JP2013239469A - 積層体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】荷重の開放前に、積層体を冷却し、樹脂を固化させる工程を有する積層体の製造方法。
【選択図】図1
Description
第1端子を有する第1基材、第1樹脂層、及び、第1の面に第2a端子を有するとともに、その裏面に第2b端子を有する第2基材を、前記第1端子及び前記第2a端子が前記第1樹脂層を挟んで対峙するように積層した積層体に対して、前記第1樹脂層が溶融し、かつ、前記第1端子および前記第2a端子の少なくとも一方が備える第1半田層が溶融しない温度で加熱しながら、一対の挟圧部材で荷重を加えることで、前記第1端子、前記第1半田層、及び、前記第2a端子が直接繋がった第1積層体を形成する第1積層工程と、
前記第1積層工程の後、前記挟圧部材で荷重を加えた状態を維持したまま、前記第1積層体を冷却し、前記第1樹脂層を固化させる固化工程と、
前記固化工程の後、前記挟圧部材による前記第1積層体への荷重を開放する開放工程と、
前記開放工程の後、前記第1積層体、第2樹脂層、及び、第3端子を有する第3基材を、前記第2b端子及び前記第3端子が前記第2樹脂層を挟んで対峙するように積層した積層体に対して、前記第2樹脂層が溶融し、かつ、前記第2b端子および前記第3端子の少なくとも一方が備える第2半田層が溶融しない温度で加熱しながら、一対の挟圧部材で荷重を加えることで、前記第2b端子、前記第2半田層、及び、前記第3端子が直接繋がった第2積層体を形成する第2積層工程と、
前記第2積層工程の後、前記第1半田層及び前記第2半田層が溶融する温度で前記第2積層体を加熱して、前記第1端子及び前記第2a端子間、及び、前記第2b端子及び前記第3端子間を半田接合する第1接合工程と、
を有する積層体の製造方法が提供される。
本実施形態の積層体の製造方法では、上述した樹脂噛みの課題を解決するために、積層体に対する荷重を一端開放する前に、当該積層体を冷却し、樹脂層を固化させる。すなわち、仮圧着−荷重開放の間に、積層体を十分に冷却し、樹脂層を固化させる工程を加える。これにより、荷重開放に伴い樹脂層の樹脂が端子間に入り込む不都合を抑制する。以下、図1乃至図5を用いて詳細に説明する。
第1積層工程S10では、第1端子を有する第1基材、第1樹脂層、及び、第1の面に第2a端子を有するとともに、その裏面に第2b端子を有する第2基材を、第1端子及び第2a端子が第1樹脂層を挟んで対峙するように積層した積層体に対して、第1樹脂層が溶融し、かつ、第1端子および第2a端子の少なくとも一方が備える第1半田層が溶融しない温度で加熱しながら、一対の挟圧部材で荷重を加えることで(仮圧着)、第1端子、第1半田層、及び、第2a端子が直接繋がった第1積層体を形成する。以下、具体例を用いて、当該工程を詳細に説明する。
固化工程S20は、第1積層工程S10の後に行われる。固化工程S20では、挟圧部材で第1積層体に荷重を加えた状態を維持したまま、第1積層体を冷却し、第1樹脂層を固化させる。
開放工程S30は、固化工程S20の後に行われる。開放工程S30では、挟圧部材による第1積層体への荷重を開放する。
第2積層工程S40は、開放工程S30の後に行われる。第2積層工程S40では、第1積層体、第2樹脂層、及び、第3端子を有する第3基材を、第2b端子及び第3端子が第2樹脂層を介して対峙するように積層した積層体に対して、第2樹脂層が溶融し、かつ、第2b端子および第3端子の少なくとも一方が備える第2半田層が溶融しない温度で加熱しながら、一対の挟圧部材で荷重を加えることで(仮圧着)、第2b端子、第2半田層、及び、第3端子が直接繋がった第2積層体を形成する。
第1接合工程S50は、第2積層工程S40の後に行われる。具体的には、第2積層工程S40の後、固化工程S20と同様の処理を行い、次いで、開放工程S30と同様の処理を行うことで、第2積層体を挟圧部材から開放後、第1接合工程S50を行う。第1接合工程S50では、端子間に位置する半田層(第1半田層及び第2半田層等)が溶融する温度で第2積層体を加熱・加圧して(本圧着)、端子間(第1端子及び第2a端子間、及び、第2b端子及び第3端子間等)を半田接合する。
設置工程S60は、第1接合工程S50の後に行われる。設置工程S60では、第1接合工程S50の後の複数の第2積層体を、第4基材上に設置する。
第2接合工程S70は、設置工程S60の後に行われる。第2接合工程S70では、第2積層体と第4基材とを接合する。
次に、構造体3の封止を行なう。封止の方法は、ポッティング、トランスファー成形、圧縮成形のいずれであってもよい。
本実施形態では、所定数の基材を積層する工程における最後の基材を積層する際の加圧・加熱処理(仮圧着)と、複数の基材間(端子間)の半田接合をまとめて行う加圧・加熱処理(本圧着)を連続的に行う。
本実施形態では、半導体素子が複数形成された半導体ウェハ上に、所定数の基材を積層することで複数の積層体を形成し、その後、半田接合を行う。その他の構成は、第1及び第2の実施形態と同様である。
以下の変形例においても、第1乃至第3の実施形態と同様の作用効果を実現することができる。
2 積層体
3 構造体
4 子積層体
5 装置
6 装置
10 半導体チップ
10A 半導体ウェハ
11 樹脂層
12 半導体チップ
13 樹脂層
14 半導体チップ
15 樹脂層
16 半導体チップ
17 樹脂層
18 基材
18A 基材
19 封止材
41,42 挟圧部材
51 容器
52 挟圧部材
54 ピン
55 挟圧部材
56 熱板
57 板材
58 熱板
101 端子
120 基板
121 端子
121A 半田層
122 端子
123 ビア
140 基板
141 端子
141A 半田層
142 端子
143 ビア
160 基板
161 端子
161A 半田層
162 端子
163 ビア
181 端子
181A 半田層
511 配管
Claims (9)
- 第1端子を有する第1基材、第1樹脂層、及び、第1の面に第2a端子を有するとともに、その裏面に第2b端子を有する第2基材を、前記第1端子及び前記第2a端子が前記第1樹脂層を挟んで対峙するように積層した積層体に対して、前記第1樹脂層が溶融し、かつ、前記第1端子および前記第2a端子の少なくとも一方が備える第1半田層が溶融しない温度で加熱しながら、一対の挟圧部材で荷重を加えることで、前記第1端子、前記第1半田層、及び、前記第2a端子が直接繋がった第1積層体を形成する第1積層工程と、
前記第1積層工程の後、前記挟圧部材で荷重を加えた状態を維持したまま、前記第1積層体を冷却し、前記第1樹脂層を固化させる固化工程と、
前記固化工程の後、前記挟圧部材による前記第1積層体への荷重を開放する開放工程と、
前記開放工程の後、前記第1積層体、第2樹脂層、及び、第3端子を有する第3基材を、前記第2b端子及び前記第3端子が前記第2樹脂層を挟んで対峙するように積層した積層体に対して、前記第2樹脂層が溶融し、かつ、前記第2b端子および前記第3端子の少なくとも一方が備える第2半田層が溶融しない温度で加熱しながら、一対の挟圧部材で荷重を加えることで、前記第2b端子、前記第2半田層、及び、前記第3端子が直接繋がった第2積層体を形成する第2積層工程と、
前記第2積層工程の後、前記第1半田層及び前記第2半田層が溶融する温度で前記第2積層体を加熱して、前記第1端子及び前記第2a端子間、及び、前記第2b端子及び前記第3端子間を半田接合する第1接合工程と、
を有する積層体の製造方法。 - 請求項1に記載の積層体の製造方法において、
前記第1乃至第3基材はいずれも半導体部品であり、
前記第1接合工程の後、複数の前記第2積層体を第4基材上に設置する設置工程と、
前記第2積層体と前記第4基材とを接合する第2接合工程と、
をさらに有する積層体の製造方法。 - 請求項1に記載の積層体の製造方法において、
前記第1基材は半導体素子が複数形成されたウエハであり、前記第2及び第3基材はいずれも半導体部品であり、
前記第1積層工程では、前記第1基材の上に、複数の前記第2基材を積層し、
前記第2積層工程では、前記第1基材の上に位置する複数の前記第2基材各々の上に、前記第3基材を積層することで、前記第1基材の上に、前記第2基材及び前記第3基材を含む子積層体を複数形成し、
前記第1接合工程では、前記複数の子積層体に対してまとめて半田接合を行う積層体の製造方法。 - 請求項1に記載の積層体の製造方法において、
前記第1基材は半導体素子が複数形成されたウエハであり、前記第2及び第3基材はいずれも半導体部品であり、
前記第1積層工程では、前記第1基材の上に、複数の前記第2基材を積層し、
前記第2積層工程では、前記第1基材の上に位置する複数の前記第2基材各々の上に、前記第3基材を積層することで、前記第1基材の上に、前記第2基材及び前記第3基材を含む子積層体を複数形成し、
前記第1接合工程では、前記複数の子積層体に対して個別に半田接合を行う積層体の製造方法。 - 請求項1に記載の積層体の製造方法において、
前記第1基材は半導体素子が複数形成されたウエハであり、前記第2及び第3基材はいずれも半導体部品であり、
前記第1積層工程、前記固化工程、前記開放工程、前記2積層工程、前記第1接合工程をこの順に行って、前記第1基材の上に前記第2基材及び前記第3基材を積層した子積層体を形成した後、前記第1積層工程、前記固化工程、前記開放工程、前記2積層工程、前記第1接合工程をこの順に行って、当該第1基材の他の領域に、前記第2基材及び前記第3基材を積層した子積層体を形成する積層体の製造方法。 - 請求項3から5のいずれか1項に記載の積層体の製造方法において、
前記半田接合がなされた複数の前記子積層体を備える前記第1基材を、前記子積層体単位で個片化する個片化工程をさらに有する積層体の製造方法。 - 請求項2から6のいずれか1項に記載の積層体の製造方法において、
前記半導体部品は、TSV(Through Silicon Via)構造の半導体チップである積層体の製造方法。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の積層体の製造方法において、
前記樹脂層は、フラックス活性化合物を含む積層体の製造方法。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の積層体の製造方法において、
前記第1接合工程における加熱で、または、前記第1接合工程の後に、半田接合後の前記第2積層体を加熱することで、前記第1樹脂層及び前記第2樹脂層の硬化を進行させる積層体の製造方法。
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