JP2013242945A - Information recording medium, and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
本発明は、情報を記録する情報記録媒体とその製造方法に関し、特に近接場光を用いて高密度に情報を記録する情報記録媒体とその製造方法に関する。 The present invention relates to an information recording medium for recording information and a manufacturing method thereof, and more particularly to an information recording medium for recording information with high density using near-field light and a manufacturing method thereof.
従来の光学的な情報記録装置として、CD、DVD、Blu−rayディスク等の光ディスクが広く用いられている。情報記録分野の更なる発展によって、1枚の光ディスクの記録容量をさらに増やすことが望まれている。そこで、情報層の多層化(例えば、3層−100ギガバイト(GB)のBlu−rayディスク、4層−128GBのBlu−rayディスク等)による記録容量の増大が行われている。 As conventional optical information recording apparatuses, optical discs such as CDs, DVDs, Blu-ray discs and the like are widely used. With the further development of the information recording field, it is desired to further increase the recording capacity of one optical disk. Therefore, the recording capacity has been increased by increasing the number of information layers (for example, a 3 layer-100 gigabyte (GB) Blu-ray disc, a 4 layer-128 GB Blu-ray disc, etc.).
しかし、さらなる大容量化のため、これまでよりさらに高密度の光メモリが求められている。光メモリのさらなる高密度化のためには、最小記録単位となる最短マーク長をこれまで以上に小さくする必要がある。これに対して、現行の光記録方式では、光の回折限界(情報の記録に用いる光の波長程度までしか光を絞ることができないこと)から、これ以上最短マーク長を小さくすることは困難になりつつある。 However, in order to further increase the capacity, an optical memory with higher density than before has been demanded. In order to further increase the density of the optical memory, it is necessary to make the shortest mark length, which is the minimum recording unit, smaller than before. On the other hand, in the current optical recording system, it is difficult to reduce the shortest mark length beyond this because of the diffraction limit of light (because light can be focused only to the wavelength of light used for information recording). It is becoming.
この光の回折限界を打破する技術として、近年、近接場光を用いた光記録方式が提案されている。近接場光とは、光の波長以下の大きさの開口やナノ粒子(100nm以下の大きさの粒子)等に光を照射したとき、そのごく近傍に局在化して発生する光のことである。この近接場光で形成されるスポット径は、照射される光の波長によらず、光が照射される開口やナノ粒子の大きさで決まる。そのため、その開口やナノ粒子を極限まで小さく作ることによって、極めて高密度の光メモリを実現することが可能となる。例えば、Φ20nmのナノ粒子をピッチ40nmで並べた場合、Φ120mmの光ディスクサイズで1層あたり約700GBの大容量の光ディスクを実現できると考えられている。さらに小さなナノ粒子を用いることにより、さらなる大容量化を実現できると考えられている。 In recent years, an optical recording method using near-field light has been proposed as a technique for overcoming this diffraction limit of light. Near-field light is light that is localized and generated in the vicinity of an aperture or nanoparticle (particle having a size of 100 nm or less) having a wavelength less than the wavelength of light. . The spot diameter formed by this near-field light is determined by the size of the opening and the nanoparticles to which the light is irradiated, regardless of the wavelength of the irradiated light. Therefore, an extremely high density optical memory can be realized by making the openings and nanoparticles as small as possible. For example, when nanoparticles having a diameter of 20 nm are arranged at a pitch of 40 nm, it is considered that an optical disk having a large capacity of about 700 GB per layer can be realized with an optical disk size of 120 mm. It is believed that even larger capacities can be realized by using smaller nanoparticles.
近接場光を発生させる技術として、金属の表面プラズモン共鳴を利用した近接場光発生素子が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。この技術は、微小な金属膜に適当な波長の光を照射して表面プラズモン共鳴を誘起し、金属膜近傍に近接場光を発生させて記録を行うものである。また、記録密度を向上させるため、予め基板にパターンを形成したり、相変化材料の膜をドライエッチングしてパターンを形成したりすることにより、安定した記録を行う技術も提案されている(例えば、特許文献2及び特許文献3参照。)。これらの技術を利用して微小な記録マークを形成することで、光メモリのさらなる高密度化、大容量化が実現できると考えられている。 As a technique for generating near-field light, a near-field light generating element using metal surface plasmon resonance has been proposed (for example, see Patent Document 1). In this technique, recording is performed by irradiating a minute metal film with light of an appropriate wavelength to induce surface plasmon resonance and generating near-field light near the metal film. In order to improve the recording density, a technique for performing stable recording by forming a pattern on a substrate in advance or by forming a pattern by dry etching a film of a phase change material has been proposed (for example, , See Patent Document 2 and Patent Document 3.) It is considered that further high density and large capacity of the optical memory can be realized by forming minute recording marks using these techniques.
一方、書換形のDVD、及びBlu−rayディスクでは、情報を記録する記録膜として相変化材料が広く用いられている(例えば、特許文献4参照。)。この場合、相変化材料をレーザの光スポットによって昇温・急冷することによりアモルファス化、あるいは昇温・徐冷することにより結晶化することによって、相変化材料の相状態を変化させて、情報を記録・消去する。また、相変化材料の相状態の違いに起因する反射率変化をレーザ光により読み取ることで、情報を再生することができる。 On the other hand, phase-change materials are widely used as recording films for recording information in rewritable DVDs and Blu-ray discs (for example, see Patent Document 4). In this case, by changing the phase state of the phase change material by changing the phase state of the phase change material by making the phase change material amorphous by heating / rapid cooling with a laser light spot or by crystallization by heating / slow cooling. Record / erase. Further, information can be reproduced by reading the reflectance change caused by the difference in phase state of the phase change material with laser light.
上述のように、現在の光記録媒体での高密度化の限界は、光の回折限界で決まっており、相変化材料の物性によるものではない。近接場光により小さな光スポットを形成したり、基板にパターンを形成したりすることにより、記録するマークの微小化を行うことで、相変化材料は高密度記録に対応する光記録材料としても有望な材料であると考えられる。 As described above, the limit of high density in the current optical recording medium is determined by the diffraction limit of light, and is not due to the physical properties of the phase change material. Phase change materials are also promising as optical recording materials for high-density recording by miniaturizing marks to be recorded by forming small light spots with near-field light or forming patterns on the substrate. It is thought that it is a material.
しかし、記録マークの微小化のためにΦ30nm以下のナノ粒子を用いる場合には、融点の低下がおこる可能性がある(例えば、非特許文献1参照。)。したがって、相変化材料の物性変化までを想定した光メモリの開発が重要である。 However, when nanoparticles having a diameter of 30 nm or less are used for miniaturization of the recording mark, the melting point may be lowered (for example, see Non-Patent Document 1). Therefore, it is important to develop an optical memory that assumes even the change in physical properties of the phase change material.
また、記録マークの微小化に伴い情報が記録される領域が小さくなるため、記録マークを形成する相変化材料の体積が減少し、相変化材料と当該相変化材料を取り囲む周辺材料との界面を形成する領域の割合が増大する。特に、予め基板に相変化材料のパターンを形成したり、相変化材料の膜をドライエッチングしてパターンを形成したりする場合、相変化材料が周辺材料に囲まれた形で孤立化されるため、薄膜の場合に比べ界面からの放熱量が多くなる。したがって、相変化材料が光スポットにより昇温された後、急激に冷却されることになり、相変化材料を結晶化に必要な時間だけ結晶化温度以上で保持することが困難になるという課題を有していた。 In addition, since the area in which information is recorded becomes smaller as the recording mark becomes smaller, the volume of the phase change material forming the recording mark decreases, and the interface between the phase change material and the surrounding material surrounding the phase change material is reduced. The ratio of the area | region to form increases. In particular, when a pattern of a phase change material is previously formed on a substrate, or when a pattern is formed by dry etching a phase change material film, the phase change material is isolated in a form surrounded by surrounding materials. The amount of heat released from the interface is larger than that of a thin film. Therefore, after the temperature of the phase change material is raised by the light spot, the phase change material is rapidly cooled, and it is difficult to maintain the phase change material at a temperature higher than the crystallization temperature for a time required for crystallization. Had.
本発明の目的は、高密度での記録・消去が可能な情報記録媒体とその製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide an information recording medium capable of recording and erasing at a high density and a manufacturing method thereof.
前記従来の課題を解決するために、本発明に係る情報記録媒体は、
基板と、
前記基板上に孤立した状態で配列され、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料と、前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料と、を含む複数のナノ記録領域と、
を備える。
In order to solve the above-described conventional problems, an information recording medium according to the present invention includes:
A substrate,
A plurality of nano-records including a recording material arranged in an isolated state on the substrate and causing a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase, and a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material Area,
Is provided.
本発明に係る情報記録媒体によれば、孤立した記録材料、すなわちナノ記録領域の結晶化を促進することができ、特に高密度な記録において、安定した記録又は書き換えを実現することができる。 According to the information recording medium of the present invention, crystallization of an isolated recording material, that is, a nano-recording region can be promoted, and stable recording or rewriting can be realized particularly in high-density recording.
本発明の第1の態様に係る情報記録媒体は、
基板と、
前記基板上に孤立した状態で配列された、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料と、前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料と、を含む複数のナノ記録領域と、
前記ナノ記録領域の内部に、前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料を含む結晶化促進材料と、
を備える。
An information recording medium according to the first aspect of the present invention provides:
A substrate,
A plurality of nanostructures, comprising: a recording material that is arranged on the substrate in an isolated state and causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase; and a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material. Recording area,
A crystallization promoting material containing a crystallization promoting material for promoting crystallization of the recording material inside the nano recording region;
Is provided.
第2の態様に係る情報記録媒体は、前記第1の態様において、前記結晶化促進材料は、炭素Cを含んでもよい。 In the information recording medium according to the second aspect, in the first aspect, the crystallization promoting material may contain carbon C.
第3の態様に係る情報記録媒体は、前記第1の態様において、前記結晶化促進材料は、炭素単体を含んでもよい。 In the information recording medium according to a third aspect, in the first aspect, the crystallization promoting material may contain carbon alone.
