JP2013258272A - Dry method of substrate, manufacturing method of electronic apparatus, and dryer of substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、基板の乾燥方法、電子装置の製造方法及び基板の乾燥装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to a substrate drying method, an electronic device manufacturing method, and a substrate drying apparatus.
半導体装置や記憶装置などの電子装置の製造において、微細な凸形状パターンを形成することがある。この場合、微細な凸形状パターンが形成された基板の表面に残存する薬液や残渣を除去するために、洗浄工程及び乾燥工程が実施される。凸形状パターンの幅が、例えば、２０ｎｍ以下になると、洗浄工程で用いられたリンス液の表面張力により、凸形状パターンが倒壊するようになり、電子装置の微細化が困難になる。 In the manufacture of electronic devices such as semiconductor devices and memory devices, fine convex patterns may be formed. In this case, a cleaning process and a drying process are performed in order to remove chemicals and residues remaining on the surface of the substrate on which the fine convex pattern is formed. If the width of the convex pattern is, for example, 20 nm or less, the convex pattern will collapse due to the surface tension of the rinsing liquid used in the cleaning process, making it difficult to miniaturize the electronic device.
本発明の実施形態は、パターンの微細化を図ることができる基板の乾燥方法、電子装置の製造方法及び基板の乾燥装置を提供する。 Embodiments of the present invention provide a substrate drying method, an electronic device manufacturing method, and a substrate drying device capable of miniaturizing a pattern.
実施形態に係る基板の乾燥方法は、凸形状パターンが形成された基板の表面に付着したリンス液を、溶質が溶媒に溶解された溶液と置換する工程と、前記溶媒を蒸発させて前記溶質を前記基板の表面上に析出させる工程と、析出した前記溶質を昇華させる工程と、を備える。 The substrate drying method according to the embodiment includes a step of replacing a rinsing liquid adhering to the surface of a substrate on which a convex pattern is formed with a solution in which a solute is dissolved in a solvent, and evaporating the solvent to remove the solute. A step of depositing on the surface of the substrate, and a step of sublimating the deposited solute.
また、実施形態に係る電子装置の製造方法は、基板の乾燥方法を備える。 In addition, the method for manufacturing an electronic device according to the embodiment includes a substrate drying method.
さらに、実施形態に係る基板の乾燥装置は、第１チャンバーと、前記第１チャンバーの内部に設けられ複数の被処理体を搭載するホルダーと、前記ホルダーの周囲に設けられた第１ヒーターと、前記第１チャンバーを排気する第１排気部と、第２チャンバーと、前記第２チャンバーの内部に設けられ前記被処理体を搭載するステージと、前記第２チャンバーの内部に設けられ前記被処理体に溶質が溶媒に溶解された溶液を供給する溶液供給部と、を備える。 Furthermore, the substrate drying apparatus according to the embodiment includes a first chamber, a holder provided in the first chamber and carrying a plurality of objects to be processed, a first heater provided around the holder, A first exhaust section for exhausting the first chamber; a second chamber; a stage provided in the second chamber for mounting the object to be processed; and the object to be processed provided in the second chamber. And a solution supply unit for supplying a solution in which a solute is dissolved in a solvent.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。本実施形態は、電子装置の製造方法における、凸形状パターンの形成方法である。凸形状パターンの形成方法は、基板の用意、基板のエッチング、基板の洗浄及び基板の乾燥の各工程を含んでいる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
First, the first embodiment will be described. The present embodiment is a method for forming a convex pattern in a method for manufacturing an electronic device. The method for forming a convex pattern includes steps of substrate preparation, substrate etching, substrate cleaning, and substrate drying.
図１は、第１の実施形態に係る電子装置の製造方法において、凸形状パターンの形成方法を例示するフローチャート図である。
図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る電子装置の製造方法において、基板のエッチング方法を例示する工程断面図である。
FIG. 1 is a flowchart illustrating a method for forming a convex pattern in the method for manufacturing an electronic device according to the first embodiment.
2A to 2C are process cross-sectional views illustrating a method for etching a substrate in the method for manufacturing an electronic device according to the first embodiment.
図１のステップＳ１１及び図２（ａ）に示すように、先ず、基板２１を用意する。基板２１は、下地となる基材１１上に複数の膜が積層されたものである。基材１１は、例えば、シリコン基板を含む半導体基板である。基材１１上に、ゲート絶縁膜１２として、例えば、シリコン酸化膜を形成する。ゲート絶縁膜１２上に、ゲート電極となる導電膜１３として、例えば、ポリシリコン膜を形成する。導電膜１３は、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリのＦＧ（floating gate:フローティングゲート）電極となる膜である。 As shown in step S11 of FIG. 1 and FIG. 2A, first, a substrate 21 is prepared. The substrate 21 is obtained by laminating a plurality of films on the base material 11 serving as a base. The base material 11 is a semiconductor substrate including a silicon substrate, for example. For example, a silicon oxide film is formed on the base material 11 as the gate insulating film 12. For example, a polysilicon film is formed on the gate insulating film 12 as the conductive film 13 to be a gate electrode. The conductive film 13 is, for example, a film that becomes an FG (floating gate) electrode of a NAND flash memory.
導電膜１３上にエッチングストッパー膜１４として、例えば、シリコン窒化膜を形成する。エッチングストッパー膜１４上にハードマスクとなるマスク膜１５として、例えば、シリコン酸化膜を形成する。マスク膜１５上に、犠牲膜１６を形成する。犠牲膜１６は、その下に形成したマスク膜１５とＲＩＥ（reactive ion etching：反応性イオンエッチング）の選択比をとれる材料からなる膜とする。 For example, a silicon nitride film is formed as the etching stopper film 14 on the conductive film 13. For example, a silicon oxide film is formed on the etching stopper film 14 as the mask film 15 serving as a hard mask. A sacrificial film 16 is formed on the mask film 15. The sacrificial film 16 is a film made of a material that can take a selective ratio between the mask film 15 formed thereunder and RIE (reactive ion etching).
このように、基板２１は、例えば、基材１１、ゲート絶縁膜１２、導電膜１３、エッチングストッパー膜１４、マスク膜１５及び犠牲膜１６を含んでいる。犠牲膜１６上にレジスト膜１７を形成する。レジスト膜１７は、フォトリソグラフィ技術を用いて、犠牲膜１６の上面に平行な面内において、例えば、一方向に延びる複数のライン状のパターン１８を含むように形成される。あるいは、レジスト膜１７を、インプリント法により加工して、複数のライン状のパターン１８を含むように形成してもよい。 Thus, the substrate 21 includes, for example, the base material 11, the gate insulating film 12, the conductive film 13, the etching stopper film 14, the mask film 15, and the sacrificial film 16. A resist film 17 is formed on the sacrificial film 16. The resist film 17 is formed so as to include, for example, a plurality of line-shaped patterns 18 extending in one direction in a plane parallel to the upper surface of the sacrificial film 16 by using a photolithography technique. Alternatively, the resist film 17 may be processed by an imprint method so as to include a plurality of line-shaped patterns 18.
