JP2013201454A - 電力用半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】モールド樹脂で封止され、該モールド樹脂から露出する放熱面を有する第一パワーモジュールの該放熱面と、第一冷却部の表面を第1はんだではんだ付けする第1工程と、該第一パワーモジュールと同じ構成の第二パワーモジュールの放熱面と、該第一冷却部と同じ構成の第二冷却部の表面を第2はんだではんだ付けする第2工程と、該第1工程と該第2工程の後に、該第一冷却部と該第二冷却部が冷媒通路となる空隙を形成するように、該第一冷却部と該第二冷却部を固着する第3工程とを備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本実施形態は図1−9を参照して説明する。なお、異なる図番であっても同一の又は対応する構成要素には同一の符号を付して複数回の説明を省略する場合がある。他の実施形態でも同様である。
また、ピンフィン50を用いると後述のストレートフィンを用いた場合と比較して冷却器の剛性を下げることができる。よってはんだ80、はんだ90による接続の長期信頼性を高めることができる。
本実施形態は図10を参照して説明する。図10は実施形態1で説明した電力用半導体装置に主配線ブロックなどが付加された電力用半導体装置の外観を説明する図である。
本実施形態は図11を参照して説明する。図11は実施形態2で説明した電力用半導体装置に平滑コンデンサなどが付加された電力用半導体装置の外観を説明する図である。
本実施形態は図13−16を参照して説明する。図13は本実施形態の電力用半導体装置の外観を説明する図である。ただし説明の便宜上冷却器600については内部を記載する。第一冷却部602は冷媒通路となる空隙を形成するように第二冷却部604と固定される。そして、実施形態1のピンフィンに代えて、第一冷却部602にはストレートフィン606が配置される。同様に第二冷却部604にはストレートフィン608が配置される。
Claims (2)
- モールド樹脂で封止され、前記モールド樹脂から露出する放熱面を有する第一パワーモジュールの前記放熱面と、第一冷却部の表面を第1はんだではんだ付けする第1工程と、
前記第一パワーモジュールと同じ構成の第二パワーモジュールの放熱面と、前記第一冷却部と同じ構成の第二冷却部の表面を第2はんだではんだ付けする第2工程と、
前記第1工程と前記第2工程の後に、前記第一冷却部と前記第二冷却部が冷媒通路となる空隙を形成するように、前記第一冷却部と前記第二冷却部を固着する第3工程とを備えたことを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程の前に、前記第1はんだにおけるボイドの有無を判定するX線検査を行う工程と、
前記第3工程の前に、前記第2はんだにおけるボイドの有無を判定するX線検査を行う工程と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置の製造方法。
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JP2002270742A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Unisia Jecs Corp | 半導体装置 |
JP2005235925A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2006073893A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Denso Corp | 半導体装置 |
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JPH10284685A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 電力用半導体モジュール |
JP2002270742A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Unisia Jecs Corp | 半導体装置 |
JP2005235925A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2006073893A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Denso Corp | 半導体装置 |
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