JP2013175784A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013175784A JP2013175784A JP2013114784A JP2013114784A JP2013175784A JP 2013175784 A JP2013175784 A JP 2013175784A JP 2013114784 A JP2013114784 A JP 2013114784A JP 2013114784 A JP2013114784 A JP 2013114784A JP 2013175784 A JP2013175784 A JP 2013175784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- wafer
- plasma
- component
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】真空容器107と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ112が載せられる下部電極113と、下部電極113にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置118,120と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段111と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段101〜103と、前記高周波電力により前記ウェハ112に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置127とを備えたプラズマ処理装置。
【選択図】図1
Description
まず、本発明を具現化する装置の実施例を説明する。図1は、本発明の実施例に係るプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。この図に示すプラズマ処理装置では、真空容器の内部に配置された処理室の内側でプラズマを形成し、このプラズマを用いてその処理室内に配置された半導体ウェハ等の被エッチング材料である基板状の試料を処理するプラズマ処理装置となっている。このプラズマ処理装置におけるプラズマの発生機構は、450MHzのUHF電源101と、インピーダンス検出器付高速応答UHF整合器102と、アンテナ103と、電磁石104を備えて構成されている。
実施例1では、壁面状態のインピーダンスが変わらないとしてウェハ単体処理におけるインピーダンスの絶対値で終点を得たが、ウェハ量産加工ではチェンバー壁面状態起因の経時変化が存在する場合がある。このチャンバー壁面状態変動を分離して、終点を取得する実施例を以下に示す。実施例1で記載した、TiNのMEにおける2周波混合比50%で終点判定を実施する場合、図5の終点判定フローに示すように、複数の周波数に応じたインピーダンスを検知する工程501の後、壁面とウェハ直上の夫々のインピーダンスを前記(1)、(2)、(3)式に基づき分離する工程502を行い、終点判定を行なう工程503を実施し、IEDF制御機構127、UHF電源101、高速応答圧力制御機構110、高速応答反応性ガス導入機構111、温度制御機構115の出力を変化させる工程を行う504。このとき使用した終点判定の模式図を図6に示す。
次に、分離されたチャンバー壁面とウェハ直上のインピーダンス変化を利用する実施例を以下に示す。図3(a)記載のメタルゲート/high−kゲート電極のエッチング処理を複数枚実施する場合のTiNのME終点判定ステップのフロー図を、図7に示す。実施例2の要領で、複数の周波数に応じたインピーダンスを検知する工程501の後、壁面とウェハ直上の夫々のインピーダンスを(1)、(2)、(3)式に基づき分離する工程502を実施し、分離したチャンバー壁面のインピーダンスとウェハ直上のインピーダンスを過去の同じステップの状態(過去のインピーダンス変化などのデータ、変動モデル式)と比較する工程701を実施する。
次に、図10を参照して、図10(a)に示すプレーナ型のArFレジスト301/BARC302/TEOS(ハードマスク)1001/Poly−Si1002/HfSiO2307がSi基板309上に積層された構造を有するCMOSゲートを、本発明を用いて加工する場合の実施例を説明する。
次に、図1のプラズマ処理装置を用いて、図12に示す高段差を所有する立体構造FIN−FETを形成する際の処理方法の実施例を説明する。図12(a)はエッチング前の膜構造を示す斜視図、図12(b)は本実施例を用いてエッチングした後の膜構造を示す斜視図、図12(c)は図12(a)に示すA−A線を通る面で切った縦断面図である。
次に、μ波−ECR装置を用いたプラズマ処理装置において、ゲート電極以外の膜構造を処理して形成する例を図14に示す。この例では、図14(a)のようなSi基板309に深孔を形成する場合を説明する。この場合のエッチングステップは、BARC302とハードマスク1001とSi309のエッチングステップからなり、BARC層302とハードマスク1001エッチングステップは、実施例4の要領でME、OEプロセスを行った。その後、SF6、CF4、CHF3、CH2F2、SiCl4、SiF4等のF含有ガスや酸素を混合して、100cc〜300ccのガス流量、0.4〜1.5Paの圧力、プラズマ生成機構であるμ波出力500〜800Wでプラズマを生成し、電極温度内/外差5℃から20℃程度内側を高くしてSi層のエッチングを行っている。図14(b)に示す1401はハードマスクエッチング後のトレンチである。
102 インピーダンス検出器付高速応答UHF整合器
103 アンテナ
104 電磁石
105 石英板
106 シャワープレート
107 エッチングチャンバー
108 ヒータ
109 高真空ポンプ
110 高速応答圧力制御機構
111 高速応答反応性ガス導入機構
112 Siウエハ
113 下部電極
114 サセプタ
115 温度制御機構
116 直流電源
117 バイアス印加機構
118 高周波バイアス電源部
119 高周波用整合部
120 低周波バイアス電源部
121 低周波用整合部
122 発光受光部
123 発光分光器
124 膜厚干渉モニタ
125 制御装置
126 プラズマ状態検知器
127 IEDF制御機構
201 高周波数(13.56MHz)のIEDF
202 高周波数時の分布幅
203 低周波数(400kHz)のVpp200VのIEDF
204 低周波数時の分布幅
205 低周波数(400kHz)のVpp100Vと高周波(13.56MHz)Vpp100V混合時のIEDF
301 レジスト
302 BARC
303 中間層マスク
304 下層マスク
305 ゲートCap層
306 メタルゲート電極層
307 HfSiON絶縁膜
308 STI
309 Si基板
310 STI段差
311 アクティブ部分のゲート電極下部
312 HfSiON膜の下地抜け
313 STI段差部のゲート電極材料の残り
314 裾引き形状
315 STI上のゲート電極材料の残り
316 本発明で処理したゲート電極
401 BT終点(インピーダンスが大きくなった時刻)
402 TiNのME終点(インピーダンスが変化し始めた時刻)
403 TiNのME時の2周波混合比
404 TiNのOE1時の2周波混合比
405 TiNのOE2時の2周波混合比
406 従来発光ピークによるTiNのME終点
407 膜厚干渉モニタによるTiNのBTME時の出力波形
408 膜厚干渉モニタによるTiNのME終点
