるタイプ又は種類の間隔を有することができる。例えば、後により詳細に説明するように、例示的な実施形態では、キャビティ、チャネル又は溝105の複数の対が、互いに比較的近接して離間され、キャビティ、チャネル又は溝105のこうした対の各々の間の間隔は比較的大きく、それにより、キャビティ、チャネル又は溝105内に堆積した1つ又は複数の第1の導体110に対して対応する間隔が提供される。   Various cavities, channels or grooves 105 can have any type or kind of spacing between them. For example, as will be described in more detail below, in an exemplary embodiment, multiple pairs of cavities, channels or grooves 105 are spaced relatively close to each other, and each such pair of cavities, channels or grooves 105 is The spacing between the two is relatively large, thereby providing a corresponding spacing for the one or more first conductors 110 deposited in the cavity, channel or groove 105.

特許請求される本発明によれば、その後、印刷プロセス等により、(基部100の第1の側又は第1の表面上における)対応する複数のキャビティ、チャネル若しくは溝105内に、又は第1の面若しくは基部100の第1の側の全て若しくは一部の上に、1つ又は複数の第1の導体110が施されるか又は堆積する。図6は、本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体110を備えた例示的な基部100、100A、100B、100C、100Dの斜視図である。図7は、本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体110を備えた例示的な基部100の(30−30’平面を通る)断面図である。図8は、本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体110を備えた例示的な基部100Dの(30−30’平面を通る)断面図である。上述したように、例示的な基部100Dは、キャビティ、チャネル又は溝105(図8において1つ又は複数の第1の導体110によって部分的に充填されているように示す)と、反射器、屈折器又はミラー250と、コーティング260と、1つ又は複数の導電性ビア280(又は285)と、導電性バックプレーン290とを更に備えている。   According to the claimed invention, then in a corresponding plurality of cavities, channels or grooves 105 (on the first side of the base 100 or on the first surface) or by a printing process or the like, One or more first conductors 110 are applied or deposited on all or part of the first side of the surface or base 100. FIG. 6 is a perspective view of an exemplary base 100, 100A, 100B, 100C, 100D with a plurality of first conductors 110 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view (through the 30-30 'plane) of an exemplary base 100 with a plurality of first conductors 110 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view (through the 30-30 'plane) of an exemplary base 100D with a plurality of first conductors 110 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. As described above, the exemplary base 100D includes a cavity, channel or groove 105 (shown in FIG. 8 as being partially filled with one or more first conductors 110), reflector, refraction, Further includes a vessel or mirror 250, a coating 260, one or more conductive vias 280 (or 285), and a conductive backplane 290.

例示的な装置200、300、400、500、600及び/又は700を製造する例示的な方法では、印刷プロセス又は他の堆積プロセス等により、導電性インク、ポリマー又は他の導電性液体若しくはゲル(銀(Ag)インク若しくはポリマー又はカーボンナノチューブインク若しくはポリマー等)を、基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100Hの上に堆積させ、それをその後、(紫外線(uv)硬化プロセス等により)硬化させるか又は部分的に硬化させて、1つ又は複数の第1の導体110を形成することができる(こうした導電性インク又はポリマーを利用して、導電性ビア280、285又は導電性バックプレーン290等の他の導体の任意のものを形成することともできる)。別の例示的な実施形態では、1つ又は複数の第1の導体110、導電性ビア280、285及び/又は導電性バックプレーン290を、金属(例えばアルミニウム、銅、銀、金、ニッケル)等の導電性化合物又は元素のスパッタリング、スピンキャスト(又はスピンコーティング)、蒸着、又は電気メッキにより形成することができる。種々のタイプの導体及び/又は導電性化合物若しくは導電性材料(例えばインク、ポリマー、元素金属等)の組合せを利用して、1つ又は複数の複合の第1の導体110を生成することもできる。金属又は他の導電性金属の複数の層及び/又はタイプを組み合わせて、限定ではなく例として、ニッケルの上に金メッキを含む第1の導体110等、1つ又は複数の第1の導体110、導電性ビア280、285及び/又は導電性バックプレーン290を形成することができる。様々な例示的な実施形態では、複数の第1の導体110は、対応するキャビティ、チャネル又は溝105内に堆積し、他の実施形態では、第1の導体110を、単一の導電性シート(図34〜図40)として堆積させるか、又は他の方法で取り付けることができる(例えば基部100Hに結合されたアルミニウムのシート)。同様に様々な実施形態では、複数の第1の導体110を形成するために利用することができる導電性インク又はポリマーを硬化させないこともできるし、複数の基板(又は半導体)粒子120の堆積の前に部分的にのみ硬化させた後、後述するように複数の基板(又は半導体)粒子120とのオーミックコンタクトの形成のため等、複数の基板(又は半導体)粒子120と接触している間に完全に硬化させることができる。   In an exemplary method of manufacturing the exemplary apparatus 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700, a conductive ink, polymer or other conductive liquid or gel (such as by a printing process or other deposition process) ( Silver (Ag) ink or polymer or carbon nanotube ink or polymer, etc.) is deposited on the base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, 100H and then (ultraviolet (uv) One or more first conductors 110 can be formed (such as by a curing process) or partially cured to form conductive vias 280, 285 using such conductive inks or polymers. Or forming any of the other conductors, such as a conductive backplane 290 That). In another exemplary embodiment, one or more first conductors 110, conductive vias 280, 285, and / or conductive backplane 290 are made of metal (eg, aluminum, copper, silver, gold, nickel), etc. The conductive compound or element can be formed by sputtering, spin casting (or spin coating), vapor deposition, or electroplating. A combination of various types of conductors and / or conductive compounds or materials (eg, inks, polymers, elemental metals, etc.) can also be used to produce one or more composite first conductors 110. . One or more first conductors 110, such as a first conductor 110 comprising gold plating on nickel, by way of example and not limitation, in combination with multiple layers and / or types of metals or other conductive metals Conductive vias 280, 285 and / or conductive backplane 290 may be formed. In various exemplary embodiments, a plurality of first conductors 110 are deposited in corresponding cavities, channels or grooves 105, and in other embodiments, the first conductors 110 are a single conductive sheet. (FIGS. 34-40) can be deposited or otherwise attached (eg, a sheet of aluminum bonded to the base 100H). Similarly, in various embodiments, the conductive ink or polymer that can be utilized to form the plurality of first conductors 110 may not be cured, or the deposition of a plurality of substrate (or semiconductor) particles 120 may be performed. While being only partially cured before, during contact with the plurality of substrate (or semiconductor) particles 120, such as for the formation of ohmic contacts with the plurality of substrate (or semiconductor) particles 120 as described below. It can be completely cured.

銅、錫、アルミニウム、金、貴金属、カーボン、カーボンナノチューブ(「CNT」)、又は他の有機若しくは無機の導電性ポリマー、インク、ゲル若しくは他の液体若しくは半固体材料等、他の導電性インク又は材料を利用して、第1の導体110、導電性ビア280、285、導電性バックプレーン290、第2の導体140、第3の導体145及び後述する他の任意の導体を形成することもできる。さらに、他の任意の印刷可能又はコーティング可能な導電性物質を等価的に利用して、第1の導体110、導電性ビア280、285、導電性バックプレーン290、第2の導体140及び/又は第3の導体145を形成することができ、例示的な導電性化合物には、(1)Conductive Compounds社(Londonberry、NH、USA)の、追加のコーティングUV−1006S紫外線硬化性誘電体(第1の誘電体層125の一部等)を含むこともできる、AG−500、AG−800及びAG−510銀導電性インクと、(2)DuPont社の7102 Carbon Conductor(5000Ag重ね刷りする場合)、7105 Carbon Conductor、5000 Silver Conductor(図42のバス310、315及び任意の終端用でもある)、7144 Carbon Conductor(UV Encapsulantを含む)、7152 Carbon Conductor(7165 Encapsulantを含む)及び9145 Silver Conductor(図42のバス310、315及び任意の終端用でもある)と、(3)SunPoly, Inc.の128A Silver conductive ink、129A Silver and Carbon Conductive Ink、140A Conductive Ink及び150A Silver Conductive Inkと、(4)Dow Corning, Inc.のPI−2000 Series Highly Conductive Silver Inkと、(5)Henckel/Emerson & Cumings社の725Aとが含まれる。後述するように、これらの化合物を利用して、複数の第2の導体140及び他の任意の導電性トレース又は接続を含む他の導体を形成することもできる。さらに、導電性インク及び化合物は、多種多様な他の供給元から入手可能とすることができる。   Other conductive inks such as copper, tin, aluminum, gold, noble metals, carbon, carbon nanotubes (“CNT”), or other organic or inorganic conductive polymers, inks, gels or other liquid or semi-solid materials or The material may be used to form the first conductor 110, conductive vias 280, 285, conductive backplane 290, second conductor 140, third conductor 145 and any other conductor described below. . Further, any other printable or coatable conductive material can be used equivalently to make the first conductor 110, conductive vias 280, 285, conductive backplane 290, second conductor 140 and / or A third conductor 145 can be formed, and exemplary conductive compounds include (1) an additional coating UV-1006S UV curable dielectric (first) from Conductive Compounds, Inc. (Londonberry, NH, USA). Part of the dielectric layer 125), AG-500, AG-800 and AG-510 silver conductive ink, and (2) DuPont's 7102 Carbon Conductor (when overprinting 5000 Ag), 7105 Carbon Conductor, 5000 Silver Conductor (for buses 310, 315 and any terminations in FIG. 42) 7144 Carbon Conductor (including UV Encapsulant), 7152 Carbon Conductor (including 7165 Encapsulant) and 9145 Silver Conductor (also for buses 310, 315 and any terminations in FIG. 42), (3) Po 128A Silver conductive ink, 129A Silver and Carbon Conductive Ink, 140A Conductive Ink and 150A Silver Conductive Ink, and (4) Dow Corning, Inc. PI-2000d Includes Cumings 725A. As described below, these compounds can also be used to form other conductors including a plurality of second conductors 140 and any other conductive traces or connections. In addition, conductive inks and compounds can be made available from a wide variety of other sources.

実質的に光学的に透過性である導電性ポリマーを利用して、1つ又は複数の第1の導体110、導電性ビア280、285、導電性バックプレーン290、並びにまた複数の第2の導体140及び/又は第3の導体145を形成することもできる。例えば、後述する他の透過性導体及びそれらの等価物のいずれかに加えて、Ridgefield Park、New Jersey、USAのAGFA Corp.の商品名「Orgacon」で販売されているポリエチレン−ジオキシチオフェン等のポリエチレン−ジオキシチオフェンを利用することができる。利用することができる他の導電性ポリマーには、限定ではなく、例えばポリアニリン及びポリピロールポリマーが同様に含まれる。別の例示的な実施形態では、重合性イオン液体に懸濁されるか又は分散されたカーボンナノチューブを利用して、1つ又は複数の第2の導体140等、実質的に光学的に透過性である、すなわち透明である様々な導体が形成される。   Utilizing a conductive polymer that is substantially optically transmissive, one or more first conductors 110, conductive vias 280, 285, conductive backplane 290, and also a plurality of second conductors 140 and / or third conductor 145 may also be formed. For example, in addition to any of the other transparent conductors described below and their equivalents, polyethylene-dioxythiophene sold under the trade name “Orgacon” of AGFA Corp. of Ridgefield Park, New Jersey, USA, etc. Polyethylene-dioxythiophene can be utilized. Other conductive polymers that can be utilized include, but are not limited to, for example, polyaniline and polypyrrole polymers as well. In another exemplary embodiment, carbon nanotubes suspended or dispersed in a polymerizable ionic liquid are utilized to make substantially optically transparent, such as one or more second conductors 140. Various conductors are formed which are certain, ie transparent.

1つ又は複数の第1の導体110に対して、後述する複数の基板粒子120とのオーミックコンタクトを後に形成するのを容易にするために、比較的粗いか又はくぎ状(spiky)の面を有する等、様々なテクスチャーを設けることができる。1つ又は複数の第1の導体110に対して、複数の基板粒子120の堆積の前にコロナ処置を与えることもでき、それは、形成された可能性のあるいかなる酸化物も除去する傾向を有することができ、また複数の基板粒子120とのオーミックコンタクトを後に形成するのを容易にすることができる。   In order to facilitate later forming ohmic contacts with a plurality of substrate particles 120, described below, with respect to the one or more first conductors 110, a relatively rough or spiky surface is provided. Various textures, such as having, can be provided. The one or more first conductors 110 can also be given a corona treatment prior to the deposition of the plurality of substrate particles 120, which tends to remove any oxide that may have formed. In addition, an ohmic contact with the plurality of substrate particles 120 can be easily formed later.

例示的な実施形態では、エンボス加工された基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100Gが利用され、それにより、基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100Gは、上昇した(すなわちチャネルのない)部分又は頂115及びキャビティ(例えばチャネル)105としてそれぞれ示す、実質的に平行な向き(例として)を概して有している、(概して平滑な)ピーク(頂)及び谷(キャビティ、チャネル又は溝105)を形成する交互の一連の***を有している。そして、導電性インク、ポリマー又は他の導体をエンボス加工された谷に残るように堆積させて、実質的に平行であるだけでなく、例えばエンボス加工プロセスによって提供される***(ピーク、上昇部又は頂)115によって確定される互いからの物理的分離も有する、複数の第1の導体110を形成することができる。実際には、導電性インク又はポリマーがエンボス加工された谷(キャビティ、チャネル又は溝105)に堆積すると、対応する第1の複数の導体110はまた、基部100のエンボス加工された***(ピーク、上昇部又は頂)115によって互いに分離され、離間されているだけでなく、物理的な分離及び電気的絶縁(対応する誘電率によって絶縁される)がともに形成される。例えば、導電性インク又はポリマーを、エンボス加工された基部の全体にコーティングするか又は他の方法で堆積させることができ、その後「ドクターブレード」を利用して、導電性インクのコーティングを有する基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100Gの表面を横切ってブレードを擦ること等により、ピーク(頂又は上昇部115)の全てから導電性インク又はポリマーが除去され、キャビティ、チャネル又は溝105内に導電性インク又はポリマーを残すことによって、実質的に平行な向きを有する第1の複数の導体110が形成される。キャビティ、チャネル又は溝105に残っている導電性インク又はポリマーの量は、ドクターブレードのタイプ及び印加される圧力によって決まる。代替的に、導電性インク又はポリマーを、チッププリント等により、エンボス加工されたピーク(頂又は上昇部115)の上に(ごくわずかな又はゼロの圧力を用いて)堆積させて、導電性インク又はポリマーを残して、複数の第2の導体140又は複数の第3の導体145を形成するため等、実質的に平行な向きを有する複数の導体を形成することもできる。こうした印刷は、後述する別個の製造ステップとして行なってもよい。   In the exemplary embodiment, an embossed base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G is utilized, whereby the base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G. Is a (generally smooth) peak (top) that generally has a substantially parallel orientation (as an example), shown as a raised (ie, channel-free) portion or top 115 and cavity (eg, channel) 105, respectively. ) And valleys (cavities, channels or grooves 105). A conductive ink, polymer or other conductor is then deposited to remain in the embossed valley, not only substantially parallel, but also raised (peak, rise or A plurality of first conductors 110 can also be formed that also have a physical separation from each other defined by (top) 115. In practice, when conductive ink or polymer is deposited in the embossed valleys (cavities, channels or grooves 105), the corresponding first plurality of conductors 110 are also embossed ridges (peaks, Not only are they separated and separated from each other by the risers (tops) 115, but also physical isolation and electrical insulation (insulated by the corresponding dielectric constant) are formed together. For example, a conductive ink or polymer can be coated or otherwise deposited on the entire embossed base, and then a “doctor blade” is utilized to make the base 100 with a conductive ink coating. , 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, etc., by removing the conductive ink or polymer from all of the peaks (tops or rises 115), etc. By leaving the conductive ink or polymer in the groove 105, a first plurality of conductors 110 having a substantially parallel orientation are formed. The amount of conductive ink or polymer remaining in the cavity, channel or groove 105 depends on the type of doctor blade and the pressure applied. Alternatively, a conductive ink or polymer is deposited (using very little or no pressure) on the embossed peak (top or rise 115), such as by chip printing, to produce a conductive ink. Alternatively, a plurality of conductors having a substantially parallel orientation can be formed, such as to leave the polymer to form a plurality of second conductors 140 or a plurality of third conductors 145. Such printing may be performed as a separate manufacturing step described below.

例えば、導電性インクを、基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100Gの第1の側又は第1の面の全体又は大部分にわたって過剰にコーティングするか又は他の方法で堆積させることができ、余分な導電性インクは、後に、印刷技術分野において既知であるように「ドクターブレード」又は他のタイプの擦り落しを用いて除去され、続いて、複数のキャビティ、チャネル又は溝105内の導電性インクがuv硬化する。こうしたドクターブレードを用いて、複数のキャビティ、チャネル又は溝105内の導電性インクは適所に残ることができ、ドクターブレードからの接触等により、擦り落しプロセスによって除去されている(基部(頂又は上昇部115)のチャネルのない部分を覆っているような)導電性インクのバランスがとられる。ドクターブレードの剛性及び加えられる圧力を含む印刷のタイプに応じて、導電性インクは、複数のキャビティ、チャネル又は溝105の各々の中にメニスカスを形成することもできるし、例えば代りに上方に屈することもできる。電子技術分野又は印刷技術分野の当業者は、複数の第1の導体110を形成することができる方法の無数の変形を理解し、こうした全ての変形は均等でありかつ本発明の範囲内にあるとみなされる。例えば、1つ又は複数の第1の導体110を、限定ではなくスパッタリング又は蒸着によって堆積させることもできる。さらに、他の様々な実施形態では、第1の導体(複数の場合もあり)110を、図34〜図40を参照して例示し後述する例示的な実施形態の場合のように、コーティング、印刷、スパッタリング又は蒸着等によって単一の層又は連続した層として堆積させることができる。   For example, the conductive ink is overcoated or otherwise deposited over the first side or first surface of the base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G in whole or most. The excess conductive ink is later removed using a “doctor blade” or other type of scrape, as is known in the printing art, followed by a plurality of cavities, channels or grooves The conductive ink in 105 is uv cured. With such a doctor blade, the conductive ink in the plurality of cavities, channels or grooves 105 can remain in place and has been removed by a scraping process, such as by contact from the doctor blade (base (top or rise) The conductive ink (such as covering the non-channel portion of portion 115) is balanced. Depending on the type of printing including the stiffness of the doctor blade and the pressure applied, the conductive ink can form a meniscus in each of the plurality of cavities, channels or grooves 105, for example, instead of bending upwards. You can also. Those skilled in the electronic or printing arts will understand the myriad variations of the manner in which the plurality of first conductors 110 can be formed, all such variations being equivalent and within the scope of the present invention. Is considered. For example, one or more first conductors 110 can be deposited by sputtering or evaporation without limitation. Further, in various other embodiments, the first conductor (s) 110 can be coated, as in the exemplary embodiments illustrated and described below with reference to FIGS. It can be deposited as a single layer or a continuous layer by printing, sputtering or evaporation.

結果として、本明細書で用いるとき、「堆積」は、衝撃式であるか非衝撃式であるかにかかわらず、現時点で既知であるか又は将来開発される、あらゆる印刷、コーティング、圧延、噴霧、積層、スパッタリング、メッキ、スピンキャスト(又はスピンコーティング)、蒸着、ラミネーション、付着及び/又は他の堆積プロセスを意味し、指し、かつ含み、「印刷」は、衝撃式であるか非衝撃式であるかにかかわらず、現時点で既知であるか又は将来開発される、限定ではなく、例えばスクリーン印刷、インクジェット印刷、電気光学印刷、電子インク印刷、フォトレジスト及び他のレジスト印刷、熱転写印刷、レーザージェット印刷、磁気印刷、パッド印刷、フレキソ印刷、ハイブリッドオフセットリソグラフィー、グラビア並びに他の凸版印刷を含む、あらゆる印刷、コーティング、圧延、噴霧、積層、スピンコーティング、ラミネーション及び/又は付着プロセスを意味し、指し、かつ含む。こうした全てのプロセスを、本明細書では堆積プロセスとみなし、等価的に利用することができ、それらは本発明の範囲内にある。同様に重要なことには、例示的な堆積又は印刷プロセスは、著しい製造管理又は制約が不要である。特定の温度又は圧力が不要である。既知の印刷又は他の堆積プロセスの標準規格を超えるクリーンルーム又は濾過空気は不要である。しかしながら、様々な実施形態を形成する様々な連続的に堆積した層の適切な位置合せ(レジストレーション)のため等、一貫性のために、比較的一定の温度(後述する、例外もあり得る)及び湿度が望ましい場合もある。さらに、利用される様々な化合物を、例えば熱硬化若しくは乾燥させ、雰囲気条件下で空気乾燥させ、又はuv硬化させることができる様々なポリマー、バインダー又は他の分散剤に含めることができ、こうした変形の全てが本発明の範囲内にある。   As a result, as used herein, “deposition” is any printing, coating, rolling, spraying, currently known or developed in the future, whether impact or non-impact. Means, refers to and includes, lamination, sputtering, plating, spin casting (or spin coating), vapor deposition, lamination, adhesion and / or other deposition processes, “printing” being either impact or non-impact Non-limiting, such as screen printing, inkjet printing, electro-optical printing, electronic ink printing, photoresist and other resist printing, thermal transfer printing, laser jet, whether present or not, currently known or developed in the future Printing, magnetic printing, pad printing, flexographic printing, hybrid offset lithography, gravure and other convex Including printing, all printing, coating, rolling, means spraying, lamination, spin coating, lamination and / or deposition processes, refers, and includes. All such processes are considered herein as deposition processes and can be used equivalently and are within the scope of the present invention. Equally important, the exemplary deposition or printing process does not require significant manufacturing control or constraints. No specific temperature or pressure is required. No clean room or filtered air is required that exceeds known printing or other deposition process standards. However, for consistency, such as for proper alignment of the various successively deposited layers forming the various embodiments, a relatively constant temperature (there are possible exceptions described below). And humidity may be desirable. Further, the various compounds utilized can be included in various polymers, binders or other dispersants that can be cured, for example, heat cured or dried, air dried under atmospheric conditions, or uv cured, such variations. Are all within the scope of the present invention.

複数のキャビティ105を有する基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100Gの使用の特定の利点は、印刷レジストレーションが正確である必要がないということであり、装置200、300、400、500、600及び/又は700を形成する種々の材料及び層を連続的に施すために、1次元の又は相対的なレジストレーションで十分とすることができる。   A particular advantage of the use of bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G having multiple cavities 105 is that the print registration does not need to be accurate and the devices 200, 300, One-dimensional or relative registration may be sufficient to sequentially apply the various materials and layers forming 400, 500, 600 and / or 700.

選択された実施形態に応じて、複数のキャビティ、チャネル又は溝105の深さは、比較的深い深さ(例えば、基板(半導体)粒子120の直径の1/2以上)から比較的浅い深さ(例えば、基板(半導体)粒子120の直径の1/2未満)まで変化することができる。さらに、上述したように、基部(100H)は、互いに離間されておらずかつ電気的に絶縁されていない、単体の導電性シート又は層として1つ又は複数の第1の導体110を施す場合等、複数のキャビティ、チャネル又は溝105が一体的に形成されていない、実質的に平坦であるか平滑であるか又は均一である表面トポロジーを有することができる。他の例示的な実施形態では、基部は、複数のキャビティ、チャネル又は溝105が一体的に形成されておらず、代りに、基部の上に***(頂又は上昇部115)若しくは他の形態の仕切りが構築されるか若しくは堆積し、それがキャビティ、チャネル若しくは溝105を形成するか、又は***(頂又は上昇部115)がない、実質的に平坦な、平滑な又は均一な表面を有することができる。   Depending on the selected embodiment, the depth of the plurality of cavities, channels or grooves 105 is relatively shallow from a relatively deep depth (eg, ½ or more of the diameter of the substrate (semiconductor) particle 120). (For example, less than half of the diameter of the substrate (semiconductor) particles 120). Furthermore, as described above, the base (100H) is not separated from each other and is not electrically insulated, and when one or more first conductors 110 are applied as a single conductive sheet or layer, etc. The plurality of cavities, channels or grooves 105 are not integrally formed and may have a surface topology that is substantially flat, smooth, or uniform. In other exemplary embodiments, the base is not integrally formed with a plurality of cavities, channels or grooves 105; instead, a ridge (top or rise 115) on the base or other form of The partition is built or deposited, it forms a cavity, channel or groove 105, or has a substantially flat, smooth or uniform surface without ridges (tops or rises 115) Can do.

印刷又は他の堆積等により、概して本明細書における様々な化合物の用途のいずれに対しても、レジストコーティングを用いることによるか、又は他の方法でこうした表面の「湿潤性」を変更することにより、例えば、基部100(100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G及び/又は100Hを含む)の表面、様々な第1の導体110、第2の導体140及び/若しくは第3の導体145の表面、並びに/又は後述する複数の基板粒子120の表面等の表面の例えば親水性、疎水性又は電気的(正電荷又は負電荷)特性を変更することにより、表面特性又は表面エネルギーもまた制御することができることも留意するべきである。堆積している化合物、懸濁液、ポリマー又はインクの表面張力等の特性とともに、堆積した化合物を、所望の又は選択された位置に付着させるようにし、有効に他の部位又は領域から反発されるようにすることができる。   For any of the various compound applications herein, such as by printing or other deposition, generally by using a resist coating or otherwise modifying the “wetting” of these surfaces. For example, the surface of base 100 (including 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, and / or 100H), various first conductors 110, second conductors 140, and / or third conductors 145. Surface properties or surface energy can also be controlled by altering, for example, hydrophilic, hydrophobic or electrical (positive or negative charge) properties of the surface of the surface and / or surfaces such as the surfaces of the plurality of substrate particles 120 described below. It should also be noted that it can be done. Along with properties such as surface tension of the deposited compound, suspension, polymer or ink, it causes the deposited compound to adhere to the desired or selected location and is effectively repelled from other sites or regions Can be.

図9は、本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体110を備えた第6の例示的な基部100Gの断面図である。図10は、本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体110を備えた第6の例示的な基部100Gの(31−31’平面を通る)断面図である。第6の例示的な基部100Gは、複数の一体的に形成された突起又は支持部(等価的に、延長部、突出部、***等)245及び複数の一体的に形成された導電性ビア285(ビア280の変形として)も備えている限り、他の例示的な基部100〜100Fとは異なる。図示するように、突起(又は支持部)245の各々は、連続しており、チャネル105の全長にわたって堅固な上昇したレールとして延在しており、別個に図示しない他の実施形態では、突起(又は支持部)245を、限定ではなく例として、離間されチャネル105の長さにわたって(規則的な又は不規則な)間隔をおいて位置する個々のホーン又はくぎの形状を有する突起(又は支持部)245等、別個かつ不連続とすることができる。突起(又は支持部)245は、平滑かつ連続的であるか又は鋭利かつ不連続であることを含む任意の適切な形態を有することができ、こうした変形は全て均等であり特許請求される本発明の範囲にあるとみなされる。例示的な実施形態では、突起(又は支持部)245は、同様に限定ではなく例として、鋳造又は他の成形方法による等、基部100Gの一部として一体的に形成することができるような形状である。   FIG. 9 is a cross-sectional view of a sixth exemplary base 100G with a plurality of first conductors 110 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view (through the 31-31 'plane) of a sixth exemplary base 100G with a plurality of first conductors 110 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. The sixth exemplary base 100G includes a plurality of integrally formed protrusions or supports (equivalently, extensions, protrusions, ridges, etc.) 245 and a plurality of integrally formed conductive vias 285. As long as it also includes (as a variant of via 280), it differs from other exemplary bases 100-100F. As shown, each of the protrusions (or supports) 245 is continuous and extends as a rigid raised rail over the entire length of the channel 105, and in other embodiments not separately illustrated, the protrusions ( Or support) 245, by way of example and not limitation, protrusions (or supports) having the shape of individual horns or nails that are spaced apart and spaced (regular or irregular) across the length of channel 105 ) 245, etc., and can be separate and discontinuous. The protrusion (or support) 245 can have any suitable form, including smooth and continuous, or sharp and discontinuous, and all such variations are equivalent and claimed invention. Is considered to be in the range of In an exemplary embodiment, the protrusion (or support) 245 is similarly shaped to be able to be integrally formed as part of the base 100G, such as by way of example and not by limitation, by casting or other forming methods. It is.

また図示するように、複数の第1の導体110は、等角であり、実質的に一様な厚さ(すなわち、基部100Gの第1の側(面)の輪郭に実質的に従う実質的に均一なコーティング)を有するチャネル105の形状を辿るように配置されている。例示的な実施形態では、導体(金属等)を、基部100Gの第1の面(側)全体にわたって、スパッタリング、スピンキャスト(又はスピンコーティング)、コーティング又は蒸着等によって(比較的低温で)堆積させ、続いて、基部100Gの***(ピーク、上昇部又は頂)115を研削するか又は研くこと等により、***(ピーク、上昇部又は頂)115の上のあらゆる導体を実質的に除去して、複数の第1の導体110をチャネル105内に残すことができる。別の例示的な実施形態では、***(ピーク、上昇部又は頂)115にレジストコーティングを堆積させ、基部100Gの第1の面全体にわたって、スパッタリング、スピンキャスト(又はスピンコーティング)又は蒸着等によって導体(金属等)を堆積させ、その後、レジストを溶解することによるか又は***(ピーク、上昇部又は頂)115にわたるレジストの上の導体を剥離すること等により、***(ピーク、上昇部又は頂)115上のあらゆる導体を実質的に除去し、残っているレジストを全て溶解させることができる。この後者の方法では、導体を、堆積した該導体が***(ピーク、上昇部又は頂)115の縁において不連続となるように方向付けて(directionally)堆積させることができ、それにより、チャネル105内に堆積した残っている導体に影響を与えることなく、***(ピーク、上昇部又は頂)115上の導体を除去することができる。選択された導体がアルミニウムである場合、第1の導体110はまた、導電性を提供するだけでなく、著しく反射性であり、反射コーティング又はミラーコーティングとして機能することができる。   Also, as shown, the plurality of first conductors 110 are equiangular and have a substantially uniform thickness (ie, substantially following the contour of the first side (surface) of the base 100G). It is arranged so as to follow the shape of the channel 105 having a uniform coating. In an exemplary embodiment, a conductor (such as a metal) is deposited (at a relatively low temperature) over the first surface (side) of the base 100G, such as by sputtering, spin casting (or spin coating), coating or evaporation. Subsequently, any conductor above the ridge (peak, rise or top) 115 is substantially removed, such as by grinding or sharpening the ridge (peak, rise or top) 115 of the base 100G. A plurality of first conductors 110 can be left in the channel 105. In another exemplary embodiment, a resist coating is deposited on the ridges (peaks, rises, or peaks) 115 and the conductor is deposited over the first surface of the base 100G by sputtering, spin casting (or spin coating), evaporation, or the like. Raise (peak, rise or top), such as by depositing (metal, etc.) and then dissolving the resist or by stripping the conductor over the resist over the bump (peak, rise or top) 115 Substantially any conductor on 115 can be removed and any remaining resist can be dissolved. In this latter method, the conductors can be deposited directionally such that the deposited conductors are discontinuous at the edges of the ridges (peaks, rises or peaks) 115, so that the channels 105 The conductor on the ridge (peak, rise or top) 115 can be removed without affecting the remaining conductor deposited therein. When the selected conductor is aluminum, the first conductor 110 not only provides conductivity, but is also highly reflective and can function as a reflective or mirror coating.

図11、図12及び図33を参照して後により詳細に説明するように、突起(又は支持部)245は、チャネル105の底部又は残っている部分の上方に複数の基板粒子120を上昇させる(又は支持する)役割を果たす。複数の基板粒子120が、チャネル105内に堆積するためにキャリア(例えば液体又はゲル)内に懸濁している場合、突起245による上昇により、複数の基板粒子120を物理的に支持しかつ/又は(チャネル105の底部に少なくとも最初に残っているかつ/又は(蒸発等により)放散若しくは除去することができる)懸濁キャリアから分離することができる。そして、(突起245上の)第1の導体110は、残っている可能性があるいかなる懸濁キャリア(又はポリマー若しくは樹脂)からの妨げもなしに(又は妨げを低減して)、支持されかつ上昇した基板粒子120とのオーミックコンタクトを形成する。   As will be described in more detail with reference to FIGS. 11, 12 and 33, the protrusion (or support) 245 raises the plurality of substrate particles 120 above the bottom or remaining portion of the channel 105. Play (or support) role. When the plurality of substrate particles 120 are suspended in a carrier (eg, liquid or gel) for deposition in the channel 105, the plurality of substrate particles 120 are physically supported and / or lifted by protrusions 245. It can be separated from the suspension carrier (which at least initially remains at the bottom of the channel 105 and / or can be diffused or removed (such as by evaporation)). The first conductor 110 (on the protrusion 245) is then supported without (or with reduced interference) from any suspension carrier (or polymer or resin) that may remain. An ohmic contact with the elevated substrate particles 120 is formed.

図示するような複数の一体的に形成された導電性ビア285は、上述したようにかつ限定ではなく、任意のタイプの導体又は導電性媒体を含むことができ、任意の適切な形状又は形態を有することができる。例示的な実施形態では、導電性ビア285は、実質的に球形の金属ボール又は他の導電性ビード若しくはペレットとして形成され、成形プロセス中等、形成されている際に基部100G内に組み込まれる。そして、複数の導電性ビア285を、基部100G内に(図示するように)ランダムに又は周期的に若しくは他の方法で規則的に分散させることができる。基部100Gが形成されている際、複数の一体的に形成された導電性ビア285の少なくともいくつかが、第1の導体110及び導電性バックプレーン290の両方と物理的に接触し、それにより、第1の導体110と導電性バックプレーン290との間の電気的結合が提供される。こうした例示的な実施形態では、製造中に十分な数の導電性ビア285が提供され、それにより、基部100G内でランダムに分散されると、全ての第1の導体110が、同様に導電性バックプレーン290と接触している少なくとも1つの導電性ビア285と接触する。他の例示的な実施形態では、導電性ビア285は、所定の位置に(非ランダムに)分散され、それによりまた、全ての第1の導体110が、同様に導電性バックプレーン290に接触している少なくとも1つの導電性ビア285と接触する。   The plurality of integrally formed conductive vias 285 as shown may include any type of conductor or conductive medium, as described above and without limitation, in any suitable shape or form. Can have. In the exemplary embodiment, conductive via 285 is formed as a substantially spherical metal ball or other conductive bead or pellet and is incorporated into base 100G as it is being formed, such as during a molding process. The plurality of conductive vias 285 can then be dispersed randomly (as shown), periodically or otherwise in the base 100G. When the base 100G is formed, at least some of the plurality of integrally formed conductive vias 285 are in physical contact with both the first conductor 110 and the conductive backplane 290, thereby Electrical coupling between the first conductor 110 and the conductive backplane 290 is provided. In these exemplary embodiments, a sufficient number of conductive vias 285 are provided during manufacture, so that when distributed randomly within the base 100G, all the first conductors 110 are similarly conductive. It contacts at least one conductive via 285 that is in contact with the backplane 290. In other exemplary embodiments, conductive vias 285 are distributed in place (non-randomly) so that all first conductors 110 also contact conductive backplane 290 as well. In contact with at least one conductive via 285.

図11は、本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体110及び複数の基板粒子120を備えた例示的な基部100、100A、100B、100C、100Dの斜視図である。図12は、本発明の教示による装置の実施形態の複数の第1の導体110及び複数の基板粒子120を備えた第5の例示的な基部100Dの(40−40’平面を通る)断面図である。1つ又は複数の第1の導体110の堆積に続き、材料(導電性インク又はポリマー等)を硬化させるか又は部分的に硬化させて、固体又は半固体を形成することができる。他の実施形態では、1つ又は複数の第1の導体110を、液体形態又は部分的に硬化した形態のままにし、後に硬化させることができる。1つ又は複数の第1の導体110の堆積に続き、任意のこうした硬化、部分的硬化により、又は硬化なしに、複数の基板粒子120の懸濁液が、キャビティ、チャネル又は溝105内の1つ又は複数の第1の導体110の上に堆積し、(大部分が)対応する第1の導体110とのオーミックコンタクト265を形成する。   FIG. 11 is a perspective view of an exemplary base 100, 100A, 100B, 100C, 100D comprising a plurality of first conductors 110 and a plurality of substrate particles 120 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 12 is a cross-sectional view (through the 40-40 ′ plane) of a fifth exemplary base 100D with a plurality of first conductors 110 and a plurality of substrate particles 120 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. It is. Following the deposition of the one or more first conductors 110, the material (such as a conductive ink or polymer) can be cured or partially cured to form a solid or semi-solid. In other embodiments, the one or more first conductors 110 can be left in a liquid or partially cured form and subsequently cured. Following the deposition of the one or more first conductors 110, with any such curing, partial curing, or without curing, a suspension of the plurality of substrate particles 120 is transferred into the cavity, channel or groove 105. It is deposited on one or more first conductors 110 to form (mostly) ohmic contacts 265 with the corresponding first conductors 110.

