JP2013226588A - Repairing apparatus and repairing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a repairing apparatus capable of repairing a flaw of a substrate by setting an optimal processing method of a plurality of processing methods and setting a processing condition according to a type of the flaw.SOLUTION: A repairing apparatus 1 includes: a laser light source 14 for emitting laser light with a plurality of wavelengths; an observance optical system 23 for observing a substrate 11; two laser irradiation optical systems 15, 16; a light path switching unit 17 for switching a light path to which the laser light is incident, to one of the two laser irradiation optical systems; an imaging unit 13 for imaging the substrate 11 by receiving the light from the observance optical system 23; a flaw detecting unit 54a for detecting a flaw part of the substrate 11 by processing an image obtained by the imaging by the imaging unit 13; a setting unit 51a for setting a processing method and a processing condition for each of the processing regions of the flaw part; and a control unit 51 for controlling the laser light source 14 and the light path switching unit 17 so that the substrate 11 is processed based on the processing method and the processing condition set for each of the processing regions.

Description

本発明は、リペア装置及びリペア方法に関し、特に、レーザ光を利用して基板の欠陥を修正するリペア装置及びリペア方法に関する。   The present invention relates to a repair device and a repair method, and more particularly, to a repair device and a repair method for correcting a defect of a substrate using a laser beam.

従来より、レーザ光を利用して基板の欠陥を修正するリペア装置がある。リペア装置は、製造工程で製造された各種基板のパターンの欠陥修正などに利用される。修正される基板は、所謂フラットパネルディスプレイ（FPD）基板、半導体ウエハ、プリント基板などである。所謂フラットパネルディスプレイ（FPD）基板には、例えば、液晶ディスプレイ（LCD：Liquid Crystal Display）基板、プラズマディスプレイパネル（PDP：Plasma Display Panel）基板、有機EL（Electroluminescence）ディスプレイ基板、等がある。   2. Description of the Related Art Conventionally, there is a repair device that uses a laser beam to correct a substrate defect. The repair device is used for defect correction of patterns of various substrates manufactured in the manufacturing process. The substrates to be corrected are so-called flat panel display (FPD) substrates, semiconductor wafers, printed boards and the like. Examples of so-called flat panel display (FPD) substrates include a liquid crystal display (LCD) substrate, a plasma display panel (PDP) substrate, and an organic EL (Electroluminescence) display substrate.

リペア装置で修正される欠陥には、レジストパターン、エッチングパターンなどのパターニングプロセス後の、配線パターンの短絡不良などの欠陥がある。リペア装置は、レーザ光を照射することにより、短絡部分を切断することができる。   Defects to be repaired by the repair apparatus include defects such as a short circuit failure of a wiring pattern after a patterning process such as a resist pattern or an etching pattern. The repair device can cut the short-circuit portion by irradiating the laser beam.

また、リペア装置には、スリット投影方式、レーザ光を点で集光させる方式など、種々の加工方式のリペア装置がある。例えば、余分なレジスト膜を切断するために、切断部分の形状に応じた断面形状を有するレーザ光を修正部分に照射して、任意の形状で欠陥を修正することのできる面加工方式のリペア装置がある。   In addition, the repair device includes a repair device of various processing methods such as a slit projection method and a method of condensing laser light at a point. For example, in order to cut off an excessive resist film, a repair device of a surface processing system that can correct a defect in an arbitrary shape by irradiating a correction portion with a laser beam having a cross-sectional shape corresponding to the shape of the cut portion There is.

そのような面加工方式のリペア装置には、レーザ光の断面形状を切断部分の形状に合わせるために、複数の微小ミラーがマトリックス状に配列されたデジタルミラーデバイス（Digital Mirror Device：以下、DMDと略す）ユニット等の空間光変調素子が用いたものがある。複数の微小ミラーの一部の角度を制御して、レーザ光源からのレーザ光をDMDに照射することによって、レーザ光の断面形状を所望の形状に整形することができる。面加工方式のリペア装置は、レーザ光を面形状で照射するため、レーザ耐力の低い物質を除去あるいは切断する場合に用いられる。   In such a surface processing type repair device, a digital mirror device (hereinafter referred to as DMD) in which a plurality of micromirrors are arranged in a matrix in order to match the cross-sectional shape of the laser beam to the shape of the cut portion. There are those used by spatial light modulation elements such as units. By controlling the angles of some of the plurality of micromirrors and irradiating the DMD with laser light from the laser light source, the cross-sectional shape of the laser light can be shaped into a desired shape. Since the surface processing type repair device irradiates laser light in a surface shape, it is used when removing or cutting a material having low laser resistance.

また、レーザ耐力の高い金属等の異物を除去する場合には、高いエネルギーを照射させるために、集光点でレーザ光を修正部分に照射して、欠陥を修正することのできる集光点加工方式のリペア装置もある。   Also, when removing foreign matter such as metal with high laser resistance, in order to irradiate with high energy, the condensing point processing that can correct the defect by irradiating the correction part with laser light at the condensing point There is also a type of repair device.

欠陥には、所定のパターン形状からはみ出したレジスト部分などの面加工方式のリペア装置で修正可能な欠陥と、金属等の異物で集光点加工方式のリペア装置で修正可能な欠陥がある。従来は、面加工方式と集光点加工方式のリペア装置のそれぞれの装置において、検査者が欠陥部の状態を見て、修正を行っている。   The defect includes a defect that can be corrected by a surface processing type repair device such as a resist portion protruding from a predetermined pattern shape, and a defect that can be corrected by a condensing point processing type repair device using a foreign object such as metal. Conventionally, in each of the surface processing method and the condensing point processing method repair device, the inspector looks at the state of the defective portion and corrects it.

このようなリペア装置に関連する技術としては、例えば、特開２００７−１０９９８１号公報に開示されているように、モニタに欠陥部を表示させて作業者が欠陥修正が必要か否かを判定し、修正が必要と判断された欠陥について、作業者が加工条件などを設定する欠陥修正の技術がある。   As a technique related to such a repair device, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-109981, a defective portion is displayed on a monitor and an operator determines whether or not defect correction is necessary. There is a defect correction technique in which an operator sets processing conditions and the like for defects determined to be corrected.

また、特開２０１１−８５８２１号公報には、基板上のパターンについて取得された欠陥画像と参照画像の差分情報と、予め登録された領域情報とから欠陥を検出し、検出した欠陥に基づいて修正方法を決定する技術が開示されている。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-85821 discloses a defect detected from difference information between a defect image and a reference image acquired for a pattern on a substrate and area information registered in advance, and corrected based on the detected defect. Techniques for determining the method are disclosed.

特開２００７−１０９９８１号公報JP 2007-109981 A 特開２０１１−８５８２１号公報JP 2011-85821 A

しかし、上述した面加工方式のリペア装置と集光点加工方式のリペア装置のように、加工方式の異なるリペア装置は別個の装置であり、従来は、検査者が欠陥箇所をモニタに表示させて、欠陥を判定し、その欠陥に応じてそれぞれの装置へ搬送して欠陥修正を行うため、製造工程のタクトタイムが長くなるという問題があった。   However, like the surface processing type repair device and the condensing point processing type repair device described above, repair devices with different processing methods are separate devices. Conventionally, an inspector displays a defect location on a monitor. Since the defect is determined, and the defect is corrected by being transferred to each apparatus according to the defect, there is a problem that the tact time of the manufacturing process becomes long.

上記の特開２００７−１０９９８１号公報及び特開２０１１−８５８２１号公報に開示の装置では、それぞれの装置が実行可能な加工方式は一種類に限定されており、それぞれの装置は、上述したような面加工方式と集光点加工方式といったような複数の加工方式の中から最適な加工方式を選択して、実行することはできない。従って、各リペア装置において修正可能な欠陥の種類は、限定されてしまい、製造工程のタクトタイムが長くなってしまう。   In the devices disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2007-109981 and 2011-85821, the processing methods that can be executed by each device are limited to one type. An optimum machining method cannot be selected and executed from a plurality of machining methods such as a surface machining method and a condensing point machining method. Therefore, the types of defects that can be corrected in each repair device are limited, and the tact time of the manufacturing process becomes long.

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、基板の欠陥修正が可能なリペア装置及びリペア方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems. According to the type of defect, an optimum processing method and a processing condition are set from among a plurality of processing methods, and defect correction of the substrate is performed. An object of the present invention is to provide a repair device and a repair method capable of performing the above.

本発明の一態様によれば、複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源装置と、前記レーザ光により欠陥修正される基板を観察するための観察光学系と、少なくとも２つのレーザ照射光学系と、前記レーザ光が入射する光路を、前記少なくとも２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部と、前記観察光学系からの光を受けて前記基板を撮像する撮像部と、前記撮像部において撮像して得られた画像から画像処理により、前記基板の欠陥部を検出する欠陥検出部と、前記欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定する加工条件設定部と、前記加工領域毎に設定された前記加工方式と前記加工条件に基づいて前記基板に対して加工を行うように、前記レーザ光源装置と前記レーザ光路切替部を制御する制御部と、を有するリペア装置を提供することができる。   According to one aspect of the present invention, a laser light source device that emits laser light of a plurality of wavelengths, an observation optical system for observing a substrate whose defect is corrected by the laser light, and at least two laser irradiation optical systems A laser beam path switching unit that switches an optical path on which the laser beam is incident to one of the at least two laser irradiation optical systems, an imaging unit that receives the light from the observation optical system, and images the substrate; A defect detection unit that detects a defective portion of the substrate by image processing from an image obtained by imaging in the unit, a processing condition setting unit that sets a processing method and processing conditions for each processing region of the defective portion, A control unit that controls the laser light source device and the laser beam path switching unit so as to process the substrate based on the processing method and the processing conditions set for each processing region; It is possible to provide a repair device having.

本発明の一態様によれば、複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源装置からのレーザ光により基板の欠陥部を修正するリペア方法であって、前記レーザ光により欠陥修正される基板を撮像する撮像部において撮像して得られた画像から画像処理により、前記基板の欠陥部を検出し、検出された前記欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定し、前記加工領域毎に設定された前記加工方式と前記加工条件に基づいて前記基板に対して加工を行うように、前記レーザ光源装置と、前記レーザ光が入射する光路を少なくとも２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部とを制御するリペア方法を提供することができる。   According to one aspect of the present invention, there is provided a repair method for correcting a defect portion of a substrate by laser light from a laser light source device that emits laser light having a plurality of wavelengths, and imaging the substrate whose defect is corrected by the laser light. The defective portion of the substrate is detected by image processing from the image obtained by imaging in the imaging unit, and a processing method and a processing condition are set for each detected processing region of the defective portion, and for each processing region The laser light source device and an optical path on which the laser light is incident are set to any one of at least two laser irradiation optical systems so as to process the substrate based on the processing method and the processing conditions set to A repair method for controlling the laser beam path switching unit to be switched can be provided.

本発明によれば、欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、基板の欠陥修正が可能なリペア装置及びリペア方法を実現することができる。   According to the present invention, a repair device and a repair method capable of correcting a defect on a substrate by setting an optimum processing method and processing conditions from a plurality of processing methods according to the type of defect are realized. can do.

本発明の実施の形態に係わるリペア装置の構成図である。It is a block diagram of the repair apparatus concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係わる、欠陥部を含む基板１１の部分拡大画像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the partial enlarged image of the board | substrate 11 containing the defect part concerning embodiment of this invention. 図２の画像に対応する参照画像RIの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the reference image RI corresponding to the image of FIG. 本発明の実施の形態に係わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the example of a process of the control part 51 concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the example of a process of the control part 51 concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係わる、欠陥画像から欠陥部が抽出され、欠陥部の面加工領域と集光点加工領域が設定されるまでを説明するための図である。It is a figure for demonstrating until a defect part is extracted from a defect image and the surface process area | region and condensing point process area | region of a defect part are set concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係わる、設定部５１ａに設定される加工方式及び加工条件の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the processing system and processing conditions which are set to the setting part 51a concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例１に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the example of a process of the control part 51 in connection with the modification 1 of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例１に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the example of a process of the control part 51 in connection with the modification 1 of embodiment of this invention. 変形例１に係わる集光点加工領域入力GUIの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the condensing point process area | region input GUI concerning the modification 1. FIG. 本発明の実施の形態の変形例２に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the example of a process of the control part 51 in connection with the modification 2 of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例２に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the example of a process of the control part 51 in connection with the modification 2 of embodiment of this invention. 変形例２に係わる面加工領域入力GUIの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the surface machining area input GUI concerning the modification 2.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（全体構成）
図１は、本実施の形態に係わるリペア装置の構成図である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(overall structure)
FIG. 1 is a configuration diagram of a repair device according to the present embodiment.