次に、図１のステップＳ１２及び図２（ｂ）に示すように、パターン１８が形成されたレジスト膜１７をマスクとして犠牲膜１６をＲＩＥで加工する。その後、例えば、硫酸と過酸化水素水の混合液であるＳＰＭ（Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture）を用いて、レジスト膜１７を除去する。 Next, as shown in step S12 of FIG. 1 and FIG. 2B, the sacrificial film 16 is processed by RIE using the resist film 17 on which the pattern 18 is formed as a mask. Thereafter, the resist film 17 is removed using, for example, SPM (Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture) which is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution.
次に、図２（ｃ）に示すように、犠牲膜１６をマスクとして、マスク膜１５をエッチングする。エッチングは、エッチングストッパー膜１４の上面で停止させる。これにより、マスク膜１５からハードマスク１５ａが形成される。また、エッチングストッパー膜１４の上面上に、ハードマスク１５ａ及び犠牲膜１６を含む凸形状パターン２０が形成される。凸形状パターン２０において、幅は、例えば、２０ｎｍ以下であり、凸形状パターン２０の間隔は、例えば、２０ｎｍ以下である。また、凸形状パターン２０の高さは、例えば、１００ｎｍ以上であり、幅に対する高さの比であるアスペクト比は、例えば５以上である。 Next, as shown in FIG. 2C, the mask film 15 is etched using the sacrificial film 16 as a mask. Etching is stopped at the upper surface of the etching stopper film 14. As a result, a hard mask 15 a is formed from the mask film 15. A convex pattern 20 including a hard mask 15 a and a sacrificial film 16 is formed on the upper surface of the etching stopper film 14. In the convex pattern 20, the width is, for example, 20 nm or less, and the interval between the convex patterns 20 is, for example, 20 nm or less. Further, the height of the convex pattern 20 is, for example, 100 nm or more, and the aspect ratio that is the ratio of the height to the width is, for example, 5 or more.
このようにして、基板２１に凸形状パターン２０が形成される。凸形状パターン２０間は凹部１９となる。基板２１は、凸形状パターン２０を含んでいる。基板２１には、エッチング残渣等の汚れが付着しているため、次工程として、洗浄工程及び乾燥工程を行う。 In this way, the convex pattern 20 is formed on the substrate 21. A concave portion 19 is formed between the convex patterns 20. The substrate 21 includes a convex pattern 20. Since dirt such as etching residue adheres to the substrate 21, a cleaning process and a drying process are performed as the next process.
次に、基板２１の洗浄方法について説明する。
図３（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る電子装置の製造方法において、基板の洗浄方法を例示する工程断面図である。
Next, a method for cleaning the substrate 21 will be described.
3A and 3B are process cross-sectional views illustrating a substrate cleaning method in the method for manufacturing an electronic device according to the first embodiment.
図１のステップＳ１３及び図３（ａ）に示すように、基板２１の表面について、洗浄処理を行う。洗浄処理は、薬液２２、例えば、ＳＰＭを基板２１の表面に供給することにより行う。これにより、基板２１の表面に残存するエッチング残渣を除去することができる。薬液２２は、ＳＰＭの他に、アンモニア及び過酸化水素水のアルカリ性水溶液であるＳＣ１を用いてもよい。 As shown in step S13 of FIG. 1 and FIG. 3A, the surface of the substrate 21 is cleaned. The cleaning process is performed by supplying the chemical liquid 22, for example, SPM to the surface of the substrate 21. Thereby, the etching residue remaining on the surface of the substrate 21 can be removed. The chemical liquid 22 may use SC1 which is an alkaline aqueous solution of ammonia and hydrogen peroxide in addition to SPM.
次に、図３（ｂ）に示すように、基板２１の表面について、リンス液２３、例えばＤＩＷ（deionized water：脱イオン化水）によるリンス処理を行う。リンス処理は、基板２１に付着した薬液２２をリンス液２３に置換することにより行う。これにより、基板２１の表面に付着した薬液２２を除去することができる。 Next, as shown in FIG. 3B, the surface of the substrate 21 is rinsed with a rinsing liquid 23, for example, DIW (deionized water). The rinsing process is performed by replacing the chemical liquid 22 attached to the substrate 21 with the rinsing liquid 23. Thereby, the chemical | medical solution 22 adhering to the surface of the board | substrate 21 is removable.
次に、基板２１の乾燥方法について説明する。
図４は、第１の実施形態に係る電子装置の製造方法において、基板の乾燥方法を例示するフローチャート図である。
図５（ａ）〜（ｃ）並びに図６（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る電子装置の製造方法において、基板の乾燥方法を例示する工程断面図である。
Next, a method for drying the substrate 21 will be described.
FIG. 4 is a flowchart illustrating the substrate drying method in the method for manufacturing the electronic device according to the first embodiment.
FIGS. 5A to 5C and FIGS. 6A and 6B are process cross-sectional views illustrating a method for drying a substrate in the method for manufacturing an electronic device according to the first embodiment.
図１のステップＳ１４、図４のステップＳ２１及び図５（ａ）に示すように、基板２１に溶液２４を供給して、基板２１の表面に付着したリンス液２３を溶液２４に置換する。溶液２４は、溶質が溶媒に溶解したものである。溶媒は、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を含んでいる。 As shown in step S14 of FIG. 1, step S21 of FIG. 4, and FIG. The solution 24 is a solution in which a solute is dissolved in a solvent. The solvent contains, for example, IPA (isopropyl alcohol).
溶質は、融点が室温以上であり、大気圧以下で昇華する材料を含んでいる。溶質は、例えば、１，２，３−ベンゾトリアゾールを含んでいる。溶液２４は、例えば、２０ミリリットル（ｍＬ）のＩＰＡに、１グラム（ｇ）の１，２，３−ベンゾトリアゾールを溶解させたものである。例えば、溶液２４に対する溶質の割合を重量比で、５％以下とする。 The solute includes a material having a melting point of room temperature or higher and sublimating at atmospheric pressure or lower. The solute contains, for example, 1,2,3-benzotriazole. The solution 24 is obtained by, for example, dissolving 1 gram (g) of 1,2,3-benzotriazole in 20 milliliters (mL) of IPA. For example, the ratio of the solute to the solution 24 is 5% or less by weight.
この処理により、基板２１に付着したリンス液２３を除去するとともに、基板２１の表面に溶液２４を付着させる。例えば、基板２１は、５０マイクロメートル（μｍ）の厚さで溶液２４に覆われる。以下の図において、凸形状パターン２０以外の基板２１を構成する材料の図示を省略する。 By this treatment, the rinsing liquid 23 attached to the substrate 21 is removed and the solution 24 is attached to the surface of the substrate 21. For example, the substrate 21 is covered with the solution 24 with a thickness of 50 micrometers (μm). In the following drawings, illustration of materials constituting the substrate 21 other than the convex pattern 20 is omitted.
次に、図４のステップＳ２２及び図５（ｂ）に示すように、溶液２４が付着した基板２１を、例えば、５０℃以下で加熱することにより、溶液２４における溶媒を蒸発させる。溶媒が蒸発して、溶液２４に溶解した溶質が過飽和状態になる。これにより、溶質は、基板２１の表面を核として析出する。このようにして、溶質を基板２１の表面上に析出させる。析出した溶質は、基板２１の表面上に析出物２５を形成する。析出物２５は、凸形状パターン２０を含む基板２１の表面に層状に形成される。 Next, as shown in step S22 of FIG. 4 and FIG. 5B, the substrate 21 to which the solution 24 is attached is heated at, for example, 50 ° C. or less, thereby evaporating the solvent in the solution 24. The solvent evaporates and the solute dissolved in the solution 24 becomes supersaturated. Thereby, the solute is deposited with the surface of the substrate 21 as a nucleus. In this way, the solute is deposited on the surface of the substrate 21. The deposited solute forms a precipitate 25 on the surface of the substrate 21. The precipitate 25 is formed in layers on the surface of the substrate 21 including the convex pattern 20.
その後、図５（ｃ）に示すように、基板２１の表面に析出した析出物２５は、基板２１上に成長し、凸形状パターン２０を覆う。 Thereafter, as shown in FIG. 5C, the precipitate 25 deposited on the surface of the substrate 21 grows on the substrate 21 and covers the convex pattern 20.
次に、図４のステップＳ２３及び図６（ａ）に示すように、析出物２５が付着した基板２１を、大気圧以下に減圧した雰囲気において、析出物２５に含まれる溶質の融点以下の温度で加熱する。例えば、１，２，３−ベンゾトリアゾールの融点は９５℃であるので、９５℃以下の温度により加熱する。これにより、基板２１上に析出した溶質を昇華させる。 Next, as shown in step S23 of FIG. 4 and FIG. 6A, in the atmosphere in which the substrate 21 to which the precipitate 25 is attached is depressurized to atmospheric pressure or lower, the temperature is equal to or lower than the melting point of the solute contained in the precipitate 25. Heat with. For example, since 1,2,3-benzotriazole has a melting point of 95 ° C., it is heated at a temperature of 95 ° C. or less. Thereby, the solute deposited on the substrate 21 is sublimated.
このようにして、図６（ｂ）に示すように、基板２１上に形成された析出物２５を除去する。これにより、凸形状パターン２０が形成された基板２１を乾燥させることができる。 In this way, the precipitate 25 formed on the substrate 21 is removed as shown in FIG. Thereby, the board | substrate 21 with which the convex-shaped pattern 20 was formed can be dried.
次に、本実施形態の効果について説明する。
図７（ａ）は、第１の実施形態に係る電子装置の製造方法において、乾燥後の基板の凸形状パターンを例示する平面図であり、（ｂ）は、第１の実施形態の第１比較例に係る電子装置の製造方法において、乾燥後の基板の凸形状パターンを例示する平面図である。
Next, the effect of this embodiment will be described.
FIG. 7A is a plan view illustrating a convex pattern of a substrate after drying in the method for manufacturing an electronic device according to the first embodiment, and FIG. 7B is a first view of the first embodiment. In the manufacturing method of the electronic device concerning a comparative example, it is a top view which illustrates the convex pattern of the substrate after drying.
図７（ａ）に示すように、本実施形態においては、乾燥後の凸形状パターン２０は、倒壊していない。凸形状パターン２０及び各凸形状パターン２０間の凹部１９が所定の間隔で形成されている。このように、本実施形態によれば、基板２１に形成された微細な凸形状パターン２０の倒壊を抑制することができる。これにより、電子装置１を微細化することができる。 As shown to Fig.7 (a), in this embodiment, the convex-shaped pattern 20 after drying has not collapsed. The convex patterns 20 and the concave portions 19 between the convex patterns 20 are formed at predetermined intervals. Thus, according to this embodiment, the collapse of the fine convex pattern 20 formed on the substrate 21 can be suppressed. Thereby, the electronic device 1 can be miniaturized.
溶媒を蒸発させる場合に、例えば、加熱する温度を高くすることにより、蒸発を速くする。このようにすると、析出物２５は、密度が低下し、ス（空洞）が入るような構造となる。このような構造の場合には、析出物の昇華が速くなり、乾燥にかかる時間を短縮することができる。 In the case of evaporating the solvent, for example, the evaporation is accelerated by increasing the heating temperature. In this way, the precipitate 25 has a structure in which the density decreases and soot (cavities) enter. In the case of such a structure, the sublimation of the precipitate becomes faster and the time required for drying can be shortened.
微細な凸形状パターン２０の倒壊を抑制する方法として、二酸化炭素を用いた超臨界乾燥という方法がある。しかし、この方法に用いる装置は大がかりなものとなる。これに対して、本実施形態によれば、大がかりな装置を用いなくても、凸形状パターン２０の倒壊を抑制することができる。図７（ｂ）については、後述する。 As a method for suppressing the collapse of the fine convex pattern 20, there is a method called supercritical drying using carbon dioxide. However, the apparatus used for this method is large. On the other hand, according to the present embodiment, the collapse of the convex pattern 20 can be suppressed without using a large-scale device. FIG. 7B will be described later.
なお、電子装置１をフラッシュメモリとし、基板２１の凸形状パターン２０を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのゲート構造としたが、これに限らない。電子装置１として、半導体装置、記憶装置及び微小電気機械素子（ＭＥＭＳ：micro electro Mechanical Systems）でもよい。 Although the electronic device 1 is a flash memory and the convex pattern 20 of the substrate 21 is a NAND flash memory gate structure, the present invention is not limited to this. The electronic device 1 may be a semiconductor device, a storage device, and a micro electro mechanical system (MEMS).
また、基板２１を、基材１１と基材１１上に設けられたハードマスク１５ａ及び犠牲膜１６を含むものとしたが、これに限らない。基板２１として、基材１１に形成したＳＴＩを含むものでもよいし、基材１１と基材１１上に形成された金属配線パターンを含むものでもよい。 The substrate 21 includes the base material 11 and the hard mask 15a and the sacrificial film 16 provided on the base material 11. However, the present invention is not limited to this. The substrate 21 may include STI formed on the base material 11, or may include the base material 11 and a metal wiring pattern formed on the base material 11.
