JP2013180406A - Prepreg, substrate, semiconductor device, method of manufacturing prepreg, method of manufacturing substrate, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
Prepreg, substrate, semiconductor device, method of manufacturing prepreg, method of manufacturing substrate, and method of manufacturing semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013180406A JP2013180406A JP2012043709A JP2012043709A JP2013180406A JP 2013180406 A JP2013180406 A JP 2013180406A JP 2012043709 A JP2012043709 A JP 2012043709A JP 2012043709 A JP2012043709 A JP 2012043709A JP 2013180406 A JP2013180406 A JP 2013180406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- prepreg
- layer
- substrate
- fiber base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Abstract
Description
本発明は、プリプレグ、基板、半導体装置、プリプレグの製造方法、基板の製造方法、および半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a prepreg, a substrate, a semiconductor device, a prepreg manufacturing method, a substrate manufacturing method, and a semiconductor device manufacturing method.
プリプレグ、あるいはプリプレグを用いた積層板の製造方法として、以下のものがある。 As a manufacturing method of a prepreg or a laminate using the prepreg, there are the following.
特許文献１には、プリプレグを形成することなく、繊維基材の両面に樹脂シートを配置し、加熱加圧により一体化してなる積層板が開示されている。かかる構成によって、耐熱性に優れ、反りの発生を十分に低減し、任意に折り曲げ可能なプリント配線板を作成することができる積層板を提供している。
特許文献２には、繊維基材の両面側に、２枚の樹脂シートは貼り付け、真空中で繊維基材に対して樹脂組成物を完全に含浸させたプリプレグが開示されている。上記特許文献２に記載のプリプレグでは、回路基板の薄膜化に対応することを目的としており、異なる樹脂組成物で構成される２つの樹脂層を形成することによって、要求される特性を維持した状態でプリプレグの薄膜化を実現している。
特許文献１に記載の積層板は、プレス成型時、繊維基材の両面に樹脂シートを配置し、加熱加圧することで一体化されている。このプレス成型時において繊維基材は、わずかに波打つことがある。本発明者は、繊維基材の波打ちが、積層板の成形不良に係っているという知見を得た。具体的には、積層板において繊維基材が波打っていることで、気泡の発生や、波打ち箇所に気泡が残留するという現象を引き起こすことを見いだした。
The laminate described in
特許文献２に記載のプリプレグは、２枚の樹脂シートを繊維基材の両面側に貼り付け、真空中で繊維基材に対し樹脂組成物を完全含浸させている。特許文献２に記載の技術では、樹脂シートに含まれる樹脂組成物の選択次第で、樹脂組成物が繊維基材に完全に含浸されないことがある。繊維基材に樹脂組成物が完全に含浸されなかった場合、気泡が残留したプリプレグとなってしまう可能性がある。
The prepreg described in
本発明の目的は、積層した際、気泡が残留しにくく、かつ樹脂層を繊維基材によって指示しているプリプレグ、上記プリプレグを備えた基板、およびかかる基板を用いた半導体装置、およびそれらの製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a prepreg in which bubbles do not easily remain when laminated and a resin layer is indicated by a fiber base, a substrate provided with the prepreg, a semiconductor device using such a substrate, and production thereof It is to provide a method.
本発明によれば、層状に形成された繊維基材と
前記繊維基材の少なくとも一方の面側に設けられており、樹脂組成物で構成された樹脂層と、
を備え、
前記繊維基材中の少なくとも一部に、前記樹脂組成物の含浸されていない空隙層が形成されたプリプレグが提供される。
According to the present invention, a fiber substrate formed in a layer shape, provided on at least one surface side of the fiber substrate, a resin layer composed of a resin composition,
With
A prepreg in which a void layer not impregnated with the resin composition is formed on at least a part of the fiber base material is provided.
さらに、本発明によれば、上記プリプレグが、複数積層された基板が提供される。 Furthermore, according to the present invention, a substrate in which a plurality of the prepregs are laminated is provided.
さらに、本発明によれば、上記基板と、
前記基板上に搭載された半導体素子と、
を含む半導体装置が提供される。
Furthermore, according to the present invention, the above substrate;
A semiconductor element mounted on the substrate;
A semiconductor device is provided.
さらに、本発明によれば、繊維基材の少なくとも一方の面側に樹脂組成物を供給し樹脂層を形成するとともに、前記繊維基材の少なくとも一部に空隙層を形成するプリプレグの製造方法が提供される。 Furthermore, according to the present invention, there is provided a method for producing a prepreg in which a resin composition is supplied to at least one surface side of a fiber base to form a resin layer, and a void layer is formed on at least a part of the fiber base. Provided.
さらに、本発明によれば、複数のプリプレグを積層して積層体を形成する積層工程を有し、
前記複数のプリプレグの内、少なくとも一つは上記プリプレグであって、
前記積層工程は、前記積層体を加熱、加圧することで、前記空隙層を消失させる工程を含む基板の製造方法が提供される。
Furthermore, according to the present invention, it has a laminating step of laminating a plurality of prepregs to form a laminate,
At least one of the plurality of prepregs is the prepreg,
The said lamination process provides the manufacturing method of a board | substrate including the process of lose | disappearing the said space | gap layer by heating and pressurizing the said laminated body.
さらに、本発明によれば、上記基板の製造方法で得た基板を準備する工程と、
前記基板上に半導体素子を搭載する工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
Furthermore, according to the present invention, a step of preparing a substrate obtained by the method for manufacturing a substrate,
Mounting a semiconductor element on the substrate;
A method for manufacturing a semiconductor device is provided.
本発明によれば、樹脂組成物を供給した繊維基材の少なくとも一部に空隙層を設けたプリプレグを提供することができる。このように空隙層を有したプリプレグを積層する場合、プリプレグの積層と同時に、繊維基材への樹脂組成物の含浸を、プレス成型時に行うことができる。また、樹脂が繊維基材によって支持されているため、繊維基材が波打つことを防ぐことが出来る。
かかる構成によれば、プリプレグの積層時に空気が抜けやすいため、気泡が発生しにくい。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the prepreg which provided the space | gap layer in at least one part of the fiber base material which supplied the resin composition can be provided. Thus, when laminating | stacking the prepreg which has a space | gap layer, the impregnation of the resin composition to a fiber base material can be performed at the time of press molding simultaneously with lamination | stacking of a prepreg. Moreover, since resin is supported by the fiber base material, it can prevent that a fiber base material waves.
According to such a configuration, air easily escapes when the prepregs are laminated, so that bubbles are hardly generated.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
以下の説明では、図１〜７（以下の各図において同様）中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。また、図１〜７（以下の各図において同様）は、厚さ方向（図中の上下方向）に大きく誇張して示してある。 In the following description, the upper side in FIGS. 1 to 7 (same in the following drawings) is described as “upper”, and the lower side is described as “lower”. 1 to 7 (same in the following drawings) are greatly exaggerated in the thickness direction (vertical direction in the drawings).
＜プリプレグ＞
本実施形態に係るプリプレグ１は、コア材として用いられても、ビルドアップ材として用いられてもよい。以下、ビルドアップ材として用いるプリプレグを例に本実施形態に係るプリプレグについて説明する。
<Prepreg>
The
（第一の実施形態）
図１は、本実施形態に係るプリプレグの断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係るプリプレグ１は、層状に形成された繊維基材２と、繊維基材２の少なくとも一方の面側に設けられており、かつ樹脂組成物で構成された樹脂層３２と、を備えている。なお、該プリプレグ１は、繊維基材２中の少なくとも一部に、樹脂組成物の含浸されていない空隙層２１が、形成している。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of a prepreg according to the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the
なお、繊維基材２の最大の厚さをＴ１μｍとし、空隙層２１の平均厚さをＴ２μｍとしたとき、空隙層２１の平均厚さ／繊維基材２の最大の厚さＴ２μｍ／Ｔ１μｍは、２０％以上であることが好ましく、より好ましくは４０％以上、さらに好ましくは６０％以上である。空隙層２１の平均厚さ／繊維基材２の最大の厚さを上記範囲に設定することで、プリプレグ１を積層する際、気泡の残留を低減できる。また、空隙層２１の平均厚さ／繊維基材２の最大の厚さＴ２μｍ／Ｔ１μｍの上限は、特に制限はないが１００％でよい。ただし樹脂の密着性を重視するという観点からは９０％以下であることが好ましい。
When the maximum thickness of the
図２は、本実施形態に係るプリプレグの空隙層を説明するための図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は下面図である。
図２の（ａ）に示すように、プリプレグ１に設けられた空隙層２１は、繊維基材２の一部が露出した形状であってもよい。この場合、図２の（ｂ）に示すように、一端から他端まで連通するように空隙層２１が、形成されていることが好ましい。このように、一端から他端まで連通した空隙層２１を設けることで、複数のプリプレグ１を積層した際、空気を端部から逃がすことが、さらに容易になる。
2A and 2B are diagrams for explaining the void layer of the prepreg according to the present embodiment, in which FIG. 2A is a cross-sectional view, and FIG. 2B is a bottom view.
As shown in FIG. 2A, the
上記で述べたように、空隙層２１は、繊維基材２において樹脂組成物が含浸されずに露出している領域を示している。このように、空隙層２１を有したプリプレグ１を用いた場合、樹脂組成物は、複数のプリプレグ１を積層する際、繊維基材２に含浸する。また、空隙層２１を有したプリプレグ１を用いることで、複数のプリプレグ１を積層した際、内部に気泡が残留しにくい。このように、空隙層２１を有したプリプレグ１を積層した場合、従来の技術水準では残留してしまっていた気泡を、確実に排除することが可能である。
As described above, the
また、プリプレグ１を積層する際、空隙層２１を有したプリプレグ１を用いることによって、互いに独立した複数の繊維基材２および樹脂組成物を同時に積層する場合と比べ、繊維基材２自体の波打ちを解消することが可能である。つまり、空隙層２１を有したプリプレグ１を用いることによって、ハンドリング性を向上させることが可能である。
Further, when the
空隙層２１を有したプリプレグ１を用いることによって、衝撃吸収力等の機械的強度が、繊維基材２に樹脂組成物が完全に含浸された従来のプリプレグ１と比べて向上する。これは、樹脂よりも空気の方が、衝撃吸収力が高いからである。また、樹脂は変形しやすいという特性を、繊維基材２は変形しにくいが破損しやすいという特性をそれぞれ有している。このため、樹脂を完全に繊維基材２に対して含浸させている場合に発生していた、樹脂の変形に伴い繊維基材２が破損するという懸念を、空隙層２１を設けることによって軽減することが可能である。
By using the
さらに、繊維基材２の他方の面側に、同じ樹脂組成物で構成された樹脂層３２をさらに形成してもよい。この場合、空隙層２１を設けたことにより、当該樹脂層３２と樹脂含浸部３１との接触を、確実に防止することができる。接触を防止する理由としては、プリプレグ１を積層する際、プリプレグ１内の空気を確実に排除することが出来るからである。
Furthermore, you may further form the
（繊維基材）
繊維基材２としては、とくに限定されないが、ガラスクロスなどのガラス繊維基材、ポリベンゾオキサゾール樹脂繊維、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維などのポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維などのポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維などを主成分として構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙などを主成分とする紙基材などの有機繊維基材などが挙げられる。これらの中でも、強度、吸水率の点からガラス繊維基材がとくに好ましい。また、ガラス繊維基材を用いることにより、絶縁層の熱膨張係数をさらに小さくすることができる。
(Fiber base)
The
本実施形態で用いるガラス繊維基材としては、坪量（１ｍ２あたりの繊維基材の重量）が４ｇ／ｍ２以上１５０ｇ／ｍ２以下のものであることが好ましく、より好ましくは８ｇ／ｍ２以上１１０ｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは１２ｇ／ｍ２以上６０ｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは１２ｇ／ｍ２以上３０ｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは１２ｇ／ｍ２以上２４ｇ／ｍ２以下である。 The glass fiber substrate used in the present embodiment preferably has a basis weight (weight of the fiber substrate per 1 m 2 ) of 4 g / m 2 or more and 150 g / m 2 or less, more preferably 8 g / m. 2 or more and 110 g / m 2 or less, more preferably 12 g / m 2 or more and 60 g / m 2 or less, more preferably 12 g / m 2 or more and 30 g / m 2 or less, more preferably 12 g / m 2 or more and 24 g / m 2 or less. is there.
坪量が上記上限値を超える場合は、繊維基材２中の樹脂組成物の含浸性が低下し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の恐れが生じ、また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成が困難になる恐れがある。また、坪量が上記下限値を下回る場合は、ガラス繊維基材やプリプレグ１の強度が下がり、ハンドリングの低下や、プリプレグ１の作製が困難となる恐れや、基板１０の反りの効果が低下する恐れがある。
If the basis weight exceeds the above upper limit value, the impregnation property of the resin composition in the
上記ガラス繊維基材の中でも、とくに、線膨張係数が６ｐｐｍ以下のガラス繊維基材であることが好ましく、３．５ｐｐｍ以下のガラス繊維基材であることがより好ましい。このような線膨張係数を有するガラス繊維基材を用いることにより、本実施形態の積層体１１の反りをさらに抑制することができる。
Among the glass fiber substrates, a glass fiber substrate having a linear expansion coefficient of 6 ppm or less is particularly preferable, and a glass fiber substrate having 3.5 ppm or less is more preferable. By using the glass fiber base material having such a linear expansion coefficient, it is possible to further suppress the warpage of the
さらに、本実施形態で用いるガラス繊維基材を構成する材料の引張弾性率が６０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは６５ＧＰａ以上９２ＧＰａ以下、さらに好ましくは８６ＧＰａ以上９２ＧＰａ以下である。このような引張弾性率を有する繊維基材２を用いることにより、例えば半導体実装時のリフロー熱による配線板の変形を効果的に抑制することができるので、電子部品の接続信頼性がさらに向上する。
Furthermore, it is preferable that the tensile elasticity modulus of the material which comprises the glass fiber base material used by this embodiment is 60 GPa or more and 100 GPa or less, More preferably, it is 65 GPa or more and 92 GPa or less, More preferably, it is 86 GPa or more and 92 GPa or less. By using the
また、本実施形態で用いる繊維基材２は、１ＭＨｚでの誘電率が３．８以上７．０以下であることが好ましく、より好ましくは３．８以上６．８以下、さらに好ましくは３．８以上５．５以下である。このような誘電率を有する繊維基材２を用いることにより、積層体１１の誘電率をさらに低減でき、高速信号を用いた半導体パッケージに好適である。
The
上記のような線膨張係数、引張弾性率および誘電率を有するガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、石英ガラス、ＵＮガラスなどからなるガラス繊維基材が好適に用いられる。 As a glass fiber substrate having the above-described linear expansion coefficient, tensile elastic modulus, and dielectric constant, for example, a glass fiber base made of E glass, S glass, D glass, T glass, NE glass, quartz glass, UN glass, etc. A material is preferably used.
繊維基材２の厚みは、とくに限定されないが、５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１２μｍ以上６０μｍ以下である。このような厚みを有する繊維基材２を用いることにより、プリプレグ１の製造時のハンドリング性がさらに向上し、とくに反り低減効果が顕著である。
Although the thickness of the
繊維基材２の厚みが上記上限値を超える場合は、繊維基材２中の樹脂組成物の含浸性が低下し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の恐れが生じ、また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成が困難になる恐れがある。また、繊維基材２の厚みが上記下限値を下回る場合は、繊維基材２やプリプレグ１の強度が下がり、ハンドリングの低下や、プリプレグ１の作製が困難となる恐れや、基板１０の反りの効果が低下する恐れがある。
When the thickness of the
また、繊維基材２の使用枚数は、一枚に限らず、薄い繊維基材２を複数枚重ねて使用することも可能である。なお、繊維基材２を複数枚重ねて使用する場合は、その合計の厚みが上記の範囲を満たせばよい。
Further, the number of the
また、本実施形態における絶縁層に含まれる繊維基材２と充填材との合計が、５５質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以上８５質量％以下であることがより好ましい。繊維基材２と充填材との合計が上記範囲を満たすと、繊維基材２への樹脂の含浸性、成形性のバランスをとりながら、積層体１１の剛性が高まり、実装時の積層体１１の反りをより一層低減できる。
Moreover, it is preferable that the sum total of the
繊維基材２の平均厚さは、特に限定されないが、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲程度であることがさらに好ましい。特定の厚さの繊維基材２を用いることにより、プリプレグ１の機械的強度を確保しつつ、プリプレグ１自体の薄型化を図ることができる。これに加えて、プリプレグ１に対する孔あけ等の加工を施す際の加工性も、向上することができる。
Although the average thickness of the
また、特定の厚さの繊維基材２を用いることは、プリプレグ１を積層して基板１０にした時、基板１０に対して、メカニカルドリルまたはレーザー照射による貫通孔(スルーホール)を加工する際の加工性も向上することができる。さらには、貫通孔同士間のピッチ間距離が７０μｍ以下の場合、狭ピッチにおける絶縁信頼性の向上を図ることもできる。
Moreover, the use of the
繊維基材２の一方の面側には、樹脂層３２および樹脂含浸部３１が設けられていてもよい。この樹脂層３２および樹脂含浸部３１は、樹脂組成物で構成されている。そして、樹脂組成物の組成は、樹脂層３２および樹脂含浸部３１に要求される特性に応じて、適宜設定される。本実施形態では、樹脂層３２上に配線部４００(導体パターン)を形成するために、樹脂組成物は、金属との密着性に優れるような組成であることが好ましい。このような樹脂組成物については、後に詳述する。
A
本実施形態によれば、樹脂含浸部３１の平均厚さをｔａl μｍとし、空隙層２１の平均厚さをＴ２μｍとしたとき、ｔａl μｍ≧Ｔ２ μｍなる関係を満足することが好ましい。これにより、繊維基材２を確実に保護することができる程度に樹脂含浸部３１ (樹脂組成物)で覆うことができる。
According to the present embodiment, when the average thickness of the resin-impregnated
また、本実施形態によれば、繊維基材２の最大厚さをＴl μｍとしたとき、平均厚さｔａl μｍは、０．５×Ｔl μｍ以上０．９９×Ｔl μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．６×Ｔl μｍ以上０．９×Ｔl μｍ以下の範囲であることがより好ましい。平均厚さｔａl μｍをかかる範囲に設定することにより、樹脂層３２の繊維基材２に対するアンカー効果が発揮される。これにより、樹脂層３２が繊維基材２から剥離することを確実に防ぐことができる。
Moreover, according to this embodiment, when the maximum thickness of the
また、本実施形態によれば、樹脂層３２の平均厚さをｔａ２ μｍとしたとき、平均厚さｔａ２ μｍは、０．０２×ｔａl μｍ以上０．５×ｔａl μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．０５×ｔａl μｍ以上０．３×ｔａl μｍ以下の範囲であることがより好ましい。この関係を満足することで、プリプレグ１の上面側の部分に比較的高い剛性を付与することができる。なお、上記条件を満足する場合、プリプレグ１の上面に設けられた樹脂層３２に配線部４００を高い加工性で形成することができる。具体的には、平均厚さｔａ２ μｍは、０．１μｍ以上１５μｍ以下の範囲であることが好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。
Further, according to this embodiment, when the average thickness of the
本実施形態に使用する樹脂組成物は、例えば、次のような組成とすることが好ましい。 For example, the resin composition used in this embodiment preferably has the following composition.
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂としては、とくに限定されないが、低線膨張率および高弾性率を有し、熱衝撃性の信頼性に優れたものであることが好ましい。
また、熱硬化性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは１６０℃以上３５０℃以下であり、さらに好ましくは１８０℃以上３００℃以下である。このようなガラス転移温度を有する熱硬化性樹脂を用いることにより、鉛フリー半田リフロー耐熱性がさらに向上するという効果が得られる。
(Thermosetting resin)
Although it does not specifically limit as a thermosetting resin, It is preferable that it has a low linear expansion coefficient and a high elasticity modulus, and is excellent in the reliability of thermal shock property.
The glass transition temperature of the thermosetting resin is preferably 160 ° C. or higher and 350 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or higher and 300 ° C. or lower. By using a thermosetting resin having such a glass transition temperature, the effect of further improving the lead-free solder reflow heat resistance can be obtained.
具体的な熱硬化性樹脂として、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用してもよい。
Specific thermosetting resins include, for example, novolac type phenolic resins such as phenol novolak resin, cresol novolac resin, bisphenol A novolak resin, unmodified resole phenolic resin, oil modified resole modified with tung oil, linseed oil, walnut oil, etc. Phenol resin such as phenolic resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol Bisphenol type epoxy resin such as Z type epoxy resin, novolak type epoxy resin such as phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biffe Type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, aryl alkylene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type epoxy resin, fluorene Type epoxy resin, epoxy resin, urea (urea) resin, resin having triazine ring such as melamine resin, unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, resin having benzoxazine ring, Examples include cyanate resin, polyimide resin, polyamideimide resin, and benzocyclobutene resin.
One of these may be used alone, two or more having different weight average molecular weights may be used in combination, and one or two or more thereof and a prepolymer thereof may be used in combination.
これらの中でも、とくにシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。シアネート樹脂を用いることにより、絶縁層１０１の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂は、電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などにも優れる。 Among these, cyanate resins (including prepolymers of cyanate resins) are particularly preferable. By using cyanate resin, the thermal expansion coefficient of the insulating layer 101 can be reduced. Further, the cyanate resin is excellent in electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), mechanical strength, and the like.
シアネート樹脂は、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させたものや、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化したものなどを用いることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂、ビフェニルアルキル型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。したがって、絶縁層などの難燃性を向上させることができる。 Examples of the cyanate resin that can be used include those obtained by reacting a cyanogen halide compound with phenols, and those obtained by prepolymerization by a method such as heating as required. Specifically, bisphenol cyanate resins such as novolac type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin, tetramethylbisphenol F type cyanate resin, naphthol aralkyl type polyvalent naphthols, and cyanogen halides Cyanate resin, dicyclopentadiene-type cyanate resin, biphenylalkyl-type cyanate resin, and the like obtained by the above reaction. Among these, novolac type cyanate resin is preferable. By using the novolac type cyanate resin, the crosslink density is increased and the heat resistance is improved. Therefore, the flame retardance of the insulating layer or the like can be improved.
この理由としては、ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することが挙げられる。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、樹脂層の厚さを０．６ｍｍ以下にした場合であっても、ノボラック型シアネート樹脂を硬化させて作製した絶縁層を含む積層体１１は優れた剛性を有する。とくに、このような積層体１１は加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも優れる。
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
The reason for this is that the novolak cyanate resin forms a triazine ring after the curing reaction. Furthermore, it is considered that novolak-type cyanate resin has a high benzene ring ratio due to its structure and is easily carbonized. Furthermore, even when the thickness of the resin layer is 0.6 mm or less, the laminate 11 including the insulating layer produced by curing the novolac-type cyanate resin has excellent rigidity. In particular, since such a
As a novolak-type cyanate resin, what is shown by the following general formula (I) can be used, for example.
一般式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。ｎの下限は、とくに限定されないが、１以上が好ましく、とくに２以上が好ましい。ｎが小さすぎると、ノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低量体が脱離、揮発する場合がある。また、ｎの上限は、とくに限定されないが、１０以下が好ましく、とくに７以下が好ましい。ｎが大きすぎると溶融粘度が高くなりすぎ、樹脂層の成形性が低下する場合がある。 The average repeating unit n of the novolak type cyanate resin represented by the general formula (I) is an arbitrary integer. The lower limit of n is not particularly limited, but is preferably 1 or more, and particularly preferably 2 or more. When n is too small, the heat resistance of the novolac-type cyanate resin is lowered, and the low polymer may be detached and volatilized during heating. The upper limit of n is not particularly limited, but is preferably 10 or less, particularly preferably 7 or less. If n is too large, the melt viscosity becomes too high, and the moldability of the resin layer may deteriorate.
また、シアネート樹脂としては、下記一般式（II）で表わされるナフトール型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（II）で表わされるナフトール型シアネート樹脂は、α−ナフトールあるいはβ−ナフトールなどのナフトール類とｐ−キシリレングリコール、α，α'−ジメトキシ−ｐ−キシレン、１，４−ジ（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼンなどとの反応により得られるナフトールアラルキル樹脂とシアン酸とを縮合させて得られるものである。一般式（II）のｎは１０以下であることがさらに好ましい。ｎが１０以下の場合、樹脂粘度が高くならず、繊維基材２への含浸性が良好で、積層体１１としての性能を低下させない傾向がある。また、合成時に分子内重合が起こりにくく、水洗時の分液性が向上し、収量の低下を防止できる傾向がある。
As the cyanate resin, a naphthol type cyanate resin represented by the following general formula (II) is also preferably used. The naphthol type cyanate resin represented by the following general formula (II) includes naphthols such as α-naphthol or β-naphthol, p-xylylene glycol, α, α′-dimethoxy-p-xylene, 1,4-di ( It is obtained by condensing naphthol aralkyl resin obtained by reaction with 2-hydroxy-2-propyl) benzene and cyanic acid. In the general formula (II), n is more preferably 10 or less. When n is 10 or less, the resin viscosity does not increase, the impregnation property to the
また、シアネート樹脂としては、下記一般式（III）で表わされるジシクロペンタジエン型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（III）で表わされジシクロペンタジエン型シアネート樹脂は、下記一般式（III）のｎが０以上８以下であることがさらに好ましい。ｎが８以下の場合、樹脂粘度が高くならず、繊維基材２への含浸性が良好で、積層体１１としての性能の低下を防止できる。また、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂を用いることで、低吸湿性、および耐薬品に優れる。
As the cyanate resin, a dicyclopentadiene type cyanate resin represented by the following general formula (III) is also preferably used. In the dicyclopentadiene type cyanate resin represented by the following general formula (III), n in the following general formula (III) is more preferably 0 or more and 8 or less. When n is 8 or less, the resin viscosity is not high, the impregnation property to the
シアネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、とくに限定されないが、Ｍｗ５００以上が好ましく、とくにＭｗ６００以上が好ましい。Ｍｗが小さすぎると樹脂層を作製した場合にタック性が生じ、樹脂層同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、Ｍｗの上限は、とくに限定されないが、Ｍｗ４，５００以下が好ましく、とくにＭｗ３，０００以下が好ましい。また、Ｍｗが大きすぎると反応が速くなりすぎ、回路基板とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。
シアネート樹脂などのＭｗは、例えば、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。
Although the minimum of the weight average molecular weight (Mw) of cyanate resin is not specifically limited, Mw500 or more is preferable and especially Mw600 or more is preferable. If Mw is too small, tackiness may occur when the resin layer is produced, and when the resin layers come into contact with each other, they may adhere to each other or transfer of the resin may occur. The upper limit of Mw is not particularly limited, but is preferably Mw 4,500 or less, and particularly preferably Mw 3,000 or less. Moreover, when Mw is too large, the reaction becomes too fast, and when it is used as a circuit board, a molding defect may occur or the interlayer peel strength may decrease.
Mw such as cyanate resin can be measured by, for example, GPC (gel permeation chromatography, standard substance: converted to polystyrene).
また、とくに限定されないが、シアネート樹脂は１種類を単独で用いてもよいし、異なるＭｗを有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。 Moreover, although it does not specifically limit, cyanate resin may be used individually by 1 type, may use together 2 or more types which have different Mw, and uses 1 type or 2 types and those prepolymers together. May be.
樹脂組成物中に含まれる熱硬化性樹脂の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良くとくに限定されないが、樹脂組成物全体に基づいて５質量％以上９０質量％以下が好ましく、さらに１０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに２０質量％以上５０質量％以下が好ましい。熱硬化性樹脂の含有量が小さすぎるとプリプレグ１のハンドリング性が低下したり、樹脂層を形成するのが困難となる場合があり、含有量が大きすぎると樹脂層の強度や難燃性が低下したり、樹脂層の線膨張係数が増加し積層体１１の反りの低減効果が低下する場合がある。
The content of the thermosetting resin contained in the resin composition is not particularly limited as long as it is appropriately adjusted according to the purpose, but is preferably 5% by mass or more and 90% by mass or less based on the entire resin composition, Furthermore, 10 mass% or more and 80 mass% or less are preferable, and 20 mass% or more and 50 mass% or less are especially preferable. If the content of the thermosetting resin is too small, the handling property of the
熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂）を用いる以外に、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を用いてもよいし、併用してもよい。エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。 In addition to using cyanate resin (particularly novolak-type cyanate resin, naphthol-type cyanate resin, dicyclopentadiene-type cyanate resin) as a thermosetting resin, an epoxy resin (substantially free of halogen atoms) may be used, You may use together. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin and the like. Type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, novolac type epoxy resin such as cresol novolac type epoxy resin, arylphenyl type epoxy resin such as biphenyl type epoxy resin, xylylene type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, Naphthalenediol type epoxy resin, bifunctional or tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, naphthylene ether type epoxy resin, binaphthyl type epoxy resin Naphthalene-type epoxy resins such as xylene resin, naphthalene-aralkyl-type epoxy resin, anthracene-type epoxy resin, phenoxy-type epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin, norbornene-type epoxy resin, adamantane-type epoxy resin, fluorene-type epoxy resin, etc. .
エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。 As an epoxy resin, one of these may be used alone, or two or more having different weight average molecular weights may be used in combination, or one or two or more and those prepolymers may be used in combination. May be.
これらエポキシ樹脂の中でもとくにアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性をさらに向上させることができる。 Among these epoxy resins, aryl alkylene type epoxy resins are particularly preferable. Thereby, moisture-absorbing solder heat resistance and flame retardance can be further improved.
アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば下記一般式（ＩＶ）で示すことができる。 The aryl alkylene type epoxy resin refers to an epoxy resin having one or more aryl alkylene groups in a repeating unit. For example, a xylylene type epoxy resin, a biphenyl dimethylene type epoxy resin, etc. are mentioned. Among these, a biphenyl dimethylene type epoxy resin is preferable. A biphenyl dimethylene type | mold epoxy resin can be shown, for example with the following general formula (IV).
上記一般式（ＩＶ）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。ｎの下限は、とくに限定されないが、１以上が好ましく、とくに２以上が好ましい。ｎが小さすぎると、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。ｎの上限は、とくに限定されないが、１０以下が好ましく、とくに５以下が好ましい。ｎが大きすぎると樹脂の流動性が低下し、成形不良などの原因となる場合がある。 The average repeating unit n of the biphenyl dimethylene type epoxy resin represented by the general formula (IV) is an arbitrary integer. The lower limit of n is not particularly limited, but is preferably 1 or more, and particularly preferably 2 or more. When n is too small, the biphenyl dimethylene type epoxy resin is easily crystallized, and the solubility in a general-purpose solvent is relatively lowered, which may make handling difficult. The upper limit of n is not particularly limited, but is preferably 10 or less, and particularly preferably 5 or less. If n is too large, the fluidity of the resin is lowered, which may cause molding defects.
上記以外のエポキシ樹脂としては縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、低熱膨張性をさらに向上させることができる。 As the epoxy resin other than the above, a novolak type epoxy resin having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure is preferable. Thereby, heat resistance and low thermal expansibility can further be improved.
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、トリフェニレン、およびテトラフェン、その他の縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂である。縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、複数の芳香環が規則的に配列することができるため低熱膨張性に優れる。また、ガラス転移温度も高いため耐熱性に優れる。さらに、繰返し構造の分子量が大きいため従来のノボラック型エポキシに比べ難燃性に優れ、シアネート樹脂と組合せることでシアネート樹脂の弱点の脆弱性を改善することができる。したがって、シアネート樹脂と併用して用いることで、さらにガラス転移温度が高くなるため鉛フリー対応の実装信頼性に優れる。 The novolak type epoxy resin having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure is a novolak type epoxy resin having a naphthalene, anthracene, phenanthrene, tetracene, chrysene, pyrene, triphenylene, and tetraphen or other condensed ring aromatic hydrocarbon structure. . The novolac type epoxy resin having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure is excellent in low thermal expansion because a plurality of aromatic rings can be regularly arranged. Moreover, since the glass transition temperature is also high, it is excellent in heat resistance. Furthermore, since the molecular weight of the repeating structure is large, it is superior in flame retardancy compared to conventional novolak type epoxies, and the weakness of cyanate resin can be improved by combining with cyanate resin. Therefore, when used in combination with a cyanate resin, the glass transition temperature is further increased, so that the lead-free compatible mounting reliability is excellent.
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、フェノール類化合物とホルムアルデヒド類化合物、および縮合環芳香族炭化水素化合物から合成された、ノボラック型フェノール樹脂をエポキシ化したものである。 The novolak-type epoxy resin having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure is obtained by epoxidizing a novolak-type phenol resin synthesized from a phenol compound, a formaldehyde compound, and a condensed ring aromatic hydrocarbon compound.
フェノール類化合物は、とくに限定されないが、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールなどのクレゾール類、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノールなどのキシレノール類、２，３，５トリメチルフェノールなどのトリメチルフェノール類、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノールなどのエチルフェノール類、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｔ−ブチルフェノールなどのアルキルフェノール類、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、カテコール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレンなどのナフタレンジオール類、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、フルオログルシンなどの多価フェノール類、アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノンなどのアルキル多価フェノール類が挙げられる。これらのうち、コスト面および分解反応に与える効果から、フェノールが好ましい。 The phenol compound is not particularly limited, but examples thereof include cresols such as phenol, o-cresol, m-cresol, and p-cresol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2, 6-xylenol, 3,4-xylenol, xylenols such as 3,5-xylenol, trimethylphenols such as 2,3,5 trimethylphenol, ethyl such as o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol Phenols, alkylphenols such as isopropylphenol, butylphenol, t-butylphenol, o-phenylphenol, m-phenylphenol, p-phenylphenol, catechol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene , 2,7-naphthalene diols such as dihydroxynaphthalene, resorcinol, catechol, hydroquinone, pyrogallol, polyhydric phenols such as fluoro Guru Singh, alkyl resorcinol, alkyl catechol, alkyl polyhydric phenols such as alkyl hydroquinone. Of these, phenol is preferable from the viewpoint of cost and the effect on the decomposition reaction.
アルデヒド類化合物は、とくに限定されないが、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ-ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ-トルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシ−３−メトキシアルデヒドパラホルムアルデヒドなどが挙げられる。 The aldehyde compound is not particularly limited, and examples thereof include formaldehyde, paraformaldehyde, trioxane, acetaldehyde, propionaldehyde, polyoxymethylene, chloral, hexamethylenetetramine, furfural, glyoxal, n-butyraldehyde, caproaldehyde, allylaldehyde, Examples include benzaldehyde, crotonaldehyde, acrolein, tetraoxymethylene, phenylacetaldehyde, o-tolualdehyde, salicylaldehyde, dihydroxybenzaldehyde, trihydroxybenzaldehyde, 4-hydroxy-3-methoxyaldehyde paraformaldehyde and the like.
縮合環芳香族炭化水素化合物は、とくに限定されないが、例えば、メトキシナフタレン、ブトキシナフタレンなどのナフタレン誘導体、メトキシアントラセンなどのアントラセン誘導体、メトキシフェナントレンなどのフェナントレン誘導体、その他テトラセン誘導体、クリセン誘導体、ピレン誘導体、誘導体トリフェニレン、およびテトラフェン誘導体などが挙げられる。 Although the condensed ring aromatic hydrocarbon compound is not particularly limited, for example, naphthalene derivatives such as methoxynaphthalene and butoxynaphthalene, anthracene derivatives such as methoxyanthracene, phenanthrene derivatives such as methoxyphenanthrene, other tetracene derivatives, chrysene derivatives, pyrene derivatives, Derivatives such as triphenylene and tetraphen derivatives are mentioned.
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、とくに限定されないが、例えば、メトキシナフタレン変性オルトクレゾールノボラックエポキシ、ブトキシナフタレン変性メタ（パラ）クレゾールノボラックエポキシ、およびメトキシナフタレン変性ノボラックエポキシなどが挙げられる。これらの中でも、下記式（Ｖ）で表される縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。 The novolak-type epoxy resin having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure is not particularly limited, and examples thereof include methoxynaphthalene-modified orthocresol novolak epoxy, butoxynaphthalene-modified meta (para) cresol novolak epoxy, and methoxynaphthalene-modified novolak epoxy. It is done. Among these, a novolac type epoxy resin having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure represented by the following formula (V) is preferable.
（式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基であり、Ｒは互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基で、ｎ、ｐ、およびｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。） (In the formula, Ar is a condensed ring aromatic hydrocarbon group, R may be the same or different from each other, and is a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a halogen element, a phenyl group, A group selected from an aryl group such as a benzyl group and an organic group containing glycidyl ether, n, p and q are integers of 1 or more, and the values of p and q may be the same or different for each repeating unit. May be.)
（式（Ｖ）中のＡｒは、式（ＶＩ）中の（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造であり、式（ＶＩ）中のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基である。） (Ar in the formula (V) is a structure represented by (Ar1) to (Ar4) in the formula (VI), and Rs in the formula (VI) may be the same or different from each other. It is often a group selected from a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a halogen element, an aryl group such as a phenyl group and a benzyl group, and an organic group including glycidyl ether.)
さらに上記以外のエポキシ樹脂としてはナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、低熱膨張性をさらに向上させることができる。また、ベンゼン環に比べナフタレン環のπ−πスタッキン効果が高いため、特に、低熱膨張性、低熱収縮性に優れる。更に、多環構造のため剛直効果が高く、ガラス転移温度が特に高いため、リフロー前後の熱収縮変化が小さい。ナフトール型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式（ＶＩＩ−１）、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂としては下記式（ＶＩＩ−２）、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂としては下記式（ＶＩＩ−３）（ＶＩＩ−４）（ＶＩＩ−５）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式（ＶＩＩ−６）で示すことができる。 Further, as the epoxy resin other than the above, naphthalene type epoxy resins such as naphthol type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, bifunctional or tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, naphthylene ether type epoxy resin and the like are preferable. Thereby, heat resistance and low thermal expansibility can further be improved. In addition, since the naphthalene ring has a higher π-π stacking effect than a benzene ring, it is particularly excellent in low thermal expansion and low thermal shrinkage. Furthermore, since the polycyclic structure has a high rigidity effect and the glass transition temperature is particularly high, the change in heat shrinkage before and after reflow is small. As a naphthol type epoxy resin, for example, the following general formula (VII-1), as a naphthalene diol type epoxy resin, the following formula (VII-2), as a bifunctional or tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, the following formula (VII-3): As (VII-4) (VII-5) and a naphthylene ether type epoxy resin, it can show by the following general formula (VII-6), for example.
エポキシ樹脂の含有量の下限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体において１質量％以上が好ましく、とくに２質量％以上が好ましい。含有量が小さすぎるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合がある。エポキシ樹脂の含有量の上限は、とくに限定されないが、５５質量％以下が好ましく、とくに４０質量％以下が好ましい。含有量が大きすぎると耐熱性が低下する場合がある。 Although the minimum of content of an epoxy resin is not specifically limited, 1 mass% or more is preferable in the whole resin composition, and 2 mass% or more is especially preferable. If the content is too small, the reactivity of the cyanate resin may decrease, or the moisture resistance of the resulting product may decrease. Although the upper limit of content of an epoxy resin is not specifically limited, 55 mass% or less is preferable and especially 40 mass% or less is preferable. If the content is too large, the heat resistance may decrease.
エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、とくに限定されないが、Ｍｗ５００以上が好ましく、とくにＭｗ８００以上が好ましい。Ｍｗが小さすぎると樹脂層にタック性が生じる場合がある。Ｍｗの上限は、とくに限定されないが、Ｍｗ２０，０００以下が好ましく、とくにＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが大きすぎると樹脂層作製時、繊維基材２への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。エポキシ樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。
Although the minimum of the weight average molecular weight (Mw) of an epoxy resin is not specifically limited, Mw500 or more is preferable and especially Mw800 or more is preferable. If Mw is too small, tackiness may occur in the resin layer. The upper limit of Mw is not particularly limited, but is preferably Mw 20,000 or less, and particularly preferably Mw 15,000 or less. If Mw is too large, the impregnation property to the
熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂）やエポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、とくにビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂）を用いる場合、さらにフェノール樹脂を用いることが好ましい。フェノール樹脂としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。これらの中でも、とくにアリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。 Cyanate resins (especially novolac-type cyanate resins, naphthol-type cyanate resins, dicyclopentadiene-type cyanate resins) and epoxy resins (arylalkylene-type epoxy resins, especially biphenyldimethylene-type epoxy resins, condensed ring aromatic hydrocarbons) In the case of using a novolak type epoxy resin or a naphthol type epoxy resin having a structure, it is preferable to use a phenol resin. Examples of the phenol resin include novolac type phenol resins, resol type phenol resins, aryl alkylene type phenol resins, and the like. As a phenol resin, one of these may be used alone, two or more having different weight average molecular weights may be used in combination, and one or two or more thereof and a prepolymer thereof may be used in combination. May be. Among these, aryl alkylene type phenol resins are particularly preferable. Thereby, moisture absorption solder heat resistance can be improved further.
アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂などが挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば、下記一般式（ＶＩＩＩ）で示すことができる。 Examples of the aryl alkylene type phenol resin include a xylylene type phenol resin and a biphenyl dimethylene type phenol resin. A biphenyl dimethylene type phenol resin can be shown by the following general formula (VIII), for example.
上記一般式（ＶＩＩＩ）で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂の繰り返し単位ｎは任意の整数である。ｎの下限は、とくに限定されないが、１以上が好ましく、とくに２以上が好ましい。ｎが小さすぎると耐熱性が低下する場合がある。また、繰り返し単位ｎの上限は、とくに限定されないが、１２以下が好ましく、とくに８以下が好ましい。また、ｎが大きすぎると他の樹脂との相溶性が低下し、作業性が低下する場合がある。 The repeating unit n of the biphenyl dimethylene type phenol resin represented by the general formula (VIII) is an arbitrary integer. The lower limit of n is not particularly limited, but is preferably 1 or more, and particularly preferably 2 or more. If n is too small, the heat resistance may decrease. Further, the upper limit of the repeating unit n is not particularly limited, but is preferably 12 or less, particularly preferably 8 or less. On the other hand, if n is too large, compatibility with other resins may be reduced, and workability may be reduced.
前述のシアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂）やエポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、とくにビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂）とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、反応性を容易に制御できる。 Cyanate resin (especially novolac-type cyanate resin, naphthol-type cyanate resin, dicyclopentadiene-type cyanate resin) and epoxy resin (arylalkylene-type epoxy resin, especially biphenyldimethylene-type epoxy resin, condensed ring aromatic hydrocarbon structure) A combination of a novolac type epoxy resin or a naphthol type epoxy resin) and an arylalkylene type phenol resin can control the crosslinking density and easily control the reactivity.
フェノール樹脂の含有量の下限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体において１質量％以上が好ましく、とくに５質量％以上が好ましい。フェノール樹脂の含有量が小さすぎると耐熱性が低下する場合がある。また、フェノール樹脂の含有量の上限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体において５５質量％以下が好ましく、とくに４０質量％以下が好ましい。フェノール樹脂の含有量が大きすぎると低熱膨張の特性が損なわれる場合がある。 Although the minimum of content of a phenol resin is not specifically limited, 1 mass% or more is preferable in the whole resin composition, and 5 mass% or more is especially preferable. If the content of the phenol resin is too small, the heat resistance may decrease. Moreover, the upper limit of content of a phenol resin is not specifically limited, However, 55 mass% or less is preferable in the whole resin composition, and 40 mass% or less is especially preferable. If the content of the phenol resin is too large, the low thermal expansion property may be impaired.
フェノール樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、とくに限定されないが、Ｍｗ４００以上が好ましく、とくにＭｗ５００以上が好ましい。Ｍｗが小さすぎると樹脂層にタック性が生じる場合が有る。また、フェノール樹脂のＭｗの上限は、とくに限定されないが、Ｍｗ１８，０００以下が好ましく、とくにＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが大きすぎると樹脂層の作製時、繊維基材２への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。フェノール樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。
Although the minimum of the weight average molecular weight (Mw) of a phenol resin is not specifically limited, Mw400 or more is preferable and especially Mw500 or more is preferable. If Mw is too small, tackiness may occur in the resin layer. Moreover, the upper limit of Mw of the phenol resin is not particularly limited, but Mw is preferably 18,000 or less, and particularly preferably Mw 15,000 or less. If Mw is too large, the impregnation property to the
さらに、シアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂）とフェノール樹脂（アリールアルキレン型フェノール樹脂、とくにビフェニルジメチレン型フェノール樹脂）とエポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、とくにビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂）との組合せを用いて基板１０（とくに回路基板）を作製した場合、とくに優れた寸法安定性を得ることができる。 Furthermore, cyanate resins (especially novolac-type cyanate resins, naphthol-type cyanate resins, dicyclopentadiene-type cyanate resins), phenol resins (arylalkylene-type phenol resins, especially biphenyldimethylene-type phenol resins), and epoxy resins (arylalkylene-type epoxy resins) In particular, when the substrate 10 (particularly a circuit board) is produced using a combination with a biphenyl dimethylene type epoxy resin, a novolak type epoxy resin having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure, or a naphthol type epoxy resin), the dimensions are particularly excellent. Stability can be obtained.
また、樹脂組成物は無機充填材をさらに含んでいる。これにより、積層体１１を薄型化しても、より一層優れた機械的強度を付与することができる。さらに、積層体１１の低熱膨張化をより一層向上させることができる。
The resin composition further includes an inorganic filler. Thereby, even if the
（充填材）
充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。
(Filler)
Examples of the filler include silicates such as talc, calcined clay, unfired clay, mica and glass, oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica and fused silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite and the like. Carbonates, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite, zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, boron Examples thereof include borates such as calcium oxide and sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, and carbon nitride, and titanates such as strontium titanate and barium titanate.
充填材として、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、とくにシリカが好ましく、溶融シリカ（とくに球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。溶融シリカの形状には破砕状および球状がある。繊維基材２への含浸性を確保するためには、樹脂組成物の溶融粘度を下げるため球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法を採用することができる。
As the filler, one of these may be used alone, or two or more may be used in combination. Among these, silica is particularly preferable, and fused silica (especially spherical fused silica) is preferable in terms of excellent low thermal expansion. The fused silica has a crushed shape and a spherical shape. In order to ensure the impregnation property to the
充填材の平均粒子径の下限は、とくに限定されないが、０．０１μｍ以上が好ましく、とくに０．１μｍ以上が好ましい。充填材の粒径が小さすぎるとワニスの粘度が高くなるため、プリプレグ１作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、平均粒子径の上限は、とくに限定されないが、５．０μｍ以下が好ましく、とくに２．０μｍ以下が好ましい。充填材の粒径が大きすぎると、ワニス中で充填剤の沈降などの現象が起こり、均一な樹脂層を得ることが困難になる場合がある。また、内層基板の導体回路がＬ／Ｓが２０／２０μｍを下回る際には、配線間の絶縁性に影響する場合がある。
Although the minimum of the average particle diameter of a filler is not specifically limited, 0.01 micrometer or more is preferable and especially 0.1 micrometer or more is preferable. If the particle size of the filler is too small, the viscosity of the varnish becomes high, which may affect the workability at the time of preparing the
充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とする。 The average particle size of the filler is measured by, for example, a particle size distribution of the particles on a volume basis with a laser diffraction particle size distribution measuring device (manufactured by HORIBA, LA-500), and the median diameter (D50) is defined as the average particle size. .
また充填材はとくに限定されないが、平均粒子径が単分散の充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の充填材を１種類または２種類以上で併用してもよい。 Further, the filler is not particularly limited, but a monodisperse filler having an average particle diameter may be used, or a polydisperse filler having an average particle diameter may be used. Furthermore, a monodispersed and / or polydispersed filler having an average particle size may be used alone or in combination of two or more.
さらに充填材は、平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカ（とくに球状溶融シリカ）が好ましく、とくに平均粒子径０．０１μｍ以上２．０μｍ以下の球状溶融シリカが好ましい。これにより、充填材の充填性をさらに向上させることができる。 Furthermore, the filler is preferably spherical silica (particularly spherical fused silica) having an average particle size of 5.0 μm or less, and particularly preferably spherical fused silica having an average particle size of 0.01 μm or more and 2.0 μm or less. Thereby, the filling property of the filler can be further improved.
充填材の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体において２０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに３０質量％以上７５質量％以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、とくに低熱膨張、低吸水とすることができる。 Although content of a filler is not specifically limited, 20 mass% or more and 80 mass% or less are preferable in the whole resin composition, and 30 mass% or more and 75 mass% or less are especially preferable. When the content is within the above range, particularly low thermal expansion and low water absorption can be achieved.
また、本実施の形態に用いる樹脂組成物は、ゴム成分も配合することができ、例えば、ゴム粒子を用いることができる。ゴム粒子の好ましい例としては、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。 The resin composition used in the present embodiment can also contain a rubber component, and for example, rubber particles can be used. Preferable examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrene butadiene rubber particles, acrylic rubber particles, and silicone particles.
コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、または外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドＡＣ３８３２、ＡＣ３８１６Ｎ（商品名、ガンツ化成社製）、メタブレンＫＷ−４４２６（商品名、三菱レイヨン社製）が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（平均粒子径０．５μｍ、ＪＳＲ社製）などが挙げられる。 The core-shell type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer. For example, a two-layer structure in which an outer shell layer is formed of a glassy polymer and an inner core layer is formed of a rubbery polymer, or Examples include a three-layer structure in which the outer shell layer is made of a glassy polymer, the intermediate layer is made of a rubbery polymer, and the core layer is made of a glassy polymer. The glassy polymer layer is made of, for example, a polymer of methyl methacrylate, and the rubbery polymer layer is made of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). Specific examples of the core-shell type rubber particles include Staphyloid AC3832, AC3816N (trade names, manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.), and Metabrene KW-4426 (trade names, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.). Specific examples of the crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle size: 0.5 μm, manufactured by JSR).
架橋スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＳＫ−５００（平均粒子径０．５μｍ、ＪＳＲ社製）などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンＷ３００Ａ（平均粒子径０．１μｍ）、Ｗ４５０Ａ（平均粒子径０．２μｍ）（三菱レイヨン社製）などが挙げられる。 Specific examples of the crosslinked styrene butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle size 0.5 μm, manufactured by JSR). Specific examples of the acrylic rubber particles include methabrene W300A (average particle size 0.1 μm), W450A (average particle size 0.2 μm) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.), and the like.
シリコーン粒子は、オルガノポリシロキサンで形成されたゴム弾性微粒子であればとくに限定されず、例えば、シリコーンゴム（オルガノポリシロキサン架橋エラストマー）そのものからなる微粒子、および二次元架橋主体のシリコーンからなるコア部を三次元架橋型主体のシリコーンで被覆したコアシェル構造粒子などが挙げられる。シリコーンゴム微粒子としては、ＫＭＰ−６０５、ＫＭＰ−６００、ＫＭＰ−５９７、ＫＭＰ−５９４（信越化学社製）、トレフィルＥ−５００、トレフィルＥ−６００（東レ・ダウコーニング社製）などの市販品を用いることができる。 The silicone particles are not particularly limited as long as they are rubber elastic fine particles formed of organopolysiloxane. For example, fine particles made of silicone rubber (organopolysiloxane crosslinked elastomer) itself and a core portion made of silicone mainly composed of two-dimensional crosslinks. Examples thereof include core-shell structure particles coated with silicone mainly composed of a three-dimensional crosslinking type. As silicone rubber fine particles, commercially available products such as KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Trefil E-500, Trefil E-600 (manufactured by Toray Dow Corning), etc. Can be used.
ゴム粒子の含有量は、とくに限定されないが、上記の無機充填材を合わせて、樹脂組成物全体に基づいて２０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに３０質量％以上７５質量％以下が好ましい。含有量が範囲内であると、とくに低吸水とすることができる。 The content of the rubber particles is not particularly limited, but is preferably 20% by mass or more and 80% by mass or less, and particularly preferably 30% by mass or more and 75% by mass or less based on the entire resin composition, including the above inorganic filler. . When the content is within the range, particularly low water absorption can be achieved.
（その他の添加剤）
このほか、必要に応じて、樹脂組成物にはカップリング剤、硬化促進剤、硬化剤、熱可塑性樹脂、有機充填材などの添加剤を適宜配合することができる。本発明で用いられる樹脂組成物は、上記成分を有機溶剤などにより溶解および／または分散させた液状形態で好適に用いることができる。
(Other additives)
In addition, additives such as a coupling agent, a curing accelerator, a curing agent, a thermoplastic resin, and an organic filler can be appropriately blended in the resin composition as necessary. The resin composition used in the present invention can be suitably used in a liquid form in which the above components are dissolved and / or dispersed with an organic solvent or the like.
カップリング剤の使用により、熱硬化性樹脂と充填材との界面の濡れ性が向上し、繊維基材２に対して樹脂組成物を均一に定着させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、耐熱性、とくに吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
By using the coupling agent, the wettability of the interface between the thermosetting resin and the filler is improved, and the resin composition can be uniformly fixed to the
カップリング剤としては、カップリング剤として通常用いられるものであれば使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることができる。 As the coupling agent, any of those usually used as a coupling agent can be used. Specifically, an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a titanate coupling agent, and silicone. It is preferable to use one or more coupling agents selected from oil-type coupling agents. Thereby, the wettability with the interface of a filler can be made high, and thereby heat resistance can be improved more.
カップリング剤の添加量の下限は、充填材の比表面積に依存するのでとくに限定されないが、充填材１００質量部に対して０．０５質量部以上、とくに０．１質量部以上が好ましい。カップリング剤の含有量が少なすぎると充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。また、添加量の上限は、とくに限定されないが、３質量部以下が好ましく、とくに２質量部以下が好ましい。含有量が多すぎると反応に影響を与え、曲げ強度などが低下する場合がある。 The lower limit of the addition amount of the coupling agent is not particularly limited because it depends on the specific surface area of the filler, but is preferably 0.05 parts by mass or more, particularly 0.1 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the filler. If the content of the coupling agent is too low, the effect of improving the heat resistance may be lowered because the filler cannot be sufficiently covered. The upper limit of the amount added is not particularly limited, but is preferably 3 parts by mass or less, and particularly preferably 2 parts by mass or less. If the content is too large, the reaction may be affected, and the bending strength may decrease.
硬化促進剤としては公知のものを用いることができる。例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、オニウム塩化合物など、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いてもよいし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用してもよい。
オニウム塩化合物は、とくに限定されないが、例えば、下記一般式（ＩＸ）で表されるオニウム塩化合物を用いることができる。
A well-known thing can be used as a hardening accelerator. For example, organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, zinc octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III), triethylamine, tributylamine, Tertiary amines such as diazabicyclo [2,2,2] octane, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl Imidazoles such as -5-hydroxyimidazole and 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenolic compounds such as phenol, bisphenol A and nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid and paratoluenesulfonic acid. Etc. um salt compound, or a mixture thereof. As the curing accelerator, one kind including these derivatives may be used alone, or two or more kinds including these derivatives may be used in combination.
The onium salt compound is not particularly limited, and for example, an onium salt compound represented by the following general formula (IX) can be used.
（式中、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ−は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す。）
(Wherein P is a phosphorus atom,
硬化促進剤の含有量の下限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体の０．００５質量％以上が好ましく、とくに０．０１質量％以上が好ましい。含有量が少なすぎると硬化を促進する効果が現れない場合がある。含有量上限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体の５質量％以下が好ましく、とくに２質量％以下が好ましい。含有量が多すぎるとプリプレグ１の保存性が低下する場合がある。
Although the minimum of content of a hardening accelerator is not specifically limited, 0.005 mass% or more of the whole resin composition is preferable, and 0.01 mass% or more is especially preferable. If the content is too small, the effect of promoting curing may not appear. The upper limit of the content is not particularly limited, but is preferably 5% by mass or less, and particularly preferably 2% by mass or less, based on the entire resin composition. When there is too much content, the preservability of the
樹脂組成物では、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用してもよい。 In the resin composition, phenoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyphenylene oxide resin, polyethersulfone resin, polyester resin, polyethylene resin, polystyrene resin and other thermoplastic resins, styrene-butadiene copolymer, styrene-isoprene copolymer Polystyrene thermoplastic elastomers such as coalescence, polyolefin thermoplastic elastomers, polyamide elastomers, polyester elastomers and other thermoplastic elastomers, and polybutadiene, epoxy modified polybutadiene, acrylic modified polybutadiene, methacrylic modified polybutadiene and other diene elastomers are used in combination. May be.
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂などが挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。 Examples of the phenoxy resin include a phenoxy resin having a bisphenol skeleton, a phenoxy resin having a naphthalene skeleton, a phenoxy resin having an anthracene skeleton, and a phenoxy resin having a biphenyl skeleton. A phenoxy resin having a structure having a plurality of these skeletons can also be used.
これらの中でも、フェノキシ樹脂には、ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性により、フェノキシ樹脂のガラス転移温度を高くすることができるとともに、ビスフェノールＳ骨格の存在により、フェノキシ樹脂と金属との密着性を向上させることができる。その結果、積層体１１の耐熱性の向上を図ることができるとともに、回路基板を製造する際に、積層体１１に対する配線層の密着性を向上させることができる。また、フェノキシ樹脂には、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのも好ましい。これにより、回路基板の製造時に、配線層の積層体１１への密着性をさらに向上させることができる。
また、下記一般式（Ｘ）で表されるビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂を用いるのも好ましい。
Among these, it is preferable to use a phenoxy resin having a biphenyl skeleton and a bisphenol S skeleton as the phenoxy resin. Thereby, the glass transition temperature of the phenoxy resin can be increased due to the rigidity of the biphenyl skeleton, and the adhesion between the phenoxy resin and the metal can be improved due to the presence of the bisphenol S skeleton. As a result, the heat resistance of the
It is also preferable to use a phenoxy resin having a bisphenolacetophenone structure represented by the following general formula (X).
（式中、Ｒ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ３ は、水素原子または炭素数１以上１０以下の炭化水素基であり、ｍは０以上５以下の整数である。） (In the formula, R1 may be the same or different, and is a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a group selected from halogen elements, and R2 is a hydrogen atom, 1 carbon atom) And a group selected from a hydrocarbon group having 10 or less or a halogen element, R3 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and m is an integer of 0 to 5).
ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂は、嵩高い構造を持っているため、溶剤溶解性や、配合する熱硬化性樹脂成分との相溶性に優れる。また、低粗度で均一な粗面を形成することができるため微細配線形成性に優れる。 Since the phenoxy resin containing a bisphenol acetophenone structure has a bulky structure, it is excellent in solvent solubility and compatibility with the thermosetting resin component to be blended. Moreover, since a uniform rough surface can be formed with low roughness, the fine wiring formability is excellent.
ビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂を触媒で高分子量化させる方法などの公知の方法で合成することができる。 The phenoxy resin having a bisphenol acetophenone structure can be synthesized by a known method such as a method in which an epoxy resin and a phenol resin are polymerized with a catalyst.
ビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂は、一般式（Ｘ）のビスフェノールアセトフェノン構造以外の構造が含まれていても良く、その構造は特に限定されないが、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型の構造などが挙げられる。中でも、ビフェニル型の構造を含むものが、ガラス転移温度が高く好ましい。 The phenoxy resin having a bisphenol acetophenone structure may contain a structure other than the bisphenol acetophenone structure of the general formula (X), and the structure is not particularly limited, but bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, biphenyl Type, phenol novolac type, cresol novolac type structure and the like. Among them, those containing a biphenyl structure are preferable because of their high glass transition temperature.
ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂中の一般式（Ｘ）のビスフェノールアセトフェノン構造の含有量はとくに限定されないが、５モル％以上９５モル％以下が好ましく、より好ましくは１０モル％以上８５モル％以下であり、さらに好ましくは１５モル％以上７５モル％以下である。含有量が下限値に満たないと、耐熱性、耐湿信頼性を向上させる効果が得られない可能性がある。また、含有量が上限値を超えると、溶剤溶解性が悪くなるため、好ましくない。 The content of the bisphenol acetophenone structure of the general formula (X) in the phenoxy resin containing a bisphenol acetophenone structure is not particularly limited, but is preferably 5 mol% to 95 mol%, more preferably 10 mol% to 85 mol%. More preferably, it is 15 mol% or more and 75 mol% or less. If the content is less than the lower limit, the effect of improving heat resistance and moisture resistance reliability may not be obtained. Moreover, since solvent solubility will worsen when content exceeds an upper limit, it is unpreferable.
フェノキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、とくに限定されないが、Ｍｗ５，０００以上１００，０００以下が好ましく、１０，０００以上７０，０００以下がさらに好ましく２０，０００以上５０，０００以下が最も好ましい。Ｍｗが上限値を超えると、他の樹脂との相溶性や溶剤への溶解性が極めて悪くなるため好ましくなく、下限値未満であると、製膜性が悪くなり、回路基板の製造に用いる場合に、不具合を生じるため好ましくない。 The weight average molecular weight (Mw) of the phenoxy resin is not particularly limited, but is preferably from 5,000 to 100,000, more preferably from 10,000 to 70,000, and most preferably from 20,000 to 50,000. When Mw exceeds the upper limit, the compatibility with other resins and the solubility in a solvent are extremely poor, which is not preferable. When the Mw is less than the lower limit, the film-forming property is deteriorated and used for manufacturing a circuit board. In addition, it is not preferable because it causes a problem.
フェノキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、充填材を除く樹脂組成物の５質量％以上４０質量％以下が好ましく、とくに１０質量％以上２０質量％以下が好ましい。含有量が上記下限値未満であると樹脂層の機械強度が低下したり、導体回路とのメッキ密着性が低下したりする場合があり、上記上限値を超えると絶縁層の熱膨張率が高くなり、耐熱性が低下したりする場合がある。 The content of the phenoxy resin is not particularly limited, but is preferably 5% by mass or more and 40% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or more and 20% by mass or less of the resin composition excluding the filler. If the content is less than the above lower limit, the mechanical strength of the resin layer may decrease or the plating adhesion with the conductor circuit may decrease, and if the content exceeds the upper limit, the thermal expansion coefficient of the insulating layer is high. The heat resistance may decrease.
さらに、樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。 Further, the resin composition may contain additives other than the above components such as pigments, dyes, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, and ion scavengers as necessary. It may be added.
顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青などの無機顔料、フタロシアニンなどの多環顔料、アゾ顔料などが挙げられる。 Examples of pigments include kaolin, synthetic iron oxide red, cadmium yellow, nickel titanium yellow, strontium yellow, hydrous chromium oxide, chromium oxide, cobalt aluminate, synthetic ultramarine blue and other inorganic pigments, phthalocyanine polycyclic pigments, azo pigments, etc. Etc.
染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン 、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン 、アントラキノン、インジゴイド 、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン 、フタロシアニン、アゾメチンなどが挙げられる。 Examples of the dye include isoindolinone, isoindoline, quinophthalone, xanthene, diketopyrrolopyrrole, perylene, perinone, anthraquinone, indigoid, oxazine, quinacridone, benzimidazolone, violanthrone, phthalocyanine, and azomethine.
プリプレグ１全体の面方向の熱膨張係数は、特に限定されないが、１６ｐｐｍ以下であることが好ましく、１２ｐｐｍ以下であることがより好ましく、５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の範囲であることがさらに好ましい。プリプレグ１の熱膨張係数が上述の範囲内であるとき、得られる基板１０において、繰り返しの熱衝撃に対する耐クラック性が向上する。
The coefficient of thermal expansion in the plane direction of the
プリプレグ１における面方向の熱膨張係数は、例えば、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１００Ｃ／分で昇温して評価することができる。
The thermal expansion coefficient in the plane direction of the
次に、本実施形態に係るプリプレグの製造方法について説明する。 Next, the manufacturing method of the prepreg which concerns on this embodiment is demonstrated.
本実施形態に係るプリプレグの製造方法は、繊維基材２の少なくとも一方の面側に樹脂組成物を供給し樹脂層３２を形成するとともに、繊維基材２の少なくとも一部に空隙層２１を形成する工程を含むものである。
In the prepreg manufacturing method according to the present embodiment, the resin composition is supplied to at least one surface side of the
なお、樹脂組成物を繊維基材２の一方の面側に含浸させてもよく、これに伴い、繊維基材２に樹脂組成物を含浸してなる樹脂含浸部３１を形成してもよい。
In addition, the resin composition may be impregnated on one surface side of the
以下に、本実施形態に係るプリプレグの製造方法について詳説する。 Below, the manufacturing method of the prepreg which concerns on this embodiment is explained in full detail.
まず、繊維基材２の少なくとも一方の一面に樹脂組成物を供給する。繊維基材２への樹脂の供給は、後述で説明する方法１、あるいは方法２を採用することができる。
First, a resin composition is supplied to at least one surface of the
（方法１）
樹脂組成物の供給に、ロール・ツゥ・ロール方式を採用する。こうすることで、樹脂層３２、空隙層２１の厚みをそれぞれ調節することが可能である。
(Method 1)
A roll-to-roll system is adopted for supplying the resin composition. By doing so, it is possible to adjust the thicknesses of the
なお、樹脂組成物の供給に、ロール・ツゥ・ロール方式を採用した場合、繊維基材２の一面に樹脂組成物を含浸させ、樹脂含浸部３１を形成することも可能である。このように、樹脂含浸部３１形成して、繊維基材層３３を保護することが可能である。
When a roll-to-roll method is adopted for supplying the resin composition, the resin impregnated
ロール・ツゥ・ロール方式とは、間隔をおいて互いに対向配置された一対のローラーを用いる手法である。ローラーの間隔は、適宜設定することが可能である。本実施形態に係るプリプレグ１の製造方法では、まず、１対のローラーの間に繊維基材２を配置する。このローラーに対して、繊維基材２の挿入方向を入口側、繊維基材２の進行方向を出口側とした時、入口側において繊維基材２をローラーに挿入する直前に、樹脂組成物は、繊維基材２に供給される。次に、繊維基材２が出口側に抜けるように一対のローラー内に侵入する。こうすることで、繊維基材２表面に供給された樹脂組成物は、目的の厚さになるように押し広げられる。なお、樹脂層や空隙層２１の厚みは、その用途に応じて、ローラーの間隔および樹脂組成物の供給量を変更することにより、簡便に変更することが可能である。
The roll-to-roll method is a method that uses a pair of rollers that are arranged to face each other with a gap therebetween. The interval between the rollers can be set as appropriate. In the method for manufacturing the
なお、繊維基材２に樹脂組成物を供給する際、半固形状の樹脂組成物をラミネートして樹脂層３２を形成する方法を採用する。この手法は、均一な厚さの空隙層２１を形成するという点で、好ましい。
In addition, when supplying a resin composition to the
（方法２）
繊維基材２に樹脂組成物を供給する際、繊維基材２に対して液状の樹脂組成物を供給し、繊維基材２上で硬化させる方法を採用する。
(Method 2)
When supplying a resin composition to the
この手法を採用した場合、具体的には、樹脂組成物のワニスを、繊維基材２の一方の面側に供給、含浸する。その後、この樹脂組成物のワニスを硬化（Ｂ−ステージ状態または任意の硬化状態）して、樹脂層３２および樹脂含浸部３１を形成する。
When this method is adopted, specifically, the varnish of the resin composition is supplied and impregnated on one surface side of the
なお、樹脂組成物を繊維基材２に含浸させて樹脂含浸部３１を確実に形成するには、例えば、含浸温度または含浸時間を適宜調整することにより、当該形成を行なうことができる。また、樹脂組成物のワニスを繊維基材２に供給する際には、ワニスを供給するのと反対側の面から吸引操作を行うようにしてもよい。これにより、樹脂組成物が繊維基材２２に確実に含浸して樹脂含浸部３１が形成される。このような吸引操作を行なう場合、その吸引時間や吸引力を適宜調整することにより、樹脂含浸部３１の形成をより確実に行なうことができる。また、繊維基材２に振動を与えつつ、ワニスを供給するようにしてもよい。これにより、樹脂組成物の繊維基材２の含浸は促進される。
In order to reliably form the resin-impregnated
次に、本実施形態に係る効果について説明する。 Next, effects according to the present embodiment will be described.
本実施形態に係るプリプレグ１は、繊維基材２中の少なくとも一部に、樹脂組成物の含浸していない空隙層２１を設けている。空隙層２１を設けたプリプレグ１を製造することによって、後述で説明するように、プリプレグ１を積層した際、空気が抜けやすく気泡が樹脂内に残留してしまうことを防止することができる。また、外部からの衝撃を空隙層２１によって吸収することも可能である。これにより、繊維基材２自体の破損防止につながり、機械的強度が向上したプリプレグ１を提供することができる。
In the
（第二の実施形態）
図３は、本実施形態に係るプリプレグの断面図である。
図３に示すように、繊維基材２の両面に、互いに組成の異なる樹脂組成物を用いて樹脂層３２が形成している点で第一の実施形態と異なっている。一方の面に、第一の樹脂組成物によって構成された第１の樹脂層４が、他方の面に第二の樹脂組成物によって形成された第２の樹脂層５が設けられている。なお、空隙層２１については、第一の実施形態と同様に、一端から他端まで連通するように形成されていればよく、繊維基材２の全面が露出するよう空隙層２１が形成されていることが好ましい。
(Second embodiment)
FIG. 3 is a cross-sectional view of the prepreg according to the present embodiment.
As shown in FIG. 3, it differs from 1st embodiment by the point that the
ここで、本実施形態に係るプリプレグ１を積層する際、プリプレグのコア側に設けられた層は、金属配線を埋め込むための層であり、表面側の層は、金属箔を密着させるための層となる。
Here, when the
また、第１の樹脂層４と第２の樹脂層５のうち、一方の樹脂層が他方の樹脂層３２と比べて可とう性が高くてもよい。このとき、第１の樹脂層４と第２の樹脂層５の内、樹脂層の厚さが薄い方が可とう性は高いことが好ましい。このように、２種類の樹脂層の内、厚さが薄い方の樹脂層の可とう性を高く設定することによって、プリプレグ１の反りを抑制することが可能となる。
Also, one of the
第２の樹脂層５上に配線部４００（導体パターン）を形成するために、第２の樹脂組成物は、金属との密着性に優れるような組成に設定されている。また、第１の樹脂層４に他のプリプレグ１の配線部４００や、他の繊維基材２を確実に埋め込むために、第２の樹脂組成物は、第２の樹脂層５が第１の樹脂層４より流動性が高くなるような組成に設定されている。
In order to form the wiring part 400 (conductor pattern) on the
以下、この点について詳説する。 Hereinafter, this point will be described in detail.
第２の樹脂層５の可とう性は、第１の樹脂層４よりも高くなっている。このような大小関係となっている場合、第１の樹脂層４の平均厚さをｔａ３μｍとし、第２の樹脂層５の平均厚さをｔａ４μｍとしたとき、ｔａ４μｍ＜ｔａ３μｍとなる関係を満足するのが好ましい。より具体的には、１．２×ｔａ４μｍ＜ｔａ３μｍなる関係を満足するのが好ましく、２×ｔａ４μｍ＜ｔａ３μｍなる関係を満足するのがより好ましく、３×ｔａ４μｍ＜ｔａ３μｍなる関係を満足することがさらに好ましい。これは、次のような理由による。
The flexibility of the
第２の樹脂層５の可とう性を、第１の樹脂層４より高く設定した場合、第２の樹脂層５の熱膨張率は、第１の樹脂層４より大きくなる傾向がある。このため、上記とは異なり「ｔａ４ >ｔａ３ 」とすると、プリプレグ１が加熱されたとき、第２の樹脂組成物が過剰に変形して、繊維基材２の部分で反りが生じるおそれがある。この繊維基材２の部分での反りは、プリプレグ１全体に大きく影響を与え、プリプレグ１自体が反ってしまうおそれがある。
When the flexibility of the
これに対して、「ｔａ４ >ｔａ３ 」とすれば、上記の不都合が生じるのを解消して、プリプレグ１に反りが発生するのを防止または抑制することが可能である。また、かかる関係を満足することにより、プリプレグ１の上面側の部分に比較的高い剛性と可とう性を付与することができるため、当該プリプレグ１の上面（第２の樹脂層５上）に配線部４００を高い加工性で形成することができる。一方、第１の樹脂層４は、高い流動性と十分な厚さを有することができるため、当該第１の樹脂層４に他のプリプレグ１の配線部４００や他の繊維基材２を埋め込む際、当該埋め込みを確実に行なうことができる、すなわち、他のプリプレグ１の配線部４００や他の繊維基材２に対する埋め込み性が向上する。
On the other hand, if “ta 4 > ta 3 ”, it is possible to eliminate the above inconvenience and prevent or suppress the warpage of the
さらに具体的には、平均厚さｔａ３μｍは、５μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、１０μｍ以上８０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。一方、平均厚さｔａ４μｍは、２μｍ以上５０μｍ以下の範囲であることが好ましく、５μｍ以上４０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。 More specifically, the average thickness ta 3 μm is preferably in the range of 5 μm to 100 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 80 μm. On the other hand, the average thickness ta 4 μm is preferably in the range of 2 μm to 50 μm, and more preferably in the range of 5 μm to 40 μm.
また、繊維基材２の最大厚さＴ１μｍに対して、平均厚さｔａ３μｍは、０．４×Ｔ１μｍ以上１．５×Ｔ１μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．５×Ｔ１μｍ以上１．２×Ｔ１μｍ以下の範囲であることがより好ましい。平均厚さｔａ４μｍは、０．２×Ｔ１μｍ以上０．８Ｔ１μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．３×Ｔ１μｍ以上０．７×Ｔ１μｍ以下の範囲であることがより好ましい。平均厚さｔａ３μｍおよびｔａ４μｍをかかる範囲に設定することにより、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５がそれぞれ繊維基材２から剥離するのを確実に防止することができる。
The average thickness ta 3 μm is preferably in the range of 0.4 × T 1 μm to 1.5 × T 1 μm with respect to the maximum thickness T 1 μm of the
第１の樹脂組成物で構成されている第１の樹脂層４と、第２の樹脂組成物で構成されている第２の樹脂層５とを、形成する。このとき、繊維基材層３３は、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５の間に配置されており、繊維基材層３３中の繊維基材２の表面の全体が露出している構成となる。なお、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物は、互いに組成の異なるものであってもよい。
A
また、本実施形態においても、かかる構成によって、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５に要求される特性に応じて、樹脂組成物の組成を適宜変更することができる。
Also in the present embodiment, according to such a configuration, the composition of the resin composition can be appropriately changed according to the characteristics required for the
従来技術におけるプリプレグ１のように第１の樹脂組成物のワニスや第２の樹脂組成物のワニスが繊維基材２に含浸したものである場合、当該プリプレグ１の製造過程でワニスの含浸の程度にバラつきが生じてしまう。その結果、歩留まりは低く、製造されるプリプレグ１の機械的強度にもバラつき（差）が生じてしまう。
When the varnish of the first resin composition or the varnish of the second resin composition is impregnated in the
一方、本実施形態に係るプリプレグ１は、ワニスの繊維基材２への含浸が阻止されているため、従来のプリプレグで生じるような不具合が確実に防止される。これにより、製造される（得られる）プリプレグ１は、機械的強度が均一なものとなる。
On the other hand, since the
次に、本実施形態に係るプリプレグの製造方法について説明する。 Next, the manufacturing method of the prepreg which concerns on this embodiment is demonstrated.
本実施形態に係るプリプレグ１の製造方法は、樹脂組成物を繊維基材２に供給する手法に関しては、第一の実施形態と同様である。
The manufacturing method of the
なお、本実施形態に係るプリプレグ１の製造方法は、互いに組成の異なる樹脂組成物を用いて、繊維基材２の一面に、第１の樹脂組成物で構成されている第１の樹脂層４を形成し、第一の樹脂層とは他面側に、第２の樹脂組成物で構成されている第２の樹脂層５を形成する、という点で第一の実施形態とは異なっている。
In addition, the manufacturing method of the
本実施形態において（方法１）を採用する場合、入口側において繊維基材をローラーに挿入する直前に、樹脂組成物は、繊維基材の両面から供給される点で第一の実施形態と異なっている。 When (Method 1) is employed in this embodiment, the resin composition is different from that of the first embodiment in that the resin composition is supplied from both sides of the fiber substrate immediately before the fiber substrate is inserted into the roller on the inlet side. ing.
本実施形態において（方法２）を採用する場合、第１の樹脂層４を形成する際、液状の第１の樹脂組成物を繊維基材２に供給して、液状の第１の樹脂組成物を硬化してもよい。同様に、第２の樹脂層５を形成する際、液状の第２の樹脂組成物を繊維基材２に供給して、液状の第２の樹脂組成物を硬化してもよい。 このとき、繊維基材２が、液状の第１の樹脂組成物または液状の第２の樹脂組成物に対して、撥液性を有していてもよい。
When (Method 2) is employed in the present embodiment, when the
本実施形態において（方法２）を採用する場合、具体的には、液状の第１の樹脂組成物のワニスを繊維基材２の方の面側に供給し、その供給されたワニスを硬化（Ｂ−ステージ状態または任意の硬化状態）して、第１の樹脂層４を一旦形成する。その後、液状の第２の樹脂組成物のワニスを繊維基材２の他方の面側に供給し、その供給されたワニスを硬化して、第２の樹脂層５を形成することにより、プリプレグ１を確実に得ることができる。また、これらの樹脂層を形成する順序は、逆であってもよい。
In the case of adopting (Method 2) in the present embodiment, specifically, the varnish of the liquid first resin composition is supplied to the surface side of the
次に、本実施形態に係る効果について説明する。 Next, effects according to the present embodiment will be described.
本実施形態においても、第一の実施形態と同様に、空隙層２１を設けたプリプレグ１を製造することによって、後述で説明するように、プリプレグ１を積層した際、空気が抜けやすく気泡が残留してしまうことを抑制することができる。また、外部からの衝撃を空隙層２１によって吸収することが可能である。これにより、繊維基材２自体の破損防止につながり、機械的強度が向上したプリプレグ１を提供することができる。
Also in the present embodiment, as in the first embodiment, by manufacturing the
＜基板＞
（第一の実施形態）
図４は、本実施形態に係る基板の断面図である。
図４に示すように、本実施形態に係る基板１０は、上記で述べたプリプレグ１を、従来のプリプレグ１３の両面に複数積層したものである。ただし、空隙層２１は、押圧されて消失している。なお、当該基板１０は、積層体１１の上端と下端の少なくとも一方に、金属層１２をさらに有しても、積層体１１の上部に導体パターンが形成されてもよい。
<Board>
(First embodiment)
FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate according to the present embodiment.
As shown in FIG. 4, a
なお、本発明の基板１０は、プリプレグ１３が省略され、２つのプリプレグ１が樹脂層３２同士を直接接合して、樹脂付きの金属層１２からなる積層体１１であってもよく、また、２つのプリプレグ１のうちの一方が省略された積層体１１であってもよく、また、金属層１２が省略されたものであってもよい。
The
本実施形態に係る基板１０は、プリプレグ１を積層した積層体１１に気泡が残留しにくい。なぜなら、本発明によるプリプレグ１は、空隙層２１を有しているため、積層するときに、空気の逃げ道が確保されているからである。このため、空隙部に存在していた空気を、積層と同時に外部に逃がすことができる。
In the
次に、本実施形態に係る基板１０について詳説する。
Next, the
樹脂層３２は、上述した樹脂層３２を構成する樹脂組成物と異なる組成、具体的には、樹脂層３２が樹脂含浸部３１より可擦性が高くなるような組成に設定されている。この樹脂層３２を構成する樹脂組成物の構成成分には、上記樹脂組成物で挙げたものと同様のものを用いることができるが、樹脂や充填材等の種類および含有量、樹脂の分子量（平均繰り返し単位数）等の少なくとも１つを異ならせることにより、樹脂組成物の組成は、上記樹脂組成物と異なっている。その結果、樹脂層３２は、樹脂層３２と異なる特性を有している。
The
この樹脂層３２の面方向、すなわち、プリプレグ１の長手方向（Ｘ方向）および幅方向（Ｙ方向）の熱膨張係数は、特に限定されないが、２０ｐｐｍ以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ以上１６ｐｐｍ以下の範囲であることがより好ましい。樹脂層３２の熱膨張係数が上述の範囲内であると、プリプレグ１は、高い接続信頼性を有すことができ、得られる基板１０は、半導体素子等の実装信頼性に優れたものとなる。
The thermal expansion coefficient in the surface direction of the
繊維基材１３には、上述した繊維基材２と同様のものを用いることができる。また、本実施形態では、樹脂層３２は、前述したような特性（可擦性）を有するため、繊維基材１３の少なくとも一部は、樹脂層３２に確実に埋め込まれる（埋設される）。
As the
金属層１２は、配線部４００に加工される部分であり、例えば、銅箔、アルミ箔等の金属箔を積層体１１に接合すること、銅、アルミニヴムを積層体１１の表面にメッキすること等により形成される。また、本実施形態では、樹脂層３２は、上述したような特性を有するため、高い密着性で金属層１２を保持することができるとともに、高い加工精度で金属層１２を配線部４００に形成することができるようになっている。
The
金属層１２と樹脂層３２とのピール強度は、０．５ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．６ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましい。これにより、金属層１２を配線部４００に加工し、得られる半導体装置（図６参照）における接続信頼性をより向上させることができる。
The peel strength between the
次に、本実施形態に係る基板１０の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
本実施形態に係る基板１０の製造は、プリプレグ１を複数積層して積層体１１を形成している。このとき、プリプレグ１に形成されていた空隙層２１は、積層体１１を加熱、加圧することで、消失させている。なお、金属層１２を形成しても、積層方向に隣接するプリプレグ１の間に繊維基材２を導入してもよい。なお、複数のプリプレグの内、少なくとも一つが本実施形態に係るプリプレグ１であればよい。
In the manufacture of the
具体的に、プリプレグ１を加熱・加圧する際、以下に説明する方法を用いている。
Specifically, when the
基板１０は、樹脂層３２上に金属層１２を形成したプリプレグ１を２つ用意し、これらのプリプレグ１で繊維基材１３を挟持した状態で、例えば、真空プレス、常圧ラミネータおよび真空下で加熱加圧するラミネータを用いて積層する方法が挙げられる。
The
真空プレスは、平板に挟んで通常のホットプレス機等で実施できる。例えば、名機製作所社製の真空プレス、北川精機社製の真空プレス、ミカドテクノス社製の真空プレス等が挙げられる。また、ラミネータ装置としては、ニチゴー・モ一トン社製のバキュームアップリケータ一、名機製作所社製の真空加圧式ラミネー夕、目立テクノエンジニアリング社製の真空ロール式ドライコータ等のような市販の真空積層機、またはベルトプレス等を用いて製造することができる。 The vacuum press can be performed with a normal hot press machine or the like sandwiched between flat plates. For example, a vacuum press manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., a vacuum press manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd., a vacuum press manufactured by Mikado Technos, etc. Laminator devices include commercially available vacuum applicators manufactured by Nichigo-Moton Co., vacuum press laminator manufactured by Meiki Seisakusho, and vacuum roll dry coaters manufactured by Meji Techno Engineering Co., Ltd. It can be manufactured using a vacuum laminator or a belt press.
本実施形態に係る効果について説明する。 The effects according to this embodiment will be described.
本実施形態に係る基板の製造方法を用いた場合、複数のプリプレグ１を積層、および繊維基材２への樹脂組成物の含浸を同時に行うことができる。これは、プリプレグ１を積層する際、高温高圧条件下で積層を行うため、実現できている。また、繊維基材２への樹脂組成物の含浸を積層時に行うため、積層板内に気泡が残留しにくい。なぜなら、プリプレグ１における空隙層２１の端部から空気が逃げやすいのと同時に、樹脂組成物の含浸は均一に行われるためである。
When the substrate manufacturing method according to the present embodiment is used, a plurality of
また、従来の技術水準において行われていた積層板を形成する際に、樹脂組成物と繊維基材をそれぞれ独立した状態で、積層する方法と異なり、繊維基材２の波打ちが発生しないという点でも優れている。これは、繊維基材２と樹脂組成物とを事前にプリプレグとして製造した上で積層するからである。このように、プリプレグを積層した際、繊維基材がよじれないことで、波打ち箇所に気泡が残留することを防ぐことができる。
Moreover, when forming the laminated board performed in the prior art level, the point that the corrugation of the
（第二の実施形態）
図５は、本実施形態に係る基板の断面図である。
図５に示すように、本実施形態に係る基板１０は、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５を含んでいる点以外は、第１の実施形態と同様である。また、基板１０の製造方法および効果についても、第一の実施形態と同様である。
(Second embodiment)
FIG. 5 is a cross-sectional view of the substrate according to the present embodiment.
As shown in FIG. 5, the
以下、第１の実施形態との相違点について、説明する。 Hereinafter, differences from the first embodiment will be described.
積層体１１は、第１の樹脂層２同士を内側にして配置された２つのプリプレグ１と、第２の樹脂層５同士間で挟持された繊維基材１３とを備える。
The laminate 11 includes two
繊維基材２には、上述した繊維基材２と同様のものを用いることができる。また、本実施形態では、第１の樹脂層４は、上述したような特性（流動性）を有するため、繊維基材２の少なくとも一部は、第１の樹脂層４に確実に埋め込まれる（埋設される）。
As the
金属層１２は、配線部４００に加工される部分であり、例えば、銅箔、アルミ箔等の金属箔を積層体１１に接合すること、銅、アルミニウムを積層体１１の表面にメッキすること等により形成される。また、本実施形態では、第２の樹脂層５は、前述したような特性を有するため、高い密着性で金属層１２を保持することができるとともに、高い加工精度で金属層１２を配線部４００に形成することができるようになっている。
The
＜半導体装置＞
本実施形態に係る半導体装置は、上記で説明した基板１０上に半導体素子を搭載したものであり、第１の実施形態および第２の実施形態共に、共通である。半導体装置の製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０上に半導体素子５００を搭載する工程と、を含んでいる。なお、半導体装置の製造方法についても、第１の実施形態および第２の実施形態共に、共通である。
<Semiconductor device>
The semiconductor device according to the present embodiment has a semiconductor element mounted on the
図６は、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
以下、図６を参照しつつ説明する。なお、図６中では、第２の実施形態に係る繊維基材２を省略して示し、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５を一体として示してある。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment.
Hereinafter, a description will be given with reference to FIG. In FIG. 6, the
図６に示す半導体装置は、多層基板２００と、多層基板２００の上面に設けられたパッド部３００と、多層基板２００の下面に設けられた配線部４００と、パッド部３００にバンプ５０１を接続することにより、多層基板２００上に搭載された半導体素子５００とを有している。また、その他、多層基板２００の下面には、配線部４００、パッド部３００、半田ボール等が設けられていてもよい。
In the semiconductor device illustrated in FIG. 6, the
多層基板２００は、コア基板として設けられた基板１０と、この基板１０の上側に設けられた３つのプリプレグ１ａ，１ｂ，１ｃと、基板１０の下側に設けられた３つのプリプレグ１ｄ，１ｅ，１ｆとを備えている。プリプレグ１ａ〜１ｃをそれぞれ構成する繊維基材２、第１の樹脂層４、第２の樹脂層５の基板１０からの配置順番と、プリプレグ１ｄ〜１ｆをそれぞれ構成する繊維基材２、第１の樹脂層４、第２の樹脂層５の基板１０からの配置順番とは、同じとなっている。
The
また、多層基板２００は、プリプレグ１ａとプリプレグ１ｂとの聞に設けられた回路部２０１ａと、プリプレグ１ｂとプリプレグ１ｃとの聞に設けられた回路部２０１ｂと、プリプレグ１ｄとプリプレグ１ｅとの聞に設けられた回路部２０１ｄと、プリプレグ１ｅとプリプレグ１ｆとの聞に設けられた回路部２０１ｅとを有している。
In addition, the
さらに、多層基板２００は、各プリプレグ１ａ〜１ｆをそれぞれ貫通して設けられ、隣接する回路部同士や、回路部２０１ａ〜ｅとパッド部３００とを電気的に接続する導体部２０２とを備えている。
Furthermore, the
基板１０の各金属層１２は、それぞれ、所定のパターンに加工され、当該加工された金属層１２同士は、基板１０を貫通して設けられた導体部２０３により電気的に接続されている。
Each
なお、半導体装置１００（多層基板２００）は、基板１０の片面側に、４つ以上のプリプレグ１を設けるようにしてもよい。さらに、半導体装置１００は、本発明のプリプレグ１以外のプリプレグを含んでいてもよい。
In the semiconductor device 100 (multilayer substrate 200), four or
以上、本発明のプリプレグ１、基板１０および半導体装置１００を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、プリプレグ１、基板１０および半導体装置１００を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
The embodiment of the
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.
以下、本発明を、実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail with reference to an Example, this invention is not limited to description of these Examples at all.
以下、プリプレグ、基板、および半導体装置を製造した結果について詳説する。 Hereinafter, the results of manufacturing the prepreg, the substrate, and the semiconductor device will be described in detail.
（実施例１）
（１）プリプレグの製造
（１−１）第１のプリプレグ
図３に示すプリプレグ１を製造した。製造方法は、以下のとおりである。また、図３における第１の樹脂層４を製造するためのキャリア材料を第１の樹脂シート、第２の樹脂層５を製造するためのキャリア材料を第２の樹脂シートとする。
Example 1
(1) Manufacture of prepreg (1-1) First prepreg The
まず、第１の樹脂層４に用いる樹脂組成物のワニスを調製した。調製方法は、以下の通りである。
First, a varnish of a resin composition used for the
エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−５０００）２．０質量部、ナフタレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−６０００）１０．０質量部、シアネートエステル樹脂（ロンザ製、ＰＴ−３０）１０．０質量部、マレイミド化合物としてビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン（ケイアイ化成工業社製、ＢＭＩ−７０）５．０質量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、充填材として球状シリカ（アドマテックス社製、ＫＢＭ５７３表面処理品、ＳＯＣ２、平均粒径０．５μｍ）１５．０質量部、球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯＣ４、平均粒径１．０μｍ）５２．０質量部、微球シリカ（アドマナノ、ＫＢＭ４０３表面処理品、平均粒径５５ｎｍ）５．０質量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．５質量部、硬化触媒として、４級ホスホニウム系硬化促進剤である（４一メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート（北興化学工業社製、ＴＰＴＰ−ＳＣＮ）０．５質量部を添加して、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌した。この撹拌では、不揮発分７５質量％となるように調整し、第１の樹脂層４に用いる樹脂組成物のワニス（以下、第１の樹脂ワニスと示す）を調製した。
As epoxy resins, naphthalene-modified cresol novolac epoxy resin (DIC, HP-5000) 2.0 parts by mass, naphthalene ether type epoxy resin (DIC, HP-6000) 10.0 parts by mass, cyanate ester resin (Lonza) , PT-30) 10.0 parts by weight, and bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane (manufactured by Keiai Kasei Kogyo Co., Ltd., BMI-70) as the maleimide compound, 5.0 parts by weight of methyl ethyl ketone Dissolved in and dispersed in. Furthermore, 15.0 parts by weight of spherical silica (manufactured by Admatex, KBM573 surface-treated product, SOC2, average particle size 0.5 μm) as a filler, spherical silica (manufactured by Admatex, SOC4, average particle size 1.0 μm) 52.0 parts by mass, microsphere silica (Admanano, KBM403 surface-treated product, average particle size 55 nm) 5.0 parts by mass, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (Momentive Performance Materials Co., Ltd.) as a coupling agent (A-187) 0.5 parts by mass, (4 monomethylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate (manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd., TPTP-SCN) 0.5 mass as a quaternary phosphonium-based curing accelerator as a curing catalyst Part was added and stirred for 30 minutes using a high-speed stirrer. In this stirring, it adjusted so that it might become 75 mass% of non volatile matters, and the varnish (henceforth a 1st resin varnish) of the resin composition used for the
次に、第１の樹脂ワニスを塗工した第１の樹脂シートを作製した。作製方法は、以下のとおりである。 Next, the 1st resin sheet which coated the 1st resin varnish was produced. The manufacturing method is as follows.
第１の樹脂ワニスを、ポリエチレンテレフタレート基材（以下、ＰＥＴと示す）（帝人デュポンフィルム社製ピューレックス、３８μｍ）上に、ダイコーター装置を用いて、乾燥後の樹脂層の厚さが２６．５μｍとなるように塗工した。次に、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第１樹脂層４用の第１の樹脂シートを得た。
The first resin varnish was dried on a polyethylene terephthalate substrate (hereinafter referred to as PET) (Purex manufactured by Teijin DuPont Films, 38 μm) using a die coater device, and the thickness of the resin layer after drying was 26. Coating was performed so as to be 5 μm. Next, it dried for 5 minutes with a 160 degreeC drying apparatus, and the 1st resin sheet for
次に、第２の樹脂層５に用いる樹脂組成物のワニスを調製した。調製方法は、以下の通りである。
Next, a varnish of a resin composition used for the
エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−５０００）３０．０質量部、シアネートエステル樹脂（ロンザ製、ＰＴ−３０）１８．０質量部、フェノキシ樹脂（三菱化学社製ＹＸ６９５４ＢＨ３０、固形分３０％）１１質量部（固形分換算）を、メチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、充填材として球状シリカ（アドマテックス社製、ＫＢＭ５７３表面処理品、ＳＯＣ２、平均粒径０．５μｍ）４０．０質量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．５質量部、硬化触媒として、４級ホスホニウム系硬化促進剤である（４一メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート（北興化学工業社製、ＴＰＴＰ−ＳＣＮ）０．５質量部を添加して、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌した。この撹拌では、不揮発分６５質量％となるように調整し、樹脂組成物のワニス（以下、第２の樹脂ワニスと示す）を調製した。 30.0 parts by mass of naphthalene-modified cresol novolac epoxy resin (manufactured by DIC, HP-5000), 18.0 parts by mass of cyanate ester resin (manufactured by Lonza, PT-30), epoxy resin (YX6954BH30 by Mitsubishi Chemical Corporation) 11 parts by mass (solid content conversion) of 11% (solid content 30%) was dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone. Furthermore, 40.0 parts by mass of spherical silica (manufactured by Admatechs, KBM573 surface-treated product, SOC2, average particle size 0.5 μm) as filler, and γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (momentive Performance Materials, Inc., A-187) 0.5 parts by mass, as a curing catalyst, quaternary phosphonium-based curing accelerator (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate (manufactured by Hokuko Chemical Industries, TPTP-SCN) ) 0.5 part by mass was added and stirred for 30 minutes using a high-speed stirrer. In this stirring, it adjusted so that it might become 65 mass% of non volatile matters, and prepared the varnish (henceforth a 2nd resin varnish) of a resin composition.
次に、第２の樹脂ワニスを塗工した第２の樹脂層を作製した。作製方法は、以下のとおりである。 Next, the 2nd resin layer which applied the 2nd resin varnish was produced. The manufacturing method is as follows.
第２の樹脂ワニスを、ＰＥＴ上に、ダイコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが５μｍとなるように塗工した。次に、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第２樹脂層５用の第２の樹脂シートを得た。
The second resin varnish was coated on PET using a die coater so that the thickness of the resin layer after drying was 5 μm. Next, it dried for 5 minutes with a 160 degreeC drying apparatus, and the 2nd resin sheet for
上記で述べた方法により得られた第１の樹脂シートおよび第２の樹脂シートを用いて図３に示すプリプレグ１（以下、第１のプリプレグと示す。）を製造した。製造方法は、以下のとおりである。
A
第１の樹脂シートと第２の樹脂シートの間に、ガラス繊維基材（坪量４８ｇ／ｍ２、日東紡社製Ｅガラス織布、ＷＥＡ１０７８、ＩＰＣ規格１０７８）を配した。なお、第１の樹脂シートと第２の樹脂シートは、当該ガラス繊維の両面に樹脂層が繊維基材と向き合うように配された。次に、シリコンゴムロールで、ラミネート温度１２０℃、線圧１０Ｎ／ｃｍで、第１の樹脂シートと第２の樹脂シートをガラス繊維基材に貼り合わせを行うことで、両面にＰＥＴ基材を有した第１のプリプレグを得た。得られた第１のプリプレグに対して断面観察を行ったところ、空隙層２１の割合は、繊維基材の最大の厚さに対して約９０％であった。
Between the first resin sheet and the second resin sheet, a glass fiber substrate (basis weight 48 g / m 2 , E glass woven fabric manufactured by Nittobo Co., Ltd., WEA 1078, IPC standard 1078) was disposed. In addition, the 1st resin sheet and the 2nd resin sheet were distribute | arranged so that the resin layer might face a fiber base material on both surfaces of the said glass fiber. Next, the first resin sheet and the second resin sheet are bonded to the glass fiber substrate with a silicon rubber roll at a lamination temperature of 120 ° C. and a linear pressure of 10 N / cm, so that both sides have a PET substrate. A first prepreg was obtained. When a cross-sectional observation was performed on the obtained first prepreg, the ratio of the
（１−２）第２のプリプレグ
多層用プリプレグ（以下、第２のプリプレグ）の製造を行った。製造方法は、以下のとおりである。なお、第２のプリプレグは、片面に極薄銅箔を有している点で第１のプリプレグと異なっている。
(1-2) 2nd prepreg The prepreg for multilayers (henceforth, 2nd prepreg) was manufactured. The manufacturing method is as follows. The second prepreg differs from the first prepreg in that it has an ultrathin copper foil on one side.
多層用プリプレグの製造に用いた樹脂ワニスは上記第１のプリプレグに用いた樹脂ワニスと同様の方法で得た。また、キャリア材料は、以下の方法によって製造した。 The resin varnish used for the production of the multi-layer prepreg was obtained in the same manner as the resin varnish used for the first prepreg. The carrier material was manufactured by the following method.
第１の樹脂ワニスを、ＰＥＴ上に、ダイコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが２８μｍとなるように塗工した。次に、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第１の樹脂層４用の第１の樹脂シートを得た。
The first resin varnish was coated on PET using a die coater so that the thickness of the resin layer after drying was 28 μm. Next, it dried for 5 minutes with a 160 degreeC drying apparatus, and the 1st resin sheet for the
第２の樹脂ワニスを、キャリア箔付き極薄銅箔（三井金属鉱業社製、マイクロシンＥｘ、１．５μｍ）上に、ダイコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが５μｍとなるように塗工した。次に、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第２の樹脂層５用の第２の樹脂シートを得た。
The thickness of the resin layer after drying the second resin varnish on a very thin copper foil with carrier foil (Mitsui Metal Mining Co., Ltd., Micro Thin Ex, 1.5 μm) using a die coater device is 5 μm. So that it was coated. Next, it dried for 5 minutes with the 160 degreeC drying apparatus, and the 2nd resin sheet for
第２のプリプレグの製造方法における樹脂シートの貼り付け方法は、上記第１のプリプレグの製造方法と同様の方法を用いている。ただし、ガラス繊維基材（ユニチカ社製Ｅガラス織布、Ｅ０２Ｚ、ＩＰＣ規格１０１５、坪量１７ｇ／ｍ２）を用いている点で第１のプリプレグとは異なっている。上記材料および方法を用いて、片面に極薄銅箔を有する第２のプリプレグを得た。得られた第２のプリプレグに対して断面観察を行ったところ、空隙層２１の割合は、繊維基材の最大の厚さに対して約８０％であった。
The method for attaching the resin sheet in the second prepreg manufacturing method uses the same method as the first prepreg manufacturing method. However, it differs from the first prepreg in that a glass fiber substrate (E glass woven fabric manufactured by Unitika Ltd., E02Z, IPC standard 1015, basis weight 17 g / m 2 ) is used. A second prepreg having an ultrathin copper foil on one side was obtained using the above materials and methods. When a cross-sectional observation was performed on the obtained second prepreg, the ratio of the
（２）基板の製造
基板（金属張積層板）を製造した。製造方法は、以下のとおりである。
(2) Production of substrate A substrate (metal-clad laminate) was produced. The manufacturing method is as follows.
両面にＰＥＴ基材を有した第１のプリプレグからＰＥＴを剥離し、第１の樹脂層４を合わせて２枚重ねた上で、両面にキャリア箔付き極薄銅箔（三井金属鉱業社製、マイクロシンＥｘ、１．５μｍ）を配した。これを、平滑な金属板に挟み、２２０℃、３ＭＰａで２時間加熱加圧成形することにより、金属張積層板を得た。得られた金属箔付き積層板のコア層（積層板からなる部分）の厚みは、０．１０ｍｍであった。得られた金属張積層板に対して断面観察を行ったところ、空隙層２１が完全に消失していることを確認した。
After peeling PET from the first prepreg having a PET base on both sides, and stacking two sheets of the
（３）半導体装置の製造
まず、多層プリント配線板の製造を行った。製造方法は、以下のとおりである。
(3) Manufacturing of semiconductor device First, a multilayer printed wiring board was manufactured. The manufacturing method is as follows.
上記で製造した金属箔張積層板をコア基板として用いた。このコア基板の両面にセミアディティブ法を用いて、微細回路パターン（残銅率７０％、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍ）を形成した内層回路基板を作成した。その内層回路基板の両面に、第２のプリプレグを真空ラミネートによって積層後、熱風乾燥装置を用いて２２０℃で６０分間加熱硬化を行った。次いで、キャリア箔を剥離後、炭酸レーザーによりブラインドビアホール（非貫通孔）を形成した。形成したビアホール内を、６０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント Ｐ）に５分間浸漬した。次に、８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト ＣＰ）に１０分浸漬後、中和して粗化処理をおこなった。 The metal foil-clad laminate produced above was used as the core substrate. By using a semi-additive method on both surfaces of this core substrate, an inner layer circuit substrate having a fine circuit pattern (residual copper ratio 70%, L / S = 25/25 μm) was prepared. The second prepreg was laminated on both surfaces of the inner layer circuit board by vacuum lamination, and then heat-cured at 220 ° C. for 60 minutes using a hot air dryer. Next, after peeling off the carrier foil, blind via holes (non-through holes) were formed by a carbonic acid laser. The formed via hole was immersed in a swelling liquid at 60 ° C. (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 5 minutes. Next, it was immersed in an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C. (manufactured by Atotech Japan, Concentrate Compact CP) for 10 minutes, and then neutralized and roughened.
次に、脱脂、触媒付与、および活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約０．５μｍ形成した。次いで、めっきレジストを形成し、無電解銅めっき皮膜を給電層としてパターン電気めっき銅２０μｍを形成させ、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍの微細回路加工を施した。その後、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。 Next, after passing through degreasing, catalyst application, and activation steps, an electroless copper plating film was formed to a thickness of about 0.5 μm. Next, a plating resist was formed, pattern electroplated copper 20 μm was formed using the electroless copper plating film as a power feeding layer, and fine circuit processing of L / S = 25/25 μm was performed. Thereafter, annealing was performed at 200 ° C. for 60 minutes with a hot air drying apparatus, and then the power feeding layer was removed by flash etching.
給電層を除去した後、ソルダーレジスト層を積層し、次いで半導体素子搭載パッドなどが露出するように露光した。露光後、開口炭酸レーザーを用いて現像することによってブラインドビアホール（非貫通孔）を形成した。 After removing the power feeding layer, a solder resist layer was laminated, and then exposed so that the semiconductor element mounting pad and the like were exposed. After exposure, a blind via hole (non-through hole) was formed by developing using an open carbonic acid laser.
最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらに無電解ニッケルめっき層上に対し、無電解金めっき層０．１μｍ、次いで半田めっき層５μｍとからなるめっき層を形成した。そして、得られた基板を５０１４ｍｍ×５０１４ｍｍサイズに切断し、半導体パッケージ用の多層プリント配線板を得た。 Finally, the electroless nickel plating layer is 3 μm on the circuit layer exposed from the solder resist layer, and the electroless nickel plating layer is further plated with an electroless gold plating layer of 0.1 μm and then a solder plating layer of 5 μm. A layer was formed. And the obtained board | substrate was cut | disconnected to 5014 mm x 5014 mm size, and the multilayer printed wiring board for semiconductor packages was obtained.
次に、上記方法で製造した半導体パッケージ用の多層プリント配線板を用いて、図６に示す半導体パッケージを製造した。製造方法は、以下のとおりである。 Next, the semiconductor package shown in FIG. 6 was manufactured using the multilayer printed wiring board for semiconductor packages manufactured by the above method. The manufacturing method is as follows.
半導体パッケージ用の多層プリント配線板上に、半田バンプを有する半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ８２０ｍｍ×２０８ｍｍ、厚み１００７２５μｍ）を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着することで搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−Ｘ４８００Ｂ）を充填し、当該液状封止樹脂を硬化させることで半導体パッケージを得た。なお、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。また、半導体素子の半田バンプは、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ組成の鉛フリー半田で形成されたものを用いた。 A semiconductor element (TEG chip, size 820 mm × 208 mm, thickness 100725 μm) having solder bumps was mounted on a multilayer printed wiring board for a semiconductor package by thermocompression bonding using a flip chip bonder device. Next, after solder bumps were melt-bonded in an IR reflow furnace, a liquid sealing resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-X4800B) was filled and the liquid sealing resin was cured to obtain a semiconductor package. The liquid sealing resin was cured at a temperature of 150 ° C. for 120 minutes. Moreover, the solder bump of the semiconductor element used what was formed with the lead free solder of Sn / Ag / Cu composition.
以上、本発明の実施例について説明したが、種々の変形が可能である。
たとえば、プリプレグの製造方法として、ＰＥＴ上に樹脂ワニスを塗工、乾燥して得られる樹脂シートを用いた例を示したが、Ｂステージ状態のエポキシ樹脂フィルムを用いてもよい。
As mentioned above, although the Example of this invention was described, various deformation | transformation are possible.
For example, as an example of a method for producing a prepreg, an example in which a resin sheet obtained by applying and drying a resin varnish on PET is shown, but an epoxy resin film in a B-stage state may be used.
１ プリプレグ
１ａ プリプレグ
１ｂ プリプレグ
１ｃ プリプレグ
１ｄ プリプレグ
１ｅ プリプレグ
１ｆ プリプレグ
２ 繊維基材
４ 第１の樹脂層
５ 第２の樹脂層
１０ 基板
１１ 積層体
１２ 金属層
１３ 繊維基材、プリプレグ
２１ 空隙層
３１ 樹脂含浸部
３２ 樹脂層
３３ 繊維基材層
１００ 半導体装置
２００ 多層基板
２０１ａ 回路部
２０１ｂ 回路部
２０１ｄ 回路部
２０１ｅ 回路部
２０２ 導体部
２０３ 導体部
３００ パッド部
４００ 配線部
５００ 半導体素子
５０１ バンプ
DESCRIPTION OF
Claims (19)
前記繊維基材の少なくとも一方の面側に設けられており、樹脂組成物で構成された樹脂層と、
を備え、
前記繊維基材中の少なくとも一部に、前記樹脂組成物の含浸されていない空隙層が形成されたプリプレグ。 A fiber substrate formed in a layer shape, provided on at least one side of the fiber substrate, and a resin layer composed of a resin composition;
With
A prepreg in which a void layer not impregnated with the resin composition is formed on at least a part of the fiber base material.
前記繊維基材において前記第１の樹脂層と他方の一面に設けられ、第２の樹脂組成物によって構成された第２の樹脂層と、
を備え、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に、前記空隙層が形成されている請求項１または２に記載のプリプレグ。 The resin layer is provided on both surfaces of the fiber base material, provided on the one surface, and a first resin layer constituted by a first resin composition;
A second resin layer provided on one surface of the first base layer and the other in the fiber base material, and configured by a second resin composition;
With
The prepreg according to claim 1 or 2, wherein the gap layer is formed between the first resin layer and the second resin layer.
前記基板上に搭載された半導体素子と、
を含む半導体装置。 A substrate according to any one of claims 7 to 9,
A semiconductor element mounted on the substrate;
A semiconductor device including:
前記繊維基材の前記一面とは他方の一面側に、第２の樹脂組成物で構成されている第２の樹脂層と、
を離間した状態で形成する請求項１１に記載のプリプレグの製造方法。 When supplying the resin composition, a first resin layer composed of the first resin composition on the one surface of the fiber base; and
A second resin layer composed of a second resin composition on the one surface side of the one side of the fiber base; and
The method for producing a prepreg according to claim 11, wherein the prepreg is formed in a separated state.
前記第２の樹脂層は、液状の前記第２の樹脂組成物を前記繊維基材に供給・硬化して形成する請求項１３に記載のプリプレグの製造方法。 The first resin layer supplies and cures the liquid first resin composition to the fiber substrate,
The prepreg manufacturing method according to claim 13, wherein the second resin layer is formed by supplying and curing the liquid second resin composition to the fiber base material.
前記複数のプリプレグの内、少なくとも一つは請求項１乃至６のいずれか一項に記載したプリプレグであって、
前記積層工程は、前記積層体を加熱、加圧することで、前記空隙層を消失させる工程を含む基板の製造方法。 Having a laminating step of laminating a plurality of prepregs to form a laminate,
At least one of the plurality of prepregs is the prepreg according to any one of claims 1 to 6,
The said lamination process is a manufacturing method of a board | substrate including the process of lose | disappearing the said space | gap layer by heating and pressurizing the said laminated body.
前記基板上に半導体素子を搭載する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
Preparing a substrate obtained by the method for producing a substrate according to any one of claims 16 to 18,
Mounting a semiconductor element on the substrate;
A method of manufacturing a semiconductor device including:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012043709A JP2013180406A (en) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | Prepreg, substrate, semiconductor device, method of manufacturing prepreg, method of manufacturing substrate, and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012043709A JP2013180406A (en) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | Prepreg, substrate, semiconductor device, method of manufacturing prepreg, method of manufacturing substrate, and method of manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013180406A true JP2013180406A (en) | 2013-09-12 |
Family
ID=49271434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012043709A Pending JP2013180406A (en) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | Prepreg, substrate, semiconductor device, method of manufacturing prepreg, method of manufacturing substrate, and method of manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2013180406A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5991500B1 (en) * | 2016-03-18 | 2016-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Metal-clad laminate, printed wiring board, method for producing metal-clad laminate, and method for producing printed wiring board |
| JP2017061120A (en) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | Prepreg and manufacturing method therefor, printed circuit board using the same and manufacturing method therefor |
| JP2017170877A (en) * | 2016-08-01 | 2017-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Metal-clad laminate, printed wiring board, method for manufacturing metal-clad laminate, and method for manufacturing printed wiring board |
| KR20180125160A (en) | 2016-04-15 | 2018-11-22 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | Fiber Reinforced Resin Intermediate, Fiber Reinforced Resin Molded Body, and Method of Manufacturing Fiber Reinforced Resin Intermediate Material |
| US10351994B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-07-16 | The Japan Steel Works, Ltd. | Fiber-reinforced resin intermediate material and method for manufacturing same |
| JP2019160939A (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-19 | Tdk株式会社 | Resin substrate |
| KR20210021805A (en) * | 2019-08-19 | 2021-03-02 | 해성디에스 주식회사 | Flexible semiconductor package and method thereof |
| CN114889172A (en) * | 2022-07-14 | 2022-08-12 | 成都市泰格尔航天航空科技有限公司 | Self-adaptive rubber retaining strip for molding ultra-thick composite material part and using method |
| WO2022254587A1 (en) * | 2021-06-01 | 2022-12-08 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | Prepreg, laminate plate, metal-clad laminate plate, printed wiring board, semiconductor package, method for manufacturing prepreg, and method for manufacturing metal-clad laminate plate |
-
2012
- 2012-02-29 JP JP2012043709A patent/JP2013180406A/en active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112223789B (en) * | 2014-10-17 | 2022-08-02 | 株式会社日本制钢所 | Fiber-reinforced resin intermediate material and method for producing same |
| CN112223789A (en) * | 2014-10-17 | 2021-01-15 | 株式会社日本制钢所 | Fiber-reinforced resin intermediate material and method for producing same |
| US10351994B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-07-16 | The Japan Steel Works, Ltd. | Fiber-reinforced resin intermediate material and method for manufacturing same |
| US10697114B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-06-30 | The Japan Steel Works, Ltd. | Fiber-reinforced resin intermediate material and method for manufacturing same |
| JP2017061120A (en) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | Prepreg and manufacturing method therefor, printed circuit board using the same and manufacturing method therefor |
| JP2017170640A (en) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Metal-clad laminate, printed wiring board, method for manufacturing metal-clad laminate, and method for manufacturing printed wiring board |
| JP5991500B1 (en) * | 2016-03-18 | 2016-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Metal-clad laminate, printed wiring board, method for producing metal-clad laminate, and method for producing printed wiring board |
| KR20180125160A (en) | 2016-04-15 | 2018-11-22 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | Fiber Reinforced Resin Intermediate, Fiber Reinforced Resin Molded Body, and Method of Manufacturing Fiber Reinforced Resin Intermediate Material |
| US11065829B2 (en) | 2016-04-15 | 2021-07-20 | The Japan Steel Works, Ltd. | Fiber-reinforced resin intermediate material, fiber-reinforced resin molded article, and method for producing fiber-reinforced resin intermediate material |
| JP2017170877A (en) * | 2016-08-01 | 2017-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Metal-clad laminate, printed wiring board, method for manufacturing metal-clad laminate, and method for manufacturing printed wiring board |
| JP2019160939A (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-19 | Tdk株式会社 | Resin substrate |
| JP7102793B2 (en) | 2018-03-09 | 2022-07-20 | Tdk株式会社 | Resin substrate |
| KR20210021805A (en) * | 2019-08-19 | 2021-03-02 | 해성디에스 주식회사 | Flexible semiconductor package and method thereof |
| KR102551339B1 (en) * | 2019-08-19 | 2023-07-05 | 해성디에스 주식회사 | Flexible semiconductor package |
| WO2022254587A1 (en) * | 2021-06-01 | 2022-12-08 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | Prepreg, laminate plate, metal-clad laminate plate, printed wiring board, semiconductor package, method for manufacturing prepreg, and method for manufacturing metal-clad laminate plate |
| WO2022255278A1 (en) * | 2021-06-01 | 2022-12-08 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | Prepreg, laminated plate, metal-clad laminated plate, printed wiring board, semiconductor package, method for manufacturing prepreg, and method for manufacturing metal-clad laminated plate |
| CN114889172A (en) * | 2022-07-14 | 2022-08-12 | 成都市泰格尔航天航空科技有限公司 | Self-adaptive rubber retaining strip for molding ultra-thick composite material part and using method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6410405B2 (en) | Resin substrate, prepreg, printed wiring board, semiconductor device | |
| JP2013180406A (en) | Prepreg, substrate, semiconductor device, method of manufacturing prepreg, method of manufacturing substrate, and method of manufacturing semiconductor device | |
| WO2012140908A1 (en) | Laminate sheet, circuit board, and semiconductor package | |
| JP6480650B2 (en) | Metal-clad laminate, printed wiring board, semiconductor package, semiconductor device, and metal-clad laminate production method | |
| JP6083127B2 (en) | Laminate, laminate with build-up layer, circuit board, semiconductor package, and method for manufacturing laminate | |
| TWI575003B (en) | Prepreg and method for manufacturing prepreg | |
| JP6281184B2 (en) | Metal-clad laminate, printed wiring board, semiconductor package, and semiconductor device | |
| JP6008104B2 (en) | Prepreg and metal-clad laminate | |
| JP6540452B2 (en) | Resin composition for circuit board, prepreg, metal-clad laminate, circuit board, and semiconductor package | |
| JP6217069B2 (en) | Resin substrate, metal-clad laminate, printed wiring board, and semiconductor device | |
| WO2013021587A1 (en) | Prepreg, laminated board, printed wiring board, semiconductor package, and semiconductor device | |
| WO2014192421A1 (en) | Printed wiring board and semiconductor device | |
| KR20140016934A (en) | Prepreg for build-up | |
| JP2013006328A (en) | Laminate, circuit board, and semiconductor package | |
| JP5935314B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| WO2013172008A1 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2018035301A (en) | Prepreg, metal-clad laminate, printed wiring board and semiconductor package | |
| JP2012051988A (en) | Prepreg, substrate, and semiconductor device | |
| JP2012051990A (en) | Prepreg, substrate, and semiconductor device | |
| JP2012051987A (en) | Prepreg, substrate, and semiconductor device |