多くの例示的な実施形態では、複数の基板粒子120は、p+シリコン又はGaN基板等の半導体基板からなり、そのためそれらの複数の基板粒子120を複数の半導体粒子120と呼ぶことができる。他の例示的な実施形態では、複数の基板粒子120は、後述するように、有機発光ダイオード又はポリマー発光ダイオードを作製するのに適している化合物又は混合物等、他の有機材料、無機材料又はポリマー材料を含むことができ、そのため、それらの複数の基板粒子120を、複数の発光基板粒子120又は光起電力基板粒子120と呼ぶこともできる。基板粒子120として用いられる多種多様の適切なタイプの基板について後により詳細に説明する。したがって、本明細書において、複数の基板粒子120又は等価的に複数の基板(半導体)粒子120と言及する場合はいつでも、現時点で既知であるか又は将来開発されるあらゆる種類の発光用途、光起電力用途又は他の電子用途での使用に適している、何らかの種類の粒子形態での任意の有機基板又は無機基板を意味し含むものと解釈するべきであり、あらゆるこうした基板は均等でありかつ特許請求される本発明の範囲内にあるとみなされる。   In many exemplary embodiments, the plurality of substrate particles 120 comprises a semiconductor substrate, such as a p + silicon or GaN substrate, so that the plurality of substrate particles 120 can be referred to as a plurality of semiconductor particles 120. In other exemplary embodiments, the plurality of substrate particles 120 may comprise other organic materials, inorganic materials or polymers, such as compounds or mixtures suitable for making organic light emitting diodes or polymer light emitting diodes, as described below. The material can include a plurality of substrate particles 120, and thus can be referred to as a plurality of light emitting substrate particles 120 or photovoltaic substrate particles 120. A wide variety of suitable types of substrates used as substrate particles 120 will be described in more detail later. Thus, whenever reference is made herein to a plurality of substrate particles 120 or equivalently to a plurality of substrate (semiconductor) particles 120, any type of light emitting application, photovoltaic, currently known or developed in the future. It should be taken to mean and include any organic or inorganic substrate in any kind of particle form suitable for use in power applications or other electronic applications, and all such substrates are equivalent and patentable It is considered to be within the scope of the claimed invention.

複数の基板粒子120の懸濁液を、複数の第1の導体110を有する複数のキャビティ105内に印刷することによるか、又は層(図34〜図40)若しくはシートとして堆積した第1の導体110の上に印刷することによる等、例えば印刷プロセス又はコーティングプロセスにより堆積させることができる。図37〜図40に示すように、導電性接着剤110Aは、基板粒子120と1つ又は複数の第1の導体110との間の生成されたオーミックコンタクトを接合する別の機構として、基板粒子120の堆積の前に堆積している。同様に例えば、上述したように、複数の基板粒子120の懸濁液を、基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H及び複数の第1の導体110の上にコーティングすることができ、いかなる余分な分も、ドクターブレード又は他の擦り落しプロセスを用いて除去される。   A first conductor deposited by printing a suspension of a plurality of substrate particles 120 into a plurality of cavities 105 having a plurality of first conductors 110, or as a layer (FIGS. 34-40) or sheet. It can be deposited by printing or coating processes, such as by printing on 110, for example. As shown in FIGS. 37-40, the conductive adhesive 110 </ b> A acts as an alternative mechanism for joining the generated ohmic contact between the substrate particle 120 and the one or more first conductors 110. Deposited before 120 deposits. Similarly, for example, as described above, a suspension of a plurality of substrate particles 120 is coated on the base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, 100H and the plurality of first conductors 110. Any excess can be removed using a doctor blade or other scraping process.

限定ではなく例として、複数の基板粒子120を、樹脂等の接着部材及び/又は界面活性剤若しくは他の流動助剤を含むこともできる、水、アルコール、エーテル等の任意の蒸発性又は揮発性の有機化合物又は無機化合物を用いて、液体、半液体又はゲルのキャリア内に懸濁させることができる。例示的な実施形態では、限定ではなく例として、複数の基板粒子120は、メチルセルロース、グアーガム又はフュームドシリカ(Cabosil等)等の水溶性増粘剤とともに、キャリアとしての脱イオン水内に懸濁し、オクタノール、メタノール、イソプロパノール又は脱イオンオクタノール若しくはイソプロパノール等、界面活性剤又は流動助剤を利用することもでき、(圧縮及び硬化(後述する)後に導電性を提供し、例えばオーミックコンタクト265の生成を促進し又は強化する役割を果たすことができる)実質的に若しくは比較的小さいニッケルビーズ(例えば1ミクロン)を含む異方性導電性バインダー等のバインダーか、又は後により詳細に説明する(かつ誘電体化合物、レンズ等とともに利用することもできる)ものを含む他の任意のuv硬化性、熱硬化性若しくは空気硬化性のバインダー若しくはポリマーを使用することもできる。例えば加熱プロセス、uv硬化プロセス又は任意の乾燥プロセス等により、揮発性成分又は蒸発性成分が放散して、基板粒子120が1つ又は複数の第1の導体110に実質的に又は少なくとも部分的に接触しかつそれに付着したままにする。懸濁材料は、発光用途の場合は基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100Hに対して垂直の方向の光透過を支援するために、例えば反射性粒子、拡散粒子又は散乱粒子を含むこともできる。   By way of example and not limitation, the plurality of substrate particles 120 may include any evaporative or volatile such as water, alcohol, ether, etc., which may include an adhesive member such as a resin and / or a surfactant or other flow aid. These organic or inorganic compounds can be used to suspend in a liquid, semi-liquid or gel carrier. In an exemplary embodiment, by way of example and not limitation, the plurality of substrate particles 120 is suspended in deionized water as a carrier with a water soluble thickener such as methylcellulose, guar gum or fumed silica (such as Cabosil). Surfactants or flow aids such as octanol, methanol, isopropanol, or deionized octanol or isopropanol can also be utilized, providing conductivity after compression and curing (described below), for example, producing ohmic contacts 265 A binder such as an anisotropic conductive binder comprising substantially or relatively small nickel beads (e.g. 1 micron), which can serve to promote or strengthen, or will be described in more detail later (and dielectrics) Can be used with compounds, lenses, etc.) Any uv curable, heat curable or air curable binder or polymer may be used. Volatile or evaporative components are dissipated, for example, by a heating process, a uv curing process, or any drying process, so that the substrate particles 120 are substantially or at least partially on one or more first conductors 110. Touch and remain attached to it. In the case of luminescent applications, the suspended material may be, for example, reflective particles, diffusing particles, to support light transmission in a direction perpendicular to the base 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G, 100H. Or it can also contain scattering particles.

複数の第1の導体110の上にかつキャビティ、チャネル又は溝105内に複数の基板粒子120を堆積させるために、更なるステップ又はいくつかのステッププロセスを利用することもできる。同様に限定ではなく例として、TPO(トリホスフィンオキシド(triphosphene oxide)等の水溶性光開始剤を含むこともできる)メトキシル化グリコールエーテルアクリレートモノマー又は異方性導電性バインダー等のバインダーを最初に堆積させ、次いで、上述したキャリアのいずれか内に懸濁している複数の基板粒子120を堆積させることができる。   Additional steps or several step processes may also be utilized to deposit a plurality of substrate particles 120 on the plurality of first conductors 110 and in the cavities, channels or grooves 105. Similarly, by way of example and not limitation, a TPO (which may include a water-soluble photoinitiator such as triphosphene oxide) is first deposited with a binder such as a methoxylated glycol ether acrylate monomer or an anisotropic conductive binder And then a plurality of substrate particles 120 suspended in any of the carriers described above can be deposited.

例えば、複数の基板粒子120が堆積するときに、複数の第1の導体110が、部分的にしか硬化していないか又は硬化していない場合、様々な図面に示すように、複数の基板粒子120を、僅かに又は部分的に複数の第1の導体110内に埋め込むことができ、それはオーミックコンタクト265を形成するのに役立つ。(図13を参照して後述するような)圧力の付与、温度(熱)処理、uv硬化等によって、追加の埋込み又はコンタクトの形成を行うこともできる。   For example, when a plurality of substrate particles 120 are deposited, if the plurality of first conductors 110 are only partially cured or have not been cured, a plurality of substrate particles as shown in the various drawings. 120 can be slightly or partially embedded within the plurality of first conductors 110, which helps to form ohmic contacts 265. Additional embedding or contact formation can also be performed by applying pressure (as described below with reference to FIG. 13), temperature (thermal) treatment, uv curing, and the like.

例示的な実施形態では、複数の基板粒子120のための懸濁媒体はまた、最初に1つ又は複数の第1の導体110の一部を溶解又は再湿潤させる、溶解剤又は他の反応剤も含む。複数の基板粒子120の懸濁液が堆積し、その後、1つ又は複数の第1の導体110の表面が部分的に溶解するか又は未硬化となると、複数の基板粒子120を、1つ又は複数の第1の導体110内に僅かに又は部分的に埋め込むことができ、それもまたオーミックコンタクト265の形成に役立ち、複数の基板粒子120と1つ又は複数の第1の導体110との間の「化学的接合」又は「化学的結合」を形成する。蒸着等により溶解剤又は反応剤が溶解する際、複数の第1の導体110が、複数の基板粒子120と実質的に接触して再固化(又は再硬化)する。例示的な溶解剤又は反応剤は、限定ではなく例として、複数の基板粒子120のための懸濁媒体を形成するためにイソプロピルアルコール(又はイソプロパノール)とおよそ1:8の分子比(又は22:78の重量比)で使用される、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(C12)(Eastman社により「PM Acetate」という商品名で販売)である。他の例示的な溶解剤又は反応剤には、同様に限定ではなく例として、コハク酸ジメチル、アジピン酸ジメチル、グルタル酸ジメチル(Invista社から製品名DBE、DBE−2、DBE−3、DBE−4、DBE−5、DBE−6、DBE−9及びDPE−IBで様々な混合物で入手可能である)等、種々の二塩基酸エステル及びそれらの混合物が含まれる。例示的な実施形態では、イソプロパノールとおよそ1:10の分子比のDBE−9もまた利用されている。 In the exemplary embodiment, the suspending medium for the plurality of substrate particles 120 also dissolves or re-wets the first one or more portions of the first conductor 110 first. Including. When a suspension of the plurality of substrate particles 120 is deposited and then the surface of the one or more first conductors 110 is partially dissolved or uncured, the plurality of substrate particles 120 are Slightly or partially embedded within the plurality of first conductors 110, which also helps to form the ohmic contact 265, between the plurality of substrate particles 120 and the one or more first conductors 110. A “chemical bond” or “chemical bond”. When the dissolving agent or the reactive agent is dissolved by vapor deposition or the like, the plurality of first conductors 110 substantially come into contact with the plurality of substrate particles 120 and resolidify (or recur). Exemplary solubilizers or reactants include, but are not limited to, a molecular ratio of approximately 1: 8 (or 22 :) with isopropyl alcohol (or isopropanol) to form a suspending medium for the plurality of substrate particles 120. 78 (weight ratio), propylene glycol monomethyl ether acetate (C 6 H 12 O 3 ) (sold by Eastman under the trade name “PM Acetate”). Other exemplary solubilizers or reactants include, but are not limited to, dimethyl succinate, dimethyl adipate, dimethyl glutarate (product names DBE, DBE-2, DBE-3, DBE- from Invista). 4, available in various mixtures such as DBE-5, DBE-6, DBE-9 and DPE-IB), and various dibasic esters and mixtures thereof. In an exemplary embodiment, isopropanol and DBE-9 with a molecular ratio of approximately 1:10 are also utilized.

複数の基板粒子120は、シリコン、ガリウムヒ素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)又は任意の無機半導体材料若しくは有機半導体材料等、及び任意の形態で、限定ではなく例としてGaP、InAlGaP、InAlGaP、AlInGaAs、InGaNAs、AlInGASbを含む、あらゆるタイプの半導体元素、材料又は化合物から構成することができる。例えば、半導体基板粒子120を形成するために、シリコンを、単結晶として、多結晶、アモルファスシリコン等として、利用することができ、シリコンは、半導体集積回路及び従来のダイオードのエピタキシャル結晶成長を必要としない同様の種々の結晶構造及びアモルファス形態はガリウムヒ素、窒化ガリウム及び他の半導体化合物にも利用可能である。複数の基板粒子120は、限定ではなく例として、同様にミセル又は他の容器にカプセル封止される等、カプセル封止形態を有することもできる、ポリアセチレン化合物、ポリピロール化合物、ポリアニリン化合物、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリフルオレン、共役デンドリマー、有機金属キレート(例えばAlq3)及びそれらのあらゆる対応する誘導体、置換側鎖等を含む、発光ダイオード(「OLED」)、燐光OLED(「PHOLED」)、ポリマー発光ダイオード(「PLED」)、発光ポリマー(「LEP」)に利用される様々なポリマー及び化合物等、発光又はエネルギー吸収(光電装置)に利用される、任意のタイプの有機又は無機の化合物若しくはポリマーで構成することもできる。上述したように、「基板粒子」は、任意の無機又は有機の半導体材料、エネルギー放出材料、エネルギー吸収材料、発光材料、光起電力材料又は他の電子材料を含むことができ、あらゆるこうした元素、化合物、混合物及び/又は懸濁液は特許請求される本発明の範囲内にある。   The plurality of substrate particles 120 may be silicon, gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), or any inorganic or organic semiconductor material, and any form, including but not limited to GaP, InAlGaP, InAlGaP, AlInGaAs. , InGaNAs, AlInGASb, and can be composed of any type of semiconductor element, material or compound. For example, silicon can be used as a single crystal, polycrystalline, amorphous silicon, etc. to form semiconductor substrate particles 120, which requires epitaxial crystal growth of semiconductor integrated circuits and conventional diodes. Various similar crystal structures and amorphous forms are also available for gallium arsenide, gallium nitride and other semiconductor compounds. The plurality of substrate particles 120 may have a sealing form, such as a non-limiting example, similarly encapsulated in micelles or other containers, polyacetylene compounds, polypyrrole compounds, polyaniline compounds, poly (p Light-emitting diodes ("OLED"), phosphorescent OLEDs ("PHOLED"), polymers, including -phenylene vinylene), polyfluorenes, conjugated dendrimers, organometallic chelates (eg Alq3) and any corresponding derivatives thereof, substituted side chains, etc. Any type of organic or inorganic compound or polymer used for light emission or energy absorption (photoelectric devices), such as various polymers and compounds used for light emitting diodes (“PLED”), light emitting polymers (“LEP”) Can also be configured. As noted above, “substrate particles” can include any inorganic or organic semiconductor material, energy emitting material, energy absorbing material, light emitting material, photovoltaic material or other electronic material, and any such element, Compounds, mixtures and / or suspensions are within the scope of the claimed invention.

図11〜図24及び図32〜図40では、基板粒子120は、実質的に球形であるように示されている。さらに、基板粒子120(並びにダイオード155及びレンズ150)は、1つ又は複数の例示的な実施形態では「球形」であるか、又は「球形」と呼ぶことができるが、「球形」は、本明細書で用いられるとき、実際の物体がいずれも、実質的に理論的な意味でも典型的な意味でも完全に球形ではないため、「実質的に球形」、すなわち、所定の又は他の選択された変動性、公差又は他の規格の範囲内にある限り、実質的に又は概して球形であることを意味しかつ含む。限定ではなく例として、例示的な実施形態で利用する様々な球形粒子(基板粒子、ダイオード、レンズ)は、通常、少なくとも幾分かの均一性がなく、それは(1)こうした各球形内において(すなわち、基板の中心から種々の箇所までその半径に幾分かの変動があり、僅かにある程度非球形となる)、(2)球毎に(球のサイズの変動がある)、(3)粒子の様々な形状及びサイズで(いくつか又は多くは実質的に球形である(例えば供給業者の公差に応じて、他は著しく非球形及び/又は変形である))、(4)表面特性において(基板粒子120は実質的に平滑な面又は研磨面を有し、他はより表面変動又は粗さがある)、である。基板粒子120を、「Photovoltaic Apparatus and Mass-Producing Apparatus for Mass-Producing Spherical Semiconductor Particles」と題する、2004年3月16日に発行されたHamakawa他の特許文献2においてシリコン(半導体)粒子に関して開示されているような、本技術分野において既知であるか又は既知となるような、球形粒子、ビード又はペレットとして形成することができ、上記特許は、本明細書に完全に示されているかのように同じ完全な効力及び効果を有して参照により本明細書に援用される。他の非球形又は他の不規則な基板粒子を、限定ではなく例としてボールミル等の様々なタイプの研磨方法の任意のものを用いて実質的に球形の基板粒子に形成することができる。   In FIGS. 11-24 and 32-40, the substrate particles 120 are shown to be substantially spherical. Further, substrate particle 120 (and diode 155 and lens 150) may be “spherical” or referred to as “spherical” in one or more exemplary embodiments, but “spherical” As used in the specification, no actual object is completely spherical in either the theoretical or typical sense, so it is “substantially spherical”, ie a given or other selected As long as it is within the scope of variability, tolerances or other standards, including and including substantially spherical. By way of example and not limitation, the various spherical particles (substrate particles, diodes, lenses) utilized in the exemplary embodiments typically have at least some uniformity, which is (1) within each such sphere ( That is, there is some variation in the radius from the center of the substrate to various locations, and it is slightly non-spherical), (2) for each sphere (the size of the sphere varies), (3) particles (4) in surface characteristics (some or many are substantially spherical (eg, others are significantly non-spherical and / or deformed, depending on supplier tolerances)) The substrate particles 120 have a substantially smooth or polished surface, others have more surface variations or roughness). Substrate particles 120 are disclosed with respect to silicon (semiconductor) particles in Hamakawa et al., US Pat. Can be formed as spherical particles, beads or pellets, as known or known in the art, and the patents are the same as if fully set forth herein Is incorporated herein by reference with full efficacy and effect. Other non-spherical or other irregular substrate particles can be formed into substantially spherical substrate particles using any of various types of polishing methods such as, but not limited to, ball mills.

様々な例示的な実施形態では、後により詳細に説明するように、複数の基板粒子120は、後に、対応するダイオード155にin situで変えられる。したがって、複数の基板粒子120は、従来技術による発光ダイオード又は光起電力ダイオードより(桁が)大幅に小さい、例えば約10ミクロン〜40ミクロン(μm)の範囲の結果として得られるダイオード155等、結果として得られる複数のダイオード155の1つ又は複数の選択されたサイズを提供するようなサイズである。別の例示的な実施形態では、ダイオード155は、同様に限定ではなく例として約25ミクロン〜40ミクロン(μm)の範囲である。複数の基板粒子120の懸濁液使用及び印刷等の堆積技法の使用を含む、本明細書における新規な製造方法に起因して、こうした小さい基板サイズ及びダイオードサイズの使用が可能であり、それにより、各粒子120の個々の配置を必要とすることなく、基板粒子をまとめて(en masse)グループとして扱うことが可能になる。さらに、後にまたより詳細に説明するように、結果として得られるダイオード155の非常に小さいサイズは、特に有利であり、基板材料の量に対して(pn)接合の量を増大させ、光出力(LED用途の場合)又は光の電気エネルギーへの変換(光起電力用途の場合)の効率をより向上させることができる。   In various exemplary embodiments, as will be described in more detail later, the plurality of substrate particles 120 is later changed in situ to the corresponding diode 155. Thus, the plurality of substrate particles 120 are significantly smaller (in the order of magnitude) than prior art light emitting diodes or photovoltaic diodes, such as the resulting diode 155 in the range of about 10 microns to 40 microns (μm), and so forth. Is sized to provide one or more selected sizes of the plurality of diodes 155 obtained as In another exemplary embodiment, diode 155 is similarly, but not limited to, in the range of about 25 microns to 40 microns (μm). Due to the novel manufacturing methods herein, including the use of multiple substrate particle 120 suspensions and the use of deposition techniques such as printing, the use of such small substrate sizes and diode sizes is possible, thereby It is possible to treat the substrate particles as a group without requiring individual placement of each particle 120. Furthermore, as will be explained later and in more detail, the very small size of the resulting diode 155 is particularly advantageous, increasing the amount of (pn) junctions relative to the amount of substrate material and the light output ( The efficiency of conversion of light into electrical energy (in the case of LED applications) (in the case of photovoltaic applications) can be further improved.

様々な例示的な実施形態では、複数の基板粒子120は、実質的に球形、実質的に環状(又はリンク)形状、円柱又はロッド形状等、1つ又は複数の選択された周波数での光共振を促進するか又は生成する形状を有するように選択又は設計され、それらを、本明細書では、実質的に光学的「共振」型ダイオード155及び/又は半導体若しくは基板粒子120と個々に及びまとめて呼ぶ。さらに、複数の基板粒子120を、後により詳細に説明するように、複数のレンズ150とのモード結合を容易にすることができる形状を有するように選択又は設計することもできる。   In various exemplary embodiments, the plurality of substrate particles 120 are optically resonant at one or more selected frequencies, such as substantially spherical, substantially annular (or link), cylindrical, or rod-shaped. Are selected or designed to have shapes that promote or generate, which are herein individually and collectively with substantially optical “resonant” diodes 155 and / or semiconductor or substrate particles 120. Call. Furthermore, the plurality of substrate particles 120 can be selected or designed to have a shape that can facilitate mode coupling with the plurality of lenses 150, as will be described in more detail later.

他の例示的な実施形態では、複数の基板粒子120は、限定ではなく例として、図26〜図31に示すように、ファセット状、長円形(楕円形)、実質的に矩形、実質的に平坦、又は実質的に不規則若しくは非球形等、他の形状及び形態を有することができる。例えば、ファセット状の基板粒子120は、発光に有用である可能性がある。同様に例えば、従来技術による従来のダイオードの形状及びサイズ等、実質的に矩形な又は実質的に平坦な基板粒子120を、選択された例示的な実施形態で利用することもできる。さらに、複数の基板粒子120は、光又は他の電磁(EM)波の複数の波長での放出、吸収又は光共振を提供する等のために、種々のサイズを利用して、無数のサイズ及び形状のうちのいずれを有することもできる。限定ではなく例として定ではなく、例示的な実施形態では、基板粒子120は、実質的に球形であり(所定公差内)、約10ミクロン〜40ミクロンの範囲であり、場合によっては約25ミクロン〜40ミクロン又は25ミクロン〜30ミクロンの範囲である。例示的な実施形態では、1つ又は複数の第1の導体110との対応するオーミックコンタクトを形成するのを容易にするために、p又はp+(同様にP又はP+とも呼ぶ)半導体であるように(例えばボロン又は別の元素により)ドープしたシリコン、GaAs又はGaNが利用される。他の実施形態では、n又はn+(同様にN又はN+とも呼ぶ)ドーパントレベルを利用することもできる。   In other exemplary embodiments, the plurality of substrate particles 120 are, by way of example and not limitation, faceted, oval (elliptical), substantially rectangular, substantially, as shown in FIGS. It can have other shapes and forms, such as flat or substantially irregular or non-spherical. For example, faceted substrate particles 120 may be useful for light emission. Similarly, substantially rectangular or substantially flat substrate particles 120, such as, for example, the shape and size of conventional diodes according to the prior art, may be utilized in selected exemplary embodiments. Further, the plurality of substrate particles 120 may be utilized in a myriad of sizes, such as to provide emission, absorption or optical resonance at multiple wavelengths of light or other electromagnetic (EM) waves, etc. It can have any of the shapes. By way of example, and not by way of limitation, in an exemplary embodiment, the substrate particles 120 are substantially spherical (within a given tolerance), range from about 10 microns to 40 microns, and in some cases about 25 microns. It is in the range of ~ 40 microns or 25 microns to 30 microns. In an exemplary embodiment, to facilitate forming a corresponding ohmic contact with one or more first conductors 110, it may be a p or p + (also referred to as P or P +) semiconductor. (Eg, boron or another element) doped silicon, GaAs or GaN. In other embodiments, n or n + (also referred to as N or N +) dopant levels may be utilized.

特に重要なことには、複数の基板粒子120は、キャリア(懸濁媒体)内に懸濁させる以外に、複数のキャビティ、チャネル又は溝105内の1つ又は複数の第1の導体110の上に堆積させる前にいかなる処理も必要としない、ということに留意するべきである。例えば、複数の基板粒子120は、従来技術とは著しく対照的に、該基板粒子120の形状を変化させるか又は内側部分を露出させるいかなる機械加工も不要である。   Of particular importance, in addition to suspending in a carrier (suspension medium), the plurality of substrate particles 120 is overlying one or more first conductors 110 in a plurality of cavities, channels or grooves 105. It should be noted that no treatment is required prior to deposition. For example, the plurality of substrate particles 120 do not require any machining to change the shape of the substrate particles 120 or expose the inner portion, in sharp contrast to the prior art.

さらに、装置(200、300、400、500、600及び/又は700)を作製するプロセスにおけるこの時点で、複数の基板粒子120は実質的に等方性であり、(複数のキャビティ、チャネル又は溝105内の)1つ又は複数の第1の導体110の上にそれらの基板粒子120を堆積させる間又はその前にいかなる方向付けもなくかつ不要である。むしろ、また従来技術とは著しく対照的に、基板(例えば半導体)材料の向き又は相違は、後に、複数の基板粒子120がin situでダイオードに形成されるときにもたらされ、装置200、300、400、500、600、700の製造及び作製中にすでに適所に固定されている基板(例えば半導体)粒子120内に、対応するpn(又は等価な)接合が後に形成される。   Furthermore, at this point in the process of making the device (200, 300, 400, 500, 600 and / or 700), the plurality of substrate particles 120 are substantially isotropic (multiple cavities, channels or grooves). No orientation or need during or before the deposition of the substrate particles 120 on the one or more first conductors 110 (in 105). Rather, and in marked contrast to the prior art, the orientation or difference of the substrate (eg, semiconductor) material is later introduced when a plurality of substrate particles 120 are formed into the diode in situ, and the devices 200, 300 , 400, 500, 600, 700, a corresponding pn (or equivalent) junction is subsequently formed in substrate (eg, semiconductor) particles 120 that are already fixed in place.

任意選択として、複数の基板粒子120と1つ又は複数の第1の導体110との間に十分なオーミックコンタクトを生成することができれば、複数の基板粒子120のためのキャリア又は懸濁材料は、絶縁(又は誘電体)バインダー又は他のポリマーを含むこともでき、それらを、複数の第1の導体110と後述する複数の第2の導体140との間に電気的絶縁を提供するのに十分な妥当に高い誘電率を有する任意の硬化性化合物で構成することができる。後により詳細に説明するように、多種多様の誘電体化合物を利用することができ、それらのあらゆるもの(any and all of which)が本発明の範囲内にあり、それらを、懸濁液体、半液体又はゲルキャリアの一部又は全てを形成するために、例えば空気硬化性、熱硬化性若しくはuv硬化性のバインダー又は他のポリマー内に含めることができる。   Optionally, if sufficient ohmic contact can be created between the plurality of substrate particles 120 and the one or more first conductors 110, the carrier or suspension material for the plurality of substrate particles 120 is Insulating (or dielectric) binders or other polymers can also be included, which are sufficient to provide electrical insulation between the plurality of first conductors 110 and the plurality of second conductors 140 described below. It can be composed of any curable compound having a reasonably high dielectric constant. A wide variety of dielectric compounds can be utilized, and any and all of which are within the scope of the present invention, as described in more detail below, To form part or all of the liquid or gel carrier, it can be included, for example, in an air curable, heat curable or uv curable binder or other polymer.

当業者はまた、様々な除去可能又はエッチング可能な化合物も利用することができることを理解するであろう。例えば、複数の基板粒子120を、複数の第1の導体110内に埋め込むか又はそれらと十分に電気的に接触させ、続いて硬化させると、懸濁材料又はバインダーの全て又は一部を、酸又はイオンエッチングプロセス等により除去することができる。こうしたエッチング又は洗浄プロセスはまた、1つ又は複数の第2の導体140との電気的接触の後の形成等、複数の半導体球形粒子120との更なる電気的接触を提供するのを容易にすることもできる。   One skilled in the art will also appreciate that a variety of removable or etchable compounds can also be utilized. For example, when the plurality of substrate particles 120 are embedded in or in sufficient electrical contact with the plurality of first conductors 110 and subsequently cured, all or a portion of the suspended material or binder is acidified. Alternatively, it can be removed by an ion etching process or the like. Such an etching or cleaning process also facilitates providing further electrical contact with the plurality of semiconductor spherical particles 120, such as subsequent formation with electrical contact with the one or more second conductors 140. You can also.

別の変形形態では、基板粒子120は、有機溶剤又は無機溶剤等のキャリア内に懸濁している。そして、キャリアは、熱、空気を施すか又は蒸発を促進する他の方法等により、蒸発することができ、複数の基板粒子120は、(上述したような)溶解剤若しくは反応剤の使用、圧力、レーザー、uv若しくは熱によるアニーリング若しくは合金化、又は何らかの形態のエネルギーの別の付与等により、1つ又は複数の第1の導体110に接合される。したがって、複数の基板粒子120と1つ又は複数の第1の導体110との電気的結合を、複数の方法のいずれにおいて行うこともでき、それらのあらゆるものが特許請求される本発明の範囲内にある。限定ではなく例として、こうした結合を、限定ではなく例として、1つ又は複数の第1の導体110内に複数の基板粒子120を部分的に埋め込むことにより(1つ又は複数の第1の導体110を形成する導電性インク又はポリマーが、複数の基板粒子120を堆積させる前に未硬化であるか若しくは部分的に硬化した場合、又は基板粒子堆積プロセス中に反応性懸濁剤を用いて溶解又は再湿潤した場合等)、又は圧縮及び硬化に続いて電気的接続をもたらす異方性導電性ポリマーを用いることにより、接合、圧力、レーザー、UV又は熱によるアニーリング又は合金化によって行うことができる。例示的な実施形態では、基板粒子120は、基部100の組成等に応じて、約350℃〜450℃での、又はデバイスの他の部分に悪影響を与えることなく所望の若しくは選択された程度のオーミックコンタクト(複数の場合もあり)を形成するのに十分な任意のより低温での熱アニーリングにより、1つ又は複数のアルミニウムベースの第1の導体110とともに又は該第1の導体110にアニールされる。   In another variation, the substrate particles 120 are suspended in a carrier such as an organic or inorganic solvent. The carrier can then evaporate, such as by applying heat, air, or other methods that facilitate evaporation, and the plurality of substrate particles 120 can be used with a solubilizer or reactant (as described above), pressure , Laser, uv or heat annealing or alloying, or some other application of energy, etc. to be joined to one or more first conductors 110. Accordingly, electrical coupling between the plurality of substrate particles 120 and the one or more first conductors 110 can be performed in any of a plurality of ways, all of which are within the scope of the claimed invention. It is in. By way of example and not limitation, such coupling is illustrated by way of example and not limitation by partially embedding a plurality of substrate particles 120 within one or more first conductors 110 (one or more first conductors). When the conductive ink or polymer forming 110 is uncured or partially cured prior to depositing the plurality of substrate particles 120, or dissolved using a reactive suspending agent during the substrate particle deposition process Or when rewet, or by using anisotropic conductive polymers that provide electrical connection following compression and curing, by bonding, pressure, laser, UV or thermal annealing or alloying. . In an exemplary embodiment, substrate particles 120 may be in a desired or selected degree at about 350 ° C. to 450 ° C. or without adversely affecting other parts of the device, depending on the composition of base 100 and the like. Annealed with or to one or more aluminum-based first conductors 110 by any lower temperature thermal annealing sufficient to form ohmic contact (s). The

図13は、本発明の教示による装置の実施形態を形成する例示的な方法における任意選択のステップに対して、複数の基板粒子120が圧縮ローラー195を通過している第5の例示的な基部100Dの側面図である。こうした例示的な実施形態では、複数の第1の導体110は、液体、ゲル又は部分的に硬化した形態のままである可能性がある。複数の基板粒子120の堆積に続き、半導体粒子120と第1の導体110との間のオーミックコンタクト(265)の形成を促進するために、こうした圧縮ローラー195、又は複数の第1の導体110内で若しくは該導体110に接して複数の基板粒子120に圧力を加えるか若しくは該基板粒子120を固定させる他の任意の手段を通るように、複数の第1の導体110及び複数の基板粒子120を有する基部100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G及び/又は100Hを移動させること等により、複数の基板粒子120を、未硬化の又は部分的に硬化した複数の第1の導体110内に押圧することができる。   FIG. 13 illustrates a fifth exemplary base with a plurality of substrate particles 120 passing through a compression roller 195 for optional steps in an exemplary method of forming an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. It is a side view of 100D. In such exemplary embodiments, the plurality of first conductors 110 may remain in a liquid, gel or partially cured form. Following the deposition of the plurality of substrate particles 120, in such a compression roller 195, or in the plurality of first conductors 110, to facilitate the formation of an ohmic contact (265) between the semiconductor particles 120 and the first conductor 110. The plurality of first conductors 110 and the plurality of substrate particles 120 may be passed through or any other means that applies pressure to the substrate particles 120 in contact with the conductor 110 or fixes the substrate particles 120. A plurality of first conductors in which a plurality of substrate particles 120 are uncured or partially cured, such as by moving bases 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F, 100G and / or 100H. 110 can be pressed.

図14は、本発明の教示による装置の実施形態の、接合275が形成されそれによりダイオード155を備える、複数の第1の導体110及び複数の基板粒子120を備えた第5の例示的な基部100Dの(40−40’平面を通る)断面図である。半導体基板粒子120の場合、接合275は概してpn(又はPN)接合275である一方、有機基板粒子又はポリマー基板粒子120の場合、接合275は、限定ではなく例として、OLED又はPLEDを生成するために利用される有機層又はポリマー層の間の接合とみなすことができる。例として、第1の多数キャリア(例えばp+又はn+)を有する半導体を備えている複数の基板粒子120の場合、第2の多数キャリア(例えば対応してn+又はp+)を有する層又は領域255が生成され、接合275を形成する。印刷プロセスの一部として、p又はp+半導体基板タイプの場合、キャリア又はバインダー内のリン又は三価リン及びシリコン等、n型ドーパントが、インク又はポリマー等の液体、半液体、ゲル又は膜形態で複数の基板粒子120の第1の部分又は上方部分に堆積し、加熱され、又はレーザーエネルギーが施されるか若しくは別の形態の硬化、アニーリング又は合金化が施され、それにより、n型ドーパント又はn型材料が十分な程度まで複数の基板粒子120の上方部分内に拡散するか又はそれに接合して浸透層又は浸透領域255を形成し、この浸透層又は浸透領域255は、この場合、p型半導体基板粒子120との対応する接合275(この場合はpn接合275)を画定するn型浸透層又は浸透領域255である。例示的な実施形態では、(n型)浸透層又は浸透領域255(及び対応するpn接合275)は、n型層255(及び対応するpn接合275)が通常、外側コーティング260のレベルの僅かに下方に延在して、複数の基板粒子120が実質的に球形である場合の半球形殻形状等、実質的に湾曲した殻形状であり、実質的に平面かつ平坦なpn接合又は半導体基板のウェル内の実質的に平面かつ平坦なpn接合を有している通常の従来技術によるダイオードとは、著しく対照的である。反対に、p型浸透層又は浸透領域255は、n型半導体粒子120内に形成することができ、均等でありかつ同様に本発明の範囲内にあるとみなされる。同様に例示的な実施形態では、リン等のn型ドーパントは、比較的揮発性のキャリア又はバインダー内に懸濁し、そのキャリア又はバインダーは、後にレーザーエネルギーを印加する際に放散する。高速なレーザーパルスが利用されるか、又は複数の基板粒子120の第1の部分又は上部分に(最大15分〜30分まで10分の数秒とすることができる期間に、800℃〜1200℃で、タングステン加熱素子若しくはバー又はuvランプ等を用いて)熱が加えられ、それにより、熱は、装置の他の部分に悪影響を与えることなく迅速に放散する。例示的な実施形態では、装置の残りの部分が、堆積したドーパント材料に晒されないように、又は堆積したドーパント材料がそれらの領域に付着しないように、レジストを用いることもできる。さらに、上述したように、様々な表面特性(湿潤性等)を調整することもできる。   FIG. 14 shows a fifth exemplary base with a plurality of first conductors 110 and a plurality of substrate particles 120 of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention, with a junction 275 formed thereby comprising a diode 155. FIG. 100D is a cross-sectional view (through the 40-40 ′ plane) of 100D. In the case of semiconductor substrate particles 120, junction 275 is generally a pn (or PN) junction 275, whereas in the case of organic substrate particles or polymer substrate particles 120, junction 275 is, for example and not limitation, to produce an OLED or PLED. It can be regarded as a bond between the organic layer or the polymer layer used in the above. As an example, in the case of a plurality of substrate particles 120 comprising a semiconductor having a first majority carrier (eg, p + or n +), the layer or region 255 having a second majority carrier (eg, correspondingly n + or p +) To form a bond 275. As part of the printing process, for p or p + semiconductor substrate types, n-type dopants such as phosphorus or trivalent phosphorus and silicon in a carrier or binder are in liquid, semi-liquid, gel or film form such as ink or polymer Deposited on the first or upper portion of the plurality of substrate particles 120, heated, or subjected to laser energy or another form of curing, annealing or alloying, thereby providing an n-type dopant or The n-type material diffuses into or joins to the upper portion of the plurality of substrate particles 120 to a sufficient extent to form a permeation layer or permeation region 255, which in this case is p-type. An n-type permeation layer or permeation region 255 that defines a corresponding junction 275 (in this case a pn junction 275) with the semiconductor substrate particle 120. In an exemplary embodiment, the (n-type) permeation layer or permeation region 255 (and corresponding pn junction 275) is slightly less than the level of the outer coating 260 where the n-type layer 255 (and corresponding pn junction 275) is typically. A substantially curved shell shape, such as a hemispherical shell shape when the plurality of substrate particles 120 are substantially spherical, extending downward, and substantially planar and flat pn junction or semiconductor substrate In stark contrast to conventional prior art diodes having a substantially planar and flat pn junction in the well. Conversely, a p-type permeation layer or permeation region 255 can be formed in the n-type semiconductor particles 120 and is considered equivalent and similarly within the scope of the present invention. Similarly, in an exemplary embodiment, an n-type dopant, such as phosphorus, is suspended in a relatively volatile carrier or binder that dissipates upon subsequent application of laser energy. High-speed laser pulses are used, or 800 ° C. to 1200 ° C. in the first part or the upper part of the plurality of substrate particles 120 (for a period of time that can be up to 15 minutes to 30 minutes and several minutes of 10 minutes) Heat (such as with a tungsten heating element or bar or uv lamp) is applied so that the heat is quickly dissipated without adversely affecting other parts of the device. In an exemplary embodiment, resist may be used so that the rest of the device is not exposed to the deposited dopant material or the deposited dopant material does not adhere to those regions. Furthermore, as described above, various surface characteristics (wetting properties, etc.) can be adjusted.

別の例示的な実施形態では、こうしたn型ドーピングを提供するために、様々な「スピンオン」材料を、スピニング加工、噴霧又は印刷によって堆積させることができる。こうした実施形態では、限定ではなく例としてリン、ヒ素又はアンチモンをドープしたガラスの膜が、シリコン粒子等の複数の基板粒子120の表面に堆積し、加熱されて、(図15に示すように)基板粒子120の上に更なる層(及び基板粒子120との界面においてpn接合)を形成するか、又はこの膜から複数の半導体(シリコン)粒子120内に拡散を引き起こす。例示的なn型ドーパント又はスピンオン材料には、限定ではなく例として、Emulsitone Emitter Diffusion Source N-250、埋込層用のArsenosilicafilm及びAntimonysilicafilm、Phosphorosilicafilm5×1020並びに太陽電池用のPhosphorofilm等、米国ニュージャージー州ホイッパニーのEmulsitone Companyから入手可能なドーパントが含まれる。これらの例示的なドーパント又はスピンオン材料は堆積され、Emulsiton Emitter Diffusion Source N-250の場合等、用途及びドーパントに応じて、最初に150℃〜200℃まで15分間加熱して膜を硬化させ、それに続き、15分間〜30分間800℃〜1200℃、又は所望の若しくは選択された特性(所望の浸透深さ等)の程度で、200℃〜300℃以下の温度等、その製造のその時点におけるデバイスの他の部分に悪影響を与えることなく、接合275及び/若しくは層若しくは領域255を形成することができる任意のより低温で加熱することができる。 In another exemplary embodiment, various “spin-on” materials can be deposited by spinning, spraying, or printing to provide such n-type doping. In such embodiments, by way of example and not limitation, a glass film doped with phosphorus, arsenic or antimony is deposited on the surface of a plurality of substrate particles 120, such as silicon particles, and heated (as shown in FIG. 15). A further layer (and a pn junction at the interface with the substrate particle 120) is formed on the substrate particle 120 or causes diffusion from this film into the plurality of semiconductor (silicon) particles 120. Exemplary n-type dopants or spin-on materials include, but are not limited to, Emulsitone Emitter Diffusion Source N-250, Arsenosilicafilm and Antimonysilicafilm for buried layers, Phosphorosilicafilm 5 × 10 20 and Phosphorofilm for solar cells, New Jersey, USA Contains dopants available from Emulsitone Company of Whippany. These exemplary dopants or spin-on materials are deposited and first heated from 150 ° C. to 200 ° C. for 15 minutes to cure the film, depending on the application and dopant, such as in the case of Emulsiton Emitter Diffusion Source N-250. The device at that point in time of its manufacture, such as a temperature of 800 ° C. to 1200 ° C. for 15 minutes to 30 minutes, or a temperature of 200 ° C. to 300 ° C. or less at the desired or selected characteristics (such as the desired penetration depth). It can be heated at any lower temperature that can form the bond 275 and / or layer or region 255 without adversely affecting other portions of the device.

図15は、本発明の教示による装置の実施形態の、接合275も形成しそれによりダイオード155を備える、層又は領域255Aの堆積に続く、複数の第1の導体110及び複数の基板粒子120を備えた第5の例示的な基部100Dの断面図であり、同様に本発明の教示によるダイオード155のin situでの製造の別の変形を例示する役割を果たす。こうした例示的な実施形態に対し、ダイオード155は、接合275を形成するように基板粒子120に結合された層又は領域255Aを備えている。(図15は、斜視図には別個に示していない、1つ又は複数の絶縁体135及び層又は領域255Aの堆積に続く、図12の(40−40’平面を通る)断面図の変形とみなすこともできる。図15は、同様に斜視図には別個に示していない、層又は領域255Aの堆積に続く、図16の(50−50’平面を通る)断面図の変形とみなすこともできる。)   FIG. 15 illustrates a plurality of first conductors 110 and a plurality of substrate particles 120 following the deposition of a layer or region 255A that also forms a junction 275, thereby comprising a diode 155, in an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. FIG. 7B is a cross-sectional view of a fifth exemplary base 100D with which it serves to illustrate another variation of in-situ fabrication of diode 155 in accordance with the teachings of the present invention. For such exemplary embodiments, diode 155 includes a layer or region 255A coupled to substrate particle 120 to form junction 275. (FIG. 15 is a variation of the cross-sectional view (through the 40-40 ′ plane) of FIG. 12, following the deposition of one or more insulators 135 and layers or regions 255A, not separately shown in the perspective view. Figure 15 may also be considered a variation of the cross-sectional view (through the 50-50 'plane) of Figure 16 following the deposition of a layer or region 255A, which is also not separately shown in the perspective view. it can.)

図16及び図17を参照して後により詳細に説明するように、1つ又は複数の絶縁体(又は絶縁層)135を堆積させて、1つ又は複数の第2の導体140と1つ又は複数の第1の導体110との間に電気的絶縁を設けることができる。この例示的な実施形態の場合、複数の基板粒子120の堆積に続き、1つ又は複数の絶縁体(又は絶縁層)135を堆積させて、次いで層又は領域255Aを堆積させることができる。他の例示的な実施形態では、後述するように、ダイオード155のin situでの作製の後に1つ又は複数の絶縁体(又は絶縁層)135を堆積させることができる。   One or more insulators (or insulating layers) 135 are deposited to provide one or more second conductors 140 and one or more, as will be described in more detail below with reference to FIGS. Electrical insulation can be provided between the plurality of first conductors 110. For this exemplary embodiment, following the deposition of the plurality of substrate particles 120, one or more insulators (or insulating layers) 135 can be deposited, and then the layer or region 255A can be deposited. In other exemplary embodiments, one or more insulators (or insulating layers) 135 may be deposited after in situ fabrication of diode 155, as described below.

また一例として、第1の多数キャリア(例えばp+又はn+)を有する半導体を備えている複数の基板粒子120の場合、第2の多数キャリア(例えば対応してn+又はp+)を有する層又は領域255Aが作製され、接合275も形成される。半導体基板粒子120の場合、接合275は概してpn(又はPN)接合275であり、有機基板粒子又はポリマー基板粒子120の場合、接合275は、限定ではなく例としてOLED又はPLEDを作製するために利用される有機層又はポリマー層の間の接合とみなすことができる。第1の多数キャリアを有する半導体基板タイプ(例えばp+シリコン)の場合、プラズマ堆積又はスパッタリングを用いる等の、堆積プロセスの一部として、第2の多数キャリアを有する半導体材料(例えば、リンをドープしたシリコン等、n型ドーパント)が、複数の基板粒子120の第1の部分又は上方部分及び任意の1つ又は複数の絶縁体135の上に(その最上部に)堆積する。さらに、様々な実施形態では、第2の多数キャリアを有する半導体材料を第1の面(又は側)の上に堆積させ、複数の基板粒子120の第1の部分又は上方部分、1つ又は複数の絶縁体135及び***又は頂115(領域277として示す)を覆うことができる。対応する堆積した第2の多数キャリア(n型)半導体材料は、基板粒子120の上方部分との連続した結晶又は他の結合剤を形成する等、基板粒子120の各々を含む連続的な半導体本体を形成し、この場合は、第1の多数キャリア(p型)半導体基板粒子120との対応する接合275(この場合はpn接合275)を画定するn型層又は領域255Aである、堆積した層又は領域255Aを形成する。例示的な実施形態では、(n型)層又は領域255A(及び対応するpn接合275)が、基板粒子120の上の「キャップ」として形成され、複数の基板粒子120が実質的に球形である場合の半球形殻形状等、実質的に湾曲した殻形状でもあり、また、実質的に平面かつ平坦なpn接合又は半導体基板のウェル内の実質的に平面かつ平坦なpn接合を有する通常の従来技術によるダイオードとは著しく対照的である。別の実施形態では、第2の多数キャリア(n型)半導体材料が、絶縁体135及び***115も覆う層として堆積する場合、接合275はまた、基板粒子120との界面において「キャップ」としても形成され、複数の基板粒子120が実質的に球形である場合の半球形殻形状等、実質的に湾曲した殻形状でもある。逆に、第1の多数キャリア(p型)層又は領域255Aは、第2の多数キャリア(n型)半導体粒子120の上に形成することができ、均等であり、本発明の範囲内にあるとみなされる。1つ又は複数の絶縁体135の堆積及び層又は領域255Aの形成に続き、1つ又は複数の第2の導体140並びに他の特徴及び要素を後述するように(図18で開始し続く)堆積させることができる。この方法を用いて作製される例示的な装置700の実施形態を、図37〜図40を参照して例示し後述する。   Also by way of example, in the case of a plurality of substrate particles 120 comprising a semiconductor having a first majority carrier (eg, p + or n +), a layer or region 255A having a second majority carrier (eg, corresponding n + or p +). And a junction 275 is also formed. In the case of semiconductor substrate particles 120, junction 275 is generally a pn (or PN) junction 275, and in the case of organic substrate particles or polymer substrate particles 120, junction 275 is used to make an OLED or PLED by way of example and not limitation. Can be regarded as a bond between the organic layer or the polymer layer. In the case of a semiconductor substrate type having a first majority carrier (eg, p + silicon), a semiconductor material having a second majority carrier (eg, doped with phosphorous) as part of the deposition process, such as using plasma deposition or sputtering. An n-type dopant, such as silicon, is deposited on (on top of) the first or upper portion of the plurality of substrate particles 120 and any one or more insulators 135. Further, in various embodiments, a semiconductor material having a second majority carrier is deposited on a first surface (or side) to form a first portion or upper portion, one or more of the plurality of substrate particles 120. The insulator 135 and ridges or peaks 115 (shown as regions 277). A corresponding deposited second majority carrier (n-type) semiconductor material forms a continuous crystal or other binder with the upper portion of the substrate particles 120, etc., and a continuous semiconductor body comprising each of the substrate particles 120 A deposited layer, in this case an n-type layer or region 255A that defines a corresponding junction 275 (in this case a pn junction 275) with the first majority carrier (p-type) semiconductor substrate particle 120 Alternatively, the region 255A is formed. In the exemplary embodiment, an (n-type) layer or region 255A (and corresponding pn junction 275) is formed as a “cap” over the substrate particles 120, with the plurality of substrate particles 120 being substantially spherical. Conventional conventional having a substantially curved shell shape, such as a hemispherical shell shape, and also having a substantially planar and flat pn junction or a substantially planar and flat pn junction in the well of a semiconductor substrate This is in sharp contrast to technical diodes. In another embodiment, when the second majority carrier (n-type) semiconductor material is deposited as a layer that also covers insulator 135 and ridge 115, junction 275 may also be a “cap” at the interface with substrate particle 120. It is also a substantially curved shell shape, such as a hemispherical shell shape when formed and the plurality of substrate particles 120 are substantially spherical. Conversely, the first majority carrier (p-type) layer or region 255A can be formed on the second majority carrier (n-type) semiconductor particle 120 and is equivalent and within the scope of the present invention. Is considered. Following the deposition of one or more insulators 135 and the formation of the layer or region 255A, the deposition of one or more second conductors 140 and other features and elements as described below (starting with FIG. 18 and continuing). Can be made. An embodiment of an exemplary apparatus 700 made using this method is illustrated and described below with reference to FIGS.

例示的な実施形態では、層又は領域255Aを、数トルを有する真空チャンバーを用いる等、プラズマ堆積プロセスを用いて堆積させることができる。真空チャンバーは、限定ではなく例として全体的な印刷プロセスのモジュールであるプロセスチャンバーとすることができる。1つ又は複数の絶縁体135(後により詳細に説明する)の堆積の後、第1の側又は第1の面を、フッ素を含有する気体等により処理することができ、それにより、ドープしたシリコン等の半導体で構成される場合に複数の基板粒子120を僅かにエッチングすることができ、(例えばテフロン(登録商標)のような)比較的低い粘着特性を有する絶縁体135の表面を更に生成することができる。そして、プラズマ堆積プロセスは、第1の多数キャリア基板粒子120に付着するが、絶縁体135のフッ素化面には実質的に付着しない(かつ後に除去することができる)、シリコン等の半導体材料を堆積させ、堆積した半導体材料内に組み込まれ基板粒子120内に更に拡散することができる第2の多数キャリア(n型)を堆積させ、層又は領域255Aを形成する。そして、堆積した第2の多数キャリア(n型)ドープ半導体材料は、第1の多数キャリアを有する基板粒子120と密接に接触し、n+p接合等の接合275を有する連続的な半導体(例えばシリコン)本体を形成する。   In an exemplary embodiment, layer or region 255A can be deposited using a plasma deposition process, such as using a vacuum chamber having a few torr. The vacuum chamber may be a process chamber that is a module of the overall printing process, by way of example and not limitation. After the deposition of one or more insulators 135 (discussed in more detail below), the first side or first surface can be treated with a fluorine-containing gas or the like, thereby being doped. When composed of a semiconductor such as silicon, the plurality of substrate particles 120 can be slightly etched to further produce a surface of the insulator 135 having relatively low adhesion properties (eg, Teflon®). can do. The plasma deposition process then attaches a semiconductor material such as silicon that adheres to the first majority carrier substrate particle 120 but does not substantially adhere to the fluorinated surface of the insulator 135 (and can be removed later). A second majority carrier (n-type) that is deposited and incorporated into the deposited semiconductor material and that can be further diffused into the substrate particles 120 is deposited to form a layer or region 255A. The deposited second majority carrier (n-type) doped semiconductor material is then in intimate contact with the substrate particles 120 having the first majority carrier and a continuous semiconductor (eg, silicon) having a junction 275 such as an n + p junction. Form the body.

別の例示的な実施形態では、層又は領域255Aを、スパッタリングプロセスを用いて堆積させることができる。1つ又は複数の絶縁体135(後に更に詳細に説明する)の堆積後、第1の側又は面を、バックスパッタリングプロセス等を用いて洗浄するか又は処理することができる。そして、スパッタリングプロセスは、n+シリコン源からのリンをドープしたシリコン等、第2の多数キャリアをドープした半導体材料を堆積させ、この半導体材料は、第1の多数キャリア基板粒子120、絶縁体135及び***115に付着し、第2の多数キャリア(例えばn型)は、堆積した半導体材料内に組み込まれており、層又は領域255Aが形成される。そして、堆積した第2の多数キャリア(n型)ドープ半導体材料は、第1の多数キャリアを有する基板粒子120と密接に接触し、n+p接合等の接合275を有する連続的な半導体(例えばシリコン)本体を形成する。   In another exemplary embodiment, layer or region 255A can be deposited using a sputtering process. After the deposition of one or more insulators 135 (discussed in more detail below), the first side or surface can be cleaned or treated using a backsputtering process or the like. The sputtering process then deposits a second majority carrier doped semiconductor material, such as phosphorous doped silicon from an n + silicon source, the semiconductor material comprising first majority carrier substrate particles 120, insulator 135 and Adhering to the ridge 115, a second majority carrier (eg, n-type) is incorporated into the deposited semiconductor material to form a layer or region 255A. The deposited second majority carrier (n-type) doped semiconductor material is then in intimate contact with the substrate particles 120 having the first majority carrier and a continuous semiconductor (eg, silicon) having a junction 275 such as an n + p junction. Form the body.

例示的な実施形態では、プラズマ堆積プロセス及びスパッタプロセスの両方に対して、装置の残っている部分が堆積したドーパント材料に晒されないように、又は堆積したドーパント材料がそれらの領域に付着しないように、レジストを利用することもできる。さらに、上述したように、様々な表面特性(湿潤性等)も調整することができる。   In an exemplary embodiment, for both the plasma deposition process and the sputter process, the remaining portion of the apparatus is not exposed to the deposited dopant material or the deposited dopant material does not adhere to those regions. A resist can also be used. Furthermore, as described above, various surface characteristics (wetting properties, etc.) can also be adjusted.

図14及び図15をともに参照すると、様々な又は選択された例示的な実施形態では、(pn)接合275は、複数の基板粒子120の周囲の殻領域の様々なパーセンテージを含むことができる。例えば、複数の基板粒子120が実質的に球形である場合、対応する接合275を形成する浸透層又は浸透領域255によって覆われる表面領域の量に基づくパーセンテージを用いて、各実質的に半球形の殻形状(pn)接合275は、半導体粒子120の15パーセント〜60パーセントを含むことができ、他の例示的な実施形態では、殻形状のpn接合275は半導体粒子120の15パーセント〜55パーセントを含むことができ、実質的に球形の基板粒子120の様々な例示的な実施形態では、半導体粒子120の約又はおよそ20パーセント〜50パーセント又は30パーセント〜40パーセント(±幾分かのわずかなパーセンテージ(Δ))を含むことができる。これもまた、(pn)接合が最初に球形半導体全体を覆い、後に基板タイプのうちの1つを露出させるために微細加工が必要である、従来技術とは著しく対照的である。例えば、例示的な実施形態では、各ダイオード表面及び複数の実質的に球形のダイオードの実質的に全ての対応する浸透又は拡散領域(255、255A)の約15パーセント〜55パーセントは、第2の多数キャリア(第2のドーパントタイプ)(n型又はp型)を有し(すなわち、各ダイオード155の第1の主に上方の面の一部、大部分又は全てにわたって第2のドーパントタイプを有し、ダイオードの第2の下方の面に対して第2のドーパントタイプの幾分かの更なる拡散の可能性がある)、残っているダイオード面及び内部は第1の多数キャリア(又は第1のドーパントタイプ)(p型又はn型)を有し(すなわち、各ダイオードの第2の下方の面の大部分、一部又は全てが、堆積した第2のドーパントタイプ及び対応する拡散によって覆われていない元の基板を含む)、pn接合が、こうした実質的に球形のダイオードの各々内に対応して形成されている。   Referring to FIGS. 14 and 15 together, in various or selected exemplary embodiments, the (pn) junction 275 can include various percentages of the shell region around the plurality of substrate particles 120. For example, if the plurality of substrate particles 120 are substantially spherical, each percentage is substantially hemispherical using a percentage based on the amount of surface area covered by the permeation layer or permeation area 255 that forms the corresponding bond 275. The shell-shaped (pn) junction 275 can comprise 15 percent to 60 percent of the semiconductor particles 120, and in other exemplary embodiments, the shell-shaped pn junction 275 represents 15 percent to 55 percent of the semiconductor particles 120. In various exemplary embodiments of substantially spherical substrate particles 120 that can be included, about or approximately 20 percent to 50 percent or 30 percent to 40 percent (± some minor percentage) of the semiconductor particles 120. (Δ)). This is also in stark contrast to the prior art where the (pn) junction first covers the entire spherical semiconductor and later requires microfabrication to expose one of the substrate types. For example, in the exemplary embodiment, about 15 percent to 55 percent of each diode surface and substantially all corresponding permeation or diffusion regions (255, 255A) of the plurality of substantially spherical diodes are the second Have a majority carrier (second dopant type) (n-type or p-type) (ie, have a second dopant type over part, most or all of the first primarily upper surface of each diode 155). However, there may be some further diffusion of the second dopant type with respect to the second lower face of the diode, the remaining diode face and the interior are the first majority carriers (or the first (Ie, dopant type) (p-type or n-type) (ie, most, some or all of the second lower surface of each diode has a deposited second dopant type and corresponding diffusion). Containing the original substrate not covered I), pn junctions are formed in correspondence to the each such substantially spherical diode.

(n型)浸透層又は浸透領域255は、半導体基板粒子120を完全には取り囲まないため、同様に従来技術とは対照的に、p型領域を露出させる更なる処理は不要である。したがって、p型(又はn型)領域とのオーミックコンタクトを、内部の凹状領域を微細加工して露出させる必要なしに、半導体基板粒子120の変更されていない非凹状の外部に直接作製することができる。さらに、結果として得られるダイオード155はin situで生成されているため、pn接合の位置合せも方向付けられたダイオードの配置も不要であり、例示的な装置200、300、400、500、600及び/又は700内の適所でダイオード155を製造する新規な方法により、適切な位置合せ及び配置が自動的に行われる。さらに、基板粒子120と1つ又は複数の第1の導体110とのオーミックコンタクトは、同様に通常の半導体製造技法とは著しく対照的に、ダイオード155の形成の前に生成されている。したがって、ダイオード155内に接合275が生成されており、該接合275は、実質的に湾曲した殻形状(例示的な実施形態では実質的に半球形の殻形状又はキャップ形状)であり、「露出した」半導体基板(例えば、導体に接合されるか又は接合するのに利用できるp型領域)と、例示的な実施形態では、少なくとも部分的に1つ又は複数の第1の導体110にすでに結合されている、露出した実質的に半球形状の半導体基板とを更に同時に又は並行して有している。言い換えれば、第1の導体110等の導体にすでに接合され、取り付けられ、又は他の方法で結合されている半導体基板粒子120において、実質的に湾曲した殻又はキャップ形状である(半導体基板粒子120の所定のパーセンテージを覆い、常に半導体基板粒子120全体を取り囲まない)(pn)接合275が作製されている。   Since the (n-type) permeation layer or permeation region 255 does not completely surround the semiconductor substrate particles 120, similarly, in contrast to the prior art, no further treatment to expose the p-type region is necessary. Accordingly, the ohmic contact with the p-type (or n-type) region can be directly formed on the non-recessed external portion of the semiconductor substrate particle 120 without the need to expose the inner concave region by microfabrication. it can. Further, since the resulting diode 155 is generated in situ, neither alignment of the pn junction nor orientation of the oriented diode is required, and the exemplary devices 200, 300, 400, 500, 600, and Appropriate alignment and placement is done automatically by a novel method of manufacturing the diode 155 in place within 700 /. Furthermore, the ohmic contact between the substrate particles 120 and the one or more first conductors 110 is also created prior to the formation of the diode 155, in sharp contrast to conventional semiconductor manufacturing techniques as well. Thus, a junction 275 has been created in the diode 155, which junction 275 has a substantially curved shell shape (in the exemplary embodiment, a substantially hemispherical shell shape or cap shape) A semiconductor substrate (e.g., a p-type region bonded to or available for bonding to a conductor) and, in the exemplary embodiment, at least partially coupled to one or more first conductors 110 already And an exposed substantially hemispherical semiconductor substrate that is simultaneously or in parallel. In other words, the semiconductor substrate particles 120 that are already joined, attached, or otherwise coupled to a conductor, such as the first conductor 110, are substantially curved shells or cap shapes (semiconductor substrate particles 120). (Pn) junction 275 has been made that does not always surround the entire semiconductor substrate particle 120.

(領域若しくは層255又は255Aのいずれかとともに)ダイオード155を作製することに続き、プラズマ堆積プロセス等を用いて、不動態化層又はパッシベーション層を形成することができ、ダイオード155上に比較的強靭かつ耐久性のあるコーティングが生成され、それを様々な実施形態において可撓性とすることもできる。例えば、プラズマ堆積を利用することができる。   Following fabrication of diode 155 (with either region or layer 255 or 255A), a passivation or passivation layer can be formed, such as using a plasma deposition process, and is relatively robust on diode 155. And a durable coating is produced, which can be flexible in various embodiments. For example, plasma deposition can be utilized.

様々な例示的な実施形態では、上述したように、複数の基板粒子120は、結果として得られるダイオード155等、結果として得られる複数のダイオード155の1つ又は複数の選択されたサイズを例えば約10ミクロン〜40ミクロン又は25ミクロン〜40ミクロン(μm)の範囲内で提供するようにサイズ決めされる。結果として得られるダイオード155がこのように非常に小さいサイズであることは、特に有利であり、基板材料の量あたりの(pn)接合275の量を増大させることができ、中でも、光出力(LED用途の場合)又は光の電気エネルギーへの変換(光起電力用途の場合)の効率を向上させることができる。   In various exemplary embodiments, as described above, the plurality of substrate particles 120 may have one or more selected sizes of the resulting plurality of diodes 155, such as the resulting diode 155, for example about It is sized to provide within the range of 10 microns to 40 microns or 25 microns to 40 microns (μm). It is particularly advantageous that the resulting diode 155 is such a very small size, which can increase the amount of (pn) junction 275 per amount of substrate material, among others, the light output (LED The efficiency of conversion of light into electrical energy (in the case of photovoltaic applications) can be improved.

さらに、光起電力用途の場合、複数の基板粒子120が実質的に球形である場合、形成されたpn接合275は、装置200、300、400、500、600、700の第1の部分又は上方部分の上の任意の対応する方向から来る入射光に概して完全に露出しているか又は露出する(場合によっては上記入射光に対して垂直である)ことも重要である。この更なる特徴により、多種多様の方向から来る光を、(基準枠として地面を用いて)太陽の移動又は位置を追尾するために太陽光パネルを移動させるか又は方向付ける、更なる従来技術の要件なしに、エネルギー生成に利用することができる。   Further, for photovoltaic applications, if the plurality of substrate particles 120 are substantially spherical, the pn junction 275 formed is a first portion of the device 200, 300, 400, 500, 600, 700 or above. It is also important that it is generally completely exposed or exposed (possibly perpendicular to the incident light) to incident light coming from any corresponding direction on the part. With this additional feature, a further prior art of moving or directing solar panels to track light coming from a wide variety of directions (using the ground as a reference frame) to move or position the sun It can be used for energy generation without requirements.

複数の基板粒子120が、有機又は無機の化合物及びポリマー(OLED又はPLEDに利用されるもの等)で構成される場合、更なる利用可能な変形形態がある。利用される化合物のタイプに応じて、OLEDを、単層、この場合は基板粒子120で構成することができ、そうである場合、層255の形成は不要である。他の多層OLEDの場合、層又は領域255の形成を、選択されたOLED及び/又はOLED層に利用される化合物及び/又はポリマーのコーティング、印刷又は他の付加によって達成することができ、層255はその結果対応するOLED層を含み、対応する層間接合(275)が形成される(例えばpn接合に相当するか又は等価である)(有機基板粒子もまた、同様に例えば後述するように、対応する(有機)ダイオード155になる)。多層OLEDの場合、このプロセスを繰り返して、複数の領域255を重ねて生成し、また、例示的な装置200、300、400、500、600、700の適所に、基板粒子120を導体(第1の導体110)に結合した後にOLEDを形成することができる。   When the plurality of substrate particles 120 are composed of organic or inorganic compounds and polymers (such as those used in OLEDs or PLEDs), there are further available variations. Depending on the type of compound utilized, the OLED can be composed of a single layer, in this case substrate particles 120, in which case the formation of layer 255 is not necessary. In the case of other multi-layer OLEDs, the formation of layer or region 255 can be achieved by coating, printing or other application of the compounds and / or polymers utilized for the selected OLED and / or OLED layer, and layer 255 Results in a corresponding OLED layer and a corresponding interlayer junction (275) is formed (e.g. corresponding to or equivalent to a pn junction). (Organic) diode 155). In the case of a multi-layer OLED, this process is repeated to produce a plurality of overlapping regions 255, and the substrate particles 120 are placed in place in the exemplary apparatus 200, 300, 400, 500, 600, 700 in the conductor (first The OLED can be formed after bonding to the conductor 110).

複数の基板粒子120の上に、in situでpn接合又は等価の接合を形成して、堆積したキャリア(ドーパント)及び/又はコーティングをこのように使用することにより、複数の基板粒子120はこのとき対応する複数のダイオード155に変化しており、光起電力(「PV」ダイオード)用途又は発光用途(発光ダイオード又は「LED」)等の任意のタイプ又は種類のダイオードとすることができる。言い換えれば、堆積するとき、基板粒子120はダイオードではなく、接合のない単なる基板粒子であり、それに続いて接合275が適所に形成される。   By forming a pn junction or equivalent junction in situ on the plurality of substrate particles 120 and thus using the deposited carrier (dopant) and / or coating in this way, the plurality of substrate particles 120 is then It has been changed to a corresponding plurality of diodes 155 and can be any type or kind of diode, such as a photovoltaic (“PV” diode) application or a light emitting application (light emitting diode or “LED”). In other words, when deposited, the substrate particles 120 are not diodes, but simply substrate particles without a junction, followed by the junction 275 being formed in place.

さらに、例示的な実施形態では、基板粒子120並びに対応するドーパント及びコーティングを、発光ダイオード(「LED」)を形成するために、赤色LEDの第1の行/キャビティ、緑色LEDの第2の第1の行/キャビティ、青色LEDの第3の第1の行/キャビティ、赤色LEDの第4の第1の行/キャビティ等を印刷すること等、異なって堆積させて、限定ではなく例として、色温度に対する制御が可能な発光装置を生成することができる。上述したように、ワイヤ又はリード等、接続部又は結合部を、導電性バックプレーン290なしに対応するビア280、285に接続することにより、対応する電圧又は電流の印加によりこうした行の個々の選択に対する能力を提供することができる。図20を参照して後により詳細に説明するように、LED用途の場合の1つ又は複数のタイプのリンのコーティング等、更なるコーティングを利用することもできる。   Further, in the exemplary embodiment, substrate particles 120 and corresponding dopants and coatings are used to form a first row / cavity of red LEDs, a second second of green LEDs to form a light emitting diode (“LED”). 1 row / cavity, 3rd first row / cavity of blue LED, 4th first row / cavity of red LED, etc., etc., deposited differently, by way of example and not limitation, A light emitting device capable of controlling the color temperature can be generated. As described above, by connecting connections or couplings, such as wires or leads, to corresponding vias 280, 285 without the conductive backplane 290, individual selection of these rows by application of corresponding voltages or currents. Can provide the ability to. Additional coatings may be utilized, such as coating one or more types of phosphorus for LED applications, as described in more detail below with reference to FIG.

図16は、本発明の教示による装置の実施形態の、複数の第1の導体110、複数のダイオード155及び複数の絶縁体135が堆積している例示的な基部100、100A、100B、100C、100Dの斜視図である。図17は、本発明の教示による装置の実施形態の、複数の第1の導体110、複数のダイオード155及び複数の絶縁体135が堆積している、第5の例示的な基部100Dの(50−50’平面を通る)断面図である。任意選択として、絶縁材料が、複数の第2の導体140又は単一の第2の導体140(例えば第2の導電層)の堆積の前に、印刷プロセス又はコーティングプロセス等により、複数のダイオード155の第1の(最上又は上方)部分の周辺又は横部分の上に堆積し、対応する複数の絶縁体135を形成しているか、又は単一の連続的な絶縁層として(図34、図35及び図36を参照して後に例示し説明するように)堆積されてもよい。任意選択の絶縁体135は、第2の導体140とダイオード155の第2の又は下方(この場合はp型)部分との間の接触の防止を助けるのに利用することができる。さらに、例示的な実施形態では、十分なダイオード155が、1つ又は複数の第2の導体140と接触するために、かつ発光又は光吸収のためにダイオード155の第1の上方部分を露出させるために露出したままであれば、絶縁体135を層として堆積させることができる。図15を参照して上述したように、1つ又は複数の絶縁体135もまた、ダイオード155の生成の前に堆積させることができる。   FIG. 16 illustrates exemplary bases 100, 100A, 100B, 100C on which a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, and a plurality of insulators 135 are deposited, in an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. It is a perspective view of 100D. FIG. 17 illustrates a fifth exemplary base 100D (50) having a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, and a plurality of insulators 135 deposited thereon in an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. Optionally, the insulating material is formed of a plurality of diodes 155, such as by a printing process or a coating process, prior to the deposition of a plurality of second conductors 140 or a single second conductor 140 (eg, a second conductive layer). Of the first (top or upper) portion of the substrate, forming a corresponding plurality of insulators 135 or as a single continuous insulating layer (FIGS. 34, 35). And may be deposited (as illustrated and described later with reference to FIG. 36). An optional insulator 135 can be utilized to help prevent contact between the second conductor 140 and the second or lower (in this case p-type) portion of the diode 155. Further, in the exemplary embodiment, sufficient diode 155 exposes the first upper portion of diode 155 to contact one or more second conductors 140 and to emit or absorb light. Therefore, the insulator 135 can be deposited as a layer if left exposed. As described above with reference to FIG. 15, one or more insulators 135 may also be deposited prior to the generation of diode 155.

さらに、上述したように、また後述するように、複数の絶縁体135は、限定ではなく例として光開始剤を有する高分子媒体内に懸濁している無機誘電体粒子等、様々な媒体のいずれかの中に懸濁している絶縁体化合物又は誘電体化合物のいずれかで構成することができる。図示する実施形態では、uv硬化性ポリマーバインダー等、光開始剤を有するポリマー性媒体内に懸濁している無機誘電体粒子の1つ又は複数の誘電体懸濁液が、複数の基板粒子120とは別個に又はそれに加えて堆積して、1つ又は複数の絶縁体135を形成する。絶縁(又は誘電性)懸濁液を形成するのに利用される例示的な誘電体化合物には、限定ではなく例として、脱イオン水、ジエチレングリコール、イソプロパノール、ブタノール、エタノール、PMアセテート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)、二塩基酸エステル(例えばInvista、DBE−9)等の溶媒又はポリマー内に懸濁している有機又は無機の誘電体粒子(例えば、粉末又は他の粒子形態のチタン酸バリウム、二酸化チタン等);ポリビニルアルコール(「PVA」)、ポリビニルブチラール(「PVB」)、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール等の水溶性樹脂;並びに例えばオクタノール及びEmerald Performance Materials Foamblast 339等の流動助剤又は界面活性剤が含まれる。他の例示的な実施形態では、1つ又は複数の絶縁体135は、脱イオン水に通常12パーセント未満のPVA又はPVBを含む等、ポリマー性とすることができる。絶縁(又は誘電性)懸濁液、ポリマー又はキャリアを形成するために利用される他の市販の例示的な誘電体化合物には、限定ではなく、(1)Conductive Compounds社のチタン酸バリウム誘電体、(2)DuPont社の5018A Clear UV Cure Ink、5018G Green UV Cure Ink、5018 Blue UV Cure Ink、7153 High K Dielectric Insulator及び8153 High K Dielectric Insulator、(3)SunPoly, Inc.の305D UV Curable誘電体インク及び308D UV Curable誘電体インク並びに(4)様々な供給業者の二酸化チタン充填UV硬化性インクが含まれる。   Further, as described above, and as will be described later, the plurality of insulators 135 may be any of various media such as, but not limited to, inorganic dielectric particles suspended in a polymer medium having a photoinitiator. It can be composed of either an insulator compound or a dielectric compound suspended in the container. In the illustrated embodiment, one or more dielectric suspensions of inorganic dielectric particles suspended in a polymeric medium having a photoinitiator, such as a uv curable polymer binder, are provided with a plurality of substrate particles 120. Are deposited separately or in addition to form one or more insulators 135. Exemplary dielectric compounds utilized to form the insulating (or dielectric) suspension include, but are not limited to, deionized water, diethylene glycol, isopropanol, butanol, ethanol, PM acetate (propylene glycol monomethyl) Ether acetate), dibasic acid esters (e.g. Invista, DBE-9) and other solvents or polymers suspended in organic or inorganic dielectric particles (e.g. powder or other particle forms of barium titanate, titanium dioxide) A water-soluble resin such as polyvinyl alcohol (“PVA”), polyvinyl butyral (“PVB”), polyvinyl pyrrolidone, polyethylene glycol; and flow aids such as octanol and Emerald Performance Materials Foamblast 339 The surfactant is included. In other exemplary embodiments, the one or more insulators 135 can be polymeric, such as including typically less than 12 percent PVA or PVB in deionized water. Other commercially available exemplary dielectric compounds utilized to form insulating (or dielectric) suspensions, polymers or carriers include, but are not limited to: (1) Barium titanate dielectrics from Conductive Compounds (2) DuPont 5018A Clear UV Cure Ink, 5018G Green UV Cure Ink, 5018 Blue UV Cure Ink, 7153 High K Insulator and 8153 High K Insulator D3 Inks and 308D UV Curable dielectric inks and (4) various suppliers of titanium dioxide filled UV curable inks.

図18は、本発明の教示による装置の実施形態の、複数の第1の導体110、複数のダイオード155、複数の絶縁体135及び複数の第2の導体140が堆積した例示的な基部100、100A、100B、100C、100Dの斜視図である。図19は、本発明の教示による装置の実施形態の、複数の第1の導体110、複数のダイオード155、複数の絶縁体135及び複数の第2の導体140が堆積した第5の例示的な基部100Dの(60−60’平面を通る)断面図である。   FIG. 18 illustrates an exemplary base 100 having a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, a plurality of insulators 135, and a plurality of second conductors 140 deposited in an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. It is a perspective view of 100A, 100B, 100C, 100D. FIG. 19 shows a fifth exemplary deposition of a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, a plurality of insulators 135, and a plurality of second conductors 140 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 48 is a cross-sectional view (through the 60-60 ′ plane) of the base 100D.

図18及び図19を参照すると、pn接合又は他の接合275の形成及び/又は複数の絶縁体135の堆積に続き、又は反対に、1つ又は複数の第2の導体140が(例えば、導電性インク、ポリマー又は他の金属等の導体を印刷することにより)堆積し、ダイオード155の第1の又は上方(この場合はn型)の浸透層又は浸透領域(255)の露出した部分又は非絶縁部分とのオーミックコンタクトを形成する。第2の導体140は、任意のタイプの上述した導体、導電性インク又はポリマーとすることもできるし、光学的に透過性の(すなわち透明な)導体とすることもできる。複数の第2の導体140として図示しているが、(図34、図35及び図36を参照して後に例示し説明するように)照明用途又は光起電力用途等に、単一の連続層(単一電極を形成する)として、光学的に透過性の第2の導体を堆積させることもできる。光学的に透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140は、(1)所定期間又は選択された期間、装置200、300、400、500、600、700の第1の部分又は上方部分からエネルギーを印加するか又は受け取るのに十分な導電率を有し、(2)可視スペクトルの部分に対する等、電磁放射の選択された波長(複数の場合もあり)に対して少なくとも所定の又は選択されたレベルの透明度又は透過性を有する、任意の化合物で構成することができる。例えば、本発明が照明用途又は光起電力用途に利用される場合、透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140が複数のダイオード155にエネルギーを提供するか又は複数のダイオード155からエネルギーを受け取る伝導時間又は速度は、他の用途の場合よりも比較的重要ではない。結果として、光学的に透過性又は非透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140を形成する材料の選択は、装置200、300、400、500、600、700の選択された用途に応じて、かつ任意選択の1つ又は複数の第3の導体145(後述する)利用に応じて異なる可能性がある。必要又は所望に応じてあらゆる選択された位置合せ又はレジストレーションのために適切な制御が提供されて、1つ又は複数の第2の導体140は、複数のダイオード155の露出したかつ/若しくは非絶縁の部分の上に、かつ/又は同様に複数の絶縁体135及び/若しくは***115のいずれかの上に、印刷又はコーティングの技術分野において既知であるか又は既知となる可能性がある印刷プロセス又はコーティングプロセス等を用いることにより堆積する。選択された実施形態と、第2の導体140が実質的に透明であるか否かとに応じて、図示するように、ダイオード155の周縁の側部又は縁の周囲等、複数のダイオード155及び/又は任意の複数の絶縁体135の露出部分の全て又は一部のみの上に、1つ又は複数の第2の導体140を堆積させることができる。   Referring to FIGS. 18 and 19, following formation of the pn junction or other junction 275 and / or deposition of the plurality of insulators 135, or conversely, one or more second conductors 140 (eg, conductive Deposited by printing a conductor such as a conductive ink, polymer or other metal) and exposed or non-exposed of the first or upper (in this case n-type) permeable layer or area (255) of the diode 155 An ohmic contact with the insulating portion is formed. The second conductor 140 can be any type of the above-described conductors, conductive inks or polymers, and can be an optically transmissive (ie, transparent) conductor. Although illustrated as a plurality of second conductors 140, a single continuous layer, such as for lighting or photovoltaic applications (as illustrated and described below with reference to FIGS. 34, 35 and 36). An optically transparent second conductor can also be deposited (to form a single electrode). The optically transmissive second conductor (s) 140 may be (1) a first portion of or above the device 200, 300, 400, 500, 600, 700 for a predetermined period or a selected period. Having sufficient conductivity to apply or receive energy from a portion, and (2) at least predetermined or at least for a selected wavelength (s) of electromagnetic radiation, such as for a portion of the visible spectrum, or It can be composed of any compound having a selected level of transparency or transparency. For example, when the present invention is utilized in lighting or photovoltaic applications, the transmissive second conductor (s) 140 provides energy to or from the plurality of diodes 155. The conduction time or speed at which energy is received is relatively less important than in other applications. As a result, the selection of the material that forms the optically transmissive or non-transmissive second conductor (s) 140 is the selected application of the apparatus 200, 300, 400, 500, 600, 700. And depending on the use of optional one or more third conductors 145 (described below). Appropriate control is provided for any selected alignment or registration as needed or desired, and the one or more second conductors 140 are exposed and / or non-isolated of the plurality of diodes 155. A printing process that is or may be known in the art of printing or coating, and / or on any of the plurality of insulators 135 and / or ridges 115 Deposit by using a coating process or the like. Depending on the selected embodiment and whether the second conductor 140 is substantially transparent, as shown, a plurality of diodes 155 and / or perimeter edges or perimeter edges of the diode 155 Alternatively, one or more second conductors 140 can be deposited over all or only some of the exposed portions of any of the plurality of insulators 135.

例示的な実施形態では、上述した導体に加えて、カーボンナノチューブ(CNT)、ポリエチレン−ジオキシチオフェン(例えばAGFA社のOrgacon)、ポリアニリン又はポリピロールポリマー、酸化インジウム錫(ITO)及び/又は酸化アンチモン錫(ATO)(ITO又はATOは、通常、上述した様々なバインダー、ポリマー又はキャリアのいずれかに粒子として懸濁している)を利用して、光学的に透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140を形成することができる。例示的な実施形態では、重合性アクリレート又は他の重合性化合物を含む(追加の界面活性剤をさらに含む場合もある)水溶性ヒドラジン等、重合性イオン液体に、カーボンナノチューブが懸濁しており、結果として得られる導体(110、140、145)は、(硬化した)アクリル樹脂、プラスチック又はポリマー内に懸濁しているカーボンナノチューブを含む。ITO及びATOは、可視光に対して十分な透明度を提供するが、それらのインピーダンス又は抵抗は比較的高く(例えば20kΩ)、電気的伝達に対して対応して比較的高い(すなわち低速な)時定数をもたらす。ポリエチレン−ジオキシチオフェン等、比較的インピーダンスの低い他の化合物を利用することもできる。結果として、例示的な実施形態のうちのいくつかでは、インピーダンス又は抵抗が比較的低い1つ又は複数の第3の導体145(図22、図24、図26、図27、図33、図41に示す)が、対応する透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140内に組み込まれているか、又は組み込むことができ、それにより、この層の全体的なインピーダンス又は抵抗を低減し、導電時間を縮小し、装置の応答性も向上させる。上述したように、フォームファクターがより大きい照明用途又は光起電力用途の場合、こうした1つ又は複数の第3の導体145を利用してより迅速な照明を提供することができ、本来、光学的に透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140で用いられるように選択することができる多くのタイプの化合物の導電が不十分であるために通電されず暗いままである可能性がある、照明されるべき領域のより中心部分の通電を可能にする。例えば、1つ又は複数の第3の導体145を形成するために、透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140の対応するストリップ又はワイヤの上に印刷された導電性インク又はポリマー(例えば、銀インク、CNT又はポリエチレン−ジオキシチオフェンポリマー)を使用して、1つ又は複数の微細なワイヤを形成することができ、又は、より大型のディスプレイにおいてより大型の単体の透明な第2の導体140の上に印刷された導電性インク又はポリマーを使用して1つ又は複数の(例えばグリッドパターンを有する)微細なワイヤを形成することができ、それにより、透明な第2の導体140を通して導電速度を上昇させることができる。このワイヤについては、関連する用途においてより詳細に説明する。こうした第3の導体145の使用は、様々な図面に例示し後に更に説明する。   In an exemplary embodiment, in addition to the conductors described above, carbon nanotubes (CNT), polyethylene-dioxythiophene (eg, AGgacon from AGFA), polyaniline or polypyrrole polymer, indium tin oxide (ITO) and / or antimony tin oxide. (ATO) (ITO or ATO is usually suspended as particles in any of the various binders, polymers or carriers described above) and is used as an optically transmissive second conductor (in the plurality of cases). 140) can be formed. In an exemplary embodiment, the carbon nanotubes are suspended in a polymerizable ionic liquid, such as a water-soluble hydrazine containing a polymerizable acrylate or other polymerizable compound (which may further include an additional surfactant), The resulting conductor (110, 140, 145) comprises carbon nanotubes suspended in (cured) acrylic, plastic or polymer. ITO and ATO provide sufficient transparency for visible light, but their impedance or resistance is relatively high (eg 20 kΩ) and correspondingly relatively high (ie slow) for electrical transmission. Yields a constant. Other compounds with relatively low impedance, such as polyethylene-dioxythiophene, can also be used. As a result, in some of the exemplary embodiments, one or more third conductors 145 (FIGS. 22, 24, 26, 27, 33, 41) having a relatively low impedance or resistance. Are incorporated in or can be incorporated into the corresponding transmissive second conductor (s) 140, thereby reducing the overall impedance or resistance of this layer. This reduces the conduction time and improves the responsiveness of the device. As described above, for lighting applications or photovoltaic applications with a larger form factor, such one or more third conductors 145 can be utilized to provide faster illumination and are inherently optical. Many types of compounds that can be selected to be used in the second transmissive second conductor (s) 140 may not be energized and remain dark due to insufficient conductivity. It allows energization of a more central part of the area to be illuminated. For example, a conductive ink or polymer printed on a corresponding strip or wire of transmissive second conductor (s) 140 to form one or more third conductors 145. (E.g., silver ink, CNT or polyethylene-dioxythiophene polymer) can be used to form one or more fine wires, or a larger, single, transparent first in a larger display. The conductive ink or polymer printed on the two conductors 140 can be used to form one or more fine wires (eg, having a grid pattern), thereby providing a transparent second conductor Through 140, the conduction velocity can be increased. This wire will be described in more detail in related applications. The use of such a third conductor 145 is illustrated in various figures and further described below.

実質的に光学的に透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140を形成するために等価に利用することができる他の化合物には、上述した酸化インジウム錫(ITO)と、商品名「Orgacon」で入手可能なポリエチレン−ジオキシチオフェン等の上述した導電性ポリマー並びに様々なカーボン及び/又はカーボンナノチューブベースの透明導体のうちの1つ又は複数を含む、本技術分野において現時点で既知であるか又は既知となる可能性がある他の透過性導体が含まれる。代表的な透過性導電性材料は、例えば、DuPontから、7162及び7164 ATO半透過性導体等が入手可能である。透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140は、紫外線への露光等(uv硬化性)、様々な条件下で硬化可能なバインダー等、上述したものを含む様々なバインダー、ポリマー又はキャリアと組み合わせることもできる。   Other compounds that can be used equivalently to form the substantially optically transmissive second conductor (s) 140 include indium tin oxide (ITO) described above, and commercial products Currently known in the art, including one or more of the aforementioned conductive polymers such as polyethylene-dioxythiophene available under the name “Orgacon” and various carbon and / or carbon nanotube based transparent conductors Or other transparent conductors that may be known. Exemplary transparent conductive materials are available from DuPont, such as 7162 and 7164 ATO translucent conductors. The transmissive second conductor (s) 140 may be a variety of binders, polymers or polymers including those described above, such as UV exposure (uv curable), binders curable under various conditions, etc. It can also be combined with a carrier.

再び図18及び図19を参照すると、第1の導体(複数の場合もあり)(110)及び第2の導体(複数の場合もあり)(140)が通電され、LED等の複数のダイオード155に電力が供給されると、可視スペクトルの光が放出される。したがって、結果として得られる装置200、300、400、500、600及び/又は700(対応して発光装置200A、300A、400A、500A、600A、700Aと呼ぶ)は、照明用途に対して、かつ静的ディスプレイ用途に対して特に有用性がある。同様に、複数のダイオード155が光起電力ダイオードである(対応して装置200B、300B、400B、500B、600B及び/又は700Bとも呼ぶ光起電力装置を形成する)場合、光に露出すると、1つ又は複数の第1の導体110及び1つ又は複数の第2の導体140の両端に電圧が発生する。1つ又は複数の第1の導体110がダイオード155と基部(100〜100H)との間に位置しているため、対応する電圧を、導電性バックプレーン290を介して、導電性ビア280又は285を介して、装置200、300、400、500、600及び/又は700の周縁の1つ又は複数の第1の導体110の露出した縁を介して、又はビア280、285若しくは導電体110に結合された他の任意の接続を介して、提供するか又は取得することができる。1つ又は複数の第2の導体140へのアクセスは、装置200、300、400、500、600の周縁の露出した縁を介して、又は装置200、300、400、500、600、700の第1の側又は上方側から行うこともできる。   Referring to FIGS. 18 and 19 again, the first conductor (s) (110) and the second conductor (s) (140) are energized, and a plurality of diodes 155 such as LEDs. When power is supplied to, light in the visible spectrum is emitted. Accordingly, the resulting devices 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700 (correspondingly referred to as light emitting devices 200A, 300A, 400A, 500A, 600A, 700A) are suitable for lighting applications and static. Especially useful for static display applications. Similarly, if the plurality of diodes 155 are photovoltaic diodes (correspondingly forming a photovoltaic device, also referred to as device 200B, 300B, 400B, 500B, 600B and / or 700B), when exposed to light, 1 A voltage is generated across one or more first conductors 110 and one or more second conductors 140. Since one or more first conductors 110 are located between the diode 155 and the base (100-100H), a corresponding voltage is applied through the conductive backplane 290 to the conductive via 280 or 285. Via the exposed edge of one or more first conductors 110 at the periphery of the device 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700, or to the vias 280, 285 or the conductor 110. Can be provided or obtained via any other connection made. Access to the one or more second conductors 140 can be through the exposed edges of the periphery of the devices 200, 300, 400, 500, 600 or the devices 200, 300, 400, 500, 600, 700. It can also be performed from the side of 1 or the upper side.

図20は、本発明の教示による装置の実施形態に対して形成する、複数の第1の導体110、複数のダイオード155、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140及び1つ又は複数の発光層295(例えば1つ又は複数のリンの層又はコーティングを含む)を備えた第5の例示的な基部100Dの断面図である。LEDの実施形態等の例示的な実施形態では、1つ又は複数の発光層295は、上述した印刷プロセス又はコーティングプロセス等により、ダイオード155の上に堆積させることができる(他の選択された領域又は表面全体にわたって堆積させることもできる)。1つ又は複数の発光層295は、ダイオード155から放出される光(又は他の電磁放射)に応答して可視スペクトルの光(又は任意の選択された周波数での他の電磁放射)を放出することができるか又はそのように適合された、あらゆる物質又は化合物から形成することができる。例えば、黄リンベースの発光層295を青色発光ダイオード155とともに利用して、実質的に白色光を生成することができる。こうしたエレクトロルミネッセンス化合物には様々なリンが含まれ、それらを、銅、マグネシウム、ストロンチウム、セシウム、希土類等をドープした硫化亜鉛又は硫化カドミウム等、様々な形態のいずれかで様々なドーパントのいずれかとともに提供することができる。1つのこうした例示的なリンは硫化亜鉛(ZnSドープ)リンであり、この硫化亜鉛リンは、DuPont(商標)Luxprint(商標)エレクトロルミネッセンスポリマー厚膜材料からの微細封入(micro-encapsulated)ZnSドープリンカプセル封入粉末等、容易に使用できるようにカプセル封入(粒状)形態で提供することができる。このリンは、例示的な実施形態では誘電体と結合していないが、チタン酸バリウム又は二酸化チタン等の誘電体と結合して、この層の誘電率を調整することもできる。1つ又は複数の発光層295を形成するEL化合物又はEL粒子は、様々なバインダーを有するポリマー形態で利用することもできるし、懸濁させることもでき、印刷プロセス又は他の堆積プロセスを支援するとともに下にある層及び後に上に重なる層に対するリンの接着を提供するために、様々なバインダー(DuPont又はConductive Compoundsから入手可能なリンバインダー等)と別個に結合することもできる。1つ又は複数の発光層295は、uv硬化性形態又は熱硬化性形態のいずれかで提供することもできる。多種多様の等価なエレクトロルミネッセンス化合物が入手可能であり、本発明の範囲内にある。   FIG. 20 illustrates a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, a plurality of insulators 135, a plurality of second conductors 140 and one or more formed for an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. FIG. 6C is a cross-sectional view of a fifth exemplary base 100D with a light emitting layer 295 (eg, including one or more phosphorus layers or coatings). In an exemplary embodiment, such as an LED embodiment, one or more light-emitting layers 295 can be deposited on the diode 155 (such as other selected areas), such as by the printing process or coating process described above. Or it can be deposited over the entire surface). The one or more light emitting layers 295 emit light in the visible spectrum (or other electromagnetic radiation at any selected frequency) in response to light (or other electromagnetic radiation) emitted from the diode 155. It can be formed from any substance or compound that can or is so adapted. For example, yellow phosphorous-based light emitting layer 295 can be utilized with blue light emitting diode 155 to generate substantially white light. These electroluminescent compounds include various phosphorus, which can be combined with any of various dopants in any of various forms such as zinc sulfide or cadmium sulfide doped with copper, magnesium, strontium, cesium, rare earths, etc. Can be provided. One such exemplary phosphorus is zinc sulfide (ZnS doped) phosphorus, which is micro-encapsulated ZnS doped phosphorus from DuPont ™ Luxprint ™ electroluminescent polymer thick film material. An encapsulated powder or the like can be provided in an encapsulated (granular) form for easy use. The phosphorus is not bonded to the dielectric in the exemplary embodiment, but can be combined with a dielectric such as barium titanate or titanium dioxide to adjust the dielectric constant of this layer. The EL compounds or EL particles that form one or more light-emitting layers 295 can be utilized in polymer form with various binders, can be suspended, and assist printing or other deposition processes. It can also be combined separately with various binders (such as phosphorus binders available from DuPont or Conductive Compounds) to provide phosphorus adhesion to the underlying and later overlying layers. One or more light-emitting layers 295 can also be provided in either a uv curable form or a thermosetting form. A wide variety of equivalent electroluminescent compounds are available and within the scope of the present invention.

限定ではなく以下を含む多種多様の等価なエレクトロルミネッセンス化合物が入手可能であり、本発明の範囲内にある。すなわち、(1)DuPontの7138J White Phosphor、7151J Gree-Blue Phospor、7154J Yellow-Green Phosphor、8150 White Phosphor、8152 Blue-Green Phosphor、8154 Yellow-Green Phosphor、8164 High-Brightness Yellow-Green及び(2)Osramの青色GGS60、GGL61、GGS62、GG65、青色−緑色GGS20、GGL21、GGS22、GG23/24、GG25、緑色GGS40、GGL41、GGS42、GG43/44、GG45、オレンジタイプGGS10、GGL11、GGS12、GG13/14及び白色GGS70、GGL71、GGS72、GG73/74を含むGlacierGloシリーズである。   A wide variety of equivalent electroluminescent compounds are available and within the scope of the invention, including but not limited to: (1) DuPont 7138J White Phosphor, 7151J Gree-Blue Phospor, 7154J Yellow-Green Phosphor, 8150 White Phosphor, 8152 Blue-Green Phosphor, 8154 Yellow-Green Phosphor, 8164 High-Brightness Yellow-Green and (2) Osram blue GGS60, GGL61, GGS62, GG65, blue-green GGS20, GGL21, GGS22, GG23 / 24, GG25, green GGS40, GGL41, GGS42, GG43 / 44, GG45, orange type GGS10, GGL11, GGS12, GG13 / 14 And GlacierGlo series including white GGS70, GGL71, GGS72, GG73 / 74.

さらに、選択された実施形態に応じて、着色剤、染料及び/又はドーパントを任意のこうした発光層295内に含めることができる。さらに、発光層295を形成するために利用されるリン又はリンカプセルは、緑色又は青色等の特定のスペクトルで発光するドーパンドを含むことができる。そうした場合、カラーディスプレイを提供するために、RGB又はCMYK等の任意の所与の又は選択された色の画素を画定するように発光層を印刷することができる。   Furthermore, colorants, dyes and / or dopants can be included in any such light emitting layer 295, depending on the selected embodiment. Further, the phosphorus or phosphorus capsules utilized to form the light emitting layer 295 can include a dopant that emits in a specific spectrum, such as green or blue. In such cases, the emissive layer can be printed to define pixels of any given or selected color, such as RGB or CMYK, to provide a color display.

こうした1つ又は複数の発光層295は、発光用途に利用されるため、図21〜図40には別個に示されていない。当業者は、図21〜図40に示すデバイスのうちのいずれもまた、図示するダイオード155に結合されるか又はその上に堆積するこうした1つ又は複数の発光層295を備えることができることを理解するであろう。限定ではなく例として、後述するように、(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150を1つ又は複数の発光層295及び他の特徴の上に直接堆積させて、様々な発光装置の実施形態200A、300A、400A、500A,600A及び/又は700Aのうちの任意のものを作製することもできる。   Such one or more light emitting layers 295 are not shown separately in FIGS. 21-40 because they are used for light emitting applications. Those skilled in the art will appreciate that any of the devices shown in FIGS. 21-40 can also include one or more such light emitting layers 295 coupled to or deposited on the illustrated diode 155. Will do. By way of example and not limitation, as described below, a plurality of lenses 150 (suspended in a polymer (resin or other binder) 165) are deposited directly over one or more light-emitting layers 295 and other features. Thus, any of the various light emitting device embodiments 200A, 300A, 400A, 500A, 600A, and / or 700A can be made.

図21は、本発明の教示による装置200の実施形態の、複数の第1の導体110、複数のダイオード155、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している例示的な基部100、100A、100B、100C、100Dの斜視図である。図22は、本発明の教示による装置200の実施形態の、複数の第1の導体110、複数のダイオード155、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140、複数の第3の導体145(図21ではレンズ150で覆われているため不可視)及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)156内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している第5の例示的な基部の(70−70’ 平面を通る)断面図である。別個には図示しないが、装置(200、300、400、500、600、700)は1つ又は複数の発光層295も有することができ、かつ/又は天候、空中浮遊腐食性物質等、様々な要素から保護するために、実質的に透明なプラスチック又は他のポリマー等の保護コーティングを含むこともでき、又はこうしたカプセル封止及び/又は保護機能をポリマー(樹脂又は他のバインダー)165によって提供することができる(例示を容易にするために、図21は、こうしたポリマー(樹脂又は他のバインダー)165を実質的な透明性を示すために点線を用いて示す)。   FIG. 21 illustrates a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, a plurality of insulators 135, a plurality of second conductors 140 and (polymer (resin or other) of an embodiment of the apparatus 200 according to the teachings of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of an exemplary base 100, 100A, 100B, 100C, 100D on which a plurality of lenses 150 (suspended in a binder) 165 are deposited. FIG. 22 illustrates a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, a plurality of insulators 135, a plurality of second conductors 140, and a plurality of third conductors 145 for an embodiment of the apparatus 200 according to the teachings of the present invention. (FIG. 21 is invisible because it is covered with a lens 150) and a fifth exemplary base on which a plurality of lenses 150 (suspended in a polymer (resin or other binder) 156) are deposited ( 70-70 '(through the plane). Although not separately illustrated, the device (200, 300, 400, 500, 600, 700) can also have one or more light emitting layers 295 and / or various such as weather, airborne corrosive substances, etc. A protective coating such as a substantially transparent plastic or other polymer may be included to protect against the element, or such encapsulation and / or protection functions are provided by a polymer (resin or other binder) 165. (For ease of illustration, FIG. 21 shows such a polymer (resin or other binder) 165 with dotted lines to indicate substantial transparency).

例示的な実施形態では、複数のレンズ150は、ホウケイ酸ガラス若しくは他のケイ酸塩ガラス又はポリスチレンラテックス等のプラスチックで構成することができるが、限定ではなく、任意の形状又はサイズの他のタイプのガラス、プラスチック、他のポリマー、結晶若しくは多結晶ケイ酸塩ガラス及び/又は種々のタイプの材料の混合物を含む、無数のタイプの材料の任意のものを利用することができる。複数のレンズ150は、実質的に球形であるように示すが、限定ではなく例として、実質的に半球形、ファセット状の形状、楕円形(又は長円形)、不規則形状、立方体形状又は様々な角柱形状(例えば台形、三角形、角錐等)等、他の形状及び形態を有することもでき、形状、サイズ等に関するように、複数の基板粒子120に関して上述した変形形状及び/又は公差のうちの任意のものを有することもできる。(少なくとも第1の屈折率を有する)複数のレンズ150は、同様に限定ではなく例として、uv硬化性、熱硬化性若しくは空気硬化性又は乾燥可能とすることができ、更に少なくとも第2の異なる(複数のレンズ150の第1の屈折率と実質的に異なる)屈折率を有している、実質的に透明な光学透明ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165(限定ではなく例として様々なタイプのウレタン等)に粒子として懸濁している。   In an exemplary embodiment, the plurality of lenses 150 can be constructed of a plastic such as borosilicate glass or other silicate glass or polystyrene latex, but is not limited to other types of any shape or size. Any of a myriad of types of materials can be utilized, including various glasses, plastics, other polymers, crystalline or polycrystalline silicate glasses, and / or mixtures of various types of materials. The plurality of lenses 150 are shown to be substantially spherical, but by way of example and not limitation, are substantially hemispherical, faceted, oval (or oval), irregular, cubic, or various Other shapes and forms such as a prismatic shape (eg trapezoid, triangle, pyramid, etc.), such as the shape, size, etc., of the deformation shapes and / or tolerances described above with respect to the plurality of substrate particles 120 You can also have any. The plurality of lenses 150 (having at least a first refractive index) may also be uv curable, thermosetting or air curable, or dryable, by way of example and not limitation, and at least a second different A substantially transparent optically transparent polymer (resin or other binder) 165 having a refractive index (substantially different from the first refractive index of the plurality of lenses 150) 165 (various types by way of example and not limitation) In urethane, etc.) as particles.

複数のレンズ150は、複数のダイオード155に対して多種多様の空間的関係を有することができ、多種多様のサイズを有することができる。図21及び図22(又は他の図23、図24、図30〜図33、図35及び図36)からは、特にこれらの図面は比例尺で描かれていないため、特定の空間的関係(例えば規則的な又は不規則な間隔、当接関係等)を推測するべきではない。例えば、後述するように、レンズ150は、例示的な実施形態の5倍等、ダイオード155よりかなり大きなものとすることができる。   The plurality of lenses 150 can have a wide variety of spatial relationships with the plurality of diodes 155 and can have a wide variety of sizes. 21 and 22 (or other FIGS. 23, 24, 30-33, 35 and 36), in particular, since these drawings are not drawn to scale, certain spatial relationships (eg, Regular or irregular spacing, abutment relationships, etc.) should not be inferred. For example, as described below, the lens 150 can be significantly larger than the diode 155, such as five times the exemplary embodiment.

例示的な実施形態では、複数のレンズ150間及び複数のレンズ150とダイオード155との間に少なくとも幾分かの間隔を設けることもできる粘度を有するポリマー(樹脂又は他のバインダー)165又は他のポリマーを利用することができ、それにより、複数のレンズ150及び複数のダイオード155は直接当接接触しておらず、各レンズ150は、少なくともポリマー(樹脂又は他のバインダー)165の薄膜又はコーティングによって取り囲まれている。別の例示的な実施形態では、比較的粘性の低いバインダーが利用され、複数のレンズ150及び複数のダイオード155のうちの任意のもの、いくつか又は全てが、互いに又は(図31に示すような)他の装置構成要素と直接当接接触することができる。ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165は、可視光、赤外光及び紫外光等、選択された対象波長に応じて、(その硬化形態又は乾燥形態において)光学透明又は透明であるとみなされ、他の波長では光学的に不透明であるとみなすことができ、その逆も可能である。様々なタイプのウレタンポリマーに加えて、上述したもの、限定ではなく例として、脱イオン水、ジエチレングリコール、イソプロパノール、ブタノール、エタノール、PMアセテート(ポリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)、メトキシル化グリコールエーテルアクリレートモノマー(TPO(トリホスフィンオキシド)等の水溶性光開始剤を含む場合もある)、二塩基酸エステル(例えばInvista DBE-9);ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール等の水溶性樹脂;並びにオクタノール及びEmerald Performance Materials Foamblast 339等の流動助剤又は界面活性剤を含む、硬化形態又は乾燥形態で選択された波長で実質的に透明であり、かつ選択された波長に対して適切に選択された第2の屈折率を有する、あらゆる他のポリマー、樹脂又はバインダー(任意の組み込まれた溶剤、流動助剤、界面活性剤等を含む)を利用することができる。   In an exemplary embodiment, a polymer (resin or other binder) 165 having a viscosity that can also provide at least some spacing between the plurality of lenses 150 and between the plurality of lenses 150 and the diode 155 or other Polymers can be utilized so that the lenses 150 and the diodes 155 are not in direct abutting contact, and each lens 150 is at least by a thin film or coating of polymer (resin or other binder) 165 Surrounded. In another exemplary embodiment, a relatively low viscosity binder is utilized, and any, some or all of the plurality of lenses 150 and the plurality of diodes 155 may be coupled to each other (as shown in FIG. 31). ) Direct contact contact with other device components. The polymer (resin or other binder) 165 is considered optically transparent or transparent (in its cured or dry form), depending on the wavelength of interest chosen, such as visible light, infrared light and ultraviolet light, It can be considered optically opaque at other wavelengths and vice versa. In addition to the various types of urethane polymers, those mentioned above, including but not limited to deionized water, diethylene glycol, isopropanol, butanol, ethanol, PM acetate (polypropylene glycol monomethyl ether acetate), methoxylated glycol ether acrylate monomers (TPO) (It may contain a water-soluble photoinitiator such as (triphosphine oxide)), dibasic acid ester (for example, Invista DBE-9); water-soluble resin such as polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene glycol; and octanol And substantially transparent at a selected wavelength in cured or dry form, including flow aids or surfactants such as Emerald Performance Materials Foamblast 339, and appropriately selected for the selected wavelength Having a second refractive index that is, any other polymer, resin or binder (any incorporated solvent, flow aids, including surfactants) can be utilized.

1つ又は複数の第2の導体145(及び/又は第3の導体145)(及び/又は1つ若しくは複数の発光層295)の堆積に続き、例示的な実施形態では、ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している複数のレンズ150を、印刷プロセス等により、ダイオード155(及び/又は1つ若しくは複数の発光層295)、1つ又は複数の第2の導体145(及び/又は第3の導体145)、任意の露出した基部(100〜100H)等の上に堆積させることができる。別の例示的な実施形態では、複数のレンズ150は、シート、パネル又は他の形態でポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁して硬化し、結果として得られるシート又はパネルは、その後、装置200、300、400、500、600及び/又は700の残りの部分に(すなわち、ダイオード155(及び/又は1つ若しくは複数の発光層295)、1つ又は複数の第2の導体145(及び/又は第3の導体145)、任意の露出した基部(100〜100H)等の上に)、限定ではなく例としてラミネーションプロセス等により取り付けられる。こうした変形は全て請求項に記載の範囲内にある。   Following the deposition of one or more second conductors 145 (and / or third conductors 145) (and / or one or more light-emitting layers 295), in an exemplary embodiment, a polymer (resin or other) The plurality of lenses 150 suspended in the binder 165 may be converted into a diode 155 (and / or one or more light emitting layers 295), one or more second conductors 145 (and / or by a printing process or the like). Alternatively, it can be deposited on the third conductor 145), any exposed base (100-100H), etc. In another exemplary embodiment, the plurality of lenses 150 is suspended and cured in a polymer (resin or other binder) 165 in a sheet, panel or other form, and the resulting sheet or panel is then , In the rest of the devices 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700 (ie, diode 155 (and / or one or more light emitting layers 295), one or more second conductors 145 ( And / or third conductor 145), over any exposed base (100-100H, etc.), by way of example and not by way of a lamination process. All such variations are within the scope of the claims.

したがって、ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している複数のレンズ150が、ダイオード155(及び/又は1つ若しくは複数の発光層295)、1つ又は複数の第2の導体145(及び/又は第3の導体145)及び任意の露出した基部(100〜100H)の上に直接堆積するか否か、又はポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している複数のレンズ150が、別個の構造として形成され、後にダイオード155(及び/又は1つ若しくは複数の発光層295)、1つ又は複数の第2の導体(及び/又は第3の導体145)及び任意の露出した基部(100〜100H)の上に取り付けられるか否かにかかわらず、ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している複数のレンズ150の組合せは、複数の屈折率を有するレンズ(レンズ効果(lensing))構造150、165、すなわち、少なくとも第1の屈折率を有する複数のレンズ150、及び少なくとも第2の屈折率を有するポリマー(樹脂又は他のバインダー)を画定する。これもまた、従来技術とは著しく対照的である。従来技術では、レンズ又は拡散パネルが、単一の屈折率を有し、通常、後により詳細に説明する(例えば約40ミクロン〜400ミクロンの平均直径を有する)様々な例示的な実施形態で利用される複数のレンズ150より数桁大きいレンズサイズを有する、個々の予め製造された材料、通常、プラスチック又は別のポリマーで構成される。   Accordingly, a plurality of lenses 150 suspended in a polymer (resin or other binder) 165 may comprise a diode 155 (and / or one or more light emitting layers 295), one or more second conductors 145 ( And / or a plurality of lenses 150 whether deposited directly on the third conductor 145) and any exposed base (100-100H) or suspended in a polymer (resin or other binder) 165. Formed as a separate structure, later diode 155 (and / or one or more light emitting layers 295), one or more second conductors (and / or third conductors 145) and any exposed A plurality of lenses 150 suspended in a polymer (resin or other binder) 165, whether or not mounted on the base (100-100H). The combination includes lens (lensing) structures 150, 165 having a plurality of refractive indices, that is, a plurality of lenses 150 having at least a first refractive index, and a polymer (resin or resin) having at least a second refractive index. Other binders). This is also in marked contrast to the prior art. In the prior art, a lens or diffuser panel has a single refractive index and is typically utilized in various exemplary embodiments that will be described in more detail later (eg, having an average diameter of about 40 microns to 400 microns). Composed of individual pre-manufactured materials, usually plastic or another polymer, having a lens size several orders of magnitude larger than the plurality of lenses 150 being made.

複数のレンズ150は、特に実質的に球形のレンズで実施される場合、光起電力用途の場合により高効率の結合のために光を収集しこうした光を複数のダイオード155に集光させるため、及び装置200、300、400、500、600、700及び/又は200B、300B、400B、500B、600B、700Bの入射(又は受光)角を広げるために、集光機能を含むいくつかの機能を提供する。これは、多くの角度から入射する光が、それにもかかわらず複数のダイオード155上に集束されることになるためである。さらに、複数のレンズ150はまた、例えば装置200、300、400、500、600、700及び/又は200A、300A、400A、500A、600A、700Aに対して、LED155となるように形成されるとき、複数の球形ダイオード155(及び/又は1つ若しくは複数の発光層295)によって提供される光を拡大するために、分散機能も実行する。複数のレンズ150の別の利点は、特定の位置合せもレジストレーションも不要であるということ、球形ダイオード155に関して特定の位置を有する必要がないということであり、いずれの所与のレンズ150も、いくつかのダイオード155の上に光を集光させるか又はそこからから光を拡散させる。実際には、相対的なサイズの尺度又は標示(indicia)として、球形ダイオード155の直径(又は半径)に対する球形レンズ150の直径(又は半径)の比は、およそ10:1から2:1までかなり大きくなるようにモデル化されており、比較的高いかより大きいモード結合又は他の著しく大きい集光(又は分散)のための、最適である可能性がある比は5:1である。複数の実質的に球形のレンズの平均直径は、概して約20ミクロン〜400ミクロン(約10ミクロン〜40ミクロン範囲のダイオード155に対応する)であり、より詳細には約80ミクロン〜140ミクロンである。複数のダイオード155の通常の又は平均の直径(複数の場合もあり)(及び例示的な基部100の***(ピーク、上昇部又は頂)115間の任意の空間(又は等価的に、例示的な基部100〜100Gの***(ピーク、上昇部又は頂)115の幅)は、複数のレンズ150が、互いに特定の又は所定の距離だけ離れることができるように、かつ/又は実質的に若しくは比較的完全なレンズ150の層を形成するように、選択するか又は他の方法で予め決めることができる。   The plurality of lenses 150, particularly when implemented with substantially spherical lenses, collects light for more efficient coupling in the case of photovoltaic applications and condenses such light onto a plurality of diodes 155, And several functions including a condensing function to widen the incident (or receiving) angle of the devices 200, 300, 400, 500, 600, 700 and / or 200B, 300B, 400B, 500B, 600B, 700B To do. This is because light incident from many angles will nevertheless be focused on the plurality of diodes 155. Furthermore, when the plurality of lenses 150 are also formed to be LEDs 155, for example for the devices 200, 300, 400, 500, 600, 700 and / or 200A, 300A, 400A, 500A, 600A, 700A, A dispersion function is also performed to expand the light provided by the plurality of spherical diodes 155 (and / or one or more light-emitting layers 295). Another advantage of the plurality of lenses 150 is that no specific alignment or registration is required, there is no need to have a specific position with respect to the spherical diode 155, and any given lens 150 can be Light is collected on several diodes 155 or diffused therefrom. In practice, as a relative size measure or indicia, the ratio of the diameter (or radius) of the spherical lens 150 to the diameter (or radius) of the spherical diode 155 is substantially from 10: 1 to 2: 1. Modeled to be large, the ratio that may be optimal for relatively high or larger mode coupling or other significantly large collection (or dispersion) is 5: 1. The average diameter of the plurality of substantially spherical lenses is generally about 20 microns to 400 microns (corresponding to a diode 155 in the range of about 10 microns to 40 microns), and more specifically about 80 microns to 140 microns. . The normal or average diameter (s) of diodes 155 (and any space between ridges (peaks, rises or peaks) 115 of the exemplary base 100 (or equivalently, exemplary The ridges (peak, rise or top) 115 width of the base 100-100G are such that the plurality of lenses 150 can be separated from each other by a specific or predetermined distance and / or substantially or relatively It can be selected or otherwise predetermined to form a complete lens 150 layer.

装置200、300、400、500、600、700のために入射光の入射角を広げるように複数のレンズ150を使用することは、光起電力用途に対して特に重要である。従来技術では、光起電力(PV)デバイスの角度が入射する太陽光線に対して変化すると、効率もそれに対応して同様に変化し、従来技術によるPVデバイスパネルを、変化する入射角と一致させるように移動させなければならないか、又はパネルの効率が喪失することになる。例示的な実施形態によれば、球形レンズとして実施する場合に複数のレンズ150がその入射(受光)角が著しく広くなるために集光効果が上昇するため、装置200B、300B、400B、500B、600B、700Bのこうした移動は不要である。   The use of multiple lenses 150 to widen the incident angle of incident light for the devices 200, 300, 400, 500, 600, 700 is particularly important for photovoltaic applications. In the prior art, as the angle of the photovoltaic (PV) device changes with respect to the incident sunlight, the efficiency changes correspondingly, matching the PV device panel according to the prior art to the changing incident angle. Or the efficiency of the panel will be lost. According to an exemplary embodiment, when implemented as a spherical lens, the plurality of lenses 150 have a significantly wider incident (light receiving) angle, thereby increasing the light collection effect, so that the devices 200B, 300B, 400B, 500B, Such movement of 600B and 700B is not necessary.

球形である複数の基板粒子120(対応する複数のダイオード155を形成するため)及び同様に球形である複数のレンズ150を使用するように図示しているが、球形に加えて、こうした基板粒子120及び/又はレンズ150の他の形状及び形態が特許請求される本発明の範囲内にある。例えばファセット状、楕円形又は細長い及び不規則等の他の形状を有する例示的な複数の基板粒子120を、図26〜図31を参照して以下に例示し説明する。同様に例えば、球形又は他の形状を、ダイオード155内の任意の捕捉された光の光共振を提供するように選択することができ、光がダイオード155内にある時間を増大させる可能性があり、それにより、光起電力ダイオード155の効率を向上させる。限定ではなく例として円柱形状又はロッド形状、環状形状又はリング形状を含む、ダイオード155の他の光共振形態又は形状も実現可能である。同様に、他のレンズ150形状(同様に限定ではなく例として、ファセット状、楕円形(又は長円形)及び/又は不規則な形状等)も特許請求される本発明の範囲内にある。   Although illustrated as using a plurality of substrate particles 120 that are spherical (to form a corresponding plurality of diodes 155) and a plurality of lenses 150 that are also spherical, such substrate particles 120 are in addition to the sphere. And / or other shapes and configurations of lens 150 are within the scope of the claimed invention. Exemplary substrate particles 120 having other shapes such as, for example, faceted, elliptical or elongated and irregular, are illustrated and described below with reference to FIGS. Similarly, for example, a sphere or other shape can be selected to provide optical resonance of any trapped light in diode 155, which can increase the time that light is in diode 155. Thereby improving the efficiency of the photovoltaic diode 155. Other optical resonant forms or shapes of the diode 155 are possible, including but not limited to, a cylinder or rod shape, an annular shape or a ring shape as examples. Similarly, other lens 150 shapes (such as, but not limited to, faceted, oval (or oval) and / or irregular shapes) are within the scope of the claimed invention.

例えば、様々な複数のダイオード155を、光の種々の波長に対応する起こり得る光共振に対して、種々のサイズの球形ダイオード155で構成することもでき、同様に、複数のレンズ150を、複数の種々の焦点、モード結合及び拡散能力をもたらすように、種々のサイズの球形のレンズ及び他の形状のレンズ150で構成することもできる。これは、吸収されるか又は放出される光のスペクトル密度を増大させる役割を果たすことができる。複数のレンズ150の様々なレンズ150はまた、種々の屈折率を有することもでき、複数の異なる屈折率を提供する。   For example, various diodes 155 can be configured with spherical diodes 155 of various sizes for possible optical resonances corresponding to various wavelengths of light, and similarly, multiple lenses 150 can be configured with multiple lenses 150. Various sizes of spherical lenses and other shaped lenses 150 can be constructed to provide various focal, mode coupling and diffusing capabilities. This can serve to increase the spectral density of the light that is absorbed or emitted. The various lenses 150 of the plurality of lenses 150 can also have various refractive indices, providing a plurality of different refractive indices.

発光用途等、これらの様々な用途のいずれかに対して、基板粒子120は、球形に加えて任意の形状又はサイズを有することができる。例えば、図26、図27、図30及び図31に示すように、場合によっては光出力を増大させるように、ファセットが形成されているか又は他の表面テクスチャー及び形状を有するダイオード155を形成することができる。同様に例えば、図30及び図31に示すように、不規則な形状のダイオード155もまた、横方向及び垂直方向の双方でより大きな目標領域を有するように、(複数の入射角に基づいて)複数の焦点を生成するために、かつ接合275の比較的な又は相対的なサイズを増大させるために有用である可能性がある。   For any of these various applications, such as light emitting applications, the substrate particles 120 can have any shape or size in addition to a spherical shape. For example, as shown in FIGS. 26, 27, 30 and 31, forming a diode 155 with facets or other surface textures and shapes, possibly to increase the light output. Can do. Similarly, for example, as shown in FIGS. 30 and 31, the irregularly shaped diode 155 also has a larger target area in both the lateral and vertical directions (based on multiple angles of incidence). It may be useful to generate multiple focal points and to increase the relative or relative size of the junction 275.

別個には示さないが、ダイオード155及び/又はレンズ150の複数の層が存在することができる。例えば、複数のダイオード155を上下に重ねて、又はキャビティ若しくはチャネル105の幅に沿って横に並べて積層することもできるし、小さい方のダイオード155の下の層に大きい方のダイオード155を配置して入れ子にすることもできる。同様に別個に図示しないが、いずれかの選択された装置200、300、400、500、600、700は、種々の形状及び/又はサイズのダイオード155及び/又はレンズ150の任意の選択された混合を有することができる。さらに、ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している複数のレンズ150は、規則的な間隔、ランダムな間隔、不規則な間隔、当接、離間、積層等を含めて、装置200、300、400、500、600、700の残りの部分に対して様々な位置のいずれかを有することができる。この変形形態のいくつかを図31に示す。   Although not shown separately, there may be multiple layers of diode 155 and / or lens 150. For example, a plurality of diodes 155 can be stacked one above the other or horizontally along the width of the cavity or channel 105, or the larger diode 155 is arranged in a layer below the smaller diode 155. Can also be nested. Similarly, although not separately illustrated, any selected device 200, 300, 400, 500, 600, 700 may be any selected mix of diodes 155 and / or lenses 150 of various shapes and / or sizes. Can have. In addition, the plurality of lenses 150 suspended in the polymer (resin or other binder) 165 can include devices 200 including regular spacing, random spacing, irregular spacing, abutment, spacing, lamination, and the like. , 300, 400, 500, 600, 700 can have any of a variety of positions. Some of these variations are shown in FIG.

図23は、本発明の教示による装置300の実施形態の、複数の第1の導体110、複数のダイオード155、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している例示的な第7の基部100Eの斜視図である。図24は、本発明の教示による装置300の実施形態の、複数の第1の導体110、複数のダイオード155、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140、複数の第3の導体145及び複数のレンズ150が堆積している第7の例示的な基部100Eの(80−80’ 平面を通る)断面図である。基部100Eのチャネル(キャビティ又は溝)105が非軸放物線(放物面)105Aの形態を有し、***(又は頂)115が基部100の実質的に平坦な***(又は頂)115に対して実質的に角度が付けられている(すなわち、基部100Eの第1の側部又は第2の側部を画定するか又は含む平面に対して実質的な角度(例えば約15度から約60度まで)である)限りにおいて、装置300は、上述した実施形態とは異なる。図24はまた、上述したように、第3の導体145の使用も示す。結果として得られる装置300、300A及び/又は300Bは、他の点では、本明細書で説明した他の装置の実施形態のいずれかかと実質的に同様に機能する。   FIG. 23 illustrates a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, a plurality of insulators 135, a plurality of second conductors 140 and (polymer (resin or other) of an embodiment of an apparatus 300 according to the teachings of the present invention. FIG. 10 is a perspective view of an exemplary seventh base 100E with a plurality of lenses 150 (suspended in a binder) 165 deposited thereon. FIG. 24 illustrates a plurality of first conductors 110, a plurality of diodes 155, a plurality of insulators 135, a plurality of second conductors 140, and a plurality of third conductors 145 for an embodiment of an apparatus 300 according to the teachings of the present invention. And FIG. 8C is a cross-sectional view (through the 80-80 ′ plane) of a seventh exemplary base 100E with a plurality of lenses 150 deposited thereon. The channel (cavity or groove) 105 of the base 100E has the form of a non-axial parabola (paraboloid) 105A, and the ridge (or top) 115 is relative to the substantially flat ridge (or top) 115 of the base 100. Substantially angled (ie, a substantial angle (eg, from about 15 degrees to about 60 degrees with respect to a plane defining or including the first side or second side of the base 100E). )), The device 300 differs from the embodiments described above. FIG. 24 also illustrates the use of a third conductor 145 as described above. The resulting devices 300, 300A and / or 300B otherwise function in substantially the same manner as any of the other device embodiments described herein.

上述したように、複数の基板粒子120及び結果として得られる複数のダイオード155に対する可能なサイズ範囲を、約10ミクロン〜40ミクロン又は約25ミクロン〜40ミクロン(以上)の範囲とすることができ、この範囲は、これまでの従来技術によるダイオードより相対的にはるかに小さい。その結果、例示的な実施形態によれば、概して、装置200、300、400、500、600、700の所与の領域に比較的多くのダイオード155がある。こうした比較的高密度のダイオード155によって、実質的な復元力及びロバスト性という更なる結果が得られ、それは、高いパーセンテージのダイオード155の統計的な故障があっても、装置200、300、400、500、600、700が使用可能となるためである。例えば、種々の量のダイオード155が機能していない様々なデバイスを、それに従って「まとめる(bin)」ことができる。例を続けると、LEDとして実施している場合に、機能しているダイオード155が少ない装置200、300、400、500、600、700を、100W電球ではなく60W電球の光出力に匹敵するより低い出力の照明デバイスとして簡単にまとめることができる。   As noted above, possible size ranges for the plurality of substrate particles 120 and the resulting plurality of diodes 155 can range from about 10 microns to 40 microns or from about 25 microns to 40 microns (or more), This range is relatively much smaller than previous prior art diodes. As a result, according to the exemplary embodiment, there are generally a relatively large number of diodes 155 in a given region of the device 200, 300, 400, 500, 600, 700. Such a relatively high density diode 155 provides the further result of substantial resiliency and robustness, even though there is a high percentage of the diode 155 statistical failure, the devices 200, 300, 400, This is because 500, 600, and 700 can be used. For example, various devices in which various amounts of diode 155 are not functioning can be “binned” accordingly. Continuing the example, when implemented as an LED, devices 200, 300, 400, 500, 600, 700 with fewer functioning diodes 155 are lower than the light output of a 60W bulb rather than a 100W bulb. It can be easily summarized as an output lighting device.

また上述したように、ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している複数のレンズ150の堆積に続き、同様に参照により本明細書に援用される関連する出願にも示しているように、様々な保護コーティングを堆積させることができる。   Also as described above, following the deposition of a plurality of lenses 150 suspended in a polymer (resin or other binder) 165, as also shown in related applications incorporated herein by reference. Various protective coatings can be deposited.

図25は、本発明の教示による装置の実施形態の例示的な第8の基部100Fの斜視図であり、キャビティ(チャネル、トレンチ又は空隙)105が実質的に円形(半球形)又は楕円形の窪み又は孔105Bとなるように成形され、基部100F(キャビティ105Bの形状のみによって基部100〜100E、100Gとは異なる)を形成する限りにおいて、上述したものとは異なる。結果として得られる装置200、300、400、500、600及び/又は700は、他の点では、本明細書で説明した他の装置の実施形態のいずれかと実質的に同様に機能する。   FIG. 25 is a perspective view of an exemplary eighth base 100F of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention wherein the cavity (channel, trench or void) 105 is substantially circular (hemispheric) or elliptical. As long as it forms so that it may become a hollow or the hole 105B and forms the base part 100F (it differs from the base parts 100-100E and 100G only by the shape of the cavity 105B), it differs from what was mentioned above. The resulting devices 200, 300, 400, 500, 600 and / or 700 otherwise function in substantially the same manner as any of the other device embodiments described herein.

図26は、本発明の教示による装置の実施形態の、複数の第1の導体110、対応するファセット状のダイオード155Aを形成する複数の実質的にファセット状の基板粒子120、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140及び複数の第3の導体145が堆積している例示的な基部(100、100A、100B、100C、100D)の斜視図である。図27は、本発明の教示による装置の実施形態の、複数の第1の導体110、対応するファセット状のダイオード155Aを形成する複数の実質的にファセット状の基板粒子120、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140及び複数の第3の導体145が堆積している第5の例示的な基部100Dの断面図である。上述したように、図26及び図27は、ファセット状のダイオード155A(各々が、対応するpn接合275を形成する、実質的に湾曲した殻形状の浸透層又は浸透領域255も有する)として、複数のダイオード155に対する別の例示的な形状を示す役割を果たし、限定ではなく例として、実質的に直線を有するか又は「はしご」形状(別個には示さず)を有する等、1つ又は複数の第2の導体140の上に又はその中に複数の第3の導体145を堆積させるための例示的なパターンを更に示す役割を果たす。結果として得られる装置は、他の点では、本明細書で説明した他の装置の実施形態のいずれかと実質的に同様に機能する。   FIG. 26 shows a plurality of first conductors 110, a plurality of substantially faceted substrate particles 120 forming a corresponding faceted diode 155A, a plurality of insulators 135 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 5 is a perspective view of an exemplary base (100, 100A, 100B, 100C, 100D) on which a plurality of second conductors 140 and a plurality of third conductors 145 are deposited. FIG. 27 illustrates a plurality of first conductors 110, a plurality of substantially faceted substrate particles 120 forming a corresponding faceted diode 155A, a plurality of insulators 135 of an apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. , Is a cross-sectional view of a fifth exemplary base 100D with a plurality of second conductors 140 and a plurality of third conductors 145 deposited thereon. As described above, FIGS. 26 and 27 illustrate multiple facet-like diodes 155A (each also having a substantially curved shell-shaped osmotic layer or osmotic region 255 that forms a corresponding pn junction 275). One or more of, for example, having a substantially straight line or having a “ladder” shape (not separately shown) It serves to further illustrate an exemplary pattern for depositing a plurality of third conductors 145 on or in the second conductor 140. The resulting device otherwise functions in substantially the same manner as any of the other device embodiments described herein.

図28は、本発明の教示による別の装置の実施形態の、複数の第1の導体110、対応する楕円形(又は長円形)のダイオード155Bを形成する複数の実質的に楕円形(又は長円形)の基板粒子120、複数の絶縁体135及び複数の第2の導体140が堆積している例示的な基部(100、100A、100B、100C、100D)の斜視図である。図29は、本発明の教示による装置の実施形態の、複数の第1の導体110、対応する楕円形(又は長円形)のダイオード155Bを形成する複数の実質的に楕円形(又は長円形)の基板粒子120、複数の絶縁体135及び複数の第2の導体145が堆積している第5の例示的な基部100Dの断面図である。上述したように、図28及び図29は、実質的に楕円形(又は長円形)のダイオード155B(各々が、対応するpn接合275を形成する、実質的に湾曲した殻形状の浸透層又は浸透領域255も有する)として複数のダイオード155の別の例示的な形状を示す役割を果たす。結果として得られる装置は、他の点では、本明細書で説明した他の装置の実施形態のいずれかと実質的に同様に機能する。   FIG. 28 illustrates a plurality of substantially elliptical (or long) forming a plurality of first conductors 110, corresponding elliptical (or oval) diodes 155B, of another apparatus embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 4 is a perspective view of an exemplary base (100, 100A, 100B, 100C, 100D) on which a circular substrate particle 120, a plurality of insulators 135, and a plurality of second conductors 140 are deposited. FIG. 29 illustrates a plurality of substantially elliptical (or oval) plurality of first conductors 110, corresponding elliptical (or oval) diodes 155B, of an embodiment of an apparatus according to the teachings of the present invention. FIG. 6C is a cross-sectional view of a fifth exemplary base portion 100D with a plurality of substrate particles 120, a plurality of insulators 135, and a plurality of second conductors 145 deposited thereon. As discussed above, FIGS. 28 and 29 illustrate substantially elliptical (or oval) diodes 155B (each having a substantially curved shell-shaped osmotic layer or osmosis, each forming a corresponding pn junction 275). It also serves to show another exemplary shape of the plurality of diodes 155). The resulting device otherwise functions in substantially the same manner as any of the other device embodiments described herein.

図30は、本発明の教示による装置500の実施形態の、複数の第1の導体110、対応する不規則なダイオード155Cを形成する複数の実質的に不規則な基板粒子120、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している例示的な基部(100E)の斜視図である。図31は、本発明の教示による装置500実施形態の、複数の第1の導体、対応する不規則なダイオード155Cを形成する複数の実質的に不規則な基板粒子120、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140及びポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している複数のレンズ150が堆積している第5の例示的な基部100Eの断面図である。上述したように、図30及び図31は、実質的に不規則なダイオード155C(その各々もまた、対応するpn接合275(又は等価物)を形成する実質的に湾曲した不規則な殻形状の浸透層又は浸透領域255も有している)として、複数のダイオード155に対する別の例示的な形状を示す役割を果たす。   FIG. 30 shows a plurality of first conductors 110, a plurality of substantially irregular substrate particles 120 forming a corresponding irregular diode 155C, a plurality of insulators, in an embodiment of an apparatus 500 according to the teachings of the present invention. 135 is a perspective view of an exemplary base (100E) on which are deposited 135, a plurality of second conductors 140, and a plurality of lenses 150 (suspended in a polymer (resin or other binder) 165). FIG. 31 illustrates a plurality of first conductors, a plurality of substantially irregular substrate particles 120 forming a corresponding irregular diode 155C, a plurality of insulators 135, of an apparatus 500 embodiment in accordance with the teachings of the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view of a fifth exemplary base 100E with a plurality of second conductors 140 and a plurality of lenses 150 suspended in a polymer (resin or other binder) 165; As described above, FIGS. 30 and 31 illustrate a substantially curved, irregular shell shape that is substantially irregular diode 155C (each of which also forms a corresponding pn junction 275 (or equivalent)). As well as a permeation layer or permeation region 255), which serves to illustrate another exemplary shape for the plurality of diodes 155.

図30及び図31は、ダイオード155と比較したキャビティ、チャネル又は溝105の相対的な幅の変動を含む、均等でありかつ特許請求される本発明の範囲内にあるとみなされる他の例示的な変形形態を例示する役割を更に果たし、キャビティ、チャネル又は溝105はダイオード155Cより大幅に広く示されている。キャビティ、チャネル又は溝105が比較的広いことにより、様々な絶縁体135及び第2の導体140の位置もまた、図示するようにそれに従って変化し、ダイオード155Cの上方又は最上周縁部により向かって結合されているのではなく、ダイオード155Cの側部に又はその周囲に結合されている。多種多様の形状を有するが実質的に殻形状である浸透層又は浸透領域255もまた示されており、領域255は、ダイオード155Cの周囲に完全には延在していない対応するpn接合275を画定し、ダイオード155Cは、その基板のかなりの部分が露出しかつ/又は1つ又は複数の絶縁体135若しくは第1の導体(複数の場合もあり)110に結合されたままである。最後に、図30及び図31は、限定ではなく、ダイオード155Cと当接すること、基部100Eの一部と当接すること及び離間されることを含む、特許請求される本発明の範囲内にあるレンズ150の様々な例示的な位置を更に示す。結果として得られる装置500、500A及び/又は500Bは、その他の点では、本明細書で説明した他の装置の実施形態のいずれかと実質的に同様に機能する。   30 and 31 are other illustrative examples that are considered equivalent and within the scope of the claimed invention, including variations in the relative width of the cavity, channel or groove 105 compared to the diode 155. The cavity, channel or groove 105 is shown much broader than the diode 155C. Due to the relatively wide cavity, channel or groove 105, the position of the various insulators 135 and second conductors 140 will also change accordingly, as shown, and will be coupled above the diode 155C or towards the uppermost periphery. Rather than being coupled to the side of or around the diode 155C. Also shown is a permeation layer or permeation region 255 that has a wide variety of shapes but is substantially shell-shaped, with region 255 having a corresponding pn junction 275 that does not extend completely around diode 155C. Defining, the diode 155C is exposed to a substantial portion of its substrate and / or remains coupled to one or more insulators 135 or first conductor (s) 110. Finally, FIGS. 30 and 31 are lenses within the scope of the claimed invention, including, but not limited to, contacting diode 155C, contacting a portion of base 100E, and being spaced apart. 150 various exemplary locations are further shown. The resulting devices 500, 500A and / or 500B otherwise function in substantially the same manner as any of the other device embodiments described herein.

図32は、本発明の教示による装置400の実施形態の、複数の第1の導体110、複数の実質的に球形のダイオード155、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140、複数の第3の導体145及び(ポリマー(樹脂又はバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している第6の例示的な基部100Gの斜視図である。図33は、本発明の教示による装置400の実施形態の、複数の第1の導体110、複数の実質的に球形のダイオード155、複数の絶縁体135、複数の第2の導体140、複数の第3の導体145及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している第6の例示的な基部100Gの(71−71’平面を通る)断面図である。上述したように、第6の例示的な基部100Gが、チャネル105(基部100Gと一体的に形成することができる)内の複数の突起(又は支持部)245、チャネル105及び突起245の形状に従う実質的に一定の又は一貫した深さを有する複数の第1の導体110を更に備え、この場合は基部100G内にランダムに分散している一体的に形成された複数の導電性ビア285を更に備える限りにおいて、装置400の実施形態は、他の装置とは異なる。ランダムな分散は、第1の導体110のうちの1つが(71−71’平面を通る)選択された又は特定の断面においてビア285と接触していないことによって更に示されており、概してその長さ(別個には図示せず)に沿った他の或る箇所においてビア285と接触することになる。同様に図32及び図33に別個には示していないが、基部100Gはまた、上述した更なるコーティング又は層(250、260、270)のいずれかも有することができる。図33はまた、複数のダイオード155のいずれかが、図示するように絶縁体135によって部分的に充填されている、その側部と基部100Gのチャネル105の壁との間の(可変)間隙と、レンズ150とまた他の装置構成要素との間の可変間隔とを有することができることも示す。結果として得られる装置400、400A及び/又は400Bは、その他の点では、本明細書で説明した他の装置の実施形態のいずれかと実質的に同様に機能する。   FIG. 32 illustrates a plurality of first conductors 110, a plurality of substantially spherical diodes 155, a plurality of insulators 135, a plurality of second conductors 140, a plurality of plurality of first conductors 110, of an embodiment of an apparatus 400 according to the teachings of the present invention. FIG. 11 is a perspective view of a sixth exemplary base 100G on which a third conductor 145 and a plurality of lenses 150 (suspended in a polymer (resin or binder) 165) are deposited. FIG. 33 illustrates a plurality of first conductors 110, a plurality of substantially spherical diodes 155, a plurality of insulators 135, a plurality of second conductors 140, a plurality of plurality of first conductors 110, an embodiment of an apparatus 400 according to the teachings of the present invention. Sixth exemplary base 100G (through the 71-71 ′ plane) on which a third conductor 145 and a plurality of lenses 150 (suspended in a polymer (resin or other binder) 165) are deposited. It is sectional drawing. As described above, the sixth exemplary base 100G follows the shape of the plurality of protrusions (or supports) 245, channels 105 and protrusions 245 in the channel 105 (which can be integrally formed with the base 100G). It further comprises a plurality of first conductors 110 having a substantially constant or consistent depth, in this case further comprising a plurality of integrally formed conductive vias 285 randomly distributed within the base 100G. Insofar as they are provided, the embodiment of the device 400 is different from other devices. Random dispersion is further indicated by one of the first conductors 110 not being in contact with the via 285 at a selected or specific cross-section (through the 71-71 ′ plane) and generally its length. There will be contact with the via 285 at some other point along (not shown separately). Similarly, although not separately shown in FIGS. 32 and 33, the base 100G can also have any of the additional coatings or layers (250, 260, 270) described above. FIG. 33 also shows that (variable) gaps between the sides and the walls of the channel 105 of the base 100G, where any of the plurality of diodes 155 is partially filled with an insulator 135 as shown. It can also be shown that there can be a variable spacing between the lens 150 and also other device components. The resulting devices 400, 400A and / or 400B otherwise function in substantially the same manner as any of the other device embodiments described herein.

図34は、本発明の教示による装置600の実施形態の、第1の導体110、複数の実質的に球形のダイオード155、絶縁体135、第2の導体140及び第3の導体が堆積している例示的な基部100又は100Fの斜視図である。図35は、本発明の教示による装置600の実施形態の、第1の導体110、複数の実質的に球形のダイオード155、絶縁体135、第2の導体140、第3の導体145及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している例示的な基部100又は100Fの斜視図である。図36は、本発明の教示による装置600の、実施形態の第1の導体110、複数の実質的に球形のダイオード155、絶縁体135、第2の導体140、第3の導体145及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している例示的な基部100又は100Fの(72−72’平面を通る)断面図である。上述したように、装置600の実施形態は、第1の導体110、絶縁体135、第2の導体140(及び第3の導体145)の各々が、対応する複数の別個の導体及び絶縁体としてではなく対応する単一の層として形成される限りにおいて、他の装置とは異なる。別個には図示しないが、基部は、導電性ビア280、285若しくは導電性バックプレーン、又は様々なコーティング若しくは層250、260、270等、基部100〜100Gに関して上述した他の特徴のいずれかでありかつ/又はいずれかを含むことができる。この例示的な装置600に対して示すように、装置600の側部(側面)に及び側部から、又は(装置600が1つ又は複数の導電性ビア280、285及び/又は導電性バックプレーンを更に含む場合等)他の装置の実施形態のいずれかに対して上述した他の機構を介して、電圧を、第1の導体110及び第2の導体140(及び/又は第3の導体145)の任意の1つ又は複数の箇所又は領域の両端で、印加することができ(発光用途の場合)、又は受け取ることができる(光起電力用途の場合)。図示するように、任意選択の第3の導体145を、第2の導体140の上又は中にグリッドパターンを有する等、個々の導電性トレースとして形成することができる。上述したように、これらの様々な層のいずれかを、任意の堆積、印刷、コーティング、スパッタリング、スピンキャスト等のプロセスによって堆積させることができる。結果として得られる装置600、600A及び/又は600Bは、個々の行、列又は画素に対してアドレス指定を可能にしないが、他の点では、本明細書で説明した他の装置の実施形態のいずれかと実質的に同様に機能する。   FIG. 34 illustrates the deposition of a first conductor 110, a plurality of substantially spherical diodes 155, an insulator 135, a second conductor 140, and a third conductor of an embodiment of an apparatus 600 according to the teachings of the present invention. 1 is a perspective view of an exemplary base 100 or 100F. FIG. 35 illustrates a first conductor 110, a plurality of substantially spherical diodes 155, an insulator 135, a second conductor 140, a third conductor 145 and (polymer) of an embodiment of an apparatus 600 according to the teachings of the present invention. FIG. 6 is a perspective view of an exemplary base 100 or 100F with a plurality of lenses 150 (suspended in a resin or other binder) 165 deposited thereon. FIG. 36 illustrates a first conductor 110, a plurality of substantially spherical diodes 155, an insulator 135, a second conductor 140, a third conductor 145 and (polymer) of an apparatus 600 according to the teachings of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view (through the 72-72 ′ plane) of an exemplary base 100 or 100F on which a plurality of lenses 150 (resin or other binder) 165 is deposited. As described above, the embodiment of the apparatus 600 may be configured such that each of the first conductor 110, the insulator 135, the second conductor 140 (and the third conductor 145) is a corresponding plurality of separate conductors and insulators. It differs from other devices as long as it is formed as a corresponding single layer. Although not separately illustrated, the base is any of the other features described above with respect to the base 100-100G, such as conductive vias 280, 285 or conductive backplanes, or various coatings or layers 250, 260, 270, etc. And / or any of them. As shown for this exemplary device 600, the device 600 may include one or more conductive vias 280, 285 and / or a conductive backplane. The first conductor 110 and the second conductor 140 (and / or the third conductor 145) via the other mechanisms described above for any of the other device embodiments. ) Can be applied (for light emitting applications) or received (for photovoltaic applications) at any one or more points or regions. As shown, the optional third conductor 145 can be formed as an individual conductive trace, such as having a grid pattern on or in the second conductor 140. As described above, any of these various layers can be deposited by any deposition, printing, coating, sputtering, spin casting, or other process. The resulting devices 600, 600A and / or 600B do not allow addressing for individual rows, columns or pixels, but otherwise are of the other device embodiments described herein. Functions substantially the same as either.

図37は、本発明の教示による装置700の実施形態の、第1の導体110、第1の導体(又は導電性)接着層110A、複数の基板粒子120及び1つ又は複数の絶縁体135を備えた第9の例示的な基部100Hの斜視図である。図38は、本発明の教示による装置700の実施形態の、第1の導体110、第1の導体(又は導電性)接着層110A、複数の基板粒子120及び1つ又は複数の絶縁体135を備えた第9の例示的な基部100Hの(73−73’平面を通る)断面図である。この例示的な実施形態では、図示する基部100Hは実質的に平坦な全体的なフォームファクターを有し、所定公差内の実質的に平滑な第1の面又は第1の側を有しており(実質的に平滑かつ実質的に平坦な基部100H)(キャビティ、チャネル又は溝105を有しておらず、例えば網状ではない)、第1の導体110は、予め製造されたアルミニウムシート等の単一の単体層として形成されている。第1の導体110によって提供される支持部に応じて、第1の導体の電気的絶縁をデバイスハウジング(別個には図示せず)等の他の機構を介して提供して、基部100Hを任意選択で含めることができる。同様にこの例示的な実施形態では、複数の基板粒子120を第1の導体110に接着させ、複数の基板粒子120と第1の導体110との間にオーミックコンタクトを生成するために、第1の導体(又は導電性)接着層110Aが利用され、例えば、第1の導体(又は導電性)接着層110Aは、異方性導電性接着剤若しくはポリマー又は別のタイプの上述した導電性ポリマー、樹脂又はバインダーを含むことができる。複数の基板粒子120の堆積に続き、上述した方法のいずれかを用いて、上述したいずれかのタイプの絶縁材料又は誘電体材料を用いて、絶縁層が絶縁体135を形成するように堆積する。   FIG. 37 illustrates a first conductor 110, a first conductor (or conductive) adhesive layer 110A, a plurality of substrate particles 120, and one or more insulators 135 of an embodiment of an apparatus 700 according to the teachings of the present invention. FIG. 10 is a perspective view of a ninth exemplary base portion 100H provided. FIG. 38 illustrates a first conductor 110, a first conductor (or conductive) adhesive layer 110A, a plurality of substrate particles 120, and one or more insulators 135 of an embodiment of an apparatus 700 according to the teachings of the present invention. FIG. 90 is a cross-sectional view (through the 73-73 ′ plane) of a ninth exemplary base 100H provided. In this exemplary embodiment, the illustrated base 100H has a substantially flat overall form factor and has a substantially smooth first surface or first side within a predetermined tolerance. (Substantially smooth and substantially flat base 100H) (without cavities, channels or grooves 105, for example, not net-like), the first conductor 110 is a single piece of prefabricated aluminum sheet or the like. It is formed as a single layer. Depending on the support provided by the first conductor 110, electrical insulation of the first conductor may be provided via other mechanisms, such as a device housing (not separately shown) to make the base 100H optional Can be included in the selection. Similarly, in this exemplary embodiment, a plurality of substrate particles 120 are bonded to the first conductor 110 to create an ohmic contact between the plurality of substrate particles 120 and the first conductor 110. A conductive (or conductive) adhesive layer 110A, for example, the first conductive (or conductive) adhesive layer 110A may be an anisotropic conductive adhesive or polymer or another type of conductive polymer as described above, Resins or binders can be included. Following the deposition of the plurality of substrate particles 120, the insulating layer is deposited to form the insulator 135 using any of the types of insulating or dielectric materials described above using any of the methods described above. .

図39は、本発明の教示による例示的な装置700の実施形態の、第1の導体110、第1の導体(又は導電性)接着層110A、複数の基板粒子120の上に堆積した基板(又は半導体)層又は領域255Aを用いて形成される複数のダイオード155、絶縁体135、第2の導体140及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している)複数のレンズ150が堆積している第9の例示的な基部100Hの斜視図である。図40は、本発明の教示による例示的な装置700の実施形態の、第1の導体110、第1の導体(又は導電性)接着層110A、複数の基板粒子120の上に堆積した基板(又は半導体)層又は領域255Aを用いて形成された複数のダイオード155、絶縁体135、第2の導体140及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している))複数のレンズ150が堆積している第9の例示的な基部100Hの断面図である。図15を参照して上述したように、こうした例示的な実施形態では、ダイオード155は、接合275を形成するように基板粒子120に結合されている層又は領域255Aを備えている。   FIG. 39 illustrates a substrate (on a first conductor 110, a first conductor (or conductive) adhesive layer 110A, a substrate deposited on a plurality of substrate particles 120, of an exemplary apparatus 700 embodiment in accordance with the teachings of the present invention). Or a plurality of diodes 155, insulators 135, second conductors 140 and a plurality of lenses 150 (suspended in a polymer (resin or other binder) 165) formed using a layer or region 255A. 10 is a perspective view of a ninth exemplary base 100H being deposited. FIG. FIG. 40 illustrates a substrate (on a first conductor 110, a first conductor (or conductive) adhesion layer 110A, a substrate deposited on a plurality of substrate particles 120, of an exemplary apparatus 700 embodiment in accordance with the teachings of the present invention). Or semiconductor) a plurality of diodes 155, insulators 135, second conductors 140 and (suspended in polymer (resin or other binder) 165)) lenses 150 formed using layers or regions 255A. FIG. 11A is a cross-sectional view of a ninth exemplary base portion 100H where is deposited. As described above with reference to FIG. 15, in these exemplary embodiments, diode 155 includes a layer or region 255 </ b> A that is coupled to substrate particle 120 to form junction 275.

例として、第1の多数キャリア(例えばp+又はn+)を有する半導体を備えた複数の基板粒子120の場合、第2の多数キャリア(例えば対応してn+又はp+)を有する層又は領域255Aが作製され、接合275も形成される。半導体基板粒子120の場合、接合275は概してpn(又はPN)接合275であり、有機又はポリマー基板粒子120の場合、接合275は、限定ではなく例としてOLED又はPLEDを生成するために利用される有機層又はポリマー層の間の接合とみなすことができる。図示する例示的な実施形態700では、第1の多数キャリアを有する半導体基板タイプ(例えばp+シリコン)に対して、プラズマ堆積又はスパッタリング等を用いる堆積プロセスの一部として、第2の多数キャリア(例えば、リンドープシリコン等のn型ドーパント)を有する半導体材料が、複数の基板粒子120の第1の部分又は上方部分及び任意の1つ又は複数の絶縁体135の上に(最上部に)堆積し、実質的に連続したガラス状の層又は領域255Aを形成し、基板粒子120と接触している層又は領域255Aの部分の上に接合275が形成される。対応する堆積した第2の多数キャリア(n型)半導体材料は、基板粒子120の上方部分との連続的な結晶又は他の結合剤を形成する等、基板粒子120の各々との連続的な半導体本体を形成し、この場合は、第1の多数キャリア(p型)半導体基板粒子120との対応する接合275(この場合はpn接合275)を画定するn型層又は領域255Aである堆積層又は領域255Aを形成する。図示する例示的な実施形態では、対応するpn接合275はまた、基板粒子120の上の「キャップ」として形成され、複数の基板粒子120が実質的に球形である場合の半球形殻形状等、実質的に湾曲した殻形状でもあり、また、実質的に平面かつ平坦なpn接合又は半導体基板のウェル内の実質的に平面かつ平坦なpn接合を有する通常の従来技術によるダイオードとは著しく対照的である。逆に、第1の多数キャリア(p型)層又は領域255Aは、第2の多数キャリア(n型)半導体粒子120の上に形成することができ、均等かつ本発明の範囲内にあるとみなされる。層又は領域255Aの堆積に続き、1つ又は複数の第2の導体140(及び任意選択で1つ又は複数の第3の導体145)及び(ポリマー(樹脂又は他のバインダー)165内に懸濁している))複数のレンズ150を、上述したように堆積させて、例示的な装置700の実施形態を形成することができる。   As an example, in the case of a plurality of substrate particles 120 with a semiconductor having a first majority carrier (eg, p + or n +), a layer or region 255A having a second majority carrier (eg, corresponding n + or p +) is created. As a result, a junction 275 is also formed. In the case of semiconductor substrate particles 120, junction 275 is generally a pn (or PN) junction 275, and in the case of organic or polymer substrate particles 120, junction 275 is utilized to generate an OLED or PLED by way of example and not limitation. It can be considered as a bond between organic or polymer layers. In the illustrated exemplary embodiment 700, for a semiconductor substrate type having a first majority carrier (eg, p + silicon), a second majority carrier (eg, as part of a deposition process using plasma deposition or sputtering, etc.). , An n-type dopant such as phosphorus-doped silicon) is deposited (on top) on the first or upper portion of the plurality of substrate particles 120 and any one or more insulators 135. A substantially continuous glassy layer or region 255A is formed, and a bond 275 is formed over the portion of the layer or region 255A that is in contact with the substrate particles 120. A corresponding deposited second majority carrier (n-type) semiconductor material forms a continuous crystal or other binder with the upper portion of substrate particle 120, such as a continuous semiconductor with each of substrate particles 120. A deposited layer or n-type layer or region 255A that forms a body and in this case defines a corresponding junction 275 (in this case a pn junction 275) with the first majority carrier (p-type) semiconductor substrate particle 120 Region 255A is formed. In the illustrated exemplary embodiment, the corresponding pn junction 275 is also formed as a “cap” on the substrate particle 120, such as a hemispherical shell shape when the plurality of substrate particles 120 are substantially spherical, etc. It also has a substantially curved shell shape and is in marked contrast to conventional prior art diodes having a substantially planar and flat pn junction or a substantially planar and flat pn junction in the well of a semiconductor substrate. It is. Conversely, the first majority carrier (p-type) layer or region 255A can be formed on the second majority carrier (n-type) semiconductor particle 120 and is considered to be equally and within the scope of the present invention. It is. Following the deposition of layer or region 255A, it is suspended in one or more second conductors 140 (and optionally one or more third conductors 145) and (polymer (resin or other binder) 165. )) A plurality of lenses 150 may be deposited as described above to form an exemplary apparatus 700 embodiment.

上述したようにかつ装置600の実施形態と同様に、装置700の実施形態は、第1の導体110、第1の導体(又は導電性)接着層110A、絶縁体135、層又は領域255A、第2の導体140(及び任意選択の第3の導体145)の各々が、対応する複数の別個の導体及び絶縁体としてではなく対応する単一の層として形成される限りにおいて、他の装置とは異なる。別個には示さないが、基部は、導電性ビア280、285若しくは導電性バックプレーン又は様々なコーティング若しくは層250、260、270等、基部100〜100Gに対して上述した他の特徴のいずれかとすることができかつ/又はそれを含むことができる。この例示的な装置700について図示するように、装置700の側部(側面)に及び側部から、又は(装置700が1つ若しくは複数の導電性ビア280、285及び/又は導電性バックプレーンを更に含む場合等)他の装置の実施形態のいずれかについて上述した他の機構を介して、電圧を、第1の導体110及び第2の導体140(及び/又は第3の導体145)の任意の1つ又は複数の箇所又は領域の両端で、印加することができ(発光用途の場合)、又は受け取ることができる(光起電力用途の場合)。別個には図示しないが、上述しかつ例示したように、任意選択の第3の導体145を、第2の導体140の上又は中にグリッドパターンを有する等、個々の導電性トレースとして形成することができる。また、上述したように、これらの様々な層のいずれかを、任意の堆積、印刷、コーティング、スパッタリング、スピンキャスト等のプロセスによって堆積させることができる。結果として得られる装置700、700A及び/又は700Bは、個々の行、列又は画素へのアドレス指定を可能にしないが、他の点では、本明細書で説明した他の装置の実施形態のいずれかと実質的に同様に機能する。   As described above and similar to device 600 embodiment, device 700 embodiment includes first conductor 110, first conductor (or conductive) adhesive layer 110A, insulator 135, layer or region 255A, first As long as each of the two conductors 140 (and optional third conductor 145) is formed as a corresponding single layer rather than as a corresponding plurality of separate conductors and insulators, Different. Although not shown separately, the base may be any of the other features described above for bases 100-100G, such as conductive vias 280, 285 or conductive backplanes or various coatings or layers 250, 260, 270, etc. And / or can include it. As illustrated for this exemplary device 700, the device 700 may include one or more conductive vias 280, 285 and / or conductive backplanes on and / or from the sides. In addition, voltage may be applied to the first conductor 110 and the second conductor 140 (and / or the third conductor 145) via other mechanisms described above for any of the other device embodiments. Can be applied (for light emitting applications) or received (for photovoltaic applications) at one or more points or regions of Although not shown separately, the optional third conductor 145 is formed as an individual conductive trace, such as having a grid pattern on or in the second conductor 140, as described and illustrated above. Can do. Also, as described above, any of these various layers can be deposited by any deposition, printing, coating, sputtering, spin casting, or other process. The resulting device 700, 700A, and / or 700B does not allow addressing to individual rows, columns, or pixels, but otherwise is any of the other device embodiments described herein. It functions substantially the same.

当業者は、任意の数の第1の導体110、絶縁体135、第2の導体140及び/又は第3の導体145を、特許請求される本発明の範囲内で利用することができることを理解する。さらに、図1〜図33に示す実質的に平行な向きに加えて、装置200、300、400、500のいずれかに対して、複数の第1の導体110、複数の絶縁体135及び複数の第2の導体140(いずれかの組み込まれた対応するかつ任意選択の1つ又は複数の第3の導体145を含む)の多種多様の向き及び構成があり得る。例えば、複数の第1の導体110及び複数の第2の導体140を、互いに垂直とする(行及び列を規定する)ことができ、それにより、それらのオーバーラップ領域を利用して画素(「ピクセル」)を画定することができ、別個にかつ独立してアドレス指定可能とすることができる。複数の第1の導体110及び複数の第2の導体140のいずれか又は両方は、所定の幅を有する離間した実質的に平行な線(ともに行を規定するか又はともに列を規定する)として実施することができる場合、限定ではなく例として行を次々に順次アドレス指定する等、行及び/又は列によってアドレス指定可能とすることもできる。さらに、複数の第1の導体110及び複数の第2の導体140のいずれか又は両方は、上述したような層又はシートとして実施することができる。   Those skilled in the art will appreciate that any number of first conductors 110, insulators 135, second conductors 140, and / or third conductors 145 may be utilized within the scope of the claimed invention. To do. Furthermore, in addition to the substantially parallel orientation shown in FIGS. 1-33, for any of the devices 200, 300, 400, 500, a plurality of first conductors 110, a plurality of insulators 135 and a plurality of There may be a wide variety of orientations and configurations of the second conductor 140 (including any incorporated corresponding and optional one or more third conductors 145). For example, the plurality of first conductors 110 and the plurality of second conductors 140 can be perpendicular to one another (defining rows and columns), thereby utilizing their overlapping regions to create pixels (“ Pixel ") can be defined and can be separately and independently addressable. Either or both of the plurality of first conductors 110 and the plurality of second conductors 140 are spaced apart, substantially parallel lines having a predetermined width (both defining a row or both defining a column). Where practicable, it may be addressable by row and / or column, such as by way of example, addressing one after the other sequentially, without limitation. Further, either or both of the plurality of first conductors 110 and the plurality of second conductors 140 can be implemented as a layer or sheet as described above.

上述したように、複数のダイオード155は、例として限定ではなく、(材料選択及び対応するドーピングにより)光起電力(PV)ダイオード155又はLED155となるように構成することができる。図41は、本発明の教示による第1のシステムの実施形態350を示すブロック図であり、そこでは、複数のダイオード155が任意のタイプ又は色のLEDとして実施されている。システム350は、LEDとして実施される複数のダイオード155を有する装置200A、300A、400A、500A,600A、700A、電源340を備え、任意選択のコントローラー320も有することができる。1つ又は複数の第1の導体110及び1つ又は複数の第2の導体140(及び任意選択の1つ又は複数の第3の導体145)が、(例えば電源340からの)対応する電圧の印加等により通電されると、導体及び絶縁体が各々単層として実施される場合は装置600Aを全体的に横切って、又は装置200A、300A、400A,500Aの場合は、向き及び構成に応じて例えば画素、シート又は行/列を規定する通電された第1の導体110及び第2の導体(複数の場合もあり)140の対応する交差部分(オーバーラップ領域)において、複数のLED(155)のうちの1つ又は複数にエネルギーが供給される。したがって、第1の導体110及び第2の導体(複数の場合もあり)140(及び/又は第3の導体145)に選択的に通電することにより、装置200A、300A、400A、500A(及び/又はシステム350)は、画素アドレス指定可能な動的ディスプレイ又は照明デバイス又は標識等を提供する。例えば、複数の第1の導体110は対応する複数の行を備えることができ、複数の透過性の第2の導体(複数の場合もあり)140(及び任意選択の1つ又は複数の第3の導体145)は、対応する複数の列を備え、各画素は、対応する行及び対応する列の交差又はオーバーラップによって画定される。複数の第1の導体110及び複数の第2の導体140(及び/又は第3の導体145)のいずれか又は両方を、同様に例えば装置600Aの場合のように単体シートとして実施することができる場合、導体110、140(及び/又は145)の通電により、標識等の照明デバイス又は静的ディスプレイを発光等させるために、複数のLED(155)の実質的に全て(又は大部分)に電力が提供される。   As described above, the plurality of diodes 155 are not limiting as examples and can be configured to be photovoltaic (PV) diodes 155 or LEDs 155 (by material selection and corresponding doping). FIG. 41 is a block diagram illustrating a first system embodiment 350 in accordance with the teachings of the present invention, in which a plurality of diodes 155 are implemented as LEDs of any type or color. System 350 includes devices 200A, 300A, 400A, 500A, 600A, 700A, power supply 340 having a plurality of diodes 155 implemented as LEDs, and may also have an optional controller 320. One or more first conductors 110 and one or more second conductors 140 (and optional one or more third conductors 145) are connected to the corresponding voltage (eg, from power supply 340). When energized by application or the like, depending on the orientation and configuration, across the device 600A as a whole when the conductor and insulator are each implemented as a single layer, or in the case of devices 200A, 300A, 400A, 500A For example, a plurality of LEDs (155) at corresponding intersections (overlap regions) of energized first conductor 110 and second conductor (s) 140 defining pixels, sheets or rows / columns. One or more of these are supplied with energy. Accordingly, by selectively energizing the first conductor 110 and the second conductor (s) 140 (and / or the third conductor 145), the devices 200A, 300A, 400A, 500A (and / or Or system 350) provides a pixel-addressable dynamic display or lighting device or signage or the like. For example, the plurality of first conductors 110 may comprise a corresponding plurality of rows, and the plurality of transmissive second conductor (s) 140 (and optional one or more thirds). Conductor 145) comprises a corresponding plurality of columns, each pixel being defined by a corresponding row and corresponding column intersection or overlap. Either or both of the plurality of first conductors 110 and the plurality of second conductors 140 (and / or the third conductor 145) can be similarly implemented as a single sheet, for example, as in the apparatus 600A. In some cases, energization of conductors 110, 140 (and / or 145) powers substantially all (or most) of the plurality of LEDs (155) to cause lighting devices such as signs or static displays to emit light, etc. Is provided.

続けて図41を参照すると、装置200A、300A、400A、500A、600A、700Aは、(例えば2つ以上の対応するコネクターとすることもできるし、バスの形態とすることもできる)回線又はコネクター310を介して、コントローラー(又は等価的に制御論理ブロック)320に結合するため、かつ/又は、DC電源(バッテリ又は太陽電池等)とするかAC電源(家庭用電源又は建物用電源等)とすることができる電源340に結合するために、制御バス315に結合される。アドレス指定可能な発光ディスプレイシステム350の実施形態及び/又は動的発光ディスプレイシステム350の実施形態の場合等、コントローラー320が実装される場合、コントローラー320を利用して、電子技術分野において既知であるか又は既知となるようにLED(155)の通電を(様々な複数の第1の導体110及び複数の透過性の第2の導体140(及び任意選択の1つ又は複数の第3の導体145)を介して)制御することができ、コントローラー320は、通常、プロセッサ325、メモリ330及び入出力(I/O)インターフェース335を備えている。(通常、アドレス指定不能かつ/又は非動的発光ディスプレイシステム350の実施形態である)様々な照明システム350の実施形態の場合等、コントローラー320が実装されない場合、システム350は、通常、照明システムをオン、オフしかつ/又は暗くする等、任意の適切なタイプのスイッチング装置を備えることができる電気スイッチ又は電子スイッチ(別個には図示せず)に結合される。   With continued reference to FIG. 41, the devices 200A, 300A, 400A, 500A, 600A, 700A may be lines or connectors (eg, may be two or more corresponding connectors or may be in the form of a bus). 310 for coupling to a controller (or equivalently control logic block) 320 via 310 and / or a DC power source (battery or solar cell etc.) or an AC power source (home power source or building power source etc.) Coupled to the control bus 315 for coupling to a power source 340 that can. If the controller 320 is implemented, such as in the addressable light emitting display system 350 embodiment and / or the dynamic light emitting display system 350 embodiment, is it known in the electronics art using the controller 320? Or energizing the LED (155) as known (various first conductors 110 and multiple transparent second conductors 140 (and optionally one or more third conductors 145). The controller 320 typically includes a processor 325, a memory 330, and an input / output (I / O) interface 335. If the controller 320 is not implemented, such as in various lighting system 350 embodiments (typically non-addressable and / or non-dynamic light emitting display system 350 embodiments), the system 350 typically turns the lighting system off. Coupled to an electrical or electronic switch (not separately shown) that may comprise any suitable type of switching device, such as on, off and / or darkened.

「プロセッサ」325は、任意のタイプのコントローラー又はプロセッサとすることができ、本明細書で説明する機能を実行するように1つ又は複数のプロセッサ325として具体化することができる。本明細書においてプロセッサという用語を用いる場合、プロセッサ325は、単一の集積回路(「IC」)の使用を含むこともできるし、コントローラー、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ(「DSP」)、並列プロセッサ、マルチコアプロセッサ、カスタムIC、特定用途向け集積回路(「ASIC」)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(「FPGA」)、アダプティブコンピューティングIC、関連するメモリ(RAM、DRAM及びROM等)並びに他のIC及びコンポーネント等、ともに接続され、配置され若しくはグループ化される複数の集積回路又は他のコンポーネントの使用を含むこともできる。結果として、プロセッサという用語は、本明細書で使用されるとき、マイクロプロセッサメモリ又は更なるRAM、DRAM、SDRAM、SRAM、MRAM、ROM、FLASH、EPROM若しくはEPROM等の関連するメモリを有する、単一IC、又はカスタムIC、ASIC、プロセッサ、マイクロプロセッサ、コントローラー、FPGA、アダプティブコンピューティングIC、若しくは後述する機能を実行する集積回路の他の何らかのグループ化を等しく意味しかつ含むものと理解するべきである。プロセッサ(プロセッサ325等)は、その関連するメモリとともに、動的ディスプレイの実施形態の場合は選択的画素アドレス指定、又は標識の実施形態等の場合は行/列アドレス指定等、本発明の方法を実行するように(プログラミング、FPGA相互接続又は配線を介して)適合又は構成することができる。例えば、本方法は、プロセッサが動作可能である(すなわち電源が投入され機能している)ときに後に実行するために、プログラム命令又は他のコード(又は等価の構成若しくは他のプログラム)のセットとして関連するメモリ(及び/又はメモリ330)及び他の等価なコンポーネントを有するプロセッサ325においてプログラムし格納することができる。同様に、プロセッサ325を全体として又は部分的にFPGA、カスタムIC及び/又はASICとして実施することができる場合、FPGA、カスタムIC又はASICもまた、本発明の方法を実施するように設計し、構成しかつ/又は配線することができる。例えば、プロセッサ325は、まとめて「コントローラー」又は「プロセッサ」と呼ばれるプロセッサ、コントローラー、マイクロプロセッサ、DSP及び/又はASICの構成として実施することができ、それらは、メモリ330と併せて、本発明の方法を実施するようにそれぞれプログラムされ、設計され、適合され又は構成される。 “Processor” 325 may be any type of controller or processor and may be embodied as one or more processors 325 to perform the functions described herein. As used herein, the term processor may include the use of a single integrated circuit (“IC”), controller, microprocessor, digital signal processor (“DSP”), parallel processor. , Multi-core processors, custom ICs, application specific integrated circuits (“ASICs”), field programmable gate arrays (“FPGAs”), adaptive computing ICs, related memories (such as RAM, DRAM and ROM), and other ICs and components Etc., which may also include the use of multiple integrated circuits or other components that are connected together, arranged or grouped. As a result, the term processor as used herein has a microprocessor memory or associated memory such as RAM, DRAM, SDRAM, SRAM, MRAM, ROM, FLASH, EPROM or E 2 PROM, It should be understood to equally mean and include a single IC or a custom IC, ASIC, processor, microprocessor, controller, FPGA, adaptive computing IC, or some other grouping of integrated circuits that perform the functions described below. It is. A processor (such as processor 325), along with its associated memory, performs the method of the present invention, such as selective pixel addressing in the case of dynamic display embodiments, or row / column addressing in the case of signage embodiments, etc. It can be adapted or configured to execute (via programming, FPGA interconnect or wiring). For example, the method may be implemented as a set of program instructions or other code (or equivalent configuration or other program) for later execution when the processor is operational (ie, powered on and functioning). It can be programmed and stored in a processor 325 having associated memory (and / or memory 330) and other equivalent components. Similarly, if the processor 325 can be implemented in whole or in part as an FPGA, custom IC and / or ASIC, the FPGA, custom IC or ASIC is also designed and configured to implement the method of the present invention. And / or wiring. For example, the processor 325 can be implemented as a processor, controller, microprocessor, DSP and / or ASIC configuration collectively referred to as a “controller” or “processor”, which in conjunction with the memory 330 is Each programmed, designed, adapted or configured to perform the method.

プロセッサ(プロセッサ325等)をその関連するメモリとともに、何の情報が表示されているかに対する対応する制御のために、様々な複数の第1の導体110及び複数の透過性の第2の導体140(及び任意選択の1つ又は複数の第3の導体145)の通電(それらに対する印加電圧)を制御するように(プログラミング、FPGA相互接続又は配線を介して)構成することができる。例えば、静的な又は時間変化するディスプレイ情報を、関連するメモリ(及び/又はメモリ330)及び他の等価なコンポーネントを有するプロセッサ325において、プロセッサ325が動作可能なときに後に実行するために、プログラム命令(又は等価な構成若しくは他のプログラム)のセットとして、プログラムし、かつ格納、構成及び/又は配線することができる。   A variety of first conductors 110 and a plurality of transparent second conductors 140 (for example, a processor (such as processor 325), along with its associated memory, for corresponding control over what information is displayed. And optional one or more third conductors 145) can be configured (via programming, FPGA interconnect or wiring) to control energization (applied voltage thereto). For example, a program for executing static or time-varying display information later in a processor 325 having associated memory (and / or memory 330) and other equivalent components when the processor 325 is operational. It can be programmed and stored, configured and / or wired as a set of instructions (or equivalent configurations or other programs).

データレポジトリ(又はデータベース)を含むことができるメモリ330は、現時点で既知であるか又は将来利用可能となる、任意のコンピューター又は他の機械可読データ記憶媒体、メモリデバイス、又は情報の格納若しくは通信用の他の記憶デバイス若しくは通信デバイスを含む、任意の数の形態で具体化することができる。これらの形態には、限定されないが、選択される実施形態に応じて、既知であるか又は既知となる、揮発性であるか又は不揮発性であるか、着脱可能であるか又は着脱不能であるかにかかわらず、限定ではなくRAM、FLASH、DRAM、SDRAM、SRAM、MRAM、FeRAM、ROM、EPROM若しくはEPROMを含む、メモリ集積回路(「IC」)若しくは集積回路のメモリ部分(プロセッサ325内の常駐メモリ等)、又は、磁気ハードドライブ、光ドライブ、磁気ディスク若しくはテープドライブ、ハードディスクドライブ、他の機械可読記憶機構、若しくはフロッピー(登録商標)ディスク、CDROM、CD−RW、デジタル多用途ディスク(DVD)若しくは他の光メモリ等の他の機械可読記憶機構若しくはメモリ媒体、又は他の任意のタイプのメモリ、記憶媒体、若しくはデータ記憶装置若しくは回路等の他の任意の形態のメモリデバイスが含まれる。さらに、こうしたコンピューター可読媒体には、データ又は他の情報を、電磁信号、光信号、音響信号、RF信号又は赤外線信号等を含む信号で、有線で又は無線で符号化することができる、あらゆる情報伝達媒体を含む、電磁搬送波若しくは光搬送波又は他の伝達機構等、コンピューター可読命令、データ構造、プログラムモジュール又は他のデータをデジタル信号又は変調信号に具体化する、任意の形態の通信媒体を含む。メモリ330は、様々なルックアップテーブル、パラメーター、係数、他の情報及びデータ、(本発明のソフトウェアの)プログラム又は命令、及びデータベーステーブル等の他のタイプのテーブルを格納するように適合させることができる。 Memory 330, which may include a data repository (or database), is for storing or communicating any computer or other machine-readable data storage medium, memory device, or information that is currently known or will be available in the future. It can be embodied in any number of forms, including other storage devices or communication devices. These forms include, but are not limited to, volatile or non-volatile, removable or non-removable, known or known, depending on the embodiment selected. A memory integrated circuit (“IC”) or memory portion of an integrated circuit (in processor 325), including but not limited to RAM, FLASH, DRAM, SDRAM, SRAM, MRAM, FeRAM, ROM, EPROM, or E 2 PROM Resident memory), or magnetic hard drive, optical drive, magnetic disk or tape drive, hard disk drive, other machine readable storage, or floppy disk, CDROM, CD-RW, digital versatile disk ( DVD) or other machine-readable storage mechanisms such as other optical memories The memory medium, or any other type of memory, storage medium, or including the memory device of any other form, such as data storage or circuit. Further, such computer readable media may include any information that can be encoded, either wired or wireless, with data or other information, including signals including electromagnetic signals, optical signals, acoustic signals, RF signals, or infrared signals. It includes any form of communication medium that embodies computer readable instructions, data structures, program modules or other data in a digital or modulated signal, such as an electromagnetic or optical carrier or other transmission mechanism, including a transmission medium. The memory 330 may be adapted to store various types of tables such as various lookup tables, parameters, coefficients, other information and data, programs or instructions (of the software of the present invention), and database tables. it can.

上述したように、プロセッサ325は、例えば本発明のソフトウェア及びデータ構造を用いて、本発明の方法を実行するようにプログラムされている。結果として、本発明のシステム及び方法は、上述したコンピューター可読媒体内で具体化される命令及び/又はメタデータのセット等、こうしたプログラミング又は他の命令を提供するソフトウェアとして具体化することができる。さらに、メタデータを利用して、ルックアップテーブル又はデータベースの様々なデータ構造を定義することもできる。こうしたソフトウェアは、例として限定ではなく、ソースコード又はオブジェクトコードの形態とすることができる。ソースコードは、何らかの形態の命令又はオブジェクトコード(アセンブリ言語命令又はコンフィギュレーション情報を含む)に更にコンパイルすることができる。本発明のソフトウェア、ソースコード又はメタデータは、C、C++、SystemC、LISA、XML、Java(登録商標)、Brew、SQL及びその変形形態、又は様々なハードウェア定義言語若しくはハードウェアモデリング言語(例えばVerilog、VHDL、RTL)及び結果として得られるデータベースファイル(例えばGDSII)を含む、本明細書で説明した機能を実行する、他のあらゆるタイプのプログラミング言語の任意のタイプのコードとして具体化することができる。結果として、本明細書で等価に用いる「構造」、「プログラム構造」、「ソフトウェア構造」又は「ソフトウェア」は、あらゆるシンタックス又はシグネチャを有するあらゆる種類のあらゆるプログラム言語をも意味しかつ指し、それは、(例えば、インスタンス化されるか、又はプロセッサ325を含むプロセッサ又はコンピューターにロードされ実行されたとき)関連する機能又は指定された方法を提供するか、又は提供すると解釈することができる。   As described above, processor 325 is programmed to perform the method of the present invention using, for example, the software and data structures of the present invention. As a result, the systems and methods of the present invention can be embodied as software that provides such programming or other instructions, such as a set of instructions and / or metadata embodied in the computer-readable media described above. In addition, metadata can be used to define various data structures for lookup tables or databases. Such software is by way of example and not limitation, and can be in the form of source code or object code. The source code can be further compiled into some form of instruction or object code (including assembly language instructions or configuration information). The software, source code or metadata of the present invention can be C, C ++, SystemC, LISA, XML, Java®, Brew, SQL and variants thereof, or various hardware definition languages or hardware modeling languages (eg, Can be embodied as any type of code in any other type of programming language that performs the functions described herein, including Verilog, VHDL, RTL) and resulting database files (eg, GDSII). it can. As a result, “structure”, “program structure”, “software structure” or “software” as used herein equivalently means and refers to any kind of programming language with any syntax or signature, , (Or when instantiated or loaded into a processor or computer including processor 325 and executed) provides or can be construed to provide or provide a related function.

本発明のソフトウェア、メタデータ又は他のソースコード及びあらゆる結果として得られるビットファイル(オブジェクトコード、データベース又はルックアップテーブル)は、メモリ330に関して上述したようなコンピューター可読命令、データ構造、プログラムモジュール又は他のデータとして、コンピューター又は他の機械可読データ記憶媒体のいずれか等の任意の有形の記憶媒体、例えば、上述したようなフロッピー(登録商標)ディスク、CDROM、CD−RW、DVD、磁気ハードドライブ、光ドライブ又は他のあらゆるタイプのデータ記憶装置若しくは媒体内で具体化することができる。   The software, metadata or other source code and any resulting bit files (object code, database or lookup table) of the present invention may be computer readable instructions, data structures, program modules or others as described above with respect to memory 330 Data, any tangible storage medium, such as a computer or any other machine-readable data storage medium, such as a floppy disk, CDROM, CD-RW, DVD, magnetic hard drive, as described above, It can be embodied in an optical drive or any other type of data storage device or medium.

I/Oインターフェース335は、本技術分野において既知であるように又は既知となる可能性があるように実施することができ、インピーダンス整合能力、例えば低電圧プロセッサがより高電圧の制御バス315とインターフェースするための電圧変換、プロセッサ325からのシグナリングに応答して様々な回線又はコネクター310をオン若しくはオフにする様々なスイッチング機構(例えばトランジスタ)、及び/又は物理的な結合機構を含むことができる。さらに、I/Oインターフェース335は、例えば動的ディスプレイを制御する情報をリアルタイムに受け取るように、例えば配線又はRFシグナリング方式等により、システム300の外部と信号を送受信するように適合させることもできる。   The I / O interface 335 can be implemented as known in the art or as may be known, and impedance matching capabilities, such as a low voltage processor, interface with a higher voltage control bus 315. Voltage conversion to enable, various switching mechanisms (eg, transistors) to turn on or off various lines or connectors 310 in response to signaling from the processor 325, and / or physical coupling mechanisms. In addition, the I / O interface 335 can be adapted to send and receive signals to and from the outside of the system 300, for example, via wiring or RF signaling, such as to receive information that controls the dynamic display in real time.

例えば、例示的な第1のシステムの実施形態350は、複数のダイオード155が発光ダイオードである装置200A、300A、400A、500A、600A,700Aと、電球用の様々な標準エジソンソケットのいずれかと適合するためのI/Oインターフェース335とを備えている。限定することなく、この例を続けると、I/Oインターフェース335は、中型ねじ口金(E26)又はキャンデラブラ(candelabra)ねじ口金(E12)等、E12、E14、E26及び/又はE27ねじ口金標準規格等、並びに/又は同様に例えば米国国家規格協会(「ANSI」)及び/若しくは照明学会(Illuminating Engineering Society)によって公表された他の様々な標準規格等、標準化ねじ構成のうちの1つ又は複数に準拠するようにサイズ決め及び成形することができる。他の例示的な実施形態では、I/Oインターフェース335は、同様に限定ではなく例として、GU−10口金等、標準蛍光灯ソケット又は2プラグ口金に準拠するようにサイズ決め及び成形することができる。こうした例示的な第1のシステムの実施形態350は、特に、限定ではなく例としてエジソンソケット又は蛍光ソケットに挿入するのに適合性があるフォームファクターを有する場合、別のタイプの装置として等価に見ることもできる。   For example, exemplary first system embodiment 350 is compatible with devices 200A, 300A, 400A, 500A, 600A, 700A, where the plurality of diodes 155 are light emitting diodes, and any of a variety of standard Edison sockets for light bulbs. And an I / O interface 335 for performing the above. Continuing with this example, without limitation, the I / O interface 335 is an E12, E14, E26 and / or E27 screw cap standard, such as a medium screw cap (E26) or candelabra screw cap (E12). And / or similarly to one or more of the standardized screw configurations, such as various other standards published by, for example, the American National Standards Institute (“ANSI”) and / or the Illuminating Engineering Society. Can be sized and shaped to comply. In other exemplary embodiments, the I / O interface 335 may be sized and shaped to conform to a standard fluorescent light socket or two-plug base, such as, but not limited to, a GU-10 base. it can. Such an exemplary first system embodiment 350 is equivalently viewed as another type of device, especially if it has a form factor that is suitable for insertion into an Edison socket or a fluorescent socket by way of example and not limitation. You can also

図41に示すコントローラー320に加えて、当業者は、本発明の範囲内にある、本技術分野において既知である制御回路部の無数の等価な構成、レイアウト、種類及びタイプがあることを理解する。   In addition to the controller 320 shown in FIG. 41, those skilled in the art will appreciate that there are a myriad of equivalent configurations, layouts, types and types of control circuitry known in the art that are within the scope of the present invention. .

上述したように、複数のダイオード155は、光起電力(PV)ダイオード155となるように(材料選択及び対応するドーピングにより)構成することもできる。図42は、本発明の教示による第2のシステムの実施形態375を示すブロック図であり、そこでは、複数のダイオード155が光起電力(PV)ダイオード155として実施されている。システム375は、光起電力(PV)ダイオード155として実施される複数のダイオード155を有する装置200B、300B、400B、500B、600B、700Bと、バッテリ等のエネルギー貯蔵デバイス380、又は電動装置若しくは電力設備等、例えばエネルギー使用装置若しくはシステム若しくはエネルギー分配装置若しくはシステムに電力を供給するインターフェース回路385のいずれか又は両方とを備えている。(インターフェース回路385を備えていない他の例示的な実施形態では、他の回路構成を利用して、こうしたエネルギー使用装置若しくはシステム又はエネルギー分配装置若しくはシステムに直接エネルギー又は電力を提供することができる。)システム375内では、装置200B、300B、400B、500B、600B、700Bの1つ又は複数の第1の導体110が結合されて、第1の端子(負端子又は正端子等)を形成し、装置200B、300B、400B、500B、600B、700Bの1つ又は複数の第2の導体140(及び/又は第3の導体145)が結合されて、第2の端子(対応して正端子又は負端子等)を形成する。それらの端子は、その後、エネルギー貯蔵デバイス380又はインターフェース回路385のいずれか又は両方に接続するために配線又はコネクター310に結合可能である。装置200B、300B、400B、500B、600B、700Bの複数の球形レンズ150に(上述したように広範囲の角度のいずれかから)光(太陽光等)が入射すると、その光は1つ又は複数の光起電力(PV)ダイオード155に集光され、その後、PVダイオード155は入射光子を電子−正孔対に変換し、その結果、第1の端子及び第2の端子の両端に出力電圧が生成され、エネルギー貯蔵デバイス380又はインターフェース回路385のいずれか又は両方に出力される。   As described above, the plurality of diodes 155 can also be configured to be photovoltaic (PV) diodes 155 (by material selection and corresponding doping). FIG. 42 is a block diagram illustrating a second system embodiment 375 in accordance with the teachings of the present invention, in which a plurality of diodes 155 are implemented as photovoltaic (PV) diodes 155. The system 375 includes a device 200B, 300B, 400B, 500B, 600B, 700B having a plurality of diodes 155 implemented as a photovoltaic (PV) diode 155, an energy storage device 380 such as a battery, or an electric device or power facility. And / or an interface circuit 385 for supplying power to an energy usage device or system or an energy distribution device or system, for example. (In other exemplary embodiments that do not include the interface circuit 385, other circuit configurations may be utilized to provide energy or power directly to such energy consuming devices or systems or energy distribution devices or systems. ) Within system 375, one or more first conductors 110 of devices 200B, 300B, 400B, 500B, 600B, 700B are combined to form a first terminal (such as a negative terminal or a positive terminal); One or more second conductors 140 (and / or third conductor 145) of the devices 200B, 300B, 400B, 500B, 600B, 700B are coupled together to form a second terminal (correspondingly positive or negative). Terminal etc.). Those terminals can then be coupled to wires or connectors 310 for connection to either or both of the energy storage device 380 and the interface circuit 385. When light (such as sunlight) is incident on the spherical lenses 150 of the devices 200B, 300B, 400B, 500B, 600B, 700B (from any of a wide range of angles as described above), the light is one or more Focused on the photovoltaic (PV) diode 155, the PV diode 155 then converts the incident photons into electron-hole pairs, resulting in an output voltage across the first terminal and the second terminal. And output to either or both of the energy storage device 380 and the interface circuit 385.

図43は、装置200、300、400、500、600、700を形成するか又は他の方法で製造する、本発明の教示による方法の実施形態を示すフローチャートであり、有用な要約を提供する。開始ステップ702から開始して、本方法は、ステップ705において、通常、基部(100〜100G)の対応する複数のチャネル(キャビティ、チャネル又は溝105)内に、導電性インク若しくはポリマーを印刷するか又は基部(100〜100G)を1つ若しくは複数の金属でスパッタリング若しくはコーティングし、次いで、実施態様に応じて、導電性インク若しくはポリマーを硬化若しくは部分的に硬化させるか、又は場合によっては様々な***若しくは頂115から堆積金属を除去すること等により、複数の第1の導体(110)を堆積させる。同様に実施態様に応じて、基部及び/又はキャビティ、チャネル若しくは溝105の製造、コーティング(260)による反射性若しくは屈折性コーティング270又は反射器、屈折器若しくはミラー250(例えば光学格子、ブラッグ反射器)の追加、又は導電性バックプレーン(290)及びビア(280、285)の追加等、追加のステップを利用して、基部100を形成することができる。そして、ステップ710において、基板(例えば半導体)粒子インク又は懸濁液を形成するため等、通常はバインダー又は他の化合物若しくは混合物内に懸濁している(例えば揮発性溶媒又は反応剤内に懸濁している)複数の基板粒子120を、通常は対応するチャネル105において、同様に通常は印刷又はコーティングにより、複数の第1の導体の上に堆積させて、複数の基板粒子120と1つ又は複数の第1の導体との間にオーミックコンタクトを形成する(限定ではなく例として、様々な化学反応、圧縮及び/又は加熱を含む場合もある)。   FIG. 43 is a flow chart illustrating an embodiment of a method according to the teachings of the present invention that forms or otherwise manufactures the devices 200, 300, 400, 500, 600, 700 and provides a useful summary. Beginning at start step 702, the method typically prints a conductive ink or polymer in step 705 into the corresponding channels (cavities, channels or grooves 105) of the base (100-100G). Or the base (100-100G) is sputtered or coated with one or more metals and then the conductive ink or polymer is cured or partially cured, depending on the embodiment, or possibly various bumps Alternatively, the plurality of first conductors (110) are deposited by removing deposited metal from the top 115 or the like. Similarly, depending on the embodiment, fabrication of the base and / or cavity, channel or groove 105, reflective or refractive coating 270 by coating (260) or reflector, refractor or mirror 250 (eg optical grating, Bragg reflector) ) Or additional steps, such as adding conductive backplanes (290) and vias (280, 285), can be used to form the base 100. Then, in step 710, typically suspended in a binder or other compound or mixture (eg, suspended in a volatile solvent or reactant), such as to form a substrate (eg, semiconductor) particle ink or suspension. A plurality of substrate particles 120 are deposited on the plurality of first conductors, usually in a corresponding channel 105, also typically by printing or coating, to form a plurality of substrate particles 120 and one or more. An ohmic contact is formed with the first conductor (including, but not limited to, various chemical reactions, compression and / or heating).

ステップ715において、1つ又は複数のドーパント(等価的にドーパント化合物とも呼ぶ)又は(上述したように)OLEDの実施態様の場合は追加の有機発光層を、同様に通常は印刷又はコーティングにより、複数の基板粒子120の上に又はそれにわたって堆積させ、その後、必要に応じて、レーザー又は熱アニーリング若しくは合金化等により、加熱し、通電し、又は他の方法で硬化させて、光起電力(PV)ダイオード、LED又はOLED等の対応する複数のダイオード155を形成する。そして、ステップ720において、ポリマー又はバインダー内に懸濁している粒状誘電体化合物等の絶縁材料を、ダイオード155の周縁等、複数のダイオード155の対応する第1の部分の上に又はそれにわたって堆積させ(かつ硬化させるか又は加熱して)、1つ又は複数の絶縁体135を形成する。次いで、その後、ステップ725において、1つ又は複数の第2の導体(光学的に透過性である場合もない場合もある)を、絶縁体135の上及びダイオード155の周縁等、複数のダイオード155の対応する第2の部分に堆積させ、硬化させ(又は加熱し)、同様に、1つ又は複数の第2の導体(140)と複数のダイオード155との間にオーミックコンタクトを形成する。アドレス指定可能なディスプレイの場合等、例示的な実施形態では、複数の(透過性の)第2の導体140は、複数の第1の導体110に対して実質的に垂直に向けられる。任意選択で、その後、ステップ730において、1つ又は複数の第3の導体(145)を、対応する1つ又は複数の(透過性の)第2の導体の上に堆積させる(かつ硬化させるか又は加熱する)。   In step 715, one or more dopants (equivalently referred to as dopant compounds) or additional organic light emitting layers in the case of OLED embodiments (as described above), as well, usually by printing or coating, Is deposited on or over the substrate particles 120 and then optionally heated, energized, or otherwise cured, such as by laser or thermal annealing or alloying, to produce photovoltaic (PV ) Forming a corresponding plurality of diodes 155, such as diodes, LEDs or OLEDs. Then, in step 720, an insulating material such as a particulate dielectric compound suspended in a polymer or binder is deposited on or over the corresponding first portion of the plurality of diodes 155, such as the periphery of the diode 155. One and more insulators 135 are formed (and cured or heated). Then, thereafter, in step 725, the one or more second conductors (which may or may not be optically transmissive) are placed on the insulator 135 and the periphery of the diode 155, such as a plurality of diodes 155. Are deposited and cured (or heated) in a corresponding second portion of the same, and similarly form ohmic contacts between the one or more second conductors (140) and the plurality of diodes 155. In an exemplary embodiment, such as in the case of an addressable display, the plurality of (transparent) second conductors 140 are oriented substantially perpendicular to the plurality of first conductors 110. Optionally, in step 730, one or more third conductors (145) are then deposited (and cured) over the corresponding one or more (transparent) second conductors. Or heat).

別の選択肢として、ステップ735において、機能していないか又は他の理由で欠陥のあるダイオード155を除去するか又は使用不能として、検査を行うことができる。例えば、PVダイオードの場合、部分的に完成した装置の表面(第1の側)を、レーザー又は他の光源によってスキャンすることができ、領域(又は個々のダイオード155)が予想された電気応答を提供しない場合、高輝度レーザー又は他の除去技法を用いてその領域を除去することができる。同様に例えば、電源が投入された発光ダイオードの場合、表面(第1の側)をフォトセンサーでスキャンすることができ、領域(又は個々のダイオード155)が期待された光出力を提供せず、かつ/又は過度の電流(すなわち、所定量を超える電流)を引き出す場合、それもまた、高輝度レーザー又は他の除去技法を用いて除去することができる。機能していないか又は欠陥のあるダイオード155がいかに除去されるかに応じる等、実施態様に応じて、後述するステップ740又は745の後に代りに検査ステップ735を行うことができる。ステップ740において、その後、同様に通常はポリマー、バインダー又は他の化合物若しくは混合物内に懸濁していることによりレンズ効果又はレンズ粒子インク若しくは懸濁液を形成する複数のレンズ(150)を、同様に通常は印刷により、複数の球形ダイオード155の上に配置する(placed)か若しくは堆積させ、又は、ステップ745において、部分的に完成した装置の第1の側に(ラミネーションプロセス等により)、ポリマー内に懸濁している複数のレンズ150を含む前もって成形されたレンズパネルを取り付け、その後、任意選択で保護コーティング(及び/若しくは選択された色)を(印刷等により)を堆積させ、本方法はステップ750において終了して戻ることができる。   As another option, in step 735, a test can be performed, removing a diode 155 that is not functioning or otherwise defective or is unusable. For example, in the case of PV diodes, the surface of the partially completed device (first side) can be scanned by a laser or other light source so that the region (or individual diode 155) has the expected electrical response. If not provided, the area can be removed using a high intensity laser or other removal technique. Similarly, for example, for a light-emitting diode that is powered on, the surface (first side) can be scanned with a photosensor, and the region (or individual diode 155) does not provide the expected light output, If and / or excessive current (ie, more than a predetermined amount) is drawn, it can also be removed using a high intensity laser or other removal technique. Depending on the implementation, such as depending on how the non-functioning or defective diode 155 is removed, an inspection step 735 can be performed instead of step 740 or 745 described below. In step 740, a plurality of lenses (150) are then formed as well, which are also usually suspended in a polymer, binder or other compound or mixture to form a lens effect or lens particle ink or suspension. Placed or deposited on a plurality of spherical diodes 155, usually by printing, or in step 745 on the first side of a partially completed device (such as by a lamination process) within the polymer A pre-formed lens panel containing a plurality of lenses 150 suspended in is attached, and then a protective coating (and / or a selected color) is optionally deposited (such as by printing) and the method includes steps Exit and return at 750.

本発明を、その特定の実施形態に関して説明したが、これらの実施形態は単に例示するものであって、本発明を限定するものではない。本明細書の説明では、本発明の実施形態が完全に理解されるように、電子コンポーネントの例、電子的接続及び構造的接続の例、材料並びに構造的変形の例等の多数の特定の詳細を提供している。しかしながら、当業者は、本発明の実施形態を、特定の詳細のうちの1つ又は複数なしに、又は他の装置、システム、アセンブリ、構成要素、材料、部品等を用いて実施することができることを理解するであろう。他の場合では、本発明の実施形態の態様を不明瞭にしないように、既知の構造、材料又は動作を具体的に図示も説明もしていない。当業者は、更なる方法ステップ又は等価の方法ステップを利用することができ、又はそれらを他のステップと組み合わせることができ、又は異なる順序で実行することができ、それらのあらゆるものが特許請求される本発明の範囲内にあることを更に理解するであろう。さらに、様々な図面は比例尺では描かれておらず、限定するものとみなされるべきではない。   Although the invention has been described with reference to specific embodiments thereof, these embodiments are illustrative only and are not intended to be limiting of the invention. In the description herein, numerous specific details are set forth such as examples of electronic components, examples of electronic and structural connections, examples of materials and structural variations, etc., in order to provide a thorough understanding of embodiments of the present invention. Is provided. However, one of ordinary skill in the art may practice the embodiments of the invention without one or more of the specific details or with other devices, systems, assemblies, components, materials, components, etc. Will understand. In other instances, well-known structures, materials or operations are not specifically shown or described so as not to obscure aspects of the embodiments of the present invention. Those skilled in the art can utilize additional method steps or equivalent method steps, or they can be combined with other steps or performed in a different order, all of which are claimed. It will be further understood that this is within the scope of the present invention. In addition, the various drawings are not drawn to scale and should not be taken as limiting.

本明細書の全体を通して、「1つの実施形態」、「一実施形態」又は特定の「実施形態」と言及する場合、それは、その実施形態に関連して説明した特定の特徴、構造又は特性が、必ずしも本発明の全ての実施形態に含まれるのではなく、少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味するものであり、さらに、必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、本発明のいずれかの特定の実施形態の特定の特徴、構造又は特性を、任意の適切な方法でかつ任意の適切な組合せで、他の特徴を対応して用いることなく選択された特徴を用いることを含み、1つ又は複数の他の実施形態と組み合わせることができる。さらに、本発明の本質的な範囲及び趣旨に対して、特定の用途、状況又は材料を適合させるように多くの変更を行うことができる。本明細書における教示に鑑みて、本明細書で説明しかつ例示した本発明の実施形態の他の変形形態及び変更形態が可能であり、それらは、本発明の趣旨及び範囲の一部とみなされるべきであることを理解するべきである。   Throughout this specification, references to “one embodiment,” “one embodiment,” or a particular “embodiment” may mean that a particular feature, structure, or characteristic described in connection with that embodiment is It is not necessarily included in all embodiments of the present invention, but is meant to be included in at least one embodiment, and does not necessarily refer to the same embodiment. Furthermore, the particular features, structures, or characteristics of any particular embodiment of the present invention may be selected in any suitable manner and in any suitable combination without correspondingly using other features. Can be combined with one or more other embodiments. In addition, many modifications may be made to adapt a particular application, situation, or material to the essential scope and spirit of the invention. In light of the teachings herein, other variations and modifications of the embodiments of the invention described and illustrated herein are possible and are considered a part of the spirit and scope of the present invention. It should be understood that this should be done.

図面に示す要素のうちの1つ又は複数を、更に別個の方法で又は統合された方法で実施することもできるし、更には特定の用途によって有用とすることができるように、場合によっては除去するか又は動作不能にすることもできることも理解されよう。構成要素の一体的に形成された組合せもまた、特に別個の構成要素の分離又は組合せが不明瞭であるか又は識別できない実施形態の場合、本発明の範囲内にある。さらに、本明細書において、「結合している」又は「結合可能な」等のその様々な形態を含む「結合された」という用語の使用は、一体的に形成された構成要素及び別の構成要素を介して又はそれにより結合される構成要素を含む、任意の直接的若しくは間接的な電気的、構造的若しくは磁気的な結合、接続若しくは取付、又はこうした直接的若しくは間接的な電気的、構造的若しくは磁気的な結合、接続若しくは取付に対する適合若しくは能力を意味しかつ含む。   One or more of the elements shown in the drawings may be implemented in a separate or integrated manner, and may be optionally removed so as to be useful depending on the particular application. It will also be appreciated that it can be disabled or disabled. Integrally formed combinations of components are also within the scope of the invention, particularly in embodiments where the separation or combination of separate components is unclear or indistinguishable. Further, in this specification, the use of the term “coupled”, including its various forms, such as “coupled” or “coupled”, includes components formed in one piece and other configurations Any direct or indirect electrical, structural or magnetic coupling, connection or attachment, or such direct or indirect electrical, structure, including components coupled thereto or thereby Means and includes adaptation or capability for mechanical or magnetic coupling, connection or mounting.

用語「LED」及びその複数形「複数のLED」は、本発明において本明細書で使用されるとき、限定ではなく、可視スペクトル、又は任意の帯域幅若しくは任意の色若しくは色温度の、紫外線若しくは赤外線等の他のスペクトル内を含む、電流又は電圧に応答した、光を放出する様々な半導体ベース又はカーボンベースの構造、発光ポリマー、有機LED等を含む、電気信号に応答して放射線を生成することができる、任意のエレクトロルミネッセンスダイオード又は他のタイプのキャリア注入ベース又は接合ベースのシステムを含むものと理解するべきである。用語「光起電力ダイオード」(又はPV)及びその複数形「複数のPV」は、同様に本発明において本明細書で使用されるとき、限定ではなく、可視スペクトル、又は任意の帯域幅若しくはスペクトルの、紫外線若しくは赤外線等の他のスペクトル内を含む光に応答して、電気信号を生成するか又は提供する様々な半導体ベース又はカーボンベースの構造を含む、入射エネルギー(光又は他の電磁波等)に応答して電気信号(電圧等)を生成することができる、任意の光起電力ダイオード又は他のタイプのキャリア注入ベース又は接合ベースのシステムを含むものと理解するべきである。   The term “LED” and its plural form “plural LEDs” as used herein in the present invention are not limiting and are not limited to the visible spectrum, or ultraviolet or any of any bandwidth or any color or color temperature. Generate radiation in response to electrical signals, including various semiconductor-based or carbon-based structures that emit light, luminescent polymers, organic LEDs, etc., in response to current or voltage, including in other spectra such as infrared It should be understood to include any electroluminescent diode or other type of carrier injection based or junction based system that can. The term “photovoltaic diode” (or PV) and its plural form “plural PVs”, as used herein in the present invention as well, are not limiting, but the visible spectrum, or any bandwidth or spectrum. Incident energy (such as light or other electromagnetic waves), including various semiconductor-based or carbon-based structures that generate or provide electrical signals in response to light in other spectra such as ultraviolet or infrared. It should be understood to include any photovoltaic diode or other type of carrier injection or junction based system that can generate an electrical signal (such as a voltage) in response to.

さらに、図面/図におけるいかなる信号の矢印も、特に別段の言及がない限り、単に例示するものであって限定するものとみなすべきではない。ステップの構成要素の組合せもまた、特に分離又は結合できることが不明瞭であるか又は予測できない場合、本発明の範囲内にあるとみなされる。離接的用語「又は」は、本明細書において及び続く特許請求の範囲の全体を通して用いられるとき、特に別段の指示がない限り、接続的意味及び離接的意味の両方を有する「及び/又は」を意味する(「排他的論理和」の意味に限定されない)ように一般に意図されている。数量が特定されていないもの("a", "an", and "the")は、本明細書において及び続く特許請求の範囲を通して用いられるとき、文脈から明らかに別段の指示がない限り、複数の言及を含む。また本明細書において及び続く特許請求の範囲を通して用いる「の中/内」の意味は、文脈から明らかに別段の指示がない限り「の中/内」及び「の上」を含む。   Further, any signal arrows in the drawings / drawings are merely exemplary and should not be considered limiting unless otherwise specified. Combinations of step components are also considered within the scope of the present invention, especially if it is unclear or unpredictable that they can be separated or combined. The disjunctive term “or” as used herein and throughout the claims that follow has “and / or has both a connective and disjunctive meaning, unless otherwise indicated. In general (not limited to the meaning of “exclusive OR”). Unspecified quantities ("a", "an", and "the") are used in this specification and throughout the claims that follow, unless the context clearly dictates otherwise. Including the reference. Also, as used herein and throughout the claims that follow, the meaning of “in / in” includes “in / in” and “above” unless the context clearly dictates otherwise.

発明の概要及び要約書で説明するものを含めて、本発明の例示する実施形態の上述した説明は、網羅的であるようにも、本発明を本明細書に開示した厳密な形態に限定するようにも意図されていない。上述したことから、多数の変形形態、変更形態及び代替形態が意図されており、本発明の新規な概念の趣旨及び範囲から逸脱することなくそれらを達成することができることが確認されよう。本明細書に例示した特定の方法及び装置に関するいかなる限定も意図されておらず、推測されるべきでもないことを理解するべきである。当然ながら、添付の特許請求の範囲により、こうした変更形態の全てが特許請求の範囲内にあるものとして包含するように意図されている。   The foregoing description of exemplary embodiments of the invention, including what is described in the summary and summary of the invention, is intended to limit the invention to the precise forms disclosed herein in order to be exhaustive. Not even intended. From the foregoing, it will be appreciated that numerous variations, modifications, and alternatives are contemplated and can be achieved without departing from the spirit and scope of the novel concepts of the present invention. It should be understood that no limitation with respect to the specific methods and apparatus illustrated herein is intended and should not be inferred. Of course, the appended claims are intended to cover all such modifications as fall within the scope of the claims.

Claims (195)

複数の離間されたチャネルを備える基部と、
前記基部に結合された複数の第1の導体であって、各第1の導体が前記複数の離間されたチャネルの対応するチャネル内にある、複数の第1の導体と、
前記複数の第1の導体に結合された複数のダイオードと、
前記複数のダイオードに結合された複数の第2の導体と、
少なくとも第1の屈折率を有する複数の実質的に球形のレンズであって、少なくとも第2の異なる屈折率を有する第1のポリマー内に懸濁している、複数の実質的に球形のレンズと、
を具備する、装置。
A base comprising a plurality of spaced channels;
A plurality of first conductors coupled to the base, each first conductor being in a corresponding channel of the plurality of spaced apart channels;
A plurality of diodes coupled to the plurality of first conductors;
A plurality of second conductors coupled to the plurality of diodes;
A plurality of substantially spherical lenses having at least a first refractive index, wherein the plurality of substantially spherical lenses are suspended in a first polymer having at least a second different refractive index;
A device comprising:
前記複数のダイオードは、実質的に球形、実質的に環状、実質的に円柱状、実質的にファセット状、実質的に矩形、実質的に平坦又は実質的に楕円形である、請求項1に記載の装置。   2. The plurality of diodes of claim 1, wherein the plurality of diodes are substantially spherical, substantially annular, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially flat, or substantially oval. The device described. 前記複数のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する浸透層又は浸透領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、請求項1に記載の装置。   About 15 percent to 55 percent of the surface of each substantially all of the plurality of diodes has a permeation layer or a permeation region having a first majority carrier or a first majority dopant, and the remaining diode substrate is The apparatus of claim 1, comprising a second majority carrier or a second majority dopant. 前記複数の実質的に球形のレンズは、ホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含む、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of substantially spherical lenses comprise borosilicate glass or polystyrene latex. 前記複数のダイオードは実質的に球形であり、前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数のダイオードの平均直径に対する比は、実質的に約5:1である、請求項1に記載の装置。   The plurality of diodes are substantially spherical, and a ratio of an average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to an average diameter of the plurality of diodes is substantially about 5: 1. The device described in 1. 前記複数のダイオードは実質的に球形であり、前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数のダイオードの平均直径に対する比は、約10:1と2:1との間である、請求項1に記載の装置。   The plurality of diodes are substantially spherical, and the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of diodes is between about 10: 1 and 2: 1. The apparatus of claim 1. 前記複数の実質的に球形のレンズの相対的なサイズ又は間隔は、前記複数のダイオードにモード結合を提供する、請求項6に記載の装置。   The apparatus of claim 6, wherein a relative size or spacing of the plurality of substantially spherical lenses provides mode coupling to the plurality of diodes. 前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さは、約20ミクロンを超えかつ約40ミクロン未満である、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein an average diameter or length of the plurality of diodes is greater than about 20 microns and less than about 40 microns. 前記複数のダイオードは、半導体発光ダイオード、有機発光ダイオード、カプセル封止型有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード又は光起電力ダイオードである、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of diodes are semiconductor light emitting diodes, organic light emitting diodes, encapsulated organic light emitting diodes, polymer light emitting diodes, or photovoltaic diodes. 前記複数のダイオードは、窒化ガリウム、ガリウムヒ素又はシリコンを含む、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of diodes comprises gallium nitride, gallium arsenide, or silicon. 前記複数の第2の導体に結合された複数の第3の導体
を更に具備する、請求項1に記載の装置。
The apparatus of claim 1, further comprising a plurality of third conductors coupled to the plurality of second conductors.
前記基部は、反射器又は屈折器を更に備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the base further comprises a reflector or refractor. 前記基部は、ブラッグ反射器又は反射性プラスチックコーティング若しくは反射性ポリエステルコーティングを更に備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the base further comprises a Bragg reflector or a reflective plastic coating or a reflective polyester coating. 前記基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記複数の第1の導体に対応して結合される、複数の導電性ビアを更に具備する、請求項1に記載の装置。   A plurality of conductive vias extending between the first side and the second side of the base and coupled correspondingly to the plurality of first conductors on the first side; The apparatus of claim 1. 前記基部は、前記複数の導電性ビアに結合され、かつ該基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンを更に備える、請求項14に記載の装置。   The apparatus of claim 14, wherein the base further comprises a conductive backplane coupled to the plurality of conductive vias and coupled to or integrated with the second side of the base. 前記複数の導電性ビアは、複数の実質的にランダムに分散した実質的に球形の導体を備える、請求項14に記載の装置。   The apparatus of claim 14, wherein the plurality of conductive vias comprises a plurality of substantially randomly distributed substantially spherical conductors. 前記複数のダイオードの各々に対応して結合され、かつ第2のポリマー又は樹脂内に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を備える、複数の絶縁体
を更に具備する、請求項1に記載の装置。
A plurality of insulators comprising a plurality of inorganic dielectric particles coupled correspondingly to each of the plurality of diodes and suspended with a photoinitiator compound in a second polymer or resin. Item 2. The apparatus according to Item 1.
前記複数のダイオードの各々に対応して結合され、かつ光開始剤化合物及び第2のポリマー又は樹脂を備える、複数の絶縁体
を更に具備する、請求項1に記載の装置。
The apparatus of claim 1, further comprising a plurality of insulators coupled correspondingly to each of the plurality of diodes and comprising a photoinitiator compound and a second polymer or resin.
前記基部は、表面特徴があるか又はない実質的に平坦な全体的なフォームファクターを有し、約2ミリメートル未満の厚さを有する、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the base has a substantially flat overall form factor with or without surface features and has a thickness of less than about 2 millimeters. 前記基部は、紙、コート紙、プラスチックコート紙、エンボス紙、繊維紙、段ボール、ポスター用紙、ポスター板、木材、プラスチック、ゴム、布、ガラス及び/又はセラミックのうちの少なくとも1つを備える、請求項1に記載の装置。   The base comprises at least one of paper, coated paper, plastic coated paper, embossed paper, fiber paper, cardboard, poster paper, poster board, wood, plastic, rubber, cloth, glass and / or ceramic. Item 2. The apparatus according to Item 1. 前記複数の離間されたチャネルは実質的に平行である、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of spaced apart channels are substantially parallel. 前記複数の離間されたチャネルは、少なくとも部分的に半球形状であり、アレイに配置される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of spaced channels are at least partially hemispherical and arranged in an array. 前記複数の離間されたチャネルは、少なくとも部分的に放物線形状である、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of spaced apart channels are at least partially parabolic. 前記基部は複数の角度付き***を更に備える、請求項23に記載の装置。   24. The apparatus of claim 23, wherein the base further comprises a plurality of angled ridges. 前記複数の離間されたチャネルは、複数の一体的に形成された突起又は支持部を更に備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of spaced apart channels further comprises a plurality of integrally formed protrusions or supports. 前記複数の第1の導体は、前記複数の離間されたチャネル内の前記複数の一体的に形成された突起又は支持部に結合され、前記複数のダイオードは、前記複数の第1の導体に合金化若しくはアニールされるか、又は化学的に結合される、請求項25に記載の装置。   The plurality of first conductors are coupled to the plurality of integrally formed protrusions or supports in the plurality of spaced apart channels, and the plurality of diodes are alloyed with the plurality of first conductors. 26. The apparatus of claim 25, wherein the apparatus is annealed or annealed or chemically bonded. 前記複数の第1の導体は、硬化した導電性インク又は硬化した導電性ポリマーを含む、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of first conductors comprises a cured conductive ink or a cured conductive polymer. 前記複数の第1の導体は、以下のタイプの導体、すなわち、銀導電性インク、銅導電性インク、金導電性インク、アルミニウム導電性インク、錫導電性インク、カーボン導電性インク、カーボンナノチューブポリマー又は導電性ポリマーのうちの少なくとも1つを硬化形態で含む、請求項1に記載の装置。   The plurality of first conductors are the following types of conductors: silver conductive ink, copper conductive ink, gold conductive ink, aluminum conductive ink, tin conductive ink, carbon conductive ink, carbon nanotube polymer Or an apparatus according to claim 1, comprising at least one of conductive polymers in cured form. 前記複数の第1の導体は、実質的に、スパッタリングされ、コーティングされ、蒸着し若しくは電気メッキされた金属、金属合金又は金属の組合せを含む、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of first conductors substantially comprise a sputtered, coated, vapor deposited or electroplated metal, metal alloy, or combination of metals. 前記金属、前記金属合金又は前記金属の組合せは、アルミニウム、銅、銀、ニッケル又は金のうちの少なくとも1つを含む、請求項29に記載の装置。   30. The apparatus of claim 29, wherein the metal, the metal alloy or the combination of metals comprises at least one of aluminum, copper, silver, nickel or gold. 前記複数の第2の導体は、ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している光学的に透過性の導体又は導電性化合物を含む、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of second conductors comprises an optically transmissive conductor or conductive compound suspended in a polymer, resin or other medium. 前記複数の第2の導体は、ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している以下の化合物、すなわち、カーボンナノチューブ、酸化アンチモン錫、酸化インジウム錫又はポリエチレン−ジオキシチオフェンのうちの少なくとも1つを含む、請求項31に記載の装置。   The plurality of second conductors is at least one of the following compounds suspended in a polymer, resin or other medium: carbon nanotubes, antimony tin oxide, indium tin oxide or polyethylene-dioxythiophene. 32. The apparatus of claim 31, comprising: 前記複数のダイオードは、前記複数の第1の導体に又は該複数の第1の導体の中に当接により結合される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of diodes are coupled to the plurality of first conductors or in contact with the plurality of first conductors. 前記複数のダイオードは、前記複数の第1の導体に又は該複数の第1の導体の中にアニール又は合金化される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of diodes are annealed or alloyed to the plurality of first conductors or into the plurality of first conductors. 前記複数のダイオードは、前記複数の第1の導体に又は該複数の第1の導体の中に化学的に結合される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of diodes are chemically coupled to or into the plurality of first conductors. 標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェース
を更に具備する、請求項1に記載の装置。
The apparatus of claim 1, further comprising an interface for insertion into a standardized lighting socket.
E12、E14、E26、E27又はGU−10照明標準規格に準拠するインターフェース
を更に具備する、請求項1に記載の装置。
The apparatus of claim 1, further comprising an interface compliant with E12, E14, E26, E27 or GU-10 lighting standards.
標準エジソン型照明ソケット内に挿入するためのインターフェース
を更に具備する、請求項1に記載の装置。
The apparatus of claim 1, further comprising an interface for insertion into a standard Edison-type lighting socket.
標準蛍光灯型照明ソケット内に挿入するためのインターフェース
を更に具備する、請求項1に記載の装置。
The apparatus of claim 1, further comprising an interface for insertion into a standard fluorescent lamp-type lighting socket.
基部と、
前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、
前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数の実質的に球形のダイオードと、
前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、
第1のポリマー内に懸濁しかつ前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された、複数の実質的に球形のレンズと、
を具備する、装置。
The base,
At least one first conductor coupled to the base;
A plurality of substantially spherical diodes coupled to the at least one first conductor;
At least one second conductor coupled to the plurality of substantially spherical diodes;
A plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer and coupled to the plurality of substantially spherical diodes;
A device comprising:
前記複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index and the first polymer has at least a second different refractive index. 前記複数の実質的に球形のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する浸透層又は浸透領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、請求項40に記載の装置。   About 15 percent to 55 percent of the surface of each substantially all of the plurality of substantially spherical diodes has a permeation layer or region having a first majority carrier or a first majority dopant; 41. The device of claim 40, wherein the remaining diode substrate has a second majority carrier or a second majority dopant. 前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数の実質的に球形のダイオードの平均直径に対する比は、約10:1と2:1との間である、請求項40に記載の装置。   41. The ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of substantially spherical diodes is between about 10: 1 and 2: 1. apparatus. 前記複数の実質的に球形のダイオードの平均直径は、約20ミクロンを超えかつ約40ミクロン未満である、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein an average diameter of the plurality of substantially spherical diodes is greater than about 20 microns and less than about 40 microns. 前記複数の実質的に球形のダイオードは、半導体発光ダイオード、有機発光ダイオード、カプセル封止型有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード又は光起電力ダイオードである、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the plurality of substantially spherical diodes are semiconductor light emitting diodes, organic light emitting diodes, encapsulated organic light emitting diodes, polymer light emitting diodes, or photovoltaic diodes. 前記複数の実質的に球形のダイオードは、窒化ガリウム、ガリウムヒ素又はシリコンを含む、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the plurality of substantially spherical diodes comprise gallium nitride, gallium arsenide, or silicon. 前記少なくとも1つの第2の導体に結合された少なくとも1つの第3の導体
を更に具備する、請求項40に記載の装置。
41. The apparatus of claim 40, further comprising at least one third conductor coupled to the at least one second conductor.
前記基部は、反射器又は屈折器を更に備える、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the base further comprises a reflector or refractor. 前記基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記少なくとも1つの第1の導体に対応して結合される、少なくとも1つの導電性ビアを更に具備する、請求項40に記載の装置。   At least one conductive via extending between the first side and the second side of the base and coupled correspondingly to the at least one first conductor on the first side; 41. The apparatus of claim 40, further comprising: 前記基部は、前記少なくとも1つの導電性ビアに結合され、かつ該基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンを更に備える、請求項49に記載の装置。   50. The apparatus of claim 49, wherein the base further comprises a conductive backplane coupled to the at least one conductive via and coupled to or integrated with the second side of the base. 前記複数の実質的に球形のダイオードに結合され、かつ第2のポリマー又は樹脂内に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を備える、少なくとも1つの絶縁体
を更に具備する、請求項40に記載の装置。
At least one insulator comprising a plurality of inorganic dielectric particles coupled to the plurality of substantially spherical diodes and suspended with a photoinitiator compound in a second polymer or resin; 41. The apparatus according to claim 40.
前記基部は、表面特徴があるか又はない実質的に平坦な全体的なフォームファクターを有し、約2ミリメートル未満の厚さを有する、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the base has a substantially flat overall form factor with or without surface features and has a thickness of less than about 2 millimeters. 前記基部は、紙、コート紙、プラスチックコート紙、エンボス紙、繊維紙、段ボール、ポスター用紙、ポスター板、木材、プラスチック、ゴム、布、ガラス及び/又はセラミックのうちの少なくとも1つを備える、請求項40に記載の装置。   The base comprises at least one of paper, coated paper, plastic coated paper, embossed paper, fiber paper, cardboard, poster paper, poster board, wood, plastic, rubber, cloth, glass and / or ceramic. Item 40. The apparatus according to Item 40. 前記少なくとも1つの第1の導体は、硬化した導電性インク又は硬化した導電性ポリマーを含む、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the at least one first conductor comprises a cured conductive ink or a cured conductive polymer. 前記少なくとも1つの第1の導体は、スパッタリングされ、コーティングされ、蒸着し若しくは電気メッキされた金属、金属合金又は金属の組合せを含む、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the at least one first conductor comprises a sputtered, coated, vapor deposited or electroplated metal, metal alloy, or combination of metals. 前記少なくとも1つの第2の導体は、ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している光学的に透過性の導体又は導電性化合物を含む、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the at least one second conductor comprises an optically transmissive conductor or conductive compound suspended in a polymer, resin or other medium. 前記複数の実質的に球形のダイオードは、前記少なくとも1つの第1の導体に又は該第1の導体の中にアニール若しくは合金化されるか、又は化学的に結合される、請求項40に記載の装置。   41. The plurality of substantially spherical diodes are annealed or alloyed or chemically bonded to or into the at least one first conductor. Equipment. 前記複数のレンズは、ホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含む、請求項40に記載の装置。   41. The apparatus of claim 40, wherein the plurality of lenses comprises borosilicate glass or polystyrene latex. 標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェース
を更に具備する、請求項40に記載の装置。
41. The apparatus of claim 40, further comprising an interface for insertion into a standardized lighting socket.
E12、E14、E26、E27又はGU−10照明標準規格に準拠するインターフェース
を更に具備する、請求項40に記載の装置。
41. The apparatus of claim 40, further comprising an interface compliant with E12, E14, E26, E27 or GU-10 lighting standards.
標準エジソン型照明ソケット又は標準蛍光灯型照明ソケット内に挿入するためのインターフェース
を更に具備する、請求項40に記載の装置。
41. The apparatus of claim 40, further comprising an interface for insertion into a standard Edison type lighting socket or a standard fluorescent lamp type lighting socket.
入出力インターフェースと、
基部と、
前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、
前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数の実質的に球形のダイオードであって、約20ミクロンより大きくかつ約40ミクロン未満である平均直径を有する、複数の実質的に球形のダイオードと、
前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの絶縁体と、
前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、
ポリマー内に懸濁しかつ前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された、複数の実質的に球形のレンズであって、少なくとも第1の屈折率を有し、前記ポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有し、前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数の実質的に球形のダイオードの平均直径に対する比は、約10:1と2:1との間である、複数の実質的に球形のレンズと、
を具備する、システム。
An input / output interface;
The base,
At least one first conductor coupled to the base;
A plurality of substantially spherical diodes coupled to the at least one first conductor, the plurality of substantially spherical diodes having an average diameter that is greater than about 20 microns and less than about 40 microns; ,
At least one insulator coupled to the plurality of substantially spherical diodes;
At least one second conductor coupled to the plurality of substantially spherical diodes;
A plurality of substantially spherical lenses suspended in a polymer and coupled to the plurality of substantially spherical diodes, the polymer having at least a first refractive index, wherein the polymer is at least a second different The ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of substantially spherical diodes having a refractive index is between about 10: 1 and 2: 1. A plurality of substantially spherical lenses;
A system comprising:
前記複数の実質的に球形のダイオードの実質的に全ては、実質的に半球形殻のpn接合を有する、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein substantially all of the plurality of substantially spherical diodes have a substantially hemispherical shell pn junction. 前記複数のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する浸透層又は浸透領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、請求項62に記載のシステム。   About 15 percent to 55 percent of the surface of each substantially all of the plurality of diodes has a permeation layer or region having a first majority carrier or a first majority dopant, and the remaining diode substrate is 64. The system of claim 62, comprising a second majority carrier or a second majority dopant. 前記複数のレンズの相対的なサイズ又は間隔は、前記複数のダイオードにモード結合を提供する、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein a relative size or spacing of the plurality of lenses provides mode coupling to the plurality of diodes. 前記複数のレンズは、実質的に、球形、半球形、ファセット状、楕円形、長円形、立方体、角柱状、台形、三角形又は角錐形である、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the plurality of lenses are substantially spherical, hemispherical, faceted, elliptical, oval, cubic, prismatic, trapezoidal, triangular or pyramidal. 前記基部は、複数の離間されたチャネル及び複数の一体的に形成された突起を備え、前記少なくとも1つの第1の導体は、前記基部に結合された複数の第1の導体であって、各第1の導体が前記複数の離間されたチャネルの対応するチャネル内にある、複数の第1の導体を含む、請求項62に記載のシステム。   The base includes a plurality of spaced channels and a plurality of integrally formed protrusions, the at least one first conductor being a plurality of first conductors coupled to the base, each 64. The system of claim 62, wherein the first conductor comprises a plurality of first conductors that are in corresponding channels of the plurality of spaced apart channels. 前記複数のダイオードは、半導体発光ダイオード、有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード、カプセル封止型有機発光ダイオード又は光起電力ダイオードである、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the plurality of diodes are semiconductor light emitting diodes, organic light emitting diodes, polymer light emitting diodes, encapsulated organic light emitting diodes or photovoltaic diodes. 前記複数のダイオードは、窒化ガリウム、ガリウムヒ素又はシリコンを含む、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the plurality of diodes comprises gallium nitride, gallium arsenide, or silicon. 前記基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記少なくとも1つの第1の導体に対応して結合される、少なくとも1つの導電性ビアを更に具備する、請求項62に記載のシステム。   At least one conductive via extending between the first side and the second side of the base and coupled correspondingly to the at least one first conductor on the first side; 64. The system of claim 62, further comprising: 前記基部は、前記少なくとも1つの導電性ビアに結合され、かつ該基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンを更に備える、請求項70に記載のシステム。   71. The system of claim 70, wherein the base further comprises a conductive backplane coupled to the at least one conductive via and coupled to or integrated with the second side of the base. 前記複数のダイオードに結合され、かつ第2のポリマー又は樹脂内に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を備える、少なくとも1つの絶縁体
を更に具備する、請求項62に記載のシステム。
64. The method of claim 62, further comprising at least one insulator coupled to the plurality of diodes and comprising a plurality of inorganic dielectric particles suspended with a photoinitiator compound in a second polymer or resin. System.
前記基部は、表面特徴があるか又はない実質的に平坦な全体的なフォームファクターを有し、約2ミリメートル未満の厚さを有する、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the base has a substantially flat overall form factor with or without surface features and has a thickness of less than about 2 millimeters. 前記基部は、紙、コート紙、プラスチックコート紙、エンボス紙、繊維紙、段ボール、ポスター用紙、ポスター板、木材、プラスチック、ゴム、布、ガラス及び/又はセラミックのうちの少なくとも1つを備える、請求項62に記載のシステム。   The base comprises at least one of paper, coated paper, plastic coated paper, embossed paper, fiber paper, cardboard, poster paper, poster board, wood, plastic, rubber, cloth, glass and / or ceramic. Item 63. The system according to Item 62. 前記少なくとも1つの第1の導体は、硬化した導電性インク、硬化した導電性ポリマー、カーボンナノチューブ、金属、金属合金又は金属の組合せのうちの少なくとも1つ又は複数を含む、請求項62に記載のシステム。   64. The at least one first conductor comprises at least one or more of a cured conductive ink, a cured conductive polymer, a carbon nanotube, a metal, a metal alloy, or a combination of metals. system. 前記少なくとも1つの第2の導体は、ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している光学的に透過性の導体又は導電性化合物を含む、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the at least one second conductor comprises an optically transmissive conductor or conductive compound suspended in a polymer, resin or other medium. 前記複数のダイオードは、前記少なくとも1つの第1の導体に又は該第1の導体の中にアニール若しくは合金化されるか、又は化学的に結合される、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the plurality of diodes are annealed or alloyed or chemically bonded to or into the at least one first conductor. 前記複数のレンズは、ホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含む、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the plurality of lenses comprises borosilicate glass or polystyrene latex. 前記インターフェースは、E12、E14、E26、E27又はGU−10照明標準規格に準拠する、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the interface is compliant with E12, E14, E26, E27 or GU-10 lighting standards. 前記インターフェースは、標準エジソン型照明ソケット内に挿入するためのものである、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the interface is for insertion into a standard Edison-type lighting socket. 前記インターフェースは、標準蛍光灯型照明ソケット内に挿入するためのものである、請求項62に記載のシステム。   64. The system of claim 62, wherein the interface is for insertion into a standard fluorescent lighting socket. 基部と、
前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、
前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数のダイオードであって、該複数のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する層又は領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、複数のダイオードと、
前記複数のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、
第1のポリマー内に懸濁しかつ前記複数のダイオードに結合された、複数のレンズであって、少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、複数のレンズと、
を具備する、装置。
The base,
At least one first conductor coupled to the base;
A plurality of diodes coupled to the at least one first conductor, wherein about 15 percent to 55 percent of the surface of each substantially all of the plurality of diodes comprises a first majority carrier or a first A plurality of diodes, wherein the remaining diode substrate has a second majority carrier or a second majority dopant;
At least one second conductor coupled to the plurality of diodes;
A plurality of lenses suspended in a first polymer and coupled to the plurality of diodes, the lenses having at least a first refractive index, wherein the first polymer has at least a second different refractive index. , Multiple lenses,
A device comprising:
前記複数のレンズの平均直径又は平均長さの、前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さに対する比は、約10:1と2:1との間である、請求項82に記載の装置。   The apparatus of claim 82, wherein a ratio of an average diameter or average length of the plurality of lenses to an average diameter or average length of the plurality of diodes is between about 10: 1 and 2: 1. 前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さは、約20ミクロンを超えかつ約40ミクロン未満である、請求項82に記載の装置。   84. The apparatus of claim 82, wherein the plurality of diodes have an average diameter or length that is greater than about 20 microns and less than about 40 microns. 前記複数のダイオードは、実質的に球形、実質的に環状、実質的に円柱状、実質的にファセット状、実質的に矩形、実質的に平坦、実質的に楕円形又は実質的に不規則である、請求項82に記載の装置。   The plurality of diodes may be substantially spherical, substantially annular, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially flat, substantially elliptical, or substantially irregular. 83. The apparatus of claim 82, wherein: 前記複数のダイオードは、窒化ガリウム、ガリウムヒ素又はシリコンを含む、請求項82に記載の装置。   The apparatus of claim 82, wherein the plurality of diodes comprises gallium nitride, gallium arsenide, or silicon. 前記基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記少なくとも1つの第1の導体に、対応して結合される、少なくとも1つの導電性ビアと、
前記少なくとも1つの導電性ビアに結合され、かつ前記基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンと、
前記複数のダイオードに結合され、かつ第2のポリマー又は樹脂内に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を備える、少なくとも1つの絶縁体と、
を更に具備する、請求項82に記載の装置。
At least one conductive via extending between the first side and the second side of the base and correspondingly coupled to the at least one first conductor on the first side; When,
A conductive backplane coupled to the at least one conductive via and coupled to or integrated with the second side of the base;
At least one insulator comprising a plurality of inorganic dielectric particles coupled to the plurality of diodes and suspended with a photoinitiator compound in a second polymer or resin;
83. The apparatus of claim 82, further comprising:
前記複数のレンズは、ホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含む、請求項82に記載の装置。   The apparatus of claim 82, wherein the plurality of lenses comprises borosilicate glass or polystyrene latex. 標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェース
を更に具備する、請求項82に記載の装置。
The apparatus of claim 82, further comprising an interface for insertion into a standardized lighting socket.
基部と、
前記基部に結合された少なくとも1つの第1の導体と、
前記少なくとも1つの第1の導体に結合された複数のダイオードと、
前記複数のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体と、
前記複数のダイオードに結合されたレンズ構造であって、複数のレンズを備え、複数の屈折率を更に有し、前記複数のレンズの平均直径又は平均長さの、前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さに対する比は、約10:1と2:1との間である、レンズ構造と、
を具備する、装置。
The base,
At least one first conductor coupled to the base;
A plurality of diodes coupled to the at least one first conductor;
At least one second conductor coupled to the plurality of diodes;
A lens structure coupled to the plurality of diodes, comprising a plurality of lenses, further having a plurality of refractive indices, an average diameter or an average length of the plurality of lenses; A lens structure having a ratio to average length of between about 10: 1 and 2: 1;
A device comprising:
前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さは、約20ミクロンを超えかつ約40ミクロン未満である、請求項90に記載の装置。   94. The apparatus of claim 90, wherein the plurality of diodes have an average diameter or length that is greater than about 20 microns and less than about 40 microns. 前記複数のダイオードは、実質的に球形、実質的に環状、実質的に円柱状、実質的にファセット状、実質的に矩形、実質的に平坦、実質的に楕円形又は実質的に不規則である、請求項90に記載の装置。   The plurality of diodes may be substantially spherical, substantially annular, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially flat, substantially elliptical, or substantially irregular. 92. The apparatus of claim 90, wherein: 前記複数のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する層又は領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、請求項90に記載の装置。   About 15 percent to 55 percent of the surface of each substantially all of the plurality of diodes has a layer or region having a first majority carrier or a first majority dopant, and the remaining diode substrate is a second diode substrate. 93. The device of claim 90, comprising a majority carrier or a second majority dopant. 前記複数のダイオードは、窒化ガリウム、ガリウムヒ素又はシリコンを含む、請求項90に記載の装置。   The apparatus of claim 90, wherein the plurality of diodes comprises gallium nitride, gallium arsenide, or silicon. 前記基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記少なくとも1つの第1の導体に、対応して結合される、少なくとも1つの導電性ビアと、
前記少なくとも1つの導電性ビアに結合され、かつ前記基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンと、
前記複数のダイオードに結合され、かつ第2のポリマー又は樹脂内に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を備える、少なくとも1つの絶縁体と、
を更に具備する、請求項90に記載の装置。
At least one conductive via extending between the first side and the second side of the base and correspondingly coupled to the at least one first conductor on the first side; When,
A conductive backplane coupled to the at least one conductive via and coupled to or integrated with the second side of the base;
At least one insulator comprising a plurality of inorganic dielectric particles coupled to the plurality of diodes and suspended with a photoinitiator compound in a second polymer or resin;
92. The apparatus of claim 90, further comprising:
前記複数のレンズは、ホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含む、請求項90に記載の装置。   The apparatus of claim 90, wherein the plurality of lenses comprises borosilicate glass or polystyrene latex. 標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェース
を更に具備する、請求項90に記載の装置。
The apparatus of claim 90, further comprising an interface for insertion into a standardized lighting socket.
可撓性であるか、折畳み式であるか、又は折り目付け可能である、請求項90に記載の装置。   The apparatus of claim 90, wherein the apparatus is flexible, foldable, or creasable. 前記複数のダイオードは実質的に球形であり、前記複数のレンズは実質的に球形である、請求項90に記載の装置。   94. The apparatus of claim 90, wherein the plurality of diodes are substantially spherical and the plurality of lenses are substantially spherical. 電子装置を製造する方法であって、
基部に結合された複数の第1の導体を形成することと、
前記複数の第1の導体に複数の基板粒子を結合することと、
前記複数の第1の導体への前記結合に続き、前記複数の基板粒子を複数のダイオードに変化させることと、
前記複数のダイオードに結合された複数の第2の導体を形成することと、
第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることであって、該複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることと、
を含む、電子装置を製造する方法。
A method of manufacturing an electronic device comprising:
Forming a plurality of first conductors coupled to the base;
Coupling a plurality of substrate particles to the plurality of first conductors;
Following the coupling to the plurality of first conductors, changing the plurality of substrate particles into a plurality of diodes;
Forming a plurality of second conductors coupled to the plurality of diodes;
Depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer, wherein the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index; Depositing the polymer having at least a second different refractive index;
A method of manufacturing an electronic device, comprising:
前記複数のダイオードは、実質的に球形、実質的に環状、実質的に円柱状、実質的にファセット状、実質的に矩形、実質的に平坦又は実質的に楕円形である、請求項100に記載の方法。   101. The plurality of diodes according to claim 100, wherein the plurality of diodes are substantially spherical, substantially annular, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially flat, or substantially oval. The method described. 前記堆積させるステップは、
前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数の実質的に球形のレンズを、前記複数のダイオード及び前記複数の第2の導体の上に印刷すること
を更に含む、請求項100に記載の方法。
The step of depositing comprises:
101. The method of claim 100, further comprising printing the plurality of substantially spherical lenses suspended in the first polymer over the plurality of diodes and the plurality of second conductors. Method.
前記複数のダイオードは実質的に球形であり、前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数のダイオードの平均直径に対する比は、実質的に約5:1である、請求項100に記載の方法。   101. The plurality of diodes are substantially spherical and the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of diodes is substantially about 5: 1. The method described in 1. 前記複数のダイオードは実質的に球形であり、前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径の、前記複数のダイオードの平均直径に対する比は、約10:1と2:1との間である、請求項100に記載の方法。   The plurality of diodes are substantially spherical, and the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of diodes is between about 10: 1 and 2: 1. 101. The method of claim 100. 前記複数のダイオードは実質的に球形であり、前記複数の実質的に球形のレンズの相対的なサイズ又は間隔は、前記複数のダイオードにモード結合を提供する、請求項100に記載の方法。   101. The method of claim 100, wherein the plurality of diodes are substantially spherical and the relative size or spacing of the plurality of substantially spherical lenses provides mode coupling to the plurality of diodes. 前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さは、約20ミクロンを超えかつ約40ミクロン未満である、請求項100に記載の方法。   101. The method of claim 100, wherein an average diameter or length of the plurality of diodes is greater than about 20 microns and less than about 40 microns. 前記複数のダイオードは、半導体発光ダイオード、有機発光ダイオード、カプセル封止型有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード又は光起電力ダイオードである、請求項100に記載の方法。   101. The method of claim 100, wherein the plurality of diodes are semiconductor light emitting diodes, organic light emitting diodes, encapsulated organic light emitting diodes, polymer light emitting diodes, or photovoltaic diodes. 前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数の実質的に球形のレンズを堆積させる前記ステップは、前記複数のダイオードに予め製造された層を取り付けることを更に含み、前記予め製造された層は、前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数の実質的に球形のレンズを含む、請求項100に記載の方法。   The step of depositing the plurality of substantially spherical lenses suspended in the first polymer further comprises attaching a prefabricated layer to the plurality of diodes, the prefabricated layer. 101. The method of claim 100, comprising: the plurality of substantially spherical lenses suspended within the first polymer. 前記複数の基板粒子は、窒化ガリウム、ガリウムヒ素又はシリコンを含む、請求項100に記載の方法。   101. The method of claim 100, wherein the plurality of substrate particles comprise gallium nitride, gallium arsenide, or silicon. 前記複数の第1の導体を形成する前記ステップは、
前記基部の複数のチャネル内に第1の導電性媒体を堆積させること
を更に含む、請求項100に記載の方法。
The step of forming the plurality of first conductors comprises:
101. The method of claim 100, further comprising depositing a first conductive medium within the plurality of channels of the base.
前記第1の導電性媒体は導電性インク又は導電性ポリマーを含む、請求項110に記載の方法。   111. The method of claim 110, wherein the first conductive medium comprises a conductive ink or a conductive polymer. 前記第1の導電性媒体は、以下のタイプの媒体、すなわち、銀導電性インク、銅導電性インク、金導電性インク、アルミニウム導電性インク、錫導電性インク、カーボン導電性インク、カーボンナノチューブポリマー又は導電性ポリマーのうちの少なくとも1つを含む、請求項110に記載の方法。   The first conductive medium is a medium of the following type: silver conductive ink, copper conductive ink, gold conductive ink, aluminum conductive ink, tin conductive ink, carbon conductive ink, carbon nanotube polymer 112. The method of claim 110, comprising at least one of conductive polymers. 前記第1の導電性媒体を部分的に硬化させること
を更に含む、請求項110に記載の方法。
111. The method of claim 110, further comprising partially curing the first conductive medium.
前記複数の第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
前記複数のチャネル内に、キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記第1の導電性媒体を完全に硬化させることと、
を更に含む、請求項113に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a carrier medium in the plurality of channels;
Completely curing the first conductive medium;
114. The method of claim 113, further comprising:
前記第1の導電性媒体を堆積させる前記ステップは、金属、金属合金又は金属の組合せを、スパッタリングすること、コーティングすること、蒸着させること又は電気メッキすることを含む、請求項110に記載の方法。   111. The method of claim 110, wherein the step of depositing the first conductive medium comprises sputtering, coating, evaporating, or electroplating a metal, metal alloy, or combination of metals. . 前記金属、前記金属合金又は前記金属の組合せは、アルミニウム、銅、銀、ニッケル又は金のうちの少なくとも1つを含む、請求項115に記載の方法。   116. The method of claim 115, wherein the metal, the metal alloy, or the combination of metals comprises at least one of aluminum, copper, silver, nickel, or gold. 前記複数の第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
前記複数のチャネル内に、反応性キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記反応性キャリア媒体を除去することと、
前記第1の導電性媒体を硬化又は再硬化させることと、
を更に含む、請求項110に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a reactive carrier medium in the plurality of channels;
Removing the reactive carrier medium;
Curing or re-curing the first conductive medium;
111. The method of claim 110, further comprising:
前記複数の第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
前記複数のチャネル内に、異方性導電性媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記異方性導電性媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を圧縮することと、
を更に含む、請求項110に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in an anisotropic conductive medium in the plurality of channels;
Compressing the plurality of substrate particles suspended in the anisotropic conductive medium;
111. The method of claim 110, further comprising:
前記複数の第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
前記複数のチャネル内に、揮発性キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記揮発性キャリア媒体を蒸発させることと、
を更に含む、請求項110に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a volatile carrier medium in the plurality of channels;
Evaporating the volatile carrier medium;
111. The method of claim 110, further comprising:
前記複数の第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
前記複数のチャネル内に、キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記複数のチャネル内で前記複数の基板粒子をアニール又は合金化することと、
を更に含む、請求項110に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a carrier medium in the plurality of channels;
Annealing or alloying the plurality of substrate particles in the plurality of channels;
111. The method of claim 110, further comprising:
前記複数のチャネルは、離間され、実質的に平行である、請求項110に記載の方法。   111. The method of claim 110, wherein the plurality of channels are spaced apart and substantially parallel. 前記複数のチャネルは、少なくとも部分的に半球形状であり、アレイに配置される、請求項110に記載の方法。   111. The method of claim 110, wherein the plurality of channels are at least partially hemispherical and arranged in an array. 前記複数のチャネルは、離間され、少なくとも部分的に放物線形状である、請求項110に記載の方法。   111. The method of claim 110, wherein the plurality of channels are spaced apart and at least partially parabolic. 前記基部は複数の角度付き***を更に備える、請求項110に記載の方法。   111. The method of claim 110, wherein the base further comprises a plurality of angled ridges. 前記複数の離間されたチャネルは、複数の一体的に形成された突起又は支持部を更に備える、請求項110に記載の方法。   111. The method of claim 110, wherein the plurality of spaced apart channels further comprises a plurality of integrally formed protrusions or supports. 前記複数の第1の導体は、前記複数の離間されたチャネル内で前記複数の一体的に形成された突起又は支持部に結合され、前記複数の第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
前記複数のチャネル内に、キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記複数の基板粒子を前記複数の第1の導体にアニール若しくは合金化するか、又は化学的に結合することと、
を更に含む、請求項125に記載の方法。
The plurality of first conductors are coupled to the plurality of integrally formed protrusions or supports in the plurality of spaced apart channels, and the plurality of substrate particles are coupled to the plurality of first conductors. The step of
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a carrier medium in the plurality of channels;
Annealing or alloying or chemically bonding the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors;
126. The method of claim 125, further comprising:
前記複数の基板粒子の各基板粒子は半導体を含み、該複数の基板粒子を前記複数のダイオードに変化させる前記ステップは、
前記複数の基板粒子の上にドーパント材料を堆積させ、該複数の基板粒子とともに前記ドーパント材料をアニール又は合金化することにより、各基板粒子内にpn接合を形成すること
を更に含む、請求項100に記載の方法。
Each substrate particle of the plurality of substrate particles includes a semiconductor, and the step of changing the plurality of substrate particles into the plurality of diodes includes:
101. The method further comprises depositing a dopant material on the plurality of substrate particles and annealing or alloying the dopant material with the plurality of substrate particles to form a pn junction within each substrate particle. The method described in 1.
前記アニーリング又は前記合金化は、レーザー又は熱によるアニーリング又は合金化である、請求項127に記載の方法。   128. The method of claim 127, wherein the annealing or alloying is laser or thermal annealing or alloying. 前記ドーパント材料は基板液体又は膜である、請求項127に記載の方法。   128. The method of claim 127, wherein the dopant material is a substrate liquid or film. 前記ドーパント材料は、キャリア内に懸濁しているドーパント元素又は化合物である、請求項127に記載の方法。   128. The method of claim 127, wherein the dopant material is a dopant element or compound suspended in a carrier. 前記ドーパント材料は、前記複数の基板粒子の第1の上方部分に堆積して前記複数のダイオードを形成し、前記複数のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する浸透層又は浸透領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、請求項127に記載の方法。   The dopant material is deposited on a first upper portion of the plurality of substrate particles to form the plurality of diodes, wherein about 15 percent to 55 percent of the surface of substantially each of the plurality of diodes is about 128. The method of claim 127, comprising a permeation layer or a permeation region having a first majority carrier or a first majority dopant, and the remaining diode substrate having a second majority carrier or a second majority dopant. 結果として得られる複数のダイオードは発光ダイオード又は光起電力ダイオードである、請求項127に記載の方法。   128. The method of claim 127, wherein the resulting plurality of diodes are light emitting diodes or photovoltaic diodes. 前記複数の基板粒子は、第1の有機化合物又はポリマー化合物を含み、前記複数の基板粒子を前記複数のダイオードに変化させる前記ステップは、前記複数の基板粒子の上に第2の有機化合物又はポリマー化合物を堆積させることを更に含む、請求項100に記載の方法。   The plurality of substrate particles include a first organic compound or a polymer compound, and the step of converting the plurality of substrate particles into the plurality of diodes includes a second organic compound or polymer on the plurality of substrate particles. 101. The method of claim 100, further comprising depositing the compound. 前記第2の有機化合物又はポリマー化合物は発光層であり、結果として得られる複数のダイオードは有機発光ダイオード又はポリマー発光ダイオードである、請求項133に記載の方法。   134. The method of claim 133, wherein the second organic compound or polymer compound is a light emitting layer and the resulting plurality of diodes are organic light emitting diodes or polymer light emitting diodes. 前記複数の第2の導体の上に又は中に複数の第3の導体を堆積させること
を更に含む、請求項100に記載の方法。
101. The method of claim 100, further comprising depositing a plurality of third conductors on or in the plurality of second conductors.
前記基部に反射器又は屈折器を結合すること
を更に含む、請求項100に記載の方法。
101. The method of claim 100, further comprising coupling a reflector or refractor to the base.
前記基部は、ブラッグ反射器又は反射性プラスチックコーティング若しくは反射性ポリエステルコーティングを更に含む、請求項100に記載の方法。   101. The method of claim 100, wherein the base further comprises a Bragg reflector or a reflective plastic coating or a reflective polyester coating. 前記基部は、該基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記複数の第1の導体に、対応して結合される、複数の導電性ビアを更に備える、請求項100に記載の方法。   The base portion extends between a first side and a second side of the base portion, and a plurality of conductive layers correspondingly coupled to the plurality of first conductors on the first side. 101. The method of claim 100, further comprising a sex via. 前記複数の導電性ビアは、複数の実質的にランダムに分散した実質的に球形の導体を含む、請求項138に記載の方法。   139. The method of claim 138, wherein the plurality of conductive vias includes a plurality of substantially randomly distributed substantially spherical conductors. 前記基部は、前記複数の導電性ビアに結合され、かつ該基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンを備える、請求項139に記載の方法。   140. The method of claim 139, wherein the base comprises a conductive backplane coupled to the plurality of conductive vias and coupled to or integrated with the second side of the base. 第2のポリマー又は樹脂に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を堆積させることであって、前記複数のダイオードの各々に対応して結合された複数の絶縁体を形成する、堆積させること
を更に含む、請求項100に記載の方法。
Depositing a plurality of inorganic dielectric particles suspended together with a photoinitiator compound on a second polymer or resin to form a plurality of insulators associated with each of the plurality of diodes; 101. The method of claim 100, further comprising depositing.
前記基部は、紙、コート紙、プラスチックコート紙、エンボス紙、繊維紙、段ボール、ポスター用紙、ポスター板、木材、プラスチック、ゴム、布、ガラス及び/又はセラミックのうちの少なくとも1つを備える、請求項100に記載の方法。   The base comprises at least one of paper, coated paper, plastic coated paper, embossed paper, fiber paper, cardboard, poster paper, poster board, wood, plastic, rubber, cloth, glass and / or ceramic. Item 100. The method according to Item 100. 前記複数の第2の導体を形成する前記ステップは、
ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している光学的に透過性の導体又は導電性化合物を堆積させること
を更に含む、請求項100に記載の方法。
The step of forming the plurality of second conductors comprises:
101. The method of claim 100, further comprising depositing an optically transmissive conductor or conductive compound suspended in a polymer, resin or other medium.
前記ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している前記光学的に透過性の導体又は導電性化合物は、カーボンナノチューブ、酸化アンチモン錫、酸化インジウム錫又はポリエチレン−ジオキシチオフェンのうちの少なくとも1つを更に含む、請求項143に記載の方法。   The optically transmissive conductor or conductive compound suspended in the polymer, resin or other medium is at least one of carbon nanotubes, antimony tin oxide, indium tin oxide or polyethylene-dioxythiophene. 145. The method of claim 143, further comprising: 前記形成するステップ、前記結合するステップ及び前記変化させるステップは、印刷プロセスによって又は該印刷プロセスを介して行われる、請求項100に記載の方法。   101. The method of claim 100, wherein the forming, combining and changing steps are performed by or through a printing process. 前記複数の実質的に球形のレンズは、ホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含む、請求項100に記載の方法。   101. The method of claim 100, wherein the plurality of substantially spherical lenses comprise borosilicate glass or polystyrene latex. 標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェースを取り付けること
を更に含む、請求項100に記載の方法。
101. The method of claim 100, further comprising attaching an interface for insertion into a standardized lighting socket.
前記インターフェースは、E12、E14、E26、E27又はGU−10照明標準規格に準拠する、請求項147に記載の方法。   148. The method of claim 147, wherein the interface is compliant with E12, E14, E26, E27 or GU-10 lighting standards. 前記インターフェースは、標準エジソン型照明ソケットに準拠する、請求項147に記載の方法。   148. The method of claim 147, wherein the interface is compliant with a standard Edison-type lighting socket. 前記インターフェースは、標準蛍光灯型照明ソケットに準拠する、請求項147に記載の方法。   148. The method of claim 147, wherein the interface is compliant with a standard fluorescent lighting socket. 電子装置を製造する方法であって、
基部に結合された少なくとも1つの第1の導体を形成することと、
前記少なくとも1つの第1の導体に複数の基板粒子を結合することと、
前記少なくとも1つの第1の導体への前記結合に続き、前記複数の基板粒子を複数のダイオードに変化させることと、
前記複数の実質的に球形のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体を形成することと、
第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させることであって、該複数の実質的に球形のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることと、
を含む、電子装置を製造する方法。
A method of manufacturing an electronic device comprising:
Forming at least one first conductor coupled to the base;
Coupling a plurality of substrate particles to the at least one first conductor;
Following the coupling to the at least one first conductor, changing the plurality of substrate particles into a plurality of diodes;
Forming at least one second conductor coupled to the plurality of substantially spherical diodes;
Depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer, wherein the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index; Depositing the polymer having at least a second different refractive index;
A method of manufacturing an electronic device, comprising:
前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径又は平均長さの、前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さに対する比は、実質的に約5:1である、請求項151に記載の方法。   152. The method of claim 151, wherein the ratio of the average diameter or average length of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter or average length of the plurality of diodes is substantially about 5: 1. . 前記複数の実質的に球形のレンズの平均直径又は平均長さの、前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さに対する比は、約10:1と2:1との間である、請求項151に記載の方法。   153. The ratio of the average diameter or length of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter or length of the plurality of diodes is between about 10: 1 and 2: 1. The method described in 1. 前記複数のダイオードの平均直径又は平均長さは、約20ミクロンを超えかつ約40ミクロン未満である、請求項151に記載の方法。   152. The method of claim 151, wherein the average diameter or average length of the plurality of diodes is greater than about 20 microns and less than about 40 microns. 前記複数のダイオードは、半導体発光ダイオード、有機発光ダイオード、カプセル封止型有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード又は光起電力ダイオードである、請求項151に記載の方法。   152. The method of claim 151, wherein the plurality of diodes are semiconductor light emitting diodes, organic light emitting diodes, encapsulated organic light emitting diodes, polymer light emitting diodes, or photovoltaic diodes. 前記第1のポリマー内に懸濁している複数の実質的に球形のレンズを堆積させる前記ステップは、
前記複数のダイオードに予め製造された層を取り付けることであって、該予め製造された層は、前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数の実質的に球形のレンズを含む、取り付けること
を更に含む、請求項151に記載の方法。
Depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended in the first polymer;
Attaching a prefabricated layer to the plurality of diodes, the prefabricated layer comprising the plurality of substantially spherical lenses suspended within the first polymer; 152. The method of claim 151, further comprising:
前記複数の基板粒子は、窒化ガリウム、ガリウムヒ素又はシリコンを含む、請求項151に記載の方法。   153. The method of claim 151, wherein the plurality of substrate particles comprises gallium nitride, gallium arsenide, or silicon. 前記少なくとも1つの第1の導体を形成する前記ステップは、
第1の導電性媒体を堆積させること
を更に含む、請求項151に記載の方法。
The step of forming the at least one first conductor comprises:
152. The method of claim 151, further comprising depositing a first conductive medium.
前記第1の導電性媒体は、以下の媒体、すなわち、銀導電性インク、銅導電性インク、金導電性インク、アルミニウム導電性インク、錫導電性インク、カーボン導電性インク、カーボンナノチューブポリマー又は導電性ポリマーのうちの少なくとも1つを含む、請求項158に記載の方法。   The first conductive medium is the following medium: silver conductive ink, copper conductive ink, gold conductive ink, aluminum conductive ink, tin conductive ink, carbon conductive ink, carbon nanotube polymer or conductive 159. The method of claim 158, comprising at least one of the functional polymers. 前記第1の導電性媒体を堆積させる前記ステップは、金属、金属合金又は金属の組合せを、スパッタリングすること、コーティングすること、蒸着させること又は電気メッキすることを含む、請求項158に記載の方法。   159. The method of claim 158, wherein the step of depositing the first conductive medium comprises sputtering, coating, evaporating, or electroplating a metal, metal alloy, or combination of metals. . 前記金属、前記金属合金又は前記金属の組合せは、アルミニウム、銅、銀、ニッケル又は金のうちの少なくとも1つを含む、請求項160に記載の方法。   166. The method of claim 160, wherein the metal, the metal alloy, or the combination of metals comprises at least one of aluminum, copper, silver, nickel, or gold. 前記少なくとも1つの第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
反応性キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記反応性キャリア媒体を除去することと、
前記第1の導電性媒体を硬化又は再硬化させることと、
を更に含む、請求項158に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the at least one first conductor comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a reactive carrier medium;
Removing the reactive carrier medium;
Curing or re-curing the first conductive medium;
159. The method of claim 158, further comprising:
前記少なくとも1つの第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
異方性導電性媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記異方性導電性媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を圧縮することと、
を更に含む、請求項151に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the at least one first conductor comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in an anisotropic conductive medium;
Compressing the plurality of substrate particles suspended in the anisotropic conductive medium;
152. The method of claim 151, further comprising:
前記少なくとも1つの第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
揮発性キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記揮発性キャリア媒体を蒸発させることと、
を更に含む、請求項151に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the at least one first conductor comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a volatile carrier medium;
Evaporating the volatile carrier medium;
152. The method of claim 151, further comprising:
前記少なくとも1つの第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記複数の基板粒子を前記少なくとも1つの第1の導体に又は該少なくとも1つの第1の導体とともにアニール又は合金化することと、
を更に含む、請求項151に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the at least one first conductor comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a carrier medium;
Annealing or alloying the plurality of substrate particles to the at least one first conductor or together with the at least one first conductor;
152. The method of claim 151, further comprising:
前記複数の基板粒子の各基板粒子は半導体を含み、該複数の基板粒子を前記複数のダイオードに変化させる前記ステップは、
前記複数の基板粒子の上にドーパント材料を堆積させ、該複数の基板粒子とともに前記ドーパント材料をアニール又は合金化することにより、各基板粒子内にpn接合を形成すること
を更に含む、請求項151に記載の方法。
Each substrate particle of the plurality of substrate particles includes a semiconductor, and the step of changing the plurality of substrate particles into the plurality of diodes includes:
153. The method further comprises depositing a dopant material on the plurality of substrate particles and annealing or alloying the dopant material with the plurality of substrate particles to form a pn junction in each substrate particle. The method described in 1.
前記アニーリング又は前記合金化はレーザー又は熱によるアニーリング又は合金化である、請求項166に記載の方法。   171. The method of claim 166, wherein the annealing or alloying is laser or thermal annealing or alloying. 前記ドーパント材料は、基板液体若しくは膜、又はキャリア内に懸濁しているドーパント元素若しくは化合物である、請求項166に記載の方法。   173. The method of claim 166, wherein the dopant material is a substrate liquid or film, or a dopant element or compound suspended in a carrier. 前記ドーパント材料は、前記複数の基板粒子の第1の上方部分に堆積して前記複数のダイオードを形成し、前記複数のダイオードの実質的に全ての各ダイオードの表面の約15パーセント〜55パーセントは、第1の多数キャリア又は第1の多数ドーパントを有する層又は領域を有し、残りのダイオード基板は第2の多数キャリア又は第2の多数ドーパントを有する、請求項166に記載の方法。   The dopant material is deposited on a first upper portion of the plurality of substrate particles to form the plurality of diodes, wherein about 15 percent to 55 percent of the surface of substantially each of the plurality of diodes is about 166. The method of claim 166, comprising a layer or region having a first majority carrier or a first majority dopant, and the remaining diode substrate having a second majority carrier or a second majority dopant. 前記複数の基板粒子は、第1の有機化合物又はポリマー化合物を含み、前記複数の基板粒子を前記複数のダイオードに変化させる前記ステップは、前記複数の基板粒子の上に第2の有機化合物又はポリマー化合物を堆積させることを更に含む、請求項151に記載の方法。   The plurality of substrate particles include a first organic compound or a polymer compound, and the step of converting the plurality of substrate particles into the plurality of diodes includes a second organic compound or polymer on the plurality of substrate particles. 153. The method of claim 151 further comprising depositing a compound. 前記少なくとも1つの第2の導体の上に又は中に少なくとも1つの第3の導体を堆積させること
を更に含む、請求項151に記載の方法。
152. The method of claim 151, further comprising depositing at least one third conductor on or in the at least one second conductor.
前記基部は、ブラッグ反射器又は反射性プラスチックコーティング若しくは反射性ポリエステルコーティングを更に含む、請求項151に記載の方法。   152. The method of claim 151, wherein the base further comprises a Bragg reflector or a reflective plastic coating or a reflective polyester coating. 前記基部は、
前記基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記少なくとも1つの第1の導体に対応して結合される、複数の実質的にランダムに分散した実質的に球形の導体と、
前記複数の導電性ビアに結合され、かつ前記基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンと、
を更に備える、請求項151に記載の方法。
The base is
A plurality of substantially randomly extending between the first side and the second side of the base and coupled correspondingly to the at least one first conductor on the first side Dispersed substantially spherical conductors;
A conductive backplane coupled to the plurality of conductive vias and coupled to or integrated with the second side of the base;
152. The method of claim 151, further comprising:
第2のポリマー又は樹脂に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を堆積させることであって、前記複数のダイオードに結合された少なくとも1つの絶縁体を形成する、堆積させること
を更に含む、請求項151に記載の方法。
Depositing a plurality of inorganic dielectric particles suspended with a photoinitiator compound on a second polymer or resin, forming at least one insulator coupled to the plurality of diodes; 152. The method of claim 151, further comprising:
前記少なくとも1つの第2の導体を形成する前記ステップは、
ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している光学的に透過性の導体又は導電性化合物を堆積させること
を更に含む、請求項151に記載の方法。
The step of forming the at least one second conductor comprises:
153. The method of claim 151, further comprising depositing an optically transmissive conductor or conductive compound suspended in a polymer, resin or other medium.
前記ポリマー、樹脂又は他の媒体内に懸濁している前記光学的に透過性の導体又は導電性化合物は、カーボンナノチューブ、酸化アンチモン錫、酸化インジウム錫又はポリエチレン−ジオキシチオフェンのうちの少なくとも1つを更に含む、請求項175に記載の方法。   The optically transmissive conductor or conductive compound suspended in the polymer, resin or other medium is at least one of carbon nanotubes, antimony tin oxide, indium tin oxide or polyethylene-dioxythiophene. 175. The method of claim 175, further comprising: 前記複数の実質的に球形のレンズは、ホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含む、請求項151に記載の方法。   154. The method of claim 151, wherein the plurality of substantially spherical lenses comprise borosilicate glass or polystyrene latex. 前記形成するステップ、前記結合するステップ及び前記変化させるステップは、印刷プロセスによって又は該印刷プロセスを介して行われる、請求項151に記載の方法。   153. The method of claim 151, wherein the forming, combining and changing steps are performed by or through a printing process. 標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェースを取り付けること
を更に含む、請求項151に記載の方法。
152. The method of claim 151, further comprising attaching an interface for insertion into a standardized lighting socket.
前記インターフェースは、E12、E14、E26、E27又はGU−10照明標準規格に準拠する、請求項179に記載の方法。   180. The method of claim 179, wherein the interface is compliant with E12, E14, E26, E27 or GU-10 lighting standards. 前記インターフェースは、標準エジソン型照明ソケットに準拠する、請求項179に記載の方法。   180. The method of claim 179, wherein the interface is compliant with a standard Edison-type lighting socket. 前記インターフェースは、標準蛍光灯型照明ソケットに準拠する、請求項179に記載の方法。   180. The method of claim 179, wherein the interface is compliant with a standard fluorescent lamp type lighting socket. 電子システムを製造する方法であって、
基部に結合された少なくとも1つの第1の導体を形成することと、
前記少なくとも第1の導体に複数の基板粒子を結合することと、
前記複数の基板粒子を複数の実質的に光共振型のダイオードに変化させることと、
前記複数の実質的に光共振型のダイオードに結合された少なくとも1つの第2の導体を形成することと、
第1のポリマー内に懸濁している複数のレンズを堆積させることであって、該複数のレンズは少なくとも第1の屈折率を有し、前記第1のポリマーは少なくとも第2の異なる屈折率を有する、堆積させることと、
標準化された照明ソケット内に挿入するためのインターフェースを取り付けることと、
を含む、電子システムを製造する方法。
A method of manufacturing an electronic system comprising:
Forming at least one first conductor coupled to the base;
Binding a plurality of substrate particles to the at least first conductor;
Changing the plurality of substrate particles into a plurality of substantially optically resonant diodes;
Forming at least one second conductor coupled to the plurality of substantially optically resonant diodes;
Depositing a plurality of lenses suspended in a first polymer, the plurality of lenses having at least a first refractive index, wherein the first polymer has at least a second different refractive index. Having, depositing,
Installing an interface for insertion into a standardized lighting socket;
A method of manufacturing an electronic system comprising:
前記複数の実質的に光共振型のダイオードは、実質的に球形、実質的に環状又は実質的に円柱状である、請求項183に記載の方法。   184. The method of claim 183, wherein the plurality of substantially optically resonant diodes are substantially spherical, substantially annular, or substantially cylindrical. 前記複数のダイオードは、半導体発光ダイオード、有機発光ダイオード、カプセル封止型有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード又は光起電力ダイオードである、請求項183に記載の方法。   184. The method of claim 183, wherein the plurality of diodes are semiconductor light emitting diodes, organic light emitting diodes, encapsulated organic light emitting diodes, polymer light emitting diodes, or photovoltaic diodes. 前記第1のポリマー内に懸濁している複数のレンズを堆積させる前記ステップは、
前記複数の光共振型のダイオードに予め製造された層を取り付けることであって、該予め製造された層は、前記第1のポリマー内に懸濁している前記複数のレンズを含む、取り付けること
を更に含む、請求項183に記載の方法。
Depositing a plurality of lenses suspended in the first polymer,
Attaching a prefabricated layer to the plurality of optically resonant diodes, the prefabricated layer comprising the plurality of lenses suspended in the first polymer; 184. The method of claim 183, further comprising:
前記少なくとも1つの第1の導体を形成する前記ステップは、
第1の導電性媒体を堆積させること
を更に含む、請求項183に記載の方法。
The step of forming the at least one first conductor comprises:
184. The method of claim 183, further comprising depositing a first conductive medium.
前記少なくとも1つの第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
反応性キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記反応性キャリア媒体を除去することと、
前記第1の導電性媒体を硬化又は再硬化させることと、
を更に含む、請求項187に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the at least one first conductor comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a reactive carrier medium;
Removing the reactive carrier medium;
Curing or re-curing the first conductive medium;
188. The method of claim 187, further comprising:
前記少なくとも1つの第1の導体に前記複数の基板粒子を結合する前記ステップは、
キャリア媒体内に懸濁している前記複数の基板粒子を堆積させることと、
前記複数の基板粒子を前記少なくとも1つの第1の導体に又は該少なくとも1つの第1の導体とともにアニール又は合金化することと、
を更に含む、請求項183に記載の方法。
The step of bonding the plurality of substrate particles to the at least one first conductor comprises:
Depositing the plurality of substrate particles suspended in a carrier medium;
Annealing or alloying the plurality of substrate particles to the at least one first conductor or together with the at least one first conductor;
184. The method of claim 183, further comprising:
前記複数の基板粒子の各基板粒子は半導体を含み、該複数の基板粒子を前記複数の光共振型のダイオードに変化させる前記ステップは、
前記複数の基板粒子の上にドーパント材料を堆積させ、該複数の基板粒子とともに前記ドーパント材料をアニール又は合金化することにより、各基板粒子内にpn接合を形成すること
を更に含む、請求項183に記載の方法。
Each substrate particle of the plurality of substrate particles includes a semiconductor, and the step of changing the plurality of substrate particles into the plurality of optical resonance type diodes includes:
183. Further comprising depositing a dopant material on the plurality of substrate particles and annealing or alloying the dopant material with the plurality of substrate particles to form a pn junction within each substrate particle. The method described in 1.
前記少なくとも1つの第2の導体の上に又は中に少なくとも1つの第3の導体を堆積させること
を更に含む、請求項183に記載の方法。
184. The method of claim 183, further comprising depositing at least one third conductor on or in the at least one second conductor.
前記基部は、
前記基部の第1の側と第2の側との間に延在し、かつ該第1の側において前記少なくとも1つの第1の導体に対応して結合される、複数の実質的にランダムに分散した実質的に球形の導体と、
前記複数の導電性ビアに結合され、かつ前記基部の前記第2の側に結合又は一体化される、導電性バックプレーンと、
を更に備える、請求項183に記載の方法。
The base is
A plurality of substantially randomly extending between the first side and the second side of the base and coupled correspondingly to the at least one first conductor on the first side Dispersed substantially spherical conductors;
A conductive backplane coupled to the plurality of conductive vias and coupled to or integrated with the second side of the base;
184. The method of claim 183, further comprising:
第2のポリマー又は樹脂に光開始剤化合物とともに懸濁している複数の無機誘電体粒子を堆積させることであって、前記複数の光共振型のダイオードに結合された少なくとも1つの絶縁体を形成する、堆積させること
を更に含む、請求項183に記載の方法。
Depositing a plurality of inorganic dielectric particles suspended with a photoinitiator compound on a second polymer or resin to form at least one insulator coupled to the plurality of optically resonant diodes; 184. The method of claim 183, further comprising depositing.
前記複数の実質的に球形のレンズは、ホウケイ酸ガラス又はポリスチレンラテックスを含む、請求項183に記載の方法。   184. The method of claim 183, wherein the plurality of substantially spherical lenses comprise borosilicate glass or polystyrene latex. 前記形成するステップ、前記結合するステップ及び前記変化させるステップは、印刷プロセスによって又は該印刷プロセスを介して行われる、請求項183に記載の方法。   184. The method of claim 183, wherein the forming step, the combining step, and the changing step are performed by or through a printing process.
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