また、リンス工程は、洗浄工程の後に行われるものに限られない。リソグラフィ工程の現像後に行われるものにも適用できる。
さらに、溶液中の溶媒を５０℃以下に加熱する加熱乾燥法により蒸発させたが、これに限らない。例えば、２５℃の室温において溶媒を揮発させてもよい。また、基板２１の主面軸を回転軸として基板２１を回転させるスピン乾燥法により除去してもよいし、乾燥した気体を基板２１に対して吹き付けるエアー供給乾燥法により除去してもよい。また、基板２１を減圧雰囲気に置く減圧乾燥法により除去してもよい。
Further, the rinsing process is not limited to one performed after the cleaning process. The present invention can also be applied to those performed after development in the lithography process.
Furthermore, although the solvent in the solution was evaporated by a heat drying method in which the solvent was heated to 50 ° C. or lower, this is not restrictive. For example, the solvent may be volatilized at a room temperature of 25 ° C. Alternatively, the substrate 21 may be removed by a spin drying method in which the main surface axis of the substrate 21 is a rotation axis, or may be removed by an air supply drying method in which a dried gas is blown against the substrate 21. Alternatively, the substrate 21 may be removed by a reduced pressure drying method in a reduced pressure atmosphere.
さらに、析出物は、凸形状パターン２０を覆うように形成したが、これに限らない。溶液２４の量及び溶液２４に溶解した溶質の量を制御し、凸形状パターン２０の下部のみ覆うように析出物２５を形成してもよい。 Furthermore, although the deposit was formed so as to cover the convex pattern 20, it is not limited thereto. The amount of the solution 24 and the amount of the solute dissolved in the solution 24 may be controlled to form the precipitate 25 so as to cover only the lower part of the convex pattern 20.
図８は、第１の実施形態に係る電子装置の製造方法において、溶質を例示する構造式である。
図８に示すように、本実施形態においては、溶質に、１，２，３−ベンゾトリアゾールを用いたが、これに限らない。溶質は、溶媒に溶解し、融点が室温以上であり、大気圧以下の雰囲気で昇華する材料を含んでいればよい。例えば、溶質は、１，２，３−ベンゾトリアゾール、２−メチルナフタレン、パラジクロロベンゼン及びメチルナフタレン並びにこれらの各誘電体からなる群より選択された少なくとも１つの材料を含むものでもよい。
FIG. 8 is a structural formula illustrating a solute in the method for manufacturing an electronic device according to the first embodiment.
As shown in FIG. 8, in this embodiment, 1,2,3-benzotriazole is used as the solute, but this is not a limitation. The solute should just contain the material which melt | dissolves in a solvent and has a melting | fusing point more than room temperature, and sublimates in the atmosphere below atmospheric pressure. For example, the solute may include at least one material selected from the group consisting of 1,2,3-benzotriazole, 2-methylnaphthalene, paradichlorobenzene and methylnaphthalene and their respective dielectrics.
溶媒は、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、アルコール及びエーテル、並びに、これらの各混合物からなる群より選択された少なくとも１つの材料を含んだ溶剤を用いることができる。具体的には、メタノール、エタノール、ＩＰＡ、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ＮＭＰ、ＤＭＦ、ＤＭＡ、ＤＭＳＯ、ヘキサン、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧＰＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、ＧＢＬ、アセチルアセトン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、ジブチルエーテル、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）、エチルノナフルオロイソブチルエーテル、エチルノナフルオロブチルエーテル及びｍ−キシレンヘキサフルオライド、並びに、これらの各混合液からなる群より選択された少なくとも１つの材料を含んだ溶剤を用いることができる。 As the solvent, a solvent containing at least one material selected from the group consisting of aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, esters, alcohols and ethers, and mixtures thereof can be used. Specifically, methanol, ethanol, IPA, butanol, ethylene glycol, propylene glycol, NMP, DMF, DMA, DMSO, hexane, toluene, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol Monopropyl ether (PGPE), propylene glycol monoethyl ether (PGEE), GBL, acetylacetone, 3-pentanone, 2-heptanone, ethyl lactate, cyclohexanone, dibutyl ether, hydrofluoroether (HFE), ethyl nonafluoroisobutyl ether, ethyl Selected from the group consisting of nonafluorobutyl ether and m-xylene hexafluoride, and mixtures thereof. At least one material may be used a solvent containing.
（第１比較例）
次に、第１の実施形態の第１比較例について説明する。
本比較例は、図１のステップＳ１４に示す基板の乾燥方法において、前述の図４に示す乾燥方法の代わりに、ＩＰＡを用いる方法である。
(First comparative example)
Next, a first comparative example of the first embodiment will be described.
This comparative example uses IPA in place of the drying method shown in FIG. 4 in the substrate drying method shown in step S14 of FIG.
先ず、前述の第１の実施形態と同様に、図２（ａ）〜（ｃ）並びに図３（ａ）及び（ｂ）に示す工程を実施する。これらの工程については、説明を省略する。
次に、基板２１に付着したリンス液２３を除去するために、ＩＰＡを基板２１上に供給し、基板２１上のリンス液２３と置換する。その後、基板２１に付着したＩＰＡを揮発させる。このようにして、基板２１を乾燥させる。
First, similarly to the above-described first embodiment, the steps shown in FIGS. 2A to 2C and FIGS. 3A and 3B are performed. Explanation of these steps is omitted.
Next, in order to remove the rinsing liquid 23 attached to the substrate 21, IPA is supplied onto the substrate 21 to replace the rinsing liquid 23 on the substrate 21. Thereafter, the IPA adhering to the substrate 21 is volatilized. In this way, the substrate 21 is dried.
図７（ｂ）に示すように、本比較例においては、凸形状パターン２０が倒壊し、隣接する凸形状パターン２０同士が密着している。したがって、凸形状パターン２０及び各凸形状パターン２０間の凹部１９が所定の間隔で形成されていない。よって、電子装置１０１を微細化することができない。 As shown in FIG. 7B, in this comparative example, the convex pattern 20 collapses and the adjacent convex patterns 20 are in close contact with each other. Therefore, the convex patterns 20 and the concave portions 19 between the convex patterns 20 are not formed at a predetermined interval. Therefore, the electronic device 101 cannot be miniaturized.
（第２比較例）
次に、第１の実施形態の第２比較例について説明する。
本比較例は、リンス液を液体状態の凍結剤によって置換した後に、凍結剤を凍結乾燥する実施形態である。
(Second comparative example)
Next, a second comparative example of the first embodiment will be described.