601 完全にエッチング膜が除去されたときのインピーダンス
602 終点判定前のインピーダンス
603 整合経路
604 設定した複素インピーダンス範囲
605 604を整合経路が通過する点
606 経時変化が存在する場合の終点判定前のインピーダンス
607 経時変化が存在する場合の終点判定後のインピーダンス
801 poly−Siレート
802 SiO2レート
803 対酸化膜の選択性
804 選択比200のライン
901 データベース
1001 ハードマスク
1002 Poly−Siゲート電極層
1003 テーパ形状疎密形状差のあるハードマスク
1004 側壁に付着した反応生成物
1005 ノッチング
1101 BARCの終点
1102 ハードマスクエッチングの終点
1103 Poly−SiのBTステップの終点
1104 Poly−SiのMEステップの終点
1105 BARCエッチング時の2周波混合比
1106 ハードマスクエッチング時の2周波混合比
1107 Poly−Siエッチングング時の2周波混合比
1108 Poly−SiのOEエッチングング時の2周波混合比
1201 FIN部分
1202 Si層
1203 SiO2層
1204 TiN層
1205 High−k絶縁膜
1206 エッチングされたTiNゲート電極
1207 FIN段差
1208 FIN部分とゲート電極の際部分
1301 発光強度が落ちきる時間
1302 CN発光強度の減少始め時刻
1303 ランプ制御
1304 従来技術のガス流量制御波形
1305 ガス流量オーバーシュート
1306 圧力変動
1307 従来技術でのプラズマ中の圧力変動
1308 着火時プラズマ入射電力の変動
1309 プラズマ入射電力の変動
1310 発光強度が充分立ち上がった時刻
1311 TiNエッチング中の内周部分の電極温度
1312 TiNエッチ中の外周部分の温度
1313 TiNのMEステップの2周波数バイアス
1314 Ti発光強度が落ち始めた時刻
1315 高速応答反応性ガス導入機構で単調増加に制御されたF系添加ガス流量
1316 ランプ制御波形
1401 ハードマスクエッチング後のトレンチ
1402 ボーイング
Claims (5)
- high−k絶縁膜と前記high−k絶縁膜上方に配置されたPoly−Si膜とを有するウェハにプラズマエッチングによってPoly−Siゲート電極を形成するプラズマ処理方法において、
前記ウェハに複数の異なる周波数の高周波バイアス電力を供給しながらプラズマのインピーダンスの時間変化を検知する工程と、
前記検知されたプラズマのインピーダンスの時間変化をプラズマ処理室の壁面状態成分とウェハ直上成分のインピーダンスとに分離する工程と、
前記分離されたウェハ直上成分のインピーダンスの検知結果に応じて前記プラズマエッチングの終点を判定する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - high−k絶縁膜と前記high−k絶縁膜上方に配置されたPoly−Si膜とを有するウェハにプラズマエッチングによってPoly−Siゲート電極を形成するプラズマ処理方法において、
前記ウェハに複数の異なる周波数の高周波バイアス電力を供給しながらプラズマのインピーダンスの時間変化を検知する工程と、
前記検知されたプラズマのインピーダンスの時間変化をプラズマ処理室の壁面状態成分とウェハ直上成分のインピーダンスとに分離する工程と、
前記プラズマ処理室の壁面状態成分とウェハ直上成分のインピーダンスとに分離する工程後、前記分離されたプラズマ処理室の壁面状態成分のインピーダンスと前記分離されたウェハ直上成分のインピーダンスを過去のインピーダンス変化のデータである変動モデルと比較する工程と、
前記比較する工程での比較結果に応じて、前記プラズマ処理室の壁面をクリーニングする、または、次回のウェハプラズマ処理条件を変化させる工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - プラズマエッチングによりSi基板に深孔を形成するプラズマ処理方法において、
前記ウェハに複数の異なる周波数の高周波バイアス電力を供給しながらプラズマのインピーダンスの時間変化を検知する工程と、
前記検知されたプラズマのインピーダンスの時間変化をプラズマ処理室の壁面状態成分とウェハ直上成分のインピーダンスとに分離する工程と、
前記分離されたウェハ直上成分のインピーダンスの検知結果に応じて前記プラズマエッチングの終点を判定する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - プラズマエッチングによりSi基板に深孔を形成するプラズマ処理方法において、
前記ウェハに複数の異なる周波数の高周波バイアス電力を供給しながらプラズマのインピーダンスの時間変化を検知する工程と、
前記検知されたプラズマのインピーダンスの時間変化をプラズマ処理室の壁面状態成分とウェハ直上成分のインピーダンスとに分離する工程と、
前記プラズマ処理室の壁面状態成分とウェハ直上成分のインピーダンスとに分離する工程後、前記分離されたプラズマ処理室の壁面状態成分のインピーダンスと前記分離されたウェハ直上成分のインピーダンスを過去のインピーダンス変化のデータである変動モデルと比較する工程と、
前記比較する工程での比較結果に応じて、前記プラズマ処理室の壁面をクリーニングする、または、次回のウェハプラズマ処理条件を変化させる工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
前記分離する工程は、高周波数の高周波バイアス電力が供給された時の電圧と電流とウェハ直上成分のインピーダンスと処理室の壁面状態成分のインピーダンスをそれぞれVH、IH、Z1H、Z2Hとする(1)式と、低周波数の高周波バイアス電力が供給された時の電圧と電流とウェハ直上成分のインピーダンスと処理室の壁面状態成分のインピーダンスをそれぞれVL、IL、Z1L、Z2Lとする(2)式と、高周波数の高周波バイアスの角速度と低周波数の高周波バイアスの角速度をそれぞれωH、ωLとし高周波数の高周波バイアス電力が供給された時のウェハ直上成分のインピーダンスと低周波数の高周波バイアス電力が供給された時のウェハ直上成分のインピーダンスとウェハ直上成分の抵抗成分とリアクタンス成分とインダクタンス成分と容量成分をそれぞれZ1H、Z1L、R1、X1、L1、C1とし高周波数の高周波バイアス電力が供給された時の処理室の壁面状態成分のインピーダンスと低周波数の高周波バイアス電力が供給された時の処理室の壁面状態成分のインピーダンスと処理室の壁面状態成分の抵抗成分とリアクタンス成分とインダクタンス成分と容量成分をそれぞれZ2H、Z2L、R2、X2、L2、C2とする(3)式とを用いて前記検知されたプラズマのインピーダンスの時間変化を処理室の壁面状態成分とウェハ直上成分のインピーダンスとに分離することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013114784A JP5568667B2 (ja) | 2007-02-13 | 2013-05-31 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW96105248 | 2007-02-13 | ||
TW096105248 | 2007-02-13 | ||
JP2007048383 | 2007-02-28 | ||
JP2007048383 | 2007-02-28 | ||
JP2013114784A JP5568667B2 (ja) | 2007-02-13 | 2013-05-31 | プラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012126660A Division JP5336634B2 (ja) | 2007-02-13 | 2012-06-04 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013175784A true JP2013175784A (ja) | 2013-09-05 |
JP5568667B2 JP5568667B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=39915340
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008002709A Active JP5014166B2 (ja) | 2007-02-13 | 2008-01-10 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP2012126660A Expired - Fee Related JP5336634B2 (ja) | 2007-02-13 | 2012-06-04 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP2013114784A Active JP5568667B2 (ja) | 2007-02-13 | 2013-05-31 | プラズマ処理方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008002709A Active JP5014166B2 (ja) | 2007-02-13 | 2008-01-10 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP2012126660A Expired - Fee Related JP5336634B2 (ja) | 2007-02-13 | 2012-06-04 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP5014166B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022049677A1 (ja) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199126A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP5334787B2 (ja) | 2009-10-09 | 2013-11-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR101760536B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2017-07-31 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 시스템을 제어하는 방법 및 장치 |
JP5916056B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2016-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP6045646B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2016-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP2012104382A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法 |
JP2012142495A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP5935116B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2016-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6334369B2 (ja) * | 2014-11-11 | 2018-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US10553411B2 (en) | 2015-09-10 | 2020-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ion collector for use in plasma systems |
JP6548748B2 (ja) | 2016-01-18 | 2019-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP6643212B2 (ja) | 2016-09-16 | 2020-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7017306B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2022-02-08 | 株式会社日立ハイテク | 真空処理装置 |
JP6945388B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング処理装置 |
KR20190073521A (ko) | 2017-10-16 | 2019-06-26 | 가부시키가이샤 아루박 | 플라즈마 처리 장치 |
US20210305070A1 (en) | 2017-10-17 | 2021-09-30 | Ulvac, Inc. | Object processing apparatus |
WO2019199635A1 (en) * | 2018-04-13 | 2019-10-17 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for controlling ion energy distribution in process plasmas |
US11011351B2 (en) * | 2018-07-13 | 2021-05-18 | Lam Research Corporation | Monoenergetic ion generation for controlled etch |
JP6648236B2 (ja) * | 2018-10-19 | 2020-02-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
CN114574829B (zh) * | 2022-03-08 | 2023-10-27 | 松山湖材料实验室 | 一种微深孔内镀膜工艺及镀膜装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267301A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | エッチング進行度検出方法、エッチング方法、半導体装置の製造方法、エッチング進行度検出装置およびドライエッチング装置 |
JP2002299322A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005142582A (ja) * | 2000-03-24 | 2005-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および処理方法 |
JP3665265B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
US6841943B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-01-11 | Lam Research Corp. | Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies |
JP2004039772A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Renesas Technology Corp | プラズマ処理装置の制御装置 |
JP2004152999A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US7517801B1 (en) * | 2003-12-23 | 2009-04-14 | Lam Research Corporation | Method for selectivity control in a plasma processing system |
JP4553247B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2007036139A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング終点検出方法 |
-
2008
- 2008-01-10 JP JP2008002709A patent/JP5014166B2/ja active Active
-
2012
- 2012-06-04 JP JP2012126660A patent/JP5336634B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-05-31 JP JP2013114784A patent/JP5568667B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267301A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | エッチング進行度検出方法、エッチング方法、半導体装置の製造方法、エッチング進行度検出装置およびドライエッチング装置 |
JP2002299322A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022049677A1 (ja) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7075540B1 (ja) * | 2020-09-02 | 2022-05-25 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TWI796727B (zh) * | 2020-09-02 | 2023-03-21 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5336634B2 (ja) | 2013-11-06 |
JP2012212894A (ja) | 2012-11-01 |
JP2008244429A (ja) | 2008-10-09 |
JP5568667B2 (ja) | 2014-08-06 |
JP5014166B2 (ja) | 2012-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5568667B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
KR100978886B1 (ko) | 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치 | |
US10181412B2 (en) | Negative ion control for dielectric etch | |
US9034198B2 (en) | Plasma etching method | |
KR101600738B1 (ko) | 에칭 중에 로우-k 게이트 스페이서로의 손상을 감소시키기 위한 방법 | |
US6660127B2 (en) | Apparatus for plasma etching at a constant etch rate | |
KR102038174B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
US20140134847A1 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
US20100224587A1 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium | |
KR20150015408A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI633599B (zh) | Etching method and etching device | |
US9905431B2 (en) | Dry etching method | |
US7736914B2 (en) | Plasma control using dual cathode frequency mixing and controlling the level of polymer formation | |
KR100894345B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
KR20150021475A (ko) | 실리콘 산화막을 에칭하는 방법 | |
US9449842B2 (en) | Plasma etching method | |
US20200126801A1 (en) | Etching method and plasma processing apparatus | |
TW200849325A (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
US20150041060A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
Kim et al. | Effects of bias pulsing on etching of SiO2 pattern in capacitively-coupled plasmas for nano-scale patterning of multi-level hard masks | |
US20100068888A1 (en) | Dry etching method | |
JP5804978B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びコンピュータ記録媒体 | |
WO2010110878A1 (en) | Plasma etching method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140610 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5568667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |