JP2013254610A - 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013254610A JP2013254610A JP2012128696A JP2012128696A JP2013254610A JP 2013254610 A JP2013254610 A JP 2013254610A JP 2012128696 A JP2012128696 A JP 2012128696A JP 2012128696 A JP2012128696 A JP 2012128696A JP 2013254610 A JP2013254610 A JP 2013254610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- emitting device
- layer
- light
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 279
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 3
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 3
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoxaline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-bis[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100464809 Arabidopsis thaliana PNM1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100065564 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUP35 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- PCSWXVJAIHCTMO-UHFFFAOYSA-P dequalinium Chemical compound C1=CC=C2[N+](CCCCCCCCCC[N+]3=C4C=CC=CC4=C(N)C=C3C)=C(C)C=C(N)C2=C1 PCSWXVJAIHCTMO-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- MQHNKCZKNAJROC-UHFFFAOYSA-N dipropyl phthalate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCC MQHNKCZKNAJROC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOOQTIHIKDDPRW-UHFFFAOYSA-N dipropyltryptamine Chemical compound C1=CC=C2C(CCN(CCC)CCC)=CNC2=C1 BOOQTIHIKDDPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- NJVSFOMTEFOHMI-UHFFFAOYSA-N n,2-diphenylaniline Chemical group C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1NC1=CC=CC=C1 NJVSFOMTEFOHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】低コストで光学的混色を低減させることができる有機ＥＬ発光装置を提供する。
【解決手段】基板６０と、基板上に配置された第１電極層３０と、第１電極層上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層上に配置された第２電極層３８と、第２電極層の上に配置された複数色のカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂとを備え、各カラーフィルタ間の境界部に、有機ＥＬ層から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられている。
【選択図】図６
【解決手段】基板６０と、基板上に配置された第１電極層３０と、第１電極層上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層上に配置された第２電極層３８と、第２電極層の上に配置された複数色のカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂとを備え、各カラーフィルタ間の境界部に、有機ＥＬ層から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられている。
【選択図】図６
Description
本発明は、有機ＥＬ発光装置およびその製造方法に関し、特に耐湿寿命や耐久性を向上させた有機ＥＬ発光装置およびその製造方法に関する。
近年、有機発光素子として有機ＥＬ（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置や照明装置が実用化に向けて開発が進められている。また、次世代の薄型ディスプレイとして有機ＥＬディスプレイ装置が注目されている。
有機ＥＬディスプレイ装置では、有機ＥＬ層の上に上部電極が配置され、上部電極の上にカラーフィルタが配置される（例えば、特許文献１参照）。
ところで、有機ＥＬディスプレイ、特にマイクロディスプレイでは、光学的混色（クロストーク）が発生し、色純度が低下するという問題がある。
従来、光学的混色を抑制する方法として、例えば、透明基板上に格子状のブラックマトリックスを設けて、カラーフィルタ間の混色を低減する技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。
しかし、上記従来技術のように、ブラックマトリックスを設ける場合には、製造工程が増えてコストが嵩むという問題があった。
また、ブラックマトリックスの存在によって発光面積が低減し、有機ＥＬディスプレイの輝度が低下するという不都合もあった。
本発明の目的は、低コストで光学的混色を低減させることができる有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、前記第２電極層の上に配置された複数色のカラーフィルタとを備え、前記各カラーフィルタ間の境界部に、前記有機ＥＬ層から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、前記第２電極層の上に配置された複数色のカラーフィルタとを備え、前記第１電極層および前記第２電極層の少なくとも一方に、前記有機ＥＬ層から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板を準備する工程と、前記基板上に第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程と、前記第２電極層上に複数のカラーフィルタを形成する工程と、前記各カラーフィルタの境界に所定幅でレジストを塗布する工程と、前記レジストを塗布したカラーフィルタの表面をアッシングして、前記境界に盛り上がり部を形成する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、低コストで光学的混色を低減させることができる有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
以下の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、「透明」とは、透過率が約５０％以上であるものと定義する。また「透明」とは、実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、可視光線に対して、無色透明という意味でも使用する。可視光線は波長約３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ程度、エネルギー約３．４５ｅＶ〜１．４９ｅＶ程度に相当し、この領域で透過率が５０％以上あれば透明である。
[有機ＥＬ発光装置の基本構造]
基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造は、図１に示すように、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、各駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上にそれぞれ配置されたＶＩＡ電極７０と、各ＶＩＡ電極７０上に配置された下部電極３０と、下部電極３０上に共通領域として配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置されたカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂとを備える。
基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造は、図１に示すように、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、各駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上にそれぞれ配置されたＶＩＡ電極７０と、各ＶＩＡ電極７０上に配置された下部電極３０と、下部電極３０上に共通領域として配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置されたカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂとを備える。
駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂは、それぞれ赤色（Red）・緑色（Green）・青色（Blue）用の駆動回路３４を示す。
同様に、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂは、それぞれ赤色（Red）・緑色（Green）・青色（Blue）用のカラーフィルタ４０を示す。
駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、各駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上にそれぞれ配置されたＶＩＡ電極７０は、さらに詳細には、図２に示すように、半導体基板５８上に配置された相補型（Ｃ：Complementary）ＭＯＳＬＳＩ６００を構成する。ＣＭＯＳＦＥＴのゲート電極５６，さらに電極配線層を形成するＭ１電極５２，Ｍ２電極５４などは、層間絶縁膜およびＶＩＡ電極を介して接続されるが、図２では、詳細は省略している。
有機ＥＬ層３６は、図２に示すように、下部電極３０と上部電極３８の間に挟まれ、下部電極３０上に配置される正孔輸送層５０と、正孔輸送層５０上に配置される発光層４８と、発光層４８上に配置される電子輸送層４６とを備える。
さらに、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置は、図２に示すように、電子輸送層４６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置されたシール層４４と、シール層４４上に配置されたカラーフィルタ４０と、カラーフィルタ４０上に配置された透明保護膜４２とを備える。
図１および図２には、１つのピクセル６に対応しており、有機ＥＬ発光装置は、このようなピクセル６の構造が、例えば、マトリックス状に配置される。