In this comparative example, the rinsing liquid is replaced with a freezing agent in a liquid state, and then the freezing agent is freeze-dried.
図９（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態の第２比較例に係る基板の乾燥方法を例示する工程断面図である。
先ず、前述の第１の実施形態と同様に、図２（ａ）〜（ｃ）並びに図３（ａ）及び（ｂ）に示す工程を実施する。これらの工程については、説明を省略する。
9A and 9B are process cross-sectional views illustrating a substrate drying method according to the second comparative example of the first embodiment.
First, similarly to the above-described first embodiment, the steps shown in FIGS. 2A to 2C and FIGS. 3A and 3B are performed. Explanation of these steps is omitted.
次に、図９（ａ）に示すように、液体状態の凍結剤２６を基板２１上に供給し、基板２１上のリンス液２３と置換する。これにより、基板２１に付着したリンス液２３を除去する。 Next, as shown in FIG. 9A, the liquid state freezing agent 26 is supplied onto the substrate 21 to replace the rinse liquid 23 on the substrate 21. Thereby, the rinse liquid 23 adhering to the substrate 21 is removed.
次に、図９（ｂ）に示すように、基板２１を冷却することにより、基板２１に付着した凍結剤２６を凍結させる。これにより、液体状態の凍結剤２６は、固体状態の凍結剤２６ａに変化する。このとき、液体から固体への状態変化により、凍結剤２５の体積は変化する。これにより、凸形状パターン２０は、固体状態の凍結剤２６ａから応力を受ける。次に、固体状態の凍結剤２６ａを昇華させる。このようにして、基板２１を乾燥させる。 Next, as shown in FIG. 9B, by cooling the substrate 21, the freezing agent 26 attached to the substrate 21 is frozen. Thereby, the freezing agent 26 in the liquid state is changed to the freezing agent 26a in the solid state. At this time, the volume of the freezing agent 25 changes due to the state change from liquid to solid. Thereby, the convex pattern 20 receives stress from the solid state freezing agent 26a. Next, the solid state freezing agent 26a is sublimated. In this way, the substrate 21 is dried.
本比較例においては、凍結剤２６の状態が固体に変化することにより、凸形状パターン２０は、凍結剤２６ａから応力を受ける。これにより、凸形状パターン２０は、倒壊する。よって、電子装置１０２を微細化することができない。 In this comparative example, when the state of the freezing agent 26 changes to solid, the convex pattern 20 receives stress from the freezing agent 26a. Thereby, the convex pattern 20 collapses. Therefore, the electronic device 102 cannot be miniaturized.
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、基板の乾燥装置についての実施形態である。
図１０（ａ）は、第２の実施形態に係る基板の乾燥装置を例示する図である。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. This embodiment is an embodiment of a substrate drying apparatus.
FIG. 10A is a diagram illustrating a substrate drying apparatus according to the second embodiment.
図１０（ａ）に示すように、本実施形態の乾燥装置２には、筐体３０が設けられている。筐体３０の内部には、第１搬送部３１、第２搬送部３２、基板準備室３３、乾燥室３４（第１チャンバー）、第１基板洗浄室３５、第２基板洗浄室（第２チャンバー）３６及びエッチング室３７が設けられている。 As shown to Fig.10 (a), the housing | casing 30 is provided in the drying apparatus 2 of this embodiment. Inside the housing 30, there are a first transport unit 31, a second transport unit 32, a substrate preparation chamber 33, a drying chamber 34 (first chamber), a first substrate cleaning chamber 35, a second substrate cleaning chamber (second chamber). ) 36 and an etching chamber 37 are provided.
第１搬送部３１は、筐体３０を一方向に２分するように、筐体３０の中央に配置されている。第１搬送部３１には、レール４９及びレール４９に沿って可動する可動部５０が設けられている。可動部５０には、可動部５０から延びるアーム５１が設けられている。 The 1st conveyance part 31 is arrange | positioned in the center of the housing | casing 30 so that the housing | casing 30 may be divided into 2 to one direction. The first transport unit 31 is provided with a rail 49 and a movable unit 50 movable along the rail 49. The movable part 50 is provided with an arm 51 extending from the movable part 50.
第１搬送部３１によって２分された一方３０ａには、基板準備室３３が配置されている。基板準備室３３には、基板２１（被処理体）が密閉容器４１に収納されて保存されている。密閉容器４１は、第１搬送部３１におけるアーム５１によって搬送され、アーム５１によって開封される。また、開封された密閉容器４１の内部の基板２１は、アーム５１によって所定の位置に搭載される。第１搬送部３１によって２分された他方３０ｂの中央には、第２搬送部３２が配置されている。 A substrate preparation chamber 33 is arranged on one side 30 a divided by the first transfer unit 31. In the substrate preparation chamber 33, the substrate 21 (object to be processed) is stored and stored in the sealed container 41. The sealed container 41 is transported by the arm 51 in the first transport unit 31 and opened by the arm 51. Further, the substrate 21 inside the opened sealed container 41 is mounted at a predetermined position by the arm 51. A second transport unit 32 is arranged in the center of the other 30 b divided into two by the first transport unit 31.
第２搬送部３２は、第１搬送部３１によって２分された他方３０ｂを、一方向に直交する他方向に２分するように配置されている。第２搬送部３２には、レール４９及びレール４９に沿って可動する可動部５０が設けられている。可動部５０には、可動部５０から延びるアーム５１が設けられている。第２搬送部３２によって、２分された一方３０ｂａには、第１基板洗浄室３５及び第２基板洗浄室３６が配置されている。第２搬送部３２によって、２分された他方３０ｂｂには、エッチング室３７及び乾燥室３４が配置されている。 The 2nd conveyance part 32 is arrange | positioned so that the other 30b divided into 2 by the 1st conveyance part 31 may be divided into the other direction orthogonal to one direction. The second transport unit 32 is provided with a rail 49 and a movable unit 50 movable along the rail 49. The movable part 50 is provided with an arm 51 extending from the movable part 50. A first substrate cleaning chamber 35 and a second substrate cleaning chamber 36 are arranged on one side 30ba divided into two by the second transfer unit 32. An etching chamber 37 and a drying chamber 34 are arranged on the other 30 bb divided by the second transfer unit 32.
エッチング室３７の内部には、基板２１を搭載するためのステージ４２と、薬液を供給する薬液供給部４３ａが設けられている。ステージ４２には、搭載された基板２１の主面軸を回転軸にして回転させるモーターが設けられている。 Inside the etching chamber 37, a stage 42 for mounting the substrate 21 and a chemical solution supply unit 43a for supplying a chemical solution are provided. The stage 42 is provided with a motor that rotates the main surface axis of the mounted substrate 21 as a rotation axis.
第１基板洗浄室３５の内部には、基板２１を搭載するためのステージ４２と、薬液及びリンス液を供給する薬液供給部４３ｂが設けられている。ステージ４２には、搭載された基板２１の主面軸を回転軸にして回転させるモーターが設けられている。 Inside the first substrate cleaning chamber 35, a stage 42 for mounting the substrate 21 and a chemical solution supply unit 43b for supplying a chemical solution and a rinse solution are provided. The stage 42 is provided with a motor that rotates the main surface axis of the mounted substrate 21 as a rotation axis.
第２基板洗浄室（第２チャンバー）３６の内部には、基板（被処理体）２１を搭載するためのステージ４２と、溶液を供給する溶液供給部４３ｃが設けられている。また、基板２１を加熱するヒータ（第２ヒータ）４４及び基板２１に乾燥した気体を供給するエアー供給部４５が設けられている。さらに、第２基板洗浄室３６には配管５２を介して第２基板洗浄室３６を排気する真空ポンプ（第２排気部）４６ｂが接続されている。ステージ４２には、搭載された基板２１の主面軸を回転軸にして回転させるモーターが設けられている。 Inside the second substrate cleaning chamber (second chamber) 36, a stage 42 for mounting the substrate (object to be processed) 21 and a solution supply unit 43c for supplying a solution are provided. In addition, a heater (second heater) 44 that heats the substrate 21 and an air supply unit 45 that supplies dry gas to the substrate 21 are provided. Further, a vacuum pump (second exhaust part) 46 b for exhausting the second substrate cleaning chamber 36 is connected to the second substrate cleaning chamber 36 through a pipe 52. The stage 42 is provided with a motor that rotates the main surface axis of the mounted substrate 21 as a rotation axis.
図１０（ｂ）は、第２の実施形態に係る基板の乾燥装置において、乾燥室を例示する図である。
図１０（ｂ）に示すように、乾燥室３４の内部には、ホルダー４７が設けられている。ホルダー４７には、複数のスリット４８が設けられており、各スリット４８に基板２１を１枚ずつ搭載することができる。したがって、ホルダー４７には、複数の基板２１を搭載することができる。ホルダー４７の周囲、例えば、ホルダー４７の側面にはヒータ（第１ヒータ）５３が設けられている。乾燥室３４には配管５２を介して乾燥室３４を排気する真空ポンプ（第１排気部）４６ａが接続されている。
FIG. 10B illustrates a drying chamber in the substrate drying apparatus according to the second embodiment.
As shown in FIG. 10B, a holder 47 is provided inside the drying chamber 34. The holder 47 is provided with a plurality of slits 48, and one substrate 21 can be mounted in each slit 48. Therefore, a plurality of substrates 21 can be mounted on the holder 47. A heater (first heater) 53 is provided around the holder 47, for example, on the side surface of the holder 47. A vacuum pump (first exhaust part) 46 a for exhausting the drying chamber 34 is connected to the drying chamber 34 through a pipe 52.
次に、本実施形態に係る乾燥装置２の動作について説明する。
先ず、図１のステップＳ１１に示したように、基板２１の用意について説明する。
基板準備室３３に保存された密閉容器４１をアーム５１よって取り出す。そして、アーム５１によって、密閉容器４１内の基板２１を引き出す。その後、アーム５１が接続された可動部５０をレール４９に沿って移動させる。これにより、引き出した基板２１をエッチング室３７に配置されたステージ４２上に搭載する。
Next, operation | movement of the drying apparatus 2 which concerns on this embodiment is demonstrated.
First, as shown in step S11 of FIG. 1, preparation of the substrate 21 will be described.
The sealed container 41 stored in the substrate preparation chamber 33 is taken out by the arm 51. Then, the substrate 21 in the sealed container 41 is pulled out by the arm 51. Thereafter, the movable part 50 to which the arm 51 is connected is moved along the rail 49. As a result, the drawn substrate 21 is mounted on the stage 42 disposed in the etching chamber 37.
次に、図１のステップＳ１２に示したように、基板２１のエッチング処理について説明する。
基板２１に対してドライエッチングまたはウェットエッチングを施す。必要により、基板２１を搭載したステージ４２を回転させる。また、必要により、薬液供給部４３ａから基板２１に対して薬液を供給する。ステージ４２の回転により、基板２１の表面には、薬液が均一に塗布される。エッチング処理後、第２搬送部３２におけるアーム５１によって基板２１を引き出し、第１基板洗浄室３５に配置されたステージ４２に基板２１を搭載する。
Next, as shown in step S12 of FIG. 1, the etching process for the substrate 21 will be described.
Dry etching or wet etching is performed on the substrate 21. If necessary, the stage 42 on which the substrate 21 is mounted is rotated. Further, if necessary, a chemical solution is supplied from the chemical solution supply unit 43a to the substrate 21. Due to the rotation of the stage 42, the chemical solution is uniformly applied to the surface of the substrate 21. After the etching process, the substrate 21 is pulled out by the arm 51 in the second transfer unit 32, and the substrate 21 is mounted on the stage 42 disposed in the first substrate cleaning chamber 35.
次に、図１のステップＳ１３に示したように、基板２１の洗浄処理について説明する。
洗浄処理は、薬液供給部４３ｂから基板２１に対して、薬液、例えば、ＳＰＭを、供給することにより行う。これにより、基板２１の表面に残存するエッチング残渣を除去する。薬液は、ＳＰＭの他に、ＳＣ１を用いてもよい。必要により、基板２１を搭載したステージ４２を回転させる。これにより、基板２１の表面には、薬液が均一に塗布される。その後、リンス処理を行う。
Next, as shown in step S13 of FIG. 1, the cleaning process for the substrate 21 will be described.
The cleaning process is performed by supplying a chemical solution, for example, SPM, to the substrate 21 from the chemical solution supply unit 43b. Thereby, the etching residue remaining on the surface of the substrate 21 is removed. As the chemical solution, SC1 may be used in addition to SPM. If necessary, the stage 42 on which the substrate 21 is mounted is rotated. As a result, the chemical solution is uniformly applied to the surface of the substrate 21. Thereafter, a rinsing process is performed.
リンス処理は、薬液供給部４３ｂから基板２１に対して、リンス液、例えば、ＤＩＷを、供給することにより行う。必要により、基板２１を搭載したステージ４２を回転させる。これにより、基板２１の表面には、リンス液が均一に塗布される。基板２１に付着した薬液をリンス液に置換する。このようにして、基板２１の表面に付着した薬液を除去することができる。リンス処理後、第２搬送部３２におけるアーム５１によって基板２１を引き出し、第２基板洗浄室３６に配置されたステージ４２に基板２１を搭載する。 The rinsing process is performed by supplying a rinsing liquid, for example, DIW, to the substrate 21 from the chemical liquid supply unit 43b. If necessary, the stage 42 on which the substrate 21 is mounted is rotated. Thereby, the rinse liquid is uniformly applied to the surface of the substrate 21. The chemical solution attached to the substrate 21 is replaced with a rinse solution. In this way, the chemical solution attached to the surface of the substrate 21 can be removed. After the rinsing process, the substrate 21 is pulled out by the arm 51 in the second transport unit 32, and the substrate 21 is mounted on the stage 42 disposed in the second substrate cleaning chamber 36.
次に、図１のステップＳ１４に示したように、基板２１の乾燥処理について説明する。
先ず、図４のステップＳ２１に示すように、溶液供給部４３ｃから基板２１に対して、溶液を供給する。必要により、基板２１を搭載したステージ４２を回転させる。これにより、基板２１の表面には、溶液が均一に塗布される。このようにして、基板２１に付着したリンス液２３を溶液に置換する。
Next, the drying process of the substrate 21 will be described as shown in step S14 of FIG.
First, as shown in step S <b> 21 of FIG. 4, a solution is supplied from the solution supply unit 43 c to the substrate 21. If necessary, the stage 42 on which the substrate 21 is mounted is rotated. As a result, the solution is uniformly applied to the surface of the substrate 21. In this way, the rinsing liquid 23 attached to the substrate 21 is replaced with the solution.
次に、図４のステップＳ２２に示すように、例えば、ヒータ４４によって、５０℃以下で基板２１を加熱することにより、基板２１に付着した溶液２４における溶媒を蒸発させる。溶媒が蒸発することにより、溶液２４に含まれる溶質の濃度が高くなる。そして、溶液２４に溶解した溶質が過飽和状態になる。そうすると、溶質は、基板２１の表面を核として析出する。析出した溶質は、析出物２５を形成する。析出物２５は、凸形状パターン２０を含む基板２１の表面に層状に形成される。 Next, as shown in step S <b> 22 of FIG. 4, for example, the solvent in the solution 24 attached to the substrate 21 is evaporated by heating the substrate 21 with a heater 44 at 50 ° C. or lower. As the solvent evaporates, the concentration of the solute contained in the solution 24 increases. Then, the solute dissolved in the solution 24 becomes supersaturated. Then, the solute precipitates with the surface of the substrate 21 as a nucleus. The precipitated solute forms a precipitate 25. The precipitate 25 is formed in layers on the surface of the substrate 21 including the convex pattern 20.
析出物２５が形成され、溶媒が蒸発した後、第２搬送部３２におけるアーム５１によって基板２１を引き出す。そして、引き出した基板２１を乾燥室３４に配置されたホルダー４７のスリット４８に搭載する。所定の枚数の基板２１がホルダー４７に搭載されるまで、図１に示したステップＳ１１〜ステップＳ１３並びに図４に示したステップＳ２１及びステップＳ２２を繰り返す。 After the precipitate 25 is formed and the solvent evaporates, the substrate 21 is pulled out by the arm 51 in the second transport unit 32. Then, the drawn substrate 21 is mounted on the slit 48 of the holder 47 disposed in the drying chamber 34. Steps S11 to S13 shown in FIG. 1 and steps S21 and S22 shown in FIG. 4 are repeated until a predetermined number of substrates 21 are mounted on the holder 47.
次に、図４のステップＳ２３に示すように、ホルダー４７に所定の枚数の基板２１が搭載された場合には、ホルダー４７の周囲に配置されたヒータ５３によって基板２１を加熱する。これにより、基板２１上に形成された析出物２５を昇華させる。必要により、真空ポンプ４６によって乾燥室３７の内部を大気圧以下に減圧する。このようにして、基板２１を乾燥させる。 Next, as shown in step S <b> 23 of FIG. 4, when a predetermined number of substrates 21 are mounted on the holder 47, the substrate 21 is heated by the heater 53 disposed around the holder 47. Thereby, the precipitate 25 formed on the substrate 21 is sublimated. If necessary, the inside of the drying chamber 37 is reduced to the atmospheric pressure or lower by the vacuum pump 46. In this way, the substrate 21 is dried.
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態における乾燥装置２においては、基板２１の用意からエッチング工程、洗浄工程及び乾燥工程を１つの装置内で行うことができる。よって、外気に露出することがないので、汚染を抑制しつつ基板２１を乾燥させることができる。
Next, the effect of this embodiment will be described.
In the drying apparatus 2 according to the present embodiment, the etching process, the cleaning process, and the drying process can be performed in one apparatus from the preparation of the substrate 21. Therefore, since it is not exposed to the outside air, the substrate 21 can be dried while suppressing contamination.
また、乾燥装置２においては、エッチング工程及び洗浄工程並びに乾燥工程における溶液供給及び析出工程は、枚葉式に１枚ずつ処理する一方で、乾燥工程における昇華工程は、複数の基板２１を一度にバッチ式で処理している。短時間で処理できる工程を枚葉式で行い、長時間で処理する工程をバッチ式に行うことで、乾燥処理にかかる時間を短縮することができる。 Further, in the drying apparatus 2, the etching process, the cleaning process, and the solution supply and deposition process in the drying process are performed one by one in a single wafer process, while the sublimation process in the drying process is performed on a plurality of substrates 21 at a time. Processing in batch mode. The time required for the drying process can be shortened by performing the process that can be processed in a short time by a single wafer process and the process that is performed for a long time by a batch process.
なお、溶液中の溶媒を５０℃以下に加熱することにより蒸発させたが、これに限らない。例えば、２５℃の室温において揮発させてもよい。また、ステージ４２上の基板２１の主面軸を回転軸として基板２１を回転させてスピン乾燥させてもよいし、乾燥した気体をエアー供給部４５から基板２１に対して吹き付けてエアー供給乾燥させてもよい。また、第２基板洗浄室３６を真空ポンプ４６ｂによって減圧雰囲気にして減圧乾燥させてもよい。 In addition, although the solvent in a solution was evaporated by heating to 50 degrees C or less, it is not restricted to this. For example, you may volatilize at room temperature of 25 degreeC. Further, the substrate 21 may be rotated and rotated by using the main surface axis of the substrate 21 on the stage 42 as a rotation axis, or the dried gas is sprayed from the air supply unit 45 to the substrate 21 to dry the air. May be. Alternatively, the second substrate cleaning chamber 36 may be dried under reduced pressure by using a vacuum pump 46b to form a reduced pressure atmosphere.
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。
本実施形態は、乾燥装置の別の実施形態であり、乾燥室が分離した乾燥装置についてのものである。
図１１（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施形態に係る基板の乾燥装置を例示する図である。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described.
This embodiment is another embodiment of the drying apparatus, and relates to the drying apparatus separated by the drying chamber.
FIGS. 11A and 11B are diagrams illustrating a substrate drying apparatus according to the third embodiment.
図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態においては、前述の乾燥装置２における乾燥室３４に相当する部分が分離して、独立した装置となっている。すなわち、本実施形態の乾燥装置３は、第１乾燥装置３ａと第２乾燥装置３ｂとを含んでいる。第１乾燥装置３ａの筐体３０の内部には、第１搬送部３１、第２搬送部３２、基板準備室３３、第１基板洗浄室３５、第２基板洗浄室３６及びエッチング室３７が設けられている。第２乾燥装置３ｂは、乾燥室３４を含んでいる。 As shown in FIGS. 11A and 11B, in the present embodiment, a portion corresponding to the drying chamber 34 in the above-described drying apparatus 2 is separated and becomes an independent apparatus. That is, the drying device 3 of the present embodiment includes a first drying device 3a and a second drying device 3b. A first transfer unit 31, a second transfer unit 32, a substrate preparation chamber 33, a first substrate cleaning chamber 35, a second substrate cleaning chamber 36, and an etching chamber 37 are provided inside the housing 30 of the first drying apparatus 3a. It has been. The second drying device 3 b includes a drying chamber 34.
本実施形態に係る乾燥装置３の動作において、乾燥工程における析出物２５の形成後、第２搬送部３２におけるアーム５１によって引き出された基板２１を、第１乾燥装置３ａから取り出す。その後、引き出された基板２１を、第２乾燥装置３ｂにおける乾燥室３４に配置されたホルダー４７のスリット４８に搭載する。 In the operation of the drying device 3 according to the present embodiment, after the precipitate 25 is formed in the drying process, the substrate 21 drawn by the arm 51 in the second transport unit 32 is taken out from the first drying device 3a. Thereafter, the drawn substrate 21 is mounted on the slit 48 of the holder 47 arranged in the drying chamber 34 in the second drying device 3b.
本実施形態においては、長時間の処理が必要な析出物２５の昇華を、独立した第２乾燥装置３ｂで行い、短時間の処理を第１乾燥装置３ａで行っている。よって、処理時間の長さによって使用する装置を区別するので、乾燥装置３における消費電力を低減することができる。 In this embodiment, the sublimation of the precipitate 25 that requires a long-time treatment is performed by the independent second drying device 3b, and the short-time treatment is performed by the first drying device 3a. Therefore, since the apparatus to be used is distinguished according to the length of the processing time, the power consumption in the drying apparatus 3 can be reduced.
以上説明した実施形態によれば、パターンの微細化を図ることができる基板の乾燥方法、電子装置の製造方法及び基板の乾燥装置を提供することができる。 According to the embodiments described above, it is possible to provide a substrate drying method, an electronic device manufacturing method, and a substrate drying device capable of miniaturizing a pattern.
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the scope of the invention described in the claims and the equivalents thereof. Further, the above-described embodiments can be implemented in combination with each other.
１、１０１、１０２：電子装置、２、３：乾燥装置、３ａ：第１乾燥装置、３ｂ：第２乾燥装置、１１：基材、１２：ゲート絶縁膜、１３：導電膜、１４：エッチングストッパー膜、１５：マスク膜、１５ａ：ハードマスク、１６：犠牲膜、１７：レジスト膜、１８：パターン、１９：凹部、２０：凸形状パターン、２１：基板、２２：薬液、２３：リンス液、２４：溶液、２５：析出物、２６、２６ａ：凍結剤、３０：筐体、３０ａ、３０ｂａ：一方、３０ｂ、３０ｂｂ：他方、３１：第１搬送部、３２：第２搬送部、３３：基板準備室、３４：乾燥室、３５：第１基板洗浄室、３６：第２基板洗浄室、３７：エッチング室、４１：密閉容器、４２：ステージ、４３ａ、４３ｂ：薬液供給部、４３ｃ：溶液供給部、４４、５３：ヒータ、４５：エアー供給部、４６ａ、４６ｂ：真空ポンプ、４７：ホルダー、４８スリット、４９：レール、５０：可動部、５１：アーム、５２：配管、５３：ヒータ 1, 101, 102: Electronic device, 2, 3: Drying device, 3a: First drying device, 3b: Second drying device, 11: Base material, 12: Gate insulating film, 13: Conductive film, 14: Etching stopper Film: 15: Mask film, 15a: Hard mask, 16: Sacrificial film, 17: Resist film, 18: Pattern, 19: Recess, 20: Convex pattern, 21: Substrate, 22: Chemical solution, 23: Rinse solution, 24 : Solution, 25: Precipitate, 26, 26a: Freezing agent, 30: Housing, 30a, 30ba: One, 30b, 30bb: Other, 31: First transport unit, 32: Second transport unit, 33: Substrate preparation Chamber: 34: drying chamber, 35: first substrate cleaning chamber, 36: second substrate cleaning chamber, 37: etching chamber, 41: sealed container, 42: stage, 43a, 43b: chemical supply unit, 43c: solution supply unit , 44, 53: heater, 4 : Air supply unit, 46a, 46b: vacuum pump, 47: holder, 48 slit, 49: rail, 50: movable portion, 51: arm, 52: pipes, 53: heater
Claims (12)
前記溶媒を蒸発させて前記溶質を前記基板の表面上に析出させる工程と、
析出した前記溶質を昇華させる工程と、
を備えた基板の乾燥方法。 Replacing the rinsing liquid adhering to the surface of the substrate on which the convex pattern is formed with a solution in which a solute is dissolved in a solvent;
Evaporating the solvent to deposit the solute on the surface of the substrate;
Sublimating the deposited solute;
A method for drying a substrate comprising:
前記第１チャンバーの内部に設けられ複数の被処理体を搭載するホルダーと、
前記ホルダーの周囲に設けられた第１ヒーターと、
前記第１チャンバーを排気する第１排気部と、
第２チャンバーと、
前記第２チャンバーの内部に設けられ前記被処理体を搭載するステージと、
前記第２チャンバーの内部に設けられ前記被処理体に溶質が溶媒に溶解された溶液を供給する溶液供給部と、
を備えた基板の乾燥装置。 A first chamber;
A holder provided inside the first chamber for mounting a plurality of objects to be processed;
A first heater provided around the holder;
A first exhaust part for exhausting the first chamber;
A second chamber;
A stage provided inside the second chamber and mounting the object to be processed;
A solution supply unit that is provided inside the second chamber and supplies a solution in which a solute is dissolved in a solvent to the object to be processed;
A substrate drying apparatus comprising:
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