第4の態様に係る情報記録媒体は、前記第1の態様において、前記結晶化促進材料は、フラーレンを含んでもよい。 In the information recording medium according to a fourth aspect, in the first aspect, the crystallization promoting material may include fullerene.
第5の態様に係る情報記録媒体は、前記第1の態様において、前記記録材料は、Ge−Teを含み、且つTeを50原子%以上含んでもよい。 In the information recording medium according to a fifth aspect, in the first aspect, the recording material may contain Ge-Te and may contain 50 atomic% or more of Te.
第6の態様に係る情報記録媒体は、前記第1の態様において、前記記録材料は、Sb−Ge及びSb−Teから選ばれるいずれか一つの材料を含み、且つSbを70原子%以上含んでもよい。 The information recording medium according to a sixth aspect is the information recording medium according to the first aspect, wherein the recording material includes any one material selected from Sb—Ge and Sb—Te, and contains 70 atomic% or more of Sb. Good.
第7の態様に係る情報記録媒体は、前記第1の態様において、前記ナノ記録領域は、情報記録方向に沿った長さが、3nm以上100nm以下であってもよい。 In the information recording medium according to a seventh aspect, in the first aspect, the nano recording region may have a length along the information recording direction of 3 nm or more and 100 nm or less.
第8の態様に係る情報記録媒体は、前記第1の態様において、前記ナノ記録領域は、近接場光を用いて、前記ナノ記録領域に対して情報を記録可能である。 An information recording medium according to an eighth aspect is the information recording medium according to the first aspect, wherein the nano recording area can record information in the nano recording area using near-field light.
第9の態様に係る情報記録媒体は、前記第1の態様において、前記ナノ記録領域は、近接場光を用いて情報を再生可能である。 An information recording medium according to a ninth aspect is the information recording medium according to the first aspect, wherein the nano recording area can reproduce information using near-field light.
本発明の第10の態様に係る情報記録媒体の製造方法は、
(I)基板を用意する工程と、
(II)前記基板上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上、100nm以下である複数の孤立したピラーを形成する工程と、
(III)前記ピラーが形成された前記基板上に、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料と、前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料と、を成膜することによって、前記ピラー上にナノ記録領域を形成する工程と、
を含む。
An information recording medium manufacturing method according to a tenth aspect of the present invention includes:
(I) a step of preparing a substrate;
(II) forming a plurality of isolated pillars having a length along the information recording direction of 3 nm or more and 100 nm or less on the substrate;
(III) Forming on the substrate on which the pillars are formed a recording material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase, and a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material Forming a nano-recording region on the pillar; and
including.
上記第10の態様の情報記録媒体の製造方法により、特に高密度な記録を行う場合に、孤立した記録材料の結晶化を促進し、安定した記録又は書き換え性能を有する情報記録媒体を製造することができる。 By the information recording medium manufacturing method of the tenth aspect, particularly when performing high-density recording, the crystallization of an isolated recording material is promoted, and an information recording medium having stable recording or rewriting performance is manufactured. Can do.
本発明の第11の態様に係る情報記録媒体の製造方法は、
(II)前記基板上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下である複数の孤立したピラーを形成する工程と、
(III)前記ピラーが形成された前記基板上に、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料を成膜する工程と、
(IV)前記記録材料の内部に、前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料を分散させることによって、前記ピラー上にナノ記録領域を形成する工程と、
を含む。
An information recording medium manufacturing method according to an eleventh aspect of the present invention includes:
(II) forming a plurality of isolated pillars having a length along the information recording direction of 3 nm or more and 100 nm or less on the substrate;
(III) depositing a recording material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase on the substrate on which the pillar is formed;
(IV) forming a nano-recording region on the pillar by dispersing a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material in the recording material;
including.
本発明の第12の態様に係る情報記録媒体の製造方法は、
(I)基板を用意する工程と、
(II)前記基板上に、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料を含む多層膜を形成する工程と、
(III)前記記録材料の内部に前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料を分散させる工程と、
(IV)前記多層膜の上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下となるパターンを有するマスクを配置する工程と、
(V)前記マスクの上から前記多層膜をエッチングする工程と、
(VI)前記マスクを除去して、前記基板上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下であるナノ記録領域を形成する工程と、
を含む。
An information recording medium manufacturing method according to a twelfth aspect of the present invention includes:
(I) a step of preparing a substrate;
(II) forming a multilayer film including a recording material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase on the substrate;
(III) dispersing a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material in the recording material;
(IV) disposing a mask having a pattern having a length in the information recording direction of 3 nm to 100 nm on the multilayer film;
(V) etching the multilayer film from above the mask;
(VI) removing the mask and forming, on the substrate, a nano recording region having a length along the information recording direction of 3 nm or more and 100 nm or less;
including.
本発明の第13の態様に係る情報記録媒体の製造方法は、
(I)基板を用意する工程と、
(II)前記基板上に、下地層を形成する工程と、
(III)前記下地層の上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下のパターンを有するマスクを配置する工程と、
(IV)前記マスクの上から前記下地層をエッチングすることによって、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下となる前記下地層のパターンを形成する工程と、
(V)前記下地層のパターンが形成された前記基板上に、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料を含む多層膜を形成する工程と、
(VI)前記記録材料の内部に前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料を分散させる工程と、
(VII)前記下地層を、前記下地層の上に形成された前記多層膜と共に除去することにより、前記基板上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下のナノ記録領域を形成する工程と、
を含む。
A method for manufacturing an information recording medium according to the thirteenth aspect of the present invention includes:
(I) a step of preparing a substrate;
(II) forming a base layer on the substrate;
(III) disposing a mask having a pattern with a length of 3 nm or more and 100 nm or less along the information recording direction on the underlayer;
(IV) forming the pattern of the base layer having a length along the information recording direction of 3 nm to 100 nm by etching the base layer from above the mask;
(V) forming a multilayer film including a recording material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase on the substrate on which the pattern of the underlayer is formed;
(VI) dispersing a crystallization promoting material for promoting crystallization of the recording material in the recording material;
(VII) By removing the underlayer together with the multilayer film formed on the underlayer, a nano-recording region having a length along the information recording direction of 3 nm to 100 nm is formed on the substrate. And a process of
including.
以下、本発明の実施の形態に係る情報記録媒体及びその製造方法について、添付図面を参照しながら説明する。なお、説明の便宜上、図面はすべて情報記録媒体の一部を拡大して示している。 Hereinafter, an information recording medium and a manufacturing method thereof according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. For convenience of explanation, all the drawings show an enlarged part of the information recording medium.
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態1に係る情報記録媒体100の一構成例の要部拡大斜視図である。図1に示すように、この情報記録媒体100は、ガラスからなる基板102と、基板102上にそれぞれ孤立した状態で配列された複数の相変化ナノ粒子(ナノ記録領域)101とを備えている。なお、便宜上、図1には示されていないが、情報記録媒体100は、相変化ナノ粒子101の表面上の少なくとも一部に、相変化ナノ粒子101の内部に結晶化促進材料103(例えば図2参照)をさらに備えている。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is an enlarged perspective view of a main part of a configuration example of the
