JP2013179122A5 - - Google Patents
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 23
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
Claims (7)
- 不揮発性半導体メモリーであって、
シリコン基板と、
第1のシリコン酸化膜と、
第2のシリコン酸化膜と、
第3のシリコン酸化膜と、
第1のシリコン窒化膜と、
第2のシリコン窒化膜と、を含み、
前記第1のシリコン酸化膜は、前記シリコン基板上に積層され、
前記第1のシリコン窒化膜は、前記第1のシリコン酸化膜上に積層され、
前記第2のシリコン酸化膜は、前記第1のシリコン窒化膜上に積層され、
前記第3のシリコン酸化膜の厚さは、前記第1のシリコン酸化膜の厚さよりも薄く、
前記第2のシリコン窒化膜は、第1の部分が前記第1のシリコン窒化膜に接すると共に
第2の部分が前記第3のシリコン酸化膜を介して前記シリコン基板に接していることを特
徴とする不揮発性半導体メモリー。 - 更に、前記シリコン基板内にシリサイド領域を含み、
前記シリサイド領域は、前記第2のシリコン窒化膜の第2の部分に接することを特徴す
る請求項1に記載の不揮発性半導体メモリー。 - 更に、前記第2のシリコン酸化膜上に第1の電極を有し、
前記第2のシリコン窒化膜の第3の部分が前記第1の電極に接していることを特徴とす
る請求項1又は2に記載の不揮発性半導体メモリー。 - 前記第3のシリコン酸化膜は、厚さが22Å以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の不揮発性半導体メモリー。
- 前記第2のシリコン窒化膜は、厚さが45Å以上であることを特徴とする請求項1乃至
4のいずれか一項に記載の不揮発性半導体メモリー。 - 不揮発性半導体メモリーの製造方法であって、
シリコン基板上に、第1のシリコン酸化膜を成膜する第1の工程と、
前記第1のシリコン酸化膜上に、第1のシリコン窒化膜を成膜する第2の工程と、
前記第1のシリコン窒化膜上に、第2のシリコン酸化膜を成膜する第3の工程と、
前記第1のシリコン酸化膜、前記第1のシリコン窒化膜及び第2のシリコン酸化膜を所
定の形状にパターニングする第4の工程と、
前記第4の工程の後に第2のシリコン窒化膜を成膜する第5の工程と、を含み、
前記第4の工程において、前記第1のシリコン窒化膜及び前記シリコン基板が露出され、
前記第4の工程と前記第5の工程の間の第6の工程において、前記シリコン基板が露出
された領域に第3のシリコン酸化膜が形成され、
前記第5の工程において、前記第1のシリコン窒化膜と前記第2のシリコン窒化膜とが
接することを特徴とする不揮発性半導体メモリーの製造方法。 - 不揮発性半導体メモリーの製造方法であって、
シリコン基板上に、第1のシリコン酸化膜を成膜する第1の工程と、
前記第1のシリコン酸化膜上に、第1のシリコン窒化膜を成膜する第2の工程と、
前記第1のシリコン窒化膜上に、第2のシリコン酸化膜を成膜する第3の工程と、
前記第1のシリコン酸化膜、前記第1のシリコン窒化膜及び第2のシリコン酸化膜を所
定の形状にパターニングする第4の工程と、
前記第4の工程の後に第2のシリコン窒化膜を成膜する第5の工程と、を含み、
前記第4の工程において、前記第1のシリコン窒化膜が露出され、前記第1のシリコン
酸化膜をエッチングすることで前記第1のシリコン酸化膜より膜厚が薄い第3のシリコン
酸化膜が形成され、
前記第5の工程において、前記第1のシリコン窒化膜と前記第2のシリコン窒化膜とが
接することを特徴とする不揮発性半導体メモリーの製造方法。
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