JP2013182863A - イオン源 - Google Patents
イオン源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013182863A JP2013182863A JP2012047952A JP2012047952A JP2013182863A JP 2013182863 A JP2013182863 A JP 2013182863A JP 2012047952 A JP2012047952 A JP 2012047952A JP 2012047952 A JP2012047952 A JP 2012047952A JP 2013182863 A JP2013182863 A JP 2013182863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- target
- ion source
- vacuum vessel
- evacuated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/24—Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】ターゲット13は、真空排気された真空容器10内に配置され、レーザ光の照射によりイオンを発生する。輸送管17、アパーチャ18、中間電極19及び加速電極20から構成される輸送部は、ターゲットによって発生されたイオンを下流側の機器に輸送する。真空封止用ディスク24は、真空容器10内に配置されたターゲットを交換する際に、真空容器10側及び下流側の機器側の真空を分離するように輸送部を封止する。
【選択図】図1
Description
まず、図1を参照して、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係るイオン源の構成を示す。イオン源は、例えばレーザ光を用いてターゲット元素を蒸発(アブレーション)・イオン化してプラズマを生成し、当該プラズマ中に含まれるイオンをプラズマのまま輸送し、引き出しの際に加速することでイオンビームを作り出すことができる装置である。
次に、図2を参照して、本発明の第2の実施形態について説明する。図2は、本実施形態に係るイオン源の構成を示す。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
次に、図3を参照して、本発明の第3の実施形態について説明する。図3は、本実施形態に係るイオン源の構成を示す。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
次に、図4を参照して、本発明の第4の実施形態について説明する。図4は、本実施形態に係るイオン源の構成を示す。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。なお、図4においては、アパーチャ18が輸送管17の端部を兼用しているものとする。
次に、図5を参照して、本発明の第5の実施形態について説明する。図5は、本実施形態に係るイオン源の構成を示す。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
次に、図6を参照して、本発明の第6の実施形態について説明する。図6は、本実施形態に係るイオン源の構成を示す。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。なお、図6においては、アパーチャ18が輸送管17の端部を兼用しているものとする。
次に、図7を参照して、本発明の第7の実施形態について説明する。図7は、本実施形態に係るイオン源の構成を示す。なお、前述した図6と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図6と異なる部分について主に述べる。
次に、図8を参照して、本発明の第8の実施形態について説明する。図8は、本実施形態に係るイオン源の構成を示す。なお、前述した図1と同様の部分については同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。なお、図8においては、アパーチャ18が輸送管17の端部を兼用しているものとする。
Claims (8)
- 真空排気された下流側の機器と接続されるイオン源において、
真空排気された真空容器と、
前記真空容器内に配置され、レーザ光の照射によりイオンを発生するターゲットと、
前記ターゲットによって発生されたイオンを前記下流側の機器に輸送する輸送手段と、
前記真空容器内に配置されたターゲットを交換する前に、前記真空容器側及び前記下流側の機器側の真空を分離するように前記輸送手段を封止する真空封止手段と
を具備することを特徴とするイオン源。 - 前記真空封止手段は、アクチュエータに接続された真空封止板を当該アクチュエータによって駆動することによって前記輸送手段を封止する位置に配置することを特徴とする請求項1記載のイオン源。
- 前記真空封止手段は、直線導入機に接続された真空封止板を当該直線導入機によって直線的に駆動させることによって前記輸送手段を封止する位置に配置することを特徴とする請求項1記載のイオン源。
- 前記真空封止手段は、回転導入機に接続された真空封止板を当該回転導入機によって回転駆動させることによって前記輸送手段を封止する位置に配置することを特徴とする請求項1記載のイオン源。
- 前記真空封止手段は、前記輸送手段における流路を開閉するバルブを閉じることを特徴とする請求項1記載のイオン源。
- 真空排気された下流側の機器と接続されるイオン源において、
真空排気された第1の真空容器と、
前記第1の真空容器内に配置され、レーザ光の照射によりイオンを発生する第1のターゲットと、
前記第1の真空容器に取り付けられ、前記第1の真空容器とは独立して真空排気可能な第2の真空容器と、
前記第2の真空容器に格納された前記第1のターゲットとは異なる第2のターゲットと、
前記第1の真空容器と前記第2の真空容器との間の流路を開閉する第1のバルブと
を具備し、
前記第1のターゲットは、前記第1のバルブを閉じた状態で前記第2の真空容器が真空排気された後、前記第2のバルブを開いた状態で前記第2の真空容器内に格納されている前記第2のターゲットと交換される
ことを特徴とするイオン源。 - 前記第1の真空容器に取り付けられ、前記第1の真空容器とは独立して真空排気可能な前記第2の真空容器とは異なる第3の真空容器と、
前記第1の真空容器と前記第3の真空容器との間の流路を開閉する第2のバルブと
を更に具備し、
前記第1のターゲットは、前記第2のバルブを閉じた状態で前記第3の真空容器が真空排気された後、前記第2のバルブを開いた状態で前記第1の真空容器から当該第3の真空容器に格納され、前記第2のターゲットは、前記第1のターゲットが前記第3の真空容器に格納された後に、前記第1の真空容器内に配置されることによって、前記第1のターゲットは前記第2のターゲットと交換される
ことを特徴とする請求項6記載のイオン源。 - 真空排気された下流側の機器と接続されるイオン源において、
真空排気された真空容器と、
前記真空容器内に積層されて配置される、レーザ光の照射によりイオンを発生する複数のターゲットと、
前記複数のターゲットのうち前記レーザ光の照射側に配置されたターゲットに対するレーザ光の照射により発生されたイオンを前記下流側の機器に輸送する輸送手段と、
前記複数のターゲットのうち前記レーザ光の照射側に配置されたターゲットを除去することによって当該レーザ光が照射されるターゲットを交換する交換手段と
を具備することを特徴とするイオン源。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012047952A JP5787793B2 (ja) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | イオン源 |
US13/777,071 US9355809B2 (en) | 2012-03-05 | 2013-02-26 | Ion source |
CN201310068783.2A CN103313501B (zh) | 2012-03-05 | 2013-03-05 | 离子源 |
CN201510393832.9A CN105070624B (zh) | 2012-03-05 | 2013-03-05 | 离子源 |
DE102013003797.2A DE102013003797B4 (de) | 2012-03-05 | 2013-03-05 | Ionenquelle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012047952A JP5787793B2 (ja) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | イオン源 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014139645A Division JP5925843B2 (ja) | 2014-07-07 | 2014-07-07 | イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013182863A true JP2013182863A (ja) | 2013-09-12 |
JP5787793B2 JP5787793B2 (ja) | 2015-09-30 |
Family
ID=48985183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012047952A Active JP5787793B2 (ja) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | イオン源 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9355809B2 (ja) |
JP (1) | JP5787793B2 (ja) |
CN (2) | CN103313501B (ja) |
DE (1) | DE102013003797B4 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5683902B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-03-11 | 株式会社東芝 | レーザ・イオン源 |
EP2889901B1 (en) | 2013-12-27 | 2021-02-03 | ams AG | Semiconductor device with through-substrate via and corresponding method |
CN104717823A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-06-17 | 同方威视技术股份有限公司 | 绝缘密封结构和电子帘加速器 |
CN105047521B (zh) * | 2015-09-21 | 2017-05-17 | 北京凯尔科技发展有限公司 | 一种保持质谱内部真空条件下更换离子源的质谱仪 |
CN109415802B (zh) * | 2016-06-29 | 2021-05-04 | 株式会社爱发科 | 溅射装置用成膜单元 |
CN106856160B (zh) * | 2016-11-23 | 2018-06-26 | 大连民族大学 | 在低气压环境下用激光诱导激发射频等离子体的方法 |
JP7061896B2 (ja) | 2018-03-02 | 2022-05-02 | 株式会社日立製作所 | 粒子線治療システムおよび粒子線治療システムの設備更新方法 |
KR20210005742A (ko) * | 2018-06-05 | 2021-01-14 | 엘레멘탈 사이언티픽 레이저스 엘엘씨 | 레이저 보조 분광에서 샘플 챔버를 바이패스하는 장치 및 방법 |
CN108811295B (zh) * | 2018-07-04 | 2019-10-15 | 中国原子能科学研究院 | 一种回旋加速器所用的旋转式换靶机构 |
US10892137B2 (en) * | 2018-09-12 | 2021-01-12 | Entegris, Inc. | Ion implantation processes and apparatus using gallium |
US11183391B2 (en) * | 2019-10-29 | 2021-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for real time monitoring semiconductor fabrication process |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63204726A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
JPH0562606A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Nissin High Voltage Co Ltd | イオン源 |
JPH0523409U (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-26 | 株式会社東芝 | 質量分析装置 |
JPH07161336A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-23 | Hitachi Ltd | 質量分析方法およびそのための装置 |
JP2006059774A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電粒子ビーム発生及び加速装置 |
US20080272286A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Vestal Marvin L | Vacuum Housing System for MALDI-TOF Mass Spectrometry |
JP2008293773A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4426576A (en) * | 1981-09-08 | 1984-01-17 | Atom Sciences, Inc. | Method and apparatus for noble gas atom detection with isotopic selectivity |
JPH04292841A (ja) | 1991-03-20 | 1992-10-16 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 電子銃カソードの真空内交換機構 |
US5498545A (en) | 1994-07-21 | 1996-03-12 | Vestal; Marvin L. | Mass spectrometer system and method for matrix-assisted laser desorption measurements |
JPH10140340A (ja) | 1996-11-08 | 1998-05-26 | Olympus Optical Co Ltd | スパッタリング装置 |
US6103069A (en) * | 1997-03-31 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Chamber design with isolation valve to preserve vacuum during maintenance |
JPH11111185A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Agency Of Ind Science & Technol | レーザアブレーション型イオン源 |
US6787723B2 (en) * | 1999-03-24 | 2004-09-07 | The Regents Of The University Of Michigan | Method for laser induced isotope enrichment |
JP3713524B2 (ja) | 2001-08-08 | 2005-11-09 | 独立行政法人理化学研究所 | イオン加速装置 |
WO2004008828A2 (en) * | 2002-07-22 | 2004-01-29 | Mdc Vacuum Products Corporation | High-vacuum valve with retractable valve plate to eliminate abrasion |
US7196337B2 (en) * | 2003-05-05 | 2007-03-27 | Cabot Microelectronics Corporation | Particle processing apparatus and methods |
US7879410B2 (en) | 2004-06-09 | 2011-02-01 | Imra America, Inc. | Method of fabricating an electrochemical device using ultrafast pulsed laser deposition |
DE202004009421U1 (de) * | 2004-06-16 | 2005-11-03 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH | Teilchenbeschleuniger für die Strahlentherapie mit Ionenstrahlen |
KR100762707B1 (ko) | 2006-05-11 | 2007-10-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광소자 증착장치 및 증착재료 충진방법 |
JP4771230B2 (ja) | 2007-07-31 | 2011-09-14 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | イオンビーム引出加速方法及び装置 |
JP4472005B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2010-06-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
US8461558B2 (en) * | 2011-07-01 | 2013-06-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for ion implantation with dual purpose mask |
-
2012
- 2012-03-05 JP JP2012047952A patent/JP5787793B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-26 US US13/777,071 patent/US9355809B2/en active Active
- 2013-03-05 DE DE102013003797.2A patent/DE102013003797B4/de active Active
- 2013-03-05 CN CN201310068783.2A patent/CN103313501B/zh active Active
- 2013-03-05 CN CN201510393832.9A patent/CN105070624B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63204726A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
JPH0562606A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Nissin High Voltage Co Ltd | イオン源 |
JPH0523409U (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-26 | 株式会社東芝 | 質量分析装置 |
JPH07161336A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-23 | Hitachi Ltd | 質量分析方法およびそのための装置 |
JP2006059774A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電粒子ビーム発生及び加速装置 |
US20080272286A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Vestal Marvin L | Vacuum Housing System for MALDI-TOF Mass Spectrometry |
JP2008293773A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN7014001281; Hirotsugu Kashiwagi, Masahiro Okamura, R.A. Jameson, Toshiyuki Hattori, Noriyasu Hayashizaki, Kazuhi: 'Direct injection schemeによる高価数炭素ビームの大電流加速' 加速器学会年会・リニアック研究会プロシーディングス , 2005 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103313501B (zh) | 2016-08-17 |
CN103313501A (zh) | 2013-09-18 |
CN105070624A (zh) | 2015-11-18 |
US20130228698A1 (en) | 2013-09-05 |
DE102013003797B4 (de) | 2022-12-01 |
CN105070624B (zh) | 2017-09-26 |
DE102013003797A1 (de) | 2013-09-05 |
US9355809B2 (en) | 2016-05-31 |
JP5787793B2 (ja) | 2015-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5787793B2 (ja) | イオン源 | |
JP6893697B2 (ja) | イオン化ツールを有するx線源 | |
WO2012057107A1 (ja) | レーザ・イオン源 | |
US9478388B2 (en) | Switchable gas cluster and atomic ion gun, and method of surface processing using the gun | |
JP2015138667A (ja) | イオン源、イオン銃、分析装置 | |
JP5684171B2 (ja) | レーザイオン源 | |
US8993982B2 (en) | Switchable ion gun with improved gas inlet arrangement | |
JP5925843B2 (ja) | イオン源 | |
WO2021001932A1 (ja) | 電子線装置及び電子線装置の制御方法 | |
JP2008234895A (ja) | イオン源及びそのフィラメント交換方法 | |
JP2012174515A (ja) | レーザ・イオン源及びレーザ・イオン源の駆動方法 | |
US9859086B2 (en) | Ion source | |
JP6645657B2 (ja) | 電子ビーム溶接装置 | |
JP5409470B2 (ja) | ニュートラライザ及びこれを備えたイオンビーム装置 | |
JP4406311B2 (ja) | エネルギー線照射装置およびそれを用いたパタン作成方法 | |
JP5717165B2 (ja) | 電子加速装置 | |
JP2016001531A (ja) | 質量分析装置および質量分析方法 | |
JP2020053125A (ja) | 真空排気装置 | |
JP5379591B2 (ja) | 電子線照射装置 | |
JP2010027302A (ja) | X線発生装置 | |
JP2014032836A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
JP2013187017A (ja) | 半導体装置の製造装置および製造方法 | |
JP2005271099A (ja) | 加工装置及び加工方法 | |
JP2011089158A (ja) | 膜形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131205 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131212 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140109 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150728 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5787793 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |