JP2013250551A - Display element forming method - Google Patents

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Hideo Umeda
英雄 楳田
Manabu Naito
学 内藤
Jun Okada
潤 岡田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display element that is light in weight, hard to break, and can be bent.SOLUTION: A display element forming method includes a step of forming a display element on at least one face of a transparent resin film. The transparent resin film includes a transparent resin as a main component. For the transparent resin, resin film total light transmittance of 100 μm on a thickness basis is a value of 70% or more. In forming the display element, temperature processing of 200°C or more may be performed, and therefore the transparent resin film preferably has heat resistance capable of withstanding such temperature processing.

Description

本発明は、表示素子作製方法に関する。   The present invention relates to a display element manufacturing method.

これまで、表示用素子には透明性が必要とされるため、その基板としてガラス板を用いたガラス基板が使用されていた(例えば、特許文献1)。しかし、ガラス基板を用いた表示用素子は、ガラスの密度が大きいために重量が重くなりやすい。ここで、重量を軽くするためにガラスを薄くすると、ガラスが割れやすくなってしまい取扱性が悪くなる。さらに、近年、より高い携帯性等の要求を満足するべく、従来よりも軽量で割れにくく、さらには折り曲げや巻き取りが可能なフレキシブル性を持ったディスプレイが開発されている。しかし、ガラス基板を表示素子に用いたディスプレイは重く割れやすいばかりか、曲げることができないので、このような要求に対応することができなかった。   Until now, since transparency is required for the display element, a glass substrate using a glass plate has been used as the substrate (for example, Patent Document 1). However, a display element using a glass substrate tends to be heavy because of the high density of glass. Here, if the glass is made thin in order to reduce the weight, the glass is easily broken and the handleability is deteriorated. Furthermore, in recent years, in order to satisfy the demands for higher portability and the like, a display that is lighter and more difficult to break than conventional ones and that can be folded and wound has been developed. However, a display using a glass substrate as a display element is not only heavy and fragile, but also cannot be bent.

特開平10−311987号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-311987

本発明の目的は、軽量で割れにくく、さらには曲げることが可能な表示素子を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a display element that is lightweight, hardly broken, and can be bent.

(1)
本発明に係る表示素子作製方法は、透明樹脂膜の少なくとも一方の面に表示素子を作製する工程を含む。ここで、本発明において、表示素子とは表示体を構成する素子をいい、例えば有機EL素子、液晶素子等をいう。また、それらの一部を構成する構成要素、たとえば、薄膜トランジスタ(TFT)素子等の駆動素子、カラーフィルタ素子等の光学要素等も含む。
(1)
The display element manufacturing method according to the present invention includes a process of manufacturing a display element on at least one surface of a transparent resin film. Here, in the present invention, a display element refers to an element constituting a display body, such as an organic EL element or a liquid crystal element. Further, constituent elements that constitute a part thereof, for example, driving elements such as thin film transistor (TFT) elements, optical elements such as color filter elements, and the like are also included.

(2)
上述(1)に係る表示素子作製方法は、塗布工程および塗膜形成工程を含むことが好ましい。塗布工程では、樹脂含有体または樹脂前駆体含有体が支持材へ塗布される。塗膜形成工程では、塗布工程後の支持材上に、樹脂含有体または樹脂前駆体含有体由来の透明樹脂塗膜が形成される。
(2)
The display element manufacturing method according to the above (1) preferably includes a coating process and a coating film forming process. In the application step, the resin-containing body or the resin precursor-containing body is applied to the support material. In the coating film forming process, a transparent resin coating film derived from the resin-containing body or the resin precursor-containing body is formed on the support material after the coating process.

(3)
上述(1)または(2)に係る表示素子作製方法は、透明樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン系樹脂からなる群より選ばれることが好ましい。
(3)
In the display element manufacturing method according to the above (1) or (2), the transparent resin is preferably selected from the group consisting of epoxy resins, acrylic resins, polyamide resins, and aliphatic cyclic polyolefin resins.

(4)
上述(1)から(3)のいずれかに係る表示素子作製方法は、剥離工程をさらに備えることが好ましい。剥離工程では、作製された表示素子が支持材から剥離される。
(4)
The display element manufacturing method according to any one of the above (1) to (3) preferably further includes a peeling step. In the peeling step, the produced display element is peeled from the support material.

(5)
上述(1)から(4)のいずれかに係る表示素子作製方法では、作製される表示素子が画像表示用の表示素子であることが好ましい。
(5)
In the display element manufacturing method according to any one of the above (1) to (4), the display element to be manufactured is preferably a display element for image display.

上記画像表示用の表示素子を使用した画像表示装置としては、例えば液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、電子ペーパー、プラズマディスプレイ等が挙げられる。   Examples of the image display device using the display element for image display include a liquid crystal display, an organic EL display, electronic paper, and a plasma display.

(6)
本発明に係る表示素子は、透明樹脂を主成分とする透明樹脂膜の少なくとも一方の面に各種表示素子が設けられることにより形成される。また、本発明に係る表示素子は上述(1)から(5)のいずれかの表示素子作製方法により作製されることが好ましい。
(6)
The display element according to the present invention is formed by providing various display elements on at least one surface of a transparent resin film containing a transparent resin as a main component. In addition, the display element according to the present invention is preferably manufactured by any one of the above-described display element manufacturing methods (1) to (5).

以上によれば、軽量で割れにくく、さらには曲げることが可能な表示素子を提供することができる。   According to the above, it is possible to provide a display element that is light and difficult to break and can be bent.

第1実施形態に係る有機EL素子1aの構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the organic EL element 1a which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態の変形例1に係る有機EL素子1bの構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the organic EL element 1b which concerns on the modification 1 of 1st Embodiment. 第1実施形態の変形例2に係る有機EL素子1cの構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the organic EL element 1c which concerns on the modification 2 of 1st Embodiment. 第2実施形態に係る液晶表示素子2aの構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display element 2a which concerns on 2nd Embodiment.

―第1実施形態―
<有機EL素子>
図1は第1実施形態に係る有機EL素子1aを示す概略断面図である。第1実施形態に係る有機EL素子1aは、基板A上に薄膜トランジスタBおよび有機EL層Cが設けられている。なお、有機EL素子1a表面は封止部材400で覆われている。以下、各構成につき詳細に説明する。
-First embodiment-
<Organic EL device>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL element 1a according to the first embodiment. In the organic EL element 1a according to the first embodiment, a thin film transistor B and an organic EL layer C are provided on a substrate A. The surface of the organic EL element 1a is covered with a sealing member 400. Hereinafter, each configuration will be described in detail.

1.基板A
基板Aは、透明樹脂基板100および透明樹脂基板100の上面に形成されたガスバリア層101を含む。ここで、透明樹脂基板100は、透明樹脂膜からなる。透明樹脂膜とは、透明樹脂を主成分として形成される薄膜であり、好ましくは可撓性を有するものをいう。
1. Board A
The substrate A includes a transparent resin substrate 100 and a gas barrier layer 101 formed on the upper surface of the transparent resin substrate 100. Here, the transparent resin substrate 100 is made of a transparent resin film. The transparent resin film is a thin film formed with a transparent resin as a main component, and preferably has flexibility.