図１および図２の例では、上部電極３８を共通電極として形成し、下部電極３０を分割された電極として構成しているが、反対に、上部電極３８を分割電極として形成し、下部電極３０を共通電極として構成してもよい。この場合には、各ＶＩＡ電極７０は、分割電極として形成される上部電極３８にそれぞれ接続される。さらに、図１の構成において、上部電極３８も分割された電極として形成してもよい。
また、図２では、下部電極３０に接する層として正孔輸送層５０が配置され、上部電極３８に接する層として電子輸送層４６が配置されている例が示されているが、これに限定されるものではなく、下部電極３０に接する層として電子輸送層４６が配置され、上部電極３８に接する層として正孔輸送層５０が配置されていてもよい。但しこの場合には、ＣＭＯＳＬＳＩ６００からの配線が変更される。また、上述の上部電極３８を分割電極とし
Ｒて形成し、下部電極３０を共通電極とする構成と組み合わせてもよい。
Ｒて形成し、下部電極３０を共通電極とする構成と組み合わせてもよい。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真の例を図３に示す。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置は、図３に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００上に、下部電極３０を介して、有機ＥＬ層３６が積層化されている。
なお、図２ではＭ１電極５２、Ｍ２電極５４の２層メタルの構造を示しているが、これに限るものではない。図３のように３層メタルであってもよい。メタルの層数は、配線規模に応じて適切なものを選べばよい。
図１および図２には、複数のデータ線と複数の走査線の交差部に配置された１つのピクセル（画素）の構成が示されており、半導体基板５８上に形成されるＣＭＯＳＦＥＴからなるＣＭＯＳＬＳＩ６００は、論理回路を構成し、１つのピクセル内においては、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂを構成している。
また、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置において、ＣＭＯＳＬＳＩ６００は、ピクセルアレイを駆動するための水平走査回路・垂直走査回路・ロードライバ・カラムドライバ・データラッチ回路・ＰＮＭドライバなどを構成する。
図１および図２に示す構成において、ＣＭＯＳＦＥＴ領域および各層間絶縁膜を介するＭ１電極５２・Ｍ２電極５４などの形成は、微細化シリコンプロセスと同様である。
このようなＭ１電極５２・Ｍ２電極５４などの電極間は、所定のコンタクト部分において、例えば、メタルダマシン構造によって、ＶＩＡ電極を介して接続される。
透明保護膜４２は、例えば、クリアーレジスト、ガラス、透明絶縁膜などで形成することができる。
可視光領域において、カラー画像を表示するためには、カラーフィルタ４０をシール層４４上に配置する。カラーフィルタは、赤色（Red）用、緑色（Green）用,青色（Blue）用を、隣り合う１つのピクセル内に設けて３組で１つのピクセルを構成する。カラーフィルタは、例えば、ガラス上の多層膜や、色素・顔料含有レジストの多層化によって形成することができる。
シール層４４は、上部電極３８、有機ＥＬ層３６、および有機ＥＬ下部電極３０を保護し、これらを封止するものである。シール層４４の材質としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はアルミナ膜等を用いる。また、シール層４４は、熱を外部に放熱する機能を担っているので、熱伝導率の高いものが望ましい。
上部電極３８は、光を透過可能であり、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）などの無機導電体材料で形成することができる。また、上部電極３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ等の金属の薄層化層（例えば、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍ）などでも形成可能である。
電子輸送層４６は、上部電極３８から注入された電子を円滑に発光層４８に輸送するためのものであり、厚さが、例えば、約３５ｎｍのＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール錯体）からなる。ここで、Ａｌｑ３は、アルミニウム８−ヒドロキシキノリネート（Aluminum 8-hydroxyquinolinate）或いは、トリ８−キノリノラトアルミニウムと呼ばれる材料である。
電子輸送層４６を形成する他の電子輸送材料としては、t-butyl-ＰＢＤ、ＴＡＺ、シロール誘導体、ホウ素置換型トリアリール系化合物、フェニルキノキサリン誘導体などがある。また、ＢＣＰ、オキサジアゾール二量体、スターバーストオキサジアゾールなどが適用可能である。
発光層４８は、注入された正孔及び電子が再結合して発光するためのものであり、例えば発光種であるクマリン化合物（Ｃ５４５Ｔ）が、例えば、約１％程度ドーピングされた厚さが、例えば、約３０ｎｍのＡｌｑ３からなる。また、ドーパントとして、ルブレンや遷移金属原子を含む錯体などを含んでいても良い。
発光層４８には、例えば、キャリア輸送性発光材料、或いは発光ドーパントとホスト材料の混合層を適用することもできる。キャリア輸送性発光材料としては、例えば、Ａｌｑ,Ａｌｍｑ,Ｍｇｑ,ＢｅＢｑ2,ＺｎＰＢＯ,ＺｎＰＢＴ,Ｂｅ（５Ｆｌａ）2,Ｅｕ錯体,ＢＰＶＢｉ,ＢＡｌｑ,Ｂｅｐｐ2,ＢＤＰＨＶＢｉ,spiro-ＢＤＰＶＢｉ,（ＰＳＡ）2Ｎｐ−５,（ＰＰＡ）（ＰＳＡ）Ｐｅ−１,ＢＳＮ,ＡＰＤ,ＢＳＢなどの材料を用いることができる。発光ドーパントとホスト材料としては、例えば、クマリン６,Ｃ５４５Ｔ,Ｑｄ４,ＤＥＱ,ペリレン,ＤＰＴ,ＤＣＭ２,ＤＣＪＴＢ,ルブレン,ＤＰＰ,ＣＢＰ,ＡＢＴＸ,ＤＳＡ,ＤＳＡアミン,Ｃｏ−６,ＰＭＤＦＢ,キナクリドン,ＢＴＸ,ＤＣＭ,ＤＣＪＴなどの材料を用いることができる。また、リン光発光材料とホスト、周辺材料としては、ＰｔＯＥＰ,ＴＰＢＩ,ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）,Ｉｒ（ｐｐｙ）3,Ｆｌｒｐｉｃ,ＣＤＢＰ,ｍ−ＣＰ,デンドリマーＩｒ（ｐｐｙ）3,ＴＣＴＡ,ＣＦ−Ｘ,ＣＦ−Ｙなどの材料を用いることができる。
正孔輸送層５０は、下部電極３０から注入された正孔を円滑に発光層４８に輸送するためのものであり、厚さが、例えば、約６０ｎｍ程度のＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ベンジデン）からなる。他の正孔輸送層としては、例えば、α−ＮＰＤを用いることができる。ここで、α−ＮＰＤは、４,４−ビスＮ−（１−ナフチル−１−）[Ｎ−フェニル−アミノ]−ビフェニル（4,4-bis[N-(1-naphtyl-1-)N-phenyl-amino]-biphenyl）と呼ばれる。
正孔輸送層５０を形成する正孔輸送材料の分子構造例としては、ＧＰＤ、spiro-ＴＡＤ、spiro-ＮＰＤ、oxidized-ＴＰＤを適用することができる。さらに別の正孔輸送材料としては、ＴＤＡＰＢ、ＭＴＤＡＴＡなどがある。
下部電極３０は、厚さが、例えば、約１５０ｎｍで、材質がアルミニウムからなる。他の構成材料としては、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔなどを適用可能である。
なお、有機ＥＬ層３６は、上記、正孔輸送層、電子輸送層以外の層、例えば、正孔注入層、電子注入層等を用いて構成しても良い。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の動作原理は以下の通りである。
まず、下部電極３０および上部電極３８を介して、有機ＥＬ層３６の正孔輸送層５０および電子輸送層４６の間に一定の電圧が印加される。これにより、正孔輸送層５０発光層４８に正孔が注入されるとともに、電子輸送層４６から発光層４８に電子が注入される。そして、発光層４８に注入された正孔と電子とが再結合することによって、白色光を発光する。発光された白色光ｈνは、上部電極３８を透過し、カラーフィルタ４０を介して外部に出力される。
有機ＥＬ層３６を構成する正孔輸送層５０のＨＯＭＯ(Highest Occupied Molecular Orbital)のエネルギー準位の絶対値が下部電極の仕事関数の絶対値よりも大きくすると良い。
ここで、ＨＯＭＯのエネルギー準位とは、有機分子の基底状態を表す。また、ＬＵＭＯ(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)のエネルギー準位とは、有機分子の励起状態を表す。
ここで、ＬＵＭＯ準位は最低励起一重項準位（Ｓ1）に対応する。さらに電子や正孔が有機物に注入され、ラジカルアニオン（Ｍ−）,ラジカルカチオン（Ｍ+）が形成された場合の正孔および電子の準位は、励起子結合エネルギーが存在しない分、ＨＯＭＯ準位,ＬＵＭＯ準位の外側の位置に電子伝導準位、正孔伝導準位が位置することになる。
また、電子輸送層４６のＬＵＭＯのエネルギー準位の絶対値が上部電極３８の仕事関数の絶対値よりも小さくすれば良い。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の構造において、各電極、各層はそれぞれスパッタ、蒸着、塗布などにより成膜される。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の構造において、発光層４８と正孔輸送層５０の間、若しくは下部電極３０と正孔輸送層５０の間に、ｐ型有機半導体層を介在させてもよい。同様に、発光層４８と電子輸送層４６の間、若しくは上部電極３８と電子輸送層４６の間に、ｎ型有機半導体層を介在させてもよい。
（有機ＥＬ発光装置のブロック構成）
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置８の周辺回路を含めた模式的ブロック構成の一例は、図４に示すように、ピクセルアレイ１０と、ピクセルアレイ１０の列方向に隣接して配置されるカラム（Column）ドライバ２０と、カラムドライバ２０の列方向に隣接して配置されるデータラッチ回路１６と、データラッチ回路１６の列方向に隣接して配置される水平シフトレジスタ（Ｈシフトレジスタ）１２と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるロードライバ１８と、ロードライバ１８に隣接して配置される垂直シフトレジスタ（Ｖシフトレジスタ）１４と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるＰＮＭドライバ２２とを備える。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置８の周辺回路を含めた模式的ブロック構成の一例は、図４に示すように、ピクセルアレイ１０と、ピクセルアレイ１０の列方向に隣接して配置されるカラム（Column）ドライバ２０と、カラムドライバ２０の列方向に隣接して配置されるデータラッチ回路１６と、データラッチ回路１６の列方向に隣接して配置される水平シフトレジスタ（Ｈシフトレジスタ）１２と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるロードライバ１８と、ロードライバ１８に隣接して配置される垂直シフトレジスタ（Ｖシフトレジスタ）１４と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるＰＮＭドライバ２２とを備える。
カラムドライバ２０には、ピクセルアレイ１０内のピクセル６を駆動するデータ線Ｄ０・Ｄ１・Ｄ２・Ｄ３…が接続される。
データラッチ回路１６は、図４の例では、４ビットの映像データ信号ＲＥＤ[３：０]、ＧＲＥＥＮ[３：０]、およびＢＬＵＥ[３：０]をラッチする回路である。また、データラッチ回路１６は外部信号として、ラッチイネーブル信号ＬＥを入力することで、アクティブになされる。