リペア装置１は、リペア対象である基板１１を載置するXYステージ１２と、基板１１を撮像する撮像部１３と、レーザ光を出射するレーザ光源１４と、レーザ光源１４から出射されたレーザ光を導く第１の光学系１５と、レーザ光源１４から出射されたレーザ光を導く第２の光学系１６と、レーザ光源１４からのレーザ光を第１の光学系１５と第２の光学系１６のいずれか一方へ出射するように切り換える第１の光路切替部１７と、第１の光学系１５に配置されてレーザ光の断面形状を任意の形状に変更可能な２次元空間変調器１８と、第１の光学系１５と第２の光学系１６のいずれか一方からのレーザ光を出力するように切り換える第２の光路切替部１９と、第２の光路切替部１９からのレーザ光を基板１１に導く第３の光学系２０と、撮像部１３により基板１１を撮像するために照明光を出射する照明光源２１と、照明光源２１からの照明光を基板１１へ導く第４の光学系２２と、照明光の反射光を撮像部１３へ導く第５の光学系２３と、制御装置２４とを有して構成されている。   The repair device 1 includes an XY stage 12 on which a substrate 11 to be repaired is placed, an imaging unit 13 that images the substrate 11, a laser light source 14 that emits laser light, and laser light emitted from the laser light source 14. The first optical system 15 for guiding, the second optical system 16 for guiding the laser light emitted from the laser light source 14, and the laser light from the laser light source 14 for the first optical system 15 and the second optical system 16. A first optical path switching unit 17 that switches so as to emit light to either one, a two-dimensional spatial modulator 18 that is disposed in the first optical system 15 and can change the cross-sectional shape of the laser light to an arbitrary shape, A second optical path switching unit 19 that switches to output laser light from one of the first optical system 15 and the second optical system 16, and laser light from the second optical path switching unit 19 to the substrate 11. The third optical system 20 to guide and Illumination light source 21 that emits illumination light for imaging substrate 11 by unit 13, fourth optical system 22 that guides illumination light from illumination light source 21 to substrate 11, and reflected light of illumination light to imaging unit 13 A fifth optical system 23 for guiding and a control device 24 are provided.

制御装置２４は、上述したレーザ光源１４、光路切替部１７、等を制御する、中央処理装置（CPU）及びメモリ装置を有する装置であり、例えば、パーソナルコンピュータである。制御装置２４の構成については、後述する。   The control device 24 is a device having a central processing unit (CPU) and a memory device that controls the laser light source 14, the optical path switching unit 17, and the like, and is a personal computer, for example. The configuration of the control device 24 will be described later.

リペア対象である基板１１は、ここでは、液晶ディスプレイ基板である所謂フラットパネルディスプレイ（FPD）基板である。基板１１上には、フォト工程、エッチング工程などにより、レジストパターン、エッチングパターン等が形成される。
XYステージ１２は、制御装置２４の制御の下で、基板１１を、XY方向に移動する基板移動装置である。図示しない検査装置により基板１１に対して欠陥検査が行われ、欠陥の存在する位置情報が制御装置２４に与えられる。XYステージ１２は、制御装置２４の制御の下で、基板１１を移動させる。 The substrate 11 to be repaired here is a so-called flat panel display (FPD) substrate which is a liquid crystal display substrate. A resist pattern, an etching pattern, and the like are formed on the substrate 11 by a photo process, an etching process, and the like.
The XY stage 12 is a substrate moving device that moves the substrate 11 in the XY directions under the control of the control device 24. A defect inspection is performed on the substrate 11 by an inspection device (not shown), and position information where a defect exists is given to the control device 24. The XY stage 12 moves the substrate 11 under the control of the control device 24.

XYステージ１２の上方には、対物レンズ切替ユニット３１が配設されている。対物レンズ切替ユニット３１は、複数（ここでは２つ）の対物レンズ３２を有し、制御装置２４の制御の下で、使用する対物レンズ３２が選択されてレーザ光を基板１１に入射させる。   An objective lens switching unit 31 is disposed above the XY stage 12. The objective lens switching unit 31 has a plurality of (here, two) objective lenses 32, and the objective lens 32 to be used is selected under the control of the control device 24 and makes the laser light enter the substrate 11.

撮像部１３は、CCD等の固体撮像素子であり、対物レンズ３２を通った基板１１からの光を、ダイクロイックミラー３３、３４と結像レンズ３５を含む第５の光学系２３を介して受ける。第５の光学系２３は、レーザ光により欠陥修正される基板を観察するための観察光学系である。撮像部１３は、観察光学系からの光を受けて基板１１を撮像する撮像部である。   The imaging unit 13 is a solid-state imaging device such as a CCD, and receives light from the substrate 11 that has passed through the objective lens 32 via a fifth optical system 23 including dichroic mirrors 33 and 34 and an imaging lens 35. The fifth optical system 23 is an observation optical system for observing a substrate whose defect is corrected by laser light. The imaging unit 13 is an imaging unit that captures the substrate 11 by receiving light from the observation optical system.

照明光源２１からの照明光は、コレクタレンズ３６，ダイクロイックミラー３３及び対物レンズ３２を含む第４の光学系２２を介して、基板１１へ導かれ、基板１１を照明する。基板１１の光学像は、撮像部１３の撮像面に、その照明光が照射された基板１１からの反射光により形成される。すなわち、照明光は、ダイクロイックミラー３３により、反射されて基板１１へ導かれ、基板１１の反射光は、ダイクロイックミラー３３、３４を透過して、結像レンズ３５により撮像部１３へ導かれる。   The illumination light from the illumination light source 21 is guided to the substrate 11 via the fourth optical system 22 including the collector lens 36, the dichroic mirror 33, and the objective lens 32, and illuminates the substrate 11. The optical image of the substrate 11 is formed by reflected light from the substrate 11 irradiated with the illumination light on the imaging surface of the imaging unit 13. That is, the illumination light is reflected by the dichroic mirror 33 and guided to the substrate 11, and the reflected light of the substrate 11 passes through the dichroic mirrors 33 and 34 and is guided to the imaging unit 13 by the imaging lens 35.

レーザ光源１４は、YAGレーザ発信器を含み、複数の波長のレーザ光を生成して出射可能な多波長レーザ光源装置である。レーザ光源１４は、制御装置２４の制御の下で、ここでは、波長２６６ｎｍ、波長３５５ｎｍ、波長５３２ｎｍ、及び波長１０６４ｎｍの４つの波長のうちから１つのレーザ光を選択的に出射する。レーザ光源１４は、欠陥の種類あるいは加工方式に応じて選択されて設定された波長、パワー等で、レーザ光を出射する。   The laser light source 14 includes a YAG laser transmitter, and is a multi-wavelength laser light source device that can generate and emit laser light having a plurality of wavelengths. The laser light source 14 selectively emits one laser light from the four wavelengths of 266 nm, 355 nm, 532 nm, and 1064 nm under the control of the control device 24. The laser light source 14 emits laser light with a wavelength, power, etc. selected and set according to the type of defect or the processing method.

第１の光学系１５は、欠陥箇所の形状に合わせて欠陥を修正する面加工方式の欠陥修正のためのレーザ光を照射するレーザ照射光学系である。第１の光学系１５は、レンズ４１、光ファイバ４２、レンズ４３、ミラー４４及び２次元空間変調器１８を含む。
第２の光学系１６は、欠陥箇所を点で修正する集光点加工方式の欠陥修正のためのレーザ光レーザ光を照射するレーザ照射光学系である。第２の光学系１６は、レンズ４５と光ファイバ４６を含む。 The first optical system 15 is a laser irradiation optical system that irradiates a laser beam for defect correction of a surface processing method in which a defect is corrected in accordance with the shape of a defect portion. The first optical system 15 includes a lens 41, an optical fiber 42, a lens 43, a mirror 44, and a two-dimensional spatial modulator 18.
The second optical system 16 is a laser irradiation optical system that irradiates laser light laser light for defect correction of a condensing point processing method that corrects a defect portion with a point. The second optical system 16 includes a lens 45 and an optical fiber 46.

第１の光路切替部１７は、スライド可能なミラー４７を含むミラースライダである。第１の光路切替部１７は、制御装置２４の制御の下で、レーザ光源１４からのレーザ光を第１の光学系１５と第２の光学系１６のいずれか一方へ出射するように切り換えるレーザ光路切替機構を構成する。すなわち、第１の光路切替部１７は、レーザ光が入射する光路を、少なくとも２つのレーザ照射光学系１５，１６のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部を構成する。   The first optical path switching unit 17 is a mirror slider including a slidable mirror 47. The first optical path switching unit 17 is a laser that switches so that the laser light from the laser light source 14 is emitted to one of the first optical system 15 and the second optical system 16 under the control of the control device 24. An optical path switching mechanism is configured. That is, the first optical path switching unit 17 constitutes a laser optical path switching unit that switches an optical path on which laser light is incident to one of at least two laser irradiation optical systems 15 and 16.

図１において実線で示すように、レーザ光を反射可能なミラー４７が、レーザ光源１４から出射されるレーザ光の光路上から外れるように移動すると、レーザ光は直進して、第１の光学系１５へ出射される。また、図１において点線で示すように、ミラー４７が、レーザ光源１４から出射されるレーザ光の光路上に移動すると、レーザ光はミラー４７で反射して、第２の光学系１６へ出射される。なお、ミラー４７をレーザ光の光路上から外れるように移動すると、レーザ光が第２の光学系１６へ出射され、ミラー４７をレーザ光の光路上に移動すると、レーザ光は第１の光学系１５へ出射されるようにしてもよい。   As indicated by the solid line in FIG. 1, when the mirror 47 that can reflect the laser light moves so as to be off the optical path of the laser light emitted from the laser light source 14, the laser light goes straight and the first optical system 15 is emitted. Further, as indicated by the dotted line in FIG. 1, when the mirror 47 moves on the optical path of the laser light emitted from the laser light source 14, the laser light is reflected by the mirror 47 and emitted to the second optical system 16. The When the mirror 47 is moved away from the optical path of the laser light, the laser light is emitted to the second optical system 16, and when the mirror 47 is moved onto the optical path of the laser light, the laser light is emitted from the first optical system. 15 may be emitted.

第１の光学系１５へ出射されたレーザ光は、レンズ４１を通り、光ファイバ４２の一方の端面に入射する。レーザ光は、光ファイバ４２の作用により光ファイバ４２内を伝送し、光ファイバ４２の他方の端面から出射され、レンズ４３を通ってミラー４４で反射される。   The laser light emitted to the first optical system 15 passes through the lens 41 and enters one end face of the optical fiber 42. The laser light is transmitted through the optical fiber 42 by the action of the optical fiber 42, is emitted from the other end face of the optical fiber 42, passes through the lens 43, and is reflected by the mirror 44.

光ファイバ４２の他方の端面からのレーザ光は、レンズ４３により拡大されてミラー４４に出射される。よって、ファイバ４２の他方の端面は、レンズ４３とミラー４４により、レーザパワー分布が均一化された面光源となる。   Laser light from the other end face of the optical fiber 42 is magnified by the lens 43 and emitted to the mirror 44. Therefore, the other end surface of the fiber 42 becomes a surface light source in which the laser power distribution is made uniform by the lens 43 and the mirror 44.

ミラー４４からのレーザ光は、２次元空間変調器１８に入射される。２次元空間変調器１８は、後述する結像レンズ５０の前側焦点位置に配置される。
２次元空間変調器１８は、空間光変調素子であり、ここでは、角度が変更可能な微小ミラーを備えるDMD（デジタルマイクロミラーデバイス）が複数２次元マトリックス状に配列されたDMDユニットである。DMDは、駆動用メモリーセルの上部に、例えば角度±１０度と０度（水平）にデジタル制御可能な微小ミラーを備えている。 The laser beam from the mirror 44 is incident on the two-dimensional spatial modulator 18. The two-dimensional spatial modulator 18 is disposed at the front focal position of the imaging lens 50 described later.
The two-dimensional spatial modulator 18 is a spatial light modulator, and here is a DMD unit in which a plurality of DMDs (digital micromirror devices) each having a minute mirror whose angle can be changed are arranged in a two-dimensional matrix. The DMD includes a micromirror that can be digitally controlled at an angle of ± 10 degrees and 0 degrees (horizontal), for example, on the upper part of the driving memory cell.

DMDは、各微小ミラーと駆動用メモリーセルとの間のギャップに働く電圧差によって起こる静電引力によって角度±１０度と０度（水平）に高速で切り換えられるものであり、例えば、特開２０００−２８９３７号公報に開示されている。この微小ミラーの回転は、例えばストッパにより角度±１０度に制限され、駆動用メモリーセルのオン状態で角度±１０度に回転し、オフ状態で水平角度である０度に復帰する。なお、この微小ミラーは、例えば数μｍ〜数十μｍのオーダの矩形状に半導体製造技術を用いて形成されたマイクロミラーであり、駆動用メモリーセル上に２次元に配列することでDMDユニットが構成される。   The DMD is switched at a high speed between an angle of ± 10 degrees and 0 degrees (horizontal) by electrostatic attraction generated by a voltage difference acting on a gap between each micromirror and the driving memory cell. -28937. The rotation of the micromirror is limited to, for example, an angle of ± 10 degrees by a stopper, rotates to an angle of ± 10 degrees when the driving memory cell is on, and returns to a horizontal angle of 0 degrees when the driving memory cell is off. The micromirror is a micromirror formed by using a semiconductor manufacturing technique in a rectangular shape on the order of several μm to several tens of μm, for example, and the DMD unit is arranged in two dimensions on the driving memory cell. Composed.

