JP2013197114A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、処理室2と、処理室2内に収容されたウエハ回転機構3と、ウエハ回転機構3に保持されているウエハWの表面にSPM液を供給する剥離液ノズル4と、ウエハ回転機構3に保持されているウエハWの表面に対向して配置され、ウエハWの表面上のSPM液を加熱するヒータヘッド35とを備えている。ヒータヘッド35は、赤外線を放射して、ウエハWの表面に供給されたSPM液を加熱する赤外線ランプ38と、水平方向に沿う側方に向けて放射状に窒素ガスを吐出する環状の気体吐出口101とを一体に保持している。
【選択図】図1
Description
この薬液処理のために、基板に対して1枚ずつ処理を行う枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。枚葉式の基板処理装置は、隔壁により区画された処理室内に、基板をほぼ水平に保持して回転させる基板回転機構、基板回転機構を収容する有底筒状のカップ、基板に薬液を供給するための薬液ノズル、基板にDIW(脱イオン化された水)を供給するためのDIWノズル等を備えている。
ところが、赤外線ランプによる薬液の加熱により、薬液が急激に温められて、基板の主面周辺に大量の薬液ミストが発生するおそれがある。そのため、薬液ミストを含む雰囲気が、カップの上面の開口を通して処理室内(カップ外)に漏れ出すおそれがある。その結果、カップ外に漏れ出した薬液ミストが、基板を乾燥させる工程で、基板の主面に付着することにより、基板の主面の汚染を生じるおそれがある。
そこで、本発明の目的は、基板の主面に存在する薬液を、赤外線ランプを用いて加熱する場合であっても、薬液ミストを含む雰囲気が、基板の主面周辺から周囲に拡散することを防止できる基板処理装置を提供することである。
この構成によれば、赤外線ランプを基板の主面に対向配置させつつ、その赤外線ランプから赤外線を放射させる。そのため、基板の主面において、赤外線ランプに対向する領域に存在する薬液が加熱される。これにより、薬液をより一層高温にさせることができる。
基板の主面に存在する薬液に対する加熱により、その薬液が急激に温められて、基板の主面周辺に、大量の薬液ミストが発生する場合がある。
請求項2に記載のように、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に沿って前記保持ヘッドを移動させる保持ヘッド移動手段(36,37)をさらに含み、前記赤外線ランプは、前記基板保持手段に保持されている基板よりも小径を有していてもよい。
また、赤外線ランプの移動に同伴して、気体吐出口も基板の主面に沿って移動する。そのため、気体吐出口と赤外線ランプとを常時近接させておくことができるので、保持ヘッドの位置によらずに、薬液ミストを含む雰囲気を効率良く気体カーテンの内側に閉じ込めることができる。
請求項3記載の発明は、前記基板保持手段を収容し、前記基板保持手段に保持された基板の主面と対向する位置に基板を通過可能なサイズの開口(73)を有するカップ(5)をさらに含み、前記気体吐出口は前記開口内に配置されて、前記気体吐出口は前記カップの開口端に向けて気体を吐出する、請求項1または2に記載の基板処理装置である。
請求項5に記載のように、前記吐出孔は、前記気体流通配管の全周に亘って周方向に間隔を空けて配置された複数の個別吐出孔(95;195)を有していてもよい。
また、請求項7に記載のように、前記赤外線ランプは、前記気体流通配管の周囲を取り囲む環状をなし、前記気体流通配管の管壁は、前記赤外線ランプによる赤外線の照射により熱せられることにより、前記気体流通配管を流通する気体を加熱する、請求項4〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、気体流通配管の管壁は、赤外線ランプからの赤外線を受けて高温に熱せられることも考えられるが、耐熱性を有する石英を用いて形成することにより、気体流通配管の破壊や溶融のおそれがほとんどない。
また、請求項10に記載のように、前記下整流板は、前記気体流通配管に支持されていてもよい。
基板の主面に存在する薬液を、その主面に対向配置される赤外線ランプを用いて加熱する場合、薬液が急激に温められるために、基板の主面の周囲で大きな対流が生じるおそれがある。この対流が大きくなるに従って、基板の主面に存在する薬液から逃げる熱量は大きくなり、これにより、基板の主面に存在する薬液が冷却されるおそれがある。
また、請求項12に記載のように、前記薬液はレジスト剥離液であってもよい。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の構成を模式的に示す図である。基板処理装置1は、たとえば基板の一例としてのウエハWの表面(主面)に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。
ウエハ回転機構3は、カップ5内に収容されている。カップ5は、カップ下部5Aと、カップ下部5Aの上方に昇降可能に設けられたカップ上部5Bとを備えている。
カップ上部5Bは、カップ下部5Aと中心軸線を共通とする円筒状の円筒部71と、この円筒部71の上端から円筒部71の中心軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部72とを一体的に備えている。カップ上部5Bには、カップ上部5Bを昇降(上下動)させるためのカップ昇降機構(図示しない)が結合されている。カップ昇降機構により、カップ上部5Bは、円筒部71がスピンベース8の側方に配置される位置と、傾斜部72の上端がスピンベース8の下方に配置される位置とに移動される。
剥離液ノズル4は、たとえば、連続流の状態でSPM液を吐出するストレートノズルである。剥離液ノズル4は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第1液アーム11の先端に取り付けられている。第1液アーム11は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第1液アーム11には、第1液アーム11を所定角度範囲内で揺動させるための第1液アーム揺動機構12が結合されている。第1液アーム11の揺動により、剥離液ノズル4は、ウエハWの回転軸線C上の位置(ウエハWの回転中心に対向する位置)と、ウエハ回転機構3の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
また、基板処理装置1は、ウエハ回転機構3に保持されたウエハWの表面にリンス液としてのDIWを供給するためのDIWノズル24と、ウエハ回転機構3に保持されたウエハWの表面に対して洗浄用の薬液としてのSC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水混合液)を供給するためのSC1ノズル25とを備えている。
ウエハ回転機構3の側方には、鉛直方向に延びる支持軸33が配置されている。支持軸33の上端部には、水平方向に延びるヒータアーム34が結合されており、ヒータアーム34の先端に、赤外線ランプ38を収容保持するヒータヘッド35が取り付けられている。また、支持軸33には、支持軸33を中心軸線まわりに回動させるための揺動駆動機構(保持ヘッド移動手段)36と、支持軸33を中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構(保持ヘッド移動手段)37とが結合されている。
ヒータヘッド35は、鉛直方向に延びる丸管状(円筒状)の不活性ガス流通配管(気体流通配管)90と、不活性ガス流通配管90の周囲を取り囲むように配置された略円環状の赤外線ランプ38と、鉛直方向に延びる不活性ガス流通配管90の先端(下端)に水平姿勢で取り付けられた円板状の下整流板100とを備えている。換言すると、下整流板100は不活性ガス流通配管90に支持されている。ヒータヘッド35は、上部に開口部39を有し、赤外線ランプ38を収容する有底円筒容器状のランプハウジング40と、ランプハウジング40の内部で赤外線ランプ38を吊り下げて支持する支持部材42と、ランプハウジング40の開口部39を閉塞するための蓋41とを備えている。この実施形態では、蓋41がヒータアーム34の先端に固定されている。
ランプハウジング40の底板部(上整流板)52は、不活性ガス流通配管90の中心軸線を中心とする円板状をなしている。底板部52の上面52Aおよび下面52Bは、それぞれ、水平平坦面をなしている。換言すると、底板部52および下整流板100は、水平姿勢をなす平行平板状をなしている。
図4は、赤外線ランプ38の斜視図である。図2および図4に示すように、赤外線ランプ38は、円環状の(円弧状の)円環部43と、円環部43の両端から、円環部43の中心軸線に沿うように鉛直上方に延びる一対の直線部44,45とを有する1本の赤外線ランプヒータであり、主として円環部43が発光部として機能する。この実施形態では、円環部43の直径(外径)は、たとえば約60mmに設定されている。赤外線ランプ38が支持部材42に支持された状態で、円環部43の中心軸線は、鉛直方向に延びている。換言すると、円環部43の中心軸線は、ウエハ回転機構3に保持されたウエハWの表面に垂直な軸線である。また、赤外線ランプ38はほぼ水平面内に配置される。
図5は、ヒータアーム34およびヒータヘッド35の斜視図である。
図2に示すように、アンプ54から赤外線ランプ38に電圧が供給されると、赤外線ランプ38が赤外線を放射し、ランプハウジング40を介して、ヒータヘッド35の下方に向けて出射される。
そして、後述するレジスト除去処理の際には、赤外線ランプ38の円環部43および下整流板100の下面100Bが、ウエハ回転機構3に保持されているウエハWの表面に対向して配置される。
図6は、基板処理装置1の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置1は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置55を備えている。制御装置55には、モータ6、アンプ54、揺動駆動機構36、昇降駆動機構37、第1液アーム揺動機構12、第2液アーム揺動機構29、剥離液バルブ23、DIWバルブ27、SC1バルブ31、不活性ガスバルブ92等が制御対象として接続されている。
レジスト除去処理に際しては、搬送ロボット(図示しない)が制御されて、処理室2(図1参照)内にイオン注入処理後のウエハWが搬入される(ステップS1:ウエハ搬入)。ウエハWは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。ウエハWは、その表面を上方に向けた状態でウエハ回転機構3に受け渡される。このとき、ウエハWの搬入の妨げにならないように、ヒータヘッド35、剥離液ノズル4およびSC1ノズル25は、それぞれホームポジションに配置されている。
ウエハWの回転速度が第1回転速度であるので、ウエハWの表面に供給されるSPM液は、ウエハWの表面上に溜められていき、ウエハWの表面上に、その表面の全域を覆うSPM液の液膜(薬液の液膜)70が形成される(ステップS3:SPM液膜形成工程)。
さらに、ステップS3のSPM液膜形成工程に並行して、制御装置55は、アンプ54を制御して、赤外線ランプ38から赤外線を放射させるとともに、揺動駆動機構36および昇降駆動機構37を制御して、ヒータヘッド35を保持したヒータアーム34をウエハW上方で揺動および昇降させる。具体的には、ヒータヘッド35を、ウエハWの表面の周縁部上の第2の退避位置に移動させ、その後、その第2の退避位置から、ウエハWの表面の周縁部と対向する第2の近接位置(図10に二点鎖線で示す位置)に下降させる。
この5秒間が、SPM液の供給開始から経過すると、制御装置55は、モータ6を制御して、ウエハWの回転速度を第1回転速度よりも小さい所定の第2回転速度に下げる。これにより、ステップS4のSPM液膜加熱工程が実行される。
図11は、不活性ガス吐出口101から吐出される窒素ガスによって形成される気体カーテンGCを示す図である。
そして、図10に示すように、ウエハWの表面における赤外線ランプ38に対向する領域が、ウエハWの回転中心を含む領域からウエハWの周縁を含む領域に至る範囲内を円弧帯状の軌跡を描きつつ移動する。これにより、ウエハWの表面の全域を加熱することができる。
その後、ウエハWの回転速度が下げられてから予め定める液膜加熱処理時間(5〜240秒間の範囲で、たとえば約14秒間)が経過すると、制御装置55は、アンプ54を制御して、赤外線ランプ38からの赤外線の放射を停止させるとともに、揺動駆動機構36および昇降駆動機構37を制御して、ヒータヘッド35をホームポジションに戻す。そして、制御装置55は、モータ6を制御して、ウエハWの回転速度を所定の液処理回転速度(300〜1500rpmの範囲で、たとえば1000rpm)に上げるとともに、DIWバルブ27を開いて、DIWノズル24の吐出口からウエハWの回転中心付近に向けてDIWを供給する(ステップS5:中間リンス処理工程)。ウエハWの表面に供給されたDIWは、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面上をウエハWの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハWの表面に付着しているSPM液がDIWによって洗い流される。
ウエハWの回転速度を液処理回転速度に維持しつつ、制御装置55は、SC1バルブ31を開いて、SC1ノズル25からSC1をウエハWの表面に供給する(ステップS6)。また、制御装置55は、第2液アーム揺動機構29を制御して、第2液アーム28を所定角度範囲内で揺動させて、SC1ノズル25を、ウエハWの回転中心上と周縁部上との間で往復移動させる。これによって、SC1ノズル25からのSC1が導かれるウエハWの表面上の供給位置は、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を、ウエハWの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ウエハWの表面の全域に、SC1がむらなく供給され、SC1の化学的能力により、ウエハWの表面に付着しているレジスト残渣およびパーティクルなどの異物を除去することができる。
リンス処理の開始から所定時間が経過すると、制御装置55は、DIWバルブ27を閉じて、ウエハWの表面へのDIWの供給を停止する。その後、制御装置55は、モータ6を駆動して、ウエハWの回転速度を所定の高回転速度(たとえば1500〜2500rpm)に上げて、ウエハWに付着しているDIWを振り切って乾燥されるスピンドライ処理が行われる(ステップS8)。ステップS8のスピンドライ処理によって、ウエハWに付着しているDIWが除去される。なお、ステップS5の中間リンス工程およびステップS7のリンス工程において、リンス液として、DIWに限らず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、還元水(水素水)、磁気水などを採用することもできる。
以上によりこの実施形態によれば、赤外線ランプ38をウエハWの表面に対向配置させつつ、赤外線ランプ38から赤外線を放射させることにより、ウエハWの表面において、赤外線ランプ38に対向する領域に存在するSPM液が加熱される。
赤外線ランプ38によるSPM液への加熱により、SPM液が急激に温められ、ウエハWの表面の周囲に大量のSPM液ミストが発生する場合がある。しかしながら、環状の不活性ガス吐出口101から吐出される窒素ガスによって形成される気体カーテンGCによって、カップ5内外の空間が遮断されているので、SPM液ミストを含む雰囲気をカップ5の内側に閉じ込めることができ、その雰囲気が処理室2内(気体カーテンGCの外側の空間)に拡散することを抑制または防止できる。したがって、処理室2内の汚染を防止することができる。
また、不活性ガス吐出口101からの窒素ガスの吐出方向と、ヒータヘッド35の移動方向がともに水平方向であるので、ヒータヘッド35の位置によらずに、気体カーテンGCが一定の態様を有するようになる。
SPM液膜加熱工程(図7に示すステップS4)において、SPM液の供給を行わないこととした。しかしながら、ステップS4のSPM液膜加熱工程において、ウエハWの表面に、SPM液を、その単位時間当たりの流量が、第1流量よりも小さくなるように供給するようにしてもよいし、第1流量のSPM液を、ウエハ回転機構3に保持されているウエハWに間欠的に供給するようにしてもよい。
不活性ガス流通配管191における底板部52の下面52Bよりも下方(先端側)、換言すると、不活性ガス流通配管191の管壁における、底板部52の下面52Bと下整流板150の上面150Aとの間には、複数個(たとえば8個)の個別吐出孔195が、管壁を厚み方向に貫通して形成されている。複数個の個別吐出孔195は、不活性ガス流通配管191の流通方向の同位置に、かつ不活性ガス流通配管191の全周に亘って等間隔に配設されている。複数個の個別吐出孔195は、互いに同じ諸元を有している。各個別吐出孔195は、その個別吐出孔195における不活性ガス流通配管191の円形断面(流通方向に直交する断面)の径方向外方に向けて吐出する。
また、赤外線ランプ38によるSPM液に対する加熱により、SPM液が急激に温められて突沸し、下整流板150の下面150BとウエハWの表面との間の空間に、大量のSPM液ミストが発生する場合がある。しかしながら、吸引口194の吸引によって、SPM液ミストを含む雰囲気が吸引される。これにより、下整流板150の下面150BとウエハWの表面との間の空間から、SPM液ミストを含む雰囲気が排気される。
たとえば、第2実施形態と、第3実施形態とを組み合わせることができる。すなわち、図12において、複数の個別吐出孔195に代えて、1つの環状の吐出孔295を設けるようにすることができる。
また、ヒータヘッド35,135,235をスキャン(移動)させない構成とすることもできる。
また、本発明を、燐酸などの高温のエッチング液を用いて基板の主面の窒化膜を選択的にエッチングする基板処理装置に適用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 処理室
3 ウエハ回転機構(基板保持手段)
4 剥離液ノズル(薬液供給手段)
5 カップ
35 ヒータヘッド(保持ヘッド)
36 揺動駆動機構(保持ヘッド移動手段)
37 昇降駆動機構(保持ヘッド移動手段)
38 赤外線ランプ
40 ランプハウジング
52 底板部(上整流板)
73 開口
90 不活性ガス流通配管(気体流通配管)
95 個別吐出孔
100 下整流板
100B 下面(対向面)
101 不活性ガス吐出口(気体吐出口)
135 ヒータヘッド(保持ヘッド)
150 下整流板
150B 下面(対向面)
151 不活性ガス吐出口(気体吐出口)
191 不活性ガス流通配管(気体流通配管)
192 吸引配管
194 吸引口
195 個別吐出孔
235 ヒータヘッド(保持ヘッド)
295 吐出孔
C 回転軸線
GC 気体カーテン
W ウエハ
Claims (12)
- 処理室と、
前記処理室内に収容されて、基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の主面に薬液を供給する薬液供給手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対向して配置され、赤外線の放射により、当該基板の主面に供給された薬液を加熱する赤外線ランプと、
前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対向する位置に配置され、前記基板の主面に沿って放射状に気体を吐出する環状の気体吐出口と、
前記赤外線ランプおよび前記気体吐出口を一体に保持する保持ヘッドとを備える、基板処理装置。 - 前記基板保持手段に保持されている基板の主面に沿って前記保持ヘッドを移動させる保持ヘッド移動手段をさらに含み、
前記赤外線ランプは、前記基板保持手段に保持されている基板よりも小径を有する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持手段を収容し、前記基板保持手段に保持された基板の主面と対向する位置に基板を通過可能なサイズの開口を有するカップをさらに含み、
前記気体吐出口は前記開口内に配置されて、前記気体吐出口は前記カップの開口端に向けて気体を吐出する、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 管壁をその厚み方向に貫通する吐出孔を有し、気体が流通する気体流通配管と、
前記気体流通配管に気体を供給する気体供給手段と、
前記気体流通配管を流通して前記吐出孔から吐出された気体を、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に沿う気流に整流する上整流板および下整流板とをさらに含み、
前記一対の整流板によって整流された気流が前記気体吐出口に供給される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記吐出孔は、前記気体流通配管の全周に亘って周方向に間隔を空けて配置された複数の個別吐出孔を有している、請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記吐出孔は、前記気体流通配管の周方向に沿う環状に形成されている、請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記赤外線ランプは、前記気体流通配管の周囲を取り囲む環状をなし、
前記気体流通配管の管壁は、前記赤外線ランプによる赤外線の照射により熱せられることにより、前記気体流通配管を流通する気体を加熱する、請求項4〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記気体流通配管の管壁は、石英を用いて形成されている、請求項4〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記保持ヘッドは、前記赤外線ランプを収容するランプハウジングを備え、
前記気体流通配管の管壁は、前記ランプハウジングおよび前記下整流板と一体に形成されている、請求項4〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記下整流板は、前記気体流通配管に支持されている、請求項4〜9記載の基板処理装置。
- 吸引口を有し、前記気体流通配管内に挿通された吸引配管と、
前記吸引配管内を吸引する吸引手段とをさらに含み、
前記気体流通配管および前記吸引配管は、前記気体流通配管内に前記吸引配管が挿通されることにより二重配管構造を形成しており、
前記吸引配管の先端は、前記下整流板を貫通して前記吸引口を形成している、請求項4〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記薬液はレジスト剥離液である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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