本件発明において透明樹脂膜とは、厚み換算で100μmの樹脂膜全光線透過率が70%以上の値を持つ樹脂膜をいう。ここで、表示素子を作製する際は200℃以上の温度処理を行う場合もある。よって、この透明樹脂膜はこれに耐えうる耐熱性を有することが好ましい。透明樹脂膜を構成する透明樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、オキセタン系樹脂、イソシアネート系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、多官能オレフィン系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ジアリルカーボネート系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、シルセスキオキサン系化合物、ポリエステル系樹脂、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン系樹脂、尿素樹脂、ポリカーボネート系樹脂等が挙げられる。上述の耐熱性および透明性を満足するという観点からは、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、および脂肪族環状ポリオレフィン系樹脂が好ましい。以下、各樹脂につき詳述する。   In the present invention, the transparent resin film refers to a resin film having a value of a total film light transmittance of 100 μm in terms of thickness of 70% or more. Here, when manufacturing the display element, a temperature treatment of 200 ° C. or higher may be performed. Therefore, the transparent resin film preferably has heat resistance that can withstand this. Examples of the transparent resin constituting the transparent resin film include epoxy resins, oxetane resins, isocyanate resins, acrylic resins, phenol resins, polyfunctional olefin resins, diallyl phthalate resins, diallyl carbonate resins, urethanes. Resin, melamine resin, silsesquioxane compound, polyester resin, polyetherimide, polyarylate, polymethyl methacrylate, polyethersulfone, polysulfone, polyetheretherketone, polyimide resin, polyamide resin, fat Group cyclic polyolefin resin, urea resin, polycarbonate resin and the like. From the viewpoint of satisfying the above heat resistance and transparency, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyamide resin, and an aliphatic cyclic polyolefin resin are preferable. Hereinafter, each resin will be described in detail.

エポキシ系樹脂は、一般的にモノマーが2官能以上の官能基を有し、重合時にネットワーク構造を有することとなるため、耐熱性を向上させる。エポキシ系樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、およびこれらの水添化物、ならびに、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート骨格を有するエポキシ樹脂、カルド骨格を有するエポキシ樹脂、ポリシロキサン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式多官能エポキシ樹脂、水添ビフェニル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、および水添ビスフェノールA骨格を有する脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上述したエポキシ樹脂は、グリシジル基およびエーテル結合を含むグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジル基およびエステル結合を含むグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ならびにグリシジル基およびアミノ基を含むグリシジルアミン型エポキシ樹脂を含むグリシジル型エポキシ樹脂と、脂環式エポキシ基を有する脂環式エポキシ基とに大別できる。本発明では、分子内に2個以上のエポキシシクロヘキサン環を有する脂環式エポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、下記式(1)で示される水添ビフェニル型脂環式エポキシ化合物、または、下記式(2)で示される脂環式エポキシ化合物をモノマーとして得られる樹脂であることがより好ましい。   In the epoxy resin, the monomer generally has a bifunctional or higher functional group and has a network structure at the time of polymerization, so that the heat resistance is improved. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and their hydrogenated products, epoxy resins having a dicyclopentadiene skeleton, and triglycidyl isocyanurate skeleton. Epoxy resin having cardo skeleton, epoxy resin having polysiloxane structure, alicyclic polyfunctional epoxy resin, alicyclic epoxy resin having hydrogenated biphenyl skeleton, and alicyclic having hydrogenated bisphenol A skeleton An epoxy resin etc. are mentioned. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more. The above-mentioned epoxy resin includes a glycidyl ether type epoxy resin containing a glycidyl group and an ether bond, a glycidyl ester type epoxy resin containing a glycidyl group and an ester bond, and a glycidyl containing a glycidyl amine type epoxy resin containing a glycidyl group and an amino group. Type epoxy resins and alicyclic epoxy groups having an alicyclic epoxy group. In the present invention, it is preferable to use an alicyclic epoxy resin having two or more epoxycyclohexane rings in the molecule. Further, a resin obtained by using a hydrogenated biphenyl type alicyclic epoxy compound represented by the following formula (1) or an alicyclic epoxy compound represented by the following formula (2) as a monomer is more preferable.

Figure 2013250551
Figure 2013250551

Figure 2013250551
(上記式(2)中、−X−は−O−、−S−、−SO−、−SO−、−CH−、−CH(CH)−、または−C(CH−を表す。)
Figure 2013250551
(In the above formula (2), -X- is -O -, - S -, - SO -, - SO 2 -, - CH 2 -, - CH (CH 3) -, or -C (CH 3) 2 Represents-)

このような脂環式エポキシ樹脂は、特に耐熱性、透明性に優れることから本発明に好適に使用される。   Such an alicyclic epoxy resin is suitably used in the present invention because it is particularly excellent in heat resistance and transparency.

アクリル系樹脂は、一般的にモノマーが2官能以上の官能基を有し、ネットワーク構造となることで、耐熱性等を向上させる。特にラジカル重合開始剤を使用することで、反応性の高架橋体が得られる。アクリル系樹脂としては、例えば、熱硬化性または光硬化性のアクリル系樹脂などが挙げられる。特に、耐熱性、高透明性から下記式(3)の化合物をモノマーとして得られる樹脂が挙げられるが、モノマー化合物の構造は必ずしもこれに限定されるものではなく、当業者によって適宜選択可能である。   In the acrylic resin, the monomer generally has a bifunctional or higher functional group and has a network structure, thereby improving heat resistance and the like. In particular, a reactive highly crosslinked product can be obtained by using a radical polymerization initiator. Examples of the acrylic resin include thermosetting or photocurable acrylic resins. In particular, a resin obtained by using a compound represented by the following formula (3) as a monomer from the viewpoint of heat resistance and high transparency is mentioned, but the structure of the monomer compound is not necessarily limited to this and can be appropriately selected by those skilled in the art. .

Figure 2013250551
Figure 2013250551

ポリアミド系樹脂はアミド結合を有し、アミド結合由来の水素結合による靱性向上等の効果が得られる。特に、芳香族基や脂環式炭化水素基を含むことにより高耐熱性、耐水性等の効果が得られる。
例えば、芳香族基を含むポリアミド系樹脂の例として、下記式(4)に示される化合物が挙げられる。
The polyamide-based resin has an amide bond, and effects such as improvement of toughness due to hydrogen bonds derived from the amide bond can be obtained. In particular, effects such as high heat resistance and water resistance can be obtained by including an aromatic group or an alicyclic hydrocarbon group.
For example, the compound shown by following formula (4) is mentioned as an example of the polyamide-type resin containing an aromatic group.

Figure 2013250551
Figure 2013250551

(上記式(4)中、Rは環構造を有する2価の有機基、Rは2価の芳香族基、Rは同一または異なっていてもよい任意の基、Rは同一または異なっていてもよい任意の基を表す。さらに、基Rと基Rとは同一または異なっていてもよい。) (In the above formula (4), R 1 is a divalent organic group having a ring structure, R 2 is a divalent aromatic group, R 3 is any group which may be the same or different, and R 4 is the same or Represents an arbitrary group which may be different, and the group R 3 and the group R 4 may be the same or different.)

このようなポリアミド系樹脂を形成する構造としては、例えばポリアミド系樹脂中の芳香族基が電子吸引性置換基を有する構造が挙げられるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、当業者によって適宜選択される。なお、耐熱性および耐水性の観点から、全芳香族系ポリアミド樹脂を用いることが好ましい。   Examples of the structure that forms such a polyamide-based resin include a structure in which an aromatic group in the polyamide-based resin has an electron-withdrawing substituent. However, the structure is not necessarily limited thereto, and may be appropriately determined by those skilled in the art. Selected. In addition, it is preferable to use a wholly aromatic polyamide resin from the viewpoint of heat resistance and water resistance.

芳香族基が電子吸引性置換基を有する構造を含むポリアミド系樹脂の例としては、下記式(5)および(6)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the polyamide resin having a structure in which the aromatic group has an electron-withdrawing substituent include compounds represented by the following formulas (5) and (6).

Figure 2013250551
Figure 2013250551

(上記式(5)中、Rは電子吸引基、Rは電子吸引基、Rは同一または異なっていてもよい任意の基、Rは同一または異なっていてもよい任意の基、Rは2価の芳香族基を表す。さらに、基R、基R、基Rおよび基Rは同一または異なっていてもよい。) (In the above formula (5), R 5 is an electron withdrawing group, R 6 is an electron withdrawing group, R 7 is any group that may be the same or different, and R 8 is any group that may be the same or different, R 9 represents a divalent aromatic group, and the group R 5 , the group R 6 , the group R 7 and the group R 8 may be the same or different.

Figure 2013250551
Figure 2013250551

(上記式(6)中、R10はSiを含む2価の基、Pを含む2価の基、Sを含む2価の基、2価のハロゲン化炭化水素基、またはエーテル結合を含む2価の基(ただし、分子内においてこれらの基を有する構造単位が混在していてもよい。)、R11は同一または異なっていてもよい任意の基、R12は同一または異なっていてもよい任意の基、R13はシグマ結合、または、フェニル基およびフェニレン基から選択される芳香族基を必須成分とする炭素数6以上12以下の任意の2価の基、R14はシグマ結合、または、フェニル基およびフェニレン基から選択される芳香族基を必須成分とする炭素数6以上12以下の任意の2価の基、R15は2価の芳香族基を表す。基R11と基R12とは同一または異なっていてもよい。) (In the above formula (6), R 10 is a divalent group containing Si, a divalent group containing P, a divalent group containing S, a divalent halogenated hydrocarbon group, or an ether bond 2. A valent group (however, structural units having these groups may be mixed in the molecule), R 11 may be the same or different, and R 12 may be the same or different. Arbitrary group, R 13 is a sigma bond, or an arbitrary divalent group having 6 to 12 carbon atoms and having an aromatic group selected from a phenyl group and a phenylene group as an essential component, R 14 is a sigma bond, or any divalent group having 6 to 12 carbon aromatic group selected from phenyl group and phenylene group as an essential component, R 15 represents a divalent aromatic group. radicals R 11 and the radicals R 12 may be the same or different.)

化学式(4)において、RおよびRに特に制限はなく、任意の基であればよい。好ましくは、−H、炭素数1以上5以下の脂肪族基、−CF、−CCl、−OH、−F、−Cl、−Br、−OCH、シリル基、または、芳香族基である。RおよびRは、側鎖の置換基であるため、主鎖の置換基と比較して、ポリアミドの物性に与える影響は相対的に小さいが、光学特性等を改良するために、適宜導入することが好ましい。 In the chemical formula (4), R 3 and R 4 are not particularly limited and may be any group. Preferably, -H, 1 to 5 carbon atoms in the aliphatic group, -CF 3, -CCl 3, -OH , -F, -Cl, -Br, -OCH 3, silyl group, or an aromatic group is there. Since R 3 and R 4 are side chain substituents, they have a relatively small effect on the physical properties of the polyamide compared to the main chain substituents, but are introduced as appropriate in order to improve optical properties and the like. It is preferable to do.

化学式(5)のR、R、R、Rが仮に全て−Hである場合、電荷移動錯体が形成され、ポリアミドが着色することがある。本発明においては、R、およびRとして、それぞれ独立に電子吸引基を導入することにより、電荷移動錯体の形成を阻害し、ポリアミドの透明度を高めている。ここで、電子吸引基とは、Hammettの置換基常数において正の値を示す基であり、例えば−CF、−CCl、−CI、−CBr、−F、−Cl、−Br、−I、−NO、−CN、−COCH、−COなどが例示できる。この中でも好ましくは−CF、−CCl、−NO、−CNであり、最も好ましいのは−CFである。これらの基を有する構造単位は、ポリアミド分子内において混在していても構わない。なお、上記のHammett常数については、例えば小竹無二雄監修、朝倉書店発行の「大有機化学」第1巻第308〜311頁等に解説されている。 When R 5 , R 6 , R 7 and R 8 in chemical formula (5) are all —H, a charge transfer complex may be formed and the polyamide may be colored. In the present invention, by independently introducing an electron withdrawing group as R 5 and R 6 , the formation of a charge transfer complex is inhibited and the transparency of the polyamide is increased. Herein, the electron withdrawing group is a group having a positive value in the substituent constant of Hammett, for example -CF 3, -CCl 3, -CI 3 , -CBr 3, -F, -Cl, -Br, -I, -NO 2, -CN, -COCH 3, such as -CO 2 C 2 H 5 can be exemplified. Among these preferably -CF 3, -CCl 3, -NO 2 , a -CN, most preferred is -CF 3. The structural unit having these groups may be mixed in the polyamide molecule. The Hammett constant is described in, for example, “Dai Organic Chemistry” Vol. 1, pages 308-311, supervised by Fujio Kotake and published by Asakura Shoten.

また、化学式(5)において、R、Rに特に制限はなく、上記の目的を阻害しない範囲で任意の基を用いればよい。好ましくは、上記した電子吸引基、−H、炭素数1以上5以下の脂肪族基、シリル基、または芳香族基などである。化学式(5)においてRは芳香族基であれば特に制限はないが、好ましくはフェニレン基、クロロフェニレン基である。また、耐熱性を付与する目的においては、例えばパラフェニレン基、2−置換パラフェニレン基、ビフェニル基のような剛直な芳香族基であることが好ましい。 In the chemical formula (5), R 7 and R 8 are not particularly limited, and any group may be used as long as the above-described purpose is not impaired. Preferred are the electron withdrawing group, -H, an aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms, a silyl group, or an aromatic group. In the chemical formula (5), R 9 is not particularly limited as long as it is an aromatic group, but is preferably a phenylene group or a chlorophenylene group. For the purpose of imparting heat resistance, it is preferably a rigid aromatic group such as a paraphenylene group, a 2-substituted paraphenylene group, or a biphenyl group.

化学式(6)において、R10について適当な基を選択しなければ、ポリアミドが着色することがある。そこで、本発明においては、R10としてSiを含む2価の基、Pを含む2価の基、Sを含む2価の基、2価のハロゲン化炭化水素基、または、エーテル結合を含む2価の基(ただし、分子内においてこれらの基を有する構造単位が混在していてもよい。)を選択することにより、電荷移動錯体の形成を阻害し、ポリアミドの透明度を高めることができる。具体的には、−SO−、−O−、−C(CF−、−(CCl−、−(CBr−、−CF−、−CCl−、−CBr−が好ましく、より好ましくは、−SO−、−C(CF−である。化学式(6)において、R11やR12に特に制限はなく、任意の基であればよい。好ましくは、−H、炭素数1以上5以下の脂肪族基、−CF、−CCl、−OH、−F、−Cl、−Br、−OCH、シリル基、または、芳香族基である。R11およびR12は、側鎖の置換基であるため、主鎖の置換基と比較して、ポリアミドの物性に与える影響は相対的に小さいが、光学特性等を改良するために、適宜導入することが好ましい。 If an appropriate group is not selected for R 10 in the chemical formula (6), the polyamide may be colored. Therefore, in the present invention, R 10 includes a divalent group containing Si, a divalent group containing P, a divalent group containing S, a divalent halogenated hydrocarbon group, or an ether bond. By selecting a valent group (however, structural units having these groups may be mixed in the molecule), the formation of a charge transfer complex can be inhibited and the transparency of the polyamide can be increased. Specifically, -SO 2 -, - O - , - C (CF 3) 2 -, - (CCl 3) 2 -, - (CBr 3) 2 -, - CF 2 -, - CCl 2 -, - CBr 2 — is preferable, and —SO 2 — and —C (CF 3 ) 2 — are more preferable. In the chemical formula (6), R 11 and R 12 are not particularly limited and may be any group. Preferably, -H, 1 to 5 carbon atoms in the aliphatic group, -CF 3, -CCl 3, -OH , -F, -Cl, -Br, -OCH 3, silyl group, or an aromatic group is there. Since R 11 and R 12 are side chain substituents, they have a relatively small effect on the physical properties of the polyamide as compared to the main chain substituents. However, R 11 and R 12 are appropriately introduced to improve optical properties and the like. It is preferable to do.

さらに、化学式(6)において、R13およびR14は、シグマ結合であってもよいし、フェニルおよびフェニレン基から選択される芳香族基を必須成分とする炭素数6以上12以下の任意の2価の基であってもよい。例えば、−Ph−、−O−Ph−、−C(CF−Ph−などを導入してもよい(Phは、フェニレン基である)。ただし、最も好ましいのはシグマ結合である。 Further, in the chemical formula (6), R 13 and R 14 may be a sigma bond, or an arbitrary 2 having 6 to 12 carbon atoms and having an aromatic group selected from phenyl and phenylene as an essential component. May be a valent group. For example, -Ph -, - O-Ph -, - C (CF 3) may be introduced, such as 2 -Ph- (Ph is a phenylene group). However, most preferred is sigma binding.

化学式(6)において、R15は芳香族基であれば特に制限はないが、好ましくはフェニルレン基、クロロフェニレン基である。さらに、耐熱性を付与する目的においては、例えばパラフェニレン基、2−置換パラフェニレン基、ビフェニル基のような剛直な芳香族基であることが好ましい。 In the chemical formula (6), R 15 is not particularly limited as long as it is an aromatic group, but is preferably a phenyllene group or a chlorophenylene group. Furthermore, for the purpose of imparting heat resistance, it is preferably a rigid aromatic group such as a paraphenylene group, a 2-substituted paraphenylene group, or a biphenyl group.

また、当該ポリアミド系樹脂は、架橋反応等の更なる反応を伴うことで得られるものであっても良い。これにより、更なる耐熱性向上等を図ることが可能となる。このような目的に使用可能なものとしては、例えばグルシジルオキシ基含有芳香族ポリアミド樹脂、不飽和末端含有芳香族ポリアミド樹脂、イソシアネート基含有芳香族ポリアミド樹脂等が挙げられるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、当業者によって適宜選択される。   Further, the polyamide-based resin may be obtained by accompanying a further reaction such as a crosslinking reaction. As a result, it is possible to further improve the heat resistance. Examples of those that can be used for such purposes include glycidyloxy group-containing aromatic polyamide resins, unsaturated terminal-containing aromatic polyamide resins, isocyanate group-containing aromatic polyamide resins, and the like. It is not a thing and it selects suitably by those skilled in the art.

脂肪族環状ポリオレフィン系ポリマーは、特に吸水性が低いという利点がある。脂肪族環状ポリオレフィン系ポリマーとしては、例えば、下記式(7)〜(9)で表されるシクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等が挙げられるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、当業者によって適宜選択される。   The aliphatic cyclic polyolefin-based polymer has an advantage that the water absorption is particularly low. Examples of the aliphatic cyclic polyolefin-based polymer include cycloolefin polymers and cycloolefin copolymers represented by the following formulas (7) to (9), but are not necessarily limited thereto, and are not limited to those skilled in the art. It is selected appropriately.

Figure 2013250551
Figure 2013250551
Figure 2013250551
(上記式(9)中、R16は有機基を表す。)
Figure 2013250551
Figure 2013250551
Figure 2013250551
(In the above formula (9), R 16 represents an organic group.)

なお、透明樹脂基板100は、熱によるアニール処理が行われたものであってもよい。この場合、透明樹脂基板100は、歪みが少なく、環境変化に対する寸法の安定性が強化されている。   The transparent resin substrate 100 may be one that has been annealed by heat. In this case, the transparent resin substrate 100 is less distorted and has enhanced dimensional stability against environmental changes.

ガスバリア層101は、SiOx、SiNxなどからなる薄膜であり、スパッタ法、CVD法、真空蒸着法等の真空成膜法により形成される。ガスバリア層101の厚みとしては、通常10nm以上100nm以下程度であるが、この厚みに限定されるものではない。ここで、ガスバリア層101は、透明樹脂基板100の、図1で示された側とは反対側の面に形成されても良いし、透明基板の両面に形成されても良い。   The gas barrier layer 101 is a thin film made of SiOx, SiNx, or the like, and is formed by a vacuum film forming method such as a sputtering method, a CVD method, or a vacuum evaporation method. The thickness of the gas barrier layer 101 is usually about 10 nm to 100 nm, but is not limited to this thickness. Here, the gas barrier layer 101 may be formed on the surface of the transparent resin substrate 100 opposite to the side shown in FIG. 1 or may be formed on both surfaces of the transparent substrate.

2.薄膜トランジスタ
薄膜トランジスタBは、ゲート電極200、ゲート絶縁層201、ソース電極202、活性層203、およびドレイン電極204を備える。薄膜トランジスタBは、ガスバリア層101上に形成される。
2. The thin film transistor thin film transistor B includes a gate electrode 200, a gate insulating layer 201, a source electrode 202, an active layer 203, and a drain electrode 204. The thin film transistor B is formed on the gas barrier layer 101.

ゲート電極200、ソース電極202、およびドレイン電極204は、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛(ZnO)等からなる透明薄膜である。透明薄膜を形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。これらの電極の膜厚は、通常50nm以上200nm以下程度であるが、この厚さに限定されるものではない。   The gate electrode 200, the source electrode 202, and the drain electrode 204 are transparent thin films made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or the like. Examples of the method for forming the transparent thin film include sputtering, vacuum deposition, and ion plating. The thickness of these electrodes is usually about 50 nm to 200 nm, but is not limited to this thickness.

ゲート絶縁層201は、SiO、Al等からなる透明な絶縁薄膜であり、スパッタ法、CVD法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等により形成される。ゲート絶縁層201の膜厚は、通常10nm以上1μm以下程度であるが、この厚さに限定されるものではない。 The gate insulating layer 201 is a transparent insulating thin film made of SiO 2 , Al 2 O 3 or the like, and is formed by sputtering, CVD, vacuum deposition, ion plating, or the like. The thickness of the gate insulating layer 201 is usually about 10 nm to 1 μm, but is not limited to this thickness.

活性層203は、例えば、単結晶シリコン、低温ポリシリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体等であり、当業者によって適宜選択される。活性層はスパッタ法等により形成される。   The active layer 203 is, for example, single crystal silicon, low-temperature polysilicon, amorphous silicon, oxide semiconductor, or the like, and is appropriately selected by those skilled in the art. The active layer is formed by sputtering or the like.

3.有機EL層
有機EL層Cは、導電性の接続部300、絶縁性の平坦化層301、有機EL素子1aの陽極である下部電極302、正孔輸送層303、発光層304、電子輸送層305、および有機EL素子1aの陰極である上部電極306を備える。有機EL層Cは、少なくともガスバリア層101上または薄膜トランジスタB上に形成され、下部電極302と薄膜トランジスタBのドレイン電極204は接続部300により電気的に接続されている。なお、これに替えて、有機EL層Cの下部電極302と、薄膜トランジスタBのソース電極202とが接続部300により接続されるようにしてもよい。
3. Organic EL Layer The organic EL layer C includes a conductive connection portion 300, an insulating planarization layer 301, a lower electrode 302 that is an anode of the organic EL element 1a, a hole transport layer 303, a light emitting layer 304, and an electron transport layer 305. And an upper electrode 306 which is a cathode of the organic EL element 1a. The organic EL layer C is formed on at least the gas barrier layer 101 or the thin film transistor B, and the lower electrode 302 and the drain electrode 204 of the thin film transistor B are electrically connected by the connection portion 300. Instead of this, the lower electrode 302 of the organic EL layer C and the source electrode 202 of the thin film transistor B may be connected by the connecting portion 300.

下部電極302は、有機EL素子1aの陽極であり、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛(ZnO)等の透明薄膜である。なお、高透明性、高電導性等が得られるので、ITOが好ましい。 The lower electrode 302 is an anode of the organic EL element 1a, and is a transparent thin film such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO). In addition, since high transparency, high electroconductivity, etc. are obtained, ITO is preferable.

正孔輸送層303、発光層304および電子輸送層305としては、従来公知の有機EL素子用材料をそのまま用いることができる。   As the hole transport layer 303, the light emitting layer 304, and the electron transport layer 305, conventionally known materials for organic EL elements can be used as they are.

上部電極306は、例えばフッ化リチウム(LiF)とアルミニウム(Al)をそれぞれ5nm以上20nm以下、50nm以上200nm以下の膜厚に成膜した膜よりなる。膜を形成する方法としては、例えば真空蒸着法が挙げられる。   The upper electrode 306 is made of, for example, a film in which lithium fluoride (LiF) and aluminum (Al) are formed to a thickness of 5 nm to 20 nm and 50 nm to 200 nm, respectively. As a method for forming the film, for example, a vacuum deposition method can be cited.

また、ボトムエミッション型の有機EL素子を作製する場合、有機EL素子1aの上部電極306は光反射性の電極にしても良い。これにより、有機EL素子1aで発生して表示側と逆方向の上部側に進んだ光が上部電極306により表示側方向に反射される。したがって、反射光も表示に利用されるので、有機EL素子1aの発光の利用効率を高めることができる。   When a bottom emission type organic EL element is manufactured, the upper electrode 306 of the organic EL element 1a may be a light reflective electrode. Thereby, the light generated in the organic EL element 1 a and traveling to the upper side in the direction opposite to the display side is reflected by the upper electrode 306 in the display side direction. Therefore, since the reflected light is also used for display, the utilization efficiency of the light emission of the organic EL element 1a can be increased.

<有機EL素子の作製方法>
有機EL素子1aの作製方法は、固定工程、ガスバリア層作製工程、薄膜トランジスタ作製工程、有機EL層作製工程、封止工程および剥離工程を含む。以下、各工程につき詳細に説明する。
<Method for producing organic EL element>
The manufacturing method of the organic EL element 1a includes a fixing process, a gas barrier layer manufacturing process, a thin film transistor manufacturing process, an organic EL layer manufacturing process, a sealing process, and a peeling process. Hereinafter, each process will be described in detail.

1.固定工程
固定工程では、支持材上に透明樹脂基板100が固定される。固定する方法は特に限定されるものではないが、支持材と透明基板との間に粘着剤を塗布する方法や、透明樹脂基板100の一部を支持材に融着させる方法等が挙げられる。また、支持材の材料としては、例えば、ガラス、金属、シリコン、または樹脂等が用いられる。これらは単独で用いられてもよいし、2以上の材料が組み合わされて使用されてもよい。さらに、支持材表面に離型層を塗布等により設け、その上に透明樹脂基板100を張り付けて固定してもよい。離型層を設ける場合、支持材表面全体に設けてもよいし、支持材表面の端部を除く領域に設けてもよい。
1. Fixing Step In the fixing step, the transparent resin substrate 100 is fixed on the support material. Although the method to fix is not specifically limited, The method of apply | coating an adhesive between a support material and a transparent substrate, the method of fuse | melting a part of transparent resin substrate 100 to a support material, etc. are mentioned. Further, as a material for the support material, for example, glass, metal, silicon, resin, or the like is used. These may be used alone, or two or more materials may be used in combination. Furthermore, a release layer may be provided on the surface of the support material by coating or the like, and the transparent resin substrate 100 may be attached and fixed thereon. When providing a mold release layer, you may provide in the whole surface of a support material, and you may provide in the area | region except the edge part of a support material surface.

2.ガスバリア層作製工程
ガスバリア層製工程では、透明樹脂基板100上にガスバリア層101が作製される。作製する方法は特に限定することなく、公知の方法を用いることができる。
2. Gas Barrier Layer Production Step In the gas barrier layer production step, the gas barrier layer 101 is produced on the transparent resin substrate 100. A manufacturing method is not particularly limited, and a known method can be used.

3.薄膜トランジスタ作製工程
薄膜トランジスタ作製工程では、ガスバリア層101上に薄膜トランジスタBが作製される。作製する方法は特に限定することなく、公知の方法を用いることができる。
3. Thin Film Transistor Manufacturing Process In the thin film transistor manufacturing process, the thin film transistor B is manufactured on the gas barrier layer 101. A manufacturing method is not particularly limited, and a known method can be used.

4.有機EL層作製工程
有機EL層作製工程は、第1工程と第2工程を含む。第1工程では、平坦化層301が形成される。平坦化層301を形成する方法としては、感光性透明樹脂の層をスピンコート法、スリットコート法、インクジェット法等で形成する方法が挙げられる。この際、第2工程で接続部300を形成できるよう、平坦化層301には開口部を設けておく必要がある。平坦化層301の膜厚は、通常100nm以上2μm以下程度であるが、これに限定されるものではない。
4). Organic EL Layer Manufacturing Step The organic EL layer manufacturing step includes a first step and a second step. In the first step, the planarization layer 301 is formed. Examples of a method for forming the planarization layer 301 include a method in which a photosensitive transparent resin layer is formed by a spin coating method, a slit coating method, an ink jet method, or the like. At this time, it is necessary to provide an opening in the planarization layer 301 so that the connection portion 300 can be formed in the second step. The film thickness of the planarization layer 301 is normally about 100 nm to 2 μm, but is not limited thereto.

第2工程では、まず接続部300および下部電極302が同時に形成される。これらを形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。これらの電極の膜厚は、通常50nm以上200nm以下程度であるが、これに限定されるものではない。その後、正孔輸送層303、発光層304、電子輸送層305、および有機EL素子1aの陰極である上部電極306が形成される。これらを形成する方法としては真空蒸着法や塗布法など、用いる材料および積層構成に適切な方法を用いることができる。また、有機EL素子1aの有機層の構成は、本実施例の記載に関わらず、その他正孔注入層や電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層など、公知の有機層を適宜選択して構成してもよい。   In the second step, first, the connection part 300 and the lower electrode 302 are formed simultaneously. Examples of methods for forming these include sputtering, vacuum deposition, and ion plating. The film thickness of these electrodes is usually about 50 nm to 200 nm, but is not limited thereto. Thereafter, the hole transport layer 303, the light emitting layer 304, the electron transport layer 305, and the upper electrode 306 which is the cathode of the organic EL element 1a are formed. As a method for forming them, a method suitable for a material to be used and a laminated structure, such as a vacuum deposition method and a coating method, can be used. Moreover, the structure of the organic layer of the organic EL element 1a is appropriately selected from known organic layers such as a hole injection layer, an electron transport layer, a hole block layer, and an electron block layer, regardless of the description in this example. May be configured.

5.封止工程
封止工程では、封止部材400によって上部電極306の上面が封止される。封止部材400としては、ガラス、樹脂、セラミック、金属、金属化合物、またはこれらの複合体等で形成することができ、当業者によって適宜材料が選択される。
5. Sealing Step In the sealing step, the upper surface of the upper electrode 306 is sealed by the sealing member 400. The sealing member 400 can be formed of glass, resin, ceramic, metal, metal compound, or a composite thereof, and a material is appropriately selected by those skilled in the art.

6.剥離工程
剥離工程では、剥離により支持材を除去する。剥離工程を実現する方法としては、例えば、物理的に支持材を剥離する方法が挙げられる。例えば、支持材表面に離型層が設けられている場合は、離型層とともに支持材を剥離してもよいし、支持材と表示素子との間にワイヤを挿入して剥離してもよい。また、支持材の端部を除く領域に剥離層を設けた場合は、素子作製後、剥離層を設けた領域の外縁またはそれより内側を切断し、支持材から剥離により素子を取り出すことができる。さらに、支持材と素子との間にシリコン層を設け、レーザーを照射することにより剥離する方法、支持材に対して熱を加え、支持材と透明基板とを分離する方法、支持材を溶剤により除去する方法等を用いることができる。これらの方法は単独で用いてもよく、任意の複数の方法を組み合わせて用いてもよい。
6). Peeling process In a peeling process, a support material is removed by peeling. Examples of the method for realizing the peeling step include a method of physically peeling the support material. For example, when a release layer is provided on the surface of the support material, the support material may be peeled off together with the release layer, or may be peeled by inserting a wire between the support material and the display element. . In the case where a release layer is provided in a region excluding the end portion of the support material, the element can be taken out from the support material by peeling off the outer edge of the region where the release layer is provided or inside the region after the device is manufactured. . Furthermore, a silicon layer is provided between the support material and the element, a method of peeling by irradiating a laser, a method of applying heat to the support material to separate the support material and the transparent substrate, and a support material with a solvent. A removal method or the like can be used. These methods may be used alone or in combination with any of a plurality of methods.

<本実施形態における効果>
この表示素子作製方法によって得られたカラーフィルタ・トップエミッション方式の有機EL素子は、軽量性、耐久性、耐折り曲げ性等に優れている。
<Effect in this embodiment>
The color filter / top emission type organic EL element obtained by this display element manufacturing method is excellent in lightness, durability, bending resistance and the like.

<変形例1>
図2は第1実施形態の変形例1に係る有機EL素子1bを示す概略断面図である。第1実施形態と同じ構成は同じ符号を付して説明を省略する。この第1実施形態の変形例1では、有機EL素子1bは、赤色を発光する発光層304r、緑色を発光する発光層304g、青色を発光する発光層304bを備える。有機EL素子1bの陽極である下部電極302は、赤色を発光する発光層304r、緑色を発光する発光層304g、青色を発光する発光層304bに対応して分割される。さらに、下部電極302と薄膜トランジスタBのドレイン電極204は、接続部300により電気的に接続される。
<Modification 1>
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL element 1b according to Modification 1 of the first embodiment. The same configurations as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In the first modification of the first embodiment, the organic EL element 1b includes a light emitting layer 304r that emits red light, a light emitting layer 304g that emits green light, and a light emitting layer 304b that emits blue light. The lower electrode 302 that is an anode of the organic EL element 1b is divided corresponding to a light emitting layer 304r that emits red light, a light emitting layer 304g that emits green light, and a light emitting layer 304b that emits blue light. Further, the lower electrode 302 and the drain electrode 204 of the thin film transistor B are electrically connected by the connection portion 300.

本変形例では、有機EL素子1bは、少なくとも赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3原色を発光する層を備える。有機ELディスプレイでフルカラー表示する場合、少なくとも赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3原色が発光できる構成とする必要があるからである。この構成により、フルカラー表示の方式の中では、有機EL素子1bは、発光をそのまま直接表示に使用するので、発光の利用効率は最も高いものとなる。なお、R、G、およびBに加えて、白色(W)や黄色(Y)、シアン(C)などを加えた4色ないし6色が発光する構成でも良い。   In this modification, the organic EL element 1b includes a layer that emits at least three primary colors of red (R), green (G), and blue (B). This is because when full-color display is performed on an organic EL display, it is necessary to have a configuration capable of emitting at least three primary colors of red (R), green (G), and blue (B). With this configuration, in the full color display system, the organic EL element 1b directly uses the emitted light for direct display, so that the use efficiency of the emitted light is the highest. In addition to R, G, and B, a configuration in which four to six colors including white (W), yellow (Y), cyan (C), and the like emit light may be used.

<変形例2>
図3は第1実施形態の変形例2に係る有機EL素子1cを示す概略断面図である。第1実施形態と同じ構成は同じ符号を付して説明を省略する。本変形例に係る有機EL素子1cは、少なくとも白色発光層304whおよびカラーフィルタ層307を備える。カラーフィルタ層307は、赤色フィルタ307r、緑色フィルタ307g、青色フィルタ307b、および各フィルタを分離するブラックマトリックス層307bkを含む。本変形例に係る有機EL素子1cは、カラー液晶パネルの表示のように、白色発光層304whからの光をカラーフィルタ層307へ透過させることにより表示を行う。この場合、発光層として単一の白色発光層304whのみを形成すれば良いので、発光層を発光色別に分離して形成する必要がない。よって、3原色または4色以上6色以下の発光方式の有機EL素子と比べ、工程数が少なく、製造装置も簡略化できるので安価な製造が可能という効果がある。
<Modification 2>
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL element 1c according to Modification 2 of the first embodiment. The same configurations as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The organic EL element 1c according to this modification includes at least a white light emitting layer 304wh and a color filter layer 307. The color filter layer 307 includes a red filter 307r, a green filter 307g, a blue filter 307b, and a black matrix layer 307bk that separates the filters. The organic EL element 1c according to this modification performs display by transmitting light from the white light emitting layer 304wh to the color filter layer 307 as in the case of a color liquid crystal panel. In this case, since only a single white light emitting layer 304wh needs to be formed as the light emitting layer, it is not necessary to form the light emitting layers separately for each emission color. Therefore, the number of steps is small and the manufacturing apparatus can be simplified as compared with the light emitting organic EL elements having three primary colors or four to six colors.

有機EL素子1cは、支持材に固定された透明樹脂基板100上にカラーフィルタ層307等を積層したものと、別途、透明基板上に白色発光層304wh等を積層したものと、を貼り合わせることで作製される。   The organic EL element 1c is formed by laminating a layer in which the color filter layer 307 or the like is laminated on the transparent resin substrate 100 fixed to the support material and a layer in which the white light emitting layer 304wh or the like is separately laminated on the transparent substrate. It is made with.

以上に記載の変形例1および変形例2については、第1実施形態同様、TFT基板側から光を取り出すボトムエミッション型、反対側から光を取り出すトップエミッション型とすることが可能である。   As in the first embodiment, the first and second modifications described above can be a bottom emission type that extracts light from the TFT substrate side and a top emission type that extracts light from the opposite side.

―第2実施形態―
<液晶表示素子>
図4は第2実施形態に係る液晶表示素子2aを示す概略断面図である。液晶表示素子2aは、第1の透明基板100aと第2の透明基板100bを備える。第1の透明基板100aと第2の透明基板100bとの間には、配向膜105,106および液晶500が介在し、第1の透明基板100aと第2の透明基板100bとは、ギャップ保持材501、およびシール剤502を介して貼合される。
-Second embodiment-
<Liquid crystal display element>
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a liquid crystal display element 2a according to the second embodiment. The liquid crystal display element 2a includes a first transparent substrate 100a and a second transparent substrate 100b. The alignment films 105 and 106 and the liquid crystal 500 are interposed between the first transparent substrate 100a and the second transparent substrate 100b, and the first transparent substrate 100a and the second transparent substrate 100b have a gap retaining material. 501 and the sealing agent 502.

第1の透明基板100aは、透明樹脂基板100上に、無機バリア層101a、遮光層102、着色層103、および共通電極層104が設けられている。共通電極層104上には、配向膜105が設けられている。第2の透明基板100bは、透明樹脂基板100上に、無機バリア層101bが設けられている。さらに、無機バリア層101b上に、薄膜トランジスタBが設けられている。なお、図示においては、第1の透明基板100aおよび第2の透明基板100bは、各透明樹脂基板100のそれぞれ一方の面のみに無機バリア層101aおよび無機バリア層101bが設けられているが、これに限られることなく、各透明樹脂基板100のそれぞれ他方の面にも無機バリア層101aおよび101bが設けられていてもよい。   In the first transparent substrate 100 a, an inorganic barrier layer 101 a, a light shielding layer 102, a colored layer 103, and a common electrode layer 104 are provided on the transparent resin substrate 100. An alignment film 105 is provided on the common electrode layer 104. The second transparent substrate 100 b is provided with an inorganic barrier layer 101 b on the transparent resin substrate 100. Further, a thin film transistor B is provided over the inorganic barrier layer 101b. In the drawing, the first transparent substrate 100a and the second transparent substrate 100b are provided with the inorganic barrier layer 101a and the inorganic barrier layer 101b only on one surface of each transparent resin substrate 100. The inorganic barrier layers 101a and 101b may also be provided on the other surface of each transparent resin substrate 100 without being limited thereto.

<液晶表示素子の作製方法>
液晶表示素子2aの作製方法は、液晶作製工程、薄膜トランジスタ作製工程、貼り合わせ工程、液晶注入工程、剥離工程および偏光板貼り付け工程を含む。液晶作製工程では、第1パネル部が作製される。薄膜トランジスタ作製工程では、薄膜トランジスタを備える第2パネル部が作製される。
貼り合わせ工程では、第1パネル部と第2パネル部とが貼り合わされ液晶表示素子前駆体が作製される。液晶注入工程では、液晶表示素子前駆体に液晶が注入され、液晶表示素子が作製される。各工程は、液晶作製工程および薄膜トランジスタ作製工程が独立してまたは連続して行われた後、貼り合わせ工程および液晶注入工程が行われ、液晶表示素子を得る。以下、第1実施形態と相違する工程につき詳細に説明する。
<Method for manufacturing liquid crystal display element>
The manufacturing method of the liquid crystal display element 2a includes a liquid crystal manufacturing process, a thin film transistor manufacturing process, a bonding process, a liquid crystal injection process, a peeling process, and a polarizing plate bonding process. In the liquid crystal manufacturing process, the first panel portion is manufactured. In the thin film transistor manufacturing step, a second panel portion including a thin film transistor is manufactured.
In the bonding step, the first panel portion and the second panel portion are bonded together to produce a liquid crystal display element precursor. In the liquid crystal injection step, liquid crystal is injected into the liquid crystal display element precursor to produce a liquid crystal display element. In each process, after the liquid crystal manufacturing process and the thin film transistor manufacturing process are performed independently or continuously, a bonding process and a liquid crystal injection process are performed to obtain a liquid crystal display element. Hereinafter, the steps different from the first embodiment will be described in detail.

1.液晶作製工程
液晶作製工程は、固定工程、および素子作製工程を備える。各工程は固定工程、素子作製工程の順で行われる。固定工程では、第1実施形態同様に透明樹脂基板100が支持体に固定される。素子作製工程では、透明樹脂基板100に設けられた無機バリア層101a、遮光層102、着色層103、共通電極層104、配向膜105、ギャップ保持材501が作製される。ギャップ保持材501としては、例えば図2で示されるような柱状スペーサが使用される。柱状スペーサは球状スペーサフォトリソグラフィー法により作製される。これにより第1パネル部が作製される。
1. Liquid crystal manufacturing process The liquid crystal manufacturing process includes a fixing process and an element manufacturing process. Each process is performed in the order of a fixing process and an element manufacturing process. In the fixing step, the transparent resin substrate 100 is fixed to the support as in the first embodiment. In the element manufacturing process, the inorganic barrier layer 101a, the light shielding layer 102, the colored layer 103, the common electrode layer 104, the alignment film 105, and the gap holding member 501 provided on the transparent resin substrate 100 are manufactured. As the gap holding member 501, for example, a columnar spacer as shown in FIG. 2 is used. The columnar spacer is manufactured by a spherical spacer photolithography method. Thereby, the first panel portion is manufactured.

2.薄膜トランジスタ作製工程
薄膜トランジスタ作製工程では、第2の透明基板100bまたは無機バリア膜上に薄膜トランジスタBが作製される。薄膜トランジスタ作製方法は、第一実施形態に係る有機EL素子の作製方法における薄膜トランジスタ作製工程と同様である。その後、作製された薄膜トランジスタB上に、配向膜106を積層し第2パネル部となる。
2. Thin Film Transistor Manufacturing Step In the thin film transistor manufacturing step, the thin film transistor B is manufactured on the second transparent substrate 100b or the inorganic barrier film. The thin film transistor manufacturing method is the same as the thin film transistor manufacturing step in the organic EL device manufacturing method according to the first embodiment. Thereafter, an alignment film 106 is laminated on the thin film transistor B thus manufactured to form a second panel portion.

3.貼り合わせ工程
貼り合わせ工程では、第1パネル部と第2パネル部とがシール剤502を使用して貼り合わされる。これにより、液晶表示素子前駆体が得られる。貼り合わせる方法としては、無機バリア層101aおよび無機バリア層101bの少なくともいずれかにシール材502を設け、第1パネル部と第2パネル部とを、無機バリア層101aおよび向きバリア層101bが相対する向きで、シール材502を介して張り合わせる。シール材502としては、例えば硬化性樹脂が挙げられる。シール剤502が紫外線硬化樹脂である場合、貼り合わせ後にシール剤502に紫外線を照射することができる。この場合、熱による基板変形がなく、さらには確実に硬化させることができる。
3. Bonding Step In the bonding step, the first panel portion and the second panel portion are bonded using the sealant 502. Thereby, a liquid crystal display element precursor is obtained. As a bonding method, a sealing material 502 is provided on at least one of the inorganic barrier layer 101a and the inorganic barrier layer 101b, and the inorganic barrier layer 101a and the orientation barrier layer 101b face each other between the first panel portion and the second panel portion. In the direction, they are bonded together through the sealing material 502. An example of the sealing material 502 is a curable resin. In the case where the sealant 502 is an ultraviolet curable resin, the sealant 502 can be irradiated with ultraviolet rays after being attached. In this case, there is no deformation of the substrate due to heat, and it can be cured more reliably.

4.液晶注入工程
液晶注入工程では、液晶表示素子前駆体中のギャップ保持材501により生じた間隙に液晶500が注入される。これにより、液晶表示素子が得られる。
4). Liquid Crystal Injection Step In the liquid crystal injection step, the liquid crystal 500 is injected into the gap generated by the gap holding material 501 in the liquid crystal display element precursor. Thereby, a liquid crystal display element is obtained.

5.剥離工程
剥離工程では、第1の透明基板100aおよび第2の透明基板100bに固定されたそれぞれの支持材が剥離される。剥離方法は、第一実施形態に係る有機EL素子の作製方法における剥離工程と同様である。なお、剥離工程は貼り合わせ工程または液晶注入工程の前に行っても良い。
5. Stripping Step In the stripping step, the respective support materials fixed to the first transparent substrate 100a and the second transparent substrate 100b are stripped. The peeling method is the same as the peeling step in the method for manufacturing the organic EL element according to the first embodiment. Note that the peeling step may be performed before the bonding step or the liquid crystal injection step.

6.偏光板貼り付け工程
偏光板貼り付け工程では、第1の透明基板100aおよび第2の透明基板100bのそれぞれ配向膜105および配向膜106が設けられた側と反対側に、偏光板がそれぞれ貼り合わされる。これにより、液晶表示素子2aが得られる。なお、偏光板貼り付け工程は、支持材が剥離された後であればよく、貼り合わせ工程の前に行ってもよい。
6). Polarizing plate pasting step In the polarizing plate pasting step, polarizing plates are pasted on the opposite sides of the first transparent substrate 100a and the second transparent substrate 100b on which the alignment film 105 and the alignment film 106 are provided, respectively. The Thereby, the liquid crystal display element 2a is obtained. Note that the polarizing plate attaching step may be performed after the support material is peeled off, and may be performed before the attaching step.

上記実施形態では、張り合わせ工程および液晶注入工程がこの順で行われることを説明したが、他の実施形態として、液晶注入工程および張り合わせ工程がこの順で行われてもよい。
他の実施形態においては、液晶500を注入する方法として、ODF(液晶滴下)プロセスが好ましく使用される。ここで、ODFプロセスにおいては、液晶注入口を形成せず、たとえば第1の透明基板100aの無機バリア層101a上に閉環形状の紫外線硬化型のシール材502を形成し、その後、適量の液晶500をシール材502の内側領域に滴下し、第2の透明基板100bを、無機バリア層101aと無機バリア層101bとが対向するように真空装置を用いて貼り合わせた後、紫外線硬化型のシール材502を紫外線照射により硬化させる。ODFプロセスを用いることで、液晶500を注入する時間および製造工程全体の時間の短縮が可能となり、液晶光学素子を安価にで製造することが可能となる。これにより、液晶表示素子を得る。
In the above-described embodiment, it has been described that the bonding step and the liquid crystal injection step are performed in this order. However, as another embodiment, the liquid crystal injection step and the bonding step may be performed in this order.
In another embodiment, an ODF (liquid crystal dropping) process is preferably used as a method for injecting the liquid crystal 500. Here, in the ODF process, a liquid crystal injection port is not formed, for example, a ring-shaped ultraviolet curable sealant 502 is formed on the inorganic barrier layer 101a of the first transparent substrate 100a, and then an appropriate amount of the liquid crystal 500 is formed. Is dropped onto the inner region of the sealing material 502, and the second transparent substrate 100b is bonded using a vacuum apparatus so that the inorganic barrier layer 101a and the inorganic barrier layer 101b face each other, and then an ultraviolet curable sealing material. 502 is cured by ultraviolet irradiation. By using the ODF process, it is possible to shorten the time for injecting the liquid crystal 500 and the entire manufacturing process, and it is possible to manufacture the liquid crystal optical element at low cost. Thereby, a liquid crystal display element is obtained.

―第3実施形態―
第3実施形態に係る表示素子作製方法では、第1実施形態および第2実施形態に係る透明樹脂膜が、塗布工程および塗膜形成工程を経て作製される。塗布工程では、樹脂含有体または樹脂前駆体含有体が支持材へ塗布される。塗膜形成工程では、塗布工程後の支持材上に、樹脂含有体または樹脂前駆体含有体由来の透明樹脂塗膜が形成される。
-Third embodiment-
In the display element manufacturing method according to the third embodiment, the transparent resin film according to the first embodiment and the second embodiment is manufactured through a coating process and a coating film forming process. In the application step, the resin-containing body or the resin precursor-containing body is applied to the support material. In the coating film forming process, a transparent resin coating film derived from the resin-containing body or the resin precursor-containing body is formed on the support material after the coating process.

樹脂含有体または樹脂前駆体含有体としては、例えば、任意の溶媒に樹脂および樹脂前駆体の少なくとも一方を分散させた分散液、樹脂および樹脂前駆体の少なくとも一方を任意の溶媒に溶解させた溶液、並びに樹脂および樹脂前駆体の少なくとも一方をワニス化したワニス等を用いることができる。なお、ワニスはいわゆる無溶剤型ワニスであっても溶剤型ワニスであってもよい。   Examples of the resin-containing body or the resin precursor-containing body include a dispersion in which at least one of a resin and a resin precursor is dispersed in an arbitrary solvent, and a solution in which at least one of the resin and the resin precursor is dissolved in an arbitrary solvent. In addition, a varnish obtained by varnishing at least one of a resin and a resin precursor can be used. The varnish may be a so-called solventless varnish or a solvent varnish.

塗布工程では、刷毛等で支持材へ直接塗布する方法や、ナイフコーティング、切欠き棒コーティング、バーコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、電気スプレーコーティング、ダイコーティング、又はグラビアコーティングのような、溶液、分散液、またはワニス等を基材へ塗布するための一般的な塗布方法またはコーティング技術等を用いることができる。   In the coating process, it can be applied directly to the support material with a brush, etc., such as knife coating, notch bar coating, bar coating, spin coating, dip coating, spray coating, electrospray coating, die coating, or gravure coating, A general coating method or coating technique for coating a solution, dispersion, varnish or the like on a substrate can be used.

塗膜形成工程は、例えば、樹脂含有体または樹脂前駆体含有体中に含まれる溶剤等を乾燥、置換等により除去することで実現できる。なお、溶剤等の除去の前および後の少なくともいずれかにおいて、必要に応じて樹脂又は樹脂前駆体を架橋させるための熱および光の少なくとも一方を加えることもできる。また、溶剤等除去後の塗膜に熱アニール処理を行うこともできる。   A coating-film formation process is realizable by removing the solvent etc. which are contained in a resin containing body or a resin precursor containing body by drying, substitution, etc., for example. It should be noted that at least one of heat and light for cross-linking the resin or resin precursor may be applied as necessary before and / or after the removal of the solvent and the like. In addition, a thermal annealing treatment can be performed on the coating film after removal of the solvent and the like.

以上、本発明に係る表示素子は上記の各実施形態にとらわれず、適切な方法を随時採用することができる。   As described above, the display element according to the present invention is not limited to the above-described embodiments, and an appropriate method can be adopted as needed.

さらに、上記の表示素子を使用した画像表示装置としては、例えば液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、電子ペーパー、プラズマディスプレイ等が挙げられる。   Furthermore, examples of the image display device using the display element include a liquid crystal display, an organic EL display, electronic paper, and a plasma display.

1a,1b,1c 有機EL素子
2a 液晶表示素子(表示素子)
100 透明樹脂基板
100a 第1の透明基板
100b 第2の透明基板
101a,101b 無機バリア層
304 発光層
304r 赤色を発光する発光層
304g 緑色を発光する発光層
304b 青色を発光する発光層
304wh 白色発光層
307r 赤色フィルタ
307g 緑色フィルタ
307b 青色フィルタ
307bk 各フィルタを分離するブラックマトリックス層
400 封止部材
A 基板
B 薄膜トランジスタ
C 有機EL層
1a, 1b, 1c Organic EL element 2a Liquid crystal display element (display element)
100 transparent resin substrate 100a first transparent substrate 100b second transparent substrates 101a and 101b inorganic barrier layer 304 light emitting layer 304r light emitting layer 304g emitting red light emitting layer 304b light emitting layer 304b emitting blue light white light emitting layer 307r Red filter 307g Green filter 307b Blue filter 307bk Black matrix layer 400 separating each filter Sealing member A Substrate B Thin film transistor C Organic EL layer

Claims (6)

透明樹脂を主成分とする透明樹脂膜の一方の面に表示素子を作製する工程を含む
表示素子作製方法。
A display element manufacturing method including a step of manufacturing a display element on one surface of a transparent resin film containing a transparent resin as a main component.
前記透明樹脂膜が、
樹脂含有体または樹脂前駆体含有体を支持材へ塗布する塗布工程と、
前記塗布工程後に、樹脂含有体または樹脂前駆体含有体由来の塗膜を形成する塗膜形成工程と、
を経て作製されるものである請求項1に記載の表示素子作製方法。
The transparent resin film is
An application step of applying a resin-containing body or a resin precursor-containing body to a support material;
After the coating step, a coating film forming step for forming a coating film derived from the resin-containing body or the resin precursor-containing body, and
The method for manufacturing a display element according to claim 1, wherein the display element is manufactured through a process.
前記透明樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂からなる
請求項1または2に記載の表示素子作製方法。
The display element manufacturing method according to claim 1, wherein the transparent resin is made of at least one resin selected from the group consisting of epoxy resins, acrylic resins, polyamide resins, and aliphatic cyclic polyolefin resins.
前記表示素子を支持材より剥離する剥離工程
をさらに含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の表示素子作製方法。
The display element manufacturing method of any one of Claim 1 to 3 further including the peeling process which peels the said display element from a support material.
前記表示素子が、画像表示用の表示素子である、
請求項1から4のいずれか1項に記載した表示素子作製方法。
The display element is a display element for image display.
The display element manufacturing method of any one of Claim 1 to 4.
透明樹脂を主成分とする透明樹脂膜の少なくとも一方の面に形成される表示素子。
A display element formed on at least one surface of a transparent resin film containing a transparent resin as a main component.
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