図2は、図1の要部拡大断面図であり、基板102上に孤立した状態で配列された相変化ナノ粒子101と、相変化ナノ粒子101の内部に結晶化促進材料103と、が形成された構成例の断面構造を示している。相変化ナノ粒子101は、結晶相と非晶質相との間で相変化を起こす記録材料を含んでいる。図2に示すように、本実施の形態1では、結晶化促進材料103は、相変化ナノ粒子101の内部に配置されており、結晶化促進材料103は、記録材料の結晶化を促進するために設けられる。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the main part of FIG. 1, in which
以下に、この情報記録媒体100を構成する各構成部材について説明する。
<基板>
基板102は、例えば、円盤形状の基板を用いることができる。なお、基板102は、円盤形状に限られない。基板102を構成する材料としては、平坦性が高く、記録時に情報記録媒体100を回転させたときの安定性が高いものが好ましい。なお、本実施の形態では、基板102として、平坦性に優れたガラスを用いたが、これに限定されるものではなく、アルミなどの金属や、ポリカーボネートなどのプラスチック材料を用いてもよい。
Below, each structural member which comprises this
<Board>
As the
<相変化ナノ粒子>
相変化ナノ粒子101の形状は、特に限定されず、円柱、三角柱、四角柱、球、円錐、三角錐、四角錐、逆三角錐、又はそれに類似した形状等であっても構わない。
また、相変化ナノ粒子101の厚みは、相変化ナノ粒子101の情報記録方向に沿った長さの1/2以上、2倍以下であることが好ましい。相変化ナノ粒子101の厚みがこの範囲にあることにより、近接場光を効率的に相変化ナノ粒子101に集中させ、安定した記録を行うことが可能となる。
<Phase change nanoparticles>
The shape of the
The thickness of the
<記録材料>
相変化ナノ粒子101に含まれる記録材料(以下、「相変化ナノ粒子101の材料」と記載することがある。)は、結晶相と非晶質相との間で相変化を起こす材料からなる。この相変化ナノ粒子101の材料としては、情報記録媒体100の書き込み速度を高めるために、相変化ナノ粒子101の結晶化速度が速いものが好ましい。特に、相変化ナノ粒子101の材料としては、Ge−Teを含み、Teを50原子%以上含んでもよい。この場合、相変化ナノ粒子101の材料として、GeTe、(Ge−Sn)Te、GeTe−Sb2Te3、(Ge−Sn)Te−Sb2Te3、GeTe−Bi2Te3、(Ge−Sn)Te−Bi2Te3、GeTe−(Sb−Bi)2Te3、(Ge−Sn)Te−(Sb−Bi)2Te3、GeTe−(Bi−In)2Te3、及び(Ge−Sn)Te−(Bi−In)2Te3のいずれかを含む材料を用いることができる。また、相変化ナノ粒子101の材料として、Sb−Ge及びSb−Teから選ばれるいずれか一つの材料を含み、Sbを70原子%以上含んでもよい。この場合、(Sb−Te)−Ga、Sb−Ge、(Sb−Te)−Ge、(Sb−Te)−In、Sb−Mn−Ge、Sb−Sn−Ge、Sb−Mn−Sn−Ge、及び(Sb−Te)−Ag−Inのいずれかを含む材料を用いることもできる。なお、相変化ナノ粒子101の材料としては、情報を再生する光の波長で相変化ナノ粒子101の材料のアモルファス状態での誘電率の実数部の符号と結晶状態での誘電率の実数部の符号が互いに異なることがより好ましい。
<Recording material>
The recording material contained in the phase change nanoparticles 101 (hereinafter sometimes referred to as “material of the
<結晶化促進材料>
相変化ナノ粒子101に含まれる結晶化促進材料103は、記録材料の結晶化を促進する。この結晶化促進材料103は、この実施の形態1では記録材料中に分散して設けられているが、結晶化促進材料103を設ける態様はこれに限られない。例えば、相変化ナノ粒子101の側面、底面又は上面に結晶化促進材料103を設けてもよい。
<Crystalline accelerating material>
The
また、結晶化促進材料103としては、例えば、C(炭素)を含む材料を用いることができる。炭素を含む材料としては、例えば、炭素単体を用いることができる。その中でも特に、炭素原子が複数個集まってクラスターを形成したフラーレンを用いることが好ましい。フラーレンとして代表的なものは、炭素原子が60個集まって構成される切頂20面体のサッカーボール状構造を有するC60であるが、これに限られず、炭素原子の数が60個を超える高次フラーレン(C70、C74等)も使用できる。なお、C60の直径は0.7nmであり、通常の元素の原子半径より大きく、また、表面積を大きくできるため、同じモル比で相変化ナノ粒子101の内部に分散させた場合に、結晶化の起点となる結晶核をより多く生成することができる。さらに、C60の融点は1180℃と、相変化ナノ粒子101の材料の融点(約600℃)より十分高いため、相変化ナノ粒子101を溶融してアモルファス化する際に相変化ナノ粒子101の材料と混ざり、相変化ナノ粒子101の材料の結晶化速度を低下させる可能性も低いため好ましい。さらに、炭素単体として、カーボンナノチューブを用いることもできる。
As the
<下部保護膜、上部保護膜>
図3(A)から(D)は、それぞれ情報記録媒体100の別の構成例の要部拡大断面図である。図3(A)は、基板102と相変化ナノ粒子101との間に下部保護膜104を設けている構成例の断面図である。図3(B)は、基板102と相変化ナノ粒子101との間に下部保護膜104を設けると共に、相変化ナノ粒子101の形状に沿って上部保護膜105を設けている構成例の断面図である。図3(C)は、相変化ナノ粒子101の形状に沿って上部保護膜105を設けている構成例の断面図である。図3(D)は、基板102と相変化ナノ粒子101との間に下部保護膜104を設けると共に、相変化ナノ粒子101を覆って面一となるように上部保護膜105を設けている構成例の断面図である。図3(A)から(D)に示すように、情報記録媒体100は、相変化ナノ粒子101を保護する下部保護膜104(基板側)及び/又は上部保護膜105(基板と反対側)をさらに有していてもよい。このように、下部保護膜104及び/又は上部保護膜105で相変化ナノ粒子101を保護することにより、相変化ナノ粒子101に安定して情報を記録、又は書き換えることが可能となる。
<Lower protective film, upper protective film>
3A to 3D are enlarged cross-sectional views of main parts of another configuration example of the
下部保護膜104及び/又は上部保護膜105の材料としては、誘電体材料を用いることが好ましい。例えば、TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、SnO2、Al2O3、Bi2O3、Cr2O3、Ga2O3、In2O3、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Dy2O3、Yb2O3、CaO、MgO、CeO2、及びTeO2等から選ばれる1種または複数種の酸化物を用いることができる。また、C−N、Ti−N、Zr−N、Nb−N、Ta−N、Si−N、Ge−N、Cr−N、Al−N、Ge−Si−N、及びGe−Cr−N等から選ばれる1種または複数種の窒化物を用いることもできる。また、ZnS等の硫化物やSiC等の炭化物、LaF3及びCeF3等の弗化物、及びCを用いることもできる。また、上記材料から選ばれる1種または複数種の材料の混合物を用いて、下部保護膜104及び/又は上部保護膜105を形成することもできる。
As a material of the lower
下部保護膜104及び/又は上部保護膜105の厚みは、20nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがさらに好ましい。下部保護膜104及び/又は上部保護膜105の厚みを10nm以下にすることで、後述の近接場光が相変化ナノ粒子101に集中しやすくなり、安定した記録を行うことが可能となる。
The thickness of the lower
<下部反射膜、上部反射膜>
図4(A)から(D)は、それぞれ情報記録媒体100のさらに別の構成例の要部拡大断面図である。図4(A)は、基板102と相変化ナノ粒子101との間に下部反射膜106及び下部保護膜104を設けると共に、相変化ナノ粒子101の形状に沿って上部保護膜105を設けている構成例の断面図である。図4(B)は、基板102と相変化ナノ粒子101との間に下部反射膜106及び下部保護膜104を設けると共に、相変化ナノ粒子101の形状に沿って上部保護膜105及び上部反射膜107を設けている構成例の断面図である。図4(C)は、基板102と相変化ナノ粒子101との間に下部保護膜104を設けると共に、相変化ナノ粒子101の形状に沿って上部保護膜105及び上部反射膜107を設けている構成例の断面図である。図4(D)は、基板102と相変化ナノ粒子101との間に下部反射膜106及び下部保護膜104を設けると共に、相変化ナノ粒子101を覆って面一となるように上部保護膜105を設け、さらにその上に上部反射膜107を設けている構成例の断面図である。図4(A)から(D)に示すように、情報記録媒体100は、相変化ナノ粒子101の記録材料に効率的に光を吸収させることが可能となるように、下部反射膜106(基板側)及び/又は上部反射膜107(基板と反対側)をさらに有していてもよい。このように、下部反射膜106及び/又は上部反射膜107を相変化ナノ粒子101内に配置することにより、後述の近接場光が相変化ナノ粒子101に集中しやすくなり、安定した記録を行うことが可能となる。
<Lower reflection film, upper reflection film>
4A to 4D are enlarged cross-sectional views of main parts of still another configuration example of the
下部反射膜106及び/又は上部反射膜107の材料としては、金属材料を用いることが好ましく、例えばAg、Au、Cu、Pt、Pd、Al、Cr、Fe、Co、Ni、Nb、Mo、Ru、Rh、Ta、W、Re、Os及びIr等から選ばれる1種または複数種の金属を用いることができる。また、Al−Cr、Al−Ti、Al−Ni、Al−Cu、Au−Pd、Au−Cr、Ag−Cu、Ag−Pd、Ag−Pd−Cu、Ag−Pd−Ti、Ag−Ru−Au、Ag−Cu−Ni、Ag−Zn−Al、Ag−Nd−Au、Ag−Nd−Cu、Ag−Bi、Ag−Ga、Ag−Ga−In、Ag−Ga−Cu、Ag−In、Ag−In−Sn又はCu−Siといった合金を用いることもできる。特に、Agを50原子%以上含むAg合金は後述の近接場光を相変化ナノ粒子101に集中させやすく、下部反射膜106及び/又は上部反射膜107の材料として好ましい。
The material of the lower
下部反射膜106の厚みは、10nm以上であることが好ましく、20nm以上であることがより好ましい。下部反射膜106の厚みを20nm以上とすることで、相変化ナノ粒子101を透過した近接場光を反射して再び相変化ナノ粒子101に戻すことにより、近接場光を効率的に相変化ナノ粒子101に吸収させることが可能となる。また、上部反射膜107の厚みは、10nm以下であることが好ましく、5nm以下であることがより好ましい。上部反射膜107の厚みを5nm以下とすることで、十分な強度の近接場光を相変化ナノ粒子101まで到達させるとともに、近接場光を効率的に相変化ナノ粒子101に集中させ、安定した記録を行うことが可能となる。
The thickness of the lower
図5は、本実施の形態1に係る情報記録媒体100に情報を記録する方法の一例を示す要部拡大斜視図である。なお、便宜上、図5には基板102上に相変化ナノ粒子101のみが配置された様子が示されているが、情報記録媒体100は、実際には、図2、図3(A)から(D)、又は、図4(A)から(D)に示された断面構造を有している。
FIG. 5 is an essential part enlarged perspective view showing an example of a method for recording information on the
図5に示すように、Auからなるアンテナ201に、偏光方向204を持つ光202を照射する。これにより、プラズモン増強によって偏光方向にあるアンテナ201の頂点203に強い近接場光が発生する。そして、この増強した近接場光によって相変化ナノ粒子101が昇温され、相変化ナノ粒子101に情報が記録される。具体的には、相変化ナノ粒子101を融点以上に加熱した後に急冷することで、相変化ナノ粒子101に含まれる記録材料をアモルファス化する(記録)。一方、融点以上に加熱した後に徐冷することにより、相変化ナノ粒子101に含まれる記録材料を結晶化する(消去)。このように、相変化ナノ粒子101がアモルファス状態の場合と、結晶状態の場合と、で異なる物性を有することを利用して、情報を記録することができる。
As shown in FIG. 5, an
なお、本実施の形態1では、アンテナ201の材料としてAuを用いたが、これに限定されず、使用するレーザの波長に合わせてそれとプラズモン共鳴するような材料を選べばよい。
In the first embodiment, Au is used as the material of the
<相変化ナノ粒子の大きさについて>
ここで、本実施の形態に係る図5に示すような孤立した相変化ナノ粒子101へ情報を記録した場合と、図6のような孤立していない連続的な相変化薄膜205へ情報を記録した場合(参考例)とを比較する。図5に示すように、基板102上にそれぞれ孤立して配列された相変化ナノ粒子101に情報を記録した場合、その大きさを最小単位とした良好な記録を行うことができた。一方、図6のような連続的な相変化薄膜205に情報を記録した場合、相変化薄膜205を結晶化する際に、近接場光により相変化薄膜205が加熱されると、相変化薄膜205中に熱が拡散する。このため、図6の連続的な相変化膜を用いた参考例の場合には、近接場光のスポットが30nm以下であっても、30nm以上の大きな記録マークしか記録できない課題があった。
<About the size of phase change nanoparticles>
Here, when information is recorded on isolated
ここで、熱拡散に起因して、連続的な相変化薄膜205(図6)と相変化ナノ粒子101(図5)とで、記録マークの大きさに差が出始めるのは、記録マークが30nm以下となる場合である。従って、情報を30nm以下の微小領域(情報記録方向に沿った長さが30nm以下である領域)に記録する場合には、それぞれが孤立した、情報記録方向に沿った長さが30nm以下の相変化ナノ粒子101を用いることが好ましいことになる。なお、情報を、情報記録方向に沿った長さが30nm以上100nm以下の微小領域に記録する場合にも、熱拡散による複数の記録マーク間の熱干渉を抑制するため、それぞれが孤立した、情報記録方向に沿った長さが100nm以下の相変化ナノ粒子101を用いることが好ましい。
Here, due to thermal diffusion, the difference in the size of the recording mark between the continuous phase change thin film 205 (FIG. 6) and the phase change nanoparticle 101 (FIG. 5) In this case, the thickness is 30 nm or less. Accordingly, when information is recorded in a minute region of 30 nm or less (a region in which the length along the information recording direction is 30 nm or less), each phase is isolated and the length along the information recording direction is 30 nm or less. It would be preferable to use the modified
一方、情報記録方向に沿った長さが30nm以下のような小さな相変化ナノ粒子101にすることで、相変化ナノ粒子101に用いる材料の融点が下がることが知られている(例えば、非特許文献1参照。)。そのため、相変化ナノ粒子101が3nm程度まで小さくなると、相変化ナノ粒子101に含まれる原子数が少なくなり、融点が低くなりすぎてしまう。この結果、熱的な揺らぎによって、相変化ナノ粒子101に記録された情報を安定的に保持することが困難になる。さらに、相変化ナノ粒子101の体積が小さくなると、記録材料を取り囲む周辺材料との界面を形成する領域の割合が増大し、薄膜の場合に比べ界面からの放熱量が多くなる。したがって、相変化ナノ粒子101が近接場光により昇温された後、急激に冷却されることになり、記録材料を結晶化に必要な時間だけ結晶化温度以上で保持することが困難になり、結晶化促進材料103を配置した状態でも記録材料の結晶化が困難となってしまう場合がある。従って、相変化ナノ粒子101の情報記録方向に沿った長さは、3nm以上であることが好ましい。ここで、情報記録方向とは、情報記録媒体100に情報を記録するためのトラッキング方向である。
On the other hand, it is known that the melting point of the material used for the
<情報記録媒体の製造方法>
本実施の形態1に係る情報記録媒体100は、以下に説明する方法によって製造できる。
(1)まず、基板102(例えば、厚み0.6mm、直径(Φ)2.5インチ)を準備して、成膜装置内に配置する。
(2)その後、必要に応じて基板102上に下部反射膜106を成膜する。下部反射膜106は、下部反射膜106を構成する金属または合金からなるターゲットを、希ガス(例えば、Arガス)雰囲気中、又は希ガスと反応ガス(例えば、O2ガス及びN2ガスから選ばれる少なくとも一つのガス)との混合ガス雰囲気中で直流(DC)電源、パルスDC電源、又は高周波(RF)電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。下部反射膜106は金属または合金であるため、成膜速度を高められるDC電源、又はパルスDC電源を用いてスパッタリングすることが好ましい。
<Method of manufacturing information recording medium>
The
(1) First, a substrate 102 (for example, a thickness of 0.6 mm and a diameter (Φ) of 2.5 inches) is prepared and placed in a film forming apparatus.
(2) Thereafter, a lower
(3)続いて、基板102上、又は下部反射膜106上に、必要に応じて下部保護膜104を成膜する。下部保護膜104は、下部保護膜104を構成する誘電体からなるターゲットを、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガス(例えば、O2ガス及びN2ガスから選ばれる少なくとも一つのガス)との混合ガス雰囲気中でRF電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。なお、成膜速度を高めるため、下部保護膜104を構成する材料に導電性の材料を微量添加してターゲットに導電性を付加し、DC電源、またはパルスDC電源を用いてスパッタリングすることもできる。また、下部保護膜104は、下部保護膜104を構成する金属からなるターゲットを、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でDC電源、パルスDC電源、又はRF電源を用いて反応性スパッタリングすることによっても形成できる。
(3) Subsequently, a lower
あるいは、下部保護膜104は、単独の誘電体の各々のターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。また、下部保護膜104は、2種以上の誘電体を組み合わせた2元系ターゲットや3元系ターゲット等を、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス(例えば、O2ガス及びN2ガスから選ばれる少なくとも一つのガス)との混合ガス雰囲気中で実施することができる。
Alternatively, the lower
(4)続いて、基板102上、下部反射膜106上、又は、下部保護膜104上に、相変化ナノ粒子101を形成するための記録材料を含む膜108を成膜する。この記録材料を含む膜108は、記録材料を構成する金属または合金を含むターゲットを所定雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。具体的には、記録材料を構成する金属または合金として、例えば、Ge−Teを含みTeを50原子%以上含む材料、あるいはSb−Ge及びSb−Teから選ばれるいずれか一つの材料を含みSbを70原子%以上含む材料からなるターゲットを用意する。また、雰囲気としては、希ガス(例えば、Arガス)雰囲気中、又は希ガスと反応ガス(例えば、O2ガス及びN2ガスから選ばれる少なくとも一つのガス)との混合ガス雰囲気中から選択すればよい。さらに、スパッタリングは、直流(DC)電源、パルスDC電源、又は高周波(RF)電源のいずれかを選択してスパッタリングすればよい。以上によって、記録材料を含む膜108を形成できる。相変化ナノ粒子101は金属または合金で形成されるため、成膜速度を高められるDC電源、又はパルスDC電源を用いてスパッタリングすることが好ましい。
(4) Subsequently, a
また、記録材料を含む膜108は、例えばGe−Teを含むターゲット、Sb−Geを含むターゲット、Sb−Teを含むターゲット等から選ばれる少なくとも2種以上のターゲットを、2個以上の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。その場合には、使用するターゲットの種類及び数、ならびに電源の出力等に応じて、得られる記録材料の組成が決定されることとなるので、それらを適宜選択して、所望の組成の相変化ナノ粒子101が得られるように記録材料を構成することが好ましい。このように2種以上のターゲットを使用することは、例えば、混合物のターゲットを形成することが困難である場合に有用である。
In addition, the
また、この記録材料を含む膜108は、2種以上の膜を積層して形成されてもよく、例えばGe−Teを含むターゲット、Sb−Geを含むターゲット、Sb−Teを含むターゲット等から選ばれる少なくとも2種以上のターゲットを、2個以上の電源を用いて順次及び/又は同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。即ち、記録材料を含む膜を形成するために、2種以上のターゲットを使用してスパッタリングを2回以上実施してもよく、又は2種以上のターゲットを同時にスパッタリングしてもよい。
The
(5)続いて、相変化ナノ粒子101の内部に結晶化促進材料103を形成する。結晶化促進材料としては、C60を用いることができる。この結晶化促進材料103としてのC60を相変化ナノ粒子101内に分散させる方法としては、相変化ナノ粒子101をスパッタリングにより成膜する際に、例えばC60粉末を同時に蒸着する方法がある。また、相変化ナノ粒子101を成膜後、C60をイオン化し適当な加速電圧を印加してイオン注入する方法を用いることもできる。
(6)続いて、相変化ナノ粒子101上に、必要に応じて上部保護膜105を成膜する。上部保護膜105は、下部保護膜104と同様の方法で成膜できる。
(7)続いて、相変化ナノ粒子101上、又は、上部保護膜105上に、必要に応じて上部反射膜107を成膜する。上部反射膜107は、下部反射膜106と同様の方法で成膜できる。
(5) Subsequently, the
(6) Subsequently, an upper
(7) Subsequently, an upper
なお、下部反射膜106と下部保護膜104との間、下部保護膜104と相変化ナノ粒子101との間、相変化ナノ粒子101と上部保護膜105との間、及び上部保護膜105と上部反射膜107との間に、必要に応じて界面膜(図示せず)を成膜してもよい。なお、界面膜は、下部保護膜104と同様、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つを含む材料を用いて形成することができる。
Note that, between the lower
ここで、記録材料を成膜した後、結晶化促進材料103を分散させた後、又は、上部保護膜105を成膜した後に、記録材料を含む膜108を孤立化させて相変化ナノ粒子101を形成するために、レジストを記録材料の膜上、又は上部保護膜105上に例えばスピンコート法を用いて塗布し、電子線描画装置で電子線をレジストに照射後、レジストを現像して電子線を照射した部分を除去(ポジ型)、あるいは照射していない部分を除去(ネガ型)することにより、レジストに所望のパターンを有するマスク109を形成する。
Here, after the recording material is formed, the
なお、レジストとなる材料としては、例えばTeの酸化物やZnS、遷移金属の酸化物等の無機物や、一般的な電子線用の有機材料からなるレジスト(例えば、日本ゼオン社製の商品名ZEP520、トクヤマ社製の商品名TEBN−1)を用いることができる。なお、レジストの材料は、記録材料や上部保護膜105等とのエッチングレート比を考慮して選択することが好ましい。その後、記録材料からなる膜、上部保護膜105をドライエッチングすることにより、所望のパターンで記録材料を孤立化させて、相変化ナノ粒子101を形成することができる。なお、ドライエッチングには、フッ素系ガス(CF4、SF6、CHF3等)やArガス、及びO2ガス等を用いることができる。なお、上部保護膜105の材料には、フッ素系ガスでのドライエッチングによるエッチングレートが確保できるよう、上部保護膜105を構成する元素のフッ化物の沸点が低いことがより好ましい。
In addition, as a material used as a resist, for example, a resist made of an inorganic material such as an oxide of Te, ZnS, or an oxide of a transition metal, or a general organic material for an electron beam (for example, trade name ZEP520 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.). The trade name TEBN-1) manufactured by Tokuyama Corporation can be used. Note that the resist material is preferably selected in consideration of the etching rate ratio with the recording material, the upper
また、相変化ナノ粒子101を覆って上部保護膜105を形成したのち、表面の凹凸を無くして面一となるように平坦化してもよい。平坦化には、化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing、CMP)やイオンミリングなどの方法を用いることができる。
なお、相変化ナノ粒子101上、上部保護膜105上、あるいは上部反射膜107上に、必要に応じて保護膜(図示せず)を形成してもよい。保護膜には、例えばDLC(Diamond−Like Carbon)膜を用いることができる。
Alternatively, after forming the upper
A protective film (not shown) may be formed on the
また、相変化ナノ粒子101上、上部保護膜105上、上部反射膜107上、あるいは保護膜上に、必要に応じて潤滑膜(図示せず)を形成してもよい。潤滑膜には、例えばフッ素系溶剤の単分子膜を用いることができる。
Further, a lubricant film (not shown) may be formed on the
(6)最後に、記録材料を成膜した後、上部保護膜105を成膜した後、上部反射膜107を成膜した後、保護膜を形成した後、あるいは潤滑膜を形成した後、必要に応じて、記録材料を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録材料の結晶化は、例えばレーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、情報記録媒体100を製造できる。なお、本実施の形態1においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず真空蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法、またはMBE法等を用いることも可能である。
(6) Finally, after the recording material is formed, the upper
The
本実施の形態の情報記録媒体100は、以下の各工程を含む製造方法によって得られる。
この製造方法は、例えば、
(I)基板102を用意する工程と、
(II)基板上102に、記録材料を含む多層膜108を形成する工程と、
(III)記録材料の内部に結晶化促進材料を分散させる工程と、
(IV)多層膜108の上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下となるパターンを有するマスク109を配置する工程と(図7(A)参照。)、
(V)マスク109の上から多層膜108をエッチングする工程と、
(VI)マスク109を除去して、基板102上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下であるナノ記録領域(相変化ナノ粒子101)を形成する工程と(図7(B)参照)、
を含む。
以上、本発明の実施の形態1について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態1に限定されず、本発明の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。
The
This manufacturing method is, for example,
(I) a step of preparing the
(II) forming a
(III) dispersing the crystallization promoting material inside the recording material;
(IV) A step of disposing a
(V) etching the
(VI) removing the
including.
As described above, the first embodiment of the present invention has been described by way of example. However, the present invention is not limited to the first embodiment, and may be applied to other embodiments based on the technical idea of the present invention. it can.
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2に係る情報記録媒体について、図面を参照して説明する。なお、実施の形態1と同様な構成要素については同一の部材番号を付し、その説明を適宜省略する。図8(A)は、本発明の実施の形態2に係る情報記録媒体において、表面に円筒形のピラー301が形成された基板102の一例を示す要部拡大斜視図である。図8(B)は、本発明の実施の形態2に係る情報記録媒体200の一例を示す要部拡大断面図である。
(Embodiment 2)
An information recording medium according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same member number is attached | subjected about the component similar to Embodiment 1, and the description is abbreviate | omitted suitably. FIG. 8A is an enlarged perspective view of a main part showing an example of the
実施の形態1では、基板102の上に相変化ナノ粒子101を孤立した状態で配列させることによって、ナノ記録領域が形成された。本実施の形態2では、図8(A)及び図8(B)に示すように、予め基板102上にピラー301を形成しておき、そのピラー301上に相変化形の記録材料を含む膜(以下、相変化膜)を形成することによって、孤立したナノ記録領域が形成された情報記録媒体200の一例について説明する。すなわち、図8(B)に示すように、本実施の形態2の情報記録媒体200では、基板102上に配列された、情報記録方向に沿った長さが例えば3nm以上100nm以下である複数の孤立したピラー301が設けられており、ナノ記録領域は、ピラー301上に設けられた相変化膜302によって形成されている。なお、本実施の形態2で用いられる記録材料は、実施の形態1で説明された記録材料と同じである。なお、便宜上、図8(B)には示されていないが、情報記録媒体200は、相変化膜302の内部に配置された結晶化促進材料をさらに備えている。
In the first embodiment, the nano-recording region is formed by arranging the
この情報記録媒体200の製造方法の一例について具体的に説明する。
まず、図8(A)に示すように、基板102上に円筒形のピラー301を複数形成する。ここで、各ピラー301は、例えば幅:略20nm、高さ:略20nmとできる。このとき、互いに隣接するピラー301同士が接しないように、各ピラー301は、孤立した状態で形成される。これにより、図8(B)の断面図に示すような相変化膜302が孤立したナノ記録領域となる。
An example of a method for manufacturing the
First, as shown in FIG. 8A, a plurality of
本実施の形態2では、ピラー301は、ナノ・インプリント技術を用いて形成することができる。ナノ・インプリント技術では、例えば、基板に設ける所望のパターンとは逆のパターン(凹形状)を電子線描画によって設けた原盤(モールド)をあらかじめ準備し、このモールドを熱硬化性樹脂にガラス転移温度以上でプレスし、モールドの微細構造を樹脂に転写することによってピラー301を形成する。但し、ピラー301の形成方法はこれに限定されるものではなく、他の方法でピラー301を形成しても構わない。例えば、電子線描画によって作成したパターンに基づき、基板102をエッチングすることで形成することもできる。
In the second embodiment, the
また、基板102上に形成するピラー301の形状についても、図8(A)及び図8(B)に示すような円柱に限定されず、三角柱、四角柱、球、円錐、三角錐、四角錐、逆三角錐、又はそれに類似した形状等であっても構わない。
Further, the shape of the
上述したように、ピラー301上に成膜される、ナノ記録領域となる相変化膜302は、孤立した状態になることが必要である。また、ピラー301上に成膜される、ナノ記録領域となる相変化膜302は、できるだけ微小化し、孤立した状態であって、且つ、できるだけ互いに近接することが、記録密度を向上させる上で好ましい。
As described above, the
また、記録材料を成膜するに際し、相変化膜302が孤立するように、ピラー301の側面には記録材料が成膜されないことが好ましい。例えば、基板とターゲットの間の距離が長いロングスロースパッタ装置等を用いて成膜方向に指向性を有する成膜方法を適用し、ピラー301の上面には記録材料が成膜され易くし、ピラー301の側面には記録材料が成膜され難くすることが好ましい。これにより、ナノ記録領域となる相変化膜302同士を容易に孤立させることができる。
Further, when depositing the recording material, it is preferable that the recording material is not deposited on the side surface of the
上述のように、記録密度を高めるためには、孤立した状態の相変化膜302同士をできるだけ近接して設けることが望ましい。よって、記録密度を高めるためには、ピラー301同士の間隔が狭い方が好ましい。但し、ピラー301同士の間隔が狭すぎると、各ピラー301の上面に形成された相変化膜302同士が接触し、孤立状態が担保できなくなる可能性がある。よって、これらの点を考慮して、ピラー301同士の間隔を設計することが望ましい。
As described above, in order to increase the recording density, it is desirable to provide isolated
例えば、スパッタリングによって、基板102に形成されたピラー301の上面に相変化膜302を成膜する場合、スパッタ粒子としての直線性及びピラー301上に形成される相変化膜302の厚み(スパッタ厚み)に応じて、ピラー301同士の間隔を適切に設計することが望ましい。具体的には、ピラー301同士の間隔は、スパッタ厚みの約30%よりも大きくすることが好ましい。
なお、相変化膜302を成膜する方法としては、上記のスパッタリングに限定されるものではなく、例えば蒸着を用いることも可能である。
For example, when the
Note that the method for forming the
本実施の形態の情報記録媒体200は、以下の各工程を含む製造方法によって得られる。
この情報記録媒体の製造方法は、例えば、
(I)基板102を用意する工程と、
(II)基板102上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下である複数の孤立したピラー301を形成する工程と(図8(A)参照)、
(III)ピラー301が形成された基板102上に、記録材料を成膜することによって、ピラー301上にナノ記録領域となる相変化膜302を形成する工程と(図8(B)参照)、
(IV)ナノ記録領域の内部に結晶化促進材料を分散させる工程と、
を含む。
The
The manufacturing method of this information recording medium is, for example,
(I) a step of preparing the
(II) forming a plurality of
(III) forming a
(IV) dispersing the crystallization promoting material inside the nano-recording region;
including.
以上、本発明の実施の形態2について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。 As described above, the second embodiment of the present invention has been described by way of example. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be applied to other embodiments based on the technical idea of the present invention. .
(実施の形態3)
本発明の実施の形態3に係る情報記録媒体の製造方法について、図面を参照して説明する。なお、実施の形態1と同様な構成要素については同一の部材番号を付し、その説明を適宜省略する。図9(A)から(D)は、本発明の実施の形態3に係る情報記録媒体の製造方法の一例において、各工程を示す要部拡大断面図である。
図9(D)に示すように、本実施の形態3の情報記録媒体300でも、前述の実施の形態1と同様に、基板102上に、ナノ記録領域として相変化ナノ粒子101がそれぞれ孤立した状態で配列している。すなわち、本実施の形態3の情報記録媒体300は、実施の形態2のようにピラー301を用いることなく、実施の形態1と同様に、平坦な基板102上に、直接、相変化ナノ粒子101を形成することによって製造される。なお、本実施の形態3で用いられる記録材料及び結晶化促進材料等は、実施の形態1で説明されたものと同じである。
(Embodiment 3)
A method for manufacturing an information recording medium according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same member number is attached | subjected about the component similar to Embodiment 1, and the description is abbreviate | omitted suitably. FIGS. 9A to 9D are enlarged cross-sectional views showing main steps in an example of the method of manufacturing the information recording medium according to Embodiment 3 of the present invention.
As shown in FIG. 9D, also in the
本実施の形態3に係る情報記録媒体の製造方法の一例を、図9(A)から図9(D)を参照しながら説明する。
(1)図9(A)に示すように、まず、平坦な基板102上に、エッチングし易い材料(例えば、アクリル樹脂等)からなる下地層401を一様に成膜する。
(2)そして、下地層401の上に、所望のパターン402を有するマスクを形成する。具体的には、パターン402(マスク)の材料を下地層401上に一様に形成し、そこに電子線でパターン描画して現像することによって、マスクが形成できる。
(3)その後、図9(B)に示すように、パターン402をマスクとして下地層401を酸素等でエッチングする。その後にマスクを除去することによって、所望のパターンを持った下地層401が形成される。マスクとなる材料としては、例えばTeの酸化物やZnS、遷移金属の酸化物等の無機物や、一般的な電子ビーム用の有機材料からなるレジストを用いることができる。下地層401としては、マスクのパターン402とのエッチングレート差が大きなエッチングし易い任意の材料を選択することができる。このエッチング処理は容易に行える。
An example of a method for manufacturing the information recording medium according to Embodiment 3 will be described with reference to FIGS. 9 (A) to 9 (D).
(1) As shown in FIG. 9A, first, a
(2) Then, a mask having a desired
(3) Thereafter, as shown in FIG. 9B, the
(4)その後、図9(C)に示すように、下地層401のパターンが形成された基板102上に、記録材料を含む膜403をスパッタリングや蒸着等により成膜する。
(5)その後、図9(D)に示すように、下地層401を下地層401の上部に形成された記録材料を含む膜403ごと除去することによって、所望のパターンを持った、孤立した相変化ナノ粒子101が配列された情報記録媒体300を作製することができる。このようにして形成された、それぞれ孤立した状態の記録材料を含む膜403が、情報を記録する相変化ナノ粒子101となる。具体的には、図9(C)の状態の基板102を、下地層401のみ選択的に溶解する溶剤(有機溶剤等)に浸潤すればよい。例えば、下地層401としてアクリル樹脂を用いた場合、アクリル樹脂は有機溶剤に容易に溶解し、下地層401を基板102から除去することができる。
(4) After that, as shown in FIG. 9C, a
(5) After that, as shown in FIG. 9D, the
なお、図9(C)の状態において、下地層401の膜厚(高さ)が記録材料を含む膜403の膜厚よりも大きくなるようにすることが望ましい。これにより、下地層401が膜403で覆いつくされることがないので、基板102を溶剤に浸漬したときに当該溶剤が下地層401に接触して難なく下地層401を除去できるからである。
Note that in the state of FIG. 9C, it is desirable that the thickness (height) of the
上記の情報記録媒体の製造方法により、基板102上に、相変化ナノ粒子101を孤立させた状態で形成することができる。なお、相変化ナノ粒子101の形状については、円柱、三角柱、四角柱、球、円錐、三角錐、四角錐、逆三角錐、又はそれに類似した形状等であっても構わない。
By the method for manufacturing the information recording medium, the
本実施の形態3の情報記録媒体300は、以下の工程を含む製造方法によって得られる。
この製造方法は、例えば、
(I)基板を用意する工程と、
(II)基板102上に、下地層401を形成する工程と、
(III)下地層401の上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下のパターン402を有するマスクを配置する工程と(図9(A)参照)、
(IV)前記マスクの上から下地層401をエッチングすることによって、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下となる下地層401のパターンを形成する工程と(図9(B)参照)、
(V)下地層401のパターンが形成された基板102上に、記録材料を含む多層膜を形成する工程と(図9(C)参照)、
(VI)記録材料の内部に結晶化促進材料を分散させる工程と、
(VII)下地層401を、下地層401の上に形成された多層膜と共に除去することにより、基板102上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下であるナノ記録領域となる相変化ナノ粒子403(101)を形成する工程と(図9(D)参照)、
を含む。
The
This manufacturing method is, for example,
(I) a step of preparing a substrate;
(II) forming a
(III) a step of disposing a mask having a
(IV) A step of forming a pattern of the
(V) forming a multilayer film containing a recording material over the
(VI) a step of dispersing the crystallization promoting material in the recording material;
(VII) By removing the
including.
以上、本発明の実施の形態3について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。 As mentioned above, although Embodiment 3 of the present invention has been described with an example, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be applied to other embodiments based on the technical idea of the present invention. .
なお、発明を実施するための形態1から3の各項においてなされた具体的な実施の形態又は実施例は、あくまでも本発明の技術内容を明らかにするものである。本発明は、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と特許請求の範囲に記載した事項から均等である本発明の技術的範囲内で、種々変更して実施することができる。 It should be noted that the specific embodiments or examples made in the respective sections of the embodiments 1 to 3 for carrying out the invention only clarify the technical contents of the present invention. The present invention is not limited to such specific examples and should not be construed in a narrow sense, but within the technical scope of the present invention equivalent to the spirit of the present invention and the matters described in the claims. Various modifications can be made.
本発明のより具体的な実施の形態について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
(実施例1)
実施例1では、図1の情報記録媒体100を作製し、結晶化促進材料103の有無と、相変化ナノ粒子101の結晶化能との関係を調べた。具体的には、結晶化促進材料を分散させた相変化ナノ粒子101を含む情報記録媒体100のサンプル1−2と結晶化促進材料を含まないサンプル1−1とを作製し、相変化ナノ粒子101にパルスレーザを照射した際の結晶化に要するパルス数を測定し、相変化ナノ粒子101の結晶化しやすさ(結晶化能)を確認した。
More specific embodiments of the present invention will be described in more detail using examples.
Example 1
In Example 1, the
サンプルは以下のようにして製造した。
(1)まず、基板102として、厚み0.6mm、直径Φ2.5インチのガラス基板を準備した。
(2)次いで、そのガラス基板102上に下部反射膜106としてAg−Pd−Cu膜(厚み:20nm)、下部保護膜104として(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25膜(厚み:10nm)、相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜としてGe10Bi2Te13膜(厚み:20nm)、上部保護膜105としてSi−N膜(厚み:10nm)を、順次スパッタリング法によって積層した。
The sample was manufactured as follows.
(1) First, a glass substrate having a thickness of 0.6 mm and a diameter of Φ2.5 inches was prepared as the
(2) Next, an Ag—Pd—Cu film (thickness: 20 nm) as the lower
なお、結晶化促進材料を含むサンプルを作製する際には、Ge10Bi2Te13膜をスパッタリングで形成する際に、結晶化促進材料としてC60粉末を同時に蒸着し、結晶化促進材料を相変化ナノ粒子101内に分散させた。なお、基板とスパッタリングターゲットの距離は100mmとし、基板の中心とスパッタリングターゲットの中心の偏心は50mmとした。また、基板を回転させつつ成膜することで、膜厚ができるだけ均一となるようにした。
When preparing a sample containing the crystallization promoting material, when forming the Ge 10 Bi 2 Te 13 film by sputtering, C 60 powder is simultaneously deposited as the crystallization promoting material, and the crystallization promoting material is used as a phase. Dispersed in the modified
上記の各膜をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ下部反射膜106を成膜するAg−Pd−Cu合金スパッタリングターゲット、下部保護膜104を成膜する(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25スパッタリングターゲット、相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜を成膜するGe−Bi−Te合金スパッタリングターゲット、上部保護膜105を成膜するSi−Nスパッタリングターゲットを備える。なお、スパッタリングターゲットの形状は、いずれもΦ100mm、厚さ6mmである。また、結晶化促進材料は、るつぼ内に充填したC60粉末を抵抗加熱法により蒸着した。
The film forming apparatus for sputtering each of the above films forms an Ag—Pd—Cu alloy sputtering target for forming the lower
下部反射膜106の成膜は、Arガス雰囲気で、圧力を0.2Paとして、直流(DC)電源を用いて、投入パワー200Wで行った。下部保護膜104の成膜は、Arガス雰囲気で、圧力を0.13Paとして、高周波(RF)電源を用いて、投入パワー200Wで行った。相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜の成膜は、Arガス雰囲気で、圧力を0.13Paとして、DC電源を用いて、投入パワー100Wで行った。上部保護膜105の成膜は、Arガス雰囲気で、圧力を0.13Paとして、RF電源を用いて、投入パワー200Wで行った。
The lower
(3)次に、上部保護膜105上に電子線描画用のレジスト(トクヤマ社製ネガ型レジスト:TEBN−1)を塗布し、電子線描画装置で電子線をレジストに照射後、レジストを現像して電子線を照射していない部分を除去することにより、レジストにΦ20nm、ピッチ40nmのパターンを形成した。その後、CF4ガスを用いてドライエッチングを行い、上部保護膜105、及び相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜の孤立化を行った。
(4)続いて、孤立化した相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜(相変化ナノ粒子101)の酸化を防止するための上部保護膜105として、Si−N膜(厚み:10nm)をスパッタリング法によって成膜した。
(5)最後に、相変化ナノ粒子101をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
以上のようにして、結晶化促進材料103を含む相変化ナノ粒子101を有するサンプル1−2と、結晶化促進材料103を含まない相変化ナノ粒子101を有するサンプル1−1とをそれぞれ製造した。
(3) Next, a resist for electron beam drawing (negative type resist: TEBN-1 manufactured by Tokuyama Co., Ltd.) is applied on the upper
(4) Subsequently, an Si—N film (thickness: 10 nm) is used as the upper
(5) Finally, an initialization process for crystallizing the
As described above, Sample 1-2 having
このようにして得られたサンプル1−1、1−2について、波長532nm、スポット径1μm、パルス幅50ピコ秒(ps)のパルスレーザを相変化ナノ粒子101に照射することにより、記録・消去実験を行った。まず、15ピコジュール(pJ)のエネルギーでパルスレーザを1回照射することにより相変化ナノ粒子101をアモルファス化(記録)させる。その後、5pJのエネルギーでパルスレーザを複数回照射して、結晶化(消去)させることができる回数をカウントすることで、相変化ナノ粒子101の結晶化能を評価した。なお、相変化ナノ粒子101がアモルファス相か結晶相かの判断は、光学顕微鏡でレーザ照射領域の反射率変化を確認することによって行った。
The samples 1-1 and 1-2 thus obtained were recorded and erased by irradiating the
作製したサンプル(1−1、1−2)について、結晶化促進材料103の有無と相変化ナノ粒子101を結晶化させるために必要なピコ秒レーザのパルス数の関係を、表1に示す。
Table 1 shows the relationship between the presence / absence of the
この結果、結晶化促進材料103が無いサンプル1−1の場合には、相変化ナノ粒子101を結晶化するのに必要なパルス数が1000であった。一方、結晶化促進材料を分散させたサンプル1−2では、結晶化するのに必要なパルス数が50であった。このように、結晶化促進材料を分散させたサンプル1−2では、結晶化に必要なパルス数が結晶化促進材料を含まないサンプル1−1の場合の1/20となっており、結晶化しやすくなっていることがわかった。
As a result, in the case of Sample 1-1 without the
(実施例2)
実施例2では、実施例1と同様に図1の情報記録媒体100を作製し、結晶化促進材料103の有無と、相変化ナノ粒子101の結晶化能との関係を調べた。具体的には、結晶化促進材料を分散させた相変化ナノ粒子101を含む情報記録媒体100のサンプル2−2と結晶化促進材料を含まないサンプル2−1とを作製し、相変化ナノ粒子101にパルスレーザを照射した際の結晶化に要するパルス数を測定し、相変化ナノ粒子101の結晶化しやすさ(結晶化能)を確認した。
(Example 2)
In Example 2, the
なお、サンプル2−1、2−2は実施例1と同様の方法で作製した。異なるのは、相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜としてGe10Sb90膜(厚み:20nm)を成膜したことであり、成膜する際にはGe−Sb合金のスパッタリングターゲットを用いた。
Samples 2-1 and 2-2 were produced by the same method as in Example 1. The difference is that a Ge 10 Sb 90 film (thickness: 20 nm) was formed as a film containing a recording material for forming the
得られた各サンプルについて、結晶化促進材料103の有無と、実施例1と同様の方法で評価した相変化ナノ粒子101を結晶化させるために必要なパルス数の関係を表2に示す。
Table 2 shows the relationship between the presence / absence of the
この結果、結晶化促進材料103が無いサンプル2−1の場合には、相変化ナノ粒子101を結晶化するのに必要なパルス数が10000であった。一方、結晶化促進材料を分散させたサンプル2−2では、結晶化するのに必要なパルス数が100であった。このように、結晶化促進材料を分散させたサンプル2−2では、結晶化に必要なパルス数が結晶化促進材料を含まないサンプル2−1の場合の1/100となっており、結晶化しやすくなっていることがわかった。
As a result, in the case of Sample 2-1 without the
(実施例3)
実施例3では、図8(B)の情報記録媒体200を作製し、結晶化促進材料103の有無と、ピラー301上にナノ記録領域として形成された相変化膜302の結晶化能との関係を調べた。具体的には、結晶化促進材料を分散させた相変化膜302を含む情報記録媒体200のサンプル3−2と結晶化促進材料を含まないサンプル3−1とを作製し、相変化膜302にパルスレーザを照射した際の結晶化に要するパルス数を測定し、相変化膜302の結晶化能を確認した。
(Example 3)
In Example 3, the
サンプルは、以下のようにして製造した。
(1)まず、基板102として厚み0.6mm、Φ2.5インチのガラス基板を準備した。
(2)次いで、そのガラス基板上に実施の形態2で説明したナノ・インプリントにより、熱硬化性樹脂にパターンを転写してΦ20nm、ピッチ40nm、高さ30nmのピラー301を形成した。
(3)その後、ピラー301上に下部反射膜106としてAg−Pd−Cu膜(厚み:10nm)、下部保護膜104として(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25膜(厚み:10nm)、相変化膜302としてGe8Bi1.8In0.2Te11膜(厚み:10nm)、上部保護膜105として(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25膜(厚み:10nm)を、順次スパッタリング法によって積層した。
The sample was manufactured as follows.
(1) First, a glass substrate having a thickness of 0.6 mm and a diameter of 2.5 inches was prepared as the
(2) Next, the nano imprint described in the second embodiment was used to transfer a pattern onto the thermosetting resin on the glass substrate to form
(3) After that, an Ag—Pd—Cu film (thickness: 10 nm) as the lower
なお、結晶化促進材料を含むサンプル3−2を作製する際には、実施例1と同様にGe8Bi1.8In0.2Te11膜をスパッタリングで形成する際に、結晶化促進材料としてC60粉末を同時に蒸着し、結晶化促進材料を相変化膜302内に分散させた。また、基板とスパッタリングターゲットの距離は300mmとし、基板の中心とスパッタリングターゲットの中心の偏心は0mmとして、できる限りピラー側壁部に膜が付着しないような条件とした。さらに、それぞれの膜を成膜するためのスパッタリングターゲットは、相変化膜302以外は実施例1と同じものを用いた。また、相変化膜302のスパッタリングターゲットは、所望の膜組成が得られるGe−Bi−In−Te合金のターゲットを用いた。また、成膜時に用いるガス、圧力、投入パワーについても実施例1と同様の条件で行った。
Note that when the sample 3-2 including the crystallization promoting material was prepared, the C 60 powder was used as the crystallization promoting material when the Ge 8 Bi 1.8 In 0.2 Te 11 film was formed by sputtering as in Example 1. Were simultaneously deposited to disperse the crystallization promoting material in the
(4)最後に、相変化膜302をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
以上のようにして、結晶化促進材料103を含む相変化膜302を有するサンプル3−2と、結晶化促進材料103を含まない相変化膜302を有するサンプル3−1とをそれぞれ製造した。
(4) Finally, an initialization process for crystallizing the
As described above, Sample 3-2 having
このようにして得られたサンプルについて、結晶化促進材料103の有無と、実施例1と同様の方法で評価した相変化膜302を結晶化させるために必要なパルス数の関係を表3に示す。
Table 3 shows the relationship between the presence or absence of the
この結果、結晶化促進材料103が無いサンプル3−1の場合には、相変化膜302を結晶化するのに必要なパルス数が500であった。一方、結晶化促進材料を分散させたサンプル3−2では、結晶化するのに必要なパルス数が50であった。このように、結晶化促進材料を分散させたサンプル3−2では、結晶化に必要なパルス数が結晶化促進材料を含まないサンプル3−1の場合の1/10となっており、結晶化しやすくなっていることがわかった。
As a result, in the case of the sample 3-1 without the
(実施例4)
実施例4では、実施例3と同様に図8(B)の情報記録媒体200を作製し、結晶化促進材料103の有無と、ピラー301上にナノ記録領域として形成された相変化膜302の結晶化能との関係を調べた。具体的には、結晶化促進材料を分散させた相変化膜302を含む情報記録媒体200のサンプル4−2と結晶化促進材料を含まないサンプル4−1とを作製し、相変化膜302にパルスレーザを照射した際の結晶化に要するパルス数を測定し、相変化膜302の結晶化能を確認した。
Example 4
In Example 4, the
サンプルは、実施例3と同様の方法で作製した。異なるのは、相変化膜302としてGe8Sb87Te5膜(厚み:10nm)を成膜したことであり、成膜する際には所望の膜組成が得られるGe−Sb−Te合金のスパッタリングターゲットを用いた。
得られた各サンプルについて、結晶化促進材料の有無と、実施例1と同様の方法で評価した相変化膜302を結晶化させるために必要なパルス数の関係を表4に示す。
The sample was produced by the same method as in Example 3. The difference is that a Ge 8 Sb 87 Te 5 film (thickness: 10 nm) is formed as the
Table 4 shows the relationship between the presence or absence of a crystallization promoting material and the number of pulses necessary to crystallize the
この結果、結晶化促進材料103が無いサンプル4−1の場合には、相変化膜302を結晶化するのに必要なパルス数が2000であった。一方、結晶化促進材料を分散させたサンプル4−2では、結晶化するのに必要なパルス数が40であった。このように、結晶化促進材料を分散させたサンプル4−2では、結晶化に必要なパルス数が結晶化促進材料を含まないサンプル4−1の場合の1/50となっており、結晶化しやすくなっていることがわかった。
As a result, in the case of Sample 4-1 without the
(実施例5)
実施例5では、図9(D)の情報記録媒体300を作製し、結晶化促進材料103の有無と、相変化ナノ粒子101の結晶化能との関係を調べた。具体的には、結晶化促進材料を分散させた相変化ナノ粒子101を含む情報記録媒体300のサンプル5−2と結晶化促進材料を含まないサンプル5−1とを作製し、相変化ナノ粒子101にパルスレーザを照射した際の結晶化に要するパルス数を測定し、相変化ナノ粒子101の結晶化能を確認した。
(Example 5)
In Example 5, the
サンプルは、以下のようにして製造した。
(1)まず、基板102として厚み0.6mm、Φ2.5インチのガラス基板を準備した。
(2)次いで、そのガラス基板102上に下地層401として厚み500nmのアクリル樹脂を塗布した。
(3)次に、実施の形態3で説明した方法により、下地層401上に所望のパターン402を転写した。
The sample was manufactured as follows.
(1) First, a glass substrate having a thickness of 0.6 mm and a diameter of 2.5 inches was prepared as the
(2) Next, an acrylic resin having a thickness of 500 nm was applied as a
(3) Next, a desired
(4)その後、パターン402が転写された下地層401上に、下部反射膜106としてAg−Pd−Cu膜(厚み:20nm)、下部保護膜104として(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25膜(厚み:10nm)、相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜403としてGe3Sn3Sb2Te9膜(厚み:20nm)、上部保護膜105として(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25膜(厚み:10nm)を、順次スパッタリング法によって積層した。
(4) Thereafter, an Ag—Pd—Cu film (thickness: 20 nm) as the lower
なお、結晶化促進材料を含むサンプルを作製する際には、実施例1と同様にGe3Sn3Sb2Te9膜をスパッタリングで形成する際に、結晶化促進材料としてC60粉末を同時に蒸着し、結晶化促進材料を相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜403内に分散させた。また、基板とスパッタリングターゲットの距離は300mmとし、基板の中心とスパッタリングターゲットの中心の偏心は0mmとして、できる限り下地層の側壁部に膜が付着しないような条件とした。さらに、それぞれの膜を成膜するためのスパッタリングターゲットは、相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜403以外は実施例1と同じものを用いた。また、相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜403のスパッタリングターゲットは、所望の膜組成が得られるGe−Sn−Sb−Te合金のターゲットを用いた。なお、成膜時に用いるガス、圧力、投入パワーについては実施例1と同様の条件で行った。
When a sample containing a crystallization promoting material is prepared, C 60 powder is simultaneously deposited as a crystallization promoting material when a Ge 3 Sn 3 Sb 2 Te 9 film is formed by sputtering as in Example 1. Then, the crystallization promoting material was dispersed in the
(5)その後、サンプルを有機溶媒に浸漬することによって、下地層401のアクリル樹脂が溶解し、下地層401の上部に形成された薄膜ごと除去して、所望のパターン(Φ30nm、ピッチ60nm)で孤立化された相変化ナノ粒子101が配列したサンプルを作製した。
(6)その後、相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜403の酸化を防止するための上部保護膜105として(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25膜(厚み:10nm)をスパッタリング法によって成膜した。
(7)最後に、相変化ナノ粒子101をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
(5) Thereafter, the acrylic resin of the
(6) (SiO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 25 film (upper
(7) Finally, an initialization process for crystallizing the
以上のようにして、結晶化促進材料103を含む相変化ナノ粒子101を有するサンプル5−2と、結晶化促進材料103を含まない相変化ナノ粒子101を有するサンプル5−1とをそれぞれ製造した。
As described above, Sample 5-2 having
このようにして得られたサンプルについて、結晶化促進材料103の有無と、実施例1と同様の方法で評価した相変化ナノ粒子101を結晶化させるために必要なパルス数の関係を表5に示す。
Table 5 shows the relationship between the presence / absence of the
この結果、結晶化促進材料103が無いサンプル5−1の場合には、相変化ナノ粒子101を結晶化するのに必要なパルス数が2000であった。一方、結晶化促進材料を分散させたサンプル5−2では、結晶化するのに必要なパルス数が100であった。このように、結晶化促進材料を分散させたサンプル5−2では、結晶化に必要なパルス数が結晶化促進材料を含まないサンプル5−1の場合の1/20となっており、結晶化しやすくなっていることがわかった。
As a result, in the case of Sample 5-1 without the
(実施例6)
実施例6では、実施例5と同様に図9(D)の情報記録媒体300を作製し、結晶化促進材料103の有無と、相変化ナノ粒子101の結晶化能との関係を調べた。具体的には、結晶化促進材料を分散させた相変化ナノ粒子101を含む情報記録媒体300のサンプル6−2と結晶化促進材料を含まないサンプル6−1とを作製し、相変化ナノ粒子101にパルスレーザを照射した際の結晶化に要するパルス数を測定し、相変化ナノ粒子101の結晶化能を確認した。
(Example 6)
In Example 6, as in Example 5, the
サンプルは、実施例5と同様の方法で作製した。異なるのは、相変化ナノ粒子101形成用の記録材料を含む膜403としてSb90Te10膜(厚み:20nm)を成膜したことであり、成膜する際には所望の膜組成が得られるSb−Te合金のスパッタリングターゲットを用いた。
The sample was produced by the same method as in Example 5. The difference is that an Sb 90 Te 10 film (thickness: 20 nm) is formed as the
得られた各サンプルについて、結晶化促進材料103の有無と、実施例1と同様の方法で評価した相変化ナノ粒子101を結晶化させるために必要なパルス数の関係を表6に示す。
Table 6 shows the relationship between the presence / absence of the
この結果、結晶化促進材料103が無いサンプル6−1の場合には、相変化ナノ粒子101を結晶化するのに必要なパルス数が20000であった。一方、結晶化促進材料を分散させたサンプル6−2では、結晶化するのに必要なパルス数が200であった。このように、結晶化促進材料を分散させたサンプル6−2では、結晶化に必要なパルス数が結晶化促進材料を含まないサンプル6−1の場合の1/100となっており、結晶化しやすくなっていることがわかった。
As a result, in the case of Sample 6-1 without the
なお、実施例の項においてなされた具体的な実施形態又は実施例は、あくまでも本発明の技術内容を明らかにするものである。本発明は、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と特許請求事項との範囲内で、種々変更して実施することができる。 It should be noted that the specific embodiments or examples made in the section of Examples only clarify the technical contents of the present invention. The present invention is not limited to such specific examples and should not be construed in a narrow sense. Various modifications can be made within the spirit and scope of the present invention.
本発明に係る情報記録媒体は、微細化した相変化材料の結晶化を促進する優れた結晶化促進材料を有し、記録密度を大幅に向上した書換形の光学的情報記録媒体等として有用である。また、書換形の相変化材料を用いた不揮発性半導体メモリ(Phase change Random Access Memory、PRAM)等の用途にも応用できる。 The information recording medium according to the present invention has an excellent crystallization accelerating material that promotes crystallization of a miniaturized phase change material, and is useful as a rewritable optical information recording medium having a greatly improved recording density. is there. Further, the present invention can be applied to uses such as a nonvolatile semiconductor memory (phase change memory, PRAM) using a rewritable phase change material.
100,200,300 情報記録媒体
101 相変化ナノ粒子(ナノ記録領域)
102 基板
103 結晶化促進材料
104 下部保護膜
105 上部保護膜
106 下部反射膜
107 上部反射膜
108 (相変化ナノ粒子を形成するための)記録材料を含む膜
109 マスク
201 アンテナ
202 光
203 アンテナの頂点
204 偏光方向
205 相変化薄膜
301 ピラー
302 相変化膜(ナノ記録領域)
401 下地層
402 パターン
403 相変化ナノ粒子形成用の膜
100, 200, 300
DESCRIPTION OF
401
Claims (13)
前記基板上に孤立した状態で配列され、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料と、前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料と、を含む複数のナノ記録領域と、
を備えた情報記録媒体。 A substrate,
A plurality of nano-records including a recording material arranged in an isolated state on the substrate and causing a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase, and a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material Area,
An information recording medium comprising:
請求項1に記載の情報記録媒体。 The recording material contains any one material selected from Sb—Ge and Sb—Te, and contains 70 atomic% or more of Sb.
The information recording medium according to claim 1.
(II)前記基板上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下である複数の孤立したピラーを形成する工程と、
(III)前記ピラーが形成された前記基板上に、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料と、前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料と、を成膜することによって、前記ピラー上にナノ記録領域を形成する工程と、
を含む、情報記録媒体の製造方法。 (I) a step of preparing a substrate;
(II) forming a plurality of isolated pillars having a length along the information recording direction of 3 nm or more and 100 nm or less on the substrate;
(III) Forming on the substrate on which the pillars are formed a recording material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase, and a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material Forming a nano-recording region on the pillar; and
A method for manufacturing an information recording medium, comprising:
(II)前記基板上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下である複数の孤立したピラーを形成する工程と、
(III)前記ピラーが形成された前記基板上に、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料を成膜する工程と、
(IV)前記記録材料の内部に、前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料を分散させることによって、前記ピラー上にナノ記録領域を形成する工程と、
を含む、情報記録媒体の製造方法。 (I) a step of preparing a substrate;
(II) forming a plurality of isolated pillars having a length along the information recording direction of 3 nm or more and 100 nm or less on the substrate;
(III) depositing a recording material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase on the substrate on which the pillar is formed;
(IV) forming a nano-recording region on the pillar by dispersing a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material in the recording material;
A method for manufacturing an information recording medium, comprising:
(II)前記基板上に、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料を含む多層膜を形成する工程と、
(III)前記記録材料の内部に前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料を分散させる工程と、
(IV)前記多層膜の上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下となるパターンを有するマスクを配置する工程と、
(V)前記マスクの上から前記多層膜をエッチングする工程と、
(VI)前記マスクを除去して、前記基板上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下であるナノ記録領域を形成する工程と、
を含む、情報記録媒体の製造方法。 (I) a step of preparing a substrate;
(II) forming a multilayer film including a recording material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase on the substrate;
(III) dispersing a crystallization promoting material that promotes crystallization of the recording material in the recording material;
(IV) disposing a mask having a pattern having a length in the information recording direction of 3 nm to 100 nm on the multilayer film;
(V) etching the multilayer film from above the mask;
(VI) removing the mask and forming, on the substrate, a nano recording region having a length along the information recording direction of 3 nm or more and 100 nm or less;
A method for manufacturing an information recording medium, comprising:
(II)前記基板上に、下地層を形成する工程と、
(III)前記下地層の上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下のパターンを有するマスクを配置する工程と、
(IV)前記マスクの上から前記下地層をエッチングすることによって、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下となる前記下地層のパターンを形成する工程と、
(V)前記下地層のパターンが形成された前記基板上に、結晶相と非結晶相との間で相変化を起こす記録材料を含む多層膜を形成する工程と、
(VI)前記記録材料の内部に前記記録材料の結晶化を促進する結晶化促進材料を分散させる工程と、
(VII)前記下地層を、前記下地層の上に形成された前記多層膜と共に除去することにより、前記基板上に、情報記録方向に沿った長さが3nm以上100nm以下のナノ記録領域を形成する工程と、
を含む、情報記録媒体の製造方法。 (I) a step of preparing a substrate;
(II) forming a base layer on the substrate;
(III) disposing a mask having a pattern with a length of 3 nm or more and 100 nm or less along the information recording direction on the underlayer;
(IV) forming the pattern of the base layer having a length along the information recording direction of 3 nm to 100 nm by etching the base layer from above the mask;
(V) forming a multilayer film including a recording material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase on the substrate on which the pattern of the underlayer is formed;
(VI) dispersing a crystallization promoting material for promoting crystallization of the recording material in the recording material;
(VII) By removing the underlayer together with the multilayer film formed on the underlayer, a nano-recording region having a length along the information recording direction of 3 nm to 100 nm is formed on the substrate. And a process of
A method for manufacturing an information recording medium, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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