第２の光路切替部１９は、スライド可能なミラー４８を含むミラースライダである。第２の光路切替部１９は、制御装置２４の制御の下で、第１の光学系１５と第２の光学系１６のいずれか一方からのレーザ光を第３の光学系２０へ出射するように切り換えるレーザ光路切替機構を構成する。図１において実線で示すように、レーザ光を反射可能なミラー４８が、２次元空間変調器１８からのレーザ光の光路上から外れるように移動すると、２次元空間変調器１８からのレーザ光は、第３の光学系２０へ出射される。また、図１において点線で示すように、ミラー４８が、２次元空間変調器１８からのレーザ光の光路上に移動すると、２次元空間変調器１８からのレーザ光はミラー４８により遮られ、第２の光学系１６からのレーザ光が、ミラー４８で反射されて、第３の光学系２０へ出射される。   The second optical path switching unit 19 is a mirror slider including a slidable mirror 48. The second optical path switching unit 19 emits laser light from one of the first optical system 15 and the second optical system 16 to the third optical system 20 under the control of the control device 24. A laser beam path switching mechanism for switching to is configured. As indicated by a solid line in FIG. 1, when the mirror 48 capable of reflecting the laser beam moves so as to be out of the optical path of the laser beam from the two-dimensional spatial modulator 18, the laser beam from the two-dimensional spatial modulator 18 is And emitted to the third optical system 20. Further, as indicated by a dotted line in FIG. 1, when the mirror 48 moves on the optical path of the laser light from the two-dimensional spatial modulator 18, the laser light from the two-dimensional spatial modulator 18 is blocked by the mirror 48, The laser light from the second optical system 16 is reflected by the mirror 48 and emitted to the third optical system 20.

第３の光学系２０は、ミラー４９、結像レンズ５０，ダイクロイックミラー３４及び対物レンズ３２を含む。
上述したDMDユニットの基準反射面（各DMDの角度が０度の反射面）にレーザ光が入射した場合、ミラー４９にレーザ光は入射せず、各微小ミラーがオン状態で角度±１０度に傾いたとき、ミラー４９へレーザ光が入射するように、第１の光学系１５，第２の光路切替部１９及び第３の光学系２０は、配置される。なお、DMDユニットは、基準反射面の傾斜角を調整可能な支持台に取り付けられていることが好ましい。
また、DMDユニットである２次元空間変調器１８に入射したレーザ光は、例えば駆動用メモリーセルをオン状態にしたときに、ミラー４９へ入射し、結像レンズ５０、ダイクロイックミラー３３、３４及び対物レンズ３２を介して、基板１１上に縮小投影される。さらに、駆動用メモリーセルをオフ状態にすれば、２次元空間変調器１８からのレーザ光は、ミラー４９に入射せず、基板１１に照射されない。 The third optical system 20 includes a mirror 49, an imaging lens 50, a dichroic mirror 34 and an objective lens 32.
When the laser light is incident on the reference reflective surface (the reflective surface where each DMD angle is 0 degree) of the DMD unit described above, the laser light is not incident on the mirror 49, and each micromirror is turned on at an angle of ± 10 degrees. The first optical system 15, the second optical path switching unit 19, and the third optical system 20 are arranged so that laser light is incident on the mirror 49 when tilted. The DMD unit is preferably attached to a support that can adjust the inclination angle of the reference reflecting surface.
The laser light incident on the two-dimensional spatial modulator 18 which is a DMD unit is incident on the mirror 49 when the driving memory cell is turned on, for example, and forms the imaging lens 50, the dichroic mirrors 33 and 34, and the objective. The image is reduced and projected on the substrate 11 through the lens 32. Further, when the driving memory cell is turned off, the laser light from the two-dimensional spatial modulator 18 does not enter the mirror 49 and is not irradiated on the substrate 11.

よって、面加工方式による欠陥修正を行う場合は、２次元空間変調器１８によって所望の断面形状に形成されたレーザ光は、第２の光路切替部１９を直進して、ミラー４９で反射されて、結像レンズ５０に入射する。結像レンズ５０から出射したレーザ光は、ダイクロイックミラー３４により反射され、対物レンズ３２によって基板１１上に、２次元空間変調器１８の反射面が縮小投影されることによって、基板１１を所望の形状で修正して加工する。   Therefore, when performing defect correction by the surface processing method, the laser light formed in a desired cross-sectional shape by the two-dimensional spatial modulator 18 travels straight through the second optical path switching unit 19 and is reflected by the mirror 49. , Enters the imaging lens 50. The laser light emitted from the imaging lens 50 is reflected by the dichroic mirror 34, and the reflecting surface of the two-dimensional spatial modulator 18 is reduced and projected onto the substrate 11 by the objective lens 32, so that the substrate 11 has a desired shape. Modify with and process.

また、第２の光学系１６からのレーザ光がミラー４８で反射されると、レーザ光がミラー４９へ入射するように、第２の光学系１６，第２の光路切替部１９及び第３の光学系２０は、配置される。
よって、集光点加工方式による欠陥修正を行う場合には、レーザ光は、レンズ４５を介して光ファイバ４６の一方の端面に入射する。光ファイバ４６の他方の端面では、レーザ光は、レーザパワー分布が均一化された面光源となっている。さらに、光ファイバ４６の他方の端面は、結像レンズ５０の前側焦点位置に配設される。光ファイバ４６の他方の端面から出射したレーザ光は、ミラー４８とミラー４９で反射されて、結像レンズ５０に入射する。結像レンズ５０から出射したレーザ光は、ダイクロイックミラー３４により反射され、対物レンズ３２によって基板１１上に集光して、基板１１を点の形状で修正して加工する。 In addition, when the laser light from the second optical system 16 is reflected by the mirror 48, the second optical system 16, the second optical path switching unit 19, and the third optical system 16 are arranged so that the laser light enters the mirror 49. The optical system 20 is disposed.
Therefore, when performing defect correction by the condensing point processing method, the laser light is incident on one end face of the optical fiber 46 via the lens 45. On the other end face of the optical fiber 46, the laser light is a surface light source having a uniform laser power distribution. Further, the other end face of the optical fiber 46 is disposed at the front focal position of the imaging lens 50. The laser light emitted from the other end face of the optical fiber 46 is reflected by the mirror 48 and the mirror 49 and enters the imaging lens 50. The laser light emitted from the imaging lens 50 is reflected by the dichroic mirror 34, is condensed on the substrate 11 by the objective lens 32, and the substrate 11 is corrected to a point shape and processed.

なお、第２の光学系１６の光ファイバ４６の他方の端面に、ピンホール装置を設けて、このピンホール装置のピンホール径を有するレーザ光が、基板１１上に縮小投影されるようにしてもよい。さらに、ピンホール装置のピンホール径は、可変であってもよい。このような構成によれば、集光点加工方式の加工サイズは、そのピンホール径に依存するので、制御部５１により、ピンホール径を制御することにより、集光点加工方式の加工サイズを、欠陥に応じた加工サイズとすることができる。   A pinhole device is provided on the other end face of the optical fiber 46 of the second optical system 16 so that the laser beam having the pinhole diameter of this pinhole device is projected onto the substrate 11 in a reduced scale. Also good. Furthermore, the pinhole diameter of the pinhole device may be variable. According to such a configuration, since the processing size of the condensing point processing method depends on the pinhole diameter, the processing size of the condensing point processing method is controlled by controlling the pinhole diameter by the control unit 51. The processing size according to the defect can be obtained.

さらになお、第２の光学系１６の光ファイバ４６の代わりに、凹レンズを配置して、レーザ光源４６から出射されたレーザ光の平行光線をその凹レンズにより開口数NAを有する状態で、結像レンズ５０に入射させるようにしてもよい。結像レンズ５０により再び平行光線となったレーザ光は、対物レンズ３２により基板１１上に集光する。その場合、その凹レンズの焦点距離を調整して、焦点位置を基板１１の手前で集光させて、レーザ光が基板１１上で有る程度の大きさを有するようにしてもよいし、結像レンズ５０の手前側焦点位置にピンホール装置を配置するようにして、そのピンホール装置のピンホール径を有するレーザ光が基板１１上に縮小投影されるようにしてもよい。凹レンズを用いることは、消耗品である光ファイバを使用しなくても良くなるというメリットがある。   Furthermore, in place of the optical fiber 46 of the second optical system 16, a concave lens is disposed, and the parallel light of the laser light emitted from the laser light source 46 has a numerical aperture NA by the concave lens. 50 may be made incident. The laser light that has been converted into parallel rays by the imaging lens 50 is condensed on the substrate 11 by the objective lens 32. In that case, the focal length of the concave lens may be adjusted so that the focal position is condensed in front of the substrate 11 so that the laser beam has a certain size on the substrate 11. A pinhole device may be arranged at the front focal position of 50, and laser light having a pinhole diameter of the pinhole device may be reduced and projected onto the substrate 11. The use of a concave lens has the advantage that it is not necessary to use a consumable optical fiber.

観察光学系である第５の光学系２３の一部は、ダイクロイックミラー３４によって、第３の光学系２０と重なっている。すなわち、観察光学系は、第３の光学系２０の一部と同じ光軸上に位置している。基板１１からの反射光が結像レンズ３５により撮像部１３の撮像面上に結像することによって、撮像部１３は、基板１１を撮像する。表示部５９には、基板１１のライブ画像が表示される。   A part of the fifth optical system 23 which is an observation optical system is overlapped with the third optical system 20 by a dichroic mirror 34. That is, the observation optical system is located on the same optical axis as a part of the third optical system 20. The reflected light from the substrate 11 forms an image on the imaging surface of the imaging unit 13 by the imaging lens 35, so that the imaging unit 13 images the substrate 11. A live image of the substrate 11 is displayed on the display unit 59.

なお、上述した面加工方式では、２次元空間変調器１８を用いているが、２次元空間変調器１８の位置に配置された所定形状のマスクパターンあるいはスリットを用いてもよい。例えば、レーザ光源１４から出射されたレーザ光をビームエキスパンダにより拡大してマスクパターンあるいはスリットに入射させる。レーザ光は、マスクパターンあるいはスリットの形状に応じた断面形状を有して、基板１１上に照射される。この場合、ビームエキスパンダでレーザ光のビーム径を広げる代わりに、光ファイバの端面からのレーザ光をマスクパターンあるいはスリットに投影して、レーザ光のビーム径を広げるようにしてもよい。
（制御装置の構成）
制御装置２４は、制御部５１と、レシピ格納部５２と、ステージ制御部５３と、画像処理部５４と、対物レンズ切替制御部５５と、スライダ制御部５６と、レーザ形状制御部５７と、レーザ光源１４を制御するレーザ制御部５８と、表示部５９と、入力装置６０とを含む。 In the surface processing method described above, the two-dimensional spatial modulator 18 is used, but a mask pattern or a slit having a predetermined shape arranged at the position of the two-dimensional spatial modulator 18 may be used. For example, laser light emitted from the laser light source 14 is enlarged by a beam expander and is incident on a mask pattern or a slit. The laser light has a cross-sectional shape corresponding to the shape of the mask pattern or slit, and is irradiated onto the substrate 11. In this case, instead of widening the beam diameter of the laser light with a beam expander, the laser light from the end face of the optical fiber may be projected onto a mask pattern or a slit to widen the beam diameter of the laser light.
(Configuration of control device)
The control device 24 includes a control unit 51, a recipe storage unit 52, a stage control unit 53, an image processing unit 54, an objective lens switching control unit 55, a slider control unit 56, a laser shape control unit 57, and a laser. A laser control unit 58 that controls the light source 14, a display unit 59, and an input device 60 are included.

制御部５１は、中央処理装置（CPU）及びメモリ装置を含み、メモリ装置に記憶されたプログラム及びデータを用いて、後述する処理を実行する。制御部５１には、外部の検査装置から、欠陥修正する基板１１についての、欠陥位置情報が入力される。
制御部５１は、加工領域及び加工条件が設定される設定部５１ａを含む。設定部５１ａは、欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定する加工条件設定部を構成する。 The control unit 51 includes a central processing unit (CPU) and a memory device, and executes processing to be described later using a program and data stored in the memory device. The controller 51 receives defect position information about the substrate 11 whose defect is to be corrected from an external inspection apparatus.
The control unit 51 includes a setting unit 51a in which a machining area and machining conditions are set. The setting unit 51a constitutes a processing condition setting unit that sets a processing method and processing conditions for each processing region of the defective part.

制御部５１は、記憶されたプログラムをCPUにより実行して、レシピ格納部５２に格納された各種情報を用いて、設定部５１ａに加工領域及び加工条件を設定して、ステージ制御部５３、画像処理部５４、対物レンズ切替制御部５５、スライダ制御部５６、レーザ形状制御部５７及びレーザ制御部５８を制御する処理を実行する。すなわち、制御部５１は、加工領域毎に設定された加工方式と加工条件に基づいて基板１１に対して加工を行うように、レーザ光源１４と第１の光路切替部１７を制御する。   The control unit 51 executes the stored program by the CPU, sets the processing area and processing conditions in the setting unit 51a using various information stored in the recipe storage unit 52, Processing for controlling the processing unit 54, the objective lens switching control unit 55, the slider control unit 56, the laser shape control unit 57, and the laser control unit 58 is executed. That is, the control unit 51 controls the laser light source 14 and the first optical path switching unit 17 so as to process the substrate 11 based on the processing method and processing conditions set for each processing region.

レシピ格納部５２は、欠陥修正時に使用する各種情報を格納するメモリ装置である。各種情報には、リペア対象である基板についての、参照画像情報、加工禁止領域情報、微細加工領域情報、加工方式領域情報、レーザ光出力設定情報、対物レンズ設定情報等、各加工方式実行時に必要な情報が含まれる。   The recipe storage unit 52 is a memory device that stores various types of information used at the time of defect correction. Various information, such as reference image information, processing prohibited area information, fine processing area information, processing method area information, laser light output setting information, objective lens setting information, etc., for the substrate to be repaired is required when executing each processing method Information.

参照画像情報は、欠陥部を有さない基板１１を撮像して得られた撮像画像などの画像情報であり、欠陥部の検出をするときに参照される参照画像RIの画像情報である。
加工禁止領域情報は、基板１１において、全てのあるいは一部の加工方式による加工が禁止される領域の情報である。
微細加工領域情報は、基板１１において、微細加工される領域の情報である。 The reference image information is image information such as a captured image obtained by imaging the substrate 11 that does not have a defective portion, and is image information of a reference image RI that is referred to when a defective portion is detected.
The processing prohibited area information is information on an area in the substrate 11 where processing by all or a part of the processing methods is prohibited.
The microfabrication area information is information on a microfabricated area in the substrate 11.

加工方式領域情報は、加工方式が設定されている領域の情報であり、例えば、後述する自動処理の場合に、面加工方式により加工される面加工領域の情報と、集光点加工方式により加工される集光点加工領域の情報である。   The processing method region information is information on a region where the processing method is set. For example, in the case of automatic processing described later, information on a surface processing region processed by the surface processing method and processing by a condensing point processing method. This is information on the focused spot processing area.

レーザ光出力設定情報は、各加工方式の実行時にレーザ光源１４から出射されるレーザ光の波長、周波数、ショット数等の情報である。
対物レンズ設定情報は、加工方式毎に使用される対物レンズ、及び微細加工時に使用される対物レンズの情報である。
以上の他にも、各種情報が、レシピ格納部５２に予め記憶されている。 The laser light output setting information is information such as the wavelength, frequency, and number of shots of the laser light emitted from the laser light source 14 when each processing method is executed.
The objective lens setting information is information on an objective lens used for each processing method and an objective lens used in fine processing.
In addition to the above, various types of information are stored in advance in the recipe storage unit 52.

ステージ制御部５３は、基板１１の欠陥の位置にレーザ光を照射するように、XYステージ１２を制御する。ステージ制御部５３は、制御部５１から位置情報が入力され、入力された位置情報に基づいて、撮像部１３により欠陥部が撮像されて表示部５９に表示されるように、XYステージ１２を制御する。   The stage control unit 53 controls the XY stage 12 so as to irradiate the defect position of the substrate 11 with laser light. The stage control unit 53 receives position information from the control unit 51, and controls the XY stage 12 so that a defective part is imaged by the imaging unit 13 and displayed on the display unit 59 based on the input position information. To do.

画像処理部５４は、撮像部１３からの画像信号を入力して、リペア対象である基板１１の欠陥部を画像処理により検出する欠陥検出部５４ａを含み、基板１１の画像を表示するための画像信号を表示部５９に出力する。欠陥検出部５４ａは、撮像部１３において撮像して得られた画像から画像処理により、基板１１の欠陥部を検出する。   The image processing unit 54 includes an image signal for displaying the image of the substrate 11, including a defect detection unit 54 a that receives an image signal from the imaging unit 13 and detects a defective portion of the substrate 11 to be repaired by image processing. The signal is output to the display unit 59. The defect detection unit 54a detects a defective part of the substrate 11 from the image obtained by imaging in the imaging unit 13 by image processing.

対物レンズ切替制御部５５は、対物レンズ切替ユニット３１を制御して、加工方式等に応じて、あるいは検査者からの指示に応じて、対物レンズ３２を切り替える。
スライダ制御部５６は、ミラー４７，４８の位置を変更するように、第１及び第２の光路切替部１７、１９を制御する。 The objective lens switching control unit 55 controls the objective lens switching unit 31 to switch the objective lens 32 according to a processing method or the like or according to an instruction from an inspector.
The slider control unit 56 controls the first and second optical path switching units 17 and 19 so as to change the positions of the mirrors 47 and 48.

レーザ形状制御部５７は、修正する欠陥部の形状あるいはレーザ光照射領域の形状に合わせたレーザ光の反射光をミラー４９へ出射するように、制御部５１からの情報に基づいて２次元空間変調器１８を制御する。
レーザ制御部５８は、レーザ光源１４を制御して、レーザ光の出力と、出力するレーザ光の波長等を制御する。 The laser shape control unit 57 performs two-dimensional spatial modulation on the basis of information from the control unit 51 so as to emit reflected light of the laser light to the mirror 49 in accordance with the shape of the defect to be corrected or the shape of the laser light irradiation region. The device 18 is controlled.
The laser controller 58 controls the laser light source 14 to control the output of the laser light, the wavelength of the laser light to be output, and the like.

表示部５９は、基板１１のライブ画像を表示すると共に、修正の領域等の入力あるいは設定を行うグラフィカルユーザインターフェース（以下、GUIと略す）を提供する。表示部５９に表示されるGUIの画像は、制御部５１により生成され、表示されるGUIの画像の中には、撮像部１３により撮像して得られた基板１１の画像が含まれる。
入力装置６０は、検査者が、制御部５１に対して各種指示を入力するための、キーボード、マウスなどの操作器である。
（リペア処理）
次に、リペア装置１のリペア処理について説明する。
リペア装置１には、図示しない検査装置からの欠陥位置情報が入力され、リペア装置１は、その欠陥位置情報に基づいて、リペア処理を実行する。図示しない検査装置は、例えば、撮像装置により基板１１を撮像して、画像処理により欠陥を検出し、検出した欠陥の基板上の位置情報を生成して出力する装置である。 The display unit 59 displays a live image of the substrate 11 and provides a graphical user interface (hereinafter abbreviated as GUI) for inputting or setting a correction area or the like. The GUI image displayed on the display unit 59 is generated by the control unit 51, and the GUI image displayed by the imaging unit 13 is included in the displayed GUI image.
The input device 60 is an operation device such as a keyboard and a mouse for an inspector to input various instructions to the control unit 51.
(Repair processing)
Next, the repair process of the repair device 1 will be described.
The repair apparatus 1 receives defect position information from an inspection apparatus (not shown), and the repair apparatus 1 executes a repair process based on the defect position information. An inspection apparatus (not shown) is, for example, an apparatus that images the substrate 11 with an imaging device, detects defects by image processing, and generates and outputs positional information of the detected defects on the substrate.

以下、基板画像の例を用いて、制御部５１の動作を説明するが、まず、基板画像の例について説明する。
図２は、欠陥部を含む基板１１の部分拡大画像の例を示す図である。ここでは、図２の画像は、フォト工程後の基板１１の画像である。図２に示すように、欠陥部を含む基板１１の部分拡大画像（以下、欠陥画像という）DIには、基板１１の表面上に形成された複数の配線パターン１０１の画像と、欠陥部１０２の画像とが含まれている。欠陥部１０２は、金属などの異物１０３を含むレジスト膜１０４である。また、基板１１上には、配線パターン間の導通部１０５も形成されている。
図３は、図２の画像に対応する参照画像RIの例を示す図である。上述したように、参照画像RIは、レシピ格納部５２に記憶されている。参照画像RIと欠陥画像DIの差分画像から、欠陥部１０２を検出することができる。
なお、後述するように、図３において、４つの導通部１０５間の領域FRAが、微細加工領域である。 Hereinafter, the operation of the control unit 51 will be described using an example of a board image. First, an example of a board image will be described.
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a partially enlarged image of the substrate 11 including a defective portion. Here, the image of FIG. 2 is an image of the substrate 11 after the photo process. As shown in FIG. 2, a partially enlarged image (hereinafter referred to as a defect image) DI of the substrate 11 including the defect portion includes an image of a plurality of wiring patterns 101 formed on the surface of the substrate 11 and the defect portion 102. Includes images. The defective portion 102 is a resist film 104 including a foreign substance 103 such as metal. In addition, a conductive portion 105 between the wiring patterns is also formed on the substrate 11.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the reference image RI corresponding to the image of FIG. As described above, the reference image RI is stored in the recipe storage unit 52. The defect portion 102 can be detected from the difference image between the reference image RI and the defect image DI.
As will be described later, in FIG. 3, a region FRA between the four conductive portions 105 is a finely processed region.

図４と図５は、制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。以下、図４と図５により、リペア装置１のリペア処理について説明する。また、図６は、欠陥画像から欠陥部が抽出され、欠陥部の面加工領域と集光点加工領域が設定されるまでを説明するための図である。   4 and 5 are flowcharts showing an example of processing of the control unit 51. Hereinafter, the repair process of the repair device 1 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 6 is a diagram for explaining the process from when a defective portion is extracted from a defect image until the surface processing region and the condensing point processing region of the defective portion are set.

制御部５１内のメモリ装置には、図示しない検査装置から入力された基板１１の１つ又は複数の欠陥位置情報が格納され、制御部５１は、そのメモリ装置から欠陥位置情報を１つずつ読み出し、読み出された欠陥位置情報に基づいて、撮像部１３の撮像範囲をその欠陥位置へ、すなわちその欠陥位置情報に対応する位置を含む範囲へ、移動させる（ステップ（以下Sと略す）1）。より具体的には、制御部５１は、その欠陥位置情報に基づいてステージ制御部５３を制御して、撮像部１３によって基板１１の欠陥位置が撮像されるようにXYステージ１２を駆動する。   The memory device in the control unit 51 stores one or more pieces of defect position information of the substrate 11 input from an inspection device (not shown), and the control unit 51 reads the defect position information from the memory device one by one. Based on the read defect position information, the imaging range of the imaging unit 13 is moved to the defect position, that is, the range including the position corresponding to the defect position information (step (hereinafter abbreviated as S) 1). . More specifically, the control unit 51 controls the stage control unit 53 based on the defect position information, and drives the XY stage 12 so that the imaging unit 13 images the defect position of the substrate 11.

制御部５１は、画像処理部５４を制御して、撮像部１３から出力される画像信号を画像処理部５４に取り込むことによって、基板１１を撮像する（S2）。S2の処理により、欠陥画像DIが取得される。   The control unit 51 controls the image processing unit 54 to capture the image of the substrate 11 by taking the image signal output from the imaging unit 13 into the image processing unit 54 (S2). A defect image DI is acquired by the process of S2.

続いて、制御部５１は、画像処理部５４内の欠陥検出部５４ａにより、欠陥画像DIから欠陥部１０２の検出を行う（S3）。図６に示すように、欠陥画像DIから、欠陥部画像DDIが抽出される。   Subsequently, the control unit 51 uses the defect detection unit 54a in the image processing unit 54 to detect the defect unit 102 from the defect image DI (S3). As shown in FIG. 6, a defect portion image DDI is extracted from the defect image DI.

欠陥部１０２の検出は、欠陥画像DIと参照画像RIとの差分を取ることによって行うことができる。例えば、図２に示すような欠陥画像DIと図３に示すような参照画像RIとからパターンマッチングにより、欠陥部１０２が抽出され、欠陥が検出される。なお、欠陥部１０２の抽出は、パターンマッチングの他にも、隣接画像比較などの画像処理技術を用いて行うようにしてもよい。   The defect portion 102 can be detected by taking the difference between the defect image DI and the reference image RI. For example, the defect portion 102 is extracted from the defect image DI as shown in FIG. 2 and the reference image RI as shown in FIG. 3 by pattern matching, and the defect is detected. The defective portion 102 may be extracted using an image processing technique such as adjacent image comparison in addition to pattern matching.

欠陥画像DIは、外部からの欠陥位置情報に基づいて得られるが、検査装置において検出された欠陥が、検査精度により欠陥でない場合もある。よって、制御部５１は、S3で欠陥が検出されない場合もある。
そこで、制御部５１は、欠陥部が存在するか否かすなわち欠陥が検出されたか否かを判定し、欠陥画像内に欠陥部が存在しない場合は（S4:NO）、処理は、後述するS20へ移行する。 The defect image DI is obtained based on defect position information from the outside, but the defect detected by the inspection apparatus may not be a defect due to inspection accuracy. Therefore, the controller 51 may not detect a defect in S3.
Therefore, the control unit 51 determines whether or not a defect portion exists, that is, whether or not a defect is detected. If there is no defect portion in the defect image (S4: NO), the process is described later in S20. Migrate to

制御部５１は、欠陥画像内に欠陥部が存在する場合は（S4:YES）、検出された欠陥部の加工方式を決定する（S5）。S5の処理が、加工領域を、欠陥部１０２の画像を解析する画像処理により、加工領域毎に加工方式を決定する加工方式決定部を構成する。S5において決定された加工領域毎の加工方式は、設定部５１ａに設定される。ここでは、S5において、加工領域を、欠陥部１０２の画像を解析する画像処理により、レーザ光による低エネルギーで加工する面加工領域と、レーザ光による高エネルギーで加工する集光点加工領域に分類することによって、面加工領域及び集光点加工領域のそれぞれについての加工方式が決定される。   If there is a defect in the defect image (S4: YES), the controller 51 determines the processing method for the detected defect (S5). The processing of S5 constitutes a processing method determination unit that determines a processing method for each processing region by image processing for analyzing the image of the defect portion 102 in the processing region. The processing method for each processing region determined in S5 is set in the setting unit 51a. Here, in S5, the processing region is classified into a surface processing region processed with low energy by laser light and a condensing point processing region processed with high energy using laser light by image processing for analyzing the image of the defect portion 102. By doing so, the processing method about each of a surface processing area | region and a condensing point processing area | region is determined.

加工方式は、検出された欠陥部１０２の画像から得られたあるいは画像についての各種情報から、決定される。制御部５１は、検出された欠陥部１０２の画像を解析し、欠陥部１０２の輝度、輝度分散、色、形状、面積などから欠陥の種類を判定し、さらに、欠陥部の存在する領域の情報とから、欠陥部１０２の加工方式を決定する。   The processing method is determined from various information obtained from the image of the detected defective portion 102 or about the image. The control unit 51 analyzes the detected image of the defective portion 102, determines the type of the defect from the luminance, luminance dispersion, color, shape, area, etc. of the defective portion 102, and further information on the region where the defective portion exists From this, the processing method of the defective portion 102 is determined.

図６の例では、S3で抽出された欠陥部１０２を含む欠陥部画像DDIから、異物１０３の画像を含む欠陥部画像DDI1と、レジスト膜１０４の画像を含む欠陥部画像DDI2が生成されている。図６の欠陥部画像DDI1とDDI2の場合、例えば、欠陥画像DIにおいて異物１０３の部分の画素の輝度値は所定の値以下となるため、異物１０３の部分（欠陥部画像DDI1において丸いやや濃い影の部分）は、高いエネルギーで加工される部分として分類される。   In the example of FIG. 6, the defect portion image DDI1 including the image of the foreign matter 103 and the defect portion image DDI2 including the image of the resist film 104 are generated from the defect portion image DDI including the defect portion 102 extracted in S3. . In the case of the defect portion images DDI1 and DDI2 in FIG. 6, for example, the luminance value of the pixel of the foreign matter 103 in the defect image DI is not more than a predetermined value. Are classified as parts processed with high energy.

同様に、例えば、欠陥画像DIにおいてレジスト膜１０４の部分の画素の輝度値は所定の値以上であるため、レジスト膜１０４の部分（欠陥部画像DDI2においてリング状の薄い影の部分）は、低いエネルギーで加工される部分として分類される。   Similarly, for example, since the luminance value of the pixel in the resist film 104 portion in the defect image DI is equal to or higher than a predetermined value, the resist film 104 portion (ring-shaped thin shadow portion in the defect image DDI2) is low. Classified as energy processed parts.

ここでは、高いエネルギーで加工される部分（以下、高エネルギー加工部という）は、例えば黒欠陥の領域であり、集光点加工方式により加工される。低いエネルギーで加工される部分（以下、低エネルギー加工部という）は、例えばレジスト膜欠陥の領域であり、面加工方式により加工される。
上述した例では、加工方式の決定は、欠陥画像DIの画像データの輝度に基づいて行われているが、輝度だけでなく、上述した輝度分散、色、形状、面積、欠陥部の位置情報などから判定してもよい。 Here, a portion to be processed with high energy (hereinafter referred to as a high energy processing portion) is, for example, a black defect region, and is processed by a condensing point processing method. A portion processed with low energy (hereinafter referred to as a low energy processed portion) is, for example, a resist film defect region, and is processed by a surface processing method.
In the example described above, the processing method is determined based on the luminance of the image data of the defect image DI. However, not only the luminance but also the luminance dispersion, the color, the shape, the area, the position information of the defect portion, and the like described above. You may judge from.

さらにまた、ここでは、欠陥部１０２を高エネルギー加工部と低エネルギー加工部の２つの部分に分類しているが、所定の条件では、加工が不要な部分（以下、加工不要部という）として分類するようにしてもよい。例えば、黒欠陥は、加工不要部と分類されるようにしてもよい。   Furthermore, here, the defect portion 102 is classified into two parts, a high energy processed part and a low energy processed part. However, under a predetermined condition, the defective part 102 is classified as a part that does not require processing (hereinafter referred to as a processing unnecessary part). You may make it do. For example, the black defect may be classified as a processing unnecessary portion.

制御部５１は、欠陥部１０２の加工方式を決定した後、欠陥画像DI内に高エネルギー加工部が存在するか否かを判定する（S6）。図６の例では、欠陥部画像DDI1の異物１０３が高エネルギー加工部であるので、集光点加工方式で加工される部分が存在すると判定される。
なお、高エネルギー加工部が存在しない場合（S6:NO）、処理は、S10へ移行する。 After determining the processing method of the defect portion 102, the control unit 51 determines whether or not a high energy processing portion exists in the defect image DI (S6). In the example of FIG. 6, since the foreign matter 103 in the defect portion image DDI1 is a high energy processing portion, it is determined that there is a portion processed by the condensing point processing method.
In addition, when a high energy processing part does not exist (S6: NO), a process transfers to S10.

高エネルギー加工部が存在する場合（S6:YES）、制御部５１は、集光点加工方式で加工される領域（以下、集光点加工領域という）の情報を設定部５１ａに設定する（S7）。集光点加工領域は、集光点の軌跡（すなわち移動範囲）として決定される。   When a high energy processing unit exists (S6: YES), the control unit 51 sets information on an area to be processed by the focusing point processing method (hereinafter referred to as a focusing point processing area) in the setting unit 51a (S7). ). The condensing point processing region is determined as a locus (that is, a movement range) of the condensing point.

図６に示すように、集光点加工領域画像RA1は、参照画像RIと欠陥部画像DDI1とから決定される。集光点加工領域画像RA1において、白抜きの部分（白色の部分）が、焦点加工方式により加工される集光点加工領域を示す。すなわち、集光点加工領域は、異物１０３の部分において配線パターン１０１の部分を除いた領域である。よって、S7では、図６の白抜きの部分を走査する軌跡が、集光点加工領域として設定される。   As shown in FIG. 6, the condensing point processing area image RA1 is determined from the reference image RI and the defect portion image DDI1. In the condensing point processing region image RA1, a white portion (white portion) indicates a condensing point processing region processed by the focus processing method. That is, the condensing point processing region is a region obtained by removing the wiring pattern 101 portion from the foreign matter 103 portion. Therefore, in S7, the trajectory for scanning the white portion in FIG. 6 is set as the condensing point processing region.

続いて、制御部５１は、レーザショット条件を設定部５１ａに設定する（S8）。レーザショット条件は、レーザ加工条件であり、集光点加工方式におけるレーザ光の波長、周波数、ショット数などである。制御部５１は、レシピ格納部５２に予め記憶されている、集光点加工方式に対応するレーザショット条件を、読み出して、設定部５１ａに設定する。   Subsequently, the control unit 51 sets the laser shot condition in the setting unit 51a (S8). Laser shot conditions are laser processing conditions, such as the wavelength, frequency, and number of shots of laser light in the focusing point processing method. The control unit 51 reads out the laser shot conditions corresponding to the condensing point processing method stored in advance in the recipe storage unit 52 and sets them in the setting unit 51a.

図７は、設定部５１ａに設定される加工方式及び加工条件の例を示す図である。各欠陥部の加工領域毎に、加工方式と、加工領域情報と、波長、周波数、ショット数、パワー、光路などの加工条件情報とが、設定される。図７は、欠陥位置番号が「１」の欠陥部において、欠陥領域番号が「１−１」の加工領域について、加工方式が「高エネルギー加工方式」で、その加工領域が「（Xa,Ya）、（Xb,Yb）、・・・」で、波長が「２６６ｎｍ」で、あること等、を示している。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a processing method and processing conditions set in the setting unit 51a. A processing method, processing region information, and processing condition information such as wavelength, frequency, number of shots, power, and optical path are set for each processing region of each defective portion. In FIG. 7, in the defect portion having the defect position number “1”, the processing method for the processing region having the defect region number “1-1” is “high energy processing method” and the processing region is “(Xa, Ya ), (Xb, Yb),..., Indicates that the wavelength is “266 nm”.

そして、制御部５１は、欠陥領域番号が「１−１」について設定部５１ａに設定された加工方式、加工領域、及び各種加工条件に基づいて、集光点加工を実行する（S9）。具体的には、制御部５１が、ステージ制御部５３、対物レンズ切替制御部５５、スライダ制御部５６、レーザ制御部５８を駆動しかつ制御することによって、集光点加工方式による修正が実行される。   And the control part 51 performs a condensing point process based on the processing system set to the setting part 51a about the defect area number "1-1", a process area, and various process conditions (S9). Specifically, the control unit 51 drives and controls the stage control unit 53, the objective lens switching control unit 55, the slider control unit 56, and the laser control unit 58, so that the correction by the focusing point processing method is executed. The

集光点加工方式の場合、レーザ光が第２の光学系１６を通ってミラー４９に到達するように、制御部５１はスライダ制御部５６を制御して、第１及び第２の光路切替部１７、１９を切り替える。対物レンズ切替制御部５５において集光点加工方式に対応する対物レンズが選択されるように、制御部５１は、対物レンズ切替制御部５５を制御する。   In the case of the condensing point processing method, the control unit 51 controls the slider control unit 56 so that the laser beam reaches the mirror 49 through the second optical system 16, and the first and second optical path switching units. 17 and 19 are switched. The control unit 51 controls the objective lens switching control unit 55 so that the objective lens corresponding to the condensing point processing method is selected in the objective lens switching control unit 55.

また、制御部５１は、設定部１５ａに設定された集光点加工領域（集光点の軌跡）の情報に基づいて、ステージ制御部５３を制御してXYステージ１２を駆動する。
さらに、制御部５１は、設定部１５ａに設定されたレーザ加工条件に基づいて、レーザ制御部５８を制御して、設定された波長、周波数、ショット数などで、レーザ光を出射するようにレーザ光源１４を駆動する。 Further, the control unit 51 drives the XY stage 12 by controlling the stage control unit 53 based on the information of the condensing point processing region (condensed point locus) set in the setting unit 15a.
Further, the control unit 51 controls the laser control unit 58 based on the laser processing conditions set in the setting unit 15a so that the laser beam is emitted at the set wavelength, frequency, number of shots, and the like. The light source 14 is driven.

次に、制御部５１は、欠陥画像DI内に低エネルギー加工部が存在するか否かを判定する（S10）。図６の欠陥部画像DDI2に示すような低エネルギー加工部が存在する場合（S10:YES）、制御部５１は、微細加工部が存在するか否かを判定する（S11）。なお、低エネルギー加工部が存在しない場合（S10:NO）、処理は、S20へ移行する。   Next, the control unit 51 determines whether or not a low energy processing unit exists in the defect image DI (S10). When the low energy processed part as shown in the defective part image DDI2 of FIG. 6 exists (S10: YES), the control unit 51 determines whether or not the fine processed part exists (S11). In addition, when a low energy process part does not exist (S10: NO), a process transfers to S20.

微細加工部の位置及び領域の情報は、微細加工領域情報である微細加工領域画像FRIとして、レシピ格納部５２に記憶されている。よって、制御部５１は、レシピ格納部５２から微細加工領域画像FRIを読み出すことによって、欠陥部画像DDI2に微細加工領域が含まれているかを判定することができる。   Information on the position and area of the microfabrication unit is stored in the recipe storage unit 52 as a microfabrication area image FRI that is microfabrication area information. Therefore, the control unit 51 can determine whether or not the defective portion image DDI2 includes the finely processed region by reading the finely processed region image FRI from the recipe storage unit 52.

ここでは、図３の十字形の領域FRAが微細加工領域である。よって、低エネルギー加工部が微細加工領域を含む場合は、制御部５１は、集光点加工領域を設定する（S12）。この集光点加工領域は、微細加工領域画像FRIと欠陥部画像DDI1とから決定され、集光点加工領域画像RA2において、白抜きの部分（白色の部分）が、集光点加工方式により加工される集光点加工領域を示す。すなわち、集光点加工領域は、レジスト膜１０４の部分中の微細加工部分の領域である。   Here, the cross-shaped area FRA in FIG. 3 is the microfabrication area. Therefore, when the low energy processing unit includes a fine processing region, the control unit 51 sets a condensing point processing region (S12). This condensing point processing region is determined from the fine processing region image FRI and the defect portion image DDI1, and in the condensing point processing region image RA2, a white portion (white portion) is processed by the condensing point processing method. The condensing point processing area to be performed is shown. That is, the condensing point processing region is a region of a fine processing portion in the resist film 104 portion.

よって、微細加工部が存在する場合（S11:YES）、制御部５１は、図６の集光点加工領域画像RA2に示すような集光点加工領域を設定する（S12）。S12の処理は、上記のS7と同様の処理である。なお、低エネルギー加工部が存在しない場合（S11:NO）、処理は、S15へ移行する。   Therefore, when the finely processed portion exists (S11: YES), the control unit 51 sets a condensing point processing region as shown in the condensing point processing region image RA2 of FIG. 6 (S12). The process of S12 is the same process as S7 described above. In addition, when a low energy process part does not exist (S11: NO), a process transfers to S15.

続いて、制御部５１は、レーザショット条件を設定する（S13）。S13の処理は、上記のS8と同様の処理である。
図７に示すように、欠陥位置番号が「１」の欠陥部において、欠陥領域番号が「１−２」の加工領域について、加工方式が「高エネルギー加工方式」であることが設定されている。さらに、欠陥領域番号が「１−２」の加工領域について、加工領域、波長等の加工条件も設定される。 Subsequently, the control unit 51 sets a laser shot condition (S13). The process of S13 is the same process as S8 described above.
As shown in FIG. 7, in the defect portion having the defect position number “1”, the processing method is set to the “high energy processing method” for the processing region having the defect region number “1-2”. . Further, processing conditions such as a processing region and a wavelength are set for the processing region having the defect region number “1-2”.

そして、制御部５１は、欠陥領域番号が「１−２」について設定部５１ａに設定された加工方式、加工領域、及び加工条件に基づいて、集光点加工を実行する（S14）。S14の処理は、上記のS9と同様の処理である。   And the control part 51 performs a condensing point process based on the process method, process area | region, and process conditions which were set to the setting part 51a about the defect area number "1-2" (S14). The process of S14 is the same process as S9 described above.

次に、制御部５１は、欠陥画像DI内に面加工部が存在するか否かを判定する（S15）。図６の例では、欠陥部画像DDI2のレジスト膜１０４が低エネルギー加工部であるので、面加工方式で加工される部分が存在すると判定される。
なお、面加工部が存在しない場合（S15:NO）、処理は、S20へ移行する。 Next, the control unit 51 determines whether or not a surface processing unit exists in the defect image DI (S15). In the example of FIG. 6, since the resist film 104 of the defect portion image DDI2 is a low energy processed portion, it is determined that there is a portion processed by the surface processing method.
In addition, when a surface processing part does not exist (S15: NO), a process transfers to S20.

面加工部が存在する場合（S15:YES）、制御部５１は、面加工方式で加工される領域（以下、面加工領域という）を設定する（S16）。面加工領域は、S3で検出された欠陥部の形状及び位置に基づいて決定され、設定される。なお、面加工部が存在しない場合（S15:NO）、処理は、S20へ移行する。   When the surface processing portion exists (S15: YES), the control unit 51 sets a region processed by the surface processing method (hereinafter referred to as a surface processing region) (S16). The surface machining area is determined and set based on the shape and position of the defect detected in S3. In addition, when a surface processing part does not exist (S15: NO), a process transfers to S20.

面加工領域は、参照画像RIと欠陥部画像DDI2とから決定されるが、面加工方式における加工禁止領域情報があれば、加工禁止領域情報も加味して決定される。例えば、上記の微細加工領域FRAを含む矩形部が面加工方式における加工禁止領域情報として設定されて、レシピ格納部５２に記憶されているとき、制御部５１は、参照画像RIと欠陥部画像DDI2と加工禁止領域情報とから、面加工領域を決定して、設定部５１ａに設定する。図６では、面加工領域は、参照画像RIと欠陥部画像DDI2と加工禁止領域情報とから決定され、面加工領域画像RA3において、白抜きの部分（白色の部分）が、面加工方式により加工される面加工領域を示す。   The surface processing area is determined from the reference image RI and the defect portion image DDI2, but if there is processing prohibition area information in the surface processing method, it is determined in consideration of the processing prohibition area information. For example, when the rectangular portion including the fine processing region FRA is set as the processing prohibited region information in the surface processing method and stored in the recipe storage unit 52, the control unit 51 uses the reference image RI and the defect portion image DDI2. Then, the surface machining area is determined from the machining prohibited area information and set in the setting unit 51a. In FIG. 6, the surface processing area is determined from the reference image RI, the defect part image DDI2, and the processing prohibited area information. In the surface processing area image RA3, a white portion (white portion) is processed by the surface processing method. The surface processing area to be performed is shown.

次に、制御部５１は、設定した面加工領域にのみレーザ光を照射するように、２次元空間変調器１８の設定を行う（S17）。その結果、面加工領域画像RA3の面加工領域にのみレーザ光が照射されるように、各DMDの角度は制御される。   Next, the control unit 51 sets the two-dimensional spatial modulator 18 so that the laser beam is irradiated only to the set surface processing region (S17). As a result, the angle of each DMD is controlled so that the laser beam is irradiated only on the surface processing region of the surface processing region image RA3.

続いて、制御部５１は、レーザショット条件を設定する（S18）。レーザショット条件は、面加工方式におけるレーザ光の波長、周波数、ショット数などである。制御部５１は、面加工方式に対応する、レシピ格納部５２に予め記憶されているレーザショット条件を、読み出して、設定部５１ａに設定する。   Subsequently, the control unit 51 sets a laser shot condition (S18). The laser shot conditions are the wavelength, frequency, number of shots, and the like of laser light in the surface processing method. The control unit 51 reads out the laser shot conditions stored in advance in the recipe storage unit 52 corresponding to the surface processing method, and sets them in the setting unit 51a.

図７に示すように、欠陥位置番号が「１」の欠陥部において、欠陥領域番号が「１−３」の加工領域について、加工方式が「低エネルギー加工方式」であることが設定されている。さらに、欠陥領域番号が「１−３」の加工領域について、加工領域、波長等の加工条件も設定される。   As shown in FIG. 7, in the defect portion having the defect position number “1”, the processing method is set to the “low energy processing method” for the processing region having the defect region number “1-3”. . Furthermore, processing conditions such as a processing region and a wavelength are set for the processing region having the defect region number “1-3”.

そして、制御部５１は、欠陥領域番号が「１−３」について設定部５１ａに設定された加工方式、加工領域、及び加工条件に基づいて、面加工を実行する（S19）。具体的には、制御部５１が、ステージ制御部５３、対物レンズ切替制御部５５、スライダ制御部５６、レーザ制御部５８を駆動しかつ制御することによって、面加工方式による修正が実行される。   Then, the control unit 51 performs surface processing based on the processing method, processing region, and processing conditions set in the setting unit 51a for the defect region number “1-3” (S19). Specifically, the control unit 51 drives and controls the stage control unit 53, the objective lens switching control unit 55, the slider control unit 56, and the laser control unit 58, so that the correction by the surface machining method is executed.

面加工方式の場合、レーザ光が第１の光学系１５を通ってミラー４９に到達するように、制御部５１はスライダ制御部５６を制御して、第１及び第２の光路切替部１７、１９を切り替える。対物レンズ切替制御部５５において面加工方式に対応する対物レンズが選択されるように、制御部５１は、対物レンズ切替制御部５５を制御する。   In the case of the surface processing method, the control unit 51 controls the slider control unit 56 so that the laser light passes through the first optical system 15 and reaches the mirror 49, and the first and second optical path switching units 17, 19 is switched. The control unit 51 controls the objective lens switching control unit 55 so that the objective lens corresponding to the surface processing method is selected in the objective lens switching control unit 55.

さらに、制御部５１は、設定部１５ａに設定されたレーザ加工条件に基づいて、レーザ制御部５８を制御して、設定された波長、周波数、ショット数などで、レーザ光を出射するようにレーザ光源１４を駆動する。   Further, the control unit 51 controls the laser control unit 58 based on the laser processing conditions set in the setting unit 15a so that the laser beam is emitted at the set wavelength, frequency, number of shots, and the like. The light source 14 is driven.

以上により、１つの欠陥位置情報に基づいて得られた欠陥画像についての欠陥修正処理が行われるので、制御部５１は、未処理の欠陥位置情報が未だ存在するか否かを判定する（S20）。制御部５１は、欠陥修正する基板１１について入力された全ての欠陥位置情報について、上記の処理を実行するが、未処理の欠陥位置情報があれば（S20:YES）、処理は、S1に移行して、未処理の欠陥位置情報を読み出して、その読み出した欠陥位置情報に基づいて、撮像範囲を次の欠陥位置へ移動する。   As described above, since the defect correction process is performed on the defect image obtained based on one defect position information, the control unit 51 determines whether or not the unprocessed defect position information still exists (S20). . The control unit 51 executes the above processing for all the defect position information input for the substrate 11 to be defect-corrected. If there is unprocessed defect position information (S20: YES), the process proceeds to S1. Then, the unprocessed defect position information is read, and the imaging range is moved to the next defect position based on the read defect position information.

欠陥修正する基板１１について入力された全ての欠陥位置情報について、上記の処理が実行されると（S20:NO）、処理は、終了する。   When the above process is executed for all the defect position information input for the substrate 11 to be corrected (S20: NO), the process ends.

なお、上記の例では、高エネルギー加工部の欠陥修正及び微細加工部の欠陥修正は、集光点加工方式で行われているが、高倍率での面加工方式により行うようにしてもよい。その場合、制御部５１は、対物レンズ切替制御部５５を制御して、高倍率の対物レンズを第３の光学系２０に配置して、第１の光学系１５を通ったレーザ光を基板１１に照射するように、スライダ制御部５６を制御して、第１及び第２の光路切替部１７、１９を切り替える。   In the above example, the defect correction of the high energy processing portion and the defect correction of the fine processing portion are performed by the condensing point processing method, but may be performed by the surface processing method at a high magnification. In that case, the control unit 51 controls the objective lens switching control unit 55 to arrange a high-magnification objective lens in the third optical system 20, so that the laser light that has passed through the first optical system 15 passes through the substrate 11. The first and second optical path switching units 17 and 19 are switched by controlling the slider control unit 56 so as to irradiate the light.

また、上記の例では、微細加工部の有無は、レシピ格納部５２に予め格納されている微細加工領域画像FRIに基づいて判定しているが、欠陥領域の面積、幅等の情報に基づいて判定するようにしてもよい。   In the above example, the presence / absence of the microfabrication unit is determined based on the microfabrication region image FRI stored in advance in the recipe storage unit 52, but based on information such as the area and width of the defect region. You may make it determine.

さらに、上記の例では、集光点加工方式では、XYステージ１２を駆動して、基板１１を移動させて、設定された加工軌跡に沿って、ライン状加工を行っているが、加工ヘッドあるいは第３の光学系２０内のミラー４９を動かすことによって、ライン状加工を行うようにしてもよい。   Furthermore, in the above example, in the focusing point processing method, the XY stage 12 is driven and the substrate 11 is moved to perform line processing along the set processing trajectory. Line processing may be performed by moving the mirror 49 in the third optical system 20.

以上のように、上述した実施の形態によれば、欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、欠陥修正が可能なリペア装置及びリペア方法を実現することができる。
（変形例１）
以上の例では、制御部５１は、検出した欠陥部を、加工方式に応じた加工領域に分類して、加工を行うように各種制御部等を制御するが、本変形例１のリペア装置では、高エネルギー加工部については、作業者である検査者に加工領域を設定させるようにしたものである。 As described above, according to the above-described embodiment, a repair capable of correcting a defect by setting an optimum processing method and a processing condition among a plurality of processing methods according to the type of defect. An apparatus and a repair method can be realized.
(Modification 1)
In the above example, the control unit 51 classifies the detected defective portion into processing regions according to the processing method and controls various control units and the like so as to perform processing. In the repair device of the first modification, For the high energy processing section, the processing area is set by the inspector who is the operator.

図８及び図９は、本変形例１に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。図８及び図９において、図４及び図５と同じ処理については、説明は同じ符号を付し、説明は省略する。また、ここでは、微細加工部の処理は、省略する。   8 and 9 are flowcharts illustrating an example of processing of the control unit 51 according to the first modification. 8 and 9, the same processes as those in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. Here, the processing of the finely processed portion is omitted.

S1からS5までの処理の後、欠陥部が存在する場合（S5:YES）、制御部５１は、面加工部が存在するか否かを判定し（S15）、面加工部が存在する場合は、上述したS16からS19の処理を実行する。   After the processes from S1 to S5, when there is a defective part (S5: YES), the control unit 51 determines whether or not the surface processed part exists (S15), and when the surface processed part exists. Then, the above-described processing from S16 to S19 is executed.

面加工部が存在しない場合（S15:NO）あるいは面加工方式の実行（S19）の後、制御部５１は、集光点加工領域を検査者に入力させるためのGUIである集光点加工領域入力GUIを表示する（S31）。よって、制御部５１は、集光点加工方式により加工される領域を入力するためのGUIを生成して表示部５９に表示するGUI表示部を構成する。   When the surface processing portion does not exist (S15: NO) or after execution of the surface processing method (S19), the control unit 51 is a condensing point processing region which is a GUI for allowing the inspector to input the condensing point processing region. The input GUI is displayed (S31). Therefore, the control unit 51 configures a GUI display unit that generates a GUI for inputting a region to be processed by the condensing point processing method and displays the GUI on the display unit 59.

図１０は、集光点加工領域入力GUIの例を示す図である。図１０に示すGUIは、制御部５１により生成されて、表示部５９の画面上に表示される。検査者は、表示部５９に表示された集光点加工領域入力GUI上に、入力装置６０のマウスなどを用いて集光点加工領域を入力する。   FIG. 10 is a diagram illustrating an example of the condensing point processing region input GUI. The GUI shown in FIG. 10 is generated by the control unit 51 and displayed on the screen of the display unit 59. The inspector inputs a condensing point processing region on the condensing point processing region input GUI displayed on the display unit 59 using the mouse of the input device 60 or the like.

集光点加工領域入力GUIは、撮像部１３により得られたライブの基板１１の画像を表示する基板画像表示部１１１と、操作内容表示部１１２と、加工条件入力部１１３と、「OK」ボタン１１４と、「キャンセル」ボタン１１５とを含む。   The condensing point processing area input GUI includes a substrate image display unit 111 that displays an image of the live substrate 11 obtained by the imaging unit 13, an operation content display unit 112, a processing condition input unit 113, and an “OK” button. 114 and a “cancel” button 115.

基板画像表示部１１１には、撮像部１３により得られたライブの基板１１の画像が表示される。操作内容表示部１１２には、検査者に、集光点加工のための設定操作を促すメッセージが表示されている。加工条件入力部１１３には、レシピ格納部５２に格納されている集光点加工方式に対応するレーザショット条件が表示され、検査者は、必要であればレーザショット条件を変更することができる。   The substrate image display unit 111 displays an image of the live substrate 11 obtained by the imaging unit 13. The operation content display unit 112 displays a message that prompts the inspector to perform a setting operation for focusing point processing. The processing condition input unit 113 displays laser shot conditions corresponding to the condensing point processing method stored in the recipe storage unit 52, and the inspector can change the laser shot conditions if necessary.

例えば、図１０に示すように、検査者は、入力装置６０を用いて、基板画像表示部１１１に表示された基板１１の画像上に、レーザ光を当てる始点Spと終点Epとを指定する。例えば、入力装置６０のマウスの左ボタンを押して始点Spを指定し、右ボタンを押して終点Epを指定する。   For example, as illustrated in FIG. 10, the inspector uses the input device 60 to specify a start point Sp and an end point Ep to which the laser light is applied on the image of the substrate 11 displayed on the substrate image display unit 111. For example, the start point Sp is specified by pressing the left button of the mouse of the input device 60, and the end point Ep is specified by pressing the right button.

また、検査者は、条件入力部１１３に表示されているレーザショット条件を変更したい場合は、入力装置６０のキーボードを用いて、変更する条件を選択して変更値を入力する。レーザショット条件を変更する必要がない場合は、条件入力部１１３の条件値は変更されない。
検査者は、集光点加工領域の指定及び必要なレーザショット条件の変更が終了すると、指定終了を指示するためのボタンである「OK」ボタン１１４をマウスでクリックする。また、検査者は、集光点加工を行わない場合、キャンセルを指示するためのボタンである「キャンセル」ボタン１１５をマウスでクリックする。 Further, when the inspector wants to change the laser shot condition displayed on the condition input unit 113, the inspector selects the condition to be changed using the keyboard of the input device 60 and inputs the change value. When it is not necessary to change the laser shot condition, the condition value of the condition input unit 113 is not changed.
When the inspector finishes specifying the condensing point processing area and changing the necessary laser shot conditions, the inspector clicks an “OK” button 114 that is a button for instructing the end of the specification with the mouse. When the inspector does not perform the condensing point processing, the inspector clicks a “cancel” button 115 that is a button for instructing cancellation with the mouse.

制御部５１は、集光点加工領域が入力されたか否かを判定する（S32）。制御部５１は、「OK」ボタン１１４がクリックされると集光点加工領域が入力されたと判定し、「キャンセル」ボタン１１５がクリックされると集光点加工領域が入力されないと判定する、
「OK」ボタン１１４がクリックされると（S32:YES）、制御部５１は、集光点加工領域の情報、すなわち始点Spと終点Epの位置情報、を設定部５１ａに設定する（S7）。さらに、制御部５１は、レシピ格納部５２に格納されたあるいは変更されたレーザショット条件を設定部５１ａに設定する（S8）。そして、制御部５１は、指定された集光点加工を実行する（S9）。よって、始点Spと終点Epの位置間に、設定されたレーザショット条件で、レーザ光が照射される。図１０に示すように、始点Spと終点Epの位置間の点線で示す加工軌跡LR1に沿ってレーザ光による集光点加工が行われる。 The control unit 51 determines whether or not a condensing point machining area has been input (S32). When the “OK” button 114 is clicked, the control unit 51 determines that the focal point machining area is input, and when the “cancel” button 115 is clicked, the control unit 51 determines that the focal point machining area is not input.
When the “OK” button 114 is clicked (S32: YES), the control unit 51 sets information on the condensing point processing area, that is, position information of the start point Sp and the end point Ep, in the setting unit 51a (S7). Further, the control unit 51 sets the laser shot condition stored or changed in the recipe storage unit 52 in the setting unit 51a (S8). And the control part 51 performs the designated condensing point process (S9). Therefore, laser light is irradiated between the position of the start point Sp and the end point Ep under the set laser shot conditions. As shown in FIG. 10, the condensing point processing by the laser beam is performed along the processing locus LR1 indicated by the dotted line between the positions of the start point Sp and the end point Ep.

以上のように、本変形例１のリペア装置によれば、作業者である検査者は、高エネルギー加工部については加工領域を設定して、高エネルギー加工を行うことができる。
（変形例２）
上述した変形例１のリペア装置では、高エネルギー加工部については、作業者である検査者に加工領域を設定させるが、本変形例２のリペア装置では、低エネルギー加工部と高エネルギー加工部の両方について、作業者である検査者に加工領域を設定させるようにしたものである。 As described above, according to the repair device of the first modification, an inspector who is an operator can perform a high energy processing by setting a processing region for a high energy processing portion.
(Modification 2)
In the repair device of Modification 1 described above, an inspector who is an operator sets a processing region for the high energy processing unit. However, in the repair device of Modification 2, the low energy processing unit and the high energy processing unit are arranged. In both cases, the processing area is set by the inspector who is the operator.

図１１及び図１２は、本変形例２に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。図１１及び図１２において、図４及び図５と同じ処理については、説明は同じ符号を付し、説明は省略する。また、ここでは、微細加工部の処理は、省略する。
S1からS5までの処理の後、欠陥部が存在する場合（S5:YES）、制御部５１は、面加工領域を検査者に入力させるためのGUIである面加工領域入力GUIを表示する（S33）。 11 and 12 are flowcharts illustrating an example of processing of the control unit 51 according to the second modification. 11 and 12, the same processes as those in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. Here, the processing of the finely processed portion is omitted.
If there is a defect after the processing from S1 to S5 (S5: YES), the control unit 51 displays a surface machining area input GUI which is a GUI for allowing the inspector to input the surface machining area (S33). ).

図１3は、面加工領域入力GUIの例を示す図である。図１3に示すGUIは、制御部５１により生成されて、表示部５９の画面上に表示される。検査者は、表示部５９に表示された面加工領域入力GUI上に、入力装置６０のマウスなどを用いて面加工領域を入力する。   FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a surface machining area input GUI. The GUI shown in FIG. 13 is generated by the control unit 51 and displayed on the screen of the display unit 59. The inspector inputs the surface machining area on the surface machining area input GUI displayed on the display unit 59 using the mouse of the input device 60 or the like.

面加工領域入力GUIは、撮像部１３により得られたライブの基板１１の画像を表示する基板画像表示部１２１と、操作内容表示部１２２と、加工条件入力部１２３と、「OK」ボタン１２４と、「キャンセル」ボタン１２５と、コマンド指定部１２６とを含む。   The surface processing area input GUI includes a substrate image display unit 121 that displays an image of the live substrate 11 obtained by the imaging unit 13, an operation content display unit 122, a processing condition input unit 123, and an “OK” button 124. , A “cancel” button 125 and a command designation unit 126.

基板画像表示部１２１には、撮像部１３により得られたライブの基板１１の画像が表示される。操作内容表示部１２２には、検査者に、面加工のための設定操作を促すメッセージが表示されている。加工条件入力部１２３には、レシピ格納部５２に格納されている面加工方式に対応するレーザショット条件が表示され、検査者は、必要であればレーザショット条件を変更することができる。   The substrate image display unit 121 displays an image of the live substrate 11 obtained by the imaging unit 13. The operation content display unit 122 displays a message that prompts the inspector to perform a setting operation for surface processing. The processing condition input unit 123 displays laser shot conditions corresponding to the surface processing method stored in the recipe storage unit 52, and the inspector can change the laser shot conditions if necessary.

コマンド指定部１２６には、面領域を指定する場合に利用できる図形描画のためのコマンドのアイコンが複数表示されている。例えば、円、楕円、四角などの文字を含むアイコンの中から、所望の図形に対応するアイコンを検査者がマウスで指定して、所定の操作入力をすると、任意の位置に、円、楕円などの図形を、基板画像表示部１２１を描画させることができるので、検査者は、これらのアイコンを利用して、面領域を指定することができる。   The command designation unit 126 displays a plurality of command icons for drawing graphics that can be used when designating a surface area. For example, when an inspector specifies an icon corresponding to a desired figure from among icons including characters such as a circle, an ellipse, and a square, and inputs a predetermined operation, the circle, ellipse, etc. Since the board image display unit 121 can be drawn with the figure, the inspector can use these icons to designate the surface area.

例えば、図１３に示すように、検査者は、入力装置６０のマウスを操作して、コマンド指定部１２６を利用して面領域を指定して、薄い影で示したレジスト膜１０４の部分を面加工領域として指定する。   For example, as shown in FIG. 13, the inspector operates the mouse of the input device 60 and designates a surface area using the command designation unit 126, so that the portion of the resist film 104 indicated by a thin shadow is faced. Specify as a processing area.

また、検査者は、条件入力部１２３に表示されているレーザショット条件を変更したい場合は、入力装置６０のキーボードを用いて、変更する条件を選択して変更値を入力する。レーザショット条件を変更する必要がない場合は、条件入力部１２３の条件値は変更されない。
検査者は、面加工領域の指定及び必要なレーザショット条件の変更が終了すると、指定終了を指示するためのボタンである「OK」ボタン１２４をマウスでクリックする。また、検査者は、集光点加工を行わない場合は、キャンセルを指示するためのボタンである「キャンセル」ボタン１２５をマウスでクリックする。 In addition, when the inspector wants to change the laser shot condition displayed on the condition input unit 123, the inspector selects the condition to be changed using the keyboard of the input device 60 and inputs the change value. When it is not necessary to change the laser shot condition, the condition value of the condition input unit 123 is not changed.
When the inspector finishes designating the surface processing area and changing the necessary laser shot conditions, the inspector clicks an “OK” button 124 that is a button for instructing the end of designation with the mouse. If the inspector does not perform the condensing point processing, the inspector clicks a “cancel” button 125 that is a button for instructing cancellation with the mouse.

制御部５１は、面加工領域が入力されたか否かを判定する（S34）。制御部５１は、「OK」ボタン１２４がクリックされると面加工領域が入力されたと判定し、「キャンセル」ボタン１２５がクリックされると面加工領域が入力されないと判定する、
「OK」ボタン１２４がクリックされると（S34:YES）、制御部５１は、面加工領域の情報、すなわちレーザ光を当てる面の領域の情報、を設定部５１ａに設定する（S16）。そして、制御部５１は、設定した面加工領域にのみレーザ光を照射するように、２次元空間変調器１８の設定を行う（S17）。 The control unit 51 determines whether or not a surface machining area has been input (S34). When the “OK” button 124 is clicked, the control unit 51 determines that the surface machining area is input, and when the “Cancel” button 125 is clicked, the control unit 51 determines that the surface machining area is not input.
When the “OK” button 124 is clicked (S34: YES), the control unit 51 sets information on the surface machining area, that is, information on the area of the surface to which the laser beam is applied, in the setting unit 51a (S16). Then, the control unit 51 sets the two-dimensional spatial modulator 18 so that the laser beam is irradiated only to the set surface processing region (S17).

さらに、制御部５１は、レシピ格納部５２に格納されたあるいは変更されたレーザショット条件を設定部５１ａに設定する（S18）。そして、制御部５１は、指定された面加工を実行する（S19）。よって、指定された面加工領域に、設定されたレーザショット条件で、レーザ光が照射される。図１３に示すように、レジスト膜１０４の部分にレーザ光による面加工が行われる。S19の処理の後、制御部５１は、S31〜S9の処理を実行する。よって、制御部５１は、面加工方式により加工される領域を入力するためのGUIと、集光点加工方式により加工される領域を入力するためのGUIを生成して表示部５９に表示するGUI表示部を構成する。   Further, the control unit 51 sets the laser shot condition stored or changed in the recipe storage unit 52 in the setting unit 51a (S18). And the control part 51 performs the designated surface process (S19). Therefore, laser light is irradiated to the designated surface processing region under the set laser shot conditions. As shown in FIG. 13, the resist film 104 is subjected to surface processing using a laser beam. After the process of S19, the control unit 51 executes the processes of S31 to S9. Therefore, the control unit 51 generates a GUI for inputting a region processed by the surface processing method and a GUI for inputting a region processed by the condensing point processing method, and displays the GUI on the display unit 59. Configure the display.

以上のように、本変形例２のリペア装置によれば、作業者である検査者は、高エネルギー加工部及び低エネルギー加工部のそれぞれについて、加工方式と加工領域を設定して、高エネルギー加工と低エネルギー加工を行うことができる。   As described above, according to the repair device of Modification 2, the inspector who is the operator sets the processing method and the processing region for each of the high energy processing unit and the low energy processing unit, and performs high energy processing. And low energy processing.

以上のように、上述した実施の形態及びその各変形例によれば、欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、基板の欠陥修正が可能なリペア装置及びリペア方法を実現することができる。   As described above, according to the above-described embodiment and its modifications, the substrate is set by setting an optimum processing method and processing conditions from among a plurality of processing methods according to the type of defect. It is possible to realize a repair device and a repair method capable of correcting the defect.

リペア対象の基板上の欠陥には様々な種類が存在し、それぞれの欠陥修正に最適な加工方式及び加工条件で加工を行う必要があり、上述した実施の形態及びその各変形例によれば、欠陥の種類に応じて、最適な加工方式及び加工条件と加工条件を設定して、基板の欠陥修正を１台の装置で実現することができる。   There are various types of defects on the substrate to be repaired, and it is necessary to perform processing with the optimal processing method and processing conditions for each defect correction. According to the above-described embodiment and each modification thereof, According to the type of defect, an optimum processing method, processing conditions and processing conditions can be set, and the defect correction of the substrate can be realized with one apparatus.

なお、上述した実施の形態及びその各変形例では、１つの加工方式が１つの加工領域ごとに異なるように設定されている。これは、例えば、金属などを含むレジスタ不良領域全体に面加工方式でレーザ光を照射した後に、残された金属を集光点方式でレーザ光を照射して除去したところ、欠陥箇所の周囲にレジストが飛散してしまうという問題が発生する場合があるからである。   In the above-described embodiment and its modifications, one processing method is set to be different for each processing region. This is because, for example, after irradiating the entire register failure area including metal etc. with laser light by a surface processing method, the remaining metal is removed by irradiating laser light with a condensing point method. This is because there may occur a problem that the resist is scattered.

しかし、基板、異物の材質、レジスト材料等のリペア対象の条件によっては、同じ加工領域に複数の加工方式による加工を行っても問題のない場合もある。よって、１つの加工領域に複数の加工方式を設定あるいは指定できるようにしてもよい。   However, depending on the conditions to be repaired such as the substrate, foreign material, resist material, etc., there may be no problem even if the same processing region is processed by a plurality of processing methods. Therefore, a plurality of processing methods may be set or designated for one processing area.

本明細書における各「部」は、実施の形態の各機能に対応する概念的なもので、必ずしも特定のハードウエアやソフトウエア・ルーチンに１対１には対応しない。従って、本明細書では、以下、実施の形態の各機能を有する仮想的回路ブロック（部）を想定して実施の形態を説明した。また、本実施の形態における各手順の各ステップは、その性質に反しない限り、実行順序を変更し、複数同時に実行し、あるいは実行毎に異なった順序で実行してもよい。   Each “unit” in this specification is a conceptual one corresponding to each function of the embodiment, and does not necessarily correspond to a specific hardware or software routine on a one-to-one basis. Therefore, in the present specification, the embodiment has been described below assuming a virtual circuit block (unit) having each function of the embodiment. In addition, each step of each procedure in the present embodiment may be executed in a different order for each execution by changing the execution order and performing a plurality of steps at the same time, as long as it does not contradict its nature.

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１ リペア装置、１１ 基板、１２ XYステージ、１３ 撮像部、１４ レーザ光源、１５ 第１の光学系、１６ 第２の光学系、１７ 第１の光路切替部、１８ ２次元空間変調器、１９ 第２の光路切替部、２０ 第３の光学系、２１ 照明光源、２２ 第４の光学系、２３ 第５の光学系、２４ 制御装置、３１ 対物レンズ切替ユニット、３２ 対物レンズ、３３、３４ ダイクロイックミラー、３５ 結像レンズ、３６ コレクタレンズ、４１ レンズ、４２ 光ファイバ、４３ レンズ、４４ ミラー、４５ レンズ、４６ 光ファイバ、４７、４８、４９ ミラー、５０ 結像レンズ、５１ 制御部、５１ａ 設定部、５２ レシピ格納部、５３ ステージ制御部、５４ 画像処理部、５４ａ 欠陥検出部、５５ 対物レンズ切替制御部、５６ スライダ制御部、５７ レーザ形状制御部、５８ レーザ制御部、５９ 表示部、６０ 入力装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Repair apparatus, 11 board | substrate, 12 XY stage, 13 imaging part, 14 laser light source, 15 1st optical system, 16 2nd optical system, 17 1st optical path switching part, 18 2D spatial modulator, 19 1st 2 optical path switching unit, 20 third optical system, 21 illumination light source, 22 fourth optical system, 23 fifth optical system, 24 control device, 31 objective lens switching unit, 32 objective lens, 33, 34 dichroic mirror , 35 imaging lens, 36 collector lens, 41 lens, 42 optical fiber, 43 lens, 44 mirror, 45 lens, 46 optical fiber, 47, 48, 49 mirror, 50 imaging lens, 51 control unit, 51a setting unit, 52 recipe storage unit, 53 stage control unit, 54 image processing unit, 54a defect detection unit, 55 objective lens switching control unit, 56 slice Control unit, 57 laser shape control unit, 58 laser controller, 59 display unit, 60 input device

Claims (7)

複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源装置と、
前記レーザ光により欠陥修正される基板を観察するための観察光学系と、
少なくとも２つのレーザ照射光学系と、
前記レーザ光が入射する光路を、前記少なくとも２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部と、
前記観察光学系からの光を受けて前記基板を撮像する撮像部と、
前記撮像部において撮像して得られた画像から画像処理により、前記基板の欠陥部を検出する欠陥検出部と、
前記欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定する加工条件設定部と、
前記加工領域毎に設定された前記加工方式と前記加工条件に基づいて前記基板に対して加工を行うように、前記レーザ光源装置と前記レーザ光路切替部を制御する制御部と、
を有することを特徴とするリペア装置。 A laser light source device that emits laser light of a plurality of wavelengths;
An observation optical system for observing a substrate whose defect is corrected by the laser beam;
At least two laser irradiation optical systems;
A laser beam path switching unit that switches an optical path on which the laser beam is incident to one of the at least two laser irradiation optical systems;
An imaging unit that receives light from the observation optical system and images the substrate;
A defect detection unit for detecting a defective part of the substrate by image processing from an image obtained by imaging in the imaging unit;
A processing condition setting unit that sets a processing method and processing conditions for each processing region of the defective part,
A control unit that controls the laser light source device and the laser beam path switching unit so as to process the substrate based on the processing method and the processing conditions set for each processing region;
A repair device comprising: 前記加工領域を、前記欠陥部の画像を解析する画像処理により、前記加工領域毎に前記加工方式を決定する加工方式決定部を有し、
前記加工条件設定部には、前記加工領域毎に前記加工方式決定部で決定された前記加工方式が設定されることを特徴とする請求項１に記載のリペア装置。 The processing region has a processing method determination unit that determines the processing method for each processing region by image processing for analyzing an image of the defective portion,
The repair apparatus according to claim 1, wherein the processing method determined by the processing method determination unit is set for each processing region in the processing condition setting unit. 前記加工方式決定部は、前記加工領域を、前記欠陥部の画像を解析する画像処理により、前記レーザ光による第１のエネルギーで加工する第１の加工領域と、前記レーザ光による前記第１のエネルギーよりも高い第２のエネルギーで加工する第２の加工領域に分類することによって、前記第１及び前記第２の加工領域のそれぞれについての前記加工方式を決定することを特徴とする請求項２に記載のリペア装置。   The processing method determination unit includes: a first processing region for processing the processing region with a first energy by the laser beam by image processing for analyzing an image of the defect portion; and the first processing unit by the laser beam. 3. The processing method for each of the first processing region and the second processing region is determined by classifying the processing region into a second processing region that is processed with a second energy higher than energy. Repair device described in 1. 前記第１の加工領域は、面加工方式により加工される領域であり、前記第２の加工領域は、集光点加工方式により加工される領域であることを特徴とする請求項３に記載のリペア装置。   The first processing region is a region processed by a surface processing method, and the second processing region is a region processed by a condensing point processing method. Repair device. 前記集光点加工方式により加工される領域を入力するためのグラフィカルユーザインターフェースを生成して表示部に表示するGUI表示部を有することを特徴とする請求項４に記載のリペア装置。   The repair apparatus according to claim 4, further comprising a GUI display unit that generates a graphical user interface for inputting a region to be processed by the condensing point processing method and displays the graphical user interface on the display unit. 前記集光点加工方式により加工される領域を入力するための第１のグラフィカルユーザインターフェースと、前記面加工方式により加工される領域を入力するための第２のグラフィカルユーザインターフェースとを生成して表示部に表示するGUI表示部を有することを特徴とする請求項４に記載のリペア装置。   Generation and display of a first graphical user interface for inputting a region processed by the focusing point processing method and a second graphical user interface for inputting a region processed by the surface processing method The repair device according to claim 4, further comprising a GUI display unit for displaying on the unit. 複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源装置からのレーザ光により基板の欠陥部を修正するリペア方法であって、
前記レーザ光により欠陥修正される基板を撮像する撮像部において撮像して得られた画像から画像処理により、前記基板の欠陥部を検出し、
検出された前記欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定し、
前記加工領域毎に設定された前記加工方式と前記加工条件に基づいて前記基板に対して加工を行うように、前記レーザ光源装置と、前記レーザ光が入射する光路を少なくとも２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部とを制御する、
ことを特徴とするリペア方法。 A repair method for correcting a defective portion of a substrate by laser light from a laser light source device that emits laser light of a plurality of wavelengths,
Detecting a defective portion of the substrate by image processing from an image obtained by imaging in an imaging unit that images the substrate whose defect is corrected by the laser beam,
Set the processing method and processing conditions for each processing region of the detected defective part,
The laser light source device and at least two laser irradiation optical systems for the laser light to be incident so as to process the substrate based on the processing method and processing conditions set for each processing region. Controlling the laser beam path switching unit to switch to either
A repair method characterized by that.
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