水平シフトレジスタ１２は、ピクセルアレイ１０を水平方向にスキャンする回路であり、ピクセルクロック信号ＨＣＬＫ，シフト／ホールド切替信号ＤＥＨ，水平同期リセット信号ＨＳＹＮＣを受信している。
ロードライバ１８には、ピクセルアレイ１０内のピクセル６を駆動する走査線Ｋ０・Ｋ１・Ｋ２・Ｋ３・…およびワード線ＷＬが接続される。
垂直シフトレジスタ１４は、ピクセルアレイ１０を垂直方向にスキャンする回路であり、クロック信号ＶＣＫ，シフト／ホールド切替信号ＤＥＶ，垂直同期リセット信号ＶＳＹＮＣを受信する。
ＰＮＭドライバ２２は、走査線Ｋ０・Ｋ１・Ｋ２・Ｋ３・…にＰＮＭ信号ＰＮＭ０・ＰＮＭ１・ＰＮＭ２・ＰＮＭ３…を伝送する。ＰＮＭドライバ２２には、ＰＮＭクロック信号ＲＣＫおよびＰＮＭリセット信号ＲＲＳＴＮが入力される。
また、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置８には、例えば約マイナス５Ｖ程度のディスプレイ電源Ｖdisp、例えば約３．３Ｖ程度のシステム電源ＶＤＤが供給され、かつＶssの共通接地電位も与えられている。
図４のピクセルアレイ１０内の各サブピクセルは、六角形を基本パターンとする構造となっている。なお、各サブピクセルの形状は六角形に限らず、円形・三角形・正方形・八角形などの多角形等であってもよい。
（光学的混色について）
有機ＥＬディスプレイ、特にマイクロディスプレイでは、混色（クロストーク）と言われる問題がある。
有機ＥＬディスプレイ、特にマイクロディスプレイでは、混色（クロストーク）と言われる問題がある。
混色が発生すると、ディスプレイの画質やＮＴＳＣ比（色域）等を低下させるという不具合を生じる。
混色は２種類に大別でき、１）オフ状態にあるはずの隣接サブピクセルが発光してしまう電気的混色（漏れ電流によるもの）と、２）該当サブピクセルから漏れた光が隣接するサブピクセルのカラーフィルタを通過して起こる光学的混色とがある。
本発明によって軽減させ得る混色は、前記２）に該当する光学的混色についてである。
ここで、比較例として、図５を参照して、光学的混色（ＣＭ）の発生の仕方の例について説明する。
図５に示すように、有機ＥＬ層３６の発光層４８から射出される光線（白色光）の中には、法線からずれて、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒに対して斜めに入射する光線がある。
このような法線からずれた光線は、例えば、青色のカラーフィルタ４０Ｂから隣接する緑色のカラーフィルタ４０Ｇに入射して、当該カラーフィルタ４０Ｇを透過後に青色のカラーフィルタ４０Ｂを透過した光線と混ざり合って、青色と緑色の光線が混色された状態となる。
したがって、本来は青色のカラーフィルタ４０Ｂのみを透過して使用者等の肉眼により「青色」と視認されるべきところ、一部に「青緑色」の光が混ざり、色純度が低下して画質やＮＴＳＣ比（色域）等を低下させ、ディスプレイの色鮮やかさが低下してしまう。
このような光学的混色は、有機ＥＬ表示装置の微細化に伴い、光路のアスペクト比（ｈ／Ｗ）の増大により顕著となってきている。
特に、有機ＥＬ装置について、ミラーレス一眼レフカメラのＥＶＦ（Electric View Finder）等への適用が進展しつつあるなか、マイクロディスプレイの耐久性向上等の要求に応えるために、カラーフィルタと発光層の間に封止層などの種々の層が設けられる傾向にある。
そのため、図５に示す第２電極層３８とカラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの距離「ｈ」が、上述の種々の層の追加により増加することとなり、各カラーフィルタ４０Ｂ、４０Ｇ、４０Ｒの幅「Ｗｐ」とのアスペクト比（ｈ／Ｗｐ）は、さらに増加する傾向にあり、上述のような光学的混色が起き易い構造となっている。
なお、マイクロディスプレイにおいて、１ピクセルのカラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの各幅Ｗｐは、例えば、約１μｍ〜約２０μｍ、第２電極層３８とカラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの距離ｈは、例えば、約１μｍ〜約１００μｍである。
[第１の実施の形態]
（有機ＥＬ発光装置の第１実施例）
図６を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１実施例について説明する。図６は、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
（有機ＥＬ発光装置の第１実施例）
図６を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１実施例について説明する。図６は、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、以下の説明では、カラーレジストとカラーフィルタとを特に区別することなく同じ符号を用いる。
図６に示すように、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、基板６０と、基板６０上に配置された第１電極層３０（３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒ）と、第１電極層３０上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第２電極層３８の上に配置された複数色のカラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒとを備え、各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒ間の境界部に、有機ＥＬ層３６から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられている。
図６に示す第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置において、混色抑制手段は、各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面全体に形成される凹面部である。
また、図６に示す第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置において、混色抑制手段は、少なくとも一種類のカラーフィルタ（即ち、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの少なくとも一種類）の周縁部（エッジ部）に形成される盛り上がり部であっても良い。
さらに、図６に示す第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置において、盛り上がり部は、各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの中央部から周縁部に向かって正の勾配を有するように形成されていても良い。
また、盛り上がり部は、断面形状が山形状に形成されている（図１９参照）。なお、盛り上がり部の断面形状は山形状に限らず、台形状であってもよい。
第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置において、基板６０は、Ｓｉウェハ、ガラス、ガスバリア付プラスチックフィルムなどで構成される。ここで、基板６０は、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置においては、ＣＭＯＳＬＳＩ６００が形成されたＳｉウェハである。また、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなるＬＳＩが形成されたガラス基板であっても良い。
第１電極層３０は、Ａｌ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｐｔなど高反射率金属で構成することができる。また、上記高反射率金属を主体とする合金（ＡｌＣｕなど）で構成するようにしてもよい。また、第１電極層３０は、酸化させた際に、正孔注入材料になる陽極材料であっても良い。酸化させた際に、正孔注入材料になる金属としては、例えば、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎなどを適用可能である。これらの材料を酸化させると、それぞれ、ＭｏＯx、ＶＯx、ＲｕＯx、ＩＴＯとなる。
さらに、第１電極層３０の下部に基板６０との密着層として、Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗが挿入されていても良い。
また、第２電極層３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇなどの金属薄膜（厚さ約０．１ｎｍ〜約５０ｎｍ）やＩＴＯ、ＩＺＯ（厚さ約１ｎｍ〜約５００ｎｍ）などの透明電極（金属酸化膜）で構成される。
カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒは、顔料を含む高分子材料などで構成される。
第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置によれば、有機ＥＬ層３６の発光層４８から射出され法線方向（０°）からずれた一部の光線Ａ１は、例えば、青色のカラーフィルタ４０Ｂの端部側を進んだ場合には、カラーフィルタ４０Ｂの表面全体に形成された凹部（盛り上がり部）によるレンズ効果により、法線（０°）側に屈折される。
また、有機ＥＬ層３６の発光層４８から射出され法線方向（０°）からずれた他の光線Ａ２は、例えば、青色カラーフィルタ４０Ｂの端部側を所定距離進んだ後、隣接した緑色カラーフィルタ４０Ｇに入射するが、緑色カラーフィルタ４０Ｇの表面全体に形成された凹部（盛り上がり部）によるレンズ効果により、法線（０°）から離れる方向（９０°側）に屈折される。
これにより、青色の光線Ａ１と緑色の光線Ａ２とは、互いに離間する方向に進むので、混色する事態が回避される。
このような効果は、緑色カラーフィルタ４０Ｇと赤色カラーフィルタ４０Ｒの間、図示されない他のピクセルとの関係で赤色カラーフィルタ４０Ｒと青色カラーフィルタ４０Ｂとの間、あるいは青色カラーフィルタ４０Ｂと赤色カラーフィルタ４０Ｒとの間でも同様に発揮される。
したがって、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置によれば、光学的混色が有効に軽減され、ディスプレイの画質やＮＴＳＣ比（色域）等が低下する事態を回避することができる。
（有機ＥＬ発光装置の第２実施例）
図７を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例について説明する。図７は、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図７を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例について説明する。図７は、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図７に示すように、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、基板６０と、基板６０上に配置された第１電極層３０（３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒ）と、第１電極層３０上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第２電極層３８の上に配置された複数色のカラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒとを備え、各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒ間の境界部に、有機ＥＬ層３６から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられている。
第１実施例との相違点は、有機ＥＬ層３６が青色光を発光する発光層４８Ｂを備え、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒは、青色光に対する色変換フィルタで構成されるである。
カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの形状等は第１実施例と同様である。
第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置によれば、有機ＥＬ層３６の発光層４８Ｂから射出され法線方向（０°）からずれた一部の光線ｈνBは、例えば、青色カラーフィルタ４０Ｂの端部側を進んだ場合には、青色カラーフィルタ４０Ｂの表面全体に形成された凹部（盛り上がり部）によるレンズ効果により、法線（０°）側に屈折される。
また、有機ＥＬ層３６の発光層４８から射出され法線方向（０°）からずれた他の光線ｈνGは、例えば、青色カラーフィルタ４０Ｂの端部側を所定距離進んだ後、隣接した緑色カラーフィルタ４０Ｇに入射するが、緑色カラーフィルタ４０Ｇの表面全体に形成された凹部（盛り上がり部）によるレンズ効果により、法線（０°）から離れる方向（９０°側）に屈折される。
これにより、光線ｈνBと光線ｈνGとは、互いに離間する方向に進むので、混色する事態が回避される。
このような効果は、緑色カラーフィルタ４０Ｇと赤色カラーフィルタ４０Ｒの間、図示されない他のピクセルとの関係で赤色カラーフィルタ４０Ｒと青色カラーフィルタ４０Ｂとの間あるいは青色カラーフィルタ４０Ｂと赤色カラーフィルタ４０Ｒとの間でも同様に発揮される。
したがって、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置によれば、光学的混色が有効に軽減され、ディスプレイの画質やＮＴＳＣ比（色域）等が低下する事態を回避することができる。
（有機ＥＬ発光装置の第３実施例）
図８を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第３実施例について説明する。図８は、第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図８を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第３実施例について説明する。図８は、第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第１実施例との相違点は、各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面上に、高屈折率層４１が形成されている点である。
高屈折率層４１は、硫黄原子を含む高分子材料やＳｉＮx、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯx、ＡｌＯxなどで構成される。
これにより、光学的混色を軽減すると共に、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面を平坦化することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
（有機ＥＬ発光装置の第４実施例）
図９を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第４実施例について説明する。図９は、第４実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図９を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第４実施例について説明する。図９は、第４実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第３実施例との相違点は、各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面上に、封止層を兼ねる高屈折率層４３が形成されている点である。
封止層を兼ねる高屈折率層４３は、被覆性が高くなる条件で成膜したＳｉＮ膜、ＰＣＶＤ−ＴＥＯＳ膜などで構成される。
これにより、光学的混色を軽減すると共に、水分や酸素等の浸入を防止して、有機ＥＬ発光装置の耐久性を向上させることができる。また、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面を平坦化することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
また、高屈折率層４１が封止層を兼ねているので、製造工程を減らしてコストを低減することができる。
（有機ＥＬ発光装置の第５実施例）
図１０を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第５実施例について説明する。図１０は、第５実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図１０を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第５実施例について説明する。図１０は、第５実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第３実施例との相違点は、高屈折率層４１の上に封止層４７ａが形成されている点である。
封止層４７ａは、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯx、ＡｌＯxなどで構成される。
これにより、光学的混色を軽減すると共に、水分や酸素等の浸入を防止して、有機ＥＬ発光装置の耐久性を向上させることができる。
（有機ＥＬ発光装置の第６実施例）
図１１を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第６実施例について説明する。図１１は、第６実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図１１を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第６実施例について説明する。図１１は、第６実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第５実施例との相違点は、第２電極層３８と各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒとの間に、封止層４７ｂが形成されている点である。
封止層４７ｂは、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯx、ＡｌＯxなどなどで構成される。
これにより、光学的混色を軽減すると共に、水分や酸素等の浸入を防止して、有機ＥＬ発光装置の耐久性を向上させることができる。また、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面を平坦化することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
（有機ＥＬ発光装置の第７実施例）
図１２を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第７実施例について説明する。図１２は、第７実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図１２を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第７実施例について説明する。図１２は、第７実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第６実施例との相違点は、封止層４７ｂに加えて、高屈折率層４１の上にも封止層４７ａが形成されている点である。
封止層４７ａ・４７ｂは、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯx、ＡｌＯxなどで構成される。
これにより、光学的混色を軽減すると共に、水分や酸素等の浸入をより有効に防止して、有機ＥＬ発光装置の耐久性を一層向上させることができる。また、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面を平坦化することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
（有機ＥＬ発光装置の第８実施例）
図１３を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第８実施例について説明する。図１３は、第８実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図１３を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第８実施例について説明する。図１３は、第８実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第７実施例との相違点は、封止層４７ｂの上に平坦化層４９が形成されている点である。
平坦化層４９は、例えば、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯx、ＡｌＯx、ＴＥＯＳ膜などで構成される。また、平坦化層４９は、例えば、ガラス板やプラスチック（ＰＥＴ）板等で構成することもできる。また、平坦化のために、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）技術を適用することも可能である。
これにより、光学的混色を軽減すると共に、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの密着性を高めて、有機ＥＬ発光装置の耐久性を一層向上させることができる。また、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面を平坦化することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
（有機ＥＬ発光装置の第９実施例）
図１４を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第９実施例について説明する。図１４は、第９実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図１４を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第９実施例について説明する。図１４は、第９実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第１実施例との相違点は、高屈折率層４１の上に保護コート層４９ｂが形成されている点である。
保護コート層４９ｂは、例えば、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯx、ＡｌＯx、ＴＥＯＳ膜などで構成される。また、保護コート層４９ｂは、ガラス板やプラスチック（ＰＥＴ）板等で構成することもできる。
これにより、光学的混色を軽減すると共に、有機ＥＬ発光装置の耐久性を一層向上させることができる。また、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面を平坦化することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
（有機ＥＬ発光装置の第１０実施例）
図１５を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１０実施例について説明する。図１５は、第１０実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図１５を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１０実施例について説明する。図１５は、第１０実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第１実施例との相違点は、高屈折率層４１の上に接着層５３を介して、保護板５１が設けられている点である。
接着層５３は、例えば、熱硬化型樹脂、２液硬化型樹脂、可視光硬化型樹脂等で形成することができる。
また、保護板５１は、ガラス板やプラスチック（ＰＥＴ）板等で構成することができる。
これにより、光学的混色を軽減すると共に、有機ＥＬ発光装置の耐久性を一層向上させることができる。また、カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面を平坦化することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
[カラーフィルタの構成例]
図１６〜２０を参照して、本発明に係る有機ＥＬ発光装置に適用可能なカラーフィルタの構成例について説明する。
図１６〜２０を参照して、本発明に係る有機ＥＬ発光装置に適用可能なカラーフィルタの構成例について説明する。
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置に適用可能なフィルタであって、６角形を基調とするΔ配列パターン例を有する積層カラーフィルタの模式的平面構成は、図１６に示すように表される。
図１６に示すように、３色のカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂは、正六角形を基本パターンとする配列とすることができる。
各色のフィルタは、例えば第２電極上にカラーレジストを塗布し、リソグラフィによってパターニングされる。
カラーレジストは、例えば光硬化性樹脂で構成され、紫外線等が照射された部位が硬化し、例えば正六角形のパターンを形成する。
カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂは、各色毎に形成され、各フィルタのエッジ部が盛り上がっている。また、各フィルタのエッジ部において互いに重なり合うようになる。
即ち、図１６に示すように、赤色カラーフィルタ４０Ｒと青色カラーフィルタ４０Ｂのエッジ部ＴRB、青色カラーフィルタ４０Ｂと赤色カラーフィルタ４０Ｒのエッジ部ＴBR、緑色カラーフィルタ４０Ｇと赤色カラーフィルタ４０Ｒのエッジ部ＴGR、青色カラーフィルタ４０Ｂと緑色カラーフィルタ４０Ｇのエッジ部ＴBRにおいて、所定幅（例えば、１μｍ程度）にわたって盛り上がり、重なっている。各エッジ部における重なりの幅は、例えば、約１μｍ程度である。
（断面ＳＥＭ写真）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の鳥瞰表面ＳＥＭ写真例は、図１７に示すように表される。図１７においては、６角形を基本パターンとするサブピクセル上に、６角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。図１７によれば、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂのフィルタのうち、１種類のサブピクセルのエッジが盛り上がって、隣接するサブピクセルと一部が重なり合っている状態が分かる。図１７によれば、ＲＧＢのフィルタの少なくとも一種類のサブピクセルについてエッジ部が盛り上がっている状態が分かる。
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の鳥瞰表面ＳＥＭ写真例は、図１７に示すように表される。図１７においては、６角形を基本パターンとするサブピクセル上に、６角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。図１７によれば、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂのフィルタのうち、１種類のサブピクセルのエッジが盛り上がって、隣接するサブピクセルと一部が重なり合っている状態が分かる。図１７によれば、ＲＧＢのフィルタの少なくとも一種類のサブピクセルについてエッジ部が盛り上がっている状態が分かる。
また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、カラーフィルタのエッジ部の盛り上がり状態を示す断面ＳＥＭ写真例は、図１８に示すように表され、カラーフィルタのエッジ部の盛り上がり状態を示す模式的断面説明は、図１９に示すように表される。図１８によれば、カラーフィルタのエッジ部は、中央部等の他の部位より０．４μｍ盛り上がっている様子が分かる。
また、図１９に示すように、例えば、カラーフィルタ４０Ｂ、４０Ｇ、４０Ｒについて、エッジ部ＴRG、ＴGBの幅は、例えば、約１μｍである。また、盛り上がり部の深さＤは、図１８に示すように、例えば、約０．４μｍである。
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、カラーフィルタのエッジ部の盛り上がり状態を説明する図であって、複数の矩形状パターンのカラーフィルタを示す平面構成は、図２０（ａ）に示すように表され、図２０（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造は、図２０（ｂ）に示すように表される。カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂ・４０Ｒ…を矩形状のパターンとした場合において、図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示すように、周縁部（エッジ部）は、中央部等の他の部位より盛り上がった形状となっている。エッジ部を含むカラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂ・４０Ｒ…の厚さＤFは、例えば、約２μｍ〜約３μｍであり、エッジ部の深さは、例えば、約０．４μｍである。
（盛り上がり部の形成方法）
図２１および図２２を参照して、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂの周縁部に盛り上がり部を形成する方法について説明する。
図２１および図２２を参照して、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂの周縁部に盛り上がり部を形成する方法について説明する。
まず、基板を準備する工程と、基板上に第１電極層を形成する工程と、第１電極層上に有機ＥＬ層３６を形成する工程と、有機ＥＬ層３６上に第２電極層３８を形成する工程と、第２電極層３８上に複数のカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂを形成する工程とを経て図２１（ａ）に示すような構成を得る。
次いで、各カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂの境界に所定幅でレジスト５５を塗布する工程を経て、図２１（ｂ）に示すような構成を得る。
次に、レジスト５５を塗布したカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂの表面をアッシングして、境界に盛り上がり部が形成される（図２１（ｃ）参照）。
アッシング工程は、例えば、図２２に示すように、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂ・４０Ｒ…の表面にオゾンガスを作用させて行うことができる。
これにより、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂ・４０Ｒ…の表面が図２２に示すようにＡ１→Ａ２→Ａ３→Ａ４のように順次、灰化されて、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂ・４０Ｒ…の表面全体に凹部が形成され、結果的に図２１（ｃ）に示すようにカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂの境界に盛り上がり部が形成される。
なお、アッシングの過程において、レジスト５５も同時に灰化されて消滅する。
（有機ＥＬ発光装置の他の実施例）
図２３を参照して、有機ＥＬ発光装置の他の実施例について説明する。図２３は、他の実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図２３を参照して、有機ＥＬ発光装置の他の実施例について説明する。図２３は、他の実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
前出の第２実施例との相違点は、有機ＥＬ層３６が青色光を発光する発光層４８Ｂを備え、カラーフィルタ４０Ｇ・４０Ｒは、青色光に対する色変換フィルタで構成される点である。
即ち、図２３に示す実施例では、有機ＥＬ層３６から射出される光線は青色光ｈνBであり、カラーフィルタは、青色光ｈνBを吸収して緑色光ｈνGを発光する色変換フィルタ４０Ｇと、青色光ｈνBを吸収して赤発光を行う色変換フィルタ４０Ｒとから構成される。
カラーフィルタ４０Ｇ・４０Ｒの形状等は前出の第１実施例と同様である。
この実施例に係る有機ＥＬ発光装置によれば、有機ＥＬ層３６の発光層４８Ｂから射出され法線方向からずれた光線ｈνGは、例えば、カラーフィルタ４０Ｇに入射し、カラーフィルタ４０Ｇの表面全体に形成された凹部（盛り上がり部）によるレンズ効果により、法線から離れる方向に屈折される。
これにより、青色光ｈνBと緑色光ｈνGとは、互いに離間する方向に進むので、混色する事態が回避される。
したがって、この実施例に係る有機ＥＬ発光装置によれば、光学的混色が有効に軽減され、ディスプレイの画質やＮＴＳＣ比（色域）等が低下する事態を回避することができる。
（カラーフィルタの構成例）
積層カラーフィルタを搭載した第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図２４に示すように表される。
積層カラーフィルタを搭載した第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図２４に示すように表される。
図２４に示す構成例では、例えば、赤色カラーフィルタ４０Ｒと緑色カラーフィルタ４０Ｇをそれぞれ２層のフィルタ４０Ｒ１・４０Ｒ２および４０Ｇ１・４０Ｇ２で構成している。また、青色のカラーフィルタ４０Ｂについては３層のフィルタ４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３で構成している。
このように多層構造でカラーフィルタを構成することにより、例えばカラーフィルタを光硬化型樹脂で形成する場合に、硬化させる際の光線を十分な深さまで到達させて樹脂を完全に硬化させることができ、密着性等に優れたカラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒを形成することができる。
なお、青色カラーフィルタ４０Ｂについて、他の色にフィルタよりも層数を増やしているのは、青色の顔料を含む光硬化型樹脂は、硬化用の光線を吸収し易いため、光線が透過し易い薄い層を重ねる必要があるからである。
なお、各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒのエッジ部の盛り上がり部については、図２１、図２２において説明した方法によって形成することができる。
また、各カラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒの表面側には、段差を埋めて平坦化するために透明保護膜４２が形成されている。
（断面ＳＥＭ写真）
積層カラーフィルタを搭載した第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真例は、図３３に示すように表される。また、図３３の積層カラーフィルタ部分の拡大された断面ＳＥＭ写真は、図３４に示すように表され、図３３の積層カラーフィルタ部分の詳細説明は、図３５に示すように表される。図３５は、図３４の写真に輪郭線を加えたものである。
積層カラーフィルタを搭載した第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真例は、図３３に示すように表される。また、図３３の積層カラーフィルタ部分の拡大された断面ＳＥＭ写真は、図３４に示すように表され、図３３の積層カラーフィルタ部分の詳細説明は、図３５に示すように表される。図３５は、図３４の写真に輪郭線を加えたものである。
図３３に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００上に下部電極３０を介して有機ＥＬ層３６が積層化され、有機ＥＬ層３６上にシール層４４を介して、さらにカラーフィルタ４０と透明保護膜４２が配置されている。
図３５に示すように、青色カラーレジスト４０Ｂ１の端部の上に緑色カラーレジスト４０Ｇ１の端部が重なっている。同様に、緑色カラーレジスト４０Ｇ１、青色カラーレジスト４０Ｂ２、緑色カラーレジスト４０Ｇ２、青色カラーレジスト４０Ｂ３の順に端部が重なっている。緑色カラーレジスト４０Ｇ２と青色カラーレジスト４０Ｂ３の上には透明保護膜４２が配置され、平坦化されている。
尚、カラーフィルタの構成は上記の積層カラーフィルタに限定されるものではなく、単層構成であっても良い。また、カラーフィルタのエッジ部にブラックマトリックスを有する構成なども適用可能である。
[第２の実施の形態]
（混色の発生について）
図２５を参照して、前出の図５とは異なる原因に基づく混色の発生について説明する。
（混色の発生について）
図２５を参照して、前出の図５とは異なる原因に基づく混色の発生について説明する。
図２５に示すように、例えば、赤色カラーフィルタ４０Ｒを備えるサブピクセルＳＰＲと緑色カラーフィルタ４０Ｇを備えるサブピクセルＳＰＧにおいて、サブピクセルＳＰＲに対応する第１電極層３０Ｒがオン状態され、サブピクセルＳＰＧに対応する第１電極層３０Ｇがオフ状態の場合を想定する。
この場合には、第１電極層３０Ｒに対応する有機ＥＬ層３６が、第１電極層３０Ｒと第２電極層３８との間に印加される電圧により発光し、表面方向に光線ｈνRが射出される。
したがって、使用者等の肉眼には、本来、赤色のカラーフィルタ４０Ｒを透過した赤色の光線のみが入射するはずである。
しかしながら、有機ＥＬ素子において、第１電極層３０Ｒと第２電極層３８との間で発光された光線は、表面側に向かう以外に、総発光量の数十％程度の光線が有機ＥＬ層３６を導波光として水平方向に導波されるという性質がある。
そのため、この導波光が隣接するサブピクセルＳＰＧ側の第１電極層３０Ｇの端部によって反射されて、緑色カラーフィルタ４０Ｇを透過して表面側から緑色の光線ｈνGとして射出されてしまう。
これにより、使用者の肉眼には、赤色の光線ｈνR以外に、緑色の光線ｈνGも入射してしまい、赤色と緑色が混色した状態として視認される。
（有機ＥＬ発光装置の第１実施例）
図２６を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１実施例について説明する。図２６は、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置の隣接するサブピクセル部分の模式的断面構造図である。
図２６を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１実施例について説明する。図２６は、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置の隣接するサブピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図２に示すように、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、基板６０と、基板６０上に配置された第１電極層３０（３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒ）と、第１電極層３０上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第２電極層３８の上に配置された複数色のカラーフィルタ４０Ｂ・４０Ｇ・４０Ｒとを備え、第１電極層３０および第２電極層３８の少なくとも一方に、有機ＥＬ層３６から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられている。
図２６に示す第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置において、混色抑制手段は、第１電極層３０1・３０2の端部において４５度以下（θ1≦４５°）に形成されたテーパー構造である。
これにより、第１電極層３０1がオン状態となった場合に、導波光ｈνtは隣接する第２電極層３０2の端部に形成されたテーパー構造によって、表面側に反射されることなく水平方向に導波される。
したがって、使用者等に肉眼には、第１電極層３０1側で発光された光線ｈν1のみが入射することとなり、混色が発生しない。
この効果は、第２電極層３０2がオン状態となった場合も同様である。
（第１電極層のテーパー構造の形状）
図２７は、第１電極層３０のテーパー構造の例を示す図であり、図２７（ａ）は直線状の傾斜部を有する場合の断面図、図２７（ｂ）は曲線状の傾斜部を有する場合の断面図である。
図２７は、第１電極層３０のテーパー構造の例を示す図であり、図２７（ａ）は直線状の傾斜部を有する場合の断面図、図２７（ｂ）は曲線状の傾斜部を有する場合の断面図である。
図２７（ａ）において、３０ａが４５°の場合であり、３０ｂ→３０ｃ→３０ｄ→３０ｅの順に、４５°より鋭角となる場合を示している。
なお、導波光の反射を防止するという観点では、テーパー構造の角度は鋭角なほど効果が高いといえるが、一方で第１電極層３０の上面の面積が減少するため電圧印加に影響を与える虞がある。
したがって、テーパー構造の適度な角度は、導波光の反射防止効果と、電圧印加への影響とを勘案して決定される。
図２７（ｂ）は、第１電極層３０の全体が曲線状の傾斜部を有する場合である。曲線の具体的な形状は、導波光の反射防止効果と、電圧印加への影響とを勘案して決定される。
（有機ＥＬ発光装置の第２実施例）
図２８および図２９を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例について説明する。図２８は、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置の隣接するサブピクセル部分の模式的断面構造図である。図２９（ａ）は第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例の他の構成を示す模式的断面構造図、（ｂ）は比較例の模式的断面構造図である。
図２８および図２９を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例について説明する。図２８は、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置の隣接するサブピクセル部分の模式的断面構造図である。図２９（ａ）は第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例の他の構成を示す模式的断面構造図、（ｂ）は比較例の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、混色抑制手段は、第２電極層３８の底部３８bの位置が、第１電極層３０1・３０2の上部３０1t・３０2tよりも、基板６０に垂直な方向で、上方向に形成される構造となっている。即ち、図２８に示すように、基板６０上に、第１電極層３０1・３０2が、底部３０1b・３０2bから所定厚さで上部３０1t・３０2t面が形成されている。
また、有機ＥＬ層３６を介して、第２電極層３８が、凹部に相当する底部３８bと凸部に上部３８tが形成されている。
第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置では、第１電極層３０１・３０2の上部３０１ｔ・３０2t面と第２電極層３８の底部３８bとの間に距離Ｈ１の間隔が形成され、第２電極層３８の底部３８bの位置が、第１電極層３０1・３０2の上部３０1t・３０2tよりも、基板６０に垂直な方向で、上方向に形成されている。
これにより、有機ＥＬ層３６を水平方向に導波する導波光は、第１電極層３０１・３０2の端部による反射が低減され、混色を抑制することができる。
また、図２９（ａ）に示すように、基板６０に凹部が形成される場合において、第２電極層３８の底部３８bの位置が、第１電極層３０の上部３０tよりも距離Ｈ１だけ上方に形成されるようにしてもよい。
一方、図２９（ｂ）に示すように、第２電極層３８の底部３８bの位置が、第１電極層３０の上部３０tと距離Ｈ２の分だけ重なるような構成の場合には、有機ＥＬ層３６を水平方向に導波する導波光は、第２電極層３８を介して外部に放出されるので、混色を発生する虞があり好ましくない。
（有機ＥＬ発光装置の第３実施例）
図３０を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第３実施例について説明する。図３０は、第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置の隣接するサブピクセル部分の模式的断面構造図である。
図３０を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第３実施例について説明する。図３０は、第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置の隣接するサブピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、第２電極層３８は、４５度以下（即ち、θ2≦４５°）に形成されたテーパー構造を有している。
これにより、有機ＥＬ層３６を水平方向に導波する導波光は、第２電極層３８からの透過が低減され、混色を抑制することができる。
[第１電極の構成例]
第１〜第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、正六角形を基本パターンとする第１電極の配列を示す平面構成は、図３１に示すように表される。また、図３１のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図３２（ａ）に示すように表され、図３１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図３２（ｂ）に示すように表される。
第１〜第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、正六角形を基本パターンとする第１電極の配列を示す平面構成は、図３１に示すように表される。また、図３１のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図３２（ａ）に示すように表され、図３１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図３２（ｂ）に示すように表される。
図３１および図３２を参照して、第１〜第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置に適用可能な第１電極の構成例について説明する。
図３１に示すように、ＲＧＢの３色に対応する第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０ＢがＡｌ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔなど高反射率を有する金属で正六角形状に形成されている。
図３２（ａ）および図３２（ｂ）に示すように、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの端部にはテーパー構造が形成されており、図２６に示す第１実施例と同様に、そのテーパー角は４５度以下である。
これにより、有機ＥＬ層を水平方向に導波する導波光は、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの端部による反射が低減され、混色を抑制することができる。
以上説明したように、本発明によれば、低コストで光学的混色を低減させることができる有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[その他の実施の形態]
上記のように、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
上記のように、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
本発明の有機ＥＬ発光装置は、有機ＥＬマイクロディスプレイ、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）、ヘッドマウントディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬ照明などに適用可能である。
６…ピクセル
８…有機ＥＬ発光装置
１０…ピクセルアレイ
１２…水平シフトレジスタ
１４…垂直シフトレジスタ
１６…データラッチ回路
１８…ロードライバ
２０…カラムドライバ
２２…ＰＮＭドライバ
３０、３０1、３０2…下部電極（第１電極層）
３０t、３０1t、３０2t、３８t…上部
３０1b、３０2b、３８b…底部
３４…駆動回路
３６…有機ＥＬ層
３８…上部電極（第２電極層）
４０…カラーフィルタ
４１…高屈折率層
４２…透明保護膜
４３…高屈折率層
４４…シール層
４６…電子輸送層
４７ａ、４７ｂ…封止層
４８、４８Ｂ…発光層
４９…平坦化層
４９ｂ…保護コート層
５０…正孔輸送層
５１…保護板
５２、５４…電極
５３…接着層
５５…レジスト
５６…ゲート電極
５８…半導体基板
６０…基板
７０…ＶＩＡ電極
６００…ＣＭＯＳＬＳＩ
８…有機ＥＬ発光装置
１０…ピクセルアレイ
１２…水平シフトレジスタ
１４…垂直シフトレジスタ
１６…データラッチ回路
１８…ロードライバ
２０…カラムドライバ
２２…ＰＮＭドライバ
３０、３０1、３０2…下部電極（第１電極層）
３０t、３０1t、３０2t、３８t…上部
３０1b、３０2b、３８b…底部
３４…駆動回路
３６…有機ＥＬ層
３８…上部電極（第２電極層）
４０…カラーフィルタ
４１…高屈折率層
４２…透明保護膜
４３…高屈折率層
４４…シール層
４６…電子輸送層
４７ａ、４７ｂ…封止層
４８、４８Ｂ…発光層
４９…平坦化層
４９ｂ…保護コート層
５０…正孔輸送層
５１…保護板
５２、５４…電極
５３…接着層
５５…レジスト
５６…ゲート電極
５８…半導体基板
６０…基板
７０…ＶＩＡ電極
６００…ＣＭＯＳＬＳＩ
Claims (21)
- 基板と、
前記基板上に配置された第１電極層と、
前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、
前記第２電極層の上に配置された複数色のカラーフィルタと
を備え、
前記各カラーフィルタ間の境界部に、前記有機ＥＬ層から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。 - 前記混色抑制手段は、少なくとも一種類の前記カラーフィルタの周縁部に形成される盛り上がり部であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記盛り上がり部は、前記各カラーフィルタの中央部から周縁部に向かって正の勾配を有するように形成されることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記盛り上がり部は、断面形状が山形状に形成されることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記盛り上がり部は、断面形状が台形状に形成されることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記混色抑制手段は、前記各カラーフィルタの表面全体に形成される凹面部であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記各カラーフィルタの表面上に、高屈折率層および封止層の少なくとも一方が形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記第２電極層と前記各カラーフィルタとの間に、封止層が形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記封止層の上に平坦化層が形成されることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記高屈折率層の上に保護コート層が形成されることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記高屈折率層の上に接着層を介して保護板が設けられることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記有機ＥＬ層から射出される光線は白色光であり、前記カラーフィルタは、赤色、緑色、青色の３色のフィルタで構成されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記有機ＥＬ層から射出される光線は青色光であり、前記カラーフィルタは、前記青色光を吸収して緑発光を行う色変換フィルタと、前記青色光を吸収して赤発光を行う色変換フィルタとから構成されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記各カラーフィルタの平面形状は、六角形であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 基板と、
前記基板上に配置された第１電極層と、
前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、
前記第２電極層の上に配置された複数色のカラーフィルタと
を備え、
前記第１電極層および前記第２電極層の少なくとも一方に、前記有機ＥＬ層から射出される光線の光学的混色を抑制する混色抑制手段が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。 - 前記混色抑制手段は、前記第１電極層の端部において４５度以下に形成されたテーパー構造であることを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記テーパー構造は、直線状の傾斜部を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記テーパー構造は、曲線状の傾斜部を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記混色抑制手段は、前記第２電極層の底部の位置が、前記前記第１電極層の上部よりも上方に形成される構造であることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記第２電極層は、４５度以下に形成されたテーパー構造を有することを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 基板を準備する工程と、
前記基板上に第１電極層を形成する工程と、
前記第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程と、
前記第２電極層上に複数のカラーフィルタを形成する工程と、
前記各カラーフィルタの境界に所定幅でレジストを塗布する工程と、
前記レジストを塗布したカラーフィルタの表面をアッシングして、前記境界に盛り上がり部を形成する工程と
を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012128696A JP6209318B2 (ja) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012128696A JP6209318B2 (ja) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013254610A true JP2013254610A (ja) | 2013-12-19 |
| JP6209318B2 JP6209318B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=49951960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012128696A Active JP6209318B2 (ja) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6209318B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019130956A1 (ja) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法 |
| CN110571358A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| JP2020021041A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司ＶｉｓＥｒａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 光学素子およびその製造方法 |
| WO2023068227A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| CN110794497B (zh) * | 2018-08-03 | 2024-07-30 | 采钰科技股份有限公司 | 光学元件及其制造方法 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589108A (ja) * | 1981-07-09 | 1983-01-19 | Canon Inc | カラ−フイルタ−の製造法 |
| JPH06342156A (ja) * | 1993-08-05 | 1994-12-13 | Sharp Corp | カラー液晶表示装置 |
| JP2002305295A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Sony Corp | カラー固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2004006327A (ja) * | 2002-04-23 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2004227851A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2006162685A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2006332019A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| JP2007025358A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Fujifilm Holdings Corp | カラーフィルタ及びその製造方法 |
| JP2007095613A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
| JP2007134153A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、および電子機器 |
| JP2009099306A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
| JP2009288435A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイ装置およびその駆動方法 |
| JP2010237384A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ、その製造方法、有機ｅｌディスプレイ及び液晶ディスプレイ |
| WO2011061789A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機ｅｌディスプレイ |
| JP2012014859A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Tdk Micro Device Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2012018868A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器 |
-
2012
- 2012-06-06 JP JP2012128696A patent/JP6209318B2/ja active Active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589108A (ja) * | 1981-07-09 | 1983-01-19 | Canon Inc | カラ−フイルタ−の製造法 |
| JPH06342156A (ja) * | 1993-08-05 | 1994-12-13 | Sharp Corp | カラー液晶表示装置 |
| JP2002305295A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Sony Corp | カラー固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2004006327A (ja) * | 2002-04-23 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2004227851A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2006162685A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2006332019A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| JP2007025358A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Fujifilm Holdings Corp | カラーフィルタ及びその製造方法 |
| JP2007095613A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
| JP2007134153A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、および電子機器 |
| JP2009099306A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
| JP2009288435A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイ装置およびその駆動方法 |
| JP2010237384A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ、その製造方法、有機ｅｌディスプレイ及び液晶ディスプレイ |
| WO2011061789A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機ｅｌディスプレイ |
| JP2012014859A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Tdk Micro Device Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2012018868A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019130956A1 (ja) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法 |
| JPWO2019130956A1 (ja) * | 2017-12-29 | 2020-12-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法 |
| US11437603B2 (en) | 2017-12-29 | 2022-09-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light-emitting module, display device, and methods for manufacturing with color changing members disposed at non-white pixels |
| JP7204677B2 (ja) | 2017-12-29 | 2023-01-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法 |
| CN110571358A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN110571358B (zh) * | 2018-06-05 | 2022-07-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| JP2020021041A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司ＶｉｓＥｒａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 光学素子およびその製造方法 |
| CN110794497A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 采钰科技股份有限公司 | 光学元件及其制造方法 |
| US10684400B2 (en) | 2018-08-03 | 2020-06-16 | Visera Technologies Company Limited | Optical elements and method for fabricating the same |
| CN110794497B (zh) * | 2018-08-03 | 2024-07-30 | 采钰科技股份有限公司 | 光学元件及其制造方法 |
| WO2023068227A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6209318B2 (ja) | 2017-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6216540B2 (ja) | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ | |
| TWI580028B (zh) | 顯示單元及電子設備 | |
| JP6430696B2 (ja) | 発光パネル、表示装置 | |
| US8581271B2 (en) | Display apparatus using separate organic electroluminescent elements in a single pixel | |
| KR100778818B1 (ko) | 일렉트로 루미네선스 장치, 일렉트로 루미네선스 장치의제조 방법 및 전자 기기 | |
| US20210367008A1 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, and display panel | |
| US9252193B2 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
| CN108417729B (zh) | 白色有机发光器件 | |
| CN110544749A (zh) | 显示设备 | |
| CN104218062A (zh) | 显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备 | |
| KR20180075958A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| JP2012028638A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 | |
| JP6209318B2 (ja) | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 | |
| CN104247074A (zh) | 有机电致发光单元及其制造方法和电子装置 | |
| JP2012028226A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
| JP4718761B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
| US20240057432A1 (en) | Organic light emitting display apparatus | |
| KR102319871B1 (ko) | 백색 유기 발광 소자 | |
| KR102668520B1 (ko) | 투명 표시장치 | |
| JP2013251177A (ja) | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 | |
| WO2023126740A1 (ja) | 光学機器および電子機器 | |
| WO2023161759A1 (ja) | 光学機器および電子機器 | |
| WO2023148573A1 (ja) | 電子機器 | |
| WO2023233231A1 (ja) | 電子機器 | |
| WO2023073478A1 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150604 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160330 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160510 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170704 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170803 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170822 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170911 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6209318 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |