JP2013180979A - Charge transport material, composition for charge transport film, organic electroluminescent device, organic el display, and organic el illumination - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a quinoline compound excellent in solubility in a solvent, capable of forming a thin film by a wet film formation method because of amorphous nature and having charge transportability and electrical oxidation/reduction durability, and to provide an organic electroluminescent device using the quinoline compound.SOLUTION: A quinoline compound is expressed by the general formula. (In the general formula, Xexpresses n X's namely [X1, X, ..., X], the [X, X, ..., X] respectively independently express specific indolocarbazole groups, and each of ArGand ArGexpresses a 3-30C aromatic ring group which may have a hydrogen atom and a substituent, or two or more 3-60C aromatic ring assembly groups which may have a substituent. The superscript n is an integer of 1 to 3 and the superscript m is an integer of 0 to 4).

Description

本発明は、熱的及び電気化学的に安定で種々の溶剤に可溶なキノリン化合物、該キノリン化合物からなる電荷輸送材料、該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物、該電荷輸送材料を含有する層を有し、且つ発光効率及び駆動安定性が高い有機電界発光素子、並びに該素子を備えた有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に関するものである。   The present invention relates to a quinoline compound which is thermally and electrochemically stable and soluble in various solvents, a charge transport material comprising the quinoline compound, a composition for a charge transport film comprising the charge transport material, and the charge transport material. The present invention relates to an organic electroluminescent element having a layer to be contained and having high luminous efficiency and high driving stability, and an organic EL display and organic EL illumination including the element.

近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式製膜法が挙げられる。このうち、湿式製膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。
湿式製膜法によって形成された発光層の材料としては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体やポリフルオレン誘導体等の高分子材料が主に用いられているが、高分子材料には以下の様な問題がある。
・高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難である。
・連続駆動時に末端残基による劣化が起こる。
・材料自体の高純度化が困難で、不純物を含む。 In recent years, an electroluminescent element (organic electroluminescent element) using an organic thin film has been developed. Examples of the method for forming the organic thin film include a vacuum deposition method and a wet film forming method. Among these, the wet film-forming method does not require a vacuum process, is easy to increase in area, and can easily mix a plurality of materials having various functions into one layer (coating liquid). There are advantages.
Polymer materials such as poly (p-phenylene vinylene) derivatives and polyfluorene derivatives are mainly used as the material of the light emitting layer formed by the wet film forming method. There's a problem.
・ It is difficult to control the degree of polymerization and molecular weight distribution of polymer materials.
・ Deterioration due to terminal residues occurs during continuous driving.
・ High purity of the material itself is difficult and contains impurities.

上記問題のために、湿式成膜法による素子は、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。
以上のような問題を解決する試みとして、特許文献１には高分子化合物ではなく、複数の低分子材料（電荷輸送材料、発光材料）を混合して湿式成膜法により形成した有機薄膜を用いた有機電界発光素子が記載されている。しかしながら、特許文献１に記載されている有機電界発光素子は蛍光発光を利用しているため、素子の発光効率および最大発光輝度が低く、実用特性を満たしていない。 Due to the above-described problems, an element using a wet film formation method is inferior in driving stability as compared with an element using a vacuum deposition method, and has not reached a practical level except for a part.
As an attempt to solve the above problems, Patent Document 1 uses an organic thin film formed by a wet film-forming method by mixing a plurality of low-molecular materials (charge transporting materials and light-emitting materials) instead of a polymer compound. Organic electroluminescent devices are described. However, since the organic electroluminescent element described in Patent Document 1 uses fluorescent light emission, the light emission efficiency and the maximum light emission luminance of the element are low, and the practical characteristics are not satisfied.

湿式成膜法により形成された複数の低分子材料からなる有機薄膜を用いた有機電界発光素子において、非特許文献１では、素子の発光効率を高めるために、燐光発光を利用した素子が記載されている。非特許文献１に記載の有機電界発光素子の電荷輸送材料は、以下に示すビフェニル誘導体を用いている。   In an organic electroluminescent device using an organic thin film made of a plurality of low-molecular materials formed by a wet film formation method, Non-Patent Document 1 describes a device using phosphorescence emission in order to increase the luminous efficiency of the device. ing. The charge transport material of the organic electroluminescence device described in Non-Patent Document 1 uses the following biphenyl derivative.

しかしながら、上記ビフェニル誘導体は、非常に結晶化しやすく、湿式成膜法では均一な非晶質膜を得ることが困難であった。更に、上記ビフェニル誘導体は、溶媒に対する溶解性が低い。このため、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒を塗布溶媒に用いる必要があるが、ハロゲン系溶媒は環境負荷が大きく実用上問題がある。また、ハロゲン系溶媒中に含まれる不純物により材料が劣化する可能性が大きいため、ハロゲン系溶媒を用いた湿式成膜法による素子は駆動安定性が十分でないことが考えられる。   However, the biphenyl derivative is very easy to crystallize, and it has been difficult to obtain a uniform amorphous film by the wet film formation method. Furthermore, the biphenyl derivative has low solubility in a solvent. For this reason, it is necessary to use a halogen-based solvent such as chloroform or 1,2-dichloroethane as a coating solvent, but the halogen-based solvent has a large environmental load and has a practical problem. In addition, since there is a high possibility that the material is deteriorated by impurities contained in the halogen-based solvent, it is conceivable that the driving stability of the element formed by the wet film formation method using the halogen-based solvent is not sufficient.

また、特許文献２には、下記のようなキノリン環とカルバゾール環を分子内に含む電荷輸送材料が記載されている。しかしながら、この電荷輸送材料を用いた有機電界発光素子は駆動安定性が十分ではなかった。   Patent Document 2 describes a charge transport material containing a quinoline ring and a carbazole ring in the molecule as described below. However, the organic electroluminescent device using this charge transport material has not been sufficiently driven.

また、特許文献３には、下記のようなキノリン環とカルバゾール環を分子内に含む電荷輸送材料が記載されている。しかしながら、この電荷輸送材料を用いた有機電界発光素子は、カルバゾール環の平面性が高いため、素子内部で化合物の結晶化が起こったと考えられ、その結果、駆動寿命十分ではなかった。   Patent Document 3 describes a charge transport material containing a quinoline ring and a carbazole ring in the molecule as described below. However, in the organic electroluminescence device using this charge transport material, since the carbazole ring has high planarity, it is considered that the compound has crystallized inside the device, and as a result, the driving life is not sufficient.

特開平１１−２７３８５９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-238359 特開２００６−１９９６７７号公報JP 2006-199677 A 特開２００９−２２７６６３号公報JP 2009-227663 A

Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.1B, 2005, pp.626-629Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.1B, 2005, pp.626-629

本発明は上記従来の実状に鑑みてなされたものであって、種々の溶媒に可溶であり、電荷輸送性が高く、容易には結晶化しない有機電界発光素子用材料を提供すること、更には駆動安定性に優れ、低い電圧で駆動可能な有機電界発光素子を形成するための組成物、並びにそれを用いた有機電界発光素子、有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described conventional situation, and provides an organic electroluminescent element material that is soluble in various solvents, has high charge transportability, and does not easily crystallize. Aims to provide a composition for forming an organic electroluminescent device that has excellent driving stability and can be driven at a low voltage, and an organic electroluminescent device, an organic EL display and an organic EL illumination using the composition. .

本発明者らは鋭意検討した結果、下記一般式（１）で表されるキノリン化合物が、溶剤に対する溶解性に優れ、高い非晶質性を有するため、湿式製膜法による薄膜形成が可能であり、しかも優れた電荷輸送性及び電気的酸化還元耐久性を有するため、有機電界発光素子に用いると高い発光効率かつ高い駆動安定性を発現できることを見出し、本発明の完成
に至った。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that the quinoline compound represented by the following general formula (1) is excellent in solubility in a solvent and has high amorphousness, so that a thin film can be formed by a wet film formation method. In addition, since it has excellent charge transportability and electrical redox durability, it has been found that when it is used in an organic electroluminescent device, it can exhibit high luminous efficiency and high driving stability, and the present invention has been completed.

即ち、本発明の要旨は、以下の通りである。
下記一般式（１）で表されるキノリン化合物。 That is, the gist of the present invention is as follows.
A quinoline compound represented by the following general formula (1).

（一般式（１）中、X^1,・・・nはn個のXすなわち［X¹,X²・・・Xⁿ］を表し、［X¹,X²・・・Xⁿ］は各々独立に下記一般式（２）で表される構造を表し、ArG^１は、水素原子、置換
基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表し、ArG²は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。添字ｎは1
〜３の整数であり、添字ｍは０〜４の整数である。） (In the general formula ^{(1), X 1, ···} n n number of X i.e. represents ^{[X 1, X 2 ··· X} n], [X 1, X 2 ··· X n] each Independently represents the structure represented by the following general formula (2), ArG ¹ has a hydrogen atom, an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent. Represents an atomic group of two or more aromatic rings having 3 to 60 carbon atoms, and ArG ² is a hydrogen atom or an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent. Alternatively, it represents an optionally substituted two or more aromatic ring assembly group having 3 to 60 carbon atoms, and the subscript n is 1
Is an integer of -3, and the subscript m is an integer of 0-4. )

（一般式（１）中、ArG³、ArG⁴は、各々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。） (In General Formula (1), ArG ³ and ArG ⁴ each independently have a hydrogen atom, an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent. Represents two or more aromatic ring assembly groups having 3 to 60 carbon atoms.)

本発明のキノリン化合物、該キノリン化合物からなる電荷輸送材料、及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物によれば、熱的及び電気化学的に安定である材料を含む有機薄膜を湿式製膜法によって容易に形成することが可能であり、有機電界発光素子の大面積化が容易となる。又、本発明の電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物を用いた有機電界発光素子によれば、高輝度・高効率で発光させることが可能となり、且つ素子の安定性、特に駆動安定性が向上する。   According to the quinoline compound of the present invention, a charge transport material comprising the quinoline compound, and a composition for a charge transport film comprising the charge transport material, an organic thin film comprising a thermally and electrochemically stable material is prepared by a wet process. It can be easily formed by a film method, and the area of the organic electroluminescent element can be easily increased. In addition, according to the organic electroluminescence device using the charge transport material of the present invention and the charge transport film composition containing the charge transport material, it is possible to emit light with high luminance and high efficiency, and stability of the device. In particular, driving stability is improved.

尚、本発明の電荷輸送材料は、優れた成膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、湿式製膜法による製膜に適用可能である。
又、本発明の電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物は、優れた成膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、素子の層構成に合わせて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層などの有機層の形成にも適用可能である。 The charge transport material of the present invention can be applied to film formation by a wet film formation method because of excellent film formability, charge transportability, light emission characteristics, and heat resistance.
In addition, the charge transport material of the present invention and the charge transport film composition containing the charge transport material have excellent film-forming properties, charge transport properties, light emitting properties, and heat resistance, so that holes are formed according to the layer structure of the device. The present invention can also be applied to formation of organic layers such as an injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.

従って、本発明の電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えば、ＯＡ コンピュータ用や
壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。 Therefore, the organic electroluminescent device using the charge transport material of the present invention and the charge transport film composition containing the charge transport material is a flat panel display (for example, for OA computers or wall-mounted televisions), an in-vehicle display device, a mobile phone. It can be applied to light sources (for example, light sources for copiers, backlights for liquid crystal displays and instruments), display panels, and beacon lamps that take advantage of the characteristics of telephone displays and surface light emitters, and their technical value is great. Is.

又、本発明の電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物は、本質的に優れた酸化還元安定性を有することから、有機電界発光素子に限らず、その他、電子写真感光体等にも有効に利用することができる。EDJEDJ   In addition, the charge transport material of the present invention and the charge transport film composition containing the charge transport material have essentially excellent redox stability, and thus are not limited to organic electroluminescent devices, but also electrophotographic photosensitive materials. It can also be used effectively for the body. EDJEDJ

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the organic electroluminescent element of this invention.

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に限定されない。   Embodiments of the present invention will be described in detail below, but the description of the constituent elements described below is an example (representative example) of an embodiment of the present invention, and the present invention does not exceed the gist thereof. It is not limited to the contents.

＜語句の説明＞
炭化水素芳香環とは、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン等のように炭素と水素のみの原子で構成される芳香族環を表す。
複素芳香族環とはピリジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環等の様に炭素と水素原子の他に酸素原子、硫黄原子、窒素原子、珪素原子等を含んでなる芳香族環を表す。
芳香族環とは、炭化水素芳香環と複素芳香族環の全てを表す。
芳香族環集合原子団とは、ビフェニル、ターフェニルのように芳香族環同士が連なって形成される原子団である。 <Explanation of words>
The hydrocarbon aromatic ring represents an aromatic ring composed of only carbon and hydrogen atoms such as benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene and fluorene.
A heteroaromatic ring represents an aromatic ring containing an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, a silicon atom, etc. in addition to carbon and hydrogen atoms, such as a pyridine ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring and the like.
The aromatic ring represents all hydrocarbon aromatic rings and heteroaromatic rings.
The aromatic ring assembly atomic group is an atomic group formed by linking aromatic rings such as biphenyl and terphenyl.

＜キノリン化合物＞
本発明のキノリン化合物（以下、「化合物（１）」とも称する。）は、下記一般式（１）および（２）で表されるものである。 <Quinoline compound>
The quinoline compound of the present invention (hereinafter also referred to as “compound (1)”) is represented by the following general formulas (1) and (2).

（一般式（１）中、X^{1,2・・・n}はn個のXすなわち［X¹,X²・・・Xⁿ］を表し、［X¹,X²・
・・Xⁿ］は各々独立に下記一般式（２）で表される構造を表し、ArG²は、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。添字ｎは1〜３の整数であり
、添字ｍは０〜４の整数である。） (In the general formula (1), X ^{1,2... N} represents n X, that is, [X ¹ , X ² ... X ⁿ ], and [X ¹ , X ^2.
.. X ⁿ ] each independently represents a structure represented by the following general formula (2), and ArG ² is an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent or a substituent. Represents two or more aromatic ring assembly group groups having 3 to 60 carbon atoms, which may have The subscript n is an integer of 1 to 3, and the subscript m is an integer of 0 to 4. )

（一般式（１）中、ArG³、ArG⁴は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。） (In General Formula (1), ArG ³ and ArG ⁴ are each a hydrogen atom, an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon number which may have a substituent. Represents 2 or more aromatic ring assembly groups from 3 to 60)

［１．構造上の特徴］
化合物（１）は、キノリン環部分とインドロカルバゾールとを併せ持ち、正電荷をインドロカルバゾール部位が、負電荷をキノリン環が共役により安定化させることで、優れた電荷輸送能と長い寿命を有する。
又、化合物（１）は、インドロカルバゾール構造部分がキノリンの共役平面とねじれた形を取ることにより、非晶質性が極めて高く、種々の有機溶剤に対する溶解性に優れ、容易には結晶化しない非晶質な有機薄膜を形成することが可能である。 [1. Structural features]
Compound (1) has both a quinoline ring moiety and indolocarbazole, and stabilizes the positive charge by the indolocarbazole moiety and the negative charge by conjugation by the quinoline ring. .
Compound (1) has an indolocarbazole structure portion that is twisted with the conjugated plane of quinoline, so that it has extremely high amorphousness, excellent solubility in various organic solvents, and is easily crystallized. It is possible to form an amorphous organic thin film that does not.

［２．分子量の範囲］
化合物（１）の分子量は、通常５０００以下、好ましくは４０００以下、より好ましくは３０００以下であり、また通常６００以上、好ましくは８００以上である。
上記範囲内であると、精製が容易で、ガラス転移温度及び、融点、気化温度などが高いため、耐熱性が良好である。 [2. Molecular weight range]
The molecular weight of the compound (1) is usually 5000 or less, preferably 4000 or less, more preferably 3000 or less, and usually 600 or more, preferably 800 or more.
Within the above range, purification is easy and the glass transition temperature, melting point, vaporization temperature and the like are high, and thus heat resistance is good.

［３．物性］
（１）ガラス転移温度
化合物（１）は、通常８０℃以上のガラス転移温度を有するが、耐熱性の観点から、ガラス転移温度は９０℃以上であることが好ましく、１００℃以上であることが更に好ましい。 [3. Physical properties]
(1) Glass transition temperature Although compound (1) has a glass transition temperature of 80 degreeC or more normally, it is preferable that a glass transition temperature is 90 degreeC or more from a heat resistant viewpoint, and it is 100 degreeC or more. Further preferred.

［４．溶解度］
化合物（１）としては、２５℃、大気圧条件下で、１００度以上の高沸点の炭化水素系溶媒に対して１質量％以上溶解するものであることが、溶剤溶解性を確保して、湿式製膜法による成膜性を得るために好ましい。この溶解度は好ましくは３質量％以上、更に好ましくは５質量％以上である。この溶解度の上限については特に定めないが通常５０質量％以下である。 [4. solubility]
As the compound (1), the solvent solubility is ensured to be 1% by mass or more with respect to a hydrocarbon solvent having a high boiling point of 100 ° C. or higher at 25 ° C. and atmospheric pressure. It is preferable for obtaining film formability by a wet film forming method. This solubility is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more. The upper limit of the solubility is not particularly defined but is usually 50% by mass or less.

［５．ArG¹］
化合物（１）中、ArG^１は、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環
基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。
炭素数３から３０までの芳香環基の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾ
ール環、インドール環、カルバゾール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。
炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基の例としては、下記スキーム１に示す通りである。 [5. ArG ¹ ]
In the compound (1), ArG ¹ is an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or two or more carbon atoms having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent. Represents an aromatic ring assembly group.
Examples of aromatic ring groups having 3 to 30 carbon atoms include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, furan ring , Benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring , Pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, benzimidazole ring, quinazoline ring, etc. Examples of monovalent groups That.
Examples of two or more aromatic ring assembly group groups having 3 to 60 carbon atoms are as shown in Scheme 1 below.

［６．ArG^２〜ArG⁴］
化合物（１）中、ArG²〜ArG⁴は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。
置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基および、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基はAｒG¹と同値である
。 [6. ArG ^{2 to} ArG ⁴ ]
In compound (1), ArG ^{2 to} ArG ⁴ may each independently have a hydrogen atom, an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent. It represents two or more aromatic ring assembly group groups having 3 to 60 carbon atoms.
An aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent and two or more aromatic ring assembly groups having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent are represented by ArG Equivalent to ¹ .

［７．置換基］
これら化合物（１）中のX、ArG¹〜ArG^４が有していても良い置換基の例としては、
炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。 [7. Substituent]
Examples of the substituents which X and ArG ^{1 to} ArG ^{4 in} these compounds (1) may have include:
A linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, a 2-propyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and a tert-butyl group.

炭素数２〜９のアルケニル基であり、例えばビニル基、アリル基、１−ブテニル基などが挙げられる。
炭素数２〜９のアルキニル基であり、例えばエチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。
炭素数７〜１７のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。 An alkenyl group having 2 to 9 carbon atoms such as a vinyl group, an allyl group, and a 1-butenyl group.
C2-C9 alkynyl group, for example, ethynyl group, propargyl group and the like.
An aralkyl group having 7 to 17 carbon atoms, such as a benzyl group.

炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。
炭素数６〜１２のアリールオキシ基であり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
炭素数３〜２０の５又は６員環の芳香族複素環基を有するヘテロアリールオキシ基であり、例えばピリジルオキシ基、チエニルオキシ基などが挙げられる。炭素数１〜１０のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基などが挙げられる。炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。 It is a C1-C20 alkoxy group, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a butoxy group etc. are mentioned.
An aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms, such as a phenyloxy group, a 1-naphthyloxy group, and a 2-naphthyloxy group.
It is a heteroaryloxy group having a 5- to 6-membered aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a pyridyloxy group and a thienyloxy group. It is a C1-C10 acyl group, for example, a formyl group, an acetyl group, a benzoyl group etc. are mentioned. An alkoxycarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group.

炭素数７〜１３のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェノキシカルボニル基などが挙げられる。
炭素数２〜１０のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。）、
炭素数１〜８までのアルキルチオ基であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。 An aryloxycarbonyl group having 7 to 13 carbon atoms, such as a phenoxycarbonyl group.
An alkylcarbonyloxy group having 2 to 10 carbon atoms, such as an acetoxy group. ),
It is an alkylthio group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methylthio group and an ethylthio group.

炭素数６〜１２のアリールチオ基であり、例えばフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基などが挙げられる。
炭素数３〜３０シリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）、
芳香族炭化水素基（例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。）、 An arylthio group having 6 to 12 carbon atoms, such as a phenylthio group and a 1-naphthylthio group.
C3-C30 silyl group (For example, a trimethylsilyl group, a triphenylsilyl group etc. are mentioned),
Aromatic hydrocarbon groups (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, etc. Or a monovalent group derived from a 2-5 condensed ring).

芳香族複素環基（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。）。   Aromatic heterocyclic groups (eg furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole Ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, And monovalent groups derived from 5- or 6-membered monocyclic rings or 2 to 4 condensed rings such as isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, benzimidazole ring, perimidine ring and quinazoline ring.

電気化学的耐久性を向上させる観点及び耐熱性を向上させる観点からは、ArG1〜ArG3の置換基としては、芳香族炭化水素基、或いはよい芳香族複素環基等が好ましく、より好ましくは芳香族炭化水素基、或いはよい芳香族複素環基、更に好ましくはフェニル基、ナフチル基、又はカルバゾール環もしくはベンゾフラン環等であり、特に好ましくは、フェニル基、ナフチル基である。   From the viewpoint of improving electrochemical durability and improving heat resistance, the substituent of ArG1 to ArG3 is preferably an aromatic hydrocarbon group or a good aromatic heterocyclic group, more preferably aromatic. It is a hydrocarbon group or a good aromatic heterocyclic group, more preferably a phenyl group, a naphthyl group, a carbazole ring or a benzofuran ring, and particularly preferably a phenyl group or a naphthyl group.

溶解性及び非晶質性を更に向上させる観点からは、ArG1〜ArG3の置換基としては、アルキル基等が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等であり、さらに好ましくはメ
チル基、エチル基等である。 From the viewpoint of further improving the solubility and amorphousness, the substituent of ArG1 to ArG3 is preferably an alkyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, a 2-propyl group, n -Butyl group, isobutyl group, tert-butyl group and the like, more preferably methyl group, ethyl group and the like.

［６］特に好ましい部分構造
ArG⁴は、２つ以上の芳香族環集合原子団基であることが溶解性と非晶性の更なる向上の点から好ましく、ArG¹〜ArG⁴のいずれか１つが下記一般式（４）で表される部分構造を有している事が、さらに非晶質性を高めるために好ましい。 [6] Particularly preferred partial structure
ArG ⁴ is preferably two or more aromatic ring assembly group groups from the viewpoint of further improving the solubility and the amorphous property, and any one of ArG ^{1 to} ArG ⁴ is represented by the following general formula (4). It is preferable to have a partial structure represented by

［８．例示］
以下に、本発明のキノリン化合物としての好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。 [8. Example]
Although the preferable specific example as a quinoline compound of this invention is shown below, this invention is not limited to these.

［９．合成方法］
本発明のキノリン化合物は、例えば、アリールアミン化合物を出発原料とし、順次、環を導入することにより合成できる。 [9. Synthesis method]
The quinoline compound of the present invention can be synthesized, for example, by sequentially introducing a ring using an arylamine compound as a starting material.

（上式中Zは、塩素原子、臭素原子、沃素原子またはトリフルオロメタンスルホン酸基を
表し、Mは硼素、亜鉛、マグネシウム等の金属脱離基である）
（Ｃ−Ｃカップリング反応）
塩素原子、臭素原子、沃素原子、トリフルオロメタンスルホン酸基を含む反応基質と、芳香族炭化水素基を有する有機金属試薬を、遷移金属元素触媒を用いて、塩基存在下で無極性又は極性溶剤中で反応させることにより、基質に芳香族炭化水素基を導入することができる。単離精製は、例えば、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより行うことができる。 (In the above formula, Z represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or a trifluoromethanesulfonic acid group, and M is a metal leaving group such as boron, zinc or magnesium)
(C—C coupling reaction)
A reaction substrate containing a chlorine atom, bromine atom, iodine atom, or trifluoromethanesulfonic acid group and an organometallic reagent having an aromatic hydrocarbon group in a nonpolar or polar solvent in the presence of a base using a transition metal element catalyst By reacting with an aromatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group can be introduced into the substrate. Isolation and purification can be performed, for example, by combining distillation, filtration, extraction, recrystallization, reprecipitation, suspension washing, and chromatography operations.

有機金属試薬の例としては、有機硼素試薬、有機マグネシウム試薬、有機亜鉛試薬などが挙げられる。中でも、取り扱いの簡便さから有機硼素試薬が望ましい。
遷移金属元素触媒の例としては、有機パラジウム触媒、有機ニッケル触媒、有機銅触媒、有機白金触媒、有機ロジウム触媒、有機ルテニウム触媒、有機イリジウム触媒などが挙げられる。中でも、反応の簡便さや反応収率の高さから有機パラジウム触媒が望ましい。 Examples of organometallic reagents include organoboron reagents, organomagnesium reagents, organozinc reagents and the like. Of these, organoboron reagents are desirable because of their ease of handling.
Examples of transition metal element catalysts include organic palladium catalysts, organic nickel catalysts, organic copper catalysts, organic platinum catalysts, organic rhodium catalysts, organic ruthenium catalysts, and organic iridium catalysts. Among these, an organopalladium catalyst is desirable because of the simplicity of the reaction and the high reaction yield.

塩基は、特に限定しないが、金属水酸化物、金属塩、有機アルカリ金属試薬などが好ましい。
使用する溶剤としては、反応基質に対して活性である溶剤以外であれば特に限定しないが、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；エタノール、プロパノール等のアルコール；水等を単独で又は混合して使用することができる。
また、必要であれば界面活性剤を１〜１００ｍｏｌ％加えることもできる。 The base is not particularly limited, but metal hydroxides, metal salts, organic alkali metal reagents and the like are preferable.
The solvent to be used is not particularly limited as long as it is a solvent that is active with respect to the reaction substrate, but aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane, and cyclohexane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene; dimethoxyethane , Tetrahydrofuran, dioxane and other ethers; ethanol, propanol and other alcohols; water and the like alone or in admixture.
Moreover, 1-100 mol% of surfactant can also be added if necessary.

［電荷輸送材料］
本発明の電荷輸送材料は、前記一般式（１）で表されるキノリン化合物からなる。該キノリン化合物は、溶剤に対する溶解性に優れ、高い非晶質性を有するため、湿式成膜法による薄膜形成が可能である。 [Charge transport material]
The charge transport material of the present invention comprises a quinoline compound represented by the general formula (1). Since the quinoline compound is excellent in solubility in a solvent and has high amorphousness, a thin film can be formed by a wet film formation method.

又、本発明の電荷輸送材料として使用される該キノリン化合物は、電荷輸送性及び電気的酸化還元耐性にも優れ、且つ高い三重項励起準位を有するため、有機電界発光素子に用いることにより、高い発光効率と高い駆動安定性を実現できる。
［電荷輸送膜用組成物］
本発明の電荷輸送膜用組成物は、前述の本発明の電荷輸送材料を含むものであり、好ましくは、有機電界発光素子用に使用される。 In addition, the quinoline compound used as the charge transport material of the present invention is excellent in charge transport property and electrical redox resistance and has a high triplet excitation level. High luminous efficiency and high driving stability can be realized.
[Composition for charge transport film]
The composition for a charge transport film of the present invention contains the above-described charge transport material of the present invention, and is preferably used for an organic electroluminescence device.

［１］溶剤
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物として用いられる電荷輸送膜用組成物は溶剤を含むことが好ましい。
本発明の電荷輸送膜用組成物に含まれる溶剤としては、溶質である本発明の電荷輸送材料等が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。 [1] Solvent The charge transport film composition of the present invention, particularly the charge transport film composition used as the composition for an organic electroluminescence device, preferably contains a solvent.
The solvent contained in the composition for a charge transport film of the present invention is not particularly limited as long as it is a solvent that can satisfactorily dissolve the charge transport material of the present invention as a solute.

本発明の電荷輸送材料は、溶剤に対する溶解性が非常に高いため、種々の溶剤が適用可能である。例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環式ケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環式アルコール；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。   Since the charge transport material of the present invention has very high solubility in a solvent, various solvents can be applied. For example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene and tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene and anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and other aromatic ethers; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoic acid Aromatic esters such as ethyl, propyl benzoate and n-butyl benzoate; cycloaliphatic ketones such as cyclohexanone and cyclooctanone; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; cyclohexanol, cyclooctanol and the like Aliphatic alcohols; aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); ethyl acetate, n-butyl acetate, lactic acid Aliphatic esters such as ethyl and n-butyl lactate can be used.

これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。
有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられる。その為、組成物中の水分量を低減させることが好ましい。 Of these, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin and the like are preferable in that they have low water solubility and are not easily altered.
Since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, the presence of moisture in the composition causes moisture to remain in the dried film, degrading the device characteristics. There is a possibility. Therefore, it is preferable to reduce the amount of water in the composition.

組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する方法、水の溶解度が低い溶剤を使用する方法等が挙げられる。中でも、水への溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式製膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本発明の電荷輸送膜用組成物としては、例えば、２５℃における水の溶解度が１質量％以下、好ましくは０．１質量％以下である溶剤を、組成物中に１０質量％以上含有することが好ましい。   Examples of the method for reducing the amount of water in the composition include a nitrogen gas seal, use of a desiccant, a method of dehydrating a solvent in advance, a method of using a solvent having low water solubility, and the like. Among these, the use of a solvent having low solubility in water is preferable because the solution film can prevent whitening by absorbing moisture in the atmosphere during the wet film-forming process. From such a viewpoint, as the composition for a charge transport film of the present invention, for example, a solvent having a water solubility at 25 ° C. of 1% by mass or less, preferably 0.1% by mass or less is contained in the composition. It is preferable to contain 10 mass% or more.

また、湿式製膜時における組成物からの溶剤蒸発による、製膜安定性の低下を低減するためには、電荷輸送膜用組成物の溶剤として、沸点が１００℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、製膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要であるが、このためには通常沸点の下限が８０℃、好ましくは１００℃、より好ましくは１２０℃で、かつ通常上限が２７０℃未満、好ましくは２５０℃未満、より好ましくは２３０℃未満の溶剤を用いることが効果的である。
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、２種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。 Further, in order to reduce the decrease in film formation stability due to solvent evaporation from the composition during wet film formation, the solvent has a boiling point of 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher, as the solvent for the charge transport film composition. More preferably, it is effective to use a solvent of 200 ° C. or higher. Further, in order to obtain a more uniform film, it is necessary for the solvent to evaporate from the liquid film immediately after film formation at an appropriate rate. For this purpose, the lower limit of the boiling point is usually 80 ° C., preferably 100 ° C. It is effective to use a solvent having a temperature of preferably 120 ° C. and usually an upper limit of less than 270 ° C., preferably less than 250 ° C., more preferably less than 230 ° C.
A solvent that satisfies the above-mentioned conditions, ie, solute solubility, evaporation rate, and water solubility conditions, may be used alone. However, if a solvent that satisfies all the conditions cannot be selected, two or more solvents may be mixed. It can also be used.

［２］発光材料
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物として用いられる電荷輸送膜用組成物は、発光材料を含有することが好ましい。
発光材料とは、本発明の電荷輸送膜用組成物において、主として発光する成分を指し、有機電界発光デバイスにおけるドーパント成分に当たる。即ち、電荷輸送膜用組成物から発せられる光量（単位：ｃｄ／ｍ²）の内、通常１０〜１００％、好ましくは２０〜１０
０％、より好ましくは５０〜１００％、最も好ましくは８０〜１００％が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。 [2] Luminescent Material The charge transport film composition of the present invention, particularly the charge transport film composition used as the composition for an organic electroluminescence device, preferably contains a luminescent material.
The light emitting material refers to a component that mainly emits light in the composition for a charge transport film of the present invention, and corresponds to a dopant component in an organic electroluminescent device. That is, the amount of light (unit: cd / m ² ) emitted from the charge transport film composition is usually 10 to 100%, preferably 20 to 10%.
If 0%, more preferably 50-100%, most preferably 80-100% is identified as luminescence from a component material, it is defined as a luminescent material.

発光材料としては、任意の公知材料を使用可能であり、例えば、蛍光発光材料、燐光発光材料を単独で又は複数種を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
この発光材料の最大発光ピーク波長は３９０〜７００ｎｍの範囲にあることが好ましく、より好ましくは５００〜７００ｎｍである。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも可能である。 Any known material can be used as the light-emitting material. For example, a fluorescent light-emitting material and a phosphorescent light-emitting material can be used singly or as a mixture of a plurality of materials. From the viewpoint of internal quantum efficiency, phosphorescent light emission is preferable. Material.
The maximum emission peak wavelength of this luminescent material is preferably in the range of 390 to 700 nm, more preferably 500 to 700 nm.
For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is possible to reduce the symmetry and rigidity of the light emitting material molecule, or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.

青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。   Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.

燐光発光材料としては、例えば周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式（Ｖ）又は式（VI）で表される化合物が挙げられる。 Examples of the phosphorescent material include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Preferable examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following general formula (V) or formula (VI).

ＭＬ_(q-j)Ｌ'_j （Ｖ）
（上記一般式（Ｖ）中、Ｍは金属を示し、ｑは上記金属の価数を示す。また、Ｌ及びＬ'
は二座配位子を示す。ｊは０〜２の整数を示す。） ML _(qj) L ' _j (V)
(In the general formula (V), M represents a metal, q represents a valence of the metal, and L and L ′.
Represents a bidentate ligand. j represents an integer of 0-2. )

（上記一般式（VI）中、Ｍ^dは金属を示し、Ｔは炭素原子又は窒素原子を示す。Ｒ⁹²〜Ｒ⁹⁵は、それぞれ独立に置換基を示す。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ⁹⁴及びＲ⁹⁵は無い。
）
以下、まず、一般式（Ｖ）で表される化合物について説明する。
一般式（Ｖ）中、Ｍは任意の金属を示し、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、一般式（Ｖ）中の二座配位子Ｌ及びＬ'は、それぞれ、以下の部分構造を有する配
位子を示す。 (In the general formula (VI), M ^d represents a metal, T represents a carbon atom or a nitrogen atom. R ^{92 to} R ⁹⁵ each independently represents a substituent. However, when T is nitrogen, R ⁹⁴ and R ⁹⁵ is not.
)
Hereinafter, the compound represented by the general formula (V) will be described first.
In the general formula (V), M represents an arbitrary metal. Specific examples of preferable ones include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Moreover, the bidentate ligands L and L ′ in the general formula (V) each represent a ligand having the following partial structure.

Ｌ'として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。 As L ′, the followings are particularly preferable from the viewpoint of the stability of the complex.

上記Ｌ，Ｌ'の部分構造において、環Ａ１は芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示
し、環Ａ２は含窒素芳香族複素環基を示し、これらは置換基を有していてもよい。
環Ａ１、Ａ２が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。 In the partial structures of L and L ′, ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group, ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent. Good.
When the rings A1 and A2 have a substituent, preferred substituents include a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group Alkoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkylamino groups such as dimethylamino groups and diethylamino groups; diarylamino groups such as diphenylamino groups; carbazolyl groups; An acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group.

一般式（Ｖ）で表される化合物として、更に好ましくは、下記式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the compound represented by the general formula (V) include compounds represented by the following formulas (Va), (Vb), and (Vc).

（一般式（Ｖａ）中、Ｍ^aは金属を示し、ｗは前記金属の価数を示す。また、環Ａ１は置
換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を示し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。） (In the general formula (Va), Ma represents ^a metal, w represents the valence of the metal, ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and ring A2 represents (The nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent is shown.)

（一般式（Ｖｂ）中、Ｍ^bは金属を示し、ｗは前記金属の価数を示す。また、環Ａ１は置
換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。） (In the general formula (Vb), M ^b represents a metal, w is shows the valence of the metal. Further, the ring A1 has which may have aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted a substituent Represents an aromatic heterocyclic group which may be substituted, and ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

（一般式（Ｖｃ）中、Ｍ^cは金属を示し、ｗは前記金属の価数を示す。また、ｊは０〜２
の整数を示す。さらに、環Ａ１及び環Ａ１'は、それぞれ独立に、置換基を有していても
よい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。また、環Ａ２及び環Ａ２'は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を
示す。）
上記一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）において、環Ａ１及び環Ａ１'を構成する基
としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。 (In the general formula (Vc), M ^c represents a metal, w represents a valence of the metal, and j represents 0-2.
Indicates an integer. Furthermore, each of ring A1 and ring A1 ′ independently represents an aromatic hydrocarbon group that may have a substituent or an aromatic heterocyclic group that may have a substituent. Ring A2 and ring A2 ′ each independently represent a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent. )
In the general formulas (Va), (Vb), and (Vc), the group constituting the ring A1 and the ring A1 ′ is preferably, for example, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a thienyl group, or a furyl group. Benzothienyl group, benzofuryl group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.

また、環Ａ２、環Ａ２'を構成する基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリ
ミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
更に、環Ａ１、環Ａ１'環Ａ２及び環Ａ２'が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。 Further, the group constituting the ring A2 and ring A2 ′ is preferably a pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl, for example. Group, phenanthridyl group and the like.
Furthermore, examples of the substituent that the ring A1, ring A1 ′ ring A2 and ring A2 ′ may have include a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group; aryloxy groups such as phenoxy group and benzyloxy group; dialkylamino groups such as dimethylamino group and diethylamino group; diphenylamino group A diarylamino group such as carbazolyl group; an acyl group such as acetyl group; a haloalkyl group such as trifluoromethyl group; a cyano group and the like.

上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１〜６である。更に、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２〜６である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２〜６である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１〜６である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６〜１４である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２〜２４である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２〜２８である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１〜１４である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１〜１２である。   When the said substituent is an alkyl group, the carbon number is 1-6 normally. Furthermore, when a substituent is an alkenyl group, the carbon number is 2-6 normally. Moreover, when a substituent is an alkoxycarbonyl group, the carbon number is 2-6 normally. Furthermore, when a substituent is an alkoxy group, the carbon number is 1-6 normally. Moreover, when a substituent is an aryloxy group, the carbon number is 6-14 normally. Furthermore, when a substituent is a dialkylamino group, the carbon number is 2-24 normally. Moreover, when a substituent is a diarylamino group, the carbon number is 12-28 normally. Furthermore, when a substituent is an acyl group, the carbon number is 1-14 normally. Moreover, when a substituent is a haloalkyl group, the carbon number is 1-12 normally.

尚、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、又は、環Ａ１'が有する置換基と環
Ａ２'が有する置換基とが結合して、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環
基としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Ａ１、環Ａ１'、環Ａ２及び環Ａ２'の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が好ましい。 These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of ring A1 and a substituent of ring A2 are bonded, or a substituent of ring A1 ′ and a substituent of ring A2 ′ are bonded to form one condensed group. A ring may be formed. Examples of such a condensed ring group include a 7,8-benzoquinoline group.
Among these, as the substituent of ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, and a carbazolyl group are preferable. .

又、Ｍ^a、Ｍ^b、Ｍ^cとしては上記Ｍと同様の金属が挙げられ、中でもルテニウム、ロジ
ウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が好ましい。
上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）又は（Ｖｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない（以下において、Ｐｈ'はフェ
ニル基を示す。）。 Further, examples of M ^a , M ^b , and M ^c include the same metals as M described above, and among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold is preferable.
Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (V), (Va), (Vb) or (Vc) are shown below, but are not limited to the following compounds (in the following, Ph ′ is Represents a phenyl group).

上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌ及び／又はＬ'として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリー
ルピリジンを有する錯体、これに置換基が結合した錯体、及び、置換基が互いに結合して縮合環を形成している錯体が好ましい。
また、国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレットに記載の化合物も使用することができる。 Among the organometallic complexes represented by the general formulas (V), (Va), (Vb), and (Vc), in particular, as the ligand L and / or L ′, a 2-arylpyridine-based ligand, , A complex having 2-arylpyridine, a complex in which a substituent is bonded to the complex, and a complex in which a substituent is bonded to each other to form a condensed ring.
Moreover, the compound as described in an international publication 2005/019373 pamphlet can also be used.

次に、前記一般式（VI）で表される化合物について説明する。
一般式（VI）中、Ｍ^dは金属を示し、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ば
れる金属として前述した金属が挙げられる。中でも、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が好ましい。 Next, the compound represented by the general formula (VI) will be described.
In the general formula (VI), M ^d represents a metal, and specific examples thereof include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold can be mentioned, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferable.

また、一般式（VI）において、Ｒ⁹²及びＲ⁹³は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示す。 In the general formula (VI), R ⁹² and R ⁹³ are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, aralkyl group, alkenyl group, cyano group, amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carboxyl group. Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

さらに、Ｔが炭素原子の場合、Ｒ⁹⁴及びＲ⁹⁵は、それぞれ独立に、Ｒ⁹²及びＲ⁹³と同様
の例示物で表される置換基を示す。また、前述の如く、Ｔが窒素原子の場合はＲ⁹⁴及びＲ⁹⁵は無い。
また、Ｒ⁹²〜Ｒ⁹⁵は更に置換基を有していてもよい。この場合の置換基として特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、Ｒ⁹²〜Ｒ⁹⁵は互いに連結して環を形成してもよく、この環が更に任意の置換基を有していてもよい。 Further, when T is a carbon atom, R ⁹⁴ and R ⁹⁵ each independently represent a substituent represented by the same examples as R ⁹² and R ⁹³ . Further, as described above, when T is a nitrogen atom, R ⁹⁴ and R ⁹⁵ are absent.
R ^{92 to} R ⁹⁵ may further have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as a substituent in this case, Arbitrary groups can be made into a substituent.
Further, R ^{92 to} R ⁹⁵ may be linked to each other to form a ring, and this ring may further have an arbitrary substituent.

一般式（VI）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ−１、Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示す。   Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the general formula (VI) are shown below, but are not limited to the following exemplified compounds. In the following, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

［３］その他の成分
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物として用いられる電荷輸送膜用組成物中には、前述した溶剤及び発光材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系の溶剤、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
また、２層以上の層を湿式製膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、製膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。 [3] Other components In the composition for a charge transport film of the present invention, in particular, the composition for a charge transport film used as a composition for an organic electroluminescence device, in addition to the solvent and the light emitting material described above, In addition, various other solvents may be included. Examples of such other solvents include amide solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide. Moreover, various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, may be included.
In addition, when two or more layers are laminated by a wet film-forming method, in order to prevent these layers from being compatible with each other, a photo-curing resin or a thermosetting resin is used for the purpose of curing and insolubilizing after film formation. Can also be contained.

［４］電荷輸送膜用組成物中の材料濃度と配合比
電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物中の電荷輸送材料、発光材料及び必要に応じて添加可能な成分（レベリング剤など）などの固形分濃度は、下限が通常０．０１質量％、好ましくは０．０５質量％、より好ましくは０．１質量％、更に好ましくは０．５質量％、最も好ましくは１質量％であり、他方上限が通常８０質量％、好ましくは５０質量％、より好ましくは４０質量％、更に好ましくは３０重量％、最も好ましくは２０質量％である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが
困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる。 [4] Material Concentration and Compounding Ratio in Charge Transport Film Composition Charge transport film composition, in particular, charge transport material, light emitting material, and components that can be added as required in leveling composition for organic electroluminescence device (leveling) The lower limit of the solid content concentration such as an agent is usually 0.01% by mass, preferably 0.05% by mass, more preferably 0.1% by mass, still more preferably 0.5% by mass, and most preferably 1% by mass. The upper limit is usually 80% by mass, preferably 50% by mass, more preferably 40% by mass, still more preferably 30% by mass, and most preferably 20% by mass. When this concentration is below the lower limit, it is difficult to form a thick film when forming a thin film, and when it exceeds the upper limit, it is difficult to form a thin film.

また、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物において、発光材料／電荷輸送材料の含有質量比は、下限が通常０．１／９９．９、より好ましくは０．５／９９．５、更に好ましくは１／９９、最も好ましくは２／９８以上であり、他方上限が通常５０／５０、より好ましくは４０／６０、更に好ましくは３０／７０、最も好ましくは２０／８０である。この質量比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下するおそれがある。   In the composition for a charge transport film of the present invention, particularly the composition for an organic electroluminescence device, the lower limit of the mass ratio of the light emitting material / charge transport material is usually 0.1 / 99.9, more preferably 0.8. 5 / 99.5, more preferably 1/99, most preferably 2/98 or more, while the upper limit is usually 50/50, more preferably 40/60, still more preferably 30/70, most preferably 20 / 80. If this mass ratio falls below the lower limit or exceeds the upper limit, the luminous efficiency may be significantly reduced.

［５］電荷輸送膜用組成物の調製方法
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物は、電荷輸送材料、発光材料、及び必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、及び組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、溶液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を付してもよい。 [5] Method for Preparing Charge Transport Film Composition The charge transport film composition of the present invention, particularly the organic electroluminescent device composition, comprises a charge transport material, a light emitting material, and a leveling agent that can be added as necessary. It is prepared by dissolving a solute composed of various additives such as an antifoaming agent in an appropriate solvent. In order to shorten the time required for the dissolution step and to keep the solute concentration in the composition uniform, the solute is usually dissolved while stirring the solution. The dissolution step may be performed at room temperature, but when the dissolution rate is slow, it can be heated and dissolved. After the dissolution step, a filtration step such as filtering may be applied as necessary.

［６］電荷輸送膜用組成物の性状、物性等
（水分濃度）
有機電界発光素子を、本発明の電荷輸送膜用組成物（有機電界発光素子用組成物）を用いた湿式製膜法により層形成して製造する場合、用いる有機電界発光素子用組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、電荷輸送膜用組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。 [6] Properties, physical properties, etc. of the composition for charge transport film (moisture concentration)
When an organic electroluminescent device is produced by forming a layer by a wet film forming method using the composition for a charge transport film of the present invention (composition for an organic electroluminescent device), moisture is added to the composition for the organic electroluminescent device to be used. If there is water, moisture will be mixed into the formed film and the uniformity of the film will be impaired, so that the water content in the composition for charge transport films of the present invention, particularly the composition for organic electroluminescent elements, should be as low as possible. Is preferred. In general, since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, when moisture is present in the charge transport film composition, moisture remains in the dried film. The possibility of deteriorating the characteristics of the element is considered, which is not preferable.

具体的には、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量は、通常１質量％以下、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下である。
電荷輸送膜用組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」（ＪＩＳ Ｋ００６８：２００１）に記載の方法が好ましく、例えば、カールフ
ィッシャー試薬法（ＪＩＳ Ｋ０２１１−１３４８）等により分析することができる。 Specifically, the amount of water contained in the composition for a charge transport film of the present invention, particularly the composition for an organic electroluminescence device, is usually 1% by mass or less, preferably 0.1% by mass or less, more preferably 0. 0.01% by mass or less.
As a method for measuring the moisture concentration in the composition for a charge transport film, a method described in Japanese Industrial Standard “Method for Measuring Moisture of Chemical Products” (JIS K0068: 2001) is preferable. For example, Karl Fischer reagent method (JIS K0211- 1348) and the like.

（均一性）
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物は、湿式製膜プロセスでの安定性、例えば、インクジェット製膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるためには、常温で均一な液状であることが好ましい。常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ組成物中に粒径０．１・壕ネ上の粒子成分を含有しないことをいう。 (Uniformity)
The composition for a charge transport film of the present invention, particularly the composition for an organic electroluminescence device, is used at room temperature in order to improve stability in a wet film forming process, for example, ejection stability from a nozzle in an ink jet film forming method. It is preferably a uniform liquid. “Uniform liquid at normal temperature” means that the composition is a liquid composed of a uniform phase and that the composition does not contain a particle component having a particle size of 0.1 · K.

（物性）
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば製膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット製膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット製膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の２５℃における粘度は、下限が通常２ｍＰａ・ｓ、好ましくは３ｍＰａ・ｓ、より好ましくは５ｍＰａ・ｓであり、他方上限が通常１０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは１００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは５０ｍＰａ・ｓである。 (Physical properties)
Regarding the viscosity of the composition for charge transport film of the present invention, particularly the composition for organic electroluminescence device, in the case of extremely low viscosity, for example, coating surface nonuniformity due to excessive liquid film flow in the film forming process, inkjet film formation In the case of extremely high viscosity, nozzle clogging or the like in ink jet film formation tends to occur. For this reason, the lower limit of the viscosity of the composition of the present invention at 25 ° C. is usually 2 mPa · s, preferably 3 mPa · s, more preferably 5 mPa · s, and the upper limit is usually 1000 mPa · s, preferably 100 mPa · s. More preferably, it is 50 mPa · s.

また、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する製膜用液の濡れ性の低下、すなわち液膜のレベリング性が悪化し、乾燥時の製膜面の乱れが起こりやすくなる等の問題が発生するため、本発明の組成物の２０℃における表面張力は、通常５０ｍＮ／ｍ未満、好ましくは４０ｍＮ／ｍ未満である。
更に、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の２５℃における蒸気圧は、通常５０ｍｍＨｇ以下、好ましくは１０ｍｍＨｇ以下、より好ましくは１ｍｍＨｇ以下である。 In addition, when the surface tension of the composition for charge transport film of the present invention, particularly the composition for organic electroluminescence device is high, the wettability of the film-forming liquid to the substrate is lowered, that is, the leveling property of the liquid film is deteriorated, Since problems such as disturbance of the film-forming surface during drying are likely to occur, the surface tension at 20 ° C. of the composition of the present invention is usually less than 50 mN / m, preferably less than 40 mN / m.
Furthermore, when the vapor pressure of the composition for a charge transport film of the present invention, particularly the composition for an organic electroluminescence device, is high, problems such as a change in solute concentration due to evaporation of the solvent are likely to occur. For this reason, the vapor pressure at 25 ° C. of the composition of the present invention is usually 50 mmHg or less, preferably 10 mmHg or less, more preferably 1 mmHg or less.

＜有機電界発光素子の構成＞
本発明の有機電界発光素子は、基板上に形成された一対の電極に一層以上の有機層を備え、有機層のうちの少なくとも一層が本発明の電荷輸送材料を含有するものであれば、特に限定されるものではない。ここで、有機層としては、有機電界発光素子の層構成により一様ではないが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。 <Configuration of organic electroluminescent element>
The organic electroluminescent device of the present invention is particularly suitable if it includes one or more organic layers on a pair of electrodes formed on a substrate, and at least one of the organic layers contains the charge transport material of the present invention. It is not limited. Here, the organic layer is not uniform depending on the layer structure of the organic electroluminescent element, but for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are included. Can be mentioned.

本発明の有機電界発光素子が１つの有機層を有する場合、この有機層は発光層を意味し、この発光層は電荷輸送能を有し、かつ本発明の電荷輸送材料を含有する。
一方、複数の有機層を有する有機電界発光素子の場合、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一層が本発明の電荷輸送材料を含有すればよい。なお、複数の有機層を有する有機電界発光素子の有機層の層構成としては、発光可能であれば特に限定されないが、例えば、次のものが挙げられる。
１）少なくとも発光層及び電子輸送層から構成されるもの
２）少なくとも正孔輸送層及び発光層から構成されるもの
３）少なくとも正孔輸送層、発光層及び電子輸送層から構成されるもの
以下、図１を参照しながら本発明の有機電界発光素子の層構成及びその一般的形成方法等について説明する。なお、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。 When the organic electroluminescent element of the present invention has one organic layer, the organic layer means a light emitting layer, the light emitting layer has a charge transporting ability, and contains the charge transport material of the present invention.
On the other hand, in the case of an organic electroluminescent device having a plurality of organic layers, at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer and an electron injection layer is the charge of the present invention. What is necessary is just to contain a transport material. In addition, as a layer structure of the organic layer of the organic electroluminescent element which has a some organic layer, if it can light-emit, it will not specifically limit, For example, the following are mentioned.
1) at least composed of a light emitting layer and an electron transport layer 2) at least composed of a hole transport layer and a light emitting layer 3) at least composed of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer With reference to FIG. 1, the layer structure of the organic electroluminescent element of the present invention, the general formation method thereof, and the like will be described. For convenience of illustration, the dimensional ratios in the drawings do not necessarily match those described.

図１は、本発明にかかる有機電界発光素子の一例を示す模式断面図である。図１に示す有機電界発光素子は、基板１上に、陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９が順次積層された構造を有するものである。
なお、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、有機電界発光素子に用いられる塗布用組成物特有の液性に合うためである。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic electroluminescent element according to the present invention. The organic electroluminescent device shown in FIG. 1 has an anode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, a hole blocking layer 6, an electron transport layer 7, an electron injection layer 8 and a substrate 1. The cathode 9 has a structure in which the cathodes 9 are sequentially laminated.
In the present invention, the wet film forming method refers to, for example, spin coating method, dip coating method, die coating method, bar coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, capillary coating method, ink jet method, screen printing. This method is a wet film formation method such as a method, a gravure printing method, or a flexographic printing method. Among these film forming methods, a spin coating method, a spray coating method, and an ink jet method are preferable. This is because the liquid property specific to the coating composition used for the organic electroluminescent element is matched.

（基板）
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがある。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。 (substrate)
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone or the like is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

（陽極）
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。 (anode)
The anode 2 serves to inject holes into the layer on the light emitting layer side.
This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, or platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or It is composed of a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline.

陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
なお、陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 In general, the anode 2 is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. In addition, when forming the anode 2 using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, and conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution It is also possible to form the anode 2 by dispersing it and applying it onto the substrate 1. Furthermore, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).
The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることが好ましい。   For the purpose of removing impurities adhering to the anode 2 and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property, the surface of the anode 2 is treated with ultraviolet (UV) / ozone, or with oxygen plasma or argon plasma. It is preferable to do.

（正孔注入層）
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。 (Hole injection layer)
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5, and is usually formed on the anode 2.
The method for forming the hole injection layer 3 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.
The thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製する。次いで、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。 <Formation of hole injection layer by wet film formation method>
When forming the hole injection layer 3 by wet film formation, the material for forming the hole injection layer 3 is usually mixed with an appropriate solvent (hole injection layer solvent) to form a film-forming composition (positive A composition for forming a hole injection layer) is prepared. Next, this hole injection layer forming composition is applied onto a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually an anode) by an appropriate technique, formed into a film, and dried to inject holes. Layer 3 is formed.

（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。 (Hole transporting compound)
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transporting compound and a solvent as a constituent material of the hole injection layer.
The hole transporting compound is a compound having a hole transporting property that is usually used in a hole injection layer of an organic electroluminescence device, and may be a polymer compound or the like, a monomer or the like. Although it may be a low molecular weight compound, it is preferably a high molecular weight compound.

正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から、４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
なお、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例に挙げると、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。 The hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3. Examples of hole transporting compounds include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone derivatives, silazane derivatives, silanamines Derivatives, phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, carbon and the like.
In the present invention, the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative and includes an aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as a main skeleton. It may be a body.

正孔注入層３の形成に用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。   The hole transporting compound used for forming the hole injection layer 3 may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. In the case of containing two or more kinds of hole transporting compounds, the combination is arbitrary, but one or more kinds of aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two kinds of other hole transporting compounds. It is preferable to use the above in combination.

上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）が更に好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（VII）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられ
る。 Among the above examples, an aromatic amine compound is preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerizable compound in which repeating units are linked) is further included. preferable. Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (VII).

（一般式（VII）中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香
族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。Ａｒ³〜Ａｒ⁵は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を示す。また、Ａｒ¹〜Ａｒ⁵のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。） (In the general formula (VII), Ar ¹ and Ar ² are each independently an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar ^{3 to} Ar ⁵ each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. And two groups bonded to the same N atom among Ar ^{1 to} Ar ⁵ may be bonded to each other to form a ring.

（上記各一般式中、Ａｒ⁶〜Ａｒ¹⁶は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族
炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。Ｒ¹⁰¹及びＲ¹⁰²は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を示す。）
Ａｒ¹〜Ａｒ¹⁶の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解
性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基が更に好ましい。 (In the above general formulas, Ar ^{6 to} Ar ¹⁶ each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. R ¹⁰¹ and R ¹⁰² each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.
The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar ^{1 to} Ar ¹⁶ include a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, and a thiophene from the viewpoint of the solubility, heat resistance, hole injection / transport properties of the polymer compound. A group derived from a ring or a pyridine ring is preferred, and a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring is more preferred.

Ａｒ¹〜Ａｒ¹⁶の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、更に置換基を有していても
よい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
Ｒ¹⁰¹及びＲ¹⁰²が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。 The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar ^{1 to} Ar ¹⁶ may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. As the substituent, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group and the like are preferable.
When R ¹⁰¹ and R ¹⁰² are optional substituents, examples of the substituent include alkyl groups, alkenyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic groups, and the like. .

式（VII）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例と
しては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（3,4-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（PEDOT/PSS）も好ましく、このポリマーの末端をメタクリレ
ート等でキャップしたものであってもよい。 Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (VII) include those described in International Publication No. 2005/089024.
In addition, as a hole transporting compound, a conductive polymer (PEDOT / PSS) obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), a polythiophene derivative, in high molecular weight polystyrene sulfonic acid. The end of this polymer may be capped with methacrylate or the like.

さらに、正孔輸送性化合物は、下記［正孔輸送層］の項に記載の架橋性重合体であってもよい。該架橋性重合体を用いた場合の成膜方法についても同様である。
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で、下限は通常０．０１質量％、好ましくは０．１質量％、更に好ましくは０．５質量％であり、また上限は通常７０質量％、好ましくは６０質量％、更に好ましくは５０質量％である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。 Further, the hole transporting compound may be a crosslinkable polymer described in the following [Hole transporting layer]. The same applies to the film formation method when the crosslinkable polymer is used.
The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but the lower limit is usually 0.01% by mass in terms of film thickness uniformity. The upper limit is usually 70% by mass, preferably 60% by mass, and more preferably 50% by mass. If this concentration is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the formed hole injection layer.

（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容す
る能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上である化合物が更に好ましい。 (Electron-accepting compound)
The composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron accepting compound as a constituent material of the hole injection layer.
As the electron-accepting compound, a compound having an oxidizing power and an ability to accept one electron from the above-described hole-transporting compound is preferable. Specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and a compound having an electron affinity of 5 eV or more is more preferable.

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４'−メチルジフェニルヨードニウムテ
トラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アン
モニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。 Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples thereof include one or more compounds selected from the group. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (International Publication No. WO 2005/089024); High valent inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067), ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365) Aromatic boron compounds such as); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and the like.

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の含有量は、正孔輸送性化合物に対して、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上であり、かつ通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。 These electron accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transporting compound.
The content of the electron-accepting compound in the hole injection layer or the composition for forming a hole injection layer is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more with respect to the hole-transporting compound, And it is 100 mol% or less normally, Preferably it is 40 mol% or less.

（その他の構成材料）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、更にその他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 (Other components)
As a material for the hole injection layer, other components may be further contained in addition to the above-described hole transporting compound and electron accepting compound as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples of other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binder resins, and coating property improving agents. In addition, only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物に含まれる溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうるものであることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上であることが好ましい。中でも、沸点が２００℃以上であり、かつ４００℃以下、特に３００℃以下である溶剤が好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。他方、溶剤の沸点が高すぎると、乾燥工程の温度を高くする必要があり、また他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。 (solvent)
It is preferable that at least one of the solvents contained in the composition for forming a hole injection layer used in the wet film forming method can dissolve the constituent material of the hole injection layer described above. The boiling point of this solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher. Among them, a solvent having a boiling point of 200 ° C. or higher and 400 ° C. or lower, particularly 300 ° C. or lower is preferable. If the boiling point of the solvent is too low, the drying speed is too high and the film quality may be deteriorated. On the other hand, if the boiling point of the solvent is too high, it is necessary to increase the temperature of the drying process, and it may adversely affect other layers and the substrate.

溶剤としては、例えば、エーテル、エステル、芳香族炭化水素、アミドなどが挙げられ、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。なお、各溶剤の具体例は、上記において説明したとおりである。
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。 Examples of the solvent include ethers, esters, aromatic hydrocarbons, amides, and the like, and dimethyl sulfoxide can also be used. Specific examples of each solvent are as described above.
These solvent may use only 1 type and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.

（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、基体の外表面に位置する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましい。 (Film formation method)
After preparing the composition for forming a hole injection layer, the composition is applied onto a layer (usually the anode 2) located on the outer surface of the substrate by wet film formation, and then hole injection is performed by drying. Layer 3 is formed.
The temperature in the coating step is preferably 10 ° C. or higher, and preferably 50 ° C. or lower in order to prevent film loss due to the formation of crystals in the composition.

塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。この加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。 Although the relative humidity in an application | coating process is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more normally, and usually 80% or less.
After coating, the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried by heating or the like. Examples of the heating means used in this heating step include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, and microwave irradiation. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、混合溶剤中の少なくとも１種類の溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程における温度は、好ましくは１２０℃以上４１０℃以下であることが好ましい。   The heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more types of solvents used in the hole injection layer, it is preferable to heat at a temperature equal to or higher than the boiling point of at least one type of solvent in the mixed solvent. Considering the increase in the boiling point of the solvent, the temperature in the heating step is preferably 120 ° C. or higher and 410 ° C. or lower.

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。   In the heating step, the heating time is not limited as long as the heating temperature is not lower than the boiling point of the solvent of the composition for forming the hole injection layer and sufficient insolubilization of the coating film does not occur, but preferably 10 seconds or more and 180 minutes or less. It is. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.

＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置された、るつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０^-4Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。 <Formation of hole injection layer by vacuum deposition>
When the hole injection layer 3 is formed by vacuum deposition, one or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 (the aforementioned hole transporting compound, electron accepting compound, etc.) are placed in a vacuum vessel. Place in the crucibles installed (or put in each crucible when two or more materials are used), evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 ^-4 Pa with an appropriate vacuum pump, and then heat the crucible (2 When using more than one kind of material, heat each crucible) and evaporate by controlling the amount of evaporation (when using more than two kinds of materials, evaporate by controlling the amount of evaporation independently) A hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate placed face to face. In addition, when using 2 or more types of materials, the hole injection layer 3 can also be formed by putting those mixtures into a crucible, heating and evaporating.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０^-6Ｔｏｒｒ（０．１３×１０^-4Ｐａ）以上、通常９．０×１０^-6Ｔｏｒｒ（１２．０×１０^-4Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。 The degree of vacuum at the time of vapor deposition is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but usually 0.1 × 10 ⁻⁶ Torr (0.13 × 10 ⁻⁴ Pa) or more, usually 9.0 × 10 ⁻⁶ Torr. (12.0 × 10 ⁻⁴ Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 Å / second or more and usually 5.0 Å / second or less. The film forming temperature at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 10 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower.

［正孔輸送層］
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。 [Hole transport layer]
The method for forming the hole transport layer 4 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole transport layer 4 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.
The hole transport layer 4 can be formed on the hole injection layer 3 when there is a hole injection layer and on the anode 2 when there is no hole injection layer 3. The organic electroluminescent device of the present invention may have a configuration in which the hole transport layer is omitted.

正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。   The material for forming the hole transport layer 4 is preferably a material having high hole transportability and capable of efficiently transporting injected holes. For this purpose, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is excellent, and impurities that become traps are less likely to be generated during manufacture or use. In many cases, it is preferable not to quench the light emitted from the light emitting layer 5 or to form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the efficiency because it is in contact with the light emitting layer 5.

このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。   Such a material for the hole transport layer 4 may be any material conventionally used as a constituent material for the hole transport layer. For example, the hole transport property used for the hole injection layer 3 described above. What was illustrated as a compound is mentioned. In addition, arylamine derivatives, fluorene derivatives, spiro derivatives, carbazole derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, silole derivatives, oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatics Group derivatives, metal complexes and the like.

また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。   In addition, for example, polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, polyarylene vinylene derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophenes Derivatives, poly (p-phenylene vinylene) derivatives, and the like. These may be any of an alternating copolymer, a random polymer, a block polymer, or a graft copolymer. Further, it may be a polymer having a branched main chain and three or more terminal portions, or a so-called dendrimer.

中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記一般式（VIII）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記一般式（VIII）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒ^a又は
Ａｒ^bが異なっているものであってもよい。 Of these, polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives are preferred.
The polyarylamine derivative is preferably a polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (VIII). In particular, a polymer composed of a repeating unit represented by the following general formula (VIII) is preferable. In this case, Ar ^a or Ar ^b may be different in each repeating unit.

（一般式（VIII）中、Ａｒ^a及びＡｒ^bは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示す。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。 (In general formula (VIII), Ar ^a and Ar ^b each independently represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)
Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. Examples include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring, a fluorene ring, and a group in which these rings are linked by a direct bond.

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole. Ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, 5- or 6-membered ring such as pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring single Or a group and the rings of from 2-4 fused rings include groups formed by connecting a direct bond or two or more rings.

溶解性、耐熱性の点から、Ａｒ^a及びＡｒ^bは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結
してなる基（例えば、ビフェニル基（ビフェニレン基）やターフェニル基（ターフェニレン基））が好ましい。 From the viewpoint of solubility and heat resistance, Ar ^a and Ar ^b are each independently selected from the group consisting of a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, triphenylene ring, pyrene ring, thiophene ring, pyridine ring, and fluorene ring. A group derived from a selected ring or a group formed by connecting two or more benzene rings (for example, a biphenyl group (biphenylene group) or a terphenyl group (terphenylene group)) is preferable.

中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）及びフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
Ａｒ^a及びＡｒ^bにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。 Among these, a group derived from a benzene ring (phenyl group), a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.
Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group in Ar ^a and Ar ^b may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxycarbonyl group, and a dialkyl. Examples thereof include an amino group, a diarylamino group, an acyl group, a halogen atom, a haloalkyl group, an alkylthio group, an arylthio group, a silyl group, a siloxy group, a cyano group, an aromatic hydrocarbon ring group, and an aromatic heterocyclic group.

ポリアリーレン誘導体としては、前記Ａｒ^aやＡｒ^bとして例示した置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記一般式（IX-1）及び／又は下記式（IX-2）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。 Examples of the polyarylene derivative include a polymer having in its repeating unit an arylene group such as an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent exemplified as the aforementioned Ar ^a or Ar ^b. .
As the polyarylene derivative, a polymer having a repeating unit of the following general formula (IX-1) and / or the following formula (IX-2) is preferable.

（一般式（IX-1）中、Ｒ^a、Ｒ^b、Ｒ^c及びＲ^dは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を示す。ｔ及びｓは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｔ又はｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ^a又はＲ^bは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲ^a又はＲ^b同士で環を形成していてもよい。） (In the general formula (IX-1), R ^a , R ^b , R ^c and R ^d are each independently an alkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, a phenylalkoxy group, a phenyl group, a phenoxy group or an alkylphenyl group. Represents an alkoxyphenyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxy group, and t and s each independently represent an integer of 0 to 3. When t or s is 2 or more, they are contained in one molecule. And a plurality of R ^a or R ^b may be the same or different, and adjacent R ^a or R ^b may form a ring.)

（一般式（IX-2）中、Ｒ^e及びＲ^fは、各々独立に、上記一般式（IX-1）におけるＲ^a、Ｒ^b、Ｒ^c又はＲ^dと同義である。ｒ及びｕは、各々独立に、０〜３の整数を示す。ｒ又はｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ^e及びＲ^fは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲ^e又はＲ^f同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を示す。）
Ｘの具体例としては、−Ｏ−、−ＢＲ¹⁰³−、−ＮＲ¹⁰³−、−ＳｉＲ¹⁰³ ₂−、−ＰＲ¹⁰³−、−ＳＲ¹⁰³−、−ＣＲ¹⁰³ ₂−又はこれらが結合してなる基である。なお、Ｒ¹⁰³は、
水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。 (In the general formula (IX-2), R ^e and R ^f are independently the same as R ^a , R ^b , R ^c or R ^{d in the} general formula (IX-1). Each independently represents an integer of 0 to 3. When r or u is 2 or more, a plurality of R ^e and R ^f contained in one molecule may be the same or different, and adjacent R ^e or R ^f may form a ring, and X represents an atom or a group of atoms constituting a 5-membered ring or a 6-membered ring.)
Specific examples of X include —O—, —BR ¹⁰³ —, —NR ¹⁰³ —, —SiR ¹⁰³ ₂ —, —PR ¹⁰³ —, —SR ¹⁰³ —, —CR ¹⁰³ ₂ — or a group formed by bonding thereof. It is. R ¹⁰³ is
Represents a hydrogen atom or any organic group. The organic group in the present invention is a group containing at least one carbon atom.

また、ポリアリーレン誘導体としては、前記一般式（IX-1）及び／又は前記一般式（IX-2）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記一般式（IX-3）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。   The polyarylene derivative includes, in addition to the repeating unit consisting of the general formula (IX-1) and / or the general formula (IX-2), further a repeating unit represented by the following general formula (IX-3) It is preferable to have.

（一般式（IX-3）中、Ａｒ^c〜Ａｒ^jは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示す。ｖ及びｗは、各々独立に０又は１を示す。）
Ａｒ^c〜Ａｒ^jの具体例としては、前記一般式（VIII）における、Ａｒ^a及びＡｒ^bと同様である。
上記一般式（IX-1）〜（IX-3）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報等に記載のものなどが挙げられる。 (In the general formula (IX-3), Ar ^{c to} Ar ^j each independently represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. V and w are Each independently represents 0 or 1.)
Specific examples of Ar ^{c to} Ar ^j are the same as Ar ^a and Ar ^b in the general formula (VIII).
Specific examples of the general formulas (IX-1) to (IX-3) and polyarylene derivatives include those described in JP-A-2008-98619.

湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。 In the case of forming the hole transport layer 4 by a wet film formation method, a composition for forming a hole transport layer is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer 3 and then heated and dried after the wet film formation. .
The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the above hole transport compound. The solvent used is the same as that used for the composition for forming a hole injection layer. The film forming conditions, heat drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.

真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。 In the case where the hole transport layer is formed by the vacuum deposition method, the film forming conditions are the same as those in the case of forming the hole injection layer 3.
The hole transport layer 4 may contain various light emitting materials, electron transport compounds, binder resins, coating property improving agents, and the like in addition to the hole transport compound.
The hole transport layer 4 may also be a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound. The crosslinkable compound is a compound having a crosslinkable group, and forms a network polymer compound by crosslinking.

この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル基、シンナモイル基等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性化
合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。 Examples of this crosslinkable group include groups derived from cyclic ethers such as oxetane and epoxy; groups derived from unsaturated double bonds such as vinyl group, trifluorovinyl group, styryl group, acrylic group, methacryloyl group and cinnamoyl group. A group derived from benzocyclobutene and the like.
The crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、
金属錯体などが好ましく、特にトリフェニルアミン誘導体が好ましい。
架橋性化合物としては、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。 As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of hole transporting compounds include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives; silole derivatives An oligothiophene derivative, a condensed polycyclic aromatic derivative, a metal complex and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives,
Metal complexes and the like are preferable, and triphenylamine derivatives are particularly preferable.
Examples of the crosslinkable compound include those in which a crosslinkable group is bonded to a main chain or a side chain with respect to these hole transporting compounds. In particular, the crosslinkable group is preferably bonded to the main chain via a linking group such as an alkylene group.

また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、前記一般式（VIII）や一般式（IX-1）〜（IX-3）に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。 In particular, the hole transporting compound is preferably a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group, and is crosslinked to the general formula (VIII) or the general formulas (IX-1) to (IX-3). A polymer having a repeating unit in which a functional group is bonded directly or via a linking group is preferred.
In order to form a hole transport layer 4 by crosslinking a crosslinkable compound, a composition for forming a hole transport layer in which a crosslinkable compound is dissolved or dispersed in a solvent is usually prepared and deposited by wet film formation. To crosslink.

正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤；重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤などが挙げられる。また、更に、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。   The composition for forming a hole transport layer may contain an additive for promoting a crosslinking reaction in addition to the crosslinking compound. Examples of additives that accelerate the crosslinking reaction include polymerization initiators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; polymerization accelerators; condensed polycyclic hydrocarbons; Examples thereof include photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds. Further, it may contain a coating property improving agent such as a leveling agent, an antifoaming agent, an electron accepting compound, a binder resin, and the like.

正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１質量％以上、好ましくは０．０５質量％以上、更に好ましくは０．１質量％以上含有し、かつ通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下含有する。
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱及び／又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。 The composition for forming a hole transport layer usually contains a crosslinkable compound in an amount of 0.01% by mass or more, preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and usually 50% by weight or less. Preferably it is 20 weight% or less, More preferably, it contains 10 weight% or less.
After forming a composition for forming a hole transport layer containing a crosslinkable compound at such a concentration on the lower layer (usually the hole injection layer 3), the composition is crosslinked by heating and / or irradiation with active energy such as light. Are crosslinked to form a network polymer compound.

成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上で、かつ１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。 Conditions such as temperature and humidity during film formation are the same as those during the wet film formation of the hole injection layer 3.
The heating method after film formation is not particularly limited. The heating temperature condition is usually 120 ° C. or higher, preferably 400 ° C. or lower.
The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter. The heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a deposited layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or higher for 1 minute or longer can be used.

光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。   In the case of irradiation with active energy such as light, a method of irradiating directly using an ultraviolet / visible / infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, an infrared lamp, or the above-mentioned light source is incorporated. Examples include a mask aligner and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device. In active energy irradiation other than light, for example, there is a method of irradiation using a so-called microwave oven that irradiates a microwave generated by a magnetron. As the irradiation time, it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.

加熱及び光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。 The irradiation of active energy such as heating and light may be performed alone or in combination. When combined, the order of implementation is not particularly limited.
The film thickness of the hole transport layer 4 thus formed is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

［発光層］
正孔注入層３の上には通常発光層４が設けられる。発光層４は、例えば前述の発光材料
を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極２から正孔注入層３を通じて注入された正孔と、陰極６から電子輸送層５を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層４は、発光材料（ドーパント）と１種又は２種以上のホスト材料を含むことが好ましい。発光層４は、本発明の電荷輸送材料をホスト材料として含むことが更に好ましい。発光層４は、真空蒸着法で形成してもよいが、本発明の有機電界発光素子用組成物を用い、湿式製膜法によって作製された層であることが特に好ましい。ここで、湿式製膜法とは、前述の如く、溶剤を含む組成物を、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等により製膜するものである。
なお、発光層４は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。 [Light emitting layer]
A light emitting layer 4 is usually provided on the hole injection layer 3. The light emitting layer 4 is, for example, a layer containing the above-described light emitting material. Between the electrodes to which an electric field is applied, the holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and the cathode 6 through the electron transport layer 5 are injected. It is a layer which is excited by recombination with the emitted electrons and becomes a main light emitting source. The light emitting layer 4 preferably contains a light emitting material (dopant) and one or more host materials. The light emitting layer 4 further preferably contains the charge transport material of the present invention as a host material. The light emitting layer 4 may be formed by a vacuum deposition method, but is particularly preferably a layer produced by a wet film forming method using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention. Here, as described above, the wet film forming method is a method in which a composition containing a solvent is formed by spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, an ink jet method, or the like.
In addition, the light emitting layer 4 may contain other materials and components as long as the performance of the present invention is not impaired.

一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる。その結果、注入される電流が多くなり、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ＩＴＯ等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。   In general, in the organic electroluminescent element, when the same material is used, the effective electric field increases as the film thickness between the electrodes decreases. As a result, the injected current increases and the drive voltage decreases. For this reason, the driving voltage of the organic electroluminescence device decreases when the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to the protrusion caused by the electrode such as ITO. Necessary.

本発明においては、発光層４以外に、正孔注入層３及び後述の電子輸送層５等の有機層を有する場合、発光層４と正孔注入層３や電子輸送層５等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上であり、更に好ましくは１００ｎｍ以上である。総膜厚の上限は、通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ、更に好ましくは３００ｎｍである。また、発光層４以外の正孔注入層３や後述の電子注入層５の導電性が高い場合、発光層４に注入される電荷量が増加する。その為、例えば正孔注入層３の膜厚を厚くして発光層４の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。   In the present invention, in addition to the light emitting layer 4, when the organic layer such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 described later is provided, the light emitting layer 4 and other organic materials such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 are used. The total film thickness combined with the layers is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, and more preferably 100 nm or more. The upper limit of the total film thickness is usually 1000 nm, preferably 500 nm, more preferably 300 nm. Further, when the hole injection layer 3 other than the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 described later have high conductivity, the amount of charge injected into the light emitting layer 4 increases. Therefore, for example, the thickness of the hole injection layer 3 can be increased to reduce the thickness of the light emitting layer 4, and the drive voltage can be lowered while maintaining the total thickness to some extent.

よって、発光層４の膜厚は、通常１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。なお、本発明の素子が、陽極及び陰極の両極間に、発光層４のみを有する場合の発光層４の膜厚は、通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、通常５００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下である。   Therefore, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 200 nm or less. When the element of the present invention has only the light emitting layer 4 between the anode and the cathode, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, usually 500 nm or less, preferably 300 nm or less. is there.

［正孔阻止層］
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−・|オキソ−ビス−（２−
メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。 [Hole blocking layer]
A hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later. The hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.
The hole blocking layer 6 has a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. Have
The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high. Examples of the material for the hole blocking layer satisfying such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. A mixed ligand complex of bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-. | Oxo-bis- (2-
Metal complexes such as methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4 -Tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole and the like (Japanese Patent Laid-Open No. 7-41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297), and the like. Further, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-position described in International Publication No. 2005-022962 is also preferable as the material for the hole blocking layer 6.

なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。 In addition, the material of the hole-blocking layer 6 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
There is no restriction | limiting in the formation method of the hole-blocking layer 6. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

［電子輸送層］
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。 [Electron transport layer]
An electron transport layer 7 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later.
The electron transport layer 7 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. Formed from a compound capable of

電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ'−ジシアノアントラキノンジ
イミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。 As an electron transporting compound used for the electron transport layer 7, usually, the electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron injection layer 8 is high, and the injected electrons having high electron mobility are efficiently transported. The compound which can be used is used. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives , Distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds ( JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide , N-type zinc sulfide, n-type Sele Zinc oxide and the like.

なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。 In addition, the material of the electron carrying layer 7 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
There is no restriction | limiting in the formation method of the electron carrying layer 7. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
The film thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

［電子注入層］
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。その具体例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が挙げられる。また、その膜厚は、通常０．１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以下である。 [Electron injection layer]
The electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 8 is preferably a metal having a low work function. Specific examples thereof include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium. The film thickness is usually 0.1 nm or more, preferably 5 nm or less.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。   Furthermore, an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.), it is possible to improve the electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. preferable. The film thickness in this case is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。 In addition, the material of the electron injection layer 8 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
There is no restriction | limiting in the formation method of the electron injection layer 8. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

［陰極］
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
陰極９の材料としては、陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。 [cathode]
The cathode 9 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer 5 side (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5).
As the material of the cathode 9, the material used for the anode 2 can be used. However, in order to perform electron injection efficiently, a metal having a low work function is preferable. For example, tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 In addition, the material of the cathode 9 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
The film thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the anode 2.
Further, for the purpose of protecting the cathode 9 made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased. For this purpose, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

［その他の層］
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記層以外の任意の層を有していてもよく、また任意の層が省略されていてもよい。 [Other layers]
The organic electroluminescent element according to the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer other than the above layers may be provided between the anode 2 and the cathode 9, and an arbitrary layer may be omitted.

［電子阻止層］
任意の層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３又は正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。 [Electron blocking layer]
Examples of the optional layer include an electron blocking layer.
The electron blocking layer is provided between the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 and prevents electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole injection layer 3. Thus, the probability of recombination of holes and electrons in the light emitting layer 5 is increased, the excitons generated are confined in the light emitting layer 5, and the holes injected from the hole injection layer 3 are efficiently collected. There is a role to transport in the direction of. In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material, it is effective to provide an electron blocking layer.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer 5 is produced by a wet film formation method, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for such an electron blocking layer include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (International Publication No. 2004/084260).
In addition, the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
さらに、陰極９と発光層５又は電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（Ｌｉ
Ｆ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ₃）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子
の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．７０， ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， １ ９９７年，Ｖｏｌ．４４， ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１５４等参照）。 There is no restriction | limiting in the formation method of an electron blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
Further, lithium fluoride (Li, for example) is formed at the interface between the cathode 9 and the light emitting layer 5 or the electron transport layer 7.
F), magnesium fluoride (MgF ₂ ), lithium oxide (Li ₂ O), cesium carbonate (II) (CsCO ₃ ), etc. This is an effective method for improving the efficiency of the device (Applied Physics Letters, 1997, Vol. 70, pp. 152; JP 10-74586 A; IE
EE Transactions on Electron Devices, 1 997, Vol. 44, pp. 1245; SID 04 Digest, pp. 154 etc.).

また、本発明の有機電界発光素子の構成は上記に限定されるものではなく、積層順序を変更することが可能である。具体的には、基板１上に、陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３及び陽極２が順次積層された構造としてもよい。
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 Moreover, the structure of the organic electroluminescent element of the present invention is not limited to the above, and the stacking order can be changed. Specifically, a cathode 9, an electron injection layer 8, an electron transport layer 7, a hole blocking layer 6, a light emitting layer 5, a hole transport layer 4, a hole injection layer 3, and an anode 2 are sequentially stacked on the substrate 1. It is good also as the structure made.
Furthermore, it is also possible to constitute the organic electroluminescent element according to the present invention by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which is transparent.
In addition, a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interface layer between the steps (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, these two layers), for example, a charge made of vanadium pentoxide (V ₂ O ₅ ) or the like. When a generation layer (Carrier Generation Layer: CGL) is provided, a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、上記以外の成分が含まれていてもよい。 Furthermore, the organic electroluminescent device according to the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array. You may apply to the structure by which the cathode is arrange | positioned at XY matrix form.
In addition, each layer described above may contain components other than those described above as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.

＜有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明＞
本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を具備するものである。本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。 <Organic EL display and organic EL lighting>
The organic EL display and organic EL illumination of the present invention comprise the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the type and structure of the organic electroluminescent display of this invention, and organic electroluminescent illumination, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.

例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明を形成することができる。   For example, the organic EL display and the organic EL display of the present invention can be obtained by the method described in “Organic EL display” (Ohm, August 20, 2004, published by Shizushi Tokito, Chiba Adachi, Hideyuki Murata). EL illumination can be formed.

以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。
＜実施例１＞
（中間体２の合成） Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be arbitrarily modified and implemented without departing from the gist thereof.
<Example 1>
(Synthesis of Intermediate 2)

中間体１（２９．３ｇ，１０６ｍｍｏｌ）とフェニルボロン酸（１４．２ｇ，１１７ｍｍｏｌ）に、トルエン／エタノール混合溶液（２：１、４００ｍＬ）を加え、３０分間窒素バブリングを行った。さらにＰｄ（ＰＰｈ_３）_４（２．４５ｇ，２．１２ｍｍｏｌ）、窒素バブリングを行ったリン酸三カリウム水溶液（２．０Ｍ、１３３ｍＬ）を順に加えた後、加熱還流させながら、４時間、撹拌を行った。室温に戻した後、トルエンにて抽出し、有機相をＭｇＳＯ_４にて乾燥し、減圧下、溶媒留去した。残渣を塩化メチレン／ヘキサンから再結晶をおこない、中間体２（２２．９ｇ、７９％）を得た。なお、中間体１は、欧州公開第２０６２９５９号公報にて開示されている方法にて合成した。
（中間体３の合成） Toluene / ethanol mixed solution (2: 1, 400 mL) was added to intermediate 1 (29.3 g, 106 mmol) and phenylboronic acid (14.2 g, 117 mmol), and nitrogen bubbling was performed for 30 minutes. Further, Pd (PPh ₃ ) ₄ (2.45 g, 2.12 mmol) and an aqueous tripotassium phosphate solution (2.0 M, 133 mL) subjected to nitrogen bubbling were sequentially added, followed by stirring for 4 hours while heating to reflux. went. After returning to room temperature, extraction with toluene was performed, the organic phase was dried over MgSO ₄ , and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was recrystallized from methylene chloride / hexane to obtain Intermediate 2 (22.9 g, 79%). Intermediate 1 was synthesized by a method disclosed in European Publication No. 2062959.
(Synthesis of Intermediate 3)

中間体２（１１０ｇ，４０３ｍｍｏｌ）、３−ブロモアセトフェノン（９６．３ｇ，４８４ｍｍｏｌ）の氷酢酸（４０３ｍＬ）溶液に、濃硫酸（１１ｍＬ）を加え、加熱還流させながら、８．５時間、撹拌を行った。室温に戻した後、氷の入った三角フラスコに注ぎ、析出した結晶をろ別後、塩化メチレンにて抽出し、有機相をＭｇＳＯ_４にて乾燥し、減圧下、溶媒留去した。残渣をエタノールにて洗浄をおこない、中間体３（１２８ｇ、７３％）を得た。
（中間体４の合成） Concentrated sulfuric acid (11 mL) was added to a solution of Intermediate 2 (110 g, 403 mmol) and 3-bromoacetophenone (96.3 g, 484 mmol) in glacial acetic acid (403 mL), and the mixture was stirred for 8.5 hours while heating to reflux. It was. After returning to room temperature, the mixture was poured into an Erlenmeyer flask containing ice, and the precipitated crystals were collected by filtration and extracted with methylene chloride. The organic phase was dried over MgSO ₄ and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was washed with ethanol to obtain Intermediate 3 (128 g, 73%).
(Synthesis of Intermediate 4)

中間体３（７４．６ｇ，１７１ｍｍｏｌ）とビス（ピナコラト）ジボロン（５２．１ｇ，２０５ｍｍｏｌ）のＤＭＳＯ溶液（５１３ｍＬ）を、３０分間窒素バブリングを行った。そこに、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）ＣＨ_２Ｃｌ_２（４．１９ｇ，５．１３ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（８３．９ｇ、８５５ｍｍｏｌ）を順に加えた後、９０℃に加熱し、４．５時間撹拌を行った。室温に戻した後、氷の入った三角フラスコに注ぎ、出てきた固体をろ別し、塩化メチレンにて抽出し、有機相をＭｇＳＯ_４にて乾燥し、減圧下、溶媒留去した。残渣を塩化メチレン／ヘキサンから再沈殿を繰り返し、中間体４（５０．８ｇ、６１％）を得た。
（中間体５の合成） A DMSO solution (513 mL) of Intermediate 3 (74.6 g, 171 mmol) and bis (pinacolato) diboron (52.1 g, 205 mmol) was bubbled with nitrogen for 30 minutes. PdCl ₂ (dppf) CH ₂ Cl ₂ (4.19 g, 5.13 mmol) and potassium acetate (83.9 g, 855 mmol) were sequentially added thereto, and then the mixture was heated to 90 ° C. and stirred for 4.5 hours. It was. After returning to room temperature, the mixture was poured into an Erlenmeyer flask containing ice, and the solid that came out was filtered off, extracted with methylene chloride, the organic phase was dried over MgSO ₄ , and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was reprecipitated from methylene chloride / hexane repeatedly to obtain Intermediate 4 (50.8 g, 61%).
(Synthesis of Intermediate 5)

中間体４（５０．８ｇ，１０５ｍｍｏｌ）と３−ブロモヨードベンゼン（４４．６ｇ，１５８ｍｍｏｌ）に、トルエン／エタノール混合溶液（２：１、４００ｍＬ）を加え、３０分間窒素バブリングを行った。さらにＰｄ（ＰＰｈ_３）_４（３．６４ｇ，３．１５ｍｍｏｌ）、窒素バブリングを行ったリン酸三カリウム水溶液（２．０Ｍ、１３１ｍＬ）を順に加えた後、加熱還流させながら、６時間、撹拌を行った。室温に戻した後、トルエンにて抽出し、有機相をＭｇＳＯ_４にて乾燥し、減圧下、溶媒留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、さらに、ヘキサンにて懸濁洗浄をおこなうことで、中間体５（１９．０ｇ、３５％）を得た。
（中間体７の合成） Toluene / ethanol mixed solution (2: 1, 400 mL) was added to intermediate 4 (50.8 g, 105 mmol) and 3-bromoiodobenzene (44.6 g, 158 mmol), and nitrogen bubbling was performed for 30 minutes. Further, Pd (PPh ₃ ) ₄ (3.64 g, 3.15 mmol) and tripotassium phosphate aqueous solution (2.0 M, 131 mL) subjected to nitrogen bubbling were added in this order, and the mixture was stirred for 6 hours while refluxing with heating. went. After returning to room temperature, extraction with toluene was performed, the organic phase was dried over MgSO ₄ , and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography, and further suspended and washed with hexane to obtain Intermediate 5 (19.0 g, 35%).
(Synthesis of Intermediate 7)

中間体６（１５０ｇ，５８５ｍｍｏｌ）、臭化ビフェニル（１１４ｇ，４８９ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ（１５０ｇ，１．５６ｍｏｌ）に、脱酸素したトルエン（３４００ｍＬ）を加え、さらに、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３ＣＨＣｌ_３（２２．３３ｇ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（９．８７ｇ）を加え、６５℃に加熱し、５時間２０分間撹拌した。室温に戻した後、トルエンにて抽出を行い、有機相を飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、減圧下、溶媒留去し、中間体７（２２７ｇ）を得た。なお、中間体６は、国際公開２０１１−７０９６３号公報にて開示されている方法にて合成した。
（化合物１の合成） To intermediate 6 (150 g, 585 mmol), biphenyl bromide (114 g, 489 mmol) and t-BuONa (150 g, 1.56 mol), deoxygenated toluene (3400 mL) was added, and Pd ₂ (dba) ₃ CHCl ₃ was added. (22.33 g) and tri-t-butylphosphine (9.87 g) were added, heated to 65 ° C., and stirred for 5 hours and 20 minutes. After returning to room temperature, extraction was performed with toluene, and the organic phase was washed with saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain Intermediate 7 (227 g). In addition, the intermediate body 6 was synthesize | combined by the method currently disclosed by the international publication 2011-70963.
(Synthesis of Compound 1)

中間体５と中間体７に対して、中間体７の合成の際に用いたのと同様の反応をおこなうことで化合物１を得る。   Compound 1 is obtained by performing the same reaction as that used in the synthesis of Intermediate 7 with respect to Intermediate 5 and Intermediate 7.

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode

Claims (10)

下記一般式（１）で表されるキノリン化合物。

（一般式（１）中、X^{1,2・・・n}はn個のXすなわち［X¹,X²・・・Xⁿ］を表し、［X¹,X²・
・・Xⁿ］は各々独立に下記一般式（２）で表される構造を表し、ArG^１は、水素原子、置
換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表し、ArG²は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。添字ｎは1〜３の整数であり、添字ｍは０〜４の整数である。）

（一般式（１）中、ArG³、ArG⁴は、各々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、OLE_LINK1置換基を有していてもよい炭素数３
から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団OLE_LINK1基を表す。） A quinoline compound represented by the following general formula (1).

(In the general formula (1), X ^{1,2... N} represents n X, that is, [X ¹ , X ² ... X ⁿ ], and [X ¹ , X ^2.
.. X ⁿ ] each independently represents a structure represented by the following general formula (2), ArG ¹ represents a hydrogen atom, an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or Represents an aromatic ring assembly group having two or more carbon atoms having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent, and ArG ² has 3 carbon atoms which may have a hydrogen atom and a substituent. Represents an aromatic ring group having from 1 to 30 or two or more aromatic ring assembly groups having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent. The subscript n is an integer of 1 to 3, and the subscript m is an integer of 0 to 4. )

(In General Formula (1), ArG ³ and ArG ⁴ each independently have a hydrogen atom, an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or an OLE_LINK1 substituent. 3 carbon atoms
Represents two or more aromatic ring assembly atomic groups OLE_LINK1 from 1 to 60. ) 前記一般式（２）は、置換基を有していてもよい下記一般式（３）で表される請求項１に記載のキノリン化合物。

（一般式（１）中、ArG³、ArG⁴は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。） The quinoline compound according to claim 1, wherein the general formula (2) is represented by the following general formula (3) which may have a substituent.

(In General Formula (1), ArG ³ and ArG ⁴ are each a hydrogen atom, an aromatic ring group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon number which may have a substituent. Represents 2 or more aromatic ring assembly groups from 3 to 60) 前記一般式（２）、（３）において、ArG^４が、置換基を有していてもよい炭素数３か
ら６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基である請求項１又は２に記載のキノリン化合物。 In the general formulas (2) and (3), ArG ⁴ is a group of two or more aromatic ring groups having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent. The quinoline compound described in 1. 前記一般式（１）〜（３）において、ArG¹〜ArG^４のいずれか１つが、下記一般式（４
）で表される部分構造を有している請求項１又は２に記載のキノリン化合物。

In the general formulas (1) to (3), any one of ArG ^{1 to} ArG ⁴ is represented by the following general formula (4
The quinoline compound of Claim 1 or 2 which has the partial structure represented by this.

１００度以上の高沸点の有機溶剤が２０％以上の成分を有して成る溶媒への溶解度が、１質量％以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載のキノリン化合物。   The quinoline compound according to any one of claims 1 to 4, wherein the solubility in a solvent comprising an organic solvent having a high boiling point of 100 ° C or higher having a component of 20% or higher is 1% by mass or higher. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のキノリン化合物からなる電荷輸送材料。   The charge transport material which consists of a quinoline compound of any one of Claims 1-5. 請求項６に記載の電荷輸送材料と溶剤とを含有することを特徴とする電荷輸送膜用組成物。   A charge transport film composition comprising the charge transport material according to claim 6 and a solvent. 基板上に、陽極、陰極、及びこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子において、請求項７に記載の電荷輸送材料を含有する発光層を有することを特徴とする有機電界発光素子。   An organic electroluminescence device comprising an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate, wherein the organic electroluminescence device comprises the light emitting layer containing the charge transport material according to claim 7. element. 請求項８に記載の有機電界発光素子を具備することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。   An organic EL display device comprising the organic electroluminescent element according to claim 8. 請求項８に記載の有機電界発光素子を具備することを特徴とする有機ＥＬ照明。   An organic EL illumination comprising the organic electroluminescent element according to claim 8.

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