JP2013187465A - 露光装置、クリーニング工具、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する。露光装置は、所定部材と、イオン化されたガスを所定部材に供給して、所定部材に対する異物の付着を抑制する抑制装置とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光装置、クリーニング工具、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法に関する。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置内の部材が汚染していると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献に開示されているように、露光装置内の部材をクリーニングする技術が案出されている。

米国特許第６４９６２５７号明細書 米国特許出願公開第２００６／００２３１８５号明細書

例えば露光不良の発生を抑制するために、露光装置内の部材の汚染を抑制すること、あるいは露光装置内の部材をクリーニングすることは有効である。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、クリーニング工具、及びメンテナンス方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、所定部材と、イオン化されたガスを所定部材に供給して、所定部材に対する異物の付着を抑制する抑制装置と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、所定部材と、所定部材を帯電させて、所定部材に対する異物の付着を抑制する抑制装置と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、基板の露光時に、光学部材と基板との間の露光光の光路が液体で満たされるように基板との間で液体を保持可能な液浸部材と、液浸部材の少なくとも一部に配置され、基板の非露光時に気体を吹き出して、液浸部材に対する異物の付着を抑制する抑制装置と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、所定部材と、所定部材と対向する位置に配置される対向部材と、正極性及び負極性の電位を対向部材に交互に加えて、所定部材の異物を除去する除去装置と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、光学部材に対して移動可能なステージと、ステージが対向可能な所定部材と、ステージを移動可能な駆動装置を含み、基板の非露光時に、所定部材に対してステージを移動して、所定部材の異物を除去する除去装置と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、基板を保持するステージと、ステージが対向可能な所定部材と、ステージに配置され、基板の裏面が対向可能な第１周壁部と、ステージにおいて第１周壁部の周囲に配置され、基板の裏面が対向可能な第２周壁部と、第１周壁部と第２周壁部との間に配置される開口を含み、開口から所定部材の異物を吸引して、所定部材の異物を除去する除去装置と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、第１〜第６のいずれか一つの態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置内に搬入され、露光装置の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング工具であって、イオン化されたガスを吹き出す給気部を備えるクリーニング工具が提供される。

本発明の第９の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置内に搬入され、露光装置の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング工具であって、露光装置内の所定部材を擦ることができ、所定部材に接触して所定部材の静電気を除去する徐電ブラシを備えるクリーニング工具が提供される。

本発明の第１０の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置内に搬入され、露光装置の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング工具であって、露光装置内の所定部材の静電気を除去して、所定部材に対する異物の付着を抑制する除電機構を備えるクリーニング工具が提供される。

本発明の第１１の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、イオン化されたガスを露光装置内の所定部材に供給して、所定部材に対する異物の付着を抑制することを含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第１２の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、露光装置内の所定部材を帯電させて、所定部材に対する異物の付着を抑制することを含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第１３の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置内の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、光学部材と基板との間の露光光の光路が液体で満たされるように基板との間で液体を保持可能な液浸部材が有する給気部から気体を吹き出して、液浸部材に対する異物の付着を抑制することを含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第１４の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、露光装置内の所定部材と対向部材とを対向させることと、正極性及び負極性の電位を対向部材に交互に加えて、所定部材の異物を除去することと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第１５の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、光学部材に対して移動可能な露光装置内のステージを、ステージが対向可能な所定部材に対して移動することと、ステージの移動により生じる気流で異物を除去することと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第１６の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、露光装置内の所定部材と、基板をリリース可能に保持する基板保持部を有する基板ステージとを対向させることと、基板保持部が有する、基板の裏面に対向可能な第１周壁部と第１周壁部の周囲に配置される第２周壁部との間の吸引口から、所定部材の異物を吸引して、所定部材の異物を除去することと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第１７の態様に従えば、第１１〜第１６のいずれか一つの態様のメンテナンス方法で露光装置の少なくとも一部をメンテナンスすることと、メンテナンス後に、露光装置で基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る液浸部材及び基板ステージの一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。 第１実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。 第１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第２実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第３実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第４実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第５実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第６実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第６実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第７実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第８実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第９実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第９実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 第１０実施形態に係るクリーニング工具の一例を示す図である。 第１０実施形態に係るクリーニング工具の一例を示す図である。 第１０実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、計測ステージ３を移動する駆動システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８とを備えている。

また、露光装置ＥＸは、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する干渉計システム１１と、検出システム３００とを備えている。検出システム３００は、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ２の位置を検出するエンコーダシステム３０１と、基板Ｐのアライメントマークを検出するアライメントシステム３０２と、基板Ｐの表面の位置を検出する表面位置検出システム３０３とを含む。なお、検出システム３００が、エンコーダシステム３０１、アライメントシステム３０２、表面位置検出システム３０３の全てを備えていなくてもよい。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

また、露光装置ＥＸは、基板Ｐが処理される空間１０２の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ）を調整するチャンバ装置１０３を備えている。基板ステージ２及び計測ステージ３は、空間１０２を移動する。チャンバ装置１０３は、空間１０２を形成するチャンバ部材１０４と、その空間１０２の環境を調整する空調システム１０５とを有する。また、チャンバ装置１０３は、チャンバ部材１０４の一部に形成された開口１０４Ｋを開閉するドア部材を含む開閉機構１０６を有する。空調システム１０５は、空間１０２に気体を供給して、その空間１０２の環境を調整する。本実施形態においては、少なくとも基板ステージ２、計測ステージ３、及び投影光学系ＰＬの終端光学素子１２が空間１０２に配置される。本実施形態においては、空間１０２に、基板ステージ２、計測ステージ３、及び投影光学系ＰＬのみならず、マスクステージ１、及び照明系ＩＬの少なくとも一部も配置される。露光光ＥＬは、空間１０２の少なくとも一部を進行する。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。駆動システム４は、ガイド面９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材９に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２と計測ステージ３とは、ガイド面１０Ｇ上を独立して移動可能である。

基板ステージ２を移動するための駆動システム５は、ガイド面１０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ３を移動するための駆動システム６は、平面モータを含み、計測ステージ３に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。

本実施形態において、基板ステージ２は、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部３１と、第１保持部３１の周囲に配置され、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部３２とを有する。第１，第２保持部３１，３２は、ピンチャック機構を有する。カバー部材Ｔは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。なお、第１保持部３１と第２保持部３２の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、カバー部材Ｔは、基板ステージ２に一体的に形成されていてもよい。

本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２保持部３２は、カバー部材Ｔの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｔを保持する。本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面と第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

本実施形態において、計測ステージ３は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する第３保持部３３と、第３保持部３３の周囲に配置され、カバー部材Ｓをリリース可能に保持する第４保持部３４とを有する。第３，第４保持部３３，３４は、ピンチャック機構を有する。カバー部材Ｓは、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの周囲に配置される。なお、第３保持部３３と第４保持部３４の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、計測部材Ｃ及びカバー部材Ｓの少なくとも一方は、計測ステージ３に一体的に形成されていてもよい。

本実施形態において、第３保持部３３は、計測部材Ｃの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、計測部材Ｃを保持する。第４保持部３４は、カバー部材Ｓの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｓを保持する。本実施形態において、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面と第４保持部３４に保持されたカバー部材Ｓの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

ここで、以下の説明において、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面を適宜、基板ステージ２の上面２Ｕ、と称し、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面及び第４保持部３４に保持されたカバー部材Ｓの上面を合わせて適宜、計測ステージ３の上面３Ｕ、と称する。

干渉計システム１１は、マスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット１１Ａと、基板ステージ２及び計測ステージ３の位置を計測するレーザ干渉計ユニット１１Ｂとを含む。レーザ干渉計ユニット１１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１１Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に配置された計測ミラー３Ｒを用いて、基板ステージ２及び計測ステージ３それぞれの位置を計測可能である。

エンコーダシステム３０１は、複数のエンコーダヘッド３０１Ａと、それら複数のエンコーダヘッド３０１Ａを支持する支持部材３０１Ｂとを有し、エンコーダヘッド３０１Ａからの検出光を基板ステージ２に設けられたスケール部材に照射して、その基板ステージ２（基板Ｐ）の位置を検出する。エンコーダシステム３０１は、基板ステージ２（基板Ｐ）が対向可能な下面を有する。エンコーダシステム３０１の下面は、エンコーダヘッド３０１Ａの下面及び支持部材３０１Ｂの下面を含む。＋Ｚ方向を向く基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向くエンコーダシステム３０１の下面と対向可能である。

アライメントシステム３０２は、基板Ｐのアライメントマークを検出して、その基板Ｐのショット領域の位置を検出する。アライメントシステム３０２は、基板ステージ２（基板Ｐ）が対向可能な下面を有する。基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向くアライメントシステム３０２の下面と対向可能である。

表面位置検出システム３０３は、例えばオートフォーカス・レベリングシステムとも呼ばれ、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面（上面）に検出光を照射して、その基板Ｐの表面の位置を検出する。表面位置検出システム３０３は、基板ステージ２（基板Ｐ）が対向可能な下面を有する。基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向く表面位置検出システム３０３の下面と対向可能である。

すなわち、本実施形態において、基板ステージ２は、検出システム３００の下面の少なくとも一部と対向可能である。検出システム３００の下面は、エンコーダシステム３０１の下面、アライメントシステム３０２の下面、及び表面位置検出システム３０３の下面の少なくとも一つを含む。また、本実施形態において、計測ステージ３の上面３Ｕ、及び計測ステージ３に保持されている計測部材Ｃの上面は、検出システム３００の下面の少なくとも一部と対向可能である。

基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果、及び検出システム３００の検出結果に基づいて、駆動システム４，５，６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

液浸部材７は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材７の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。

終端光学素子１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。本実施形態において、射出面１３側に液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１３から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１３は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１３は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１３がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。

液浸部材７は、少なくとも一部が−Ｚ方向を向く下面１４を有する。本実施形態において、射出面１３及び下面１４は、射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１３と、投影領域ＰＲに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材７は、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。

本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１３側）で投影領域ＰＲに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して移動可能である。その物体は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１３との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、その物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向く終端光学素子１２の射出面１３、及び−Ｚ方向を向く液浸部材７の下面１４と対向可能である。もちろん、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つに限られない。また、それら物体は、検出システム３００の少なくとも一部と対向可能である。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。
基板Ｐの露光時において、液浸部材７は、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

図２は、本実施形態に係る液浸部材７の一例を示す側断面図、図３は、液浸部材７を上側（＋Ｚ側）から見た図である。なお、図２においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置）に基板Ｐが配置されているが、上述のように、基板ステージ２（カバー部材Ｔ）、及び計測ステージ３（カバー部材Ｓ、計測部材Ｃ）を配置することもできる。

図２及び図３に示すように、液浸部材７は、少なくとも一部が終端光学素子１２と基板Ｐ（物体）との間に配置されるプレート部７１と、少なくとも一部が終端光学素子１２の周囲に配置される本体部７２とを含む。プレート部７１は、射出面１３と対向する位置に孔（開口）７Ｋを有する。プレート部７１は、少なくとも一部が射出面１３とギャップを介して対向する上面７Ｕと、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面７Ｈとを有する。孔７Ｋは、上面７Ｕと下面７Ｈとを結ぶように形成される。上面７Ｕは、孔７Ｋの上端の周囲に配置され、下面７Ｈは、孔７Ｋの下端の周囲に配置される。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、孔７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。

本実施形態において、上面７Ｕ及び下面７Ｈのそれぞれは、光路Ｋの周囲に配置される。本実施形態において、下面７Ｈは、平坦面である。下面７Ｈは、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。以下の説明において、下面７Ｈを適宜、保持面７Ｈ、と称する。

また、液浸部材７は、液体ＬＱを供給可能な開口１５と、液体ＬＱを回収可能な開口１６とを有する。開口１５は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。回収口１６は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。なお、開口１５は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体ＬＱを供給可能である。なお、開口１６は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体ＬＱを回収可能である。以下の説明において、開口１５を適宜、供給口１５、と称し、開口１６を適宜、回収口１６、と称する。

供給口１５は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように配置されている。なお、供給口１５は、射出面１３と開口７Ｋとの間の空間及び終端光学素子１２の側面の一方又は両方に面していればよい。本実施形態において、供給口１５は、上面７Ｕと射出面１３との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口１５から供給された液体ＬＱは、その上面７Ｕと射出面１３との間の空間を流れた後、開口７Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。

供給口１５は、流路１７を介して、液体供給装置１８と接続されている。液体供給装置１８は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１７は、液浸部材７の内部に形成された供給流路１７Ｒ、及びその供給流路１７Ｒと液体供給装置１８とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置１８から送出された液体ＬＱは、流路１７を介して供給口１５に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口１５は、液体ＬＱを供給する。

回収口１６は、液浸部材７の下面１４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口１６は、露光光ＥＬが通過する開口７Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口１６は、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。回収口１６は、物体の表面と対向する液浸部材７の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口１６に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口１６は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。

本実施形態において、本体部７２は、基板Ｐ（物体）に面する開口７Ｐを有する。開口７Ｐは、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、開口７Ｐに配置された多孔部材１９を有する。本実施形態において、多孔部材１９は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口７Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。

本実施形態において、多孔部材１９は、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面１９Ｈと、下面１９Ｈの反対方向を向く上面１９Ｕと、上面１９Ｕと下面１９Ｈとを結ぶ複数の孔とを有する。下面１９Ｈは、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部は、保持面７Ｈ及び下面１９Ｈを含む。

本実施形態において、回収口１６は、多孔部材１９の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材１９の孔（回収口１６）を介して回収される。なお、多孔部材１９が配置されなくてもよい。

回収口１６は、流路２０を介して、液体回収装置２１と接続されている。液体回収装置２１は、回収口１６を真空システムに接続可能であり、回収口１６を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路２０は、液浸部材７の内部に形成された回収流路２０Ｒ、及びその回収流路２０Ｒと液体回収装置２１とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口１６から回収された液体ＬＱは、流路２０を介して、液体回収装置２１に回収される。

本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

また、図３に示すように、本実施形態においては、液浸部材７は、流体（気体及び液体の少なくとも一方）を吸引可能な開口２２を有する。開口２２は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は両方において流体を吸引可能である。以下の説明において、開口２２を適宜、吸引口２２、と称する。

吸引口２２は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように配置されている。本実施形態において、吸引口２２は、射出面１３と上面７Ｕとの間の空間に面するように配置される。なお、吸引口２２は、射出面１３と開口７Ｋとの間の空間及び終端光学素子１２の側面の一方又は両方に面していればよい。吸引口２２は、射出面１３と上面７Ｕとの間の空間に存在する流体の少なくとも一部を吸引可能である。本実施形態において、吸引口２２は、光路Ｋに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれに配置されている。供給口１５は、光路Ｋに対して＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれに配置されている。なお、供給口１５及び吸引口２２の位置及び数は、図３に示す形態に限られない。

吸引口２２は、流路２３を介して、吸引装置２４と接続されている。吸引装置２４は、吸引口２２を真空システムに接続可能であり、吸引口２２を介して流体を吸引可能である。流路２３は、液浸部材７の内部に形成された吸引流路２３Ｒ、及びその吸引流路２３Ｒと吸引装置２４とを接続する吸引管で形成される流路を含む。吸引口２２から吸引（回収）された流体は、流路２３を介して、吸引装置２４に吸引（回収）される。

なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

図４は、本実施形態に係る基板ステージ２の一部を示す側断面図、図５は、基板ステージ２の一部を上側（＋Ｚ側）から見た図である。なお、図５は、第１保持部３１上に基板Ｐがなく、第２保持部３２上にカバー部材Ｔがない状態を示す。

図２、図４、及び図５に示すように、第１保持部３１は、基板Ｐの裏面（下面）が対向可能な第１周壁部３５と、第１周壁部３５の周囲に配置され、基板Ｐの裏面が対向可能な第２周壁部３６とを有する。また、第１保持部３１は、第１周壁部３５の内側に配置され、基板Ｐの裏面が対向可能な支持部３７を有する。支持部３７は、第１周壁部３５の内側に配置される複数の凸部材（ピン部材）を含む。

基板ステージ２は、上面２Ｓを有するベース部材２Ｂを有する。第１周壁部３５、第２周壁部３６、及び支持部３７は、基板ステージ２のベース部材２Ｂ上に配置される。 第１周壁部３５は、ＸＹ平面内において、環状である。第２周壁部３６は、ＸＹ平面内において、環状である。第２周壁部３６は、基板Ｐの裏面の周縁領域（外縁領域、エッジ領域）と対向する上面を有する。第１周壁部３５は、基板Ｐの裏面と対向する上面を有する。支持部３７（ピン部材）は、基板Ｐの裏面と対向する上面を有する。第１周壁部３５は、支持部３７を囲むように配置される。第２周壁部３６は、第１周壁部３５を囲むように配置される。

本実施形態においては、基板Ｐの裏面と第１周壁部３５の上面とが接触するとき、基板Ｐの裏面と支持部３７の上面とが接触する。また、基板Ｐの裏面と第１周壁部３５の上面とが接触するとき、基板Ｐの裏面と第２周壁部３６の上面とが接触する。なお、基板Ｐの裏面と第１周壁部３５の上面とが接触するとき、基板Ｐの裏面と支持部３７の上面の少なくとも一部とが離れてもよい。なお、基板Ｐの裏面と第１周壁部３５の上面とが接触するとき、基板Ｐの裏面と第２周壁部３６の上面の少なくとも一部とが離れてもよい。

本実施形態においては、基板Ｐの裏面と第１周壁部３５の上面とが対向している状態において、基板Ｐの裏面と第１周壁部３５とベース部材２Ｂとの間に第１空間Ｖ１が形成される。

本実施形態において、第１保持部３１は、第１空間Ｖ１の気体を吸引可能な吸引口３８を有する。なお、本実施形態において、吸引口３８は、気体のみならず、液体を吸引可能である。吸引口３８は、第１空間Ｖ１に面するように、ベース部材２Ｂに配置される。基板Ｐの裏面と第１周壁部３５の上面とが対向している状態で、吸引口３８が第１空間Ｖ１の気体を吸引することによって、第１空間Ｖ１は、負圧空間になる。すなわち、第１空間Ｖ１の圧力は、少なくとも空間１０２の圧力よりも低くなる。これにより、基板Ｐが支持部３７に吸着され、第１保持部３１に保持される。また、吸引口３８の吸引が解除されることによって、基板Ｐが第１保持部３１からリリース可能となる。第１空間Ｖ１が負圧空間になることによって、基板Ｐの裏面は、第１周壁部３５の上面及び支持部３７の上面と接触する。

また、本実施形態においては、基板Ｐの裏面と第１、第２周壁部３５、３６の上面とが対向している状態において、基板Ｐの裏面と第１周壁部３５と第２周壁部３６とベース部材２Ｂとの間に第２空間Ｖ２が形成される。本実施形態においては、第１空間Ｖ１が負圧空間になることによって、基板Ｐの裏面は、第１周壁部３５の上面及び第２周壁部３６の上面と接触する。

本実施形態において、第１保持部３１は、第１周壁部３５と第２周壁部３６との間に配置される開口４０（４０Ｓ、４０Ｂ）を有する。図５に示すように、開口４０は、第１周壁部３１（第２周壁部３６）に沿って複数配置される。開口４０は、第２空間Ｖ２に面するように、ベース部材２Ｂに配置される。

本実施形態において、開口４０Ｓは、気体を供給可能である。開口４０Ｂは、気体を吸引（排出）可能である。また、本実施形態においては、開口４０Ｂは、気体のみならず、液体を吸引可能である。以下の説明において、開口４０Ｓを適宜、給気口４０Ｓ、と称し、開口４０Ｂを適宜、吸引口４０Ｂ、と称する。

本実施形態においては、給気口４０Ｓの一方側及び他方側のそれぞれに吸引口４０Ｂが配置されている。換言すれば、２つの吸引口４０Ｂの間に給気口４０Ｓが配置されている。また、本実施形態においては、吸引口４０Ｂの一方側及び他方側のそれぞれに給気口４０Ｓが配置されている。換言すれば、２つの給気口４０Ｓの間に吸引口４０Ｂが配置されている。すなわち、本実施形態においては、第１周壁部３１の周囲において、複数の給気口４０Ｓと複数の吸引口４０Ｂとが交互に配置されている。なお、複数の給気口４０Ｓと複数の吸引口４０Ｂとが交互に配置されなくてもよい。例えば、給気口４０Ｓの一方側に吸引口４０Ｂが配置され、他方側に給気口４０Ｓが配置されてもよい。例えば、吸引口４０Ｂの一方側に給気口４０Ｓが配置され、他方側に吸引口４０Ｂが配置されてもよい。

給気口４０Ｓは、第２空間Ｖ２に気体を供給可能である。本実施形態においては、給気口４０Ｓは、流路を介して給気装置４５Ｓと接続されている。給気装置４５Ｓは、例えば気体を送出可能なポンプ、供給する気体の温度を調整可能な温度調整装置、及び供給する気体中の異物を除去可能なフィルタ装置等を含む。

吸引口４０Ｂは、第２空間Ｖ２の流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能である。本実施形態においては、吸引口４０Ｂは、流路を介して吸引装置４５Ｂと接続されている。吸引装置４５Ｂは、例えば流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能なポンプ、及び吸引された気体と液体とを分離する気液分離装置等を含む。

給気口４０Ｓに接続される給気装置４５Ｓ、及び吸引口４０Ｂに接続される吸引装置４５Ｂは、制御装置８に制御される。制御装置８は、給気口４０Ｓからの給気動作及び吸引口４０Ｂからの吸引動作を制御可能である。給気口４０Ｓから気体が供給されるとともに、吸引口４０Ｂから流体が吸引されることによって、図５に示すように、第２空間Ｖ２において気流Ｆが生成される。例えば、第２空間Ｖ２において、給気口４０Ｓから吸引口４０Ｂに向かって気体が流れる。

図２、図４、及び図５に示すように、第２保持部３２は、カバー部材Ｔの下面が対向可能な第３周壁部３９を有する。また、第２保持部３２は、第３周壁部３９の周囲に配置され、カバー部材Ｔの下面が対向可能な第４周壁部（不図示）を有する。また、第２保持部３２は、第３周壁部３９と第４周壁部との間に配置され、カバー部材Ｔの下面が対向可能な支持部４１を有する。支持部４１は、第３周壁部３９と第４周壁部との間に配置される複数の凸部材（ピン部材）を含む。また、第２保持部３２は、気体を吸引可能な吸引口４４を有する。吸引口４４は、気体のみならず、液体を吸引可能である。なお、上述したように、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部３２の一例が、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されている。第２保持部３２についての詳細な説明は省略する。

カバー部材Ｔは、第１保持部３１に保持された基板Ｐが配置される開口Ｔｈを有する。
本実施形態においては、基板Ｐの裏面と第１、第２周壁部３５、３６の上面とが対向し、カバー部材Ｔの下面と第３周壁部３９の上面とが対向している状態において、基板Ｐの裏面とカバー部材Ｔの下面と第２周壁部３６と第３周壁部３７とベース部材２Ｂとの間に第３空間Ｖ３が形成される。

本実施形態においては、カバー部材Ｔの下面と第３周壁部３９の上面及び第４周壁部の上面とが対向している状態において、カバー部材Ｔの下面と第３周壁部３９と第４周壁部とベース部材２Ｂとの間に第４空間Ｖ４が形成される。カバー部材Ｔの下面と第３周壁部３９の上面及び第４周壁部の上面とが対向している状態で、吸引口３８が第４空間Ｖ４の気体を吸引することによって、第４空間Ｖ４は、負圧空間になる。

本実施形態において、基板ステージ２は、第２周壁部３６と第３周壁部３９との間に配置される開口４２を有する。開口４２は、第３空間Ｖ３に面するように、ベース部材２Ｂに配置される。

本実施形態において、開口４２は、流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能である。以下の説明において、開口４２を適宜、吸引口４２、と称する。

吸引口４２は、第３空間Ｖ３の流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能である。本実施形態においては、吸引口４２は、流路を介して吸引装置４６と接続されている。吸引装置４６は、例えば流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能なポンプ、及び吸引された気体と液体とを分離する気液分離装置等を含む。

吸引口４２に接続される吸引装置４６は、制御装置８に制御される。制御装置８は、吸引口４２からの吸引動作を制御可能である。

本実施形態においては、第１保持部３１に保持された基板Ｐと第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔとの間に間隙Ｇが形成される。基板Ｐの表面及びカバー部材Ｔの上面の少なくとも一方が面する空間に存在する液体ＬＱ（例えば液浸空間ＬＳの液体ＬＱ）が、間隙Ｇを介して、第３空間Ｖ３に流入する可能性がある。吸引口４２は、第３空間Ｖ３の液体ＬＱを吸引可能である。制御装置８は、吸引口４２からの吸引動作を実行して、第３空間Ｖ３から液体ＬＱを除去することができる。

本実施形態においては、吸引口４２に多孔部材４３が配置される。本実施形態において、多孔部材４３は、吸引口４２を覆うように配置される。本実施形態においては、多孔部材４３の外形は、ＸＹ平面内において、環状である。間隙Ｇを介して第３空間Ｖ３に流入した液体ＬＱは、多孔部材４３の表面の少なくとも一部に接触する。吸引口４２は、多孔部材４３の孔を介して、その液体ＬＱを吸引することができる。なお、多孔部材４３は無くてもよい。

例えば液体ＬＱが第２空間Ｖ２に流入する可能性がある。例えば、第３空間Ｖ３の液体ＬＱが、基板Ｐの裏面と第２周壁部３６の上面との間を通過して第２空間Ｖ２に流入する可能性がある。本実施形態において、吸引口４０Ｂは、第２空間Ｖ２の液体ＬＱを吸引可能である。制御装置８は、吸引口４０Ｂからの吸引動作を実行して、第２空間Ｖ２から液体ＬＱを除去することができる。これにより、液体ＬＱが第１空間Ｖ１に流入することが抑制される。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する露光シーケンスの一例について説明する。本実施形態において、露光シーケンスは、基板Ｐの交換処理、所定の計測処理、及び基板Ｐの露光処理を含む。

制御装置８は、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）する処理を実行する。制御装置８は、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）するために、液浸部材７から離れた基板ステージ２を基板交換位置（ローディングポジション）に移動する。なお、例えば露光後の基板Ｐが第１保持部３１に保持されている場合、その露光後の基板Ｐが第１保持部３１から搬出（アンロード）する処理が実行された後、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）する処理が実行される。

基板交換位置は、基板Ｐの交換処理が実行可能な位置である。基板Ｐの交換処理は、搬送装置を用いて、第１保持部３１に保持された露光後の基板Ｐを第１保持部３１から搬出（アンロード）する処理、及び第１保持部３１に露光前の基板Ｐを搬入（ロード）する処理の少なくとも一方を含む。制御装置８は、液浸部材７から離れた基板交換位置に基板ステージ２を移動して、基板Ｐの交換処理を実行する。

基板ステージ２が液浸部材７から離れている期間の少なくとも一部において、制御装置８は、計測ステージ３を液浸部材７に対して所定位置に配置して、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３の上面３Ｕの所定領域との間で液体ＬＱを保持して、液浸空間ＬＳを形成する。また、基板ステージ２が液浸部材７から離れた期間の少なくとも一部において、必要に応じて、計測部材Ｃ（計測器）を用いる計測処理が実行される。計測部材Ｃを用いる計測処理を実行するとき、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３とを対向させ、終端光学素子１２と計測部材Ｃとの間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測部材Ｃに露光光ＥＬを照射して、計測部材Ｃを用いる計測処理を実行する。その計測処理の結果は、基板Ｐの露光処理に反映される。

露光前の基板Ｐが第１保持部３１にロードされ、計測部材Ｃを用いる計測処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳを形成する。終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置８は、基板Ｐの露光処理を開始する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２とを対向させ、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、照明系ＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭからの露光光ＥＬを投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射する。これにより、基板Ｐは、液体ＬＱを介して終端光学素子１２の射出面１３から射出される露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。

本実施形態においては、基板Ｐの露光において、供給口１５から液体ＬＱが供給されるとともに、その供給口１５からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収が実行される。これにより、液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。また、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、吸引口２２からの吸引動作は停止される。なお、基板Ｐの露光において、吸引口２２から液体ＬＱを吸引してもよい。

基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、基板ステージ２を基板交換位置に移動する。計測ステージ３は、例えば終端光学素子１２及び液浸部材７と対向するように配置される。制御装置８は、基板交換位置に移動した基板ステージ２から露光後の基板Ｐを搬出し、次に露光される基板Ｐを基板ステージ２に搬入する。以下、上述の処理が繰り返され、複数の基板Ｐが順次露光される。なお、基板ステージ２からアンロードされた露光後の基板Ｐは、外部装置に供給され、例えば現像処理等、所定の処理を施される。

本実施形態においては、所定のタイミングで、露光装置ＥＸの少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンスシーケンスが実行される。本実施形態において、露光装置ＥＸは、露光装置ＥＸ内の所定部材をメンテナンスするメンテナンス装置５０Ａを備えている。本実施形態において、メンテナンスは、露光装置ＥＸ内の所定部材のクリーニングを含む。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ａは、所定部材をクリーニング可能なクリーニング装置を含む。

メンテナンスシーケンスは、例えば基板Ｐの非露光時に実行される。すなわち、露光シーケンスが実行されていないときに、メンテナンスシーケンスが実行される。例えば、開閉機構１０６により開口１０４Ｋを開けた状態で、メンテナンスが実行されてもよい。また、露光用の液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する直前のタイミングでメンテナンスが実行されてもよい。また、メンテナンスが、所定時間間隔毎に実行されてもよい。

図６は、本実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を示す図である。以下、メンテナンスシーケンスとして、基板ステージ２が対向可能な液浸部材７の下面１４の少なくとも一部をクリーニングする場合を例にして説明する。

本実施形態において、メンテナンス装置５０Ａは、液浸部材７の異物を除去可能な除去装置を含む。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ａは、基板ステージ２に配置され、液浸部材７の異物を吸引する吸引口４０Ｂを含む。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳが形成されていない状態で、液浸部材７のクリーニングが実行される。なお、液浸空間ＬＳが形成されている場合、クリーニングが実行される前に、液浸空間ＬＳを除去する処理が実行される。液浸空間ＬＳが形成されている場合、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作を停止し、回収口１６からの回収動作を所定時間継続する。また、本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作が停止された状態で、吸引口２２からの吸引動作を実行する。これにより、液浸空間ＬＳが除去される。

また、本実施形態においては、第１保持部３１に基板Ｐ等の物体が保持されていない状態で、液浸部材７のクリーニングが実行される。

制御装置８は、駆動システム５を制御して、液浸部材７と、基板ステージ２とを対向させる。制御装置８は、液浸部材７の下面１４と、第１周壁部３５と第２周壁部３６との間の吸引口４０Ｂとが対向するように、基板ステージ２の位置を制御する。

制御装置８は、吸引装置４５Ｂを作動して、吸引口４０Ｂからの吸引動作を実行する。液浸部材７の下面１４と吸引口４０Ｂとが対向している状態で、吸引口４０Ｂの吸引動作が実行されることによって、下面１４の異物が、吸引口４０Ｂから吸引される。これにより、液浸部材７の異物が除去される。

制御装置８は、駆動システム５を制御して、液浸部材７に対して基板ステージ２をＸＹ平面内において移動しながら、吸引口４０Ｂからの吸引動作を実行してもよい。これにより、下面１４の広範囲に亘って、下面１４の異物が除去される。

なお、開口４０Ｓからの吸引動作を実行してもよい。これにより、異物は、開口４０Ｓに吸引される。なお、吸引口（開口）３８からの吸引動作を実行してもよい。これにより、異物は、吸引口３８に吸引される。

なお、制御装置８は、第２保持部３２にカバー部材Ｔが保持されていない状態で、液浸部材７と第２保持部３２の吸引口（開口）４４とを対向させた状態で、吸引口４４からの吸引動作を実行してもよい。これにより、異物は、吸引口４４に吸引される。

異物が除去され、メンテナンスシーケンスが終了した後、制御装置８は、露光シーケンスを開始してもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、露光装置ＥＸ内の液浸部材７を良好にメンテナンス（クリーニング）できる。したがって、液浸部材７の汚染に起因する露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

なお、本実施形態においては、第１保持部３１及び第２保持部３２の少なくとも一方が有する開口から異物を吸引することとしたが、例えば、制御装置８は、液浸部材７と吸引口４２（多孔部材４３）とを対向させた状態で、吸引口（開口）４２からの吸引動作を実行してもよい。これにより、異物は、吸引口４２に吸引される。なお、多孔部材４３が配置されていない吸引口４２と液浸部材７とを対向させた状態で、吸引口４２からの吸引動作を実行してもよい。

なお、基板ステージ２に、メンテナンスのための（異物を吸引するための）専用の吸引口（開口）を設け、その専用の吸引口から異物を吸引してもよい。メンテナンスのための専用の吸引口とは、例えば露光シーケンスにおいて吸引動作を実行しない吸引口を含む。

なお、計測ステージ３に、メンテナンスのための（異物を吸引するための）吸引口（開口）を設けてもよい。また、液浸部材７に対して計測ステージ３を移動しながら、その吸引口からの吸引動作を実行してもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図７は、第２実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｂの一例を示す図である。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｂは、液浸部材７の異物を除去可能な除去装置を含む。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｂは、基板ステージ２に配置され、液浸部材７に向けて気体を吹き出す給気口４０Ｓを含む。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳが形成されていない状態で、液浸部材７のクリーニングが実行される。また、本実施形態においては、第１保持部３１に基板Ｐが保持されていない状態で、液浸部材７のクリーニングが実行される。

制御装置８は、駆動システム５を制御して、液浸部材７と、基板ステージ２とを対向させる。制御装置８は、液浸部材７の下面１４と、第１周壁部３５と第２周壁部３６との間の給気口４０Ｓとが対向するように、基板ステージ２の位置を制御する。

制御装置８は、給気装置４５Ｓを作動して、給気口４０Ｓからの給気動作を実行する。液浸部材７の下面１４と給気口４０Ｓとが対向している状態で、給気口４０Ｓからの給気動作が実行されることによって、下面１４の異物が、給気口４０Ｓから供給された気体によって吹き飛ばされる。これにより、液浸部材７の異物が除去される。

制御装置８は、駆動システム５を制御して、液浸部材７に対して基板ステージ２をＸＹ平面内において移動しながら、給気口４０Ｓからの給気動作を実行してもよい。これにより、下面１４の広範囲に亘って、下面１４の異物が除去される。

本実施形態においては、給気口４０Ｓからの給気動作と並行して、吸引口４０Ｂからの吸引動作が実行される。これにより、下面１４から吹き飛ばされた異物は、吸引口４０Ｂに吸引される。なお、給気口４０Ｓからの給気動作と並行して、吸引口３８からの吸引動作が実行されてもよいし、吸引口４４からの吸引動作が実行されてもよいし、吸引口４２からの吸引動作が実行されてもよい。

なお、開口４０Ｂから液浸部材７に向けて気体を吹き出してもよい。なお、吸引口（開口）３８から液浸部材７に向けて気体を吹き出してもよい。なお、第２保持部３２にカバー部材Ｔが保持されていない状態で、吸引口（開口）４４から液浸部材７に向けて気体を吹き出してもよい。

なお、本実施形態においては、第１保持部３１及び第２保持部３２の少なくとも一方が有する開口から気体を吹き出すこととしたが、例えば、制御装置８は、液浸部材７と吸引口４２（多孔部材４３）とを対向させた状態で、吸引口（開口）４２から気体を吹き出してもよい。これにより、開口４２からの気体は、多孔部材４３の孔を介して、液浸部材７に吹き付けられる。なお、多孔部材４３が配置されていない吸引口（開口）４２と液浸部材７とを対向させた状態で、吸引口４２から気体を吹き出してもよい。

なお、基板ステージ２に、メンテナンスのための（異物を吹き飛ばすための）専用の給気口（開口）を設け、その専用の給気口から気体を吹き出してもよい。メンテナンスのための専用の給気口とは、例えば露光シーケンスにおいて給気動作を実行しない給気口を含む。

なお、計測ステージ３に、メンテナンスのための（異物を吹き飛ばすための）給気口（開口）を設けてもよい。また、液浸部材７に対して計測ステージ３を移動しながら、その給気口から気体を吹き出してもよい。

なお、第１の開口（給気口）から液浸部材７に対して給気するとともに、その給気と並行して、第１の開口とは異なる第２の開口（吸引口）からの吸引を実行してもよい。これにより、液浸部材７から吹き飛ばされた異物は、第２の開口から吸引される。なお、第１の開口は、基板ステージ２及び計測ステージ３の一方又は両方に設けられてもよい。第２の開口は、基板ステージ２及び計測ステージ３の一方又は両方に設けられてもよい。また、基板ステージ２及び計測ステージ３とは異なるステージを設け、そのステージに第１の開口及び第２の開口の一方又は両方が設けられてもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図８は、第３実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｃの一例を示す図である。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｃは、液浸部材７の異物を除去可能な除去装置を含む。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｃは、基板ステージ２を移動可能な駆動システム５を含む。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳが形成されていない状態で、液浸部材７のクリーニングが実行される。また、本実施形態においては、第１保持部３１に基板Ｐが保持されていない状態で、液浸部材７のクリーニングが実行される。なお、第１保持部３１に、物体（例えばダミー基板）が保持されてもよい。

制御装置８は、駆動システム５を制御して、液浸部材７に対して基板ステージ２をＸＹ平面内において移動する。制御装置８は、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部と、基板ステージ２の上面２Ｕとを対向させつつ、基板ステージ２をＸＹ平面内において移動する。基板ステージ２の移動により、液浸部材７の下面１４が面する空間において、気流が生じる。その気流により、下面１４の異物が除去される。

なお、制御装置８は、基板ステージ２を移動しつつ、基板ステージ２に設けられている開口（４０Ｂ、３８等）からの吸引動作を実行してもよい。これにより、下面１４から除去された異物が、開口から吸引される。なお、基板ステージ２を移動しつつ、基板ステージ２に設けられている開口からの給気動作が実行されてもよい。

なお、制御装置８は、駆動システム６を制御して、液浸部材７に対して計測ステージ３をＸＹ平面内において移動してもよい。例えば、制御装置８は、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部と、計測ステージ３の上面３Ｕとを対向させつつ、計測ステージ３をＸＹ平面内において移動してもよい。計測ステージ３の移動により生じる気流により、下面１４の異物が除去される。なお、制御装置８は、計測ステージ３を移動しつつ、計測ステージ３に設けられている開口からの吸引動作を実行してもよい。なお、計測ステージ３を移動しつつ、計測ステージ３に設けられている開口からの給気動作が実行されてもよい。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図９は、第４実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｄの一例を示す図である。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｄは、液浸部材７の異物を除去可能な除去装置を含む。図９に示すように、メンテナンス装置５０Ｄは、液浸部材７と対向する位置に配置される対向部材５１と、正極性（プラス）及び負極性（マイナス）の電位を対向部材５１に交互に加えることができる電力供給装置５２とを備えている。メンテナンス装置５０Ｄは、液浸部材７と対向部材５１とを対向させた状態で、電力供給装置５２により対向部材５１にプラス及びマイナスの電位を交互に印加することによって、液浸部材７の異物を除去する。

例えば、図９（Ａ）に示すように、液浸部材７に付着している異物がプラスに帯電している場合、対向部材５１がマイナスに帯電するように、電力供給装置５２により対向部材５１に電位が印加される。対向部材５１がマイナスに帯電すると、液浸部材７の異物は、液浸部材７から離れ、対向部材５１に引き寄せられるように移動する。これにより、異物は、液浸部材７から除去される。液浸部材７から離れた異物は、例えば対向部材５１に付着する。対向部材５１は、その異物を保持する。

図９（Ｂ）に示すように、液浸部材７に付着している異物がマイナスに帯電している場合、対向部材５１がプラスに帯電するように、電力供給装置５２により対向部材５１に電位が印加される。対向部材５１がプラスに帯電すると、液浸部材７の異物は、液浸部材７から離れ、対向部材５１に引き寄せられるように移動する。これにより、異物は、液浸部材７から除去される。また、液浸部材７から離れた異物は、例えば対向部材５１の上面に付着する。対向部材５１は、その異物を保持する。

メンテナンス装置５０Ｄは、対向部材５１にプラス及びマイナスの電位を交互に加えることによって、マイナスに帯電している液浸部材７の異物、及びプラスに帯電している液浸部材７の異物の両方を、液浸部材７から除去することができる。

対向部材５１にプラス及びマイナスの電位を印加して、メンテナンスが終了した後、異物が付着した対向部材５１は、例えば開口１０４Ｋを介して、空間１０２の外側に搬出される。

以上説明したように、本実施形態においても、液浸部材７が良好にクリーニングされる。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、第５実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｅの一例を示す図である。第５実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｅは、第４実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｄの変形例である。

図１０において、メンテナンス装置５０Ｅは、液浸部材７と対向する位置に配置される対向部材５１と、プラス及びマイナスの電位を対向部材５１に交互に加える電力供給装置５２と、液浸部材７と対向部材５１との間に気体を供給する給気装置５３と、液浸部材７と対向部材５１との間の気体を吸引する吸引装置５４とを備えている。給気装置５３は、液浸部材７と対向部材５１との間の空間に面するように配置される給気口５３Ａを有する給気部材５３Ｂを含む。吸引装置５４は、液浸部材７と対向部材５１との間の空間に面するように配置される吸引口５４Ａを有する吸引部材５４Ｂを含む。

本実施形態において、給気口５３Ａの位置（向き）は可変である。例えば、給気部材５３Ｂを移動可能な駆動装置が給気部材５３Ｂを移動することによって、給気口５３Ａの位置（向き）が調整される。例えば、給気口５３Ａと液浸部材７の下面１４との距離が短くなるように、給気口５３Ａの位置が調整されてもよい。給気口５３Ａと対向部材５１の上面との距離が短くなるように、給気口５３Ａの位置が調整されてもよい。給気口５３Ａと液浸部材７の下面１４とが対向するように、給気口５３Ａの位置（向き）が調整されてもよい。給気口５３Ａと対向部材５１の上面とが対向するように、給気口５３Ａの位置（向き）が調整されてもよい。

本実施形態において、吸引口５４Ａの位置（向き）は可変である。例えば、吸引部材５４Ｂを移動可能な駆動装置が給気部材５４Ｂを移動することによって、吸引口５４Ａの位置（向き）が調整される。例えば、吸引口５４Ａと液浸部材７の下面１４との距離が短くなるように、吸引口５４Ａの位置が調整されてもよい。吸引口５４Ａと対向部材５１の上面との距離が短くなるように、吸引口５４Ａの位置が調整されてもよい。吸引口５４Ａと液浸部材７の下面１４とが対向するように、吸引口５４Ａの位置（向き）が調整されてもよい。吸引口５４Ａと対向部材５１の上面とが対向するように、吸引口５４Ａの位置（向き）が調整されてもよい。

本実施形態において、給気装置５３は、液浸部材７の下面１４に気体を吹き付けるように、給気口５３Ａから気体を吹き出す。例えば、給気口５３Ａが下面１４を向くように給気口５３Ａの位置（向き）が調整された状態で、給気口５３Ａから下面１４に給気してもよい。なお、給気装置５３は、液浸部材７と対向部材５１との間の気体が吸引口５４Ａに向かって流れるように、液浸部材７と対向部材５１との間の空間に気体を供給してもよい。例えば、給気口５３Ａが吸引口５４Ａを向くように給気口５３Ａの位置（向き）が調整された状態で、給気口５３Ａから気体から空間に給気してもよい。

本実施形態において、吸引装置５４は、吸引口５４Ａから、液浸部材７と対向部材５１との間の空間の気体を吸引することができる。また、吸引装置５４は、吸引口５４Ａから、液浸部材７と対向部材５１との間の空間の異物（空間を浮遊する異物）を吸引することができる。また、吸引装置５４は、吸引口５４Ａから、液浸部材７と対向部材５１との間の液体（例えば液体の滴、霧）を吸引することができる。例えば、吸引口５４Ａが液浸部材７と対向部材５１との間の空間を向くように吸引口５４Ａの位置（向き）が調整された状態で、吸引口５４Ａからの吸引動作が実行されてもよい。また、本実施形態においては、吸引装置５４は、吸引口５４Ａから、液浸部材７の下面１４の異物を吸引することができる。また、本実施形態においては、吸引装置５４は、吸引口５４Ａから、液浸部材７の下面１４の液体（例えば液体の滴）を吸引することができる。例えば、吸引口５４Ａが下面１４を向くように吸引口５４Ａの位置（向き）が調整された状態で、吸引口５４Ａからの吸引動作が実行されてもよい。また、吸引装置５４は、吸引口５４Ａから、対向部材５１の上面の異物を吸引することができる。また、吸引装置５４は、吸引口５４Ａから、対向部材５１の上面の液体を吸引することができる。例えば、吸引口５４Ａが対向部材５１の上面を向くように吸引口５４Ａの位置（向き）が調整された状態で、吸引口５４Ａからの吸引動作が実行されてもよい。

本実施形態においては、メンテナンス装置５０Ｅは、対向部材５１にプラス及びマイナスの電位を交互に印加しつつ、給気口５３Ａからの給気動作、及び吸引口５４Ａからの吸引動作を実行する。これにより、プラス又はマイナスに帯電した対向部材５１の吸引力と、給気口５３Ａから供給された気体の力と、吸引口５４Ａの吸引力とによって、液浸部材７の下面１４の異物が良好に除去される。また、液浸部材７から離れた異物の少なくとも一部は、吸引口５４Ａから吸引される。なお、対向部材５１の上面に付着している異物を、吸引口５４Ａから吸引してもよい。

なお、本実施形態において、給気装置５３が省略されてもよい。プラス又はマイナスに帯電した対向部材５１の吸引力と、吸引口５４Ａの吸引力とによって、液浸部材７の下面１４の異物が良好に除去される。液浸部材７から離れた異物は、吸引口５４Ａから吸引される。

なお、本実施形態において、吸引装置５４が省略されてもよい。プラス又はマイナスに帯電した対向部材５１の吸引力と、給気口５３Ａから供給された気体の力とによって、液浸部材７の下面１４の異物が良好に除去される。液浸部材７から離れた異物は、対向部材５１の上面に保持される。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１１は、第６実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｆの一例を示す図である。メンテナンス装置５０Ｆは、液浸部材７の異物を除去可能な除去装置を含む。図１１において、メンテナンス装置５０Ｆは、液浸部材７の少なくとも一部に、プラス及びマイナスの電位を交互に加える電力供給装置５５を備えている。メンテナンス装置５０Ｆは、電力供給装置５５により液浸部材７にプラス及びマイナスの電位を交互に印加することによって、液浸部材７の異物を除去する。

例えば、図１１（Ａ）に示すように、液浸部材７に付着している異物がプラスに帯電している場合、液浸部材７がプラスに帯電するように、電力供給装置５５により液浸部材７に電位が印加される。液浸部材７がプラスに帯電すると、液浸部材７の異物は、液浸部材７から離れる。これにより、異物は、液浸部材７から除去される。

図１１（Ｂ）に示すように、液浸部材７に付着している異物がマイナスに帯電している場合、液浸部材７がマイナスに帯電するように、電力供給装置５５により液浸部材７に電位が印加される。液浸部材７がマイナスに帯電すると、液浸部材７の異物は、液浸部材７から離れる。これにより、異物は、液浸部材７から除去される。

なお、図１２に示すように、電力供給装置５５を備えるメンテナンス装置５０Ｇが、液浸部材７の下面に気体を供給する給気口５３Ａを有する給気装置５３を備えてもよい。また、メンテナンス装置５０Ｇが、液浸部材７の下面１４の異物を吸引する吸引口５４Ａを有する吸引装置５４を備えてもよい。なお、吸引装置５４は、液浸部材７から離れた異物を吸引してもよい。

以上説明したように、本実施形態においては、異物と同極性の電位を液浸部材７に加えることによって、その液浸部材７から異物を除去する。本実施形態においても、液浸部材７が良好にクリーニングされる。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１３は、第７実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｌの一例を示す図である。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｌは、液浸部材７に対する異物の付着を抑制する抑制装置を含む。例えばメンテナンスシーケンスにおいて、抑制装置を用いるメンテナンスを行うことによって、液浸部材７に対する異物の付着が抑制される。

本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｌは、イオン化されたガスを液浸部材７に供給するガス供給装置を含む。メンテナンス装置５０Ｌは、所謂、イオナイザを含む。 メンテナンス装置５０Ｌは、イオン化されたガスを液浸部材７に供給して、液浸部材７の静電気を除去する。

本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｌは、放電部材６１と、放電部材６１に電圧を印加する電源装置６２とを有する。放電部材６１に電圧が印加されることにより、イオン化したガスが生成される。生成されたガスは、開口６３を介して、液浸部材７に供給される。これにより、液浸部材７の静電気が除去される。

本実施形態においては、液浸部材７の静電気が除去されるため、その静電気に起因する液浸部材７に対する異物の付着が抑制される。これにより、液浸部材７の汚染が抑制される。

なお、開口６３から供給されるガスの流れ（気流）によって、液浸部材７に対する異物の付着を抑制するようにしてもよい。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１４は、第８実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｍの一例を示す図である。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｍは、液浸部材７に対する異物の付着を抑制する抑制装置を含む。

本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｍは、液浸部材７を帯電させる電力供給装置６４を備えている。メンテナンス装置５０Ｍは、電力供給装置６４により液浸部材７に電位を印加して、液浸部材７を帯電させることによって、液浸部材７に対する異物の付着を抑制する。

本実施形態においては、メンテナンス装置５０Ｍは、異物と同極性の電位を液浸部材７に加える。例えば、図１４に示すように、異物（液浸部材７に付着する前の異物）がプラスに帯電している場合、液浸部材７がプラスに帯電するように、電力供給装置６４により液浸部材７に電位が印加される。液浸部材７がプラスに帯電することによって、その異物と液浸部材７とは反発する。これにより、異物が液浸部材７に接近することが抑制され、液浸部材７に付着することが抑制される。

また、メンテナンス装置５０Ｍは、異物がマイナスに帯電している場合、液浸部材７がマイナスに帯電するように、液浸部材７に電位を印加してもよい。

なお、メンテナンス装置５０Ｍは、異物と異なる極性の電位を液浸部材７に加えてもよい。なお、メンテナンス装置５０Ｍは、プラス及びマイナスの電位を液浸部材７に交互に加えてもよい。

＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１５は、第９実施形態に係るメンテナンス装置５０Ｎの一例を示す図である。本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｎは、液浸部材７に対する異物の付着を抑制する抑制装置を含む。

本実施形態において、メンテナンス装置５０Ｎは、液浸部材７が有する開口から気体が吹き出されるように気体を供給する気体供給装置６５を含む。液浸部材７が有する開口から気体が吹き出されることによって、液浸部材７に対する異物の付着が抑制される。

本実施形態において、気体供給装置６５は、回収流路２０Ｒに気体を供給可能である。気体供給装置６５は、管部材６６の流路を介して、回収流路２０Ｒに接続される。

本実施形態において、気体供給装置６５からの気体供給動作は、基板Ｐの非露光時に実行される。本実施形態において、気体供給装置６５からの気体供給動作は、メンテナンスシーケンスにおいて実行される。液浸空間ＬＳが形成されていない状態で、気体供給装置６５から気体が供給される。また、回収流路２０Ｒに液体ＬＱが存在しない状態で、気体供給装置６５から気体が供給される。

気体供給装置６５から回収流路２０Ｒに気体が供給されることにより、その回収流路２０Ｒの気体の少なくとも一部は、開口１６（多孔部材１９の孔）から排出される。すなわち、本実施形態においては、開口１６が、気体を吹き出す。気体は、開口１６を介して、下面１４が面する空間に排出される。下面１４が面する空間とは、回収流路２０Ｒに対する外部空間であり、例えば空間１０２を含む。開口１６から排出される気体の力（気体の流れ）によって、異物（例えば空間１０２を浮遊する異物）が下面１４に付着することが抑制される。

なお、開口１５から気体を吹き出してもよい。例えば供給流路１７Ｒに気体供給装置６５が接続されることによって、開口１５から気体を吹き出すことができる。

なお、開口２２から気体を吹き出してもよい。例えば吸引流路２３Ｒに気体供給装置６５が接続されることによって、開口２２から気体を吹き出すことができる。

図１６は、露光装置ＥＸの一実施形態を示す。図１６において、露光装置ＥＸは、液浸部材７の周囲の少なくとも一部に配置され、開口６７を有する部材６８を有する。例えば液浸部材７と物体（基板Ｐ等）との間に液浸空間ＬＳが形成されているとき、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が、液浸部材７と物体との間の空間の外側に流出する可能性がある。部材６８は、開口６７から、その流出した液体ＬＱを回収可能である。以下の説明において、部材６８を適宜、回収部材６８、と称する。

図１６において、例えば開口６７から気体を吹き出してもよい。これにより、回収部材６８に対する異物の付着が抑制される。なお、開口６７から吹き出した気体の一部が液浸部材７の下面１４に供給されることによって、液浸部材７に対する異物の付着を抑制することができる。

なお、本実施形態において、液浸部材７及び回収部材６８とは異なる所定部材を液浸部材７及び回収部材６８の一方又は両方と対向するように設け、基板Ｐの非露光時において、その所定部材が有する開口（給気口）から気体を吹き出して、液浸部材７及び回収部材６８に対する異物の付着を抑制してもよい。

＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１７は、本実施形態に係るメンテナンス工具８０の一例を示す斜視図、図１８は、図１７の一部を拡大した図である。例えば、メンテナンスシーケンスにおいて、メンテナンス工具８０が露光装置ＥＸ内（空間１０２内）に搬入され、そのメンテナンス工具８０により、露光装置ＥＸの少なくとも一部がクリーニングされる。例えば、作業者は、メンテナンス工具８０を用いて、液浸部材７の少なくとも一部をクリーニングすることができる。以下の説明において、メンテナンス工具８０を適宜、クリーニング工具８０、と称する。

図１７及び図１８において、クリーニング工具８０は、イオン化されたガスを吹き出す給気部８１と、ガスを吸引可能な吸引部８２と、液浸部材７を擦ることができるブラシ８３とを有する。本実施形態において、給気部８１、吸引部８２、及びブラシ８３は、ロッド部材８４の一端（先端）に配置される。ロッド部材８４の他端に、ハンドル部８５が設けられる。作業者は、例えばハンドル部８５を保持して、メンテナンス作業を実行することができる。

給気部８１は、給気部材８１Ｂの先端に形成された給気口８１Ａを含む。給気口８１Ａは、給気部材８１Ｂの内部に形成された流路、及びチューブ部材８６の内部に形成された流路を介して、ガス供給装置８７と接続される。ガス供給装置８７は、放電部材及びその放電部材に電圧を印加する電源装置を含み、イオン化されたガスを生成可能である。ガス供給装置８７において生成されたガス（イオン化されたガス）は、チューブ部材８６の流路及び給気部材８１の流路を介して、給気口８１Ａに供給される。

給気口８１Ａは、例えば液浸部材７にガス（イオン化されたガス）を供給可能である。 例えば給気口８１Ａと液浸部材７の下面１４とが対向されている状態で給気口８１Ａがガスを吹き出すことによって、給気口８１Ａからのガスが液浸部材７の下面１４に供給される。イオン化されたガスが液浸部材７に供給されることによって、液浸部材７の静電気が除去され、液浸部材７に対する異物の付着が抑制される。

このように、本実施形態において、クリーニング工具８０は、イオン化されたガスを供給して、液浸部材７の静電気を除去して、液浸部材７に対する異物の付着を抑制する除電機構（イオナイザ）として機能する給気部８１を有する。

なお、給気口８１Ａから供給されるガスは、イオン化されていなくてもよい。なお、給気口８１Ａから吹き出されたガスによって、液浸部材７に付着している異物を吹き飛ばしてもよい。すなわち、給気口８１Ａからのガスによって、液浸部材７の異物を除去してもよい。

本実施形態において、給気部材８１Ｂは、ロッド状の部材である。本実施形態において、給気口８１Ａは、給気部材８１Ｂに１つ設けられている。本実施形態において、給気部材８１Ｂは、２つ設けられている。なお、複数の給気口８１Ａが給気部材８１Ｂに設けられてもよい。なお、給気部材８１Ｂは１つでもよいし、３以上の複数でもよい。給気部材８１Ｂの形状及び数は、任意に定めることができる。給気口８１Ａの形状及び数は、任意に定めることができる。

吸引部８２は、吸引部材８２Ｂに形成された吸引口８２Ａを含む。吸引口８２Ａは、吸引部材８２Ｂの内部に形成された流路、及びロッド部材８４の内部に形成された流路を介して、吸引装置８８と接続される。吸引装置８８は、例えば真空システムを含み、吸引口８２Ａから気体を吸引可能である。また、吸引装置８８は、吸引口８２Ａから異物を吸引可能である。なお、吸引装置８８が、吸引口８２Ａから液体を吸引してもよい。

吸引口８２Ａは、例えば液浸部材７の異物を吸引可能である。また、吸引口８２Ａは、液浸部材７の下面１４が面する空間の異物（下面１４から離れた異物、空間を浮遊する異物）を吸引可能である。例えば吸引口８２Ａと液浸部材７の下面１４とが対向されている状態で吸引口８２Ａの吸引動作が実行されることによって、下面１４の異物を吸引することができる。これにより、液浸部材７の異物が除去される。

本実施形態において、吸引部材８２Ｂは、プレート状の部材である。吸引口８２Ａは、スリット状である。なお、吸引口８２Ａが、円形でもよいし、複数配置されてもよい。吸引口８２Ａの形状及び数は、任意に定めることができる。吸引部材８２Ｂの形状及び数は、任意に定めることができる。

本実施形態において、ブラシ８３は、液浸部材７の静電気を除去可能である。以下の説明において、ブラシ８３を適宜、除電ブラシ８３、と称する。

除電ブラシ８３は、例えば有機導電性繊維を含む。有機導電性繊維は、例えばアクリル系繊維と硫化銅とを化学的に結合させた繊維を含む。除電ブラシ８３として、例えば株式会社スタック・アンド・オプティーク社の除電ブラシ、あるいは株式会社トリンク社の除電ブラシ（例えば商品名バキュームクリーナトリンク）を使用してもよい。

除電ブラシ８３は、例えば液浸部材７と接触することによって、その液浸部材７の静電気を除去することができる。液浸部材７の静電気が除去されることによって、液浸部材７に対する異物の付着が抑制される。

このように、本実施形態において、クリーニング工具８０は、液浸部材７と接触して、液浸部材７の静電気を除去して、液浸部材７に対する異物の付着を抑制する除電機構として機能する除電ブラシ８３を有する。

図１９は、クリーニング工具８０を用いて、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部をクリーニングしている状態の一例を示す図である。

本実施形態においては、液浸部材７に対して給気部８１からガスが供給されつつ、液浸部材７の下面１４が除電ブラシ８３で擦られる。これにより、液浸部材７の静電気が除去されつつ、液浸部材７の下面１４の異物が除去される。また、液浸部材７と除電ブラシ８３とが接触している状態で、吸引部８２の吸引動作が実行される。これにより、液浸部材７から除去された異物は、吸引部８２から吸引される。

なお、上述したように、クリーニング工具８０を用いるクリーニングは、メンテナンスシーケンスにいて実行されてもよい。例えば、メンテナンスシーケンスにおいて、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方が空間１０２から搬出されているときに、クリーニング工具８０を用いるクリーニングが実行されてもよい。また、例えば液浸部材７が汚染しているか否か（液浸部材７に異物が付着しているか否か）を検出し、その検出の結果に基づいて、クリーニングが実行されてもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、クリーニング工具８０を用いて、液浸部材７をクリーニングできる。したがって、露光不良の発生及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

なお、本実施形態においては、クリーニング工具８０が、給気部８１、吸引部８２、及び除電ブラシ８３を有することとしたが、給気部８１が省略され、吸引部８２及び除電ブラシ８３を有することとしてもよいし、吸引部８２が省略され、給気部８１及び除電ブラシ８３を有することとしてもよいし、除電ブラシ８３が省略され、給気部８１及び吸引部８２を有することとしてもよい。なお、クリーニング工具８０が、給気部８１、吸引部８２、及び除電ブラシ８３のうち、給気部８１のみを有することとしてもよいし、吸引部８２のみを有することとしてもよいし、除電ブラシ８３のみを有することとしてもよい。

なお、本実施形態においては、ブラシ８３が除電機能を有することとしたが、有しなくてもよい。

なお、上述の第１〜第１０実施形態においては、液浸部材７の少なくとも一部をメンテナンスすることとしたが、基板ステージ２が対向可能な検出システム３００の少なくとも一部を、上述の実施形態に従ってメンテナンスしてもよい。例えば、上述の実施形態に従って、エンコーダシステム３０１の部材の異物を除去する処理を実行してもよいし、エンコーダシステム３０１の部材に対する異物の付着を抑制する処理を実行してもよい。同様に、アライメントシステム３０２の部材の異物を除去する処理を実行してもよいし、アライメントシステム３０２の部材に対する異物の付着を抑制する処理を実行してもよいし、表面位置検出システム３０３の部材の異物を除去する処理を実行してもよいし、表面位置検出システム３０３の部材に対する異物の付着を抑制する処理を実行してもよい。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

なお、上述の各実施形態においては、露光用の液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

なお、上述の実施形態においては、露光装置ＥＸが、液体ＬＱを介して終端光学素子１２の射出面１３から射出される露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である場合を例にして説明したが、液体を介さずに基板Ｐを露光する露光装置（所謂、ドライ型露光装置）であってもよい。ドライ型露光装置であっても、上述のクリーニング方法に従って、そのドライ型露光装置内の部材をクリーニングすることができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。基板処理ステップは、上述のメンテナンスシーケンスを含み、そのメンテナンス後に、メンテナンスされた露光装置ＥＸで露光シーケンスが実行されてもよい。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、３…計測ステージ、５…駆動システム、６…駆動システム、７…液浸部材、１２…終端光学素子、１３…射出面、１４…下面、１５…供給口、１６…回収口、１９…多孔部材、２２…吸引口、３１…第１保持部、３２…第２保持部、３５…第１周壁部、３６…第２周壁部、３８…吸引口、４０Ｓ…給気口、４０Ｂ…吸引口、４２…吸引口、４４…吸引口、５０Ａ〜５０Ｇ、５０Ｌ〜５０Ｎ…メンテナンス装置、８０…メンテナンス工具、３００…検出システム、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｐ…基板

Claims (42)

1. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、
   所定部材と、
   イオン化されたガスを前記所定部材に供給して、前記所定部材に対する異物の付着を抑制する抑制装置と、を備える露光装置。
2. 前記抑制装置は、前記ガスの供給により前記所定部材の静電気を除去する請求項１に記載の露光装置。
3. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、
   所定部材と、
   前記所定部材を帯電させて、前記所定部材に対する異物の付着を抑制する抑制装置と、を備える露光装置。
4. 前記抑制装置は、前記異物と同極性の電位を前記所定部材に加える請求項３に記載の露光装置。
5. 前記基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、
   前記所定部材は、前記基板ステージが対向可能である請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
6. 前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路が液体で満たされるように前記基板との間で液体を保持可能な液浸部材を備え、
   前記所定部材は、前記液浸部材を含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
7. 前記所定部材は、検出装置の少なくとも一部を含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
8. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記基板の露光時に、前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路が液体で満たされるように前記基板との間で液体を保持可能な液浸部材と、
   前記液浸部材の少なくとも一部に配置され、前記基板の非露光時に気体を吹き出して、前記液浸部材に対する異物の付着を抑制する抑制装置と、を備える露光装置。
9. 前記抑制装置は、前記液浸部材が有する開口を含む請求項８に記載の露光装置。
10. 前記開口は、前記基板の露光時に、前記液体を供給する請求項９に記載の露光装置。
11. 前記開口は、前記基板の露光時に、前記液体を回収する請求項９又は１０に記載の露光装置。
12. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、
    所定部材と、
    前記所定部材と対向する位置に配置される対向部材と、
    正極性及び負極性の電位を前記対向部材に交互に加えて、前記所定部材の異物を除去する除去装置と、を備える露光装置。
13. 前記所定部材と前記対向部材との間の気体を吸引する吸引装置を備える請求項１２に記載の露光装置。
14. 前記所定部材と前記対向部材との間に気体を供給する給気装置を備える請求項１２又は１３に記載の露光装置。
15. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材に対して移動可能なステージと、
    前記ステージが対向可能な所定部材と、
    前記ステージを移動可能な駆動装置を含み、前記基板の非露光時に、前記所定部材に対して前記ステージを移動して、前記所定部材の異物を除去する除去装置と、を備える露光装置。
16. 前記除去装置は、前記ステージの移動により生じる気流で前記異物を除去する請求項１５に記載の露光装置。
17. 前記除去装置は、前記ステージに配置され、前記所定部材に向けて気体を吹き出す給気装置を含む請求項１５又は１６に記載の露光装置。
18. 前記ステージは、前記基板を保持する基板保持部を有し、
    前記給気装置は、前記基板保持部が有する給気口を含む請求項１７記載の露光装置。
19. 前記基板保持部は、前記基板の裏面が対向可能な第１周壁部と、前記第１周壁部の周囲に配置され、前記基板の裏面が対向可能な第２周壁部と、を有し、
    前記給気口は、前記第１周壁部と前記第２周壁部との間に配置される請求項１８に記載の露光装置。
20. 前記除去装置は、前記ステージに配置され、前記所定部材の異物を吸引する吸引装置を含む請求項１８又は１９に記載の露光装置。
21. 前記ステージは、前記基板を保持する基板保持部を有し、
    前記吸引装置は、前記基板保持部が有する吸引口を含む請求項２０に記載の露光装置。
22. 前記基板保持部は、前記基板の裏面が対向可能な第１周壁部と、前記第１周壁部の周囲に配置され、前記基板の裏面が対向可能な第２周壁部と、を有し、
    前記吸引口は、前記第１周壁部と前記第２周壁部との間に配置される請求項２１に記載の露光装置。
23. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を保持するステージと、
    前記ステージが対向可能な所定部材と、
    前記ステージに配置され、前記基板の裏面が対向可能な第１周壁部と、
    前記ステージにおいて前記第１周壁部の周囲に配置され、前記基板の裏面が対向可能な第２周壁部と、
    前記第１周壁部と前記第２周壁部との間に配置される開口を含み、前記開口から前記所定部材の異物を吸引して、前記所定部材の異物を除去する除去装置と、を備える露光装置。
24. 前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路が液体で満たされるように前記基板との間で液体を保持可能な液浸部材を備え、
    前記所定部材は、前記液浸部材を含む請求項１５〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
25. 前記所定部材は、検出装置の少なくとも一部を含む請求項１５〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。
26. 請求項１〜２５のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
27. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置内に搬入され、前記露光装置の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング工具であって、
    イオン化されたガスを吹き出す給気部を備えるクリーニング工具。
28. ガスを吸引可能な吸引部を備える請求項２７に記載のクリーニング工具。
29. 前記所定部材を擦ることができるブラシを含む請求項２７又は２８に記載のクリーニング工具。
30. 前記ブラシは、前記所定部材の静電気を除去する請求項２９に記載のクリーニング工具。
31. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置内に搬入され、前記露光装置の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング工具であって、
    前記露光装置内の所定部材を擦ることができ、前記所定部材に接触して前記所定部材の静電気を除去する徐電ブラシを備えるクリーニング工具。
32. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置内に搬入され、前記露光装置の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング工具であって、
    前記露光装置内の所定部材の静電気を除去して、前記所定部材に対する異物の付着を抑制する除電機構を備えるクリーニング工具。
33. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、
    イオン化されたガスを前記露光装置内の所定部材に供給して、前記所定部材に対する異物の付着を抑制することを含むメンテナンス方法。
34. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、
    前記露光装置内の所定部材を帯電させて、前記所定部材に対する異物の付着を抑制することを含むメンテナンス方法。
35. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置内の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、
    前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路が液体で満たされるように前記基板との間で液体を保持可能な液浸部材が有する給気部から気体を吹き出して、前記液浸部材に対する異物の付着を抑制することを含むメンテナンス方法。
36. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、
    前記露光装置内の所定部材と対向部材とを対向させることと、
    正極性及び負極性の電位を前記対向部材に交互に加えて、前記所定部材の異物を除去することと、を含むメンテナンス方法。
37. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、
    前記光学部材に対して移動可能な前記露光装置内のステージを、前記ステージが対向可能な所定部材に対して移動することと、
    前記ステージの移動により生じる気流で前記異物を除去することと、を含むメンテナンス方法。
38. 光学部材の射出面から射出される露光光で基板を露光する露光装置の少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンス方法であって、
    前記露光装置内の所定部材と、前記基板をリリース可能に保持する基板保持部を有する基板ステージとを対向させることと、
    前記基板保持部が有する、前記基板の裏面に対向可能な第１周壁部と前記第１周壁部の周囲に配置される第２周壁部との間の吸引口から、前記所定部材の異物を吸引して、前記所定部材の異物を除去することと、を含むメンテナンス方法。
39. 前記露光装置は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、
    前記所定部材は、前記基板ステージが対向可能である請求項３３〜３８のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
40. 前記露光装置は、光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路が液体で満たされるように前記基板との間で液体を保持可能な液浸部材を備え、
    前記所定部材は、前記液浸部材を含む請求項３３〜３９のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
41. 前記所定部材は、検出装置の少なくとも一部を含む請求項３３〜４０のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
42. 請求項３３〜４１のいずれか一項記載のメンテナンス方法で前記露光装置の少なくとも一部をメンテナンスすることと、
    前記メンテナンス後に、前記露光装置で前記基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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